JP2017135099A - センサ及びそれを用いたスイッチ - Google Patents

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Abstract

【課題】ユーザが意図しない操作で反応することを抑制できる非接触センサ及び非接触操作スイッチを提供する。【解決手段】検知対象を非接触で検知するためのセンサであって、第一の電極10と、第一の電極10の外側の少なくとも一部に配置された第二の電極20と、第一の電極10と第二の電極20との間に配置された第三の電極30と、第一の電極10の静電容量である第一の静電容量の変化を検出することにより、第一の領域内に検知対象が入ったことを検知し、かつ第二の電極20の静電容量である第二の静電容量の変化を検出することにより、第二の領域に検知対象が入ったことを検知する判定回路200とを備え、第三の電極30の電位は、第一の電極10の電位及び第二の電極20の電位よりも負であり、平面視において、第二の領域は、第一の領域の外周の少なくとも一部を囲んでいる。【選択図】図2B

Description

本開示は、センサ及びそのセンサを備えるスイッチに関する。
従来、ユーザが機器のオンオフ等の操作を行うための操作スイッチにセンサが用いられている。この種のセンサとして、静電容量を利用した静電容量式のセンサが知られている。例えば、特許文献1には、静電容量式の接触センサ(タッチセンサ)が開示されている。
特許文献1に開示された接触センサは、第一接触センサ部である操作スイッチと、操作スイッチに近接して配置された第二接触センサ部であるダミースイッチと、ダミースイッチの出力に基づいて、操作スイッチに対して有効な接触が行われたか否かを検知するセンサ検知部とを有する。この接触センサでは、ダミースイッチがユーザの接触を検知しているときには操作スイッチがユーザの接触を検知していても操作スイッチの出力を無効にすることで、意図的な接触のみ有効にしている。これにより、ユーザが意図しない操作で接触センサが反応することを防止できる。
特開2009−111996号公報
しかしながら、特許文献1に開示された技術は、検知対象(ユーザの手等)が接触することで検知対象を検知する接触センサとしては有効であるが、非接触で検知対象を検知する非接触センサの場合には効果がなく、ユーザが意図しない操作によって非接触センサが反応することを防止することができない。
例えば、特許文献1に開示された技術を非接触センサに適用すると、操作スイッチによる検知範囲がダミースイッチの検知範囲に含まれてしまうため、ユーザが操作スイッチに手を接近させると、操作スイッチだけではなくダミースイッチにおいても手が検知されてしまうことになる。つまり、全ての操作が無効化されてしまう。
そこで本開示は、ユーザが意図しない操作で反応することを抑制できる非接触センサ及び非接触操作スイッチを提供する。
本開示に係るセンサの一態様は、検知対象を非接触で検知するためのセンサであって、第一の電極と、前記第一の電極の外側の少なくとも一部に配置された第二の電極と、前記第一の電極と前記第二の電極との間に配置された第三の電極と、前記第一の電極の静電容量である第一の静電容量の変化を検出することにより、第一の領域内に前記検知対象が入ったことを検知し、かつ前記第二の電極の静電容量である第二の静電容量の変化を検出することにより、第二の領域に前記検知対象が入ったことを検知する判定回路とを備え、前記第三の電極の電位は、前記第一の電極の電位及び前記第二の電極の電位よりも負であり、平面視において、前記第二の領域は、前記第一の領域の外周の少なくとも一部を囲んでいる。
本開示によれば、ユーザが意図しない操作で反応することを抑制できる非接触センサ及び非接触操作スイッチを実現することができる。
実施の形態1に係る非接触センサの平面図である。 図1AのIB−IB線における実施の形態1に係る非接触センサの断面図である。 実施の形態1に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の平面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の図2AのIIB−IIBにおける断面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の図2AのIIC−IICにおける断面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサの第一の検知領域の分布を示す図である。 第三の電極が配置されていない非接触センサの第二の検知領域の分布を示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサの第二の検知領域の分布を示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサを用いた非接触操作スイッチの一例を示す図である。 比較例の非接触センサの平面図である。 比較例の非接触センサを用いた非接触操作スイッチの使用例を示す図である。 比較例の非接触センサを用いた非接触操作スイッチの使用例を示す図である。 比較例の非接触センサを用いた非接触操作スイッチの使用例を示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサを用いた非接触操作スイッチの使用例を示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサを用いた非接触操作スイッチの使用例を示す図である。 実施の形態2に係る非接触センサの平面図である。 実施の形態2に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の平面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態2に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の図12AのXIIB−XIIBにおける断面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態2に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の図12AのXIIC−XIICにおける断面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサの使用例を示す図である。 実施の形態2に係る非接触センサの使用例を示す図である。 実施の形態3に係る非接触センサの平面図である。 実施の形態3に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の平面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態3に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の図16AのXVIB−XVIBにおける断面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態3に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の図16AのXVIC−XVICにおける断面視での分布を模式的に示す図である。 変形例1に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の断面視での分布を模式的に示す図である。 変形例2に係る非接触センサにおける第一の検知領域及び第二の検知領域の断面視での分布を模式的に示す図である。 実施の形態1に係る非接触センサの判定回路の処理の一例を示すフローチャートである。 実施の形態1に係る非接触センサの判定回路の処理の一例を示すフローチャートである。 実施の形態1に係る非接触センサの判定回路の処理の一例を示すフローチャートである。
本開示は、以下の項目に記載のセンサ及びスイッチを少なくとも含む。
〔項目1〕
項目1に係るセンサは、検知対象を非接触で検知するためのセンサであって、
第一の電極と、
前記第一の電極の外側の少なくとも一部に配置された第二の電極と、
前記第一の電極と前記第二の電極との間に配置された第三の電極と、
前記第一の電極の静電容量である第一の静電容量の変化を検出することにより、第一の領域内に前記検知対象が入ったことを検知し、かつ前記第二の電極の静電容量である第二の静電容量の変化を検出することにより、第二の領域に前記検知対象が入ったことを検知する判定回路とを備える。
前記第三の電極の電位は、前記第一の電極の電位及び前記第二の電極の電位よりも負である。
平面視において、前記第二の領域は、前記第一の領域の外周の少なくとも一部を囲んでいる。
項目1に記載のセンサにおいて、前記判定回路は、演算回路と、プログラムを記憶するメモリとを含み、前記プログラムが前記演算回路により実行されるときに、前記プログラムは、前記判定回路に、前記第一の静電容量の変化を検出することにより、前記第一の領域内に前記検知対象が入ったことを検知させ、かつ前記第二の静電容量の変化を検出することにより、前記第二の領域に前記検知対象が入ったことを検知させてもよい。
〔項目2〕
項目1に記載のセンサにおいて、
平面視において、前記第二の領域は、前記第一の領域の外周の全体を連続的に囲んでいてもよい。
〔項目3〕
項目2に記載のセンサにおいて、
第一の断面における断面視において、前記第一の領域の第一の断面は、前記第二の領域の2つの第一の断面の間にあり、
前記第一の断面と直交する第二の断面における断面視において、前記第一の領域の第二の断面は、前記第二の領域の2つの第二の断面の間にあってもよい。
〔項目4〕
項目1に記載のセンサにおいて、
平面視において、前記第二の領域は、前記第一の領域の外周のうち半分以上を囲んでいてもよい。
〔項目5〕
項目4に記載のセンサにおいて、
第一の断面における断面視において、前記第一の領域の第一の断面は、前記第二の領域の2つの第一の断面の間にあり、
前記第一の断面と直交する第二の断面における断面視において、前記第二の領域の第二の断面は、前記第一の領域の第二の断面の片側のみに存在してもよい。
〔項目6〕
項目1に記載のセンサにおいて、
前記センサにおいて、複数の第二の電極が設けられており、前記複数の電極の各々は前記第二の電極であり、
前記判定回路は、前記複数の第二の電極の静電容量の変化を検出することにより、複数の第二の領域内に前記検知対象が入ったことを検知し、前記複数の第二の領域の各々は前記第二の領域であり、
平面視において、前記複数の第二の領域は、前記第一の領域の外周を断続的に囲んでいてもよい。
〔項目7〕
項目6に記載のセンサにおいて、
第一の断面における断面視において、前記第一の領域の第一の断面は、前記複数の第二の領域のうちの2つの第二の領域の2つの第一の断面の間にあり、
前記第一の断面と直交する第二の断面における断面視において、前記第一の領域の第二の断面は、前記複数の第二の領域のうちの2つの第二の領域の2つの第二の断面の間にあってもよい。
〔項目8〕
項目1から7のいずれかに記載のセンサにおいて、
前記判定回路は、
前記第一の静電容量が第一の値を超え、且つ、前記第二の静電容量が第二の値を超えない場合に検知信号を生成し、
前記第一の静電容量が第一の値を超え、且つ、前記第二の静電容量が第二の値を超える場合に、前記検知信号を生成しなくてもよい。
項目8に記載のセンサにおいて、前記判定回路は、演算回路と、プログラムを記憶するメモリとを含み、前記プログラムが前記演算回路により実行されるときに、前記プログラムは、前記判定回路に、前記第一の静電容量が前記第一の値を超え、且つ、前記第二の静電容量が前記第二の値を超えない場合に前記検知信号を生成させてもよい。
検知信号は、センサが検知対象を検知したことを示す信号である。
〔項目9〕
項目1から7のいずれかに記載のセンサにおいて、
前記判定回路は、
前記第一の静電容量が第一の値を超え、且つ、前記第二の静電容量が第二の値を超えない場合であって、前記第二の静電容量に対する前記第一の静電容量の比率が第三の値以上である場合に、検知信号を生成してもよい。
項目9に記載のセンサにおいて、前記判定回路は、演算回路と、プログラムを記憶するメモリとを含み、前記プログラムが前記演算回路により実行されるときに、前記プログラムは、前記判定回路に、前記第一の静電容量が前記第一の値を超え、且つ、前記第二の静電容量が前記第二の値を超えない場合であって、前記比率が前記第三の値以上である場合に、前記検知信号を生成させてもよい。
〔項目10〕
項目1から7のいずれかに記載のセンサにおいて、
前記判定回路は、
前記第一の静電容量が第一の値を超える場合であって、前記第二の静電容量に対する前記第一の静電容量の比率が第三の値以上である場合に、検知信号を生成してもよい。
項目10に記載のセンサにおいて、前記判定回路は、演算回路と、プログラムを記憶するメモリとを含み、前記プログラムが前記演算回路により実行されるときに、前記プログラムは、前記判定回路に、前記第一の静電容量が前記第一の値を超える場合であって、前記比率が前記第三の値以上である場合に、前記検知信号を生成させてもよい。
〔項目11〕
項目1から10のいずれかに記載のセンサにおいて、
断面視において、前記センサの表面から前記第二の領域の断面の先端までの距離は、前記センサの表面から前記第一の領域の断面の先端までの距離よりも長くてもよい。
〔項目12〕
項目1から11のいずれかに記載のセンサにおいて、
前記第三の電極の前記電位が接地電位であってもよい。
〔項目13〕
項目1から12のいずれかに記載のセンサにおいて、
平面視において、前記第一の領域と前記第二の領域とが部分的に重なっていてもよい。
〔項目14〕
項目14に係るスイッチは、
機器を操作するためのスイッチであって、
項目1から13のいずれかに記載のセンサと、
前記センサからの検知信号に基づいて、前記機器を操作するための操作信号を生成する制御部とを備える。
本開示において、回路、ユニット、装置、部材又は部の全部又は一部、又はブロック図の機能ブロックの全部又は一部は、半導体装置、半導体集積回路、又はLSIを含む一つ又は複数の電子回路によって実行されてもよい。LSI又はICは、一つのチップに集積されてもよいし、複数のチップを組み合わせて構成されてもよい。例えば、記憶素子以外の機能ブロックは、一つのチップに集積されてもよい。ここでは、LSI及びICと呼んでいるが、集積の度合いによって呼び方が変わり、システムLSI、VLSI、若しくはULSIと呼ばれるものであってもよい。 LSIの製造後にプログラムされる、Field Programmable Gate Array (FPGA)、又はLSI内部の接合関係の再構成又はLSI内部の回路区画のセットアップができるReconfigurable Logic Deviceも同じ目的で使うことができる。
さらに、回路、ユニット、装置、部材又は部の全部又は一部の機能又は操作は、ソフトウエア処理によって実行することが可能である。この場合、ソフトウエアは一つ又は複数のROM、光学ディスク、ハードディスクドライブなどの非一時的記録媒体に記録され、ソフトウエアが処理装置によって実行されたときに、そのソフトウエアで特定された機能が処理装置および周辺装置によって実行される。システム又は装置は、ソフトウエアが記録されている一つ又は複数の非一時的記録媒体、処理装置、及び必要とされるハードウエアデバイス、例えばインターフェース、を備えていても良い。
以下、本開示の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺等は必ずしも一致していない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
また、本明細書及び図面において、X軸、Y軸及びZ軸は、三次元直交座標系の三軸を表している。本実施の形態では、Z軸方向を鉛直方向とし、Z軸に垂直な方向(XY平面に平行な方向)を水平方向としている。X軸及びY軸は、互いに直交し、かつ、いずれもZ軸に直交する軸である。なお、本明細書において、「平面視」とは、第一の電極10、第二の電極20、第三の電極30又は基板40の表面に対して垂直方向から見たときのことを指し、具体的には、XZ平面である。
(実施の形態1)
実施の形態1に係る非接触センサ1の構成について、図1Aから図2Cを用いて説明する。図1Aは、実施の形態1に係る非接触センサ1の平面図であり、図1Bは、図1AのIB−IB線における非接触センサ1の断面図である。なお、図1Aでは、第一の電極10、第二の電極20及び第三の電極30のパターン及び配置関係を分かりやすくするために、第一の電極10、第二の電極20及び第三の電極30が形成されている領域にハッチングを施している。また、図2Aから図2Cは、非接触センサ1における第一の検知領域51及び第二の検知領域52の分布(範囲)を模式的に示す図であり、図2Aは平面視での分布、図2Bは図2AのIIB−IIBにおける断面視での分布、図2Cは図2AのIIC−IICにおける断面視での分布を示している。
非接触センサ1は、人及び物等の検知対象を非接触で検知することができる非接触式のセンサである。また、非接触センサ1は、検知対象と非接触センサ1との間に生じる静電容量の変化を検出することで検知対象の接近を検知する静電容量式のセンサである。なお、非接触センサ1は、検知対象が近接した場合に限らず、検知対象が接触した場合にも検知対象を検知することができる。
図1A及び図1Bに示すように、非接触センサ1は、第一の電極10と、第二の電極20と、第三の電極30とを有する。本実施の形態において、非接触センサ1は、さらに、基板40を有する。基板40としては、樹脂材料からなる樹脂基板又は金属を絶縁被膜したメタルベース基板等を用いることができる。なお、基板40は、例えば、平面視形状が矩形状であるが、これに限るものではない。
第一の電極10、第二の電極20及び第三の電極30は、例えば、銅又は銀等の金属材料によって構成されており、基板40の一方の面に所定のパターン及び所定の配置で形成されている。具体的には、基板40の中央から外側に向かって、第一の電極10、第三の電極30及び第二の電極20の順で配置されている。図1Bに示すように、第一の電極10、第二の電極20及び第三の電極30の各々は、検知対象が接近したことによる静電容量の変化を検出するために、判定回路200と電気的に接続されている。なお、図1B以外の図面では、判定回路は図示せず省略する。
図1Aに示すように、第一の電極10は、第二の電極20の内側に配置されている。第一の電極10は、例えば、平面視形状が円形であり、基板40の中央に配置されている。なお、第一の電極10の平面視形状は、円形に限るものではなく、矩形等であってもよい。
図2A及び図2Bに示すように、第一の電極10は、第一の領域に検知対象が入ってきたときに検知対象が第一の電極10に近接したことを検知する第一のセンサ部として機能する。本明細書において、この第一の領域を、第一の検知領域51と呼ぶ。つまり、第一の検知領域51は、第一の電極10によって検知対象を検知することができる領域である。
一方、第二の電極20は、第二の領域に検知対象が入ってきたときに検知対象が第二の電極20に近接したことを検知する第二のセンサ部として機能する。本明細書において、この第二の領域を、第二の検知領域52と呼ぶ。つまり、第二の検知領域52は、第二の電極20によって検知対象を検知することができる領域である。
図1A及び図1Bに示すように、第二の電極20は、第一の電極10の外側の少なくとも一部に配置されている。本実施の形態では、第二の電極20は、第一の電極10の外側に配置された第三の電極30の外側に配置されており、第三の電極30を介して第一の電極10の周囲を囲むように配置されている。具体的には、第二の電極20は、第一の電極10と同心であって、第一の電極10及び第三の電極30の全体を囲むように枠状に、かつ、一定の幅で連続的に配置されている。
また、第二の電極20は、第一の電極10及び第三の電極30のそれぞれと所定の間隔をあけて配置されている。本実施の形態において、第二の電極20は、基板40の外周端部に沿って配置されている。なお、第二の電極20は、平面視形状が略矩形の枠状に形成されているが、これに限るものではなく、例えば、第一の電極10と同心円状となるように、平面視形状が円形の枠状に形成されていてもよい。
図1A及び図1Bに示すように、第三の電極30は、第一の電極10と第二の電極20との間に配置されている。本実施形態において、第三の電極30は、接地電位に設定されたグランド電極(GND電極)である。
本実施の形態では、第三の電極30は、第一の電極10の周囲を囲むように配置されている。具体的には、第三の電極30は、第一の電極10と同心であって、第一の電極10の外周の全体を囲むように配置されている。第三の電極30は、一定の幅で連続的に配置されている。
なお、第一の電極10、第二の電極20及び第三の電極30は、互いに同心で配置されているが、これに限るものではない。また、第三の電極30は、平面視形状が略矩形の枠状に形成されているが、これに限るものではなく、例えば、平面視形状が円形の枠状に形成されていてもよい。なお、本実施の形態では、第二の電極20と第三の電極30とは相似形であるが、これに限るものではない。
このように構成される非接触センサ1では、第一の電極10と第二の電極20との間に、接地電位に設定された第三の電極30が配置されている。
本実施の形態では、図2Aに示すように、平面視において、第二の電極20によって検知対象を検知することができる領域である第二の検知領域52は、第一の電極10によって検知対象を検知することができる領域である第一の検知領域51を囲んでいる。具体的には、第二の電極20が第一の電極10の外周の全体を連続的に囲んでいるので、第二の検知領域52は、第一の検知領域51の外周の全体を連続的に囲んでいる。
また、任意の断面において、第一の検知領域51の中心を含む少なくとも一部の領域は、第二の検知領域52と重なっていない。具体的には、図2Bに示すように、第一の断面であるXY断面における断面視において、第一の検知領域51の断面は、2つの第二の検知領域52の断面の間に挟まれている。また、第一の断面と直交する第二の断面であるYZ断面における断面視においても、第一の検知領域51の断面は、2つの第二の検知領域52の断面の間に挟まれている。
ここで、第一の検知領域51及び第二の検知領域52の分布について、図3Aから図3Cを用いて説明する。図3Aから図3Cは、第一の電極10及び第二の電極20に関する電束密度のシミュレーション結果を示す図である。図3Aは第一の電極10によって検知対象を検知することができる領域である第一の検知領域の分布、図3Bは第三の電極30が配置されていない場合の第二の電極20によって検知対象を検知することができる領域である第二の検知領域の分布、図3Cは接地電位に設定された第三の電極30が配置されている場合の第二の検知領域の分布を示している。
図3Aと図3Bとの比較から分かるように、接地電位に設定された第三の電極30を配置しなければ、第一の検知領域51が第二の検知領域52に被さってしまうことになる。この結果、第一の電極10のみによって検知対象の接近を検知することができなくなる。
一方、図3Cに示すように、第二の電極20の内側に接地電位に設定された第三の電極30を配置することで、第二の電極20の内側に第二の電極20で検知されない空間が形成される。この結果、第二の電極20の内側に、接地電位に設定された第三の電極30を介して第一の電極10を配置することで、第二の電極20の内側の領域(中央領域)では、第一の電極10のみによって検知対象の接近を検知することが可能となる。
次に、本実施の形態に係る非接触センサ1の検知方法の一例について、図4を用いて説明する。図4は、実施の形態1に係る非接触センサ1を用いた非接触操作スイッチ100の一例を示す図である。
非接触操作スイッチ100は、非接触センサ1と、非接触センサ1で生成された検知信号に基づいて機器を操作するための操作信号を生成する制御部2とを有する。
非接触操作スイッチ100は、例えば洗面台の鏡110の背面に設置される。これにより、非接触センサ1に検知対象が接近したときに検知対象を検知することができる。なお、非接触操作スイッチ100によって操作される操作対象の機器は、例えば、洗面台に設置された照明装置(不図示)である。
この場合、図4に示すように、照明装置を操作するためにユーザが第一の電極10に手を近づけると、非接触センサ1は、ユーザの手が検知されたことを示す検知信号を生成する。制御部2は、非接触センサ1で生成された検知信号を受け取り、この検知信号に基づいて照明装置の点消灯を操作するための操作信号を生成して、照明装置に出力する。これにより、ユーザは、照明装置のオンオフ等の操作を行うことができる。
ここで、図4と図5から図10を用いて、本実施の形態における非接触センサ1の検知方法について、比較例の非接触センサ1Xと比較して説明する。図5は、比較例の非接触センサ1Xの平面図であり、図6から図8は、比較例の非接触センサ1Xを用いた非接触操作スイッチ100Xの使用例を示す図である。図9及び図10は、実施の形態1に係る非接触センサ1を用いた非接触操作スイッチ100の使用例を示す図である。
図5に示される比較例の非接触センサ1Xは、静電容量式のセンサであって、第一の電極10のみを有する。この比較例の非接触センサ1Xを用いた非接触操作スイッチ100Xは、図6に示すように、操作対象の機器、例えば照明装置を操作するためにユーザが非接触センサ1Xの第一の電極10に手を近づけることで、操作対象の機器を操作することができる。
しかしながら、比較例の非接触センサ1Xでは、ユーザが機器を操作するつもりがないにもかかわらず、非接触センサ1Xが反応してしまう場合がある。つまり、ユーザが意図しない操作によって非接触センサ1Xが反応してしまう場合がある。
例えば、図7に示すように、ユーザが洗顔しているときに意図せずにユーザの頭が非接触センサ1Xに近接すると、ユーザの頭が第一の検知領域51に存在する状態になる。これにより非接触センサ1Xが反応してしまい、操作対象の機器に対してユーザが意図しない操作が行われることになる。具体的には、ユーザが照明装置のオンオフ制御をするつもりがないにもかかわらず、照明装置がオンオフ制御されてしまう。
また、図8に示すように、ユーザが髭剃りをしているときに意図せずにユーザの腕が非接触センサ1Xに近接すると、ユーザの腕が第一の検知領域51に存在する状態になる。これにより非接触センサ1Xが反応してしまい、操作対象の機器に対してユーザが意図しない操作が行われることになる。その他にも、ユーザが歯磨きをしているときに意図せずにユーザの腕が非接触センサ1Xに近接することで非接触センサ1Xが反応してしまうこともある。
これに対して、本実施の形態における非接触センサ1では、次のような検知判定アルゴリズムによって、ユーザが意図する操作のみを検知して、ユーザが意図しない操作については非接触センサ1が反応しないようにしている。図19から図21は、本実施の形態における非接触センサ1の判定回路200の処理の一例を示すフローチャートである。
具体的には、図19に示すように、非接触センサ1の判定回路200は、第一の電極10で検知した第一の静電容量と第一の値とを比較する(S101)。第一の静電容量が第一の値を超える場合(S101でYES)、判定回路200は、第二の電極20で検知した第二の静電容量と第二の値とを比較する(S103)。第二の静電容量が第二の値を超えない場合(S103でNO)、出力信号として検知信号を生成する(S105)。判定回路200は、第一の静電容量が第一の値を超えても(S101でYES)、第二の静電容量も第二の値を超える場合(S103でYES)、検知信号を生成しない。
つまり、判定回路200は、第一の検知領域51のみに検知対象が接近した場合に検知信号を生成し、第一の検知領域51及び第二の検知領域52に検知対象が接近した場合には検知信号を生成しない。言い換えると判定回路200は、第二の検知領域52において検知対象の接近を検知しているときは、第一の検知領域51が検知対象の接近を検知しても検知対象が接近したことを無効化している。
具体的には、図4に示すように、ユーザの手が第一の検知領域51のみに接近した場合には非接触センサ1が反応して検知信号が生成される。一方、図9に示すように、ユーザが洗顔しているときに意図せずにユーザの頭が非接触センサ1に近接した場合には、第一の検知領域51及び第二の検知領域52にユーザの頭が接近するので、非接触センサ1が反応せずに検知信号が生成されない。同様に、図10に示すように、ユーザが髭剃りをしているときに意図せずにユーザの腕が非接触センサ1に近接した場合にも、第一の検知領域51及び第二の検知領域52にユーザの腕が接近するので、非接触センサ1が反応せずに検知信号が生成されない。
これにより、第一の検知領域51のみに検知対象が接近した場合に、非接触センサ1を反応させることができる。この結果、ユーザが機器に対して意図した操作を行ったときに非接触センサ1が反応するので、ユーザが意図しない操作によって非接触センサ1が反応してしまうことを抑制できる。例えば、ユーザの頭または腕による意図しない操作による非接触センサ1の誤反応を抑制することができ、手による意図した操作のみに反応させることができる。
また、上記の検知判定アルゴリズムに代えて、非接触センサ1の判定回路200は、次の検知判定アルゴリズムにより検知信号を生成してもよい。具体的には、図20に示すように、非接触センサ1の判定回路200は、第一の静電容量と第一の値とを比較する(S201)。第一の静電容量が第一の値を超える場合(S201でYES)、判定回路200は、第二の静電容量に対する第一の静電容量の比率と、第三の値とを比較する(S203)。第二の静電容量に対する第一の静電容量の比率が第三の値以上である場合(S203でYES)、判定回路200は検知信号を生成する(S205)。例えば、判定回路200は、第二の静電容量に対する第一の静電容量の比率が1よりも大きい場合に検知信号を生成する。判定回路200は、第一の静電容量が第一の値を超えても(S201でYES)、第二の静電容量に対する第一の静電容量の比率が第三の値以上ではない場合(S203でNO)、検知信号を生成しない。
これにより、第一の検知領域51と第二の検知領域52とにまたがって検知対象が存在する場合であっても、判定回路200は、第一の検知領域51の方に検知対象が接近したことを検知することができる。例えば、機器を操作するためにユーザが手を非接触センサ1の第一の検知領域51に接近させたときに、ユーザが意図せずに手が第二の検知領域52にまで被さってしまった場合であっても、判定回路200は、第一の検知領域51にユーザの手が接近したことを検出する。つまり、判定回路200は、ユーザが機器を操作しようとしたと判別できる。この結果、非接触センサ1は、ユーザが意図しない操作で非接触センサ1が反応してしまうことを抑制しつつ、ユーザが意図した操作を的確に行うことができる。
また、上記の検知判定アルゴリズムに代えて、非接触センサ1の判定回路200は、次の検知判定アルゴリズムにより検知信号を生成してもよい。具体的には、図21に示すように、非接触センサ1の判定回路200は、第一の静電容量と第一の値とを比較する(S301)。第一の静電容量が第一の値を超える場合(S301でYES)、判定回路200は、第二の静電容量と第二の値とを比較する(S303)。第二の静電容量が第二の値を超えない場合(S303でNO)、判定回路200は、第二の静電容量に対する第一の静電容量の比率と、第三の値とを比較する(S305)。第二の静電容量に対する第一の静電容量の比率が第三の値以上である場合(S305でYES)、判定回路200は検知信号を生成する(S307)。判定回路200は、例えば、第二の検知領域52で検知した静電容量に対する第一の検知領域51で検知した静電容量の比率が1よりも大きい場合に検知信号を生成する。
これにより、第一の検知領域51と第二の検知領域52とにまたがって検知対象が存在する場合であっても、判定回路200は、第一の検知領域51の方に検知対象が接近したことをより正確に検知することができる。この結果、ユーザが第一の検知領域51に接近させたことをより正確に判別できるので、非接触センサ1は、ユーザが意図しない操作で非接触センサ1が反応してしまうことを抑制しつつ、ユーザが意図した操作をより的確に行うことができる。
以上、本実施の形態に係る非接触センサ1によれば、第一の電極10と、第一の電極10の外側の少なくとも一部に配置された第二の電極20と、第一の電極10と第二の電極20との間に配置され、第一の電極10及び第二の電極20の電位よりも負の電位に設定された第三の電極30とを有する。第三の電極30は、接地電位に設定されていてもよい。
これにより、各々が検知対象を検知できる第一の検知領域51と第二の検知領域52とを形成することができるので、第二の検知領域52が検知対象の接近を検知しているときは第一の検知領域51が検知対象の接近を検知していても検知対象が接近したことを無効化することが可能となる。したがって、ユーザが意図しない操作によって非接触センサ1が反応してしまうことを抑制できる。
(実施の形態2)
次に、実施の形態2に係る非接触センサ1Aの構成について、図11から図12Cを用いて説明する。図11は、実施の形態2に係る非接触センサ1Aの平面図である。図12Aから図12Cは、同非接触センサ1Aにおける第一の検知領域51及び第二の検知領域52Aの分布を模式的に示す図であり、図12Aは平面視での分布、図12Bは図12AのXIIB−XIIBにおける断面視での分布、図12Cは図12AのXIIC−XIICにおける断面視での分布を示している。なお、図11では、第一の電極10、第二の電極20A及び第三の電極30のパターン及び配置関係を分かりやすくするために、第一の電極10、第二の電極20A及び第三の電極30が配置されている領域にハッチングを施している。
本実施の形態における非接触センサ1Aが上記実施の形態1における非接触センサ1と異なる点は、第二の電極20Aの形状である。具体的には、上記実施の形態1における第二の電極20は、第一の電極10及び第三の電極30の外周の全体を囲むように連続して配置されていたが、本実施の形態における第二の電極20Aは、一部が途切れており、第一の電極10及び第三の電極30の外周の一部を囲むように配置されている。
具体的には、第二の電極20Aは、図11に示すように、平面視において、第一の電極10及び第三の電極30の外周のうち半分以上を囲んでいる。より具体的には、第二の電極20Aは、コ字状に形成されており、矩形枠状の第三の電極30の4辺のうちの3辺を囲むように配置されている。
このように、本実施の形態では、第二の電極20Aが第一の電極10の外周のうち半分以上を囲んでいる。これにより、図12Aに示すように、平面視において、第二の電極20Aによって検知対象を検知することができる領域である第二の検知領域52Aは、第一の電極10によって検知対象を検知することができる領域である第一の検知領域51の外周のうち半分以上を囲むことになる。
また、図12Bに示すように、第一の断面であるXY断面における断面視において、第一の検知領域51の断面は、2つの第二の検知領域52Aの断面の間に挟まれている。また、図12Cに示すように、第一の断面と直交する第二の断面であるYZ断面における断面視において、第二の検知領域52Aの断面は、第一の検知領域51の断面の片側のみに存在する。
このように構成される本実施の形態における非接触センサ1Aは、上記実施の形態1と同様に、非接触操作スイッチに適用することができる。また、本実施の形態における非接触センサ1Aでは、上記実施の形態1と同様の検知判定アルゴリズムによって、ユーザの手等の検知対象を検知することができる。これにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。例えば、ユーザが意図しない操作によって非接触センサ1Aが反応してしまうことを抑制できる。
さらに、本実施の形態における非接触センサ1Aによれば、以下の効果を得ることができる。
図13に示すように、上記実施の形態1における非接触センサ1では、ユーザが第一の検知領域51に手を入れたときに、ユーザの操作を無効と判断する第二の検知領域52にも手が入ってしまい、検知判定アルゴリズムによっては、ユーザとしては意図する操作であるにもかかわらず、非接触センサ1が反応しない場合がある。
これに対して、図14に示すように、本実施の形態における非接触センサ1Aでは、第二の検知領域52Aの一部が途切れているので、第二の検知領域52Aに手を入れることなく第一の検知領域51のみに手を入れることが可能となる。これにより、例えば、手先以外に手のひらでも非接触センサ1Aを操作することができる。この結果、ユーザが第一の検知領域51に接近させたことを正確に判別できるので、ユーザが意図しない操作で非接触センサ1Aが反応してしまうことを抑制しつつ、ユーザが意図した操作で非接触センサ1Aを的確に反応させることができる。
以上、本実施の形態に係る非接触センサ1Aによれば、上記実施の形態1と同様に、第一の電極10と、第一の電極10の外側の少なくとも一部に配置された第二の電極20Aと、第一の電極10と第二の電極20Aとの間に配置され、第一の電極10及び第二の電極20Aの電位よりも負の電位に設定された第三の電極30とを有する。第三の電極30は、接地電位に設定されていてもよい。
これにより、上記実施の形態1と同様に、各々が検知対象を検知できる第一の検知領域51と第二の検知領域52Aとを形成することができるので、ユーザが意図しない操作によって非接触センサ1Aが反応してしまうことを抑制できる。
さらに、本実施の形態では、平面視において第二の検知領域52Aが第一の検知領域51の外周のうち半分以上を囲んでいる。また、第一の断面であるXY断面における断面視において、第一の検知領域51の断面は、2つの第二の検知領域52Aの断面の間に挟まれている。また、図12Cに示すように、第一の断面と直交する第二の断面であるYZ断面における断面視において、第二の検知領域52Aの断面は、第一の検知領域51の断面の片側のみに存在する。
これにより、上記のように、ユーザが手などを第一の検知領域51に接近させたことを正確に判別できるので、ユーザが意図しない操作で非接触センサ1Aが反応してしまうことを抑制しつつ、ユーザが意図した操作で非接触センサ1Aを的確に反応させることができる。
(実施の形態3)
次に、実施の形態3に係る非接触センサ1Bの構成について、図15から図16Cを用いて説明する。図15は、実施の形態3に係る非接触センサ1Bの平面図である。図16Aから図16Cは、同非接触センサ1Bにおける第一の検知領域51及び第二の検知領域52Bの分布を模式的に示す図であり、図16Aは平面視での分布、図16Bは図16AのXVIB−XVIBにおける断面視での分布、図16Cは図16AのXVIC−XVICにおける断面視での分布を示している。なお、図15では、第一の電極10、第二の電極20B及び第三の電極30のパターン及び配置関係を分かりやすくするために、第一の電極10、第二の電極20B及び第三の電極30が配置されている領域にハッチングを施している。
本実施の形態における非接触センサ1Bが上記実施の形態1における非接触センサ1と異なる点は、第二の電極20Bの個数及び形状である。具体的には、上記実施の形態1では、1つの第二の電極20が、第一の電極10及び第三の電極30の外周の全体を囲むように連続して配置されていた。一方、本実施の形態では、4つの第二の電極20Bが、第一の電極10及び第三の電極30の外周を部分的に囲むように配置されている。
具体的には、4つの第二の電極20Bは、図15に示すように、平面視において、第一の電極10及び第三の電極30の外周の全体を断続的に囲んでいる。より具体的には、第二の電極20Bは、矩形枠状の第三の電極30の4辺の各々と並行する4本の電極で第三の電極30を囲むように配置されている。つまり、本実施の形態における第二の電極20Bは、実施の形態1における第二の電極20において4つの角部を除去した形状である。
このように、本実施の形態では、4つの第二の電極20Bが第一の電極10の外周の全体を断続的に囲んでいる。これにより、図16Aに示すように、平面視において、第二の電極20Bによって検知対象を検知することができる領域である第二の検知領域52Bは、第一の電極10によって検知対象を検知することができる領域である第一の検知領域51の外周の全体を断続的に囲むことになる。
また、図16Bに示すように、第一の断面であるXY断面における断面視において、第一の検知領域51の断面は、2つの第二の検知領域52Bの断面に挟まれている。また、図16Cに示すように、第一の断面と直交する第二の断面であるYZ断面における断面視においても、第一の検知領域51の断面は、2つの第二の検知領域52Bの断面に挟まれている。
このように構成される本実施の形態における非接触センサ1Bは、上記実施の形態1と同様に、非接触操作スイッチに適用することができる。また、本実施の形態における非接触センサ1Bでは、上記実施の形態1と同様の検知判定アルゴリズムによって、ユーザの手等の検知対象を検知することができる。これにより、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。例えば、ユーザが意図しない操作によって非接触センサ1Bが反応してしまうことを抑制できる。
以上、本実施の形態に係る非接触センサ1Bによれば、上記実施の形態1と同様に、第一の電極10と、第一の電極10の外側の少なくとも一部に配置された第二の電極20Bと、第一の電極10と第二の電極20Bとの間に配置され、第一の電極10及び第二の電極20Bの電位よりも負の電位に設定された第三の電極30とを有する。第三の電極30は、接地電位に設定されていてもよい。
これにより、上記実施の形態1と同様に、各々が検知対象を検知できる第一の検知領域51と第二の検知領域52Bとを形成することができるので、ユーザが意図しない操作によって非接触センサ1Bが反応してしまうことを抑制できる。
このように、本実施の形態では、平面視において、複数の第二の検知領域52Bが第一の検知領域51の外周の全体を断続的に囲んでいるが、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
(変形例等)
以上、本開示に係る非接触センサ及び非接触操作スイッチについて、実施の形態1から3に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施の形態1から3に限定されるものではない。
例えば、上記実施の形態1では、断面視において、非接触センサ1の表面から第二の検知領域52の断面の先端までの距離は、非接触センサ1の表面から第一の検知領域51の断面の先端までの距離と同じであった。つまり、第二の検知領域52の断面の高さと第一の検知領域51の断面の高さとは同じであったが、これに限るものではない。図17に示すように、断面視において、非接触センサ1の表面から第二の検知領域52の断面の先端までの距離は、非接触センサ1の表面から第一の検知領域51の断面の先端までの距離よりも長くてもよい。これにより、頭及び腕等の面積の大きい部位の接近時に、第二の検知領域52が第一の検知領域51よりも先に、接近した部位と接触するので、手以外の接近をより確実に無効化することができる。なお、このことは、実施の形態1に限らず、実施の形態2、3においても同様である。
また、上記実施の形態1では、第一の検知領域51と第二の検知領域52との間には、第一の検知領域51及び第二の検知領域52のどちらにも属しない空間が存在していたが、これに限るものではない。具体的には、図18に示すように、第一の検知領域51と第二の検知領域52とは互いの境界部分で部分的に重なっていてもよい。なお、このことは、実施の形態1に限らず、実施の形態2、3においても同様である。
その他、上記の各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、又は、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で上記の実施の形態1から3における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
本開示は、人体又は物等の検知対象の動きのセンシング等に用いることができるので、ユーザが機器の操作を行うための非接触センサ及び非接触操作スイッチ等として利用することができる。
1、1A、1B、1X 非接触センサ
2 制御部
10 第一の電極
20、20A、20B 第二の電極
30 第三の電極
40 基板
51 第一の検知領域
52、52A、52B 第二の検知領域
100、100X 非接触操作スイッチ
110 鏡
200 判定回路

Claims (14)

  1. 検知対象を非接触で検知するためのセンサであって、
    第一の電極と、
    前記第一の電極の外側の少なくとも一部に配置された第二の電極と、
    前記第一の電極と前記第二の電極との間に配置された第三の電極と、
    前記第一の電極の静電容量である第一の静電容量の変化を検出することにより、第一の領域内に前記検知対象が入ったことを検知し、かつ前記第二の電極の静電容量である第二の静電容量の変化を検出することにより、第二の領域に前記検知対象が入ったことを検知する判定回路とを備え、
    前記第三の電極の電位は、前記第一の電極の電位及び前記第二の電極の電位よりも負であり、
    平面視において、前記第二の領域は、前記第一の領域の外周の少なくとも一部を囲んでいる
    センサ。
  2. 平面視において、前記第二の領域は、前記第一の領域の外周の全体を連続的に囲んでいる
    請求項1に記載のセンサ。
  3. 第一の断面における断面視において、前記第一の領域の第一の断面は、前記第二の領域の2つの第一の断面の間にあり、
    前記第一の断面と直交する第二の断面における断面視において、前記第一の領域の第二の断面は、前記第二の領域の2つの第二の断面の間にある
    請求項2に記載のセンサ。
  4. 平面視において、前記第二の領域は、前記第一の領域の外周のうち半分以上を囲んでいる
    請求項1に記載のセンサ。
  5. 第一の断面における断面視において、前記第一の領域の第一の断面は、前記第二の領域の2つの第一の断面の間にあり、
    前記第一の断面と直交する第二の断面における断面視において、前記第二の領域の第二の断面は、前記第一の領域の第二の断面の片側のみに存在する
    請求項4に記載のセンサ。
  6. 前記センサにおいて、複数の第二の電極が設けられており、前記複数の電極の各々は前記第二の電極であり、
    前記判例回路は、前記複数の第二の電極の静電容量の変化を検出することにより、複数の第二の領域内に前記検知対象が入ったことを検知し、前記複数の第二の領域の各々は前記第二の領域であり、
    平面視において、前記複数の第二の領域は、前記第一の領域の外周を断続的に囲んでいる
    請求項1に記載のセンサ。
  7. 第一の断面における断面視において、前記第一の領域の第一の断面は、前記複数の第二の領域のうちの2つの第二の領域の2つの第一の断面の間にあり、
    前記第一の断面と直交する第二の断面における断面視において、前記第一の領域の第二の断面は、前記複数の第二の領域のうちの2つの第二の領域の2つの第二の断面の間にある
    請求項6に記載のセンサ。
  8. 前記判定回路は、
    前記第一の静電容量が第一の値を超え、且つ、前記第二の静電容量が第二の値を超えない場合に検知信号を生成し、
    前記第一の静電容量が第一の値を超え、且つ、前記第二の静電容量が第二の値を超える場合に、前記検知信号を生成しない
    請求項1から7のいずれか1項に記載のセンサ。
  9. 前記判定回路は、
    前記第一の静電容量が第一の値を超え、且つ、前記第二の静電容量が第二の値を超えない場合であって、前記第二の静電容量に対する前記第一の静電容量の比率が第三の値以上である場合に、検知信号を生成する
    請求項1から7のいずれか1項に記載のセンサ。
  10. 前記判定回路は、
    前記第一の静電容量が第一の値を超える場合であって、前記第二の静電容量に対する前記第一の静電容量の比率が第三の値以上である場合に、検知信号を生成する
    請求項1から7のいずれか1項に記載のセンサ。
  11. 断面視において、前記センサの表面から前記第二の領域の断面の先端までの距離は、前記センサの表面から前記第一の領域の断面の先端までの距離よりも長い
    請求項1から10のいずれか1項に記載のセンサ。
  12. 前記第三の電極の前記電位が接地電位である
    請求項1から11のいずれか1項に記載のセンサ。
  13. 平面視において、前記第一の領域と前記第二の領域とが部分的に重なっている
    請求項1から12のいずれか1項に記載のセンサ。
  14. 機器を操作するためのスイッチであって、
    検知対象を非接触で検知するためのセンサと、
    前記センサからの検知信号に基づいて、前記機器を操作するための操作信号を生成する制御部とを備え、
    前記センサは、
    第一の電極と、
    前記第一の電極の外側の少なくとも一部に配置された第二の電極と、
    前記第一の電極と前記第二の電極との間に配置された第三の電極と、
    前記第一の電極の静電容量である第一の静電容量の変化を検出することにより、第一の領域内に前記検知対象が入ったことを検知し、前記第二の電極の静電容量である第二の静電容量の変化を検出することにより、第二の領域に前記検知対象が入ったことを検知し、かつ前記第一の静電容量及び前記第二の静電容量に基づいて前記検知信号を生成する判定回路とを備え、
    前記第三の電極の電位は、前記第一の電極の電位及び前記第二の電極の電位よりも負であり、
    平面視において、前記第二の領域は、前記第一の領域の外周の少なくとも一部を囲んでいる
    スイッチ。
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