JP2017152491A - 熱電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】熱電効率を向上することができる熱電変換素子及びその製造方法等を提供する。【解決手段】熱電変換素子10には、ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜11と、ペロブスカイト構造を備え、第1の酸化膜11を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜12及び第3の酸化膜13と、が含まれる。第1の酸化膜11は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、第1の酸化膜11と第2の酸化膜12との界面におけるバンドオフセット及び第1の酸化膜11と第3の酸化膜13との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上である。【選択図】図1
Description
本発明は、熱電変換素子及びその製造方法等に関する。
近年、二酸化炭素(CO2)の削減及び環境保護の観点から、クリーンな発電機構として、熱電変換素子が注目されている。熱電変換素子を使用することにより、今まで廃棄されていた熱エネルギを電気エネルギに変換して再利用することができる。
しかしながら、これまでの熱電変換素子の熱電効率は十分とはいえない。
本発明の目的は、熱電効率を向上することができる熱電変換素子及びその製造方法等を提供することにある。
熱電変換素子の一態様には、ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜と、ペロブスカイト構造を備え、前記第1の酸化膜を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜及び第3の酸化膜と、が含まれる。前記第1の酸化膜は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜との界面におけるバンドオフセット及び前記第1の酸化膜と前記第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上である。
熱電変換素子の製造方法の一態様では、ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜を形成し、ペロブスカイト構造を備え、前記第1の酸化膜を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜及び第3の酸化膜を形成する。前記第1の酸化膜は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜との界面におけるバンドオフセット及び前記第1の酸化膜と前記第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上である。
熱電変換装置の一態様には、上記の熱電変換素子と、前記熱電変換素子に直列に接続されたn型の熱電変換素子と、が含まれる。
上記の熱電変換素子等によれば、適切な複数の酸化膜が含まれるため、熱電効率を向上することができる。
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。
(第1の実施形態)
先ず、第1の実施形態について説明する。第1の実施形態は、熱電変換素子の一例である。図1は、第1の実施形態に係る熱電変換素子の構成を示す図である。
先ず、第1の実施形態について説明する。第1の実施形態は、熱電変換素子の一例である。図1は、第1の実施形態に係る熱電変換素子の構成を示す図である。
第1の実施形態に係る熱電変換素子10には、図1(a)に示すように、p型半導体のSr0.3La0.7CoO3膜11、並びにSr0.3La0.7CoO3膜11を間に挟む真性半導体のSrTiO3膜12及びSrTiO3膜13が含まれる。Sr0.3La0.7CoO3膜11、SrTiO3膜12及びSrTiO3膜13はペロブスカイト構造を備える。Sr0.3La0.7CoO3膜11とSrTiO3膜12との界面、及びSr0.3La0.7CoO3膜11とSrTiO3膜13との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上である。Sr0.3La0.7CoO3膜11は第1の酸化膜の一例であり、SrTiO3膜12は第2の酸化膜の一例であり、SrTiO3膜13は第3の酸化膜の一例である。
SrTiO3膜12、Sr0.3La0.7CoO3膜11及びSrTiO3膜13は、例えばパルスレーザ堆積(pulse laser deposition:PLD)法又はRFマグネトロンスパッタリング法により形成することができる。
熱電変換素子10では、図1(b)に示すように、SrTiO3膜12、Sr0.3La0.7CoO3膜11及びSrTiO3膜13が量子井戸を構成する。このため、量子閉じ込め効果により、SrTiO3膜12又はSrTiO3膜13への電荷の広がりが抑制され、熱電効率の指標の一つである性能指数ZTを向上することができる。
本願発明者らは第1の実施形態に倣って熱電変換素子を製造し、エネルギの関係を調査した。この結果、SrTiO3のバンドギャップは3.2eVであり、Sr0.3La0.7CoO3のバンドギャップは0.1eVであった。SrTiO3とSr0.3La0.7CoO3との間の伝導帯の下端(ECBM)のエネルギ差は0.1eVであり、価電子帯の上端(EVBM)のエネルギ差は3.0eVであった。
(第2の実施形態)
先ず、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、熱電変換素子の一例である。図2は、第2の実施形態に係る熱電変換素子の構成を示す図である。
先ず、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、熱電変換素子の一例である。図2は、第2の実施形態に係る熱電変換素子の構成を示す図である。
第2の実施形態に係る熱電変換素子20には、図2(a)に示すように、p型半導体のCa0.5La0.5CoO3膜21、並びにCa0.5La0.5CoO3膜21を間に挟む真性半導体のSrTiO3膜12及びSrTiO3膜13が含まれる。Ca0.5La0.5CoO3膜21、SrTiO3膜12及びSrTiO3膜13はペロブスカイト構造を備える。Ca0.5La0.5CoO3膜21とSrTiO3膜12との界面、及びCa0.5La0.5CoO3膜21とSrTiO3膜13との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上である。Ca0.5La0.5CoO3膜21は第1の酸化膜の一例であり、SrTiO3膜12は第2の酸化膜の一例であり、SrTiO3膜13は第3の酸化膜の一例である。
熱電変換素子20では、図2(b)に示すように、SrTiO3膜12、Ca0.5La0.5CoO3膜21及びSrTiO3膜13が量子井戸を構成する。このため、量子閉じ込め効果により、SrTiO3膜12又はSrTiO3膜13への電荷の広がりが抑制され、熱電効率の指標の一つである性能指数ZTを向上することができる。
SrTiO3膜12、Ca0.5La0.5CoO3膜21及びSrTiO3膜13は、例えばPLD法又はRFマグネトロンスパッタリング法により形成することができる。
第1の酸化膜は、ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有していれば、Sr0.3La0.7CoO3膜及びCa0.5La0.5CoO3膜に限定されない。例えば、SrxLa1-xCoO3膜(0.2≦x≦0.5)又はCayLa1-yCoO3膜(0.2≦y≦0.5)が用いられてもよい。この場合、xの値及びyの値はいずれも0.2以上0.3以下であることが好ましい。第2の酸化膜及び第3の酸化膜は、ペロブスカイト構造を備えていれば、SrTiO3膜に限定されず、例えば、SrSnO3膜、BaSnO3膜及びCaSnO3膜等のAcBdO3膜が用いられてもよい。このとき、ペロブスカイト相を得るために0.5<c/d<1.5の関係が成り立つことが好ましい。
十分な量子閉じ込め効果を得るために第1の酸化膜の厚さは4Å〜100Åであることが好ましい。第1の酸化膜から第2、第3の酸化膜への正孔の侵入の影響を抑制するために第2、第3の酸化膜の厚さは4Å〜1000Åであることが好ましい。
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、熱電変換装置の一例である。図3は、第3の実施形態に係る熱電変換装置の構成を示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、熱電変換装置の一例である。図3は、第3の実施形態に係る熱電変換装置の構成を示す断面図である。
第3の実施形態に係る熱電変換装置40には、図3に示すように、3個の熱電変換素子10が含まれる。熱電変換装置40には、SrTiO3膜12、Sr0.3La0.7CoO3膜11及びSrTiO3膜13を間に挟むSrZrO3膜14及びSrZrO3膜15が含まれる。熱電変換装置40には、SrTiO3膜12との間でSrZrO3膜14を挟むn型膜46が含まれている。熱電変換装置40には、Sr0.3La0.7CoO3膜11とn型膜46とを直列に電気的に接続する複数の導電膜47及び導電膜48が含まれる。導電膜47はSr0.3La0.7CoO3膜11を当該熱電変換素子10内のSrTiO3膜12側に位置するn型膜46に接続し、導電膜48はSr0.3La0.7CoO3膜11を当該熱電変換素子10内のSrTiO3膜13側に位置するn型膜46に接続する。導電膜47、導電膜48は熱電変換素子10を間に挟んで互いに反対側に位置する。図3では、導電膜47が熱電変換素子10の上方に位置し、導電膜48が熱電変換素子10の下方に位置する。そして、導電膜47側にヒートシンク42が設けられ、導電膜48側にヒートシンク44が設けられている。ヒートシンク42と導電膜47との間に保護膜41が設けられ、ヒートシンク44と導電膜48との間に保護膜43が設けられている。
熱電変換装置40によれば、第1の実施形態と同様に、熱電効率の指標の一つである性能指数ZTを向上することができ、優れた熱電効率を得ることができる。熱電変換素子10に代えて熱電変換素子20が用いられてもよい。
絶縁性の確保のためにSrZrO3膜14及びSrZrO3膜15の厚さは100Å以上であることが好ましい。絶縁性の向上の効果は10000Å程度の厚さで飽和し、SrZrO3膜14及びSrZrO3膜15の厚さが10000Å超ではコストが徒に上昇するため、SrZrO3膜14及びSrZrO3膜15の厚さは10000Å以下であることが好ましい。SrZrO3膜14及びSrZrO3膜15に代えて、例えば、AZr1-eBeO3膜が用いられてもよい。
次に、本願発明者らによる試験について説明する。この実験では、図4(a)に示す試料を作製し、SrTiO3膜52及びSrTiO3膜53に挟まれたSrxLa1-xCoO3膜51のxの値と300Kにおける性能指数ZTとの関係を調査した。この結果を図4(b)に示す。図4(b)に示すように、xの値が0.2以上0.5以下の場合に、バルクのSr0.1La0.9CoO3を用いた場合に得られる性能指数ZT(0.10)より高い性能指数ZTが得られた。xの値が0.2以上0.3以下の場合に特に高い性能指数ZTが得られた。
次に、本願発明者らによるシミュレーションについて説明する。このシミュレーションでは、第1の酸化膜と第2、第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットと300Kにおける量子井戸に閉じ込められる電荷の割合との関係を調査した。この結果を図5に示す。図5に示すように、価電子帯のオフセットが0.5eV以上の場合に、優れた量子閉じ込め効果が得られることが明らかになった。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
(付記1)
ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜と、
ペロブスカイト構造を備え、前記第1の酸化膜を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜及び第3の酸化膜と、
を有し、
前記第1の酸化膜は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、
前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜との界面におけるバンドオフセット及び前記第1の酸化膜と前記第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上であることを特徴とする熱電変換素子。
ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜と、
ペロブスカイト構造を備え、前記第1の酸化膜を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜及び第3の酸化膜と、
を有し、
前記第1の酸化膜は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、
前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜との界面におけるバンドオフセット及び前記第1の酸化膜と前記第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上であることを特徴とする熱電変換素子。
(付記2)
前記第1の酸化膜は、SrxLa1-xCoO3膜(0.2≦x≦0.5)又はCayLa1-yCoO3膜(0.2≦y≦0.5)であることを特徴とする付記1に記載の熱電変換素子。
前記第1の酸化膜は、SrxLa1-xCoO3膜(0.2≦x≦0.5)又はCayLa1-yCoO3膜(0.2≦y≦0.5)であることを特徴とする付記1に記載の熱電変換素子。
(付記3)
前記第2の酸化膜及び前記第3の酸化膜は、SrTiO3膜、SrSnO3膜、BaSnO3膜又はCaSnO3膜であることを特徴とする付記1又は2に記載の熱電変換素子。
前記第2の酸化膜及び前記第3の酸化膜は、SrTiO3膜、SrSnO3膜、BaSnO3膜又はCaSnO3膜であることを特徴とする付記1又は2に記載の熱電変換素子。
(付記4)
前記第1の酸化膜の厚さは4Å〜100Åであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の熱電変換素子。
前記第1の酸化膜の厚さは4Å〜100Åであることを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載の熱電変換素子。
(付記5)
前記第2の酸化膜の厚さ及び前記第3の酸化膜の厚さは4Å〜10000Åであることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の熱電変換素子。
前記第2の酸化膜の厚さ及び前記第3の酸化膜の厚さは4Å〜10000Åであることを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の熱電変換素子。
(付記6)
ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜を形成する工程と、
ペロブスカイト構造を備え、前記第1の酸化膜を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜及び第3の酸化膜を形成する工程と、
を有し、
前記第1の酸化膜は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、
前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜との界面におけるバンドオフセット及び前記第1の酸化膜と前記第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上であることを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜を形成する工程と、
ペロブスカイト構造を備え、前記第1の酸化膜を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜及び第3の酸化膜を形成する工程と、
を有し、
前記第1の酸化膜は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、
前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜との界面におけるバンドオフセット及び前記第1の酸化膜と前記第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上であることを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
(付記7)
付記1乃至5のいずれか1項に記載の熱電変換素子と、
前記熱電変換素子に直列に接続されたn型の熱電変換素子と、
を有することを特徴とする熱電変換装置。
付記1乃至5のいずれか1項に記載の熱電変換素子と、
前記熱電変換素子に直列に接続されたn型の熱電変換素子と、
を有することを特徴とする熱電変換装置。
10、20:熱電変換素子
11:Sr0.3La0.7CoO3膜
12、13:SrTiO3膜
14、15:SrZrO3膜
21:Ca0.5La0.5CoO3膜
40:熱電変換装置
11:Sr0.3La0.7CoO3膜
12、13:SrTiO3膜
14、15:SrZrO3膜
21:Ca0.5La0.5CoO3膜
40:熱電変換装置
Claims (5)
- ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜と、
ペロブスカイト構造を備え、前記第1の酸化膜を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜及び第3の酸化膜と、
を有し、
前記第1の酸化膜は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、
前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜との界面におけるバンドオフセット及び前記第1の酸化膜と前記第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上であることを特徴とする熱電変換素子。 - 前記第1の酸化膜は、SrxLa1-xCoO3膜(0.2≦x≦0.5)又はCayLa1-yCoO3膜(0.2≦y≦0.5)であることを特徴とする請求項1に記載の熱電変換素子。
- 前記第2の酸化膜及び前記第3の酸化膜は、SrTiO3膜、SrSnO3膜、BaSnO3膜又はCaSnO3膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱電変換素子。
- ペロブスカイト構造を備え、La及びCoを含有するp型半導体の第1の酸化膜を形成する工程と、
ペロブスカイト構造を備え、前記第1の酸化膜を間に挟む真性半導体の第2の酸化膜及び第3の酸化膜を形成する工程と、
を有し、
前記第1の酸化膜は、Sr若しくはCa又はこれらの両方を20原子%以上の濃度で含有し、
前記第1の酸化膜と前記第2の酸化膜との界面におけるバンドオフセット及び前記第1の酸化膜と前記第3の酸化膜との界面における価電子帯のオフセットは0.5eV以上であることを特徴とする熱電変換素子の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の熱電変換素子と、
前記熱電変換素子に直列に接続されたn型の熱電変換素子と、
を有することを特徴とする熱電変換装置。
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JP2020025059A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | 国立大学法人九州工業大学 | 熱電変換素子 |
-
2016
- 2016-02-23 JP JP2016032311A patent/JP2017152491A/ja active Pending
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JP7244044B2 (ja) | 2018-08-09 | 2023-03-22 | 国立大学法人九州工業大学 | 熱電変換素子 |
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