JP2017195232A - 繊維状の熱電素子 - Google Patents

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松本 賢一
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【課題】繊維状に構成された柔軟性に優れた熱電素子を提供することを目的とする。【解決手段】熱電素子100は、第1リード線10と、第2リード線20と、を有する。第1リード線10は、カーボンナノチューブからなる繊維状のp型半導体11Pと、カーボンナノチューブからなる繊維状のn型半導体11Nと、を有し、p型半導体11Pとn型半導体11Nとが直列に接続されている。第2リード線20は、カーボンナノチューブからなる繊維状のp型半導体21Pと、カーボンナノチューブからなる繊維状のn型半導体21Nと、を有し、p型半導体21Pとn型半導体21Nとが直列に接続されている。そして、第1リード線10と第2リード線20とは、互いにらせん状に撚り合わせられている。【選択図】図3

Description

本発明は、ペルチェ効果やゼーベック効果を利用して、冷却・加熱などの熱移動もしくは、温度差による発電を行う、熱電素子に関するものである。
近年、柔軟性や可撓性を有した熱電素子の開発が行われている。
従来の熱電素子は、例えば特許文献1に示されているように、フィルム状の基材にp型半導体薄膜とn型半導体薄膜を交互に配し、それらを直列に接続することで可撓性を有した熱電素子を構成している。
特開2005−328000号公報
しかしながら、上記従来の熱電素子は、フィルム状の基材にp型半導体薄膜とn型半導体薄膜を積層させた構成であり、1つ1つの半導体素子がシート状に構成されるため、面積が大きいものになってしまうという課題があった。
本発明は、このような従来の課題を解決するものであり、繊維状の熱電素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、カーボンナノチューブからなるp型半導体とカーボンナノチューブからなるn型半導体とを直列に接続した繊維状の第1リード線と、カーボンナノチューブからなるp型半導体とカーボンナノチューブからなるn型半導体とを直列に接続した繊維状の第2リード線と、を有し、第1リード線と第2リード線が互いに撚り合わせられた熱電素子としたものである。
これであれば、熱電素子を繊維状にすることができるという作用を有する。
本発明によれば、熱電素子を繊維状に構成することで、小型で柔軟性に優れたものを実現できるという有利な効果が得られる。
本発明の実施の形態による熱電素子の平面図 同熱電素子の部分拡大図 同熱電素子の構成を説明する図 同熱電素子を構成する第1リード線を説明する図 同熱電素子を構成する第2リード線を説明する図 同熱電素子の使用形態の一例を示す図
以下、本発明の実施の形態について、図1〜図6を用いて説明する。
(実施の形態)
図1は熱電素子100の平面図、図2は熱電素子100の部分拡大図、図3は熱電素子100の構成を説明する図、図4は熱電素子100を構成する第1リード線10を説明する図、図5は熱電素子100を構成する第2リード線20を説明する図である。
図2、図3に示すように、熱電素子100は、第1リード線10と、第2リード線20と、とを有する。図4に示すように、第1リード線10は、カーボンナノチューブからなる繊維状のp型半導体11Pと、カーボンナノチューブからなる繊維状のn型半導体11Nと、を有し、p型半導体11Pとn型半導体11Nとが直列に接続されている。図5に示すように、第2リード線20は、カーボンナノチューブからなる繊維状のp型半導体21Pと、カーボンナノチューブからなる繊維状のn型半導体21Nと、を有し、p型半導体21Pとn型半導体21Nとが直列に接続されている。そして、図2、図3に示すように、第1リード線10と第2リード線20とは、互いにらせん状に撚り合わせられている。
このように、熱電素子100は、第1リード線10と第2リード線20とを撚り合わせることで、第1リード線10と第2リード線20を構成するカーボンナノチューブが高密度になり、第1リード線10と第2リード線20の抵抗値が低下する。また、撚り合わせることで強度が向上する。これにより、小型で柔軟性に優れた繊維状の熱電素子を実現できる。
以下に熱電素子100の詳しい構成について説明する。
図1に示すように、熱電素子100は、繊維状であり、長さ方向における所定の領域が、p型半導体領域100Pもしくはn型半導体領域100Nに構成されている。熱電素子100は、図2、図3に示すように、第1リード線10と、第2リード線20と、を有する。そして、第1リード線10と第2リード線20は、互いにらせん状に撚り合わせられている。なお、図3は熱電素子100の構成を説明する模式図であり、説明のために、熱電素子100の一部において、第1リード線10と第2リード線20との撚りを解いた状態として図示している。また、図3において、撚りを解いた第1リード線10と第2リード線20の一部は、断面図として図示している。
図3、図4に示すように、第1リード線10は、カーボンナノチューブを主成分とする導電性を有した繊維状の導電部11と、導電部11の周囲を被覆するように形成された可撓性を有した絶縁材体からなる被覆部12を有している。なお、図4は第1リード線10の断面を模式的に示した模式図であり、第1リード線10の構成をわかりやすくするために、第1リード線10を第2リード線20との撚りを解いた直線状なものとして図示している。
ここに、第1リード線10の導電部11は、カーボンナノチューブを紡績して1本の繊維状にしたものであり、当該カーボンナノチューブにドーパントを注入することで、導電部11の長さ方向における所定の領域が、p型もしくはn型の半導体に構成されている。そして、図4に示すように、第1リード線10の導電部11は、p型半導体11Pとn型半導体11Nが交互に直列に接続されたものに形成されている。なお、図4では、導電部11はp型半導体11Pとn型半導体11Nとが直接接続(pn接合)されたものに形成されているが、必ずしもその必要はない。例えば、p型半導体11Pとn型半導体11Nとの間に、ドーパントが注入されずに半導体化していないカーボンナノチューブを介した構成であってもよい。このような構成であれば、p型半導体11Pとn型半導体11Nとを接合したときに生じる空乏層を抑制することができるため、第1リード線10の電気的
な抵抗を抑制して、効率のよい熱電素子を実現できる。
なお、導電部11を構成するカーボンナノチューブ(CNT)に多層カーボンナノチューブ(MWCNT)を用いれば、ドライスピニング法のような簡便な方法で、繊維状の導電部11を紡績することができるため望ましいが、多層カーボンナノチューブに比べ半導体化が容易な単層カーボンナノチューブ(SWCNT)であってもよい。また、多層カーボンナノチューブと単層カーボンナノチューブとを混ぜ合わせた複合材料であってもよい。
図3、図5に示すように、第2リード線20は、カーボンナノチューブを主成分とする導電性を有した繊維状の導電部21と、導電部21の周囲を被覆するように形成された可撓性を有した絶縁材体からなる被覆部22を有している。なお、図5は第2リード線20の断面を模式的に示した模式図であり、第2リード線20の構成をわかりやすくするために、第2リード線20を第1リード線10との撚りを解いた直線状なものとして図示している。
ここに、第2リード線20の導電部21は、カーボンナノチューブを紡績して1本の繊維状にしたものであり、当該カーボンナノチューブにドーパントを注入することで、導電部21の長さ方向における所定の領域が、p型もしくはn型の半導体に構成されている。そして、図5に示すように、第2リード線20の導電部21は、p型半導体21Pとn型半導体21Nが交互に直列に接続されたものに形成されている。なお、図5では、導電部21はp型半導体21Pとn型半導体21Nとが直接接続(pn接合)されたものに形成されているが、必ずしもその必要はない。例えば、p型半導体21Pとn型半導体21Nとの間に、ドーパントが注入されずに半導体化していないカーボンナノチューブを介した構成であってもよい。このような構成であれば、p型半導体21Pとn型半導体21Nとを接合したときに生じる空乏層を抑制することができるため、第2リード線20の電気的な抵抗を抑制して、効率のよい熱電素子を実現できる。
なお、導電部21を構成するカーボンナノチューブ(CNT)に多層カーボンナノチューブ(MWCNT)を用いれば、ドライスピニング法のような簡便な方法で、繊維状の導電部21を紡績することができるため望ましいが、多層カーボンナノチューブに比べ半導体化が容易な単層カーボンナノチューブ(SWCNT)であってもよい。また、多層カーボンナノチューブと単層カーボンナノチューブとを混ぜ合わせた複合材料であってもよい。
以上のように第1リード線10は、導電部11にカーボンナノチューブを用いている。同様に、第2リード線20においても、導電部21にカーボンナノチューブを用いている。そして、当該カーボンナノチューブにドーパントを注入することで半導体化させて、p型半導体とn型半導体とが直列に配置された導電部11、21とをそれぞれ構成している。
そして、熱電素子100は、第1リード線10と第2リード線20とが撚り合わせられて構成されている。なお、熱電素子100は、図3に示すように、第1リード線10におけるp型半導体11Pの領域と、第2リード線20におけるp型半導体21Pの領域とが、互いに隣接するように撚り合わせられている。同様に、熱電素子100は、第1リード線10におけるn型半導体11Nの領域と、第2リード線20におけるn型半導体21Nの領域とが、互いに隣接するように撚り合わせられている。
こうすることで、図1に示すように、熱電素子100は、長さ方向における所定の領域において、p型半導体11Pの領域とp型半導体21Pの領域とが隣接して撚り合わせら
れたp型半導体領域100Pを構成する。同様に、熱電素子100は、長さ方向における所定の領域において、n型半導体11Nの領域とn型半導体21Nの領域とが隣接して撚り合わせられたn型半導体領域100Nを構成する。
以上のように、熱電素子100は、カーボンナノチューブ製の第1リード線10と第2リード線20とを有した、柔軟性に優れた繊維状の熱電素子を実現できる。さらに、熱電素子100は、第1リード線10と第2リード線20とが撚り合わせられることで、第1リード線10と第2リード線20を構成するカーボンナノチューブが高密度になり、第1リード線10と第2リード線20の抵抗値が低下する。また、熱電素子100は、第1リード線10と第2リード線20とを撚り合わせることで強度が向上する。これにより、小型で柔軟性に優れた繊維状であると共に、抵抗値か低く電気的な損失の少ない熱電素子100を実現できる。
なお、本実施の形態においては、2本のリード線(第1リード線10と第2リード線20)を撚り合わせて熱電素子100を構成したが、例えば、第1リード線10もしく第2リード線20と同じように構成されたリード線を3本以上撚り合わせて熱電素子100を構成してもよい。なお、3本以上のリード線を撚り合わせる場合においても、それぞれのリード線のp型半導体の領域が互いに隣接するように撚り合わせられるとよい。同様に、それぞれのリード線のn型半導体の領域が互いに隣接するように撚り合わせられるとよい。
次に、熱電素子100の使用形態についての一例を説明する。
図6は熱電素子100の使用形態の一例を示す図であり、熱電素子100を布地200などに編み込むことで熱電変換装置300を構成している。なお、図6(a)は熱電変換装置300の平面図であり、図4(b)は熱電変換装置300の断面図である。
布地200は、例えば、綿や化学繊維などから形成された一般的な被服に使用される布であり、表面となる表面200Aと、裏面となる裏面200Bとを有する。そして、この布地200に対して、熱電素子100が波状に縫われている。ここに、図6に示すように、熱電素子100におけるp型半導体領域100Pとn型半導体領域100Nとの境界部の一方が、より厳密には、p型半導体領域100Pの一方端とn型半導体領域100Nの一方端が、布地200の表面200Aから露出するように、編みこまれている。同様に、p型半導体領域100Pの他端とn型半導体領域100Nの他端が、布地200の裏面200Bから露出するよう編みこまれている。このように、被服に使用される布地200に編み込む構成とすることで、着用可能な熱電変換装置300を実現できる。
これにより、熱電変換装置300は、着用されている人体等の表面の熱(布地200の裏面200B側の熱)と、外方の熱(布地200の表面200A側の熱)との差により、発電することができる。また、熱電変換装置300に電流を導通させれば、冷却・加熱などの熱移動が行われて、着用者の体温調節なども行うことができる。
また、熱電変換装置300を耐熱性や耐候性の高い布地200に熱電素子100を編みこんだものに構成して、例えば温水等が流れる工場の配管などに巻きつけて発電装置として使用することもできる。
このように、熱電素子100は、小型で柔軟性に優れた繊維状であるため、従来のような平面状に構成された熱電素子に比べて、高密度で集積することができる。
本発明による熱電素子は、小型で柔軟性に優れた繊維状であるため、布地などに編み込まれることで、柔軟性に優れた熱電変換装置を構成できる。したがって、本発明による熱電素子は、被服などに加工して着用したり、工場などの配管などに巻きつけて使用することができる熱電変換装置として有用である。
10 第1リード線
11 導電部
11N n型半導体
11P p型半導体
12 被覆部
20 第2リード線
21 導電部
21N n型半導体
21P p型半導体
22 被覆部
100 熱電素子
100N n型半導体領域
100P p型半導体領域
200 布地
200A 表面
200B 裏面
300 熱電変換装置

Claims (3)

  1. カーボンナノチューブからなるp型半導体とカーボンナノチューブからなるn型半導体とを直列に接続した繊維状の第1リード線と、
    カーボンナノチューブからなるp型半導体とカーボンナノチューブからなるn型半導体とを直列に接続した繊維状の第2リード線と、を備え、
    前記第1リード線と前記第2リード線が互いに撚り合わせられた熱電素子。
  2. 前記第1リード線もしくは、前記第2リード線は、絶縁材料によって被覆されている請求項1記載の熱電素子。
  3. 前記第1リード線におけるp型半導体の領域と、前記第2リード線におけるp型半導体の領域とが、互いに隣接するように撚り合わせられている請求項1記載の熱電素子。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019204926A (ja) * 2018-05-25 2019-11-28 日本ゼオン株式会社 熱電変換モジュールおよび発電システム
JP2019204927A (ja) * 2018-05-25 2019-11-28 日本ゼオン株式会社 熱電変換モジュールおよび発電システム
WO2023127590A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 日東電工株式会社 熱電変換素子およびセンサモジュール
WO2023127592A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 日東電工株式会社 熱電変換モジュール

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