JP2017173021A - オイルレス圧力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】感度を下げることなく、残留歪みを小さくし、かつ信号取り出し線の切断のリスクを低減する。耐食性に優れたものとする。【解決手段】センサチップ１０１を第１の半導体基板１と第２の半導体基板２とで構成する。第１の半導体基板１の一方の面（上側の面（裏面））１ａに歪ゲージ１ｃを形成し、他方の面（下側の面（表面））１ｂを耐食性の保護膜３で覆う。この保護膜３を接液部として露出させた状態でセンサチップ１０１をパッケージ１０２に収容する。保護膜３の露出面（受圧面１０１ａ）はパッケージ１０２の露出面１０２ａと面一とする。保護膜３の露出面（受圧面１０１ａ）とパッケージ１０２の露出面１０２ａとの間の周囲の隙間ｈに充填材１０３を埋め込む。【選択図】 図１

Description

本発明は、食品、化粧品、医薬品などの製造現場で用いて好適なオイルレス圧力センサに関する。

図１０にオイル（圧力伝達媒体）を使用した一般的な半導体圧力センサ２００の要部の構成を示す。同図において、２０１はセンサチップ、２０２はセンサチップ２０１を収容したパッケージ、２０３は金属製ダイアフラム（接液ダイアフラム）であり、センサチップ２０１はパッケージ２０２のセンサ室２０２ａに収容されている。また、センサ室２０２ａの開口部２０２ａ１は金属製ダイアフラム２０３で塞がれており、この金属製ダイアフラム２０３で塞がれたセンサ室２０２ａにオイル２０４が封入されている。

センサチップ２０１は、半導体材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた半導体基板とされ、その一方の面（上面）２０１ａの中央部にセンサダイアフラム（応力検知ダイアフラム）２０１ｓが形成されている。センサチップ２０１の他方の面（下面）２０１ｂはセンサ室２０２ａの底面２０２ａ２に接合されている。

センサダイアフラム２０１ｓの上面（表面）２０１ｓ１には、その表層部に拡散抵抗からなる歪ゲージ（ピエゾ抵抗素子）２０１ｃが形成されており、この歪ゲージ２０１ｃの外側には電極パッド２０１ｄが形成されている。歪ゲージ２０１ｃからの信号は、電極パッド２０１ｄを介し、ボンディングワイヤ２０５を通して、リードピン２０６から引き出される。

センサチップ２０１には、センサダイアフラム２０１ｓの下面（裏面）２０１ｓ２に凹部２０１ｅが形成されており、この凹部２０１ｅによってセンサ室２０２ａの底面２０２ａ２とセンサダイアフラム２０１ｓとの間に空洞２０７が形成されている。空洞２０７はパッケージ２０２に形成された導圧路２０２ｂを介して大気と連通している。

この半導体圧力センサ２００では、金属製ダイアフラム２０３の露出面が受圧面２０３ａとして被測定流体に接液され、この受圧面２０３ａに加わる被測定流体の圧力Ｐがセンサ室２０２ａ内のオイル２０４に伝達される。そして、このオイル２０４に伝達された被測定流体の圧力Ｐがセンサチップ２０１のセンサダイアフラム２０１ｓに加わり、センサダイアフラム２０１ｓが撓む。これにより、センサダイアフラム２０１ｓの上面２０１ｓ１に形成されている歪ゲージ２０１ｃから被測定流体の圧力Ｐに応じた信号が取り出される。

この半導体圧力センサ２００において、金属製ダイアフラム２０３は、オイル２０４の収縮分は十分小さいとして無視するものとすれば、センサダイアフラム２０１ｓの撓み分のみ変位する。すなわち、金属製ダイアフラム２０３は、センサ室２０２ａ内のオイル２０４でセンサチップ２０１のセンサダイアフラム２０１ｓと繋がっており、金属製ダイアフラム２０３が被測定流体の圧力Ｐを受けても、撓むことができるのは、センサダイアフラム２０１ｓが撓んだことによるセンサ室２０２ａ内のオイル２０４の移動体積分のみである。また、金属製ダイアフラム２０３の直径は、金属製ダイアフラム２０３での圧損を回避するため、センサダイアフラム２０１ｓの直径よりも大きくされている。このため、被測定流体の圧力Ｐを受けても、金属製ダイアフラム２０３は殆ど撓まず（図１１参照）、金属製ダイアフラム２０３に残留歪みは生じない。

しかしながら、この半導体圧力センサ２００では、金属製ダイアフラム２０３が破損したり、クラックが生じたような場合、センサ室２０２ａに封入されているオイル２０４が被測定流体中に漏出するという問題がある。このため、食品、化粧品、医薬品などの製造現場では、センサ部にオイルを用いないオイルレス圧力センサが用いられる場合がある（例えば、特許文献１，２，３参照）。このオイルレス圧力センサはサニタリ式の圧力センサとも呼ばれる。

図１２に従来のオイルレス圧力センサ３００の要部を示す。同図において、３０１は金属製ダイアフラム（接液兼応力検知ダイアフラム）、３０２は金属製ダイアフラム３０１の受圧面３０１ａとは反対側の面（裏面）３０１ｂに貼り付けられた歪ゲージ、３０３は歪ゲージ３０２からの信号取り出し線、３０４は金属製ダイアフラム３０１が接合されたパッケージの支持部である。

このオイルレス圧力センサ３００では、金属製ダイアフラム３０１の受圧面３０１ａが被測定流体に接液され、この受圧面３０１ａに加わる被測定流体の圧力Ｐによって金属製ダイアフラム３０１が撓み（図１３参照）、この金属製ダイアフラム３０１の裏面３０１ｂに貼り付けられている歪ゲージ３０２から被測定流体の圧力Ｐに応じた信号が取り出される。

このオイルレス圧力センサ３００において、金属製ダイアフラム３０１としては耐食性に優れた延性材料（例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ））が用いられ、且つ、殺菌洗浄性を確保するために液だまりになる窪みがない形状とされる。また、金属製ダイアフラム３０１を接液兼応力検知ダイアフラムとすることによって、オイルを使用しない構造とすることができる。これにより、オイルレスとなり、センサ破壊時にオイルが流出するという問題そのものをなくすことができる。

特開２００２−１１６１０４号公報 特開２００５−１４８００２号公報 特開２００４−４５１４０号公報

しかしながら、図１２に示した従来のオイルレス圧力センサ３００では、金属製のダイアフラム３０１を接液兼応力検知ダイアフラムとして用いているため、感度を確保するためには、この金属製のダイアフラム３０１を被測定流体の圧力Ｐに応じて大きく撓ませる必要があり、下記の(1)〜(3)のような問題が生じる。

(1)金属製ダイアフラム３０１の撓みにより残留歪みが生じ、出力が経時変化する。
(2)金属製ダイアフラム３０１が変形する領域に信号取り出し線３０３を接合するため、頻繁な圧力変化で信号取り出し線３０３が切れてしまうというリスクがある。
(3)(1)，(2)の問題を回避するために、金属製のダイアフラム３０１の撓み量を小さくすると、感度が下がる。

なお、単純に、図１０に示した半導体圧力センサ２００の構造において、金属製ダイアフラム（接液ダイアフラム）２０３を無くし、オイル２０４を使用しない構造とすることが考えられる。すなわち、図１４に示すように、センサチップ２０１を露出させて、センサダイアフラム２０１ｓを接液兼応力検知ダイアフラムとすることが考えられる。

しかし、このような単純な構造では、センサチップ２０１全体が被測定流体に晒されるものとなり、耐食性に問題が生じる。また、ボンディングワイヤ２０５が切れてしまう虞もある。なお、この構造において、センサチップ２０１の露出面に耐食性の保護膜を形成することが考えられるが、配線・パッドなどと保護膜との絶縁が難しい。また、凹部２０１ｅ側を接液する構造とすることも考えられるが、凹部２０１ｅへの成膜は難しく（特に、角部）、凹部２０１ｅの全面を耐食性の保護膜で完全に覆うことは困難である。

本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、感度を下げることなく、残留歪みを小さくし、かつ信号取り出し線の切断のリスクを低減することができる、耐食性に優れたオイルレス圧力センサを提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明のオイルレス圧力センサは、一方の面（１ａ）に圧力検出部（１ｃ）が形成された第１の半導体基板（１）と、第１の半導体基板（１）の一方の面（１ａ）に接合され圧力検出部（１ｃ）が形成されている領域に対向する位置に空洞（４）を形成する凹部（２ａ）を有する第２の半導体基板（２）と、第１の半導体基板（１）の他方の面（１ｂ）を覆う耐食性の保護膜（３）とを備えたセンサチップ（１０１）と、保護膜（３）を接液部として露出させた状態でセンサチップ（１０１）を収容するパッケージ（１０２）とを備え、保護膜（３）の露出面（１０１ａ）は、パッケージ（１０２）の露出面（１０２ａ）と面一とされていることを特徴とする。

本発明において、被測定流体の圧力は第１の半導体基板（１）の耐食性の保護膜（３）で覆われた面（１０１ａ）に加わり、第１の半導体基板（１）の圧力検出部（１ｃ）が形成されている領域（保護膜（３）＋半導体基板（１））がセンサダイアフラム（６）として撓む。すなわち、本発明では、センサダイアフラム（６）が接液兼応力検知用ダイアフラムとされる。この場合、センサダイアフラム（６）の厚みは、第１の半導体基板（１）の厚みと保護膜（３）の厚みとを足し合わされたものとなり、保護膜（３）が仮に延性材料であっても、弾性体である半導体にアシストされるため、残留歪みが小さくなる。また、本発明では、圧力検出部（１ｃ）からの信号取り出し線（５）を第１の半導体基板（１）と第２の半導体基板（２）との接合部など、全く撓まない箇所に配置することも可能となる。このため、センサダイアフラム（６）の撓み量を小さくする必要がなくなり、感度を下げることなく、残留歪みを小さくし、かつ信号取り出し線（５）の切断のリスクを低減することができるようになる。また、第１の半導体基板（１）の被測定流体の圧力が加わる面に凹部はなく、その全面をフラットな面として耐食性の保護膜（３）で覆うようにすることができる。また、この保護膜（３）の露出面（１０１ａ）はパッケージ（１０２）の露出面（１０２ａ）と面一とされている。これにより、被測定流体と半導体基板（１，２）との接触を避け、耐食性に優れたものとすることが可能となる。

なお、本発明において、保護膜（３）の露出面（１０１ａ）とパッケージ（１０２）の露出面（１０２ａ）との間の周囲の隙間（ｈ）に、充填材（１０３）を埋め込むようにしてもよい。また、第２の半導体基板（２）は、第１の半導体基板（１）に形成されている圧力検出部（１ｃ）と接続される貫通配線（２ｃ）を備えるものとしてもよい。また、第２の半導体基板（２）の凹部（２ａ）によって形成される空洞（４）は、大気に連通させるようにしてもよく、真空としてもよい。また、第２の半導体基板（２）の凹部（２ａ）は、圧力検出部（１ｃ）が形成されている領域に対向する面を非球面としてもよい。また、本発明において、保護膜（３）は、１層もしくは多層の中間層（例えば、ニオブ（Ｎｂ））の上に白金（Ｐｔ）を重ねた多層の金属保護膜（３）としてもよく、サファイアよりなる１層の非金属保護膜（３）としてもよい。

なお、上記説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の構成要素を、括弧を付した参照符号によって示している。

本発明によれば、被測定流体の圧力が第１の半導体基板の耐食性の保護膜で覆われた面に加わり、第１の半導体基板の圧力検出部が形成されている領域（保護膜＋半導体基板）がセンサダイアフラムとして撓むので、感度を下げることなく、残留歪みを小さくし、信号取り出し線の切断のリスクを低減することが可能となる。また、第１の半導体基板の被測定流体の圧力が加わる面は耐食性の保護膜で覆われており、この保護膜の露出面はパッケージの露出面と面一とされているので、被測定流体と半導体基板との接触を避け、耐食性に優れたものとすることが可能となる。

図１は、本発明の実施の形態に係るオイルレス圧力センサ（サニタリ式の圧力センサ）の要部を示す構成図である。 図２は、パッケージに収容する前のセンサチップの構成を示す図である。 図３は、ニオブ（Ｎｂ）の上に白金（Ｐｔ）を重ねた２層の金属保護膜を示す図である。 図４は、ＳＯＩウエハを使用する例を説明する図である。 図５は、ＳＯＳウエハを使用する例を説明する図である。 図６は、センサチップ内の凹部の底面を非球面とした例を示す図である。 図７は、センサチップ内の空洞を真空の基準圧室とした例を示す図である。 図８は、貫通配線をなくしたセンサチップの第１例を示す図である。 図９は、貫通配線をなくしたセンサチップの第２例を示す図である。 図１０は、一般的な半導体圧力センサの要部の構成を示す図である。 図１１は、一般的な半導体圧力センサの金属製ダイアフラム（接液ダイアフラム）に被測定流体の圧力が加えられた状態を示す図である。 図１２は、従来のオイルレス圧力センサの要部の構成を示す図である。 図１３は、従来のオイルレス圧力センサの金属製ダイアフラム（接液兼応力検知ダイアフラム）に被測定流体の圧力が加えられた状態を示す図である。 図１４は、一般的な半導体圧力センサにおいてセンサチップを露出させてセンサダイアフラムを接液兼応力検知ダイアフラムとした例を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態に係るオイルレス圧力センサ（サニタリ式の圧力センサ）１００の要部の構成を示す図である。

図１において、１０１はセンサチップ、１０２はパッケージであり、センサチップ１０１は受圧面１０１ａを露出させた状態でパッケージ１０２に収容されている。センサチップ１０１の受圧面（露出面）１０１ａはパッケージ１０２の露出面１０２ａと面一とされており、センサチップ１０１の受圧面（露出面）１０１ａとパッケージ１０２の露出面１０２ａとの間の周囲の隙間ｈには充填材１０３が埋め込まれている。本実施の形態において、充填材１０３はアルミナなどの耐熱性・耐食性の高い材料からなり、溶融固化した状態で隙間ｈに埋め込まれている。

センサチップ１０１は、半導体材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いた第１の半導体基板１と第２の半導体基板２とから構成され、第１の半導体基板１を下側としてパッケージ１０２に収容されている。図２にパッケージ１０２に収容する前のセンサチップ１０１の構成を示す。

センサチップ１０１において、第１の半導体基板１は両面がフラットな１枚の基板とされ、その一方の面（上側の面（裏面））１ａの中央部には、その表層部に拡散抵抗からなる歪ゲージ（ピエゾ抵抗素子）１ｃが圧力検出部として形成されている。第１の半導体基板１の他方の面（下側の面（表面））１ｂは耐食性の保護膜３で覆われている。この実施の形態において、保護膜３は、図３に示すように、ニオブ（Ｎｂ）などの中間層（この例では、中間層をニオブ（Ｎｂ）（１層の中間層）としているが、多層の中間層としてもよい。）の上に白金（Ｐｔ）を重ねた２層の金属保護膜とされている。この保護膜３は、第１の半導体基板１の表面１ｂを研磨した後、この研磨された第１の半導体基板１の表面１ｂに成膜されている。

なお、第１の半導体基板１としてＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウエハを使用し、このＳＯＩウエハの酸化膜層（ＳｉＯ₂）を除去するようにし、この酸化膜層（ＳｉＯ₂）を除去した面に保護膜３を成膜するようにしてもよい。ＳＯＩウエハは、図４に示すように、酸化膜層（ＳｉＯ₂）をシリコン（Ｓｉ）で挟んだサンドイッチ構造とされており、エッチングなどによって一方側のシリコン（Ｓｉ）の層から酸化膜層（ＳｉＯ₂）を除去すると、他方側のシリコン（Ｓｉ）の層のきれいな面が表れる。このきれいな面に保護膜３を形成すれば、研磨する手間を省くことができる。

また、本実施の形態において、保護膜３はニオブ（Ｎｂ）と白金（Ｐｔ）の２層の金属保護膜に限られるものではなく、サファイアよりなる１層の非金属保護膜とするなどしてもよい。保護膜３をサファイアとする場合、ＳＯＳ（Silicon on Sapphire）ウエハを利用するとよい。ＳＯＳウエハは、図５に示すように、サファイアをシリコン（Ｓｉ）で挟んだサンドイッチ構造とされており、一方側のシリコン（Ｓｉ）の層をエッチングなどによって除去すると、サファイアが表れる。このサファイアを保護膜３として利用することにより、成膜する手間を省くことができる。

第２の半導体基板２は、第１の半導体基板１の一方の面（裏面）１ａに直接接合されており、第１の半導体基板１の歪ゲージ１ｃが形成されている領域Ｄに対向する位置に空洞４を形成する凹部２ａを有している。凹部２ａの中央部には空洞４を大気に連通させる貫通孔２ｂが形成されている。

また、第２の半導体基板２は、第１の半導体基板１との接合部に厚み方向に延びた貫通配線２ｃが形成されている。貫通配線２ｃの上側の端部は第２の半導体基板２の上面２ｄに露出する電極パッド２ｆに接続されている。貫通配線２ｃの下側の端部は第２の半導体基板２の下面２ｅに露出する電極パッド２ｇに接続されている。また、この電極パッド２ｇは、第１の半導体基板１に形成された拡散抵抗配線（図示せず）を介して、第１の半導体基板１の中央部の歪ゲージ１ｃと接続されている。

図１に示したオイルレス圧力センサ１００では、このように構成されたセンサチップ１０１を、第１の半導体基板１の保護膜３で覆われた面を受圧面１０１ａとし、この受圧面１０１ａを露出させた状態でパッケージ１０２に収容している。また、センサチップ１０１の受圧面（露出面）１０１ａとパッケージ１０２の露出面１０２ａとを面一とし、その周囲の隙間ｈに充填材１０３を埋め込んでいる。

なお、パッケージ１０２には、センサチップ１０１内の空洞４を第２の半導体基板２に形成されている貫通孔２ｂを通して大気に連通させる導通孔１０２ｂが形成されている。また、第２の半導体基板２の電極パッド２ｆには、信号取り出し線５が接続されている。

このオイルレス圧力センサ１００において、被測定流体の圧力Ｐはセンサチップ１０１の受圧面１０１ａ（第１の半導体基板１の耐食性の保護膜３で覆われた面）に加わる。これにより、第１の半導体基板１の歪ゲージ１ｃが形成されている領域（保護膜＋半導体基板）Ｄがセンサダイアフラム６として撓む。すなわち、このオイルレス圧力センサ１００では、センサダイアフラム６が接液兼応力検知用ダイアフラムとされている。

この場合、センサダイアフラム６の厚みｔは、第１の半導体基板１の厚みｔ１と保護膜３の厚みｔ２とを足し合わされたものとなり、保護膜３が金属保護膜とされてはいるが、すなわち保護膜３が延性材料とされてはいるが、弾性体である半導体にアシストされるため、残留歪みが小さくなる。また、第２の半導体基板２の第１の半導体基板１との接合部に貫通配線２ｃを形成することにより、信号取り出し線５を全く撓まない箇所に配置することができている。このため、センサダイアフラム６の撓み量を小さくする必要がなくなり、感度を下げることなく、残留歪みを小さくし、かつ信号取り出し線５の切断のリスクを低減することができる。なお、センサダイアフラム６に生じる残留歪みは、必要ならば、第１の半導体基板１の厚みｔ１と保護膜３の厚み（延性材料の厚み）ｔ２との比で調整することも可能である。

また、このオイルレス圧力センサ１００において、第１の半導体基板１の被測定流体の圧力Ｐが加わる面には凹部はなく、その全面をフラットな面として耐食性の保護膜３で覆っている。また、この保護膜３の露出面（受圧面１０１ａ）はパッケージ１０２の露出面１０２ａと面一とされている。また、センサチップ１０１の受圧面（露出面）１０１ａとパッケージ１０２の露出面１０２ａとの間の周囲の隙間ｈには充填材１０３が埋め込まれている。これにより、被測定流体と半導体基板１，２との接触が避けられ、耐食性に優れたものとなる。

なお、上述した実施の形態では、第２の半導体基板２の凹部２ａの底面を平坦な面としているが、すなわち第１の半導体基板１の歪ゲージ１ｃが形成されている領域Ｄに対向する面を平坦な面としているが、図６に示すように非球面とするようにしてもよい。第２の半導体基板２の凹部２ａの底面を非球面とすると、過大圧が印加された時のセンサダイアフラム６の過度な変位が阻止される。

また、上述した実施の形態では、センサチップ１０１の空洞４を大気に連通させるようにしたが、すなわち大気圧を基準とするゲージ圧を測定するようにしたが、図７に示すように、空洞４を真空の基準圧室（真空に保った密閉空間）とし、絶対圧を測定するようにしてもよい。

また、上述した実施の形態では、第２の半導体基板２に貫通配線２ｃを形成するようにしたが、第２の半導体基板２に貫通配線２ｃを必ずしも設ける必要はなく、構造上強度が不足するような場合に、貫通配線２ｃを設けるようにするとよい。例えば、図８に示すように、第１の半導体基板１の第２の半導体基板２を避けた位置に電極パッド１ｄを形成し、この電極パッド１ｄに信号取り出し線５を接続するようにし、歪ゲージ１ｃからの信号を取り出すようにしたり、図９に示すように、第２の半導体基板２に貫通孔２ｈを設け、この貫通孔２ｈを通して電極パッド１ｄに接続された信号取り出し線５を引き出すようにしたりしてもよい。

また、上述した実施の形態では、第１の半導体基板１および第２の半導体基板２の半導体材料としてシリコン（Ｓｉ）を使用するものとしたが、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）を使用するようにしてもよい。半導体材料としてＳｉを使用した場合、高温対応が困難になるが、ＳｉＣを使用すると高温化も可能（上限温度が向上）となり、殺菌洗浄時の温度にも耐えることが可能となる。

また、上述した実施の形態では、センサチップ１０１の受圧面（露出面）１０１ａとパッケージ１０２の露出面１０２ａとの間の周囲の隙間ｈに充填材１０３を埋め込むようにしたが、必ずしも充填材１０３を埋め込まなくてもよい。

〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

１…第１の半導体基板、１ａ…一方の面（上側の面（裏面））、１ｂ…他方の面（下側の面（表面））、１ｃ…歪ゲージ、２…第２の半導体基板、２ａ…凹部、２ｂ…貫通孔、２ｃ…貫通配線、３…保護膜、４…空洞、５…信号取り出し線、６…センサダイアフラム、１００…オイルレス圧力センサ、１０１…センサチップ、１０１ａ…受圧面、１０２…パッケージ、１０２ａ…露出面、１０３…充填材。

Claims (8)

1. 一方の面に圧力検出部が形成された第１の半導体基板と、前記第１の半導体基板の一方の面に接合され前記圧力検出部が形成されている領域に対向する位置に空洞を形成する凹部を有する第２の半導体基板と、前記第１の半導体基板の他方の面を覆う耐食性の保護膜とを備えたセンサチップと、
   前記保護膜を接液部として露出させた状態で前記センサチップを収容するパッケージとを備え、
   前記保護膜の露出面は、
   前記パッケージの露出面と面一とされている
   ことを特徴とするオイルレス圧力センサ。
2. 請求項１に記載されたオイルレス圧力センサにおいて、
   前記保護膜の露出面と前記パッケージの露出面との間の周囲の隙間に充填材が埋め込まれている
   ことを特徴とするオイルレス圧力センサ。
3. 請求項１に記載されたオイルレス圧力センサにおいて、
   前記第２の半導体基板は、
   前記第１の半導体基板に形成されている圧力検出部と接続される貫通配線を備える
   ことを特徴とするオイルレス圧力センサ。
4. 請求項１に記載されたオイルレス圧力センサにおいて、
   前記空洞は、大気に連通している
   ことを特徴とするオイルレス圧力センサ。
5. 請求項１に記載されたオイルレス圧力センサにおいて、
   前記空洞は、真空とされている
   ことを特徴とするオイルレス圧力センサ。
6. 請求項１に記載されたオイルレス圧力センサにおいて、
   前記第２の半導体基板の凹部は、
   前記圧力検出部が形成されている領域に対向する面が非球面とされている
   ことを特徴とするオイルレス圧力センサ。
7. 請求項１に記載されたオイルレス圧力センサにおいて、
   前記保護膜は、
   １層もしくは多層の中間層の上に白金を重ねた多層の金属保護膜とされている
   ことを特徴とするオイルレス圧力センサ。
8. 請求項１に記載されたオイルレス圧力センサにおいて、
   前記保護膜は、サファイアよりなる１層の非金属保護膜とされている
   ことを特徴とするオイルレス圧力センサ。