JP2017188060A - 検出装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】金属材料などの導電性材料の検出電極を用いつつ、複数の散在する光の点が視認される可能性を低減できる、外部近接物体を検出可能な検出装置及び表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】検出装置は、基板と、基板と平行な面上に設けられ、第１方向に延びる、複数の第１導電性細線と、第１導電性細線と同一層上に設けられ、第１方向と角度をなす第２方向に延びる、複数の第２導電性細線と、所定幅の第１帯状領域に配置され、かつ、少なくとも第２方向に互いにずれた２つの第１導電性細線を含む第１グループと、所定幅の第２帯状領域に配置され、かつ、少なくとも第１方向に互いにずれた２つの第２導電性細線を含む第２グループと、を備える。第１帯状領域と第２帯状領域の交差領域では、第１導電性細線と第２導電性細線が接する。【選択図】図１１

Description

本発明は、外部近接物体を検出可能な検出装置に係り、特に静電容量の変化に基づいて外部近接物体を検出可能な検出装置及び表示装置に関する。

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化される、タッチ検出機能付き表示装置に用いられている。そして、タッチ検出機能付き表示装置は、表示装置に各種のボタン画像等を表示させることにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして情報入力を可能としている。このようなタッチパネルを有する、タッチ検出機能付き表示装置は、キーボードやマウス、キーパッドのような入力装置を必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。

タッチ検出装置の方式として、光学式、抵抗式、静電容量式などいくつかの方式が存在する。静電容量式のタッチ検出装置は、携帯端末などに用いて、比較的単純な構造をもち、かつ低消費電力が実現できる。例えば、特許文献１には、透光性電極パターンの不可視化対策がされたタッチパネルが記載されている。

さらに、外部近接物体を検出可能な検出装置では、薄型化、大画面化又は高精細化のため、検出電極の低抵抗化が求められている。検出電極は、透光性電極の材料としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電酸化物が用いられている。検出電極を低抵抗にするには、金属材料などの導電性材料を用いることが有効である。しかし、金属材料などの導電性材料を用いると、表示装置の画素と金属材料などの導電性材料との干渉によりモアレが視認される可能性がある。

特開２０１０−１９７５７６号公報 特開２０１４−０４１５８９号公報

そこで、特許文献２には、検出電極が金属材料などの導電性材料の検出電極を用いても、モアレが視認される可能性を低減できる検出装置が記載されている。特許文献２に記載の検出装置では、モアレが視認される可能性を低減できるものの、可視光が入射すると複数の検出電極で回折又は散乱する光強度パターンが複数の散在する光の点に近くなり、光の点が視認される可能性がある。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、金属材料などの導電性材料の検出電極を用いつつ、複数の散在する光の点が視認される可能性を低減できる、外部近接物体を検出可能な検出装置及び表示装置を提供することにある。

第１の態様によれば、検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、第１方向に延びる、複数の第１導電性細線と、前記第１導電性細線と同一層上に設けられ、前記第１方向と角度をなす第２方向に延びる、複数の第２導電性細線と、所定幅の第１帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第２方向に互いにずれた２つの前記第１導電性細線を含む第１グループと、所定幅の第２帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第１方向に互いにずれた２つの前記第２導電性細線を含む第２グループと、を備え、前記第１帯状領域と前記第２帯状領域の交差領域では、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線が接する。

第２の態様によれば、表示装置は、検出装置と、表示領域とを備え、前記表示領域と重畳する領域に、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが設けられている。

図１は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の一構成例を表すブロック図である。 図２は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接していない状態を表す説明図である。 図３は、図２に示す指が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。 図４は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。 図５は、図４に示す指が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。 図６は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図７は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。 図８は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。 図９は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１０は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配置を表す回路図である。 図１１は、実施形態１に係る検出電極の平面図である。 図１２は、実施形態１に係る検出電極の配置方法を説明するための工程図である。 図１３は、実施形態２に係る検出電極の平面図である。 図１４は、実施形態２の変形例１に係る検出電極の平面図である。 図１５は、実施形態２の変形例２に係る検出電極の平面図である。 図１６は、実施形態３に係る検出電極の平面図である。 図１７は、実施形態４に係る検出電極の平面図である。 図１８は、実施形態５に係る検出電極の平面図である。 図１９は、実施形態６に係る検出電極の平面図である。 図２０は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の一例を示す説明図である。

以下、発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の一構成例を表すブロック図である。タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出機能付き表示部１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、タッチ検出部（単に、検出部ともいう。）４０とを備えている。タッチ検出機能付き表示部１０は、いわゆる液晶表示装置と呼ばれる表示装置２０と静電容量型の検出装置３０とを一体化した装置である。なお、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示装置２０の上に、静電容量型の検出装置３０を装着した装置であってもよい。なお、表示装置２０は、例えば、有機ＥＬ表示装置であってもよい。なお、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、又は、駆動電極ドライバ１４は、表示部１０に設けられていてもよい。

表示装置２０は、後述するように、ゲートドライバ１２から供給される走査信号Ｖｓｃａｎに従って、１水平ラインずつ順次走査して表示を行う装置である。制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４、及びタッチ検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路（制御装置）である。

ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の表示駆動の対象となる１水平ラインを順次選択する機能を有している。

ソースドライバ１３は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する各副画素ＳＰｉｘに画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。

駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部１０の、後述する駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを供給する回路である。

タッチ検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示部１０の検出装置３０から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、検出装置３０に対するタッチ（後述する接触又は近接の状態）の有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標などを求める回路である。このタッチ検出部４０は検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備えている。

検出信号増幅部４２は、検出装置３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔに含まれる高い周波数成分（ノイズ成分）を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。

（静電容量型タッチ検出の基本原理）
検出装置３０は、静電容量型近接検出の基本原理に基づいて動作し、検出信号Ｖｄｅｔを出力する。図１〜図６を参照して、実施形態１のタッチ検出機能付き表示部１０におけるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、外部物体、例えば指が接触又は近接していない状態を表す説明図である。図３は、図２に示す指が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図４は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。図５は、図４に示す指が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図６は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、外部物体とは、後述の静電容量を発生させる物体であればよく、例えば、上述の指や、スタイラスが挙げられる。本実施の形態では、外部物体として、指を例にして説明する。

例えば、図３及び図５に示すように、容量素子Ｃ１、及び容量素子Ｃ１’は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の電極として駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。図３に示すように、容量素子Ｃ１は、その一端が交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器（タッチ検出部）ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。

交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚから数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇを印加すると、検出電極Ｅ２（容量素子Ｃ１の他端）側に接続された電圧検出器ＤＥＴを介して、出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。

指が接触（又は近接）していない状態（非接触状態）では、図２及び図３に示すように、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流Ｉ_０が流れる。図６に示すように電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ_０の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ_０）に変換する。

一方、指が接触（又は近接）した状態（接触状態）では、図４に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が検出電極Ｅ２と接している又は近傍にあることにより、駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２の間にあるフリンジ分の静電容量が遮られる。このため、容量素子Ｃ１’の容量値は、容量素子Ｃ１の容量値よりも小さくなる。そして、図５に示す等価回路でみると、容量素子Ｃ１’に電流Ｉ_１が流れる。図６に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ_１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ_１）に変換する。この場合、波形Ｖ_１は、上述した波形Ｖ_０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜を精度よく検出することが好ましい。このために、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Ｒｅｓｅｔが設けられることがより好ましい。

図１に示す検出装置３０は、駆動電極ドライバ１４から供給される駆動信号Ｖｃｏｍに従って、１検出ブロックずつ順次走査してタッチ検出を行う。

検出装置３０は、複数の後述する検出電極ＴＤＬから、図３又は図５に示す電圧検出器ＤＥＴを介して、検出ブロック毎に検出信号Ｖｄｅｔ１を出力し、タッチ検出部４０のＡ／Ｄ変換部４３に供給する。

Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。

信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に含まれる、駆動信号Ｖｃｏｍをサンプリングした周波数以外の周波数成分（ノイズ成分）を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、検出装置３０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による差分の電圧のみ取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Ｖ_０と波形Ｖ_１との差分の絶対値｜ΔＶ｜である。信号処理部４４は、１検出ブロック当たりの絶対値｜ΔＶ｜を平均化する演算を行い、絶対値｜ΔＶ｜の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部４４は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部４４は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する指の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、指の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部４０はタッチ検出が可能となる。

座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。検出タイミング制御部４６は、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を信号出力Ｖｏｕｔとして出力する。

図７及び図８は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。図７は、駆動電極の一例を示す平面図であり、図８は、検出電極の一例を示す平面図である。

図７に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板２１と、フレキシブルプリント基板７２とを備えている。ＴＦＴ基板２１は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）１９を搭載し、表示装置２０（図１参照）の表示領域１０ａと、表示領域１０ａを囲む額縁領域１０ｂとに対応する領域が形成されている。ＣＯＧ１９は、ＴＦＴ基板２１に実装されたＩＣドライバのチップであり、図１に示す制御部１１、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３など、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。また、本実施形態において、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、又は、駆動電極ドライバ１４は、ガラス基板であるＴＦＴ基板２１に形成してもよい。ＣＯＧ１９及び駆動電極ドライバ１４は、額縁領域１０ｂに設けられる。なお、ＣＯＧ１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵していてもよい。この場合、額縁領域１０ｂを狭くすることが可能である。フレキシブルプリント基板７２は、ＣＯＧ１９と接続されており、フレキシブルプリント基板７２を介して、外部から映像信号Ｖｄｉｓｐや、電源電圧がＣＯＧ１９に供給される。

図７に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示領域１０ａに重畳する領域に複数の駆動電極ＣＯＭＬが設けられている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは、それぞれ、表示領域１０ａの一辺に沿った方向に延出しており、表示領域１０ａの他辺に沿った方向において、間隔を設けて配列されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは駆動電極ドライバ１４にそれぞれ接続されている。

図８に示すように、タッチ検出機能付き表示装置１は、さらに、基板３１と、フレキシブルプリント基板７１とを備える。フレキシブルプリント基板７１には、上述したタッチ検出部４０が搭載されている。なお、タッチ検出部４０は、フレキシブルプリント基板７１に搭載されてなくてもよく、フレキシブルプリント基板７１が接続する別基板に搭載されていてもよい。基板３１は、例えば、透光性のガラス基板であり、図７に示すＴＦＴ基板２１の表面の垂直方向においてＴＦＴ基板２１と対向する。図８に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０は、表示領域１０ａと重畳する領域に複数の検出電極ＴＤＬが設けられている。複数の検出電極ＴＤＬは、それぞれ、図７に示す駆動電極ＣＯＭＬの延出方向と交差する方向に延出している。図８に示すように、隣り合う検出電極ＴＤＬの間には、間隔ＳＰがある。また、複数の検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの延出方向において間隔を設けて配列されている。つまり、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとは、立体交差するように配置されており、互いに重畳する部分で静電容量が形成される。

タッチ検出機能付き表示装置１は、後述するように、表示動作の際に、１水平ラインずつ順次走査を行う。つまり、タッチ検出機能付き表示装置１は、表示走査を、タッチ検出機能付き表示部１０の１辺に沿う方向と平行に行う（図８参照）。一方タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作の際に、駆動電極ドライバ１４から駆動電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍを順次印加することにより、１検出ラインずつ順次走査を行う。つまり、タッチ検出機能付き表示部１０は、方向ＳＣＡＮへ走査を、タッチ検出機能付き表示部１０の他辺に沿った方向と平行に行う（図７参照）。

図８に示すように、本実施形態の検出電極ＴＤＬは、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び複数の第２導電性細線３３Ｖを有している。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ、表示領域１０ａの一辺と平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。

複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ細幅であり、表示領域１０ａにおいて、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの延出方向と交差する方向（表示領域１０ａの短辺方向）に互いに間隔を設けて配置されている。複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの延出方向の両端は、額縁領域１０ｂに配置された接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。これにより、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは互いに電気的に接続され、１つの検出電極ＴＤＬとして機能する。複数の接続配線３４ａには、それぞれ配線３７が接続されており、検出電極ＴＤＬとフレキシブルプリント基板７１とが配線３７によって接続される。なお、検出電極ＴＤＬの一部は表示領域１０ａ外（額縁領域１０ｂ）に配置されても良い。また、接続配線３４ａ及び接続配線３４ｂも額縁領域１０ｂでなく、表示領域１０ａ内に配置されても良い。複数の接続配線３４ａ及び接続配線３４ｂは、配線３７を介して、タッチ検出部４０と接続されており、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖとタッチ検出部４０とを接続するための配線となっても良い。

図９は、タッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図９に示すように、タッチ検出機能付き表示部１０は、画素基板２と、この画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板３と、画素基板２と対向基板３との間に設けられた液晶層６とを備えている。

画素基板２は、回路基板としてのＴＦＴ基板２１と、このＴＦＴ基板２１の上方にマトリックス状に配列された複数の画素電極２２と、ＴＦＴ基板２１と画素電極２２との間に形成された複数の駆動電極ＣＯＭＬと、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層２４と、を含む。ＴＦＴ基板２１の下側には、接着層６６を介して偏光板６５が設けられている。

対向基板３は、基板３１と、この基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２とを含む。基板３１の他方の面には、検出装置３０の検出電極ＴＤＬが形成される。図９に示すように、基板３１の上方に検出電極ＴＤＬが設けられる。さらに、この検出電極ＴＤＬの上には、検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを保護するための保護層３８が設けられている。保護層３８は、アクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。保護層３８の上に、接着層３９を介して偏光板３５が設けられている。

ＴＦＴ基板２１と基板３１とは、スペーサ６１により所定の間隔を設けて対向して配置される。ＴＦＴ基板２１、基板３１、及びスペーサ６１によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶を用いた表示パネルが用いられる。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。

図１０は、実施形態１に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配置を表す回路図である。図９に示すＴＦＴ基板２１には、図１０に示す各副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタ素子（以下、ＴＦＴ素子）Ｔｒ、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給する画素信号線ＳＧＬ、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する走査信号線ＧＣＬ等の配線が形成されている。画素信号線ＳＧＬ及び走査信号線ＧＣＬは、ＴＦＴ基板２１の表面と平行な平面に延在する。図１０に示す副画素ＳＰｉｘの配列方向と直交する方向（走査信号線ＧＣＬの延在方向）を方向Ｄｘとし、副画素ＳＰｉｘの配列方向（画素信号線ＳＧＬの延在方向）を方向Ｄｙとして示している。本実施の形態では、方向Ｄｙは、人間の視感度が最も高い色領域（後述）が並ぶ方向である。方向Ｄｘは、対向基板３の表面と平行な平面上において方向Ｄｙに対して直交する方向である。

図１０に示す表示装置２０は、マトリックス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの一方は画素信号線ＳＧＬに接続され、ゲートは走査信号線ＧＣＬに接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの他方に接続され、他端が駆動電極ＣＯＭＬに接続されている。

副画素ＳＰｉｘは、走査信号線ＧＣＬにより、表示装置２０の同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。走査信号線ＧＣＬは、ゲートドライバ１２（図１参照）と接続され、ゲートドライバ１２より走査信号Ｖｓｃａｎが供給される。また、副画素ＳＰｉｘは、画素信号線ＳＧＬにより、表示装置２０の同じ列に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。画素信号線ＳＧＬは、ソースドライバ１３（図１参照）と接続され、ソースドライバ１３より画素信号Ｖｐｉｘが供給される。さらに、副画素ＳＰｉｘは、駆動電極ＣＯＭＬにより、同じ行に属する他の副画素ＳＰｉｘと互いに接続されている。駆動電極ＣＯＭＬは、駆動電極ドライバ１４（図１参照）と接続され、駆動電極ドライバ１４より駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。つまり、この例では、同じ一行に属する複数の副画素ＳＰｉｘが１本の駆動電極ＣＯＭＬを共有する。本実施形態の駆動電極ＣＯＭＬの延びる方向は、走査信号線ＧＣＬの延びる方向と平行である。本実施形態の駆動電極ＣＯＭＬの延びる方向は、これに限定されない。例えば、駆動電極ＣＯＭＬの延びる方向は、画素信号線ＳＧＬの延びる方向と平行な方向であってもよい。

図１に示すゲートドライバ１２は、走査信号線ＧＣＬを順次走査するように駆動する。走査信号Ｖｓｃａｎ（図１参照）が、走査信号線ＧＣＬを介して、副画素ＳＰｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加され、副画素ＳＰｉｘのうちの１水平ラインが表示駆動の対象として順次選択される。また、タッチ検出機能付き表示装置１は、１水平ラインに属する副画素ＳＰｉｘに対して、ソースドライバ１３が画素信号Ｖｐｉｘを供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ１４は、その１水平ラインに対応する駆動電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍを印加する。

図９に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂが周期的に配列されている。上述した図１０に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂが１組として対応付けられ、色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂを１組として画素Ｐｉｘが構成される。図９に示すように、カラーフィルタ３２は、ＴＦＴ基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ３２は、３色の組み合わせに限定されず、４色以上の組み合わせであってもよい。

図１１は、実施形態１に係る検出電極の平面図である。図１１に示す検出電極ＴＤＬは、図８に示す検出電極ＴＤＬの部分拡大図である。図８に示す検出電極ＴＤＬにおいては、平行四辺形が均等に見えるが、実際の検出電極ＴＤＬの形状は図１１に示す形状である。

第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。または、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上を含む金属材料の合金で形成される。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、これらアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属材料又はこれらの材料の１種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体としてもよい。なお、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、上述した金属材料又は金属材料の合金の導電層に加えて、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電酸化物の導電層が積層されていてもよい。また、上述した金属材料及び導電層を組み合わせた黒色化膜、黒色有機膜又は黒色導電有機膜が積層されていてもよい。

上述した金属材料は、透明電極の材料としてＩＴＯ等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。上述した金属材料は、透光性導電酸化物に比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性または検出電極ＴＤＬのパターンが視認されてしまう可能性がある。本実施形態において、１つの検出電極ＴＤＬが、複数の幅細の第１導電性細線３３Ｕ及び複数の第２導電性細線３３Ｖを有しており、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが、線幅よりも大きい間隔を設けて配置されることで、低抵抗化と、不可視化とを実現することができる。その結果、検出電極ＴＤＬが低抵抗化し、タッチ検出機能付き表示装置１は、薄型化、大画面化または高精細化することができる。

第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、さらに１μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることがより好ましい。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅が１０μｍ以下であると、表示領域１０ａのうちブラックマトリックスまたは後述する走査信号線ＧＣＬ及び画素信号線ＳＧＬで光の透過を抑制されない領域である開口部を覆う面積が小さくなり、開口率を損なう可能性が低くなるからである。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅が１μｍ以上であると、形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。

図８、図１０及び図１１を参照して説明すると、検出電極ＴＤＬは、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが所定のピッチで配置されており、検出電極ＴＤＬは、全体として、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂの延出方向と平行な方向に延びている。つまり、検出電極ＴＤＬは、図１０に示す画素信号線ＳＧＬが延在する方向Ｄｙと平行な方向に延在する。各第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖがカラーフィルタ３２の特定の色領域を遮光してしまわないように、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、互いに逆向きに傾斜する細線片が交差して接続された網目状となっている。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂの延出方向（方向Ｄｙ）と平行な方向に対して、角度θを有して互いに逆向きの方向Ｄｕ及び方向Ｄｖへ傾斜する。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが電気的に接続された箇所で電気的接続部３３ｘが形成される。例えば、角度θは、５度以上７５度以下であり、好ましくは２５度以上４０度以下、さらに好ましくは５０度以上６５度以下である。

このように、検出電極ＴＤＬは、方向Ｄｕへ延びる少なくとも１つの第１導電性細線３３Ｕと、第１導電性細線３３Ｕと交差して方向Ｄｖへ延びる少なくとも１つの第２導電性細線３３Ｖと、を含む。複数の第１導電性細線３３Ｕと、複数の第２導電性細線３３Ｖとがそれぞれ複数交差すると、検出電極ＴＤＬの１つの網目の形状が平行四辺形となる。

本実施形態において、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘを境界とした場合、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘよりも接続配線３４ａに近い側であって、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘから接続配線３４ａまでの領域が検出電極ＴＤＬの端部領域１０ｃである（図１１参照）。同様に、接続配線３４ａに最も近い電気的接続部３３ｘよりも接続配線３４ａから遠い側の領域が検出電極ＴＤＬの主検出領域１０ｄである。

接続配線３４ａの周囲における検出電極ＴＤＬのパターンと、接続配線３４ｂの周囲における検出電極のパターンとは、図８に示すように線対称あるいは、点対称となる。このため、接続配線３４ｂに最も近い電気的接続部３３ｘを境界として、接続配線３４ｂに最も近い電気的接続部３３ｘよりも接続配線３４ｂに近い側かつ接続配線３４ｂまでの領域が検出電極ＴＤＬの端部領域である。同様に、接続配線３４ｂに最も近い電気的接続部３３ｘよりも接続配線３４ｂから遠い側の領域が検出電極ＴＤＬの主検出領域である。

図１１に示すように、検出電極ＴＤＬの端部領域１０ｃにおいて、第１導電性細線３３Ｕが延長された位置に導電性細線３３ａが配置され、接続配線３４ａと主検出領域１０ｄの第１導電性細線３３Ｕとが導電性細線３３ａを介して電気的に接続されている。

図７及び図９に示す駆動電極ＣＯＭＬは、表示装置２０の複数の画素電極２２に共通の電位を与える共通電極として機能するとともに、検出装置３０の相互静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極としても機能する。検出装置３０は、画素基板２に設けられた駆動電極ＣＯＭＬと、対向基板３に設けられた検出電極ＴＤＬにより構成されている。

駆動電極ＣＯＭＬは、図７に示す表示領域１０ａの他辺と平行な方向に延在する複数の電極パターンに分割されている。検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬの電極パターンの延在方向と交差する方向に延びる複数の金属配線を有する電極パターンから構成されている。そして、検出電極ＴＤＬは、ＴＦＴ基板２１（図９参照）の表面に対する垂直な方向において、駆動電極ＣＯＭＬと対向している。検出電極ＴＤＬの各電極パターンは、タッチ検出部４０の検出信号増幅部４２の入力にそれぞれ接続される（図１参照）。駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬにより互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を生じさせている。

駆動電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。なお、検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬ（駆動電極ブロック）は、ストライプ状に複数に分割される形状に限られない。例えば、検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、櫛歯形状であってもよい。あるいは検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、複数に分割されていればよく、駆動電極ＣＯＭＬを分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。

この構成により、検出装置３０では、相互静電容量方式のタッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ１４が駆動電極ブロックとして時分割的に順次走査するように駆動することにより、駆動電極ＣＯＭＬの１検出ブロックが順次選択される。そして、検出電極ＴＤＬから検出信号Ｖｄｅｔ１が出力されることにより、１検出ブロックのタッチ検出が行われる。つまり、駆動電極ブロックは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応するものである。検出装置３０はこの基本原理に従ってタッチ入力を検出する。互いに立体交差した検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、検出装置３０のタッチ検出面全体に亘って走査することにより、外部からの導体の接触または近接が生じた位置の検出が可能となっている。

タッチ検出機能付き表示装置１の動作方法の一例として、タッチ検出機能付き表示装置１は、タッチ検出動作（検出期間）と表示動作（表示動作期間）とを時分割に行う。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。

なお、本実施形態において、駆動電極ＣＯＭＬは表示装置２０の共通電極を兼用するので、表示動作期間においては、駆動電極ドライバ１４を介して選択される駆動電極ＣＯＭＬに、制御部１１が表示用の共通電極電位である駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。

検出期間に駆動電極ＣＯＭＬを用いず、検出電極ＴＤＬのみで検出動作を行う場合、例えば、後述する自己静電容量方式のタッチ検出原理に基づいてタッチ検出を行う場合、駆動電極ドライバ１４は、検出電極ＴＤＬにタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給してもよい。

このように、検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの延在方向がカラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂの延在方向（方向Ｄｙ）に対して角度θをなす。その結果、検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂを順に遮光することから、カラーフィルタ３２の特定色領域における透過率の低下を抑制することができる。この結果、実施形態１に係る検出装置は、明暗模様が一定の周期を有しにくくなり、モアレが視認される可能性を低減できる。

特許文献１に記載の技術では、可視光が入射すると複数の検出電極で回折又は散乱する光強度パターンが複数の散在する光の点に近くなる。視認者が検出装置自体を傾けることで、散在する複数の光強度パターンの光の点の位置又は数を変えることができるが、複数の光強度パターンの光の点の視認を低減させることが難しい。特許文献１に記載の技術では、隣り合う細線片ａ及び細線片ｂのなす角度がランダムである。このため、視認者が検出装置自体を傾けることで、新たな回折又は散乱が生じやすく、散在する複数の光強度パターンの光の点が発現しやすいと考えられる。

これに対して、実施形態１の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの方向Ｄｙに対してなす角度θが一定である。このため、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに、可視光が入射すると、それぞれの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖで回折又は散乱する光強度パターンが拡散しづらくなる。さらに、それぞれの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖで回折又は散乱する光強度パターンが４方向に集まりやすく、一定の指向性が発現しやすい。そして、視認者が実施形態１に係る検出装置３０自体を傾けることで、光強度パターンが発現しやすい角度を回避しやすくなる。

そこで、実施形態１の複数の第１導電性細線３３Ｕが所定幅ＷＵの第１帯状領域ＵＡに配置され、かつ、少なくとも方向Ｄｖに互いにずれた２つの第１導電性細線３３Ｕを含む複数の第１グループＧＵが形成されている（図１１参照）。

同様に、実施形態１の複数の第２導電性細線３３Ｖが所定幅ＷＶの第２帯状領域ＶＡに配置され、かつ、少なくとも方向Ｄｕに互いにずれた２つの第２導電性細線３３Ｖを含む複数の第２グループＧＶが形成されている（図１１参照）。

図１２は、実施形態１に係る検出電極の配置方法を説明するための工程図である。図１１及び図１２に示す複数の第１基準線３３ＳＵは、方向Ｄｖに等ピッチで配置され、方向Ｄｕに延びる仮想線である。第１基準線３３ＳＵは、第１帯状領域ＵＡを幅方向（方向Ｄｖ）に二等分する直線である。同様に、複数の第２基準線３３ＳＶは、方向Ｄｕに等ピッチで配置され、方向Ｄｖに延びる仮想線である。第２基準線３３ＳＶは、第２帯状領域ＶＡを幅方向（方向Ｄｕ）に二等分する直線である。所定幅ＷＵは、第１基準線３３ＳＵを中心とした場合に、第１導電性細線３３Ｕを第１基準線３３ＳＵからずらしてもよい幅である。方向Ｄｖに隣り合う２つの第１基準線３３ＳＵ間の長さを第１基準長さＳＷ１とすると、所定幅ＷＵは第１基準長さＳＷ１の１／２０以上１／５以下である。例えば所定幅ＷＵは、１０μｍ以上３０μｍ以下である。所定幅ＷＶは、第２基準線３３ＳＶを中心とした場合に、第２導電性細線３３Ｖを第２基準線３３ＳＶからずらしてもよい幅である。方向Ｄｕに隣り合う２つの第２基準線３３ＳＶ間の長さを第２基準長さＳＷ２とすると、所定幅ＷＶは第２基準長さＳＷ２の１／２０以上１／５以下である。例えば所定幅ＷＶは、１０μｍ以上３０μｍ以下である。

すなわち、第１導電性細線３３Ｕの長さは、隣接する前記第２基準線３３ＳＶ間の長さ（第２基準長さＳＷ２）の２倍と第２帯状領域ＶＡの所定幅ＷＶとの差以上である。且つ、第１導電性細線３３Ｕの長さは、隣接する第２基準線３３ＳＶ間の長さ（第２基準長さＳＷ２）の２倍と第２帯状領域ＶＡの所定幅ＷＶとの和以下である。第２導電性細線３３Ｖの長さは、隣接する前記第１基準線ＳＷ１間の長さ（第１基準長さＳＷ１）の２倍と第１帯状領域ＵＡの所定幅ＷＵとの差以上である。且つ、第２導電性細線３３Ｖの長さは、隣接する第１基準線ＳＷ１間の長さ（第１基準長さＳＷ１）の２倍と第１帯状領域ＵＡの所定幅ＷＵとの和以下である。

図１２に示すように、１つの第１導電性細線３３Ｕの第１端部Ｕ１１を基準点に配置する。基準点において、方向Ｄｘに対し第１導電性細線３３Ｕがなす角度を角度αとする。第１導電性細線３３Ｕの第１端部Ｕ１１から方向Ｄｕへ第２基準長さＳＷ２の２倍±長さβの位置に、第１導電性細線３３Ｕの第２端部Ｕ１２を配置する。ここで、長さβは、所定幅ＷＶ／２以内であって、ランダムに選ばれる長さである。第１導電性細線３３Ｕの第２端部Ｕ１２の位置が決まると、第１導電性細線３３Ｕの第２端部Ｕ１２の位置から方向Ｄｘに対して（９０°−α）の角度をなす方向に、所定幅ＷＵ／２以内の長さであって、ランダムに選ばれる長さγ分ずれた位置に、次の第１導電性細線３３Ｕの第１端部Ｕ１１を配置する。上述した検出電極ＴＤＬの配置方法を繰り返すことで、方向Ｄｕに沿って延びる１つの第１帯状領域ＵＡ内に、複数の第１導電性細線３３Ｕが方向Ｄｖに互いにずれることを許容しつつ配置される。第２導電性細線３３Ｖも同様に配置できる。

図１１に示すように、第１帯状領域ＵＡと、第２帯状領域ＶＡとが交差する交差領域ＡＸにおいて、第１導電性細線３３Ｕと、第２導電性細線３３Ｖとが接する電気的接続部３３ｘができる。方向Ｄｖに互いにずれた２つの第１導電性細線３３Ｕを含む交差領域ＡＸには、２つの第１導電性細線３３Ｕと、１つの第２導電性細線３３Ｖとが接して２つの電気的接続部３３ｘがある。方向Ｄｕに互いにずれた２つの第２導電性細線３３Ｖを含む交差領域ＡＸには、２つの第２導電性細線３３Ｖと、１つの第１導電性細線３３Ｕとが接して２つの電気的接続部３３ｘがある。その結果、第１導電性細線３３Ｕと、第２導電性細線３３Ｖとが十字交差する箇所が抑制される。

すなわち、１つの第１導電性細線３３Ｕにおいて４つの電気的接続部３３ｘが生じる。つまり、１つの第１導電性細線３３Ｕに接する第２導電性細線３３Ｖの数は４つである。１つの第１導電性細線３３Ｕが、一端と、他端と、中間の２箇所とにおいて第２導電性細線３３Ｖに接している。

また、１つの第２導電性細線３３Ｖにおいて４つの電気的接続部３３ｘが生じる。つまり、１つの第２導電性細線３３Ｖに接する第１導電性細線３３Ｕの数は４つである。１つの第２導電性細線３３Ｖが、一端と、他端と、中間の２箇所とにおいて第１導電性細線３３Ｕに接している。

（実施形態２）
次に、実施形態２に係る検出装置について説明する。図１３は、実施形態２に係る検出電極の平面図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図８に示すように、隣り合う検出電極ＴＤＬの間には、間隔ＳＰがある。視認者によって間隔ＳＰが視認されてしまうことを抑制するため、図１３に示すように、ダミー電極ＴＤＤが配置されている。

ダミー電極ＴＤＤにおいて、複数の第１導電性細線３３Ｕが所定幅ＷＶの第１帯状領域ＵＡに配置され、かつ、少なくとも方向Ｄｖに互いにずれた２つの第１導電性細線３３Ｕを含む複数の第１グループＧＵが形成されている。

同様に、ダミー電極ＴＤＤにおいて、複数の第２導電性細線３３Ｖが所定幅ＷＵの第２帯状領域ＶＡに配置され、かつ、少なくとも方向Ｄｕに互いにずれた２つの第２導電性細線３３Ｖを含む複数の第２グループＧＶが形成されている。

ダミー電極ＴＤＤにおいて、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのそれぞれに、スリットＳＬが設けられている。スリットＳＬは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを構成する材料が形成されていないか、エッチングなどにより、除去されており、絶縁性材料のみがある部分となっている。スリットＳＬは、隣接する電気的接続部３３ｘの間に設けられている。電気的接続部３３ｘからスリットＳＬまでの距離が一定であることにより、スリットＳＬ自体を視認し難くすることができる。

ダミー電極ＴＤＤは、検出電極ＴＤＬを構成する第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと同じ方向に延びる構成要素を備えているので、間隔ＳＰを不可視化することができるとともに、検出電極ＴＤＬが視認される可能性を低減できる。

（実施形態２の変形例１）
図１４は、実施形態２の変形例１に係る検出電極の平面図である。図１４に示すように、ダミー電極ＴＤＤは、スリットＳＬを挟む第１導電性細線３３Ｕが方向Ｄｖにずれている。同様に、ダミー電極ＴＤＤは、スリットＳＬを挟む第２導電性細線３３Ｖが方向Ｄｕにずれている。

（実施形態２の変形例２）
図１５は、実施形態２の変形例２に係る検出電極の平面図である。図１５に示すように、実施形態２の変形例２において複数のスリットＳＬは、方向Ｄｙに平行な直線ＬＹ１上、直線ＬＹ２上又は直線ＬＹ３上に配置されている。直線ＬＹ１は、１つの検出電極ＴＤＬの方向Ｄｘでの一端に位置する仮想直線であり、直線ＬＹ２は、１つの検出電極ＴＤＬの方向Ｄｘでの他端に位置する仮想直線である。直線ＬＹ３は、直線ＬＹ１と直線ＬＹ２との間に配置される。例えば、直線ＬＹ１から直線ＬＹ２までの幅ＷＴＤＬは一定である。これにより、ダミー電極ＴＤＤを挟んで隣接する２つの検出電極ＴＤＬの寄生容量が概略同等となる。なお、直線ＬＹ１と直線ＬＹ２との間に複数の直線ＬＹ３があってもよい。すなわち、直線ＬＹ１と直線ＬＹ２との間の領域において、同一直線上に配置された複数のスリットＳＬで構成される列が複数あってもよい。

（実施形態３）
次に、実施形態３に係る検出装置について説明する。図１６は、実施形態３に係る検出電極の平面図である。図１６に示すように、実施形態３において、第１導電性細線３３Ｕは、第１主細線３３１Ｕと、第１補助細線３３２Ｕとを含む。第２導電性細線３３Ｖは、第２主細線３３１Ｖと、第２補助細線３３２Ｖとを含む。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１６に示すように、複数の第１主細線３３１Ｕは、所定幅ＷＵの第１主帯状領域ＵＡａに配置されている。少なくとも方向Ｄｖに互いにずれた２つの第１主細線３３１Ｕを含む複数の第１主グループＧＵ１が形成されている。複数の第１補助細線３３２Ｕは、所定幅ＷＵの第１補助帯状領域ＵＡｂに配置されている。少なくとも方向Ｄｖに互いにずれた２つの第１補助細線３３２Ｕを含む複数の第１補助グループＧＵ２が形成されている。第１主帯状領域ＵＡａ及び第１補助帯状領域ＵＡｂは、方向Ｄｖに交互に等ピッチで配置されている。隣接する第１主帯状領域ＵＡａと第１補助帯状領域ＵＡｂとの間の長さが第１基準長さＳＷ１である。

図１６に示すように、複数の第２主細線３３１Ｖは、所定幅ＷＶの第２主帯状領域ＶＡａに配置されている。少なくとも方向Ｄｕに互いにずれた２つの第２主細線３３１Ｖを含む複数の第２主グループＧＶ１が形成されている。複数の第２補助細線３３２Ｖは、所定幅ＷＶの第２補助帯状領域ＶＡｂに配置されている。少なくとも方向Ｄｕに互いにずれた２つの第２補助細線３３２Ｖを含む複数の第２補助グループＧＶ２が形成されている。第２主帯状領域ＶＡａ及び第２補助帯状領域ＶＡｂは、方向Ｄｕに交互に等ピッチで配置されている。隣接する第２主帯状領域ＶＡａと第２補助帯状領域ＶＡｂとの間の長さが第２基準長さＳＷ２である。

第１主細線３３１Ｕの長さは、第２基準長さＳＷ２の２倍と所定幅ＷＶとの差以上であり第２基準長さＳＷ２の２倍と所定幅ＷＶとの和以下である。１つの第１主細線３３１Ｕには２つの電気的接続部３３ｘが生じている。第１主細線３３１Ｕの一端に１つの第２補助細線３３２Ｖが接しており、第１主細線３３１Ｕの他端に他の第２補助細線３３２Ｖが接している。さらに、第１主細線３３１Ｕの中間で、２つの第２主細線３３１Ｖが接している。つまり、１つの第１主細線３３１Ｕに対して、２つの第２主細線３３１Ｖ及び２つの第２補助細線３３２Ｖ（４つの第２導電性細線３３Ｖ）が接している。

第１補助細線３３２Ｕの長さは、所定幅ＷＶ以下である。１つの第１補助細線３３２Ｕには２つの電気的接続部３３ｘが生じている。第１補助細線３３２Ｕの一端に１つの第２主細線３３１Ｖが接しており、第１補助細線３３２Ｕの他端に他の第２主細線３３１Ｖが接している。つまり、１つの第１補助細線３３２Ｕに対して、２つの第２主細線３３１Ｖ（２つの第２導電性細線３３Ｖ）が接している。

第２主細線３３１Ｖの長さは、第１基準長さＳＷ１と所定幅ＷＵとの差以上であり第１基準長さＳＷ１と所定幅ＷＵとの和以下である。１つの第２主細線３３１Ｖには２つの電気的接続部３３ｘが生じている。第２主細線３３１Ｖの一端に１つの第１主細線３３１Ｕが接しており、第２主細線３３１Ｖの他端に１つの第１補助細線３３２Ｕが接している。つまり、１つの第２主細線３３１Ｖに対して、１つの第１主細線３３１及び１つの第１補助細線３３２Ｕ（２つの第１導電性細線３３Ｕ）が接している。

第２補助細線３３２Ｖの長さは、所定幅ＷＵ以下である。１つの第２補助細線３３２Ｖには２つの電気的接続部３３ｘが生じている。第２補助細線３３２Ｖの一端に１つの第１主細線３３１Ｕが接しており、第２補助細線３３２Ｖの他端に他の第１主細線３３１Ｕが接している。つまり、１つの第２補助細線３３２Ｖに対して、２つの第１主細線３３１Ｕ（２つの第１導電性細線３３Ｕ）が接している。

図１６に示すように、一部の交差領域ＡＸ（交差領域ＡＸ１）においては、２つの電気的接続部３３ｘが生じている。一方、その他の交差領域ＡＸ（交差領域ＡＸ２）においては電気的接続部３３ｘが生じない。

実施形態３においては、実施形態１と比較して、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖによって形成される多角形の面積がばらつきにくい。このため、表示領域１０ａにおいて開口率が均一になりやすい。

（実施形態４）
次に、実施形態４に係る検出装置について説明する。図１７は、実施形態４に係る検出電極の平面図である。図１７に示すように、実施形態４において、検出電極ＴＤＬは、第１導電性細線３３Ｕと、第２導電性細線３３Ｖと、第３導電性細線３３Ｙとを含む。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１７に示すように、複数の第１導電性細線３３Ｕは、所定幅ＷＵの第１帯状領域ＵＡに配置されている。少なくとも方向Ｄｖに互いにずれた２つの第１導電性細線３３Ｕを含む複数の第１グループＧＵが形成されている。

複数の第２導電性細線３３Ｖは、所定幅ＷＶの第２帯状領域ＶＡに配置されている。少なくとも方向Ｄｕに互いにずれた２つの第２導電性細線３３Ｖを含む複数の第２グループＧＶが形成されている。

複数の第３導電性細線３３Ｙは、所定幅ＷＹの第３帯状領域ＹＡに配置されている。少なくとも方向Ｄｘに互いにずれた２つの第３導電性細線３３Ｙを含む複数の第３グループＧＹが形成されている。

複数の基準線３３ＳＹは、方向Ｄｘに等ピッチで配置され、方向Ｄｙに延びる仮想線である。所定幅ＷＹは、基準線３３ＳＹを中心とした場合に、第３導電性細線３３Ｙを基準線３３ＳＹからずらしてもよい幅である。所定幅ＷＹは、方向Ｄｘに隣り合う２つの基準線３３ＳＹ間の長さを第３基準長さＳＷ３とすると第３基準長さＳＷ３の１／２０以上１／５以下である。例えば所定幅ＷＹは、１０μｍ以上３０μｍ以下である。

検出電極ＴＤＬの１つの網目の形状は六角形である。すなわち、２つ第１導電性細線３３Ｕと、２つの第２導電性細線３３Ｖと、２つの第３導電性細線３３Ｙとにより六角形が形成されている。

第１帯状領域ＵＡと、第２帯状領域ＶＡと、第３帯状領域ＹＡとが交差する交差領域ＡＸＸにおいて、１つの第１導電性細線３３Ｕと、１つの第２導電性細線３３Ｖと、１つの第３導電性細線３３Ｙとが接している。すなわち、第１導電性細線３３Ｕと第２導電性細線３３Ｖとの交点である電気的接続部３３ｘｘに第３導電性細線３３Ｙが接している。交差領域ＡＸＸは、六角形の領域である。一部の交差領域ＡＸＸにおいては、１つの電気的接続部３３ｘｘが生じている。一方、その他の交差領域ＡＸＸにおいては電気的接続部３３ｘｘが生じない。

このように、検出電極ＴＤＬは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに加えて、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖとは異なる方向に延びる第３導電性細線３３Ｙを備えていてもよい。

（実施形態５）
図１８は、実施形態５に係る検出電極の平面図である。図なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１８に示すように、第１帯状領域ＵＡは、第１基準線３３ＳＵで隔てられた第１右領域ＵＡａと、第１左領域ＵＡｂとを含む。実施形態５では、複数の第１導電性細線３３Ｕは、それぞれ第１右領域ＵＡａ及び第１左領域ＵＡｂのいずれかに配置されている。第１基準線３３ＳＵに対する第１導電性細線３３Ｕのずれ量である長さγは、０を含まない所定範囲内の値からランダムに選択された値である。すなわち、長さγとして選択される値の出現頻度は一様である。例えば、長さγは、５μｍ以上１５μｍの範囲にある値から選択される。

１つの第１帯状領域ＵＡにおいて、第１右領域ＵＡａに配置される第１導電性細線３３Ｕと、第１左領域ＵＡｂに配置される第１導電性細線３３Ｕとが、方向Ｄｕに沿って交互に並べられている。すなわち、１つの第１帯状領域ＵＡにおいて、第１右領域ＵＡａに配置される第１導電性細線３３Ｕの隣りの第１導電性細線３３Ｕは第１左領域ＵＡｂに配置され、且つ第１左領域ＵＡｂに配置される第１導電性細線３３Ｕの隣りの第１導電性細線３３Ｕは第１右領域ＵＡａに配置される。例えば、第１基準線３３ＳＵに対して第１導電性細線３３Ｕがずれる方向は、乱数によって決められる。当該乱数は、コンピュータによって生成される。１つの第１帯状領域ＵＡに含まれる第１導電性細線３３Ｕの設計時において、コンピュータは、正の値と負の値が方向Ｄｕに沿って交互に表れるように乱数を制御する。

図１８に示すように、第２帯状領域ＶＡは、第２基準線３３ＳＶで隔てられた第２右領域ＶＡａと、第２左領域ＶＡｂとを含む。実施形態５では、複数の第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ第２右領域ＶＡａ及び第２左領域ＶＡｂのいずれかに配置されている。第２基準線３３ＳＶに対する第２導電性細線３３Ｖのずれ量である長さβは、０を含まない所定範囲内の値からランダムに選択された値である。すなわち、長さβとして選択される値の出現頻度は一様である。例えば、長さβは、５μｍ以上１５μｍの範囲にある値から選択される。

１つの第２帯状領域ＶＡにおいて、第２右領域ＶＡａに配置される第２導電性細線３３Ｖと、第２左領域ＶＡｂに配置される第２導電性細線３３Ｖとが、方向Ｄｖに沿って交互に並べられている。すなわち、１つの第２帯状領域ＶＡにおいて、第２右領域ＶＡａに配置される第２導電性細線３３Ｖの隣りの第２導電性細線３３Ｖは第２左領域ＶＡｂに配置され、且つ第２左領域ＶＡｂに配置される第２導電性細線３３Ｖの隣りの第１導電性細線３３Ｖは第２右領域ＶＡａに配置される。例えば、第２基準線３３ＳＶに対して第２導電性細線３３Ｖがずれる方向は、乱数によって決められる。当該乱数は、コンピュータによって生成される。１つの第２帯状領域ＶＡに含まれる第２導電性細線３３Ｖの設計時において、コンピュータは、正の値と負の値が方向Ｄｖに沿って交互に表れるように乱数を制御する。

上述した構成により、図１８に示すように第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが十字に交差しなくなる。このため、電気的接続部３３ｘの周辺領域での開口率とその他の領域での開口率との間の差が小さくなるので、視認性が向上する。

（実施形態６）
図１９は、実施形態６に係る検出電極の平面図である。図１９に示すように、実施形態６に係る検出電極ＴＤＬは、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び複数の第２導電性細線３３Ｖを含む複数の検出ブロックＴＤＬＢを有する。例えば、複数の検出ブロックＴＤＬＢは、基板３１と平行な平面上にマトリクス状に配列されている。複数の検出ブロックＴＤＬＢは、それぞれ配線３７によってフレキシブルプリント基板７１（図８参照）に接続されている。実施形態６に係る検出装置３０は、相互静電容量方式ではなく、自己静電容量方式のタッチ検出動作を行う。

次に、図２０を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図２０は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の一例を示す説明図である。

図２０に示すように、検出電極Ｅ２に電圧検出器ＤＥＴが接続されている。電圧検出器ＤＥＴはイマジナリーショートされたオペアンプを含む検出回路である。非反転入力部（＋）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚから数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、検出電極Ｅ２に同電位の交流矩形波Ｓｇが印加される。

指などの導体が接触又は近接していない状態（非接触状態）では、検出電極Ｅ２が有する容量Ｃｘ１に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形）に変換する。指などの導体が接触又は近接した状態（接触状態）では、検出電極Ｅ２が有する容量Ｃｘ１に、検出電極Ｅ２に近接している指により生じる容量Ｃｘ２が加えられ、非接触状態の容量よりも増加した容量（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形）に変換する。接触状態での波形の振幅は、非接触状態での波形の振幅と比べて大きくなる。これにより、接触状態での波形と非接触状態での波形との電圧差分の絶対値は、指などの外部から接触又は近接する導体の影響に応じて変化することになる。スイッチＳＷは、タッチ検出を行う際にオン（開）状態となり、タッチ検出を行わないときはオフ（閉）状態となり、電圧検出器ＤＥＴのリセット動作を行う。

また、上述した実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

本発明は、以下の態様に係る検出装置及び表示装置に広く適用可能である。

（１）基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、第１方向に延びる、複数の第１導電性細線と、
前記第１導電性細線と同一層上に設けられ、前記第１方向と角度をなす第２方向に延びる、複数の第２導電性細線と、
所定幅の第１帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第２方向に互いにずれた２つの前記第１導電性細線を含む第１グループと、
所定幅の第２帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第１方向に互いにずれた２つの前記第２導電性細線を含む第２グループと、を備え、
前記第１帯状領域と前記第２帯状領域の交差領域では、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線が接する、
検出装置。

（２）前記第１帯状領域と前記第２帯状領域の交差領域において、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが接する接続部が２つある
（１）に記載の検出装置。

（３）前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが接する複数の接続部を有し、２つの接続部間にある前記第１導電性細線又は前記第２導電性細線には、スリットがある
（１）又は（２）に記載の検出装置。

（４）前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが囲む１つの網目が平行四辺形である
（１）から（３）のいずれか一項に記載の検出装置。

（５）前記第１帯状領域を幅方向に二等分する直線を第１基準線とし、前記第２帯状領域を幅方向に二等分する直線を第２基準線としたとき、
前記第１導電性細線の長さは、隣接する前記第２基準線間の長さの２倍と前記第２帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第２基準線間の長さの２倍と前記第２帯状領域の所定幅との和以下であり、
前記第２導電性細線の長さは、隣接する前記第１基準線間の長さの２倍と前記第１帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第１基準線間の長さの２倍と前記第１帯状領域の所定幅との和以下である
（１）から（４）のいずれか一項に記載の検出装置。

（６）前記第１導電性細線は、所定幅の第１主帯状領域に配置される第１主細線と、所定幅の第１補助帯状領域に配置される第１補助細線とを含み、
前記第２導電性細線は、所定幅の第２主帯状領域に配置される第２主細線と、所定幅の第２補助帯状領域に配置される第２補助細線とを含み、
１つの前記第１主細線は、２つの前記第２主細線と、２つの前記第２補助細線とに接し、
１つの前記第１補助細線は、２つの前記第２主細線に接し、
１つの前記第２主細線は、１つの前記第１主細線と、１つの前記第１補助細線に接し、
１つの前記第２補助細線は、２つの前記第１主細線に接する
（１）に記載の検出装置。

（７）前記第１導電性細線と同一層上に設けられ、前記第１方向及び前記第２方向と角度をなす第３方向に延びる、複数の第３導電性細線と、
所定幅の第３帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第３方向に対して直交する方向に互いにずれた２つの前記第３導電性細線を含む第３グループと、を備え、
前記第１帯状領域と前記第２帯状領域と前記第３帯状領域との交差領域では、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線と前記第３導電性細線とが接する
（１）に記載の検出装置。

（８）前記第１帯状領域は、第１帯状領域を前記第２方向に二等分する第１基準線で隔てられた第１右領域と、第１左領域とを含み、
１つの前記第１帯状領域において、前記第１右領域に配置される前記第１導電性細線と、前記第１左領域に配置される前記第１導電性細線が、前記第１方向に沿って交互に並べられ、
前記第２帯状領域は、第２帯状領域を前記第１方向に二等分する第２基準線で隔てられた第２右領域と、第２左領域とを含み、
１つの前記第２帯状領域において、前記第２右領域に配置される前記第２導電性細線と、前記第２左領域に配置される前記第２導電性細線が、前記第２方向に沿って交互に並べられる
（１）に記載の検出装置。

（９）（１）から（８）のいずれか１項に記載の検出装置と、表示領域とを備え、
前記表示領域と重畳する領域に、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが設けられている、表示装置。

１ タッチ検出機能付き表示装置
２ 画素基板
３ 対向基板
６ 液晶層
１０ タッチ検出機能付き表示部
１０ａ 表示領域
１０ｂ 額縁領域
１１ 制御部
１２ ゲートドライバ
１３ ソースドライバ
１４ 駆動電極ドライバ
２０ 表示装置
２１ ＴＦＴ基板
２２ 画素電極
３０ 検出装置
３１ 基板
３２ カラーフィルタ
３３ａ 導電性細線
３３Ｕ 第１導電性細線
３３Ｖ 第２導電性細線
３３Ｙ 第３導電性細線
３３ｘ、３３ｘｘ 電気的接続部
３３１Ｕ 第１主細線
３３１Ｖ 第２主細線
３３２Ｕ 第１補助細線
３３２Ｖ 第２補助細線
３７ 配線
３８ 保護層
４０ タッチ検出部（検出部）
４２ 検出信号増幅部
４３ Ａ／Ｄ変換部
４４ 信号処理部
４５ 座標抽出部
４６ 検出タイミング制御部
ＡＸ、ＡＸＸ 交差領域
ＣＯＭＬ 駆動電極
ＧＣＬ 走査信号線
Ｐｉｘ 画素
ＳＧＬ 画素信号線
ＳＰｉｘ 副画素
ＳＬ スリット
ＴＤＬ 検出電極
ＴＤＬＢ 検出ブロック
Ｔｒ ＴＦＴ素子
ＵＡ 第１帯状領域
ＵＡａ 第１主帯状領域
ＵＡｂ 第１補助帯状領域
ＶＡ 第２帯状領域
ＶＡａ 第１主帯状領域
ＶＡｂ 第１補助帯状領域
Ｖｃｏｍ 駆動信号
Ｖｄｅｔ 検出信号
Ｖｄｉｓｐ 映像信号
Ｖｐｉｘ 画素信号
Ｖｓｃａｎ 走査信号
ＹＡ 第３帯状領域

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板と平行な面上に設けられ、第１方向に延びる、複数の第１導電性細線と、
   前記第１導電性細線と同一層上に設けられ、前記第１方向と角度をなす第２方向に延びる、複数の第２導電性細線と、
   所定幅の第１帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第２方向に互いにずれた２つの前記第１導電性細線を含む第１グループと、
   所定幅の第２帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第１方向に互いにずれた２つの前記第２導電性細線を含む第２グループと、を備え、
   前記第１帯状領域と前記第２帯状領域の交差領域では、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線が接する、
   検出装置。
2. 前記第１帯状領域と前記第２帯状領域の交差領域において、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが接する接続部が２つある、請求項１に記載の検出装置。
3. 前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが接する複数の接続部を有し、２つの接続部間にある前記第１導電性細線又は前記第２導電性細線には、スリットがある請求項１に記載の検出装置。
4. 前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが囲む１つの網目が平行四辺形である、請求項１に記載の検出装置。
5. 前記第１帯状領域を幅方向に二等分する直線を第１基準線とし、前記第２帯状領域を幅方向に二等分する直線を第２基準線としたとき、
   前記第１導電性細線の長さは、隣接する前記第２基準線間の長さの２倍と前記第２帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第２基準線間の長さの２倍と前記第２帯状領域の所定幅との和以下であり、
   前記第２導電性細線の長さは、隣接する前記第１基準線間の長さの２倍と前記第１帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第１基準線間の長さの２倍と前記第１帯状領域の所定幅との和以下である
   請求項１に記載の検出装置。
6. 前記第１導電性細線は、所定幅の第１主帯状領域に配置される第１主細線と、所定幅の第１補助帯状領域に配置される第１補助細線とを含み、
   前記第２導電性細線は、所定幅の第２主帯状領域に配置される第２主細線と、所定幅の第２補助帯状領域に配置される第２補助細線とを含み、
   １つの前記第１主細線は、２つの前記第２主細線と、２つの前記第２補助細線とに接し、
   １つの前記第１補助細線は、２つの前記第２主細線に接し、
   １つの前記第２主細線は、１つの前記第１主細線と、１つの前記第１補助細線に接し、
   １つの前記第２補助細線は、２つの前記第１主細線に接する
   請求項１に記載の検出装置。
7. 前記第１導電性細線と同一層上に設けられ、前記第１方向及び前記第２方向と角度をなす第３方向に延びる、複数の第３導電性細線と、
   所定幅の第３帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第３方向に対して直交する方向に互いにずれた２つの前記第３導電性細線を含む第３グループと、を備え、
   前記第１帯状領域と前記第２帯状領域と前記第３帯状領域との交差領域では、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線と前記第３導電性細線とが接する
   請求項１に記載の検出装置。
8. 前記第１帯状領域は、第１帯状領域を前記第２方向に二等分する第１基準線で隔てられた第１右領域と、第１左領域とを含み、
   １つの前記第１帯状領域において、前記第１右領域に配置される前記第１導電性細線と、前記第１左領域に配置される前記第１導電性細線が、前記第１方向に沿って交互に並べられ、
   前記第２帯状領域は、第２帯状領域を前記第１方向に二等分する第２基準線で隔てられた第２右領域と、第２左領域とを含み、
   １つの前記第２帯状領域において、前記第２右領域に配置される前記第２導電性細線と、前記第２左領域に配置される前記第２導電性細線が、前記第２方向に沿って交互に並べられる
   請求項１に記載の検出装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の検出装置と、表示領域とを備え、
   前記表示領域と重畳する領域に、前記第１導電性細線と前記第２導電性細線とが設けられている、表示装置。