JP2017112372A - 発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 56
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012506 LiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
【課題】基部と、発光ダイオードと、封止材とを備える発光ダイオードパッケージ構造が提供される。【解決手段】当該発光ダイオードは、基部の表面上に配置され、光を生成し放出することに適合される。封止材は、基部上に配置され、発光ダイオードをカプセル封止する。封止材は、基部の表面と平行する表面と、基部の表面に垂直な複数の表面とを有する。基部の表面と平行する封止材の表面を通過した後に、光は第1光強度を有する。基部の表面に垂直な封止材の表面を通過した後に、光は第2光強度を有する。第1光強度は、第2光強度より高い。加えて、発光ダイオードパッケージ構造の製造方法がまた提供される。【選択図】図1
Description
[関連出願の相互参照] 本出願は、2015年12月14日に出願された台湾特許出願第104141914に基づく優先権を主張し、その全体が参照により組み込まれる。
本開示は、パッケージ構造及びその複数の製造方法に関し、特に、発光ダイオード(LED)パッケージ構造及びその複数の製造方法に関する。
複数の発光ダイオード(LED)とは、III‐V族の複数の元素による複数の半導体材料からなる複数の発光部品の一種類である。複数のLEDは概して、長寿命、小型、高耐衝撃性、低発熱、及び低電力消費などの複数の利点を有することから、それらは、住宅設備及び様々なインジケータ又は光源に広く用いられている。近年、複数のLEDの開発の傾向が多色で高輝度へ向かっており、従って、複数のLEDの用途が、複数の大型屋外広告版、交通信号の分野、及び関連分野に広がっている。将来、複数のLEDは、省エネルギかつ環境にやさしいという特徴で光源の主な種類になり得、よって、様々な装飾的又は標示的な照明用途に広く用いられ得る。
例えば、LEDパッケージ構造は、電子機器の複数のボタンに設置され得て、それらのボタンに発光させることを可能にする。この特徴は、暗闇の中でユーザによる電子機器の複数のボタンの操作を容易にし、又は、放射光によって電子機器の美観を高める。この例では、LEDパッケージ構造の、各方向において放出された光の強度を制御する能力が、特に、複数のボタンに良好な照明機能を提供するべく、LEDパッケージ構造により放出された光を効率的に伝送する必要性の観点から、重要である。
本開示は、1つ又は複数の特定の方向において高い発光強度を有するLEDパッケージ構造を提供する。
本開示に係るLEDパッケージ構造は、基部と、基部の第1表面上に配置され、発光できるLEDと、基部上に配置され、LEDをカプセル封止する封止材とを備え得る。封止材は、基部の第1表面と平行する第2表面と、基部の第1表面に垂直な複数の第3表面とを含み得る。光は、基部の第1表面と平行する封止材の第2表面を通過した後に、第1光強度を有し得る。光は、基部の第1表面に垂直な封止材の第3表面を通過した後に、第2光強度を有し得る。第1光強度は、第2光強度より高くてよい。
1つの実施形態において、LEDパッケージ構造はまた、基部の第1表面に垂直な、封止材の複数の第3表面の少なくとも1つ上に配置されるカバー部材を備え得る。光は、カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し得る。第3光強度は、第2光強度より低くてよい。
1つの実施形態において、LEDパッケージ構造はまた、少なくとも、基部の第1表面に垂直なLEDの1つの第4表面上、及び封止材の複数の第3表面のうち1つ上に配置されるカバー部材を備え得る。光は、カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し得る。第3光強度は、第2光強度より低くてよい。
1つの実施形態において、LEDパッケージ構造はまた、基部の第1表面に垂直な、LEDの少なくとも1つの第4表面上に配置されるカバー部材を備え得る。光は、カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し得る。第3光強度は、第2光強度より低くてよい。
1つの実施形態において、カバー部材は、噴霧、スパッタリング、ダイスタンピング、又はサンドポリッシュにより形成され得る。
1つの実施形態において、カバー部材は、プラスチック材又はフィラー材からなり得る。フィラー材は、カバー部材の全体の重量濃度パーセントの50%より多く、好ましくは70%より多く占め得る。フィラー材は少なくとも、屈折素子と、複数の反射粒子とを含み得、それにより、封止材を介して伝送された光をさらに屈折する。従って、カバー素子の光透過率は、封止材の光透過率より低くてよい。
1つの実施形態において、カバー部材の1つの端部が、基部の表面に少なくとも部分的に切り込み得る。さらに、カバー部材の材料は、基部の材料と同じ又は異なってよい。
1つの実施形態において、LEDパッケージ構造は、窒化ガリウム系半導体チップからなり得る。半導体チップは、発光層の構造を含み得る。半導体チップが基部の表面上に配置された後に、発光層は、カバー部材に垂直であり得る。さらに、半導体チップの長さと幅とが異なってよく、半導体チップの厚みが、その短い辺の長さの半分より大くてよい。よって、LEDパッケージ構造の設計は、第1光強度が第2光強度又は第3光強度より高くなることを効率的に増強させる。
加えて、窒化ガリウム系半導体チップはまた、サファイア基部又は基板を含み得る。第1、第2、及び第3光強度間の比較的大きい差異に起因する不均一な光覆蓋力の現象を回避するために、第2光強度及び第3光強度を増加させるよう、サファイア基板の複数の外側がパターニングされ得、凹凸のある断面を形成する。
基板をパターニングすることによって複数の光強度間の差異を減少する他に、窒化ガリウム系半導体チップとカバー部材との間の距離が制御され得て第1光強度と第3光強度との間の差異を減少させる。例えば、カバー部材に最も近い窒化ガリウム系半導体チップの側面は、チップの短い辺の長さの半分より大きくならないよう構成され得る。従って、LEDパッケージ構造の厚みは減少され得、第1光強度と第3光強度との間の差異はまた減少され得る。
1つの実施形態において、第1光強度を有する光と、第2光強度を有する光と、第3光強度を有する光とは、相互に垂直な複数の方向にあり得る。
1つの実施形態において、上述のLEDは基部の表面上、又はパッド上に配置され得る。提案されている設計では、複数の導線又は端子用の複数の貫通孔を介して熱を放散することが、LEDには難しいであろう。よって、カバー部材の材料を選択する際にして、熱により生じるカバー部材の変形を回避するべく、熱硬化性材料を選択することが好ましい。また好ましくは、カバー部材は、自己の熱転送の効率を高めるよう複数の粒子で充填され得、複数の粒子の材料は、TiO2、SiO2、又はAl2O3などのセラミックスであり得る。
1つの実施形態において、カバー部材に充填される前述の複数の粒子は、リン光材(phosphorous material)を含み得る。リン光材は、以下のうち1つ又は複数からなり得る。Sr5(PO4)3Cl:EU2+、(Sr,Ba)MgAl10O17:Eu2+、(Sr,Ba)3MgSi2O8:Eu2+,SrAl2O4:Eu2+,SrBaSiO4:Eu2+、CdS:In、 CaS:Ce3+、Y3(Al,Gd)5O12:Ce2+、Ca3Sc2Si3O12:Ce3+,SrSiON:Eu2+、ZnS:Al3+、Cu+、CaS:Sn2+,CaS:Sn2+、F、CaSO4:Ce3+、Mn2+、LiAlO2:Mn2+、BaMgAl10O17:Eu2+、Mn2+、ZnS:Cu+、Cl−、Ca3WO6:U、Ca3SiO4Cl2:Eu2+、SrxBayClzAl2O4−Z/2:Ce3+、Mn2+(X:0.2,Y:0.7,Z:1.1)、Ba2MgSi2O7:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+、Ba2Li2Si2O7:Eu2+、ZnO:S、ZnO:Zn、Ca2Ba3(PO4)3Cl:Eu2+、BaAl2O4:Eu2+、SrGa2S4:Eu2+、ZnS:Eu2+、Ba5(PO4)3Cl:U、Sr3WO6:U、CaGa2S4:Eu2+、SrSO4:Eu2+、Mn2+、ZnS:P、ZnS:P3−、Cl−, ZnS:Mn2+、CaS:Yb2+、Cl、Gd3Ga4O12:Cr3+、CaGa2S4:Mn2+、Na(Mg,Mn)2LiSi4O10F2:Mn、ZnS:Sn2+、Y3Al5O12:Cr3+、SrB8O13:Sm2+、MgSr3Si2O8:Eu2+、Mn2+、α‐SrO・3B2O3:Sm2+、ZnS‐CdS、ZnSe:Cu+、Cl、ZnGa2S4:Mn2+、ZnO:Bi3+、BaS:Au、K、ZnS:Pb2+、ZnS:Sn2+、Li+、ZnS:Pb、Cu、CaTiO3:Pr3+、CaTiO3:Eu3+、Y2O3:Eu3+、(Y,Gd)2O3:Eu3+、CaS:Pb2+、Mn2+、YPO4:Eu3+、Ca2MgSi2O7:Eu2+、Mn2+、Y(P,V)O4:Eu3+、Y2O2S:Eu3+,SrAl4O7:Eu3+、CaYAlO4:Eu3+、LaO2S:Eu3+、LiW2O8:Eu3+、Sm3+、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu2+、Mn2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+、Mn2+、ZnS:Mn2+、Te2+、Mg2TiO4:Mn4+、K2SiF6:Mn4+、SrS:Eu2+、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi4O11、Na1.23K0.42Eu0.12TiSi5O13:Eu3+、CdS:In、Te、CaAlSiN3:Eu2+、CaSiN3:Eu2+、(Ca,Sr)2Si5N8:Eu2+、及びEu2W2O7。
1つの実施形態において、カバー部材と基部との間の接合を強化するため、段差構造が、基部の外側上に形成され得、これにより、カバー部材は、その段差構造に配置され得る。この特徴は、カバー部材と基部との間の接触表面積を増加させ得、それにより、LEDにより生成された熱に起因する、カバー部材及び基部又は封止材による剥離現象を回避する。
本開示のLEDパッケージ構造を製造する方法が、多数の段階を備える。基部が提供され得、複数のLEDが基部上に配置され得、複数のLEDは、LEDのアレイを形成する。封止材が、その複数のLEDを覆うよう、基部上に配置され得る。平行する複数のスロットであって、それぞれが基部の表面に切り込む複数のスロットを形成するよう、封止材は、LEDのアレイに対して行方向又は列方向に、切られてよい。プラスチック材は、その複数のスロットに充填され得る。封止材及び基部は、個々の複数のLEDパッケージ構造を形成するよう切られ得る。プラスチック材は、複数のLEDパッケージ構造のそれぞれのカバー部材を形成し得る。
LEDと封止材とを備える発光ダイオード(LED)パッケージ構造が提供される。そのLEDは、発光できる。封止材は、LEDをカプセル封止する。封止材は、第1表面と第2表面とを有する。光は、封止材の第1表面を通過した後に、第1光強度を有する。光は、封止材の第2表面を通過した後に、第2光強度を有する。第1光強度は、第2光強度と異なる。第1光強度は、第2光強度より低い。
上述のことから、本開示に係るLEDパッケージ構造において、基部の表面と平行する表面を通過する光の強度(例えば、第1光強度)は、基部の表面に垂直な表面を通過する光の強度(例えば、第2光強度)より高くてよい。従って、LEDパッケージ構造は、特定の方向において比較的高い強度で発光し得る。これにより、LEDパッケージ構造により放出された光は、その取り付けの環境に対応してより効率的に伝送され得る。
上述の複数の特徴及び利点のより良い理解を容易にするため、本開示の選択された複数の実施形態の詳細な説明が、以下にて、複数の関連する図を参照して提供される。
複数の添付の図面は、本開示のさらなる理解を提供するよう含まれ、本開示に組み込まれ、本開示の一部を構成する。複数の図面は、本開示の複数の実装を示し、本明細書とともに、本開示の複数の原理を説明するために機能する。複数の図面は必ずしも縮尺に従ってはおらず、本開示の概念を明確に示すために、いくつかの構成要素が、実際の実装における寸法に比例しないように示され得ることが、理解されたい。
図1は、本開示の実施形態に係るLEDパッケージ構造の斜視図を示す。図2は、図1のLEDパッケージ構造の正面図を示す。図3は、図1のLEDパッケージ構造の部分断面図を示す。図1から図3を参照すると、1つの実施形態において、LEDパッケージ構造100は、基部(又は基板)110と、LED120と、封止材130とを備え得る。LED120は、基部110の表面110a上に配置され得、発光できる。封止材130は、基部110上に配置され得、LED120を覆う。1つの実施形態において、LED120は、例えば、ランバーシアン光源であり得る。
封止材130は、基部110の表面110aと平行する表面130a、ならびに、基部110の表面110aに垂直な多数の表面130b、130c、130d及び130eを有し得る。LED120により放出された光は、基部110の表面110aと平行する表面130aを通過した後に、(光L1と示される)第1光強度を有し得る。LED120により放出された光は、基部110の表面110aに垂直な表面130b、130c、130d及び130eを通過した後に、(光L2と示される)第2光強度を有し得、第1光強度は、第2光強度より高い。1つの実施形態において、LED120により放出された光は、方向性を有し、第1光強度は、LEDパッケージ構造100のLED120により放出された光の方向性に起因して、第2光強度より高くてよい。1つの実施形態において、封止材130の表面130bと130cとは平行である。封止材130の表面130dと130eとは平行である。封止材130の表面130bと130cとは、封止材130の表面130dと130eとに接続される。1つの実施形態において、封止材130の表面130b、130c、130d及び130eを通過する光は、異なる光強度を有し得る。
加えて、1つの実施形態において、LEDパッケージ構造100はまた、基部110の表面110aに垂直な、封止材130の表面130e上に配置されているカバー部材140を含み得る。LED120により放出された光は、カバー部材140を通過した後に、(光L3と示される)第3光強度を有し得る。カバー部材140の光透過率が、封止材130の光透過率より低くてよく、第3光強度は、第2光強度より低くてよい。いくつかの実施形態において、カバー部材140は、これらに限定されるものではないが、例えば、噴霧、スパッタリング、ダイスタンピング、又はサンドポリッシュにより、形成され得る。1つの実施形態において、封止材130は、長方形の直方体であり得、複数の側面を有し得、第1光強度を有する光と、第2光強度を有する光と、第3光強度を有する光とは、図1〜図3に示されているように、その複数の側面を通過して、相互に垂直な複数の方向に伝送される。封止材130の形状はそれに限定されないことが留意されたい。図1の右側面図によれば、カバー部材140と第2基板114とは、L字型の形状を成す。第1基板112と第2基板114とは、L字型の形状を成す。カバー部材140と基部110とは、T字型の形状を成す。
上述の構成によれば、基部110の表面110aと平行する表面130aを通過した後のLED120により放出された光の強度(前述の第1光強度)が、基部110の表面110aに垂直な表面130b、130c及び130dを通過した後のLED120により放出された光の強度(前述の第2光強度)より高くてよい。さらに、基部110の表面110aに垂直な表面130b、130c及び130dを通過した後のLED120により放出された光の強度(前述の第2光強度)が、カバー部材140を通過した後のLED120により放出された光の強度(前述の第3光強度)より高くてよい。従って、LEDパッケージ構造100は、複数の特定の方向において比較的高い強度の光を放出し得、このことは、LEDパッケージ構造100により放出された光が、その取り付け環境に対応してより効率的に伝送されることを可能にする。
図4は、電子機器の複数のボタン用に導光する図1のLEDパッケージ構造の用途の構造図を示す。例として、LEDパッケージ構造100は、導光構造50とLEDパッケージ構造100とを組み合わせた全体の厚みを減少するべく、導光構造50の底部54ではなく、ボタン内部の導光構造50の側部52に埋め込まれ得る。上述したように、LEDパッケージ構造100は、複数の特定の方向において比較的高い強度の光を放出するよう構成され得る。この設計は、LEDパッケージ構造100により放出された光が、導光構造50の複数の内部表面上において、複数の反射面50aに水平に、より効率的に伝送されることを可能にする。それにより、放射光を反射する複数の反射面50aによる最適の発光効果を達成し、望ましいボタン用発光機能を提供する。いくつかの他の実施形態において、LEDパッケージ構造100は、複数の他の種類の機器又は部品に、制限なく実装され得る。
図3を参照すると、1つの実施形態において、基部110の表面110aは、2つのパッド110bを含み得る。LED120は、複数のパッド110bのうち1つ上に配置され得、複数の導線110cを介して2つのパッド110bに電気的に接続され得る。2つのパッド110bのそれぞれは、それぞれの導電性の貫通孔114aと回路層112aとを介して、対応する端子112bに接続され得る。各端子112bの形状は、半貫通孔形状であり得る。さらに、1つの実施形態において、基部110は、第1基板112上に積層される第1基板112及び第2基板114を含み得る。第1基板112及び第2基板114が互いに接合される前に、回路層112aがまず、第1基板112上に形成され得、複数の導電性の貫通孔114aが、第2基板114に形成され得る。第1基板112と第2基板114とが互いに接合されているとき、複数の導電性の貫通孔114aと回路層112aとは、接続され得る。従って、基部110の表面110a上に回路層112aを形成する必要がなく、このことは、表面110a上の構成空間を節減する。1つの実施形態において、LED120は、フリップチップボンディングにより、複数のパッド110bに電気的に接続される。1つの実施形態において、LED120は、導電性の接着層により1つのパッド110bに電気的に接続され、導電性ワイヤボンディングにより別のパッド110bに電気的に接続される。
図5は、図1のLEDパッケージ構造の側面図を示す。図5を参照すると、1つの実施形態において、カバー部材140の端部142が、基部110の表面110aに切り込まれない。しかしながら、様々な本開示の複数の実施形態が図5に示されているものに限定されず、代替的な例が図6に示されている。図6は、本開示の別の実施形態に係るLEDパッケージ構造200の側面図を示す。図6に示されているように、LEDパッケージ構造200は、基部(又は基板)210と、パッド210bと、導電性線210cと、第1基板212と、第2基板214と、端子212bと、LED220と、封止材230と、カバー部材240とを備え得、それらの構成及び動作は、図5の基部110、パッド110b、導電性線110c、第1基板112、第2基板114、端子112b、LED120、封止材130、及びカバー部材140のそれらと同様であり得る。記載を簡潔にするために、それらの詳細な説明については提供されず、これにより、冗長性を回避する。
LEDパッケージ構造200は、カバー部材240の端部242が基部210の表面210aに少なくとも部分的に切り込み得るという点において、LEDパッケージ構造100と異なる。特に、LEDパッケージ構造200及び封止材230が個別にユニット化される前に、封止材230はまず切られて、カバー部材240を配置するための複数のスロットを形成する。そのような複数のスロットは、基部210の表面210aに切り込まれ得る。従って、そのように形成されたカバー部材240は、図6に示されているように、基部210の表面210aに切り込み得る。
図7は、本開示の別の実施形態に係るLEDパッケージ構造300の正面図を示す。図7に示されているように、LEDパッケージ構造300は、基部(又は基板)310と、表面310aと、パッド310bと、導電性線310cと、LED320と、封止材330と、表面330a、330b、330c、330d及び330eとを備え得、それらの構成及び動作は、図2の基部110、表面110a、パッド110b、導電性線110c、LED120、封止材130、及び表面130a、130b、130c、130d及び130eのそれらと同様であり得る。記載を簡潔にするために、その詳細な説明については提供されず、これにより、冗長性を回避する。
LEDパッケージ構造300は、カバー部材340が、基部310の表面310aに垂直な、LEDの320の表面320a上に配置されるという点において、LEDパッケージ構造100と異なる。図2に示されている例における第1光強度と第2光強度と第3光強度との間の関係と同様に、図7に示されている1つの実施形態において、放射光は、カバー部材340と封止材330の表面330eとを通過した後に、第3光強度(光L3'と示される)を有し得、第3光強度は、基部310の表面310aに垂直な表面330b、330c及び330dを通過した後の光の第2光強度(光L2'と示される)より低くてよく、加えて、基部310の表面310aと平行する表面330aを通過した後の光の第1光強度(光L1'と示される)より低くてよい。いくつかの他の実施形態において、これらに限定されるものではないが、カバー部材340は、基部310の表面310aに垂直なLED320の表面320aと、表面320aに対応する封止材330の表面330eとの間の任意の適した場所に配置され得る。1つの実施形態において、封止材330の表面330bと330cとは平行である。封止材330の表面330dと330eとは平行である。封止材330の表面330bと330cとは、封止材330の表面330dと330eとに接続される。1つの実施形態において、封止材330の表面330b、330c、330d及び330eを通過する光は、異なる光強度を有し得る。
ここで、複数のLEDパッケージ構造の製造方法に関する本開示の実施形態の説明に移る。図8は、本開示の実施形態に係るLEDパッケージ構造の製造工程のフローチャートを示す。図8を参照すると、まず、大きい表面積を有する基部が提供される(段階S602)。次に、複数のLEDが基部上に配置され、その複数のLEDは、LEDのアレイを形成する(段階S604)。封止材が基部上に配置され、複数のLEDを覆う(段階S606)。封止材は、LEDのアレイに対して行方向又は列方向の態様に切られ、平行する複数のスロットを形成し、その複数のスロットのそれぞれは、基部の表面に切り込む(段階S608)。プラスチック材が、複数のスロットに充填される(段階S610)。封止材と基部とは切られて、個々の複数のLEDパッケージ構造を形成し、プラスチック材は、複数のLEDパッケージ構造のそれぞれのカバー部材を形成する(段階S612)。カバー部材と基部の表面との間の接続の強度を高めるため、カバー部材は、基部の表面に少なくとも部分的に切り込み得る。
上述のことから、本開示の複数の実施形態に係るLEDパッケージ構造では、基部の表面と平行する表面を通過した後のLEDにより放出された光の強度(例えば、上述の第1光強度)は、基部の表面に垂直な表面を通過した後の光の強度(例えば、上述の第2光強度)より高くてよい。さらに、基部の表面に垂直な表面を通過した後の光の強度(例えば、上述の第2光強度)は、カバー部材を通過した後の光の強度(例えば、上述の第3光強度)より高くてよい。従って、LEDパッケージ構造により放出された光は、複数の特定の方向において比較的高い光強度を有し得る。このことは、LEDパッケージ構造100により放出された光が、その取り付け環境に対応してより効率的に伝送されることを可能にする。
上述を考慮して、本開示に係る選択された複数の実施形態が、以下にて強調して提供される。
1つの態様において、LEDパッケージ構造が、基部と、基部の第1表面上に配置され、発光できるLEDと、基部上に配置され、LEDをカプセル封止する封止材とを備え得る。封止材は、基部の第1表面と平行する第2表面と、基部の第1表面に垂直な複数の第3表面とを有し得る。光は、基部の第1表面と平行する封止材の第2表面を通過した後に、第1光強度を有し得る。光は、基部の第1表面に垂直な封止材の第3表面を通過した後に、第2光強度を有し得る。第1光強度は、第2光強度より高くてよい。
LEDパッケージ構造はまた、基部の第1表面に垂直な、封止材の複数の第3表面の少なくとも1つ上に配置されるカバー部材を備え得る。光は、カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し得る。第3光強度は、第2光強度より低くてよい。いくつかの実装において、カバー部材は、噴霧、スパッタリング、ダイスタンピング、又はサンドポリッシュにより形成され得る。いくつかの実装において、カバー部材の光透過率が、封止材の光透過率より低くてよい。いくつかの実装において、カバー部材の1つの端部が、基部の表面に少なくとも部分的に切り込み得る。いくつかの実装において、第1光強度を有する光、第2光強度を有する光、及び第3光強度と有する光は、相互に垂直な複数の方向にあり得る。
LEDパッケージ構造はまた、少なくとも、基部の第1表面に垂直な、LEDの1つの第4表面上、封止材の複数の第3表面のうち1つ上に配置されるカバー部材を備え得る。光は、カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し得る。第3光強度は、第2光強度より低くてよい。いくつかの実装において、カバー部材は、噴霧、スパッタリング、ダイスタンピング、又はサンドポリッシュにより、形成され得る。いくつかの実装において、カバー部材の光透過率は、封止材の光透過率より低くてよい。いくつかの実装において、カバー部材の1つの端部が、基部の表面に少なくとも部分的に切り込み得る。いくつかの実装において、第1光強度を有する光、第2光強度を有する光、及び第3光強度を有する光は、相互に垂直な複数の方向にあり得る。
LEDパッケージ構造は、基部の第1表面に垂直な、LEDの少なくとも1つの第4表面上に配置されるカバー部材をさらに備え得る。光は、カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し得る。第3光強度は、第2光強度より低くてよい。いくつかの実装において、カバー部材は、噴霧、スパッタリング、ダイスタンピング、又はサンドポリッシュにより形成され得る。いくつかの実装において、カバー部材の光透過率は、封止材の光透過率より低くてよい。いくつかの実装において、カバー部材の1つの端部は、基部の表面に少なくとも部分的に切り込み得る。いくつかの実装において、第1光強度を有する光、第2光強度を有する光、及び第3光強度を有する光は、複数の相互に垂直な方向にあり得る。
別の態様において、LEDパッケージ構造を製造する方法が、基部を提供する段階と、基部上に複数のLEDを配置する段階であって、複数のLEDは、LEDのアレイを形成する、段階と、複数のLEDを覆うべく、基部上に封止材を配置する段階と、平行する複数のスロットを形成するべく、LEDのアレイに対して行方向又は列方向において封止材を切る段階であって、複数のスロットのそれぞれが基部の表面に切り込む、段階と、複数のスロットにプラスチック材を充填する段階と、個々の複数のLEDパッケージ構造を形成するべく、封止材及び基部を切る段階とを含む多数の操作を備え得る。ここで、プラスチック材は、複数のLEDパッケージ構造のそれぞれのカバー部材を形成する。
別の態様において、LEDパッケージ構造が、発光できるLEDと、LEDをカプセル封止する封止材とを備え得る。封止材は、第1表面と第2表面とを含み得る。光は、封止材の第1表面を通過した後に、第1光強度を有し得る。光は、封止材の第2表面を通過した後に、第2光強度を有し得る。第1光強度は、第2光強度と異なってよい。
いくつかの実装において、第1光強度は、第2光強度より高くてよい。代替的に、第1光強度は、第2光強度より低くてよい。
本開示の選択された複数の実施形態が上にて説明されているが、それらは、本開示の範囲を限定することを意図していない。当業者であれば、本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、本開示に基づき複数の修正及び変更を加えることができる。よって、本開示の保護範囲は以下の特許請求の範囲により画定されるべきである。
Claims (20)
- 発光ダイオード(LED)パッケージ構造であって、
基部と、
前記基部の第1表面上に配置され、光を放出することができるLEDと、
前記基部上に配置され、前記LEDをカプセル封止する封止材と
を備え、
前記封止材は、前記基部の前記第1表面と平行する第2表面と、前記基部の前記第1表面に垂直な複数の第3表面とを有し、
前記光は、前記基部の前記第1表面と平行する、前記封止材の前記第2表面を通過した後に、第1光強度を有し、
前記光は、前記基部の前記第1表面に垂直な、前記封止材の前記複数の第3表面を通過した後に、第2光強度を有し、
前記第1光強度は、前記第2光強度より高い、
LEDパッケージ構造。 - 前記基部の前記第1表面に垂直な、前記封止材の前記複数の第3表面の少なくとも1つ上に配置されるカバー部材をさらに備え、前記光は、前記カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し、前記第3光強度は前記第2光強度より低い、請求項1に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材は、噴霧、スパッタリング、ダイスタンピング、又はサンドポリッシュによって形成される、請求項2に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材の光透過率は、前記封止材の光透過率より低い、請求項2又は3に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材の1つの端部は、前記基部の前記表面に少なくとも部分的に切り込む、請求項2から4の何れか一項に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記第1光強度を有する前記光、前記第2光強度を有する前記光、及び前記第3光強度を有する前記光は、相互に垂直な複数の方向にある、請求項2から5の何れか一項に記載のLEDパッケージ構造。
- 少なくとも、前記基部の前記第1表面に垂直な、前記LEDの1つの第4表面上、及び前記封止材の前記複数の第3表面のうち1つ上に配置されるカバー部材をさらに備え、前記光は、前記カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し、前記第3光強度は、前記第2光強度より低い、請求項1に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材は、噴霧、スパッタリング、ダイスタンピング、又はサンドポリッシュによって形成される、請求項7に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材の光透過率は、前記封止材の光透過率より低い、請求項7又は8に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材の1つの端部は、前記基部の前記表面に少なくとも部分的に切り込む、請求項7から9の何れか一項に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記第1光強度を有する前記光、前記第2光強度を有する前記光、及び前記第3光強度を有する前記光は、相互に垂直な複数の方向にある、請求項7から10の何れか一項に記載のLEDパッケージ構造。
- 少なくとも、前記基部の前記第1表面に垂直な、前記LEDの1つの第4表面上に配置されるカバー部材をさら備え、前記光は、前記カバー部材を通過した後に、第3光強度を有し、前記第3光強度は、前記第2光強度より低い、請求項1に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材は、噴霧、スパッタリング、ダイスタンピング、又はサンドポリッシュによって形成される、請求項12に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材の光透過率は、前記封止材の光透過率より低い、請求項12又は13に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記カバー部材の1つの端部は、前記基部の前記表面に少なくとも部分的に切り込む、請求項12から14の何れか一項に記載のLEDパッケージ構造。
- 前期第1光強度を有する前記光、前記第2光強度を有する前記光、及び前記第3光強度を有する前記光は、相互に垂直な複数の方向にある、請求項12から15の何れか一項に記載のLEDパッケージ構造。
- 複数の発光ダイオード(LED)パッケージ構造を製造する方法であって、
基部を提供する段階と、
前記基部上に複数のLEDを配置する段階であって、前記複数のLEDは、LEDのアレイを形成する、段階と、
前記複数のLEDを覆うべく、前記基部上に封止材を配置する段階と、
平行する複数のスロットであって、それぞれが前記基部の表面に切り込む複数のスロットを形成するべく、前記LEDのアレイに対して行方向又は列方向に、前記封止材を切る段階と、
前記複数のスロットにプラスチック材を充填する段階と、
個々の複数のLEDパッケージ構造を形成するべく、前記封止材と前記基部とを切る段階を
を備え、
前記プラスチック材は、前記複数のLEDパッケージ構造のそれぞれのカバー部材を形成する、
方法。 - 発光ダイオード(LED)パッケージ構造であって、
光を放出することができるLEDと、
前記LEDをカプセル封止する封止材と、
を備え、
前記封止材は、第1表面と第2表面とを有し、
前記光は、前記封止材の前記第1表面を通過した後に、第1光強度を有し、
前記光は、前記封止材の前記第2表面を通過した後に、第2光強度を有し、
前記第1光強度は前記第2光強度と異なる、
LEDパッケージ構造。 - 前記第1光強度は、前記第2光強度よりより高い、請求項18に記載のLEDパッケージ構造。
- 前記第1光強度は、第2光強度より低い、請求項18に記載のLEDパッケージ構造。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104141914 | 2015-12-14 | ||
TW104141914A TW201721906A (zh) | 2015-12-14 | 2015-12-14 | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017112372A true JP2017112372A (ja) | 2017-06-22 |
Family
ID=57544312
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016239473A Pending JP2017112372A (ja) | 2015-12-14 | 2016-12-09 | 発光ダイオードパッケージ構造及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10347795B2 (ja) |
EP (1) | EP3182469A1 (ja) |
JP (1) | JP2017112372A (ja) |
CN (1) | CN106876563A (ja) |
TW (1) | TW201721906A (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6995032B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-02-07 | Cree, Inc. | Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same |
JP2004127604A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード及びバックライトユニット |
JP2006032804A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Koha Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2006261286A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ及びその製造方法 |
TWM312020U (en) * | 2006-12-04 | 2007-05-11 | Lighthouse Technology Co Ltd | Light emitting diode package structure |
TWI372918B (en) * | 2007-12-27 | 2012-09-21 | Everlight Electronics Co Ltd | Edge lighting light-emitting diode backlight module |
EP2235431B1 (en) | 2008-01-17 | 2018-06-20 | Koninklijke Philips N.V. | Lighting device |
CN101452986A (zh) | 2008-12-31 | 2009-06-10 | 广东昭信光电科技有限公司 | 白光发光二极管器件的封装结构和方法 |
US9048404B2 (en) * | 2009-07-06 | 2015-06-02 | Zhuo Sun | Thin flat solid state light source module |
US9735198B2 (en) * | 2012-03-30 | 2017-08-15 | Cree, Inc. | Substrate based light emitter devices, components, and related methods |
TWI527274B (zh) * | 2013-04-29 | 2016-03-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體封裝結構 |
WO2017074035A1 (ko) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명시스템 |
-
2015
- 2015-12-14 TW TW104141914A patent/TW201721906A/zh unknown
-
2016
- 2016-12-09 JP JP2016239473A patent/JP2017112372A/ja active Pending
- 2016-12-13 EP EP16203599.2A patent/EP3182469A1/en not_active Withdrawn
- 2016-12-13 CN CN201611145257.1A patent/CN106876563A/zh active Pending
- 2016-12-14 US US15/378,272 patent/US10347795B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3182469A1 (en) | 2017-06-21 |
TW201721906A (zh) | 2017-06-16 |
US20170170368A1 (en) | 2017-06-15 |
US10347795B2 (en) | 2019-07-09 |
CN106876563A (zh) | 2017-06-20 |
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