JP2017147009A - 磁気抵抗変化型記憶装置及びそのアクセス方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この点を、図25と図26を参照してより詳細に説明する。
まず、図25に示すように、同一のビットラインの対BL,/BL、ソースラインSLに接続されたメモリセルMC0とMC1に、’1’と’0’を、順番に書き込むことを想定する。
ただし、ワードラインWLの電圧の低下が遅れるため、ワードラインWL0はハイレベルのままである。
この場合、メモリセルMC0では、MTJ素子MrtとMrnが共に低抵抗(P)状態なっており、記憶データが未定義(不定)状態になってしまう。
磁気トンネル接合素子を備えるメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
同一行の前記メモリセルに共通に接続されたワードラインと、
同一列の前記メモリセルに共通に接続されたビットラインと、
ワードラインの電圧をアクティブレベルに設定することにより、書き込み対象のメモリセルを選択する行選択手段と、
前記ビットラインに電圧を印加して、アクティブレベルに設定されたワードラインに接続されたメモリセルに電流を流すことにより、前記磁気トンネル接合素子の抵抗状態を設定して、該メモリセルにデータを書き込む書込手段と、
を備え、
前記行選択手段は、書き込みトリガ信号に応答し、現在選択している前記ワードラインの電圧を非アクティブレベルに設定し、
前記書込手段は、選択状態にあったワードラインの電圧が非アクティブレベルに達した以降のタイミングで、次の書き込み対象のメモリセルに接続された前記ビットラインに、書き込みデータに対応する電圧を印加する。
磁気トンネル接合素子を備えるメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルと、
同一行の前記メモリセルに共通に接続されたワードラインと、
同一列の前記メモリセルに共通に接続されたビットラインと、
を備える磁気抵抗変化型記憶装置のアクセス方法であって、
選択中の前記ワードラインの電圧を非アクティブレベルに切り替え、ワードラインの電圧が非アクティブレベルに達した後で、次に選択するメモリセルに接続された前記ビットラインに書き込みデータに対応する電圧を印加する。
図1から図3を参照しながら実施の形態1に係るSTT−MRAMを説明する。
実施の形態1に係るSTT−MRAM1000は、2T2MTJ構成を採用し、メモリセルに含まれる2個の磁気トンネル接合素子(以下、MTJ素子)が1本のソースラインを共有する構成を有する。STT−MRAM1000は、メモリセルに誤ったデータが書き込まれる事態の発生を防止するため、データ書き込み中のメモリセルに接続されたアクティブ状態にあるワードラインを非アクティブ状態にしてから、次の書き込み対象のメモリセルに接続されたビットラインに書き込みデータに対応する電圧を印加し、また、次の書き込み対象のメモリセルに接続されたワードラインをアクティブ状態に切り替える。
列デコーダ30は、遅延列アドレスDYADDをデコードし、図3(g)に示すように、列アドレスYADDが指示する列の列選択ラインYSWをハイレベルとし、他の列選択ラインYSWをローレベルとする。この例では、列アドレスYADDが第0列を指示し、列デコーダ30は、列選択ラインYSW0をハイレベルとし、他をローレベルとする。これにより、第0列の列選択トランジスタ31、32、33がオンする。
データデコーダ47は、第2のD−FF46のQ出力をデコードし、Q出力が’1’であれば、グローバルビットラインGBLをハイレベル、/GBLをローレベルとし、Q出力が’0’であれば、グローバルビットラインGBLをローレベル、/GBLをハイレベルとする。これにより、遅延された書き込みトリガに応答して、次の書き込み対象のメモリセルに接続されているビットラインBL、/BLに次の書き込みデータに対応する電圧が印加されることになる。
ビットラインBL,/BL、ソースラインSLの電圧は、グローバルビットラインGBL,/GBL、グローバルソースラインGSLの電圧が、オンした列選択トランジスタ31,32、33の電流路を介して、ビットラインBL,/BL,ソースラインSLに伝達することにより設定される。このため、ワードラインWLの駆動とグローバルビットラインGBL,/GBL及びグローバルソースラインGSLの駆動とを同一タイミングとすると、ワードラインWLの電圧の変化に対し、ビットラインBL,/BL,ソースラインSLの電圧の変化が遅れる可能性がある。
第1の遅延回路43Aの遅延時間はTWLFであり、ワードラインWLの電圧がハイレベルからローレベルに変化し、接続されている選択トランジスタ13,14がオンからオフに変化するのに要する時間以上の時間である。従って、第1の遅延回路43Aは、第1のD−FF41のQ出力を所定の期間TWLFだけ遅延させて、遅延書き込みクロック信号DWCLK1を出力する。
一方、第2の遅延回路43Bの遅延時間は、TWLF−TDである。TDは、第2のD−FF45,第3のD−FF46,ソース信号生成回路48のクロック端子にクロック信号が入力してから、ビットラインBL,/BL、ソースラインSLの電圧が変化するまでに要する時間である。従って、第2の遅延回路43Bは、第1のD−FF41のQ出力を所定の期間(TWLF−TD)だけ遅延させて、遅延書き込みクロック信号DWCLK2を出力する。
実施の形態1では、書き込みクロック信号WCLKの立ち上がり後、ワードラインWLの電圧がローレベルに変化するのに要すると予想される設定時間TWLFが経過してから、ワードラインWL,ビットラインBL,/BL、ソースラインSLを駆動した。この発明は、直前まで選択されていたメモリセルMCの選択トランジスタ13,14がオフしてから、ビットラインBL,/BL、ソースラインSLの電圧を変化させることができるならば、その手法は任意である。例えば、ワードラインWLの電圧を測定し、測定した電圧が選択トランジスタ13,14をオフさせる電圧となったことを検出したときに、ビットラインBL,/BL、ソースラインSLの電圧を変化させるように構成してもよい。
以下、このように構成した実施の形態2について説明する。
制御部40Aは、書き込みイネーブル信号WEがハイレベルとなって、書き込みクロック信号WCLKがハイレベルになると、図3(a)〜(c)に示したように、行イネーブル信号XENをローレベルにする。行イネーブル信号XENがローレベルとなることにより、行デコーダ20は、図3(j)、(k)に示すように、全てのワードラインWL及びダミーワードラインDWLをローレベルとする。
従って、この構成によれば、実施の形態1と同様に、第i書き込みサイクルの選択メモリセルMCに第(i+1)書き込みサイクルの書き込みデータWDが誤って書き込まれることがない。さらに、実施の形態1では、ワードラインWLの電圧がローレベルとなるのに要する時間以上の時間TWLFを、イネーブル信号XENをローレベルとする時間として確保する必要があるが、この実施の形態では、ダミーワードラインDWLの電圧DWLeがローレベルになると、即座に、行イネーブル信号XENをハイレベルに切り替えることができる。従って、書き込みサイクルを短くでき、高速動作が可能となる。
本発明は、選択状態のメモリセルの選択トランジスタをオフしてから、ビットラインBL,/BLの電圧を切り替えるように制御できれば、その制御手法は、上記実施の形態に限定されず、任意である。以下、他の制御手法として、クロック信号により、信号レベルを制御する実施の形態を説明する。
ただし、この実施の形態では、図9(a)、(c)に示すように、書き込みクロック信号WCLKの1周期TCが行デコーダ20のディスエイブル期間TWLFと等しくなるよう設定されており、書き込みクロック信号WCLKの3周期を1書き込みサイクルTWCとする。
まず、制御部40は、図9(c)に示すように、書き込みクロック信号WCLKの立ち上がりに同期して、1書き込みクロック期間TCだけ、書き込みイネーブル信号XENをローレベルとする。これにより、図9(h)に示すように、全てのワードラインWLはローレベルとされる。続いて、書き込みクロック信号WCLKがハイレベルとなると、制御部40は、図9(c)に示すように、書き込みイネーブル信号XENをハイレベルとする。即ち、制御部40は、書き込みクロック信号WCLKに基づいて、所定の期間TWLFを計測する。
図11において、第1のカウンタ51は、書き込みクロック信号WCLKをカウントし、カウント値がN1に達するまではローレベル、達した後はハイレベルの信号を出力する。第1のカウンタ51の出力が行イネーブル信号XENとなる。
第2のカウンタ52は、書き込みクロック信号WCLKをカウントし、カウント値がN2に達するまではローレベル、達した後はハイレベルの信号を出力する。これが、第2のD−FF45、第3のD−FF46、ソース信号生成回路48のクロック端子に供給される。
第1のカウンタ51と第2のカウンタ52は、1書き込みサイクルTWCに相当するカウント数に達すると、自己リセットするように設定されている。
上記実施の形態においては、ソースラインSLがハイレベルの期間T1とローレベルの期間T2は、同一に設定されるが、期間T1と期間T2は異なっていてもよい。
このため、MTJ素子11,12の書き換え特性が、A状態からP状態にするよりもP状態からA状態にするのに要する時間がより長ければ、図12(a)、(b)に示すように、1書き込み期間内で、ロー期間T2がハイ期間T1よりも長い波形のソース信号をグローバルソースラインGSLに印加する。一方、MTJ素子11,12の書き換え特性が、P状態からA状態に変化するよりA状態からP状態とするのに要する時間が長ければ、図12(a)、(c)に示すように、ハイ期間T1がロー期間T2よりも長い波形のソース信号をグローバルソースラインGSLに印加する。これにより、MTJ素子の書き換え時間の特性に応じた最適な時間の配分が本実施例により可能となる。
このようなソース信号は、例えば、図12(d)に示すように、ワードラインWLの電圧の立ち上がりをトリガとして、クロック信号をカウントするカウンタ53を設置し、カウンタの出力をソース信号とすればよい。この構成によれば、カウンタ53のカウント値を調整することで、任意の波形を設定できる。
この場合、MTJ素子11,12の書き換え特性が、A状態からP状態にするよりもP状態からA状態にするのに要する時間がより長ければ、図13(a)、(b)に示すソース信号をグローバルソースラインGSLに印加する。一方、MTJ素子11,12の書き換え特性が、P状態からA状態に変化するよりA状態からP状態とする方に要する時間が長ければ、図12(a)、(c)に示すソース信号をグローバルソースラインGSLに印加すればよい。ソース信号の生成回路は、図12(d)に示した回路と同様である。
上記実施の形態においては、書き込みクロック信号WCLKとして、単相クロックを使用したが、多相クロックを使用することも可能である。
以下、制御部40に供給する書き込みクロック信号として多相クロック信号を使用する例を説明する。
図14(a)〜(f)に書き込み動作時のタイミングチャートの例を示す。ここでは、クロック信号WCLK0とWCLK1とを含む2相の書き込みクロック信号を使用する。
外部から供給する場合には、図4の回路において、書き込みクロック信号WCLKに代えて書き込みクロック信号WCLK0を供給し、遅延回路43を除去し、遅延回路43の出力に代えて書き込みクロック信号WCLK1を供給すればよい。
また、図4で例示したように、図15に示す遅延回路43を書き込み制御部40内に設けることで、制御部40内で多相クロックを生成することも可能である。
上述の各実施形態の構成は、単独で実施可能であると共に、組み合わせて実施することも可能である。
以下、一例として、多相の書き込みクロック信号を使用し、ソースラインSLをハイレベルとローレベルにセットする期間T1とT2を個別に設定する例を説明する。
制御部40内で書き込みクロック信号WCLK1,WCLK2を生成する場合には、図17に示すように、外部から供給される書き込みクロック信号WCLK0を時間TWLFだけ遅延して書き込みクロック信号WCLK1を出力する第1の遅延回路43と、第1の遅延回路43の出力する書き込みクロック信号WCLK1を時間T1だけ遅延して書き込みクロック信号WCLK2を出力する第2の遅延回路54を配置すればよい。
遅延時間TWLF,T1,T2(=TWC−T1)を遅延回路43,54により適宜設定することができる。
この回路は、第1の遅延回路43の出力する書き込みクロック信号WCLK1と、第2の遅延回路54の出力する書き込みクロック信号WCL2の否定との論理積を取って、グローバルソースラインGSLに印加する電圧を生成する。
実施の形態1〜6においては、データの書き込みを中心に説明した。次に、データを読み出すための構成と読み出し動作を説明する。
各センスアンプSAは、対応する列のビットラインBLと/BLの対に接続されている。
各イコライズトランジスタ34の電流路の一端は対応する列のビットラインBLに接続され、電流路の他端は対応する列のソースラインSLに接続されている。また、各イコライズトランジスタ35の電流路の一端は対応する列のビットライン/BLに接続され、電流路の他端は対応する列のソースラインSLに接続されている。イコライズトランジスタ34と35は、NチャンネルMOSFETから構成されている。
制御部40,列デコーダ30,センスアンプSA,列選択トランジスタ31〜33,イコライズトランジスタ34,35は、協働して、選択状態のワードラインWLに接続されたメモリセルMCから、ビットラインBL,/BLを介して記憶データを読み出す読出手段として機能する。
本実施形態では、書き込みクロック信号と読み出しクロック信号を共通の動作クロックCLKとする。
制御部40は、動作クロックCLKの最初の立ち上がりに応答して、図20(a)、(c)に示すように、書き込みサイクル時と同様に、行イネーブル信号XENをローレベルとし、図20(f)〜(h)に示すように、全てのワードラインWLをローレベルとする。これにより、図20(f)に示すように、直前まで選択されていたワードラインWL0をローレベルとし、メモリセルMC00の選択トランジスタ13,14をオフにし、メモリセルMC00に誤書き込みが起こらない状態とする。
実施の形態1〜7においては、1ビット分の構成について説明した。
この発明は、複数ビットを並列に記憶・読み出す構成のSTT−MRAMにも適用可能である。以下、nビット単位でアクセス可能なSTT−MRAM1001の実施の形態を説明する。
第qのメモリブロックBKqは、m行n列のマトリクス状に配列されたメモリセルMCqij(0≦q≦k−1、0≦i≦m−1、0≦j≦n−1)を備える。
メモリブロックBKqの第i行のメモリセルMCqijは、第iのワードラインWLiに共通に接続されている。一方、第qメモリブロックBKqの第j列のメモリセルMCqijは、第j列のビットラインBLqj、/BLqj、ソースラインSLqjに接続されている。
メモリブロックBKqの第j列のビットラインBLqjと/BLqjは、ブロック選択トランジスタ131、132の電流路を介してグローバルビットラインGBLjと/GBLj、に共通に接続され、ソースラインSLjは、ブロック選択トランジスタ133の電流路を介して、グローバルソースラインGSLjに共通に接続されている。
第qブロックBKqの全てのブロック選択トランジスタ131,132、133は、ブロック選択線YBKqに共通に接続されている。
この制御回路は、第1のD−FF41と、排他的論理和回路42と、遅延回路43と、インバータ回路44と、第2のD−FF55、デコーダ56と、第3のD−FF57と、ゲート回路58と、ソース信号生成回路59とを備える。
第2のD−FF55は、何れかのメモリブロックBKを指示するブロックアドレスBKADD(複数ビット)を遅延書き込みクロック信号DWCLKの立ち上がりエッジに応答してラッチする。
デコーダ56は、第2のD−FF55がラッチしたブロックアドレスBKADDをデコードして出力する。
第3のD−FF57は、遅延書き込みクロック信号DWCLKの立ち上がりエッジに応答して、書き込みイネーブル信号WEをラッチして出力する。
ゲート回路58は、第3のD−FF57の出力がハイレベルの時ゲートを開き、デコーダの出力信号(デコード)信号をブロック選択ラインYSW0〜YSWn−1上に出力する。
ソース信号生成回路59は、遅延書き込みクロック信号DWCLKの立ち上がりエッジに応答して、定められた周期で、定められたデューティーのソース信号を1周期分出力する。
また、ビットラインBL,/BLへの信号の電圧の遅れ時間TDを考慮し、第2のDFF55と第3のD−FF57のクロックのタイミングを遅延書き込みクロック信号DWCLKよりもTDだけ早めるようにしてもよい。
さらに、高周波数クロック信号により所定の期間TWLFを求めたり、複数のクロック信号の位相差により所定の期間TWLFを求める等してもよい。
例えば、メモリセルMCの構成は適宜変更可能である。同様に、スイッチング素子としてNチャンネルMOSFETを例示したが、PチャンネルMOSFETを使用することも可能である。また、バイポーラトランジスタなどの他のスイッチング素子を使用してもよい。
上記実施の形態では、各書き込み期間TWCの先頭で、行イネーブル信号XENをローレベルにすることにより、ワードラインWLを強制的にローレベルに引き下げたが、他の制御信号により行デコーダ20に指示してもよい。
また、行デコーダ20のドライブ段のプッシュプル回路PPCを構成する駆動トランジスタTLをオンすることにより、ワードラインWLをローレベルとしたが、他の手法を使用してもよい。例えば、プッシュプル回路PPCとは別にプルダウン専用のトランジスタを配置してもよい。
ハイレベルをアクティブレベルとしたが、ローレベルをアクティブレベルとしてもよい。
制御部40(40Aを含む)で、遅延列アドレスDYADDを生成して列デコーダ30に供給する例を示したが、これに限定されない。例えば、制御部40がタイミング信号を生成し、列デコーダ30がタイミング信号に応答して、列アドレスYADDをラッチして、列デコーダ30が遅延列アドレスDYADDを生成するといった回路の設計変更も適宜可能である。
その他、上記実施の形態と同様の機能を実現できれば、回路の構成と動作タイミング、信号極性、時間長などは任意に調整可能である。
13,14 選択トランジスタ
20 行デコーダ
30 列デコーダ
31、32、33 列選択トランジスタ(NチャンネルMOSFET)
34、35 イコライズトランジスタ(NチャンネルMOSFET)
40、40A、40B 制御部
41 D−FF(Dフリップフロップ)
42 排他的論理和回路
43、43A、43B 遅延回路
44 インバータ回路
45、46 D−FF
47 データデコーダ
48 ソース信号生成回路
51、52、53 カウンタ
54 遅延回路
55 D−FF
56 デコーダ
57 D−FF
58 ゲート回路
131,132,133 ブロック選択トランジスタ
1000、1001 STT−MRAM
DWCLK 遅延書き込みクロック信号
GBL、/GBL グローバルビットライン
GSL グローバルソースライン
MC メモリセル
SL ソースライン
WCLK 書き込みクロック信号
WD 書き込みデータ
WE 書き込みイネーブル信号
WL、/WL ワードライン
XADD 行アドレス
XSW 列選択ライン
YADD 列アドレス
YEQ イコライズ制御ライン
Claims (14)
- 磁気トンネル接合素子を備えるメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
同一行の前記メモリセルに共通に接続されたワードラインと、
同一列の前記メモリセルに共通に接続されたビットラインと、
ワードラインの電圧をアクティブレベルに設定することにより、書き込み対象のメモリセルを選択する行選択手段と、
前記ビットラインに電圧を印加して、アクティブレベルに設定されたワードラインに接続されたメモリセルに電流を流すことにより、前記磁気トンネル接合素子の抵抗状態を設定して、該メモリセルにデータを書き込む書込手段と、
を備え、
前記行選択手段は、書き込みトリガ信号に応答し、現在選択している前記ワードラインの電圧を非アクティブレベルに設定し、
前記書込手段は、選択状態にあったワードラインの電圧が非アクティブレベルに達した以降のタイミングで、次の書き込み対象のメモリセルに接続された前記ビットラインに、書き込みデータに対応する電圧を印加する、
磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記行選択手段は、選択状態にあったワードラインの電圧が非アクティブレベルに達して以降のタイミングで、次の書き込み対象の前記メモリセルに接続されている前記ワードラインの電圧をアクティブレベルに設定する、
請求項1に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記書込手段は、前記書き込みトリガ信号に応答して、選択状態にあったワードラインの電圧が非アクティブレベルに達するのに要する時間以上の長さを有する所定の時間の経過後、次の書き込み対象のメモリセルに接続されている前記ビットラインに、次の書き込みデータに対応する電圧を印加し、
前記行選択手段は、前記所定の時間の経過後、次の書き込み対象のメモリセルに接続されている前記ワードラインの電圧をアクティブレベルに設定する、
請求項1又は2に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記書き込みトリガ信号が供給される遅延回路をさらに備え、
前記行選択手段は、前記書き込みトリガ信号に応答して、選択中のワードラインの電圧を非アクティブレベルに設定し、前記遅延回路から出力された前記書き込みトリガ信号に応答して、次の書き込み対象の前記メモリセルに接続されている前記ワードラインをアクティブレベルに設定し、
前記書込手段は、前記遅延回路から出力された前記書き込みトリガ信号に応答して、次の書き込み対象のメモリセルに接続されている前記ビットラインに、次の書き込みデータに対応する電圧を印加する、
請求項1,2又は3に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記行選択手段と前記書込手段には、クロック信号が供給され、
前記行選択手段と前記書込手段は、クロック信号に基づいて、前記所定の時間を求める、
請求項3に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記クロック信号として、第1のクロック信号と第2のクロック信号とを含む多相クロック信号を使用し、
前記行選択手段と前記書込手段とは、前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号の位相差から前記所定の時間を求める、
請求項5に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - ダミーのメモリセルが接続されたダミーのワードラインをさらに備え、
前記行選択手段は、前記ワードラインの何れかの電圧をアクティブレベルに設定するときに前記ダミーのワードラインもアクティブレベルに設定し、アクティブレベルにあるワードラインの電圧を非アクティブレベルに設定するときに前記ダミーのワードラインの電圧も非アクティブレベルに設定し、
前記書込手段は、前記ダミーのワードラインの電圧が非アクティブレベルとなったときに、前記ビットラインに書き込みデータに対応する電圧を設定する、
請求項1,2又は3に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記書込手段は、前記ダミーのワードラインの末端部分又は途中部分の電圧が非アクティブレベルとなったときに、前記ビットラインに書き込みデータに対応する電圧を印加する、
請求項7に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記行選択手段と前記書込手段は、
書き込み対象のメモリセルに接続されたワードラインの電圧がアクティブレベルとなるタイミングと、前記ビットラインの電圧が書き込みデータに対応する電圧となるタイミングが一致するように、前記ワードラインと前記ビットラインを駆動する。
請求項1から8の何れか1項に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - アクティブレベルにあるワードラインに接続されたメモリセルから、前記ビットラインを介して記憶データを読み出す読出手段をさらに備え、
前記行選択手段は書き込みサイクル直後の読み出しサイクルにおいて、アクティブ状態にある前記ワードラインの電圧が非アクティブ状態に達してから、読み出し対象のメモリセルに接続されているワードラインの電圧をアクティブレベルとする、
請求項1から9の何れか1項に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記読出手段は、前記行選択手段が、読み出し対象のメモリセルに接続されたワードラインの電圧を非アクティブレベルに設定している期間に、前記ビットラインの電圧を基準電圧に設定する、
請求項10に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 前記メモリセルの列毎に、前記ビットラインとの間で、前記磁気トンネル接合素子を介して電流が流れるソースラインが配置されており、
前記ソースラインは、1書き込みサイクルにおいて、ハイレベルとローレベルに設定され、
前記ハイレベルとローレベルの期間を設定する手段を備える、
請求項1から11の何れか1項に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 各メモリセルは、対応するワードラインに制御端が接続された第1と第2のスイッチと、前記第1のスイッチの電流路に直列に接続された第1の磁気トンネル接合素子と、前記第2のスイッチの電流路に直列に接続された第2の磁気トンネル接合素子と、を備え、
各列の前記ビットラインは、相補的に電圧が設定される第1と第2のビットラインから構成され、
各メモリセルの前記第1のスイッチと前記第1の磁気トンネル接合素子との直列回路の一端は、対応する列の第1のビットラインに接続され、前記第2のスイッチと前記第2の磁気トンネル接合素子との直列回路の一端は、対応する列の第2のビットラインに接続され、
前記メモリセルの列毎にソースラインが配置されており、
各メモリセルの前記第1のスイッチと前記第1の磁気トンネル接合素子との直列回路の他端と、前記第2のスイッチと前記第2の磁気トンネル接合素子との直列回路の他端と、は、対応する列の前記ソースラインに共通に接続されており、
前記ソースラインに電圧を設定する手段をさらに備える、
請求項1から12の何れか1項に記載の磁気抵抗変化型記憶装置。 - 磁気トンネル接合素子を備えるメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルと、
同一行の前記メモリセルに共通に接続されたワードラインと、
同一列の前記メモリセルに共通に接続されたビットラインと、
を備える磁気抵抗変化型記憶装置のアクセス方法であって、
選択中の前記ワードラインの電圧を非アクティブレベルに切り替え、ワードラインの電圧が非アクティブレベルに達した後で、次に選択するメモリセルに接続された前記ビットラインに書き込みデータに対応する電圧を印加する、
磁気抵抗変化型記憶装置のアクセス方法。
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