JP6579941B2 - Peeling system - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、剥離システムに関する。   The disclosed embodiments relate to a stripping system.

近年、たとえば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがあるため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。   In recent years, for example, in semiconductor device manufacturing processes, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers have become larger and thinner. Since a large-diameter and thin semiconductor substrate may be warped or cracked during transport or polishing, the support substrate is bonded to the semiconductor substrate to reinforce it, and then transported or polished. The process which peels from a board | substrate is performed.

たとえば、特許文献1には、第1保持部を用いて支持基板を保持するとともに、第1保持部に鉛直向きに対向配置された第2保持部を用いて被処理基板(半導体基板)を保持し、第1保持部の外周部を鉛直上向きに移動させることにより、支持基板を被処理基板から剥離する剥離システムが開示されている。   For example, in Patent Document 1, a supporting substrate is held using a first holding unit, and a substrate to be processed (semiconductor substrate) is held using a second holding unit that is vertically opposed to the first holding unit. And the peeling system which peels a support substrate from a to-be-processed substrate by moving the outer peripheral part of a 1st holding | maintenance part perpendicularly upward is disclosed.

特開2014−053463号公報JP 2014-053463 A

しかしながら、上述した従来技術には、剥離システムがクリーンルーム等の床面積に占める割合であるフットプリントを小さくするという点で更なる改善の余地がある。   However, the above-described conventional technology has room for further improvement in that the footprint, which is the ratio of the peeling system to the floor area of a clean room or the like, is reduced.

実施形態の一態様は、フットプリントを小さくすることのできる剥離システムを提供することを目的とする。   An object of one embodiment is to provide a peeling system capable of reducing the footprint.

実施形態の一態様に係る剥離システムは、被処理基板と支持基板が接合された重合基板を被処理基板と支持基板とに剥離する剥離システムであって、複合ステーションと、剥離ステーションと、洗浄ステーションと、搬出ステーションと、搬送領域とを備える。複合ステーションは、重合基板と剥離後の被処理基板が載置される搬入出ステーション、および、重合基板に対する剥離前の前処理が行われる前処理ステーションが積層される。剥離ステーションは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置が複数個積層される。洗浄ステーションは、剥離後の被処理基板を洗浄する洗浄装置が配置される。搬出ステーションは、剥離後の支持基板が載置される。搬送領域は、複合ステーション、剥離ステーション、洗浄ステーションおよび搬出ステーションの間で、重合基板、被処理基板および支持基板を搬送する1つの搬送装置が配置される。搬送装置は、吸着機構が設けられた基板保持部を先端に有するアームを1対備え、一方のアームの基板保持部により剥離後の被処理基板を、他方のアームの基板保持部により剥離後の支持基板を、それぞれ同時に保持可能であり、搬送装置はさらに、剥離装置に設けられて支持基板を保持する第1保持部の下面と支持基板の非接合面との間に水平に基板保持部を差し込み、吸着機構によって非接合面を吸着して剥離装置から剥離後の支持基板を取り出したうえで基板保持部の表裏面を反転させた状態で、剥離後の支持基板を搬出ステーションへ搬送する。 A stripping system according to an aspect of an embodiment is a stripping system that strips a polymerization substrate in which a substrate to be processed and a support substrate are bonded to a substrate to be processed and a support substrate, and includes a composite station, a stripping station, and a cleaning station. And a carry-out station and a transfer area. In the composite station, a carry-in / out station where the superposed substrate and the substrate to be processed after peeling are placed, and a pretreatment station where pretreatment before peeling is performed on the superposed substrate are stacked. In the peeling station, a plurality of peeling devices for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate are stacked. The cleaning station is provided with a cleaning device for cleaning the substrate to be processed after peeling. At the carry-out station, the support substrate after peeling is placed. In the transfer area, one transfer device for transferring the polymerization substrate, the substrate to be processed, and the support substrate is arranged between the compound station, the peeling station, the cleaning station, and the carry-out station. The transfer device includes a pair of arms having a substrate holding portion provided with a suction mechanism at the tip, and the substrate to be processed after being peeled off by the substrate holding portion of one arm is removed after being peeled off by the substrate holding portion of the other arm. Each of the support substrates can be simultaneously held, and the transfer device further includes a substrate holding unit horizontally provided between the lower surface of the first holding unit that is provided in the peeling device and holds the support substrate and the non-joint surface of the support substrate. The non-bonded surface is sucked by the insertion and suction mechanism, and the peeled support substrate is taken out from the peeling device, and the peeled support substrate is conveyed to the carry-out station in a state where the front and back surfaces of the substrate holding part are reversed.

実施形態の一態様によれば、フットプリントを小さくすることができる。   According to one aspect of the embodiment, the footprint can be reduced.

図1は、本実施形態の比較例となる剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a peeling system as a comparative example of the present embodiment. 図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of a superposed substrate held by a dicing frame. 図3は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a superposed substrate held on a dicing frame. 図4Aは、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 4A is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the present embodiment. 図4Bは、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式正面図である。FIG. 4B is a schematic front view illustrating the configuration of the peeling system according to the present embodiment. 図4Cは、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式側面図である。FIG. 4C is a schematic side view illustrating the configuration of the peeling system according to the present embodiment. 図5Aは、搬送装置の構成を示す模式平面図である。FIG. 5A is a schematic plan view illustrating the configuration of the transport device. 図5Bは、搬送装置の構成を示す模式側面図である。FIG. 5B is a schematic side view illustrating the configuration of the transport device. 図5Cは、搬送装置のZ軸方向のストローク長を示す模式図である。FIG. 5C is a schematic diagram illustrating the stroke length of the transport device in the Z-axis direction. 図6は、本実施形態に係る剥離システムが実行する剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a processing procedure of a peeling process executed by the peeling system according to the present embodiment. 図7Aは、DF付重合基板の搬送順路を示す模式側面図である。FIG. 7A is a schematic side view showing a transfer route of the DF-attached superposition substrate. 図7Bは、DF付重合基板の搬送順路を示す模式平面図である。FIG. 7B is a schematic plan view showing a transport route of the DF-attached superposition substrate. 図7Cは、被処理基板および支持基板の搬送順路を示す模式平面図である。FIG. 7C is a schematic plan view illustrating a transfer route of the substrate to be processed and the support substrate. 図8Aは、支持基板の取り出し動作を示す模式図(その1)である。FIG. 8A is a schematic diagram (part 1) illustrating the operation of taking out the support substrate. 図8Bは、支持基板の取り出し動作を示す模式図(その2)である。FIG. 8B is a schematic diagram (part 2) illustrating the operation of taking out the support substrate. 図8Cは、支持基板の取り出し動作を示す模式図(その3)である。FIG. 8C is a schematic diagram (part 3) illustrating the operation of taking out the support substrate. 図8Dは、支持基板の取り出し動作を示す模式図(その4)である。FIG. 8D is a schematic diagram (part 4) illustrating the operation of taking out the support substrate. 図8Eは、支持基板の取り出し動作の変形例を示す模式図である。FIG. 8E is a schematic diagram illustrating a modified example of the operation of taking out the support substrate. 図9Aは、第1変形例に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 9A is a schematic plan view illustrating a configuration of a peeling system according to a first modification. 図9Bは、第2変形例に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 9B is a schematic plan view illustrating a configuration of a peeling system according to a second modification.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of a peeling system disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

<0.はじめに>
まず、本実施形態に係る剥離システムの説明に先立って、本実施形態の比較例となる剥離システム1’の構成について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、本実施形態の比較例となる剥離システム1’の構成を示す模式平面図である。また、図2および図3は、ダイシングフレームFに保持された重合基板Tの模式側面図および模式平面図である。
<0. Introduction>
First, prior to the description of the peeling system according to the present embodiment, a configuration of a peeling system 1 ′ serving as a comparative example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a peeling system 1 ′ as a comparative example of the present embodiment. 2 and 3 are a schematic side view and a schematic plan view of the superposed substrate T held by the dicing frame F. FIG.

なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸からなる直交座標軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。また、Y軸負方向を正面方向とする。   In the following, in order to clarify the positional relationship, an orthogonal coordinate axis composed of an X axis, a Y axis, and a Z axis that are orthogonal to each other is defined, and the positive direction of the Z axis is defined as a vertically upward direction. Moreover, let the Y-axis negative direction be a front direction.

図1に示す本実施形態の比較例となる剥離システム1’は、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gで接合された重合基板T(図2参照)を、被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。   A peeling system 1 ′, which is a comparative example of the present embodiment shown in FIG. 1, includes a superposed substrate T (see FIG. 2) in which a substrate to be processed W and a support substrate S are bonded to each other with an adhesive G. Peel to support substrate S.

以下では、図2に示すように、被処理基板Wの板面のうち、接着剤Gを介して支持基板Sと接合される側の板面を「接合面Wj」といい、接合面Wjとは反対側の板面を「非接合面Wn」という。また、支持基板Sの板面のうち、接着剤Gを介して被処理基板Wと接合される側の板面を「接合面Sj」といい、接合面Sjとは反対側の板面を「非接合面Sn」という。   In the following, as shown in FIG. 2, the plate surface of the substrate to be processed W that is bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and the bonding surface Wj Is referred to as the “non-bonding surface Wn”. In addition, among the plate surfaces of the support substrate S, the plate surface on the side bonded to the substrate W to be processed via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and the plate surface on the opposite side to the bonding surface Sj is defined as “ This is referred to as “non-joint surface Sn”.

被処理基板Wは、たとえばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Wjとしている。また、被処理基板Wは、たとえば非接合面Wnが研磨処理されることによって薄化されている。具体的には、被処理基板Wの厚さは、約20〜50μmである。   The substrate W to be processed is a substrate in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and the plate surface on the side where the electronic circuits are formed is used as a bonding surface Wj. Further, the substrate to be processed W is thinned by polishing the non-bonding surface Wn, for example. Specifically, the thickness of the substrate W to be processed is about 20 to 50 μm.

一方、支持基板Sは、被処理基板Wと略同径の基板であり、被処理基板Wを支持する。支持基板Sの厚みは、約650〜750μmである。かかる支持基板Sとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Wおよび支持基板Sを接合する接着剤Gの厚みは、約40〜150μmである。   On the other hand, the support substrate S is a substrate having substantially the same diameter as the substrate W to be processed, and supports the substrate W to be processed. The thickness of the support substrate S is about 650 to 750 μm. As this support substrate S, a glass substrate etc. other than a silicon wafer can be used. Moreover, the thickness of the adhesive G which joins these to-be-processed substrate W and the support substrate S is about 40-150 micrometers.

また、図3に示すように、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定される。これは、上記のように非常に薄い被処理基板Wを破損等から保護するためである。ダイシングフレームFは、重合基板Tよりも大径の開口部Faが中央に形成された略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームFの厚みは、たとえば1mm程度である。   Further, as shown in FIG. 3, the superposed substrate T is fixed to the dicing frame F. This is for protecting the very thin substrate W to be damaged from damage as described above. The dicing frame F is a substantially annular member in which an opening Fa having a diameter larger than that of the superposed substrate T is formed in the center, and is formed of a metal such as stainless steel. The thickness of the dicing frame F is, for example, about 1 mm.

重合基板Tは、かかるダイシングフレームFにダイシングテープPを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームFの開口部Faに重合基板Tを配置し、開口部Faを裏面から塞ぐように被処理基板Wの非接合面WnおよびダイシングフレームFの裏面にダイシングテープPを貼り付ける。これにより、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定(保持)された状態となる。すなわち、重合基板Tは、被処理基板Wが下面に位置し、支持基板Sが上面に位置した状態で、ダイシングフレームFに保持される(図2参照)。   The superposed substrate T is fixed to the dicing frame F via the dicing tape P. Specifically, the superposed substrate T is disposed in the opening Fa of the dicing frame F, and the dicing tape P is pasted on the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed and the back surface of the dicing frame F so as to close the opening Fa from the back surface. wear. As a result, the superposed substrate T is fixed (held) to the dicing frame F. That is, the superposed substrate T is held by the dicing frame F with the substrate W to be processed positioned on the lower surface and the support substrate S positioned on the upper surface (see FIG. 2).

図1の説明に戻る。図1に示すように、剥離システム1’は、第1処理ブロック10および第2処理ブロック20の2つの処理ブロックを備える。第1処理ブロック10と第2処理ブロック20とは、X軸正方向で第2処理ブロック20、第1処理ブロック10の順に並べて配置される。   Returning to the description of FIG. As shown in FIG. 1, the peeling system 1 ′ includes two processing blocks, a first processing block 10 and a second processing block 20. The first processing block 10 and the second processing block 20 are arranged side by side in the order of the second processing block 20 and the first processing block 10 in the positive direction of the X axis.

第1処理ブロック10では、重合基板Tの搬入、重合基板Tの剥離処理、剥離後の被処理基板Wの洗浄および搬出等が行われる。すなわち、第1処理ブロック10は、ダイシングフレームFによって保持される基板(重合基板Tと被処理基板W)に対する処理を行うブロックである。かかる第1処理ブロック10は、搬入出ステーション11と、前処理ステーション12と、第1搬送領域13と、剥離ステーション14と、洗浄ステーション15とを備える。   In the first processing block 10, the superposed substrate T is carried in, the superposed substrate T is peeled off, and the substrate W to be processed is peeled off and carried out. That is, the first processing block 10 is a block that performs processing on the substrates (the superposed substrate T and the target substrate W) held by the dicing frame F. The first processing block 10 includes a carry-in / out station 11, a pretreatment station 12, a first transfer region 13, a peeling station 14, and a cleaning station 15.

また、第2処理ブロック20は、ダイシングフレームFによって保持されない基板、具体的には、剥離後の支持基板Sに対する処理を行うブロックである。かかる第2処理ブロック20は、第1受渡ステーション21と、第2受渡ステーション22と、第2搬送領域23と、搬出ステーション24とを備える。   The second processing block 20 is a block that performs processing on a substrate that is not held by the dicing frame F, specifically, the support substrate S after being peeled off. The second processing block 20 includes a first delivery station 21, a second delivery station 22, a second transfer area 23, and a carry-out station 24.

搬入出ステーション11、前処理ステーション12、剥離ステーション14および洗浄ステーション15は、第1搬送領域13に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション11と前処理ステーション12とは、第1搬送領域13のY軸負方向側に、X軸正方向で搬入出ステーション11、前処理ステーション12の順に並べて配置される。   The carry-in / out station 11, the pretreatment station 12, the peeling station 14, and the cleaning station 15 are disposed adjacent to the first transfer region 13. Specifically, the carry-in / out station 11 and the pretreatment station 12 are arranged in the order of the carry-in / out station 11 and the pretreatment station 12 in the positive direction of the X axis on the Y axis negative direction side of the first transfer region 13. .

また、剥離ステーション14の1つめの剥離装置141と洗浄ステーション15の2つの洗浄装置151とは、第1搬送領域13のY軸正方向側に、X軸正方向で剥離装置141、2つの洗浄装置151の順に並べて配置される。また、剥離ステーション14の2つめの剥離装置142は、第1搬送領域13のX軸負方向側に配置される。   Further, the first peeling device 141 of the peeling station 14 and the two cleaning devices 151 of the cleaning station 15 are the cleaning devices 141 and 2 in the positive direction of the X axis on the Y axis positive direction side of the first transfer region 13. The devices 151 are arranged in order. Further, the second peeling device 142 of the peeling station 14 is disposed on the X-axis negative direction side of the first transfer region 13.

第1受渡ステーション21は、剥離装置141のX軸負方向側であって、剥離装置142のY軸正方向側に配置される。また、第2受渡ステーション22および搬出ステーション24は、第2搬送領域23に隣接して配置される。具体的には、第2受渡ステーション22は第2搬送領域23のY軸正方向側であって、第1受渡ステーション21のX軸負方向側に配置される。搬出ステーション24は第2搬送領域23のY軸負方向側に配置される。   The first delivery station 21 is disposed on the X axis negative direction side of the peeling device 141 and on the Y axis positive direction side of the peeling device 142. Further, the second delivery station 22 and the carry-out station 24 are arranged adjacent to the second transfer area 23. Specifically, the second delivery station 22 is arranged on the Y axis positive direction side of the second transfer area 23 and on the X axis negative direction side of the first delivery station 21. The carry-out station 24 is arranged on the Y axis negative direction side of the second transfer area 23.

まず、第1処理ブロック10の構成について説明する。搬入出ステーション11では、ダイシングフレームFに保持された重合基板T(以下、「DF付重合基板T」と記載する)が収容されるカセットCtおよび剥離後の被処理基板Wが収容されるカセットCwが外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション11には、複数のカセット載置台111が設けられており、各カセット載置台111には、カセットCtまたはカセットCwがそれぞれ載置される。   First, the configuration of the first processing block 10 will be described. In the carry-in / out station 11, a cassette Ct in which a superposed substrate T (hereinafter referred to as “DF superposed substrate T”) held in a dicing frame F is accommodated and a cassette Cw in which a substrate to be processed W after peeling is accommodated. Is carried in and out of the outside. The loading / unloading station 11 is provided with a plurality of cassette mounting tables 111, and a cassette Ct or a cassette Cw is mounted on each cassette mounting table 111.

なお、以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、各カセット載置台111に載置されたカセットCtまたはカセットCwをそれぞれ「DF−LP」と記載する場合がある。   In the following drawings and explanations, as shown in FIG. 1, the cassette Ct or the cassette Cw placed on each cassette placement table 111 may be described as “DF-LP”, respectively.

前処理ステーション12では、DF付重合基板Tに対し、剥離処理前の前処理が行われる。前処理ステーション12には、たとえばアライメント装置121が配置され、アライメント装置121は、後述する第1搬送装置131によりカセットCtから搬送されたDF付重合基板Tに対し、剥離処理の準備のために位置および向きを合わせるアライメント処理を行う。   In the pre-processing station 12, pre-processing before peeling processing is performed with respect to the superposition | polymerization board | substrate T with DF. For example, an alignment device 121 is disposed in the pretreatment station 12, and the alignment device 121 is positioned for preparation of a peeling process on the DF-attached superposition substrate T transported from the cassette Ct by the first transport device 131 described later. Then, an alignment process for adjusting the orientation is performed.

また、前処理ステーション12にはさらに、たとえば一時領域122が配置される。一時領域122には、たとえばダイシングフレームFのID(Identification)の読み取りを行うID読取装置が配置され、かかるID読取装置によって、処理されるDF付重合基板Tの識別を行うことができる。   Further, for example, a temporary area 122 is arranged in the preprocessing station 12. In the temporary area 122, for example, an ID reader for reading an ID (Identification) of the dicing frame F is arranged, and the ID-reader can identify the DF-attached superposed substrate T to be processed.

一時領域122ではさらに、ID読取装置によるID読取り処理に加え、たとえば処理待ちのDF付重合基板Tを一時的に待機させておく待機処理を必要に応じて行うことができる。一時領域122には、第1搬送装置131によって搬送されたDF付重合基板Tが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ID読取装置と一時待機部とが載置される。   Further, in the temporary area 122, in addition to the ID reading process by the ID reading device, for example, a standby process in which the DF-attached superposed substrate T waiting for processing is temporarily held can be performed as necessary. The temporary area 122 is provided with a mounting table on which the DF-attached superposition substrate T transferred by the first transfer device 131 is placed, and the ID reading device and the temporary standby unit are placed on the mounting table. The

なお、以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、アライメント装置121を「DAM」と、一時領域122を「BUF」と、それぞれ記載する場合がある。   In each drawing and description below, as shown in FIG. 1, the alignment device 121 may be described as “DAM” and the temporary area 122 may be described as “BUF”.

第1搬送領域13には、DF付重合基板Tまたは剥離後の被処理基板Wの搬送を行う第1搬送装置131が配置される。第1搬送装置131は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能なアームと、このアームの先端に取り付けられた基板保持部とを備える。   In the first transport region 13, a first transport device 131 that transports the superposed substrate T with DF or the substrate to be processed W after separation is disposed. The first transfer device 131 includes an arm that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a substrate holding unit attached to the tip of the arm.

第1搬送領域13では、かかる第1搬送装置131により、DF付重合基板Tを前処理ステーション12および剥離ステーション14へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Wを洗浄ステーション15および搬入出ステーション11へ搬送する処理が行われる。   In the first transfer region 13, the first transfer device 131 uses the first transfer device 131 to transfer the DF-attached superposed substrate T to the pretreatment station 12 and the separation station 14, and the substrate W after the separation is cleaned to the cleaning station 15 and the carry-in / out station. 11 is carried out.

なお、第1搬送装置131が備える基板保持部は、吸着または把持等によりダイシングフレームFを保持することによって、DF付重合基板Tまたは剥離後の被処理基板Wを略水平に保持する。以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、第1搬送装置131を「FRA」と記載する場合がある。   The substrate holding unit provided in the first transfer device 131 holds the dicing frame F by suction or gripping to hold the DF-attached superposed substrate T or the substrate to be processed W after peeling substantially horizontally. In each drawing and description below, as shown in FIG. 1, the first transport device 131 may be described as “FRA”.

剥離ステーション14には、2つの剥離装置141,142が配置される。剥離ステーション14では、かかる剥離装置141,142によって、DF付重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する剥離処理が行われる。   Two peeling devices 141 and 142 are arranged in the peeling station 14. In the peeling station 14, a peeling process for peeling the DF-attached superposed substrate T into the target substrate W and the support substrate S is performed by the peeling devices 141 and 142.

具体的には剥離装置141,142では、被処理基板Wを下側に配置しかつ支持基板Sを上側に配置した状態で、DF付重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。剥離装置141,142としては、たとえば特開2014−053463号公報に記載の剥離装置を用いることができる。なお、以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、剥離装置141,142を「DDB」と記載する場合がある。   Specifically, in the peeling devices 141 and 142, the DF-attached superposed substrate T is peeled into the target substrate W and the support substrate S in a state where the target substrate W is disposed on the lower side and the support substrate S is disposed on the upper side. To do. As the peeling devices 141 and 142, for example, a peeling device described in JP-A-2014-053463 can be used. In each drawing and description shown below, as shown in FIG. 1, the peeling devices 141 and 142 may be described as “DDB”.

洗浄ステーション15には、2つの洗浄装置151が配置される。洗浄ステーション15では、かかる2つの洗浄装置151によって、剥離後の被処理基板WをダイシングフレームFに保持された状態で洗浄する洗浄処理が行われる。洗浄装置151としては、たとえば特開2014−053463号公報に記載の第1洗浄装置を用いることができる。なお、以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、洗浄装置151を「DCN」と記載する場合がある。   Two cleaning apparatuses 151 are arranged in the cleaning station 15. In the cleaning station 15, the two cleaning apparatuses 151 perform a cleaning process for cleaning the substrate W after separation while being held by the dicing frame F. As the cleaning device 151, for example, a first cleaning device described in JP 2014-053463 A can be used. In each drawing and description below, the cleaning device 151 may be described as “DCN” as shown in FIG.

つづいて、第2処理ブロック20の構成について説明する。第1受渡ステーション21では、剥離ステーション14の剥離装置141,142から剥離後の支持基板Sを受け取って第2受渡ステーション22へ渡す受渡処理が行われる。   Next, the configuration of the second processing block 20 will be described. In the first delivery station 21, delivery processing is performed in which the support substrate S after peeling is received from the peeling devices 141 and 142 of the peeling station 14 and transferred to the second delivery station 22.

第1受渡ステーション21には、受渡装置211が配置される。受渡装置211は、たとえばベルヌーイチャック等の非接触方式である非接触保持部を有し、この非接触保持部は水平軸回りに回動自在に構成されている。   A delivery device 211 is arranged at the first delivery station 21. The delivery device 211 has a non-contact holding portion that is a non-contact type such as a Bernoulli chuck, for example, and this non-contact holding portion is configured to be rotatable about a horizontal axis.

受渡装置211としては、たとえば特開2014−053463号公報に記載の第3搬送装置を用いることができる。かかる受渡装置211は、剥離後の支持基板Sの表裏面を反転させつつ、剥離装置141,142から第2処理ブロック20へ支持基板Sを非接触で搬送する。なお、以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、受渡装置211を「MRRA」と記載する場合がある。   As the delivery device 211, for example, a third transport device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2014-053463 can be used. The delivery device 211 conveys the support substrate S from the peeling devices 141 and 142 to the second processing block 20 in a non-contact manner while inverting the front and back surfaces of the support substrate S after peeling. In each drawing and description below, as shown in FIG. 1, the delivery device 211 may be described as “MRRA”.

第2受渡ステーション22には、支持基板Sを載置する載置部221と、載置部221をY軸方向に移動させる移動部222とが配置される。載置部221は、たとえば3つの支持ピンを備え、支持基板Sの非接合面Snを支持して載置する。なお、以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、第2受渡ステーション22を「SHTL」と記載する場合がある。   In the second delivery station 22, a placement unit 221 for placing the support substrate S and a moving unit 222 for moving the placement unit 221 in the Y-axis direction are arranged. The mounting unit 221 includes, for example, three support pins, and supports and mounts the non-joint surface Sn of the support substrate S. In each drawing and description below, as shown in FIG. 1, the second delivery station 22 may be described as “SHTL”.

移動部222は、Y軸方向に延伸するレールと、載置部221をY軸方向に移動させる駆動部とを備える。第2受渡ステーション22では、第1受渡ステーション21の受渡装置211から載置部221に支持基板Sが載置された後、移動部222によって載置部221を第2搬送領域23側に移動させる。   The moving unit 222 includes a rail extending in the Y-axis direction and a driving unit that moves the placement unit 221 in the Y-axis direction. In the second delivery station 22, after the support substrate S is placed on the placement unit 221 from the delivery device 211 of the first delivery station 21, the placement unit 221 is moved to the second transport region 23 side by the moving unit 222. .

そして、載置部221から後述する第2搬送領域23の第2搬送装置231に支持基板Sが受け渡される。なお、載置部221はY軸方向以外にも移動可能に構成されていてもよい。   Then, the support substrate S is transferred from the placement unit 221 to the second transfer device 231 in the second transfer region 23 described later. The placement unit 221 may be configured to be movable in other directions than the Y-axis direction.

第2搬送領域23には、剥離後の支持基板Sの搬送を行う第2搬送装置231が配置される。第2搬送装置231は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能なアームと、このアームの先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第2搬送領域23では、かかる第2搬送装置231により、剥離後の支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理が行われる。なお、以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、第2搬送装置231を「LRA」と記載する場合がある。   In the second transport region 23, a second transport device 231 that transports the support substrate S after peeling is disposed. The second transfer device 231 includes an arm that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a substrate holding unit attached to the tip of the arm. In the second transfer area 23, the second transfer device 231 performs a process of transferring the peeled support substrate S to the carry-out station 24. In each drawing and description below, as shown in FIG. 1, the second transport device 231 may be described as “LRA”.

搬出ステーション24には、複数のカセット載置台241が設けられており、各カセット載置台241には、剥離後の支持基板Sが収容されるカセットCsがそれぞれ載置される。そして、搬出ステーション24では、このカセットCsが外部に対し搬出される。なお、以下に示す各図面や説明では、図1に示すように、各カセット載置台241に載置されたカセットCsをそれぞれ「LP」と記載する場合がある。   The unloading station 24 is provided with a plurality of cassette mounting tables 241, and each cassette mounting table 241 is mounted with a cassette Cs in which the support substrate S after peeling is stored. At the carry-out station 24, the cassette Cs is carried out to the outside. In the following drawings and explanations, as shown in FIG. 1, the cassette Cs placed on each cassette placement table 241 may be described as “LP”.

また、剥離システム1’は、制御装置30を備える。制御装置30は、剥離システム1’の動作を制御する装置である。かかる制御装置30は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム1’の動作を制御する。   Further, the peeling system 1 ′ includes a control device 30. The control device 30 is a device that controls the operation of the peeling system 1 ′. The control device 30 is a computer, for example, and includes a control unit and a storage unit (not shown). The storage unit stores a program for controlling various processes such as a peeling process. The control unit controls the operation of the peeling system 1 'by reading and executing the program stored in the storage unit.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置30の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。   Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium and installed in the storage unit of the control device 30 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

ところで、上述した剥離システム1’は、フットプリントを小さくし、省スペース化を図るうえで更なる改善の余地がある。そこで、本実施形態では、上述した第1処理ブロック10および第2処理ブロック20を統合し、1つの処理ブロックによってDF付重合基板Tに対する一連の剥離処理が実行可能となるように剥離システムを構成することとした。   By the way, the above-described peeling system 1 ′ has room for further improvement in order to reduce the footprint and save space. Therefore, in the present embodiment, the first processing block 10 and the second processing block 20 described above are integrated, and the peeling system is configured so that a series of peeling processing can be performed on the DF-attached polymer substrate T by one processing block. It was decided to.

以下、本実施形態に係る剥離システム1の構成について、図4A以降を参照しつつ具体的に説明する。なお、以下では、本実施形態において、比較例となる剥離システム1’と異なる構成要素について主に説明する。   Hereinafter, the configuration of the peeling system 1 according to the present embodiment will be specifically described with reference to FIG. In the following, in the present embodiment, components different from the peeling system 1 ′ as a comparative example will be mainly described.

<1.剥離システム1の構成>
図4A〜図4Cは順に、本実施形態に係る剥離システム1の構成を示す模式平面図、模式正面図および模式側面図である。
<1. Configuration of Peeling System 1>
4A to 4C are a schematic plan view, a schematic front view, and a schematic side view showing the configuration of the peeling system 1 according to the present embodiment in order.

図4Aに示すように、本実施形態に係る剥離システム1は、1つの処理ブロック10_20を備える。処理ブロック10_20は、ダイシングフレームFによって保持される基板(重合基板Tと被処理基板W)に対する処理、および、ダイシングフレームFによって保持されない基板(剥離後の支持基板S)に対する処理、の双方を統合的に行う処理ブロックである。   As shown in FIG. 4A, the peeling system 1 according to this embodiment includes one processing block 10_20. The processing block 10_20 integrates both the processing for the substrates (the superposed substrate T and the substrate to be processed W) held by the dicing frame F and the processing for the substrate (the support substrate S after peeling) that is not held by the dicing frame F. This is a processing block to be performed automatically.

処理ブロック10_20は、複合ステーション11_12と、第1搬送領域13と、剥離ステーション14と、洗浄ステーション15と、搬出ステーション24とを備える。複合ステーション11_12は、上述した搬入出ステーション11および前処理ステーション12を複合した処理ステーションである。また、処理ブロック10_20では、搬送領域は1つのみである。このため、第1搬送領域13およびこれに配置される第1搬送装置131(FRA)についてはそれぞれ、以下、「搬送領域13」および「搬送装置131」と記載する。   The processing block 10_20 includes a composite station 11_12, a first transfer region 13, a peeling station 14, a cleaning station 15, and an unloading station 24. The combined station 11_12 is a processing station that combines the carry-in / out station 11 and the preprocessing station 12 described above. In the processing block 10_20, there is only one transport area. For this reason, the 1st conveyance area 13 and the 1st conveyance apparatus 131 (FRA) arrange | positioned at this are hereafter described as "the conveyance area 13" and "the conveyance apparatus 131", respectively.

複合ステーション11_12、剥離ステーション14、洗浄ステーション15および搬出ステーション24は、搬送領域13に隣接して配置される。具体的には、複合ステーション11_12と搬出ステーション24とは、搬送領域13のY軸負方向側に、X軸正方向で複合ステーション11_12、搬出ステーション24の順に並べて配置される。   The composite station 11_12, the peeling station 14, the cleaning station 15 and the carry-out station 24 are arranged adjacent to the transfer area 13. Specifically, the composite station 11_12 and the carry-out station 24 are arranged side by side in the order of the composite station 11_12 and the carry-out station 24 in the positive X-axis direction on the Y axis negative direction side of the transfer area 13.

また、剥離ステーション14と洗浄ステーション15とは、搬送領域13のY軸正方向側に、X軸正方向で剥離ステーション14、洗浄ステーション15の順に並べて配置される。   Further, the peeling station 14 and the cleaning station 15 are arranged side by side in the order of the peeling station 14 and the cleaning station 15 in the positive direction of the X axis on the Y axis positive direction side of the transfer region 13.

また、図4Aおよび図4Bに示すように、複合ステーション11_12では、各カセット載置台111(DF−LP)それぞれの上段に積層されて、アライメント装置121(DAM)および一時領域122(BUF)とが、たとえばX軸正方向でアライメント装置121、一時領域122の順に並べて配置される。   4A and 4B, in the composite station 11_12, each cassette mounting table 111 (DF-LP) is stacked on the upper stage, and an alignment device 121 (DAM) and a temporary area 122 (BUF) are provided. For example, the alignment device 121 and the temporary region 122 are arranged in this order in the positive X-axis direction.

また、図4Aおよび図4Cに示すように、剥離ステーション14では、剥離装置142の上段に剥離装置141が積層されて配置される。   As shown in FIGS. 4A and 4C, in the peeling station 14, the peeling device 141 is stacked on the upper stage of the peeling device 142.

このような配置構成において、剥離システム1では、搬送領域13に配置された搬送装置131のみによって、一連の剥離処理に係る基板のすべてを搬送する処理を行う。すなわち、剥離システム1における搬送装置131は、上述した受渡装置211(MRRA)および第2搬送装置231(LRA)を代替して動作可能に設けられる。   In such an arrangement configuration, in the peeling system 1, only the transfer device 131 arranged in the transfer area 13 performs a process of transferring all of the substrates related to a series of peeling processes. That is, the transfer device 131 in the peeling system 1 is provided to be operable in place of the delivery device 211 (MRRA) and the second transfer device 231 (LRA) described above.

また、搬送装置131は、図4Cに示すように、積層されたたとえば剥離装置141,142へそれぞれアクセス可能となるように設けられる。次に、かかる搬送装置131の具体的な構成について、図5Aおよび図5Bを参照しつつ説明する。   Further, as shown in FIG. 4C, the conveying device 131 is provided so as to be accessible to the stacked peeling devices 141 and 142, for example. Next, a specific configuration of the transport device 131 will be described with reference to FIGS. 5A and 5B.

図5Aは、搬送装置131の構成を示す模式平面図であり、図5Bは、搬送装置131の構成を示す模式側面図である。   FIG. 5A is a schematic plan view illustrating the configuration of the transport device 131, and FIG. 5B is a schematic side view illustrating the configuration of the transport device 131.

図5Aに示すように、搬送装置131は、基板保持部131aと、第1リンク131bと、第2リンク131cと、アームベース131dとを備える。   As shown in FIG. 5A, the transfer device 131 includes a substrate holding part 131a, a first link 131b, a second link 131c, and an arm base 131d.

基板保持部131aは、たとえば二股の平板状に形成され、表面に複数個の吸着パッド131aa(「吸着機構」の一例に相当)を備える。また、基板保持部131aの基端部は、第1リンク131bの先端部に対し、軸ax1まわりに回転可能、かつ、軸ax1に垂直な軸ax2まわりに回転可能に連結される。   The substrate holding part 131a is formed in, for example, a bifurcated flat plate shape, and includes a plurality of suction pads 131aa (corresponding to an example of “suction mechanism”) on the surface. The base end portion of the substrate holding portion 131a is connected to the tip end portion of the first link 131b so as to be rotatable about the axis ax1 and rotatable about the axis ax2 perpendicular to the axis ax1.

また、第1リンク131bの基端部は、第2リンク131cの先端部に対し、軸ax2に平行な軸ax3まわりに回転可能に連結される。また、第2リンク131cの基端部は、アームベース131dに対し、軸ax3に平行な軸ax4まわりに回転可能に連結される。   Further, the base end portion of the first link 131b is connected to the tip end portion of the second link 131c so as to be rotatable about an axis ax3 parallel to the axis ax2. The base end portion of the second link 131c is coupled to the arm base 131d so as to be rotatable about an axis ax4 parallel to the axis ax3.

基板保持部131a、第1リンク131b、第2リンク131cおよびアームベース131dはこのように連結され、1本のアームが構成される。かかるアームは、軸ax1まわりの回転によって基板保持部131aの表裏面を反転させることが可能であるとともに、軸ax2〜軸ax4まわりの回転によって矢印501の方向に基板保持部131aを進退させることが可能である。   The substrate holding part 131a, the first link 131b, the second link 131c, and the arm base 131d are connected in this way to constitute one arm. Such an arm can reverse the front and back surfaces of the substrate holding part 131a by rotating around the axis ax1, and can advance and retract the substrate holding part 131a in the direction of the arrow 501 by rotating around the axis ax2 to the axis ax4. Is possible.

なお、アームベース131dに対しては、同様の構成のアームがさらに1本連結される。双方のアームの基板保持部131aの基板保持方式は、同一の方式(ここでは吸着方式)であってもよいし、たとえば一方が吸着方式、他方が把持方式といったように異なる方式であってもよい。これら2本のアームにより、たとえば一方のアームでは剥離後の被処理基板Wを、他方のアームでは剥離後の支持基板Sを、それぞれ同時に保持することができる。   An additional arm having the same configuration is connected to the arm base 131d. The substrate holding method of the substrate holding portions 131a of both arms may be the same method (here, the suction method), or may be a different method, for example, one is the suction method and the other is the gripping method. . With these two arms, for example, the target substrate W after peeling can be simultaneously held in one arm, and the supporting substrate S after peeling can be simultaneously held in the other arm.

また、アームベース131dは、軸ax4に平行な軸ax5まわりに旋回可能に設けられる(図中の矢印502参照)。また、図5Bに示すように、搬送装置131は、床面等に設置される基台部131eをさらに備える。アームベース131dは、かかる基台部131eへ連結される。   The arm base 131d is provided so as to be able to turn around an axis ax5 parallel to the axis ax4 (see an arrow 502 in the figure). Further, as shown in FIG. 5B, the transfer device 131 further includes a base portion 131e installed on the floor surface or the like. The arm base 131d is connected to the base portion 131e.

基台部131eは、たとえば第3リンク131ea、第4リンク131ebおよび第5リンク131ecを組み合わせたいわゆるテレスコピック構造によって、Z軸に平行な軸ax6沿いに昇降可能に設けられ(図中の矢印503参照)、基板保持部131aをZ軸方向に昇降させる。   The base 131e is provided so as to be movable up and down along an axis ax6 parallel to the Z axis, for example, by a so-called telescopic structure in which the third link 131ea, the fourth link 131eb, and the fifth link 131ec are combined (see arrow 503 in the figure). ) The substrate holding part 131a is moved up and down in the Z-axis direction.

かかるZ軸方向における搬送装置131のストローク長について、図5Cを参照しつつ説明する。図5Cは、搬送装置131のZ軸方向のストローク長を示す模式図である。   The stroke length of the transport device 131 in the Z-axis direction will be described with reference to FIG. 5C. FIG. 5C is a schematic diagram illustrating the stroke length of the transport device 131 in the Z-axis direction.

なお、図5Cに示すように、剥離装置141は、支持基板Sを保持する第1保持部141aおよびこれに鉛直向きに対向配置されて被処理基板Wを保持する第2保持部141bを備え、第1保持部141aの外周部を鉛直上向きに移動させることにより、支持基板Sを被処理基板Wから剥離するものとする。剥離装置142の場合は、第1保持部142aが第1保持部141aに、第2保持部142bが第2保持部141bに、それぞれ対応する。   As shown in FIG. 5C, the peeling device 141 includes a first holding unit 141a that holds the support substrate S and a second holding unit 141b that holds the substrate W to be processed while being opposed to the first holding unit 141a in the vertical direction. It is assumed that the support substrate S is peeled from the substrate W to be processed by moving the outer peripheral portion of the first holding portion 141a vertically upward. In the case of the peeling device 142, the first holding unit 142a corresponds to the first holding unit 141a, and the second holding unit 142b corresponds to the second holding unit 141b.

図5Cに示すように、搬送装置131は、基板保持部131aが、剥離装置141の第1保持部141aの移動上限位置P1よりも高い位置HiPを最上点とし、カセットCtの最下段スロット位置P2よりも低い位置LoPを最下点とするアクセス可能範囲を有するように構成される。すなわち、上述の基台部131eは、図中のストローク長hを有して昇降可能となるように設けられる。   As shown in FIG. 5C, in the transfer device 131, the substrate holding portion 131a has the highest position HiP higher than the movement upper limit position P1 of the first holding portion 141a of the peeling device 141, and the lowest slot position P2 of the cassette Ct. It is configured to have an accessible range with the lowest position LoP as the lowest point. That is, the above-mentioned base part 131e is provided so as to be movable up and down with a stroke length h in the drawing.

これにより、積層されたカセット載置台111およびアライメント装置121、同じく積層された剥離装置141,142の間で、1つの搬送装置131により、基板を搬送することができる。   Thus, the substrate can be transported by one transport device 131 between the stacked cassette mounting table 111 and the alignment device 121 and the similarly stacked stacking devices 141 and 142.

<2.剥離システム1の動作>
次に、以上のように構成された剥離システム1の動作について、図6、図7A〜図7Cおよび図8A〜図8Eを参照しつつ説明する。図6は、本実施形態に係る剥離システム1が実行する剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。
<2. Operation of Peeling System 1>
Next, the operation of the peeling system 1 configured as described above will be described with reference to FIGS. 6, 7A to 7C, and FIGS. 8A to 8E. FIG. 6 is a flowchart showing a processing procedure of a peeling process executed by the peeling system 1 according to the present embodiment.

また、図7Aは、DF付重合基板Tの搬送順路を示す模式側面図であり、図7Bは、DF付重合基板Tの搬送順路を示す模式平面図であり、図7Cは、被処理基板Wおよび支持基板Sの搬送順路を示す模式平面図である。   7A is a schematic side view showing the transfer route of the DF-attached superposition substrate T, FIG. 7B is a schematic plan view showing the transfer route of the DF-attached superposition substrate T, and FIG. FIG. 6 is a schematic plan view showing a transport route of the support substrate S.

また、図8A〜図8Dは、支持基板Sの取り出し動作を示す模式図(その1)〜(その4)であり、図8Eは、支持基板Sの取り出し動作の変形例を示す模式図である。なお、剥離システム1は、制御装置30の制御に基づき、図6に示す各処理手順を実行する。   8A to 8D are schematic views (part 1) to (part 4) showing the operation of taking out the support substrate S, and FIG. 8E is a schematic view showing a modification example of the operation of taking out the support substrate S. . Note that the peeling system 1 executes each processing procedure shown in FIG. 6 based on the control of the control device 30.

まず、複数枚のDF付重合基板Tを収容したカセットCtと、空のカセットCwとが、複合ステーション11_12の所定のカセット載置台111に載置されるとともに、空のカセットCsが、搬出ステーション24の所定のカセット載置台241に載置される。   First, a cassette Ct containing a plurality of DF-attached superposition substrates T and an empty cassette Cw are placed on a predetermined cassette mounting table 111 of the composite station 11_12, and an empty cassette Cs is transferred to an unloading station 24. Is mounted on a predetermined cassette mounting table 241.

そして、搬送領域13に配置された搬送装置131は、制御装置30の制御に基づき、DF付重合基板Tを複合ステーション11_12の上段(図1の前処理ステーション12に対応)へ搬入する基板搬入処理を行う(図6のステップS101、図7AのT1参照)。   Then, the transfer device 131 arranged in the transfer region 13 carries the substrate loading process for loading the DF-attached superposition substrate T into the upper stage of the composite station 11_12 (corresponding to the pretreatment station 12 in FIG. 1) based on the control of the control device 30. (See step S101 in FIG. 6 and T1 in FIG. 7A).

具体的には、搬送装置131は、基板保持部131aを複合ステーション11_12の下段(図1の搬入出ステーション11に対応)へ進入させ、カセット載置台111のカセットCtに収容されたDF付重合基板Tを保持してカセットCtから取り出す。   Specifically, the transfer device 131 causes the substrate holding part 131a to enter the lower stage of the composite station 11_12 (corresponding to the carry-in / out station 11 in FIG. 1), and the DF-attached superposition substrate accommodated in the cassette Ct of the cassette mounting table 111. Hold T and remove from cassette Ct.

このとき、DF付重合基板Tは、被処理基板Wが下面に位置し、支持基板Sが上面に位置した状態で、搬送装置131の基板保持部131aに上方から保持される。そして、搬送装置131は、カセットCtから取り出したDF付重合基板Tを複合ステーション11_12の上段へ搬入する。   At this time, the DF-attached superposition substrate T is held from above by the substrate holding portion 131a of the transfer device 131 in a state where the substrate W to be processed is located on the lower surface and the support substrate S is located on the upper surface. Then, the transport device 131 carries the DF-attached superposition substrate T taken out from the cassette Ct to the upper stage of the composite station 11_12.

つづいて、複合ステーション11_12の上段では、剥離前処理が行われる(図6のステップS102参照)。具体的には、アライメント装置121が、制御装置30の制御に基づき、DF付重合基板Tの位置および向きを合わせるアライメント処理を行う。そして、ID読取装置が、制御装置30の制御に基づき、ダイシングフレームFのIDを読み取るID読取処理を行う。ID読取装置によって読み取られたIDは、制御装置30へ送信される。   Subsequently, in the upper stage of the composite station 11_12, a pre-peeling process is performed (see step S102 in FIG. 6). Specifically, the alignment device 121 performs alignment processing for aligning the position and orientation of the DF-attached superposition substrate T based on the control of the control device 30. Then, the ID reading device performs an ID reading process for reading the ID of the dicing frame F based on the control of the control device 30. The ID read by the ID reading device is transmitted to the control device 30.

つづいて、搬送装置131は、制御装置30の制御に基づき、DF付重合基板Tを複合ステーション11_12の上段から搬出し、剥離ステーション14へ搬送する(図7BのT2参照)。なお、搬送先は、剥離ステーション14の上段の剥離装置141および下段の剥離装置142のいずれか空いている方でよいが、以下では、剥離装置141の方へ搬送されたものとして説明を進める。   Subsequently, based on the control of the control device 30, the transfer device 131 carries out the DF-attached superposed substrate T from the upper stage of the composite station 11_12 and transfers it to the peeling station 14 (see T2 in FIG. 7B). The transport destination may be either the upper peeling device 141 or the lower peeling device 142 vacant, but the following description will be made assuming that the transport destination is transported to the peeling device 141.

また、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちのDF付重合基板Tが生じる場合には、複合ステーション11_12の上段に設けられた一時領域122を用いてDF付重合基板Tを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。   Further, for example, when a DF-attached superposed substrate T waiting for processing occurs due to a difference in processing time between apparatuses, the DF-attached superposed substrate T is temporarily kept in standby using the temporary area 122 provided in the upper stage of the composite station 11_12. The loss time between a series of processes can be shortened.

そして、剥離ステーション14では、剥離装置141が、制御装置30の制御に基づいて剥離処理を行う(図6のステップS103参照)。   And in the peeling station 14, the peeling apparatus 141 performs a peeling process based on control of the control apparatus 30 (refer step S103 of FIG. 6).

その後、剥離システム1では、剥離後の被処理基板Wについての処理、および、剥離後の支持基板Sについての処理が、処理ブロック10_20にてパラレルに行われる。なお、剥離後の被処理基板Wは、ダイシングフレームFによって保持されている。   Thereafter, in the peeling system 1, the processing for the target substrate W after peeling and the processing for the supporting substrate S after peeling are performed in parallel in the processing block 10_20. Note that the substrate to be processed W after peeling is held by the dicing frame F.

まず、搬送装置131が、制御装置30の制御に基づき、剥離後の被処理基板Wおよび剥離後の支持基板Sを、それぞれ剥離装置141から取り出す。このとき、搬送装置131は、一方のアームの基板保持部131aによって剥離後の被処理基板Wを取り出し、他方のアームの基板保持部131aによって剥離後の支持基板Sを取り出す。   First, the transfer device 131 takes out the target substrate W after peeling and the support substrate S after peeling from the peeling device 141 based on the control of the control device 30. At this time, the transfer device 131 takes out the substrate to be processed W after peeling by the substrate holding portion 131a of one arm, and takes out the support substrate S after peeling by the substrate holding portion 131a of the other arm.

なお、ここで、剥離後の支持基板Sは、剥離装置141によって上面側すなわち非接合面Sn側が保持された状態となっており、上述した比較例となる剥離システム1’では、受渡装置211(MRRA)が、非接触保持部により支持基板Sの接合面Sj側を下方から非接触で保持して取り出し、その後、保持した支持基板Sを反転させて、接合面Sjを上方に向けた状態としていた。   Here, the support substrate S after peeling is in a state where the upper surface side, that is, the non-joint surface Sn side is held by the peeling device 141. In the peeling system 1 ′ as the comparative example described above, the delivery device 211 ( MRRA) holds and removes the bonding surface Sj side of the support substrate S from the lower side in a non-contact manner by the non-contact holding unit, and then reverses the held support substrate S so that the bonding surface Sj faces upward. It was.

この動作に代替するため、本実施形態に係る剥離システム1の搬送装置131は、たとえば図8A〜図8Eに示す手法によって、剥離後の支持基板Sを取り出す。   In order to substitute for this operation, the transfer device 131 of the peeling system 1 according to the present embodiment takes out the support substrate S after peeling by the method shown in FIGS. 8A to 8E, for example.

具体的には、図8Aに示すように、まず搬送装置131は、制御装置30の制御に基づき、支持基板Sを取り出す方のアームの基板保持部131aを剥離装置141へ進入させ、剥離装置141により剥離されて第1保持部141aにより保持された状態の支持基板Sへ接近させる(図中の矢印801参照)。   Specifically, as shown in FIG. 8A, first, based on the control of the control device 30, the transport device 131 causes the substrate holding portion 131 a of the arm that takes out the support substrate S to enter the peeling device 141, and the peeling device 141. And is made to approach the support substrate S in a state of being held by the first holding portion 141a (see arrow 801 in the figure).

ここで、図8Bに示すように、剥離装置141では、剥離後の支持基板Sが、第1保持部141aの有する吸着部141aaにより非接合面Snを吸着された状態で保持されている。そこで、搬送装置131は、制御装置30の制御に基づき、基板保持部131aを第1保持部141aの下面と支持基板Sの非接合面Snとの間に、吸着パッド131aaを下へ向けた状態で水平に徐々に差し込む(図中の矢印802参照)。   Here, as shown in FIG. 8B, in the peeling device 141, the support substrate S after being peeled is held in a state in which the non-joint surface Sn is sucked by the suction portion 141aa of the first holding portion 141a. Therefore, the transfer device 131 has the suction pad 131aa facing downward between the lower surface of the first holding portion 141a and the non-joint surface Sn of the support substrate S based on the control of the control device 30. (See arrow 802 in the figure).

そして、図8Cに示すように、搬送装置131は、基板保持部131aを第1保持部141aの下面と支持基板Sの非接合面Snとの間に奥まで差し込んだならば、制御装置30の制御に基づき、吸着部141aaに替わり吸着パッド131aaによって非接合面Snを吸着し、支持基板Sを保持する。   Then, as illustrated in FIG. 8C, if the transfer device 131 inserts the substrate holding portion 131a all the way between the lower surface of the first holding portion 141a and the non-joint surface Sn of the support substrate S, Based on the control, the non-bonding surface Sn is sucked by the suction pad 131aa instead of the suction portion 141aa, and the support substrate S is held.

そして、図8Dに示すように、搬送装置131は、支持基板Sを保持した後、制御装置30の制御に基づき、剥離装置141の第1保持部141aから支持基板Sを離脱させて剥離装置141から取り出す(図中の矢印803参照)。その後、搬送装置131は、制御装置30の制御に基づき、基板保持部131aの表裏面を反転させて(図中の矢印804参照)、接着剤Gの付着した側である接合面Sjを上方に向けた状態とする。   8D, the transfer device 131 holds the support substrate S, and then separates the support substrate S from the first holding portion 141a of the peeling device 141 based on the control of the control device 30 to release the peeling device 141. (See arrow 803 in the figure). Thereafter, the transfer device 131 reverses the front and back surfaces of the substrate holding portion 131a based on the control of the control device 30 (see the arrow 804 in the figure), and the bonding surface Sj on the side where the adhesive G is attached is directed upward. Keep it facing.

かかる手法を用いることにより、搬送装置131は、比較例となる剥離システム1’の受渡装置211に代替した動作を行うことができる。すなわち、一連の剥離動作に係る基板の搬送を搬送装置131のみで行うことができるので、受渡装置211は不要であり、フットプリントを小さくすることができる。   By using such a method, the conveyance device 131 can perform an operation in place of the delivery device 211 of the peeling system 1 ′ as a comparative example. That is, since the substrate related to the series of peeling operations can be transported only by the transport device 131, the delivery device 211 is not necessary, and the footprint can be reduced.

なお、図8A〜図8Dは、基板保持部131aが吸着方式である場合を例に挙げたが、これに代えて、たとえば把持方式であってもよい。   8A to 8D exemplify the case where the substrate holding portion 131a is the suction method, but instead of this, for example, a gripping method may be used.

具体的には、たとえば図8Eに示すように、変形例に係る基板保持部131aAとして、固定部131abと可動部131acの間で支持基板Sを挟み付けて保持するタイプであってもよい。   Specifically, for example, as shown in FIG. 8E, a substrate holding part 131aA according to a modification may be a type in which the support substrate S is sandwiched and held between the fixed part 131ab and the movable part 131ac.

かかる場合、搬送装置131は、剥離装置141へ基板保持部131aAを進入させた後、基板保持部131aAを下方から支持基板Sへ接近させたうえで(図中の矢印805参照)、固定部131abと可動部131acとの間に挟み付ける(図中の矢印806参照)ことによって支持基板Sを保持して取り出し、反転させることとなる。   In such a case, the transport device 131 causes the substrate holding portion 131aA to enter the peeling device 141, and then causes the substrate holding portion 131aA to approach the support substrate S from below (see arrow 805 in the drawing), and then the fixing portion 131ab. And the movable portion 131ac (see an arrow 806 in the figure), the support substrate S is held and taken out and inverted.

図6および図7Cの説明に戻る。そして、搬送装置131は、制御装置30の制御に基づき、まず取り出した剥離後の被処理基板Wを洗浄ステーション15へ搬送する(図7CのW1参照)。   Returning to the description of FIGS. 6 and 7C. Then, based on the control of the control device 30, the transport device 131 first transports the substrate W after being taken out to the cleaning station 15 (see W <b> 1 in FIG. 7C).

そして、洗浄ステーション15の洗浄装置151は、制御装置30の制御に基づき、剥離後の被処理基板Wの接合面Wjを洗浄する被処理基板洗浄処理を行う(図6のステップS104参照)。かかる被処理基板洗浄処理によって、被処理基板Wの接合面Wjに残存する接着剤Gが除去される。   Then, the cleaning device 151 of the cleaning station 15 performs a processing target substrate cleaning process for cleaning the bonded surface Wj of the target processing substrate W after peeling based on the control of the control device 30 (see step S104 in FIG. 6). By such a substrate cleaning process, the adhesive G remaining on the bonding surface Wj of the substrate W to be processed is removed.

一方、被処理基板洗浄処理に並行して、搬送装置131は、取り出して反転させた剥離後の支持基板Sを、制御装置30の制御に基づき、搬出ステーション24へ搬送する支持基板搬出処理を行う(図6のステップS106、図7CのS1参照)。その後、支持基板Sは、搬出ステーション24から外部へ搬出されて回収される。こうして、支持基板Sについての処理は終了する。   On the other hand, in parallel with the substrate cleaning process, the transfer device 131 performs a support substrate carry-out process in which the peeled support substrate S that has been taken out and reversed is transferred to the carry-out station 24 under the control of the control device 30. (See step S106 in FIG. 6 and S1 in FIG. 7C). Thereafter, the support substrate S is unloaded from the unloading station 24 and collected. Thus, the process for the support substrate S is completed.

また、搬送装置131は、制御装置30の制御に基づき、洗浄後の被処理基板Wを洗浄装置151から搬出して、複合ステーション11_12の下段(搬入出ステーション11に対応)へ搬送する被処理基板搬出処理を行う(図6のステップS105、図7CのW2参照)。その後、被処理基板Wは、複合ステーション11_12の下段から外部へ搬出されて回収される。こうして、被処理基板Wについての処理が終了する。   Further, based on the control of the control device 30, the transfer device 131 carries out the processed substrate W after cleaning from the cleaning device 151 and transfers it to the lower stage (corresponding to the carry-in / out station 11) of the composite station 11_12. A carry-out process is performed (see step S105 in FIG. 6 and W2 in FIG. 7C). Thereafter, the substrate to be processed W is carried out from the lower stage of the composite station 11_12 to the outside and collected. Thus, the process for the substrate to be processed W is completed.

上述してきたように、本実施形態に係る剥離システム1は、被処理基板Wと支持基板Sが接合されたDF付重合基板Tを被処理基板と支持基板とに剥離する剥離システムであって、複合ステーション11_12と、剥離ステーション14と、洗浄ステーション15と、搬出ステーション24と、搬送領域13とを備える。複合ステーション11_12は、DF付重合基板Tと剥離後の被処理基板Wが載置される搬入出ステーション11、および、DF付重合基板Tに対する剥離前の前処理が行われる前処理ステーション12が積層される。剥離ステーション14は、DF付重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sに剥離する剥離装置141,142が複数個積層される。洗浄ステーション15は、剥離後の被処理基板Wを洗浄する洗浄装置151が配置される。搬出ステーション24は、剥離後の支持基板Sが載置される。搬送領域13は、複合ステーション11_12、剥離ステーション14、洗浄ステーション15および搬出ステーション24の間で、DF付重合基板T、被処理基板Wおよび支持基板Sを搬送する1つの搬送装置131が配置される。   As described above, the peeling system 1 according to this embodiment is a peeling system that peels the DF-attached superposition substrate T in which the target substrate W and the support substrate S are bonded to the target substrate and the support substrate, A composite station 11_12, a peeling station 14, a cleaning station 15, a carry-out station 24, and a transfer area 13 are provided. The composite station 11_12 is a stack of a loading / unloading station 11 on which the DF-attached superposition substrate T and the substrate to be treated W after peeling are placed, and a pretreatment station 12 on which pretreatment before peeling is performed on the DF-attached superposition substrate T. Is done. In the peeling station 14, a plurality of peeling devices 141 and 142 for peeling the DF-attached superposed substrate T to the target substrate W and the support substrate S are stacked. The cleaning station 15 is provided with a cleaning device 151 for cleaning the target substrate W after peeling. In the carry-out station 24, the support substrate S after being peeled is placed. In the transfer area 13, one transfer device 131 for transferring the DF-attached superposition substrate T, the substrate W to be processed, and the support substrate S is disposed between the composite station 11_12, the peeling station 14, the cleaning station 15, and the carry-out station 24. .

したがって、本実施形態に係る剥離システム1によれば、フットプリントを小さくすることができる。   Therefore, according to the peeling system 1 which concerns on this embodiment, a footprint can be made small.

また、本実施形態に係る剥離システム1では、比較例となる剥離システム1’において配置される必要のあった受渡装置211(MRRA)や、第2受渡ステーション22(SHTL)、第2搬送装置231(LRA)を設ける必要がない。したがって、本実施形態に係る剥離システム1によれば、装置点数を減らし、低コストでシステムを構成するのに資することができる。   Further, in the peeling system 1 according to the present embodiment, the delivery device 211 (MRRA), the second delivery station 22 (SHTL), and the second transport device 231 that need to be arranged in the peeling system 1 ′ as a comparative example. There is no need to provide (LRA). Therefore, according to the peeling system 1 which concerns on this embodiment, it can contribute to reducing a number of apparatus and comprising a system at low cost.

また、本実施形態に係る剥離システム1では、2本のアームを備える搬送装置131によって、1つの搬送領域13内で、一連の剥離処理に係るすべての基板を搬送することができる。したがって、本実施形態に係る剥離システム1によれば、基板搬送の効率化が図れ、その結果、スループットを維持および向上させるのに資することができる。   Further, in the peeling system 1 according to the present embodiment, all the substrates related to a series of peeling processes can be transported within one transport region 13 by the transport device 131 including two arms. Therefore, according to the peeling system 1 which concerns on this embodiment, efficiency improvement of a board | substrate conveyance can be achieved, As a result, it can contribute to maintaining and improving a throughput.

<3.その他の実施形態>
ところで、本願の開示する剥離システムの構成は、これまで述べてきた構成に限定されない。そこで、以下では、剥離システムの変形例について、図9Aおよび図9Bを参照しつつ説明する。
<3. Other Embodiments>
By the way, the structure of the peeling system which this application discloses is not limited to the structure described so far. Therefore, hereinafter, a modified example of the peeling system will be described with reference to FIGS. 9A and 9B.

図9Aは、第1変形例に係る剥離システム50の構成を示す模式平面図であり、図9Bは、第2変形例に係る剥離システム70の構成を示す模式平面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。   FIG. 9A is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system 50 according to the first modification, and FIG. 9B is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system 70 according to the second modification. In the following description, parts that are the same as those already described are given the same reference numerals as those already described, and redundant descriptions are omitted.

図9Aに示すように、第1変形例に係る剥離システム50は、複合ステーション11_12の配置位置と搬出ステーション24の配置位置とが、上述した剥離システム1とは逆となるように構成される。   As shown in FIG. 9A, the peeling system 50 according to the first modification is configured such that the arrangement position of the composite station 11_12 and the arrangement position of the carry-out station 24 are opposite to those of the above-described peeling system 1.

かかる構成によっても、剥離システム1と略同一のフットプリントを実現できるとともに、比較例となる剥離システム1’に比して低コスト化、ならびに、スループットの維持および向上を図ることができる。   Even with such a configuration, it is possible to realize a footprint substantially the same as that of the peeling system 1, and it is possible to reduce the cost and to maintain and improve the throughput as compared with the peeling system 1 'as a comparative example.

また、図9Bに示すように、第2変形例に係る剥離システム70は、剥離装置141,142の積層された剥離ステーション14が、搬送領域13の延在方向(ここでは、X軸負方向)側に配置されるように構成される。また、洗浄ステーション15に対し、3つの洗浄装置151が並べて配置されるように構成される。   Also, as shown in FIG. 9B, the peeling system 70 according to the second modified example is such that the peeling station 14 in which the peeling devices 141 and 142 are stacked is in the direction in which the transfer region 13 extends (here, the X-axis negative direction). Configured to be arranged on the side. In addition, three cleaning devices 151 are arranged side by side with respect to the cleaning station 15.

かかる構成によっても、比較例となる剥離システム1’に比してフットプリントを小さくすることができる。また、洗浄装置151の個数を多くすることで、被処理基板Wへ残存する接着剤Gを除去するための除去性能を向上させることができる。また、洗浄装置151の個数を多くすることで、タクトタイムを向上させて生産性を向上させるのにも資することができる。なお、洗浄装置151の内のたとえば1つを、被処理基板Wではなく、支持基板Sの洗浄のために用いてもよい。   Even with this configuration, the footprint can be reduced as compared with the peeling system 1 ′ as a comparative example. Further, by increasing the number of cleaning devices 151, it is possible to improve the removal performance for removing the adhesive G remaining on the substrate W to be processed. Further, by increasing the number of cleaning devices 151, it is possible to improve tact time and improve productivity. For example, one of the cleaning apparatuses 151 may be used for cleaning the support substrate S instead of the substrate W to be processed.

また、上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gによって接合されたDF付重合基板Tである場合の例について説明したが、剥離装置141,142の剥離対象となる重合基板は、このDF付重合基板Tに限定されない。たとえば剥離ステーション14では、SOI基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。   Further, in the embodiment described above, an example in which the superposed substrate to be peeled is the superposed substrate T with DF in which the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded by the adhesive G has been described. The superposition | polymerization board | substrate used as the peeling object of the apparatuses 141 and 142 is not limited to this superposition | polymerization board | substrate T with DF. For example, in the peeling station 14, in order to generate an SOI substrate, a superposed substrate in which a donor substrate on which an insulating film is formed and a substrate to be processed are bonded to each other can be a peeling target.

また、上述してきた実施形態では、被処理基板Wと支持基板Sとを接着剤Gを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Wj、Sjを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。   In the embodiment described above, the example in the case where the target substrate W and the support substrate S are bonded using the adhesive G has been described. However, the bonding surfaces Wj and Sj are divided into a plurality of regions, and each region is divided. Adhesives with different adhesive strengths may be applied.

また、上述した実施形態では、重合基板Tが、ダイシングフレームFに保持される場合の例について説明したが、重合基板Tは、必ずしもダイシングフレームFに保持されることを要しない。   In the above-described embodiment, an example in which the superposed substrate T is held by the dicing frame F has been described. However, the superposed substrate T is not necessarily held by the dicing frame F.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。   Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

1、1’、50、70 剥離システム
11 搬入出ステーション
11_12 複合ステーション
12 前処理ステーション
13 搬送領域
14 剥離ステーション
15 洗浄ステーション
24 搬出ステーション
30 制御装置
131 搬送装置
131a、131aA 基板保持部
131aa 吸着パッド
141、142 剥離装置
141a、142a 第1保持部
141b、142b 第2保持部
151 洗浄装置
Cs、Ct、Cw カセット
F ダイシングフレーム
G 接着剤
P ダイシングテープ
S 支持基板
T DF付重合基板
W 被処理基板
1, 1 ′, 50, 70 Peeling system 11 Loading / unloading station 11 — 12 Combined station 12 Pretreatment station 13 Transfer area 14 Peeling station 15 Cleaning station 24 Unloading station 30 Control device 131 Transfer devices 131a, 131aA Substrate holder 131aa Adsorption pad 141, 142 Peeling devices 141a, 142a First holding portions 141b, 142b Second holding portions 151 Cleaning devices Cs, Ct, Cw Cassette F Dicing frame G Adhesive P Dicing tape S Support substrate T Polymerized substrate W with DF Processed substrate

Claims (6)

被処理基板と支持基板が接合された重合基板を前記被処理基板と前記支持基板とに剥離する剥離システムであって、
前記重合基板と剥離後の前記被処理基板が載置される搬入出ステーション、および、前記重合基板に対する剥離前の前処理が行われる前処理ステーションが積層された複合ステーションと、
前記重合基板を前記被処理基板と前記支持基板に剥離する剥離装置が複数個積層された剥離ステーションと、
剥離後の前記被処理基板を洗浄する洗浄装置が配置された洗浄ステーションと、
剥離後の前記支持基板が載置される搬出ステーションと、
前記複合ステーション、前記剥離ステーション、前記洗浄ステーションおよび前記搬出ステーションの間で、前記重合基板、前記被処理基板および前記支持基板を搬送する1つの搬送装置が配置された搬送領域と
を備え
前記搬送装置は、
吸着機構が設けられた基板保持部を先端に有するアームを1対備え、
一方の前記アームの前記基板保持部により剥離後の前記被処理基板を、他方の前記アームの前記基板保持部により剥離後の前記支持基板を、それぞれ同時に保持可能であり、
前記搬送装置はさらに、
前記剥離装置に設けられて前記支持基板を保持する第1保持部の下面と前記支持基板の非接合面との間に水平に前記基板保持部を差し込み、前記吸着機構によって前記非接合面を吸着して前記剥離装置から剥離後の前記支持基板を取り出したうえで前記基板保持部の表裏面を反転させた状態で、剥離後の前記支持基板を前記搬出ステーションへ搬送すること
を特徴とする剥離システム。
A peeling system that peels the substrate to be processed and the support substrate from the superposed substrate in which the substrate to be processed and the support substrate are bonded.
A composite station in which a carry-in / out station on which the substrate to be processed and the substrate to be processed after peeling are placed, and a pre-treatment station on which pre-treatment before peeling is performed on the polymerization substrate are stacked,
A peeling station in which a plurality of peeling devices for peeling the superposed substrate from the substrate to be processed and the support substrate are laminated,
A cleaning station provided with a cleaning device for cleaning the substrate to be processed after peeling;
An unloading station on which the support substrate after peeling is placed;
A transfer area in which one transfer device for transferring the superposed substrate, the substrate to be processed and the support substrate is arranged between the composite station, the peeling station, the cleaning station and the unloading station ;
The transfer device
A pair of arms having a substrate holding part provided with a suction mechanism at the tip,
The substrate to be processed after being peeled off by the substrate holding portion of one arm, and the supporting substrate after being peeled off by the substrate holding portion of the other arm can be simultaneously held, respectively.
The transfer device further includes
The substrate holding unit is horizontally inserted between the lower surface of a first holding unit that is provided in the peeling apparatus and holds the support substrate and the non-joint surface of the support substrate, and the non-joint surface is sucked by the suction mechanism. wherein in an inverted state of the front and back surfaces of the substrate holder after having taken out the supporting substrate after peeling from the peeling device, characterized that you convey the supporting substrate after peeling to the output station by Peeling system.
前記複合ステーションと前記搬出ステーションとが、同じ側に並べて配置され、
前記剥離ステーションと前記洗浄ステーションとが、前記搬送領域を挟んで前記複合ステーションおよび前記搬出ステーションの反対側に並べて配置されること
を特徴とする請求項1に記載の剥離システム。
The combined station and the unloading station are arranged side by side on the same side,
2. The peeling system according to claim 1, wherein the peeling station and the cleaning station are arranged side by side on the opposite side of the combined station and the unloading station across the transfer area.
前記複合ステーションと前記搬出ステーションとの並び順が入れ替え可能であること
を特徴とする請求項2に記載の剥離システム。
The peeling system according to claim 2, wherein the order of arrangement of the combined station and the carry-out station is interchangeable.
前記複合ステーションと前記搬出ステーションとが、同じ側に並べて配置され、
前記洗浄ステーションが、前記搬送領域を挟んで前記複合ステーションおよび前記搬出ステーションの反対側に並べて配置され、
前記剥離ステーションが、前記搬送領域の延在方向側に配置されること
を特徴とする請求項1に記載の剥離システム。
The combined station and the unloading station are arranged side by side on the same side,
The cleaning station is arranged side by side on the opposite side of the combined station and the unloading station across the transfer area,
The peeling system according to claim 1, wherein the peeling station is disposed on an extending direction side of the transfer region.
前記洗浄ステーションは、前記洗浄装置が3つ以上並べて配置されること
を特徴とする請求項4に記載の剥離システム。
The peeling system according to claim 4, wherein the cleaning station includes three or more cleaning devices arranged side by side.
前記複合ステーションは、前記前処理ステーションが上段に、前記搬入出ステーションが下段に積層され、
前記剥離ステーションは、2つの前記剥離装置が上下段に積層され、
前記剥離装置は、
前記第1保持部に鉛直向きに対向配置されて前記被処理基板を保持する第2保持部を備え、
前記搬送装置は、
上段に配置された前記剥離装置の前記第1保持部の上限位置よりも高い位置を最上点とし、前記搬入出ステーションに配置されたカセットの最下段スロット位置よりも低い位置を最下点とする鉛直方向沿いのストローク長を有すること
を特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の剥離システム。
In the composite station, the pretreatment station is stacked on the upper stage, and the loading / unloading station is stacked on the lower stage.
In the peeling station, the two peeling devices are stacked on the upper and lower stages,
The peeling device is
A second holding unit that is arranged vertically facing the first holding unit and holds the substrate to be processed;
The transfer device
The position higher than the upper limit position of the first holding part of the peeling device arranged in the upper stage is the highest point, and the position lower than the lowest slot position of the cassette arranged in the carry-in / out station is the lowest point. The peeling system according to any one of claims 1 to 5, wherein the peeling system has a stroke length along a vertical direction.
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