JP2017092145A - 電磁シールド構造 - Google Patents

Abstract

【課題】電磁波の内、特に低インピーダンス界の磁界の開口部からの漏洩を効果的に防止する事が可能な電磁シールド構造を提供すること。【解決手段】電磁シールド構造１は、扉体１０と、扉枠２０と、扉体１０の外縁部に沿って設けられた扉体側磁性体４０と、扉枠２０の内縁部に沿って設けられた扉枠側磁性体５０と、を備え、扉体側磁性体４０は、扉体１０における当該扉体側磁性体４０が設けられた面に沿った方向のうち、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有し、扉枠側磁性体５０は、扉枠２０における当該扉枠側磁性体５０が設けられた面に沿った方向のうち、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する。【選択図】図２

Description

本発明は、電磁シールド構造に関する。

従来、電磁波発生空間にて発生した電磁波が対象空間へと漏洩することする電磁シールド構造（電磁シールドルーム等）が提案されている。ここで、このような電磁シールド構造に設けられた開口部付近では、扉体と扉枠との間に構造上の隙間が有るため漏洩の可能性が高く、このような隙間からの電磁波の漏洩を特に防止する必要がある。電磁波は、電界成分と磁界成分を有する。電界成分と磁界成分の大きさの関係は電磁波の発生源からの距離によって異なるが、一般的に電磁波の発生源から２波長以上離れた距離においては、磁界の値に自由空間の波動インピーダンスである３７７を掛け算した値が電界成分値となり、遠方界と呼ばれる。一方、電磁波の発生源から２波長以内の領域は、電界成分と磁界成分の大きさの比が発生源からの距離に応じて変動する近傍界と呼ばれる。電磁波の発生源が電流である場合、近傍界においては、電界成分に対して磁界成分が支配的な低インピーダンス界と呼ばれる。また電磁波の発生源が電圧である場合、発生源から２波長以内の領域は磁界に対して電界が支配的な高インピーダンス界と呼ばれる。特に低インピーダンス界においては、前記開口部からの磁界漏洩が大きく、高いシールド性能を得ることが困難となる。そこで、特許文献１には、扉体の外縁部、及び扉枠の内縁部に沿って磁性体を配置することにより、扉体と扉枠との隙間からの漏洩の防止を図った電磁シールド構造が開示されている。

特開平９−２２３８９１号公報

ここで、特許文献１に係る技術では、上記のような磁性体を配置することで電磁波の漏洩を抑止することができるものの、低インピーダンス界の磁界に対しては高いシールド性能を得ることが困難であり、開口部からの磁界の漏洩を効果的に防止する事が可能な電磁シールド構造が要望されていた。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電磁波の内、特に低インピーダンス界の磁界の開口部からの漏洩を効果的に防止することが可能な電磁シールド構造を提供することを目的とする。なお、以下で記載する電磁波とは、発生源が電流であり、磁界成分が電界成分に対して支配的な低インピーダンス界における電磁波を意図しているものとする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、請求項１に記載の電磁シールド構造は、電磁波発生空間にて発生した電磁波が対象空間へと漏洩することを防止する電磁シールド構造であって、電磁波発生空間と対象空間との相互間の位置に形成された開口部を開閉する開閉構造体と、前記開口部を閉鎖した状態の前記開閉構造体を囲繞する外枠構造体と、前記開閉構造体の外縁部に沿って設けられた開閉側磁性体と、前記外枠構造体の内縁部に沿って設けられた外枠側磁性体であって、前記開閉構造体が前記開口部を閉鎖した状態において前記開閉側磁性体と対向配置される外枠側磁性体と、を備え、前記開閉側磁性体は、前記開閉構造体における当該開閉側磁性体が設けられた面に沿った方向のうち、前記電磁波発生空間から前記対象空間に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有し、前記外枠側磁性体は、前記外枠構造体における当該外枠側磁性体が設けられた面に沿った方向のうち、前記電磁波発生空間から前記対象空間に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する。

請求項２に記載の電磁シールド構造は、請求項１に記載の電磁シールド構造において、前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体の相互間に空隙部を有する。

請求項３に記載の電磁シールド構造は、請求項１又は２に記載の電磁シールド構造において、前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体のそれぞれを、前記開閉構造体の全周を囲繞するように一連の環状に形成した。

請求項４に記載の電磁シールド構造は、請求項１から３のいずれか一項に記載の電磁シールド構造において、前記開閉構造体及び前記外枠構造体のいずれか又は両方に対して取り付けられた導電体であって、前記開閉構造体と前記外枠構造体とを相互に圧着する導電体を備える。

請求項５に記載の電磁シールド構造は、請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁シールド構造において、前記開閉構造体は、鉛直方向に沿って配置された直方体形状の扉体であり、前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は前記扉体の上下左右に配置され、上下に配置された前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は左右方向に透磁率の方向性を有し、左右に配置された前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は上下方向に透磁率の方向性を有する。

請求項１に記載の電磁シールド構造によれば、電磁波発生空間から対象空間に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する開閉側磁性体及び外枠側磁性体を設けるので、電磁波発生空間から対象空間に至る方向以外の方向に磁界を誘導することで、電磁波発生空間から対象空間に至る方向への磁界の伝達を防止でき、開閉構造体と外枠構造体との隙間を介して、電磁波発生空間から対象空間へと漏洩する磁界を低減することができる。

請求項２に記載の電磁シールド構造によれば、開閉側磁性体及び外枠側磁性体の相互間に空隙部を有するので、開閉構造体の開閉に伴う開閉側磁性体及び外枠側磁性体の摩耗を防止でき、開閉側磁性体及び外枠側磁性体を長寿命化することができる。

請求項３に記載の電磁シールド構造によれば、開閉側磁性体及び外枠側磁性体のそれぞれを、開閉構造体の全周を囲繞するように一連の環状に形成することで、漏洩する磁界をより一層低減することができる。

請求項４に記載の電磁シールド構造によれば、開閉側磁性体及び外枠側磁性体に加えてさらに導電体を備えるので、開閉構造体と外枠構造体により導電体を挟み圧着することで開閉構造体と外枠構造体との間の電気抵抗を低減することができ、開閉構造体と外枠構造体の導電性を高めてシールド性能を向上させることができる。

請求項５に記載の電磁シールド構造によれば、直方体形状の扉体の上方、下方、左方、及び右方から対象空間に漏洩する磁界を低減することができる。

本発明の実施の形態に係る電磁シールド構造を示す正面図である。 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。 図２のＢ−Ｂ矢視断面図である。 扉体側磁性体及び扉枠側磁性体の透磁率の方向性を概念的に示す図である。 実施例に係る導波管を示す斜視図である。 式（１）においてａ＝１１４、ｂ＝５４とした場合の周波数ｆと減衰定数γ_ｙの関係を示すグラフである。 図５の実施例に係る導波管を利用した実験モデルのＹ−Ｚ断面図である。 ピックアップコイルの励磁コイルからの距離と磁界強度の実験結果を示すグラフである。 透磁率の方向性を有する方向性珪素鋼板を用いた場合における、励磁コイルからの距離と磁界強度の実験結果を示すグラフである。 実施例に係る解析モデルを示す図である。 図１０の要部拡大断面図である。 ＮＤＳ Ｃ ００１２に準拠したアンテナ配置によって得られるシールド性能を示すグラフである。 ＩＥＥＥ ＳＴＤ ２９９に準拠したアンテナ配置によって得られるシールド性能を示すグラフである。

以下に添付図面を参照して、この発明に係る電磁シールド構造の実施の形態を詳細に説明する。まず、〔Ｉ〕実施の形態の基本的概念を説明した後、〔ＩＩ〕実施の形態の具体的内容について説明し、最後に、〔ＩＩＩ〕実施の形態に対する変形例について説明する。ただし、実施の形態によって本発明が限定されるものではない。

〔Ｉ〕実施の形態の基本的概念
まず、実施の形態の基本的概念について説明する。実施の形態は、概略的に、電磁波発生空間と対象空間との相互間の位置に形成され、電磁波発生空間にて発生した磁界が、対象空間へと漏洩することを防止する電磁シールド構造に関するものである。ここで、「電磁波発生空間」とは、電磁波を発生させる電磁波発生源が配置されている空間であって、任意の空間を適用する事ができるが、実施の形態においては、電磁波を発生させる変圧器や電気配線が配置された電気室であるものとする。また、「対象空間」とは、磁界の漏洩を防止する対象となる空間であって、屋外又は屋内に限らず任意の空間を適用する事ができるが、実施の形態においては、電気室に隣接する居室であるものとする。なお、各空間の利用目的や広さ等は任意である。

［実施の形態の具体的内容］
次に、実施の形態の具体的内容について説明する。

（構成）
まず、本実施の形態に係る電磁シールド構造１の構成を説明する。図１は、本実施の形態に係る電磁シールド構造１を示す正面図であって、図２は、図１のＡ−Ａ矢視断面図、図３は、図２のＢ−Ｂ矢視断面図である。ここで、以下では各図におけるＸ−Ｘ´方向を幅方向（特にＸ方向を右方向、Ｘ´方向を左方向）、Ｙ−Ｙ´方向を奥行き方向（特にＹ方向を前方向、Ｙ´方向を後方向）、Ｚ−Ｚ´方向を高さ方向（特にＺ方向を上方向、Ｚ´方向を下方向）と必要に応じて称して説明する。また、特定の位置を基準として、扉体１０の中央に近い位置を「内側」、扉体１０の中央から遠い位置を「外側」と称して説明する。なお、本実施の形態においては、電磁波発生空間Ｅ１の前方に対象空間Ｅ２が位置しており、これらの両空間の相互間に電磁シールド構造１が設けられるものとして説明する。

ここで、これら図１から図３に示すように、電磁シールド構造１は、扉体１０、扉枠２０、ガスケット３０、扉体側磁性体４０、及び扉枠側磁性体５０を備えて構成されている。

（構成−扉体）
扉体１０は、電磁波発生空間Ｅ１と対象空間Ｅ２との相互間の位置に形成された開口部を開閉する開閉構造体である。この扉体１０は開口部に幅方向に沿って配置されており、上方、下方、左方、及び右方（以下、上下左右）が扉枠２０に囲繞されている。この扉体１０の形状や大きさは任意で、例えば正面視において円形、四角形、多角形等の形状を適用できるが、本実施の形態においては図示のような鉛直方向に沿って配置された直方体形状の一般的な扉であるものとする。なお、図示のように扉体１０は、前面には取っ手が設けられており、右端部は蝶番によって扉枠２０と接続されており、前後に開閉可能になっている。なお、扉体１０と扉枠２０との間（扉体１０の上下左右）には、扉体１０を開閉動させるための隙間が設けられており、この隙間の具体的な長さは任意であるが、数ミリから数センチ程度の僅かな隙間であることが好ましい。

なお、以下では、この扉体１０の如き板状体における主な外側面（すなわち、本実施の形態においては、Ｘ−Ｚ平面に平行な２つの面）を以下では「板面」と称し、その他の外側面（すなわち、本実施の形態においては、Ｙ−Ｚ平面に平行な２つの面、及びＸ−Ｙ平面に平行な２つの面）を以下では「端面」と称して説明する。

ここで、この扉体１０は、電磁波を遮蔽する構成を有しており、このような構成としては公知の構成を採用できるが、例えば扉体１０の板面に空気と比べて導電率の高い素材（例えば亜鉛メッキ鋼板）等を張り付ける構成を採用しても構わない。

（構成−扉枠）
扉枠２０は、開口部を閉鎖した状態の扉体１０を囲繞する外枠構造体である。この扉枠２０は、扉体１０を上下左右から囲繞するように、正面視において一連の環状となるように配置されている。そして、扉枠２０の上面、右面、及び左面は壁２に対して接続されており、扉枠２０の下面は床３に対して接続されている。なお、この扉枠２０にも、扉体１０と同様に電磁波を遮蔽する構成が適用されており、例えば上述したように亜鉛メッキ鋼板等を張り付けて構成されている。

（構成−ガスケット）
ガスケット３０は、扉体１０及び扉枠２０の両方に対して取り付けられた導電体であって、扉体１０と扉枠２０とを相互に圧着する導電体である。このガスケット３０は、扉体側ガスケット３１と、扉枠側ガスケット３２とを有している。扉体側ガスケット３１は、扉体１０の後面の端部に沿って配置（即ち、正面視において角環状に配置）された導電体である。扉枠側ガスケット３２は、扉枠２０における扉体側ガスケット３１と対応する位置に配置（即ち、正面視において角環状に配置）された導電体である。そして、扉体１０で開口部を閉鎖した状態においては、これらの扉体側ガスケット３１と扉枠側ガスケット３２が相互に接触し、扉体１０及び扉枠２０を相互に圧着することにより、扉体１０と扉枠２０との隙間からの磁界の漏洩を防止できる。なお、ガスケット３０の構成は、扉体１０及び扉枠２０を相互に圧着できる限り上記の構成に限らず、例えば扉体側ガスケット３１又は扉枠側ガスケット３２のいずれか一方を省略しても構わない。なお、このようにいずれか一方を省略した構成については公知であるため、詳細な説明を省略する。

（構成−扉体側磁性体）
扉体側磁性体４０は、扉体１０の外縁部に沿って設けられた開閉側磁性体である。この扉体側磁性体４０は、少なくとも扉体１０の端面である限り任意の位置に取り付けて構わない。例えば、本実施の形態のように、この扉体側磁性体４０を扉体１０の全周を囲繞するように一連の環状に形成する事が好ましいが、例えば扉体側磁性体４０の一部が途切れていたり、扉体１０の上下に位置する扉体側磁性体４０と扉体１０の左右に位置する扉体側磁性体４０とが相互に接続されていなかったりしても構わない。また、より高い磁界漏洩防止効果を得るためには、図２や図３に示すように、扉体側磁性体４０の奥行きは、扉体１０の奥行きと同一であることが好ましい（すなわち、扉体１０の奥行き方向いっぱいに扉体側磁性体４０を配置することが好ましい）が、扉体１０の奥行きより小さくても構わない。

図４は、扉体側磁性体４０及び扉枠側磁性体５０の透磁率の方向性を概念的に示す図である。なお、図４においては、図示の便宜上、扉体１０や扉枠２０については図示を省略している。ここで、扉体側磁性体４０（後述する扉枠側磁性体５０も同様）は、透磁率の方向性を有する。「透磁率の方向性を有する」とは、方向によって透磁率が異なることを示す。そして、例えば以下における「Ｘ−Ｘ´方向に透磁率の方向性を有する」という表現は、Ｘ−Ｘ´方向の透磁率が他の方向の透磁率よりも大きいことを示す。なお、「Ｙ−Ｙ´方向に透磁率の方向性を有する」という表現や「Ｚ−Ｚ´方向に透磁率の方向性を有する」という表現についても同様に考える。このように透磁率の方向性を有する扉体側磁性体４０としては、例えば方向性珪素鋼板や、アモルファス繊維をシート状に形成したもの等を適用できる。

ここで、図４に示すように、扉体側磁性体４０は、扉体１０における当該扉体側磁性体４０が設けられた面に沿った方向のうち、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する。この点について以下で詳細に説明する。まず、扉体１０の上下に配置された扉体側磁性体４０は、当該扉体側磁性体４０が設けられた面（すなわち、Ｘ−Ｙ平面）に沿った方向のうち、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向（すなわち、Ｙ−Ｙ´方向）以外の方向に透磁率の方向性を有する。このような方向である限り任意であり、より好ましくは図示のように、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向に直交する方向（すなわち、Ｘ−Ｘ´方向）が良いが、例えば当該Ｘ−Ｘ´方向よりもＹ−Ｙ´方向に向けて斜めに傾いた方向でも構わない。なお、本実施の形態では、図示のように、上下に配置された扉体側磁性体４０は左右方向に透磁率の方向性を有する。

また、扉体１０の左右に配置された扉体側磁性体４０は、当該扉体側磁性体４０が設けられた面（すなわち、Ｙ−Ｚ平面）に沿った方向のうち、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向（すなわち、Ｙ−Ｙ´方向）以外の方向に透磁率の方向性を有する。このような方向である限り任意であり、より好ましくは図示のように、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向に直交する方向（すなわち、Ｚ−Ｚ´方向）が良いが、例えば当該Ｚ−Ｚ´方向よりもＹ−Ｙ´方向に向けて斜めに傾いた方向でも構わない。なお、本実施の形態では、図示のように、左右に配置された扉体側磁性体４０は上下方向に透磁率の方向性を有する。

（構成−扉枠側磁性体）
図１から図３に戻り、扉枠側磁性体５０は、扉枠２０の内縁部に沿って設けられた外枠側磁性体であって、扉体１０が開口部を閉鎖した状態において扉体側磁性体４０と対向配置される外枠側磁性体である。この扉枠側磁性体５０は、上述したように扉体１０が開口部を閉鎖した状態において扉体側磁性体４０と対向配置される位置である限り任意に配置でき、ここで「対向配置」とは、扉体側磁性体４０と接触した状態及び接触していない状態の両方を含む。ただし、本実施の形態において、扉枠側磁性体５０は扉体側磁性体４０と接触しないように（すなわち、扉体側磁性体４０と扉枠側磁性体５０との間に空隙部を有するように）配置されており、このことにより、扉体１０の開閉時に扉枠側磁性体５０や扉体側磁性体４０が摩耗してしまうことを抑止でき、扉枠側磁性体５０や扉体側磁性体４０の交換や点検の手間や費用を削減する事ができる。なお、扉枠側磁性体５０は、扉体側磁性体４０と同様に、扉体１０の全周を囲繞するように一連の環状に形成する事が好ましいが、例えば扉枠側磁性体５０の一部が途切れていたり、扉体１０の上下に位置する扉枠側磁性体５０と扉体１０の左右に位置する扉枠側磁性体５０が接続されていなかったりしても構わない。また、扉体側磁性体４０と同様に、扉枠２０の奥行き方向いっぱいに扉枠側磁性体５０を配置することが好ましいが、扉枠２０の奥行きより小さくても構わない。

ここで、図４に示すように、扉枠側磁性体５０は、外枠構造体における当該外枠側磁性体が設けられた面に沿った方向のうち、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する。すなわち、本実施の形態に係る扉枠側磁性体５０は、対向する扉体側磁性体４０と同一方向に透磁率の方向性を有している。具体的には、まず、扉体１０の上下に配置された扉枠側磁性体５０は、当該扉枠側磁性体５０が設けられた面（すなわち、Ｘ−Ｙ平面）に沿った方向のうち、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向（すなわち、Ｙ−Ｙ´方向）以外の方向に透磁率の方向性を有する。このような方向である限り任意であり、より好ましくは図示のように、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向に直交する方向（すなわち、Ｘ−Ｘ´方向）が良いが、例えば当該Ｘ−Ｘ´方向よりもＹ−Ｙ´方向に向けて斜めに傾いた方向でも構わない。なお、本実施の形態では、図示のように、上下に配置された扉枠側磁性体５０は左右方向に透磁率の方向性を有する。

また、扉体１０の左右に配置された扉枠側磁性体５０は、当該扉枠側磁性体５０が設けられた面（すなわち、Ｙ−Ｚ平面）に沿った方向のうち、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向（すなわち、Ｙ−Ｙ´方向）以外の方向に透磁率の方向性を有する。このような方向である限り任意であり、より好ましくは図示のように、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向に直交する方向（すなわち、Ｚ−Ｚ´方向）が良いが、例えば当該Ｚ−Ｚ´方向よりもＹ−Ｙ´方向に向けて斜めに傾いた方向でも構わない。なお、本実施の形態では、図示のように、左右に配置された扉枠側磁性体５０は上下方向に透磁率の方向性を有する。

（実施例）
続いて、本実施の形態に係る電磁シールド構造１の作用を説明する実施例について以下に示す。

図５は、実施例に係る導波管を示す斜視図である。ここで、電磁波は、波長よりも小さな開口部を伝播する際は減衰する特性を有するが、この図５に示すような幅ａ、高さｂ（ただし、ａ＞ｂ）、奥行きＬの導波管（金属等の導電性材料で構成された筒）を例にとると、その減衰定数γ_ｙ（ｄＢ／ｃｍ）は下記式（１）で表される。
γ_ｙ ^２＝（π／ａ）^２−（２πｆ／ｃ）^２・・・（１）
ただし、
ｆ＝周波数

図６は、式（１）においてａ＝１１４、ｂ＝５４とした場合の周波数ｆと減衰定数γ_ｙの関係を示すグラフである。図６において、横軸は周波数ｆ［ｋＨｚ］、縦軸は減衰定数γ_ｙ［ｄＢ／ｃｍ］を示す。このように、例えばａ＝１１４、ｂ＝５４とした場合には、１００ＭＨｚ程度までは一定の減衰定数γ_ｙ＝２．３９ｄＢ／ｃｍと計算される。

ここで、図７は、図５の実施例に係る導波管を利用した実験モデルのＹ−Ｚ断面図であり、図８は、ピックアップコイルの励磁コイルからの距離と磁界強度の実験結果を示すグラフである。なお、図８の横軸はピックアップコイルの励磁コイルからの距離［ｍｍ］、縦軸は磁界強度の減衰［ｄＢ］を示している。これらの図７、図８に示すように、実際に上記の図６の寸法で鋼製の導波管を製作し、当該導波管の内周面に磁性材料（本実施の形態の扉体側磁性体４０又は扉枠側磁性体５０に対応）を貼り付け、導波管の内部に励磁コイル及びピックアップコイルを配置した。なお、励磁コイルはパワーアンプ及び信号発生器に接続し、ピックアップコイルはスペクトルアナライザに接続した。そして、導波管内部に配置した励磁コイルに１０ｋＨｚの電流を流して磁界を発生させて、ピックアップコイルを移動させて磁界強度を測定した。図８は、この際の測定された磁界強度を、ピックアップコイルの励磁コイルからの距離に対してプロットしたものであり、周波数をそれぞれ１０ｋＨｚ、３０ｋＨｚ、１００ｋＨｚと変えて測定を行った（１０ｋＨｚについては解析値の線グラフも図示している）。この実験結果から、ピックアップコイルの励磁コイルからの距離が離れるほど磁界強度は小さくなるが、その減衰定数は２．４６ｄＢ／ｃｍとなり、理論値とほぼ同じ値となった。

図９は、透磁率の方向性を有する方向性珪素鋼板を用いた場合における、励磁コイルからの距離と磁界強度の実験結果を示すグラフである。図９の横軸はピックアップコイルの励磁コイルからの距離［ｍｍ］、縦軸は磁界強度の減衰［ｄＢ］を示している。この図９に示すように、図７に示す実験モデルの導波管の上下面に対して、Ｘ−Ｘ´方向に透磁率の方向性を有する方向性珪素鋼板（厚み０．４ｍｍ）を５層貼りつけた場合と、Ｙ−Ｙ´方向に透磁率の方向性を有する方向性珪素鋼板（厚み０．４ｍｍ）を５層貼りつけた場合の同様な実験結果をプロットした。実験結果が示すように、Ｘ−Ｘ´方向に透磁率の方向性を有する場合、減衰定数が３．５９ｄＢ／ｃｍであり、方向性珪素鋼板が無い場合に比べて大きな減衰を示している。一方、Ｙ−Ｙ´方向に透磁率の方向性を有する場合、減衰定数が１．９９ｄＢ／ｃｍであり、方向性珪素鋼板が無い場合に比べて減衰が小さくなり外部への漏洩が大きくなってしまう。この実験から、図６に示す開口（ａ×ｂ）の長手方向（Ｘ−Ｘ´方向）に透磁率に方向性を有する材料を導波管の内壁に貼り付けることで、外部へ漏洩する磁界を小さくできることを確認できた。

図１０は、実施例に係る解析モデルを示す図であり、図１１は、図１０の要部拡大断面図である。ここで、扉体１０と扉枠２０が形成する数ｍｍ程度の隙間はスリット構造をしていると考えられる。そこで、鋼板（シールド層）に奥行きＬ（Ｙ−Ｙ´方向）が１００ｍｍで、高さｈ（Ｚ−Ｚ´方向）が６ｍｍで、幅ｗが９００ｍｍのスリット構造を有する図１０及び図１１に示すような基本解析モデルを作成した。なお、鋼板を隔てて一方の空間にはループアンテナを配置して、ループアンテナがある空間を電磁波発生空間Ｅ１とし、鋼板を隔てて他方の空間を対象空間Ｅ２とした。そして、スリットの高さは扉体１０と扉枠２０が形成する隙間に相当し、上フランジが扉体１０、下フランジが扉枠２０（もしくはその逆）に相当すると考える。また、本基本解析モデルにおいて、スリット幅ｗを９００ｍｍに固定して、上下フランジに貼りつける磁性シートの幅方向の比透磁率を１０００、３０００、５０００、１００００と変化させた。また、高さ方向、および奥行き方向の比透磁率は１とした。ここでは磁性材料はアモルファス繊維で製作したシート材料を想定している。比透磁率１００００はアモルファス繊維の初期透磁率に相当する。なお、磁性シートの厚みは０．１４ｍｍとし、これはアモルファス繊維の直径に相当する。シールド性能は電磁シールド性能評価においてよく用いられるＮＤＳ Ｃ ００１２及びＩＥＥＥ ＳＴＤ ２９９の規格に準拠したアンテナ配置によって、１０ｋＨｚの磁界に対するシールド性能の計算を行った。

図１２は、ＮＤＳ Ｃ ００１２に準拠したアンテナ配置によって得られるシールド性能を示すグラフ、図１３は、ＩＥＥＥ ＳＴＤ ２９９に準拠したアンテナ配置によって得られるシールド性能を示すグラフである。なお、図１２及び図１３において横軸は磁性シート枚数［枚］、縦軸はシールド性能ＳＥ［ｄＢ］を示す。これらの図１２、図１３に示すように、ＮＤＳ及びＩＥＥＥのいずれの測定方法においても、上フランジ（扉体１０）、下フランジ（扉枠２０）の隙間を構成する面に、当該面に沿った方向であって、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向と直交する方向に方向性を有する磁性材料を配置することによって、シールド性能を向上できることが分かる。また配置する磁性材料の比透磁率が大きく、設置する枚数が大きいほどシールド性能が向上していくことも確認できる。上記解析では、磁性材料としてアモルファス繊維を用いたシート材料を想定したが、方向性珪素鋼板のように、１軸方向に透磁率の方向性を有する磁性材料であれば、一般性を損なわず上記結果を得ることができる。

（本実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する扉体側磁性体４０及び扉枠側磁性体５０を設けるので、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向以外の方向に磁界を誘導することで、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２に至る方向への磁界の伝達を防止でき、扉体１０と扉枠２０との隙間を介して、電磁波発生空間Ｅ１から対象空間Ｅ２へと漏洩する磁界を低減することができる。

また、扉体側磁性体４０及び扉枠側磁性体５０の相互間に空隙部を有するので、扉体１０の開閉に伴う扉体側磁性体４０及び扉枠側磁性体５０の摩耗を防止でき、扉体側磁性体４０及び扉枠側磁性体５０を長寿命化することができる。

また、扉体側磁性体４０及び扉枠側磁性体５０のそれぞれを、扉体１０の全周を囲繞するように一連の環状に形成することで、漏洩する磁界をより一層低減することができる。

また、扉体側磁性体４０及び扉枠側磁性体５０に加えてさらにガスケット３０を備えるので、扉体１０と扉枠２０によりガスケット３０を挟み圧着することで扉体１０と扉枠２０との間の電気抵抗を低減することができ、扉体１０と扉枠２０の導電性を高めてシールド性能を向上させることができる。

また、直方体形状の扉体１０の上下左右から対象空間Ｅ２に漏洩する電磁波を低減することができる。

〔実施の形態に対する変形例〕
以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明の具体的な構成及び手段は、特許請求の範囲に記載した各発明の技術的思想の範囲内において、任意に改変及び改良することができる。以下、このような変形例について説明する。

（解決しようとする課題や発明の効果について）
まず、発明が解決しようとする課題や発明の効果は、上述の内容に限定されるものではなく、発明の実施環境や構成の細部に応じて異なる可能性があり、上述した課題の一部のみを解決したり、上述した効果の一部のみを奏することがある。例えば、実施の形態に係る電磁シールド構造１によって開口部からの電磁波の漏洩を効果的に防止する事ができない場合であっても、従来と異なる技術により開口部からの電磁波の漏洩を防止できている場合には、本願発明の課題が解決されている。

（寸法や材料について）
発明の詳細な説明や図面で説明した電磁シールド構造１の各部の寸法、形状、材料、比率等は、あくまで例示であり、その他の任意の寸法、形状、材料、比率等とすることができる。

（開閉構造体について）
本実施の形態においては、開口部に形成される開閉構造体は扉体１０であるものとして説明したが、これに限らず、例えば窓や換気口等であっても構わない。

（ガスケットについて）
本実施の形態においては、ガスケット３０を設けて扉体１０と扉枠２０とを圧着するものとして説明したが、これに限らず、ガスケット３０を設けなくても構わない。

（付記）
付記１の電磁シールド構造は、電磁波発生空間にて発生した電磁波が対象空間へと漏洩することを防止する電磁シールド構造であって、電磁波発生空間と対象空間との相互間の位置に形成された開口部を開閉する開閉構造体と、前記開口部を閉鎖した状態の前記開閉構造体を囲繞する外枠構造体と、前記開閉構造体の外縁部に沿って設けられた開閉側磁性体と、前記外枠構造体の内縁部に沿って設けられた外枠側磁性体であって、前記開閉構造体が前記開口部を閉鎖した状態において前記開閉側磁性体と対向配置される外枠側磁性体と、を備え、前記開閉側磁性体は、前記開閉構造体における当該開閉側磁性体が設けられた面に沿った方向のうち、前記電磁波発生空間から前記対象空間に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有し、前記外枠側磁性体は、前記外枠構造体における当該外枠側磁性体が設けられた面に沿った方向のうち、前記電磁波発生空間から前記対象空間に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する。

付記２の電磁シールド構造は、付記１に記載の電磁シールド構造において、前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体の相互間に空隙部を有する。

付記３の電磁シールド構造は、付記１又は２に記載の電磁シールド構造において、前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体のそれぞれを、前記開閉構造体の全周を囲繞するように一連の環状に形成した。

付記４の電磁シールド構造は、付記１から３のいずれか一項に記載の電磁シールド構造において、前記開閉構造体及び前記外枠構造体のいずれか又は両方に対して取り付けられた導電体であって、前記開閉構造体と前記外枠構造体とを相互に圧着する導電体を備える。

付記５の電磁シールド構造は、付記１から４のいずれか一項に記載の電磁シールド構造において、前記開閉構造体は、鉛直方向に沿って配置された直方体形状の扉体であり、前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は前記扉体の上方、下方、左方、及び右方に配置され、上方及び下方に配置された前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は左右方向に透磁率の方向性を有し、左方及び右方に配置された前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は上下方向に透磁率の方向性を有する。

（付記の効果）
付記１に記載の電磁シールド構造によれば、電磁波発生空間から対象空間に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する開閉側磁性体及び外枠側磁性体を設けるので、電磁波発生空間から対象空間に至る方向以外の方向に磁界を誘導することで、電磁波発生空間から対象空間に至る方向への磁界の伝達を防止でき、開閉構造体と外枠構造体との隙間を介して、電磁波発生空間から対象空間へと漏洩する磁界を低減することができる。

付記２に記載の電磁シールド構造によれば、開閉側磁性体及び外枠側磁性体の相互間に空隙部を有するので、開閉構造体の開閉に伴う開閉側磁性体及び外枠側磁性体の摩耗を防止でき、開閉側磁性体及び外枠側磁性体を長寿命化することができる。

付記３に記載の電磁シールド構造によれば、開閉側磁性体及び外枠側磁性体のそれぞれを、開閉構造体の全周を囲繞するように一連の環状に形成することで、漏洩する磁界をより一層低減することができる。

付記４に記載の電磁シールド構造によれば、開閉側磁性体及び外枠側磁性体に加えてさらに導電体を備えるので、開閉構造体と外枠構造体により導電体を挟み圧着することで開閉構造体と外枠構造体との間の電気抵抗を低減することができ、開閉構造体と外枠構造体の導電性を高めてシールド性能を向上させることができる。

付記５に記載の電磁シールド構造によれば、直方体形状の扉体の上方、下方、左方、及び右方から対象空間に漏洩する磁界を低減することができる。

１ 電磁シールド構造
２ 壁
３ 床
１０ 扉体
２０ 扉枠
３０ ガスケット
３１ 扉体側ガスケット
３２ 扉枠側ガスケット
４０ 扉体側磁性体
５０ 扉枠側磁性体
Ｅ１ 電磁波発生空間
Ｅ２ 対象空間

Claims (5)

1. 電磁波発生空間にて発生した電磁波が対象空間へと漏洩することを防止する電磁シールド構造であって、
   電磁波発生空間と対象空間との相互間の位置に形成された開口部を開閉する開閉構造体と、
   前記開口部を閉鎖した状態の前記開閉構造体を囲繞する外枠構造体と、
   前記開閉構造体の外縁部に沿って設けられた開閉側磁性体と、
   前記外枠構造体の内縁部に沿って設けられた外枠側磁性体であって、前記開閉構造体が前記開口部を閉鎖した状態において前記開閉側磁性体と対向配置される外枠側磁性体と、を備え、
   前記開閉側磁性体は、前記開閉構造体における当該開閉側磁性体が設けられた面に沿った方向のうち、前記電磁波発生空間から前記対象空間に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有し、
   前記外枠側磁性体は、前記外枠構造体における当該外枠側磁性体が設けられた面に沿った方向のうち、前記電磁波発生空間から前記対象空間に至る方向以外の方向に透磁率の方向性を有する、
   電磁シールド構造。
2. 前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体の相互間に空隙部を有する、
   請求項１に記載の電磁シールド構造。
3. 前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体のそれぞれを、前記開閉構造体の全周を囲繞するように一連の環状に形成した、
   請求項１又は２に記載の電磁シールド構造。
4. 前記開閉構造体及び前記外枠構造体のいずれか又は両方に対して取り付けられた導電体であって、前記開閉構造体と前記外枠構造体とを相互に圧着する導電体を備える、
   請求項１から３のいずれか一項に記載の電磁シールド構造。
5. 前記開閉構造体は、鉛直方向に沿って配置された直方体形状の扉体であり、
   前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は前記扉体の上方、下方、左方、及び右方に配置され、上方及び下方に配置された前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は左右方向に透磁率の方向性を有し、左方及び右方に配置された前記開閉側磁性体及び前記外枠側磁性体は上下方向に透磁率の方向性を有する、
   請求項１から４のいずれか一項に記載の電磁シールド構造。
   

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