JP2017183406A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ウェハ上に複数のチップを形成する工程と、
前記複数のチップに対してカテゴリー化されたテスト項目についてそれぞれテストを行う工程と、
前記テスト項目において不良と判断されたチップの前記ウェハ内における数をテスト項目の値とし、同じ前記テスト項目の値を有するウェハ数を発生数として表す第1のヒストグラムを作成する工程と、
前記ヒストグラムの分布最大値を軸に、前記分布最大値のテスト項目の値よりも大きいテスト項目の値を有する分布を取り出し、左右が逆になるように反転させて、前記分布最大値の隣からテスト項目の値が小さくなる範囲に配置し、前記分布最大値に隣接する前記テスト項目の値を拡張したヒストグラムを追加して第2のヒストグラムを作成する工程と、
前記第2のヒストグラムを正規分布とみなして、平均値と標準偏差を求める工程と、
前記平均値と標準偏差により、カテゴリー化されたテスト項目について新たなウェハのテストを行い前記新たなウェハの良否を判定する工程と、
を有する半導体装置の製造方法を用いる。
Claims (2)
- ウェハ上に複数のチップを形成する工程と、
前記複数のチップに対してカテゴリー化されたテスト項目についてそれぞれテストを行う工程と、
前記テスト項目において不良と判断されたチップの前記ウェハ内における数をテスト項目の値とし、同じ前記テスト項目の値を有するウェハ数を発生数として表す第1のヒストグラムを作成する工程と、
前記ヒストグラムの分布最大値を軸に、前記分布最大値のテスト項目の値よりも大きいテスト項目の値を有する分布を取り出し、左右が逆になるように反転させて、前記分布最大値の隣からテスト項目の値が小さくなる範囲に配置し、前記分布最大値に隣接する前記テスト項目の値を拡張したヒストグラムを追加して第2のヒストグラムを作成する工程と、
前記第2のヒストグラムを正規分布とみなして、平均値と標準偏差を求める工程と、
前記平均値と標準偏差により、カテゴリー化されたテスト項目について新たなウェハのテストを行い前記新たなウェハの良否を判定する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記標準偏差は(75%値−25%値)/1.35の計算により求められたロバストシグマであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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