JP2015088620A - Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。に関する。 The present invention relates to a peeling system for peeling a superposed substrate from a substrate to be processed and a support substrate, a peeling method using the peeling system, a program, and a computer storage medium. About.
近年、例えば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。 In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers have become larger and thinner. A large-diameter and thin semiconductor substrate may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after a support substrate is bonded to a semiconductor substrate and reinforced, a transport or polishing process is performed, and then a process of peeling the support substrate from the semiconductor substrate is performed.
例えば特許文献1は、被処理基板(半導体基板)と支持基板が接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムとして、2つの剥離システムを開示している。
For example,
1つ目の剥離システム(以下、「第1剥離システム」という。)は、被処理基板と重合基板が載置される第1の搬入出ステーションと、支持基板が載置される第2の搬入出ステーションと、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄装置と、剥離システム内で被処理基板、支持基板、重合基板を搬送する搬送装置とを有している。 The first peeling system (hereinafter referred to as “first peeling system”) includes a first carry-in / out station on which a substrate to be processed and a superposed substrate are placed, and a second carry-in on which a support substrate is placed. Deposition station, peeling device for peeling the polymerized substrate to the substrate to be processed and support substrate, cleaning device for cleaning the peeled substrate to be processed, and transport for transporting the substrate to be processed, support substrate, and polymerized substrate in the peeling system Device.
2つ目の剥離システム(以下、「第2剥離システム」という。)は、被処理基板、支持基板、重合基板が載置される搬入出ステーションと、被処理基板、支持基板、重合基板に対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーションと、搬入出ステーションと剥離処理ステーションとの間で、被処理基板、支持基板、重合基板を搬送する搬送装置を備えた搬送領域と、を有している。また、剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、剥離された被処理基板を洗浄する第1の洗浄装置と、剥離された支持基板を洗浄する第2の洗浄装置と、を有している。 The second stripping system (hereinafter referred to as “second stripping system”) includes a loading / unloading station on which a substrate to be processed, a support substrate, and a polymerization substrate are placed, and a substrate to be processed, a support substrate, and a polymerization substrate. A transfer region having a transfer device for transferring a substrate to be processed, a support substrate, and a superposed substrate between a peeling processing station having various processing devices for performing predetermined processing and a loading / unloading station and a peeling processing station; have. Further, the peeling processing station includes a peeling device that peels the superposed substrate into the substrate to be processed and the support substrate, a first cleaning device that cleans the peeled target substrate, and a second that cleans the peeled support substrate. And a cleaning device.
しかしながら、上述した特許文献1の第1剥離システムと第2剥離システムでは、1つの搬送装置で被処理基板、支持基板、重合基板をすべて搬送しているため、一の基板を搬送中、他の基板の処理が終了しているにも関わらず、当該他の基板の搬送待ちが生じる場合がある。したがって、剥離処理のスループットに改善の余地がある。
However, in the first peeling system and the second peeling system of
また、重合基板はダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されている場合がある。そして、重合基板と剥離後の被処理基板はダイシングフレームに保持された状態で搬送されるが、剥離後の支持基板はダイシングフレームに保持されずにそのままの状態で搬送される。かかる場合、第1剥離システムと第2剥離システムでは、1つの搬送装置で異なる形状のダイシングフレームと基板を搬送することになるため、その制御が複雑になる。 Moreover, the superposition | polymerization board | substrate may be hold | maintained at the cyclic | annular dicing frame via the dicing tape. The superposed substrate and the substrate to be processed after peeling are conveyed while being held by the dicing frame, but the supporting substrate after being peeled is conveyed without being held by the dicing frame. In such a case, in the first peeling system and the second peeling system, dicing frames and substrates having different shapes are transported by one transport device, so that the control becomes complicated.
なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うSOI(Silicon On Insulator)などの製造工程においても生じ得る課題である。 Such a problem is a problem that may also occur in a manufacturing process such as SOI (Silicon On Insulator) that involves peeling of the substrate.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行うことを目的とする。 This invention is made | formed in view of this point, and it aims at performing the peeling process of a to-be-processed substrate and a support substrate efficiently.
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、前記支持基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、前記第1処理ブロックは、前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、前記第2処理ブロックは、前記支持基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有することを特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a peeling system for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive, to the substrate to be processed and the support substrate, A first processing block that performs processing on the substrate to be processed; and a second processing block that performs processing on the support substrate. The first processing block is mounted with the superposed substrate and the substrate to be processed. A loading / unloading station; a peeling station having a peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the supporting substrate; a cleaning station having a cleaning device for cleaning the substrate to be processed; A first transfer region having a first transfer device for transferring the superposed substrate and the substrate to be processed between the peeling station and the cleaning station; Block is in the output station in which the supporting substrate is mounted, and a second transport region with a second transfer device for transferring the support substrate with respect to the output station, characterized in that it has a.
本発明によれば、第1処理ブロックにおいて、剥離システムの外部から搬入出ステーションに重合基板が搬入され、その後、剥離ステーションにおいて重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄ステーションにおいて剥離後の被処理基板を洗浄した後、前記搬入出ステーションから剥離システムの外部に被処理基板が搬出される。一方、第2処理ブロックでは、剥離ステーションで剥離された支持基板が搬出ステーションから剥離システムの外部に搬出される。このように重合基板及び被処理基板に対する処理と、支持基板に対する処理とは、それぞれ別個の第1処理ブロックと第2処理ブロックとで行われ、さらに重合基板及び被処理基板の搬送と、支持基板の搬送とは、それぞれ別個の第1搬送装置と第2搬送装置とで行われる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。 According to the present invention, in the first processing block, the superposed substrate is carried into the carry-in / out station from the outside of the peeling system, and then the superposed substrate is peeled off from the substrate to be processed and the support substrate at the peeling station, and further peeled off at the cleaning station After the subsequent substrate to be processed is cleaned, the substrate to be processed is unloaded from the loading / unloading station to the outside of the peeling system. On the other hand, in the second processing block, the support substrate peeled off at the peeling station is carried out of the peeling system from the carry-out station. As described above, the process for the superposed substrate and the substrate to be processed and the process for the support substrate are performed separately in the first processing block and the second process block, respectively. This transport is performed by a separate first transport device and second transport device. Therefore, it is possible to reduce the conventional waiting time for transporting the substrate and to improve the throughput of the peeling process.
また、重合基板(被処理基板)がダイシングフレームに保持される場合であっても、ダイシングフレームで保持された重合基板及び被処理基板の搬送と、ダイシングフレームに保持されない支持基板の搬送とは、それぞれ別個の第1搬送装置と第2搬送装置とで行われる。したがって、これら重合基板、被処理基板、支持基板を搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。 Further, even when the superposed substrate (substrate to be processed) is held by the dicing frame, the transport of the superposed substrate and the target substrate held by the dicing frame and the transport of the support substrate not held by the dicing frame are: This is performed by a separate first transport device and second transport device. Therefore, it is possible to simplify the control when the superposed substrate, the substrate to be processed, and the support substrate are transported, and to efficiently perform the peeling process.
前記第2処理ブロックは、第1受渡ステーションと第2受渡ステーションとをさらに有し、前記第1受渡ステーションは、前記剥離ステーションと前記第2受渡ステーションとの間で前記支持基板を受け取る受渡装置を備え、前記第2受渡ステーションは、前記支持基板を載置する載置部と、前記載置部を水平方向に移動させる移動部とを備え、前記第1受渡ステーションと前記第2搬送領域との間で前記支持基板を受け渡してもよい。 The second processing block further includes a first delivery station and a second delivery station, and the first delivery station has a delivery device for receiving the support substrate between the peeling station and the second delivery station. The second delivery station comprises a placement part for placing the support substrate, and a moving part for moving the placement part in a horizontal direction, wherein the first delivery station and the second transfer area You may deliver the said support substrate between.
前記第1処理ブロックは、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去する周縁部処理装置を備えた周縁部処理ステーションをさらに有していてもよい。 The first processing block may further include a peripheral edge processing station including a peripheral edge processing device for removing a peripheral edge of the adhesive on the superposed substrate.
前記第1処理ブロックは、前記被処理基板の状態を検査する検査装置をさらに有していてもよい。 The first processing block may further include an inspection device that inspects the state of the substrate to be processed.
前記第2処理ブロックは、前記支持基板を洗浄する他の洗浄装置を備えた他の洗浄ステーションをさらに有していてもよい。 The second processing block may further include another cleaning station provided with another cleaning device for cleaning the support substrate.
前記第1処理ブロック内の圧力は、前記第2処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、前記第1処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第1搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であってもよい。 The pressure in the first processing block is positive with respect to the pressure in the second processing block, and in the first processing block, the pressure in the loading / unloading station and the first transfer area is It may be positive with respect to the pressure of the peeling station and the cleaning station.
前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されてもよい。 The superposed substrate and the substrate to be processed may be respectively held on an annular dicing frame via a dicing tape.
別な観点による本発明は、剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離システムは、前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、前記支持基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、前記第1処理ブロックは、前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、前記第2処理ブロックは、前記支持基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有し、前記剥離方法は、前記搬入出ステーションに前記重合基板を搬入する搬入工程と、前記剥離ステーションにおいて、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離工程と、前記洗浄ステーションにおいて、前記剥離工程で剥離された前記被処理基板を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄された被処理基板を前記搬入出ステーションから搬出する第1搬出工程と、前記剥離工程で剥離された前記支持基板を前記搬出ステーションから搬出する第2搬出工程と、を有することを特徴としている。 According to another aspect of the present invention, there is provided a peeling method for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive using a peeling system to the substrate to be processed and the support substrate, the peeling system. Includes a first processing block that performs processing on the superposed substrate and the substrate to be processed, and a second processing block that performs processing on the support substrate, and the first processing block includes the superposed substrate and the target substrate. A loading / unloading station on which a processing substrate is placed, a peeling station having a peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate, and a cleaning station having a cleaning device for cleaning the substrate to be processed And a first transfer device including a first transfer device for transferring the superposed substrate and the substrate to be processed between the carry-in / out station, the peeling station and the cleaning station. The second processing block includes a carry-out station on which the support substrate is placed, and a second transfer region including a second transfer device that transfers the support substrate to the carry-out station; The peeling method includes a carrying-in step of carrying the superposed substrate into the carry-in / out station, a peeling step of peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate at the peeling station, In the cleaning station, in the cleaning step of cleaning the substrate to be processed peeled off in the peeling step, the first unloading step of unloading the substrate to be processed cleaned in the cleaning step from the carry-in / out station, and the peeling step A second unloading step of unloading the peeled support substrate from the unloading station.
前記搬入工程後であって前記剥離工程前に、前記第1処理ブロックに設けられた周縁部処理ステーションにおいて、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去してもよい。 After the carrying-in process and before the peeling process, a peripheral edge portion of the adhesive on the superposed substrate may be removed at a peripheral edge processing station provided in the first processing block.
前記洗浄工程後であって前記第1搬出工程前に、検査装置において、前記被処理基板の状態を検査してもよい。 You may test | inspect the state of the said to-be-processed substrate in a test | inspection apparatus after the said washing | cleaning process and before the said 1st carrying-out process.
前記剥離工程後であって前記第2搬出工程前に、前記第2処理ブロックに設けられた他の洗浄ステーションにおいて、前記支持基板を洗浄してもよい。 The support substrate may be cleaned in another cleaning station provided in the second processing block after the peeling step and before the second unloading step.
前記第1処理ブロック内の圧力は、前記第2処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、前記第1処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第1搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であってもよい。 The pressure in the first processing block is positive with respect to the pressure in the second processing block, and in the first processing block, the pressure in the loading / unloading station and the first transfer area is It may be positive with respect to the pressure of the peeling station and the cleaning station.
前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されてもよい。 The superposed substrate and the substrate to be processed may be respectively held on an annular dicing frame via a dicing tape.
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるように、当該剥離システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control device that controls the peeling system so that the peeling method is executed by the peeling system.
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。 According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.
本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行うことができる。 According to the present invention, it is possible to efficiently perform a separation process between a substrate to be processed and a support substrate.
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.
先ず、本実施形態に係る剥離システムの構成について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図3は、同重合基板の模式平面図である。 First, the structure of the peeling system which concerns on this embodiment is demonstrated with reference to FIGS. 1-3. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic side view of the superposed substrate held on the dicing frame, and FIG. 3 is a schematic plan view of the superposed substrate.
なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。 In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is the vertically upward direction.
図1に示す本実施形態に係る剥離システム1は、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gで接合された重合基板T(図2参照)を、被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。
The
以下では、図2に示すように、被処理基板Wの板面のうち、接着剤Gを介して支持基板Sと接合される側の板面を「接合面Wj」といい、接合面Wjとは反対側の板面を「非接合面Wn」という。また、支持基板Sの板面のうち、接着剤Gを介して被処理基板Wと接合される側の板面を「接合面Sj」といい、接合面Sjとは反対側の板面を「非接合面Sn」という。 In the following, as shown in FIG. 2, the plate surface of the substrate to be processed W that is bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and the bonding surface Wj Is referred to as the “non-bonding surface Wn”. In addition, among the plate surfaces of the support substrate S, the plate surface on the side bonded to the substrate W to be processed via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and the plate surface on the opposite side to the bonding surface Sj is referred to as “ This is referred to as “non-joint surface Sn”.
被処理基板Wは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Wjとしている。また、被処理基板Wは、例えば非接合面Wnが研磨処理されることによって薄化されている。具体的には、被処理基板Wの厚さは、約20〜50μmである。 The substrate W to be processed is a substrate in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and a plate surface on the side where the electronic circuits are formed is used as a bonding surface Wj. Further, the substrate to be processed W is thinned by polishing the non-joint surface Wn, for example. Specifically, the thickness of the substrate W to be processed is about 20 to 50 μm.
一方、支持基板Sは、被処理基板Wと略同径の基板であり、被処理基板Wを支持する。支持基板Sの厚みは、約650〜750μmである。かかる支持基板Sとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板W及び支持基板Sを接合する接着剤Gの厚みは、約40〜150μmである。 On the other hand, the support substrate S is a substrate having substantially the same diameter as the substrate W to be processed, and supports the substrate W to be processed. The thickness of the support substrate S is about 650 to 750 μm. As this support substrate S, a glass substrate etc. other than a silicon wafer can be used. The thickness of the adhesive G that joins the substrate to be processed W and the support substrate S is about 40 to 150 μm.
また、図3に示すように、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定される。ダイシングフレームFは、重合基板Tよりも大径の開口部Faを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームFの厚みは、例えば1mm程度である。 Further, as shown in FIG. 3, the superposed substrate T is fixed to the dicing frame F. The dicing frame F is a substantially annular member having an opening Fa having a diameter larger than that of the superposed substrate T at the center, and is formed of a metal such as stainless steel. The thickness of the dicing frame F is, for example, about 1 mm.
重合基板Tは、かかるダイシングフレームFにダイシングテープPを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームFの開口部Faに重合基板Tを配置し、開口部Faを裏面から塞ぐように被処理基板Wの非接合面Wn及びダイシングフレームFの裏面にダイシングテープPを貼り付ける。これにより、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定(保持)された状態となる。 The superposed substrate T is fixed to the dicing frame F via the dicing tape P. Specifically, the superposed substrate T is disposed in the opening Fa of the dicing frame F, and the dicing tape P is attached to the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed and the back of the dicing frame F so as to close the opening Fa from the back. wear. As a result, the superposed substrate T is fixed (held) to the dicing frame F.
図1に示すように、剥離システム1は、第1処理ブロック10及び第2処理ブロック20の2つの処理ブロックを備える。第1処理ブロック10と第2処理ブロック20とは、第2処理ブロック20及び第1処理ブロック10の順にX軸方向に隣接して配置される。
As shown in FIG. 1, the
第1処理ブロック10では、重合基板Tの搬入、重合基板Tの剥離処理、剥離後の被処理基板Wの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第1処理ブロック10は、ダイシングフレームFによって保持される基板(重合基板Tと被処理基板W)に対する処理を行うブロックである。かかる第1処理ブロック10は、搬入出ステーション11と、待機ステーション12と、第1搬送領域13と、剥離ステーション14と、洗浄ステーション15とを備える。
In the
搬入出ステーション11、待機ステーション12、剥離ステーション14及び洗浄ステーション15は、第1搬送領域13に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション11と待機ステーション12とは、第1搬送領域13のY軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション14の一の剥離装置141と洗浄ステーション15の2つの洗浄装置151、152とは、第1搬送領域13のY軸正方向側に並べて配置される。また、剥離ステーション14の他の剥離装置142は、第1搬送領域13のX軸負方向側に配置される。
The carry-in / out
搬入出ステーション11には、複数のカセット載置台111が設けられており、各カセット載置台111には、重合基板Tが収容されるカセットCt又は剥離後の被処理基板Wが収容されるカセットCwが載置される。そして、搬入出ステーション11では、これらカセットCtとカセットCwが外部との間で搬入出される。
The loading / unloading
待機ステーション12には、例えばダイシングフレームFのID(Identification)の読み取りを行うID読取装置が配置され、かかるID読取装置によって、処理中の重合基板Tを識別することができる。なお、待機ステーション12では、上記のID読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Tを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション12には、後述する第1搬送装置131によって搬送された重合基板Tが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ID読取装置と一時待機部とが載置される。
In the
第1搬送領域13には、重合基板T又は剥離後の被処理基板Wの搬送を行う第1搬送装置131が配置される。第1搬送装置131は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第1搬送領域13では、かかる第1搬送装置131により、重合基板Tを待機ステーション12及び剥離ステーション14へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Wを洗浄ステーション15及び搬入出ステーション11へ搬送する処理が行われる。
In the
剥離ステーション14には、2つの剥離装置141、142が配置される。剥離ステーション14では、かかる剥離装置141、142によって、重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する剥離処理が行われる。具体的には剥離装置141、142では、被処理基板Wを下側に配置し且つ支持基板Sを上側に配置した状態で、重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。剥離装置141、142としては、例えば特開2013−016579号公報に記載の剥離装置を用いることができる。なお、剥離ステーション14に配置される剥離装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の剥離装置141、142は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。
Two peeling
洗浄ステーション15には、2つの洗浄装置151、152が配置される。洗浄ステーション15では、かかる洗浄装置151、152によって、剥離後の被処理基板WをダイシングフレームFに保持された状態で洗浄する洗浄処理が行われる。洗浄装置151、152としては、例えば特開2013−016579号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。なお、洗浄ステーション15に配置される洗浄装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の洗浄装置151、152は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。
Two
また、第2処理ブロック20では、剥離後の支持基板Sの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第2処理ブロック20は、ダイシングフレームFによって保持されていない基板(支持基板S)に対する処理を行うブロックである。かかる第2処理ブロック20は、第1受渡ステーション21と、第2受渡ステーション22と、第2搬送領域23と、搬出ステーション24とを備える。
In the
第1受渡ステーション21は、剥離ステーション14の剥離装置141のX方向負方向側であって、剥離装置142のY方向正方向側に配置される。また、第2受渡ステーション22及び搬出ステーション24は、第2搬送領域23に隣接して配置される。具体的には、第2受渡ステーション22は第2搬送領域23のY軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション24は第2搬送領域23のY軸負方向側に並べて配置される。
The
第1受渡ステーション21では、剥離ステーション14の剥離装置141、142から剥離後の支持基板Sを受け取って第2受渡ステーション22へ渡す受渡処理が行われる。第1受渡ステーション21には、受渡装置211が配置される。受渡装置211は、例えばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有し、この非接触保持部は水平軸回りに回動自在に構成されている。具体的に受渡装置211としては、例えば特開2013−016579号公報に記載の搬送装置を用いることができる。そして受渡装置211は、剥離後の支持基板Sの表裏面を反転させつつ、剥離装置141、142から第2処理ブロック20へ支持基板Sを非接触で搬送する。
At the
第2受渡ステーション22には、支持基板Sを載置する載置部221と、載置部221をY方向に移動させる移動部222とが配置される。載置部221は、例えば3つの支持ピンを備え、支持基板Sの非接合面Snを支持して載置する。移動部222は、Y方向に延伸するレールと、載置部221をY方向に移動させる駆動部とを備える。第2受渡ステーション22では、第1受渡ステーション21の受渡装置211から載置部221に支持基板Sが載置された後、移動部222によって載置部221を第2搬送領域23側に移動させる。そして、載置部221から後述する第2搬送領域23の第2搬送装置231に支持基板Sが受け渡される。なお、本実施形態では、載置部221はY方向のみに移動するが、これに加えてX方向にも移動可能に構成されていてもよい。
In the
なお、上述した第1受渡ステーション21の受渡装置211はベルヌーイチャック等の非接触保持部で支持基板Sを保持するため、搬送信頼性は高くない。このため、受渡装置211から後述する第2搬送領域23の第2搬送装置231に支持基板Sを直接受け渡そうとすると、当該支持基板Sを取り落す可能性がある。そこで、本実施形態では、第1受渡ステーション21と第2搬送領域23との間に第2受渡ステーション22を設け、当該第2受渡ステーション22で一旦支持基板Sを載置している。
In addition, since the
第2搬送領域23には、剥離後の支持基板Sの搬送を行う第2搬送装置231が配置される。第2搬送装置231は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第2搬送領域23では、かかる第2搬送装置231により、剥離後の支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理が行われる。
In the
搬出ステーション24には、複数のカセット載置台241が設けられており、各カセット載置台241には、剥離後の支持基板Sが収容されるカセットCsが載置される。そして、搬入出ステーション11では、このカセットCsが外部との間で搬出される。
The unloading
また、剥離システム1は、制御装置30を備える。制御装置30は、剥離システム1の動作を制御する装置である。かかる制御装置30は、例えばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム1の動作を制御する。
Further, the
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置30の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium and installed in the storage unit of the
次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理基板Wと支持基板Sの剥離処理方法について説明する。図4は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図5は、重合基板Tの搬送順路を示す模式図であり、図6は、被処理基板W及び支持基板Sの搬送順路を示す模式図である。なお、剥離システム1は、制御装置30の制御に基づき、図4に示す各処理手順を実行する。
Next, the peeling processing method of the to-be-processed substrate W and the support substrate S performed using the
先ず、複数枚の重合基板Tを収容したカセットCtと、空のカセットCwとが、搬入出ステーション11の所定のカセット載置台111に載置されると共に、空のカセットCsが、搬出ステーション24の所定のカセット載置台241に載置される。そして、剥離システム1では、第1処理ブロック10の第1搬送装置131が、搬入出ステーション11に載置されたカセットCtから重合基板Tを取り出す。このとき、重合基板Tは、被処理基板Wが下面に位置し、支持基板Sが上面に位置した状態で、第1搬送装置131の基板保持部に上方から保持される。そして、第1搬送装置131は、カセットCtから取り出した重合基板Tを待機ステーション12へ搬入する基板搬入処理を行う(図4のステップS101、図5のT1参照)。
First, a cassette Ct containing a plurality of superposed substrates T and an empty cassette Cw are placed on a predetermined cassette mounting table 111 of the carry-in / out
続いて、待機ステーション12では、ID読取装置が、ダイシングフレームFのIDを読み取るID読取処理を行う(図4のステップS102)。ID読取装置によって読み取られたIDは、制御装置30へ送信される。その後、重合基板Tは、第1搬送装置131によって待機ステーション12から取り出されて、剥離ステーション14の剥離装置141へ搬入される(図5のT2参照)。
Subsequently, in the
なお、例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Tが生じる場合には、待機ステーション12に設けられた一時待機部を用いて重合基板Tを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
In addition, for example, when a superposed substrate T waiting for processing is generated due to a difference in processing time between apparatuses, the superposed substrate T can be temporarily kept waiting using a temporary standby unit provided in the
剥離ステーション14では、剥離装置141が、重合基板Tに対して剥離処理を行う。かかる剥離処理により、重合基板Tは、被処理基板Wと支持基板Sとに分離される(図4のステップS103)。
In the peeling
その後、剥離システム1では、剥離後の被処理基板Wについての処理が第1処理ブロック10で行われ、剥離後の支持基板Sについての処理が第2処理ブロック20で行われる。なお、剥離後の被処理基板Wは、ダイシングフレームFによって保持されている。
Thereafter, in the
第1処理ブロック10では、剥離後の被処理基板Wは、第1搬送装置131によって剥離ステーション14の剥離装置141から取り出されて、洗浄ステーション15の洗浄装置151へ搬入される(図5のW1参照)。洗浄ステーション15では、洗浄装置151が、剥離後の被処理基板Wに対して洗浄処理を行う。かかる洗浄処理によって、被処理基板Wの接合面Wjに残存する接着剤Gが除去される(図4のステップS104)。
In the
洗浄処理後の被処理基板Wは、第1搬送装置131によって洗浄ステーション15の洗浄装置151から取り出されて、搬入出ステーション11に載置されたカセットCwに収容される(図5のW2参照)。その後、複数の被処理基板Wを収容したカセットCwは、搬入出ステーション11から搬出されて、回収される(図4のステップS105)。こうして、被処理基板Wについての処理が終了する。
The substrate to be processed W after the cleaning processing is taken out from the
一方、第2処理ブロック20では、ステップS104及びステップS105の処理と並行して、剥離後の支持基板Sに対する処理(後述するステップS106及びステップS107)が行われる。
On the other hand, in the
第2処理ブロック20では、先ず、第1受渡ステーション21の受渡装置211が、剥離後の支持基板Sの受渡処理を行う。具体的には、受渡装置211が、剥離後の支持基板Sを剥離ステーション14の剥離装置141から取り出して(図5のS1参照)、第2受渡ステーション22へ搬入する(図4のステップS106、図5のS2参照)。
In the
ここで、剥離後の支持基板Sは、剥離装置141によって上面側すなわち非接合面Sn側が保持された状態となっており、受渡装置211は、支持基板Sの接合面Sj側を下方から非接触で保持する。その後、受渡装置211は、保持した支持基板Sを反転させたうえで、第2受渡ステーション22の載置部221へ載置する。これにより、支持基板Sは、接合面Sjを上方に向けた状態で載置部221に載置される。
Here, the support substrate S after peeling is in a state where the upper surface side, that is, the non-joint surface Sn side is held by the
第2受渡ステーション22では、支持基板Sが載置された載置部221が移動部222によって第2搬送領域23側の所定の位置まで移動する。この所定の位置とは、第2搬送装置231の搬送アーム部が載置部221上の支持基板Sを受け取ることができる位置である。
In the
続いて、支持基板Sは、第2搬送装置231によって第2受渡ステーション22から取り出されて、搬出ステーション24に載置されたカセットCsに収容される(図5のS3参照)。その後、複数の支持基板Sを収容したカセットCsは、搬出ステーション24から搬出されて、回収される(図4のステップS107)。こうして、支持基板Sについての処理も終了する。
Subsequently, the support substrate S is taken out from the
以上のように本実施形態に係る剥離システム1は、重合基板T及び被処理基板Wに対する処理を行う第1処理ブロック10と、支持基板Sに対する処理を行う第2処理ブロック20とを備える。このため、重合基板T及び被処理基板Wに対する処理と、支持基板Sに対す処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。より具体的には、本実施形態に係る剥離システム1は、ダイシングフレームFに保持された基板(重合基板T及び剥離後の被処理基板W)用のフロントエンド(搬入出ステーション11及び第1搬送領域13)と、ダイシングフレームFに保持されない基板(剥離後の支持基板S)用のフロントエンド(搬出ステーション24及び第2搬送領域23)とを備える。これにより、被処理基板Wを搬入出ステーション11へ搬送する処理と、支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。
As described above, the
また、本実施形態によれば、重合基板Tと被処理基板WがダイシングフレームFに保持されていても、ダイシングフレームFで保持された重合基板T及び被処理基板Wの搬送と、ダイシングフレームFに保持されない支持基板Sの搬送とは、それぞれ別個の第1搬送装置131と第2搬送装置231とで行われる。したがって、従来のように1つの搬送装置でダイシングフレームに保持された基板とダイシングフレームに保持されない基板を搬送する場合に比べて、本実施形態では、重合基板T、被処理基板W、支持基板Sを搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。
Further, according to the present embodiment, even if the superposed substrate T and the substrate to be processed W are held by the dicing frame F, the superposed substrate T and the substrate to be processed W held by the dicing frame F are transported and the dicing frame F is used. The transfer of the support substrate S not held by the first and
さらに、本実施形態に係る剥離システム1では、剥離ステーション14と第2搬送領域23とが第1受渡ステーション21と第2受渡ステーション22を介して接続される。これにより、第1搬送領域13を経由することなく、剥離後の支持基板Sを剥離ステーション14から第2搬送領域23へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Sの搬送を円滑に行うことができる。
Furthermore, in the
しかも、第2受渡ステーション22は、第2受渡ステーションは、支持基板Sを載置する載置部221と、載置部221を水平方向に移動させる移動部222とを備える。これにより、第1受渡ステーション21と第2搬送領域23との間で支持基板Sを受け渡す際、支持基板Sを載置した載置部221を移動できるので、当該第1受渡ステーション21の受渡装置211の非接触保持部や第2搬送領域23の第2搬送装置231の搬送アーム部を伸長させる必要がない。したがって、第1受渡ステーション21と第2搬送領域23の専有面積を小さくでき、剥離システム1全体の専有面積を小さくすることができる。
And the
次に、以上のように構成された剥離システム1において重合基板Tの剥離処理を行う際、当該剥離システム1内に生じる気流について図7に基づいて説明する。なお、図7中の矢印は気流の向きを示している。
Next, the air flow generated in the
剥離システム1では、第1処理ブロック10内において、搬入出ステーション11、待機ステーション12及び第1搬送領域13内の圧力は、剥離ステーション14と洗浄ステーション15内の圧力に対して陽圧になる。そうすると、第1搬送領域13から剥離ステーション14と洗浄ステーション15に向かう気流が生じ、剥離ステーション14と洗浄ステーション15から第1搬送領域13に雰囲気が流出しない。このため、剥離ステーション14において重合基板Tの剥離処理を行う際に発生するパーティクルや、洗浄ステーション15において被処理基板Wの洗浄処理を行う際に発生するパーティクルが、第1搬送領域13側に拡散するのを抑制できる。したがって、搬入出ステーション11、待機ステーション12及び第1搬送領域13内を清浄に保つことができ、剥離前の重合基板Tや剥離後の被処理基板Wにパーティクルが付着するのを抑制できる。また、製品の歩留まりの低下を抑制することもできる。
In the
また、第1処理ブロック10内の圧力が第2処理ブロック20内に対して陽圧になる。すなわち、剥離ステーション14内の圧力は、第1受渡ステーション21内の圧力に対して陽圧になる。そうすると、剥離ステーション14から第1受渡ステーション21に向かう気流が生じる。
Further, the pressure in the
さらに、第2処理ブロック20内においては、第1受渡ステーション21の圧力は、第2受渡ステーション22、第2搬送領域23及び搬出ステーション24に対して陽圧になる。そうすると、第1受渡ステーション21から第2受渡ステーション22に向かう気流が生じる。
Further, in the
このように剥離ステーション14から第1受渡ステーション21を介して第2受渡ステーション22に向かう気流が生じ、第2受渡ステーション22と第1受渡ステーション21内の雰囲気が剥離ステーション14に流出しない。これにより、剥離ステーション14内に不要なパーティクルが流入するのを抑制でき、当該剥離ステーション14における剥離処理を適切に行うことができる。なお、剥離後の支持基板Sは、第2処理ブロック20の搬出ステーション24から外部に搬出された後に洗浄されるため、必ずしも第2処理ブロック20内の雰囲気を清浄に保つ必要はない。かかる観点からも、第1処理ブロック10内の圧力を第2処理ブロック20内に対して陽圧するのがよい。
In this way, an air flow from the peeling
次に、剥離システム1の他の実施形態について説明する。
Next, another embodiment of the
図8に示すように剥離システム1は、重合基板Tにおける接着剤Gの周縁部を除去する周縁部処理ステーション16を有していてもよい。周縁部処理ステーション16は、第1処理ブロック10において、第1搬送領域13のX軸正方向側に配置される。
As shown in FIG. 8, the
周縁部処理ステーション16には、周縁部処理装置が配置される。周縁部処理装置は、重合基板Tにおける接着剤Gの周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。なお、周縁部処理装置は、例えば重合基板Tを接着剤Gの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Gの周縁部を溶剤によって溶解させる。
In the peripheral
かかる周縁部処理ステーション16におけるエッジカット処理は、図4に示したステップS102とステップS103の間で行われる。すなわち、ステップS102において待機ステーション12でID読取処理が行われた後、重合基板Tは、第1搬送装置131によって待機ステーション12から取り出されて、周縁部処理ステーション16へ搬入される。そして、周縁部処理ステーション16において、重合基板Tに対するエッジカット処理が行われる。かかるエッジカット処理によって接着剤Gの周縁部が除去されることにより、後段のステップS103の剥離処理において被処理基板Wと支持基板Sとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。
The edge cut processing at the peripheral
このように本実施形態にかかる剥離システム1では、周縁部処理ステーション16が第1処理ブロック10に組み込まれているため、第1処理ブロック10へ搬入された重合基板Tを第1搬送装置131を用いて周縁部処理ステーション16へ直接搬入することができる。したがって、一連の剥離処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。
As described above, in the
また、図9に示すように剥離システム1は、剥離後の被処理基板Wの状態を検査する検査装置17を有していてもよい。検査装置17は、第1処理ブロック10において、第1搬送領域13のX軸正方向側に配置される。
Moreover, as shown in FIG. 9, the
検査装置17では、剥離ステーション14で剥離された被処理基板W上の接着剤Gの残渣の有無が検査される。かかる検査は、例えばチャックに保持された被処理基板Wの接合面Wjを撮像することによって行われる。
In the
かかる検査装置17における被処理基板Wの検査は、図4に示したステップS104とステップS105の間で行われる。すなわち、ステップS104において洗浄ステーション15で被処理基板Wの洗浄処理が行われた後、洗浄後の被処理基板Wは、第1搬送装置131によって洗浄ステーション15から取り出されて、検査装置17へ搬入される。そして、検査装置17では、被処理基板Wにおける接着剤Gの残渣の有無が検査される。検査装置17において接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理基板Wは洗浄ステーション15に搬送され、当該被処理基板Wに対して再度洗浄処理が行われる。一方、検査装置17において接着剤Gの残渣が確認されなかった場合、被処理基板Wは搬入出ステーション11に搬送され、カセットCwに収容される。その後、ステップS105において、カセットCwは搬入出ステーション11から搬出されて、回収される。
The inspection of the target substrate W in the
このように本実施形態にかかる剥離システム1では、検査装置17が第1処理ブロック10に組み込まれているため、被処理基板Wの状態を検査することにより、被処理基板Wを適切な状態で外部に搬出することができる。したがって、製品の歩留まりを向上させることができる。
As described above, in the
なお、検査装置17における被処理基板Wの検査は、図4に示したステップS103とステップS104の間で行われてもよい。例えばステップS103において剥離ステーション14で重合基板Tの剥離処理が行われた後、剥離後の被処理基板Wには接着剤Gが残存していない場合もあり得る。かかる場合、剥離ステーション14から検査装置17に被処理基板Wを搬送し、被処理基板Wにおける接着剤Gの残渣の有無を検査すれば、当該接着剤Gの残渣は確認されず、後段のステップS104における被処理基板Wの洗浄処理を省略できる。
The inspection of the target substrate W in the
なお、検査装置17で行われる被処理基板Wの検査は、上述した被処理基板Wにおける接着剤Gの残渣の有無の検査に限定されない。例えば剥離後の被処理基板Wの欠陥等を検査してもよい。
The inspection of the substrate to be processed W performed by the
また、図10に示すように剥離システム1は、剥離後の支持基板Sの洗浄処理を行う他の洗浄ステーション25を有していてもよい。他の洗浄ステーション25は、第2処理ブロック20において、第2受渡ステーション22のX方向負方向側であって、第2搬送領域23のY軸正方向側に配置される。
Further, as shown in FIG. 10, the
他の洗浄ステーション25には、剥離後の支持基板Sを洗浄する他の洗浄装置が配置される。他の洗浄装置としては、例えば特開2013−016579号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。
In another cleaning
かかる他の洗浄ステーション25における洗浄処理は、図4に示したステップS106とステップS107の間で行われる。すなわち、ステップS106において、剥離ステーション14から第1受渡ステーション21を介して第2受渡ステーション22に剥離後の支持基板Sが受け渡された後、支持基板Sは、第2搬送装置231によって第2受渡ステーション22から取り出されて、他の洗浄ステーション25へ搬入される。そして、他の洗浄ステーション25では、他の洗浄装置が、剥離後の支持基板Sに対して洗浄処理を行う。かかる洗浄処理によって、支持基板Sの接合面Sjに残存する接着剤Gが除去される。洗浄後の支持基板Sは、搬出ステーション24に搬送され、カセットCsに収容される。その後、ステップS107において、カセットCsは搬入出ステーション11から搬出されて、回収される。
The cleaning process in the other cleaning
このように本実施形態にかかる剥離システム1では、他の洗浄ステーション25が第2処理ブロック20に組み込まれているため、支持基板Sを洗浄することにより、支持基板Sを清浄な状態で外部に搬出することができる。したがって、剥離システム1の外部での支持基板Sの処理や搬送を適切に行うことができる。
As described above, in the
なお、以上の剥離システム1において、第1処理ブロック10は、重合基板TにダイシングフレームFを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームFが取り付けられていない重合基板TをカセットCtから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板TにダイシングフレームFを取り付けた後、ダイシングフレームFに固定された重合基板Tを剥離ステーション14へ搬送することとなる。なお、マウント装置は、第1処理ブロック10の任意の位置に配置すればよい。
In the
また、以上の剥離システム1において、各処理ステーションの処理装置や搬送領域の配置は任意に設計することができ、水平方向に並べて配置してもよいし、鉛直方向に積層して配置してもよい。
Moreover, in the
また、上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gによって接合された重合基板Tである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Tに限定されない。例えば剥離ステーション14では、SOI基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
Further, in the embodiment described above, an example in which the superposed substrate to be peeled is the superposed substrate T in which the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded by the adhesive G has been described. However, the superposition | polymerization board | substrate used as the peeling object of a peeling apparatus is not limited to this superposition | polymerization board | substrate T. FIG. For example, in the peeling
ここで、SOI基板の製造方法について図11及び図12を参照して説明する。図11及び図12は、SOI基板の製造工程を示す模式図である。図11に示すように、SOI基板を形成するための重合基板Taは、ドナー基板Kとハンドル基板Hとを接合することによって形成される。 Here, a method for manufacturing an SOI substrate will be described with reference to FIGS. 11 and 12 are schematic views showing the manufacturing process of the SOI substrate. As shown in FIG. 11, the polymerization substrate Ta for forming the SOI substrate is formed by bonding a donor substrate K and a handle substrate H.
ドナー基板Kは、表面に絶縁膜6が形成されるとともに、ハンドル基板Hと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層7が形成された基板である。また、ハンドル基板Hとしては、例えばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。
The donor substrate K is a substrate in which the insulating
剥離ステーション14では、例えばドナー基板Kとハンドル基板Hをそれぞれ個別の保持部で保持した状態で、重合基板Taの外周部の一部を引っ張ることで、ドナー基板Kに形成された水素イオン注入層7に対して機械的衝撃を与える。これにより、図12に示すように、水素イオン注入層7内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Kからシリコン層8が剥離する。その結果、ハンドル基板Hの上面に絶縁膜6とシリコン層8とが転写され、SOI基板Waが形成される。
In the stripping
また、上述してきた実施形態では、被処理基板Wと支持基板Sとを接着剤Gを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Wj、Sjを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。 In the embodiment described above, the example in the case where the target substrate W and the support substrate S are bonded using the adhesive G has been described. However, the bonding surfaces Wj and Sj are divided into a plurality of regions, and each region is divided. Adhesives with different adhesive strengths may be applied.
また、上述した実施形態では、重合基板Tが、ダイシングフレームFに保持される場合の例について説明したが、重合基板Tは、必ずしもダイシングフレームFに保持されることを要しない。 In the above-described embodiment, an example in which the superposed substrate T is held by the dicing frame F has been described. However, the superposed substrate T is not necessarily held by the dicing frame F.
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
1 剥離システム
10 第1処理ブロック
11 搬入出ステーション
12 待機ステーション
13 第1搬送領域
14 剥離ステーション
15 洗浄ステーション
16 周縁部処理ステーション
17 検査装置
20 第2処理ブロック
21 第1受渡ステーション
22 第2受渡ステーション
23 第2搬送領域
24 搬出ステーション
25 他の洗浄ステーション
30 制御装置
131 第1搬送装置
141、142 剥離装置
151、152 洗浄装置
211 受渡装置
221 載置部
222 移動部
231 第2搬送装置
F ダイシングフレーム
P ダイシングテープ
S 支持基板
T 重合基板
W 被処理基板
DESCRIPTION OF
Claims (15)
前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、
前記支持基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、
前記第1処理ブロックは、
前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、
前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、
前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、
前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、
前記第2処理ブロックは、
前記支持基板が載置される搬出ステーションと、
前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有することを特徴とする、剥離システム。 A separation system for separating a substrate to be processed and a support substrate by bonding with a bonding agent, the substrate to be processed and the support substrate,
A first processing block for performing processing on the superposed substrate and the substrate to be processed;
A second processing block that performs processing on the support substrate,
The first processing block includes:
A loading / unloading station on which the superposed substrate and the substrate to be processed are placed;
A peeling station comprising a peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate;
A cleaning station including a cleaning device for cleaning the substrate to be processed;
A first transfer region including a first transfer device for transferring the superposed substrate and the substrate to be processed between the carry-in / out station, the peeling station, and the cleaning station;
The second processing block includes
A carry-out station on which the support substrate is placed;
And a second transfer region having a second transfer device for transferring the support substrate to the carry-out station.
前記第1受渡ステーションは、前記剥離ステーションと前記第2受渡ステーションとの間で前記支持基板を受け取る受渡装置を備え、
前記第2受渡ステーションは、前記支持基板を載置する載置部と、前記載置部を水平方向に移動させる移動部とを備え、前記第1受渡ステーションと前記第2搬送領域との間で前記支持基板を受け渡すことを特徴とする、請求項1に記載の剥離システム。 The second processing block further includes a first delivery station and a second delivery station,
The first delivery station comprises a delivery device for receiving the support substrate between the peeling station and the second delivery station;
The second delivery station includes a placement unit for placing the support substrate, and a moving unit for moving the placement unit in the horizontal direction, and between the first delivery station and the second transfer region. The peeling system according to claim 1, wherein the support substrate is delivered.
前記第1処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第1搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の剥離システム。 The pressure in the first processing block is positive with respect to the pressure in the second processing block,
In the first processing block, the pressure in the carry-in / out station and the first transfer region is a positive pressure with respect to the pressures in the peeling station and the cleaning station. The peeling system according to any one of the above.
前記剥離システムは、
前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、
前記支持基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、
前記第1処理ブロックは、
前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、
前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、
前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、
前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、
前記第2処理ブロックは、
前記支持基板が載置される搬出ステーションと、
前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有し、
前記剥離方法は、
前記搬入出ステーションに前記重合基板を搬入する搬入工程と、
前記剥離ステーションにおいて、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離工程と、
前記洗浄ステーションにおいて、前記剥離工程で剥離された前記被処理基板を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄された被処理基板を前記搬入出ステーションから搬出する第1搬出工程と、
前記剥離工程で剥離された前記支持基板を前記搬出ステーションから搬出する第2搬出工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。 A peeling method using a peeling system to peel a polymerization substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive, to the substrate to be processed and the support substrate,
The peeling system includes
A first processing block for performing processing on the superposed substrate and the substrate to be processed;
A second processing block that performs processing on the support substrate,
The first processing block includes:
A loading / unloading station on which the superposed substrate and the substrate to be processed are placed;
A peeling station comprising a peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate;
A cleaning station including a cleaning device for cleaning the substrate to be processed;
A first transfer region including a first transfer device for transferring the superposed substrate and the substrate to be processed between the carry-in / out station, the peeling station, and the cleaning station;
The second processing block includes
A carry-out station on which the support substrate is placed;
A second transfer area comprising a second transfer device for transferring the support substrate to the unloading station;
The peeling method includes:
A loading step of loading the superposed substrate into the loading / unloading station;
In the peeling station, a peeling step of peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate;
In the cleaning station, a cleaning step of cleaning the substrate to be processed peeled off in the peeling step;
A first unloading step of unloading the substrate to be processed cleaned in the cleaning step from the loading / unloading station;
A second unloading step of unloading the support substrate peeled in the peeling step from the unloading station.
前記第1処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第1搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか一項に記載の剥離方法。 The pressure in the first processing block is positive with respect to the pressure in the second processing block,
The pressure in the carry-in / out station and the first transfer area in the first processing block is a positive pressure with respect to the pressure in the peeling station and the cleaning station. The peeling method as described in any one.
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