JP2017107114A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】基板上に配置された液晶層と、液晶層を挟持するように配置された画素電極及び対向電極と、液晶層、画素電極、対向電極を含んで構成された赤色サブ画素40Rと、緑色サブ画素40Gと、青色サブ画素40Bと、を有する画素と、を備え、緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40R、青色サブ画素40Bの順に配列された第1サブ画素群A、及び、赤色サブ画素40R、緑色サブ画素40G、青色サブ画素40Bの順に配列された第2サブ画素群Bのうち、少なくとも一方のサブ画素群を有する。【選択図】図5
Description
本発明は、カラーフィルターを備えた電気光学装置、及び電子機器に関する。
上記電気光学装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。この液晶装置は、例えば、電子機器としてのデジタルカメラのEVF(Electronic View Finder)などに用いられる。
液晶装置は、素子基板と、素子基板と対向するように配置された対向基板と、素子基板と対向基板とによって挟持された液晶層と、カラーフィルターと、を備えている。
カラーフィルターを含むサブ画素は、例えば、図12に示すように、緑色(G)サブ画素40Gの列、赤色(R)サブ画素40Rの列、青色(B)サブ画素40Bの列が繰り返し並んで配置されている。このようなサブ画素40が配列された表示領域において、視野角を変化させたときの色変化が大きくなる場合があり、これにより、表示品質が劣化するという問題がある。
そこで、例えば、特許文献1に記載の液晶装置は、緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40R、青色サブ画素40Bの面積をそれぞれ異ならせることにより、視野角の変化による青色成分が減少することを抑える方法が開示されている。
しかしながら、特許文献1には、青色の視野角変化を抑える方法が開示されているものの、特に、色度領域が狭い黄色の視野角変化を抑える方法は開示されておらず、黄色を表示した際、隣りのサブ画素の影響などにより、黄色がオレンジ色に見えたり黄緑色に見えたりして、画像品質が劣化しやすいという課題がある。
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板上に配置された電気光学層と、前記電気光学層を挟持するように配置された第1電極及び第2電極と、前記電気光学層、前記第1電極、前記第2電極を含んで構成された赤色サブ画素と、緑色サブ画素と、青色サブ画素と、を有する画素と、を備え、前記緑色サブ画素、前記赤色サブ画素、前記青色サブ画素の順に配列された第1サブ画素群、及び、前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素、前記青色サブ画素の順に配列された第2サブ画素群のうち、少なくとも一方のサブ画素群を有することを特徴とする。
本適用例によれば、視野角による色度変動が異なる第1サブ画素群と第2サブ画素群とを交互に配列することで、色度領域の狭い黄色を表示した際に視野角を変えた場合でも、隣りのサブ画素の影響によって発生する色変動(色度変化)を打ち消すことが可能となる。よって、色再現性を向上させることができ、黄色が、オレンジ色や黄緑色に見えることを抑えることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
[適用例2]上記適用例に係る電気光学装置において、前記第1サブ画素群は、前記基板上においてランダムに配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、第1サブ画素群を基板上にランダムに配列するので、言い換えれば、基板上に第1サブ画素群が散らばるようにするので、青色、緑色、シアン色、マゼンダ色を表示した際、輝度差に起因する縦スジに見えることを抑えることができる。加えて、視野角による色変動を抑えることができる。
[適用例3]上記適用例に係る電気光学装置において、前記第2サブ画素群は、前記基板上においてランダムに配置されていることが好ましい。
本適用例によれば、第2サブ画素群を基板上にランダムに配列するので、言い換えれば、基板上に第2サブ画素群が散らばるようにするので、青色、緑色、シアン色、マゼンダ色を表示した際、輝度差に起因する縦スジに見えることを抑えることができる。加えて、視野角による色変動を抑えることができる。
[適用例4]上記適用例に係る電気光学装置において、前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素のうち少なくとも一方は、同色のサブ画素が連続して配列されていることが好ましい。
本適用例によれば、同じ色のサブ画素が連続するように配列するので、色のバランスを調整することが可能となり、表示品質を向上させることができる。
[適用例5]上記適用例に係る電気光学装置において、前記緑色サブ画素及び前記赤色サブ画素は、第1方向に長い長方形であり、前記青色サブ画素は、前記第1方向と直交する方向である第2方向に長い長方形であることが好ましい。
本適用例によれば、第1方向に長い長方形のサブ画素と、第2方向に長い長方形のサブ画素と、が混在するので、黄色表示の際、視野角による色変動を緩和させることができる。
[適用例6]上記適用例に係る電気光学装置において、前記画素は、カラーフィルターを含み、前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素、前記青色サブ画素は、前記カラーフィルターの着色層の色に対応した色を表示することが好ましい。
本適用例によれば、赤色サブ画素、緑色サブ画素、青色サブ画素の組み合わせにより黄色表示を行うことができる。
[適用例7]本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
本適用例によれば、上記の電気光学装置を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載され、特別な記載がなければ、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでいるものとする。
本実施形態では、電気光学装置の一例として、薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor)を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。
(第1実施形態)
<電気光学装置としての液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図1〜図3を参照しながら説明する。
<電気光学装置としての液晶装置の構成>
図1は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図2は、図1に示す液晶装置のH−H’線に沿う模式断面図である。図3は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図1〜図3を参照しながら説明する。
図1及び図2に示すように、本実施形態の液晶装置100は、対向配置された素子基板10及び対向基板20と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層15とを有する。素子基板10を構成する第1基材10a(基板)、および対向基板20を構成する第2基材20aは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
素子基板10は対向基板20よりも大きく、両基板は、対向基板20の外周に沿って配置されたシール材14を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層15を構成している。
シール材14は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材14には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。スペーサーは、セルギャップを出すために用いられる。
シール材14の内側には、表示に寄与する複数の画素Pが配列した画素領域E(表示領域)が設けられている。画素領域Eの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域(図示せず)が設けられている。
素子基板10の1辺部に沿ったシール材14と該1辺部との間に、データ線駆動回路22が設けられている。また、該1辺部に対向する他の1辺部に沿ったシール材14と画素領域Eとの間に、検査回路25が設けられている。さらに、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿ったシール材14と画素領域Eとの間に走査線駆動回路24が設けられている。該1辺部と対向する他の1辺部に沿ったシール材14と検査回路25との間には、2つの走査線駆動回路24を繋ぐ複数の配線29が設けられている。
対向基板20側における額縁状に配置されたシール材14の内側には、同じく額縁状に遮光膜18(見切り部)が設けられている。遮光膜18は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜18の内側が複数の画素Pを有する画素領域Eとなっている。なお、図1では図示を省略したが、画素領域Eにおいても複数の画素Pを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
これらデータ線駆動回路22、走査線駆動回路24に繋がる配線は、該1辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子61に接続されている。以降、該1辺部に沿った方向をX方向とし、該1辺部と直交し互いに対向する他の2辺部に沿った方向をY方向として説明する。
図2に示すように、第1基材10aの液晶層15側の表面には、画素Pごとに設けられた透光性の画素電極27(第1電極)およびスイッチング素子である薄膜トランジスター(TFT:Thin Film Transistor、以降、「TFT30」と呼称する)と、信号配線(図示せず)と、これらを覆う第1配向膜28とが形成されている。
また、TFT30における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造(図示せず)が採用されている。本発明における素子基板10は、少なくとも画素電極27、TFT30、信号配線、第1配向膜28を含むものである。
対向基板20の液晶層15側の表面には、遮光膜18と、これを覆うように成膜された絶縁層33と、絶縁層33を覆うように設けられた対向電極31(第2電極)と、対向電極31を覆う第2配向膜32とが設けられている。本発明における対向基板20は、少なくとも遮光膜18、対向電極31、第2配向膜32を含むものである。
遮光膜18は、図1に示すように画素領域Eを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路24、検査回路25と重なる位置に設けられている。これにより対向基板20側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Eに入射しないように遮蔽して、画素領域Eの表示における高いコントラストを確保している。
絶縁層33は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜18を覆うように設けられている。このような絶縁層33の形成方法としては、例えばプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
対向電極31は、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜からなり、絶縁層33を覆うと共に、図1に示すように対向基板20の四隅に設けられた上下導通部26により素子基板10側の配線に電気的に接続されている。
画素電極27を覆う第1配向膜28および対向電極31を覆う第2配向膜32は、液晶装置100の光学設計に基づいて選定される。第1配向膜28及び第2配向膜32としては、気相成長法を用いてSiOx(酸化シリコン)などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
このような液晶装置100は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Pの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
図3に示すように、液晶装置100は、少なくとも画素領域Eにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線3aおよび複数のデータ線6aと、容量線3bとを有する。例えば、走査線3aが延在する方向がX方向であり、データ線6aが延在する方向がY方向である。
走査線3aとデータ線6aならびに容量線3bと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極27と、TFT30と、容量素子16とが設けられ、これらが画素Pの画素回路を構成している。
走査線3aはTFT30のゲートに電気的に接続され、データ線6aはTFT30のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極27は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
データ線6aは、データ線駆動回路22(図1参照)に接続されており、データ線駆動回路22から供給される画像信号D1,D2,…,Dnを画素Pに供給する。走査線3aは、走査線駆動回路24(図1参照)に接続されており、走査線駆動回路24から供給される走査信号SC1,SC2,…,SCmを各画素Pに供給する。
データ線駆動回路22からデータ線6aに供給される画像信号D1〜Dnは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線6a同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路24は、走査線3aに対して、走査信号SC1〜SCmを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
液晶装置100は、スイッチング素子であるTFT30が走査信号SC1〜SCmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号D1〜Dnが所定のタイミングで画素電極27に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極27を介して液晶層15に書き込まれた所定レベルの画像信号D1〜Dnは、画素電極27と液晶層15を介して対向配置された対向電極31との間で一定期間保持される。
保持された画像信号D1〜Dnがリークするのを防止するため、画素電極27と対向電極31との間に形成される液晶容量と並列に容量素子16が接続されている。容量素子16は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域と容量線3bとの間に設けられている。容量素子16は、2つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
<液晶装置を構成する画素の構成>
次に、画素の構成について、図4を参照して説明する。図4は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
次に、画素の構成について、図4を参照して説明する。図4は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。なお、図4は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図4に示すように、液晶装置100は、素子基板10と、これに対向配置される対向基板20とを備えている。素子基板10を構成する第1基材10a、及び対向基板20を構成する第2基材20aは、例えば、石英基板等によって構成されている。
図4に示すように、第1基材10a上には、例えば、Al(アルミニウム)、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)等の材料を含む下側遮光膜3cが形成されている。下側遮光膜3cは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Pの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜3cは、導電性を有し、走査線3aの一部として機能するようにしてもよい。第1基材10a及び下側遮光膜3c上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層11aが形成されている。
下地絶縁層11a上には、TFT30及び走査線3a等が形成されている。TFT30は、例えば、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、ポリシリコン(高純度の多結晶シリコン)等からなる半導体層30aと、半導体層30a上に形成されたゲート絶縁層11gと、ゲート絶縁層11g上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極30gとを有する。走査線3aは、ゲート電極30gとしても機能する。
半導体層30aは、例えば、リン(P)イオン等のN型の不純物イオンが注入されることにより、N型のTFT30として形成されている。具体的には、半導体層30aは、チャネル領域30cと、データ線側LDD領域30s1と、データ線側ソースドレイン領域30sと、画素電極側LDD領域30d1と、画素電極側ソースドレイン領域30dとを備えている。
チャネル領域30cには、ボロン(B)イオン等のP型の不純物イオンがドープされている。その他の領域(30s1,30s,30d1,30d)には、リン(P)イオン等のN型の不純物イオンがドープされている。このように、TFT30は、N型のTFTとして形成されている。
ゲート電極30g及びゲート絶縁層11g上には、酸化シリコン等からなる第1層間絶縁層11bが形成されている。第1層間絶縁層11b上には、容量素子16が設けられている。具体的には、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域30d及び画素電極27に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第1容量電極16aと、固定電位側容量電極としての容量線3b(第2容量電極16b)の一部とが、誘電体膜16cを介して対向配置されることにより、容量素子16が形成されている。
誘電体膜16cは、例えば、シリコン窒化膜である。第2容量電極16b(容量線3b)は、例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Al(アルミニウム)膜から形成することも可能である。
第1容量電極16aは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子16の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第1容量電極16aは、容量線3bと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第1容量電極16aは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールCNT1,CNT2,CNT3を介して、画素電極27とTFT30の画素電極側ソースドレイン領域30dとを中継接続する機能を有する。
容量素子16上には、第2層間絶縁層11cを介してデータ線6aが形成されている。データ線6aは、ゲート絶縁層11g、第1層間絶縁層11b、誘電体膜16c、及び第2層間絶縁層11cに開孔されたコンタクトホールCNT4を介して、半導体層30aのデータ線側ソースドレイン領域30sに電気的に接続されている。
データ線6aの上層には、第3層間絶縁層11d、第4層間絶縁層11e、第2絶縁層としてのパッシベーション層11fを介して画素電極27が形成されている。第2層間絶縁層11c、第3層間絶縁層11d、第4層間絶縁層11eにおける表示部E1には、カラーフィルター80(着色層80R,着色層80G,着色層80B)が設けられている。
このような液晶装置100は、例えば、カラーフィルター80を画素電極27やスイッチング素子と同一の基板に作りこむ積層構造、所謂COA(カラーフィルター・オン・アレイ)構造である。
更に、第4層間絶縁層11e上には、パッシベーション層11fが設けられている。なお、第3層間絶縁層11d、第4層間絶縁層11e、及びパッシベーション層11fの上層表面は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)等の平坦化処理が施されている。
パッシベーション層11f上には、画素電極27が設けられている。画素電極27は、コンタクトホールCNT3、中継層41、コンタクトホールCNT2、第1容量電極16aを介してコンタクトホールCNT1に接続されることにより、半導体層30aの画素電極側ソースドレイン領域30dに電気的に接続されている。画素電極27は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)膜等の透明導電膜から形成されている。
画素電極27及びパッシベーション層11f上には、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着した第1配向膜28が設けられている。第1配向膜28上には、シール材14(図1及び図2参照)により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層15が配置されている。
一方、第2基材20a上(液晶層15側)には、例えば、PSG膜(リンをドーピングした酸化シリコン)などからなる絶縁層(図示せず)が設けられている。絶縁層上には、その全面に渡って対向電極31が設けられている。対向電極31上には、酸化シリコン(SiO2)などの無機材料を斜方蒸着した第2配向膜32が設けられている。対向電極31は、上述の画素電極27と同様に、例えばITO膜等の透明導電膜からなる。
液晶層15は、画素電極27と対向電極31との間で電界が生じていない状態で配向膜28,32によって所定の配向状態をとる。シール材14は、素子基板10及び対向基板20を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板10と対向基板20の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
<画素を構成するサブ画素の配列>
次に、第1実施形態のサブ画素の配列について、図5を参照して説明する。図5は、サブ画素の配列を示す概略平面図である。
次に、第1実施形態のサブ画素の配列について、図5を参照して説明する。図5は、サブ画素の配列を示す概略平面図である。
図5に示すように、サブ画素40は、X方向に、緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40R、青色サブ画素40B、更に、赤色サブ画素40R、緑色サブ画素40G、青色サブ画素40Bの順に、繰り返して配置されている。
このように繰り返されて配列されたサブ画素40のうち、緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40R、青色サブ画素40Bの順に配列されたサブ画素群を第1サブ画素群Aと称する。
また、第1サブ画素群Aと第1サブ画素群Aとの間には、赤色サブ画素40R、緑色サブ画素40G、青色サブ画素40Bの順に配列された第2サブ画素群Bが配置されている。一方、Y方向には、X方向に配列されたサブ画素40と同色のサブ画素40が連続して配列されている。
このように第1サブ画素群A(40G,40R,40B)と第2サブ画素群B(40R,40G,40B)とを繰り返して配列することにより、黄色を表示した際に視野角を変えた場合でも、隣りのサブ画素40の影響によって発生する色変動(色度変化)を打ち消すことが可能となる。
具体的には、黄色は視野角による色変動が大きいため、ちょっとした光が影響して、オレンジ色に見えたり、黄緑色に見えたりするが、本実施形態のように、第1サブ画素群A(40G,40R,40B)と第2サブ画素群B(40R,40G,40B)とを繰り返して配列するので、黄色の色度変化を、従来と比較して抑えることができる。
<電子機器の構成>
次に、本実施形態の電子機器としてのデジタルカメラについて、図6を参照しながら説明する。図6は、上記した液晶装置を備えたデジタルカメラの構成を示す概略斜視図である。なお図6は、デジタルカメラを背面側から見た概略斜視図である。
次に、本実施形態の電子機器としてのデジタルカメラについて、図6を参照しながら説明する。図6は、上記した液晶装置を備えたデジタルカメラの構成を示す概略斜視図である。なお図6は、デジタルカメラを背面側から見た概略斜視図である。
図6に示すように、本実施形態のデジタルカメラ1000は、デジタルカメラ1000は、レンズ1001、撮像素子(図示せず)、表示部1002、及び操作部1003を備える。撮像素子は、レンズ1001が捉えた被写体から光学像を受光して電気信号に変換するものである。
表示部1002は、デジタルカメラ1000の背面に配設されるLCD(Liquid Crystal Display)表示部であり、撮影時に被写体の観察画像(撮像画像)を表示したり、メモリカードに記録されている撮影画像を再生表示したりするのに用いられる。
操作部1003は、レリーズボタン1003a、電源ボタン1003b、カーソルボタン/決定ボタン1003c、及びその他の操作ボタン(図示せず)を有する。
デジタルカメラ1000の背面には、撮影者が覗き込むための接眼部1004が設けられており、接眼部1004に対応する本体の内部には、電子ビューファインダー(EVF:Electronic View Finder)1004a(20)が設けられている。EVF1004aは、上記液晶装置100が備えられている。
なお、液晶装置100が搭載される電子機器としては、デジタルカメラ1000のEVF(Electrical View Finder)の他、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、プロジェクター、ヘッドアップディスプレイ(HUD)、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、照明機器など、各種電子機器に用いることができる。
以上詳述したように、第1実施形態の液晶装置100及び電子機器(EVF1004a)によれば、以下に示す効果が得られる。
(1)第1実施形態の液晶装置100によれば、視野角による色度変動が異なる第1サブ画素群A(40G,40R,40B)と第2サブ群B(40R,40G,40B)とを交互に配列することで、色度領域の狭い黄色を表示した際に視野角を変えた場合でも、隣りのサブ画素40の影響によって発生する色変動(色度変化)を打ち消すことが可能となる。よって、色再現性を向上させることができ、黄色が、オレンジ色や黄緑色に見えることを抑えることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
(2)第1実施形態の電子機器によれば、上記液晶装置100を備えるので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
(第2実施形態)
<サブ画素の配列>
次に、第2実施形態のサブ画素の配列について、図7を参照して説明する。図7は、第2実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
<サブ画素の配列>
次に、第2実施形態のサブ画素の配列について、図7を参照して説明する。図7は、第2実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
第2実施形態の液晶装置200は、上述の第1実施形態の液晶装置100と比べて、第1サブ画素群Aと第2サブ画素群Bとが、液晶装置200のX方向及びY方向に交互に繰り返し配置されている部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図7に示すように、第2実施形態の液晶装置200は、X方向に第1サブ画素群Aと第2サブ画素群Bとが交互に繰り返し配置されている。
具体的には、X方向に、第1サブ画素群Aを構成する緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40R、青色サブ画素40Bの順に並んで配列されている。更に、X方向には、第2サブ画素群Bを構成する赤色サブ画素40R、緑色サブ画素40G、青色サブ画素40Bの順に並んで配列されている。
一方、第1サブ画素群AのY方向には、第2サブ画素群Bを構成する赤色サブ画素40R、緑色サブ画素40G、青色サブ画素40Bの順に並んで配列されている。
緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40R、青色サブ画素40Bの順に並ぶ第1サブ画素群Aと、赤色サブ画素40R、緑色サブ画素40G、青色サブ画素40Bの順に並ぶ第2サブ画素群Bとを、表示領域Eにおいてランダム(本実施形態では、第1サブ画素群Aと第2サブ画素群Bとを交互)に配置することにより、黄色表示にした際の視野角による色度変化を抑えることもできる。
以上詳述したように、第2実施形態の液晶装置200によれば、上記した第1実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
(3)第2実施形態の液晶装置200によれば、第1サブ画素群A及び第2サブ画素群Bを表示領域Eにおいてランダム(交互)に配列するので、黄色を表示した際、隣りのサブ画素40の影響によって発生する色変動(色度変化)を打ち消すことが可能となる。加えて、縦スジに見えることを抑えることができる。
(第3実施形態)
<サブ画素の配列>
次に、第3実施形態のサブ画素の配列について、図8を参照して説明する。図8は、第3実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
<サブ画素の配列>
次に、第3実施形態のサブ画素の配列について、図8を参照して説明する。図8は、第3実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
第3実施形態の液晶装置300は、上述の第2実施形態の液晶装置200と比べて、X方向のみ第1サブ画素群Aを繰り返し配置している部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第3実施形態では、第2実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図8に示すように、第3実施形態の液晶装置300は、X方向に第1サブ画素群Aが繰り返し配置されている。一方、Y方向には、第1サブ画素群Aと第2サブ画素群Bとが交互に繰り返して配列されている。
以上詳述したように、第3実施形態の液晶装置300によれば、上記した第2実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
(4)第3実施形態の液晶装置300によれば、X方向に第1サブ画素群Aを繰り返し配置し、Y方向に第1サブ画素群Aと第2サブ画素群Bとを交互(ランダム)に配列するので、黄色を表示した際、隣りのサブ画素40の影響によって発生する色変動(色度変化)を打ち消すことが可能となる。加えて、縦スジに見えることを抑えることができる。
(第4実施形態)
<サブ画素の配列>
次に、第4実施形態のサブ画素の配列について、図9を参照して説明する。図9は、第4実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
<サブ画素の配列>
次に、第4実施形態のサブ画素の配列について、図9を参照して説明する。図9は、第4実施形態のサブ画素の配列を示す概略平面図である。
第4実施形態の液晶装置400は、上述の第3実施形態の液晶装置300と比べて、Y方向に並ぶサブ画素40とサブ画素40との間に、X方向に長く延びるサブ画素40を挿入している部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第4実施形態では、第3実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
図9に示すように、第4実施形態の液晶装置400は、Y方向(第1方向)に並ぶサブ画素40とサブ画素40との間に、X方向(第2方向)に長く延びるサブ画素40が挿入されている。X方向に長く延びるサブ画素40は、青色サブ画素40Bである。Y方向に長く延びるサブ画素40は、緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40Rの順に配列されている。
このようにサブ画素40を配列させることにより、黄色表示をした際に、視野角による色度変化が抑えられると共に、縦スジに見えることを抑えることができる。
以上詳述したように、第4実施形態の液晶装置400によれば、上記実施形態の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
(5)第4実施形態の液晶装置400によれば、Y軸方向(第1方向)に長い長方形のサブ画素40と、X軸方向(第2方向)に長い長方形のサブ画素40と、を混在させて第1サブ画素群A(又は第2サブ画素群B)を構成するので、黄色表示の際、視野角による色変動を緩和させることができると共に、輝度差による縦スジに見えることを緩和させることができる。
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
(変形例1)
上記したように、黄色を表示した際の視野角の色度変化を抑える方法として、図5に示すような液晶装置100のサブ画素40の配列に限定されず、図10に示すようにしてもよい。
上記したように、黄色を表示した際の視野角の色度変化を抑える方法として、図5に示すような液晶装置100のサブ画素40の配列に限定されず、図10に示すようにしてもよい。
図10は、変形例1の液晶装置を示す概略平面図である。変形例1の液晶装置101は、X方向に、赤色サブ画素40R、緑色サブ画素40G、青色サブ画素40Bの順に配列されていると共に、2つ連続して並んだ赤色サブ画素40Rと2つ連続して並んだ緑色サブ画素40Gとの間に1つの青色サブ画素40Bが挿入された第1サブ画素群Aを備えている。言い換えれば、変形例1の第1サブ画素群Aは、等間隔で配置された青色サブ画素40Bの間に緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40Rが配置されている。Y方向には、同じ色のサブ画素40が連続して配置されている。
更に、X方向に、緑色サブ画素40G、赤色サブ画素40R、青色サブ画素40Bの順に配列されていると共に、2つ連続して並んだ赤色サブ画素40Rと2つ連続して並んだ緑色サブ画素40Gとの間に1つの青色サブ画素40Bが挿入された第2サブ画素群Bを備えている。言い換えれば、変形例1の第2サブ画素群Bは、等間隔で配置された青色サブ画素40Bの間に赤色サブ画素40、緑色サブ画素40Gが配置されている。Y方向には、同じ色のサブ画素40が連続して配置されている。
このような液晶装置101によれば、同じ色のサブ画素40G,40Rが連続するように配列するので、輝度差を緩和させることが可能となり、縦スジに見えることを抑えることができる。
(変形例2)
上記変形例1の液晶装置101のサブ画素40の配列に限定されず、図11に示すようにしてもよい。
上記変形例1の液晶装置101のサブ画素40の配列に限定されず、図11に示すようにしてもよい。
図11は、変形例2の液晶装置を示す概略平面図である。変形例2の液晶装置102は、Y方向に、2つ並んだ緑色サブ画素40Bと2つ並んだ赤色サブ画素40Rとが交互になるように配列する部分が変形例1の液晶装置101と異なっている。青色サブ画素40Bの配列は、変形例1と同様に、等間隔で配列されている。
このような液晶装置102によれば、同じ色のサブ画素40G,40Rが連続すると共に、Y方向に異なる色のサブ画素40を交互に配列するので、輝度差を緩和させることが可能となり、縦スジに見えることを抑えることができる。
(変形例3)
上記したように、電気光学装置として液晶装置100に適用することに限定されず、例えば、有機EL装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等に適用するようにしてもよい。
上記したように、電気光学装置として液晶装置100に適用することに限定されず、例えば、有機EL装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等に適用するようにしてもよい。
(変形例4)
上記したように、透過型の液晶装置100に適用することに限定されず、反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。
上記したように、透過型の液晶装置100に適用することに限定されず、反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。
3a…走査線、3b…容量線、3c…下側遮光膜、6a…データ線、10…素子基板、10a…基板としての第1基材、11a…下地絶縁層、11b…第1層間絶縁層、11c…第2層間絶縁層、11d…第3層間絶縁層、11e…第4層間絶縁層、11f…パッシベーション層、11g…ゲート絶縁層、14…シール材、15…電気光学層としての液晶層、16…容量素子、16a…第1容量電極、16b…第2容量電極、16c…誘電体膜、18…遮光膜、20…対向基板、20a…第2基材、22…データ線駆動回路、24…走査線駆動回路、25…検査回路、26…上下導通部、27…第1電極としての画素電極、28…第1配向膜、29…配線、30…TFT、30a…半導体層、30c…チャネル領域、30d…画素電極側ソースドレイン領域、30d1…画素電極側LDD領域、30g…ゲート電極、30s…データ線側ソースドレイン領域、30s1…データ線側LDD領域、31…第2電極としての対向電極、32…第2配向膜、33…絶縁層、40…サブ画素、40B…青色サブ画素、40G…緑色サブ画素、40R…赤色サブ画素、41…中継層、61…外部接続用端子、80…カラーフィルター、100,101,102,200,300,400,…液晶装置、1000…デジタルカメラ、1001…レンズ、1002…表示部、1003…操作部、1003a…レリーズボタン、1003b…電源ボタン、1003c…カーソルボタン/決定ボタン、1004…接眼部、1004a…EVF。
Claims (7)
- 基板と、
前記基板上に配置された電気光学層と、
前記電気光学層を挟持するように配置された第1電極及び第2電極と、
前記電気光学層、前記第1電極、前記第2電極を含んで構成された赤色サブ画素と、緑色サブ画素と、青色サブ画素と、を有する画素と、
を備え、
前記緑色サブ画素、前記赤色サブ画素、前記青色サブ画素の順に配列された第1サブ画素群、及び、前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素、前記青色サブ画素の順に配列された第2サブ画素群のうち、少なくとも一方のサブ画素群を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置であって、
前記第1サブ画素群は、前記基板上においてランダムに配置されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置であって、
前記第2サブ画素群は、前記基板上においてランダムに配置されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素のうち少なくとも一方は、同色のサブ画素が連続して配列されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記緑色サブ画素及び前記赤色サブ画素は、第1方向に長い長方形であり、
前記青色サブ画素は、前記第1方向と直交する方向である第2方向に長い長方形であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記画素は、カラーフィルターを含み、
前記赤色サブ画素、前記緑色サブ画素、前記青色サブ画素は、前記カラーフィルターの着色層の色に対応した色を表示することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
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JP2015241845A JP2017107114A (ja) | 2015-12-11 | 2015-12-11 | 電気光学装置、及び電子機器 |
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JPWO2019186339A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2021-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
-
2015
- 2015-12-11 JP JP2015241845A patent/JP2017107114A/ja active Pending
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JPWO2019186339A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2021-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP7212673B2 (ja) | 2018-03-30 | 2023-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
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