JP2017095642A - 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
銀被覆銅系フィラーと、
銀フィラーとを含有し、
前記銀被覆銅系フィラーは、フレーク状であり、且つ、平均長径が0.7μm以上であり、前記銀フィラーは、一次粒径が500nm以下であることを特徴とする。
また、前記構成によれば、一次粒径が500nm以下の銀フィラーと、フレーク状であり、且つ、平均長径が0.7μm以上の銀被覆銅系フィラーを含有する。つまり、銀フィラーと、銀フィラーよりもサイズの大きい銀被覆銅系フィラーとを含有する。従って、加熱することにより、銀フィラーと銀被覆銅系フィラーとの間で金属結合されることとなる。その結果、少ない含有量でも高い熱伝導性が得られる。
また、フィラーの含有量(銀フィラーと銀被覆銅系フィラーとの合計含有量)を少なくすることができるため、樹脂による化学的な接着力が向上する。また、銀フィラーが被着体の金属と合金を形成し化学的に接着する。従って、接着力を高く維持することができる。また、フィラーの含有量を少なくすることができるため、弾性率を低くすることができる。弾性率が低いため、応力緩和性に優れる。その結果、2つの接着対象物間の線膨張差(例えば、半導体チップとリードフレームとの線膨張差)により生じる応力によって、剥離が発生することを抑制できる。
また、銀被覆銅系フィラーは、銀フィラーに比較して低コストである点で優れる。
ダイシングテープと、
前記接着シートとを有し、
前記ダイシングテープ上に前記接着シートが積層されていることを特徴とする。
前記ダイシングテープ一体型接着シートを準備する工程と、
前記ダイシングテープ一体型接着シートに半導体ウエハを貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハを前記接着シートと共にダイシングして、接着シート付き半導体チップを形成する工程と、
前記接着シート付き半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップする工程と、
ピックアップした前記接着シート付き半導体チップを被着体にダイボンドする工程とを含むことを特徴とする。
図1で示されるように、ダイシングテープ一体型接着シート10は、ダイシングテープ20上にダイボンドフィルムとしての接着シート30が積層された構成を有する。ダイシングテープ20は基材22上に粘着剤層24を積層して構成されている。接着シート30は、粘着剤層24上に設けられている。
なお、本実施形態では、接着シート30が、粘着剤層24の表面の一部分上に積層されている場合について説明する。より具体的には、接着シート30が、粘着剤層24の半導体ウエハの貼付部分に対応する部分26のみに形成された構成である場合について説明する。しかしながら、本発明はこの例に限定されない。本発明の接着シートは、粘着剤層の全面に積層された構成でもよい。また、半導体ウエハの貼付部分に対応する部分より大きく且つ粘着剤層の全面よりも小さい部分に積層された構成でもよい。なお、接着シートの表面(半導体ウエハに貼付される側の面)は、半導体ウエハに貼付されるまでの間、セパレータ等により保護されていてもよい。
接着シート30は、銀被覆銅系フィラーと、銀フィラーとを含有し、前記銀被覆銅系フィラーは、フレーク状であり、且つ、平均長径が0.7μm以上であり、前記銀フィラーは、一次粒径が500nm以下である。
また、接着シート30によれば、一次粒径が500nm以下の銀フィラーと、フレーク状であり、且つ、平均長径が0.7μm以上の銀被覆銅系フィラーを含有する。つまり、銀フィラーと、銀フィラーよりもサイズの大きい銀被覆銅系フィラーとを含有する。従って、加熱することにより、銀フィラーと銀被覆銅系フィラーとの間で金属結合されることとなる。その結果、少ない含有量でも高い熱伝導性が得られる。
また、フィラーの含有量(銀フィラーと銀被覆銅系フィラーとの合計含有量)を少なくすることができるため、樹脂による化学的な接着力が向上する。また、銀フィラーが被着体の金属と合金を形成し化学的に接着する。従って、接着力を高く維持することができる。また、フィラーの含有量を少なくすることができるため、弾性率を低くすることができる。弾性率が低いため、応力緩和性に優れる。その結果、2つの接着対象物間の線膨張差(例えば、半導体チップとリードフレームとの線膨張差)により生じる応力によって、剥離が発生することを抑制できる。
また、銀被覆銅系フィラーは、銀フィラーに比較して低コストである点で優れる。
前記銀被覆銅系フィラーのアスペクト比は、好ましくは、1.5以上であり、より好ましくは、3以上である。2以上であると、銀被覆銅系フィラー同士が面接触し易く、導電パスが容易に形成される。前記アスペクト比は、大きい方が好ましいが、例えば、100以下、50以下である。
前記銀被覆銅系フィラーのアスペクト比は、平均長径の平均厚みに対する比(平均長径/平均厚み)である。
本明細書において、銀被覆銅系フィラーの平均長径は、接着シート30の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、ランダムに選んだ100個の銀被覆銅系フィラーの長径を測定することで得られる平均値である。
また、銀被覆銅系フィラーの平均厚みは、接着シート30の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、ランダムに選んだ100個の銀被覆銅系フィラーの厚みを測定することで得られる平均値である。
銀フィラーの一次粒径は、凝集していない状態の1つ1つの銀フィラーの粒径をいい、次の方法で測定する。すなわち、接着シート30の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、ランダムに選んだ100個の銀フィラーの粒径を測定することで得られる平均値である。
なお、分散剤の重量平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
前記熱硬化促進剤としては特に限定されないが、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート(商品名;TPP−K)、テトラフェニルホスホニウムジシアナミド(商品名;TPP−DCA)、テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリボレート(商品名;TPP−MK)、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン(商品名;TPP−S)などのリン−ホウ素系硬化促進剤が挙げられる(いずれも北興化学工業(株)製)。
また、前記促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール(商品名;2MZ)、2−ウンデシルイミダゾール(商品名;C11−Z)、2−ヘプタデシルイミダゾール(商品名;C17Z)、1,2−ジメチルイミダゾール(商品名;1.2DMZ)、2−エチル−4−メチルイミダゾール(商品名;2E4MZ)、2−フェニルイミダゾール(商品名;2PZ)、2−フェニル−4−メチルイミダゾール(商品名;2P4MZ)、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール(商品名;1B2MZ)、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(商品名;1B2PZ)、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール(商品名;2MZ−CN)、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール(商品名;C11Z−CN)、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト(商品名;2PZCNS−PW)、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン(商品名;2MZ−A)、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン(商品名;C11Z−A)、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン(商品名;2E4MZ−A)、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物(商品名;2MA−OK)、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(商品名;2PHZ−PW)、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(商品名;2P4MHZ−PW)などのイミダゾール系硬化促進剤が挙げられる(いずれも四国化成工業(株)製)。
なかでも、フィルム状接着剤の保存性の観点から、潜在性に優れるテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート(商品名;TPP−K)や、テトラフェニルホスホニウムジシアナミド(商品名;TPP−DCA)が好ましい。
また、フィルム状接着剤の保存性の観点から、潜在性に優れる2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(商品名;2PHZ−PW)が好ましい。
なお、本明細書において、熱硬化後とは、120℃で1時間加熱し、且つ、その後175℃で1時間加熱した後のことをいう。
前記B/Aは、例えば、銀フィラーの添加量や粒径によりコントロールすることができる。
また、前記せん断接着力Bは、銀への接着力確保の観点から、好ましくは、0.3〜30MPaであり、より好ましくは、0.7〜25MPaである。
前記熱伝導率は、前記銀被覆銅系フィラー及び前記銀フィラーの合計含有量や含有比率によりコントロールすることができる。
図1に示すように、ダイシングテープ20は、基材22及び基材22上に配置された粘着剤層24を備える。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
ダイシングテープ一体型接着シートを準備する工程と、
前記ダイシングテープ一体型接着シートに半導体ウエハを貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハを前記接着シートと共にダイシングして、接着シート付き半導体チップを形成する工程と、
前記接着シート付き半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップする工程と、
ピックアップした前記接着シート付き半導体チップを被着体にダイボンドする工程とを少なくとも含む。
フリップチップ型半導体裏面用フィルムとは、フリップチップ接続された半導体チップの裏面(フリップチップ接続面とは反対側の面)に貼り付けられるフィルムである。
本発明の接着シートフリップチップ型半導体裏面用フィルムである場合、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとしての機能を有する程度に組成や含有量を変更した上で、ダイボンドフィルムとしての接着シート30と同様の構成を採用することができる。
銀被覆銅系フィラー:三井金属工業社製の1200YP(フレーク状、平均長径:2.3μm、銀の被覆量20重量%、比表面積:0.58m2/g、個数換算平均粒子径:3.4μm、体積換算平均粒子径:1.4μm)
銀フィラー:DOWAエレクトロニクス(株)製のAg nano powder−2(一次粒径:60nm)
アクリル樹脂:根上工業社製のW−116.3(酸価:7.8)
フェノール樹脂:明和化成社製のMEH−7800H
エポキシ樹脂:DIC社製のEXA−4850(可撓性骨格として非芳香族骨格を含む)
硬化促進剤:四国化成社製の2PHZ−PW
分散剤:東亞合成社製のUC−3000(カルボン酸基を有するアクリル共重合体、酸価:74、平均重量分子量:10000)
表1に記載の配合比に従い、表1に記載の各成分をメチルエチルケトンに溶解して濃度40〜50重量%の接着剤組成物溶液を調製した。
実施例、及び、比較例の接着シートを厚み500μm、3mm×3mmのシリコンチップに貼り合わせた。貼り合わせ条件は、接着シートにシリコンチップが張り付く温度(60〜150℃)、速度10mm/sec、圧力0.15MPaとした。その後、カッターナイフで接着シートをシリコンチップと同じサイズに切り抜いた。次に、窒素雰囲気下にて、120℃で1時間加熱し、さらに、200℃で1時間加熱し、接着シートを硬化させた。以上により、せん断接着力測定用チップを作製した。
この測定用チップの接着剤面を厚み0.2μmの銅リードフレーム(母材:MF202)に150℃で1秒間、1MPa保持して貼り合わせた。
せん断試験機(Dage社製、Dage4000)を用いて、接着シートと銅リードフレームとのせん断接着力を測定した。せん断試験の条件は、測定速度500μm/s、測定ギャップ100μm、ステージ温度260℃とした。測定は、測定ステージにサンプルを置いてから約20秒後に行った。結果を表1に示す。
銅リードフレームに対するせん断接着力の測定と同様にして、せん断接着力測定用チップを作製した。
この測定用チップの接着剤面を厚み0.2μmの銀メッキされた銅リードフレーム(母材:MF202、銀メッキの厚さ:1〜5μm)に150℃で1秒間、1MPa保持して貼り合わせた。
せん断試験機(Dage社製、Dage4000)を用いて、接着シートと銀メッキされた銅リードフレームとのせん断接着力を測定した。せん断試験の条件は、銅リードフレームに対するせん断接着力の測定と同様とした。結果を表1に示す。
なお、表1には、B/Aについても合わせて記載した。
実施例、及び、比較例の接着シートを、幅10mm×長さ30mm×厚さ400μmmに積層した。次に、窒素雰囲気下にて、120℃で1時間加熱し、さらに、175℃で1時間加熱し、接着シートを硬化させた。
次に、粘弾性測定装置RSA2(TAインスツルメンツ社製)を用い、窒素雰囲気下にて、測定条件:昇温速度10℃/分、周波数1Hz、チャック間距離22.5mmにて、貯蔵弾性率を測定した。結果を表1に示す。
まず、実施例、及び、比較例の接着シートを200℃で1時間加熱して熱硬化させた。熱硬化は、窒素雰囲気下にて行った。
次に、熱硬化後のこれらの接着シートの熱伝導率の測定を行なった。熱伝導率は下記の式から求めた。結果を表1に示す。
(熱伝導率)=(熱拡散係数)×(比熱)×(比重)
まず、実施例、及び、比較例の接着シートを、窒素雰囲気下にて、200℃で1時間加熱した。次に、20mm角に切り出して、アイフェイズ・モバイル(アイフェイズ社製)を用いて熱拡散係数測定した。
DSC(TA instrument製、Q−2000)を用いてJIS−7123の規格に沿った測定方法によって求めた。
電子天秤(株式会社島津製作所製、AEL−200)を用いてアルキメデス法によって測定した。
実施例、及び、比較例の接着シートのそれぞれを、半導体ウェハにマウントした。半導体ウェハとしては、サイズが8インチであり、厚さが100μmになるまで裏面研削したものを用いた。研削条件及び貼り合わせ条件は下記の通りである。
<ウェハ研削条件>
研削装置:ディスコ社製、DGP−8760
半導体ウェハ:8インチ径(厚さ750μmから100μmに裏面研削)
<貼り合わせ条件>
貼り付け装置:日東精機製、DR−3000II
貼り付け速度計:100mm/min
貼り付け圧力:0.3MPa
貼り付け時のステージ温度:100℃
<ダイシング条件>
ダイシング装置:ディスコ社製、DFD−6361
ダイシング速度:30mm/秒
ダイシングブレード:ディスコ社製
Z1:205O−HEDD
Z2:205O−HCBB
回転数:4万rpm
Z2のダイシングテープへの切り込み量:20μm
カット方式:ステップカット・Aモード
チップサイズ:2mm角
<ピックアップ条件>
ダイボンド装置:(株)新川製、装置名:SPA−300
ニードル本数:1本
ニードル突き上げ量:400μm
ニードル突き上げ速度:5mm/秒
吸着保持時間:80ms
続いて、MSL1、MSL2それぞれの条件でパッケージを吸湿させた。MSL1は85℃×85%RH×168時間の条件下で、MSL2は85℃×60%RH×168時間の条件下で半導体パッケージの吸湿を行った。その後、予備加熱での温度150±30℃、予備加熱時間90秒、ピーク温度260℃以上、ピーク温度での加熱時間10秒に設定したIRリフロー炉に、前記半導体パッケージを載置した。その後、半導体パッケージをガラスカッターで切断し、その断面を超音波顕微鏡で観察して、各接着シートと基板の境界における剥離の有無を確認した。確認は半導体チップ9個に対し行い、
MSL1の条件で剥離発生率が50%以下の場合を◎、MSL2の条件で剥離発生率が50%以下の場合を○、両方の場合において剥離発生率が50%以上の場合を×として評価した。結果を表1に示す。
20 ダイシングテープ
22 基材
24 粘着剤層
30 接着シート
40 半導体ウエハ
50 半導体チップ
60 被着体
70 ボンディングワイヤー
80 封止樹脂
Claims (14)
- 銀被覆銅系フィラーと、
銀フィラーとを含有し、
前記銀被覆銅系フィラーは、フレーク状であり、且つ、平均長径が0.7μm以上であり、
前記銀フィラーは、一次粒径が500nm以下であることを特徴とする接着シート。 - 熱硬化後の260℃での貯蔵弾性率が10〜700MPaであることを特徴とする請求項1に記載の接着シート。
- 銅リードフレームに接着し、200℃で1時間加熱した後の、260℃における前記銅リードフレームに対するせん断接着力をA、銀メッキされた銅リードフレームに接着し、200℃で1時間加熱した後の、260℃における前記銀メッキされた銅リードフレームに対するせん断接着力をBとしたとき、B/Aが1.1以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載の接着シート。
- 200℃で1時間加熱した後のシート厚み方向の熱伝導率が3W/m・K以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載の接着シート。
- 前記銀被覆銅系フィラーの重量をC、前記銀フィラーの重量をDとしたとき、比C:Dが、9:1〜5:5の範囲内であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記載の接着シート。
- 前記銀被覆銅系フィラーにおける銀の被覆量は、前記銀被覆銅系フィラー全体の重量に対して、5〜30重量%であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1に記載の接着シート。
- 前記銀被覆銅系フィラーの比表面積は、0.5〜1.5m2/gの範囲内であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1に記載の接着シート。
- 前記銀被覆銅系フィラーの個数換算平均粒子径をE、体積換算平均粒子径をFとしたとき、F/Eが10以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1に記載の接着シート。
- エポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1に記載の接着シート。
- 前記エポキシ樹脂は、可撓性骨格を有することを特徴とする請求項9に記載の接着シート。
- 分散剤を含有していることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1に記載の接着シート。
- 前記分散剤は、カルボン酸基を有しており、酸価は20以上であり、平均重量分子量が1000以上のアクリル共重合体であることを特徴とする請求項11に記載の接着シート。
- ダイシングテープと、
請求項1〜12のいずれか1に記載の接着シートとを有し、
前記ダイシングテープ上に前記接着シートが積層されていることを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。 - 請求項13に記載のダイシングテープ一体型接着シートを準備する工程と、
前記ダイシングテープ一体型接着シートに半導体ウエハを貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハを前記接着シートと共にダイシングして、接着シート付き半導体チップを形成する工程と、
前記接着シート付き半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップする工程と、
ピックアップした前記接着シート付き半導体チップを被着体にダイボンドする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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