JP2017178743A

JP2017178743A - ガラス板の製造方法

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Publication number: JP2017178743A
Application number: JP2016072513A
Authority: JP
Inventors: 誠吾太田; Seigo Ota; 博敬三木; Hirotaka Miki; 博利伊勢; Hirotoshi Ise; 真治植木; Shinji Ueki
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2016-03-31
Filing date: 2016-03-31
Publication date: 2017-10-05

Abstract

【課題】ガラス板の主表面の清浄度をより向上した、ガラス板の製造方法の提供。
【解決手段】レーザ光をガラス板の内部に集光照射し、前記ガラス板の内部にマークを形成するマーキング工程と、前記マークの形成後に、前記ガラス板の主表面を研磨する主表面研磨工程とを有する、ガラス板の製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス板の製造方法に関する。

ガラス板を識別するため、ガラス板にマーキングする技術が提案されている。特許文献１には、ガラス板の清浄度を向上するため、ガラス板の内部にマーキングする技術が開示されている。

特開２００３−８９５５３号公報

マーキング装置の機械要素などから粉塵が発生し、発生した粉塵がガラス板の主表面に付着することがあった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、ガラス板の主表面の清浄度をより向上した、ガラス板の製造方法の提供を主な目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
レーザ光をガラス板の内部に集光照射し、前記ガラス板の内部にマークを形成するマーキング工程と、
前記マークの形成後に、前記ガラス板の主表面を研磨する主表面研磨工程とを有する、ガラス板の製造方法が提供される。

本発明の一態様によれば、ガラス板の主表面の清浄度をより向上した、ガラス板の製造方法が提供される。

一実施形態によるガラス板の製造方法のフローチャートである。図１のマーキング工程の説明図である。図１の主表面研磨工程の説明図である。変形例によるマーキング工程の説明図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。

図１は、一実施形態によるガラス板の製造方法のフローチャートである。ガラス板の製造方法は、マーキング工程Ｓ１０と、主表面研磨工程Ｓ２０とを有する。図１に示す製造方法で得られるガラス板は、例えばフォトリソグラフィ用のマスクブランク基板として用いられる。マスクブランクは、反射型、透過型のいずれでもよい。

反射型マスクブランクは、基板と、光反射膜と、光吸収膜とをこの順で有する。反射型マスクブランクの吸収膜に開口パターンを形成することで、反射型フォトマスクが得られる。反射型フォトマスクは、例えばＥＵＶ光源の露光機に搭載される。

光反射膜は、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）などの光を反射する。光反射膜は、例えば高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層光反射膜であってよい。高屈折率層は例えばシリコン（Ｓｉ）により形成され、低屈折率層は例えばモリブデン（Ｍｏ）により形成される。

光吸収膜は、光を吸収する。光吸収膜は、例えばタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）から選ばれる少なくとも１つの元素を含む単金属、合金、窒化物、酸化物、酸窒化物などにより形成される。

一方、透過型マスクブランクは、基板と、遮光膜とを有する。遮光膜は、光を遮光する。遮光膜は、例えばクロム（Ｃｒ）などにより形成される。透過型マスクブランクの遮光膜に開口パターンを形成することで、透過型フォトマスクが得られる。透過型フォトマスクは、例えばＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、または水銀ランプなどを光源とする露光機に搭載される。

図１に示す製造方法で得られるガラス板は、インプリント用のモールドとして用いられてもよい。モールドは、基板との間に転写材を挟み、モールドの凹凸パターンを転写材に転写する。転写材の凹凸パターンは、モールドの凹凸パターンが略反転したものとなる。

ガラス板としては、ＳｉＯ_２含有量が９０質量％以上のものが好ましい。ＳｉＯ_２含有量の上限値は１００質量％である。ＳｉＯ_２含有量が９０質量％以上のガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、紫外線の透過率が高い。また、ＳｉＯ_２含有量が９０質量％以上のガラスは、一般的なソーダライムガラスに比べて、熱膨張率が小さく、温度変化によるフォトマスクの開口パターンやモールドの凹凸パターンの寸法変化が小さい。

ガラス板としては、ＳｉＯ_２含有量が９０質量％〜９８質量％、ＴｉＯ_２含有量が２質量％〜１０質量％のものがより好ましい。ＴｉＯ_２含有量が２質量％〜１０質量％であると、室温付近での熱膨張率が略ゼロであり、室温付近での寸法変化がほとんど生じない。ガラスは、ＳｉＯ_２およびＴｉＯ_２以外の微量成分を含んでもよいが、微量成分を含まないことが好ましい。

ＳｉＯ_２含有量が９０質量％〜９８質量％、ＴｉＯ_２含有量が２質量％〜１０質量％のガラスは、例えばＶＡＤ（Vapor-phase Axial Deposition）法によって作製される。ＶＡＤ法は、回転する石英棒の下方から珪素塩化物やチタン塩化物を酸素ガスや水素ガスと一緒に吹き付け、ガスバーナの火炎によって加水分解反応を生じさせることで、石英棒の下方に多孔質プリフォームを形成する方法である。多孔質プリフォームは、石英棒と共に引き上げられ、焼成炉で透明ガラス化された後、金型で成形される。尚、ＶＡＤ法の代わりに、例えば直接法、プラズマ法などが用いられてもよい。

図２は、図１のマーキング工程の説明図である。マーキング工程Ｓ１０では、レーザ光２０をガラス板１０の内部に集光照射し、ガラス板１０の内部にマーク１５を形成する。ガラス板１０の表面に凹状または凸状のマークを形成する場合に比べて、ガラス板１０の表面に対する粉塵などの付着を抑制でき、ガラス板１０の清浄度を向上できる。

マーク１５は、例えばガラス板１０の識別情報を含む。マーク１５は、ガラス板１０の識別情報の他に、ガラス板１０の品質情報などを含んでもよい。品質情報は、欠陥の有無、欠陥の大きさ、欠陥の位置、欠陥の種類などを含む。品質情報に基づきフォトマスクの開口パターンやモールドの凹凸パターンの位置を調整することで、欠陥の影響を低減できる。

マーク１５は、例えば１次元コードや２次元コードなどが用いられる。２次元コードは、マトリックス式、スタック式のいずれでもよい。マトリックス式の２次元コードとしては、ＱＲコード（登録商標）、ＳＰコード（登録商標）、ベリコード（ＶｅｒｉＣｏｄｅ）（登録商標）、マキシコード（ＭａｘｉＣｏｄｅ）、ＣＰコード（登録商標）、ＤａｔａＭａｔｒｉｘ、Ｃｏｄｅ１などが挙げられる。スタック式の２次元コードとしては、ＰＤＦ４１７（登録商標）、マイクロＰＤＦ４１７、Ｃｏｄｅ４９、ＳｕｐｅｒＣｏｄｅ、ＵｌｔｒａＣｏｄｅ、ＲＳＳＣｏｍｐｏｓｉｔｅ、ＡｚｔｅｃＭｅｓａなどが挙げられる。

尚、マーク１５はガラス板１０の基準位置を示す基準マークであってもよく、マーク１５の種類は限定されない。マーク１５の種類に応じてマーク１５の形状が選択される。例えば、基準マークは十字状などに形成される。

レーザ光２０の光源としては、例えば波長が１９３ｎｍ〜１１００ｎｍの光源が使用可能である。具体的には、エキシマレーザ（波長１９３〜３５１ｎｍ）、ＵＶレーザ（波長２００〜３５５ｎｍ）、グリーンレーザ（波長５３２ｎｍ）、Ｙｂファイバーレーザ（波長１０００ｎｍ〜１１００ｎｍ）、Ｙｂディスクレーザ（波長１０００ｎｍ〜１１００ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ（波長：１０４７〜１０５３ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（波長：１０６４ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（波長：１０６４ｎｍ）などが使用可能である。光源の発振方式は、パルス発振方式、連続発振方式があるが、パルス発振方式が好ましい。

レーザ光２０の光源と、ガラス板１０の間には、光源から出射したレーザ光２０をガラス板１０の内部に集光照射する光学系が設けられる。光学系は、レーザ光２０をガラス板１０の第１主表面１１に入射させ、第１主表面１１から所定の深さで集光させる。

光学系は、ガラス板１０の第１主表面１１から所定の深さで、レーザ光２０の集光位置を二次元的に移動させる。これにより、ガラス板１０の第１主表面１１から所定の深さでマーク１５が形成される。

光学系は、例えばガルバノミラーと、ｆθレンズとを含む。光学系は、ガルバノミラーの代わりに、ポリゴンミラーを有してもよい。ガルバノミラーまたはポリゴンミラーが、レーザ光２０の集光位置を二次元的に移動させる。

尚、レーザ光２０の集光位置の移動は、ガラス板１０の移動、または／および、光源および光学系の移動によって行われてもよい。

図３は、図１の主表面研磨工程の説明図である。主表面研磨工程Ｓ２０では、マーク１５の形成後に、ガラス板１０の第１主表面１１を研磨する。第１主表面１１は、フォトマスクの開口パターンが形成される面、またはモールドの凹凸パターンが形成される面であってよい。

主表面研磨工程Ｓ２０では、ガラス板１０と研磨パッド３０との間に研磨スラリーを供給し、ガラス板１０の第１主表面１１を研磨する。主表面研磨工程Ｓ２０では、研磨パッド３０および／または研磨スラリーを交換しながら、第１主表面１１の研磨を繰り返し行ってよい。主表面研磨工程Ｓ２０では、同様の方法で、反対側の第２主表面１２をも研磨してもよい。

研磨パッド３０は、図３に示すようにガラス板１０の板厚方向両側に配設されてよく、第１主表面１１と第２主表面１２とを同時に研磨してもよい。尚、研磨パッド３０は、ガラス板１０の板厚方向片側に配設されてもよく、第１主表面１１と第２主表面１２とを順番に研磨してもよい。その順序は特に限定されず、どちらが先に研磨されてもよい。

研磨パッド３０は、図３に示すように定盤３２に貼り付けて用いられる。研磨パッド３０の研磨面は、第１主表面１１や第２主表面１２よりも大きい。また、研磨パッド３０の研磨面の半径は、ガラス板１０を保持するキャリア３３の直径よりも大きくてよい。この場合、キャリア３３は、研磨パッド３０の中心線を中心に公転させられながら、キャリア３３の中心線を中心に自転させられる。

研磨パッド３０としては、例えばウレタン系研磨パッド、不織布系研磨パッド、またはスウェード系研磨マッドなどが用いられる。研磨パッド３０は、ナップ層（ＮＡＰ層）と呼ばれる多孔質の樹脂層を有するものでもよい。この樹脂層は、基材上に形成されており、ガラス板１０に当接する面に開口孔を有する。

研磨スラリーは、研磨粒子と分散媒とを含む。研磨粒子は、例えばコロイダルシリカ、または酸化セリウムなどで形成される。分散媒としては、水、または有機溶媒などが用いられる。研磨スラリーは、研磨パッド３０とガラス板１０との間に供給される。

主表面研磨工程Ｓ２０でガラス板１０に付着する研磨粒子や分散媒などの異物は、精密洗浄により除去する。精密洗浄では、純水やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などのリンス液の他、各種の薬液が用いられる。薬液は、半導体基板やガラス板の洗浄に一般的に用いられるものであってよい。具体的には、ＡＰＭと呼ばれるアンモニアと過酸化水素水の混合液、ＨＰＭと呼ばれる塩酸と過酸化水素水の混合液、ＳＰＭと呼ばれる硫酸と過酸化水素水の混合液、ＤＨＦと呼ばれる希フッ酸（ＨＦ濃度１〜２質量％程度）、フッ硝酸、アルカリ性洗浄液などが用いられる。

精密洗浄において超音波洗浄が行われる場合、超音波の周波数は例えば２８ｋＨｚ〜３０００ｋＨｚの範囲内とされる。超音波の周波数が上記範囲内であれば、超音波洗浄によるガラス表面のダメージが小さく、洗浄効率も良い。

以上説明したように、ガラス板の製造方法は、マーキング工程Ｓ１０と、主表面研磨工程Ｓ２０と、を有し、マーク１５の形成後にガラス板１０の第１主表面１１を研磨する。よって、マーキング装置の機械要素などから発生し第１主表面１１に付着した粉塵を除去でき、第１主表面１１の清浄度を向上できる。

マーク１５の形成後に第１主表面１１は研磨されるので、マーク１５の形成前に第１主表面１１は精密研磨されていなくてよい。一方で、マーク１５の形成時に、第１主表面１１の表面粗さは、レーザ光２０の焦点の大きさに影響を与える。レーザ光２０は、ガラス板１０の第１主表面１１に入射し、ガラス板１０の内部で集光するためである。第１主表面１１の表面粗さが粗いほど、レーザ光２０の焦点の大きさが大きく、集光位置で生じる応力が小さくなる。

そこで、マーク１５の形成直前に第１主表面１１の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０１μｍ〜１．００μｍである場合、ガラス板１０のビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７５０ＨＶ０．１であることが好ましい。二乗平均平方根粗さＲｑは、日本工業規格（JIS B 0601:2013）に準拠して測定する。ビッカース硬度（ＨＶ０．１）は、日本工業規格（JIS Z 2244：2009）に準拠して、試験力０．１ｋｇで測定する。ビッカース硬度が小さいほど、傷が生じやすく、マイクロクラックが発生しやすい。

マーク１５の形成直前に第１主表面１１の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０１μｍ〜１．００μｍの場合、ビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７５０ＨＶ０．１であれば、マイクロクラックが形成でき、マーク１５が形成できる。マーク１５の形成直前に第１主表面１１の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０５μｍ〜１．００μｍの場合、ビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７００ＨＶ０．１であれば、マイクロクラックが形成でき、マーク１５が形成できる。

ビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７５０ＨＶ０．１のガラスとしては、例えばＳｉＯ_２含有量が９０質量％〜９８質量％、ＴｉＯ_２含有量が２質量％〜１０質量％のガラスが挙げられる。また、ビッカース硬度５５０ＨＶ０．１〜７００ＨＶ０．１のガラスとしては、例えばＳｉＯ_２含有量が９０質量％〜９５質量％、ＴｉＯ_２含有量が５質量％〜１０質量％のガラスが挙げられる。ＴｉＯ_２含有量が多くなるほど、ビッカース硬度が小さくなる。尚、石英ガラスは、ＳｉＯ_２含有量が実質的に１００質量％であって、ビッカース硬度が７８５ＨＶ０．１である。

尚、本実施形態の第１主表面１１は、マーク１５の形成前に、精密研磨されていないが、精密研磨されていてもよい。マーク１５の形成直前に第１主表面１１の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０１μｍ未満である場合、ガラス板１０のビッカース硬度は７５０ＨＶ０．１を超えてもよく、ガラス板１０のＳｉＯ_２含有量が実質的に１００質量％でもよい。

図４は、変形例によるマーキング工程の説明図である。本変形例では、図４に示すように、レーザ光２０をガラス板１０の端面１３に入射させ、端面１３から所定の深さで集光させる。端面１３から所定の深さでマーク１５が形成できる。本変形例では、ガラス板１０におけるレーザ光２０が入射する面（以下、「レーザ光照射面」とも呼ぶ）が、ガラス板１０の端面１３である。

そこで、マーク１５の形成直前に端面１３の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０１μｍ〜１．００μｍである場合、ガラス板１０のビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７５０ＨＶ０．１であれば、マイクロクラックが形成でき、マーク１５が形成できる。マーク１５の形成直前に端面１３の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０５μｍ〜１．００μｍの場合、ガラス板１０のビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７００ＨＶ０．１であれば、マイクロクラックが形成でき、マーク１５が形成できる。

ガラス板１０の端面１３は、フォトマスクの開口パターンやモールドの凹凸パターンが形成される面ではない。そのため、マーク１５の形成直前の端面１３の二乗平均平方根粗さＲｑに関係なく、その後、端面１３は研磨されなくてもよい。尚、マーク１５の形成後に、端面１３が研磨されてもよい。

［試験例１］
先ず、火炎加水分解法で製造されたＴｉＯ_２を７質量％含有するＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２ガラスのインゴットを、内周刃スライサーを用いて板状に切断し、ガラス素板を作製した。作製したガラス素板の外形寸法は、縦１５３ｍｍ、横１５３ｍｍ、厚さ６．７５ｍｍであった。

次に、ガラス素板を市販のダイアモンド砥石を用いて面取り加工し、１次加工品を作製した。１次加工品の外形寸法は、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ６．７５ｍｍ、面取り幅約０．３ｍｍであった。

次に、１次加工品の両主表面を両面ラップ機（スピードファム社製）によりラップ加工し、２次加工品を作製した。２次加工品の厚さは６．５１ｍｍであった。

次に、２次加工品の一方の主表面を通してガラスの内部にレーザ光を集光照射し、マークの形成の可否を調べた。結果、２次加工品の内部にマークが形成されていることを確認した。

このときの２次加工品のレーザ光照射面は主表面であって、その二乗平均平方根粗さＲｑは０．１１μｍであった。

次に、マーク付きの２次加工品の両主表面を両面ポリッシュ機（スピードファム社製）により予備研磨し、予備研磨品を作製した。予備研磨品の両主表面の二乗平均平方根粗さＲｑは約０．８ｎｍであった。

次に、予備研磨品の外周端面を鏡面加工した。鏡面加工後の外周端面の二乗平均平方根粗さＲｑは約１．０ｎｍであった。

次に、予備研磨品の両主表面を再度両面ポリッシュ機で仕上げ研磨し、仕上げ研磨品を作製した。仕上げ研磨の研磨スラリーは、平均一次粒子径約１５ｎｍのコロイダルシリカを純水に２０質量％含有させたものに、硝酸を添加しｐＨを２に調整したものを用いた。また、仕上げ研磨の研磨パッドは、電着ダイヤモンドディスクでドレッシング加工したスウェード系パッドを使用した。

最後に、仕上げ研磨品を乾燥させることなく精密洗浄し、精密洗浄品を得た。精密洗浄では、ＳＰＭ洗浄、アルカリ洗浄、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄をこの順で行い、乾燥を行った。ＳＰＭ洗浄液としては、濃硫酸（濃度９６質量％）と過酸化水素水（濃度３０質量％）を体積比４：１で混合したものを用いた。アルカリ性洗浄液としては、弱塩基性の界面活性剤を主成分とするＣＴ−７０３（花王社製）を水で２０倍に希釈したもの（ｐＨ１０．０）を用いた。

この精密洗浄品の両主表面をフォトマスク用表面欠点検査機Ｍ１３２０（レーザーテック社製）で検査し、大きさ（円相当径）が１００ｎｍ以上の欠点の数を測定した。結果、精密洗浄品の両主表面に、大きさが１００ｎｍ以上の欠点は検出されなかった。

［試験例２］
先ず、試験例１と同様に、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２ガラスの１次加工品を作製した。

次に、１次加工品の端面を通して１次加工品の内部にレーザ光を集光照射し、マークの形成の可否を調べた。結果、１次加工品の内部にマークが形成されていることを確認した。

このときの１次加工品のレーザ光照射面は端面であって、その二乗平均平方根粗さＲｑは０．１２μｍであった。

次に、マーク付きの１次加工品の両主表面を両面ラップ機（スピードファム社製）によりラップ加工し、２次加工品を作製した。２次加工品の厚さは６．５１ｍｍであった。

次に、試験例１と同様に、２次加工品の両主表面の予備研磨、予備研磨品の外周端面の鏡面加工、予備研磨品の両主表面の仕上げ研磨、仕上げ研磨品の精密洗浄をこの順で行い、精密洗浄品を得た。精密洗浄は試験例１と同様に行った。

この精密洗浄品の両主表面をフォトマスク用表面欠点検査機Ｍ１３２０（レーザーテック社製）で検査し、大きさが１００ｎｍ以上の欠点の数を測定した。結果、精密洗浄品の両主表面に、大きさが１００ｎｍ以上の欠点は検出されなかった。

［試験例３］
先ず、火炎加水分解法で製造された石英ガラスのインゴットを、内周刃スライサーを用いて板状に切断し、ガラス素板を作製した。作製したガラス素板の外形寸法は、縦１５３ｍｍ、横１５３ｍｍ、厚さ６．７５ｍｍであった。

次に、１次加工品の端面を通して１次加工品の内部にレーザ光を集光照射し、マークの形成の可否を調べた。結果、１次加工品の内部にマークは形成できなかった。

このときの１次加工品のレーザ光照射面は端面であって、その二乗平均平方根粗さＲｑは０．１０μｍであった。

［試験例４］
先ず、試験例１と同様に、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２ガラスのガラス素板を作製した。

次に、ガラス素板の一方の主表面を通してガラス素板の内部にレーザ光を集光照射し、マークの形成の可否を調べた。結果、ガラス素板の内部にマークは形成できなかった。

このときのガラス素板のレーザ光照射面は主表面であって、その二乗平均平方根粗さＲｑは１．２５μｍであった。

［試験例５］
先ず、試験例３と同様に、石英ガラスの１次加工品を作製した。

次に、この欠点がないことを確認した精密洗浄品の一方の主表面を通してガラスの内部にレーザ光を集光照射し、マークの形成の可否を調べた。結果、精密洗浄品の内部にマークが形成されていることを確認した。

このときの精密洗浄品のレーザ光照射面は主表面であって、その二乗平均平方根粗さＲｑは０．１ｎｍであった。

マークの形成後、精密洗浄品を再度、精密洗浄した。この精密洗浄したサンプルの両主表面をフォトマスク用表面欠点検査機Ｍ１３２０（レーザーテック社製）で検査し、大きさが１００ｎｍ以上の欠点数を測定した。同様の評価を１０回実施した。結果、両主表面合わせて、大きさが１００ｎｍ以上の欠点が平均２１個検出された。

この欠点は、マーキング装置の機械要素等から発生した粉塵がガラス表面に付着したものと考える。精密洗浄後のガラス表面は表面自由エネルギーが高く、粉塵が付着すると、その後の精密洗浄での粉塵除去が難しくなるからである。

［評価方法］
試験例１〜５において、ビッカース硬度は、島津製作所社製のマイクロビッカース硬度計ＨＭＶ−２を用いて、日本工業規格（ＪＩＳＺ２２４４）に記載のビッカース硬さ試験方法に準拠して測定した。試験片としては、ガラス素板を用いた。試験荷重は０．９８Ｎとし、５点の測定値の平均値をビッカース硬度とした。ビッカース硬度は、ガラス種に依存した。

試験例１〜４において、レーザ光照射面の二乗平均平方根粗さＲｑは、株式会社東京精密社製の表面粗さ・輪郭形状測定機（サーフコム１８００）を用いて測定した。その測定条件を以下に示す。
・測定種別：粗さ測定
・測定長さ：０．４ｍｍ
・カットオフ波長：０．０８ｍｍ
・測定速度：０．０３ｍｍ／ｓ
・カットオフ種別：ガウシアン
・傾斜補正：最小二乗直線補正。

試験例５において、レーザ光照射面の二乗平均平方根粗さＲｑは、サーフコム１８００によるＲｑの測定限界０．０１μｍ未満であるので、日立ハイテクサイエンス社製のＡＦＭ（ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）用いて測定した。その測定領域は、２μｍ×２μｍ領域とした。

試験例１〜５において、レーザ光の照射条件は、以下のように設定した。
・光源：ＵＶレーザ
・波長：３４９ｎｍ
・１パルスあたりのエネルギー：１２０μＪ／パルス
・ｆθレンズの焦点距離：４０ｍｍ。

試験例１〜５において、ガラス主表面上の大きさが１００ｎｍ以上の凸欠点の数は、フォトマスク用表面欠点検査機Ｍ１３２０（レーザーテック社製）を用いて測定した。

欠点の大きさは、フォトマスク用表面欠点検査機で撮像した画像のピクセル数から求めることができる。ピクセル数から欠点の大きさへの換算は、既知の粒子径のピクセル数に基づいて行われる。
このフォトマスク用表面欠点検査機の検査感度条件は、ガラス主表面上に散布した直径１００ｎｍのポリスチレンラテックス（ＰＳＬ）粒子が検出できる感度とした。

［まとめ］
表１に、試験条件および試験結果を示す。

表１から明らかなように、試験例１〜２では、レーザ光照射面の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０１μｍ〜１．００μｍの範囲内であって、且つ、ビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７５０ＨＶ０．１の範囲内であったので、インナーマーキングが可能であった。また、試験例１〜２では、インナーマーキング後に、両主表面を研磨したので、欠点が検出されなかった。一方、試験例３では、レーザ光照射面の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０１μｍ〜１．００μｍの範囲内であったが、ビッカース硬度が７５０ＨＶ０．１を超えていたので、インナーマーキングが不可であった。また、試験例４では、ビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７５０ＨＶ０．１の範囲内であったが、レーザ光照射面の二乗平均平方根粗さＲｑが１．００μｍを超えていたので、インナーマーキングが不可であった。また、試験例５では、仕上げ研磨後の精密洗浄品をインナーマーキングした後、両主表面を研磨しなかったので、欠点が多数検出された。

以上、ガラス板の製造方法の実施形態などについて説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

１０ガラス板
１１第１主表面
１２第２主表面
１３端面
１５マーク
２０レーザ光
３０研磨パッド

Claims

レーザ光をガラス板の内部に集光照射し、前記ガラス板の内部にマークを形成するマーキング工程と、
前記マークの形成後に、前記ガラス板の主表面を研磨する主表面研磨工程とを有する、ガラス板の製造方法。
前記マークの形成直前に、前記ガラス板における前記レーザ光が入射する面の二乗平均平方根粗さＲｑが０．０１μｍ〜１．００μｍであって、
前記ガラス板のビッカース硬度が５５０ＨＶ０．１〜７５０ＨＶ０．１である、請求項1に記載のガラス板の製造方法。
前記ガラス板は、ＳｉＯ_２含有量が９０質量％〜９８質量％、ＴｉＯ_２含有量が２質量％〜１０質量％である、請求項２に記載のガラス板の製造方法。
前記ガラス板における前記レーザ光が入射する面が、前記ガラス板の主表面である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。
前記ガラス板における前記レーザ光が入射する面が、前記ガラス板の端面である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス板の製造方法。