JP2017107996A - 光電変素子の製造方法、光電変換素子および光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極と半導体層との剥離を抑制する。【解決手段】光電変換素子14の製造方法は、カルコパイライト型半導体を含む第1層161をスパッタリングにより下部電極141の表面に形成する工程と、金属膜を第1層161の表面に形成する工程と、16族元素を含む雰囲気中で金属膜を加熱することでカルコパイライト型半導体を含む第2層163を形成する工程とを含む。【選択図】図2
Description
本発明は、カルコパイライト型半導体を利用した光電変換技術に関する。
カルコパイライト型の半導体を利用した光電変換技術が従来から提案されている。例えば特許文献1には、カルコパイライト構造を有する半導体膜を電極上に備える光電変換装置が開示されている。
特許文献1の技術では、銅(Cu)とインジウム(In)とを含むプリカーサ膜を電極上に形成してから、プリカーサ膜に対するセレン化アニールを実行することで、カルコパイライト構造を有する半導体膜を電極上に形成する。しかし、セレン化アニールの過程で電極と半導体膜との間にボイドが発生したり、熱膨張係数の相違に起因して電極と半導体膜との間に熱応力が発生したりする可能性がある。したがって、半導体膜と電極との密着性が低く剥離しやすいという問題がある。なお、以上の説明ではセレン化アニールを例示したが、硫黄を利用した硫化アニールをプリカーサ膜に対して実施することでカルコパイライト構造の半導体膜を形成する場合にも同様の問題が発生し得る。以上の事情を考慮して、本発明は、電極と半導体層との剥離を抑制することを目的とする。
以上の課題を解決するために、本発明の光電変換素子の製造方法は、カルコパイライト型半導体を含む第1層をスパッタリングにより電極の表面に形成する工程(例えば工程P2)と、金属膜を第1層の表面に形成する工程(例えば工程P3および工程P4)と、16族元素を含む雰囲気中で金属膜を加熱することでカルコパイライト型半導体を含む第2層を形成する工程(例えば工程P5)とを含む。以上の方法では、光電変換素子のうちカルコパイライト型半導体を含む半導体層の第1層がスパッタリングにより電極の表面に形成される。したがって、電極の表面に形成された金属膜の加熱によりカルコパイライト型半導体の半導体層の第1層を形成する方法と比較して、電極の表面に密着した半導体層を形成でき、電極と半導体層(第1層)との間の剥離を抑制することが可能である。また、半導体層の第2層は、16属元素を含む雰囲気中で第1層の表面上の金属膜を加熱することで形成される。したがって、カルコパイライト型半導体の半導体層の全体をスパッタリングにより形成する場合と比較して、光電変換効率が高い半導体層を形成することが可能である。
本発明に係る製造方法の好適例において、金属膜は、銅とインジウムとガリウムとを含み、16族元素は、セレンである。以上の方法では、CIGS(CIS)系半導体を含む第2層が形成される。また、銅と亜鉛と錫とを含む金属膜を形成し、16族元素として硫黄を含む雰囲気で当該金属膜を加熱することでCZTS系半導体を含む第2層を形成することも可能である。
本発明に係る製造方法の好適例において、第2層を形成する工程では、第1層の結晶粒径よりも大きい結晶粒径の第2層を形成する。以上の方法では、第1層の結晶粒径より大きい結晶粒径の第2層が形成される。したがって、カルコパイライト型半導体の半導体層の全体をスパッタリングにより形成する場合と比較して、結晶粒径が大きく光電変換効率が高い半導体層を形成することが可能である。
本発明に係る製造方法の好適例において、第1層を形成する工程では、Cuy(InxGa1−x)Se2(0≦y≦1,0≦x≦1)で示されるCIGS系半導体をカルコパイライト型半導体として含む第1層を形成し、第2層を形成する工程では、Cuy(InxGa1−x)Se2(0≦y≦1,0≦x≦1)で示されるCIGS系半導体をカルコパイライト型半導体として含む第2層を形成する。以上の方法では、CIGS系半導体を含む第1層と第2層とが形成される。したがって、CIGS系半導体以外のシリコン系半導体を含む第1層と第2層とを形成する方法と比較して、広波長帯域の光を吸収しやすいという利点がある。
本発明に係る製造方法の好適例において、金属膜を形成する工程では、銅を含む第1金属膜と、当該第1金属膜を覆い、インジウムを含む第2金属膜とを積層した金属膜を形成する。以上の方法では、銅を含む第1金属膜と第1金属膜を被覆してインジウムを含む第2金属膜とを積層した金属膜が形成される。したがって、例えば、銅とインジウムとを含む合金で金属膜を形成する方法や、インジウムを含む膜の表面に銅を含む膜を積層した金属膜を形成する方法と比較して、インジウムの凝集の影響を受けにくい均質な金属膜の形成が可能である。
本発明に係る製造方法の好適例において、第1層を形成する工程では、Cu(In,Ga)Se2で示されるカルコパイライト型半導体を含む第1層を形成し、第2層を形成する工程では、CuInSe2で示されるカルコパイライト型半導体を含む第2層を形成する。以上の方法では、電極側でガリウム濃度が高くなる半導体層が形成される。したがって、半導体層内でガリウムの濃度に変化がない(つまり、第1層と第2層とでガリウムの濃度が同程度またはゼロである)半導体層を形成する方法と比較して、短絡電流を増加する(ひいては光電変換効率を向上させる)ことが可能である。
本発明の光電変換素子は、電極の表面に形成されてカルコパイライト型半導体を含む第1層と、第1層の表面に形成されてカルコパイライト型半導体を含み第1層の結晶粒径よりも大きい結晶粒径である第2層とを有する。以上の構成では、第1層の結晶粒径より大きい結晶粒径の第2層が第1層の表面に形成される。したがって、第2層の結晶粒径が第1層の結晶粒径よりも小さい構成と比較して、光電変換素子の光電変換効率を向上することが可能である。
本発明に係る光電変換素子の好適例において、第1層の結晶粒径は100nmよりも小さく、第2層の結晶粒径は100nmよりも大きい。以上の構成では、第1膜の結晶粒径が100nmよりも小さい。したがって、第1層の結晶粒径が100nmよりも大きい構成と比較して、電極と半導体層(第1層)との間の剥離をより抑制することができる。他方で、第2膜の結晶粒径は100nmよりも大きいので、第2層の結晶粒径が100nmよりも小さい構成と比較して、光電変換素子の光電変換効率をより向上することが可能である。
本発明に係る光電変換素子の好適例において、第1層の結晶粒径は50nmよりも小さく、第2層の結晶粒径は500nmよりも大きい。以上の構成では、第1膜の結晶粒径が50nmよりも小さい。したがって、第1層の結晶粒径が50nmよりも大きい構成と比較して、電極と半導体層(第1層)との間の剥離をより抑制することができる。他方で、第2膜の結晶粒径は500nmよりも大きいので、第2層の結晶粒径が500nmよりも小さい構成と比較して、光電変換素子の光電変換効率をより向上することが可能である。
本発明に係る光電変換装置は、上記課題を解決するために、上述した各種の光電変換素子を具備する。以上の構成では、上述した各種の光電変換素子と同様の効果を有する。
<第1実施形態>
<光電変換装置100の構成>
図1は、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置100の模式図である。光電変換装置100は、例えば生体認証のために生体の静脈像を撮像する撮像装置(静脈センサー)であり、図1に例示される通り、基板10と複数の単位素子Uとを具備する。基板10は、ガラス基板や石英基板等の板状部材である。複数の単位素子Uは、基板10の面上に行列状に配列される。
<光電変換装置100の構成>
図1は、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置100の模式図である。光電変換装置100は、例えば生体認証のために生体の静脈像を撮像する撮像装置(静脈センサー)であり、図1に例示される通り、基板10と複数の単位素子Uとを具備する。基板10は、ガラス基板や石英基板等の板状部材である。複数の単位素子Uは、基板10の面上に行列状に配列される。
1個の単位素子Uについて図1に代表的に図示した通り、各単位素子Uは、定電位線112と検出線114との交差に対応して配置され、トランジスター12とトランジスター132とトランジスター134と光電変換素子14とを含んで構成される。光電変換素子14は、受光量に応じた電荷を発生する。本実施形態の光電変換素子14は、近赤外光(波長700nm〜900nm)を受光可能である。定電位線112と検出線114との間にトランジスター12とトランジスター134とが直列に接続される。トランジスター12のゲート電極は光電変換素子14に接続され、トランジスター132はトランジスター12のゲート電極と定電位線112との間に接続される。
トランジスター12のゲート電極の電位は、トランジスター132がオン状態に制御されることで定電位線112の電位に初期化されてから光電変換素子14の受光量に応じた電位に変化する。したがって、トランジスター134がオン状態に制御されると、光電変換素子14の受光量(トランジスター12のゲート電極の電位)に応じた電流値の検出信号が定電位線112からトランジスター12とトランジスター134とを経由して検出線114に出力される。すなわち、単位素子U内の各トランジスター(12,132,134)は、検出信号の入出力の制御(光電変換素子14の駆動)に使用される半導体素子である。なお、単位素子Uの具体的な構成は任意である。
図2は、光電変換装置100のうち1個の単位素子Uに対応する部分の断面図である。図2に例示される通り、光電変換装置100は、回路層20と絶縁層30と受光層40とを基板10の面上に積層した構造である。回路層20は基板10と絶縁層30との間に介在し、絶縁層30は回路層20と受光層40との間に介在する。
回路層20は、下地層22と単位素子U内の各トランジスター(12,132,134)と層間絶縁膜24とを含んで構成される。下地層22は、トランジスター12を形成する下地として好適な薄膜であり、例えば窒化珪素(SiNx)で基板10の表面に形成された第1層221と、例えば酸化珪素(SiOx)で第1層221の表面に形成された第2層223との積層で構成される。なお、下地層22を省略することも可能である。
単位素子U内の各トランジスター(12,132,134)は同様の構成の薄膜トランジスターである。図2にはトランジスター12のみが代表的に例示されている。トランジスター12は、半導体層51とゲート絶縁膜52とゲート電極53と第1電極54(ソース電極およびドレイン電極の一方)と第2電極55(ソース電極およびドレイン電極の他方)とを含む薄膜トランジスターである。半導体層51は、例えばポリシリコン等の半導体材料で下地層22の面上に島状に形成される。ゲート電極53は、ゲート絶縁膜52を挟んで半導体層51のチャネル領域に対向する。層間絶縁膜24は、半導体層51とゲート電極53とを覆う絶縁性の膜体(層間絶縁層)であり、基板10の全域にわたり略一定の膜厚に形成される。第1電極54および第2電極55の各々は、層間絶縁膜24の面上に形成され、層間絶縁膜24およびゲート絶縁膜52を貫通する導通孔を介して半導体層51に導通する。
絶縁層30は、絶縁膜32と絶縁膜34とから構成される。絶縁膜32は、絶縁性の膜体であり、回路層20(層間絶縁膜24)を覆うように基板10の全域に形成される。絶縁膜32は、例えば窒化珪素(SiNx)で形成される。絶縁膜34は、絶縁膜32を覆う絶縁性の膜体であり、絶縁膜32の表面を平坦にする平坦化膜として機能する。絶縁膜34は、例えば酸化珪素(SiOx)で形成される。
図2の受光層40は、図1の光電変換素子14を含む。光電変換素子14は、下部電極41と上部電極42との間に光電変換層43を介在させた受光素子である。下部電極41は、例えばモリブデン(Mo)等の低抵抗な導電材料で単位素子U毎に個別に形成され、絶縁層30と層間絶縁膜24とを貫通する導通孔(図示略)を介してトランジスター12のゲート電極53に導通する。
図2の光電変換層43は、光を吸収しやすいカルコパイライト型半導体を含んで形成され、受光量に応じた電荷を発生させる。具体的には、光電変換層43は、p型半導体層432とn型バッファ層434とn型導電層436とを下部電極41側からこの順番に積層した構造である。p型半導体層432は、入射光を吸収する光吸収層であり、第1層61と第2層63との積層で構成される。第1実施形態において、第1層61は、カルコパイライト型半導体を含み、下部電極41の表面に形成される。第2層63は、第1層61と同様のカルコパイライト型半導体を含み、第1層61の表面に形成される。カルコパイライト型半導体としては、Cuy(InxGa1−x)Se2(0≦y≦1,0≦x≦1)で示されるCIGS系半導体が好適である。CIGS系半導体とは、例えばCuInSe2やCu(In,Ga)Se2である。第1実施形態では、第1層61と第2層63とをCuInSe2で形成した場合を例示する。
第2層63の結晶粒径は、第1層61の結晶粒径よりも大きい。結晶粒径とは、第1層61と第2層63の各々を構成する結晶粒(多結晶)の平均粒径である。具体的には、第1層61の結晶粒径は、100nmよりも小さく、好ましくは50nmよりも小さい。第2層63の結晶粒径は、100nmよりも大きく、好ましくは500nmよりも大きい。以上の構成によれば、第2層63の結晶粒径が第1層61の結晶粒径よりも小さい構成と比較して、光電変換素子14の光電変換効率を向上することが可能である。また、第1層61の結晶粒径が小さいほど下部電極41に密着した状態でp型半導体層432(第1層61)を形成でき、下部電極41とp型半導体層432(第1層61)との間の剥離をより抑制することが可能である。
下部電極41およびp型半導体層432が形成された絶縁膜34の表面は絶縁層45で覆われる。絶縁層45は、平面視でp型半導体層432に重なる領域に開口が形成された絶縁性の被膜であり、例えば窒化珪素(SiNx)で形成される。光電変換層43のn型バッファ層434は、絶縁層45の開口内でp型半導体層432に重なるように例えば硫化カドミウム(CdS)で形成される。n型導電層436は、例えば酸化亜鉛(ZnO)でn型バッファ層434上に形成される。
上部電極42は、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の光透過性の導電材料で絶縁層45の面上に形成されて複数の単位素子Uにわたって連続する。上部電極42は、絶縁層45に形成された開口部46を介して光電変換層43に接触する。受光時に光電変換層43に発生した電荷に応じた検出信号が光電変換素子14毎に検出線114から外部装置に出力される。
<光電変換素子14の製造方法>
図3から図11は、以上に説明した光電変換装置100のうち光電変換素子14の製造工程の説明図である。最初の工程P1は、基板10の面上に回路層20と絶縁層30とを積層した状態で開始される。図3に例示される通り、工程P1では、絶縁層30の表面の全域にわたり下部電極141が形成される。下部電極141は、例えばモリブデン(Mo)で形成される。下部電極141の形成には、公知の成膜技術(例えばスパッタリングや真空蒸着等)が採用され得る。
図3から図11は、以上に説明した光電変換装置100のうち光電変換素子14の製造工程の説明図である。最初の工程P1は、基板10の面上に回路層20と絶縁層30とを積層した状態で開始される。図3に例示される通り、工程P1では、絶縁層30の表面の全域にわたり下部電極141が形成される。下部電極141は、例えばモリブデン(Mo)で形成される。下部電極141の形成には、公知の成膜技術(例えばスパッタリングや真空蒸着等)が採用され得る。
図4に例示される通り、工程P1の実行後の工程P2では、カルコパイライト型半導体を含む第1層161がスパッタリングにより下部電極141の表面の全域にわたり形成される。第1実施形態のカルコパイライト型半導体は、CuInSe2である。具体的には、第1層161は、CuInSe2をターゲットとしたスパッタリングにより下部電極141の表面に密着した状態で形成される。第1層161の膜厚は、例えば100nm以上500nm以下である。
工程P2の実行後に、金属膜73を第1層161の表面に形成する工程(工程P3および工程P4)が実行される。第1実施形態では、金属膜73は、銅(Cu)とインジウム(In)とを含み、第1金属膜732と第2金属膜734との積層で構成される。具体的には、図5に例示される通り、工程P3では、銅(Cu)を含む第1金属膜732が第1層161の表面の全域にわたり形成される。図6に例示される通り、工程P3の実行後の工程P4では、第1金属膜732を覆い、インジウム(In)を含む第2金属膜734が第1金属膜732の表面の全域にわたり形成される。第1金属膜732と第2金属膜734との形成には、公知の成膜技術(例えばスパッタリングや真空蒸着等)が採用され得る。
図7に例示される通り、工程P4の実行後の工程P5では、16族元素を含む雰囲気中で金属膜73を加熱することでカルコパイライト型半導体の第2層163が形成される。第1実施形態では、16族元素はセレン(Se)である。具体的には、工程P5では、セレン系ガス(例えばH2Se)の雰囲気中で金属膜73(第1金属膜732と第2金属膜734)を加熱することで、CuInSe2の第2層163が形成される。第2層163の膜厚は、例えば500nm以上である。以上に例示した工程P2から工程P5により、CuInSe2の第1層161とCuInSe2の第2層163との積層で構成されるp型半導体層632が形成される。工程P5での熱処理により、第1層161と第2層163との明確な界面はなくなる。第1層161と第2層163とは、両者ともCIGS系半導体から形成されているため、両者間の密着性は高い。なお、金属膜73(プリカーサ膜)を形成する工程(工程P3および工程P4)と、当該金属膜73をセレン系ガスの雰囲気中で加熱する工程P5とによりカルコパイライト型半導体の半導体層を形成する方法を、以下では「セレン化法」という。金属膜73をセレン系ガスの雰囲気中で加熱する工程P5は、セレン化法の一工程であるセレン化アニールである。
セレン化法によれば大粒径のカルコパイライト型半導体を形成できる。したがって、第1層161と第2層163とは同様の組成(CuInSe2)であるが、セレン化法で形成した第2層163の結晶粒径は、スパッタリングで形成した第1層161の結晶粒径と比較して大きい。具体的には、第1層161の結晶粒径は、100nmよりも小さく、好ましくは50nmよりも小さい。また、第2層163の結晶粒径は、100nmよりも大きく、好ましくは500nmよりも大きい。
図8に例示される通り、工程P5の実行後の工程P6では、第1層161と第2層163との積層で構成されるp型半導体層632を、例えばフォトリソグラフィやエッチングにより選択的に除去することで、第1層61と第2層63との積層で構成されるp型半導体層432が形成される。以上のように第1層161と第2層163とを一括的に除去する方法によれば、第1層161と第2層163とを個別に除去する方法と比較して製造工程が簡素化される。図9に例示される通り、工程P6の実行後の工程P7では、基板10の全域にわたる下部電極141を、例えばフォトリソグラフィやエッチングにより選択的に除去することで、単位素子U毎に個別の下部電極41が形成される。
図10に例示される通り、工程P7の実行後の工程P8では、下部電極41およびp型半導体層432が形成された絶縁膜34の表面を覆うように絶縁層45が形成される。絶縁層45は、例えば窒化珪素(SiNx)で形成される。絶縁層45は、例えば化学気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)等の公知の成膜技術により窒化珪素(SiNx)を堆積した後に、例えばフォトリソグラフィやエッチングにより単位素子U毎の開口の部分を選択的に除去することで形成される。
図11に例示される通り、工程P8の実行後の工程P9では、p型半導体層432と絶縁層45とを覆うように、n型バッファ層434とn型導電層436とがこの順番で形成される。具体的には、p型半導体層432と絶縁層45とを覆う例えば硫化カドミウム(CdS)の薄膜を選択的に除去することで、単位素子U毎のn型バッファ層434が形成される。同様に、n型バッファ層434を覆う例えば酸化亜鉛(ZnO)の薄膜を選択的に除去することで、単位素子U毎のn型導電層436が形成される。硫化カドミウム(CdS)の薄膜の形成には、例えば化学浴析出法(CBD:Chemical Bath Deposition)等の公知の成膜技術が採用され得る。酸化亜鉛(ZnO)の薄膜の形成には、例えばスパッタリングや有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)等の公知の成膜技術が採用され得る。
工程P9におけるn型バッファ層434とn型導電層436との形成後に上部電極42を形成することで、図2の光電変換素子14が製造される。上部電極42は、ITOやIZO等の光透過性の導電材料で形成される。上部電極42の形成には、公知の成膜技術(例えばスパッタリングや真空蒸着等)が採用される。
ところで、p型半導体層432の全てをセレン化法で作成した場合(以下「対比例」という)、下部電極41とp型半導体層432との剥離が発生しやすいという問題がある。図12は、対比例におけるp型半導体層432を形成する工程(工程PB-1〜工程PB-3)の説明図である。最初の工程PB-1では、銅(Cu)を含む第1金属膜732が例えばスパッタリングで下部電極141の表面に形成される。工程PB-1の実行後の工程PB-2では、第1金属膜732を覆うインジウム(In)の第2金属膜734が例えばスパッタリングで形成される。そして、工程PB-2の実行後の工程PB-3において、セレン系ガスの雰囲気中で金属膜73(第1金属膜732と第2金属膜734)を加熱することで、CuInSe2で示されるカルコパイライト型半導体のp型半導体層632が形成される。しかし、対比例によりp型半導体層632を形成した場合、下部電極141とp型半導体層632との間にボイド4が発生し、両者間の密着性が弱まり剥離しやすくなるという問題がある。ボイド4とは、セレン系ガスと金属膜73とが熱処理により反応(セレン化アニール)する際に、下部電極141と金属膜73との間に発生する空隙のことである。
対比例とは対照的に、第1実施形態の方法によれば、カルコパイライト型半導体を含むp型半導体層432のうち下部電極141に密接している第1層161は、スパッタリングにより形成される。スパッタリングにより第1層161を形成した場合、前述の通り、第1層161の結晶粒径は対比例における結晶粒径と比較して小さい。したがって、対比例と比較して下部電極141とp型半導体層632(第1層161)との密着性は高い。さらには、スパッタリングではセレン化アニールを行う必要がないため、下部電極141とp型半導体層632との間でのボイド4の発生と熱応力の発生とを防止することができる。したがって、対比例と比較して、下部電極141とp型半導体層632(第1層161)との間の剥離を抑制することが可能である。
他方、スパッタリングによりカルコパイライト型半導体のp型半導体層632の全体を形成した場合、全体にわたり結晶粒径が小さいため、実用的な高い光電変換効率を確保することが困難である。第1実施形態では、p型半導体層632のうち第2層163をセレン化法で形成することにより、大きい結晶粒径でカルコパイライト型半導体が形成されるから、充分に高い光電変換効率を実現することが可能である。
以上に説明した通り、第1実施形態では、下部電極141との密着性が高いが第1層161と、結晶粒径が大きく光電変換効率が高い第2層163とを積層したp型半導体層632が形成される。したがって、下部電極141とp型半導体層632(第1層161)との間の剥離を抑制するとともに、光電変換効率が高いp型半導体層632を形成することが可能である。つまり、下部電極141とp型半導体層632(第1層161)との間の剥離の抑制と光電変換効率の確保とを両立できる。
<第2実施形態>
本発明の第2実施形態を説明する。以下に例示する各態様において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
本発明の第2実施形態を説明する。以下に例示する各態様において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
<光電変換装置100の構成>
第1実施形態では、p型半導体層632の第1層161と第2層163とをCuInSe2で形成した場合を例示した。第2実施形態では、第1層161と第2層163とをCu(In,Ga)Se2で形成する。その他の構成は第1実施形態の光電変換装置100と同様である。
第1実施形態では、p型半導体層632の第1層161と第2層163とをCuInSe2で形成した場合を例示した。第2実施形態では、第1層161と第2層163とをCu(In,Ga)Se2で形成する。その他の構成は第1実施形態の光電変換装置100と同様である。
<光電変換素子14の製造方法>
絶縁層30の表面の全域にわたりに下部電極141を形成する工程P1は第1実施形態と同様である。工程P1の実行後の工程P2では、Cu(In,Ga)Se2で示されるカルコパイライト型半導体を含む第1層161がスパッタリングにより下部電極141の表面の全域にわたり形成される。具体的には、第1層161は、Cu(In,Ga)Se2をターゲットとしたスパッタリングにより下部電極141の表面に密着する状態で形成される。第1層161の膜厚は、例えば100nm以上500nm以下である。
絶縁層30の表面の全域にわたりに下部電極141を形成する工程P1は第1実施形態と同様である。工程P1の実行後の工程P2では、Cu(In,Ga)Se2で示されるカルコパイライト型半導体を含む第1層161がスパッタリングにより下部電極141の表面の全域にわたり形成される。具体的には、第1層161は、Cu(In,Ga)Se2をターゲットとしたスパッタリングにより下部電極141の表面に密着する状態で形成される。第1層161の膜厚は、例えば100nm以上500nm以下である。
工程P2の実行後に、金属膜73を第1層161の表面に形成する工程(工程P3および工程P4)が実行される。第2実施形態では、金属膜73は、銅(Cu)とインジウム(In)とガリウム(Ga)とを含み、第1金属膜732と第2金属膜734との積層で構成される。具体的には、工程P3では、銅(Cu)とガリウム(Ga)とを含む第1金属膜732が第1層161の表面の全域にわたり形成される。工程P3の実行後の工程P4では、第1実施形態と同様に、インジウム(In)を含む第2金属膜734が第1金属膜732の表面の全域にわたり形成される。第1金属膜732と第2金属膜734との形成には、公知の成膜技術(例えばスパッタリングや真空蒸着等)が採用され得る。
工程P4の実行後の工程P5では、第1実施形態と同様に、セレン系ガス(例えばH2Se)の雰囲気中で金属膜73を加熱することで、Cu(In,Ga)Se2の第2層163が形成される。第2層163の膜厚は、例えば500nm以上である。以上に例示した工程P2から工程P5により、Cu(In,Ga)Se2の第1層161とCu(In,Ga)Se2の第2層163との積層で構成されるp型半導体層632が形成される。以降の工程(P6〜P9)は第1実施形態と同様である。第2実施形態においても第1実施形態と同様の効果が実現される。
銅(Cu)で形成される第1実施形態の第1金属膜732と、銅(Cu)およびガリウム(Ga)を含む第2実施形態の第1金属膜732とは、銅を含む第1金属膜732として包括的に表現される。
<第3実施形態>
<光電変換装置100の構成>
第1実施形態では、p型半導体層632の第1層161と第2層163とをCuInSe2で形成した場合を例示し、第2実施形態では、p型半導体層632の第1層161と第2層163とをCu(In,Ga)Se2で形成した場合を例示した。第3実施形態では、p型半導体層632のうち第1層161と第2層163とが、相異なる組成のカルコパイライト型半導体で形成される。具体的には、第1層161がCu(In,Ga)Se2で形成され、第2層163がCuInSe2で形成される。すなわち、第3実施形態では、下部電極141側の第1層161でガリウム(Ga)濃度が高いp型半導体層632が形成される。つまり、p型半導体層632内の膜厚方向に沿ってガリウム(Ga)の濃度を変化させている。その他の構成は第1実施形態の光電変換装置100と同様である。
<光電変換装置100の構成>
第1実施形態では、p型半導体層632の第1層161と第2層163とをCuInSe2で形成した場合を例示し、第2実施形態では、p型半導体層632の第1層161と第2層163とをCu(In,Ga)Se2で形成した場合を例示した。第3実施形態では、p型半導体層632のうち第1層161と第2層163とが、相異なる組成のカルコパイライト型半導体で形成される。具体的には、第1層161がCu(In,Ga)Se2で形成され、第2層163がCuInSe2で形成される。すなわち、第3実施形態では、下部電極141側の第1層161でガリウム(Ga)濃度が高いp型半導体層632が形成される。つまり、p型半導体層632内の膜厚方向に沿ってガリウム(Ga)の濃度を変化させている。その他の構成は第1実施形態の光電変換装置100と同様である。
<光電変換素子14の製造方法>
絶縁層30の表面の全域にわたり下部電極141を形成する工程P1は第1実施形態と同様である。図4で例示される通り、工程P1の実行後の工程P2では、Cu(In,Ga)Se2で示されるカルコパイライト型半導体を含む第1層161がスパッタリングにより下部電極141の表面の全域にわたり形成される。第1層161は、Cu(In,Ga)Se2をターゲットとしたスパッタリングにより、下部電極141の表面に密着した状態で形成される。第1層161の膜厚は、例えば100nm以上500nm以下である。
絶縁層30の表面の全域にわたり下部電極141を形成する工程P1は第1実施形態と同様である。図4で例示される通り、工程P1の実行後の工程P2では、Cu(In,Ga)Se2で示されるカルコパイライト型半導体を含む第1層161がスパッタリングにより下部電極141の表面の全域にわたり形成される。第1層161は、Cu(In,Ga)Se2をターゲットとしたスパッタリングにより、下部電極141の表面に密着した状態で形成される。第1層161の膜厚は、例えば100nm以上500nm以下である。
第1実施形態と同様に、金属膜73を第1層161の表面に形成する工程(工程P3および工程P4)と当該金属膜73をセレン化アニールする工程P5とにより、CuInSe2で示されるカルコパイライト型半導体を含む第2層163が形成される。以降の工程(P6〜P8)は第1実施形態と同様である。
第3実施形態においても第1実施形態と同様の効果が実現される。また、第3実施形態では、Cu(In,Ga)Se2の第1層161とCuInSe2の第2層163とが形成されるので、下部電極41側でガリウム(Ga)濃度が高いp型半導体層432が形成される。ガリウム(Ga)の濃度が高いほどp型半導体層432の禁制帯幅(バンドギャップ)は拡大するという傾向があるから、第3実施形態では、下部電極41からPN接合部(n型バッファ層434)にかけて禁制帯幅が縮小する単傾斜禁制帯(Single Graded Bandgap)構造が実現される。したがって、p型半導体層432内でガリウム(Ga)の濃度に変化がない(つまり、第1層61と第2層63とでガリウム(Ga)の濃度が同程度またはゼロである)第1実施形態および第2実施形態と比較して、短絡電流を増加する(ひいては光電変換効率を向上させる)ことが可能である。
<変形例>
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様を適宜に併合することも可能である。
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様を適宜に併合することも可能である。
(1)前述の各形態では、銅(Cu)を含む第1金属膜732とインジウム(In)を含む第2金属膜734とを積層した金属膜73を形成したが、金属膜73の形成は以上の方法に限定されない。例えば、銅(Cu)とインジウム(In)とを含む合金で金属膜73を形成する方法や、インジウム(In)を含む膜の表面に銅(Cu)を含む膜を積層した金属膜73を形成する方法も採用され得る。ただし、インジウム(In)のような低融点金属には凝集が発生しやすいという傾向があるから、インジウム(In)の金属膜の表面には凹凸が発生し得る。したがって、当該金属膜の表面の全域にわたり銅(Cu)を成膜する方法では、銅(Cu)の金属膜を平坦かつ均質に形成することが困難である。他方、前述の各形態のように、銅(Cu)を含む第1金属膜732の表面の全域にわたりインジウム(In)を成膜する構成によれば、第1金属膜732が平坦かつ均質に形成される。したがって、インジウム(In)の凝集の影響を低減した平坦かつ均質な金属膜73を形成できるという利点がある。
(2)前述の各形態では、工程P5では、16族元素をセレン(Se)としてセレン系ガス(例えばH2Se)を含む雰囲気中で金属膜73を加熱したが、金属膜73の加熱に利用される16族元素は以上の例示に限定されない。例えば、16族元素を硫黄(S)として硫黄系ガス(例えばH2S)を含む雰囲気中で金属膜73を加熱(硫化アニール)することも可能である。前述の対比例において図12の工程PB-3で硫化アニールを実行した場合にも、セレン化アニールの場合と同様に、下部電極141とp型半導体層632との間にボイド4が発生し得るから、ボイド4の発生を抑制し得る前述の各形態は有効である。
(3)前述の各形態では、CIGS系半導体をカルコパイライト型半導体として含む第1層161と第2層163とを形成したが、カルコパイライト型半導体はCIGS系半導体に限定されない。例えば、Cu2ZnSn(SxSe1-x)4(0≦x≦1)で示されるCZTS系半導体(例えばCu2ZnSnS4)をカルコパイライト型半導体として含む第1層161や第2層163を形成することも可能である。以上の説明から理解される通り、カルコパイライト型半導体の組成は任意である。ただし、CIGS系半導体をカルコパイライト型半導体として含む第1層161と第2層163とを形成する前述の各形態では、CIGS系半導体以外のシリコン系半導体を含む第1層161や第2層163を形成する方法と比較して、広波長帯域の光を吸収しやすいという利点がある。
(4)前述の各形態では、トランジスター12のゲート電極53に光電変換素子14(下部電極41)を接続したが、光電変換素子14の接続先は適宜に変更される。例えば、トランジスター12の第1電極54や第2電極55に光電変換素子14を接続した構成も採用され得る。もっとも、回路層20に形成される半導体素子はトランジスター12に限定されない。例えばダイオード等の半導体素子を回路層20に形成した構成にも本発明は適用される。また、前述の各形態では、基板10の表面に形成されたトランジスター12(薄膜トランジスター)を例示したが、半導体基板を基板10として利用した構成では、トランジスター12を基板10に直接的に形成することが可能である。
(5)前述の各形態では、生体認証用の静脈像を撮像する光電変換装置100(静脈センサー)を例示したが、本発明の用途は任意である。例えば、静脈像のほか指紋や虹彩を含む生体情報の取得に光電変換装置100を利用することも可能である。また、例えば、光電変換装置100が撮像した生体の静脈像から血中アルコール濃度を推定するアルコール検出装置や、光電変換装置100が撮像した生体の静脈像から血糖値を推定する血糖値推定装置等の医療機器にも本発明は適用され得る。撮像結果を利用した血中アルコール濃度の推定には公知の技術が任意に採用され得る。また、印刷物から画像を読取る画像読取装置に本発明を適用することも可能である。なお、画像読取装置に本発明を適用する場合には可視光が撮像光として好適に利用される。光電変換素子14の用途は撮像に限定されない。例えば、太陽光を電気エネルギーに変換および蓄積する太陽電池に前述の各形態に係る光電変換素子14を利用することも可能である。
10…基板、100…光電変換装置、112…定電位線、114…検出線、12,132,134…トランジスター、14…光電変換素子、20…回路層、22…下地層、24…層間絶縁膜、30,45…絶縁層、32,34…絶縁膜、4…ボイド、40…受光層、41,141…下部電極、42…上部電極、43…光電変換層、432,632…p型半導体層、434…n型バッファ層、436…n型導電層、46…開口部、51…半導体層、52…ゲート絶縁膜、53…ゲート電極、54…第1電極、55…第2電極、61,161,221…第1層、63,163,223…第2層、73…金属膜、732…第1金属膜、734…第2金属膜。
Claims (10)
- カルコパイライト型半導体を含む第1層をスパッタリングにより電極の表面に形成する工程と、
金属膜を前記第1層の表面に形成する工程と、
16族元素を含む雰囲気中で前記金属膜を加熱することでカルコパイライト型半導体を含む第2層を形成する工程と
を含む光電変換素子の製造方法。 - 前記金属膜は、銅とインジウムとガリウムとを含み、
前記16族元素は、セレンである
請求項1の光電変換素子の製造方法。 - 前記第2層を形成する工程では、前記第1層の結晶粒径よりも大きい結晶粒径の前記第2層を形成する
請求項1または請求項2の光電変換素子の製造方法。 - 前記第1層を形成する工程では、Cuy(InxGa1−x)Se2(0≦y≦1,0≦x≦1)で示されるCIGS系半導体を前記カルコパイライト型半導体として含む第1層を形成し、
前記第2層を形成する工程では、Cuy(InxGa1−x)Se2(0≦y≦1,0≦x≦1)で示されるCIGS系半導体を前記カルコパイライト型半導体として含む第2層を形成する
請求項1から請求項3の何れかの光電変換素子の製造方法。 - 前記金属膜を形成する工程では、
銅を含む第1金属膜と、当該第1金属膜を覆い、インジウムを含む第2金属膜とを積層した前記金属膜を形成する
請求項1から請求項4の何れかの光電変換素子の製造方法。 - 前記第1層を形成する工程では、Cu(In,Ga)Se2で示される前記カルコパイライト型半導体を含む第1層を形成し、
前記第2層を形成する工程では、CuInSe2で示される前記カルコパイライト型半導体を含む第2層を形成する
請求項1から請求項5の何れかの光電変換素子の製造方法。 - 電極の表面に形成されてカルコパイライト型半導体を含む第1層と、
前記第1層の表面に形成されてカルコパイライト型半導体を含み前記第1層の結晶粒径よりも大きい結晶粒径である第2層と
を有する光電変換素子。 - 前記第1層の結晶粒径は100nmよりも小さく、
前記第2層の結晶粒径は100nmよりも大きい
請求項7の光電変換素子。 - 前記第1層の結晶粒径は50nmよりも小さく、
前記第2層の結晶粒径は500nmよりも大きい
請求項8の光電変換素子。 - 請求項7から請求項9の何れかの光電変換素子を具備する光電変換装置。
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