JP2017173310A - 劣悪な媒体用途のための半導体圧力センサ - Google Patents
劣悪な媒体用途のための半導体圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017173310A JP2017173310A JP2017026731A JP2017026731A JP2017173310A JP 2017173310 A JP2017173310 A JP 2017173310A JP 2017026731 A JP2017026731 A JP 2017026731A JP 2017026731 A JP2017026731 A JP 2017026731A JP 2017173310 A JP2017173310 A JP 2017173310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- cmos chip
- corrosion
- interconnect module
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 65
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 64
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 41
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 40
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 35
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 15
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- 239000004638 Duroplast Substances 0.000 claims description 3
- 229920000965 Duroplast Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 50
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 22
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000010137 moulding (plastic) Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- -1 nitrite ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/302—Sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0058—Packages or encapsulation for protecting against damages due to external chemical or mechanical influences, e.g. shocks or vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
- B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/16—Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
- G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
- G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L23/00—Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid
- G01L23/24—Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid specially adapted for measuring pressure in inlet or exhaust ducts of internal-combustion engines
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0054—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements integral with a semiconducting diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
- B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/07—Interconnects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/09—Packages
- B81B2207/091—Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
- B81B2207/098—Arrangements not provided for in groups B81B2207/092 - B81B2207/097
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
- B81B2207/11—Structural features, others than packages, for protecting a device against environmental influences
- B81B2207/115—Protective layers applied directly to the device before packaging
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/07—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
- B81C2203/0785—Transfer and j oin technology, i.e. forming the electronic processing unit and the micromechanical structure on separate substrates and joining the substrates
- B81C2203/0792—Forming interconnections between the electronic processing unit and the micromechanical structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Exhaust Gas After Treatment (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】劣悪な媒体用途のための半導体圧力センサを提供する。【解決手段】第1の空洞(1244)と、電気的相互接続のための第1のボンドパッド(1211)を備える圧力センサ(1210)と、圧力センサ(1210)との電気的相互接続のための第2のボンドパッド(1241)を備えるCMOSチップ(1240)と、ボンディングワイヤを介して圧力センサおよびCMOSチップに接続された導電経路(1233)を有する相互接続モジュール(1230)であって、耐腐食性金属トラック(1233)を有する基板である、相互接続モジュールと、を備え、CMOSチップ(1240)と相互接続モジュールの一部とがプラスチックパッケージ(1243)によって被包されている、腐食性成分を含有する排気ガスの圧力を計測するための半導体圧力センサ組立体(1200)である。【選択図】図12
Description
本発明は、圧力センサの分野に関し、より具体的には車両の排気ガス等の腐食性成分を含有するか、または含有し得る流体(すなわち液体または気体)の圧力を計測するために好適な半導体圧力センサに関する。
穏やかな温度および/または圧力の下で水または空気等の流体の圧力を計測するための半導体圧力センサは、例えば1979年に公開された特許文献1から、当技術分野でよく知られている。典型的に、このようなセンサは、上に圧力感知回路、例えば4つのピエゾ抵抗素子を備えるホイートストンブリッジ、が配置される薄肉化された部分(「膜」もしくは「隔膜」と呼ばれる)を有する基板を備える。このような基板は、典型的に、圧力感知回路のノードと電気的に接触している4つのボンドパッド、例えば回路を電圧または電流によってバイアスさせるための2つのノード、ならびに流体によって膜上に加えられる機械的応力を表す電圧を感知するための2つの出力ノード、を更に備える。この種類の圧力センサは、当技術分野でよく知られており、それゆえここで更に説明する必要はない。
半導体圧力センサの基本原理は、1979年以降は概して同じにとどまっているものの、いくつかの方向において進行中の継続的開発が存在する。例えば、オフセットおよび/もしくはデジタル読み出し回路を補償するためのメカニズム等の更なる機能を同じダイ上に追加すること、または圧力センサを劣悪な媒体に好適にすることである。
本発明は、排気ガス等の腐食性成分を含有し得る流体の圧力を計測するために好適な圧力センサ組立体であって、該組立体が、個別の圧力センサと該圧力センサに電気的に接続された個別の処理回路とを備える種類のものである、圧力センサ組立体、に関する。既存のソリューションは、例えば、特許文献2〜4に記載されている。改善または代替策の余地は常に存在する。
本発明の実施形態の目的は、腐食性成分を含有する自動車からの排気ガスの圧力を計測するために好適な圧力センサ組立体であって、該組立体が、個別の圧力センサと該圧力センサに電気的に接続された個別の読み出し回路、特にCMOSチップとを備える種類のものである、圧力センサ組立体、を提供することである。
本発明の特定の実施形態の目的は、先行技術のソリューションよりも小型のこのような圧力センサ組立体を提供することである。
本発明の特定の実施形態の目的は、それほど複雑ではないか、または生産することがより容易なこのような圧力センサ組立体を提供することである(例えば、処理ステップの数の点で、または被膜積層体の数の点で)。
本発明の特定の実施形態の目的は、ひび割れまたは裂け目の存在下においてさえ、低減された腐食リスクを有し、よって改善された寿命を有するこのような圧力センサ組立体を提供することである。
本発明の特定の実施形態の目的は、より少量の高価な材料、特により少量の貴金属または貴金属を含む合金、例えばより少量の金または白金を必要とするこのような圧力センサ組立体を提供することである。
本発明の特定の実施形態の目的は、劣悪な環境に曝露される空洞と保護される集積回路との間の相互接続の長さが低減され、例えばより小型の、および/またはより安定したパッケージを構築するために最小化される、このような圧力センサ組立体を提供することである。
これらの目的は、本発明の実施形態による組立体によって達成される。
第1の態様によれば、本発明は、自動車エンジンの排気ガス環境下における使用に好適な、腐食性成分を含有する排気ガスの圧力を計測するための半導体圧力センサ組立体であって、圧力センサ組立体が、該排気ガスへの曝露を可能にするための開口部を備える第1の空洞と;該空洞内に配置された圧力センサであって、第1の耐腐食性材料で作製された、またはそれによって被覆された複数の第1のボンドパッドを備える圧力センサと;第1の基板上に装架されたCMOSチップであって、耐腐食性材料が上部にない複数の第1のボンドパッドを備えたCMOSチップと;第2の基板、および第2の耐腐食性材料で作製された複数の導電経路を備えた相互接続モジュールであって、各導電経路が、第1のボンドパッドおよび第2のボンドパッドを有する相互接続モジュールと;第1のボンディングワイヤを介して相互接続モジュールの第1のボンドパッドに接続されている圧力センサの第1のボンドパッドであって、第1のボンディングワイヤが第3の耐腐食性材料で作製される、圧力センサの第1のボンドパッドと;第2のボンディングワイヤを介して相互接続モジュールの第2のボンドパッドに接続されているCMOSチップの第1のボンドパッドと;を備え、CMOSチップおよびその第1のボンドパッドならびに相互接続モジュールの第2のボンドパッドならびに第2のボンディングワイヤおよび相互接続モジュールの一部が、耐腐食性プラスチック材料による被包によって該流体への曝露から保護される、半導体圧力センサ組立体、を提供する。
圧力センサは、ピエゾ抵抗器等の受動コンポーネントのみを備えた離散型圧力センサであってもよい。圧力センサは、可撓膜および該複数の第1のボンドパッドに接続された圧力感知回路を備えてもよい。
CMOSチップおよび相互接続モジュールの一部(例えば半分)を被包するプラスチックパッケージを使用することの利点は、それが、CMOSチップが腐食性流体に曝露されることを防止することである。耐腐食性プラスチックは、例えばエポキシベースの「圧送成形化合物」であってもよいが、他の好適なプラスチック材も使用されてもよい。これは、TiW(拡散を回避するため)および/またはAu(耐腐食性)等の材料によってCMOSパッド(すなわちCMOS技術の標準的な金属処理材料であるAlまたはAl合金で作製されたパッド)を保護する必要性を回避する。
競合他社がCMOSチップの上部に更なる金属層を追加することに注力し、非標準的なプロセスおよび更なるマスク、ならびに複数の層(典型的に接着層、ならびに拡散防止層および不活性層)を必要とする一方で、本発明の発明者らは、圧力センサを直接CMOSチップに連結するのではなく、間接的に、相互接続モジュールを介して、かつCMOSチップおよび相互接続モジュールの一部を標準的なプラスチックパッケージングによって被包することによって、それによってCMOSチップ自体において腐食を解決する代わりに問題をCMOSチップから文字通り移動させるという考えに至った。このようにして、困難かつ高価な非標準的なCMOSプロセスステップを回避され得る。
その上、直観に逆らって圧力センサとCMOSチップとの間の直接的接続を相互接続モジュールを介した間接的接続によって置き換えることによって、プラスチックによる被包および相互接続モジュールはCMOSチップの上方に(例えばその上部に)圧力センサが積層されることを可能にするため、組立体は、より小型化され得る。
相互接続モジュールは耐腐食性材料で作製されるため、その一部は流体に曝露されてもよい一方で、別の一部はプラスチックによって被包されてもよい。よって、「劣悪な世界」と「CMOSの世界」との間の遷移は、先行技術のソリューションにおいてなされているようにCMOSチップの接触インターフェースにおいてではなく、相互接続モジュール上で発生する。
プラスチックパッケージを成形することは、非常に成熟したプロセスであり、消費財産業および自動車産業の両方における大量生産に非常に相応しいことは利点である。
基板は構造的完全性を高めるため、相互接続モジュールが基板を含むことは利点である。
離散的または個別の圧力センサおよび離散的または個別のCMOSチップを使用することの利点は、圧力センサのため、およびCMOSチップのために異なる技術を使用することを可能にし、よって各々が想定されている用途または環境に応じて個別に最適化され得ることである。
CMOSチップをプラスチックパッケージによって被包またはオーバーモールドすることの利点は、「劣悪」環境向けの組立体および「通常」環境(例えば周囲空気等)向けの組立体において同じCMOSチップが使用されることを可能にすることである。特に、CMOSチップをプラスチックパッケージによって保護することによって、流体の腐食性成分に耐えるための第2のボンドパッドの上部における更なる被膜層(例えばTiW層およびAu層)の必要性を回避し、よってストック在庫を低減し、製造プロセスを単純化することができる。
CMOSチップがプラスチックパッケージによって被包されることは、(i)CMOSチップがプラスチックパッケージによって完全に取り囲まれること、または(ii)CMOSチップが先ず基板(例えば、Cuリードフレーム)に装架され、次いで基盤がプラスチックパッケージによって完全に取り囲まれること、または(iii)CMOSチップが先ず基板(例えば、Cuリードフレーム)に装架され、次いで基板に装架される側面を除く全ての側面でCMOSチップがプラスチックパッケージによって取り囲まれることを意味する。
非腐食性材料(例えば、金)で作製された導電経路を備えた該相互接続モジュールによるセンサチップとCMOSチップとの間の間接的な電気的接続を使用することの利点は、センサチップとCMOSチップとが相対的に遠隔に位置付けられており、基板上の貴金属のトレースがセンサを有する劣悪環境(一方における)とCMOSチップを有する非劣悪環境(他方における)との間の分離を橋渡しするいくつかの先行技術のソリューションと比較して、本発明の構造が、(1)CMOSチップまたは少なくともCMOSチップのボンドパッドを、CMOSチップをセンサデバイスから離隔して移動させることなく、チップを保護する成形化合物によって、被包もしくは少なくとも被覆することと、(2)相互接続モジュール上の導電性トレースの長さまたはパターン面積(例えば金または白金のトレース)を低減、例えば最小化し、それによって材料コストを低減し、よって生産コストを低減することを可能にすることである。
言い換えれば、CMOSチップは、センサチップが位置付けられている空洞から排気ガスを感知するために離隔移動される必要はないが、実際はセンサの非常に近くに、またはことによるとセンサの下方に位置付けられてもよいという新たな洞察または新たな教示を本発明は提供する。本発明によれば、これは、CMOSを劣悪環境から保護するためにCMOSを成形化合物で被包することによって(または少なくともCMOSチップのボンドパッドを成形化合物で被覆することによって)、かつ上述のような相互接続モジュールを提供することによって、可能になる。本発明者らが知る限り、この「洞察」または「教示」は、当技術分野で公知ではなく、逆に、多くの先行技術文書は、CMOSチップは排気ガスに曝露される空洞から完全に分離される必要があると言明するか、または少なくともそのように示唆しているように見える。
本開示の恩恵を有する熟練者は、相互接続モジュールのコストがそのサイズに概ね比例することを理解するであろう。
ある実施形態では、インターポーザの面積はセンサチップの面積よりも小さい。言い換えれば、第1の基板に平行する平面における相互接続モジュールの断面積は、第1の基板に平行する同じ平面または別の平面においてセンサチップによって占められる面積よりも小さい。
このような実施形態の相互接続モジュールは、いくつかの先行技術デバイスにおける対応する金属部品と比較して、サイズが根本的に異なる。センサチップがインターフェースの上部に装架される先行技術文献が存在し、インターフェースはセンサチップの機械的支持部としても機能するため、それゆえそのインターフェースをセンサチップよりも小さくすることは自明ではない。
ある実施形態では、第1の基板は、腐食性材料で作製された、例えばアルミニウムもしくは銅またはアルミニウム合金もしくは銅合金で作製されたリードフレームであるが、金または白金などの貴金属では被膜されない。
リードフレームを金または白金等の貴金属によって部分的に被覆すること(例えば被膜すること)は困難であり、リードフレームを金または白金等の貴金属によって完全に被覆すること(例えば被膜すること)は非常に高価であり、貴金属によって被覆された表面は成形化合物の接着において問題を引き起こす。
ある実施形態では、第1の耐腐食性材料は、AuもしくはPt、またはAuおよびPtの混合物からなる合金であり、または少なくともAuもしくはPtを含有する合金であり、好ましくは合金の少なくとも90重量%以上、例えば少なくとも95.0重量%である。
ある実施形態では、第3の耐腐食性材料は、AuもしくはPt、またはAuおよびPtの混合物からなる合金であり、好ましくは合金の少なくとも90重量%、例えば少なくとも95.0重量%である。
金および/または白金のボンディングワイヤは、高度に耐腐食性であり、優れた電気導体である。金配線によるボンディングは、標準的かつ非常に成熟したプロセスである。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、アルミニウムまたは銅とは異なる金属であり、または1%未満のアルミニウムまたは銅を含有する金属合金であり、好ましくは0.1%未満である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、アルミニウムとは異なる金属である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、銅とは異なる金属である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、銅とは異なり、かつアルミニウムとは異なる金属である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、5原子%未満のアルミニウム、好ましくは3原子%未満のアルミニウム、好ましくは2原子%未満のアルミニウム、好ましくは1原子%未満のアルミニウムを含有する金属合金である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、5重量%未満のアルミニウム、好ましくは3重量%未満のアルミニウム、好ましくは2重量%未満のアルミニウム、好ましくは1重量%未満のアルミニウムを含有する金属合金である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、5原子%未満の銅、好ましくは3原子%未満の銅、好ましくは2原子%未満の銅、好ましくは1原子%未満の銅を含有する金属合金である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、5重量%未満の銅、好ましくは3重量%未満の銅、好ましくは2重量%未満の銅、好ましくは1重量%未満の銅を含有する金属合金である。
相互接続モジュールのトラックがアルミニウムまたは銅を含有せず、それゆえ排気ガスによる腐食の影響を非常に受けやすくはないことは利点である。
相互接続モジュールのトラックがアルミニウムを含有せず、銅を含有せず、それゆえ排気ガスによる腐食の影響を非常に受けやすくはないことは利点である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、Au、Pt、Pd、Ta、Ti、W、Ag、Moからなる群から選択される単一の金属である。
相互接続モジュールのトラックが高度に耐腐食性の上記の金属または合金のみを含有することは、このような金属は例えば同じ厚さであるが銅またはアルミニウムも含有するトラックよりも耐腐食性が高いため、利点である。被膜中のひび割れが例えば金をアルミニウムの内部に拡散させ、最終的にアルミニウムの腐食を引き起こすため、これは、例えば薄い金の層によって被膜されたアルミニウムまたは銅のトラックにとりわけ当てはまる。これは、流体に曝露される(任意追加的にゲルを介してではあるが)相互接続モジュールの第1の接点、およびそのすぐ近傍のトラックの部分に特に関係する。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、金属合金であって、Au、Pt、Pd、Ta、Ti、W、Ag、Moからなる群から選択される少なくとも1つの金属を、好ましくは合金の少なくとも90重量%、例えば少なくとも95.0重量%含む金属合金である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、金属合金であって、Au、Pt、Pd、Ta、Ti、W、Ag、Moからなる群から選択される少なくとも2つの金属を、好ましくは合金の少なくとも90重量%、例えば少なくとも95.0重量%含む金属合金である。
ある実施形態では、第2の耐腐食性材料は、Ni−Pd−Au合金である。
相互接続モジュールのトラックが、主として金および/もしくは白金または金および白金のみの混合物を含有する場合、例えば金属トラックの重量の少なくとも50%または少なくとも90%または少なくとも95%が金または白金である場合、これらの金属は高度に導電性であり、それゆえこれらの層の厚さは、例えばニッケルおよび金によって被膜されたアルミニウムトラックと比較して低減され得ることは、更なる利点である。
ある実施形態では、相互接続モジュールは、CMOSチップの隣に配置され、圧力センサは、少なくとも部分的に、CMOSチップおよび相互接続モジュールのうちの一方または両方の上方または上部に位置付けられる。
圧力センサをCMOSチップおよび相互接続モジュールのうちの一方または両方の上方に(例えば少なくとも部分的に上方に、または上部に)配置することによって、導体トラックの厚さは小さく、例えば1.0マイクロメートル未満、例えば0.50マイクロメートル未満、例えば0.45マイクロメートル未満、例えば0.40マイクロメートル未満、例えば0.35マイクロメートル未満、またはことによると0.30マイクロメートル未満に保たれ得、導体トラックの長さは、非常に小さく保たれ得、それゆえトラックを形成するために必要とされる材料の量は、低減され得、それゆえ圧力センサがCMOSチップから相対的に遠隔に、相互接続手段を間に挟んで(よって、定義上、相互の上部に配置される場合と比較して更に離隔された状態で)位置付けられる先行技術の配置と比較してコスト削減につながる。
圧力センサをCMOSチップの上方に(もしくはその上部に)または相互接続基板の上部に配置することによって、小型の配置が提供され得る。小型性は、コストの理由のためだけではなく、より小さいセンサを較正することが有利であるという理由からも、極めて望ましい。圧力センサは、例えば典型的に各個別センサごとに異なるオフセット値および/または感度値を決定するために、異なる圧力および温度において個別に較正されなければならない。より小型の設計を有すると、センサの熱式質量が低減され、例えば計測1回あたり最大1.0秒で、より高速なデバイス上の温度設定が可能になるため、較正プロセスをスピードアップすることができる。言い換えれば、所与の時間について、より多くの計測点をとることができるようになり、よって精度が向上され得る。
ある実施形態では、相互接続モジュールがCMOSチップの上方または上部に装架され、それによって相互接続モジュールが覆われるCMOSチップの第1の部分と、覆われないCMOSチップの第2の部分とを画定する。また、相互接続モジュールの第2のボンドパッド、および第2のボンディングワイヤ、および相互接続モジュールによって覆われないCMOSチップの第2の部分は、プラスチックパッケージによって被包される。
上記ですでに触れた利点以外に、この実施形態では、相互接続モジュールは、電気的相互接続を提供するほかに、更なる機能、すなわちCMOSチップの第1の部分を機械的および化学的に腐食から保護する機能を有する。
加えて、この実施形態は、非常に小型の配置を提供する。
その上、この配置は、圧力センサおよびCMOSチップの両方が第1の空洞の内側または下に配置されることを可能にし、それによって圧力センサと集積CMOSチップとの間のより良好な温度マッチングを可能にする。
圧力センサは、絶対圧力センサであってもよく、または相対圧力センサであってもよい。
圧力センサは、ブリッジ回路または差動センシング回路内に配置された複数のピエゾ抵抗素子を備えてもよく、ブリッジ回路のノードは、第1のボンドパッドに電気的に接続されている。
上部にピエゾ抵抗器が配置され、ブリッジ、例えばホイートストンブリッジで接続された膜を有する圧力センサは、小さい圧力変化さえ(差動)電圧信号に変換するために理想的に適している。
ある実施形態では、半導体圧力センサ組立体は、圧力センサの上部の第1の空洞内に塗布されたゲルを更に備える。
圧力センサの上部にゲルを提供することの利点は、いかなる夾雑物、塵埃、または水分がセンサに直接アクセスすることも防止することである。それはまた、第1のボンディングワイヤに機械的保護を提供し、ボンディングワイヤを例えば水分から電気的かつ機械的に隔離する。好適なゲルは、例えば、シリコーン系ゲルまたはフッ素系ゲルであるが、他のゲルも使用され得る。
ある実施形態では、相互接続モジュールの基板は、ガラス、シリコン、ゲルマニウム、アルミナ、PCB材料、デュロプラストからなる群から選択される材料で作製される。
特定の実施形態では、第2のボンディングワイヤは、アルミニウムもしくは銅もしくは銀もしくは金もしくは白金、またはそれらの組み合わせ製である。
ある実施形態では、CMOSチップは、マイクロプロセッサおよび非揮発性メモリを備える集積回路である。
このような組立体の利点は、センサからの信号をデジタルで処理し得る「スマート」な圧力センサが作製され得ることである。好ましくは、この集積回路は、とりわけオフセットデータ等の較正データを記憶するための非揮発性メモリを備える。このような組立体は、高精度のデータを提供し得る。
ある実施形態では、CMOSチップは、第3のボンディングワイヤを介して第1の基板に接続された第2のボンドパッドを更に備え、第3のボンディングワイヤもまた、プラスチックパッケージによって被包されている。
第3のボンディングワイヤは、第2のボンディングワイヤと同じ材料で作製されてもよい。第1の基板は、Cuリードフレームであってもよく、または別の材料で作製されてもよい。
ある実施形態では、半導体圧力センサ組立体は、5mm×10mm×8mmよりも小さい、例えば2.4mm×5.0mm×4.0mmよりも小さい、例えば2.0mm×3.0mm×3.0mmよりも小さい、例えば1.5mm×2.0mm×2.0mmよりも小さい外形寸法を有する。
本発明による実施形態の大きな利点は、組立体の外形寸法が、極めて小型なチップ規模であり得ることである。このような組立体は、計測される流体のフローに顕著な、または著しい影響を及ぼすことなく、ほぼどこにでも装架され得る。
インターポーザが、CMOSチップをボンディングワイヤに接続するために使用されるリードフレームまたは基板とは異なる高さの、圧力センサのワイヤボンディングレベルを提供し得ることは、大きな利点である。
導体トラックを形成する貴金属の堆積面積を低減させるために、インターポーザが、CMOSチップおよび/またはセンサチップよりも小さくされ(上方から見てより少ない面積を占め)得ることは、大きな利点である。
第2の態様によれば、本発明は、第1の態様による圧力センサ組立体を製造する方法であって、a)第1の基板を提供するステップと、b)圧力センサを提供するステップと、c)相互接続モジュールを提供するステップと、d)CMOSチップを提供するステップと、e)例えば半田付けを使用して、または接着剤を使用して、CMOSチップを第1の基板上に装架するステップと、f)相互接続モジュールを第1の基板上に、またはCMOSチップ上に、例えば接着剤を使用して装架するステップと、g)相互接続モジュールの第2のパッドとCMOSチップの第1のパッドとを相互接続するために第2のボンディングワイヤを適用するステップと、h)任意追加的にCMOSチップの第2のパッドと第1の基板とを相互接続する第3のボンディングワイヤを適用するステップと、i)相互接続モジュールの第1のパッドが曝露された状態のままになるように、かつ圧力センサを収容するために十分に広い空洞を形成するように、少なくともCMOSチップ、およびCMOSチップの第1のパッド、および第2のボンディングワイヤ、および相互接続モジュールの第2のパッドを耐腐食性プラスチックによって被覆または被包するプラスチックパッケージを適用するステップと、j)圧力センサを第1の基板に、またはプラスチックパッケージに、または相互接続モジュールに、例えば接着剤を使用して装架するステップと、k)圧力センサの第1のパッドと相互接続モジュールの第1のパッドとを相互接続する第1のボンディングワイヤを適用するステップと、を含む方法、を提供する。
ある実施形態では、ステップg)のボンディングとステップh)のボンディングの両方が存在し、単一のボンディングステップとして実行される。
ステップ(i)は、任意追加的に、CMOSチップの第2のパッドと、それによって第2のパッドが第1の基板に接続される第3のボンディングワイヤ(例えばCuリードフレーム)とも被覆または被包することを含み得る。しかし、これらの第3のボンディングワイヤは、例えばCMOSチップが、半田ボールがリードフレームに半田付けされたBGAパッケージを有する場合に、絶対に必要とされるわけではない。
第3の態様によれば、本発明は、第1の態様のうちのいずれかによる半導体圧力センサを、自動車エンジンの排気ガスの圧力を計測するために使用することに関する。
本発明の具体的かつ好ましい態様は、添付の独立請求項および従属請求項に述べられている。従属請求項の特徴は、独立請求項の特徴および他の従属請求項の特徴と適宜に、かつ請求項に明示的に述べられているとおりにだけではなく、組み合わせられてもよい。
本発明のこれらの態様および他の態様は、以下に説明する実施形態(複数可)から明らかになり、それらを参照して明確化されるであろう。
図面は、単に概略的なものであり、非限定的である。図面において、いくつかの要素のサイズは、例示目的のために誇張されており、一定の縮尺で描かれてはいないことがある。請求項内のいかなる参照記号も、範囲を限定するものとして解釈されないものとする。異なる図面において、同じ参照記号は、同じまたは類似の要素を指す。
例示的な実施形態の詳細な説明
本発明は、特定の実施形態に関連して、かつ特定の図面を参照して説明されるが、本発明は、それらには限定されず、請求項によってのみ限定される。説明する図面は、単に概略的なものであり、非限定的である。図面において、いくつかの要素のサイズは、例示目的のために誇張されており、一定の縮尺で描かれてはいないことがある。寸法および相対寸法は、本発明の実施のための実際の低減には対応しない。
本発明は、特定の実施形態に関連して、かつ特定の図面を参照して説明されるが、本発明は、それらには限定されず、請求項によってのみ限定される。説明する図面は、単に概略的なものであり、非限定的である。図面において、いくつかの要素のサイズは、例示目的のために誇張されており、一定の縮尺で描かれてはいないことがある。寸法および相対寸法は、本発明の実施のための実際の低減には対応しない。
更に、明細書および請求項における第1、第2等の用語は、似た要素同士を区別するために使用されており、必ずしも時間的、空間的、格付け、または任意の他の様式におけるシーケンスを記載するためのものではない。そのように使用されている用語は、適切な状況下では同義的であること、および本明細書に記載の本発明の実施形態は、本明細書に記載または例示されているシーケンスとは別のシーケンスで動作し得ることを理解されたい。
その上、明細書および請求項における上部、下部等の用語は、説明目的のために使用されており、必ずしも相対位置を説明するために使用されているわけではない。そのように使用されている用語は、適切な状況下では同義的であること、および本明細書に記載の本発明の実施形態は、本明細書に記載または例示されている配向とは別の配向で動作し得ることを理解されたい。
請求項において使用される「備える(comprising)」という用語は、その後に列挙されている手段に制限されるものとして解釈されるべきではなく、他の要素またはステップを排除しないことに留意されたい。よって、同用語は、言及されているような言明された特徴、整数、ステップ、またはコンポーネントの存在を明記するものとして解釈されるべきであり、1つまたは2つ以上の他の特徴、整数、ステップ、もしくはコンポーネント、またはそれらの群の存在または追加を排除しない。よって、「手段AおよびBを備えるデバイス」という表現の範囲は、コンポーネントAおよびBのみからなるデバイスに限定されるべきではない。それは、本発明に関連して、デバイスの真に重要なコンポーネントはAおよびBであることを意味する。
この明細書を通じて「一実施形態(one embodiment)」または「ある実施形態(an embodiment)」への言及は、該実施形態に関連して説明される特定の特徴、構造、または特性が、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれることを意味する。よって、「一実施形態では(in one embodiment)」または「ある実施形態では(in an embodiment)」という文言が本明細書を通じて様々な箇所で出現することは、必ずしも全てが同じ実施形態を指しているわけではないが、全てが同じ実施形態を指していることもあり得る。更に、特定の特徴、構造、または特性は、1つまたは2つ以上の実施形態において、本開示から当業者に自明であるような任意の好適な様式で組み合わせられてもよい。
同様に、本発明の例示的な実施形態の説明では、開示を能率化し、様々な発明の態様のうちの1つまたは2つ以上の理解を助ける目的のために、本発明の様々な特徴が単一の実施形態、図、またはそれらの説明において組み合わせられていることがあることが理解されるべきである。しかしながら、この開示の方法は、請求対象の発明が各請求項に明示的に記載されているよりも多くの特徴を必要とするという意図を反映するものとして解釈されるべきではない。むしろ、以下の請求項が反映するように、発明の態様は、上記に開示される単一の実施形態の特徴の全部未満に存する。よって、詳細な説明に続く請求項は、ここに、この詳細な説明に明示的に組み込まれ、各請求項は、本発明の個別の実施形態として自立する。
更に、本明細書に記載のいくつかの実施形態は、他の実施形態に含まれる一部の特徴を含むが他の特徴を含まないものの、異なる実施形態の特徴の組み合わせは、当技術分野の者によって理解されるであろうように、本発明の範囲内に属し、異なる実施形態を形成することが意図されている。例えば、以下の請求項において、いずれの請求対象の実施形態も、任意の組み合わせにおいて使用され得る。
本明細書で提供される説明では、多数の具体的な詳細が述べられる。しかしながら、本発明の実施形態は、これらの具体的な詳細なしに実施され得ることが理解される。他の例において、広く知られている方法、構造、および技法は、本明細書の理解を不明瞭にしないために、詳細には示されていない。
本文書において「インターポーザ」への言及がなされる場合、その意味するところは、金属トラックを有する基板を備えるか、またはそれからなる「相互接続モジュール」である。
本文書では、2つの基板への言及がなされる。「第1の基板」とは、CMOSチップを支持するための基板である。この基板は、銅リードフレームであってもよいが、別の基板であってもよい。「第2の基板」とは、インターポーザの部分である。
本発明において「排気ガス」への言及がなされる場合、その意味するところは、自動車またはバスまたは貨物自動車等の、燃焼エンジンを有する車両の排気ガスである。
「で作製された(made of)」という表現は、「からなる(consisting of)」と同じことを意味し得る。
「によって被覆された(covered by)」という表現は、「その外表面上に備える(comprising on an outer surface thereof)」または「によって被膜された(coated with)」または「によって被包された(encapsulated by)」等を意味し得る。
本発明は、自動車車両の排気ガスの圧力を計測するために好適な圧力センサ組立体を提供する。このようなガスは、典型的に、例えば亜硝酸イオン等の腐食性成分を含有する。本文書の残部において、本発明は、「排気ガス」という用語のみに言及して説明されるが、本発明は、腐食性成分を有する他の流体に対しても効果がある。
先行技術では、車両の排気ガスが例えば銅、アルミニウム等の金属に対して腐食性を有することがよく知られているが、これらは、リードフレームの構築のために、かつ半導体デバイス、とりわけCMOSデバイスの金属処理のために典型的に使用される金属である。したがって、先行技術では、腐食を防止または低減する技法が提案されている。
図1および図2は、特許文献4から公知の圧力センサ組立体100を、それぞれ側面図および上面図で示す。この圧力組立体は、いわゆる「端子」111によって離散型処理ボード133に相互接続された2つの圧力センサ101a、101bを有する(図3を参照されたい)。圧力センサ101は、チャネル190を介して排気ガスと流体連通している空洞内に位置付けられる一方、処理ボード133は、該ガスに曝露されないか、または部分的にのみ曝露され、圧力センサから相対的に遠隔に位置付けられる。
図3は、先行技術の圧力センサ101が、ガラス基板107上に装架され、接着剤109を介してケース108に接着されたセンサチップ102を備えることを示す。センサチップは、SiN保護層104を上部に有し、SiN保護層104内には圧力感知回路(図示せず)との電気的接触のために開口部が作製される。開口部は、アルミニウム103を含有し、アルミニウムは、TiWで被覆され、TiWは、同様に金被膜106によって被覆されている。金被膜は、十分に厚くなければならず(「0.5マイクロメートル以上」)、これは非常に厚く、よって非常に高価である。金被膜106は、次いで、処理ボード133との電気的接触のために、金製ボンディングワイヤ114を介していわゆる端子110に接続される(図2を参照されたい)。端子110は、Ni層112によってめっきされた「ベース材料」(おそらく、アルミニウムまたは銅)を備える多層積層体であり、Ni層は、金層113によってめっきされる。
耐腐食性の点で、および/または小型性の点で、および/またはコンポーネントコストもしくは生産コスト(例えば較正コスト)の点で、および好ましくはこれらのうちの少なくとも2つにおいて、およびより好ましくはこれらのうちの全てにおいて、図1〜図3に示される先行技術の組立体に関して、少なくとも代替選択肢を見出し、かつ好ましくは改善さえ行うことを望んでいた本発明者らは、全ての、またはほとんどの競合他社が、圧力チップおよび/または処理ボードもしくは処理チップを保護するための好適な被膜を見出そうと努めることに注力していることに気付いた。ほとんどのソリューションは、排気ガスへの曝露のために圧力センサを慎重に空洞の内側に配置する一方、処理チップを該空洞の外側に、好ましくは相対的に遠隔に配置する。それらは、圧力センサとプロセッサチップとの間の電気的相互接続を提供する必要があるが、この相互接続は、その一方側において排気ガスに曝露され、その他方端部において処理チップに接続される必要があるという問題に直面する。この問題を解決するための考えのうちの1つは、金は耐腐食性金属であるため、金で作製された相互接続を使用することであるが、問題は、金はアルミニウム内部に拡散するため、金をそれ自体として例えばCMOSチップのアルミニウムパッドまたは銅パッドに接続することができないことである。
いくつかの先行技術のデバイスでは、貴金属が、リードフレーム上に堆積され、リードフレームの一部が、事前成形された空洞内で劣悪な媒体に曝露される。これは、いくつかの欠点を有する。これは、センサとリードフレームとの間のワイヤボンドはCMOSチップから離間して置かれなければならず、センサチップはCMOSチップの上部に置くことができないため、また標準的な成形ツールでは第1の区域をリードフレーム上に開き、別の区画をCMOSチップの上方にセンサのために開く複雑な空洞を作製することができないため、小型のパッケージを作製することを可能にしない。更に、リードフレーム全体を貴金属層で被膜することは、費用効果が高くない。
業界他社は、このような金配線の接着性を良好にするための被膜層に、および/または金がアルミニウムパッドもしくは銅パッド内に拡散するのを防止するための良好な拡散バリアを提供することに、注力しているように見えるが、本発明の発明者らは、根本的に異なる手法をとった。本発明者らは、標準的な金属処理層、すなわちアルミニウムまたは銅を有するCMOSチップから開始することを決定し、本発明者らは、このAlまたはCuの上部に特別な被膜を提供しないことを決定したが、(1)耐腐食性材料で作製された相互接続モジュールを追加し、かつ(2)その一方側を例えばAuまたはPtのボンディングワイヤによって圧力センサに接続し、かつ(3)その他方側をCMOSチップに接続し、かつ(4)CMOSチップおよび相互接続モジュールの一部(例えば、いわゆるインターポーザの半分)をプラスチックパッケージ内に被包する、という考えに至った。このようにして、CMOSチップは腐食性環境に曝露されず、相互接続モジュールの一部は曝露されるが、後者は耐腐食性材料で作製されるため、インターポーザは排気ガスに耐え得る。同時に、この間接的接続は、例えばCMOSチップを作製するために必要とされるプロセス、CMOSチップの在庫、組立体の小型性、および較正プロセスのコストの点で、他の利点も提供する。
コンポーネントを被包するようにプラスチックパッケージを使用することそれ自体は公知であり、2つの異なるコンポーネントを電気的に接続するために相互接続モジュールを使用することそれ自体も公知であるが、コンポーネントのうちの1つおよび相互接続モジュールの半分を被包するようにプラスチックパッケージを適用することは、本発明者らの認識する限り、当技術分野では、より具体的には圧力センサの分野では公知ではない。実際、本発明の実施形態では、プラスチックパッケージは、インターポーザの一部分(CMOSチップと接続している部分)がプラスチックパッケージによって被覆される一方、別の部分(圧力センサと接続している部分)は被覆されず、よって流体に曝露された状態にとどまるように適用され、それによって腐食の問題を解決する。
これは、本発明の基礎をなす第1の考えであり、CMOSチップの非標準的な処理ステップの必要性を回避する。
なお、図8および図9に関連して更に説明するように、このようなインターポーザを標準的な技術を使用して生産することは相対的に容易である。
しかし、本発明者らは更に一歩前進し、センサ、インターポーザ、およびCMOSチップのうちの1つまたは2つ以上を高さ方向に相互に上下に配置することによって、CMOSチップを排気ガスに曝露することなく、組立体をより小型にする方法も見出した。圧力センサとCMOSチップとの間の直接的電気接続ではなく、一方側の圧力センサと他方側のCMOSチップとの間に相互接続モジュールを「追加」および「挿入」することによって、組立体がより小型化され得ることは、反直感的である。それらはまた、CMOSチップは排気ガスまたは腐食性ガスに曝露される空洞内またはその下に位置付けてはならないという一般的な考えに反するが、そうすることは実際は可能である。事実、一実施形態では、本発明者らは、圧力センサ、およびインターポーザ、およびCMOSチップを相互の上部に積層するという考えに至り、それによって究極の小型性を達成した。
本発明による圧力センサ組立体の実際の実施形態を説明する前に、そこで使用される個別のコンポーネント、すなわち離散型センサデバイス、インターポーザ、およびCMOSチップについて、次に簡潔に説明する。
図4および図5は、本発明の実施形態において使用され得るような例示的な離散型絶対圧力センサ10の(側面図および上面図による)概略図である。実際には、絶対圧力センサ10の非常にわずかな詳細のみが示されている。すなわち、膜13(隔膜とも呼ばれる)を形成する薄肉化された部分を有する基板12、および膜13上に位置付けられた圧力感知回路(図示せず)に接続された接点パッド11である。圧力感知回路は、ホイートストンブリッジとして配置された4つのピエゾ抵抗器を備え得るが、別の圧力感知回路が使用されてもよい。上述の種類の圧力センサ(膜およびピエゾ抵抗構造を有する)は、当技術分野でよく知られており、それゆえここで更に説明する必要はない。
実際には、任意の圧力センサが使用され得るが、ただし、それが、流体、例えば排気ガスへの曝露から十分に保護されていることを条件とする。このような保護としては、例えば、(a)例えば窒化ケイ素等の保護層によって被覆されている膜、および(b)例えばアルミニウムで作製され、金で被覆され、例えばTiW等の拡散防止層がその間にある電気接点(複数可)11が挙げられるが、本発明はそれらには限定されない。図5に示される絶対圧力センサ10は、4つの接点パッド11を有するが、本発明は、4つのみの接点パッドを有する圧力センサには限定されず、5つ以上または3つ以下の接点パッド11を有する圧力センサも使用され得る。図5に示される実施例では、接点パッド11は、線形に整列されているが、それは本発明にとって必要ではなく、他の位置も使用され得る。
図6および図7は、本発明の実施形態において使用され得るような例示的な離散型の相対圧力センサまたは差圧センサ20の(側面図および上面図による)概略図であるが、本発明の実施形態は、この具体的な実施例には限定されない。絶対圧力センサ10に関して上記で触れた全てのことは、相対圧力センサ20の膜23の下の空洞24が裏側からアクセス可能である一方で、絶対圧力センサ10の空洞14は裏側からアクセスできないことを除いて、相対圧力センサ20にも当てはまる。本発明による組立体の実施形態は、図4および図5に示されるもののような絶対圧力センサ10と共に、または図6および図7に示されるもののような相対圧力センサ20と共に動作し得るが、他の圧力センサとも共に動作し得る。
図8および図9は、本発明による組立体の実施形態において使用され得るような、本明細書において「インターポーザ」とも称される、例示的な「相互接続モジュール」30の(側面図および上面図による)概略図であるが、本発明は、示されている具体的な実施例には限定されない。
図8および図9に示されるインターポーザ30は、基板31(本明細書において、組立体の「第2の基板」と更に称される)を備える。基板は、導電性または半導電性の基板(例えば、シリコン)であってもよく、その場合、電気絶縁層32(例えば、熱成長された酸化シリコン)が上部に置かれる。代替的に、例えばガラス、アルミナ、デュロプラスト等の電気絶縁材料が基板として使用される。両方の場合において、上表面は、非導電性である。
非導電層の上部には、複数の(例えば4つの)導電経路33が設けられるが、3つ以下または5つ以上の導電経路を有するインターポーザも可能である。各経路33は、例えばその第1の端部に第1のパッド34を、および例えば第1の端部に対向するその第2の端部に第2のパッド35を有する。
上記で触れたように、導電経路33およびパッド34、35は、耐腐食性材料で作製される。トラックがアルミニウムまたは銅等の材料を含有しないか、または例えばトラックの1重量%未満、好ましくはトラック材料の0.1重量%未満等の非常に少量のみ含有することが重要である、
このようなトラックは、高い耐腐食性を有し、よって排気ガスに曝露され得る。それらは好ましくは実質的に全体的に非腐食性の金属で作製されるため、導電トラック内に生じ得るいかなる孔、またはひび割れ、または裂け目も、トラックの腐食を発生または加速させない。
第1の例示的な相互接続モジュール30は、以下のように生産され得る。
a)例えばガラスまたはアルミナのセラミック基板31を提供し、
b)Ti層またはTi−W層を例えばスパッタリングによって基板31上に塗布し、
c)複数のトラック33を画定するためにTi層またはTi−W層にパターン形成し、各トラックが、例えばトラック33の対向する端部に位置付けられるが必ずしもそうではない、第1のボンドパッド34および第2のボンドパッド35を有し、
d)TiトラックまたはTi−Wトラックの上部に例えば電気分解によってAuを堆積させる。
a)例えばガラスまたはアルミナのセラミック基板31を提供し、
b)Ti層またはTi−W層を例えばスパッタリングによって基板31上に塗布し、
c)複数のトラック33を画定するためにTi層またはTi−W層にパターン形成し、各トラックが、例えばトラック33の対向する端部に位置付けられるが必ずしもそうではない、第1のボンドパッド34および第2のボンドパッド35を有し、
d)TiトラックまたはTi−Wトラックの上部に例えば電気分解によってAuを堆積させる。
第2の例示的な相互接続モジュール30は、以下のように生産され得る。
a)例えばガラスまたはアルミナのセラミック基板31を提供し、
b)Ta層を例えばスパッタリングによって基板31上に塗布し、
c)複数のトラック33を画定するためにTa層にパターン形成し、各トラックが、例えばトラック33の対向する端部に位置付けられるが必ずしもそうではない、第1のボンドパッド34および第2のボンドパッド35を有し、
d)Taトラックの上部に例えばスパッタリングによってPtを堆積させる。
しかし、本発明は、相互接続モジュール30のこれらの具体的な実施例には限定されず、本発明は、他の相互接続モジュール30であって、排気ガスの劣悪な環境に耐え得(その少なくとも一方側において)、標準的なCMOSチップに電気的に相互接続され得る(他方側において)、他の相互接続モジュール30、と共にも動作するであろう。
a)例えばガラスまたはアルミナのセラミック基板31を提供し、
b)Ta層を例えばスパッタリングによって基板31上に塗布し、
c)複数のトラック33を画定するためにTa層にパターン形成し、各トラックが、例えばトラック33の対向する端部に位置付けられるが必ずしもそうではない、第1のボンドパッド34および第2のボンドパッド35を有し、
d)Taトラックの上部に例えばスパッタリングによってPtを堆積させる。
しかし、本発明は、相互接続モジュール30のこれらの具体的な実施例には限定されず、本発明は、他の相互接続モジュール30であって、排気ガスの劣悪な環境に耐え得(その少なくとも一方側において)、標準的なCMOSチップに電気的に相互接続され得る(他方側において)、他の相互接続モジュール30、と共にも動作するであろう。
更に説明するように、相互接続モジュールのサイズは、有利には、非常に小さくてもよく、例えばセンサチップのサイズよりも小さくてもよく(第1の基板に平行する平面における断面積の点で)、もしくはCMOSチップのサイズよりも小さくてもよく、またはそれらの両方よりも小さくてもよい。したがって、多くの相互接続モジュールが、単一の(第2の)基板から平行に作製され得る。その上、トラックは、相互接続モジュールの全長にわたって延在する必要があるが、その小部分にわたって、例えば30%未満にわたってのみ延在する必要がある(例えば、図23を参照されたい)。トラックの長さが短いほど、より少ない貴金属(例えば、金または白金)が必要とされ、材料コストはより低くなる。これは、1ペニーの違いが重要である自動車等の高度競争環境において、極めて重要である。
図10および図11は、例示的なCMOSチップの(側面図および上面図による)概略図である。CMOSチップは、例えば純アナログ、またはアナログ−デジタル混在、または純デジタルの、任意の集積半導体デバイスであってもよい。CMOSチップは、非揮発性メモリ等を有するプログラマブルなプロセッサを備え得る。しかし、CMOSチップがその表面上にアルミニウムおよび/または銅を含有し得ることを除いて、CMOSチップの機能またはCMOSチップがそれによって作製される技術は、本発明の主眼ではない。したがって、図10および図11には、CMOSチップの重要ではない詳細のみが、すなわち半導体基板40およびボンドパッド41が、示されている。後者は、典型的にアルミニウムで作製され、それゆえ、保護なしに自動車車両の排気ガスに曝露されれば腐食するであろう。
図12は、本発明による組立体1200の第1の実施形態を側面図において示す。この実施形態では、離散型圧力センサ1210は、絶対圧力センサである。
見て分かるように、離散型圧力センサ1210、インターポーザ1230、およびCMOSチップ1240は、Cuリードフレームであってもよい(第1の)基板1254の上方または上部に配置されるが、本発明はこれには限定されず、別の基板1254、例えば積層体またはプリント回路基板(PCB)も使用されてもよい。コンポーネント1210、1230、1240(および任意追加的に、図示しない更なるコンポーネント)は、公知の様式で、例えば半田付けによって、かつ/または接着剤(図示せず)を使用して、基板1254に装架され得る。コンポーネントは、実質的に相互に隣に配置されるが、必ずしも同じ高さにおいてではない。
圧力センサ1210の接点パッド1211は、第1のボンディングワイヤ1251を介してインターポーザ1230の導電トラックの第1の接点1234に接続される。第1のボンディングワイヤ1251は、好ましくは金もしくは白金または金および白金のみを含有する合金で作製される。インターポーザ1230の第2の接点パッド1235は、第2のボンディングワイヤ1252を介してCMOSチップの第1の接点パッド1241に接続される。第2のボンディングワイヤは排気ガスに曝露されないため、第2のボンディングワイヤ1252は、例えば、金、白金、アルミニウム、銀、銅、またはボンディングに好適な任意の他の材料で作製され得る。任意追加的に、CMOSチップ1240の第2の接点1242は、第3のボンディングワイヤ1253によってリードフレーム1254に接続され、第3のボンディングワイヤ1253も、例えば、金、白金、アルミニウム、銀、または銅で作製され得る。
本発明の重要な態様によれば、CMOSチップと、CMOSチップの接点1241と、インターポーザ1230の第2のボンディングワイヤ1252および第2の接点1235とは、プラスチックパッケージ1243によって被包またはオーバーモールドされ、プラスチックは、耐腐食性プラスチックである。これは、たとえCMOSチップの接点1241がアルミニウムで作製されていても、この接点がTiW層および/または金層によって被覆されることを必要とすることなく、特にCMOSチップ、第1の接点1241、ボンディングワイヤ1252、および任意追加的なボンディングワイヤ1253を排気ガスへの曝露によって引き起こされる腐食から保護するという利点を有する。それゆえ、CMOSチップ自体に特別な保護を提供する必要がなく、これは大きな利点である。更に、プラスチックパッケージ1243は、構造に対して、良好な機械的完全性を提供する。当然のことながら、他のコンポーネント、例えばキャパシタ等の例えば受動コンポーネントも、オーバーモールドセクション内に位置付けられてもよい。
矢印「Pfluid」は、腐食性成分を含有し得る流体の圧力の概略的な表示である。見て分かるように、以下の要素は、流体に曝露される。すなわち、圧力センサ1210(これは、例えばSiN等の1つまたは2つ以上の保護層によって保護される)、接点1211(これは、例えばTiWおよび金等の1つまたは2つ以上の保護金属または保護合金によって保護される)、第1のボンディングワイヤ1251(これは、典型的に、金もしくは白金または金および白金のみを含有する合金で作製される)、インターポーザの非導電性の上表面1232(例えば、Si酸化物)、インターポーザの第1の接点パッド1234、ならびに典型的にインターポーザ1230のトラック1233の完全にはオーバーモールドされていない部分、である。この構造は、上記で説明した理由により、高度に耐腐食性である。図3に示される「相互接続端子10」に対する重要な利点は、トラック1233が、アルミニウムまたは銅等の腐食性金属を含有してしないことである。それゆえ、たとえひび割れまたは裂け目が生じても、これらは構造の腐食を発生または加速させない。図12の組立体1200は、ただ1つの空洞1244を有する。CMOSチップ1240は、空洞内に位置付けられてはいないが、プラスチック成形によって完全に被覆されている。
図13は、本発明による組立体1300の別の実施形態を示す。この実施形態は、図12の実施形態1200の、リードフレーム1354がリードフレーム1254よりも短く、同じ利点を提供する変形例と見做され得る。図13の組立体1300は、ただ1つの空洞1344を有する。
図12または図13の実施形態の変形例(図示せず)では、プラスチックパッケージが、例えば図15の右手側に似た様式で、リードフレーム1254、1354の下にも適用される。
図12の別の変形例(図示せず)では、組立体は、少なくとも2つの圧力センサ、例えば2つの絶対圧力センサを、例えば冗長性の理由のために備えていてもよい。この場合、好ましくは単一のインターポーザが、2倍量のトラックと共に使用されてもよく(例えば、4つのトラックではなく8つのトラック)、2倍の数の第1のパッドを有する単一のCMOSチップが使用されてもよい。代替的に、2つの別々のCMOSチップが使用されてもよい。
図12の更に別の変形例(図示せず)では、組立体は、2つの圧力センサを有してもよく、CMOSチップは、6つだけの第1のパッドを有してもよく、インターポーザは、6つだけのトラックを有してもよいが、トラックのうちの2つ(例えば、圧力センサに供給電圧およびグランド電圧を提供するための)は、2つの圧力センサ間で共有されてもよい。
図14は、本発明による組立体1400の別の実施形態を示す。この実施形態は、図13の、絶対圧力センサの代わりに相対圧力センサ1420を含む変形例として見做され得る。この場合、圧力センサ1420の下側が基準圧力、例えば気圧(矢印「Pref」によって表示される)と流体連通することができるように、開口部1455がプラスチックパッケージ1443内に設けられる。当然のことながら、組立体1400は、腐食性の流体が圧力センサ1420の上側の第1の空洞1444のみへのアクセスを有し、開口部1455へは有しないように配置されるべきであり、これは、例えば組立体1400を壁(セクションではない)に装架することによって、または熟練者に公知の他の好適な様式によって、達成され得る。図14の組立体1400は、組立体1400の対向する側に、より具体的にはセンサチップ1410の対向する側に位置付けられた、2つの空洞または開口部を有する。CMOSチップは、空洞内に位置付けられているが、プラスチック成形によって完全に被覆されている。
図15は、本発明による組立体1500の別の実施形態を示す。この実施形態は、図14の、基準側「Pref」からは腐食しやすい金属にアクセスできないため、基準圧力「Pref」が排気ガスも含み得るSO型のパッケージを有する変形例として見做され得る。
図16は、本発明による組立体1600の別の実施形態を示す。この実施形態は、図14の、より長いリードフレーム1654を有する変形例として見做され得る。見て分かるように、この場合、プラスチックパッケージ1643とリードフレーム1654の両方は、圧力センサ1620の下側の、基準圧力「Pref」を有する基準流体への流体接続を可能にするための開口部を有する。
図17は、本発明による組立体1700の別の実施形態を示す。この実施形態は、図12の実施形態の、インターポーザ1730が増大した長さを有し、絶対圧力センサ1710がインターポーザ1730の上部に装架された変形例として見做され得る。
好ましくは、第2の基板は、センサチップと同じ、またはほぼ同じ熱膨張を有する材料から選択される。このような材料を選択することによって、かつセンサをリードフレーム上ではなく、インターポーザの上部に置くことによって、センサチップに対するパッケージの応力が低減され得る。
見て分かるように、図17では、インターポーザ基板のサイズが増大しているにもかかわらず、例えば金または白金で作製されるトラック1733の長さLは変更されなくてもよく、これはコストの理由のために重要である。インターポーザ1730の基板の価格は、それほど重要ではない。図17の組立体1700は、ただ1つの空洞1344を有する。
図18は、本発明による組立体1800の別の実施形態を示す。この実施形態は、図17の実施形態の、絶対圧力センサの代わりに相対圧力センサ1820を有する変形例として見做され得る。この場合、インターポーザ1830の基板は開口部1836を有し、リードフレーム1854も開口部1856を有し、両開口部は、実使用の間、相互と、かつ基準圧力「Pref」と、流体連通している。図18の組立体1800は、組立体1400の対向する側に、より具体的にはセンサチップの対向する側に位置付けられた2つの空洞または開口部を有する。CMOSチップ1840は、空洞内に位置付けられてはいないが、プラスチック成形によって完全に被覆されている。
図19は、本発明による組立体1900の別の実施形態を示す。この実施形態は、図15の実施形態の変形例として見做され得、圧力センサ1920はインターポーザ1930の上部に装架され、インターポーザ1930は圧力センサ1920を支持するために増大した長さを有し、インターポーザ1930は開口部1936を有し、プラスチックパッケージ1943は、圧力センサ1920の下側と基準電圧「Pref」との間に流体相互接続を提供するための第2の空洞1945を有する。
この実施形態は、有利には、リードフレームを曝露することなく、2つの劣悪な環境に曝露可能な相対センサを提供する。
図20は、本発明による組立体2000の別の実施形態を示す。この実施形態では、インターポーザ2030およびCMOSチップ2040は、リードフレーム2054の上部に相互に隣に配置される。圧力センサ2010は、オーバーモールドされたCMOSチップ2040の上部に配置される。なお、インターポーザ2030のトラック2033は、CMOSチップ2040に直接的には接続されず、リードフレーム2054(明示的に示さず)を介して間接的に接続される。リードフレーム2054は、この場合、例えば、ボンドワイヤ2053によってCMOS回路に接続される標準的な金属トラック2055を有し、かつインターポーザ2030の被包された部分へのボンドワイヤ2037を有する、積層体またはPCB(例えば単層または2層または4層または6層または8層のPCB)であってもよい。
図21および図22は、本発明による組立体2100の別の実施形態を、それぞれ側面図および上面図で示す。この実施形態は、図20の、圧力センサ2110もCMOSチップ2140の上部に装架される変形例として見做され得るが、インターポーザ2130の第2のパッド2135とCMOSチップ2140の第1のパッド2141とは、基板(例えばリードフレーム)2154を介してではなく、ボンディングワイヤ2152を介して直接的に接続される。図22から理解され得るように、ボンディングワイヤは、図21の深さ方向にオフセットされている。
なお、この場合、インターポーザ2130のトラック2133は、リードフレーム2154(明示的に示さず)を介して間接的に接続されてもよい。リードフレームは、標準的な金属トラックを有し、ボンドワイヤによってCMOS回路に接続され、かつボンドワイヤによってインターポーザチップの被包された部分に接続されているPCBによって置き換えられてもよい。
図23は、本発明による組立体2300の別の実施形態を示す。見て分かるように、この実施形態では、圧力センサ2310は、インターポーザ2330の上部に積層され、インターポーザ2330は、同様にCMOSチップ2340の上部に積層され、極めて小型のソリューションをもたらしている。組立体の外形寸法は、例えば5mm×10mm×8mmよりも小さく、または更には2.4mm×5.0mm×4.0mmよりも小さく、例えば2.0mm×3.0mm×3.0mmよりも小さく、または更には1.5mm×2.0mm×2.0mmよりも小さくてもよい。上記で触れたのと同じ原理のほとんどは、ここでも、とりわけ材料に関して当てはまるが、1つの相違点が存在する。インターポーザ1230はCMOSチップ1240の上部に装架されるため、インターポーザ1230によって覆われるCMOSチップの部分P1は、すでにインターポーザ1230によって遮蔽または保護されており、それゆえインターポーザ1230によって覆われていない部分P2のみが、プラスチックパッケージ2343によって保護される必要がある。言い換えれば、この実施形態では、インターポーザ2330は、CMOSチップを腐食から物理的に保護するという更なる機能を有する。その小型性のため、リードフレームパッケージは、より小さく、かつより廉価にされ得る。
見て分かるように、CMOSチップの上部のインターポーザチップは、匹敵するサイズを有する(上方から見た場合)。または、より正確に述べると、インターポーザとCMOSチップの面積の比率は、好ましくは70%〜100%の範囲内、例えば70%〜90%の範囲内の値である。
CMOSチップおよびインターポーザを備えるサンドイッチ構造が曲げ応力にさらされると、応力は、主にインターポーザの上部およびCMOSチップの底部に現れる。底部にリードフレーム、および主に側部に成形化合物を有する組立体またはパッケージは非常に非対称的であるため、応力のほとんどは曲げに関係することが予想され得る。CMOSチップの表面がこのサンドイッチの実質的に中央にあると、CMOSチップ表面に対する応力は、非常に小さくなり、したがってパッケージング応力のCMOSチップに対する影響は、圧力センサがCMOSチップの上部に直接置かれるバージョンよりもはるかに良好になるであろう。
その上、インターポーザがCMOSチップに、その外側端部においてだけでなくその表面全体にわたって、例えば接着剤によって取り付けられる場合、曲げに対する構造の剛性は、著しく増大する。実際、力学の分野では公知であるが、マイクロエレクトロニクスの分野では通常考慮されないこととして、「ビーム」の慣性モーメントは、その高さの3乗に比例する。これは、CMOSチップとインターポーザが同じ幅「B」および高さ「H」を有する場合、CMOSチップとインターポーザが相互の上部に緩やかに積層されるときの構造の慣性モーメントは、2BH3に比例するが、インターポーザとCMOSチップが相互に取り付けられる場合、慣性モーメントは、4倍高いB(2H)3=8BH3に比例することを意味する。インターポーザとCMOSチップを取り付ける適当な方法は、例えば接着剤を使用することによる。
または、言い換えれば、インターポーザの追加は、CMOSチップの表面における応力を、CMOSチップの底面に向けて移動させ(これは問題にはならない)、かつインターポーザの上表面に移動させ(これも問題にはならない)、よってCMOSチップに対する機械的応力の影響を低減または更には排除するために使用され得る。
しかし、当然のことながら、インターポーザの高さは、CMOSチップの高さと同じである必要はない。CMOSの高さ(または厚さ)は、例えば約300〜約400マイクロメートル等、典型的に100〜700マイクロメートルの範囲内の値である。インターポーザの高さ(または厚さ)は、例えば約300〜約400マイクロメートル等、典型的に100〜700マイクロメートルの範囲内の値である。好ましくは、CMOSチップの高さとインターポーザの高さの和は、400〜1000マイクロメートルの範囲内の値である。
図23は、CTEマッチングを有する絶対圧力センサ、センサベース、および相対的に大きいインターポーザ(センサ領域よりも大きい)、ならびにリードフレームの相互接続を有する実施形態を示す。インターポーザは、CMOSチップまたはASICの上部に装架され、CMOSチップまたはASICのいかなる部分も劣悪な環境に曝露されない。インターポーザは、電気的相互接続として、およびセンサチップのための機械的支持体としての両方で役立っている。
図23は、空洞用のインサートによってフィルムアシスト成形が容易に実装できる構成を示す。インサート全体は、成形中、インターポーザ上に位置する。この実施形態では、インターポーザは、フィルムアシスト成形によって空洞の製作を促進するために拡張され得る。フィルムアシスト成形については、リードフレームとフィルムとの間にモールドがあるように、成形チェースとリードフレームとの間にフィルムを塗布する。次いで、フィルムは、チェースがリードフレームと直接激しく接触しないようにし、チェースを清潔に保つ。インサートの隅は、このテープによって丸められ、リードフレームのフィルム高さの許容公差に対する柔軟性ゆえに、デバイスは、弛緩され得る。
図24は、本発明の実施形態による組立体の製造方法を示す。参照番号は、図12の構造のみを指すが(説明を単純にするために)、本方法は、当然のことながら、他の図に示される構造にも当てはまる)。本方法は、以下のステップを含む。
a)第1の基板1254を提供するステップ2403と、
b)圧力センサ1210を提供するステップ2401と、
c)相互接続モジュール1230を提供するステップ2402と、
d)CMOSチップ1240を提供するステップ2404と、
e)例えば半田付けを使用して、または接着剤を使用して、CMOSチップ1240を第1の基板1254上に装架するステップ2405と、
f)相互接続モジュール1230を第1の基板1254上に、またはCMOSチップ1240上に、例えば接着剤を使用して装架するステップ2406と、
g)相互接続モジュール1230の第2のパッド1235とCMOSチップ1240の第1のパッド1241とを相互接続するように、第2のボンディングワイヤ1252を適用するステップ2407と
h)CMOSチップ1240の第2のパッド1242と第1の基板1254と相互接続するように、第3のボンディングワイヤ1253を任意追加的に適用するステップと、
i)少なくともCMOSチップ1240と、CMOSチップの第1のパッド1241と、第2のボンディングワイヤ1252と、相互接続モジュール1230の第2のパッド1235とを耐腐食性プラスチックによって被覆または被包するように、プラスチックパッケージ1243を適用するステップ2408であって、相互接続モジュール1230の第1のパッド1234を曝露されたままにするような方法で、かつ、圧力センサ1210を収容するために十分に大きい空洞1244を形成するような方法で、適用するステップ2408と、
j)空洞1244内の圧力センサ1210を第1の基板1254に、またはプラスチックパッケージ1243に、または相互接続モジュール1230に、例えば接着剤を使用して装架するステップ2409と、
k)圧力センサ1210の第1のパッド1211と相互接続モジュール1230の第1のパッド1234とを相互接続するように、第1のボンディングワイヤ1251を適用するステップ2410と、である。
a)第1の基板1254を提供するステップ2403と、
b)圧力センサ1210を提供するステップ2401と、
c)相互接続モジュール1230を提供するステップ2402と、
d)CMOSチップ1240を提供するステップ2404と、
e)例えば半田付けを使用して、または接着剤を使用して、CMOSチップ1240を第1の基板1254上に装架するステップ2405と、
f)相互接続モジュール1230を第1の基板1254上に、またはCMOSチップ1240上に、例えば接着剤を使用して装架するステップ2406と、
g)相互接続モジュール1230の第2のパッド1235とCMOSチップ1240の第1のパッド1241とを相互接続するように、第2のボンディングワイヤ1252を適用するステップ2407と
h)CMOSチップ1240の第2のパッド1242と第1の基板1254と相互接続するように、第3のボンディングワイヤ1253を任意追加的に適用するステップと、
i)少なくともCMOSチップ1240と、CMOSチップの第1のパッド1241と、第2のボンディングワイヤ1252と、相互接続モジュール1230の第2のパッド1235とを耐腐食性プラスチックによって被覆または被包するように、プラスチックパッケージ1243を適用するステップ2408であって、相互接続モジュール1230の第1のパッド1234を曝露されたままにするような方法で、かつ、圧力センサ1210を収容するために十分に大きい空洞1244を形成するような方法で、適用するステップ2408と、
j)空洞1244内の圧力センサ1210を第1の基板1254に、またはプラスチックパッケージ1243に、または相互接続モジュール1230に、例えば接着剤を使用して装架するステップ2409と、
k)圧力センサ1210の第1のパッド1211と相互接続モジュール1230の第1のパッド1234とを相互接続するように、第1のボンディングワイヤ1251を適用するステップ2410と、である。
なお、ステップg)のボンディングとステップh)の任意追加的なボンディングとは、単一のボンディングステップとして実行され得る。
図25は、絶対圧力センサと、インターポーザとリードフレームとの相互接続とを有する実施形態を示す。この場合も、CMOSチップまたはCMOSチップの表面のいかなる部分も、劣悪な環境に曝露されない。インターポーザにおける成形の段差または傾斜2590、2591は、成形において使用されるフィルム、例えば約20〜100マイクロメートルの厚さを有する薄いテフロンフィルムの可撓性によって規定される。フィルムの可撓性が高いほど、段差はより急勾配になり得、組立体のサイズはより小さくなり得る。
図25は、フィルムアシスト空洞成形が使用され、成形チェース内のインサートがインターポーザ上のフィルムを押し、ここでフィルムが押し固められるバージョンを示す。インターポーザの隣の成形化合物のレベルは、したがって、典型的に約50〜100um低い。そのため、インターポーザの厚さによって、CMOSチップの上方の成形化合物の厚さは制御され得る。
このようにして、ピック・アンド・プレイス機械によって行使される力に関する問題、例えばセンサチップを部分組立体に装架する際にセンサチップを制動することまたはCMOSチップを制動することは、インターポーザを使用して停止位置を画定することによって、低減され、または更には排除され得る。
図26は、図25の変形例であり、絶対圧力センサと、インターポーザとリードフレームとの相互接続とを有する実施形態を示す。この場合も、CMOSチップまたはCMOSチップの表面のいかなる部分も、劣悪な環境に曝露されない。図25については、成形の段差または傾斜は、成形で使用されるフィルムの可撓性によって規定される。図26は、CMOSチップがセンサチップを支持しない実施例である。
図25および図26のインターポーザは、基板の一部、例えばリードフレームの一部になり得ないことが明らかである。インターポーザ上のトラックの垂直位置が、CMOSチップのボンドパッドの垂直位置とセンサチップのボンドパッドの垂直位置との間に位置付けられていることは、利点である。
図27は、CTEマッチングセンサベースを有する絶対圧力センサと、小さいインターポーザと、リードフレームの相互接続とを有する別の実施形態を示す。CMOSチップの表面またはCMOSチップの表面の一部分が、劣悪な環境に曝露されている。
図27は、成形チェースのインサートが、フィルムと共にCMOSチップおよびインターポーザを押さなければならないため、達成することがより困難な実施形態を示す。この実施形態は、成形化合物によってCMOSチップの表面全体の保護を提供していない。
図28は、図26の変形例として、または図27の変形例として見做され得る。インターポーザは、最も小さいCMOSチップおよびセンサチップよりも小さくてもよい。
図25、26、および28の実施形態では、インターポーザは、好ましくはCMOSチップよりも小さく、CMOSチップの上部に置かれる。インターポーザは、圧力センサのための空洞を作製するフィルムアシスト成形ツールの成形インサートのストッパーとして機能する。インターポーザの高さは、CMOSチップの表面を保護するCMOSチップの上方の成形の厚さを規定した。この構成によって、人は、CMOSチップよりもはるかに大きいわけではなく、CMOSチップの表面全体が成形化合物によって被包され、人が依然としてセンサとCMOSチップとの間の良好な温度マッチングを有するような、チップ規模のパッケージを作製する。
図25、26、および28の実施形態は、インターポーザが上部に、例えばCMOSチップの上部に直接置かれ、空洞成形のためのスペーサーとして機能し、CMOSチップとインターポーザとの間のワイヤボンドおよびCMOSチップの表面全体が被包され、センサがCMOSチップとの良好な温度マッチングのためにCMOSチップの上方に装架される、小さい組立体を示す。
上記で説明したように、本発明のいくつかの実施形態では、相互接続モジュールは、センサチップの面積よりも小さいか、またはCMOSチップの面積よりも小さいか、またはセンサチップおよびCMOSチップの両方の面積よりも小さい面積(基板に平行する)を有する。このような実施形態では、相互接続モジュールは劣悪な環境と保護された環境との間の電気的インターフェースを提供するだけでよく、センサチップのために、および/またはCMOSチップのために支持を提供する必要がないため、これが可能である。
本発明のいくつかの実施形態では、相互接続モジュールは、(第1の基板に垂直な)組立体の高さ方向に、第1の基板(例えばリードフレーム)とセンサチップとの間に、または少なくとも部分的に第1の基板とセンサチップとの間に位置付けられ(例えば、図12〜図23ならびに図25、図26、および図28を参照されたい)、またはセンサチップと実質的に同じ高さに位置付けられ得る(例えば、図27を参照されたい)。相互接続モジュールは、好ましくは30〜300マイクロメートル、例えば50〜250マイクロメートル、例えば50〜200マイクロメートル、例えば50〜150マイクロメートル、例えば50〜100マイクロメートルの距離でCMOSチップに隣接していてもよく(例えば、図12〜図22を参照されたい)、またはCMOSチップの上部にあってもよい(例えば、図23を参照されたい)。センサチップは、横方向に隣接して、ただし相互接続モジュールよりも高くに(例えば、図12〜図16および図20〜図22を参照されたい)、または相互接続モジュールの上部に位置付けられ得る(例えば、図17〜図19および図23を参照されたい)。インターポーザ、例えば金もしくは白金のトラックの材料コストを低減させるために、かつ/または好ましくは小型性と低減された材料コストの両方によって小型の組立体を作製するために、全ての実施形態において、相互接続モジュールの導電性トレースの長さは、好ましくは可能な限り短く、例えば800マイクロメートル未満、例えば600マイクロメートル未満、例えば500マイクロメートル未満、例えば400マイクロメートル未満、例えば300マイクロメートル未満である。
参照番号:
本発明の異なる実施形態は、100の倍数で付番されている。これらの実施形態の対応する要素は、以下のように付番されている。
10:絶対圧力センサ、11:第1のボンドパッド、12:圧力センサの基板、
13:膜、14:第1の空洞、20:相対圧力センサ、21:第1のボンドパッド、
22:圧力センサの基板、23:膜、
24:(任意追加的な)圧力センサの裏側の第2の空洞、
30:相互接続モジュール=「インターポーザ」、31:インターポーザの基板、32:(任意追加的な)絶縁層、
33:導電経路またはトラック、34:インターポーザの第1のボンドパッド、35:インターポーザの第2のボンドパッド、
36:インターポーザ基板内の開口部、37:リードフレームとインターポーザ間のボンディングワイヤ、
40:CMOSチップ、41:CMOSチップの第1のボンドパッド、42:CMOSチップの第2のボンドパッド、
43:プラスチックパッケージ、44:プラスチックパッケージ内の第1の空洞、
51:第1のボンディングワイヤ、52:第2のボンディングワイヤ、53:(任意追加的な)第3のボンディングワイヤ、
54:第1の基板、(例えば、Cuリードフレーム)、55:プラスチックパッケージ内の開口部、56:リードフレーム内の開口部、
それゆえ、熟練者は、参照1210を実施形態1200の要素10として解釈するであろう。
本発明の異なる実施形態は、100の倍数で付番されている。これらの実施形態の対応する要素は、以下のように付番されている。
10:絶対圧力センサ、11:第1のボンドパッド、12:圧力センサの基板、
13:膜、14:第1の空洞、20:相対圧力センサ、21:第1のボンドパッド、
22:圧力センサの基板、23:膜、
24:(任意追加的な)圧力センサの裏側の第2の空洞、
30:相互接続モジュール=「インターポーザ」、31:インターポーザの基板、32:(任意追加的な)絶縁層、
33:導電経路またはトラック、34:インターポーザの第1のボンドパッド、35:インターポーザの第2のボンドパッド、
36:インターポーザ基板内の開口部、37:リードフレームとインターポーザ間のボンディングワイヤ、
40:CMOSチップ、41:CMOSチップの第1のボンドパッド、42:CMOSチップの第2のボンドパッド、
43:プラスチックパッケージ、44:プラスチックパッケージ内の第1の空洞、
51:第1のボンディングワイヤ、52:第2のボンディングワイヤ、53:(任意追加的な)第3のボンディングワイヤ、
54:第1の基板、(例えば、Cuリードフレーム)、55:プラスチックパッケージ内の開口部、56:リードフレーム内の開口部、
それゆえ、熟練者は、参照1210を実施形態1200の要素10として解釈するであろう。
Claims (15)
- 自動車エンジンの排気ガス環境下での使用に好適な、腐食性成分を含有する前記排気ガスの圧力を計測するための半導体圧力センサ組立体(1200)であって、前記圧力センサ組立体が、
− 前記排気ガスへの曝露を可能にするための開口部を備える第1の空洞(1244)と、
− 前記空洞(1244)内に配置された圧力センサ(1210)であって、第1の耐腐食材料で作製された、または第1の耐腐食材料によって被覆された複数の第1のボンドパッド(1211)を備える、圧力センサ(1210)と、
− 第1の基板(1254)上に装架されたCMOSチップ(1240)であって、上部に耐腐食性材料がない複数のボンドパッド(1241)を備える、CMOSチップ(1240)と、
− 第2の基板(31)、および第2の耐腐食性材料で作製された複数の導電経路(1233)を備える、相互接続モジュール(1230)であって、各導電経路(1233)が第1のボンドパッド(1234)および第2のボンドパッド(1235)を有する、相互接続モジュール(1230)と、を備え、
− 前記圧力センサの前記第1のボンドパッド(1211)が、第1のボンディングワイヤ(1251)を介して前記相互接続モジュール(1230)の前記第1のボンドパッド(1234)に接続され、前記第1のボンディングワイヤが、第3の耐腐食性材料で作製され、
− 前記CMOSチップの前記第1のボンドパッド(1241)が、第2のボンディングワイヤ(1252)を介して前記相互接続モジュール(1230)の前記第2のボンドパッド(1235)に接続され、
− 前記CMOSチップ(1240)およびその第1のボンドパッド(1241)、ならびに前記相互接続モジュール(1230)の前記第2のボンドパッド(1235)、ならびに前記第2のボンディングワイヤ(1252)、ならびに前記相互接続モジュール(1230)の一部が、耐腐食性プラスチック材料による被包によって前記排気ガスへの曝露から保護されていることを特徴とする、圧力センサ組立体。 - 前記相互接続モジュールが、前記センサチップよりも小さい、請求項1に記載の半導体圧力センサ組立体。
- 前記第1の基板が、リードフレーム、好ましくは銅のリードフレームまたは銅ベースのリードフレームである、請求項1または2に記載の半導体圧力センサ組立体。
- 前記第1の耐腐食性材料が、AuもしくはPt、またはAuおよびPtの混合物からなる合金であり、または少なくともAuもしくはPtを含有する合金であり、
かつ/あるいは前記第3の耐腐食性材料が、AuもしくはPt、またはAuおよびPtの混合物からなる合金である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体。 - 前記第2の耐腐食性材料が、アルミニウムとは異なり、かつ銅とは異なる金属であり、
または前記第2の耐腐食性材料が、5原子%未満のアルミニウムを含有する金属合金であり、
または前記第2の耐腐食性材料が、5重量%未満のアルミニウムを含有する金属合金であり、
または前記第2の耐腐食性材料が、5原子%未満の銅を含有する金属合金であり、
または前記第2の耐腐食性材料が、5重量%未満の銅を含有する金属合金である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体。 - 前記第2の耐腐食性材料が、Au、Pt、Pd、Ta、Ti、W、Ag、Moからなる群から選択される単一の金属であり、または
前記第2の耐腐食性材料が、Au、Pt、Pd、Ta、Ti、W、Ag、Moからなる群から選択される少なくとも1つの金属を含む金属合金であり、または
前記第2の耐腐食性材料が、Au、Pt、Pd、Ta、Ti、W、Ag、Moからなる群から選択される少なくとも2つの金属を含む金属合金であり、または
前記第2の耐腐食性材料が、Ni−Pd−Au積層体である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体。 - 前記相互接続モジュール(2030)が、前記CMOSチップ(2040)に隣に配置され、
前記圧力センサ(2010)が、前記CMOSチップ(2040)および前記相互接続モジュール(2030)のうちの一方または両方の少なくとも部分的に上方または上部に位置付けられている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体(1700、1800、1900、2000、2100)。 - 前記相互接続モジュール(2330)が、前記CMOSチップ(2340)の上方または上部に装架され、それによって前記相互接続モジュール(2330)によって覆われている前記CMOSチップ(2340)の第1の部分(P1)と、覆われていない前記CMOSチップ(2340)の第2の部分(P2)とを画定し、
− 前記相互接続モジュール(2330)の前記第2のボンドパッド(2335)、および前記第2のボンディングワイヤ(2352)、および前記相互接続モジュール(2330)によって覆われていない前記CMOSチップ(2340)の前記第2の部分(P2)が、前記プラスチックパッケージによって被包されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体(2300)。 - 前記圧力センサ(1210、2310)の上部の前記第1の空洞(1244、2344)内に塗布されたゲルを更に備える、請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体。
- 前記相互接続モジュール(30)の前記基板(31)が、ガラス、シリコン、ゲルマニウム、アルミナ、PCB材料、デュロプラストからなる群から選択される材料で作製される、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体。
- 前記CMOSチップ(1240)が、マイクロプロセッサおよび非揮発性メモリを備える集積回路である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体。
- 前記CMOSチップ(1240、2340)が、第3のボンディングワイヤ(1253、2353)を介して前記第1の基板(1254、2354)に接続された第2のボンドパッド(1242)を更に備え、前記第3のボンディングワイヤもまた、前記プラスチックパッケージによって被覆されている、請求項1〜11のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体(1200、2300)。
- 5mm×10mm×8mmよりも小さい、例えば2.4mm×5.0mm×4.0mmよりも小さい、例えば2.0mm×3.0mm×3.0mmよりも小さい、例えば1.5mm×2.0mm×2.0mmよりも小さい外形寸法を有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の半導体圧力センサ組立体(1200、2300)。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の圧力センサ組立体を製造する方法であって、
a)前記第1の基板(1254)を提供するステップ(2403)と、
b)前記圧力センサ(1210)を提供するステップ(2401)と、
c)前記相互接続モジュール(1230)を提供するステップ(2402)と、
d)前記CMOSチップ(1240)を提供するステップ(2404)と、
e)前記CMOSチップ(1240)を前記第1の基板(1254)上に、例えば半田付けを使用して、または接着剤を使用して装架するステップ(2405)と、
f)前記相互接続モジュール(1230)を前記第1の基板(1254)上に、または前記CMOSチップ(1240)上に、例えば接着剤を使用して装架すること(2406)と、
g)前記相互接続モジュール(1230)の前記第2のパッド(1235)と前記CMOSチップ(1240)の前記第1のパッド(1241)とを相互接続するように、第2のボンディングワイヤ(1252)を適用するステップ(2407)と、
h)前記CMOSチップ(1240)の第2のパッド(1242)と前記第1の基板(1254)とを相互接続するように、第3のボンディングワイヤ(1253)を任意追加的に適用するステップと、
i)少なくとも前記CMOSチップ(1240)と、前記CMOSチップの前記第1のパッド(1241)と、前記第2のボンディングワイヤ(1252)と、前記相互接続モジュール(1230)の前記第2のパッド(1235)とを耐腐食性プラスチックによって被覆または被包するように、プラスチックパッケージ(1243)を適用するステップ(2408)であって、
前記相互接続モジュール(1230)の前記第1のパッド(1234)を曝露されたままにするような方法で、
かつ、前記圧力センサ(1210)を収容するために十分に大きい空洞(1244)を形成するような方法で、適用するステップ(2408)と、
j)前記空洞(1244)内の前記圧力センサ(1210)を前記第1の基板(1254)に、または前記プラスチックパッケージ(1243)に、または前記相互接続モジュール(1230)に、例えば接着剤を使用して装架するステップ(2409)と、
k)前記圧力センサ(1210)の前記第1のパッド(1211)と前記相互接続モジュール(1230)の前記第1のパッド(1234)とを相互接続するように、第1のボンディングワイヤ(1251)を適用するステップ(2410)と、を含む、請求項1〜13のいずれか一項に記載の圧力センサ組立体を製造する方法。 - 自動車エンジンの排気ガスの圧力を計測するための、請求項1〜13のいずれか一項に記載の半導体圧力センサの使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP16157961 | 2016-02-29 | ||
EP16157961.0 | 2016-02-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017173310A true JP2017173310A (ja) | 2017-09-28 |
Family
ID=55446710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017026731A Pending JP2017173310A (ja) | 2016-02-29 | 2017-02-16 | 劣悪な媒体用途のための半導体圧力センサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10308502B2 (ja) |
EP (1) | EP3211394B1 (ja) |
JP (1) | JP2017173310A (ja) |
KR (1) | KR20170101794A (ja) |
CN (1) | CN107131998B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020017692A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | Tdk株式会社 | 電子部品パッケージ |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3211394B1 (en) * | 2016-02-29 | 2021-03-31 | Melexis Technologies NV | Semiconductor pressure sensor for harsh media application |
CN109661367A (zh) * | 2016-07-08 | 2019-04-19 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于微机电系统mems传感器器件封装的混合电流连接系统 |
CN109835866A (zh) * | 2017-11-27 | 2019-06-04 | 上海路溱微电子技术有限公司 | Mems封装结构及方法 |
WO2019226862A1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Cornell University | Ghz-thz ultrasonics and optics for neurotechnology devices, methods, and applications |
US10794786B2 (en) * | 2018-09-24 | 2020-10-06 | Honeywell International Inc. | Miniature size force sensor with bubble detection capabilities |
US10787361B2 (en) * | 2018-10-30 | 2020-09-29 | Nxp Usa, Inc. | Sensor device with flip-chip die and interposer |
CN109830477A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-05-31 | 苏州日月新半导体有限公司 | 集成电路封装体及其制造方法与注塑治具 |
US11562969B2 (en) * | 2019-09-12 | 2023-01-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package including reinforced structure |
CN111422821A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-17 | 清华大学 | 微系统封装方法 |
CN111816625B (zh) * | 2020-08-25 | 2020-12-04 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法 |
CN113526455B (zh) * | 2021-07-17 | 2023-08-22 | 安徽芯动联科微系统股份有限公司 | 一种mems压力传感器的封装结构 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5217780A (en) | 1975-07-04 | 1977-02-09 | Hitachi Ltd | Pressure convertor with semi-conductor elements |
JP3079983B2 (ja) * | 1995-12-26 | 2000-08-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体型燃焼圧センサ |
DE19626086A1 (de) * | 1996-06-28 | 1998-01-02 | Siemens Ag | Auf der Bestückungsoberfläche einer Leiterplatte montierbares Drucksensor-Bauelement |
US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
JP2003315193A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Denso Corp | 圧力センサ |
CN100527372C (zh) * | 2002-12-24 | 2009-08-12 | 株式会社电装 | 半导体传感器及其生成方法 |
DE102005024215A1 (de) * | 2004-06-03 | 2005-12-22 | Denso Corp., Kariya | Drucksensor |
JPWO2007052335A1 (ja) | 2005-11-01 | 2009-04-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体圧力センサ |
JP2008197001A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Denso Corp | 圧力センサ |
JP2009135353A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造に使用する樹脂接着材 |
US7992441B2 (en) | 2008-07-31 | 2011-08-09 | Sensata Technologies, Inc. | Pressure sensor for measuring pressure in a medium |
EP2159558A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-03 | Sensirion AG | A method for manufacturing an integrated pressure sensor |
US20100102457A1 (en) * | 2008-10-28 | 2010-04-29 | Topacio Roden R | Hybrid Semiconductor Chip Package |
JP2010161271A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Panasonic Corp | 半導体パッケージ |
US8530981B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe-based premolded package having acoustic air channel for micro-electro-mechanical system |
CN101922988B (zh) * | 2010-07-27 | 2012-07-25 | 浙江欧德利科技有限公司 | 具有一体化灌封式传感器的压力变送器 |
DE102011013912A1 (de) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Drucksensor |
EP2801805A4 (en) * | 2012-02-27 | 2015-07-08 | Fujikura Ltd | PRESSURE SENSOR MODULE AND COVER |
US9040352B2 (en) * | 2012-06-28 | 2015-05-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Film-assist molded gel-fill cavity package with overflow reservoir |
JP6136644B2 (ja) | 2013-06-28 | 2017-05-31 | 富士電機株式会社 | 半導体圧力センサ装置およびその製造方法 |
GB201512288D0 (en) * | 2015-07-14 | 2015-08-19 | Melexis Technologies Nv | Pressure sensor with built in stress buffer |
CN105181230A (zh) * | 2015-08-06 | 2015-12-23 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 压力传感器及其封装方法 |
WO2017087928A1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-05-26 | Vesper Technologies Inc. | Acoustic filtering |
EP3211394B1 (en) * | 2016-02-29 | 2021-03-31 | Melexis Technologies NV | Semiconductor pressure sensor for harsh media application |
EP3260833B1 (en) * | 2016-06-21 | 2021-10-27 | Melexis Technologies NV | Semiconductor sensor assembly for harsh media application |
-
2017
- 2017-02-04 EP EP17154722.7A patent/EP3211394B1/en active Active
- 2017-02-16 JP JP2017026731A patent/JP2017173310A/ja active Pending
- 2017-02-22 KR KR1020170023329A patent/KR20170101794A/ko unknown
- 2017-02-28 CN CN201710112961.5A patent/CN107131998B/zh active Active
- 2017-02-28 US US15/445,096 patent/US10308502B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020017692A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | Tdk株式会社 | 電子部品パッケージ |
US11569143B2 (en) | 2018-07-27 | 2023-01-31 | Tdk Corporation | Electronic component package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3211394A1 (en) | 2017-08-30 |
CN107131998A (zh) | 2017-09-05 |
US10308502B2 (en) | 2019-06-04 |
CN107131998B (zh) | 2021-11-16 |
US20170247250A1 (en) | 2017-08-31 |
KR20170101794A (ko) | 2017-09-06 |
EP3211394B1 (en) | 2021-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017173310A (ja) | 劣悪な媒体用途のための半導体圧力センサ | |
CN107525620B (zh) | 用于恶劣媒介应用的半导体传感器组装件 | |
KR101407773B1 (ko) | 반도체 장치를 패키징하는 장치, 패지징된 반도체 구성 부품, 반도체 장치를 패키징하는 장치의 제조 방법 및 반도체 구성 부품을 제조하는 방법 | |
US7793550B2 (en) | Sensor device including two sensors embedded in a mold material | |
KR101604605B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 | |
AU2009307832B2 (en) | Integrated sensor including sensing and processing die mounted on opposite sides of package substrate | |
EP2388816A1 (en) | Semiconductor sensor device, method of manufacturing semiconductor sensor device, package, method of manufacturing package, module, method of manufacturing module, and electronic device | |
US20050269654A1 (en) | Pressure sensor | |
US20060220189A1 (en) | Semiconductor module and method of manufacturing the same | |
US7056764B2 (en) | Electronic sensor device and method for producing the electronic sensor device | |
US9812415B2 (en) | Packaged microelectronic devices and methods for manufacturing packaged microelectronic devices | |
EP1071131A1 (en) | Large non-hermetic multichip module package | |
US10315914B2 (en) | Reconstructed wafer based devices with embedded environmental sensors and process for making same | |
KR20020084889A (ko) | 반도체장치 | |
US20190031501A1 (en) | Microelectromechanical systems and method of manufacturing the same | |
JP7063718B2 (ja) | プリモールド基板とその製造方法および中空型半導体装置とその製造方法 | |
JP2021015936A (ja) | 電子部品パッケージ | |
JP4706634B2 (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
JP2006310821A (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法 | |
TWI324385B (en) | Multiple die integrated circuit package | |
US20080164598A1 (en) | Semiconductor module | |
KR20100026726A (ko) | 적층 패키지 |