JP2017108135A - 発光素子及び金属錯体 - Google Patents

Abstract

【課題】外部量子効率に優れる発光素子を提供する。【解決手段】発光層が、特定の式で表されるイリジウム錯体を含有する、発光素子。【選択図】なし

Description

本発明は、発光素子及び該発光素子に用いる金属錯体に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「発光素子」ともいう。）は、ディスプレイ及び照明の用途に好適に使用することが可能であり、研究開発が盛んに行われている。
この発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層等を有する。

特許文献１には、下記式で表される金属錯体１を発光層に用いた発光素子が記載されている。

国際公開第２０１４／１５６９２２号

しかしながら、上記の特許文献１に記載された発光素子は、外部量子効率が必ずしも十分ではなかった。

そこで、本発明は、外部量子効率に優れる発光素子を提供することを目的とする。本発明はまた、外部量子効率に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］〜［１１］を提供する。

［１］陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた発光層とを有し、前記発光層が、式（１−Ａ）で表される金属錯体を含有する、発光素子。

［式中、
Ｍ^１はロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２又は３である。Ｍ^１がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は３であり、Ｍ^１がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は２である。
環Ｒ^１Ａは、窒素原子、Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ及び炭素原子で構成されるトリアゾール環又はジアゾール環を表す。
環Ｒ^２Ａは、２つの炭素原子、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａで構成されるベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環を表す。
Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１１Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^１２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１２Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^２１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２１Ａは存在しない。Ｅ^２２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２２Ａは存在しない。Ｅ^２３Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２３Ａは存在しない。Ｅ^２４Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２４Ａは存在しない。
Ｒ^１３Ａは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基である。Ｒ^１３Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^１１Ａ及びＲ^１２Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であり、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であり、且つ、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、又は、Ａ^１及びＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１’は、１以上の整数を表す。
Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［２］前記Ｒ^１３Ａが、前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｄ）で表される基である、［１］に記載の発光素子。

［３］前記Ｒ^１１Ａ及び前記Ｒ^１２Ａのうち、少なくとも１つが、前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｄ）で表される基である、［１］又は［２］に記載の発光素子。

［４］前記Ｒ^２２Ａが、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｄ）で表される基である、［１］〜［３］のいずれかに記載の発光素子。

［５］前記Ｒ^１１Ａ、前記Ｒ^１２Ａ、前記Ｒ^１３Ａ、前記Ｒ^２１Ａ、前記Ｒ^２２Ａ、前記Ｒ^２３Ａ及び前記Ｒ^２４Ａのうち、少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ１）で表される基、式（Ｄ−Ａ２）で表される基、式（Ｄ−Ａ３）で表される基又は式（Ｄ−Ａ４）で表される基である、［１］〜［４］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３及びＲ^ｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はフッ素原子を表す。Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］

［６］前記Ｒ^１１Ａ、前記Ｒ^１２Ａ、前記Ｒ^１３Ａ、前記Ｒ^２１Ａ、前記Ｒ^２２Ａ、前記Ｒ^２３Ａ及び前記Ｒ^２４Ａのうち、少なくとも１つが、式（Ｄ−Ｂ１）で表される基、式（Ｄ−Ｂ２）で表される基又は式（Ｄ−Ｂ３）で表される基である、［１］〜［４］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はフッ素原子を表す。Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。ｎｐ１及びｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］

［７］前記Ｒ^１１Ａ、前記Ｒ^１２Ａ、前記Ｒ^１３Ａ、前記Ｒ^２１Ａ、前記Ｒ^２２Ａ、前記Ｒ^２３Ａ及び前記Ｒ^２４Ａのうち、少なくとも１つが、式（Ｄ−Ｃ１）で表される基、式（Ｄ−Ｃ２）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ３）で表される基である、［１］〜［４］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
Ｒ^ｐ４及びＲ^ｐ５は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ４及びＲ^ｐ５が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ４は、０〜４の整数を表し、ｎｐ５は０〜５の整数を表す。］

［８］前記式（Ｄ−Ｄ）で表される基が、式（Ｄ−Ｄ１）で表される基である、［１］〜［４］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
Ｒ^ｐ６は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ６が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ６は０〜５の整数を表す。］

［９］前記式（１−Ａ）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１）で表される金属錯体、式（１−Ａ２）で表される金属錯体、式（１−Ａ３）で表される金属錯体又は式（１−Ａ４）で表される金属錯体である、［１］〜［８］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、Ｍ^１、ｎ^１、ｎ^２、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ、Ｒ^２４Ａ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。］

［１０］前記発光層が、式（Ｈ−１）で表される化合物を更に含有する、［１］〜［９］のいずれかに記載の発光素子。

［式中、
Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ^Ｈ１及びｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。
Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［１１］式（１−Ａ）で表される金属錯体。

［式中、
Ｍ^１はロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２又は３である。Ｍ^１がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は３であり、Ｍ^１がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は２である。
環Ｒ^１Ａは、窒素原子、Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ及び炭素原子で構成されるトリアゾール環又はジアゾール環を表す。
環Ｒ^２Ａは、２つの炭素原子、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａで構成されるベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環を表す。
Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１１Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^１２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１２Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^２１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２１Ａは存在しない。Ｅ^２２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２２Ａは存在しない。Ｅ^２３Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２３Ａは存在しない。Ｅ^２４Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２４Ａは存在しない。
Ｒ^１３Ａは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基である。Ｒ^１３Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^１１Ａ及びＲ^１２Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であり、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であり、且つ、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、又は、Ａ^１及びＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
ｍ^ＤＡ１’は、１以上の整数を表す。
Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

本発明によれば、外部量子効率に優れる発光素子を提供することができる。また、本発明によれば、外部量子効率に優れる発光素子の製造に有用な金属錯体を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。

Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。

水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。

金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３〜１×１０^８である重合体を意味する。

高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。

高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。

「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基）が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜（Ａ−９）、（Ａ−１１）〜（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。］

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式（Ｂ−１）〜（Ｂ−１７）のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。

「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。

＜発光素子＞
次に、本実施形態に係る発光素子について説明する。

本実施形態に係る発光素子は、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた発光層とを有する。また、発光層は、式（１−Ａ）で表される金属錯体を含有する層である。

＜発光層＞
発光層は、式（１−Ａ）で表される金属錯体を含有する層である。発光層には、式（１−Ａ）で表される金属錯体は、１種単独で含有されていてもよく、２種以上が含有されていてもよい。

発光層における式（１−Ａ）で表される金属錯体の含有量は、発光層としての機能を奏する範囲であればよい。例えば、式（１−Ａ）で表される金属錯体の含有量は、発光層の全量基準で０．１〜５０質量％であってよく、１〜４０質量％であることが好ましく、１０〜３０質量％であることがより好ましい。

発光層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、並びに、スピンコート法及びインクジェット印刷法に代表される塗布法が挙げられ、塗布法が好ましい。発光層を塗布法により形成する場合、後述する発光層のインクを用いることが好ましい。

［式（１−Ａ）で表される金属錯体］
式（１−Ａ）で表される金属錯体は、通常、室温（２５℃）で燐光発光性を示す金属錯体であり、好ましくは、室温で三重項励起状態からの発光を示す金属錯体である。

式（１−Ａ）で表される金属錯体は、中心金属であるＭ^１と、添え字ｎ^１でその数を規定されている配位子と、添え字ｎ^２でその数を規定されている配位子とから構成される金属錯体である。

Ｍ^１は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、イリジウム原子又は白金原子であることが好ましく、イリジウム原子であることがより好ましい。

Ｍ^１がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１は２又は３であることが好ましく、３であることがより好ましい。

Ｍ^１がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１は２であることが好ましい。

Ｅ^１は、炭素原子であることが好ましい。

環Ｒ^１Ａがジアゾール環である場合、Ｅ^１１Ａが窒素原子であるイミダゾール環、又は、Ｅ^１２Ａが窒素原子であるイミダゾール環が好ましく、Ｅ^１１Ａが窒素原子であるイミダゾール環がより好ましい。

環Ｒ^１Ａがトリアゾール環である場合、Ｅ^１１Ａ及びＥ^１２Ａが窒素原子であるトリアゾール環が好ましい。

環Ｒ^２Ａがピリジン環である場合、Ｅ^２１Ａが窒素原子であるピリジン環、Ｅ^２２Ａが窒素原子であるピリジン環、又は、Ｅ^２３Ａが窒素原子であるピリジン環が好ましく、Ｅ^２２Ａが窒素原子であるピリジン環がより好ましい。

環Ｒ^２Ａがピリミジン環である場合、Ｅ^２１Ａ及びＥ^２３Ａが窒素原子であるピリミジン環、又は、Ｅ^２２Ａ及びＥ^２４Ａが窒素原子であるピリミジン環が好ましく、Ｅ^２２Ａ及びＥ^２４Ａが窒素原子であるピリミジン環がより好ましい。

環Ｒ^２Ａは、ベンゼン環であることが好ましい。

Ｒ^１３Ａは、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが更に好ましい。

Ｅ^１１Ａが窒素原子であり、かつ、Ｒ^１１Ａが存在する場合、Ｒ^１１Ａはアルキル基、シクロアルキル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが更に好ましく、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｅ^１１Ａが炭素原子である場合、Ｒ^１１Ａは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｅ^１２Ａが窒素原子であり、かつ、Ｒ^１２Ａが存在する場合、Ｒ^１２Ａはアルキル基、シクロアルキル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが更に好ましく、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｅ^１２Ａが炭素原子である場合、Ｒ^１２Ａは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（１−Ａ）で表される金属錯体において、Ｒ^１１Ａ及びＲ^１２Ａが複数存在する場合（即ち、ｎ^１が２又は３である場合）、複数存在するＲ^１１Ａ及びＲ^１２Ａのうち、少なくとも１つが式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であればよいが、複数存在するＲ^１１Ａの全て、及び／又は、複数存在するＲ^１２Ａの全てが、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましい。

Ｒ^１１Ａ及びＲ^１２Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であるが、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、Ｒ^１１Ａが式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましい。

Ｒ^１１Ａ及びＲ^１２Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^１１Ａが式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがより好ましい。

式（１−Ａ）で表される金属錯体において、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａが複数存在する場合（即ち、ｎ^１が２又は３である場合）、複数存在するＲ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つが式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であればよいが、複数存在するＲ^２１Ａの全て、複数存在するＲ^２２Ａの全て、複数存在するＲ^２３Ａの全て、及び／又は、複数存在するＲ^２４Ａの全てが、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましい。

Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがより好ましく、水素原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが更に好ましく、水素原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが特に好ましく、水素原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であるが、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、Ｒ^２２Ａ及びＲ^２３Ａのうち、少なくとも１つが式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが好ましく、Ｒ^２２Ａが式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることがより好ましく、Ｒ^２２Ａが式（Ｄ−Ａ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であることが更に好ましい。

式（１−Ａ）で表される金属錯体において、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａが複数存在する場合（即ち、ｎ^１が２又は３である場合）、複数存在するＲ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つが式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基であればよいが、複数存在するＲ^１１Ａの全て、複数存在するＲ^１２Ａの全て、複数存在するＲ^２１Ａの全て、複数存在するＲ^２２Ａの全て、複数存在するＲ^２３Ａの全て、及び／又は、複数存在するＲ^２４Ａの全てが、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基であることが好ましい。

［式（Ｄ−Ａ）、（Ｄ−Ｂ）、（Ｄ−Ｃ）又は（Ｄ−Ｄ）で表される基］
次に、式（Ｄ−Ａ）、（Ｄ−Ｂ）、（Ｄ−Ｃ）又は（Ｄ−Ｄ）で表される基について、説明する。

ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは２以下の整数であり、更に好ましくは０又は１である。ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７が、同一の整数であることが好ましく、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７が、同一の整数であることがより好ましい。

ｍ^ＤＡ１’は、通常、１以上１０以下の整数であり、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましくは１又は２であり、更に好ましくは１である。

Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、より好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＧＤＡ−１１）又は（ＧＤＡ−１４）で表される基であり、特に好ましくは式（ＧＤＡ−１１）で表される基である。

［式中、
＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。
＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、又は、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。
Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、（Ａ−８）、（Ａ−９）、（ＡＡ−１０）、（ＡＡ−１１）、（ＡＡ−３３）又は（ＡＡ−３４）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜（ＡｒＤＡ−５）で表される基であり、特に好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜（ＡｒＤＡ−３）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）で表される基である

［式中、
Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜（ＴＤＡ−３）で表される基であり、より好ましくは式（ＴＤＡ−１）で表される基である。

［式中、Ｒ^ＤＡ及びＲ^ＤＢは、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ４）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ａ１）又は（Ｄ−Ａ４）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ａ１）で表される基である。

式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）〜（Ｄ−Ｂ３）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）で表される基である。

式（Ｄ−Ｃ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）〜（Ｄ−Ｃ３）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）〜（Ｄ−Ｃ２）で表される基であり、更に好ましくは式（Ｄ−Ｃ１）で表される基である。

式（Ｄ−Ｄ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｄ１）で表される基である。

ｎｐ１は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。ｎｐ４は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは１又は２であり、更に好ましくは２である。ｎｐ５は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましく０又は１であり、更に好ましくは０である。ｎｐ６は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは２又は３である。

Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３、Ｒ^ｐ４、Ｒ^ｐ５及びＲ^ｐ６は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチル基又はシクロへキシルオキシ基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基である。

式（Ｄ−Ａ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ａ−１）〜（Ｄ−Ａ−１２）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基又はシクロへキシルオキシ基を表す。Ｒ^Ｄが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

式（Ｄ−Ｂ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｂ−１）〜（Ｄ−Ｂ−４）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。］

式（Ｄ−Ｃ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｃ−９）〜（Ｄ−Ｃ−１７）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。］

式（Ｄ−Ｄ）で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｄ−１）〜（Ｄ−Ｄ−８）で表される基が挙げられる。

［式中、Ｒ^Ｄは前記と同じ意味を表す。］

Ｒ^Ｄはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であることが好ましい。

［アニオン性の２座配位子］
Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊は、Ｍ^１と結合する部位を示す。］

Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、下記で表される配位子であってもよい。但し、Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ^１でその数を定義されている配位子とは異なる。

［式中、
＊は、Ｍ^１と結合する部位を表す。
Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｌ１は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はフッ素原子であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｌ２は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（１−Ａ）で表される金属錯体は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率が更に優れるので、式（１−Ａ１）で表される金属錯体、式（１−Ａ２）で表される金属錯体、式（１−Ａ３）で表される金属錯体又は式（１−Ａ４）で表される金属錯体であることが好ましく、式（１−Ａ１）で表される金属錯体又は式（１−Ａ３）で表される金属錯体であることがより好ましく、式（１−Ａ１）で表される金属錯体であることが更に好ましい。

式（１−Ａ）で表される金属錯体としては、例えば、下記式で表される金属錯体が挙げられる。なお、式中、Ｅ^Ａは、−ＣＨ＝で表される基又は−Ｎ＝で表される基を表す。

＜式（１−Ａ）で表される金属錯体の製造方法＞
式（１−Ａ）で表される金属錯体は、例えば、配位子となる化合物と金属化合物とを反応させる工程（以下、「工程１」ともいう。）、及び、工程１で得られた金属錯体の配位子の官能基変換反応を行う工程（以下、「工程２」ともいう。）を含む方法により、製造することができる。

まず、工程１について説明する。

工程１は、例えば、式（Ｍ−１）で表される化合物と、金属化合物又はその水和物とを反応させる工程Ａ、及び、工程Ａで得られた化合物（以下、「金属錯体中間体（１’）」ともいう。）と、式（Ｍ−１）で表される化合物又はＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体とを反応させる工程Ｂ、を含む方法により、金属錯体（１’’）を製造する。

［式中、Ｍ^１、ｎ^１、ｎ^２、環Ｒ^１Ａ、Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。環Ｒ^２はベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環を表し、これらの環は、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ又はＲ^２４Ａを有していてもよい。］

工程Ａにおいて、金属化合物としては、例えば、塩化イリジウム、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）、クロロ（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、酢酸イリジウム（ＩＩＩ）等のイリジウム化合物；塩化白金酸カリウム等の白金化合物；塩化パラジウム、酢酸パラジウム等のパラジウム化合物；及び、塩化ロジウム等のロジウム化合物が挙げられる。金属化合物の水和物としては、例えば、塩化イリジウム・三水和物、塩化ロジウム・三水和物が挙げられる。

金属錯体中間体（１’）としては、例えば、式（Ｍ−２）で表される金属錯体が挙げられる。

［式中、Ｍ^１、ｎ^１、ｎ^２、環Ｒ^１Ａ、環Ｒ^２、Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ及びＲ^１３Ａは、前記と同じ意味を表す。
ｎ^１’は、１又は２を表す。Ｍ^１がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１’は２であり、Ｍ^１がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１’は１である。］

工程Ａにおいて、式（Ｍ−１）で表される化合物は、金属化合物又はその水和物１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

工程Ｂにおいて、式（Ｍ−１）で表される化合物又はＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表される配位子の前駆体の量は、金属錯体中間体（１’）１モルに対して、通常、１〜１００モルである。

工程Ｂにおいて、反応は、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀化合物の存在下で行うことが好ましい。銀化合物を用いる場合、その量は、金属錯体中間体（１’）１モルに対して、通常、２〜２０モルである。

次に、工程２について説明する。

工程２において、官能基変換反応としては、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応及びＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いる、公知のカップリング反応等が挙げられる。

工程２において、例えば、式（１’’）で表される金属錯体とハロゲン化剤とを反応させ、式（Ｍ−３）で表される金属錯体を合成する工程Ｃ、及び、式（Ｍ−３）で表される金属錯体と、式（Ｍ−４）で表される化合物、式（Ｍ−５）で表される化合物、式（Ｍ−６）で表される化合物及び式（Ｍ−７）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物とをカップリング反応させる工程Ｄを含む方法により、式（１−Ａ）で表される金属錯体を合成することができる。

［式中、
Ｍ^１、ｎ^１、ｎ^２、環Ｒ^１Ａ、環Ｒ^２、Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
Ｗ^１は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。Ｗ^１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ^Ｗ１は、１以上１０以下の整数を表す。
Ｚ^１は、式（Ｄ−Ａ）で表される基を表す。Ｚ^２は、式（Ｄ−Ｂ）で表される基を表す。Ｚ^３は、式（Ｄ−Ｃ）で表される基を表す。Ｚ^４は、式（Ｄ−Ｄ）で表される基を表す。
Ｗ^２、Ｗ^３、Ｗ^４及びＷ^５は、置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。］

＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２（式中、Ｒ^Ｃ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ２は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ_３Ｑ’（式中、Ｑ’は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基；
−ＭｇＹ’（式中、Ｙ’は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ’’（式中、Ｙ’’は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；及び、
−Ｓｎ（Ｒ^Ｃ３）_３（式中、Ｒ^Ｃ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｃ３は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。

−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基としては、式（Ｗ−１）〜（Ｗ−１０）で表される基が例示される。

Ｗ^１は、カップリング反応が容易に進行するので、臭素原子又はヨウ素原子が好ましい。

ｎ^Ｗ１は、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１又は２であり、更に好ましくは１である。

Ｗ^２、Ｗ^３、Ｗ^４及びＷ^５は、−Ｂ（ＯＲ^Ｃ２）_２で表される基が好ましく、より好ましくは、式（Ｗ−７）で表される基である。

カップリング反応において、反応を促進するために、パラジウム触媒等の触媒を用いてもよい。パラジウム触媒としては、例えば、酢酸パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）が挙げられる。

パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。

カップリング反応においてパラジウム触媒を用いる場合、その量は、例えば、式（Ｍ−３）で表される化合物１モルに対して、通常、有効量であり、好ましくは、パラジウム元素換算で０．００００１〜１０モルである。

カップリング反応において、必要に応じて、パラジウム触媒と塩基を併用してもよい。

工程Ｃにおいて、ハロゲン化剤としては、例えば、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−ヨードスクシンイミド等が挙げられる。

工程Ｃにおいて、ハロゲン化剤の量は、式（１’’）で表される金属錯体１モルに対して、通常、１〜５０モルである。

工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｃ及び工程Ｄは、通常、溶媒中で行う。溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、ジグライム等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒；アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系溶媒；ヘキサン、デカリン、トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；アセトン、ジメチルスルホキシド、水等が挙げられる。

工程Ａ、工程Ｂ、工程Ｃ及び工程Ｄにおいて、反応時間は、通常、３０分間〜２００時間であり、反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間である。

＜式（１−Ａ）で表される金属錯体の製造方法＞で説明した各反応において用いられる化合物、触媒及び溶媒は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［ホスト材料］
本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるため、発光層は、式（１−Ａ）で表される金属錯体と、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性からなる群から選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料とを含有することが好ましい。発光層が、式（１−Ａ）で表される金属錯体とホスト材料とを含有する層である場合、ホスト材料は、１種単独で含有されていても、２種以上含有されていてもよい。

発光層が、式（１−Ａ）で表される金属錯体とホスト材料とを含有する層である場合、式（１−Ａ）で表される金属錯体の含有量は、式（１−Ａ）で表される金属錯体とホスト材料との合計を１００質量部とした場合、通常、０．１〜５０質量部であり、好ましくは１〜４０質量部であり、より好ましくは１０〜３０質量部である。

発光層が、式（１−Ａ）で表される金属錯体とホスト材料とを含有する層である場合、ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ_１）は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（１−Ａ）で表される金属錯体の有するＴ_１と同等のエネルギー準位、又は、より高いエネルギー準位であることが好ましい。

ホスト材料としては、本実施形態に係る発光素子を溶液塗布プロセスで作製できるので、発光層に含有される式（１−Ａ）で表される金属錯体を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。

ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、低分子化合物が好ましい。

［低分子ホスト］
ホスト材料として好ましい低分子化合物（以下、「低分子ホスト」と言う。）に関して説明する。

低分子ホストは、好ましくは、式（Ｈ−１）で表される化合物である。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、式（ＴＤＡ−１）又は（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

ｎ^Ｈ１は、好ましくは１である。ｎ^Ｈ２は、好ましくは０である。

ｎ^Ｈ３は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。

ｎ^Ｈ１１は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数であり、更に好ましくは１である。

Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましい。

Ｌ^Ｈ１は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、（Ａ−８）〜（Ａ−１０）、（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−６）、（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−２１）又は（ＡＡ−２４）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−８）、（Ａ−９）、（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−４）、（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）又は（ＡＡ−２９）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−８）、（Ａ−９）、（ＡＡ−２）、（ＡＡ−４）、（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−８）、（ＡＡ−２）、（ＡＡ−４）、（ＡＡ−１０）、（ＡＡ−１２）又は（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（ＡＡ−２）、（ＡＡ−４）又は（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。

Ｌ^Ｈ１が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。

Ｌ^Ｈ２１で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例は、Ｌ^Ｈ１で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１は、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｒ^Ｈ２１で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例と同様である。

Ｒ^Ｈ２１が有していてもよい置換基の定義及び例は、Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２が有していてもよい置換基の定義及び例と同様である。

式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^Ｈ１、Ａｒ^Ｈ２、ｎ^Ｈ３及びＬ^Ｈ１は、前記と同じ意味を表す。］

式（Ｈ−１）で表される化合物としては、式（Ｈ−１０１）〜（Ｈ−１１８）で表される化合物が例示される。

［高分子ホスト］
ホスト材料に用いられる高分子化合物としては、例えば、後述の正孔輸送材料である高分子化合物、後述の電子輸送材料である高分子化合物が挙げられる。

ホスト材料として好ましい高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う。）に関して説明する。

高分子ホストは、好ましくは、式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物である。

Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−６）〜（Ａ−１０）、（Ａ−１９）又は（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−７）、（Ａ−９）又は（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−４）、（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）、（ＡＡ−１８）〜（ＡＡ−２１）、（ＡＡ−３３）又は（ＡＡ−３４）で表される基であり、更に好ましくは、式（ＡＡ−４）、（ＡＡ−１０）、（ＡＡ−１２）、（ＡＡ−１４）又は（ＡＡ−３３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^ＸＸは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）〜（Ｙ−１０）で表される構成単位が挙げられ、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率により優れる観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）〜（Ｙ−３）で表される構成単位であり、電子輸送性により優れる観点からは、好ましくは式（Ｙ−４）〜（Ｙ−７）で表される構成単位であり、正孔輸送性により優れる観点からは、好ましくは式（Ｙ−８）〜（Ｙ−１０）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ１は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−１）で表される構成単位は、好ましくは、式（Ｙ−１’）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１１は、同一でも異なっていてもよい。］

Ｒ^Ｙ１１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−又はＣ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Ｙ２は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基又はシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）〜（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基は、好ましくは式（Ｙ−Ｂ１）〜（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。］

式（Ｙ−２）で表される構成単位は、式（Ｙ−２’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１及びＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１及びＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

式（Ｙ−３）で表される構成単位は、式（Ｙ−３’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１１及びＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ−４）で表される構成単位は、式（Ｙ−４’）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｙ−６）で表される構成単位は、式（Ｙ−６’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１及びＲ^Ｙ３は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１０１）〜（Ｙ−１２１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、式（Ｙ−２０１）〜（Ｙ−２０６）で表される２価の複素環基からなる構成単位、式（Ｙ−３００）〜（Ｙ−３０４）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜９０モル％であり、より好ましくは３０〜８０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本実施形態に係る発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜４０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％である。

式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、
ａ^Ｘ１及びａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

ａ^Ｘ１は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ^Ｘ２は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２及びＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）又は（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基は、より好ましくは式（ＡＡ−１）、（ＡＡ−２）又は（ＡＡ−７）〜（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、（Ａ−６）、（Ａ−７）、（Ａ−９）〜（Ａ−１１）又は（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１及びＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｙ）のＡｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^Ｘ２及びＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^Ｘ１〜Ａｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ１〜Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｘ）で表される構成単位は、好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−６）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）〜（Ｘ−６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｘ４及びＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜４０モル％であり、更に好ましくは５〜３０モル％である。

式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）〜（Ｘ１−１１）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−３）〜（Ｘ１−１０）で表される構成単位である。

高分子ホストにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。

高分子ホストとしては、例えば、表１の高分子化合物（Ｐ−１）〜（Ｐ−６）が挙げられる。

［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］

高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。

［高分子ホストの製造方法］
高分子ホストは、ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応及びＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。

前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続又は分割して仕込む方法、単量体を連続又は分割して仕込む方法等が挙げられる。

遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。

重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独又は組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。

［発光層の組成物］
発光層は、式（１−Ａ）で表される金属錯体と、前述のホスト材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（式（１−Ａ）で表される金属錯体とは異なる。）及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含む組成物（以下、「発光層の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。

［正孔輸送材料］
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物である。正孔輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、トリフェニルアミン及びその誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、並びに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。

発光層の組成物が正孔輸送材料を含有する場合、正孔輸送材料の配合量は、式（１−Ａ）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［電子輸送材料］
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。

発光層の組成物が電子輸送材料を含有する場合、電子輸送材料の配合量は、式（１−Ａ）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［正孔注入材料及び電子注入材料］
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。

発光層の組成物が正孔注入材料及び電子注入材料を含有する場合、正孔注入材料及び電子注入材料の配合量は、各々、式（１−Ａ）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

電子注入材料及び正孔注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［イオンドープ］
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは１×１０^−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。

ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。

ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［発光材料］
発光材料（式（１−Ａ）で表される金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。

低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。

三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

発光層の組成物において、発光材料の配合量は、式（１−Ａ）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１〜４００質量部であり、好ましくは５〜１５０質量部である。

発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［酸化防止剤］
酸化防止剤は、金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。

発光層の組成物が酸化防止剤を含有する場合、酸化防止剤の配合量は、式（１−Ａ）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、０．００１〜１０質量部である。

酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

［発光層のインク］
式（１−Ａ）で表される金属錯体と、溶媒とを含有する組成物（以下、「発光層のインク」ともいう。）は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法に好適に使用することができる。

発光層のインクの粘度は、塗布法の種類によって調整すればよいが、インクジェット印刷法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまり及び飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは２５℃において１〜３０ｍＰａ・ｓである。

発光層のインクに含有される溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；ＴＨＦ、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。

発光層のインクにおいて、溶媒の配合量は、式（１−Ａ）で表される金属錯体を１００質量部とした場合、通常、１０００〜１０００００質量部であり、好ましくは２０００〜２００００質量部である。

＜金属錯体＞
本実施形態に係る金属錯体は、式（１−Ａ）で表される金属錯体である。

＜膜＞
膜は、本実施形態に係る金属錯体を含有する。

膜は、発光素子における発光層として好適である。

膜は、発光層のインクを用いて、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法により作製することができる。

膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１０μｍである。

＜発光素子の層構成＞
本実施形態に係る発光素子は、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた発光層とを有する。本実施形態に係る発光素子は、更に、基板を有していてもよい。

本実施形態に係る発光素子は、陽極、陰極及び発光層以外の層（例えば、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等）を有していてもよい。

本実施形態に係る発光素子の好ましい一態様は、基板上に陽極が設けられ、その上層に発光層が積層され、更にその上層に陰極が積層された発光素子である。また、本実施形態に係る発光素子の好ましい他の一態様は、基板上に陰極が設けられ、その上層に発光層が積層され、更にその上層に陽極が積層された発光素子である。これらの態様において、更に、保護層、バッファー層、反射層、封止層（封止膜、封止基板等）等の他の機能を有する層を設けてもよい。

本実施形態に係る発光素子は、ボトムエミッションタイプ、トップエミッションタイプ、両面採光型のいずれであってもよい。

本実施形態に係る発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

本実施形態に係る発光素子は、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。

本実施形態に係る発光素子の好ましい層構成としては、例えば、下記の構成が挙げられる。
（ａ）陽極−正孔輸送層−発光層−陰極
（ｂ）陽極−発光層−電子輸送層−陰極
（ｃ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−陰極
（ｄ）陽極−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｅ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子注入層−陰極
（ｆ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層−陰極
（ｇ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子注入層−陰極
（ｈ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｉ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極
（ｊ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極
（ｋ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−陰極
（ｌ）陽極−正孔輸送層−発光層−電子輸送層−電子注入層−陰極

本実施形態に係る発光素子は、電極と他の層との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよい。また、本実施形態に係る発光素子では、界面の密着性向上や隣接する２層の成分の混合防止等のために、各層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番及び数、並びに各層の厚さは、外部量子効率、素子寿命等を勘案して調整すればよい。

次に、本実施形態に係る発光素子の構成について、詳しく説明する。

［基板］
本実施形態に係る発光素子は、陽極の発光層側とは反対側、又は陰極の発光層側とは反対側に基板を有していてもよい。基板は、電極を形成し、有機層（例えば、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等）を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン等の基板、及びこれらを積層した基板が用いられる。

本実施形態に係る発光素子において、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極は、それぞれ、必要に応じて、２層以上設けられていてもよい。

陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜１５０ｎｍである。

正孔注入層の形成に用いる材料、発光層の形成に用いる材料、正孔輸送層の形成に用いる材料、電子輸送層の形成に用いる材料、電子注入層の形成に用いる材料は、発光素子の作製において、各々、正孔注入層、発光層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することが回避されることが好ましい。材料の溶解を回避する方法としては、ｉ）架橋基を有する材料を用いる方法、又は、ｉｉ）隣接する層の溶解性に差を設ける方法が好ましい。上記ｉ）の方法では、架橋基を有する材料を用いて層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。

［正孔注入層及び電子注入層］
正孔注入層は、正孔注入材料を含有する層である。正孔注入材料としては、例えば、前述の発光層が含有していてもよい正孔注入材料が挙げられる。正孔注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

電子注入層は、電子注入材料を含有する層である。電子注入材料としては、例えば、前述の発光層が含有していてもよい電子注入材料が挙げられる。電子注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層は、正孔輸送材料を含有する層である。正孔輸送材料としては、例えば、前述の発光層が含有していてもよい正孔輸送材料が挙げられる。正孔輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［電子輸送層］
電子輸送層は、電子輸送材料を含有する層である。電子輸送材料としては、例えば、前述の発光層が含有していてもよい電子輸送材料が挙げられる。電子輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。

［電極］
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。

陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。

本実施形態に係る発光素子において、陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明であるが、陽極が透明又は半透明であることが好ましい。

陽極及び陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及びラミネート法が挙げられる。

［発光素子の製造方法］
本実施形態に係る発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、並びに、スピンコート法及びインクジェット印刷法に代表される塗布法等が挙げられ、塗布法が好ましい。低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、及び、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。

発光層は発光層のインクを用いて、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層は、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料及び電子注入材料をそれぞれ含有するインクを用いて、スピンコート法、インクジェット印刷法に代表される塗布法により形成することができる。

本実施形態に係る発光素子は、例えば、基板上に各層を順次積層することにより製造することができる。具体的には、例えば、基板上に陽極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層等の層を設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層、電子注入層等の層を設け、更にその上に、陰極を積層することにより、発光素子を製造することができる。他の製造方法としては、例えば、基板上に陰極を設け、その上に電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層等の層を設け、更にその上に、陽極を積層することにより、発光素子を製造することができる。更に他の製造方法としては、例えば、陽極又は陽極上に各層を積層した陽極側基材と陰極又は陰極上に各層を積層させた陰極側基材とを、対向させて接合することにより製造することができる。

［発光素子の用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。
これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、移動層にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）のいずれかにより求めた。なお、ＳＥＣの各測定条件は、次のとおりである。

測定する高分子化合物を約０．０５質量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、０．６ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ ＳｕｐｅｒＡＷ−Ｈと、ＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＡＷＭ−Ｈと、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＡＷ３０００（いずれも東ソー製）の各１本を直列につないで用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ−８３２０ＧＰＣ）を用いた。

ＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ２ ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。

ＴＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料をトルエン、テトラヒドロフラン又はクロロホルムのいずれかの溶媒に任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製、商品名：ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子社製、商品名：ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ ＡｃｃｕＴＯＦ ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調節した。

ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００又はＭＥＲＣＵＲＹ ４００ＶＸ）を用いて測定した。

化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２質量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ ＬＣ ＯＤＳ ２０００（東京化成工業製）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。

＜合成例１＞ 化合物ＣＭ１〜ＣＭ４及び化合物ＨＭ−１
化合物ＣＭ１は、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物ＣＭ２は、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物ＣＭ３は、特開２０１０−２１５８８６号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物ＣＭ４は、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に準じて合成した。
化合物ＨＭ−１は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入した。

＜合成例２＞ 高分子化合物ＨＴＬ−１の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（０．９９５ｇ）、化合物ＣＭ２（０．１０６ｇ）、化合物ＣＭ３（０．０９２４ｇ）、化合物ＣＭ４（０．７３６ｇ）、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（１．８ｍｇ）及びトルエン（５０ｍｌ）を加え、１０５℃に加熱した。
（工程２）得られた反応液に、２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．６ｍｌ）を滴下し、５．５時間還流させた。
（工程３）その後、そこに、フェニルボロン酸（２４．４ｍｇ）、２０質量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．６ｍｌ）及びジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（１．８ｍｇ）を加え、１４時間還流させた。
（工程４）その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、水で２回、３質量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通液することにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。
得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．９１ｇ得た。高分子化合物ＨＴＬ−１のＭｎは５．２×１０^４であり、Ｍｗは２．５×１０^５であった。

高分子化合物ＨＴＬ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ４から誘導される構成単位とが、５０：５：５：４０のモル比で構成されてなる共重合体である。

＜合成例３＞ 高分子化合物ＥＴＬ−１の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した化合物Ｍ４（９．２３ｇ）、化合物ＣＭ１（４．５８ｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（８．６ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（シグマアルドリッチ社製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（０．０９８ｇ）及びトルエン（１７５ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。

（工程２）その後、そこに、１２質量％炭酸ナトリウム水溶液（４０．３ｍＬ）を滴下し、２９時間還流させた。
（工程３）その後、そこに、フェニルボロン酸（０．４７ｇ）及びジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（８．７ｍｇ）を加え、１４時間還流させた。
（工程４）その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、メタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をろ取し、メタノール、水で洗浄後、乾燥させることにより得た固体をクロロホルムに溶解させ、予めクロロホルムを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＥＴＬ−１ａ（７．１５ｇ）を得た。高分子化合物ＥＴＬ−１ａのＭｎは３．２×１０^４、Ｍｗは６．０×１０^４であった。
高分子化合物ＥＴＬ−１ａは、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ４から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。
（工程５）反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物ＥＴＬ−１ａ（３．１ｇ）、テトラヒドロフラン（１３０ｍＬ）、メタノール（６６ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（２．１ｇ）及び水（１２．５ｍＬ）を加え、６０℃で３時間撹拌した。
（工程６）その後、そこに、メタノール（２２０ｍＬ）を加え、２時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮した後、イソプロピルアルコールに滴下し、攪拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＥＴＬ−１（３．５ｇ）を得た。高分子化合物ＥＴＬ−１の^１Ｈ−ＮＭＲ解析により、高分子化合物ＥＴＬ−１中のエチルエステル部位のシグナルが消失し、反応が完結したことを確認した。
高分子化合物ＥＴＬ−１は、高分子化合物ＥＴＬ−１ａの仕込み原料の量から求めた理論値では、下記式で表される構成単位と、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。

高分子化合物ＥＴＬ−１の元素分析は、燃焼法及び原子吸光法により行った。
高分子化合物ＥＴＬ−１の元素分析値は、Ｃ，５４．１質量％； Ｈ，５．６質量％； Ｎ，＜０．３質量％； Ｃｓ，２２．７質量％（理論値：Ｃ，５７．２９質量％； Ｈ，５．７０質量％； Ｃｓ，２１．４９質量％； Ｏ，１５．５２質量％）であった。

＜比較例１＞ 金属錯体ＭＣ１の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ａ（３３．７ｇ）及びジクロロメタン（４００ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、２５質量％アンモニア水溶液（４０．８ｇ）を加え、反応容器を氷浴で冷却しながら１時間撹拌した。その後、そこへ、イオン交換水（２００ｍＬ）及びジクロロメタン（１５０ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ヘプタン（４００ｍＬ）を加えて、ジクロロメタンを減圧濃縮することにより、白色固体を含む溶液を得た。得られた白色固体を含む溶液をろ過した後、得られた白色固体を減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ１−ｂ（２７．８ｇ、収率９３％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．３％であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ１−ｂの必要量を得た。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１５０［Ｍ＋Ｈ］^＋

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｂ（３４．３ｇ）及びジクロロメタン（１．３８Ｌ）を加えた。その後、そこへ、トリエチルオキソニウムテトラフルオロボレートのジクロロメタン溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、２７６ｍＬ）を加え、室温で３４時間攪拌した。その後、そこへ、炭酸水素ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３５２ｍＬ）を加え、室温で３０分攪拌した。得られた反応液の有機層を抽出した後、得られた有機層を飽和食塩水（３００ｍＬ）で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層にヘプタン（２００ｍＬ）を加えた後、ジクロロメタンを減圧濃縮することにより、白色固体を含む溶液を得た。得られた白色固体を含む溶液をろ過した後、得られたろ液を濃縮することにより、化合物ＭＣ１−ｃ（３３．６ｇ、収率８２％）を黄色油状物として得た。化合物ＭＣ１−ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９８．０％であった。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１７８［Ｍ＋Ｈ］^＋

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｃ（３３．５ｇ）、塩化ベンゾイル（２６．６ｇ）及びクロロホルム（５７０ｍＬ）を加え、次いで、トリエチルアミン（２６．４ｍＬ）を加え、室温で６６時間攪拌した。得られた反応液を減圧濃縮し、得られた残渣に、イオン交換水（２１０ｍＬ）及びクロロホルム（２１０ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層を飽和食塩水（１５０ｍＬ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、減圧濃縮することにより、化合物ＭＣ１−ｄ（５４．２ｇ、収率８８％）を橙色油状物として得た。化合物ＭＣ１−ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は８６．０％であった。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２８２［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３−ｄ_１）：δ（ｐｐｍ）＝８．０１−７．９８（ｍ，２Ｈ），７．５６−７．５１（ｍ，１Ｈ），７．４６−７．４１（ｍ，２Ｈ），７．１９（ｓ，２Ｈ），７．０３（ｓ，１Ｈ），４．４８−４．４１（ｍ，２Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），１．４８（ｔ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｅ（５５．８ｇ）及びトルエン（９２５ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、水酸化ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、２２２ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴で冷却しながら３０分間撹拌した。得られた反応液の有機層を抽出し、有機層であるトルエン溶液を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｄ（５２．０ｇ）及びクロロホルム（９２５ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、上記で得られたトルエン溶液を加えた。その後、反応容器を氷浴で冷却しながら７時間攪拌し、次いで、室温で１００時間攪拌した。得られた反応液にイオン交換水（５００ｍＬ）を加え、有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）で精製した後、クロロホルム及びヘプタンの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ１−ｆ（１７．６ｇ、収率２２％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１−ｆのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ１−ｆの必要量を得た。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４３２［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）：δ（ｐｐｍ）＝７．８４（ｓ，２Ｈ），７．５６−７．５４（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．３２（ｍ，５Ｈ），７．０９（ｓ，１Ｈ），２．４０（ｓ，６Ｈ），１．９９（ｓ，６Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｆ（１７．３ｇ）、シクロペンチルメチルエーテル（２４０ｍＬ）及び［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９８ｍｇ）を加え、５０℃に昇温した。その後、そこへ、ヘキシルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液（２ｍｏｌ／Ｌ、４０ｍＬ）を加えた後、５０℃で２時間攪拌した。その後、そこへ、塩酸水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、８０ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（１００ｍＬ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物に、トルエン及び活性炭を加え、５０℃で３０分間攪拌した。その後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製した後、メタノールを用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＭＣ１−ｇ（１２．１ｇ、収率６９％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ１−ｇのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４３８［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）δ（ｐｐｍ）＝７．９２（ｓ，２Ｈ），７．６５−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．４８−７．３５（ｍ，３Ｈ），７．１５（ｓ，１Ｈ），７．０９（ｓ，２Ｈ），２．７０（ｔ，２Ｈ），２．４６（ｓ，６Ｈ），２．０３（ｓ，６Ｈ），１．７７−１．６７（ｍ，２Ｈ），１．４６−１．３６（ｍ，６Ｈ），１．００−０．９５（ｍ，３Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（２．５０ｇ）、化合物ＭＣ１−ｇ（６．４３ｇ）、イオン交換水（２８ｍＬ）及び２−エトキシエタノール（１１２ｍＬ）を加え、加熱還流下で２５時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液の有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びメタノールの混合溶媒）で精製することにより固体（４．８２ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（４．８１ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１．４３ｇ）、化合物ＭＣ１−ｇ（４．８１ｇ）及びトリデカン（１．１ｍＬ）を加え、１５０℃で１５時間加熱攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）で精製した後、酢酸エチル及びエタノールの混合溶媒を用いて再結晶した。
その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ１（２．３２ｇ、収率３５％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１５０２．８［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）δ（ｐｐｍ）＝７．９６（ｓ，６Ｈ），７．０７（ｓ，６Ｈ），６．９１（ｓ，３Ｈ），６．６０（ｔ，３Ｈ），６．５１（ｔ，３Ｈ），６．４１（ｄ，３Ｈ），６．２９（ｄ，３Ｈ），２．７０（ｔ，６Ｈ），２．０９（ｓ，１８Ｈ），１．８５（ｓ，９Ｈ），１．７６−１．６７（ｍ，６Ｈ），１．６０（ｓ，９Ｈ），１．４４−１．３５（ｍ，１８Ｈ），１．００−０．９５（ｍ，９Ｈ）．

＜実施例１＞ 金属錯体ＭＣ２の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ１（０．５０ｇ）、ジクロロメタン（２５ｍＬ）及びＮ−ブロモスクシンイミド（２０３ｍｇ）を加え、室温で２７．５時間攪拌した。その後、そこへ、１０質量％の亜硫酸ナトリウム水溶液（４．２０ｇ）を加え、次いで、イオン交換水（８．４０ｍＬ）を加え、室温で３０分間攪拌した。得られた反応液から有機層を抽出し、得られた有機層を、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液にメタノールを加えることで沈殿を析出させた。得られた沈殿をろ過した後、５０℃で真空乾燥することにより、金属錯体ＭＣ１ＴＢＲ（０．５５ｇ、収率９５％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ１ＴＢＲのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１７３６．５［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）δ（ｐｐｍ）＝７．９４（ｓ，６Ｈ），７．７１（ｄ，６Ｈ），６．９４（ｓ，３Ｈ），６．７３−６．７０（ｍ，３Ｈ），６．２９（ｄ，３Ｈ），６．２５（ｄ，３Ｈ），２．７２（ｔ，６Ｈ），２．１０（ｓ，１８Ｈ），１．８４（ｓ，９Ｈ），１．７７−１．６７（ｍ，６Ｈ），１．５７（ｓ，９Ｈ），１．４５−１．３４（ｍ，１８Ｈ），０．９９−０．９４（ｍ，９Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ１ＴＢＲ（０．５０ｇ）、化合物ＭＣ２−ａ（０．４４ｇ）、トルエン（３０ｍＬ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（７．９ｍｇ）及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（８．５ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（４．２ｍＬ）を加え、加熱還流下で６時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）で精製することにより、金属錯体ＭＣ２（０．５４ｇ、収率７４％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２５２３．５［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）δ（ｐｐｍ）＝８．０５（ｓ（ｂｒ），６Ｈ），７．７０−７．５０（ｍ，２７Ｈ），７．３８（ｓ（ｂｒ），６Ｈ），７．１３−７．０１（ｍ，９Ｈ），６．９５（ｓ，３Ｈ），６．８２（ｓ（ｂｒ），３Ｈ），６．６５（ｓ（ｂｒ），３Ｈ），２．２５（ｔ，６Ｈ），２．１１（ｓ，１８Ｈ），２．０２（ｓ，９Ｈ）１．７１−１．６４（ｍ，９Ｈ），１．４８−１．２０（ｍ，７８Ｈ），０．９６−０．８６（ｍ，９Ｈ）．

＜実施例２＞ 金属錯体ＭＣ５の合成
（合成例２−１） 金属錯体ＭＣ４の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ４−ａ（１３．１ｇ）及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（１１０ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、水酸化ナトリウム水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、１２５ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴で冷却しながら３０分間撹拌した。得られた反応液の有機層を抽出し、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル溶液を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ１−ｄ（１１．０ｇ）及びクロロホルム（２２０ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴に設置して冷却した。その後、そこへ、上記で得られたｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル溶液を加えた。その後、反応容器を氷浴で冷却しながら７時間攪拌し、次いで、室温で１１０時間攪拌した。得られた反応液にイオン交換水（３３０ｍＬ）を加え、有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム及びヘキサンの混合溶媒）で精製した後、クロロホルム及びヘプタンの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、化合物ＭＣ４−ｂ（１０．２ｇ、収率５５％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ４−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。この作業を繰り返し行うことで、化合物ＭＣ４−ｂの必要量を得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８８．２［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９２（ｓ，２Ｈ），７．６６−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．５２（ｓ，２Ｈ），７．５２−７．３６（ｍ，３Ｈ），７．１６（ｓ，１Ｈ），２．５７−２．４６（ｍ，８Ｈ），１．２０（ｄ，６Ｈ），０．９７（ｄ，６Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ４−ｂ（１０．２ｇ）、化合物ＭＣ２−ａ（２．８ｇ）、ビス［トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９２．１ｍｇ）、トルエン（１０２ｍＬ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３６．９ｇ）を加え、加熱還流下で４時間撹拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、シリカゲル（１０ｇ）を加えてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をヘプタン及びクロロホルムの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＭＣ４−ｃ（８．５５ｇ、収率８４％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ４−ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４８６．３［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．９６（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｔ，４Ｈ），７．６０−７．５５（ｍ，４Ｈ），７．５１−７．４１（ｍ，４Ｈ），７．１７（ｓ，１Ｈ），２．６３−２．５８（ｍ，２Ｈ），２．４７（ｄ，６Ｈ），１．２７（ｄ，６Ｈ），１．０５（ｄ，６Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウムｎ水和物（１．９６ｇ）、化合物ＭＣ４−ｃ（５．６１ｇ）、イオン交換水（２０ｍＬ）及びジグライム（８０ｍＬ）を加え、１５０℃で１８時間加熱攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。
得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン及びメタノールの混合溶媒）で精製した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、固体（５．１６ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体（４．５ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１．９３ｇ）、化合物ＭＣ４−ｃ（２．７８ｇ）、ジグライム（４．５ｍＬ）、デカン（４．５ｍＬ）及び２，６−ルチジン（１．１ｍＬ）を加え、１６０℃で３１時間加熱攪拌した。その後、そこへ、ジクロロメタンを加え、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル（１８．６ｇ）を加えてろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン及びジクロロメタンの混合溶媒）で精製した後、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ４（１．９ｇ、収率２４％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．９％であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６４６．８［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝９．１２−７．１０（ｍ，２７Ｈ），７．００（ｓ，３Ｈ），６．７２（ｔ，３Ｈ），６．６２−６．３３（ｍ，９Ｈ），２．７４−１．６７（ｍ，２４Ｈ），１．２５（ｄ，９Ｈ），１．１５−１．００（ｍ，１８Ｈ），０．８４（ｄ，９Ｈ）．

（合成例２−２） 金属錯体ＭＣ５の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ４（０．７０ｇ）、ジクロロメタン（３５ｍＬ）及びＮ−ブロモスクシンイミド（８２５ｍｇ）を加え、室温で４０時間攪拌した。その後、そこへ、１０質量％の亜硫酸ナトリウム水溶液（７．７ｇ）を加え、次いで、イオン交換水（１５ｍＬ）を加え、室温で３０分間攪拌した。得られた反応液から有機層を抽出し、得られた有機層を、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液にエタノールを加えることで沈殿を析出させた。得られた沈殿をろ過した後、５０℃で真空乾燥することにより、金属錯体ＭＣ４ＴＢＲ（０．７３ｇ、収率９１％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ４ＴＢＲのＨＰＬＣ面積百分率値は９６％であった。この作業を繰り返し行うことで、金属錯体ＭＣ４ＴＢＲの必要量を得た。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１８８０．５［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．２５−７．８３（ｍ，６Ｈ），７．７６（ｄ，６Ｈ），７．７６−７．４６（ｍ，１５Ｈ），７．０４（ｓ，３Ｈ），６．８３（ｄ，３Ｈ），６．５０（ｓ，３Ｈ），６．３１（ｄ，３Ｈ），２．３３−１．８５（ｍ，２４Ｈ），１．２５（ｄ，９Ｈ），１．１２−１．０７（ｍ，１８Ｈ），０．８４（ｄ，９Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ４ＴＢＲ（０．６０ｇ）、化合物ＭＣ５−ａ（０．５２ｇ）、トルエン（１８ｍＬ）及びビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（６．８ｍｇ）を加え、９０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．１ｍＬ）を加え、加熱還流下で１９時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン及びジクロロメタンの混合溶媒）で精製した後、トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ５（０．３０ｇ、収率４７％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９７．５％であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２００１．１［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．７０−７．４０（ｍ，２７Ｈ），７．０４（ｓ，３Ｈ），６．７８（ｓ，９Ｈ），６．５６−６．５２（ｍ，３Ｈ），６．２１（ｓ，３Ｈ），２．４３−１．８８（ｍ，４２Ｈ），１．７５（ｓ，９Ｈ），１．２３（ｄ，９Ｈ），１．０７−１．０１（ｍ，１８Ｈ），０．８５（ｄ，９Ｈ）．

＜実施例３＞ 金属錯体ＭＣ３の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ４ＴＢＲ（０．３１ｇ）、化合物ＭＣ２−ａ（０．３１ｇ）、トルエン（９．３ｍＬ）及びビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（３．５ｍｇ）を加え、９０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．７ｍＬ）を加え、加熱還流下で５時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シクロヘキサン及びジクロロメタンの混合溶媒）で精製した後、ジクロロメタン及びヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ３（０．２６ｇ、収率６０％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２６６７．５［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．４０−７．３２（ｍ，６０Ｈ），７．１５（ｄ，３Ｈ），７．０５−７．０３（ｍ，６Ｈ），６．７６（ｓ，３Ｈ），２．５４−２．５０（ｍ，３Ｈ），２．１８−２．１３（ｍ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，５４Ｈ），１．３１−１．１３（ｍ，３０Ｈ），０．９０（ｄ，９Ｈ）．

＜比較例２＞ 金属錯体ＭＣ６の合成

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＣ４−ｂ（１７．０ｇ）、シクロペンチルメチルエーテル（１５０ｍＬ）及び［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１７２ｍｇ）を加え、５０℃に昇温した。その後、そこへ、ヘキシルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液（２ｍｏｌ／Ｌ、３５ｍＬ）を加えた後、５０℃で５時間攪拌した。その後、そこへ、塩酸水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、３５ｍＬ）を加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水（８５ｍＬ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物に、トルエン及びシリカゲルを加え、室温で３０分間攪拌した。その後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をアセトニトリルを用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＭＣ６−ａ（１３．７ｇ、収率８０％）を白色固体として得た。化合物ＭＣ６−ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝４９４［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）δ（ｐｐｍ）＝７．９２（ｓ，２Ｈ），７．６７−７．６３（ｍ，２Ｈ），７．４６−７．３３（ｍ，３Ｈ），７．１８（ｓ，２Ｈ），７．１４（ｓ，１Ｈ），２．７６（ｔ，２Ｈ），２．５７−２．４６（ｍ，８Ｈ），１．７７−１．７０（ｍ，２Ｈ），１．４８−１．４２（ｍ，６Ｈ），１．２１−１．１９（ｍ，６Ｈ），０．９８−０．９６（ｍ，９Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、塩化イリジウム三水和物（２．９６ｇ）、化合物ＭＣ６−ａ（８．６５ｇ）、イオン交換水（３０ｍＬ）及びジグライム（７４ｍＬ）を加え、加熱還流下で１８時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液の有機層を抽出し、得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及びエタノールの混合溶媒）で精製することにより固体ＭＣ６−ｂ’（７．５１ｇ）を得た。
別途用意した反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、上記で得られた固体ＭＣ６−ｂ’（７．４０ｇ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（３．１９ｇ）、化合物ＭＣ６−ａ（４．５９ｇ）、２，６−ルチジン（１．６６ｇ）及びデカン（１５ｍＬ）を加え、１５０℃で２０時間加熱攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液をイオン交換水で洗浄し、有機層を得た。得られた有機層を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン及びシクロヘキサンの混合溶媒）で精製した後、トルエン及びメタノールの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ６−ｂ（１．４７ｇ、収率１４％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ６−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１６７１．０［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）δ（ｐｐｍ）＝８．０３（ｂｒ，６Ｈ），７．１７（ｓ，６Ｈ），６．９６（ｓ，３Ｈ），６．６６（ｔ，３Ｈ），６．５１−６．４１（ｍ，６Ｈ），６．３２（ｄ，３Ｈ），２．７６（ｔ，６Ｈ），２．２３−１．９２（ｍ，２１Ｈ），１．７６−１．６９（ｍ，６Ｈ），１．５８（ｓ，３Ｈ），１．５３−１．４２（ｍ，１８Ｈ），１．１６（ｄ，９Ｈ），１．０１−０．９６（ｍ，２７Ｈ），０．７３（ｄ，９Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ６−ｂ（１．３６ｇ）、ジクロロメタン（６８ｍＬ）及びＮ−ブロモスクシンイミド（１．２３ｇ）を加え、室温で３２時間攪拌した。その後、そこへ、１０質量％の亜硫酸ナトリウム水溶液（８．７１ｇ）を加え、次いで、イオン交換水（７０ｍＬ）を加え、室温で３０分間攪拌した。得られた反応液から有機層を抽出し、得られた有機層を、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させた後、メタノールを加えることで沈殿を析出させた。得られた沈殿をろ過した後、５０℃で真空乾燥することにより、金属錯体ＭＣ６−ｃ（１．４７ｇ、収率９５％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ６−ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１９０３．７［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）δ（ｐｐｍ）＝８．００（ｂｒ，６Ｈ），７．２０（ｓ，６Ｈ），６．９９（ｓ，３Ｈ），６．６７（ｄ，３Ｈ），６．３６（ｄ，３Ｈ），６．２５（ｄ，３Ｈ），２．７８（ｔ，６Ｈ），２．０６−１．６９（ｍ，３０Ｈ），１．４６−１．４１（ｍ，１８Ｈ），１．１６（ｄ，９Ｈ），１．０３−０．９４（ｍ，２７Ｈ），０．７４（ｄ，９Ｈ）．

反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、金属錯体ＭＣ６−ｃ（１．３０ｇ）、化合物ＭＣ６−ｄ（０．４４ｇ）、トルエン（６５ｍＬ）及び（ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（１６ｍｇ）を加え、８０℃に昇温した。その後、そこへ、２０質量％のテトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３ｍＬ）を加え、加熱還流下で３６時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、トルエンを加え、有機層を抽出した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン及びシクロヘキサンの混合溶媒）で精製した後、酢酸エチル及びアセトニトリルの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、５０℃で減圧乾燥することにより、金属錯体ＭＣ６（０．９３ｇ、収率７２％）を黄色固体として得た。金属錯体ＭＣ６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。

ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝２０６７．３［Ｍ＋Ｈ］^＋

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤ_２Ｃｌ_２−ｄ_２）δ（ｐｐｍ）＝８．０４（ｂｒ，６Ｈ），７．３０−７．２６（ｍ，１２Ｈ），７．０６−６．９８（ｍ，１２Ｈ），６．７０（ｓ，３Ｈ），６．５４（ｄ，３Ｈ），２．８２（ｔ，６Ｈ），２．３２−１．７８（ｍ，２７Ｈ），１．５９−１．４２（ｍ，２１Ｈ），１．３４（ｓ，２７Ｈ），１．２０（ｄ，９Ｈ），１．１０（ｄ，９Ｈ），１．０４−０．９８（ｍ，１８Ｈ），０．７３（ｄ，９Ｈ）．

＜実施例Ｄ１＞ 発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。

（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。

（発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１及び金属錯体ＭＣ５（化合物ＨＭ−１／金属錯体ＭＣ５＝７５質量％／２５質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。

（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴＬ−Ｐ１を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。

（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は８．１％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．２６）であった。５０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は７．９％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．２６）であった。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ２＞ 発光素子Ｄ２の作製及び評価
（発光素子Ｄ２の作製）
実施例Ｄ１における（発光層の形成）において、金属錯体ＭＣ５に代えて、金属錯体ＭＣ２を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は７．９％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３４）であった。５０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は６．６％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．３４）であった。結果を表２に示す。

＜実施例Ｄ３＞ 発光素子Ｄ３の作製及び評価
（発光素子Ｄ３の作製）
実施例Ｄ１における（発光層の形成）において、金属錯体ＭＣ５に代えて、金属錯体ＭＣ３を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子Ｄ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１０．７％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．３７）であった。５０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は９．７％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．３６）であった。結果を表２に示す。

＜比較例ＣＤ１＞ 発光素子ＣＤ１の作製及び評価
（発光素子ＣＤ１の作製）
実施例Ｄ１における（発光層の形成）において、金属錯体ＭＣ５に代えて、金属錯体ＭＣ１を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子ＣＤ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は２．４％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２６）であった。５０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１．８％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．２６）であった。結果を表２に示す。

＜比較例ＣＤ２＞ 発光素子ＣＤ２の作製及び評価
（発光素子ＣＤ２の作製）
実施例Ｄ１における（発光層の形成）において、金属錯体ＭＣ５に代えて、金属錯体ＭＣ６を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。

（発光素子の評価）
発光素子ＣＤ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は６．６％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．３５）であった。５０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は５．５％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．３５）であった。結果を表２に示す。

Claims (11)

1. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極及び前記陰極の間に設けられた発光層とを有し、
   前記発光層が、式（１−Ａ）で表される金属錯体を含有する、発光素子。
   

   

   
   ［式中、
   Ｍ^１はロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
   ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２又は３である。Ｍ^１がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は３であり、Ｍ^１がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は２である。
   環Ｒ^１Ａは、窒素原子、Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ及び炭素原子で構成されるトリアゾール環又はジアゾール環を表す。
   環Ｒ^２Ａは、２つの炭素原子、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａで構成されるベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環を表す。
   Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１１Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^１２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１２Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^２１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２１Ａは存在しない。Ｅ^２２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２２Ａは存在しない。Ｅ^２３Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２３Ａは存在しない。Ｅ^２４Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２４Ａは存在しない。
   Ｒ^１３Ａは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基である。Ｒ^１３Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^１１Ａ及びＲ^１２Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であり、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であり、且つ、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。
   Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、又は、Ａ^１及びＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
   Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
   

   

   
   ［式中、
   ｍ^ＤＡ１’は、１以上の整数を表す。
   Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
   

   

   
   ［式中、Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
2. 前記Ｒ^１３Ａが、前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｄ）で表される基である、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記Ｒ^１１Ａ及び前記Ｒ^１２Ａのうち、少なくとも１つが、前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｄ）で表される基である、請求項１又は２に記載の発光素子。
4. 前記Ｒ^２２Ａが、前記式（Ｄ−Ａ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｂ）で表される基、前記式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は前記式（Ｄ−Ｄ）で表される基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
5. 前記Ｒ^１１Ａ、前記Ｒ^１２Ａ、前記Ｒ^１３Ａ、前記Ｒ^２１Ａ、前記Ｒ^２２Ａ、前記Ｒ^２３Ａ及び前記Ｒ^２４Ａのうち、少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ１）で表される基、式（Ｄ−Ａ２）で表される基、式（Ｄ−Ａ３）で表される基又は式（Ｄ−Ａ４）で表される基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   
   ［式中、
   Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２、Ｒ^ｐ３及びＲ^ｐ４は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はフッ素原子を表す。Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ４が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
   ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
6. 前記Ｒ^１１Ａ、前記Ｒ^１２Ａ、前記Ｒ^１３Ａ、前記Ｒ^２１Ａ、前記Ｒ^２２Ａ、前記Ｒ^２３Ａ及び前記Ｒ^２４Ａのうち、少なくとも１つが、式（Ｄ−Ｂ１）で表される基、式（Ｄ−Ｂ２）で表される基又は式（Ｄ−Ｂ３）で表される基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   
   ［式中、
   Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２及びＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はフッ素原子を表す。Ｒ^ｐ１及びＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
   ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。ｎｐ１及びｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
7. 前記Ｒ^１１Ａ、前記Ｒ^１２Ａ、前記Ｒ^１３Ａ、前記Ｒ^２１Ａ、前記Ｒ^２２Ａ、前記Ｒ^２３Ａ及び前記Ｒ^２４Ａのうち、少なくとも１つが、式（Ｄ−Ｃ１）で表される基、式（Ｄ−Ｃ２）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ３）で表される基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   
   ［式中、
   Ｒ^ｐ４及びＲ^ｐ５は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ４及びＲ^ｐ５が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
   ｎｐ４は、０〜４の整数を表し、ｎｐ５は０〜５の整数を表す。］
8. 前記式（Ｄ−Ｄ）で表される基が、式（Ｄ−Ｄ１）で表される基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   
   ［式中、
   Ｒ^ｐ６は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ６が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
   ｎｐ６は０〜５の整数を表す。］
9. 前記式（１−Ａ）で表される金属錯体が、式（１−Ａ１）で表される金属錯体、式（１−Ａ２）で表される金属錯体、式（１−Ａ３）で表される金属錯体又は式（１−Ａ４）で表される金属錯体である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子。
   

   

   
   ［式中、Ｍ^１、ｎ^１、ｎ^２、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ、Ｒ^２４Ａ及びＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。］
10. 前記発光層が、式（Ｈ−１）で表される化合物を更に含有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光素子。
    

    

    
    ［式中、
    Ａｒ^Ｈ１及びＡｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
    ｎ^Ｈ１及びｎ^Ｈ２は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎ^Ｈ２は、同一でも異なっていてもよい。
    ｎ^Ｈ３は、０以上の整数を表す。
    Ｌ^Ｈ１は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（Ｒ^Ｈ１１）_２］ｎ^Ｈ１１−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ｈ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎ^Ｈ１１は、１以上１０以下の整数を表す。
    Ｒ^Ｈ１１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
    複数存在するＲ^Ｈ１１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
    Ｌ^Ｈ２は、−Ｎ（−Ｌ^Ｈ２１−Ｒ^Ｈ２１）−で表される基を表す。Ｌ^Ｈ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｌ^Ｈ２１は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｈ２１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
11. 式（１−Ａ）で表される金属錯体。
    

    

    
    ［式中、
    Ｍ^１はロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
    ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２又は３である。Ｍ^１がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は３であり、Ｍ^１がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は２である。
    環Ｒ^１Ａは、窒素原子、Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ及び炭素原子で構成されるトリアゾール環又はジアゾール環を表す。
    環Ｒ^２Ａは、２つの炭素原子、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａで構成されるベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環を表す。
    Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａは、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子を表す。Ｅ^１、Ｅ^１１Ａ、Ｅ^１２Ａ、Ｅ^２１Ａ、Ｅ^２２Ａ、Ｅ^２３Ａ及びＥ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^１１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１１Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^１２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^１２Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^２１Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２１Ａは存在しない。Ｅ^２２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２２Ａは存在しない。Ｅ^２３Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２３Ａは存在しない。Ｅ^２４Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２４Ａは存在しない。
    Ｒ^１３Ａは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基である。Ｒ^１３Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
    Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^１１Ａ及びＲ^１２Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であり、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基、式（Ｄ−Ｃ）で表される基又は式（Ｄ−Ｄ）で表される基であり、且つ、Ｒ^１１Ａ、Ｒ^１２Ａ、Ｒ^１３Ａ、Ｒ^２１Ａ、Ｒ^２２Ａ、Ｒ^２３Ａ及びＲ^２４Ａのうち、少なくとも１つは、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である。
    Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ^１は、単結合、又は、Ａ^１及びＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
    

    

    
    ［式中、
    ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２及びｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
    Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
    Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２及びＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
    Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
    

    

    
    ［式中、
    ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６及びｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
    Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
    Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６及びＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
    Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
    

    

    
    ［式中、
    ｍ^ＤＡ１’は、１以上の整数を表す。
    Ａｒ^ＤＡ１は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
    Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
    

    

    
    ［式中、Ｔ^ＤＡは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］