JP2017187893A - 操作検出装置 - Google Patents

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史一 米野
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Abstract

【課題】サーモスタットを省略して温度制御が可能なヒータ部を備えた操作検出装置を提供する。【解決手段】ヒータ部10と、ヒータ部10による熱的影響を受ける場所に検出電極20aが配置された静電容量式のタッチセンサ部20と、ヒータ部10及びタッチセンサ部20の動作制御を行なう制御部30と、有し、制御部30は、タッチセンサ部20の検出容量の変化量に基づいて、ヒータ部10の温度制御を行なうように操作検出装置を構成する。【選択図】図1

Description

本発明は、操作検出装置に関し、特に、ヒータ部を備えた操作検出装置に関する。
従来の技術として、ヒータ部と接触検出を備えた操作検出装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。この操作検出装置は、操舵ハンドルに備えられた電熱線と、電熱線と直列に接続され、電熱線に電力を供給するためのスイッチと、電熱線を構成する配線パターンの途中に接続された引き出し線により配線パターンに電気的に接続されるセンス回路とを備え、センス回路は、スイッチがオフである時に引き出し線を介した配線パターンの静電容量の大きさに基づいて操舵ハンドルと人の手との接触の有無を判定するようにハンドルヒータ装置を構成する。
この操作検出装置は、ヒータ動作と接触検出回路の動作とが択一的に切り替えられて、それぞれを間欠動作しているので、切り替え動作を人が感じない程度の速さにすれば、操舵ハンドルを暖めながら手の接触を検知することができるとされている。
特開2015−128993号公報
特許文献1の操作検出装置は、ハンドルヒータとして、可撓性を有する面状発熱体が形成され、ハンドルの握り部に沿うように丸められた状態で操舵ハンドルに内蔵または付加される。面状発熱体は、支持体、電熱線、引き出し線、接続部材、リード線、サーモスタットを有する。このサーモスタットは、温度調整用として必要である。
従って、本発明の目的は、サーモスタットを省略して温度制御が可能なヒータ部を備えた操作検出装置を提供することにある。
[1]上記目的を達成するため、ヒータ部と、前記ヒータ部による熱的影響を受ける場所に検出電極が配置された静電容量式のタッチセンサ部と、前記ヒータ部及び前記タッチセンサ部の動作制御を行なう制御部と、有し、前記制御部は、前記タッチセンサ部の検出容量の変化量に基づいて、前記ヒータ部の温度制御を行なうことを特徴とする操作検出装置を提供する。
[2]前記制御部は、前記タッチセンサ部の検出容量の変化速度に基づいて、前記タッチセンサ部のタッチ時の静電容量変化か前記ヒータ部の熱的影響による静電容量変化かを判断することを特徴とする上記[1]に記載の操作検出装置であってもよい。
[3]また、前記制御部は、前記ヒータ部の熱的影響による検出容量変化量と前記ヒータ部の推定温度との対応関係表(ルックアップテーブル)を有し、この対応関係表に基づいて前記ヒータ部の温度制御を行なうことを特徴とする上記[1]又は[2]に記載の操作検出装置であってもよい。
[4]また、前記ヒータ部と前記検出電極の間に、前記ヒータ部と前記検出電極の間の寄生容量の影響を低減するキャンセル電極を有し、前記制御部は、前記タッチセンサ部と前記キャンセル電極を同電位で駆動することを特徴とする上記[1]から[3]のいずれか1に記載の操作検出装置であってもよい。
[5]また、前記制御部は、前記ヒータ部の前記温度制御を行なう時に、前記キャンセル電極の駆動を停止させることを特徴とする上記[4]に記載の操作検出装置であってもよい。
本発明によれば、サーモスタットを省略して温度制御が可能なヒータ部を備えた操作検出装置を提供することが可能となる。
図1は、本発明の第1の形態に係る操作検出装置の全体概略構成を示すブロック構成図である。 図2(a)は、タッチ操作時の検出容量を示す検出容量Scと時間tとの関係を示す図、図2(b)は、非タッチ操作時の検出容量を示す検出容量Scと時間tとの関係を示す図である。 図3は、操作検出装置の動作を示すフローチャートである。 図4は、ルックアップテーブルの一例を示す対応関係表である。 図5は、本発明の第2の形態に係る操作検出装置の全体概略構成を示すブロック構成図である。 図6(a)は駆動信号Sd、図6(b)は、キャンセル信号Scan、オンオフ制御信号Sedの例、図6(c)は、キャンセル信号Scan、オンオフ制御信号Sedの他の例を示す図である。
(本発明の第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の形態に係る操作検出装置の全体概略構成を示すブロック構成図である。図2(a)は、タッチ操作時の検出容量を示す検出容量Scと時間tとの関係を示す図、図2(b)は、非タッチ操作時の検出容量を示す検出容量Scと時間tとの関係を示す図である。図3は、操作検出装置の動作を示すフローチャートである。また、図4は、ルックアップテーブルの一例を示すテーブル表である。以下、これらの図に基づいて、本発明の第1の実施の形態について説明する。
本発明の第1の実施の形態に係る操作検出装置1は、ヒータ部10と、ヒータ部10による熱的影響を受ける場所に検出電極20aが配置された静電容量式のタッチセンサ部20と、ヒータ部10及びタッチセンサ部20の動作制御を行なう制御部30と、有し、制御部30は、タッチセンサ部20の検出容量の変化量に基づいて、ヒータ部10の温度制御を行なう構成とされている。
静電容量式のタッチセンサ部20は、1又は2以上の検出電極20aから構成されている。この検出電極20aは、操作検出装置1の中で、ヒータ部10による熱的影響を受ける場所に配置されて構成されている。熱的影響を受けるとは、ヒータ部10により加熱されて検出電極20a、検出電極20aの周辺部材が膨張あるいは収縮し、また、検出電極20aの周辺の比誘電率が変化する等により、寄生容量が変化することである。
(ヒータ部10)
ヒータ部10は、通電による発熱作用を利用した抵抗ヒータ、金属セラミックヒータ、また、2種類の金属の接合部に電流を流すと、片方の金属からもう片方へ熱が移動するペルティエ効果を利用したTEC素子(ペルティエ素子、ペルチエ素子)等が使用可能である。いずれのものを使用する場合でも、サーモスタット等の温度制御素子を備えないでヒータ部を構成する。
ヒータ部10は、制御部30に接続され、ヒータ制御信号Shにより通電制御がされることにより、所定の温度に温度制御される。
(タッチセンサ部20)
タッチセンサ部20は、1又は2以上の検出電極20aから構成されているが、本実施の形態では、図1に示すように、1つの検出電極20aを図示して説明する。タッチセンサ部20を構成する検出電極20aは、図1に示すように、ヒータ部10による熱的影響を受ける場所に配置されている。検出電極20aは、図示省略するベース部に銅板、銅箔等の導電体により形成されている。検出電極20aは、電極表面に所定の誘電率を有する樹脂等により表面層が形成されている。操作者の指100(検出対象)が、検出電極20aをタッチすると、操作者の指100が表面層を介して検出電極20aとの間にコンデンサを形成する。これにより、検出電極20aへのタッチの有無を、その静電容量値の変化により判断することが可能となる。
(制御部30)
図1で本発明の形態に係る操作検出装置の概略構成を示すように、制御部30は、例えば、プログラムに従って、取得したデータに演算、加工等を行うCPU(Central Processing Unit)、半導体メモリであるRAM(Random Access Memory)及び記憶部としてのROM(Read Only Memory)等から構成されるマイクロコンピュータである。RAMは、例えば、一時的に演算結果等を格納する記憶領域として用いられる。また、制御部30は、駆動信号の駆動回路部、信号の入出力処理のためのインターフェース部等を有する。
記憶部には、温度変化による容量変化か、タッチ時の容量変化かを識別するための第1閾値31(検出容量値の変化速度の基準値)と、検出電極20aへのタッチの有無の判断に使用する第2閾値32(検出容量値の基準値)を有する。また、記憶部には、タッチセンサ部20の検出容量の変化量に基づいて、ヒータ部10の温度推定を行なうことによりヒータ部10の温度制御を行なうための対応関係表(以下、ルックアップテーブル33という)を有する。
(静電容量の検出動作)
操作者の指100が検出電極20aにタッチすると、指100と検出電極20aとの間にコンデンサが形成される。検出電極20aは、操作者がタッチしていない状態では、寄生容量のみである。操作者の指100がタッチした状態では、静電容量値が変化する。制御部30は、検出電極20aへ、所定の周期で電圧を印加するチャージ動作を行なうと共に、所定の周期で各電極の電圧をサンプリングする。これらの動作により、検出電極20aの静電容量値を随時算出する。検出電極20aの検出容量(静電容量値)は、静電容量値、静電容量に対応した電圧値、あるいは、これらアナログ値をカウンタにより積算して量子化したデジタル値として算出される。
ここで、図2(a)は、タッチ操作時の検出容量を示す検出容量Scと時間tとの関係を示す図、図2(b)は、非タッチ操作時の検出容量を示す検出容量Scと時間tとの関係を示す図である。
図2(a)に示すように、操作者が指100(検出対象)で検出電極20aをタッチすると、例えば、時間t1からt2の間で、検出容量Scが大きく変化する。したがって、検出容量Scの変化速度が大きく変化する。また、操作者の指100(検出対象)が検出電極20aに近接した場合でも、検出感度を大きく設定している場合は、検出容量Scの変化速度が大きく変化する。よって、操作者が指100(検出対象)で検出電極20aをタッチする場合には、操作者の指100(検出対象)が検出電極20aに近接する場合も含むものとする。
また、図2(b)に示すように、操作者が指100(検出対象)で検出電極20aをタッチ、又は近接させてない場合は、検出容量Scは大きくは変化しない。図2(b)に示す時間と共に検出容量Scが漸次増加しているのは、ヒータ部10を駆動していることによる。すなわち、ヒータ部10の駆動による検出容量Scの変化は、タッチ時と比較して、時間的にゆるやかである。
上記のことから、図2(a)に示すように検出容量Scの変化速度が大きい場合はタッチ検出と判定できる。一方、図2(b)に示すように検出容量Scの変化速度が小さい場合はヒータ部10による熱的影響であると判定できる。
(操作検出装置1の動作)
図3は、操作検出装置の動作を示すフローチャートである。以下、図3に基づいて操作検出装置の動作を説明する。
操作検出装置1の動作がスタートすると、制御部30は、検出容量Scの速度変化が第1閾値31(検出容量値の変化速度の基準値)を超えたかどうかを判定する(Step1)。検出容量Scの速度変化が第1閾値31を超えたと判定する場合はStep2へ進み(Step1:Yes)、検出容量Scの速度変化が第1閾値31を超えないと判定する場合はStep3へ進む(Step1:No)。
制御部30は、記憶部に記憶された第1閾値31を参照して、図2(a)あるいは図2(b)のような検出容量Scの速度変化ΔCを判断することにより、検出容量Scの速度変化が閾値31を超えたかどうかを判定する。これにより、検出容量Scの変化が、温度変化による容量変化か、タッチ時の容量変化かを識別することができる。
制御部30は、タッチ検出の判定動作を行なう(Step2)。制御部30は、検出電極20aへのタッチの有無の判断に使用する第2閾値32(タッチ検出の基準値)に基づいて、検出容量Scの変化が検出電極20aへのタッチによるものかどうかを判定する。第2閾値32は、検出容量値の基準値であって、検出容量Scが所定の検出容量値以上になった場合には、指100が検出電極20aへタッチされたものと判定する。
制御部30は、記憶部に記憶されたルックアップテーブル33を参照して、図2(b)のような検出容量Scの速度変化ΔCに対応するヒータ部10のヒータ温度Tを推定する。
図4は、ルックアップテーブル33の一例を示す対応関係表である。検出容量Scの速度変化である検出容量変化量ΔCに対応したヒータ温度Tが対応関係表として予め設定されている。これは、実際の測定値に基づいて求められ、あるいは、計算又はシミュレーシンにより求めることもできる。
制御部30は、所定の周期で検出容量変化量ΔCを求め、これに基づいて、ヒータ制御信号Shによりヒータ部10の温度制御を行なうことができる。
以上、一連の動作フローにより、操作検出装置の動作が実行される。
(本発明の第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態は、ヒータ部10と検出電極20aの間にキャンセル電極50を備え、制御部30は、検出電極20aの駆動と同期してキャンセル電極50を同電位で駆動する構成とされている。
第2の実施の形態は、第1の実施の形態において、ヒータ部10と検出電極20aの間に、ヒータ部10と検出電極20aの間の寄生容量の影響を低減するキャンセル電極50を有し、制御部30は、タッチセンサ部20とキャンセル電極50を同電位で駆動することを特徴とする。
また、制御部30は、ヒータ部10の温度制御を行なう時に、キャンセル電極50の駆動を停止させることを特徴とする。
図5は、本発明の第2の形態に係る操作検出装置の全体概略構成を示すブロック構成図である。以下において、第1の実施の形態と同様の構成については説明を省略し、異なる構成及び動作について説明する。
(キャンセル電極50)
キャンセル電極50は、基本的に、検出電極20aと同電位で通電駆動される。これにより、検出電極20aの寄生容量が大きく低減され、検出電極20aのタッチ検出の精度が向上する。
キャンセル電極50は、キャンセル電極制御部52を介して、制御部30により制御される。
キャンセル電極制御部52は、例えば、オペアンプ53で構成される。オペアンプ53の出力端子53aは、キャンセル電極50に接続されている。オペアンプ53の非反転入力端子53bは、制御部30の検出電極駆動端子30aに接続されている。また、オペアンプ53の反転入力端子53cは、出力端子53aに接続されている。したがって、オペアンプ53は、図5に示すように、ユニティゲインアンプとして動作し、検出電極20aの駆動信号Sdと同位相、同電位のキャンセル信号Scanにより、キャンセル電極50を駆動する。
また、オペアンプ53の制御端子53dは、出力端子53aからの出力をオンオフする、Enable/Disable端子とされている。この制御端子53dには、制御部30から、出力端子53aの出力のオンオフ制御信号Sedが入力される。これにより、所定のタイミングで、オペアンプ53の出力端子53aから出力されるキャンセル信号Scanをオフにすることが可能になる。ここで、所定のタイミングは、第1の実施の形態で説明した検出電極20aの検出容量Scの速度変化を検出する時である。
(操作検出装置1の動作)
図6(a)は駆動信号Sdであり、例えば、時間t1〜t2で検出電極20aを駆動し、時間t2〜t3で電流オフとされる。このような周期により検出電極20aが駆動される。
図6(b)は、キャンセル信号Scan、オンオフ制御信号Sedの例である。図6(a)で示した駆動信号Sdにより、キャンセル電極50は、同位相、同電位で駆動される。また、例えば、オンオフ制御信号Sedを駆動信号Sdと同じとすることにより、時間t1〜t2でオペアンプ53はEnable(オン)、時間t2〜t3でオペアンプ53はDisable(オフ)となる。
上記の動作により、時間t1〜t2で通常のタッチ検出動作を行なう時には、キャンセル電極50が駆動されている。これにより、検出電極20aの寄生容量が大きく低減されて、検出電極20aのタッチ検出の精度が向上する。
一方、時間t2〜t3でオペアンプ53がDisable(オフ)の場合は、キャンセル電極50の駆動が停止する。これにより、第1の実施の形態と同様に、タッチセンサ部20の検出容量の変化量に基づいてヒータ部10の温度推定を行なうことにより、ヒータ部10の温度制御を行なうことができる。
図6(c)は、キャンセル信号Scan、オンオフ制御信号Sedの他の例を示す図である。図6(c)では、時間t1〜t4で通常のタッチ検出動作を行ない、時間t4〜t5でヒータ部10の温度制御を行なうことができる。このように、オンオフ制御信号Sedのデューティ比を変えることによってヒータ部10の温度制御のインターバルを変えることが可能である。これにより、タッチ検出の動作時間とヒータ部の温度制御時間の割合を任意に設定できる。
(本発明の実施の形態の効果)
本実施の形態に係る操作検出装置1は以下のような効果を有する。
(1)第1の実施の形態によれば、検出電極20aの検出容量値の変化速度に基づいて、ヒータ部10の温度制御を行なうので、サーモスタット等の温度制御素子を備える必要がない。これにより、構成の簡略化、省スペース化、低コスト化が可能になる。
(2)第2の実施の形態によれば、検出電極20aの寄生容量の影響を低減するキャンセル電極50を有する構成でも、キャンセル電極50の駆動停止時にヒータ部10の温度制御を行なうことにより、第1の実施の形態と同様の作用効果を有する。
(3)第1、2の実施の形態に係る操作検出装置1は、例えば、車両のステアリングに装着されるヒータ部を備えたステアリングセンサ、あるいは、ヒータ部を備えた着座シート、等に適用可能である。
以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更等を行うことができる。また、これら実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態は、発明の範囲及び要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…操作検出装置
10…ヒータ部
20…タッチセンサ部、20a…検出電極
30…制御部
30a検出電極駆動端子、31…第1閾値(検出容量値の変化速度の基準値)
32…第2閾値(タッチ検出の基準値)
33…ルックアップテーブル(対応関係表)
50…キャンセル電極
52…キャンセル電極制御部
53…オペアンプ、53a…出力端子、53b…非反転入力端子、53c…反転入力端子、53d…制御端子
100…指(検出対象)
Sc…検出容量
Sh…ヒータ制御信号
Scan…キャンセル信号
Sd…駆動信号
Sed…オンオフ制御信号
ΔC…速度変化
T…ヒータ温度

Claims (5)

  1. ヒータ部と、
    前記ヒータ部による熱的影響を受ける場所に検出電極が配置された静電容量式のタッチセンサ部と、
    前記ヒータ部及び前記タッチセンサ部の動作制御を行なう制御部と、有し、
    前記制御部は、前記タッチセンサ部の検出容量の変化量に基づいて、前記ヒータ部の温度制御を行なうことを特徴とする操作検出装置。
  2. 前記制御部は、前記タッチセンサ部の検出容量の変化速度に基づいて、前記タッチセンサ部のタッチ時の静電容量変化か前記ヒータ部の熱的影響による静電容量変化かを判断することを特徴とする請求項1に記載の操作検出装置。
  3. 前記制御部は、前記ヒータ部の熱的影響による検出容量変化量と前記ヒータ部の推定温度との対応関係表(ルックアップテーブル)を有し、この対応関係表に基づいて前記ヒータ部の温度制御を行なうことを特徴とする請求項1又は2に記載の操作検出装置。
  4. 前記ヒータ部と前記検出電極の間に、前記ヒータ部と前記検出電極の間の寄生容量の影響を低減するキャンセル電極を有し、
    前記制御部は、前記タッチセンサ部と前記キャンセル電極を同電位で駆動することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の操作検出装置。
  5. 前記制御部は、前記ヒータ部の前記温度制御を行なう時に、前記キャンセル電極の駆動を停止させることを特徴とする請求項4に記載の操作検出装置。
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