JP2017175808A - 遮断装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スイッチがオンである間に消費される電力が小さい遮断装置を提供する。【解決手段】遮断装置１０では、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、温度スイッチ２２がオフである。このため、サブスイッチ２１がオフであり、昇圧回路２３からメインスイッチ２０に電圧が印加され、メインスイッチ２０はオンに維持される。メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、温度スイッチ２２がオンとなる。これにより、サブスイッチ２１がオンとなり、メインスイッチ２０のゲートの電位が接地電位となる。結果、メインスイッチ２０がオフに切替わる。【選択図】図１

Description

本発明は、スイッチをオフに切替えることによって、スイッチを介した給電を遮断する遮断装置に関する。

車両には、バッテリから負荷への給電を遮断する遮断装置が搭載されている。バッテリに代表される直流電源から負荷への給電を遮断する遮断装置が特許文献１，２に開示されている。

特許文献１に記載の遮断装置は温度ヒューズによって構成される。温度ヒューズでは、第１の基体に棒状の導体の一端部が接続されており、第２の基体に導体の他端部が半田を介して接続されている。温度ヒューズの第１の基体及び第２の基体夫々は、直流電源の正極、及び、負荷の一端に接続されている。直流電源の負極は負荷の他端に接続されている。直流電源は温度ヒューズを介して負荷に給電する。温度ヒューズの周囲温度が所定温度以上となった場合、半田が溶解し、導体と第２の基体との接続が外れる。これにより、直流電源から負荷への給電が遮断される。

特許文献２に記載の遮断装置は、スイッチを備える。スイッチの一方の端子は負荷の一端に接続され、スイッチの他方の端子は直流電源の負極の接続されている。負荷の他端は直流電源の正極に接続されている。直流電源はスイッチを介して負荷に給電する。スイッチは制御端子を有する。スイッチは、制御端子の電圧が所定電圧以上である場合にオンであり、制御端子の電圧が所定電圧未満である場合にオフである。

特許文献２に記載の遮断装置は第２のスイッチを更に備え、第２のスイッチは、２つの端子と、２つの端子中の一方の端子に接続されているバイメタルとを有する。第２のスイッチの他方の端子は第１抵抗の一端に接続されており、第２のスイッチの一方の端子は第２抵抗の一端と、スイッチの制御端子とに接続されている。第１抵抗の他端は直流電源の正極に接続され、第２抵抗の他端は直流電源の負極に接続されている。

バイメタルはスイッチの周囲温度に応じて変形する。スイッチの周囲温度が所定温度未満である場合、バイメタルは第２のスイッチの他方の端子に接触しているので、第１抵抗及び第２抵抗は、直流電源の出力電圧を分圧し、分圧した電圧をスイッチの制御端に出力する。このとき、スイッチの制御端子の電圧は所定電圧以上であるので、スイッチはオンである。結果、直流電源から負荷に給電される。

スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、バイメタルは、第２のスイッチの他方の端子から離れ、スイッチの制御端子の電圧は略ゼロＶとなり、所定電圧未満となる。これにより、スイッチがオフに切替わり、直流電源から負荷への給電は遮断される。その後、スイッチの周囲温度が所定温度未満に戻った場合、バイメタルは、第２のスイッチの他方の端子に再び接触し、直流電源から負荷への給電が再開される。

特表２０１３−５０３４４１号公報 特開２００５−５１８７３号公報

特許文献１に記載の遮断装置では、温度ヒューズの周囲温度が所定温度以上に上昇して半田が溶解した後に温度ヒューズの周囲温度が再び所定温度未満となった場合、直流電源から負荷への給電が再開されることはない。このため、特許文献１に記載の遮断装置には利便性が低いという問題がある。

特許文献２に記載の遮断装置では、スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合にスイッチがオフに切替わり、直流電源から負荷への給電が遮断される。更に、スイッチの周囲温度が再び所定温度未満となった場合、スイッチはオンに切替わり、直流電源から負荷への給電が再開される。このため、利便性が高い。

しかしながら、特許文献２に記載の遮断装置では、スイッチがオンである間、直流電源から第１抵抗及び第２抵抗に電流が流れ続け、第１抵抗及び第２抵抗で直流電源の電力が消費され続ける。直流電源から負荷に常時、給電する電源システムに、特許文献２に記載の遮断装置を適用した場合においては、スイッチがオンである間、直流電源から電流が第１抵抗及び第２抵抗に流れ続けるので、消費電力が大きいという問題がある。

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スイッチがオンである間に消費される電力が小さい遮断装置を提供することにある。

本発明に係る遮断装置は、固定電位を基準とした制御端子の電圧が閾値以上である場合にオンであり、該制御端子の電位が前記固定電位と略一致している場合にオフである第１スイッチを備え、該第１スイッチをオフに切替えることによって、該第１スイッチを介した給電を遮断する遮断装置において、前記固定電位を基準として前記閾値以上である電圧を前記制御端子に出力する出力部と、一方の端子が前記制御端子に接続され、他方の端子の電位が前記固定電位である第２スイッチとを備え、該第２スイッチは、前記第１スイッチの周囲温度が所定温度以上である場合にオンであり、該周囲温度が前記所定温度未満である場合にオフであることを特徴とする。

本発明にあっては、第１スイッチの周囲温度が所定温度未満である場合、第２スイッチがオフである。このとき、第１スイッチの制御端子の電圧は、出力部が出力した電圧であり、固定電位を基準とした第１スイッチの制御端の電圧は閾値以上である。このため、第１スイッチはオンに維持される。例えば、第１スイッチがＮチャネル型のＦＥＴ(Field Effect Transistor)である場合、第２スイッチがオフである間、出力部から、制御端子に相当する第１スイッチのゲートに電流が流れることはない。従って、第１スイッチがオンである間に消費される電力は小さい。

第１スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、第２スイッチがオンに切替わる。これにより、第１スイッチの制御端の電位が固定電位と略一致し、第１スイッチがオフに切替わる。第１スイッチがオフに切替わった場合、第１スイッチを介した給電が遮断される。第１スイッチの周囲温度が再び所定温度未満となった場合、第２スイッチがオフに切替わり、第１スイッチがオンに切替わる。

本発明に係る遮断装置は、前記周囲温度に応じて変形する導体によって２つの端子が接続される第３スイッチを備え、前記導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記２つの端子の少なくとも１つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記２つの端子に接触し、前記第２スイッチは、前記固定電位を基準とした制御端子の電圧が第２の閾値以上である場合にオンであり、前記固定電位を基準とした前記２つの端子中の一方の電圧は前記第２の閾値以上であり、前記２つの端子中の他方は、前記第２スイッチの前記制御端子に接続されていることを特徴とする。

本発明にあっては、第２スイッチは、例えば、Ｎチャネル型のＦＥＴである。第２スイッチの制御端子には、第３スイッチを介して、第２の閾値以上である電圧が出力される。第３スイッチでは、第１スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、導体が２つの端子に接触し、第３スイッチを介して、第２の閾値以上である電圧が第２スイッチの制御端子に出力される。これにより、第２スイッチがオンに切替わり、第１スイッチがオフに切替わる。
第２スイッチ及び第３スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。

本発明に係る遮断装置は、前記周囲温度に応じて変形する導体によって２つの端子が接続される第３スイッチを備え、前記導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記２つの端子の少なくとも１つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記２つの端子に接触し、前記第２スイッチは、該第２スイッチの前記一方の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第３の閾値未満である場合にオンであり、前記第２スイッチの前記一方の端子を基準とした前記２つの端子中の一方の電圧は前記第３の閾値未満であり、前記２つの端子中の他方は、前記第２スイッチの制御端子に接続されていることを特徴とする。

本発明にあっては、第２スイッチは、例えば、Ｐチャネル型のＦＥＴである。第２スイッチの制御端子には、第３スイッチを介して、第３の閾値未満である電圧が出力される。第３スイッチでは、第１スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、導体が２つの端子に接触し、第３スイッチを介して、第３の閾値未満である電圧が第２スイッチの制御端子に出力される。これにより、第２スイッチがオンに切替わり、第１スイッチがオフに切替わる。
第２スイッチ及び第３スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。

本発明に係る遮断装置は、前記第２スイッチでは、前記周囲温度に応じて変形する導体によって前記一方の端子及び他方の端子が接続され、該導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記一方の端子及び他方の端子中の少なくとも１つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記一方の端子及び他方の端子に接触することを特徴とする。

本発明にあっては、第１スイッチの周囲温度が所定温度未満である場合、第２スイッチの導体は、第２スイッチの２つの端子中の少なくとも１つから離れており、第２スイッチはオフである。このとき、第１スイッチはオンである。第１スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、第２スイッチの導体は、第２スイッチの２つの端子に接触し、第２スイッチはオンに切替わる。これにより、第１スイッチの制御端の電位が固定電位と略一致し、第１スイッチはオフに切替わる。
第２スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。

本発明に係る遮断装置は、前記周囲温度が上昇した場合に上昇する電圧を発生する発生体を備え、前記第２スイッチは、前記固定電位を基準とした制御端子の電圧が第２の閾値以上である場合にオンであり、前記発生体は、発生した電圧を、前記第２スイッチの制御端子に出力することを特徴とする。

本発明にあっては、第２スイッチは、例えば、Ｎチャネル型のＦＥＴである。発生体は、第１スイッチの周囲温度が高い程、高い電圧を第２スイッチの制御端子に出力する。第１スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、発生体が出力する電圧は第２の閾値以上となり、第２スイッチはオンに切替わる。これにより、第１スイッチはオフに切替わる。結果、第２スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。

本発明に係る遮断装置は、前記周囲温度が上昇した場合に低下する電圧を発生する発生体を備え、前記第２スイッチは、前記一方の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第３の閾値未満である場合にオンであり、前記発生体は、発生した電圧を、前記第２スイッチの制御端子に出力することを特徴とする。

本発明にあっては、第２スイッチは、例えば、Ｐチャネル型のＦＥＴである。発生体は、第１スイッチの周囲温度が高い程、低い電圧を第２スイッチの制御端子に出力する。第１スイッチの周囲温度が所定温度以上となった場合、発生体が出力する電圧は、第２スイッチの一方の端子の電位を基準として第３の閾値未満となり、第２スイッチはオンに切替わる。これにより、第１スイッチはオフに切替わる。結果、第２スイッチをオフに維持するために電力が消費されることはない。

本発明に係る遮断装置は、前記発生体は、自身内で温度勾配が発生した場合に電圧を発生させ、該発生体が発生する電圧の絶対値は、前記温度勾配が大きい程大きいことを特徴とする。

本発明にあっては、発生体で温度勾配が発生した場合に正又は負の電圧を発生させる。例えば、発生体が直方体状をなしている場合において、発生体の一方の端部の温度を、放熱板等を用いて一定温度に保ち、発生体の他方の端部を第１スイッチの近傍に配置する。第１スイッチの周囲温度が上昇した場合、発生体で温度勾配が発生し、発生体から正又は負の電圧が出力される。第１スイッチの周囲温度が大きい程、温度勾配が大きくなり、発生体が第２スイッチの制御端に出力する電圧の絶対値が上昇する。

本発明によれば、第１スイッチがオンである間に消費される電力が小さい。

実施の形態１における電源システムの回路図である。 温度スイッチのオン又はオフへの切替えの説明図である。 実施の形態２における電源システムの回路図である。 実施の形態３における電源システムの回路図である。 実施の形態４における電源システムの回路図である。 発生体が発生する電圧の説明図である。 実施の形態５における電源システムの回路図である。 発生体が発生する電圧の説明図である。

以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１における電源システム１の回路図である。電源システム１は、車両に好適に搭載されており、遮断装置１０、バッテリ１１及び負荷１２を備える。遮断装置１０は、バッテリ１１の正極と、負荷１２の一端とに各別に接続されている。バッテリ１１の負極と、負荷１２の他端とは接地されている。接地電位は、例えば、車両のボディの電位であり、固定されている。接地電位は固定電位に相当する。

バッテリ１１は、遮断装置１０を介して負荷１２に給電する。負荷１２は、車両に搭載された電気機器であり、バッテリ１１から供給された電力によって作動する。遮断装置１０は、バッテリ１１から負荷１２への給電を遮断する。バッテリ１１から負荷１２への給電が遮断された場合、負荷１２は動作を停止する。

遮断装置１０は、メインスイッチ２０、サブスイッチ２１、温度スイッチ２２、昇圧回路２３及び抵抗Ｒ１，Ｒ２を有する。メインスイッチ２０及びサブスイッチ２１夫々は、Ｎチャネル型のＦＥＴである。温度スイッチ２２は、導体３、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２を有する。導体３は長板状をなし、導体３の一端部は第１端子Ｔ１に接続されている。図１には、導体３の側面が示されている。

メインスイッチ２０のドレインはバッテリ１１の正極に接続されている。メインスイッチ２０のソースは負荷１２の一端に接続されている。メインスイッチ２０のドレインは、更に、温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１と、昇圧回路２３の入力端とに接続されている。メインスイッチ２０のゲートは、昇圧回路２３の出力端と、サブスイッチ２１のドレインとに接続されている。サブスイッチ２１のゲートは、抵抗Ｒ１，Ｒ２夫々の一端に接続されている。サブスイッチ２１のソースと、抵抗Ｒ１の他端とは接地されている。抵抗Ｒ２の他端は、温度スイッチ２２の第２端子Ｔ２に接続されている。

遮断装置１０では、サブスイッチ２１のソースは接地されているため、サブスイッチ２１のソースの電位は接地電位である。また、前述したように、抵抗Ｒ２の一端がサブスイッチ２１のゲートに接続され、抵抗Ｒ２の他端が温度スイッチ２２の第２端子Ｔ２に接続されているので、第２端子Ｔ２は抵抗Ｒ２を介してサブスイッチ２１のゲートに接続されている。

メインスイッチ２０に関して、接地電位を基準としたゲートの電圧が第１オン閾値以上である場合、ドレイン及びソース間の抵抗値が略ゼロΩであり、電流がドレイン及びソース間を流れる。このとき、メインスイッチ２０はオンである。また、メインスイッチ２０に関して、接地電位を基準としたゲートの電圧が第１オフ閾値未満である場合、ドレイン及びソース間の抵抗値が十分に大きく、電流がドレイン及びソース間を流れることはない。このとき、メインスイッチ２０はオフである。第１オフ閾値は、正であり、第１オン閾値未満である。第１オン閾値は、バッテリ１１の出力電圧よりも高い。
メインスイッチ２０及びサブスイッチ２１夫々は第１スイッチ及び第２スイッチとして機能する。メインスイッチ２０及びサブスイッチ２１夫々のゲートは制御端子として機能する。

サブスイッチ２１に関して、接地電位を基準としたゲートの電圧が第２閾値以上である場合、電流がドレイン及びソース間を流れる。このとき、サブスイッチ２１はオンである。また、サブスイッチ２１に関して、接地電位を基準としたゲートの電圧が第２閾値未満である場合、電流がドレイン及びソース間を流れることはない。このとき、サブスイッチ２１はオフである。第２閾値は正である。

温度スイッチ２２は、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、オフであり、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、オンである。メインスイッチ２０がオフである場合、電流が第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間を流れることはない。メインスイッチ２０がオンである場合、電流が第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間を流れる。

図２は、温度スイッチ２２のオン又はオフへの切替えの説明図である。図２には、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合における温度スイッチ２２の導体３の状態と、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合における温度スイッチ２２の導体３の状態とが示されている。

導体３は、所謂バイメタルであり、第１金属体３ａ及び第２金属体３ｂを有する。第１金属体３ａ及び第２金属体３ｂ夫々は長板状をなす。第１金属体３ａ及び第２金属体３ｂは、第１金属体３ａの板面が第２金属体３ｂの板面に密着した状態で互いに接着されている。図２には、図１と同様に、導体３の側面が示されている。第１金属体３ａ及び第２金属体３ｂ夫々の一端部は温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１に接続されている。

導体３はメインスイッチ２０の近傍に配置されている。第１金属体３ａ及び第２金属体３ｂ夫々は、メインスイッチ２０の周囲温度が上昇した場合、膨張し、板面に沿って延びる。周囲温度が１度上昇した場合に延びる第１金属体３ａの長さは、周囲温度が１度上昇した場合に延びる第２金属体３ｂの長さよりも長い。このため、メインスイッチ２０の周囲温度が上昇した場合、導体３は第２金属体３ｂ側に湾曲する。導体３の曲率は、メインスイッチ２０の周囲温度が高い程大きい。
このように、温度スイッチ２２の導体３は、メインスイッチ２０の周囲温度に応じて変形する。

図２に示すように、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、導体３の曲率が小さいため、導体３は第２端子Ｔ２から離れている。この場合、電流が第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間を流れることはなく、温度スイッチ２２はオフである。
また、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、導体３の曲率が大きいため、導体３は、第２端子Ｔ２に接触し、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２を接続する。これにより、電流が、導体３を介して、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２間を流れ、温度スイッチ２２はオンである。基準温度は一定である。温度スイッチ２２は第３スイッチとして機能する。

図１に示されている昇圧回路２３は、バッテリ１１の出力電圧を、接地電位を基準として、メインスイッチ２０の第１オン閾値以上である一定の電圧に昇圧し、昇圧した電圧を、図示しない内部抵抗を介して、出力端からメインスイッチ２０のゲートに出力する。昇圧回路２３は出力部として機能する。

遮断装置１０において、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、前述したように、温度スイッチ２２はオフである。このため、抵抗Ｒ１，Ｒ２に電流は流れない。このため、接地電位を基準としたサブスイッチ２１のゲートの電圧は、略ゼロＶであり、第２閾値未満である。従って、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、サブスイッチ２１はオフである。

サブスイッチ２１がオフである場合、メインスイッチ２０のゲートの電圧は、昇圧回路２３が出力した電圧と略一致する。前述したように、昇圧回路２３が出力する電圧はメインスイッチ２０の第１オン閾値以上であるので、メインスイッチ２０はオンである。メインスイッチ２０がオンである場合、バッテリ１１から負荷１２に給電され、負荷１２が作動する。

以上のように、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である間、メインスイッチ２０のゲートの電圧は、昇圧回路２３が出力した電圧と略一致しており、メインスイッチ２０がオンに維持される。

昇圧回路２３は、例えばコイルを用いて構成される。昇圧回路２３が理想的な昇圧回路である場合、昇圧回路２３の入力端に入力される電力と、昇圧回路２３の出力端から出力される電力とは一致する。更に、メインスイッチ２０はＦＥＴであるため、サブスイッチ２１がオフである場合、昇圧回路２３からメインスイッチ２０のゲートに電流が流れることはない。
従って、遮断装置１０では、メインスイッチ２０をオフに維持するためにバッテリ１１の電力が殆ど消費されることはなく、メインスイッチ２０がオンである間に消費される電力は小さい。

また、前述したように、温度スイッチ２２の導体３はメインスイッチ２０の周囲温度に応じて変形する。更に、温度スイッチ２２がオフである場合、抵抗Ｒ１，Ｒ２に電流が流れず、サブスイッチ２１はオフに維持される。このため、サブスイッチ２１及び温度スイッチ２２をオフに維持するためにバッテリ１１の電力が消費されることはない。

メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、温度スイッチ２２がオンに切替わる。これにより、バッテリ１１の正極から、電流が温度スイッチ２２及び抵抗Ｒ２，Ｒ１の順に流れる。抵抗Ｒ１，Ｒ２は、バッテリ１１の出力電圧を分圧し、分圧した電圧をサブスイッチ２１のゲートに印加する。このとき、接地電位を基準としたサブスイッチ２１のゲートの電圧は、第２閾値以上となり、サブスイッチ２１はオンに切替わる。従って、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ２１はオンである。

抵抗Ｒ１，Ｒ２が分圧した電圧が第２閾値以上であるため、バッテリ１１の出力電圧も第２閾値以上である。従って、接地電位を基準とした温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１の電圧は第２閾値以上である。

サブスイッチ２１がオンに切替わった場合、メインスイッチ２０のゲートの電位は接地電位と一致するか又は略一致する。このとき、接地電位を基準としたメインスイッチ２０のゲートの電圧は、ゼロＶ又は略ゼロＶであり、第１オフ閾値未満である。結果、メインスイッチ２０はオフに切替わる。メインスイッチ２０がオフに切替わることによって、メインスイッチ２０を介したバッテリ１１から負荷１２への給電が遮断される。

以上のように、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ２０はオフに切替わる。また、メインスイッチ２０の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、温度スイッチ２２及びサブスイッチ２１が順次オフに切替わり、メインスイッチ２０がオンに切替わる。
サブスイッチ２１がオンである間、電流がバッテリ１１の正極から昇圧回路２３及びサブスイッチ２１の順に電流が流れる。

なお、温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２夫々の接続先は反対であってもよい。即ち、第１端子Ｔ１が抵抗Ｒ２の他端に接続され、第２端子Ｔ２がバッテリ１１の正極に接続されていてもよい。この場合であっても、遮断装置１０は、前述した効果と同様の効果を奏する。

（実施の形態２）
図３は、実施の形態２における電源システム１の回路図である。
以下では、実施の形態２について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と共通しているため、実施の形態１と共通する構成部には実施の形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

実施の形態２における電源システム１では、実施の形態１における電源システム１と比較して、遮断装置１０の構成が異なる。実施の形態２における遮断装置１０は、実施の形態１における遮断装置１０と同様に、メインスイッチ２０、サブスイッチ２１、温度スイッチ２２及び昇圧回路２３を有する。バッテリ１１、負荷１２、メインスイッチ２０及び昇圧回路２３は実施の形態１と同様に接続されている。
実施の形態２における遮断装置１０は、更に、抵抗Ｒ３を有する。実施の形態２におけるサブスイッチ２１はＰチャネル型のＦＥＴである。

メインスイッチ２０のゲートは、昇圧回路２３の出力端と、サブスイッチ２１のソースと、抵抗Ｒ３の一端とに接続されている。サブスイッチ２１のゲートは、温度スイッチ２２の第２端子Ｔ２と、抵抗Ｒ３の他端とに接続されている。サブスイッチ２１のドレインと、温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１とは接地されている。従って、サブスイッチ２１のドレインの電位は接地電位である。

サブスイッチ２１に関して、ソースの電位を基準としたゲートの電圧が第３閾値未満である場合、電流がソース及びドレイン間を流れる。このとき、サブスイッチ２１はオンである。また、サブスイッチ２１に関して、ソースの電位を基準としたゲートの電圧が第３閾値以上である場合、電流がソース及びドレイン間を流れることはない。このとき、サブスイッチ２１はオフである。第３閾値は負である。

接地電位を基準とした温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１の電圧は、略ゼロＶである。接地電位を基準としたサブスイッチ２１のソースの電圧は、昇圧回路２３が出力する電圧と略一致しており、昇圧回路２３が出力する電圧は、実施の形態１で述べたように、バッテリ１１の出力電圧よりも高い。従って、サブスイッチ２１のソースの電位を基準とした温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１の電圧は、負であり、この電圧の絶対値は、昇圧回路２３が出力する電圧と略一致している。昇圧回路２３が出力する電圧は第３閾値の絶対値よりも大きいため、サブスイッチ２１のソースの電位を基準とした温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１の電圧は第３閾値未満である。

実施の形態２における遮断装置１０において、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、実施の形態１で述べたように、温度スイッチ２２はオフである。このため、抵抗Ｒ３に電流は流れない。このとき、サブスイッチ２１のソースの電位を基準としたサブスイッチ２１のゲートの電圧は、略ゼロＶであり、第３閾値以上である。従って、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、サブスイッチ２１はオフである。
サブスイッチ２１がオフである場合、実施の形態１と同様に、メインスイッチ２０がオンであり、バッテリ１１から負荷１２に給電され、負荷１２が作動する。

実施の形態２においても、サブスイッチ２１がオフである場合、昇圧回路２３からメインスイッチ２０のゲートに電流が流れることはない。更に、昇圧回路２３でバッテリ１１の電力が殆ど消費されることはない。このため、メインスイッチ２０がオンである間に消費される電力は小さい。

また、温度スイッチ２２の導体３はメインスイッチ２０の周囲温度に応じて変形する。更に、温度スイッチ２２がオフである場合、抵抗Ｒ３に電流が流れず、サブスイッチ２１はオフに維持される。このため、サブスイッチ２１及び温度スイッチ２２をオフに維持するためにバッテリ１１の電力が消費されることはない。

メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、温度スイッチ２２がオンに切替わる。前述したように、サブスイッチ２１のソースの電位を基準とした温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１の電圧は、サブスイッチ２１の第３閾値未満である。このため、温度スイッチ２２がオンに切替わった場合、サブスイッチ２１もオンに切替わる。従って、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ２１はオンである。

サブスイッチ２１がオンに切替わった場合、実施の形態１と同様に、メインスイッチ２０のゲートの電位が接地電位に一致するか又は略一致し、メインスイッチ２０がオフに切替わる。メインスイッチ２０がオフに切替わったことによって、メインスイッチ２０を介したバッテリ１１から負荷１２への給電が遮断される。

以上のように、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ２０はオフに切替わる。また、メインスイッチ２０の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、温度スイッチ２２及びサブスイッチ２１が順次オフに切替わり、メインスイッチ２０がオンに切替わる。
サブスイッチ２１がオンである間、電流がバッテリ１１の正極から昇圧回路２３及びサブスイッチ２１の順に電流が流れる。

なお、実施の形態２において、温度スイッチ２２の第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２夫々の接続先は反対であってもよい。即ち、第１端子Ｔ１がサブスイッチ２１のゲートに接続され、第２端子Ｔ２が接地されていてもよい。この場合であっても、遮断装置１０は、前述した効果と同様の効果を奏する。

（実施の形態３）
図４は、実施の形態３における電源システム１の回路図である。
以下では、実施の形態３について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と共通しているため、実施の形態１と共通する構成部には実施の形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

実施の形態３における電源システム１では、実施の形態１における電源システム１と比較して、遮断装置１０の構成が異なる。実施の形態３における遮断装置１０は、実施の形態１における遮断装置１０と同様に、メインスイッチ２０及び昇圧回路２３を有する。バッテリ１１、負荷１２、メインスイッチ２０及び昇圧回路２３は実施の形態１と同様に接続されている。

実施の形態３における遮断装置１０は、更に、サブスイッチ４０を有する。サブスイッチ４０は、導体５、第１端子Ｔ３及び第２端子Ｔ４を有する。導体５は第１金属体５ａ及び第２金属体５ｂを有する。
サブスイッチ４０は、実施の形態１における温度スイッチ２２と同様に構成されている。サブスイッチ４０の導体５、第１金属体５ａ、第２金属体５ｂ、第１端子Ｔ３及び第２端子Ｔ４夫々は、温度スイッチ２２の導体３、第１金属体３ａ、第２金属体３ｂ、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２に対応する。

従って、導体５の一端部は第１端子Ｔ３に接続されており、導体５はメインスイッチ２０の近傍に配置されている。導体５は、メインスイッチ２０の周囲温度に応じて変形する。メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、導体５はサブスイッチ４０の第２端子Ｔ４から離れており、サブスイッチ４０はオフである。メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、導体５は、サブスイッチ４０の第２端子Ｔ４に接触し、第１端子Ｔ３及び第２端子Ｔ４を接続する。このとき、サブスイッチ４０はオンである。
サブスイッチ４０の第１端子Ｔ３は、メインスイッチ２０のゲートと、昇圧回路２３の出力端とに接続されている。サブスイッチ４０の第２端子Ｔ４は接地されている。

実施の形態３における遮断装置１０において、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、サブスイッチ４０はオフである。サブスイッチ４０がオフである場合、メインスイッチ２０のゲートの電圧は、昇圧回路２３が出力した電圧と略一致し、メインスイッチ２０の第１オン閾値以上である。このとき、メインスイッチ２０はオンである。メインスイッチ２０がオンである場合、バッテリ１１から負荷１２に給電され、負荷１２が作動する。メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である間、メインスイッチ２０はオンに維持される。

実施の形態３においても、サブスイッチ４０がオフである場合、昇圧回路２３からメインスイッチ２０のゲートに電流が流れることはない。更に、昇圧回路２３でバッテリ１１の電力が殆ど消費されることはない。このため、メインスイッチ２０がオンである間に消費される電力は小さい。また、サブスイッチ４０の導体５はメインスイッチ２０の周囲温度に応じて変形するので、サブスイッチ４０をオフに維持するためにバッテリ１１の電力が消費されることはない。

メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、サブスイッチ４０がオンに切替わる。これにより、メインスイッチ２０のゲートの電位は、接地電位と一致するか又は略一致する。このとき、接地電位を基準としたメインスイッチ２０のゲートの電圧は、ゼロＶ又は略ゼロＶであり、第１オフ閾値未満である。結果、メインスイッチ２０はオフに切替わる。メインスイッチ２０がオフに切替わることによって、メインスイッチ２０を介したバッテリ１１から負荷１２への給電が遮断される。

以上のように、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ２０はオフに切替わる。また、メインスイッチ２０の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、サブスイッチ４０がオフに切替わり、メインスイッチ２０がオンに切替わる。
サブスイッチ４０がオンである間、電流がバッテリ１１の正極から昇圧回路２３及びサブスイッチ４０の順に電流が流れる。

なお、実施の形態３において、サブスイッチ４０の第１端子Ｔ３及び第２端子Ｔ４夫々の接続先は反対であってもよい。即ち、第１端子Ｔ３が接地され、第２端子Ｔ４が、メインスイッチ２０のゲートと、昇圧回路２３の出力端とに接続されてもよい。

また、実施の形態１，２において、温度スイッチ２２の導体３は、第１金属体３ａ及び第２金属体３ｂを有するバイメタルに限定されない。導体３は、例えば、メインスイッチ２０の周囲温度の上昇と共に膨張する１つの金属体であってもよい。この場合においても、導体３は、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合に第２端子Ｔ２から離れており、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合に第２端子Ｔ２に接触する。また、導体３の一端部が第１端子Ｔ１に常に接触していなくてもよい。導体３は、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合に、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２の少なくとも１つから離れており、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合に、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２に接触していればよい。

同様に、実施の形態３において、サブスイッチ４０の導体５は、第１金属体５ａ及び第２金属体５ｂを有するバイメタルに限定されない。導体５は、例えば、メインスイッチ２０の周囲温度の上昇と共に膨張する１つの金属体であってもよい。この場合においても、導体５は、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合に第２端子Ｔ４から離れており、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合に第２端子Ｔ４に接触する。また、導体５の一端部が第１端子Ｔ３に常に接触していなくてもよい。導体５は、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合に、第１端子Ｔ３及び第２端子Ｔ４の少なくとも１つから離れており、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合に、第１端子Ｔ３及び第２端子Ｔ４に接触していればよい。

（実施の形態４）
図５は、実施の形態４における電源システム１の回路図である。
以下では、実施の形態４について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と共通しているため、実施の形態１と共通する構成部には実施の形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

実施の形態４における電源システム１では、実施の形態１における電源システム１と比較して、遮断装置１０の構成が異なる。実施の形態４における遮断装置１０は、実施の形態１における遮断装置１０と同様に、メインスイッチ２０、サブスイッチ２１、温度スイッチ２２、昇圧回路２３及び抵抗Ｒ１，Ｒ２を有する。バッテリ１１、負荷１２、メインスイッチ２０、サブスイッチ２１、温度スイッチ２２、昇圧回路２３及び抵抗Ｒ１，Ｒ２は実施の形態１と同様に接続されている。

実施の形態４における遮断装置１０は、直方体状の発生体６０を更に有する。発生体６０の一端部は抵抗Ｒ２の他端に接続されており、発生体６０の他端部は接地されている。発生体６０は、電圧を発生し、発生した電圧を、抵抗Ｒ２を介して、サブスイッチ２１のゲートに出力する。図５には発生体６０の側面が示されている。

図６は発生体６０が発生する電圧の説明図である。発生体６０は金属体又は半導体である。発生体６０内で温度勾配が発生した場合、発生体６０は、ゼーベック効果により、電圧を発生させる。以下では、発生体６０において、他端部の電位を基準とした一端部の電圧を発生電圧Ｖｚと記載する。

発生体６０の他端部には、例えば、図示しない放熱板が取付けられている。これにより、発生体６０の他端部の温度は、一定の温度、例えば、常温に維持されている。発生体６０の一端部はメインスイッチ２０の近傍に配置され、発生体６０の一端部の温度はメインスイッチ２０の周囲温度と略一致している。

発生電圧Ｖｚは、一端部の温度がメインスイッチ２０の周囲温度以上である場合、ゼロＶ以上である。発生電圧Ｖｚの絶対値は発生体６０内の温度勾配が大きい程大きい。従って、発生体６０において、一端部の温度が他端部の温度よりも高い程、発生電圧Ｖｚは高い。発生電圧Ｖｚは、メインスイッチ２０の周囲温度が上昇した場合に上昇する。
発生電圧Ｖｚは抵抗Ｒ１，Ｒ２によって分圧される。抵抗Ｒ１，Ｒ２が分圧した電圧がサブスイッチ２１のゲートに出力される。

実施の形態４における遮断装置１０において、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、発生体６０の発生電圧Ｖｚは低く、抵抗Ｒ１，Ｒ２が分圧した電圧は第２閾値未満である。従って、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、サブスイッチ２１はオフである。

サブスイッチ２１がオフである場合、実施の形態１で述べたように、メインスイッチ２０はオンであり、バッテリ１１から負荷１２に給電され、負荷１２が作動する。

実施の形態４においても、サブスイッチ２１がオフである場合、昇圧回路２３からメインスイッチ２０のゲートに電流が流れることはない。更に、昇圧回路２３でバッテリ１１の電力が殆ど消費されることはない。このため、メインスイッチ２０がオンである間に消費される電力は小さい。
また、発生体６０は、バッテリ１１の電力を用いることなく、発生電圧Ｖｚを発生する。このため、サブスイッチ２１をオフに維持するためにバッテリ１１の電力が消費されることはない。

メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、発生体６０の発生電圧Ｖｚは高く、抵抗Ｒ１，Ｒ２で分圧した電圧は、第２閾値以上である。従って、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ２１はオンである。

メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、サブスイッチ２１はオンに切替わる。このとき、実施の形態１と同様に、メインスイッチ２０のゲートの電位が接地電位と一致するか又は略一致し、メインスイッチ２０がオフに切替わる。メインスイッチ２０がオフに切替わったことによって、メインスイッチ２０を介したバッテリ１１から負荷１２への給電が遮断される。

以上のように、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ２０はオフに切替わる。また、メインスイッチ２０の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、発生体６０の発生電圧Ｖｚが低下し、サブスイッチ２１がオフに切替わり、メインスイッチ２０がオンに切替わる。
サブスイッチ２１がオンである間、電流がバッテリ１１の正極から昇圧回路２３及びサブスイッチ２１の順に電流が流れる。

なお、実施の形態１，４において、サブスイッチ２１は、接地電位を基準とした制御端子（ゲート）の電圧が第２閾値以上である場合にオンに切替わり、接地電位を基準とした制御端子の電圧が第２閾値未満である場合にオフに切替わるスイッチであればよい。このため、サブスイッチ２１は、Ｎチャネル型のＦＥＴに限定されず、例えば、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタであってもよい。

（実施の形態５）
図７は、実施の形態５における電源システム１の回路図である。
以下では、実施の形態４について、実施の形態２と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態２と共通しているため、実施の形態２と共通する構成部には実施の形態２と同一の参照符号を付してその説明を省略する。

実施の形態５における電源システム１では、実施の形態２における電源システム１と比較して、遮断装置１０の構成が異なる。実施の形態５における遮断装置１０は、実施の形態２における遮断装置１０と同様に、メインスイッチ２０、サブスイッチ２１及び昇圧回路２３を有する。バッテリ１１、負荷１２、メインスイッチ２０及びサブスイッチ２１は実施の形態２と同様に接続されている。サブスイッチ２１は、実施の形態２で述べたように、Ｐチャネル型のＦＥＴである。

実施の形態５における遮断装置１０は、直方体状の発生体７０を更に有する。発生体７０の一端部はサブスイッチ２１のゲートに接続されており、発生体７０の他端部はサブスイッチ２１のソースに接続されている。発生体７０は、電圧を発生し、発生した電圧をサブスイッチ２１のゲートに出力する。図７には発生体７０の側面が示されている。

図８は発生体７０が発生する電圧の説明図である。発生体７０は金属体又は半導体である。発生体７０内で温度勾配が発生した場合、発生体７０は、ゼーベック効果により、電圧を発生させる。実施の形態５では、発生体７０において、他端部の電位を基準とした一端部の電圧を発生電圧Ｖｚと記載する。

発生体７０の他端部には、例えば、図示しない放熱板が取付けられている。これにより、発生体７０の他端部の温度は、一定の温度、例えば、常温に維持されている。発生体７０の一端部はメインスイッチ２０の近傍に配置され、発生体７０の一端部の温度はメインスイッチ２０の周囲温度と略一致している。

実施の形態４で述べたように、発生体６０の発生電圧Ｖｚは、一端部の温度が他端部の温度以上である場合、ゼロＶ以上である。一方、実施の形態５における発生体７０の発生電圧Ｖｚは、一端部の温度が他端部の温度以上である場合、ゼロ以下である。発生体７０は、発生体６０と同様に、発生電圧Ｖｚの絶対値は、発生体７０内の温度勾配が大きい程大きい。従って、発生体６０において、一端部の温度が他端部の温度よりも高い程、発生電圧Ｖｚは低い。発生電圧Ｖｚは、メインスイッチ２０の周囲温度が上昇した場合に低下する。

前述したように、発生体７０の一端部はサブスイッチ２１のゲートに接続されており、発生体７０の他端部はサブスイッチ２１のソースに接続されている。従って、サブスイッチ２１において、ソースの電位を基準としたゲートの電圧は、発生体７０の発生電圧Ｖｚに略一致する。

実施の形態５における遮断装置１０において、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度未満である場合、発生体７０の発生電圧Ｖｚは高く、第３閾値以上である。従って、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ２１はオフである。

サブスイッチ２１がオフである場合、実施の形態２と同様に、メインスイッチ２０はオンであり、バッテリ１１から負荷１２に給電され、負荷１２が作動する。

実施の形態５においても、サブスイッチ２１がオフである場合、昇圧回路２３からメインスイッチ２０のゲートに電流が流れることはない。更に、昇圧回路２３でバッテリ１１の電力が殆ど消費されることはない。このため、メインスイッチ２０がオンである間に消費される電力は小さい。
また、発生体６０は、バッテリ１１の電力を用いることなく、発生電圧Ｖｚを発生する。このため、サブスイッチ２１をオフに維持するためにバッテリ１１の電力が消費されることはない。

メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、発生体７０の発生電圧Ｖｚは低く、第３閾値未満である。従って、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上である場合、サブスイッチ２１はオンである。

メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、サブスイッチ２１はオンに切替わる。このとき、実施の形態２と同様に、メインスイッチ２０のゲートの電位が接地電位となり、メインスイッチ２０がオフに切替わる。メインスイッチ２０がオフに切替わったことによって、メインスイッチ２０を介したバッテリ１１から負荷１２への給電が遮断される。

以上のように、メインスイッチ２０の周囲温度が基準温度以上となった場合、メインスイッチ２０はオフに切替わる。また、メインスイッチ２０の周囲温度が再び基準温度未満となった場合、発生体６０の発生電圧Ｖｚが上昇し、サブスイッチ２１がオフに切替わり、メインスイッチ２０がオンに切替わる。
サブスイッチ２１がオンである間、電流がバッテリ１１の正極から昇圧回路２３及びサブスイッチ２１の順に電流が流れる。

なお、実施の形態４において、遮断装置１０は、発生体６０の代わりに、発生体７０を有してもよい。この場合、発生体７０の一端部を接地し、発生体７０の他端部を抵抗Ｒ２の他端に接続すればよい。この場合であっても、遮断装置１０は、実施の形態４で述べた効果と同様の効果を奏する。

また、実施の形態５において、遮断装置１０は、発生体７０の代わりに、発生体６０を有してもよい。この場合、発生体６０の一端部はサブスイッチ２１のソースに接続され、発生体６０の他端部はサブスイッチ２１のゲートに接続される。この場合であっても、遮断装置１０は、実施の形態５で述べた効果と同様の効果を奏する。

更に、実施の形態２，５において、サブスイッチ２１は、メインスイッチ２０のゲート側の端子（ソース）の電位を基準とした制御端子（ゲート）の電圧が第３閾値未満である場合にオフに切替わり、メインスイッチ２０のゲート側の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第３閾値以上である場合にオンに切替わるスイッチであればよい。このため、サブスイッチ２１は、Ｐチャネル型のＦＥＴに限定されず、例えば、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタであってもよい。

また、実施の形態１〜５において、負荷１２の位置は、メインスイッチ２０の下流側に限定されず、メインスイッチ２０の上流側であってもよい。この場合、電流は、バッテリ１１の正極から、負荷１２及びメインスイッチ２０の順に流れる。このように構成された遮断装置１０では、第１オン閾値は、第１オフ閾値と略一致しており、バッテリ１１の出力電圧よりも高い電圧である必要はない。第１オン閾値がバッテリ１１の出力電圧よりも低い場合、昇圧回路２３は不要である。従って、第１オン閾値がバッテリ１１の出力電圧よりも低い場合、昇圧回路２３の代わりに、抵抗を用いてもよい。この抵抗の一端及び他端夫々は、バッテリ１１の正極、及び、メインスイッチ２０のゲートに接続される。

更に、実施の形態１〜５において、メインスイッチ２０は、接地電位を基準とした制御端子（ゲート）の電圧が高い場合にオンに切替わり、接地電位を基準とした制御端子の電圧が低い場合にオフに切替わるスイッチであればよい。このため、メインスイッチ２０は、Ｎチャネル型のＦＥＴに限定されず、例えば、ＩＧＢＴ(Insulated Gate Bipolar Transistor)であってもよい。

開示された実施の形態１〜５は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上述の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

１１ 遮断装置
２０ メインスイッチ（第１スイッチ）
２１，４０ サブスイッチ（第２スイッチ）
２２ 温度スイッチ（第３スイッチ）
２３ 昇圧回路（出力部）
６０，７０ 発生体

Claims (7)

1. 固定電位を基準とした制御端子の電圧が閾値以上である場合にオンであり、該制御端子の電位が前記固定電位と略一致している場合にオフである第１スイッチを備え、該第１スイッチをオフに切替えることによって、該第１スイッチを介した給電を遮断する遮断装置において、
   前記固定電位を基準として前記閾値以上である電圧を前記制御端子に出力する出力部と、
   一方の端子が前記制御端子に接続され、他方の端子の電位が前記固定電位である第２スイッチと
   を備え、
   該第２スイッチは、前記第１スイッチの周囲温度が所定温度以上である場合にオンであり、該周囲温度が前記所定温度未満である場合にオフであること
   を特徴とする遮断装置。
2. 前記周囲温度に応じて変形する導体によって２つの端子が接続される第３スイッチを備え、
   前記導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記２つの端子の少なくとも１つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記２つの端子に接触し、
   前記第２スイッチは、前記固定電位を基準とした制御端子の電圧が第２の閾値以上である場合にオンであり、
   前記固定電位を基準とした前記２つの端子中の一方の電圧は前記第２の閾値以上であり、前記２つの端子中の他方は、前記第２スイッチの前記制御端子に接続されていること
   を特徴とする請求項１に記載の遮断装置。
3. 前記周囲温度に応じて変形する導体によって２つの端子が接続される第３スイッチを備え、
   前記導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記２つの端子の少なくとも１つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記２つの端子に接触し、
   前記第２スイッチは、該第２スイッチの前記一方の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第３の閾値未満である場合にオンであり、
   前記第２スイッチの前記一方の端子を基準とした前記２つの端子中の一方の電圧は前記第３の閾値未満であり、前記２つの端子中の他方は、前記第２スイッチの制御端子に接続されていること
   を特徴とする請求項１に記載の遮断装置。
4. 前記第２スイッチでは、前記周囲温度に応じて変形する導体によって前記一方の端子及び他方の端子が接続され、
   該導体は、前記周囲温度が前記所定温度未満である場合に、前記一方の端子及び他方の端子中の少なくとも１つから離れており、前記周囲温度が前記所定温度以上である場合に、前記一方の端子及び他方の端子に接触すること
   を特徴とする請求項１に記載の遮断装置。
5. 前記周囲温度が上昇した場合に上昇する電圧を発生する発生体を備え、
   前記第２スイッチは、前記固定電位を基準とした制御端子の電圧が第２の閾値以上である場合にオンであり、
   前記発生体は、発生した電圧を、前記第２スイッチの制御端子に出力すること
   を特徴とする請求項１に記載の遮断装置。
6. 前記周囲温度が上昇した場合に低下する電圧を発生する発生体を備え、
   前記第２スイッチは、前記一方の端子の電位を基準とした制御端子の電圧が第３の閾値未満である場合にオンであり、
   前記発生体は、発生した電圧を、前記第２スイッチの制御端子に出力すること
   を特徴とする請求項１に記載の遮断装置。
7. 前記発生体は、自身内で温度勾配が発生した場合に電圧を発生させ、
   該発生体が発生する電圧の絶対値は、前記温度勾配が大きい程大きいこと
   を特徴とする請求項５又は請求項６に記載の遮断装置。

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