JP2015088620A - Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium - Google Patents

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岩下 泰治
Taiji Iwashita
泰治 岩下
修 平河
Osamu Hirakawa
修 平河
昭徳 宮原
Akinori Miyahara
昭徳 宮原
隆司 古賀
Takashi Koga
隆司 古賀
田村 武
Takeshi Tamura
武 田村
亮 福冨
Akira Fukutomi
亮 福冨
正隆 松永
Masataka Matsunaga
正隆 松永
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently perform peeling processing between a processed substrate and a support substrate.SOLUTION: A peeling system 1 includes: a first processing block 10 for performing processing to a superposed substrate T and a processed substrate W; and a second processing block 20 for performing processing to a support substrate S. The first processing block 10 includes: a carry-in/carry-out station 11; a standby station 12; a first transfer region 13; a peeling station 14; and a cleaning station 15. The second processing block 20 includes a first delivery station 21, a second delivery station 22, a second transportation region 23, and a carry-out station 24.

Description

本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。に関する。   The present invention relates to a peeling system for peeling a superposed substrate from a substrate to be processed and a support substrate, a peeling method using the peeling system, a program, and a computer storage medium. About.

近年、例えば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。   In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers have become larger and thinner. A large-diameter and thin semiconductor substrate may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after a support substrate is bonded to a semiconductor substrate and reinforced, a transport or polishing process is performed, and then a process of peeling the support substrate from the semiconductor substrate is performed.

例えば特許文献1は、被処理基板(半導体基板)と支持基板が接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムとして、2つの剥離システムを開示している。   For example, Patent Document 1 discloses two peeling systems as a peeling system for peeling a superposed substrate in which a substrate to be processed (semiconductor substrate) and a supporting substrate are bonded to the substrate to be processed and the supporting substrate.

1つ目の剥離システム(以下、「第1剥離システム」という。)は、被処理基板と重合基板が載置される第1の搬入出ステーションと、支持基板が載置される第2の搬入出ステーションと、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄装置と、剥離システム内で被処理基板、支持基板、重合基板を搬送する搬送装置とを有している。   The first peeling system (hereinafter referred to as “first peeling system”) includes a first carry-in / out station on which a substrate to be processed and a superposed substrate are placed, and a second carry-in on which a support substrate is placed. Deposition station, peeling device for peeling the polymerized substrate to the substrate to be processed and support substrate, cleaning device for cleaning the peeled substrate to be processed, and transport for transporting the substrate to be processed, support substrate, and polymerized substrate in the peeling system Device.

2つ目の剥離システム(以下、「第2剥離システム」という。)は、被処理基板、支持基板、重合基板が載置される搬入出ステーションと、被処理基板、支持基板、重合基板に対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーションと、搬入出ステーションと剥離処理ステーションとの間で、被処理基板、支持基板、重合基板を搬送する搬送装置を備えた搬送領域と、を有している。また、剥離処理ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、剥離された被処理基板を洗浄する第1の洗浄装置と、剥離された支持基板を洗浄する第2の洗浄装置と、を有している。   The second stripping system (hereinafter referred to as “second stripping system”) includes a loading / unloading station on which a substrate to be processed, a support substrate, and a polymerization substrate are placed, and a substrate to be processed, a support substrate, and a polymerization substrate. A transfer region having a transfer device for transferring a substrate to be processed, a support substrate, and a superposed substrate between a peeling processing station having various processing devices for performing predetermined processing and a loading / unloading station and a peeling processing station; have. Further, the peeling processing station includes a peeling device that peels the superposed substrate into the substrate to be processed and the support substrate, a first cleaning device that cleans the peeled target substrate, and a second that cleans the peeled support substrate. And a cleaning device.

特開2013−016579号公報JP 2013-016579 A

しかしながら、上述した特許文献1の第1剥離システムと第2剥離システムでは、1つの搬送装置で被処理基板、支持基板、重合基板をすべて搬送しているため、一の基板を搬送中、他の基板の処理が終了しているにも関わらず、当該他の基板の搬送待ちが生じる場合がある。したがって、剥離処理のスループットに改善の余地がある。   However, in the first peeling system and the second peeling system of Patent Document 1 described above, the substrate to be processed, the support substrate, and the superposed substrate are all transported by one transport device. Although the processing of the substrate has been completed, there is a case where waiting for transport of the other substrate occurs. Therefore, there is room for improvement in the throughput of the peeling process.

また、重合基板はダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されている場合がある。そして、重合基板と剥離後の被処理基板はダイシングフレームに保持された状態で搬送されるが、剥離後の支持基板はダイシングフレームに保持されずにそのままの状態で搬送される。かかる場合、第1剥離システムと第2剥離システムでは、1つの搬送装置で異なる形状のダイシングフレームと基板を搬送することになるため、その制御が複雑になる。   Moreover, the superposition | polymerization board | substrate may be hold | maintained at the cyclic | annular dicing frame via the dicing tape. The superposed substrate and the substrate to be processed after peeling are conveyed while being held by the dicing frame, but the supporting substrate after being peeled is conveyed without being held by the dicing frame. In such a case, in the first peeling system and the second peeling system, dicing frames and substrates having different shapes are transported by one transport device, so that the control becomes complicated.

なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うSOI(Silicon On Insulator)などの製造工程においても生じ得る課題である。   Such a problem is a problem that may also occur in a manufacturing process such as SOI (Silicon On Insulator) that involves peeling of the substrate.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行うことを目的とする。   This invention is made | formed in view of this point, and it aims at performing the peeling process of a to-be-processed substrate and a support substrate efficiently.

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、前記支持基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、前記第1処理ブロックは、前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、前記第2処理ブロックは、前記支持基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有することを特徴としている。   In order to achieve the above object, the present invention provides a peeling system for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive, to the substrate to be processed and the support substrate, A first processing block that performs processing on the substrate to be processed; and a second processing block that performs processing on the support substrate. The first processing block is mounted with the superposed substrate and the substrate to be processed. A loading / unloading station; a peeling station having a peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the supporting substrate; a cleaning station having a cleaning device for cleaning the substrate to be processed; A first transfer region having a first transfer device for transferring the superposed substrate and the substrate to be processed between the peeling station and the cleaning station; Block is in the output station in which the supporting substrate is mounted, and a second transport region with a second transfer device for transferring the support substrate with respect to the output station, characterized in that it has a.

本発明によれば、第1処理ブロックにおいて、剥離システムの外部から搬入出ステーションに重合基板が搬入され、その後、剥離ステーションにおいて重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、さらに洗浄ステーションにおいて剥離後の被処理基板を洗浄した後、前記搬入出ステーションから剥離システムの外部に被処理基板が搬出される。一方、第2処理ブロックでは、剥離ステーションで剥離された支持基板が搬出ステーションから剥離システムの外部に搬出される。このように重合基板及び被処理基板に対する処理と、支持基板に対する処理とは、それぞれ別個の第1処理ブロックと第2処理ブロックとで行われ、さらに重合基板及び被処理基板の搬送と、支持基板の搬送とは、それぞれ別個の第1搬送装置と第2搬送装置とで行われる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。   According to the present invention, in the first processing block, the superposed substrate is carried into the carry-in / out station from the outside of the peeling system, and then the superposed substrate is peeled off from the substrate to be processed and the support substrate at the peeling station, and further peeled off at the cleaning station After the subsequent substrate to be processed is cleaned, the substrate to be processed is unloaded from the loading / unloading station to the outside of the peeling system. On the other hand, in the second processing block, the support substrate peeled off at the peeling station is carried out of the peeling system from the carry-out station. As described above, the process for the superposed substrate and the substrate to be processed and the process for the support substrate are performed separately in the first processing block and the second process block, respectively. This transport is performed by a separate first transport device and second transport device. Therefore, it is possible to reduce the conventional waiting time for transporting the substrate and to improve the throughput of the peeling process.

また、重合基板(被処理基板)がダイシングフレームに保持される場合であっても、ダイシングフレームで保持された重合基板及び被処理基板の搬送と、ダイシングフレームに保持されない支持基板の搬送とは、それぞれ別個の第1搬送装置と第2搬送装置とで行われる。したがって、これら重合基板、被処理基板、支持基板を搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。   Further, even when the superposed substrate (substrate to be processed) is held by the dicing frame, the transport of the superposed substrate and the target substrate held by the dicing frame and the transport of the support substrate not held by the dicing frame are: This is performed by a separate first transport device and second transport device. Therefore, it is possible to simplify the control when the superposed substrate, the substrate to be processed, and the support substrate are transported, and to efficiently perform the peeling process.

前記第2処理ブロックは、第1受渡ステーションと第2受渡ステーションとをさらに有し、前記第1受渡ステーションは、前記剥離ステーションと前記第2受渡ステーションとの間で前記支持基板を受け取る受渡装置を備え、前記第2受渡ステーションは、前記支持基板を載置する載置部と、前記載置部を水平方向に移動させる移動部とを備え、前記第1受渡ステーションと前記第2搬送領域との間で前記支持基板を受け渡してもよい。   The second processing block further includes a first delivery station and a second delivery station, and the first delivery station has a delivery device for receiving the support substrate between the peeling station and the second delivery station. The second delivery station comprises a placement part for placing the support substrate, and a moving part for moving the placement part in a horizontal direction, wherein the first delivery station and the second transfer area You may deliver the said support substrate between.

前記第1処理ブロックは、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去する周縁部処理装置を備えた周縁部処理ステーションをさらに有していてもよい。   The first processing block may further include a peripheral edge processing station including a peripheral edge processing device for removing a peripheral edge of the adhesive on the superposed substrate.

前記第1処理ブロックは、前記被処理基板の状態を検査する検査装置をさらに有していてもよい。   The first processing block may further include an inspection device that inspects the state of the substrate to be processed.

前記第2処理ブロックは、前記支持基板を洗浄する他の洗浄装置を備えた他の洗浄ステーションをさらに有していてもよい。   The second processing block may further include another cleaning station provided with another cleaning device for cleaning the support substrate.

前記第1処理ブロック内の圧力は、前記第2処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、前記第1処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第1搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であってもよい。   The pressure in the first processing block is positive with respect to the pressure in the second processing block, and in the first processing block, the pressure in the loading / unloading station and the first transfer area is It may be positive with respect to the pressure of the peeling station and the cleaning station.

前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されてもよい。   The superposed substrate and the substrate to be processed may be respectively held on an annular dicing frame via a dicing tape.

別な観点による本発明は、剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、前記剥離システムは、前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、前記支持基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、前記第1処理ブロックは、前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、前記第2処理ブロックは、前記支持基板が載置される搬出ステーションと、前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有し、前記剥離方法は、前記搬入出ステーションに前記重合基板を搬入する搬入工程と、前記剥離ステーションにおいて、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離工程と、前記洗浄ステーションにおいて、前記剥離工程で剥離された前記被処理基板を洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程で洗浄された被処理基板を前記搬入出ステーションから搬出する第1搬出工程と、前記剥離工程で剥離された前記支持基板を前記搬出ステーションから搬出する第2搬出工程と、を有することを特徴としている。   According to another aspect of the present invention, there is provided a peeling method for peeling a polymerized substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive using a peeling system to the substrate to be processed and the support substrate, the peeling system. Includes a first processing block that performs processing on the superposed substrate and the substrate to be processed, and a second processing block that performs processing on the support substrate, and the first processing block includes the superposed substrate and the target substrate. A loading / unloading station on which a processing substrate is placed, a peeling station having a peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate, and a cleaning station having a cleaning device for cleaning the substrate to be processed And a first transfer device including a first transfer device for transferring the superposed substrate and the substrate to be processed between the carry-in / out station, the peeling station and the cleaning station. The second processing block includes a carry-out station on which the support substrate is placed, and a second transfer region including a second transfer device that transfers the support substrate to the carry-out station; The peeling method includes a carrying-in step of carrying the superposed substrate into the carry-in / out station, a peeling step of peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate at the peeling station, In the cleaning station, in the cleaning step of cleaning the substrate to be processed peeled off in the peeling step, the first unloading step of unloading the substrate to be processed cleaned in the cleaning step from the carry-in / out station, and the peeling step A second unloading step of unloading the peeled support substrate from the unloading station.

前記搬入工程後であって前記剥離工程前に、前記第1処理ブロックに設けられた周縁部処理ステーションにおいて、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去してもよい。   After the carrying-in process and before the peeling process, a peripheral edge portion of the adhesive on the superposed substrate may be removed at a peripheral edge processing station provided in the first processing block.

前記洗浄工程後であって前記第1搬出工程前に、検査装置において、前記被処理基板の状態を検査してもよい。   You may test | inspect the state of the said to-be-processed substrate in a test | inspection apparatus after the said washing | cleaning process and before the said 1st carrying-out process.

前記剥離工程後であって前記第2搬出工程前に、前記第2処理ブロックに設けられた他の洗浄ステーションにおいて、前記支持基板を洗浄してもよい。   The support substrate may be cleaned in another cleaning station provided in the second processing block after the peeling step and before the second unloading step.

前記第1処理ブロック内の圧力は、前記第2処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、前記第1処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第1搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であってもよい。   The pressure in the first processing block is positive with respect to the pressure in the second processing block, and in the first processing block, the pressure in the loading / unloading station and the first transfer area is It may be positive with respect to the pressure of the peeling station and the cleaning station.

前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されてもよい。   The superposed substrate and the substrate to be processed may be respectively held on an annular dicing frame via a dicing tape.

また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるように、当該剥離システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control device that controls the peeling system so that the peeling method is executed by the peeling system.

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。   According to another aspect of the present invention, a readable computer storage medium storing the program is provided.

本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行うことができる。   According to the present invention, it is possible to efficiently perform a separation process between a substrate to be processed and a support substrate.

図1は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the present embodiment. 図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of a superposed substrate held by a dicing frame. 図3は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a superposed substrate held on a dicing frame. 図4は、剥離システムによって実行される剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a processing procedure of a peeling process executed by the peeling system. 図5は、重合基板の搬送順路を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing a transfer route of the superposed substrate. 図6は、被処理基板及び支持基板の搬送順路を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a transfer route of the substrate to be processed and the support substrate. 図7は、剥離システム内に生じる気流の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of airflow generated in the peeling system. 図8は、他の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 8 is a schematic plan view showing a configuration of a peeling system according to another embodiment. 図9は、他の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 9 is a schematic plan view showing a configuration of a peeling system according to another embodiment. 図10は、他の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing a configuration of a peeling system according to another embodiment. 図11は、SOI基板の製造工程を示す模式図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing a manufacturing process of the SOI substrate. 図12は、SOI基板の製造工程を示す模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram showing a manufacturing process of the SOI substrate.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

先ず、本実施形態に係る剥離システムの構成について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図3は、同重合基板の模式平面図である。   First, the structure of the peeling system which concerns on this embodiment is demonstrated with reference to FIGS. 1-3. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic side view of the superposed substrate held on the dicing frame, and FIG. 3 is a schematic plan view of the superposed substrate.

なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。   In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is the vertically upward direction.

図1に示す本実施形態に係る剥離システム1は、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gで接合された重合基板T(図2参照)を、被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。   The peeling system 1 according to the present embodiment shown in FIG. 1 includes a polymerization substrate T (see FIG. 2) in which a substrate to be processed W and a support substrate S are bonded with an adhesive G, a substrate to be processed W and a support substrate S. Peel off.

以下では、図2に示すように、被処理基板Wの板面のうち、接着剤Gを介して支持基板Sと接合される側の板面を「接合面Wj」といい、接合面Wjとは反対側の板面を「非接合面Wn」という。また、支持基板Sの板面のうち、接着剤Gを介して被処理基板Wと接合される側の板面を「接合面Sj」といい、接合面Sjとは反対側の板面を「非接合面Sn」という。   In the following, as shown in FIG. 2, the plate surface of the substrate to be processed W that is bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and the bonding surface Wj Is referred to as the “non-bonding surface Wn”. In addition, among the plate surfaces of the support substrate S, the plate surface on the side bonded to the substrate W to be processed via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and the plate surface on the opposite side to the bonding surface Sj is referred to as “ This is referred to as “non-joint surface Sn”.

被処理基板Wは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Wjとしている。また、被処理基板Wは、例えば非接合面Wnが研磨処理されることによって薄化されている。具体的には、被処理基板Wの厚さは、約20〜50μmである。   The substrate W to be processed is a substrate in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and a plate surface on the side where the electronic circuits are formed is used as a bonding surface Wj. Further, the substrate to be processed W is thinned by polishing the non-joint surface Wn, for example. Specifically, the thickness of the substrate W to be processed is about 20 to 50 μm.

一方、支持基板Sは、被処理基板Wと略同径の基板であり、被処理基板Wを支持する。支持基板Sの厚みは、約650〜750μmである。かかる支持基板Sとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板W及び支持基板Sを接合する接着剤Gの厚みは、約40〜150μmである。   On the other hand, the support substrate S is a substrate having substantially the same diameter as the substrate W to be processed, and supports the substrate W to be processed. The thickness of the support substrate S is about 650 to 750 μm. As this support substrate S, a glass substrate etc. other than a silicon wafer can be used. The thickness of the adhesive G that joins the substrate to be processed W and the support substrate S is about 40 to 150 μm.

また、図3に示すように、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定される。ダイシングフレームFは、重合基板Tよりも大径の開口部Faを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームFの厚みは、例えば1mm程度である。   Further, as shown in FIG. 3, the superposed substrate T is fixed to the dicing frame F. The dicing frame F is a substantially annular member having an opening Fa having a diameter larger than that of the superposed substrate T at the center, and is formed of a metal such as stainless steel. The thickness of the dicing frame F is, for example, about 1 mm.

重合基板Tは、かかるダイシングフレームFにダイシングテープPを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームFの開口部Faに重合基板Tを配置し、開口部Faを裏面から塞ぐように被処理基板Wの非接合面Wn及びダイシングフレームFの裏面にダイシングテープPを貼り付ける。これにより、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定(保持)された状態となる。   The superposed substrate T is fixed to the dicing frame F via the dicing tape P. Specifically, the superposed substrate T is disposed in the opening Fa of the dicing frame F, and the dicing tape P is attached to the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed and the back of the dicing frame F so as to close the opening Fa from the back. wear. As a result, the superposed substrate T is fixed (held) to the dicing frame F.

図1に示すように、剥離システム1は、第1処理ブロック10及び第2処理ブロック20の2つの処理ブロックを備える。第1処理ブロック10と第2処理ブロック20とは、第2処理ブロック20及び第1処理ブロック10の順にX軸方向に隣接して配置される。   As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes two processing blocks, a first processing block 10 and a second processing block 20. The first processing block 10 and the second processing block 20 are arranged adjacent to each other in the X-axis direction in the order of the second processing block 20 and the first processing block 10.

第1処理ブロック10では、重合基板Tの搬入、重合基板Tの剥離処理、剥離後の被処理基板Wの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第1処理ブロック10は、ダイシングフレームFによって保持される基板(重合基板Tと被処理基板W)に対する処理を行うブロックである。かかる第1処理ブロック10は、搬入出ステーション11と、待機ステーション12と、第1搬送領域13と、剥離ステーション14と、洗浄ステーション15とを備える。   In the first processing block 10, the superposed substrate T is carried in, the superposed substrate T is peeled off, and the target substrate W after being peeled is washed and carried out. That is, the first processing block 10 is a block that performs processing on the substrates (the superposed substrate T and the target substrate W) held by the dicing frame F. The first processing block 10 includes a carry-in / out station 11, a standby station 12, a first transfer region 13, a peeling station 14, and a cleaning station 15.

搬入出ステーション11、待機ステーション12、剥離ステーション14及び洗浄ステーション15は、第1搬送領域13に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション11と待機ステーション12とは、第1搬送領域13のY軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション14の一の剥離装置141と洗浄ステーション15の2つの洗浄装置151、152とは、第1搬送領域13のY軸正方向側に並べて配置される。また、剥離ステーション14の他の剥離装置142は、第1搬送領域13のX軸負方向側に配置される。   The carry-in / out station 11, the standby station 12, the peeling station 14, and the cleaning station 15 are disposed adjacent to the first transfer region 13. Specifically, the carry-in / out station 11 and the standby station 12 are arranged side by side on the Y-axis negative direction side of the first transfer region 13, and the two cleaning devices of the peeling station 14 and the cleaning station 15 are provided. 151 and 152 are arranged side by side on the Y axis positive direction side of the first transport region 13. Further, the other peeling device 142 of the peeling station 14 is disposed on the X-axis negative direction side of the first transfer region 13.

搬入出ステーション11には、複数のカセット載置台111が設けられており、各カセット載置台111には、重合基板Tが収容されるカセットCt又は剥離後の被処理基板Wが収容されるカセットCwが載置される。そして、搬入出ステーション11では、これらカセットCtとカセットCwが外部との間で搬入出される。   The loading / unloading station 11 is provided with a plurality of cassette mounting tables 111. Each cassette mounting table 111 has a cassette Ct in which the superposed substrate T is stored or a cassette Cw in which the substrate to be processed W after peeling is stored. Is placed. At the loading / unloading station 11, the cassette Ct and the cassette Cw are loaded / unloaded between the outside.

待機ステーション12には、例えばダイシングフレームFのID(Identification)の読み取りを行うID読取装置が配置され、かかるID読取装置によって、処理中の重合基板Tを識別することができる。なお、待機ステーション12では、上記のID読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Tを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション12には、後述する第1搬送装置131によって搬送された重合基板Tが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ID読取装置と一時待機部とが載置される。   In the standby station 12, for example, an ID reader for reading an ID (Identification) of the dicing frame F is arranged, and the overlapped substrate T being processed can be identified by the ID reader. In the standby station 12, in addition to the ID reading process described above, a standby process for temporarily waiting the superposed substrate T waiting for processing is performed as necessary. The standby station 12 is provided with a mounting table on which a superposed substrate T transferred by a first transfer device 131 described later is mounted. On the mounting table, an ID reader and a temporary standby unit are mounted. Is done.

第1搬送領域13には、重合基板T又は剥離後の被処理基板Wの搬送を行う第1搬送装置131が配置される。第1搬送装置131は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第1搬送領域13では、かかる第1搬送装置131により、重合基板Tを待機ステーション12及び剥離ステーション14へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Wを洗浄ステーション15及び搬入出ステーション11へ搬送する処理が行われる。   In the first transport region 13, a first transport device 131 that transports the overlapped substrate T or the substrate W after separation is disposed. The first transfer device 131 includes a transfer arm unit that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a substrate holding unit attached to the tip of the transfer arm unit. . In the first transport region 13, the first transport device 131 transports the superposed substrate T to the standby station 12 and the stripping station 14, and transports the target substrate W after stripping to the cleaning station 15 and the carry-in / out station 11. Processing is performed.

剥離ステーション14には、2つの剥離装置141、142が配置される。剥離ステーション14では、かかる剥離装置141、142によって、重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する剥離処理が行われる。具体的には剥離装置141、142では、被処理基板Wを下側に配置し且つ支持基板Sを上側に配置した状態で、重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。剥離装置141、142としては、例えば特開2013−016579号公報に記載の剥離装置を用いることができる。なお、剥離ステーション14に配置される剥離装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の剥離装置141、142は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。   Two peeling devices 141 and 142 are arranged in the peeling station 14. In the peeling station 14, a peeling process for peeling the superposed substrate T into the target substrate W and the support substrate S is performed by the peeling devices 141 and 142. Specifically, the peeling apparatuses 141 and 142 peel the superposed substrate T into the target substrate W and the support substrate S in a state where the target substrate W is disposed on the lower side and the support substrate S is disposed on the upper side. As the peeling devices 141 and 142, for example, a peeling device described in JP2013-016579A can be used. In addition, the number of the peeling apparatuses arrange | positioned in the peeling station 14 is not limited to this embodiment, It can set arbitrarily. Moreover, although the peeling apparatuses 141 and 142 of the present embodiment are arranged side by side in the horizontal direction, they may be arranged in a stacked manner in the vertical direction.

洗浄ステーション15には、2つの洗浄装置151、152が配置される。洗浄ステーション15では、かかる洗浄装置151、152によって、剥離後の被処理基板WをダイシングフレームFに保持された状態で洗浄する洗浄処理が行われる。洗浄装置151、152としては、例えば特開2013−016579号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。なお、洗浄ステーション15に配置される洗浄装置の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、本実施形態の洗浄装置151、152は水平方向に並べて配置していたが、これらを鉛直方向に積層して配置してもよい。   Two cleaning devices 151 and 152 are arranged in the cleaning station 15. In the cleaning station 15, a cleaning process is performed in which the substrate to be processed W after being peeled is cleaned while being held on the dicing frame F by the cleaning devices 151 and 152. As the cleaning devices 151 and 152, for example, a cleaning device described in JP2013-016579A can be used. Note that the number of cleaning devices arranged in the cleaning station 15 is not limited to this embodiment, and can be set arbitrarily. Moreover, although the washing | cleaning apparatus 151,152 of this embodiment has been arrange | positioned along with the horizontal direction, you may laminate | stack and arrange these in the perpendicular direction.

また、第2処理ブロック20では、剥離後の支持基板Sの洗浄及び搬出等が行われる。すなわち、第2処理ブロック20は、ダイシングフレームFによって保持されていない基板(支持基板S)に対する処理を行うブロックである。かかる第2処理ブロック20は、第1受渡ステーション21と、第2受渡ステーション22と、第2搬送領域23と、搬出ステーション24とを備える。   In the second processing block 20, the support substrate S after being peeled is cleaned and carried out. That is, the second processing block 20 is a block that performs processing on a substrate (supporting substrate S) that is not held by the dicing frame F. The second processing block 20 includes a first delivery station 21, a second delivery station 22, a second transfer area 23, and a carry-out station 24.

第1受渡ステーション21は、剥離ステーション14の剥離装置141のX方向負方向側であって、剥離装置142のY方向正方向側に配置される。また、第2受渡ステーション22及び搬出ステーション24は、第2搬送領域23に隣接して配置される。具体的には、第2受渡ステーション22は第2搬送領域23のY軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション24は第2搬送領域23のY軸負方向側に並べて配置される。   The first delivery station 21 is disposed on the negative side in the X direction of the peeling device 141 of the peeling station 14 and on the positive side in the Y direction of the peeling device 142. Further, the second delivery station 22 and the carry-out station 24 are arranged adjacent to the second transfer area 23. Specifically, the second delivery station 22 is arranged side by side on the Y axis positive direction side of the second transfer area 23, and the carry-out station 24 is arranged side by side on the Y axis negative direction side of the second transfer area 23.

第1受渡ステーション21では、剥離ステーション14の剥離装置141、142から剥離後の支持基板Sを受け取って第2受渡ステーション22へ渡す受渡処理が行われる。第1受渡ステーション21には、受渡装置211が配置される。受渡装置211は、例えばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有し、この非接触保持部は水平軸回りに回動自在に構成されている。具体的に受渡装置211としては、例えば特開2013−016579号公報に記載の搬送装置を用いることができる。そして受渡装置211は、剥離後の支持基板Sの表裏面を反転させつつ、剥離装置141、142から第2処理ブロック20へ支持基板Sを非接触で搬送する。   At the first delivery station 21, a delivery process is performed in which the peeled support substrate S is received from the peeling devices 141 and 142 of the peeling station 14 and transferred to the second delivery station 22. A delivery device 211 is arranged at the first delivery station 21. The delivery device 211 includes a non-contact holding unit such as a Bernoulli chuck, and the non-contact holding unit is configured to be rotatable about a horizontal axis. Specifically, as the delivery device 211, for example, a transport device described in JP2013-016579A can be used. And the delivery apparatus 211 conveys the support substrate S to the 2nd processing block 20 from the peeling apparatuses 141 and 142, reversing the front and back of the support substrate S after peeling.

第2受渡ステーション22には、支持基板Sを載置する載置部221と、載置部221をY方向に移動させる移動部222とが配置される。載置部221は、例えば3つの支持ピンを備え、支持基板Sの非接合面Snを支持して載置する。移動部222は、Y方向に延伸するレールと、載置部221をY方向に移動させる駆動部とを備える。第2受渡ステーション22では、第1受渡ステーション21の受渡装置211から載置部221に支持基板Sが載置された後、移動部222によって載置部221を第2搬送領域23側に移動させる。そして、載置部221から後述する第2搬送領域23の第2搬送装置231に支持基板Sが受け渡される。なお、本実施形態では、載置部221はY方向のみに移動するが、これに加えてX方向にも移動可能に構成されていてもよい。   In the second delivery station 22, a placement unit 221 that places the support substrate S and a moving unit 222 that moves the placement unit 221 in the Y direction are arranged. The mounting unit 221 includes, for example, three support pins, and supports and mounts the non-joint surface Sn of the support substrate S. The moving unit 222 includes a rail extending in the Y direction and a driving unit that moves the placement unit 221 in the Y direction. In the second delivery station 22, after the support substrate S is placed on the placement unit 221 from the delivery device 211 of the first delivery station 21, the placement unit 221 is moved to the second transport region 23 side by the moving unit 222. . Then, the support substrate S is transferred from the placement unit 221 to the second transfer device 231 in the second transfer region 23 described later. In addition, in this embodiment, although the mounting part 221 moves only to a Y direction, in addition to this, you may be comprised so that a movement also to an X direction is possible.

なお、上述した第1受渡ステーション21の受渡装置211はベルヌーイチャック等の非接触保持部で支持基板Sを保持するため、搬送信頼性は高くない。このため、受渡装置211から後述する第2搬送領域23の第2搬送装置231に支持基板Sを直接受け渡そうとすると、当該支持基板Sを取り落す可能性がある。そこで、本実施形態では、第1受渡ステーション21と第2搬送領域23との間に第2受渡ステーション22を設け、当該第2受渡ステーション22で一旦支持基板Sを載置している。   In addition, since the delivery apparatus 211 of the first delivery station 21 described above holds the support substrate S by a non-contact holding unit such as a Bernoulli chuck, the transport reliability is not high. For this reason, if the support substrate S is directly transferred from the delivery device 211 to the second transport device 231 in the second transport region 23 described later, the support substrate S may be removed. Therefore, in the present embodiment, the second delivery station 22 is provided between the first delivery station 21 and the second transfer area 23, and the support substrate S is temporarily placed on the second delivery station 22.

第2搬送領域23には、剥離後の支持基板Sの搬送を行う第2搬送装置231が配置される。第2搬送装置231は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降及び鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第2搬送領域23では、かかる第2搬送装置231により、剥離後の支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理が行われる。   In the second transport region 23, a second transport device 231 that transports the support substrate S after peeling is disposed. The second transfer device 231 includes a transfer arm unit that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a substrate holding unit attached to the tip of the transfer arm unit. . In the second transfer area 23, the second transfer device 231 performs a process of transferring the peeled support substrate S to the carry-out station 24.

搬出ステーション24には、複数のカセット載置台241が設けられており、各カセット載置台241には、剥離後の支持基板Sが収容されるカセットCsが載置される。そして、搬入出ステーション11では、このカセットCsが外部との間で搬出される。   The unloading station 24 is provided with a plurality of cassette mounting tables 241, and each cassette mounting table 241 is mounted with a cassette Cs in which the support substrate S after peeling is stored. At the loading / unloading station 11, the cassette Cs is unloaded from the outside.

また、剥離システム1は、制御装置30を備える。制御装置30は、剥離システム1の動作を制御する装置である。かかる制御装置30は、例えばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム1の動作を制御する。   Further, the peeling system 1 includes a control device 30. The control device 30 is a device that controls the operation of the peeling system 1. The control device 30 is a computer, for example, and includes a control unit and a storage unit (not shown). The storage unit stores a program for controlling various processes such as a peeling process. The control unit controls the operation of the peeling system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置30の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。   Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium and installed in the storage unit of the control device 30 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理基板Wと支持基板Sの剥離処理方法について説明する。図4は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図5は、重合基板Tの搬送順路を示す模式図であり、図6は、被処理基板W及び支持基板Sの搬送順路を示す模式図である。なお、剥離システム1は、制御装置30の制御に基づき、図4に示す各処理手順を実行する。   Next, the peeling processing method of the to-be-processed substrate W and the support substrate S performed using the peeling system 1 comprised as mentioned above is demonstrated. FIG. 4 is a flowchart showing an example of main steps of the peeling process. FIG. 5 is a schematic diagram showing a transport route for the superposed substrate T, and FIG. 6 is a schematic diagram showing a transport route for the substrate to be processed W and the support substrate S. The peeling system 1 executes each processing procedure shown in FIG. 4 based on the control of the control device 30.

先ず、複数枚の重合基板Tを収容したカセットCtと、空のカセットCwとが、搬入出ステーション11の所定のカセット載置台111に載置されると共に、空のカセットCsが、搬出ステーション24の所定のカセット載置台241に載置される。そして、剥離システム1では、第1処理ブロック10の第1搬送装置131が、搬入出ステーション11に載置されたカセットCtから重合基板Tを取り出す。このとき、重合基板Tは、被処理基板Wが下面に位置し、支持基板Sが上面に位置した状態で、第1搬送装置131の基板保持部に上方から保持される。そして、第1搬送装置131は、カセットCtから取り出した重合基板Tを待機ステーション12へ搬入する基板搬入処理を行う(図4のステップS101、図5のT1参照)。   First, a cassette Ct containing a plurality of superposed substrates T and an empty cassette Cw are placed on a predetermined cassette mounting table 111 of the carry-in / out station 11, and an empty cassette Cs is placed in the carry-out station 24. It is mounted on a predetermined cassette mounting table 241. In the peeling system 1, the first transfer device 131 of the first processing block 10 takes out the superposed substrate T from the cassette Ct placed on the carry-in / out station 11. At this time, the superposed substrate T is held from above by the substrate holding portion of the first transfer device 131 with the substrate W to be processed positioned on the lower surface and the support substrate S positioned on the upper surface. Then, the first transfer device 131 performs a substrate carry-in process for carrying the superposed substrate T taken out from the cassette Ct into the standby station 12 (see step S101 in FIG. 4 and T1 in FIG. 5).

続いて、待機ステーション12では、ID読取装置が、ダイシングフレームFのIDを読み取るID読取処理を行う(図4のステップS102)。ID読取装置によって読み取られたIDは、制御装置30へ送信される。その後、重合基板Tは、第1搬送装置131によって待機ステーション12から取り出されて、剥離ステーション14の剥離装置141へ搬入される(図5のT2参照)。   Subsequently, in the standby station 12, the ID reading device performs an ID reading process for reading the ID of the dicing frame F (step S102 in FIG. 4). The ID read by the ID reading device is transmitted to the control device 30. Thereafter, the superposed substrate T is taken out from the standby station 12 by the first transfer device 131 and carried into the peeling device 141 of the peeling station 14 (see T2 in FIG. 5).

なお、例えば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Tが生じる場合には、待機ステーション12に設けられた一時待機部を用いて重合基板Tを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。   In addition, for example, when a superposed substrate T waiting for processing is generated due to a difference in processing time between apparatuses, the superposed substrate T can be temporarily kept waiting using a temporary standby unit provided in the standby station 12, Loss time between a series of steps can be shortened.

剥離ステーション14では、剥離装置141が、重合基板Tに対して剥離処理を行う。かかる剥離処理により、重合基板Tは、被処理基板Wと支持基板Sとに分離される(図4のステップS103)。   In the peeling station 14, the peeling device 141 performs a peeling process on the superposed substrate T. By the peeling process, the superposed substrate T is separated into the target substrate W and the support substrate S (step S103 in FIG. 4).

その後、剥離システム1では、剥離後の被処理基板Wについての処理が第1処理ブロック10で行われ、剥離後の支持基板Sについての処理が第2処理ブロック20で行われる。なお、剥離後の被処理基板Wは、ダイシングフレームFによって保持されている。   Thereafter, in the peeling system 1, the processing for the target substrate W after peeling is performed in the first processing block 10, and the processing for the supporting substrate S after peeling is performed in the second processing block 20. Note that the substrate to be processed W after peeling is held by the dicing frame F.

第1処理ブロック10では、剥離後の被処理基板Wは、第1搬送装置131によって剥離ステーション14の剥離装置141から取り出されて、洗浄ステーション15の洗浄装置151へ搬入される(図5のW1参照)。洗浄ステーション15では、洗浄装置151が、剥離後の被処理基板Wに対して洗浄処理を行う。かかる洗浄処理によって、被処理基板Wの接合面Wjに残存する接着剤Gが除去される(図4のステップS104)。   In the first processing block 10, the substrate to be processed W after being peeled is taken out from the peeling device 141 of the peeling station 14 by the first transfer device 131 and is carried into the cleaning device 151 of the cleaning station 15 (W1 in FIG. 5). reference). In the cleaning station 15, the cleaning device 151 performs a cleaning process on the substrate to be processed W after being peeled. By such a cleaning process, the adhesive G remaining on the bonding surface Wj of the substrate W to be processed is removed (step S104 in FIG. 4).

洗浄処理後の被処理基板Wは、第1搬送装置131によって洗浄ステーション15の洗浄装置151から取り出されて、搬入出ステーション11に載置されたカセットCwに収容される(図5のW2参照)。その後、複数の被処理基板Wを収容したカセットCwは、搬入出ステーション11から搬出されて、回収される(図4のステップS105)。こうして、被処理基板Wについての処理が終了する。   The substrate to be processed W after the cleaning processing is taken out from the cleaning device 151 of the cleaning station 15 by the first transfer device 131 and accommodated in the cassette Cw placed on the loading / unloading station 11 (see W2 in FIG. 5). . Thereafter, the cassette Cw containing the plurality of substrates to be processed W is unloaded from the loading / unloading station 11 and collected (step S105 in FIG. 4). Thus, the process for the substrate to be processed W is completed.

一方、第2処理ブロック20では、ステップS104及びステップS105の処理と並行して、剥離後の支持基板Sに対する処理(後述するステップS106及びステップS107)が行われる。   On the other hand, in the second processing block 20, processing (step S 106 and step S 107 described later) is performed on the support substrate S after peeling in parallel with the processing of step S 104 and step S 105.

第2処理ブロック20では、先ず、第1受渡ステーション21の受渡装置211が、剥離後の支持基板Sの受渡処理を行う。具体的には、受渡装置211が、剥離後の支持基板Sを剥離ステーション14の剥離装置141から取り出して(図5のS1参照)、第2受渡ステーション22へ搬入する(図4のステップS106、図5のS2参照)。   In the second processing block 20, first, the delivery device 211 of the first delivery station 21 performs delivery processing of the support substrate S after peeling. Specifically, the delivery device 211 takes out the support substrate S after peeling from the peeling device 141 of the peeling station 14 (see S1 in FIG. 5) and carries it into the second delivery station 22 (Step S106 in FIG. 4). (See S2 in FIG. 5).

ここで、剥離後の支持基板Sは、剥離装置141によって上面側すなわち非接合面Sn側が保持された状態となっており、受渡装置211は、支持基板Sの接合面Sj側を下方から非接触で保持する。その後、受渡装置211は、保持した支持基板Sを反転させたうえで、第2受渡ステーション22の載置部221へ載置する。これにより、支持基板Sは、接合面Sjを上方に向けた状態で載置部221に載置される。   Here, the support substrate S after peeling is in a state where the upper surface side, that is, the non-joint surface Sn side is held by the peeling device 141, and the delivery device 211 does not contact the joint surface Sj side of the support substrate S from below. Hold on. Thereafter, the delivery device 211 inverts the held support substrate S and places it on the placement unit 221 of the second delivery station 22. Thereby, the support substrate S is mounted on the mounting portion 221 with the bonding surface Sj facing upward.

第2受渡ステーション22では、支持基板Sが載置された載置部221が移動部222によって第2搬送領域23側の所定の位置まで移動する。この所定の位置とは、第2搬送装置231の搬送アーム部が載置部221上の支持基板Sを受け取ることができる位置である。   In the second delivery station 22, the placement unit 221 on which the support substrate S is placed is moved to a predetermined position on the second transfer region 23 side by the moving unit 222. The predetermined position is a position where the transfer arm unit of the second transfer device 231 can receive the support substrate S on the placement unit 221.

続いて、支持基板Sは、第2搬送装置231によって第2受渡ステーション22から取り出されて、搬出ステーション24に載置されたカセットCsに収容される(図5のS3参照)。その後、複数の支持基板Sを収容したカセットCsは、搬出ステーション24から搬出されて、回収される(図4のステップS107)。こうして、支持基板Sについての処理も終了する。   Subsequently, the support substrate S is taken out from the second delivery station 22 by the second transfer device 231 and accommodated in the cassette Cs placed on the carry-out station 24 (see S3 in FIG. 5). Thereafter, the cassette Cs containing the plurality of support substrates S is unloaded from the unloading station 24 and collected (step S107 in FIG. 4). Thus, the process for the support substrate S is also completed.

以上のように本実施形態に係る剥離システム1は、重合基板T及び被処理基板Wに対する処理を行う第1処理ブロック10と、支持基板Sに対する処理を行う第2処理ブロック20とを備える。このため、重合基板T及び被処理基板Wに対する処理と、支持基板Sに対す処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。より具体的には、本実施形態に係る剥離システム1は、ダイシングフレームFに保持された基板(重合基板T及び剥離後の被処理基板W)用のフロントエンド(搬入出ステーション11及び第1搬送領域13)と、ダイシングフレームFに保持されない基板(剥離後の支持基板S)用のフロントエンド(搬出ステーション24及び第2搬送領域23)とを備える。これにより、被処理基板Wを搬入出ステーション11へ搬送する処理と、支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となる。したがって、従来の基板の搬送待ちを軽減でき、剥離処理のスループットを向上させることができる。   As described above, the peeling system 1 according to this embodiment includes the first processing block 10 that performs processing on the superposed substrate T and the substrate W to be processed, and the second processing block 20 that performs processing on the support substrate S. For this reason, since it becomes possible to perform the process with respect to the superposition | polymerization board | substrate T and the to-be-processed substrate W, and the process with respect to the support substrate S in parallel, a series of substrate processes can be performed efficiently. More specifically, the peeling system 1 according to the present embodiment is a front end (a carry-in / out station 11 and a first transfer) for a substrate (a superposed substrate T and a substrate to be processed W after peeling) held by a dicing frame F. Region 13) and a front end (unloading station 24 and second transport region 23) for a substrate (support substrate S after peeling) that is not held by the dicing frame F. As a result, the process of transporting the substrate W to be carried in / out the station 11 and the process of transporting the support substrate S to the carry-out station 24 can be performed in parallel. Therefore, it is possible to reduce the conventional waiting time for transporting the substrate and to improve the throughput of the peeling process.

また、本実施形態によれば、重合基板Tと被処理基板WがダイシングフレームFに保持されていても、ダイシングフレームFで保持された重合基板T及び被処理基板Wの搬送と、ダイシングフレームFに保持されない支持基板Sの搬送とは、それぞれ別個の第1搬送装置131と第2搬送装置231とで行われる。したがって、従来のように1つの搬送装置でダイシングフレームに保持された基板とダイシングフレームに保持されない基板を搬送する場合に比べて、本実施形態では、重合基板T、被処理基板W、支持基板Sを搬送する際の制御を簡易化することができ、剥離処理を効率よく行うことができる。   Further, according to the present embodiment, even if the superposed substrate T and the substrate to be processed W are held by the dicing frame F, the superposed substrate T and the substrate to be processed W held by the dicing frame F are transported and the dicing frame F is used. The transfer of the support substrate S not held by the first and second transfer devices 131 and 231 is performed separately. Therefore, compared with the conventional case where the substrate held by the dicing frame and the substrate not held by the dicing frame are transferred by one transfer device, in this embodiment, the superposed substrate T, the substrate W to be processed, and the support substrate S are used. The control at the time of conveying can be simplified, and the peeling process can be performed efficiently.

さらに、本実施形態に係る剥離システム1では、剥離ステーション14と第2搬送領域23とが第1受渡ステーション21と第2受渡ステーション22を介して接続される。これにより、第1搬送領域13を経由することなく、剥離後の支持基板Sを剥離ステーション14から第2搬送領域23へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Sの搬送を円滑に行うことができる。   Furthermore, in the peeling system 1 according to the present embodiment, the peeling station 14 and the second transfer area 23 are connected via the first delivery station 21 and the second delivery station 22. Thereby, since it becomes possible to carry in directly the peeling support substrate S from the peeling station 14 to the 2nd conveyance area 23, without passing through the 1st conveyance area | region 13, conveyance of the support substrate S after peeling is carried out. It can be done smoothly.

しかも、第2受渡ステーション22は、第2受渡ステーションは、支持基板Sを載置する載置部221と、載置部221を水平方向に移動させる移動部222とを備える。これにより、第1受渡ステーション21と第2搬送領域23との間で支持基板Sを受け渡す際、支持基板Sを載置した載置部221を移動できるので、当該第1受渡ステーション21の受渡装置211の非接触保持部や第2搬送領域23の第2搬送装置231の搬送アーム部を伸長させる必要がない。したがって、第1受渡ステーション21と第2搬送領域23の専有面積を小さくでき、剥離システム1全体の専有面積を小さくすることができる。   And the 2nd delivery station 22 is provided with the mounting part 221 which mounts the support substrate S, and the moving part 222 which moves the mounting part 221 to a horizontal direction. Accordingly, when the support substrate S is delivered between the first delivery station 21 and the second transfer area 23, the placement unit 221 on which the support substrate S is placed can be moved, so that the delivery of the first delivery station 21 can be performed. There is no need to extend the non-contact holding part of the apparatus 211 or the transfer arm part of the second transfer apparatus 231 in the second transfer area 23. Therefore, the exclusive area of the 1st delivery station 21 and the 2nd conveyance area | region 23 can be made small, and the exclusive area of the peeling system 1 whole can be made small.

次に、以上のように構成された剥離システム1において重合基板Tの剥離処理を行う際、当該剥離システム1内に生じる気流について図7に基づいて説明する。なお、図7中の矢印は気流の向きを示している。   Next, the air flow generated in the peeling system 1 when the peeling process of the superposed substrate T is performed in the peeling system 1 configured as described above will be described with reference to FIG. In addition, the arrow in FIG. 7 has shown the direction of the airflow.

剥離システム1では、第1処理ブロック10内において、搬入出ステーション11、待機ステーション12及び第1搬送領域13内の圧力は、剥離ステーション14と洗浄ステーション15内の圧力に対して陽圧になる。そうすると、第1搬送領域13から剥離ステーション14と洗浄ステーション15に向かう気流が生じ、剥離ステーション14と洗浄ステーション15から第1搬送領域13に雰囲気が流出しない。このため、剥離ステーション14において重合基板Tの剥離処理を行う際に発生するパーティクルや、洗浄ステーション15において被処理基板Wの洗浄処理を行う際に発生するパーティクルが、第1搬送領域13側に拡散するのを抑制できる。したがって、搬入出ステーション11、待機ステーション12及び第1搬送領域13内を清浄に保つことができ、剥離前の重合基板Tや剥離後の被処理基板Wにパーティクルが付着するのを抑制できる。また、製品の歩留まりの低下を抑制することもできる。   In the peeling system 1, the pressures in the loading / unloading station 11, the standby station 12, and the first transfer area 13 in the first processing block 10 are positive with respect to the pressures in the peeling station 14 and the cleaning station 15. If it does so, the airflow which goes to the peeling station 14 and the washing | cleaning station 15 from the 1st conveyance area | region 13 will arise, and atmosphere will not flow out from the peeling station 14 and the washing | cleaning station 15 to the 1st conveyance area | region 13. For this reason, particles generated when performing the peeling process of the superposed substrate T in the peeling station 14 and particles generated when performing the cleaning process of the substrate W to be processed in the cleaning station 15 are diffused to the first transport region 13 side. Can be suppressed. Therefore, the inside of the carrying in / out station 11, the standby station 12, and the 1st conveyance area | region 13 can be kept clean, and it can suppress that a particle adheres to the superposition | polymerization substrate T before peeling and the to-be-processed substrate W after peeling. Further, it is possible to suppress a decrease in product yield.

また、第1処理ブロック10内の圧力が第2処理ブロック20内に対して陽圧になる。すなわち、剥離ステーション14内の圧力は、第1受渡ステーション21内の圧力に対して陽圧になる。そうすると、剥離ステーション14から第1受渡ステーション21に向かう気流が生じる。   Further, the pressure in the first processing block 10 becomes a positive pressure with respect to the second processing block 20. That is, the pressure in the peeling station 14 is positive with respect to the pressure in the first delivery station 21. Then, an air flow from the peeling station 14 toward the first delivery station 21 is generated.

さらに、第2処理ブロック20内においては、第1受渡ステーション21の圧力は、第2受渡ステーション22、第2搬送領域23及び搬出ステーション24に対して陽圧になる。そうすると、第1受渡ステーション21から第2受渡ステーション22に向かう気流が生じる。   Further, in the second processing block 20, the pressure at the first delivery station 21 becomes positive with respect to the second delivery station 22, the second transfer region 23, and the carry-out station 24. Then, an air flow from the first delivery station 21 toward the second delivery station 22 is generated.

このように剥離ステーション14から第1受渡ステーション21を介して第2受渡ステーション22に向かう気流が生じ、第2受渡ステーション22と第1受渡ステーション21内の雰囲気が剥離ステーション14に流出しない。これにより、剥離ステーション14内に不要なパーティクルが流入するのを抑制でき、当該剥離ステーション14における剥離処理を適切に行うことができる。なお、剥離後の支持基板Sは、第2処理ブロック20の搬出ステーション24から外部に搬出された後に洗浄されるため、必ずしも第2処理ブロック20内の雰囲気を清浄に保つ必要はない。かかる観点からも、第1処理ブロック10内の圧力を第2処理ブロック20内に対して陽圧するのがよい。   In this way, an air flow from the peeling station 14 to the second delivery station 22 through the first delivery station 21 is generated, and the atmosphere in the second delivery station 22 and the first delivery station 21 does not flow out to the peeling station 14. Thereby, it can suppress that an unnecessary particle flows in into the peeling station 14, and the peeling process in the said peeling station 14 can be performed appropriately. In addition, since the support substrate S after peeling is washed after being carried out from the carry-out station 24 of the second processing block 20, it is not always necessary to keep the atmosphere in the second processing block 20 clean. From this point of view, it is preferable to positively pressurize the pressure in the first processing block 10 relative to the second processing block 20.

次に、剥離システム1の他の実施形態について説明する。   Next, another embodiment of the peeling system 1 will be described.

図8に示すように剥離システム1は、重合基板Tにおける接着剤Gの周縁部を除去する周縁部処理ステーション16を有していてもよい。周縁部処理ステーション16は、第1処理ブロック10において、第1搬送領域13のX軸正方向側に配置される。   As shown in FIG. 8, the peeling system 1 may include a peripheral edge processing station 16 that removes the peripheral edge of the adhesive G on the superposed substrate T. The peripheral edge processing station 16 is disposed on the X axis positive direction side of the first transfer region 13 in the first processing block 10.

周縁部処理ステーション16には、周縁部処理装置が配置される。周縁部処理装置は、重合基板Tにおける接着剤Gの周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。なお、周縁部処理装置は、例えば重合基板Tを接着剤Gの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Gの周縁部を溶剤によって溶解させる。   In the peripheral edge processing station 16, a peripheral edge processing apparatus is arranged. The peripheral edge processing apparatus performs an edge cut process in which the peripheral edge of the adhesive G on the superposed substrate T is dissolved and removed with a solvent. Note that the peripheral edge processing apparatus dissolves the peripheral edge of the adhesive G with the solvent, for example, by immersing the polymerization substrate T in the solvent of the adhesive G.

かかる周縁部処理ステーション16におけるエッジカット処理は、図4に示したステップS102とステップS103の間で行われる。すなわち、ステップS102において待機ステーション12でID読取処理が行われた後、重合基板Tは、第1搬送装置131によって待機ステーション12から取り出されて、周縁部処理ステーション16へ搬入される。そして、周縁部処理ステーション16において、重合基板Tに対するエッジカット処理が行われる。かかるエッジカット処理によって接着剤Gの周縁部が除去されることにより、後段のステップS103の剥離処理において被処理基板Wと支持基板Sとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。   The edge cut processing at the peripheral edge processing station 16 is performed between step S102 and step S103 shown in FIG. That is, after the ID reading process is performed at the standby station 12 in step S <b> 102, the superposed substrate T is taken out from the standby station 12 by the first transfer device 131 and carried into the peripheral edge processing station 16. Then, at the peripheral edge processing station 16, an edge cut process is performed on the superposed substrate T. By removing the peripheral edge portion of the adhesive G by the edge cutting process, the substrate to be processed W and the support substrate S are easily peeled in the peeling process in the subsequent step S103. Therefore, the time required for the peeling process can be shortened.

このように本実施形態にかかる剥離システム1では、周縁部処理ステーション16が第1処理ブロック10に組み込まれているため、第1処理ブロック10へ搬入された重合基板Tを第1搬送装置131を用いて周縁部処理ステーション16へ直接搬入することができる。したがって、一連の剥離処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。   As described above, in the peeling system 1 according to the present embodiment, since the peripheral edge processing station 16 is incorporated in the first processing block 10, the superposed substrate T carried into the first processing block 10 is transferred to the first transfer device 131. And can be carried directly into the peripheral edge processing station 16. Therefore, the throughput of a series of peeling processes can be improved. Moreover, the time from the edge cut process to the peeling process can be easily managed, and the peeling performance can be stabilized.

また、図9に示すように剥離システム1は、剥離後の被処理基板Wの状態を検査する検査装置17を有していてもよい。検査装置17は、第1処理ブロック10において、第1搬送領域13のX軸正方向側に配置される。   Moreover, as shown in FIG. 9, the peeling system 1 may have an inspection apparatus 17 that inspects the state of the substrate W after separation. The inspection device 17 is disposed on the X axis positive direction side of the first transport region 13 in the first processing block 10.

検査装置17では、剥離ステーション14で剥離された被処理基板W上の接着剤Gの残渣の有無が検査される。かかる検査は、例えばチャックに保持された被処理基板Wの接合面Wjを撮像することによって行われる。   In the inspection device 17, the presence or absence of a residue of the adhesive G on the substrate W to be processed peeled off at the peeling station 14 is inspected. Such inspection is performed, for example, by imaging the bonding surface Wj of the substrate W to be processed held by the chuck.

かかる検査装置17における被処理基板Wの検査は、図4に示したステップS104とステップS105の間で行われる。すなわち、ステップS104において洗浄ステーション15で被処理基板Wの洗浄処理が行われた後、洗浄後の被処理基板Wは、第1搬送装置131によって洗浄ステーション15から取り出されて、検査装置17へ搬入される。そして、検査装置17では、被処理基板Wにおける接着剤Gの残渣の有無が検査される。検査装置17において接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理基板Wは洗浄ステーション15に搬送され、当該被処理基板Wに対して再度洗浄処理が行われる。一方、検査装置17において接着剤Gの残渣が確認されなかった場合、被処理基板Wは搬入出ステーション11に搬送され、カセットCwに収容される。その後、ステップS105において、カセットCwは搬入出ステーション11から搬出されて、回収される。   The inspection of the target substrate W in the inspection apparatus 17 is performed between step S104 and step S105 shown in FIG. That is, after the processing of the substrate to be processed W is performed at the cleaning station 15 in step S104, the substrate to be processed W after cleaning is taken out from the cleaning station 15 by the first transfer device 131 and carried into the inspection device 17. Is done. Then, the inspection device 17 inspects whether or not the adhesive G remains on the substrate W to be processed. When the residue of the adhesive G is confirmed in the inspection apparatus 17, the substrate to be processed W is transferred to the cleaning station 15, and the cleaning processing is performed again on the substrate to be processed W. On the other hand, when the residue of the adhesive G is not confirmed in the inspection apparatus 17, the to-be-processed substrate W is conveyed to the carrying in / out station 11, and accommodated in cassette Cw. Thereafter, in step S105, the cassette Cw is unloaded from the loading / unloading station 11 and collected.

このように本実施形態にかかる剥離システム1では、検査装置17が第1処理ブロック10に組み込まれているため、被処理基板Wの状態を検査することにより、被処理基板Wを適切な状態で外部に搬出することができる。したがって、製品の歩留まりを向上させることができる。   As described above, in the peeling system 1 according to the present embodiment, since the inspection apparatus 17 is incorporated in the first processing block 10, the state of the substrate W to be processed is inspected by inspecting the state of the substrate W to be processed. Can be carried outside. Therefore, the product yield can be improved.

なお、検査装置17における被処理基板Wの検査は、図4に示したステップS103とステップS104の間で行われてもよい。例えばステップS103において剥離ステーション14で重合基板Tの剥離処理が行われた後、剥離後の被処理基板Wには接着剤Gが残存していない場合もあり得る。かかる場合、剥離ステーション14から検査装置17に被処理基板Wを搬送し、被処理基板Wにおける接着剤Gの残渣の有無を検査すれば、当該接着剤Gの残渣は確認されず、後段のステップS104における被処理基板Wの洗浄処理を省略できる。   The inspection of the target substrate W in the inspection apparatus 17 may be performed between step S103 and step S104 illustrated in FIG. For example, there may be a case where the adhesive G does not remain on the target substrate W after peeling after the peeling processing of the superposed substrate T is performed at the peeling station 14 in step S103. In such a case, if the substrate to be processed W is transported from the peeling station 14 to the inspection apparatus 17 and the presence or absence of the residue of the adhesive G on the substrate to be processed W is inspected, the residue of the adhesive G is not confirmed. The cleaning process of the substrate W to be processed in S104 can be omitted.

なお、検査装置17で行われる被処理基板Wの検査は、上述した被処理基板Wにおける接着剤Gの残渣の有無の検査に限定されない。例えば剥離後の被処理基板Wの欠陥等を検査してもよい。   The inspection of the substrate to be processed W performed by the inspection apparatus 17 is not limited to the above-described inspection for the presence or absence of the adhesive G residue on the substrate to be processed W. For example, a defect or the like of the substrate to be processed W after peeling may be inspected.

また、図10に示すように剥離システム1は、剥離後の支持基板Sの洗浄処理を行う他の洗浄ステーション25を有していてもよい。他の洗浄ステーション25は、第2処理ブロック20において、第2受渡ステーション22のX方向負方向側であって、第2搬送領域23のY軸正方向側に配置される。   Further, as shown in FIG. 10, the peeling system 1 may include another cleaning station 25 that performs a cleaning process on the support substrate S after peeling. The other cleaning station 25 is arranged in the second processing block 20 on the negative X-direction side of the second delivery station 22 and on the positive Y-axis side of the second transfer region 23.

他の洗浄ステーション25には、剥離後の支持基板Sを洗浄する他の洗浄装置が配置される。他の洗浄装置としては、例えば特開2013−016579号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。   In another cleaning station 25, another cleaning device for cleaning the support substrate S after being peeled is disposed. As another cleaning apparatus, for example, a cleaning apparatus described in JP2013-016579A can be used.

かかる他の洗浄ステーション25における洗浄処理は、図4に示したステップS106とステップS107の間で行われる。すなわち、ステップS106において、剥離ステーション14から第1受渡ステーション21を介して第2受渡ステーション22に剥離後の支持基板Sが受け渡された後、支持基板Sは、第2搬送装置231によって第2受渡ステーション22から取り出されて、他の洗浄ステーション25へ搬入される。そして、他の洗浄ステーション25では、他の洗浄装置が、剥離後の支持基板Sに対して洗浄処理を行う。かかる洗浄処理によって、支持基板Sの接合面Sjに残存する接着剤Gが除去される。洗浄後の支持基板Sは、搬出ステーション24に搬送され、カセットCsに収容される。その後、ステップS107において、カセットCsは搬入出ステーション11から搬出されて、回収される。   The cleaning process in the other cleaning station 25 is performed between step S106 and step S107 shown in FIG. That is, in step S <b> 106, after the peeled support substrate S is delivered from the peeling station 14 to the second delivery station 22 through the first delivery station 21, the support substrate S is secondly transferred by the second transfer device 231. It is taken out from the delivery station 22 and carried into another cleaning station 25. In another cleaning station 25, another cleaning apparatus performs a cleaning process on the support substrate S after peeling. By this cleaning process, the adhesive G remaining on the bonding surface Sj of the support substrate S is removed. The washed support substrate S is transported to the carry-out station 24 and accommodated in the cassette Cs. Thereafter, in step S107, the cassette Cs is unloaded from the loading / unloading station 11 and collected.

このように本実施形態にかかる剥離システム1では、他の洗浄ステーション25が第2処理ブロック20に組み込まれているため、支持基板Sを洗浄することにより、支持基板Sを清浄な状態で外部に搬出することができる。したがって、剥離システム1の外部での支持基板Sの処理や搬送を適切に行うことができる。   As described above, in the peeling system 1 according to the present embodiment, since the other cleaning station 25 is incorporated in the second processing block 20, the support substrate S is cleaned to the outside by cleaning the support substrate S. Can be carried out. Therefore, the processing and transport of the support substrate S outside the peeling system 1 can be appropriately performed.

なお、以上の剥離システム1において、第1処理ブロック10は、重合基板TにダイシングフレームFを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームFが取り付けられていない重合基板TをカセットCtから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板TにダイシングフレームFを取り付けた後、ダイシングフレームFに固定された重合基板Tを剥離ステーション14へ搬送することとなる。なお、マウント装置は、第1処理ブロック10の任意の位置に配置すればよい。   In the peeling system 1 described above, the first processing block 10 may include a mounting device for attaching the dicing frame F to the superposed substrate T. In such a case, the superposed substrate T to which the dicing frame F is not attached is taken out from the cassette Ct and loaded into the mounting device. After the dicing frame F is attached to the superposed substrate T in the mounting device, the superposed substrate fixed to the dicing frame F is used. T is transported to the peeling station 14. Note that the mounting device may be arranged at an arbitrary position of the first processing block 10.

また、以上の剥離システム1において、各処理ステーションの処理装置や搬送領域の配置は任意に設計することができ、水平方向に並べて配置してもよいし、鉛直方向に積層して配置してもよい。   Moreover, in the above peeling system 1, the arrangement of the processing apparatus and the transfer area of each processing station can be arbitrarily designed, and may be arranged side by side in the horizontal direction or stacked in the vertical direction. Good.

また、上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gによって接合された重合基板Tである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Tに限定されない。例えば剥離ステーション14では、SOI基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。   Further, in the embodiment described above, an example in which the superposed substrate to be peeled is the superposed substrate T in which the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded by the adhesive G has been described. However, the superposition | polymerization board | substrate used as the peeling object of a peeling apparatus is not limited to this superposition | polymerization board | substrate T. FIG. For example, in the peeling station 14, in order to generate an SOI substrate, a superposed substrate in which a donor substrate on which an insulating film is formed and a substrate to be processed are bonded to each other can be a peeling target.

ここで、SOI基板の製造方法について図11及び図12を参照して説明する。図11及び図12は、SOI基板の製造工程を示す模式図である。図11に示すように、SOI基板を形成するための重合基板Taは、ドナー基板Kとハンドル基板Hとを接合することによって形成される。   Here, a method for manufacturing an SOI substrate will be described with reference to FIGS. 11 and 12 are schematic views showing the manufacturing process of the SOI substrate. As shown in FIG. 11, the polymerization substrate Ta for forming the SOI substrate is formed by bonding a donor substrate K and a handle substrate H.

ドナー基板Kは、表面に絶縁膜6が形成されるとともに、ハンドル基板Hと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層7が形成された基板である。また、ハンドル基板Hとしては、例えばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。   The donor substrate K is a substrate in which the insulating film 6 is formed on the surface and the hydrogen ion implantation layer 7 is formed at a predetermined depth near the surface to be bonded to the handle substrate H. As the handle substrate H, for example, a silicon wafer, a glass substrate, a sapphire substrate, or the like can be used.

剥離ステーション14では、例えばドナー基板Kとハンドル基板Hをそれぞれ個別の保持部で保持した状態で、重合基板Taの外周部の一部を引っ張ることで、ドナー基板Kに形成された水素イオン注入層7に対して機械的衝撃を与える。これにより、図12に示すように、水素イオン注入層7内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Kからシリコン層8が剥離する。その結果、ハンドル基板Hの上面に絶縁膜6とシリコン層8とが転写され、SOI基板Waが形成される。   In the stripping station 14, for example, a portion of the outer peripheral portion of the polymerization substrate Ta is pulled in a state where the donor substrate K and the handle substrate H are held by individual holding portions, thereby forming a hydrogen ion implantation layer formed on the donor substrate K. 7 is subjected to mechanical impact. Thereby, as shown in FIG. 12, the silicon-silicon bond in the hydrogen ion implantation layer 7 is cut, and the silicon layer 8 is peeled from the donor substrate K. As a result, the insulating film 6 and the silicon layer 8 are transferred onto the upper surface of the handle substrate H, and the SOI substrate Wa is formed.

また、上述してきた実施形態では、被処理基板Wと支持基板Sとを接着剤Gを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Wj、Sjを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。   In the embodiment described above, the example in the case where the target substrate W and the support substrate S are bonded using the adhesive G has been described. However, the bonding surfaces Wj and Sj are divided into a plurality of regions, and each region is divided. Adhesives with different adhesive strengths may be applied.

また、上述した実施形態では、重合基板Tが、ダイシングフレームFに保持される場合の例について説明したが、重合基板Tは、必ずしもダイシングフレームFに保持されることを要しない。   In the above-described embodiment, an example in which the superposed substrate T is held by the dicing frame F has been described. However, the superposed substrate T is not necessarily held by the dicing frame F.

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.

1 剥離システム
10 第1処理ブロック
11 搬入出ステーション
12 待機ステーション
13 第1搬送領域
14 剥離ステーション
15 洗浄ステーション
16 周縁部処理ステーション
17 検査装置
20 第2処理ブロック
21 第1受渡ステーション
22 第2受渡ステーション
23 第2搬送領域
24 搬出ステーション
25 他の洗浄ステーション
30 制御装置
131 第1搬送装置
141、142 剥離装置
151、152 洗浄装置
211 受渡装置
221 載置部
222 移動部
231 第2搬送装置
F ダイシングフレーム
P ダイシングテープ
S 支持基板
T 重合基板
W 被処理基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Peeling system 10 1st processing block 11 Carry-in / out station 12 Standby station 13 1st conveyance area 14 Peeling station 15 Cleaning station 16 Peripheral part processing station 17 Inspection apparatus 20 2nd processing block 21 1st delivery station 22 2nd delivery station 23 Second transfer area 24 Unloading station 25 Other cleaning station 30 Control device 131 First transfer device 141, 142 Peeling device 151, 152 Cleaning device 211 Delivery device 221 Placement unit 222 Moving unit 231 Second transfer device F Dicing frame P Dicing Tape S Support substrate T Polymerized substrate W Processed substrate

Claims (15)

被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、
前記支持基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、
前記第1処理ブロックは、
前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、
前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、
前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、
前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、
前記第2処理ブロックは、
前記支持基板が載置される搬出ステーションと、
前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有することを特徴とする、剥離システム。
A separation system for separating a substrate to be processed and a support substrate by bonding with a bonding agent, the substrate to be processed and the support substrate,
A first processing block for performing processing on the superposed substrate and the substrate to be processed;
A second processing block that performs processing on the support substrate,
The first processing block includes:
A loading / unloading station on which the superposed substrate and the substrate to be processed are placed;
A peeling station comprising a peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate;
A cleaning station including a cleaning device for cleaning the substrate to be processed;
A first transfer region including a first transfer device for transferring the superposed substrate and the substrate to be processed between the carry-in / out station, the peeling station, and the cleaning station;
The second processing block includes
A carry-out station on which the support substrate is placed;
And a second transfer region having a second transfer device for transferring the support substrate to the carry-out station.
前記第2処理ブロックは、第1受渡ステーションと第2受渡ステーションとをさらに有し、
前記第1受渡ステーションは、前記剥離ステーションと前記第2受渡ステーションとの間で前記支持基板を受け取る受渡装置を備え、
前記第2受渡ステーションは、前記支持基板を載置する載置部と、前記載置部を水平方向に移動させる移動部とを備え、前記第1受渡ステーションと前記第2搬送領域との間で前記支持基板を受け渡すことを特徴とする、請求項1に記載の剥離システム。
The second processing block further includes a first delivery station and a second delivery station,
The first delivery station comprises a delivery device for receiving the support substrate between the peeling station and the second delivery station;
The second delivery station includes a placement unit for placing the support substrate, and a moving unit for moving the placement unit in the horizontal direction, and between the first delivery station and the second transfer region. The peeling system according to claim 1, wherein the support substrate is delivered.
前記第1処理ブロックは、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去する周縁部処理装置を備えた周縁部処理ステーションをさらに有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の剥離システム。 3. The peeling system according to claim 1, wherein the first processing block further includes a peripheral edge processing station including a peripheral edge processing apparatus that removes a peripheral edge of the adhesive on the superposed substrate. 前記第1処理ブロックは、前記被処理基板の状態を検査する検査装置をさらに有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の剥離システム。 The peeling system according to any one of claims 1 to 3, wherein the first processing block further includes an inspection device for inspecting a state of the substrate to be processed. 前記第2処理ブロックは、前記支持基板を洗浄する他の洗浄装置を備えた他の洗浄ステーションをさらに有することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の剥離システム。 5. The peeling system according to claim 1, wherein the second processing block further includes another cleaning station provided with another cleaning device for cleaning the support substrate. 6. 前記第1処理ブロック内の圧力は、前記第2処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、
前記第1処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第1搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の剥離システム。
The pressure in the first processing block is positive with respect to the pressure in the second processing block,
In the first processing block, the pressure in the carry-in / out station and the first transfer region is a positive pressure with respect to the pressures in the peeling station and the cleaning station. The peeling system according to any one of the above.
前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の剥離システム。 The peeling system according to any one of claims 1 to 6, wherein the superposed substrate and the substrate to be processed are each held by an annular dicing frame via a dicing tape. 剥離システムを用いて、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、当該被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
前記剥離システムは、
前記重合基板と前記被処理基板に対する処理を行う第1処理ブロックと、
前記支持基板に対する処理を行う第2処理ブロックと、を有し、
前記第1処理ブロックは、
前記重合基板と前記被処理基板が載置される搬入出ステーションと、
前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置を備えた剥離ステーションと、
前記被処理基板を洗浄する洗浄装置を備えた洗浄ステーションと、
前記搬入出ステーション、前記剥離ステーション及び洗浄ステーショとの間で、前記重合基板と前記被処理基板を搬送する第1搬送装置を備えた第1搬送領域と、を有し、
前記第2処理ブロックは、
前記支持基板が載置される搬出ステーションと、
前記搬出ステーションに対して前記支持基板を搬送する第2搬送装置を備えた第2搬送領域と、を有し、
前記剥離方法は、
前記搬入出ステーションに前記重合基板を搬入する搬入工程と、
前記剥離ステーションにおいて、前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離工程と、
前記洗浄ステーションにおいて、前記剥離工程で剥離された前記被処理基板を洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程で洗浄された被処理基板を前記搬入出ステーションから搬出する第1搬出工程と、
前記剥離工程で剥離された前記支持基板を前記搬出ステーションから搬出する第2搬出工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。
A peeling method using a peeling system to peel a polymerization substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded with an adhesive, to the substrate to be processed and the support substrate,
The peeling system includes
A first processing block for performing processing on the superposed substrate and the substrate to be processed;
A second processing block that performs processing on the support substrate,
The first processing block includes:
A loading / unloading station on which the superposed substrate and the substrate to be processed are placed;
A peeling station comprising a peeling device for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate;
A cleaning station including a cleaning device for cleaning the substrate to be processed;
A first transfer region including a first transfer device for transferring the superposed substrate and the substrate to be processed between the carry-in / out station, the peeling station, and the cleaning station;
The second processing block includes
A carry-out station on which the support substrate is placed;
A second transfer area comprising a second transfer device for transferring the support substrate to the unloading station;
The peeling method includes:
A loading step of loading the superposed substrate into the loading / unloading station;
In the peeling station, a peeling step of peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate;
In the cleaning station, a cleaning step of cleaning the substrate to be processed peeled off in the peeling step;
A first unloading step of unloading the substrate to be processed cleaned in the cleaning step from the loading / unloading station;
A second unloading step of unloading the support substrate peeled in the peeling step from the unloading station.
前記搬入工程後であって前記剥離工程前に、前記第1処理ブロックに設けられた周縁部処理ステーションにおいて、前記重合基板における接着剤の周縁部を除去することを特徴とする、請求項8に記載の剥離方法。 9. The peripheral portion of the adhesive on the superposed substrate is removed at a peripheral portion processing station provided in the first processing block after the carrying-in step and before the peeling step. The peeling method as described. 前記洗浄工程後であって前記第1搬出工程前に、検査装置において、前記被処理基板の状態を検査することを特徴とする、請求項8又は9に記載の剥離方法。 The peeling method according to claim 8 or 9, wherein the state of the substrate to be processed is inspected by an inspection apparatus after the cleaning step and before the first unloading step. 前記剥離工程後であって前記第2搬出工程前に、前記第2処理ブロックに設けられた他の洗浄ステーションにおいて、前記支持基板を洗浄することを特徴とする、請求項8〜10のいずれか一項に記載の剥離方法。 The said support substrate is wash | cleaned in the other washing | cleaning station provided in the said 2nd process block after the said peeling process and before the said 2nd carrying-out process. The peeling method according to one item. 前記第1処理ブロック内の圧力は、前記第2処理ブロック内の圧力に対して陽圧であって、
前記第1処理ブロックにおいて、前記搬入出ステーションと前記第1搬送領域内の圧力は、前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションの圧力に対して陽圧であることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか一項に記載の剥離方法。
The pressure in the first processing block is positive with respect to the pressure in the second processing block,
The pressure in the carry-in / out station and the first transfer area in the first processing block is a positive pressure with respect to the pressure in the peeling station and the cleaning station. The peeling method as described in any one.
前記重合基板と前記被処理基板は、それぞれダイシングテープを介して環状のダイシングフレームに保持されることを特徴とする、請求項8〜12のいずれか一項に記載の剥離方法。 The peeling method according to any one of claims 8 to 12, wherein the superposed substrate and the substrate to be processed are each held by an annular dicing frame via a dicing tape. 請求項8〜13のいずか一項に記載の剥離方法を剥離システムによって実行させるように、当該剥離システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。 The program which operate | moves on the computer of the control apparatus which controls the said peeling system so that the peeling method as described in any one of Claims 8-13 may be performed by a peeling system. 請求項14に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。 A readable computer storage medium storing the program according to claim 14.
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