JP2017108083A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 第１導電型を有する結晶系の半導体基板に第２導電型の半導体層を形成し、受光面と裏面とを有する第１基板を形成する工程と、
   成膜室に配された第２基板に、前記第１基板の前記裏面を当接させて前記第１基板を設置する工程と、
   前記成膜室内を真空排気して減圧し、前記成膜室内に原料ガスを供給し、前記第１基板の受光面側から前記第１基板の側面にまで化学的気相成長法で反射防止膜を成膜する工程と、
   前記第１基板を前記第２基板から分離する工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
2. 前記第２基板は、前記第１基板と同一組成を有することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
3. 前記成膜する工程は、
   前記第１基板の前記裏面全体が前記第２基板に当接した状態で反射防止膜が成膜される工程であることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。
4. 前記第２基板における前記第１基板と当接する面は、前記第１基板よりも大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
5. 前記第２基板は、中央部が凸の曲面形状を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
6. 前記第２基板は、前記第１基板よりも厚さが厚いことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
7. 前記第２基板は、第１導電型を有する結晶系の第１基板と同一組成の半導体基板に第２導電型の半導体層を形成する工程を実施した半導体基板で構成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
8. 前記設置する工程後、前記成膜する工程に先立ち、前記第１基板の端部および前記第２基板の端部の第２導電型の半導体層をエッチング除去するエッチング工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
9. 前記エッチング工程は、反応性イオンエッチング工程であることを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
10. 前記成膜する工程は、高速加熱工程を含むことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
11. 前記第１基板および前記第２基板が前記成膜室内に水平方向に設置されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
12. 前記第１基板および前記第２基板が前記成膜室内に垂直方向に設置されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。