JP2017129324A - 乾燥システム - Google Patents
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Abstract
Description
図2は、乾燥システム100の概略図を示す図である。なお、図2中、褐炭の流れを一点鎖線の矢印で、水蒸気および排気ガス等のガスの流れを実線の矢印で、信号の流れを破線の矢印で示す。また、理解を容易にするために、図2中、相対的に大きい粒子を実際より大きい黒丸で示す。本実施形態では、含水固形物として褐炭を乾燥させる場合を例に挙げて説明する。
含水固形物導入部110は、主連通管112と、破砕部114と、搬送部116と、返送配管118とを含んで構成される。
第1乾燥炉210は、第1収容部212と、第1ガス供給部220と、第1伝熱部230と、気液分離部240とを含んで構成される。第1収容部212は、含水固形物導入部110によって導入された褐炭の粒子群を収容する。
第2乾燥炉310は、第2収容部312と、第2ガス供給部320と、第2伝熱部330と、気液分離部340とを含んで構成される。第2収容部312は、第1乾燥炉210によって自由水が除去された褐炭を収容する。
冷却部410は、第3収容部412と、冷却ガス供給部420とを含んで構成される。第3収容部412は、第2乾燥炉310によって結合水が除去された褐炭を収容する。冷却ガス供給部420は、第1ガス供給部220、第2ガス供給部320と同様に、風箱422と、風箱422に冷却ガス(例えば、空気)を送り込むブロワ424とを含んで構成される。風箱422は、第3収容部412の下方に設けられ、乾燥システム100を運転する際には、風箱422を通じて第3収容部412の底面から当該第3収容部412内に冷却ガスが供給されることとなる。
流速設定部510は、CPU(中央処理装置)を含む半導体集積回路で構成され、ROMからCPU自体を動作させるためのプログラムやパラメータ等を読み出し、ワークエリアとしてのRAMや他の電子回路と協働して、調整弁228、328の開閉頻度(流速の周波数)を設定する。以下、流速設定部510による、調整弁228が流速を切り換える周波数および調整弁328が流速を切り換える周波数の設定ついて詳述する。
図4は、周波数を設定する際の気泡および粒子のモデルを示す図である。図4に示すように、ガスを供給すると、流動層内において気泡が形成される。そして、気泡の周囲に褐炭の粒子が複数配されると仮定して、効率よく流動層を形成できる周波数の範囲を導出した。
ここで、Rは水架橋の長さであり、最大で粒子の半径と同一である。また、rは水の表面張力(例えば、30℃の空気と接触している場合には、0.0712N/m)である。なお、褐炭は、含水率が高いほど水架橋を作りやすく、粒子間の水架橋の力Flが大きくなる。
ここで、Fbは流動層内に形成される気泡(パルス流によって形成される気泡)の浮力であり、nは1の気泡の周囲に配される粒子の粒子数である。
したがって、下記式(6)の関係となる直径Dbの気泡を生成すれば、水架橋を切断できる浮力Fpを粒子に与えることができ、効率よく流動層を形成することが可能となる。
そこで、下記式(7)、式(8)、式(9)を用いて、上記式(6)の関係となる直径Dbの気泡が生成できる周波数Fを導出する。
ここで、Umfは平均粒径の粒子の最小流動化速度(第1の流速)であり、Upは第2の流速の際の流動化ガスの空塔速度であり、hは層高である。
ここで、μgはガスの動粘度であり、Arはアルキメデス数であり、ρgは流動化ガスの質量密度であり、Mは粒子の平均含水率である。
ここで、αは流動化ガスの平均総流量に対するパルス流の流量の比であり、U0は流動化ガスの空塔速度であり、Fqは流速を切り換える周波数(調整弁228、328の開閉周波数)であり、tは気泡が直径Dbに成長するまでの時間であり、βは1周期における調整弁228、328の開放割合である。
また、パルス流の周波数が高いと、ガスの瞬間速度vgが増加して加速度も増加するため、大粒子の偏析(大粒子と小粒子との分離)時間を短縮することができる。一方、パルス流の周波数が低いと、パルス流が流動層内に導入される時間が長くなるため、褐炭の粒子の挙動は定常流における挙動に近くなってしまう。同様に、パルス流のパルス周期が高いと、パルス流が流動層内に導入される時間が短くなるため、褐炭の粒子の挙動は定常流における挙動に近くなってしまう。このため、これらを勘案すると、周波数範囲が、1Hz〜10Hzである場合に、大粒子を効率よく偏析できると言える。
114 破砕部
116 搬送部(抜出部)
212 第1収容部
220 第1ガス供給部
312 第2収容部
320 第2ガス供給部
Claims (6)
- 含水固形物を乾燥させる乾燥システムであって、
前記含水固形物の粒子群を収容する第1収容部と、
ガスの流速を、第1の流速と、該第1の流速より大きい第2の流速とで周期的に交互に切り換えて、前記第1収容部の底面からガスを供給する第1ガス供給部と、
を備えたことを特徴とする乾燥システム。 - 前記第1の流速は、平均粒径の前記含水固形物の粒子の最小流動化速度以上であることを特徴とする請求項1に記載の乾燥システム。
- 前記第1ガス供給部は、前記含水固形物の含水率、該含水固形物の粒子の質量密度、該含水固形物の粒径、パルス状にガスを供給することで生成される気泡の直径、該ガスの質量密度、および、該ガスの動粘度に基づいて決定された周波数でガスを供給することを特徴とする請求項1または2に記載の乾燥システム。
- 前記第1ガス供給部は、1Hz〜10Hzの範囲内の予め定められた周波数でガスの流速を切り換えることを特徴とする請求項1または2に記載の乾燥システム。
- 前記第1収容部の内部下部に偏析された前記含水固形物の粒子を抜き出す抜出部と、
前記抜出部によって抜き出された含水固形物の粒子を破砕する破砕部と、
を備え、
前記第1収容部には、前記破砕部によって破砕された含水固形物の粒子が導入されることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の乾燥システム。 - 前記第1収容部への前記含水固形物の粒子の導入によって、該第1収容部の内部上部から外部へ該含水固形物の粒子が排出され、
排出された前記含水固形物の粒子を収容する第2収容部と、
前記第2収容部の底面からパルス状にガスを供給する第2ガス供給部と、
を備え、
前記第2ガス供給部は、前記第1ガス供給部がガスの流速を切り換える周波数よりも大きい周波数でガスの流速を切り換えることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の乾燥システム。
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CN111765724A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-13 | 黄勤 | 一种农产品清洗后加工处理系统及加工处理工艺 |
CN111765724B (zh) * | 2020-07-13 | 2021-01-22 | 桐庐益乡源农产品有限公司 | 一种农产品清洗后加工处理系统及加工处理工艺 |
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