JP2017111859A - 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター - Google Patents
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Abstract
【課題】蛍光体層の温度上昇を低減できる、波長変換素子、光源装置及びプロジェクターを提供する。【解決手段】長波長蛍光体層と、該長波長蛍光体層よりも短波長の光を発する短波長蛍光体層と、を備えた波長変換層と、波長変換層を支持する支持面を有する基板と、を備えた波長変換素子であって、短波長蛍光体層は、長波長蛍光体層の基板とは反対側に設けられており、支持面の面法線の方向から見たとき、長波長蛍光体層は短波長蛍光体層の外側に設けられている波長変換素子に関する。【選択図】図1
Description
本発明は、波長変換素子、光源装置及びプロジェクターに関するものである。
従来、基板上の蛍光体層に励起光を照射することで蛍光を生成する光源装置が知られている(例えば、下記特許文献1参照)。この光源装置において、蛍光体層は互いに異なる色の蛍光を生成する2つの蛍光体を積層して構成されている。
ところで、上記光源装置において、均一な強度分布の励起光を蛍光体層に照射した場合、蛍光体層の中央部は周辺部よりも熱が排出され難いため、温度が上昇し易い。その結果、蛍光体層における中央部の温度が過度に上昇することで、蛍光の変換効率が大きく低下してしまう。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、蛍光体層の温度上昇を低減できる、波長変換素子、光源装置及びプロジェクターを提供することを目的とする。
本発明の第1態様に従えば、長波長蛍光体層と、該長波長蛍光体層よりも短波長の光を発する短波長蛍光体層と、を備えた波長変換層と、前記波長変換層を支持する支持面を有する基板と、を備えた波長変換素子であって、前記短波長蛍光体層は、前記長波長蛍光体層の前記基板とは反対側に設けられており、前記支持面の面法線の方向から見たとき、前記長波長蛍光体層は前記短波長蛍光体層の外側に設けられている波長変換素子が提供される。
本明細書では、比較的短い波長帯の蛍光を発する蛍光体層のことを短波長蛍光体層と称し、比較的長い波長帯の蛍光を発する蛍光体層のことを長波長蛍光体層と称する。第1態様に係る波長変換素子によれば、励起光に対するストークスロスの小さい短波長蛍光体層を波長変換層の内側に配置し、上記ストークスロスの大きい長波長蛍光体層を波長変換層の外側に配置している。ストークスロスが小さいほど発熱量が小さい。つまり、熱のこもり易かった波長変換層の内側に発熱量の小さい短波長蛍光体層を配置し、熱のこもり難かった波長変換層の外側に発熱量の大きい長波長蛍光体層を配置している。よって、波長変換層の温度上昇を低減することができる。
上記第1態様において、前記長波長蛍光体層は、前記基板とは反対側に凹部を有し、前記凹部に前記短波長蛍光体層が設けられているのが好ましい。
この構成によれば、長波長蛍光体層及び短波長蛍光体層を積層する構造に比べて、波長変換層の全体の厚みを薄くできる。よって、波長変換層全体における排熱性を向上させることができる。
この構成によれば、長波長蛍光体層及び短波長蛍光体層を積層する構造に比べて、波長変換層の全体の厚みを薄くできる。よって、波長変換層全体における排熱性を向上させることができる。
この構成において、前記長波長蛍光体層の厚さは、前記波長変換層において励起光が照射される励起光照射領域の中央部において最も小さくするのが望ましい。
このようにすれば、熱のこもり易い励起光照射領域の中央部において、発熱量の大きい長波長蛍光体層の量を少なくできる。よって、波長変換層の温度上昇を低減することができる。
このようにすれば、熱のこもり易い励起光照射領域の中央部において、発熱量の大きい長波長蛍光体層の量を少なくできる。よって、波長変換層の温度上昇を低減することができる。
上記第1態様において、前記波長変換層は、前記波長変換層において励起光が照射される励起光照射領域の外側に設けられ、前記波長変換層を厚さ方向に貫通している溝部を備えるのが好ましい。
この構成によれば、励起光照射領域の外側へ向かった蛍光光の一部は溝部に到達する。この時、溝部の内周壁に対して臨界角以上の入射角度で入射した蛍光光は内周壁で全反射するため、内周壁を通過することができない。また、内周壁に対して臨界角未満の入射角で入射した蛍光光の一部は内周壁で反射し、内周壁を通過することができない。つまり、蛍光光のうち僅かな成分しか溝部を通過することができない。
従って、溝部が蛍光体層における実質的な発光領域を制御することができる。
この構成によれば、励起光照射領域の外側へ向かった蛍光光の一部は溝部に到達する。この時、溝部の内周壁に対して臨界角以上の入射角度で入射した蛍光光は内周壁で全反射するため、内周壁を通過することができない。また、内周壁に対して臨界角未満の入射角で入射した蛍光光の一部は内周壁で反射し、内周壁を通過することができない。つまり、蛍光光のうち僅かな成分しか溝部を通過することができない。
従って、溝部が蛍光体層における実質的な発光領域を制御することができる。
本発明の第2態様に従えば、上記第1態様に係る波長変換素子と、前記波長変換層に励起光を照射する光源と、を備える光源装置が提供される。
第2態様に係る光源装置は上記第1態様に係る波長変換素子を備えるので、蛍光体層の温度上昇が低減されることで高輝度の光を射出することができる。
本発明の第3態様に従えば、上記第2態様に係る光源装置と、前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調することにより画像光を形成する光変調装置と、前記画像光を投射する投射光学系と、を備えるプロジェクターが提供される。
第3態様に係るプロジェクターは上記第2態様に係る光源装置を備えるので、明るい画像光を投射することができる。
上記第3態様において、前記短波長蛍光体層は青色の蛍光を発し、前記長波長蛍光体層は黄色の蛍光を発するのが好ましい。
この構成によれば、青色の蛍光と黄色の蛍光とを合成することでレーザー光を含まない白色光を生成できる。よって、スペックルがない高品質の画像光を投射することができる。
この構成によれば、青色の蛍光と黄色の蛍光とを合成することでレーザー光を含まない白色光を生成できる。よって、スペックルがない高品質の画像光を投射することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
(第1実施形態)
本実施形態に係るプロジェクターの一例について説明する。本実施形態のプロジェクターは、スクリーン(被投射面)上にカラー映像を表示する投射型画像表示装置である。プロジェクターは、赤色光、緑色光、青色光の各色光に対応した3つの液晶光変調装置を備えている。プロジェクターは、照明装置の光源として、高輝度・高出力な光が得られる半導体レーザーを備えている。
本実施形態に係るプロジェクターの一例について説明する。本実施形態のプロジェクターは、スクリーン(被投射面)上にカラー映像を表示する投射型画像表示装置である。プロジェクターは、赤色光、緑色光、青色光の各色光に対応した3つの液晶光変調装置を備えている。プロジェクターは、照明装置の光源として、高輝度・高出力な光が得られる半導体レーザーを備えている。
図1は、本実施形態に係るプロジェクターの光学系を示す概略図である。
図1に示すように、本実施形態のプロジェクター1は、照明装置2と、色分離光学系3と、光変調装置4R、光変調装置4Gおよび光変調装置4Bと、合成光学系5と、投射光学系6と、を備え、スクリーンSCR上にカラー映像を表示可能である。
図1に示すように、本実施形態のプロジェクター1は、照明装置2と、色分離光学系3と、光変調装置4R、光変調装置4Gおよび光変調装置4Bと、合成光学系5と、投射光学系6と、を備え、スクリーンSCR上にカラー映像を表示可能である。
照明装置2は白色光WLを射出する。照明装置2から射出された白色光WLは色分離光学系3に入射する。
色分離光学系3は、照明装置2から射出された白色光WLを、赤色光LRと緑色光LGと青色光LBとに分離する。色分離光学系3は、第1のダイクロイックミラー7aと、第2のダイクロイックミラー7bと、第1の反射ミラー8aと、第2の反射ミラー8bと、第3の反射ミラー8cと、第1のリレーレンズ9aと、第2のリレーレンズ9bと、を備えている。
第1のダイクロイックミラー7aは、照明装置2からの白色光WLを、赤色光LRと、緑色光LGおよび青色光LBを含む光と、に分離する機能を有する。第1のダイクロイックミラー7aは、赤色光LRを透過するとともに、緑色光LGおよび青色光LBを含む光を反射する。第2のダイクロイックミラー7bは、第1のダイクロイックミラー7aで反射した緑色光LGおよび青色光LBを含む光を、緑色光LGと青色光LBとに分離する。第2のダイクロイックミラー7bは、緑色光LGを反射するとともに、青色光LBを透過する。
第1の反射ミラー8aは、赤色光LRの光路中に配置され、第1のダイクロイックミラー7aを透過した赤色光LRを光変調装置4Rに向けて反射する。第2の反射ミラー8bおよび第3の反射ミラー8cは、青色光LBの光路中に配置され、第2のダイクロイックミラー7bを透過した青色光LBを光変調装置4Bに導く。緑色光LGは、第2のダイクロイックミラー7bから光変調装置4Gに向けて反射される。
第1のリレーレンズ9aは、青色光LBの光路における第2の反射ミラー8bの光入射側に配置されている。第2のリレーレンズ9bは、青色光LBの光路における第2の反射ミラー8bの光射出側に配置されている。第1のリレーレンズ9aおよび第2のリレーレンズ9bは、青色光LBの光路長が赤色光LRの光路長および緑色光LGの光路長よりも長くなることによる青色光LBの光損失を補償する機能を有する。
光変調装置4R、光変調装置4Gおよび光変調装置4Bの各々は、液晶パネルで構成されている。光変調装置4Rは、赤色光LRを画像情報に応じて変調し、赤色の画像光を形成する。同様に、光変調装置4Gは、緑色光LGを画像情報に応じて変調し、緑色の画像光を形成する。光変調装置4Bは、青色光LBを画像情報に応じて変調し、青色の画像光を形成する。光変調装置4R、光変調装置4Gおよび光変調装置4Bの光入射側および光射出側に、一対の偏光板(図示せず)が配置されている。一対の偏光板は、特定の方向の直線偏光を透過する。
光変調装置4Rの入射側には、フィールドレンズ10Rが配置されている。フィールドレンズ10Rは、光変調装置4Rに入射する赤色光LRを平行化する。同様に、光変調装置4Gの入射側には、フィールドレンズ10Gが配置されている。フィールドレンズ10Gは、光変調装置4Gに入射する緑色光LGを平行化する。光変調装置4Bの入射側には、フィールドレンズ10Bが配置されている。フィールドレンズ10Bは、光変調装置4Bに入射する青色光LBを平行化する。
合成光学系5は、赤色光LR、緑色光LGおよび青色光LBのそれぞれに対応した画像光を合成し、合成された画像光を投射光学系6に向けて射出する。合成光学系5には、例えばクロスダイクロイックプリズムが用いられる。
投射光学系6は、複数の投射レンズを含む投射レンズ群から構成されている。投射光学系6は、合成光学系5により合成された画像光をスクリーンSCRに向けて拡大投射する。これにより、スクリーンSCR上には、拡大されたカラー画像が表示される。
以下、照明装置2の構成について詳細に説明する。
図2は、照明装置2の概略構成を示す平面図である。
図2に示すように、照明装置2は、光源装置2Aと、均一照明光学系2Bとを含む。
図2は、照明装置2の概略構成を示す平面図である。
図2に示すように、照明装置2は、光源装置2Aと、均一照明光学系2Bとを含む。
光源装置2Aは、アレイ光源21と、コリメーター光学系22と、アフォーカル光学系23と、ホモジナイザー光学系24と、波長分離素子50Aを含む光学素子25Aと、ピックアップ光学系27と、蛍光生成部28と、を備えている。
光源装置2Aにおいて、アレイ光源21、コリメーター光学系22、アフォーカル光学系23、ホモジナイザー光学系24および光学素子25Aは、光軸ax1上に配置されている。一方、蛍光生成部28、ピックアップ光学系27、光学素子25A、インテグレーター光学系29、偏光変換素子30および重畳光学系31は、光軸ax2上に配置されている。光軸ax1と光軸ax2とは、同一平面内にあり、かつ、互いに直交している。
アレイ光源21は、複数の半導体レーザー21aが配列された構成を有する。具体的には、複数の半導体レーザー21aは、光軸ax1と直交する面内にアレイ状に配列されている。半導体レーザー21aは、例えば、紫外域にピーク波長を有する励起光RLを射出する。複数の半導体レーザー21aの各々から射出される励起光RLは、波長分離素子50Aに向けて光軸ax1と平行に射出される。本実施形態の半導体レーザー21aは、特許請求の範囲の光源に対応する。
アレイ光源21から射出された励起光RLは、コリメーター光学系22に入射する。
コリメーター光学系22は、アレイ光源21から射出された励起光RLを平行光に変換する。コリメーター光学系22は、例えば複数の半導体レーザー21aの配列に対応してアレイ状に配列された複数のコリメーターレンズ22aで構成されている。コリメーター光学系22を透過することによって平行光に変換された励起光RLは、アフォーカル光学系23に入射する。
コリメーター光学系22は、アレイ光源21から射出された励起光RLを平行光に変換する。コリメーター光学系22は、例えば複数の半導体レーザー21aの配列に対応してアレイ状に配列された複数のコリメーターレンズ22aで構成されている。コリメーター光学系22を透過することによって平行光に変換された励起光RLは、アフォーカル光学系23に入射する。
アフォーカル光学系23は、励起光RLのサイズ(スポット径)を調整するものである。アフォーカル光学系23は、例えば2枚のアフォーカルレンズ23a、アフォーカルレンズ23bから構成されている。アフォーカル光学系23を透過することによりスポット径が調整された励起光RLは、ホモジナイザー光学系24に入射する。
ホモジナイザー光学系24は、ピックアップ光学系27と協同して被照明領域(ここでは蛍光体層111)における励起光RLの光強度分布を均一な状態、いわゆるトップハット分布に変換する。ホモジナイザー光学系24は、例えば一対のマルチレンズアレイ24a、マルチレンズアレイ24bから構成されている。ホモジナイザー光学系24を透過した励起光RLは、波長分離素子50Aを介して蛍光生成部28に入射する。
光学素子25Aは、例えば波長選択性を有するダイクロイックプリズムから構成されている。ダイクロイックプリズムは、光軸ax1および光軸ax2に対して45°の角度をなす傾斜面Kを有する。光学素子25Aは、互いに直交する光軸ax1および光軸ax2の交点と傾斜面Kの光学中心とが一致するように配置されている。傾斜面Kには、波長選択性を有する波長分離素子50Aが設けられている。
波長分離素子50Aは、波長分離素子50Aに入射した励起光RLを反射させ、励起光RLよりも長波長側の光を透過させる色分離機能を有する。
本実施形態の場合、半導体レーザー21aから射出される励起光RLは波長分離素子50Aにおいて蛍光生成部28に向けて反射される。なお、光学素子25Aとして、ダイクロイックプリズムのようなプリズム形状の素子に限らず、板状のダイクロイックミラーを用いてもよい。
ピックアップ光学系27は、励起光RLを蛍光体層111に向けて集光させる。ピックアップ光学系27は、例えばピックアップレンズ27aおよびピックアップレンズ27bから構成されている。具体的に、ピックアップ光学系27は、入射された励起光RLを後述する蛍光生成部28に向けて集光させるとともに、当該蛍光生成部28上で互いに重畳させる機能を有する。また、ピックアップ光学系27は、蛍光生成部28から射出された光を平行化して均一照明光学系2Bに入射させる。
均一照明光学系2Bは、インテグレーター光学系29と、偏光変換素子30と、重畳光学系31と、を備える。均一照明光学系2Bは、光源装置2Aから射出された白色光WLの強度分布を被照明領域において均一化する。
インテグレーター光学系29は、被照明領域(光変調装置4R,4G,4B)における輝度分布(照度分布)を均一化する。インテグレーター光学系29は、レンズアレイ29aおよびレンズアレイ29bから構成されている。レンズアレイ29aおよびレンズアレイ29bの各々は、複数のレンズがアレイ状に配列された構成を有する。インテグレーター光学系29を透過した白色光WLは、偏光変換素子30に入射する。
偏光変換素子30は、白色光WLを直線偏光に変換する。偏光変換素子30を通過した白色光WLは、重畳光学系31に入射する。
重畳光学系31は、重畳レンズから構成されている。白色光WLは、重畳光学系31を透過することにより被照明領域(光変調装置4R,4G,4B)上で重畳され、輝度分布が均一化されるとともに光軸周りの軸対称性が高められる。
蛍光生成部28は、波長変換素子41及びヒートシンク42を備える。波長変換素子41は、入射された励起光RLの波長を変換する蛍光体層111と、当該蛍光体層111が形成された基板112を備える。蛍光体層111は、後述のように励起光RLを吸収することで蛍光光を生成する蛍光体を含む。ヒートシンク42は、基板112の蛍光体層111が形成された側とは反対側の面に設けられ、基板112を介して蛍光体層111の熱を放出する。なお、蛍光体層111は特許請求の範囲の「波長変換層」に相当する。
蛍光体層111は上面11と下面12とを有する。励起光RLは蛍光体層111の上面11に入射する。蛍光体層111の下面12には、反射層113が形成されている。
ところで、蛍光光の輝度を高めるには励起光の出力を高くする必要がある。しかしながら、一般に波長変換層は蛍光光を発する際に発熱するため、励起光が強くなるほど波長変換層の温度が高くなる。波長変換層の温度が過度に上昇すると、温度消光という現象が生じ、蛍光体の発光効率が低下する。その結果、光源装置から射出される光量が低下してしまう。これに対し、本実施形態では、後述の構成を採用することで蛍光体層111の温度上昇を低減している。
図3は波長変換素子41を励起光RLの入射側から見た正面図であり、図4は、図3の波長変換素子41のA1−A1矢視による断面図である。
本実施形態において、波長変換素子41は、反射型の波長変換素子である。波長変換素子41は、図3及び図4に示すように、蛍光体層111、基板112、反射層113及び接着層114を備える。基板112の上面112Aには、接着層114により蛍光体層111が固定され、当該蛍光体層111の下面12には、反射層113が形成されている。また、蛍光体層111の上面11において励起光RLが照射される範囲を、励起光照射領域LS1と称する。励起光照射領域LS1は、蛍光体層111の上面11の中央部に位置する。なお、基板112の上面112Aは特許請求の範囲の「波長変換層を支持する支持面」に相当する。
本実施形態において、波長変換素子41は、反射型の波長変換素子である。波長変換素子41は、図3及び図4に示すように、蛍光体層111、基板112、反射層113及び接着層114を備える。基板112の上面112Aには、接着層114により蛍光体層111が固定され、当該蛍光体層111の下面12には、反射層113が形成されている。また、蛍光体層111の上面11において励起光RLが照射される範囲を、励起光照射領域LS1と称する。励起光照射領域LS1は、蛍光体層111の上面11の中央部に位置する。なお、基板112の上面112Aは特許請求の範囲の「波長変換層を支持する支持面」に相当する。
蛍光体層111は、長波長蛍光体層111Aと短波長蛍光体層111Bとを備える。基板112の上面112Aの面法線の方向から見たとき(以下、単に「平面視した際」と称す場合もある)、長波長蛍光体層111Aは短波長蛍光体層111Bの外側に設けられている。なお、短波長蛍光体層111Bの平面形状は、励起光照射領域LS1内に収まっている。
長波長蛍光体層111Aは反射層113上に設けられ、短波長蛍光体層111Bは長波長蛍光体層111A上に配置されている。長波長蛍光体層111Aは基板112と反対側に凹部115を有している。本実施形態において、短波長蛍光体層111Bは、凹部115に設けられている。短波長蛍光体層111Bの上面111B1と、長波長蛍光体層111Aの上面11(凹部115が形成されていない領域)とは、同じ高さとなっている。つまり、蛍光体層111の全体の厚みは、長波長蛍光体層111A及び短波長蛍光体層111Bを単に積層した構造よりも小さい。
上記蛍光体層111(長波長蛍光体層111A及び短波長蛍光体層111B)の形成材料としては、例えば、蛍光体粉末をガラス中に分散させたもの(蛍光体セラミックス)を用いることができる。このような蛍光体セラミックスからなる蛍光体層111を用いれば、樹脂をバインダーとして含む蛍光体層に比べて熱伝導率が高くなるので、耐熱性に優れたものとなる。
凹部115は、例えば、レーザー加工や研削等により長波長蛍光体層111Aの上面に形成される。本実施形態において、凹部115は長波長蛍光体層111Aの中央部に配置されている。凹部115は、長波長蛍光体層111Aの外側から内側に向かって深さが増加するすり鉢状である。凹部115の深さは、励起光照射領域LS1の中央部において最も深い。つまり、長波長蛍光体層111Aの膜厚は、励起光照射領域LS1の中央部において最も小さくなっている。
なお、凹部115の形状はこれに限定されず、長波長蛍光体層111Aの外側から内側に向かって深さが階段状に増加する形状であってもよい。また、本実施形態において、凹部115の平面形状は略矩形としたが、これに限定されず、例えば、略円形であっても良い。
具体的に、長波長蛍光体層111Aは、励起光RLを吸収して励起される蛍光体を含み、例えば、500〜700nmの波長域にピーク波長を有する黄色光YL(蛍光光)を生成する。黄色光YLは赤色光及び緑色光を含む。長波長蛍光体層111Aとしては、例えばYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系蛍光体を用いることができる。
短波長蛍光体層111Bは、励起光RLを吸収して励起される蛍光体を含み、例えば、約440〜約470nmの波長域にピーク波長を有する青色光BL(蛍光光)を生成する。短波長蛍光体層111Bとしては、例えばSrMgSiO:Eu(ケイ酸塩)系蛍光体を用いることができる。
長波長蛍光体層111Aは黄色光YLを生成したことで熱を発生し、短波長蛍光体層111Bは青色光BLを生成したことで熱を発生する。そのため、蛍光体層111は全体的に発熱した状態となる。
ここで、長波長蛍光体層111Aの方が短波長蛍光体層111Bよりも励起光RLに対するストークスロスが大きい。そのため、仮に長波長蛍光体層111A及び短波長蛍光体層111Bにおける励起光RLの吸収量が同じ場合でも、短波長蛍光体層111Bは長波長蛍光体層111Aよりも発熱量が小さい。
本実施形態において、励起光照射領域LS1は蛍光体層111の中央部に設定される。蛍光体層111の中央部は周辺部に比べて熱が排出され難く、温度が上昇するおそれがある。
本実施形態の蛍光体層111は、図3に示したように、熱が排出され難い部分(中央部)に発熱量の小さい短波長蛍光体層111Bを配置することで該蛍光体層111の温度上昇を低減することができる。また、蛍光体層111は、比較的熱が排出され易い部分(短波長蛍光体層111Bの外側である周辺部)に発熱量の大きい長波長蛍光体層111Aを配置することで該蛍光体層111の温度上昇を低減することができる。
また、図4に示したように、長波長蛍光体層111Aの中央部に形成した凹部115に短波長蛍光体層111Bを配置することで、長波長蛍光体層111A及び短波長蛍光体層111Bを単に積層した構造に比べて、該蛍光体層111の全体の厚みが小さい。これにより、高い排熱性が得られている。
本実施形態において、励起光照射領域LS1は、熱がこもり易い蛍光体層111の中央部に設定されている。ここで、蛍光体層111は励起光照射領域LS1の中央部において最も温度が高くなるおそれがある。
本実施形態では、励起光照射領域LS1の中央部における長波長蛍光体層111Aの膜厚を最小にしている。これにより、励起光照射領域LS1の中央部、つまり、熱がこもり易い蛍光体層111の中央部において、発熱量の大きい長波長蛍光体層111Aの量を少なくできる。よって、蛍光体層111の温度上昇を低減できる。
長波長蛍光体層111Aで生成された黄色光YLは、反射層113で反射して蛍光体層111の上面11からピックアップ光学系116に向けて射出する。同様に、短波長蛍光体層111Bで生成された青色光BLは、反射層113で反射して蛍光体層111の上面11からピックアップ光学系116に向けて射出する。
蛍光体層111の上面11から射出された黄色光YLと青色光BLとが合成されることで白色光(蛍光光)WLが生成される。つまり、光源装置2Aは蛍光光のみから構成された白色光WLを射出する。白色光WLはレーザー光を含まない。
蛍光体層111の上面11から射出された黄色光YLと青色光BLとが合成されることで白色光(蛍光光)WLが生成される。つまり、光源装置2Aは蛍光光のみから構成された白色光WLを射出する。白色光WLはレーザー光を含まない。
本実施形態の光源装置2Aによれば、蛍光体層111の温度上昇が低減されるので、温度消光によって蛍光体の発光効率が低下することが低減される。よって、この光源装置2Aを備えた照明装置2によれば明るい白色光WLを得ることができる。
また、本実施形態のプロジェクター1によれば、明るい白色光WLを射出する照明装置2を備えるので、明るい画像光をスクリーンSCR上に投射できる。また、白色光WLがレーザー光を含まないため、スペックルの無い高品質の画像光を投射することができる。
(第2実施形態)
続いて、第2実施形態に係る波長変換素子について説明する。なお、上記実施形態と共通の構成及び部材については同じ符号を付し、その説明については省略若しくは簡略化する。
続いて、第2実施形態に係る波長変換素子について説明する。なお、上記実施形態と共通の構成及び部材については同じ符号を付し、その説明については省略若しくは簡略化する。
図5は本実施形態の波長変換素子141を励起光RLの入射側から見た正面図であり、図6は、図5の波長変換素子141のB1−B1矢視による断面図である。
本実施形態の波長変換素子141は、図5及び図6に示すように、励起光照射領域LS1の外側に設けられた溝部142を有している。
本実施形態の波長変換素子141は、図5及び図6に示すように、励起光照射領域LS1の外側に設けられた溝部142を有している。
本実施形態において、溝部142は、励起光照射領域LS1を囲む矩形枠状に設けられている。具体的に、溝部142は励起光照射領域LS1よりも若干大きい矩形枠状に形成される。溝部142は、蛍光体層111を厚さ方向に貫通している。なお、溝部142は、例えば、レーザー加工等により形成される。
蛍光体層111で生成された蛍光光KLは、蛍光体層111の内部で散乱されながら伝播する。このため、蛍光光KLの一部の成分は励起光照射領域LS1の外側へ進行し、励起光照射領域LS1の外側において蛍光体層111の上面11から射出する。レーザー加工を用いれば、蛍光体層111における有効領域の位置や形状を高い精度で制御できる。
図7は、励起光照射領域LS1の外側へ進行する蛍光光KLの光路を模式的に示す断面図である。なお、図7においては、溝部142が形成されていない場合の光路を点線で示し、溝部142が形成されている場合の光路を実線で示している。以下の説明では、励起光照射領域LS1の外側へ進行する蛍光光KLのことを、便宜上内部伝播光と称する。
溝部142が形成されていない場合、点線で示したように、内部伝播光は、蛍光体層111の内部を該蛍光体層111の端面111Eに向かって進行する。内部伝播光は蛍光体層111の内部で散乱されるため、内部伝播光の一部の成分は蛍光体層111の端面111Eに到達する前に、上面11から射出される。
従って、実質的な発光領域は励起光照射領域LS1の外側へ大きく拡がる。実質的な発光領域が必要以上に拡がると、ピックアップ光学系27に取り込まれない成分が多くなり、蛍光体層111から射出した蛍光光KLの利用効率が低下する。
本実施形態では、励起光照射領域LS1の外側に溝部142が設けられている。溝部142の内周壁142aに対して臨界角以上の入射角で入射した内部伝播光KL1は内周壁142aで全反射するため、内周壁142aを通過することができない。
また、内周壁142aに対して臨界角未満の入射角で入射した内部伝播光KL2の一部は内周壁142aで反射し、内周壁142aを通過することができない。このように、内部伝播光のうちわずかな成分しか溝部142よりも外側へ進行することができない。
本実施形態によれば、溝部142により実質的な発光領域の大きさを制御できるので、実質的な発光領域が必要以上に拡がることがなく、蛍光体層111から射出した蛍光光KLを効率的に利用することができる。
なお、蛍光体層111において、溝部142により囲まれた領域(以下、有効領域という)の面積を励起光照射領域LS1の面積よりもわずかに大きく設定することが好ましい。有効領域の面積が励起光照射領域LS1の面積よりも大きすぎると、実質的な発光領域が大きくなり過ぎてしまい、蛍光体層111から射出した蛍光光KLの利用効率が低下するおそれがあるためである。また、励起光照射領域LS1の面積が有効領域の面積よりも大きい場合、有効領域の外側にも励起光RLが照射されるため、実質的な発光領域を制御することができないためである。
本実施形態において、有効領域は、光変調装置4R,4G,4Bの画像形成領域と相似であることが好ましい。有効領域が画像形成領域と相似である場合、波長変換素子141から射出された蛍光光KLを極めて効率的に利用することができる。具体的には、光変調装置4R,4G,4Bを構成する液晶パネルの画像形成領域は長方形状であるため、有効領域も長方形状とするのが好ましい。
また、溝部142の形状は矩形枠状に限定されず、励起光照射領域LS1の形状に応じて適宜変更してもよい。例えば、励起光照射領域LS1が楕円形状(円形も含む)であれば、励起光照射領域LS1の形状を楕円枠状としてもよい。
また、溝部142は平面視した状態において枠状に全体が繋がっている形状(全体が連続した形状)に限定されることはなく、一部に接続されていない部分を含んだ形状(全体が連続しない形状)であっても良い。
また、溝部142は平面視した状態において枠状に全体が繋がっている形状(全体が連続した形状)に限定されることはなく、一部に接続されていない部分を含んだ形状(全体が連続しない形状)であっても良い。
以上述べたように本実施形態の波長変換素子141によれば、励起光照射領域LS1の外側に設けられた溝部142によって、実質的な発光領域の大きさ及び形状が制御されるので、波長変換素子141から射出された蛍光光KLがピックアップ光学系27に効率的に取り込まれるように、実質的な発光領域を容易に設定することができる。よって、波長変換素子141から射出された蛍光光KLを効率的に利用することができる。また、この波長変換素子141を有した照明装置を備えたプロジェクター1によれば、蛍光光KLの利用効率が高いため、高輝度な画像をスクリーンSCR上に投射することができる。
また、溝部142が励起光照射領域LS1を囲むように設けられているので、実質的な発光領域は有効領域の内側に制限される。従って、蛍光体層111を本実施形態における有効領域と同じ大きさの小片に加工する必要がない。
また、本実施形態においては、蛍光体層111の形成材料として樹脂蛍光体を用いても良い。このように樹脂蛍光体を用いて蛍光体層111を形成する場合、例えば、以下の手順により形成される。
まず、複数の蛍光体粒子を含む第1の樹脂ペースト(長波長蛍光体層111Aの形成材料)を反射層113が形成された基板112上に塗布する。続いて、複数の蛍光体粒子を含む第2の樹脂ペースト(短波長蛍光体層111Bの形成材料)を第1の樹脂ペースト上に積層する。第2の樹脂ペーストの形状を補正(例えば、上面の平坦化等)した後、これら樹脂ペーストを加熱して硬化させることで蛍光体層111を形成する。
ここで、樹脂蛍光体は流動性がある状態で基板112上に塗布することで形成されるため、所望の大きさ、形状に形成することは非常に困難である。本実施形態によれば、上記溝部142を形成するため、実質的な発光領域を所望の大きさ、形状に容易に設定することができる。
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、反射型の波長変換素子41を例示したが、本発明はこれに限定されず、透過型の波長変換素子であっても良い。透過型の波長変換素子は、例えば、図4に示した波長変換素子41に対して、反射層113を有しない点、及び、基板112及び接着層114が励起光RLを透過する透光性材料で構成される点が異なる。
例えば、上記実施形態では、反射型の波長変換素子41を例示したが、本発明はこれに限定されず、透過型の波長変換素子であっても良い。透過型の波長変換素子は、例えば、図4に示した波長変換素子41に対して、反射層113を有しない点、及び、基板112及び接着層114が励起光RLを透過する透光性材料で構成される点が異なる。
また、上記実施形態では、黄色光YLを生成する長波長蛍光体層111Aと、青色光BLを生成する短波長蛍光体層111Bとを備えた蛍光体層111を例示したが、本発明はこれに限定されない。長波長蛍光体層111Aとして例えば、赤色光を生成する蛍光体(例えば、CaAlSiNEuやCaEuSiO)を有する蛍光体層を用い、短波長蛍光体層111Bとして、緑色光を生成する蛍光体(例えば、LuAG)を有する蛍光体層を用いてもよい。この場合、照明装置からは黄色光が射出されることとなる。そのため、青色光を生成する第2の照明装置を別途用意し、黄色光と青色光とを合成した白色光を色分離光学系3に入射させればよい。
また、上記実施形態では、3つの光変調装置4R,4G,4Bを備えるプロジェクター1を例示したが、1つの光変調装置でカラー映像を表示するプロジェクターに適用することも可能である。また、光変調装置として、デジタルミラーデバイスを用いてもよい。
また、上記実施形態では本発明による光源装置をプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限られない。本発明による光源装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。
1…プロジェクター、2A…光源装置、4R,4G,4B…光変調装置、6…投射光学系、21…アレイ光源、41,141…波長変換素子、111…蛍光体層、111A…長波長蛍光体層、111B…短波長蛍光体層、112…基板、112A…上面、115…凹部、142…凹部、LS1…励起光照射領域、RL…励起光。
Claims (7)
- 長波長蛍光体層と、該長波長蛍光体層よりも短波長の光を発する短波長蛍光体層と、を備えた波長変換層と、
前記波長変換層を支持する支持面を有する基板と、を備えた波長変換素子であって、
前記短波長蛍光体層は、前記長波長蛍光体層の前記基板とは反対側に設けられており、
前記支持面の面法線の方向から見たとき、前記長波長蛍光体層は前記短波長蛍光体層の外側に設けられている
波長変換素子。 - 前記長波長蛍光体層は、前記基板とは反対側に凹部を有し、前記凹部に前記短波長蛍光体層が設けられている
請求項1に記載の波長変換素子。 - 前記長波長蛍光体層の厚さは、前記波長変換層において励起光が照射される励起光照射領域の中央部において最も小さい
請求項2に記載の波長変換素子。 - 前記波長変換層は、前記波長変換層において励起光が照射される励起光照射領域の外側に設けられ、前記波長変換層を厚さ方向に貫通している溝部を備える
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の波長変換素子。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の波長変換素子と、
前記波長変換層に励起光を照射する光源と、を備える
光源装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調することにより画像光を形成する光変調装置と、
前記画像光を投射する投射光学系と、を備える
プロジェクター。 - 前記短波長蛍光体層は青色の蛍光を発し、前記長波長蛍光体層は黄色の蛍光を発する
請求項6に記載のプロジェクター。
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JP2015243006A JP2017111859A (ja) | 2015-12-14 | 2015-12-14 | 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター |
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JP2019045620A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長変換素子、光源装置及びプロジェクター |
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2015
- 2015-12-14 JP JP2015243006A patent/JP2017111859A/ja active Pending
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