JP2017183516A - 基板処理方法、基板処理装置およびプログラム記録媒体 - Google Patents
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Abstract
基板の洗浄効率を低下させることなくエッジオーバースキャンを実施するための方法および装置を提供する。
【解決手段】
基板主面のブラシ洗浄にあたり、基板を水平に保持し前記基板の中心を通る回転軸(AX)の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、前記ブラシ(30、300、310、320、330)を前記基板に接近させることにより、前記ブラシと前記主面とが当接する当接領域を形成するブラシ当接工程と、前記当接状態を維持しつつ、基板径方向について基板の中心から外周へと向かう方向に前記ブラシを移動させる第1移動工程と、前記当接状態を維持しつつ、前記ブラシと前記主面とが当接した当接領域の基板径方向長さが減少するようにブラシの形状を変形させるブラシ変形工程と、前記ブラシ変形工程の後に、基板径方向について基板の中心から外周方向へと前記ブラシを移動させる第2移動工程が行われる。
【選択図】図4
Description
こうした基板処理装置では、基板のまわりに配置された複数のチャックピンで基板を水平に把持しながら基板の中央部を通る鉛直な回転軸線AXまわりに回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板に押し付けられるブラシと、スピンチャックが基板を回転させているときに一部のチャックピンだけを基板から離すマグネットプレートおよびマグネット昇降機構とを備えている。ブラシは、基板の上面当接した状態で基板上面に沿って平行移動される。これにより、ブラシが基板に当接する部位がブラシ洗浄される。
有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。また、各図面は模式的に示されたものである。また、図面を援用した実施形態の説明において、紙面の上下方向は基板処理装置1における鉛直方向に対応する。
<基板処理装置1の構成>
図1は、実施形態に係る基板処理装置1の構成の一例を表す模式図である。
まず、基板処理装置1を構成する各種部材や機構について説明する。
スピンベース115の周縁には、複数のチャックピン47が配設されている。チャックピン47は、基板Wをその上部に載せるための載置面47Aと基板Wを周縁から押接させ保持力を与えるための当接面47Bを有している。チャックピン47は、チャックピン移動機構40に連結されており、平面視において当接面47Bをスピンベース115の外周方向に移動した状態にさせる開状態と、平面視において当接面47Bをスピンベース115の内周方向に移動した状態にさせる閉状態とを実現するように、スピンベース115の径方向について変位可能である。
第1ノズル10は、配管210を通じて処理液供給機構200から供給される処理液を吐出口10Aから吐出可能に構成されている。本実施形態においては、第1ノズル10は、基板Wの主面(上面)の中心に向けて処理液を吐出するように、図示しない固定具により基板Wの上部に固定される。第1ノズル10の固定位置は、第2ノズルやヘッド51の移動に伴い、これらと干渉しない高さに設定される。
図1及び図3を参照し、制御機構100の構成について説明する。
基板処理装置1は、更に制御機構100を有している。制御機構100は、チャックピン駆動機構40、スピンベース回転機構55、アーム移動機構60の可動部61、処理液供給機構200におけるポンプP1及びP2、流量調整バルブ211及び221、開閉バルブ215及び225などの動作を制御する。
制御機構100は、基板Wの処理に伴う処理液飛沫や雰囲気汚染を回避するため、スピンチャック51との間に設けたスピンチャック51等を覆う図示しない隔壁の外部に設けた構成とし、制御信号を送受信するための配線を通じて上述の各種機構への通信を行う構成としても良い。
これらの情報から、演算部115は、基板Wとブラシ30との高さおよび水平方向についての相対位置関係を算出することが可能である。
こうして算出されたデータに基づき、スピンチャック41、ひいては基板Wに対してブラシ30を相対移動させる制御が実行される。
図4は、第1の実施形態に係るブラシ30の構造を説明するための説明図である。
図4を参照し、ブラシ30の構造の詳細について説明する。
ブラシ30は、ヘッド51の下面に固定されている。
ブラシ30は、主ブラシ30Aと、主ブラシ30Aの下面に接合された副ブラシ30Bを備える。
また、副ブラシ30Bは、その高さH2が、スピンチャック41に基板Wを保持した際における基板Wの上面と、スピンチャック41の保持ピンの最頂部との鉛直方向高さの差H10以上の高さとなるように設計・製作される。
図5は、ブラシ30が変形する前のブラシ形状と基板Wとの関係を模式的に示している。この状態においては、副ブラシ30Bのみが基板Wに当接している。つまり、ブラシ30が基板Wと当接する当接領域の基板径方向の長さL2は副ブラシ30Bの基板径方向の長さD2となっている。従って、ブラシ30の基板径方向についての長さは、基板Wの主面高さから、主ブラシ30Aと副ブラシ30Bとの接合面高さに至るまでD2となる。
主ブラシ30Aと副ブラシ30Bとの接合面高さから、ヘッド51と主ブラシ30Aとの接合面高さまでについては、ブラシ30の基板径方向についての長さは主ブラシ30Aの基板径方向の長さD1である。
以下、図7のフロー図ならびに図8乃至図16を適宜参照し、第1実施形態に係る基板処理装置1の動作を説明する。
<STEP1 基板の保持回転>
先ず、基板Wに所定の処理を加えるために、基板Wがスピンチャック41に保持される。基板Wが、図示しない基板搬送機構により基板処理装置1へと搬送されてくる。
このとき、チャックピン47は、既に説明した開状態となっている。
また、このときヘッド51及びその下面にあるブラシ30は、スピンチャック41の外側の退避位置に位置する。
次に、第1ノズル10から基板Wの主面上に処理液が吐出される。ここでの処理は、例えば、基板W上の汚染物を除去することや、基板W上のレジスト等の残渣を除去するなどの広義の洗浄処理を含む。処理液は、洗浄の目的や性質により選択される。処理液の例としては、ブラシによる基板Wの洗浄に適合する処理液が選択されることが望ましい。こうした処理液としては、例えばDIW、弱酸性、弱アルカリ性の薬液などが用いられるが、汚れや残渣除去の性状によってはSC1、SC2などを用いても良い。また、レジスト残渣の性状によっては、硫酸過水などを用いても良い。
第1ノズルの上述動作の直後またはこれと並行して、ヘッド51がブラシによる洗浄の開始位置へと移動される。ヘッド51の下方に配置されたブラシ30は、通常は平面視においてスピンチャック41の外側の退避位置に移動された状態となっている。アーム移動機構60は、ヘッド51を上方へと微小距離(数mmから数cm程度)移動させ、ヘッド51を基板Wの上方の所定位置へと移動させる。この所定位置は、ブラシ30による処理を開始させる位置である。
ヘッド51の移動に伴い、第2ノズル20が移動する。第2ノズル20の移動とヘッド51の移動を同期させる制御および駆動機構を備えることでもこうした移動は実現可能であるが、最も簡便にこれを実現する構成としては、ヘッド51に第2ノズル20を配設する構成が考えられる。
第2ノズル20は、第1ノズル10から吐出された処理液と同種の処理液を基板Wと補充供給する役割を有する。
ここまでの工程により、基板Wはスピンチャック47に保持された状態で回転し、当該回転する基板Wの主面上には、第1ノズル10および第2ノズル20から処理液が吐出されている。ブラシ30による洗浄にあたり、ブラシ30が図11の矢印A3に示す方向(鉛直下方)に移動し、ブラシ30が基板Wに押し付けられて変形する。ブラシ30Bの素材の剛性がブラシ30Aの剛性よりも低い値の場合、当該変形において主にブラシ30Bが変形する。この結果、図11に模式的に示すようにブラシ30Bの下面に加えてブラシ30Aの下面が基板Wに当接した状態となる。従って、ブラシ30と基板Wとが当接する当接領域の基板径方向の長さL1は、この時点においては、主ブラシ30Aの基板径方向の長さD1となる。
STEP5に引き続き、STEP6が実行される。STEP6では、主ブラシ30Aが基板Wに当接した状態から副ブラシ30Bが基板Wに当接した状態への移行が行われ、最終的にはエッジオーバースキャンが達成される。
これと並行して、ブラシ30が、図14の矢印A6に示す方向(基板Wの外周方向)へと移動する。ブラシ30の移動は、STEP5の終了に伴い一旦停止し、STEP6開始に伴い移動を再開しても良いが、洗浄効率やパーティクル残存を減らす観点から、移動を停止しないことが望ましい。
副ブラシ30Bの基板径方向長さD2は、基板Wと開状態チャックピン47との間隙Dよりも小さいため、ブラシ30が基板W及び開状態のチャックピン47のいずれにも接触しないように当該停止を行うことが可能である。
なお、基板Wの汚れが激しいなど、処理の要求内容によっては、STEP6とSTEP7を2回以上繰り返した後、以下に述べるSTEP7へと移行しても良い。
ブラシ30による基板Wの洗浄が終了した後は、アーム移動機構60によりブラシ30を、図15の矢印A7に示す方向(鉛直上方向)に基板Wから微小距離(数mmから数cm)移動させる。
ヘッド51が退避位置に退避した後、チャックピン47が開状態となる。チャックピン47が開状態となった後、またはこれと並行して、図示しない基板搬送機構のハンド部がスピンベース115と基板Wとの間に侵入し、当該ハンド部が上昇する。これにより、基板Wがハンド部により持ち上げられる。基板搬送機構は、ハンド部に基板Wを載置した状態で、基板処理装置1の外部へと基板Wを搬送する。これにより、基板Wをブラシ洗浄する一連の工程が終了する。
次に第2の実施形態について説明する。
第2の実施形態と第1の実施形態との主な違いは、ブラシの形状にある。
ブラシ300は、主ブラシ300Aと副ブラシ300Bとを有している。
主ブラシ300Aはヘッド51の下部に固定されており、下向きの円錐台形の形状を有する。副ブラシ300Bは、主ブラシ300Aの下面に固定されており、下向きの円錐形の形状を有する。主ブラシ300Aと副ブラシ300Bは、全体として、ヘッド51の下部に形成された下向きの円錐形の形状を有する。
主ブラシ300Aおよび副ブラシ300Bの材料としては、例えば、PVA(ポリビニルアルコール)やウレタンなどの弾性変形可能な材料で形成されたスポンジ材(多孔質部材)が選択される。これら材料は、洗浄目的などに応じて多種多様な粒度や剛性のものが市販されている。副ブラシ300Bは主ブラシ300Aよりも剛性が低い、いいかえると変形しやすいことが望ましい。
これに対して、第2実施形態におけるブラシ300においても、ブラシ300の基板径方向についての形状を変化させることが可能である。従って、第1実施形態におけるブラシ洗浄と同様に、第2実施形態においても、上述の(1)〜(3)と同様な動作を実現できる。例えば、(1)の段階では副ブラシ300Bが押しつぶされて、実質的には主ブラシ300Aが基板Wに当接したのと同じ形状の当接領域を形成させ、(2)ではこの段階での当接領域の基板径方向長さL2がD>L2となる所定位置までブラシ300を鉛直方向に移動させ、(3)エッジオーバースキャンを実施することが可能である。
次に第3の実施形態について説明する。
第1実施形態と第3実施形態との主な違いはブラシの構造の違いにある。
ブラシ310は、主ブラシ310Aと副ブラシ310Bとを有している。
主ブラシ300Aはヘッド51の下部に固定されており、略直方体の形状を有する。
副ブラシ300Bは、主ブラシ300Bに基板径方向の外周側において隣接するように、ヘッド51の下部に固定されている。
副ブラシ310Bの基板径方向の長さD23は、スピンチャック41に基板Wを保持した際における基板Wの端部と、当該端部に対向するスピンチャック41を開状態としたときの当該端部からスピンチャック41までの距離Dよりも小さくなるように設計・製作される。また、主ブラシ310Aの基板径方向の長さD13は、D23よりも大きく、好ましくはDよりも大きくなるように設計・製作される。すなわち、ブラシ310は、D13>D>D23の関係になるように設計・製作されることが望ましい。
次に第4の実施形態について説明する。
第4実施形態と第1実施形態との違いは、ブラシの形状を変化させる際、第1実施形態では主ブラシと副ブラシとの相対的な位置関係は変化しないのに対して、第4実施形態では主ブラシに対して副ブラシの相対的な位置が変化することである。
ブラシ320は、主ブラシ320Aと副ブラシ320Bとを有している。
主ブラシ300Aはヘッド51の下部または側面に固定されており、略直方体の形状を有する。副ブラシ320Bは、側面視において、主ブラシ320Aに基板径方向の外周側において隣接するように、ヘッド51の下部または側面に固定されている。
副ブラシ320Bの基板径方向の長さD24は、スピンチャック41に基板Wを保持した際における基板Wの端部と、当該端部に対向するスピンチャック41を開状態としたときの当該端部からスピンチャック41までの距離Dよりも小さくなるように設計・製作される。また、主ブラシ320Aの基板径方向の長さD14は、D24よりも大きく、好ましくはDよりも大きくなるように設計・製作される。すなわち、ブラシ320は、D14>D>D24の関係になるように設計・製作されることが望ましい。
第5の実施形態について以下に説明する。第1〜4実施形態では、ブラシ形状を変化させることにより、基板Wとブラシとが当接する当接領域の基板径方向についての長さなどを、基板W主面のみのブラシ洗浄を行うときと、エッジオーバースキャンを含めた洗浄を行うときとで変化させている。これに対して、第5の実施形態においては、ブラシを自転させることで、基板Wとブラシとが当接する当接領域の基板径方向についての長さを変化させる。つまり、ブラシ自体の形状は実質的に変化しないのであるが、ブラシを自転させることで、特定方向(基板径方向)からの見かけの形状を変化させる。
ブラシ330は一体的に成型されており、全体として略直方体形状を有する。
ブラシ330は、ブラシ自転機構335を介してヘッド51に接続されている。
ブラシ330を構成する材料としては、例えば、PVA(ポリビニルアルコール)やウレタンなどの弾性変形可能な材料で形成されたスポンジ材(多孔質部材)が選択される。
これに対して、第5実施形態におけるブラシ330においても、ブラシ330の基板径方向についての形状を変化させることが可能である。自転により、ブラシ330の基板径方向についての長さを、ブラシ330の長軸長さLと短軸長さWとで切り替えることが可能であり、ブラシ330は好ましくはD15>D>D25となるように設計・製造されている。
また、チャックピンの開閉や、ヘッドの高さ及び水平移動などを行うための制御情報の格納や制御の具体的な態様についても、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
AX 回転軸線
A1 矢印
A2 矢印
A3 矢印
A4 矢印
A5 矢印
A6 矢印
A7 矢印
A8 矢印
D1 主ブラシの基板径方向長さ
D2 副ブラシの基板径方向長さ
L1 基板とブラシの当接領域の基板径方向の長さ
L2 基板とブラシの当接領域の基板径方向の長さ
P1 ポンプ
P2 ポンプ
1 基板処理装置
10 第1ノズル
10A 第1ノズルの吐出口
20 第2ノズル
20A 第2ノズルの吐出口
30 ブラシ
30A 主ブラシ
30B 副ブラシ
40 チャックピン移動機構
47 チャックピン
47A 載置面
47B 当接面
51 ヘッド
52 アーム
55 スピンベース回転機構
60 アーム移動機構
61 可動部
61A 軸回転機構
61B 上下移動機構
61C 前後移動機構
62 カバー
100 制御機構
110 記憶部
115 スピンベース
200 処理機供給機構
210 配管
211 流量調整バルブ
215 開閉バルブ
220 配管
221 流量調整バルブ
225 開閉バルブ
250 タンク
Claims (25)
- 基板の主面をブラシで洗浄する基板洗浄方法であって、
基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、
前記ブラシを前記基板に接近させることにより、前記ブラシと前記主面とが当接する当接領域を形成するブラシ当接工程と、
前記当接状態を維持しつつ、基板径方向について基板の中心から外周へと向かう方向に前記ブラシを移動させる第1移動工程と、
前記当接状態を維持しつつ、前記ブラシと前記主面とが当接した当接領域の基板径方向長さが減少するようにブラシの形状を変形させるブラシ変形工程と、
前記ブラシ変形工程の後に、基板径方向について基板の中心から外周へと向かう方向へと前記ブラシを移動させる第2移動工程とを備えており、
前記第2移動工程は、前記当接状態が解消されるに至るまで行われることを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法であって、
前記基板保持回転工程における基板の保持が、開状態と閉状態に切替可能な複数のチャックピンを用いておこなわれ、
前記第2移動工程において、前記複数のチャックピンの少なくとも1つと前記基板との間に間隙Dが形成されることを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記第1移動工程における当接領域の基板径方向長さL1と、
前記第2移動工程における当接領域の基板径方向長さL2と、
前記間隙Dとの間に、
L1>D>L2の関係が成り立つことを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項1乃至3に記載の基板処理方法であって、
前記ブラシ変形工程が、前記ブラシを前記基板に対して、相対的に鉛直移動させることにより行われることを特徴とする、基板洗浄方法。 - 請求項1乃至4に記載の基板処理方法であって、
前記ブラシが、主ブラシと副ブラシを備えており、
前記主ブラシの基板径方向長さD1と、
前記副ブラシの基板径方向長さD2について、
D1>D>D2の関係が成り立つことを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項5に記載の基板処理方法であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの下面に固定されていることを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項5に記載の基板処理方法であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの側面に固定されていることを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項5に記載の基板処理方法であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの側面に擦動可能に設置されていることを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項5乃至8に記載の基板処理方法であって、前記副ブラシの材質が、前記主ブラシの材質よりも低い剛性を有することを特徴とする、基板洗浄方法。
- 基板の主面をブラシで洗浄するための基板処理装置であって、
開状態と閉状態に切替可能な複数のチャックピンを有し、基板を保持するための基板保持機構と、
前記基板の主面を洗浄するためのブラシと、
前記ブラシを鉛直方向に移動するための鉛直移動機構と、
基板径方向について基板の中心から外周へと向かう方向に前記ブラシを移動させるための水平移動機構とを備えており、
前記ブラシが前記基板に対して、前記鉛直移動機構について移動されることにより、
前記ブラシと前記主面とが当接した当接領域の基板径方向長さが、L1とL2の値をとるように前記ブラシの形状が変形され、
前記L1、前記L2と、前記開状態におけるチャックピンと基板との間隙Dとの間に、
L1>D>L2の関係が成り立つことを特徴とする、基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であって、
前記鉛直移動機構が前記ブラシを鉛直方向に移動させることにより前記ブラシの形状が変化することを特徴とする、基板処理装置。 - 請求項10乃至11に記載の基板処理装置であって、
前記ブラシが主ブラシと副ブラシとを備えており、
前記主ブラシの基板径方向長さD1と、
前記副ブラシの基板径方向長さD2について、
D1>D>D2の関係が成り立つことを特徴とする、基板処理装置。 - 請求項12に記載の基板処理装置であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの下面に固定されていることを特徴とする、基板処理装置。 - 請求項12に記載の基板処理装置であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの側面に固定されていることを特徴とする、基板処理装置。 - 請求項12に記載の基板処理装置であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの側面に擦動可能に設置されていることを特徴とする、基板処理装置。 - 請求項12乃至15に記載の基板処理装置であって、前記副ブラシの材質が、前記主ブラシの材質よりも低い剛性を有することを特徴とする、基板洗浄装置。
- 基板の主面をブラシで洗浄する基板洗浄方法を実行するプログラムを記録したプログラム記録媒体であって、当該基板洗浄方法が、
基板を水平に保持し、前記基板の中心を通る回転軸の周りに前記基板を回転させる基板保持回転工程と、
前記ブラシを前記基板に接近させることにより、前記ブラシと前記主面とが当接する当接領域を形成するブラシ当接工程と、
前記当接状態を維持しつつ、基板径方向について基板の中心から外周へと向かう方向に前記ブラシを移動させる第1移動工程と、
前記当接状態を維持しつつ、前記ブラシと前記主面とが当接した当接領域の基板径方向長さが減少するようにブラシの形状を変形させるブラシ変形工程と、
前記ブラシ変形工程の後に、基板径方向について基板の中心から外周へと向かう方向へと前記ブラシを移動させる第2移動工程とを備えており、
前記第2移動工程は、前記当接状態が解消されるに至るまで行われることを特徴とする、プログラム記録媒体。 - 請求項17に記載のプログラム記録媒体であって、
前記基板保持回転工程における基板の保持が、開状態と閉状態に切替可能な複数のチャックピンを用いておこなわれ、
前記第2移動工程において、前記複数のチャックピンの少なくとも1つと前記基板との間に間隙Dが形成されることを特徴とする、プログラム記録媒体。 - 請求項18に記載のプログラム記録媒体であって、
前記第1移動工程における当接領域の基板径方向長さL1と、
前記第2移動工程における当接領域の基板径方向長さL2と、
前記間隙Dとの間に、
L1>D>L2の関係が成り立つことを特徴とする、プログラム記録媒体。 - 請求項17乃至19に記載のプログラム記録媒体であって、
前記ブラシ変形工程が、前記ブラシを前記基板に対して、相対的に鉛直移動させることにより行われることを特徴とする、プログラム記録媒体。 - 請求項17乃至20に記載のプログラム記録媒体であって、
前記ブラシが、主ブラシと副ブラシを備えており、
前記主ブラシの基板径方向長さD1と、
前記副ブラシの基板径方向長さD2について、
D1>D>D2の関係が成り立つことを特徴とする、プログラム記録媒体。 - 請求項21に記載のプログラム記録媒体であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの下面に固定されていることを特徴とする、プログラム記録媒体。 - 請求項21に記載のプログラム記録媒体であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの側面に固定されていることを特徴とする、プログラム記録媒体。 - 請求項21に記載のプログラム記録媒体であって、
前記副ブラシが前記主ブラシの側面に擦動可能に設置されていることを特徴とする、プログラム記録媒体。 - 請求項21乃至24に記載のプログラム記録媒体であって、前記副ブラシの材質が、前記主ブラシの材質よりも低い剛性を有することを特徴とする、プログラム記録媒体。
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