JP2017112754A - 二次電池の制御装置、制御方法及び制御プログラム - Google Patents

二次電池の制御装置、制御方法及び制御プログラム Download PDF

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Abstract

【課題】二次電池の現状の性能に合わせた出力電力の制御を行う、二次電池の制御装置を提供する。【解決手段】二次電池の制御装置1は、二次電池の電池電流値と、二次電池の温度情報とをパラメータとする電池電圧モデルに基づき電圧推定値を算出する電池電圧推定部12と、二次電池の電圧計測値と電圧推定値との差分を電圧誤差計測値として算出する電圧誤差算出部13と、電池電流値に基づき二次電池の充電率を推定する充電率推定部18と、充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて、二次電池のメモリ効果に起因して発生する電池電圧の誤差を示す電圧誤差推定値を算出する電池電圧誤差推定部16と、電圧誤差計測値と電圧誤差推定値との差分が小さくなるように補正値を算出する補正値算出部15とを有する。制御装置は、補正値に基づき二次電池の制御を行う。【選択図】図1

Description

本発明は二次電池の制御装置、制御方法及び制御プログラムに関し、特に、二次電池から放電可能な電力の許容量を示す放電電力許容量を算出する二次電池の制御装置、制御方法及び制御プログラムに関する。
近年、自動車等においても二次電池の利用が拡大している。二次電池には、充放電を繰り返すことで出力可能な電力が低下するメモリ効果がある。そのため、二次電池を利用する場合、メモリ効果を考慮して出力可能な電力の大きさ(以下、放電電力許容値)を決定する必要がある。そこで、メモリ効果による二次電池の出力特性の変化を推定する技術が特許文献1に開示されている。
特許文献1に記載の電気化学素子の制御方法では、電極とイオン伝導体とを具備する電気化学素子の状態を、電極の電位モデル、電極の電子輸送モデル、電極のイオン輸送モデル、イオン伝導体のイオン輸送モデル、電極とイオン伝導体との界面で生じる電気化学反応を表すモデルからなる群より選択される少なくとも一種のモデルを用いて分析し、その分析結果に基づいて電気化学素子の特定の特性を制御する。
特開2000−100479号公報
ここで、メモリ効果に起因する二次電池の出力電圧の低下について説明する。そこで、図5に二次電池におけるメモリ効果を説明する充電率に対する出力電圧の変化を示すグラフを示す。図5に示すように、二次電池は、充電率の変化に伴い出力電圧が変化する。そして、二次電池は、出荷時には出荷時の出力電圧曲線(図5の二点鎖線)と下限出力電圧との差分に相当する放電電力許容値Wout1を有する。しかしながら、二次電池にメモリ効果の影響が現れると、ある充電率以下の出力電圧が出荷時の出力電圧よりも低下する。そのため、メモリ効果が現れたあとは、二次電池の放電電力許容値Wout2は、実線で示した出力電圧曲線と下限出力電圧との差分となる。
しかしながら、二次電池のメモリ効果による電圧降下の大きさ、或いは、電圧降下が生じる充電率は、例えば、充放電回数、充放電開始電圧等の二次電池の利用状態により変化する。そのため、特許文献1に記載の技術を用いてメモリ効果を解析しても、当該解析結果から得られる最悪条件に合わせて放電電力許容電力を設定しなければならない。図5では、メモリ効果による電圧降下の最悪条件に合わせた二次電池の出力電圧曲線を一点鎖線で示した。そして、図5に示した例では、放電可能許容電力Wout3は、最悪条件に合わせた二次電池の出力電圧と下限出力電圧との差分となる。つまり、特許文献1に記載したメモリ効果の推定方法を用いた場合、本来出力可能なはずの放電電力許容値Wout2は出力することは出来ず、放電電力許容値を過剰に制限した放電電力許容値Wout3としなければならい。
このように、特許文献1に記載の技術では予め二次電池の性能劣化を解析できるが、二次電池の現状に合わせた二次電池の制御を行うことは出来ない問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、二次電池の現状の性能に合わせた制御を行うことを目的とするものである。
本発明にかかる二次電池の制御装置の一態様は、二次電池から出力される電力を制御する二次電池の制御装置であって、前記二次電池から放電される電流の大きさを示す電池電流値と、前記二次電池の温度を示す温度情報と、をパラメータとする電池電圧モデルに基づき前記二次電池の電圧を推定した電圧推定値を算出する電池電圧推定部と、前記二次電池の電圧の計測値である電圧計測値と前記電圧推定値との差分を電圧誤差計測値として算出する電圧誤差算出部と、前記電池電流値に基づき二次電池の充電率を推定する充電率推定部と、前記充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて、前記二次電池のメモリ効果に起因して発生する電池電圧の誤差を示す電圧誤差推定値を算出する電池電圧誤差推定部と、前記電圧誤差計測値と前記電圧誤差推定値との差分が小さくなるように前記補正値を算出する補正値算出部と、を有し、前記補正値に基づき前記二次電池の制御を行う。
本発明にかかる二次電池の制御装置の一態様によれば、二次電池の現状から算出された補正値に基づき二次電池を制御することができる。
本発明にかかる二次電池の制御装置の第1の別の態様は、前記補正値が、前記メモリ効果が発生する充電率を示すメモリ効果発生充電率と、前記メモリ効果発生充電率よりも高い充電率の時に発生する前記二次電池の電圧上昇量を示す上昇変動電圧と、前記メモリ効果発生充電率よりも低い充電率の時に発生する前記二次電池の電圧下降量を示す下降変動電圧と、を少なくとも含む。
本発明にかかる二次電池の制御装置の第1の別の態様によれば、二次電池で現在生じているメモリ効果に起因する出力電圧曲線を推定し、現状の二次電池の性能を把握することができる。
本発明にかかる二次電池の制御装置の第2の別の態様は、前記充電率に対する前記二次電池の初期の起電圧の変動曲線に対して前記補正値を適用して電池電圧推定曲線を算出し、前記二次電池に対して予め設定される下限出力電圧と、前記電池電圧推定曲線と、の差分を、前記二次電池から放電可能な電力の許容量を示す放電電力許容値として出力する放電電力許容量算出部を更に有する。
本発明にかかる二次電池の制御装置の第2の別の態様によれば、二次電池から得られたパラメータに基づき推定された電池電圧推定曲線に基づき、二次電池の現在の状態に合わせた放電電力許容値を得ることができる。
本発明にかかる二次電池の制御装置の第3の別の態様は、前記電圧誤差モデルは、前記充電率及び前記補正値をパラメータとするメモリ効果誤差モデルに基づき算出されるメモリ効果電圧誤差値と、前記二次電池から放電される電流を測定する電流センサに起因する誤差を示す電流センサオフセット誤差推定値と、を含む。
本発明にかかる二次電池の制御装置の第4の別の態様は、前記電流センサが出力した電流計測値に前記電流センサオフセット誤差推定値を引くことで前記電池電流値を算出する電池電流算出部を更に有する。
本発明にかかる二次電池の制御装置の第3の別の態様及び第4の別の態様によれば、電流センサのオフセット誤差の影響を低減した精度の高い補正値を得ることができる。
本発明にかかる二次電池の制御方法の一態様は、二次電池の温度、前記二次電池が出力する電圧を示す電圧計測値、及び、前記二次電池が出力する電流の大きさを示す電流計測値を取得して、前記温度、前記電圧計測値及び前記電流計測値に基づき前記二次電池の出力電圧の変動量を推定することにより補正値を算出して、当該補正値に基づき前記二次電池から出力される電力を制御する二次電池の制御方法であって、前記二次電池から放電される電流の大きさを示す電池電流値と、前記二次電池の温度を示す温度情報と、をパラメータとする電池電圧モデルに基づき前記二次電池の電圧を推定した電圧推定値を算出し、前記電圧計測値と前記電圧推定値との差分を電圧誤差計測値として算出し、前記電池電流値に基づき二次電池の充電率を推定し、前記充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて、前記二次電池の特性変動に起因して発生する電池電圧の誤差を示す電圧誤差推定値を算出し、前記電圧誤差計測値と前記電圧誤差推定値との差分が小さくなるように前記補正値を算出し、前記補正値に基づき前記二次電池の制御を行う。
本発明にかかる二次電池の制御方法の一態様によれば、二次電池の現状から算出された補正値に基づき二次電池を制御することができる。
本発明にかかる二次電池の制御プログラムの一態様は、プログラムを実行可能な演算部で実行され、二次電池の温度、前記二次電池が出力する電圧を示す電圧計測値、及び、前記二次電池が出力する電流の大きさを示す電流計測値を取得して、前記温度、前記電圧計測値及び前記電流計測値に基づき前記二次電池の出力電圧の変動量を推定することにより補正値を算出して、当該補正値に基づき前記二次電池から出力される電力を制御する二次電池の制御プログラムであって、前記二次電池から放電される電流の大きさを示す電池電流値と、前記二次電池の温度を示す温度情報と、をパラメータとする電池電圧モデルに基づき前記二次電池の電圧を推定した電圧推定値を算出し、前記電圧計測値と前記電圧推定値との差分を電圧誤差計測値として算出し、前記電池電流値に基づき二次電池の充電率を推定し、前記充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて、前記二次電池の特性変動に起因して発生する電池電圧の誤差を示す電圧誤差推定値を算出し、前記電圧誤差計測値と前記電圧誤差推定値との差分が小さくなるように前記補正値を算出し、前記補正値に基づき前記二次電池の制御を行う。
本発明にかかる二次電池の制御プログラムの一態様によれば、二次電池の現状から算出された補正値に基づき二次電池を制御することができる。
本発明の二次電池の制御装置、制御方法及び制御プログラムによれば、二次電池の現在の性能に合わせた二次電池の制御を行うことが可能になる。
実施の形態1にかかる制御装置のブロック図である。 実施の形態1にかかる制御装置におけるモデル誤差値の算出に用いる電圧推定モデルを説明するグラフである。 実施の形態1にかかる制御装置における補正値の算出手順を説明するフローチャートである。 実施の形態1にかかる制御装置において補正値から推定される起電圧曲線を説明する図である。 二次電池におけるメモリ効果を説明する充電率に対する出力電圧の変化を示すグラフである。
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、様々な処理を行う機能ブロックとして図面に記載される各要素は、ハードウェア的には、CPU、メモリ、その他の回路で構成することができ、ソフトウェア的には、メモリにロードされたプログラムなどによって実現される。したがって、これらの機能ブロックがハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現できることは当業者には理解されるところであり、いずれかに限定されるものではない。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
また、上述したプログラムは、様々なタイプの非一時的なコンピュータ可読媒体(non−transitory computer readable medium)を用いて格納され、コンピュータに供給することができる。非一時的なコンピュータ可読媒体は、様々なタイプの実体のある記録媒体(tangible storage medium)を含む。非一時的なコンピュータ可読媒体の例は、磁気記録媒体(例えばフレキシブルディスク、磁気テープ、ハードディスクドライブ)、光磁気記録媒体(例えば光磁気ディスク)、CD−ROM(Read Only Memory)CD−R、CD−R/W、半導体メモリ(例えば、マスクROM、PROM(Programmable ROM)、EPROM(Erasable PROM)、フラッシュROM、RAM(Random Access Memory))を含む。また、プログラムは、様々なタイプの一時的なコンピュータ可読媒体(transitory computer readable medium)によってコンピュータに供給されてもよい。一時的なコンピュータ可読媒体の例は、電気信号、光信号、及び電磁波を含む。一時的なコンピュータ可読媒体は、電線及び光ファイバ等の有線通信路、又は無線通信路を介して、プログラムをコンピュータに供給できる。
実施の形態1
実施の形態1にかかる制御装置1は、二次電池から出力される電力を二次電池の出力電圧、出力電流、及び、温度に基づき制御する。また、実施の形態1にかかる制御装置1は、例えば、マイクロコントローラ等の演算装置において実行されるプログラムによって実現される。また、マイクロコントローラは、演算処理で利用される電圧等のアナログ値のパラメータをデジタル値として取り込むアナログデジタル変換回路を有する。さらにマイクロコントローラは、演算により得られ二次電池の制御パラメータ(以下の例では、放電電力許容値Wout)を上位のシステムに出力する出力インタフェース或いは通信インタフェースを有するものとする。以下の説明では、プログラムにおける処理を処理の種類毎に処理ブロックに置き換えたブロック図を用いて制御装置1を説明する。
また、実施の形態1にかかる制御装置1は、以下の説明では、制御装置1が行う制御の1つの例として、二次電池のメモリ効果に起因する出力電圧の低下を考慮した放電電力許容値の変化に対応した二次電池の制御を行う例を説明する。また、実施の形態1にかかる制御装置1は、二次電池の非線形性に対応するために拡張カルマンフィルタに基づく演算を行う。なお、実施の形態1にかかる制御装置1は、メモリ効果を考慮して二次電池を制御するため、メモリ効果の影響が大きい二次電池(例えば、ニッケル水素蓄電池)に好適である。
図1に実施の形態1にかかる制御装置1のブロック図を示す。図1に示すように、実施の形態1にかかる制御装置1は、電池電流算出部11、電池電圧推定部12、電圧誤差算出部13、観測誤差算出部14、補正値算出部15、電池電圧誤差推定部16、放電電力許容値算出部17、充電率推定部18を有する。
電池電流算出部11は、図示を省略した電流センサが出力した電流計測値から電流センサオフセット誤差推定値δcuroffsetを引くことで電池電流値を算出する。図1に示した例では、電池電流算出部11は、電流計測値から電流センサオフセット誤差推定値δcuroffsetを引くことで電池電流値を算出する。
電池電圧推定部12は、二次電池から放電される電流の大きさを示す電池電流値と、二次電池の温度を示す温度情報(例えば、温度計測値)と、をパラメータとする電池電圧モデルに基づき二次電池の電圧を推定した電圧推定値を算出する。ここで、電池電圧モデルは、電極の電位モデル、電極の電子輸送モデル、電極のイオン輸送モデル、イオン伝導体のイオン輸送モデル、電極とイオン伝導体との界面で生じる電気化学反応を表すモデルからなる群より選択される少なくとも一種のモデルを含む。
電圧誤差算出部13は、二次電池の電圧の計測値である電圧計測値と電圧誤差算出部13が出力する電圧推定値との差分を電圧誤差計測値yとして算出する。図1に示す例では、電圧誤差算出部13は、電圧計測値から電圧推定値を引くことで電圧誤差計測値yを算出する。
観測誤差算出部14は、電圧誤差算出部13が出力する電圧誤差計測値yと電池電圧誤差推定部16が出力する電圧誤差推定値zとの差分を観測誤差値として算出する。図1に示す例では、観測誤差算出部14は、電圧誤差計測値yから電圧誤差推定値zを引くことで観測誤差値を算出する。
補正値算出部15は、電圧誤差計測値yと電圧誤差推定値zとの差分(観測誤差値)が小さくなるように補正値を算出する。実施の形態1にかかる制御装置1では、補正値には、メモリ効果が発生する充電率を示すメモリ効果発生充電率SOCmemoryと、メモリ効果発生充電率SOCmemoryよりも高い充電率の時に発生する二次電池の電圧上昇量を示す上昇変動電圧δvupと、メモリ効果発生充電率よりも低い充電率の時に発生する二次電池の電圧下降量を示す下降変動電圧δvdownと、を少なくとも含む。また、実施の形態1にかかる制御装置1で用いられる補正値には、二次電池から放電される電流を測定する電流センサに起因する誤差を示す電流センサオフセット誤差推定値δcuroffsetが含まれる。
電池電圧誤差推定部16は、充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて、二次電池のメモリ効果に起因して発生する電池電圧の誤差を示す電圧誤差推定値zを算出する。ここで、電圧誤差モデルVerr,mdlは、(1)式で表されるものであり、(1)式に基づき算出される値が電圧誤差推定値zとなる。
Figure 2017112754
この(1)式において、Rdcは二次電池の直流抵抗であり、直流抵抗Rdcと電流センサオフセット誤差推定値δcuroffsetの積の項は電流センサオフセット電圧値である。また、(1)式におけるδVmdlの項はモデル誤差値である。このモデル誤差値δVmdlは、電圧推定モデルに基づき算出される。図2に実施の形態1にかかる制御装置におけるモデル誤差値の算出に用いる電圧推定モデルを説明するグラフを示す。
図2に示すように、電圧推定モデルは、横軸を充電率SOC、縦軸を出力電圧変化量とし、上昇変動電圧δvup、下降変動電圧δvdown及びメモリ効果発生充電率SOCmemoryの3つのパラメータを有するグラフである。また、電圧推定モデルでは、メモリ効果発生充電率SOCmemoryを中心に電圧変化量が正から負に切り替わる充電率SOCの範囲の大きさを示すΔSOCを固定値として有する。そして、電池電圧誤差推定部16では、電圧推定モデルに対して充電率推定部18が出力するSOC推定値を入力し、図2のグラフにおいて入力されたSOC推定値に対応する出力電圧変化量をモデル誤差値ΔVmdlとして算出する。
実施の形態1にかかる制御装置1では、補正値算出部15において補正値に含まれる4つのパラメータを変化させることで、補正値算出部15が出力する電圧誤差推定値zの値を変化させる。そして、実施の形態1にかかる制御装置1では、電圧誤差観測値yと電圧誤差推定値zとの差分となる観測誤差値が十分に小さくなったと判断されたときの補正値のパラメータに基づき二次電池の制御を行う。具体的には、補正値に含まれるパラメータのうち上昇変動電圧δvup、下降変動電圧δvdown及びメモリ効果発生充電率SOCmemoryに基づき制御装置1の上位システムである車両に放電電力許容値Woutを出力する。また、補正値に含まれる電流センサオフセット誤差推定値δcuroffsetに基づき電池電流値を算出する。
放電電力許容値算出部17は、充電率SOCに対する二次電池の初期の起電圧の変動曲線に対して補正値(例えば、補正値に含まれる電圧推定パラメータ)を適用して電池電圧推定曲線を算出する。電圧推定パラメータには、上昇変動電圧δvup、下降変動電圧δvdown及びメモリ効果発生充電率SOCmemoryが含まれる。また、放電電力許容値算出部17は、二次電池に対して予め設定される下限出力電圧と、算出した電池電圧推定曲線と、の差分を、二次電池から放電可能な電力の許容量を示す放電電力許容値Woutとして出力する。この放電電力許容値Woutは制御装置1の上位システムである車両に対して送信される。車両は受信した放電電力許容量Woutに基づき二次電池から放電させる電力の大きさを調節する。
充電率推定部18は、電池電流算出部11が出力する電池電流値に基づき二次電池の充電率SOCを推定する。より具体的には、充電率推定部18は、電池電流値を積算する積算処理により生成された積算値に基づき充電率SOCを算出する。算出された充電率SOCはSOC推定値として電池電圧誤差推定部16に出力される。また、SOC推定値は、上位システムである車両にも出力される。
続いて、実施の形態1にかかる制御装置1におけるメモリ効果の推定手順について説明する。そこで、図3に実施の形態1にかかる制御装置1における補正値の算出手順を説明するフローチャートを示す。実施の形態1にかかる制御装置1では、図3に示したフローを電圧誤差計測値yと電圧誤差推定値zとの差が十分に小さくなるまで繰り返し実行する。また、図3に示したフローは、補正値算出部15及び電池電圧誤差推定部16により行われる処理である。
また、図3では、各処理で利用される式を示したが、式中のkは1つの補正値を算出する1処理期間中の計算サイクルの番号を示す整数である。文字の右上に付された“+”は、その値がk番目の計算サイクルにおいて新しく算出された値であることを示し、“−”は、その値がk番目よりも前の計算サイクルにおいて算出された古い値であることを示す。文字の上に付されたハット記号は、当該文字が示す値が推定値であることを示すものである。また、図3では、補正値をxで表した。このxは、上述した4つのパラメータを含む転置行列であり、(2)式で表されるものである。
Figure 2017112754
図3に示すように、実施の形態1にかかる制御装置1では、メモリ効果に起因する出力電圧の変化を補正するための補正値の算出処理をステップS1〜S4の処理により実施する。
ステップS1では、1つ前の計算サイクルにおいて算出した推定値(例えば、補正値)の線形化処理を行う。ステップS1の線形化処理は、(3)式に基づき行われ、線形化処理により行列Aが求められる。
Figure 2017112754
ステップS2では、推定値の時間更新処理を行う。これは、前の計算サイクルで算出された値を現在の計算サイクルにおける過去の値にするための処理である。この時間更新処理は、(4)式〜(6)式に基づき行われる。
Figure 2017112754
Figure 2017112754
Figure 2017112754
(4)式では、前計算サイクルで算出された補正値xを関数f(x)に代入して現在の計算サイクルにおける古い補正値とする。(5)式では、(4)式で算出された前計算サイクルの補正値xを関数h(x)に代入して現在の計算サイクルにおける電圧誤差推定値zとする。(6)式では前計算サイクルにおいて算出された共分散行列Pに基づき現在の計算サイクルにおける古い共分散行列Pを得る。なお(6)式におけるQは、電圧誤差モデルと実際の二次電池の特性とのズレを示すプロセスノイズの共分散行列である。
ステップS3では、現在の計算サイクルにおいて入力されている補正値xの線形化を行う。ステップS3の線形化処理は、(7)式に基づき行列Cを算出する。
Figure 2017112754
ステップS4では、観測値の時間更新処理を行う。これは、現在の計算サイクルで算出された値を最新の値として保持するための処理である。この時間更新処理は、(8)式〜(10)式に基づき行われる。なお、(8)式で算出されるKはカルマンゲインであり、(8)式内のRは観測ノイズの共分散行列であり、(9)式におけるIは単位行列である。また、(10)式のyは電圧誤差計測値であり、zは電圧誤差推定値である。
Figure 2017112754
Figure 2017112754
Figure 2017112754
実施の形態1にかかる制御装置1では、上記のような手順により算出した補正値に基づき放電電力許容値Woutを算出する。より具体的には、実施の形態1にかかる制御装置1では、放電電力許容値算出部17が、算出された補正値に基づき起電圧曲線(初期の起電圧曲線)を補正した推定起電圧曲線を生成する。そこで、図4に実施の形態1にかかる制御装置において補正値から推定される電池電圧推定曲線(例えば、推定起電圧曲線)を説明する図を示す。
図4に示すように、実施の形態1にかかる制御装置1が生成する推定起電圧曲線は、メモリ効果に起因して充電率SOCが低い領域において初期の起電圧よりも電圧が低くなる。そして、実施の形態1にかかる制御装置1では、放電電力許容値算出部17が推定器電圧曲線と予め設定した下限出力電圧との差分を放電電力許容値Woutとして出力する。
上記説明より、実施の形態1にかかる制御装置1では、現状の二次電池から取得した電圧計測値、電流計測値及び温度計測値に基づき算出した電圧誤差観測値と、充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて算出した電圧誤差推定値と、の差が無くなるように補正値の値を求める。そして、当該補正値を用いて初期の起電圧を補正することで現状の二次電池で発生しているメモリ効果の影響を考慮した推定起電圧曲線を生成する。そして、実施の形態1にかかる制御装置1では、推定起電圧曲線と予め設定した下限出力電圧との差を放電電力許容値Woutとして出力する。つまり、実施の形態1にかかる制御装置1を用いることで、現状の二次電池の状態に基づきメモリ効果の影響を考慮して動的に変化する放電電力許容値Woutを出力することができる。
これにより、実施の形態1にかかる制御装置1は、二次電池のメモリ効果に起因する電圧出力特性の劣化具合が使用状態の違いに基づきばらついた場合であっても、当該ばらつきの影響を考慮したマージンをとることなく、又は、マージンを小さくして、二次電池の性能に応じた放電電力許容値Woutを出力することができる。そして、実施の形態1にかかる制御装置1により制御される二次電池は、このようなメモリ効果に起因する性能劣化具合のばらつきを考慮したマージンを削減することによる出力性能を実質的に向上させることができる。また、性能劣化具合のばらつきを考慮したマージンを削減することで、二次電池から取り出すことができる電力が増加するため、二次電池が自動車の駆動モータに電力を供給する用途で利用されている場合には自動車の燃費を高めることができる。
また、上記説明では、実施の形態1にかかる制御装置1をメモリ効果の影響を考慮した放電電力許容値Woutの算出に用いたが、制御装置1は、放電電力許容値Wout以外の値であってもメモリ効果に起因して変動する特性値を算出することができる。そのため、制御装置1を放電電力許容値Wout以外の特性値の算出及び当該特性値に基づく二次電池の制御に用いても良い。
また、実施の形態1にかかる制御装置1では、補正値が電流センサオフセット誤差推定値δcuroffsetを含む。これにより、実施の形態1にかかる制御装置1は、現状に応じた電流センサの検出誤差を反映した電池電流値の算出を行うことができる。つまり、実施の形態1にかかる制御装置1は、電池電流値の精度を高めることができる。これにより、実施の形態1にかかる制御装置1は、電池電圧推定部12が算出する電圧推定値と、充電率推定部18が算出するSOC推定値の精度を高め、結果的に得られる値の精度を全体的に高めることができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
1 制御装置
11 電池電流算出部
12 電池電圧推定部
13 電圧誤差算出部
14 観測誤差算出部
15 補正値算出部
16 電池電圧誤差推定部
17 放電電力許容値算出部
18 充電率推定部

Claims (7)

  1. 二次電池から出力される電力を制御する二次電池の制御装置であって、
    前記二次電池から放電される電流の大きさを示す電池電流値と、前記二次電池の温度を示す温度情報と、をパラメータとする電池電圧モデルに基づき前記二次電池の電圧を推定した電圧推定値を算出する電池電圧推定部と、
    前記二次電池の電圧の計測値である電圧計測値と前記電圧推定値との差分を電圧誤差計測値として算出する電圧誤差算出部と、
    前記電池電流値に基づき二次電池の充電率を推定する充電率推定部と、
    前記充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて、前記二次電池のメモリ効果に起因して発生する電池電圧の誤差を示す電圧誤差推定値を算出する電池電圧誤差推定部と、
    前記電圧誤差計測値と前記電圧誤差推定値との差分が小さくなるように前記補正値を算出する補正値算出部と、を有し、
    前記補正値に基づき前記二次電池の制御を行う二次電池の制御装置。
  2. 前記補正値は、前記メモリ効果が発生する充電率を示すメモリ効果発生充電率と、前記メモリ効果発生充電率よりも高い充電率の時に発生する前記二次電池の電圧上昇量を示す上昇変動電圧と、前記メモリ効果発生充電率よりも低い充電率の時に発生する前記二次電池の電圧下降量を示す下降変動電圧と、を少なくとも含む請求項1に記載の二次電池の制御装置。
  3. 前記充電率に対する前記二次電池の初期の起電圧の変動曲線に対して前記補正値を適用して電池電圧推定曲線を算出し、前記二次電池に対して予め設定される下限出力電圧と、前記電池電圧推定曲線と、の差分を、前記二次電池から放電可能な電力の許容量を示す放電電力許容値として出力する放電電力許容量算出部を更に有する請求項1又は2に記載の二次電池の制御装置。
  4. 前記電圧誤差モデルは、前記充電率及び前記補正値をパラメータとするモデル誤差値と、前記二次電池から放電される電流を測定する電流センサに起因する誤差を示す電流センサオフセット誤差推定値に基づき算出される電流センサオフセット電圧値と、を含む請求項1乃至3のいずれか1項に記載の二次電池の制御装置。
  5. 前記電流センサが出力した電流計測値に前記電流センサオフセット誤差推定値を引くことで前記電池電流値を算出する電池電流算出部を更に有する請求項4に記載の二次電池の制御装置。
  6. 二次電池の温度、前記二次電池が出力する電圧を示す電圧計測値、及び、前記二次電池が出力する電流の大きさを示す電流計測値を取得して、前記温度、前記電圧計測値及び前記電流計測値に基づき前記二次電池の出力電圧の変動量を推定することにより補正値を算出して、当該補正値に基づき前記二次電池から出力される電力を制御する二次電池の制御方法であって、
    前記二次電池から放電される電流の大きさを示す電池電流値と、前記二次電池の温度を示す温度情報と、をパラメータとする電池電圧モデルに基づき前記二次電池の電圧を推定した電圧推定値を算出し、
    前記電圧計測値と前記電圧推定値との差分を電圧誤差計測値として算出し、
    前記電池電流値に基づき二次電池の充電率を推定し、
    前記充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて、前記二次電池の特性変動に起因して発生する電池電圧の誤差を示す電圧誤差推定値を算出し、
    前記電圧誤差計測値と前記電圧誤差推定値との差分が小さくなるように前記補正値を算出し、
    前記補正値に基づき前記二次電池の制御を行う二次電池の制御方法。
  7. プログラムを実行可能な演算部で実行され、二次電池の温度、前記二次電池が出力する電圧を示す電圧計測値、及び、前記二次電池が出力する電流の大きさを示す電流計測値を取得して、前記温度、前記電圧計測値及び前記電流計測値に基づき前記二次電池の出力電圧の変動量を推定することにより補正値を算出して、当該補正値に基づき前記二次電池から出力される電力を制御する二次電池の制御プログラムであって、
    前記二次電池から放電される電流の大きさを示す電池電流値と、前記二次電池の温度を示す温度情報と、をパラメータとする電池電圧モデルに基づき前記二次電池の電圧を推定した電圧推定値を算出し、
    前記電圧計測値と前記電圧推定値との差分を電圧誤差計測値として算出し、
    前記電池電流値に基づき二次電池の充電率を推定し、
    前記充電率と補正値とをパラメータとする電圧誤差モデルを用いて、前記二次電池の特性変動に起因して発生する電池電圧の誤差を示す電圧誤差推定値を算出し、
    前記電圧誤差計測値と前記電圧誤差推定値との差分が小さくなるように前記補正値を算出し、
    前記補正値に基づき前記二次電池の制御を行う二次電池の制御プログラム。
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