JP2017092063A - Cleaning device, peeling system, cleaning method, peeling method, program, and information storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、剥離方法、プログラム、および情報記憶媒体に関する。 The present invention relates to a cleaning apparatus, a peeling system, a cleaning method, a peeling method, a program, and an information storage medium.
近年、たとえば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの基板の大口径化および薄板化が進んでいる。大口径で薄い基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、基板に別の基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、基板同士を剥離する処理が行われている。 In recent years, for example, in the manufacturing process of a semiconductor device, the diameter of a substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer has been increased and the thickness thereof has been reduced. A thin substrate with a large diameter may be warped or cracked during transport or polishing. For this reason, after a different substrate is bonded to the substrate and reinforced, the substrate is transported or polished, and then the substrates are separated from each other.
また、基板同士を剥離した後には、これらの基板の接合面に付着した接合剤等を除去する洗浄処理が行われる。かかる洗浄処理は、基板を回転させながら、基板の接合面に洗浄液を供給することによって行われる（たとえば、特許文献１参照）。 Further, after the substrates are separated from each other, a cleaning process is performed to remove the bonding agent and the like attached to the bonding surfaces of these substrates. Such a cleaning process is performed by supplying a cleaning liquid to the bonding surface of the substrate while rotating the substrate (see, for example, Patent Document 1).
基板は、フレームに固定されるテープに貼り付けられ、洗浄処理に供される。 The substrate is attached to a tape fixed to the frame and is subjected to a cleaning process.
従来、洗浄液によってフレームが劣化することがあった。 Conventionally, the frame may be deteriorated by the cleaning liquid.
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、洗浄液による不具合を抑制した、洗浄装置の提供を主な目的とする。 This invention is made | formed in view of the said subject, and provides the washing | cleaning apparatus which suppressed the malfunction by a washing | cleaning liquid.
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
フレームに固定されたテープに貼り付けられた基板を、前記テープを介して保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部と共に回転する前記基板に向けて洗浄液を供給する液供給部と、
前記洗浄液から前記フレームを保護するフレームカバーと、
前記フレームカバーを前記フレームと共に前記基板保持部に対し固定するフレームカバー固定部とを備え、
前記フレームカバーは、前記基板よりも外側かつ前記フレームよりも内側において前記テープに接触することで、前記テープにおける前記洗浄液の濡れ広がりを規制する環状のリップ部を１つ以上有し、
前記基板保持部は、前記フレームカバーと前記テープとの剥離時に、前記フレームカバーの内周よりも外側かつ前記フレームよりも内側において、前記テープを前記フレームカバーとは反対側から保持する、洗浄装置が提供される。
In order to solve the above problems, according to one aspect of the present invention,
A substrate holding part for holding the substrate attached to the tape fixed to the frame via the tape;
A rotation drive unit for rotating the substrate holding unit;
A liquid supply unit for supplying a cleaning liquid toward the substrate rotating together with the substrate holding unit;
A frame cover for protecting the frame from the cleaning liquid;
A frame cover fixing part for fixing the frame cover together with the frame to the substrate holding part;
The frame cover has one or more annular lip portions that regulate the wetting and spreading of the cleaning liquid in the tape by contacting the tape outside the substrate and inside the frame,
The substrate holding unit holds the tape from the opposite side of the frame cover outside the inner periphery of the frame cover and inside the frame when the frame cover and the tape are peeled off. Is provided.
本発明の一態様によれば、洗浄液による不具合を抑制した、洗浄装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a cleaning device is provided that suppresses problems caused by the cleaning liquid.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。以下の説明において、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ方向およびＹ方向は水平方向、Ｚ方向は鉛直方向である。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding components are denoted by the same or corresponding reference numerals, and description thereof is omitted. In the following description, the X direction, the Y direction, and the Z direction are directions perpendicular to each other, the X direction and the Y direction are horizontal directions, and the Z direction is a vertical direction.
図１は、一実施形態による剥離システムの概略を示す平面図である。図２は、一実施形態による剥離前の重合基板の平面図である。図３は、一実施形態による剥離前の重合基板の断面図である。図４は、図３の一部拡大図である。図５は、一実施形態による剥離後の被処理基板の断面図である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing a peeling system according to an embodiment. FIG. 2 is a plan view of the superposed substrate before peeling according to an embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view of the superposed substrate before peeling according to an embodiment. FIG. 4 is a partially enlarged view of FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of the substrate to be processed after peeling according to an embodiment.
剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接合層Ｇを介して接合させた重合基板Ｔを、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。また、剥離システム１は、剥離後の被処理基板Ｗの接合面を洗浄し、その接合面に付着した接合剤を除去する。
The
被処理基板Ｗは、素子、回路、端子などが形成されたものである。素子、回路、端子などが形成される面が接合面とされる。被処理基板Ｗの接合面とは反対側の面（以下、非接合面ともいう）は接合後に研磨されており、被処理基板Ｗは薄板化されている。研磨の後、被処理基板Ｗの非接合面に、表面電極、貫通電極などが形成されていてもよい。尚、被処理基板Ｗは、複数の基板を積層したものでもよい。 The substrate W to be processed is formed with elements, circuits, terminals, and the like. A surface on which elements, circuits, terminals, and the like are formed is a bonding surface. A surface opposite to the bonding surface of the substrate to be processed W (hereinafter also referred to as a non-bonding surface) is polished after bonding, and the substrate to be processed W is thinned. After polishing, a surface electrode, a through electrode, or the like may be formed on the non-joint surface of the substrate W to be processed. The substrate to be processed W may be a laminate of a plurality of substrates.
支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと接合され、被処理基板Ｗを一時的に補強する。支持基板Ｓは、被処理基板Ｗの研磨後に、被処理基板Ｗから剥離される。剥離された支持基板Ｓは、洗浄された後、別の被処理基板Ｗと接合されてもよい。 The support substrate S is bonded to the substrate W to be processed and temporarily reinforces the substrate W to be processed. The support substrate S is peeled from the target substrate W after the target substrate W is polished. The peeled support substrate S may be bonded to another substrate to be processed W after being cleaned.
接合層Ｇは、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接合する。接合層Ｇは、例えば被処理基板Ｗから支持基板Ｓに向けて、保護剤層Ｇ１、剥離剤層Ｇ２、および接着剤層Ｇ３をこの順で有する。 The bonding layer G bonds the target substrate W and the support substrate S together. The bonding layer G has, for example, a protective agent layer G1, a release agent layer G2, and an adhesive layer G3 in this order from the target substrate W to the support substrate S.
保護剤層Ｇ１は、被処理基板Ｗの接合面に形成される素子などを保護する。保護剤層Ｇ１は、保護剤および保護剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば被処理基板Ｗの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。 The protective agent layer G1 protects elements formed on the bonding surface of the substrate W to be processed. The protective agent layer G1 is formed, for example, by applying a coating liquid made of an organic solvent that dissolves the protective agent and the protective agent to the bonding surface of the substrate W to be processed and then performing a heat treatment.
剥離剤層Ｇ２は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓの剥離を円滑に行うためのものである。剥離剤層Ｇ２は、剥離剤および剥離剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば保護剤層Ｇ１または接着剤層Ｇ３に塗布した後、熱処理することにより形成される。剥離剤は、保護剤や接着剤よりも接着力の低いものである。 The release agent layer G2 is for smoothly peeling the target substrate W and the support substrate S. The release agent layer G2 is formed, for example, by applying a coating solution made of an organic solvent that dissolves the release agent and the release agent to, for example, the protective agent layer G1 or the adhesive layer G3, followed by heat treatment. The release agent has a lower adhesive force than the protective agent or the adhesive.
接着剤層Ｇ３は、接着剤および接着剤を溶かす有機溶剤からなるコート液を、例えば支持基板Ｓの接合面に塗布した後、熱処理することにより形成される。接着剤は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。 The adhesive layer G3 is formed, for example, by applying a coating liquid made of an adhesive and an organic solvent that dissolves the adhesive to the bonding surface of the support substrate S and then performing a heat treatment. The adhesive may be either a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
重合基板Ｔは、図２〜図４に示すように、フレームＦの内周部に固定されるテープＰに貼り付けられ、フレームＦに保持される。テープＰは、フレームＦの開口部を覆う。フレームＦとしては例えばダイシングフレームが用いられ、テープＰとしては例えばダイシングテープが用いられる。 As shown in FIGS. 2 to 4, the superposed substrate T is affixed to a tape P fixed to the inner peripheral portion of the frame F and is held by the frame F. The tape P covers the opening of the frame F. As the frame F, for example, a dicing frame is used, and as the tape P, for example, a dicing tape is used.
重合基板Ｔは、フレームＦに保持された状態で、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離される。剥離後の被処理基板Ｗは、フレームＦに保持された状態のまま、洗浄処理に供される。この洗浄処理では、被処理基板Ｗの接合面に付着する保護剤層Ｇ１および剥離剤層Ｇ２を除去する。 The superposed substrate T is peeled off from the target substrate W and the support substrate S while being held by the frame F. The target substrate W after being peeled is subjected to a cleaning process while being held by the frame F. In this cleaning process, the protective agent layer G1 and the release agent layer G2 adhering to the bonding surface of the substrate to be processed W are removed.
尚、本実施形態では、被処理基板Ｗが特許請求の範囲に記載の第１基板に、支持基板Ｓが特許請求の範囲に記載の第２基板に対応するが、第１基板と第２基板とは逆でもよい。第１基板が支持基板Ｓであり、第２基板が被処理基板Ｗでもよい。 In this embodiment, the substrate W to be processed corresponds to the first substrate described in the claims, and the support substrate S corresponds to the second substrate described in the claims, but the first substrate and the second substrate The reverse is also possible. The first substrate may be the support substrate S, and the second substrate may be the substrate W to be processed.
剥離システム１は、図１に示すように、第１処理ブロック１０と、第２処理ブロック２０と、制御装置３０とを備える。
As shown in FIG. 1, the
第１処理ブロック１０は、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗに対する処理を行う。第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、第１搬送装置１２と、待機装置１３と、剥離装置１５と、第１洗浄装置１６とを備える。
The
搬入出ステーション１１は、外部との間でカセットＣｔ、Ｃｗを搬出入させる。搬入出ステーション１１はカセット載置台を有し、このカセット載置台は複数の載置部１１ａ、１１ｂを含む。これらの載置部１１ａ、１１ｂにカセットＣｔ、Ｃｗが載置される。カセットＣｔは重合基板Ｔを、カセットＣｗは剥離後の被処理基板Ｗをそれぞれ複数収容する。重合基板Ｔおよび剥離後の被処理基板Ｗは、フレームＦに保持された状態で、カセットＣｔ、Ｃｗに収容される。
The loading / unloading
第１搬送装置１２は、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗを搬送する。第１搬送装置１２は、搬送アーム部と、基板保持部とを備える。搬送アーム部は、水平方向に移動自在とされ、鉛直方向に昇降自在とされ、且つ、鉛直軸を中心に旋回自在とされる。基板保持部は、フレームＦを保持することによって、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗを略水平に保持する。第１搬送装置１２は、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって所望の場所まで搬送する。
The
待機装置１３は、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく。待機装置１３は載置台を含む。この載置台には、重合基板Ｔが載置される。載置台にはＩＤ読取装置が設けられ、ＩＤ読取装置は、フレームＦのＩＤ（Identification）を読み取り、重合基板Ｔを識別する。
The
剥離装置１５は、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。重合基板Ｔは、フレームＦに保持された状態で、被処理基板Ｗと、支持基板Ｓとに剥離される。剥離後の被処理基板Ｗは、図５に示すようにフレームＦに保持された状態のままとされる。
The peeling
第１洗浄装置１６は、剥離後の被処理基板Ｗを洗浄する。剥離後の被処理基板Ｗは、非接合面をテープＰに貼り付けた状態で、洗浄される。この洗浄によって、被処理基板Ｗの接合面に付着する保護剤層Ｇ１および剥離剤層Ｇ２が除去される。第１洗浄装置１６の詳細については、後述する。
The 1st washing | cleaning
一方、第２処理ブロック２０は、剥離後の支持基板Ｓに対する処理を行う。第２処理ブロック２０は、受渡装置２１と、第２洗浄装置２２と、第２搬送装置２３と、搬出ステーション２４とを備える。
On the other hand, the
受渡装置２１は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置１５から受け取り、第２洗浄装置２２へ渡す。
The
第２洗浄装置２２は、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する。第２洗浄装置２２としては、例えば特開２０１３−０３３９２５号公報に記載の洗浄装置が用いられる。
The
第２搬送装置２３は、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４に搬送する。第２搬送装置２３は、第１搬送装置１２と同様に、搬送アーム部と、基板保持部とを備える。第２搬送装置２３に備えられる基板保持部は、例えば支持基板Ｓを下方から支持することによって支持基板Ｓを略水平に保持する。
The
搬出ステーション２４は、外部との間でカセットＣｓを搬入出させる。搬出ステーション２４はカセット載置台を有し、このカセット載置台は複数の載置部２４ａ、２４ｂを有する。これらの載置部２４ａ、２４ｂにカセットＣｓが載置される。カセットＣｓは剥離後の支持基板Ｓを複数収容する。
The carry-out
制御装置３０は、メモリなどの記録媒体３１と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３２などを含むコンピュータで構成され、記録媒体３１に記憶されたプログラム（レシピとも呼ばれる）をＣＰＵ３２に実行させることにより各種処理を実現させる。尚、制御装置３０は、本実施形態では第１洗浄装置１６とは別に設けられるが、第１洗浄装置１６の一部であってもよい。
The
制御装置３０のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。
The program of the
次に、図６を参照して、上記剥離システム１を用いた剥離方法について説明する。図６は、一実施形態による剥離方法のフローチャートである。ここでは、被処理基板Ｗに着目して剥離方法を説明する。
Next, with reference to FIG. 6, the peeling method using the said
剥離方法は、搬入工程Ｓ１１、剥離工程Ｓ１２、洗浄工程Ｓ１３、および搬出工程Ｓ１４などを有する。これらの工程は、制御装置３０による制御下で実施される。
The peeling method includes a carry-in process S11, a peel process S12, a cleaning process S13, a carry-out process S14, and the like. These steps are performed under the control of the
搬入工程Ｓ１１では、第１搬送装置１２が重合基板Ｔを載置部１１ａ上のカセットＣｔから待機装置１３に搬送し、次いで、待機装置１３から剥離装置１５に搬送する。
In the carry-in step S11, the
剥離工程Ｓ１２では、剥離装置１５が重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。重合基板Ｔは、フレームＦに保持された状態で、被処理基板Ｗと、支持基板Ｓとに剥離される。剥離後の被処理基板Ｗは、フレームＦに保持された状態のままとされる。剥離後、第１搬送装置１２が被処理基板Ｗを剥離装置１５から第１洗浄装置１６に搬送する。
In peeling process S12, the peeling
洗浄工程Ｓ１３では、第１洗浄装置１６が剥離後の被処理基板Ｗを洗浄する。剥離後の被処理基板Ｗは、非接合面をテープＰに貼り付けた状態で、洗浄される。この洗浄によって、被処理基板Ｗの接合面に付着する保護剤層Ｇ１および剥離剤層Ｇ２が除去される。
In the cleaning step S13, the
搬出工程Ｓ１４では、第１搬送装置１２が剥離後の被処理基板Ｗを載置部１１ｂ上のカセットＣｗに搬送する。
In the unloading step S14, the
このようにして、剥離後の被処理基板Ｗは、第１洗浄装置１６において洗浄され、その後、カセットＣｗに収容される。この間、剥離後の支持基板Ｓは、第２洗浄装置２２において洗浄され、その後、カセットＣｓに収容される。
Thus, the to-be-processed substrate W after peeling is wash | cleaned in the 1st washing | cleaning
尚、剥離システム１は、上記構成に限定されない。例えば、剥離システム１は、マウント装置を有してもよい。マウント装置は、フレームＦの内周部に固定されたテープＰに対し重合基板Ｔを貼り付ける。剥離システム１の外部ではなく、剥離システム１の内部で、重合基板Ｔのマウントが行われる。また、剥離システム１は、各種の検査装置を有してもよい。検査装置としては、例えば、洗浄後の被処理基板Ｗや洗浄後の支持基板Ｓの残渣の有無を検査する検査装置、洗浄後の被処理基板の素子などの電気特性を検査する検査装置が挙げられる。
In addition, the
次に、上記第１洗浄装置１６の詳細について説明する。図７は、一実施形態による第１洗浄装置の被処理基板の下降開始前の側面図である。図８は、一実施形態による第１洗浄装置の被処理基板の下降完了時の側面図である。図９は、一実施形態による第１洗浄装置の洗浄液供給時の側面図である。
Next, details of the
第１洗浄装置１６は、不図示の処理容器内に、図７などに示すように、スピンチャック４０、液供給機構５０、カップ６０、外周カバー６５、フレームカバー７０、フレームカバー固定機構８０、および受渡機構９０を備える。処理容器の側面には被処理基板Ｗの搬入出口が形成され、この搬入出口には開閉シャッタが設けられる。処理容器の天井にはファンフィルタユニットが設けられ、ファンフィルタユニットは処理容器内にダウンフローを形成する。
As shown in FIG. 7 and the like, the
図１０は、図９のX−X線に沿ったスピンチャックなどの断面図である。図１１は、図１０の一部拡大図であって、メカニカルチャックなどの断面図である。図１２は、図１１のXII−XII線に沿ったメカニカルチャックなどの断面図である。図１３は、図９のXIII−XIII線に沿った磁石ユニットなどの断面図である。図１１および図１３において、点線は、インナーリップ部７１ａの弾性復元時の状態を示す。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the spin chuck and the like along the line XX in FIG. FIG. 11 is a partially enlarged view of FIG. 10, and is a cross-sectional view of a mechanical chuck or the like. 12 is a cross-sectional view of the mechanical chuck and the like along the line XII-XII in FIG. 13 is a cross-sectional view of the magnet unit and the like along the line XIII-XIII in FIG. In FIG. 11 and FIG. 13, a dotted line shows the state at the time of elastic restoration of the
スピンチャック４０は、処理容器の略中央に設けられる。スピンチャック４０は、図１０に示すように、例えば、基板保持部４１、シール部４２、支柱部４５、および回転駆動部４６を備える。
The
基板保持部４１は、テープＰを介して被処理基板Ｗを保持する。基板保持部４１は、図１１に示すように、例えば、インナー保持部４１ａと、アウター保持部４１ｂと、弾性リング部４１ｃとを有する。
The
インナー保持部４１ａは、被処理基板Ｗよりも大きく、テープＰを介して被処理基板Ｗの全体を平坦に保持する。その保持は、例えば真空吸着である。被処理基板Ｗは、例えばその接合面を上に向けて水平に保持される。
The
インナー保持部４１ａの材料は、例えばカーボンである。尚、インナー保持部４１ａの材料は、被処理基板Ｗを平坦に保持できる程度の硬さの材料であればよく、金属、セラミック、または樹脂などでもよい。
The material of the
アウター保持部４１ｂは、インナー保持部４１ａに対し分離可能に装着される。尚、アウター保持部４１ｂはインナー保持部４１ａに対し分離不能に一体に形成されてもよい。
The
アウター保持部４１ｂは、インナー保持部４１ａを取り囲み、インナー保持部４１ａよりも外側においてテープＰを保持すると共に、テープＰを介してフレームＦを保持する。その保持は、例えば真空吸着である。
The
アウター保持部４１ｂにおける真空吸着用の吸着穴は、インナー保持部４１ａにおける真空吸着用の吸着穴と連通している。そのため、アウター保持部４１ｂによる保持と、インナー保持部４１ａによる保持とは、同時に開始され、同時に終了される。
The suction hole for vacuum suction in the outer holding
尚、アウター保持部４１ｂにおける真空吸着用の吸着穴と、インナー保持部４１ａにおける真空吸着用の吸着穴とは、連通していなくてもよい。アウター保持部４１ｂによる保持と、インナー保持部４１ａによる保持とは順番に開始されてもよく、その順番はどちらが先でもよい。同様に、アウター保持部４１ｂによる保持と、インナー保持部４１ａによる保持とは順番に終了されてもよく、その順番はどちらが先でもよい。
The suction hole for vacuum suction in the outer holding
アウター保持部４１ｂにおけるテープＰの保持面は、インナー保持部４１ａにおけるテープＰの保持面に対し、同一平面に連続的に設けられる。アウター保持部４１ｂにおけるテープＰの保持面には環状溝が形成され、当該環状溝に弾性リング部４１ｃが取り付けられる。
The holding surface of the tape P in the outer holding
アウター保持部４１ｂの材料は、例えば金属である。尚、アウター保持部４１ｂの材料は、弾性リング部４１ｃを弾性変形可能に保持できる程度の硬さの材料であればよく、セラミック、カーボン、または樹脂などでもよい。
The material of the outer holding
弾性リング部４１ｃは、ゴムなどの弾性材料で形成されている。基板保持部４１に対するフレームカバー７０の固定時に、フレームカバー７０がテープＰを弾性リング部４１ｃに押し込むことで、弾性リング部４１ｃが弾性変形する。弾性リング部４１ｃは、その弾性復元力によってテープＰをフレームカバー７０に密着させる。
The
シール部４２は、基板保持部４１における真空吸着用の吸着穴を取り囲み、基板保持部４１とフレームＦとの間を塞ぐ。吸着穴への外気の流入を抑制でき、吸着力の低下を抑制できる。シール部４２は、例えばリップシールなどで構成され、その弾性復元力によってフレームＦに密着する。
The
回転駆動部４６（図１０参照）は、モータなどで構成され、支柱部４５を回転させることにより、基板保持部４１を回転させる。
The rotation drive unit 46 (see FIG. 10) is configured by a motor or the like, and rotates the
液供給機構５０は、基板保持部４１と共に回転する被処理基板Ｗに向けて洗浄液を供給する。洗浄液としては、例えば接合剤（例えば剥離剤と保護剤）を溶かす溶剤が用いられる。溶剤は、例えばシンナーなどの有機溶剤である。
The
液供給機構５０は、図１０に示すように、例えば、洗浄液ノズル５１と、ノズルアーム５２と、移動昇降部５３とを備える。液供給機構５０が特許請求の範囲に記載の液供給部に対応する。
As shown in FIG. 10, the
洗浄液ノズル５１は、例えば２流体ノズルであって、溶剤流量調節バルブ５５を介して溶剤供給源５６に接続されると共に、ガス流量調節バルブ５７を介してガス供給源５８に接続される。洗浄液ノズル５１は、溶剤供給源５６から供給される溶剤と、ガス供給源５８から供給されるガスとを混合した洗浄液を被処理基板Ｗに対し供給する。
The cleaning
ノズルアーム５２は、水平とされ、洗浄液ノズル５１をその吐出口を下に向けて保持する。洗浄液ノズル５１の数は、図１０では１つであるが、複数でもよい。ノズルアーム５２は、被処理基板Ｗの径方向に間隔をおいて複数の洗浄液ノズル５１を保持してもよい。
The
移動昇降部５３は、ノズルアーム５２を水平移動させることで、洗浄液ノズル５１を待機位置（図８に示す位置）と液供給位置（図９に示す位置）との間で水平移動させる。また、移動昇降部５３は、ノズルアーム５２を昇降させることで、洗浄液ノズル５１の高さを調整する。
The moving elevating
尚、液供給機構５０は、不図示のリンス液ノズルをさらに有してよい。リンス液ノズルは、リンス液流量調節バルブを介してリンス液供給源と接続され、リンス液供給源から供給されるリンス液を被処理基板Ｗに対し供給する。リンス液ノズルは、その吐出口を下に向けてノズルアーム５２に保持される。リンス液としては、例えば純水またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。
The
また、液供給機構５０は、不図示の吸引ノズルをさらに有してよい。吸引ノズルは、被処理基板Ｗ上の液体を吸引する。吸引ノズルは、その吸引口を下に向けてノズルアーム５２に保持される。
The
カップ６０（図１０参照）は、液供給機構５０によって供給される洗浄液を回収する。カップ６０は、外周部としてのカップ筒部６１と、カップ筒部６１の底を塞ぐ底部６２とを有する。底部６２には、カップ６０内の液体を排出する排液管６３と、カップ６０内のガスを排出する排気管６４とが接続される。
The cup 60 (see FIG. 10) collects the cleaning liquid supplied by the
外周カバー６５は、カップ６０の外周部に沿って、待機位置（図８に示す位置）と、液飛散防止位置（図９に示す位置）との間で昇降される。外周カバー６５は、待機位置から液飛散防止位置まで引き上げられ、基板保持部４１を取り囲み、基板保持部４１と共に回転する被処理基板Ｗからの液滴の飛散を遮る。尚、外周カバー６５は、複数設けられてもよい。
The
フレームカバー７０は、フレームＦに重ねられ、フレームＦと共に基板保持部４１に対し固定される。フレームカバー７０は、基板保持部４１に保持された被処理基板Ｗを取り囲み、被処理基板Ｗに供給された洗浄液からフレームＦを保護する。フレームカバー７０は、図１１などに示すように、例えば、液侵入規制部７１と、固定リング部７２と、固定リングカバー部７３とを有する。
The
液侵入規制部７１は、基板保持部４１に保持された被処理基板Ｗを取り囲み、被処理基板Ｗよりも外側かつフレームＦよりも内側において、テープＰにおける洗浄液の濡れ広がりを規制する。液侵入規制部７１は、環状のリップ部７１ａ、７１ｂを有する。
The liquid
リップ部７１ａ、７１ｂは、基板保持部４１に保持された被処理基板Ｗよりも外側かつフレームＦよりも内側においてテープＰに接触することで、テープＰにおける洗浄液の濡れ広がりを規制する。リップ部７１ａ、７１ｂは、例えば同心円状に間隔をおいて配される。
The
以下、リップ部７１ａ、７１ｂのうち、最も内側のリップ部７１ａをインナーリップ部７１ａと呼び、インナーリップ部７１ａよりも外側のリップ部７１ｂをアウターリップ部７１ｂと呼ぶ。
Hereinafter, of the
インナーリップ部７１ａは、テープＰを介して基板保持部４１に押し付けられ、弾性変形される。インナーリップ部７１ａは、その弾性復元力によってテープＰに密着される。その密着力によって、洗浄液の漏れが抑制できる。
The
インナーリップ部７１ａは、平面視でインナー保持部４１ａに重なる。インナー保持部４１ａにテープＰを介して保持された被処理基板Ｗの近傍で、テープＰ上における洗浄液の濡れ広がりを止めることができる。
The
インナーリップ部７１ａは、テープＰから剥離されると、弾性復元する。弾性復元したインナーリップ部７１ａは、図１１に点線で示すように、基板保持部４１におけるテープＰの保持面に対し斜めに傾斜しており、上側から下側に向かうほど径方向内側に傾斜している。また、弾性復元したインナーリップ部７１ａは、図１１に点線で示すように、アウターリップ部７１ｂよりも下側に突出している。
When the
アウターリップ部７１ｂは、テープＰを弾性リング部４１ｃに押し込み、弾性リング部４１ｃを弾性変形させる。弾性リング部４１ｃは、その弾性復元力によってテープＰをアウターリップ部７１ｂに密着させる。その密着力によって、洗浄液の漏れが抑制できる。
The
アウターリップ部７１ｂは、例えば弾性リング部４１ｃに向けて先鋭状に形成されている。アウターリップ部７１ｂの先端にテープＰの密着力が集中するため、洗浄液の漏れがより抑制できる。
The
アウターリップ部７１ｂがテープＰから剥離されることで、弾性リング部４１ｃが弾性復元する。弾性復元した弾性リング部４１ｃにおけるテープＰの保持面は、アウター保持部４１ｂにおけるテープＰの保持面に対し、同一平面に連続的に配されてよい。
When the
尚、リップ部の数は特に限定されない。リップ部の数は１つでもよく、例えばインナーリップ部７１ａのみが設けられてもよい。インナーリップ部７１ａがテープＰを弾性リング部４１ｃに押し込んでもよい。また、リップ部の数は３つ以上でもよく、インナーリップ部７１ａとアウターリップ部７１ｂとの間、および／またはアウターリップ部７１ｂよりも外側に、リップ部が設けられてもよい。
The number of lip portions is not particularly limited. The number of lip portions may be one, for example, only the
固定リング部７２は、フレームＦに対し基板保持部４１とは反対側から接触する。固定リング部７２は、液侵入規制部７１よりも硬い材料で形成され、例えばフレームＦと同様にステンレス鋼などの金属で形成される。フレームＦに対しフレームカバー７０を安定的に固定できる。
The fixing
固定リングカバー部７３は、洗浄液から固定リング部７２を保護すると共に、固定リング部７２との間に液侵入規制部７１を挟んで固定する。固定リングカバー部７３は、液侵入規制部７１よりも硬い母材と、当該母材を洗浄液から保護する保護膜とで構成される。保護膜は、洗浄液に対し耐食性を有する材料で形成され、例えばテフロン（登録商標）などのフッ素系樹脂で形成される。母材は、保護膜の種類に応じて選定され、例えばアルミニウムなどの金属で形成される。
The fixing
固定リングカバー部７３は、固定リング部７２の他に、フレームカバー固定機構８０を洗浄液から保護する。
In addition to the fixing
フレームカバー固定機構８０（図７参照）は、フレームカバー７０をフレームＦと共に基板保持部４１に対し固定する。フレームカバー固定機構８０が特許請求の範囲に記載のフレームカバー固定部に対応する。フレームカバー固定機構８０は、例えばメカニカルチャック８１（図１１〜図１２参照）と、磁石ユニット８２（図１３参照）とを両方含む。
The frame cover fixing mechanism 80 (see FIG. 7) fixes the
メカニカルチャック８１は、図１１に示すように、例えば爪部８１ａおよび腕部８１ｂを有する。腕部８１ｂは、基板保持部４１の下面に取り付けられ、基板保持部４１の径方向外方に突出する。腕部８１ｂは、基板保持部４１の周方向に間隔をおいて複数（例えば４つ）設けられる。各腕部８１ｂの先端部に、爪部８１ａが揺動自在に取り付けられる。各爪部８１ａは、図１２に示すようにフレームカバー７０の固定リング部７２を上方から押さえることで、フレームカバー７０を基板保持部４１に対し固定する。フレームカバー７０は、フレームＦを挟んで、基板保持部４１に対し固定される。
As shown in FIG. 11, the
メカニカルチャック８１は、姿勢検知センサ（不図示）をさらに有する。姿勢検知センサは、各爪部８１ａの姿勢を検知し、その検知結果を制御装置３０に送信する。制御装置３０は、各爪部８１ａの姿勢に基づき基板保持部４１に対しフレームＦおよびフレームカバー７０が正常に固定されたか否かを検知する。
The
磁石ユニット８２は、図１３に示すように、例えば、磁石８２ａと、磁石８２ａによって吸着される吸着体８２ｂとを有する。磁石ユニット８２は、基板保持部４１に対しフレームカバー７０を磁力によって吸着する。フレームカバー７０は、フレームＦを挟んで、基板保持部４１に対し固定される。
As shown in FIG. 13, the
磁石８２ａは、例えば基板保持部４１に取り付けられる。磁石８２ａは、基板保持部４１の周方向に間隔をおいて複数（例えば８つ）設けられる。磁石８２ａは、各爪部８１ａの両側に１つずつ設けられる。尚、磁石８２ａの数は１つでもよく、磁石８２ａの形状は環状でもよい。
The
磁石８２ａは、基板保持部４１と共に回転させられる。そのため、磁石８２ａとしては、永久磁石が用いられる。尚、磁石８２ａは電磁石であってもよい。電磁石の通電を停止させることで、吸着力を略ゼロにすることができる。
The
吸着体８２ｂは、例えばフレームカバー７０に取り付けられる。吸着体８２ｂは、フレームカバー７０の周方向に間隔をおいて複数（例えば８つ）設けられる。複数の磁石８２ａに対応して複数の吸着体８２ｂが設けられる。
The adsorbent 82b is attached to the
尚、吸着体８２ｂの数は１つでもよく、吸着体８２ｂの形状は環状でもよい。例えば、固定リング部７２が吸着体８２ｂとして用いられてもよい。この場合、固定リング部７２の真下に磁石８２ａが配設されてもよい。
The number of the
吸着体８２ｂは、フレームカバー７０と共に回転させられる。吸着体８２ｂは、例えば軟磁性材料で形成される。磁石８２ａの磁極の向きに関係なく、磁石８２ａが吸着体８２ｂを吸着できる。よって、磁石８２ａを基板保持部４１に対し取り付ける際に、磁石８２ａの磁極の向きを管理する手間が省ける。
The adsorbent 82b is rotated together with the
尚、磁石８２ａと吸着体８２ｂとの配置は逆でもよく、磁石８２ａがフレームカバー７０に取り付けられ、吸着体８２ｂが基板保持部４１に取り付けられてもよい。また、吸着体８２ｂは、磁石８２ａによって吸着されればよく、硬磁性材料で形成されてもよい。つまり、吸着体８２ｂも磁石であってもよく、基板保持部４１とフレームカバー７０の両方に磁石が取り付けられてもよい。
The arrangement of the
尚、本実施形態のフレームカバー固定機構８０は、メカニカルチャック８１と、磁石ユニット８２とを両方有するが、いずれか一方のみを有してもよい。フレームカバー固定機構８０が磁石ユニット８２のみを有する場合、上記姿勢検知センサとは別に、基板保持部４１に対しフレームＦおよびフレームカバー７０が正常に固定されたか否かを検知するセンサが設けられる。
The frame
図１４は、図７のXIV−XIV線に沿った受渡機構などの断面図である。受渡機構９０は、図７に示すように第１搬送装置１２から被処理基板Ｗを受け取り、スピンチャック４０に渡す。また、受渡機構９０は、図８に示すようにスピンチャック４０から被処理基板Ｗを受け取り、第１搬送装置１２に渡す。
14 is a cross-sectional view of the delivery mechanism and the like along the line XIV-XIV in FIG. The
受渡機構９０は、スピンチャック４０に対し、被処理基板Ｗを受け渡すと共に、フレームカバー７０を受け渡す。第１洗浄装置１６の内部でフレームカバー７０がフレームＦに着脱されるので、洗浄時のみフレームＦに対しフレームカバー７０を被せることができる。また、１つのフレームカバー７０を繰り返し使用することができる。
The
受渡機構９０は、図７〜図９に示すように、例えば、フレーム保持部９１と、フレームカバー保持部９４と、昇降部９７とを有する。
As shown in FIGS. 7 to 9, the
フレーム保持部９１は、フレームＦを保持することで、被処理基板Ｗを保持する。フレーム保持部９１は、例えば、複数のフレーム保持爪９２ａ、９２ｂと、フレーム保持爪開閉機構９３とを有する。
The
複数のフレーム保持爪９２ａ、９２ｂは、フレームＦの中心線の周りに放射状に配される。複数のフレーム保持爪９２ａ、９２ｂは、径方向内方に閉じることで、フレームＦを引掛けて保持する。また、複数のフレーム保持爪９２ａ、９２ｂは、径方向外方に開くことで、フレームＦの保持を解除する。
The plurality of
フレーム保持爪開閉機構９３は、複数のフレーム保持爪９２ａ、９２ｂを径方向に開閉させる。フレーム保持爪開閉機構９３は、複数のフレーム保持爪９２ａ、９２ｂに対応する複数のシリンダ９３ａ、９３ｂを有する。
The frame holding claw opening /
尚、本実施形態のフレーム保持部９１は、フレームＦを引掛けて保持するが、フレームＦを吸着して保持してもよい。
Note that the
フレームカバー保持部９４は、フレームカバー７０を保持する。フレームカバー保持部９４は、図１４に示すように、例えば、複数のフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂと、フレームカバー保持爪開閉機構９６とを有する。
The frame
複数のフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂは、フレームカバー７０の中心線の周りに放射状に配される。複数のフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂは、径方向内方に閉じることで、フレームカバー７０を引掛けて保持する。また、複数のフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂは、径方向外方に開くことで、フレームカバー７０の保持を解除する。
The plurality of frame
複数のフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂは、それぞれ、基端部から二股に分岐しており、分岐した各先端部にガイドピンＧＰ（図１４、図７等参照）を有する。各ガイドピンＧＰは、フレームカバー７０の外周に形成されるガイド溝ＧＧ（図１４参照）に差し込まれる。これにより、位置ずれが防止できる。
Each of the plurality of frame
尚、本実施形態の複数のフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂは、それぞれ、基端部から二股に分岐しているが、分岐していなくてもよく、その先端部にガイドピンＧＰを有してもよい。また、ガイドピンＧＰとガイド溝ＧＧの配置は逆でもよく、ガイドピンＧＰがフレームカバー７０に配置され、ガイド溝ＧＧがフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂに配置されてもよい。
Each of the plurality of frame
フレームカバー保持爪開閉機構９６は、複数のフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂを径方向に開閉させる。フレームカバー保持爪開閉機構９６は、複数のフレームカバー保持爪９５ａ、９５ｂに対応する複数のシリンダ９６ａ、９６ｂを有する。
The frame cover holding claw opening /
尚、本実施形態のフレームカバー保持部９４は、フレームカバー７０を引掛けて保持するが、フレームカバー７０を吸着して保持してもよい。
The frame
昇降部９７は、第１昇降部９７ａ（図７〜図９参照）と、第２昇降部９７ｂ（図１４参照）とを有する。第１昇降部９７ａは、フレーム保持部９１とフレームカバー保持部９４とを同時に基板保持部４１に対し昇降させる。第２昇降部９７ｂは、一のフレームカバー保持爪９５ａに対し他のフレームカバー保持爪９５ｂを相対的に昇降させる。
The elevating
尚、フレームカバー保持爪の数は３つ以上でもよい。第２昇降部９７ｂの数は、フレームカバー保持爪の数よりも１つだけ少ない数でもよいが、その数以上であればよい。
The number of frame cover holding claws may be three or more. The number of second elevating
制御装置３０は、基板保持部４１に保持されたテープＰとフレームカバー７０との剥離時に、先ず第２昇降部９７ｂを作動させ、次いで第１昇降部９７ａを作動させることで、フレームカバー７０の周方向一端部から周方向他端部に向けて順次剥離を行う。
When the tape P held by the
次に、図１５などを参照して、上記第１洗浄装置１６を用いた洗浄方法について説明する。図１５は、一実施形態による洗浄方法のフローチャートである。
Next, a cleaning method using the
洗浄方法は、図１５に示すように、例えば、準備工程Ｓ２１、洗浄液供給工程Ｓ２２、リンス液供給工程Ｓ２３、乾燥工程Ｓ２４、および回収工程Ｓ２５を有する。これらの工程は、制御装置３０による制御下で実施される。
As shown in FIG. 15, the cleaning method includes, for example, a preparation step S21, a cleaning liquid supply step S22, a rinse liquid supply step S23, a drying step S24, and a recovery step S25. These steps are performed under the control of the
準備工程Ｓ２１は、剥離後の被処理基板Ｗを第１搬送装置１２から受渡機構９０が受け取ったときに開始される。受渡機構９０は、フレームＦを介して被処理基板Ｗを保持すると共に、フレームＦの上方にフレームカバー７０を保持する。
The preparation step S <b> 21 starts when the
準備工程Ｓ２１では、受渡機構９０が被処理基板Ｗおよびフレームカバー７０をスピンチャック４０に渡し、液供給機構５０などが洗浄液の供給のための準備を行う。
In the preparation step S21, the
具体的には、先ず、昇降部９７が、フレーム保持部９１およびフレームカバー保持部９４を待機位置から受渡位置まで下降させる。これにより、被処理基板Ｗおよびフレームカバー７０が基板保持部４１に渡される。また、基板保持部４１に対しフレームカバー７０が磁石ユニット８２の磁力によって吸着される。
Specifically, the elevating
次いで、基板保持部４１がテープＰを介して被処理基板Ｗを保持すると共に、メカニカルチャック８１が基板保持部４１に対しフレームカバー７０を固定する。フレームカバー７０は、フレームＦを挟んで基板保持部４１に対し固定される。
Next, the
インナーリップ部７１ａは、テープＰを介して基板保持部４１に押し付けられており、弾性変形されている。また、アウターリップ部７１ｂは、テープＰを弾性リング部４１ｃに押し込んでおり、弾性リング部４１ｃを弾性変形させている。弾性リング部４１ｃは、その弾性復元力によってテープＰをアウターリップ部７１ｂに密着させている。
The
次いで、昇降部９７が、フレーム保持部９１およびフレームカバー保持部９４を元の待機位置まで上昇させる。
Next, the elevating
その後、移動昇降部５３が、洗浄液ノズル５１を待機位置から液供給位置まで水平移動される。尚、この動作は、受渡機構９０の上昇完了前に開始されてもよい。
Thereafter, the moving elevating
その後、外周カバー６５が、待機位置から液飛散防止位置まで引き上げられる。尚、この動作は、洗浄液ノズル５１の移動完了前に開始されてもよい。
Thereafter, the outer
洗浄液供給工程Ｓ２２では、洗浄液ノズル５１が、被処理基板Ｗに向けて洗浄液を供給する。このとき、回転駆動部４６が、基板保持部４１を回転させる。被処理基板Ｗに供給された洗浄液は、被処理基板Ｗの回転に伴う遠心力によって濡れ広がる。被処理基板Ｗの接合面全体が洗浄液の膜で覆われ、被処理基板Ｗの接合面に付着する接合剤が洗浄液に浸漬される。洗浄液に接合剤が徐々に溶解する。
In the cleaning liquid supply step S <b> 22, the cleaning
このとき、フレームカバー７０は、フレームＦと共に基板保持部４１に対し固定されている。インナーリップ部７１ａやアウターリップ部７１ｂは、それぞれ、基板保持部４１に保持された被処理基板Ｗよりも外側かつフレームＦよりも内側においてテープＰに接触することで、テープＰにおける洗浄液の濡れ広がりを規制する。よって、洗浄液からフレームＦを保護できる。
At this time, the
リンス液供給工程Ｓ２３では、リンス液ノズルが、被処理基板Ｗに向けてリンス液（例えばＩＰＡ）を供給する。このとき、回転駆動部４６が基板保持部４１を回転させる。被処理基板Ｗに供給されたリンス液は、被処理基板Ｗの回転に伴う遠心力によって濡れ広がる。被処理基板Ｗ上の液体をリンス液によって置換または希釈することができる。
In the rinsing liquid supply step S <b> 23, the rinsing liquid nozzle supplies a rinsing liquid (for example, IPA) toward the substrate W to be processed. At this time, the
乾燥工程Ｓ２４では、回転駆動部４６が、基板保持部４１を回転させ、被処理基板Ｗ上の残液を遠心力によって振り切る。振り切られた液体は、フレームカバー７０に沿ってテープＰから離れ、フレームカバー７０を乗り越え、カップ６０に回収される。尚、リンス液供給工程Ｓ２３の後、乾燥工程Ｓ２４の前に、移動昇降部５３が、洗浄液ノズル５１などを液供給位置から待機位置まで移動させておいてもよい。
In the drying step S24, the
回収工程Ｓ２５では、乾燥後の被処理基板Ｗをスピンチャック４０から受渡機構９０が受け取り、第１搬送装置１２に渡す。受渡機構９０は、被処理基板Ｗの他に、フレームカバー７０をスピンチャック４０から受け取る。
In the collection step S25, the substrate W after drying is received by the
具体的には、先ず、昇降部９７が、フレーム保持部９１およびフレームカバー保持部９４を待機位置から受渡位置まで下降させる。この動作は、外周カバー６５が液飛散防止位置から待機位置まで下降させられた後に行われてよい。
Specifically, the elevating
次いで、メカニカルチャック８１が基板保持部４１に対するフレームカバー７０の固定を解除する。このとき、フレームカバー７０は、磁石ユニット８２によって基板保持部４１に対し吸着されている。また、このとき、フレームカバー７０は、テープＰに付着している。
Next, the
次いで、受渡機構９０が、フレームカバー７０を保持し、フレームカバー７０を基板保持部４１に対し僅かに上昇させ、磁石ユニット８２による吸着を解除させると共に、フレームカバー７０とテープＰとを剥離させる。このとき、基板保持部４１は、テープＰをフレームカバー７０とは反対側から保持する。
Next, the
基板保持部４１は、上述したように、インナー保持部４１ａに加えて、アウター保持部４１ｂを有する。インナー保持部４１ａとアウター保持部４１ｂの両方が、テープＰをフレームカバー７０とは反対側から保持する。
As described above, the
アウター保持部４１ｂは、フレームカバー７０の内周よりも外側かつフレームＦよりも内側において、テープＰをフレームカバー７０とは反対側から保持する。フレームカバー７０とテープＰとの剥離時に、テープＰに付着するリップ部７１ａ、７１ｂの近傍において、テープＰを固定できる。
The outer holding
アウター保持部４１ｂは、フレームカバー７０の内周よりも外側かつフレームＦよりも内側に、テープＰを真空吸着する吸着穴を有する。吸着穴は、平面視において、リップ部７１ａ、７１ｂと重ならない位置に設けられてよく、例えばインナーリップ部７１ａとアウターリップ部７１ｂとの間に設けられてよい。
The outer holding
尚、本実施形態のアウター保持部４１ｂは、テープＰの保持に、真空吸着力を利用するが、例えば粘着力や静電気力などを利用してもよい。アウター保持部４１ｂによるテープＰの保持は、多種多様であってよい。
In addition, although the outer holding |
受渡機構９０は、フレームカバー７０とテープＰとの剥離を、フレームカバー７０の周方向一端部から周方向他端部に向けて順次行う。フレームカバー７０とテープＰとの剥離や磁石ユニット８２による吸着の解除が徐々に行われるので、一度に行われる場合よりもフレームカバー７０のばたつきが抑制できる。
The
次いで、基板保持部４１がテープＰの保持を解除し、昇降部９７がフレーム保持部９１およびフレームカバー保持部９４を元の待機位置まで上昇させる。その途中で、フレーム保持部９１がフレームＦを引掛けて保持する。
Next, the
その後、受渡機構９０が被処理基板Ｗを第１搬送装置１２に渡し、回収工程Ｓ２５が終了する。このとき、フレームカバー７０は、受渡機構９０に保持され、次回のフレームＦの保護に用いられる。
Thereafter, the
以上説明したように、本実施形態の第１洗浄装置１６は、フレームカバー７０を有する。フレームカバー７０は、１つ以上のリップ部（本実施形態では２つのリップ部７１ａ、７１ｂ）を有する。リップ部７１ａ、７１ｂは、基板保持部４１によって保持された被処理基板Ｗよりも外側かつフレームＦよりも内側においてテープＰに接触することで、テープＰにおける洗浄液の濡れ広がりを規制する。よって、洗浄液によるフレームＦの劣化を抑制できる。
As described above, the
本実施形態の基板保持部４１は、フレームカバー７０とテープＰとの剥離時に、フレームカバー７０の内周よりも外側かつフレームＦよりも内側において、テープＰをフレームカバー７０とは反対側から保持する。フレームカバー７０とテープＰとの剥離時に、テープＰに付着するリップ部７１ａ、７１ｂの近傍において、テープＰを固定できる。この効果は、フレームカバー７０とテープＰとの密着力が強いほど顕著である。
The
本実施形態の基板保持部４１には、シール部４２が取り付けられる。シール部４２は、基板保持部４１における真空吸着用の吸着穴を取り囲み、基板保持部４１とフレームＦとの間を塞ぐ。よって、吸着穴への外気の流入を抑制でき、吸着力の低下を抑制できる。
A
本実施形態の基板保持部４１は、基板保持部４１に保持された被処理基板Ｗよりも外側かつフレームＦよりも内側に、環状の弾性リング部４１ｃを有する。アウターリップ部７１ｂは、テープＰを弾性リング部４１ｃに押し込み、弾性リング部４１ｃを弾性変形させる。弾性リング部４１ｃの弾性復元力によってテープＰをフレームカバー７０に密着させることができ、洗浄液の漏れをより抑制することができる。
The
尚、本実施形態では、アウターリップ部７１ｂがテープＰを弾性リング部４１ｃに押し込むが、インナーリップ部７１ａがテープＰを弾性リング部４１ｃに押し込んでもよいし、インナーリップ部７１ａとアウターリップ部７１ｂの両方がそれぞれテープＰを弾性リング部４１ｃに押し込んでもよい。いずれの場合も、弾性リング部４１ｃの弾性復元力によってテープＰをフレームカバー７０に密着させることができる。
In this embodiment, the
本実施形態の基板保持部４１には、磁石ユニット８２の一部が取り付けられる。磁石ユニット８２は、フレームカバー７０をフレームＦと共に基板保持部４１に対し吸着する。磁力によってリップ部７１ａ、７１ｂをテープＰに密着させることができ、洗浄液の漏れを抑制することができる。
A part of the
以上、洗浄装置などの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 As mentioned above, although embodiment of washing | cleaning apparatus etc. was described, this invention is not limited to the said embodiment etc., In the range of the summary of this invention described in the claim, various deformation | transformation and improvement are possible. is there.
例えば、被処理基板Ｗの種類は多種多様であってよく、半導体用の基板の他、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用の基板、フォトマスク用のマスクレチクルの基板などでもよい。 For example, the type of substrate W to be processed may be various, and may be, for example, a substrate for an FPD (flat panel display), a mask reticle for a photomask, or the like in addition to a semiconductor substrate.
図３に示す重合基板Ｔの接合層Ｇは、保護剤層Ｇ１、剥離剤層Ｇ２、および接着剤層Ｇ３の３層構造であるが、その構造は特に限定されない。例えば、接合層Ｇは、接着剤層Ｇ３のみの１層構造、または剥離剤層Ｇ２および接着剤層Ｇ３の２層構造でもよい。２層構造の場合、剥離剤層Ｇ２と接着剤層Ｇ３の配置は図３とは逆でもよく、剥離剤層Ｇ２が被処理基板Ｗの側に配され、接着剤層Ｇ３が支持基板Ｓの側に配されてもよい。従って、剥離後の被処理基板Ｗの接合面に付着する接合剤の種類は特に限定されない。 The bonding layer G of the polymerization substrate T shown in FIG. 3 has a three-layer structure including a protective agent layer G1, a release agent layer G2, and an adhesive layer G3, but the structure is not particularly limited. For example, the bonding layer G may have a one-layer structure including only the adhesive layer G3 or a two-layer structure including the release agent layer G2 and the adhesive layer G3. In the case of a two-layer structure, the disposition of the release agent layer G2 and the adhesive layer G3 may be opposite to that in FIG. 3, the release agent layer G2 is disposed on the substrate to be processed W, and the adhesive layer G3 It may be arranged on the side. Therefore, the type of the bonding agent that adheres to the bonding surface of the substrate to be processed W after peeling is not particularly limited.
上記実施形態の第１洗浄装置１６は、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄に用いられるが、剥離後の支持基板Ｓの洗浄に用いられてもよい。第１洗浄装置１６の用途は特に限定されない。
The
上記実施形態の液供給機構５０は、洗浄液ノズル５１を水平方向に直線移動させるが、洗浄液ノズル５１を水平方向に旋回させてもよい。
The
１ 剥離システム
１５ 剥離装置
１６ 第１洗浄装置
３０ 制御装置
４０ スピンチャック
４１ 基板保持部
４１ａ インナー保持部
４１ｂ アウター保持部
４１ｃ 弾性リング部
４２ シール部
４６ 回転駆動部
５０ 液供給機構
５１ 洗浄液ノズル
７０ フレームカバー
７１ 液侵入規制部
７１ａ インナーリップ部
７１ｂ アウターリップ部
８０ フレームカバー固定機構
８１ メカニカルチャック
８２ 磁石ユニット
９０ 受渡機構
９１ フレーム保持部
９４ フレームカバー保持部
９７ 昇降部
DESCRIPTION OF
Claims (16)
前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、
前記基板保持部と共に回転する前記基板に向けて洗浄液を供給する液供給部と、
前記洗浄液から前記フレームを保護するフレームカバーと、
前記フレームカバーを前記フレームと共に前記基板保持部に対し固定するフレームカバー固定部とを備え、
前記フレームカバーは、前記基板よりも外側かつ前記フレームよりも内側において前記テープに接触することで、前記テープにおける前記洗浄液の濡れ広がりを規制する環状のリップ部を１つ以上有し、
前記基板保持部は、前記フレームカバーと前記テープとの剥離時に、前記フレームカバーの内周よりも外側かつ前記フレームよりも内側において、前記テープを前記フレームカバーとは反対側から保持する、洗浄装置。 A substrate holding part for holding the substrate attached to the tape fixed to the frame via the tape;
A rotation drive unit for rotating the substrate holding unit;
A liquid supply unit for supplying a cleaning liquid toward the substrate rotating together with the substrate holding unit;
A frame cover for protecting the frame from the cleaning liquid;
A frame cover fixing part for fixing the frame cover together with the frame to the substrate holding part;
The frame cover has one or more annular lip portions that regulate the wetting and spreading of the cleaning liquid in the tape by contacting the tape outside the substrate and inside the frame,
The substrate holding unit holds the tape from the opposite side of the frame cover outside the inner periphery of the frame cover and inside the frame when the frame cover and the tape are peeled off. .
少なくとも１つの前記リップ部は、前記テープを前記弾性リング部に押し込み、前記弾性リング部を弾性変形させる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の洗浄装置。 The substrate holding portion has an annular elastic ring portion outside the substrate held by the substrate holding portion and inside the frame,
The cleaning device according to claim 1, wherein at least one of the lip portions pushes the tape into the elastic ring portion to elastically deform the elastic ring portion.
前記洗浄装置として、請求項１〜６のいずれか１項に記載の洗浄装置を備える、剥離システム。 A peeling device that peels the superposed substrate bonded with the first substrate and the second substrate into the first substrate and the second substrate, and a cleaning device that cleans the bonded surface of the first substrate after peeling. A peeling system,
A peeling system comprising the cleaning device according to any one of claims 1 to 6 as the cleaning device.
前記準備工程の後に、前記基板保持部と共に回転する前記基板に対し洗浄液を供給すると共に前記フレームカバーによって前記フレームを前記洗浄液から保護する洗浄液供給工程と、
前記洗浄液供給工程の後に、前記基板保持部に保持された前記テープと前記フレームカバーとを剥離し、前記基板保持部による前記テープの保持を解除する回収工程とを有し、
前記フレームカバーは、前記基板よりも外側かつ前記フレームよりも内側において前記テープに接触することで、前記テープにおける前記洗浄液の濡れ広がりを規制する環状のリップ部を１つ以上有し、
前記基板保持部は、前記フレームカバーと前記テープとの剥離時に、前記フレームカバーの内周よりも外側かつ前記フレームよりも内側において、前記テープを前記フレームカバーとは反対側から保持する、洗浄方法。 A preparatory step for holding the substrate attached to the tape fixed to the frame on the substrate holding part via the tape and fixing the frame cover to the substrate holding part together with the frame;
After the preparation step, a cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to the substrate rotating together with the substrate holding unit and protecting the frame from the cleaning liquid by the frame cover;
After the cleaning liquid supply step, the tape held by the substrate holding unit and the frame cover are peeled off, and a recovery step of releasing the holding of the tape by the substrate holding unit,
The frame cover has one or more annular lip portions that regulate the wetting and spreading of the cleaning liquid in the tape by contacting the tape outside the substrate and inside the frame,
The substrate holding unit holds the tape from the opposite side of the frame cover outside the inner periphery of the frame cover and inside the frame when the frame cover and the tape are peeled off. .
少なくとも１つの前記リップ部は、前記テープを前記弾性リング部に押し込み、前記弾性リング部を弾性変形させる、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の洗浄方法。 The substrate holding portion has an annular elastic ring portion outside the substrate held by the substrate holding portion and inside the frame,
The cleaning method according to claim 8, wherein at least one of the lip portions pushes the tape into the elastic ring portion to elastically deform the elastic ring portion.
剥離後の前記第１基板の接合面を洗浄する洗浄工程とを備える剥離方法であって、
前記洗浄工程では、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の洗浄方法を用いる、剥離方法。 A peeling step of peeling the superposed substrate bonded with the first substrate and the second substrate into the first substrate and the second substrate;
And a cleaning step of cleaning the bonding surface of the first substrate after peeling,
In the said washing | cleaning process, the peeling method using the washing | cleaning method of any one of Claims 8-13.
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