JP5722808B2 - Peeling device, peeling system, peeling method and peeling program - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラムに関する。   Embodiments disclosed herein relate to a peeling apparatus, a peeling system, a peeling method, and a peeling program.

近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。そのため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。   In recent years, for example, in the semiconductor device manufacturing process, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers have become larger and thinner. A large-diameter and thin semiconductor substrate may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after a support substrate is bonded to a semiconductor substrate and reinforced, a transport or polishing process is performed, and then a process of peeling the support substrate from the semiconductor substrate is performed.

半導体基板から支持基板を剥離する技術として、半導体基板と支持基板との間に、半導体基板と支持基板との接合強度よりも大きい噴射圧で液体を噴射することによって、半導体基板と支持基板との剥離を行う技術が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。   As a technique for peeling the support substrate from the semiconductor substrate, a liquid is sprayed between the semiconductor substrate and the support substrate at a spray pressure larger than the bonding strength between the semiconductor substrate and the support substrate. A technique for performing peeling has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開平9−167724号公報JP-A-9-167724

しかしながら、上述した技術を用いて基板の剥離を行う場合、大きい噴射圧で液体を噴射するため、半導体基板や支持基板が損傷するおそれがある。かかる課題は、基板の剥離を伴うSOI(Silicon On Insulator)などの製造工程においても生じ得る課題である。   However, when the substrate is peeled off using the above-described technique, the liquid is ejected with a large ejection pressure, so that the semiconductor substrate or the support substrate may be damaged. Such a problem is a problem that may also occur in a manufacturing process such as SOI (Silicon On Insulator) that involves peeling of the substrate.

実施形態の一態様は、基板の剥離処理を適切に行うことができる剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラムを提供することを目的とする。   An object of one embodiment is to provide a peeling apparatus, a peeling system, a peeling method, and a peeling program capable of appropriately performing a substrate peeling process.

実施形態の一態様に係る剥離装置は、第1保持部と、第2保持部と、吸着移動部と、移動機構と、制御部とを備える。前記第1保持部は、第1基板を吸着保持する。前記第2保持部は、前記第1基板に接合された第2基板の中央部を吸着保持する。前記吸着移動部は、前記第2保持部によって保持された前記第2基板の外周部のうち一部の領域を吸着し、前記一部の領域を前記第1基板の板面から離す方向へ移動させる。前記移動機構は、前記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる。前記制御部は、前記第2保持部および前記吸着移動部を前記移動機構により移動させて前記中央部および前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張った状態で、前記吸着移動部により前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へさらに引っ張る動作を実行させる。 Peeling device according to one embodiment of the embodiment includes a first holding portion, and a second holding portion, and the adsorption moving unit, a moving mechanism, and a control unit. The first holding unit holds the first substrate by suction. The second holding unit sucks and holds the central portion of the second substrate bonded to the first substrate . Before Symbol suction moving unit, to the second adsorbing part of the area of the outer peripheral portion of the second substrate held by the holding portion in a direction away said part of the area from the plate surface of the first substrate Move. The moving mechanism moves the second holding unit and the suction moving unit in a direction away from the first holding unit. The controller is configured to move the second holding unit and the suction moving unit by the moving mechanism and pull the central part and the partial area away from the first substrate. Thus, an operation of further pulling the partial area in a direction away from the first substrate is executed.

実施形態の一態様によれば、基板の剥離処理を適切に行うことができる剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラムを提供することができる。   According to one aspect of the embodiment, it is possible to provide a peeling apparatus, a peeling system, a peeling method, and a peeling program that can appropriately perform a peeling process of a substrate.

図1は、第1の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the first embodiment. 図2は、重合基板の模式側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of the polymerization substrate. 図3は、第1の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。FIG. 3 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the first embodiment. 図4は、第2保持部および吸着移動部の構成を示す模式平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view illustrating configurations of the second holding unit and the suction moving unit. 図5は、図4に示すH1部の模式拡大斜視図である。FIG. 5 is a schematic enlarged perspective view of a portion H1 shown in FIG. 図6は、第2保持部による吸着領域と吸着移動部による吸着領域を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a suction region by the second holding unit and a suction region by the suction moving unit. 図7は、剥離システムによる剥離処理手順を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a peeling processing procedure by the peeling system. 図8Aは、第1の実施形態に係る剥離装置による剥離動作の説明図(その1)である。FIG. 8A is an explanatory diagram (No. 1) of a peeling operation by the peeling apparatus according to the first embodiment. 図8Bは、第1の実施形態に係る剥離装置による剥離動作の説明図(その2)である。FIG. 8B is an explanatory diagram (part 2) of the peeling operation performed by the peeling apparatus according to the first embodiment. 図8Cは、第1の実施形態に係る剥離装置による剥離動作の説明図(その3)である。FIG. 8C is an explanatory diagram (No. 3) of the peeling operation by the peeling apparatus according to the first embodiment. 図9は、吸着移動部におけるシリンダの他の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating another configuration of the cylinder in the suction moving unit. 図10は、吸着移動部における本体部の他の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating another configuration of the main body in the suction moving unit. 図11は、第2の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。FIG. 11 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the second embodiment. 図12は、第2の実施形態に係る吸着移動部の構成を示す模式平面図である。FIG. 12 is a schematic plan view illustrating the configuration of the suction moving unit according to the second embodiment. 図13は、第3の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。FIG. 13 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the third embodiment. 図14は、第3の実施形態に係る剥離装置による剥離動作の説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of a peeling operation by the peeling apparatus according to the third embodiment. 図15は、第4の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。FIG. 15 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the fourth embodiment. 図16は、鋭利部材の挿入動作の説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of the insertion operation of the sharp member. 図17は、第5の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。FIG. 17 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the fifth embodiment. 図18は、第6の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 18 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the sixth embodiment. 図19Aは、SOI基板の製造工程を示す模式図(その1)である。FIG. 19A is a schematic diagram (part 1) illustrating a manufacturing process of an SOI substrate. 図19Bは、SOI基板の製造工程を示す模式図(その2)である。FIG. 19B is a schematic diagram (part 2) illustrating the manufacturing process of the SOI substrate.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離装置、剥離システム、剥離方法および剥離プログラムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of a peeling device, a peeling system, a peeling method, and a peeling program disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

(第1の実施形態)
<1.剥離システム>
まず、第1の実施形態に係る剥離システムの構成について、図1および図2を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図であり、図2は、重合基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向を規定し、Z軸の正方向を鉛直上向きとする。
(First embodiment)
<1. Peeling system>
First, the configuration of the peeling system according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of a peeling system according to the first embodiment, and FIG. 2 is a schematic side view of a superposed substrate. In the following, in order to clarify the positional relationship, an X-axis direction, a Y-axis direction, and a Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as a vertically upward direction.

第1の実施形態に係る剥離システム1は、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gで接合された重合基板T(図2参照)を、被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。以下、被処理基板Wの板面のうち、接着剤Gを介して支持基板Sと接合される側の板面を「接合面Wj」といい、接合面Wjとは反対側の板面を「非接合面Wn」という。また、支持基板Sの板面のうち、接着剤Gを介して被処理基板Wと接合される側の板面を「接合面Sj」といい、接合面Sjとは反対側の板面を「非接合面Sn」という。   The peeling system 1 according to the first embodiment peels a superposed substrate T (see FIG. 2) in which a substrate to be processed W and a support substrate S are bonded by an adhesive G into a substrate to be processed W and a support substrate S. To do. Hereinafter, of the plate surfaces of the substrate W to be processed, the plate surface that is bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and the plate surface opposite to the bonding surface Wj is referred to as “ It is referred to as “non-bonding surface Wn”. In addition, among the plate surfaces of the support substrate S, the plate surface on the side bonded to the substrate W to be processed via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and the plate surface on the opposite side to the bonding surface Sj is referred to as “ This is referred to as “non-joint surface Sn”.

被処理基板Wは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Wjとしている。また、被処理基板Wは、たとえば非接合面Wnが研磨処理されることによって薄型化されている。一方、支持基板Sは、被処理基板Wと略同径の基板であり、被処理基板Wを支持する。支持基板Sとしては、シリコンウェハの他、たとえば、化合物半導体ウェハまたはガラス基板などを用いることができる。   The substrate W to be processed is a substrate in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and the plate surface on the side where the electronic circuits are formed is used as a bonding surface Wj. Further, the target substrate W is thinned by polishing the non-joint surface Wn, for example. On the other hand, the support substrate S is a substrate having substantially the same diameter as the substrate W to be processed, and supports the substrate W to be processed. As the support substrate S, for example, a compound semiconductor wafer or a glass substrate can be used in addition to a silicon wafer.

剥離システム1は、図1に示すように、搬入出ステーション10と、第1搬送領域20と、剥離処理ステーション30と、第2搬送領域40と、制御装置50とを備える。搬入出ステーション10および剥離処理ステーション30は第1搬送領域20を介してY軸方向に並べて配置される。また、搬入出ステーション10、第1搬送領域20および剥離処理ステーション30のX軸負方向側には、第2搬送領域40が配置される。   As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes a carry-in / out station 10, a first transfer area 20, a peeling processing station 30, a second transfer area 40, and a control device 50. The carry-in / out station 10 and the peeling processing station 30 are arranged side by side in the Y-axis direction via the first transfer region 20. Further, the second transfer area 40 is disposed on the X axis negative direction side of the carry-in / out station 10, the first transfer area 20, and the peeling processing station 30.

剥離システム1では、搬入出ステーション10へ搬入された重合基板Tが第1搬送領域20を介して剥離処理ステーション30へ搬送され、剥離処理ステーション30において被処理基板Wと支持基板Sとに剥離される。剥離後の被処理基板Wは第2搬送領域40を介して後処理ステーションMへ搬送され、剥離後の支持基板Sは第1搬送領域20を介して搬入出ステーション10へ搬送される。なお、剥離システム1では、不良となった被処理基板Wを第1搬送領域20を介して搬入出ステーション10へ搬送することもできる。   In the peeling system 1, the superposed substrate T carried into the carry-in / out station 10 is transferred to the peeling processing station 30 via the first transfer region 20, and is peeled into the target substrate W and the support substrate S at the peeling processing station 30. The The substrate to be processed W after peeling is transferred to the post-processing station M via the second transfer region 40, and the support substrate S after peeling is transferred to the carry-in / out station 10 via the first transfer region 20. In the peeling system 1, the substrate W to be processed that has become defective can be transported to the carry-in / out station 10 via the first transport region 20.

搬入出ステーション10では、複数の被処理基板Wが収容されるカセットCw、複数の支持基板Sが収容されるカセットCsおよび複数の重合基板Tが収容されるカセットCtが剥離システム1の外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション10には、カセット載置台11が設けられており、このカセット載置台11に、カセットCw、Cs、Ctのそれぞれが載置される複数のカセット載置板12a〜12cが設けられる。   In the carry-in / out station 10, a cassette Cw in which a plurality of substrates to be processed W are accommodated, a cassette Cs in which a plurality of support substrates S are accommodated, and a cassette Ct in which a plurality of superposed substrates T are accommodated are outside the peeling system 1. It is carried in and out. The loading / unloading station 10 is provided with a cassette mounting table 11. The cassette mounting table 11 is provided with a plurality of cassette mounting plates 12 a to 12 c on which the cassettes Cw, Cs, and Ct are mounted. .

第1搬送領域20では、搬入出ステーション10および剥離処理ステーション30間における被処理基板W、支持基板Sおよび重合基板Tの搬送が行われる。第1搬送領域20には、被処理基板W、支持基板Sおよび重合基板Tの搬送を行う第1搬送装置21が設置される。   In the first transfer area 20, the substrate W to be processed, the support substrate S, and the superposed substrate T are transferred between the carry-in / out station 10 and the peeling processing station 30. In the first transfer region 20, a first transfer device 21 that transfers the substrate to be processed W, the support substrate S, and the superposed substrate T is installed.

第1搬送装置21は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム22と、この搬送アーム22の先端に取り付けられたフォーク23とを備える搬送ロボットである。かかる第1搬送装置21は、フォーク23を用いて基板を保持するとともに、フォーク23によって保持された基板を搬送アーム22によって所望の場所まで搬送する。   The first transfer device 21 includes a transfer arm 22 that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a fork 23 attached to the tip of the transfer arm 22. It is a robot. The first transport device 21 holds the substrate using the fork 23 and transports the substrate held by the fork 23 to a desired place by the transport arm 22.

剥離処理ステーション30では、重合基板Tの剥離、剥離後の被処理基板Wおよび支持基板Sの洗浄等が行われる。この剥離処理ステーション30には、剥離装置31、受渡室32、第1洗浄装置33および第2洗浄装置34が、X軸の正方向に、第1洗浄装置33、受渡室32、剥離装置31、第2洗浄装置34の順で配置される。   In the peeling processing station 30, peeling of the superposed substrate T, cleaning of the target substrate W and the supporting substrate S after peeling, and the like are performed. In the peeling processing station 30, a peeling device 31, a delivery chamber 32, a first cleaning device 33, and a second cleaning device 34 are arranged in the positive direction of the X axis in the first cleaning device 33, the delivery chamber 32, the peeling device 31, The second cleaning device 34 is arranged in this order.

剥離装置31では、第1搬送装置21によって搬送された重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する剥離処理が行われる。この剥離装置31の構成および剥離処理の具体的な内容については、図3〜図10を用いて後で詳述する。   In the peeling apparatus 31, a peeling process for peeling the superposed substrate T transported by the first transport apparatus 21 into the target substrate W and the support substrate S is performed. The configuration of the peeling device 31 and the specific content of the peeling process will be described in detail later with reference to FIGS.

受渡室32には、剥離装置31において重合基板Tから剥離された被処理基板Wを第1洗浄装置33へ搬送する第2搬送装置35が設置される。第2搬送装置35は、ベルヌーイチャックを備え、かかるベルヌーイチャックを用いて被処理基板Wを非接触状態で第1洗浄装置33へ搬送する。   In the delivery chamber 32, a second transfer device 35 for transferring the target substrate W peeled from the superposed substrate T in the peeling device 31 to the first cleaning device 33 is installed. The second transport device 35 includes a Bernoulli chuck, and transports the substrate W to be processed to the first cleaning device 33 in a non-contact state using the Bernoulli chuck.

ベルヌーイチャックは、吸着面に設けられた噴射口から被処理基板Wの板面へ向けて気体を噴射させ、吸着面と被処理基板Wの板面との間隔に応じて気体の流速が変化することに伴う負圧の変化を利用して被処理基板Wを非接触状態で吸着保持する保持部である。   The Bernoulli chuck ejects gas from an ejection port provided on the suction surface toward the plate surface of the substrate to be processed W, and the gas flow velocity changes according to the distance between the suction surface and the plate surface of the substrate to be processed W. This is a holding unit that holds and holds the substrate W to be processed in a non-contact state using a change in negative pressure accompanying the change.

第1洗浄装置33は、第2搬送装置35によって搬送された被処理基板Wの洗浄を行う。第1洗浄装置33によって洗浄された被処理基板Wは、第2搬送領域40を介して後処理ステーションMへ搬送され、後処理ステーションMにおいて所定の後処理が施される。なお、所定の後処理とは、たとえば被処理基板Wをマウントする処理や、被処理基板Wをチップごとにダイシングする処理などである。   The first cleaning device 33 cleans the target substrate W transported by the second transport device 35. The to-be-processed substrate W cleaned by the first cleaning device 33 is transferred to the post-processing station M through the second transfer area 40, and a predetermined post-processing is performed in the post-processing station M. The predetermined post-process includes, for example, a process for mounting the substrate to be processed W and a process for dicing the substrate to be processed W for each chip.

第2洗浄装置34は、剥離装置31において重合基板Tから剥離された支持基板Sの洗浄を行う。第2洗浄装置34によって洗浄された支持基板Sは、第1搬送装置21によって搬入出ステーション10へ搬送される。   The second cleaning device 34 cleans the support substrate S peeled from the superposed substrate T in the peeling device 31. The support substrate S cleaned by the second cleaning device 34 is transferred to the carry-in / out station 10 by the first transfer device 21.

第2搬送領域40は、剥離処理ステーション30と後処理ステーションMとの間に設けられる。第2搬送領域40には、Y軸方向に延在する搬送路41上を移動可能な第3搬送装置42が設置され、剥離処理ステーション30および後処理ステーションM間における被処理基板Wの搬送が行われる。第3搬送装置42は、第2搬送装置35と同様、ベルヌーイチャックを用いて被処理基板Wを非接触状態で搬送する。   The second transfer area 40 is provided between the peeling processing station 30 and the post-processing station M. In the second transfer area 40, a third transfer device 42 that can move on a transfer path 41 extending in the Y-axis direction is installed, and the substrate W to be processed is transferred between the peeling processing station 30 and the post-processing station M. Done. Similar to the second transport device 35, the third transport device 42 transports the substrate W to be processed in a non-contact state using a Bernoulli chuck.

制御装置50は、剥離システム1の動作を制御する装置である。この制御装置50は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム1の動作を制御する。   The control device 50 is a device that controls the operation of the peeling system 1. The control device 50 is a computer, for example, and includes a control unit and a storage unit (not shown). The storage unit stores a program for controlling various processes such as a peeling process. The control unit controls the operation of the peeling system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit.

なお、かかるプログラムは、たとえば、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置50の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。   The program may be recorded on a computer-readable recording medium and installed in the storage unit of the control device 50 from the recording medium. Examples of the computer-readable recording medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

以下では、剥離装置31の具体的な構成および剥離装置31を用いて行われる重合基板Tの剥離動作について説明する。   Below, the specific structure of the peeling apparatus 31 and the peeling operation | movement of the superposition | polymerization board | substrate T performed using the peeling apparatus 31 are demonstrated.

<2.剥離装置の構成>
まず、剥離装置31の構成について、図3〜図6を参照して説明する。図3は、第1の実施形態に係る剥離装置31の構成を示す模式側面図であり、図4は、第1の実施形態に係る第2保持部および吸着移動部の構成を示す模式平面図であり、図5は、図4に示すH1部の模式拡大斜視図である。また、図6は、第2保持部による吸着領域と吸着移動部による吸着領域を示す図である。
<2. Configuration of peeling apparatus>
First, the structure of the peeling apparatus 31 is demonstrated with reference to FIGS. FIG. 3 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus 31 according to the first embodiment, and FIG. 4 is a schematic plan view showing the configurations of the second holding unit and the suction moving unit according to the first embodiment. FIG. 5 is a schematic enlarged perspective view of the H1 portion shown in FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating a suction region by the second holding unit and a suction region by the suction moving unit.

図3に示すように、剥離装置31は、内部を密閉可能な処理容器100を備える。処理容器100の側面には、搬入出口(図示せず)が形成され、この搬入出口を介して、重合基板Tの処理容器100への搬入や、剥離後の被処理基板Wおよび支持基板Sの処理容器100からの搬出が行われる。搬入出口には、たとえば開閉シャッタが設けられ、この開閉シャッタによって処理容器100の内部が密閉可能である。   As shown in FIG. 3, the peeling device 31 includes a processing container 100 that can seal the inside. A loading / unloading port (not shown) is formed on the side surface of the processing container 100, and via this loading / unloading port, the polymerization substrate T is loaded into the processing container 100, and the target substrate W and the support substrate S after peeling are removed. Unloading from the processing container 100 is performed. For example, an opening / closing shutter is provided at the loading / unloading port, and the inside of the processing container 100 can be sealed with the opening / closing shutter.

剥離装置31は、第1保持部110と、第2保持部120と、吸着移動部130と、移動機構140とを備え、これらは処理容器100の内部に配置される。第1保持部110は、第2保持部120および吸着移動部130の上方に設けられ、第2保持部120および吸着移動部130と対向する位置に配置される。また、第2保持部120および吸着移動部130は、移動機構140によって支持され、移動機構140によって鉛直方向へ移動する。   The peeling apparatus 31 includes a first holding unit 110, a second holding unit 120, an adsorption moving unit 130, and a moving mechanism 140, which are disposed inside the processing container 100. The first holding unit 110 is provided above the second holding unit 120 and the suction moving unit 130 and is disposed at a position facing the second holding unit 120 and the suction moving unit 130. Further, the second holding unit 120 and the suction moving unit 130 are supported by the moving mechanism 140 and moved in the vertical direction by the moving mechanism 140.

第1保持部110は、重合基板Tを構成する被処理基板Wを吸着保持する保持部であり、たとえばポーラスチャックを用いることができる。かかる第1保持部110は、略円盤状の本体部111と、本体部111の下面に設けられる吸着面112とを備える。吸着面112は、重合基板Tと略同径であり、重合基板Tの上面、すなわち、被処理基板Wの非接合面Wnと当接する。この吸着面112は、たとえば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。   The 1st holding | maintenance part 110 is a holding | maintenance part which adsorbs and hold | maintains the to-be-processed substrate W which comprises the superposition | polymerization board | substrate T, for example, can use a porous chuck | zipper. The first holding unit 110 includes a substantially disc-shaped main body 111 and a suction surface 112 provided on the lower surface of the main body 111. The suction surface 112 has substantially the same diameter as the superposed substrate T, and abuts on the upper surface of the superposed substrate T, that is, the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed. The adsorption surface 112 is formed of a porous body such as silicon carbide or a porous ceramic, for example.

本体部111の内部には、吸着面112を介して外部と連通する吸引空間113が形成される。吸引空間113は、吸気管114を介して真空ポンプなどの吸気装置115と接続される。第1保持部110は、吸気装置115の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Wの非接合面Wnを吸着面112に吸着させることによって、被処理基板Wを保持する。なお、第1保持部110として、ポーラスチャックを用いる例を示したが、これに限定されるものではない。たとえば、第1保持部110として、静電チャックを用いるようにしてもよい。   A suction space 113 that communicates with the outside through the suction surface 112 is formed inside the main body 111. The suction space 113 is connected to an intake device 115 such as a vacuum pump via an intake pipe 114. The first holding unit 110 holds the substrate to be processed W by adsorbing the non-bonding surface Wn of the substrate to be processed W to the suction surface 112 using the negative pressure generated by the intake air of the intake device 115. In addition, although the example using a porous chuck | zipper was shown as the 1st holding | maintenance part 110, it is not limited to this. For example, an electrostatic chuck may be used as the first holding unit 110.

第1保持部110の上方には、処理容器100の天井面に支持された支持部105が配置され、かかる支持部105によって第1保持部110の上面が支持される。なお、支持部105を設けずに、処理容器100を支持部としてもよい。たとえば、第1保持部110の上面を処理容器100の天井に直接当接させて支持させるようにしてもよい。   A support part 105 supported by the ceiling surface of the processing container 100 is disposed above the first holding part 110, and the upper surface of the first holding part 110 is supported by the support part 105. In addition, it is good also considering the processing container 100 as a support part, without providing the support part 105. FIG. For example, the upper surface of the first holding unit 110 may be supported by directly contacting the ceiling of the processing container 100.

第2保持部120は、重合基板Tを構成する支持基板Sのうち中央部である第1領域E1(図6参照)を吸着保持する保持部である。第2保持部120は、図3および図4に示すように、円盤状の本体部121と、移動機構140に本体部121を連結する支柱部材123、124とを備える。支柱部材123は、本体部121の中央部を支持し、支柱部材123は、本体部121の外周部を支持する。   The 2nd holding | maintenance part 120 is a holding | maintenance part which adsorbs and hold | maintains 1st area | region E1 (refer FIG. 6) which is a center part among the support substrates S which comprise the superposition | polymerization board | substrate T. As shown in FIGS. 3 and 4, the second holding unit 120 includes a disk-shaped main body 121 and support members 123 and 124 that connect the main body 121 to the moving mechanism 140. The support member 123 supports the center of the main body 121, and the support member 123 supports the outer periphery of the main body 121.

本体部121は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で構成される。また、本体部121は、図4に示すように、重合基板Tよりも小径であり、たとえば、重合基板Tの径は300mmであり、本体部121の径は240mmである。また、本体部121の内部には、図3に示すように、吸着空間122と、吸着空間122へ上面から連通する複数の貫通孔127とが形成され、吸着空間122には、吸気管125を介して真空ポンプ等の吸気装置126が接続される。   The main body 121 is made of a metal member such as aluminum. As shown in FIG. 4, the main body 121 has a smaller diameter than the superposed substrate T. For example, the main substrate 121 has a diameter of 300 mm and the main body 121 has a diameter of 240 mm. Further, as shown in FIG. 3, an adsorption space 122 and a plurality of through holes 127 that communicate with the adsorption space 122 from the upper surface are formed inside the main body 121, and an intake pipe 125 is provided in the adsorption space 122. An intake device 126 such as a vacuum pump is connected to the via.

第2保持部120は、吸気装置126の吸気によって発生する負圧を利用し、本体部121の上面と対向する支持基板Sの第1領域E1を吸着させることによって、支持基板Sを保持する。なお、第2保持部120の本体部121として、たとえば、ポーラスチャックや静電チャックなどを用いることもできる。   The second holding unit 120 holds the support substrate S by adsorbing the first region E <b> 1 of the support substrate S facing the upper surface of the main body 121 using the negative pressure generated by the intake air of the intake device 126. For example, a porous chuck or an electrostatic chuck can be used as the main body 121 of the second holding unit 120.

吸着移動部130は、支持基板Sの非接合面Snのうち外周部の一部である第2領域E2(図6参照)を吸着して支持基板Sを保持し、さらに、支持基板Sの第2領域E2を鉛直下向きに引っ張る。この吸着移動部130は、図3および図4に示すように、ゴムなどの弾性部材によって形成された本体部131と、基端が移動機構140に固定され、本体部131を移動可能に支持するシリンダ132とを備える。   The suction moving unit 130 holds the support substrate S by sucking the second region E2 (see FIG. 6) which is a part of the outer peripheral portion of the non-joint surface Sn of the support substrate S, and further 2. Pull the region E2 vertically downward. As shown in FIGS. 3 and 4, the suction moving unit 130 has a main body 131 formed of an elastic member such as rubber and a base end fixed to the moving mechanism 140, and supports the main body 131 movably. A cylinder 132.

本体部131は、図4に示すように、長手方向が第2保持部120の周方向に沿って弧状に形成される。具体的には、本体部131は、支持基板Sの外縁に対応する部分が支持基板Sの外縁に沿って弧状で、かつ、支持基板Sの外縁に向けて漸次幅広に形成され、また、図5に示すように、支持基板S側に開口を有する凹部状に形成される。この本体部131の凹部底面には、図5に示すように、吸気口133が形成され、この吸気口133には吸気管134を介して真空ポンプなどの吸気装置135が接続される。   As shown in FIG. 4, the main body 131 is formed in an arc shape in the longitudinal direction along the circumferential direction of the second holding unit 120. Specifically, the main body portion 131 is formed such that a portion corresponding to the outer edge of the support substrate S is arcuate along the outer edge of the support substrate S and gradually widens toward the outer edge of the support substrate S. As shown in FIG. 5, it is formed in a concave shape having an opening on the support substrate S side. As shown in FIG. 5, an intake port 133 is formed on the bottom surface of the concave portion of the main body 131, and an intake device 135 such as a vacuum pump is connected to the intake port 133 via an intake pipe 134.

吸着移動部130は、吸気装置135の吸気によって発生する負圧を利用し、本体部131の上面と対向する支持基板Sの第2領域E2を吸着させることによって、支持基板Sを保持する。また、吸着移動部130は、支持基板Sの第2領域E2を吸着した状態で、シリンダ132によって本体部131を鉛直下向きに移動させることで、支持基板Sの第2領域E2を鉛直下向きに移動させる。   The adsorption moving unit 130 holds the support substrate S by adsorbing the second region E2 of the support substrate S facing the upper surface of the main body 131 using the negative pressure generated by the intake of the intake device 135. Further, the suction moving unit 130 moves the second region E2 of the support substrate S vertically downward by moving the main body 131 vertically downward by the cylinder 132 in a state where the second region E2 of the support substrate S is suctioned. Let

吸着移動部130には、ロードセル(図示せず)が設けられており、吸着移動部130はシリンダ132にかかる負荷をロードセルによって検出することができる。吸着移動部130は、ロードセルによる検出結果に基づいて、支持基板Sの第2領域E2にかかる鉛直下向きの力を制御しながら、第2領域E2を引っ張ることができる。   The adsorption moving unit 130 is provided with a load cell (not shown), and the adsorption moving unit 130 can detect a load applied to the cylinder 132 by the load cell. The suction moving unit 130 can pull the second region E2 while controlling the vertical downward force applied to the second region E2 of the support substrate S based on the detection result by the load cell.

移動機構140は、第2保持部120および吸着移動部130を支持する支持部材141と、支持部材141の中央部下面を支持する駆動部142と、支持部材141の外周部下面を支持する複数の支柱部材143と、駆動部142および支柱部材143を支持する基台144とを備える。駆動部142は、たとえばボールねじ(図示せず)とこのボールねじを駆動するモータ(図示せず)とを有する駆動機構を備え、かかる駆動機構によって第2保持部120および吸着移動部130を鉛直方向に昇降させる。支柱部材143は、鉛直方向に伸縮自在に構成される。   The moving mechanism 140 includes a support member 141 that supports the second holding unit 120 and the suction moving unit 130, a drive unit 142 that supports the lower surface of the central portion of the support member 141, and a plurality of surfaces that support the lower surface of the outer peripheral portion of the support member 141. A support member 143 and a base 144 that supports the drive unit 142 and the support member 143 are provided. The drive unit 142 includes a drive mechanism having, for example, a ball screw (not shown) and a motor (not shown) that drives the ball screw, and the second holding unit 120 and the suction moving unit 130 are vertically moved by the drive mechanism. Move up and down in the direction. The support member 143 is configured to be extendable and contractible in the vertical direction.

なお、第2保持部120の上面には、複数の貫通孔(図示せず)が設けられ、これらの貫通孔から複数の昇降ピン(図示せず)が鉛直方向に昇降することで、重合基板Tまたは支持基板Sを下方から支持し昇降することができる。これにより、第1搬送装置21のフォーク23などとの間で基板の受渡を容易に行うこができる。   In addition, a plurality of through holes (not shown) are provided on the upper surface of the second holding unit 120, and a plurality of lifting pins (not shown) are lifted and lowered in the vertical direction from these through holes, thereby overlapping the polymerization substrate. T or support substrate S can be supported and lifted from below. Thereby, a board | substrate can be easily delivered between the forks 23 of the 1st conveying apparatus 21, etc. FIG.

また、移動機構140は、第2保持部120を水平方向に移動させるように構成してもよい。たとえば、ボールねじ(図示せず)とこのボールねじを駆動するモータ(図示せず)とを有する駆動機構を基台144に設け、駆動部142および支柱部材143を水平方向に移動させることで、第2保持部120を水平方向に移動させるようにしてもよい。   The moving mechanism 140 may be configured to move the second holding unit 120 in the horizontal direction. For example, a drive mechanism having a ball screw (not shown) and a motor (not shown) for driving the ball screw is provided on the base 144, and the drive unit 142 and the column member 143 are moved in the horizontal direction. The second holding unit 120 may be moved in the horizontal direction.

<3.剥離システムの動作>
次に、剥離システム1の動作について説明する。剥離システム1の動作は、制御装置50によって行われ、剥離装置31による剥離動作を含む。図7は、剥離システム1による剥離処理手順を示すフローチャートであり、図8A〜図8Cは、剥離装置31による剥離動作の説明図(その1)〜(その3)である。
<3. Operation of peeling system>
Next, the operation of the peeling system 1 will be described. The operation of the peeling system 1 is performed by the control device 50 and includes a peeling operation by the peeling device 31. FIG. 7 is a flowchart showing a peeling process procedure by the peeling system 1, and FIGS. 8A to 8C are explanatory diagrams (No. 1) to (No. 3) of the peeling operation by the peeling device 31.

まず、第1搬送領域20に配置される第1搬送装置21(図1参照)は、制御装置50の制御に基づき、重合基板Tを剥離装置31へ搬入する処理を行う(図7のステップS101)。   First, the 1st conveyance apparatus 21 (refer FIG. 1) arrange | positioned at the 1st conveyance area | region 20 performs the process which carries in the superposition | polymerization board | substrate T to the peeling apparatus 31 based on control of the control apparatus 50 (step S101 of FIG. 7). ).

このステップS101の処理では、まず、第1搬送装置21は、搬入出ステーション10においてカセットCtに収容された重合基板Tをフォーク23を用いて取り出す。なお、重合基板Tは、被処理基板Wが上面に位置し、支持基板Sが下面に位置した状態で第1搬送装置21のフォーク23に保持される。そして、第1搬送装置21は、カセットCtから取り出した重合基板Tを剥離処理ステーション30の剥離装置31内へ搬入する。   In the process of step S <b> 101, first, the first transport device 21 takes out the superposed substrate T accommodated in the cassette Ct at the carry-in / out station 10 using the fork 23. The superposed substrate T is held on the fork 23 of the first transfer device 21 with the substrate W to be processed positioned on the upper surface and the support substrate S positioned on the lower surface. Then, the first transport device 21 carries the superposed substrate T taken out from the cassette Ct into the peeling device 31 of the peeling processing station 30.

次に、剥離装置31は、制御装置50の制御に基づき、重合基板Tを第1保持部110および第2保持部120で吸着保持する処理を行う(図7のステップS102)。   Next, the peeling device 31 performs a process of sucking and holding the superposed substrate T by the first holding unit 110 and the second holding unit 120 based on the control of the control device 50 (step S102 in FIG. 7).

このステップS102の処理では、まず、剥離装置31の第2保持部120は、第1搬送装置21によって搬入された重合基板Tを吸気装置126による吸気動作によって吸着保持する。すなわち、剥離装置31は、第2保持部120によって重合基板Tの下面を吸着して重合基板Tを保持する。   In the process of step S <b> 102, first, the second holding unit 120 of the peeling device 31 sucks and holds the overlapped substrate T carried by the first transfer device 21 by the intake operation of the intake device 126. That is, the peeling device 31 holds the superposed substrate T by adsorbing the lower surface of the superposed substrate T by the second holding unit 120.

次に、剥離装置31は、移動機構140によって第2保持部120を上昇させて重合基板Tの上面を第1保持部110の吸着面112に当接させる。第1保持部110は、吸気装置115による吸気動作によって重合基板Tの上面を吸着面112に吸着させる。   Next, the peeling device 31 raises the second holding unit 120 by the moving mechanism 140 to bring the upper surface of the superposed substrate T into contact with the suction surface 112 of the first holding unit 110. The first holding unit 110 causes the upper surface of the superposed substrate T to be adsorbed to the adsorption surface 112 by the intake operation by the intake device 115.

これにより、第1保持部110および第2保持部120によって重合基板Tの上下面がそれぞれ吸着された状態になる。すなわち、第1保持部110によって被処理基板Wが吸着保持され、第2保持部120によって支持基板Sが吸着保持された状態になる。かかる保持状態においては、第1保持部110によって被処理基板Wの非接合面Wnのほぼ全面が吸着された状態であり、また、第2保持部120によって、支持基板Sの非接合面Snのうち第1領域E1が吸着された状態である。   As a result, the upper and lower surfaces of the superposed substrate T are adsorbed by the first holding unit 110 and the second holding unit 120, respectively. That is, the substrate W to be processed is sucked and held by the first holding unit 110 and the support substrate S is sucked and held by the second holding unit 120. In such a holding state, almost the entire non-bonding surface Wn of the substrate to be processed W is adsorbed by the first holding unit 110, and the non-bonding surface Sn of the support substrate S is held by the second holding unit 120. Of these, the first region E1 is adsorbed.

なお、重合基板Tを第1保持部110および第2保持部120で吸着保持する処理は、上記方法に限られるものではない。たとえば、第1搬送装置21によって搬入された重合基板Tの上面側を第1保持部110によって吸着保持した後に、重合基板Tの下面側を第2保持部120によって吸着保持することもできる。   The process for adsorbing and holding the superposed substrate T by the first holding unit 110 and the second holding unit 120 is not limited to the above method. For example, after the upper surface side of the superposed substrate T carried in by the first transport device 21 is sucked and held by the first holding unit 110, the lower surface side of the superposed substrate T can be sucked and held by the second holding unit 120.

次に、剥離装置31は、制御装置50の制御に基づき、第2保持部120で保持している支持基板Sの第1領域E1を被処理基板Wから離す方向へ引っ張る処理を行う(図7のステップS103)。   Next, the peeling device 31 performs a process of pulling the first region E1 of the support substrate S held by the second holding unit 120 in a direction away from the target substrate W based on the control of the control device 50 (FIG. 7). Step S103).

このステップS103の処理では、移動機構140は、図8Aに示すように、第2保持部120を鉛直下向きに移動させる。移動機構140には内部にロードセル(図示せず)が設けられており、移動機構140は、第2保持部120に所定値以上の負荷がかかったことをロードセルによって検出した場合に、第2保持部120の鉛直下向きへの移動を停止する。これにより、支持基板Sの下面には第2保持部120によって所定の引っ張り力が加えられた状態になる。   In the process of step S103, the moving mechanism 140 moves the second holding unit 120 vertically downward as shown in FIG. 8A. The moving mechanism 140 is provided with a load cell (not shown), and the moving mechanism 140 is configured to hold the second holding unit 120 when the load cell detects that a load of a predetermined value or more is applied to the second holding unit 120. The movement of the unit 120 in the vertically downward direction is stopped. As a result, a predetermined tensile force is applied to the lower surface of the support substrate S by the second holding unit 120.

なお、必ずしもロードセルを用いる必要はなく、たとえば、移動機構140によって第2保持部120が鉛直下向きに所定距離だけ移動した場合に、第2保持部120の鉛直下向きへの移動を停止するようにしてもよい。   The load cell is not necessarily used. For example, when the second holding unit 120 is moved vertically downward by a predetermined distance by the moving mechanism 140, the movement of the second holding unit 120 in the vertical downward direction is stopped. Also good.

次に、剥離装置31は、第2保持部120によって支持基板Sの第1領域E1を引っ張っている状態で、制御装置50の制御に基づき、支持基板Sの第2領域E2を被処理基板Wから離す方向へ引っ張る処理を行う(図7のステップS104)。   Next, the peeling device 31 pulls the second region E2 of the support substrate S under the control of the control device 50 in a state where the first region E1 of the support substrate S is pulled by the second holding unit 120. A process of pulling in the direction away from is performed (step S104 in FIG. 7).

ステップS104の処理では、第2保持部120の吸着移動部130は、図8Bに示すように、支持基板Sの第2領域E2を吸着して鉛直下向きに移動させる。   In the process of step S104, the suction moving unit 130 of the second holding unit 120 sucks and moves the second region E2 of the support substrate S vertically downward as shown in FIG. 8B.

具体的には、吸着移動部130は、シリンダ132の動作によって本体部131を鉛直下向きに移動させる。これにより、吸着移動部130の上面が第2保持部120の上面よりも下方の位置に移動し、支持基板Sの第2領域E2が支持基板Sの第1領域E1に比べてさらに強い力で鉛直下向きに引っ張られる。   Specifically, the suction moving unit 130 moves the main body 131 vertically downward by the operation of the cylinder 132. As a result, the upper surface of the suction moving unit 130 moves to a position below the upper surface of the second holding unit 120, and the second region E2 of the support substrate S is stronger than the first region E1 of the support substrate S. Pulled vertically downward.

これにより、支持基板Sの第2領域E2の部分が被処理基板Wから剥離する。また、支持基板Sの非接合面Snのうち第1領域E1は鉛直下向きに引っ張る力が働いているため、支持基板Sの第2領域E2が被処理基板Wから剥離することによって、図8Cに示すように、支持基板Sの接合面Sj全体が被処理基板Wの接合面Wjから剥離する。   Thereby, the portion of the second region E2 of the support substrate S is peeled off from the substrate W to be processed. In addition, since the first region E1 of the non-joint surface Sn of the support substrate S is pulled vertically downward, the second region E2 of the support substrate S is peeled from the substrate to be processed W, so that FIG. As shown, the entire bonding surface Sj of the support substrate S is peeled from the bonding surface Wj of the substrate W to be processed.

また、支持基板Sの非接合面Snの外周部は、吸着移動部130によって支持される第2領域E2以外の領域は支持されていない。そのため、吸着移動部130によって支持基板Sの第2領域E2の部分が鉛直下向きに移動した場合に、支持基板Sの外周部のうち第2領域E2に隣接する領域も、この第2領域E2の鉛直下向きの移動に伴って鉛直下向きに移動する。その結果、第2領域E2に隣接する領域に対しても被処理基板Wから剥離を促進することができる。   Further, the outer peripheral portion of the non-joint surface Sn of the support substrate S is not supported in any region other than the second region E2 supported by the suction moving unit 130. Therefore, when the portion of the second region E2 of the support substrate S is moved vertically downward by the suction moving unit 130, the region adjacent to the second region E2 in the outer peripheral portion of the support substrate S is also the second region E2. It moves vertically downward as it moves vertically downward. As a result, the separation from the substrate to be processed W can be promoted even in the region adjacent to the second region E2.

また、被処理基板Wの接合面Wjには電子回路が形成されているため、被処理基板Wおよび支持基板Sを一度に剥離しようとすると、接合面Wj、Sjに対して大きな負荷がかかり、接合面Wj上の電子回路が損傷するおそれがある。   In addition, since an electronic circuit is formed on the bonding surface Wj of the substrate to be processed W, if the substrate to be processed W and the support substrate S are to be peeled at a time, a large load is applied to the bonding surfaces Wj and Sj. The electronic circuit on the joint surface Wj may be damaged.

これに対し、第1の実施形態に係る剥離システム1では、重合基板Tを全体的に引っ張った状態で重合基板Tの外周部をさらに引っ張ることで、重合基板Tの外周部が剥離し、その後、この剥離部分から連続的に重合基板Tが剥離される。これにより、接合面Wj、Sjに対して大きな負荷がかかることがなく、剥離動作中における電子回路の損傷を抑えることができる。   On the other hand, in the peeling system 1 according to the first embodiment, the outer peripheral portion of the superposed substrate T is peeled off by further pulling the outer peripheral portion of the superposed substrate T in a state where the superposed substrate T is pulled as a whole. The polymerization substrate T is continuously peeled from the peeled portion. Accordingly, a large load is not applied to the joint surfaces Wj and Sj, and damage to the electronic circuit during the peeling operation can be suppressed.

また、剥離装置31では、吸着移動部130の本体部131がゴムなどの弾性部材で構成されているため、支持基板Sの外周部が被処理基板Wから剥離する場合に、支持基板Sの外周部へ急激に力が加わることを抑制することができる。したがって、これによっても、接合面Wj、Sjにかかる負荷を抑えることができ、剥離動作中における電子回路の損傷を抑えることができる。   In the peeling device 31, since the main body 131 of the suction moving unit 130 is made of an elastic member such as rubber, the outer periphery of the support substrate S when the outer periphery of the support substrate S is peeled off from the substrate W to be processed. It can suppress that force is suddenly applied to a part. Therefore, this also can suppress the load applied to the joint surfaces Wj and Sj, and suppress damage to the electronic circuit during the peeling operation.

なお、上述においては、吸着移動部130による第2領域E2の吸着を、このステップS104の処理から開始するものとして説明した。しかし、吸着移動部130による第2領域E2の吸着のタイミングはこれに限定されるものではなく、たとえば、ステップS102の処理またはステップS103の処理から開始し、ステップS104まで継続して行うようにしてもよい。   In the above description, the suction of the second region E2 by the suction moving unit 130 has been described as starting from the process of step S104. However, the timing of the suction of the second region E2 by the suction moving unit 130 is not limited to this, for example, starting from the process of step S102 or the process of step S103 and continuing to step S104. Also good.

次に、第1搬送装置21および第2搬送装置35は、制御装置50の制御に基づき、被処理基板Wおよび支持基板Sを剥離装置31から搬出する処理を行う。(図7のステップS105)。この処理において、第1搬送装置21は、剥離後の支持基板Sを剥離装置31から搬出し、第2洗浄装置34へ搬送する処理を行う。また、第2搬送装置35は、剥離後の被処理基板Wを剥離装置31から搬出し、第1洗浄装置33へ搬送する処理を行う。   Next, the first transport device 21 and the second transport device 35 perform a process of unloading the target substrate W and the support substrate S from the peeling device 31 based on the control of the control device 50. (Step S105 in FIG. 7). In this process, the first transport device 21 performs a process of unloading the support substrate S after the peeling from the peeling device 31 and transporting it to the second cleaning device 34. Further, the second transport device 35 performs a process of unloading the substrate to be processed W from the peeling device 31 and transporting it to the first cleaning device 33.

ここで、ステップS104の処理についてさらに具体的に説明する。剥離装置31は、ステップS104の処理において、たとえば、重合基板Tの外周部を一度に引っ張る「継続モード」と、重合基板Tの外周部を断続的に繰り返し引っ張る「繰り返しモード」とを実行することができる。剥離装置31は、制御装置50の制御に基づき、継続モードによる処理と繰り返しモードによる処理とを選択的に実行する。   Here, the process of step S104 will be described more specifically. In the process of step S104, the peeling apparatus 31 executes, for example, a “continuation mode” in which the outer peripheral portion of the superposed substrate T is pulled at once and a “repetitive mode” in which the outer peripheral portion of the superposed substrate T is intermittently repeatedly pulled. Can do. The peeling device 31 selectively executes processing in the continuous mode and processing in the repeat mode based on the control of the control device 50.

継続モードによる処理の場合、剥離装置31は、重合基板Tの外周部が剥離するまで、シリンダ132を連続的に動作させて本体部131を連続的に鉛直下向きに移動させる。これにより、支持基板Sの第2領域E2を鉛直下向きに引っ張る力が次第に大きくなり、重合基板Tの外周部が剥離する。この継続モードでは、本体部131を連続的に鉛直下向きに移動させるため、剥離処理を迅速に行うことができる。   In the case of the processing in the continuous mode, the peeling device 31 continuously operates the cylinder 132 to move the main body 131 downward vertically until the outer peripheral portion of the overlapped substrate T is peeled off. Thereby, the force which pulls the 2nd area | region E2 of the support substrate S vertically downward becomes large gradually, and the outer peripheral part of the superposition | polymerization board | substrate T peels. In this continuous mode, the main body 131 is continuously moved vertically downward, so that the peeling process can be performed quickly.

一方、繰り返しモードによる処理の場合、剥離装置31は、重合基板Tの外周部が剥離するまで、シリンダ132を繰り返し動作させて本体部131を鉛直下向きおよび鉛直上向きに繰り返し移動させる。かかる繰り返し動作によって重合基板Tの外周部における接合力が次第に弱くなり、最終的に重合基板Tの外周部が剥離する。この繰り返しモードでは、継続モードによる処理に比べ、支持基板Sの第2領域E2を鉛直下向きに引っ張る力を抑えることができるため、接合面Wj、Sjにかかる負荷をより抑えることができる。   On the other hand, in the case of processing in the repeat mode, the peeling device 31 repeatedly moves the main body 131 vertically downward and vertically upward until the outer peripheral portion of the overlapped substrate T is peeled off. By such repeated operation, the bonding force at the outer peripheral portion of the superposed substrate T is gradually weakened, and finally the outer peripheral portion of the superposed substrate T is peeled off. In this repeat mode, compared to the processing in the continuous mode, the force that pulls the second region E2 of the support substrate S vertically downward can be suppressed, so that the load on the joint surfaces Wj and Sj can be further suppressed.

また、繰り返しモードによる処理の場合、剥離装置31は、支持基板Sの第2領域E2を鉛直下向きに引っ張る力を、一定に保つこともできるが、繰り返し回数に応じて段階的に強くすることもできる。また、剥離装置31は、支持基板Sの第2領域E2を鉛直下向きに引っ張る力を強弱の繰り返しで変化させることもできる。   Further, in the case of processing in the repeat mode, the peeling device 31 can keep the force for pulling the second region E2 of the support substrate S vertically downward constant, but may increase in steps according to the number of repetitions. it can. Moreover, the peeling apparatus 31 can also change the force which pulls the 2nd area | region E2 of the support substrate S vertically downward by repetition of strength.

上述においては、剥離装置31は、重合基板Tを全体的に引っ張った状態で重合基板Tの外周部をさらに引っ張ることで、重合基板Tを剥離するものとして説明した。しかし、剥離装置31による剥離は、これに限定されるものではなく、制御装置50の制御に基づき、種々の剥離動作が可能である。   In the above description, it has been described that the peeling device 31 peels the superposed substrate T by further pulling the outer peripheral portion of the superposed substrate T in a state where the superposed substrate T is pulled as a whole. However, the peeling by the peeling device 31 is not limited to this, and various peeling operations are possible based on the control of the control device 50.

たとえば、剥離装置31は、ステップS102の状態からステップS104の処理を行い、その後、ステップS103の処理を行うこともできる。これにより、重合基板Tの外周部が剥離した後で、重合基板Tの第1領域E1を引っ張ることになるため、重合基板Tの第1領域E1にかかる負荷を抑えることができる。   For example, the peeling apparatus 31 can perform the process of step S104 from the state of step S102, and then can perform the process of step S103. Thereby, since the 1st area | region E1 of the superposition | polymerization board | substrate T will be pulled after the outer peripheral part of the superposition | polymerization board | substrate T peels, the load concerning the 1st area | region E1 of the superposition | polymerization board | substrate T can be suppressed.

また、剥離装置31は、ステップS102の状態から、重合基板T全体が剥離するまで、ステップS103の処理とステップS104の処理を順に繰り返したり、または、ステップS104の処理とステップS103の処理を順に繰り返したりすることもできる。これにより、支持基板Sの第2領域E2を鉛直下向きに引っ張る力を抑えることができる。   Also, the peeling device 31 repeats the process of step S103 and the process of step S104 in order from the state of step S102 until the entire superposed substrate T is peeled, or the process of step S104 and the process of step S103 are repeated in order. You can also. Thereby, the force pulling the second region E2 of the support substrate S vertically downward can be suppressed.

また、上述においては、吸着移動部130の本体部131は、シリンダ132によって鉛直方向に移動する例を説明したが、シリンダ132による本体部131の移動方向はこれに限定されるものではない。   In the above description, the main body 131 of the suction moving unit 130 is moved in the vertical direction by the cylinder 132. However, the moving direction of the main body 131 by the cylinder 132 is not limited to this.

たとえば、シリンダ132による本体部131の移動方向は、図9に示すような移動方向でもよい。図9は、吸着移動部130におけるシリンダ132の他の構成を示す図である。図9に示すようにシリンダ132による本体部131の移動方向を、鉛直下向きに対して斜め方向であって、かつ、支持基板Sの中心寄りとしてもよい。支持基板Sの中心寄りに支持基板Sの外周部を引っ張ることにより、支持基板Sの外縁ほど強く引っ張ることができ、重合基板Tの外周部の剥離を促進することができる。   For example, the moving direction of the main body 131 by the cylinder 132 may be a moving direction as shown in FIG. FIG. 9 is a diagram illustrating another configuration of the cylinder 132 in the suction moving unit 130. As shown in FIG. 9, the moving direction of the main body 131 by the cylinder 132 may be an oblique direction with respect to the vertically downward direction and close to the center of the support substrate S. By pulling the outer periphery of the support substrate S closer to the center of the support substrate S, the outer edge of the support substrate S can be pulled more strongly, and peeling of the outer periphery of the superposed substrate T can be promoted.

また、上述においては、ゴムなどの弾性部材によって吸着移動部130の本体部131が形成される例を説明したが、たとえば、アルミニウムなどの金属部材によって吸着移動部130の本体部131を形成してもよい。また、本体部131の凹部上方に、炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックなどの多孔質部材を配置してもよい。   In the above description, the example in which the main body 131 of the suction moving unit 130 is formed of an elastic member such as rubber has been described. For example, the main body 131 of the suction moving unit 130 is formed of a metal member such as aluminum. Also good. Further, a porous member such as a porous body such as silicon carbide or a porous ceramic may be disposed above the concave portion of the main body 131.

また、吸着移動部130の本体部131として、図4および図5に示す形状を一例として説明したが、吸着移動部130の本体部131の構成はこれに限定されるものではない。たとえば、図10に示すような本体部131Aを吸着移動部130に備えるようにしてもよい。図10は、吸着移動部130における本体部の他の構成を示す図である。   Moreover, although the shape shown in FIG. 4 and FIG. 5 was demonstrated as an example as the main-body part 131 of the adsorption | suction movement part 130, the structure of the main-body part 131 of the adsorption | suction movement part 130 is not limited to this. For example, the main body 131A as shown in FIG. FIG. 10 is a diagram illustrating another configuration of the main body in the suction moving unit 130.

図10に示す本体部131Aは、第2保持部120と対向する側面と第2保持部120と対向しない側面とがそれぞれ凸曲面状に形成される。また、この本体部131Aでは、図4に示す本体部131と同様に、支持基板Sの外縁に対応する部分が支持基板Sの外縁に沿って弧状で、かつ、支持基板Sの外縁に向けて漸次幅広に形成される。   In the main body 131A shown in FIG. 10, the side surface facing the second holding unit 120 and the side surface not facing the second holding unit 120 are each formed in a convex curved shape. Further, in the main body 131 </ b> A, as in the main body 131 shown in FIG. 4, the portion corresponding to the outer edge of the support substrate S is arcuate along the outer edge of the support substrate S and toward the outer edge of the support substrate S. The width is gradually increased.

ところで、上述した第1の実施形態では、剥離装置の構成および動作の一例を例示した。しかしながら、剥離装置の構成および動作には種々のバリエーションが存在する。そこで、以下に示す各実施形態では、その他のバリエーションについて示すこととする。   By the way, in 1st Embodiment mentioned above, an example of the structure and operation | movement of the peeling apparatus was illustrated. However, there are various variations in the configuration and operation of the peeling apparatus. Therefore, in the following embodiments, other variations will be shown.

また、以下に示す各実施形態においては、上述した第1の実施形態の構成要素に対応する構成要素には同一の符合を付し、第1の実施形態と重複する説明については適宜、省略する。   Moreover, in each embodiment shown below, the same code | symbol is attached | subjected to the component corresponding to the component of 1st Embodiment mentioned above, and the description which overlaps with 1st Embodiment is abbreviate | omitted suitably. .

(第2の実施形態)
第1の実施形態の剥離装置31では、支持基板Sの外周を吸着し引っ張る吸着移動部を一つの吸着移動部130とする例を説明したが、吸着移動部を複数設けることもできる。以下では、吸着移動部を複数設けて重合基板Tの剥離を行う例について説明する。図11は、第2の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図であり、図12は、第2の実施形態に係る吸着移動部の構成を示す模式平面図である。
(Second Embodiment)
In the peeling apparatus 31 according to the first embodiment, the example in which the suction moving unit that sucks and pulls the outer periphery of the support substrate S is described as one suction moving unit 130, but a plurality of suction moving units may be provided. In the following, an example in which a plurality of suction moving parts are provided and the superposed substrate T is peeled off will be described. FIG. 11 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the second embodiment, and FIG. 12 is a schematic plan view showing the configuration of the suction moving unit according to the second embodiment.

第2の実施形態に係る剥離装置31Aは、図11および図12に示すように、周方向に所定間隔で配置される複数の吸着移動部230a〜230d(以下、吸着移動部230と総称する場合がある)を備える。剥離装置31Aは、これらの吸着移動部230a〜230dを動作させることによって、重合基板Tの剥離動作を行う。   As shown in FIGS. 11 and 12, the peeling device 31 </ b> A according to the second embodiment includes a plurality of suction moving units 230 a to 230 d (hereinafter collectively referred to as suction moving units 230) arranged at predetermined intervals in the circumferential direction. There is). The peeling apparatus 31 </ b> A performs the peeling operation of the superposed substrate T by operating these suction moving units 230 a to 230 d.

各吸着移動部230は、第1の実施形態に係る吸着移動部130と同様の構成であり、それぞれ本体部231と、シリンダ232とを備える。各吸着移動部230は、図12に示すように、第2保持部120の本体部121の外周に所定間隔を空けて対向し、本体部121の外周回りに所定間隔で配置される。また、各吸着移動部230には、第1の実施形態に係る吸着移動部130と同様に、それぞれ吸気装置に接続される吸気口(図示せず)が設けられる。   Each suction moving unit 230 has the same configuration as that of the suction moving unit 130 according to the first embodiment, and includes a main body 231 and a cylinder 232. As shown in FIG. 12, each suction moving unit 230 faces the outer periphery of the main body 121 of the second holding unit 120 with a predetermined interval, and is arranged around the outer periphery of the main body 121 at a predetermined interval. In addition, each suction moving unit 230 is provided with an intake port (not shown) connected to the intake device, similarly to the suction moving unit 130 according to the first embodiment.

吸着移動部230aと吸着移動部230cとは、第2保持部120の中心に対して点対称の位置にあり、吸着移動部230bと吸着移動部230dとは、第2保持部120の中心に対して点対称の位置にある。   The suction moving unit 230a and the suction moving unit 230c are in a point-symmetrical position with respect to the center of the second holding unit 120, and the suction moving unit 230b and the suction moving unit 230d are with respect to the center of the second holding unit 120. Are point-symmetrical.

剥離装置31Aでは、各吸着移動部230を独立して動作させることができるようにそれぞれ別個のシリンダ232によって本体部231を移動可能としている。したがって、剥離装置31Aは、複数の吸着移動部230を同時に動作させることもでき、また、各吸着移動部230を個別に動作させることもできる。   In the peeling apparatus 31 </ b> A, the main body 231 can be moved by a separate cylinder 232 so that each suction moving unit 230 can be operated independently. Therefore, the peeling device 31A can simultaneously operate the plurality of suction moving units 230, and can also operate each suction moving unit 230 individually.

ここで、剥離装置31Aによる剥離動作の一例について説明する。剥離装置31Aは、継続モードによる処理の場合、たとえば、以下に示す第1〜第3継続モードから選択された処理を実行する。   Here, an example of the peeling operation by the peeling device 31A will be described. In the case of the process in the continuous mode, the peeling device 31A executes, for example, a process selected from the following first to third continuous modes.

第1継続モードは、複数の吸着移動部230によって同時に支持基板Sの外周部を引っ張る処理モードである。この第1継続モードでは、支持基板Sの外周部を複数箇所で同時に引っ張ることができるため、一箇所で支持基板Sの外周部を引っ張る場合に比べ、支持基板Sの外周部の剥離をより迅速に行うことができる。   The first continuation mode is a processing mode in which the outer peripheral portion of the support substrate S is simultaneously pulled by the plurality of suction moving units 230. In this first continuous mode, the outer peripheral portion of the support substrate S can be pulled simultaneously at a plurality of locations, so that the outer peripheral portion of the support substrate S can be peeled off more quickly than when the outer peripheral portion of the support substrate S is pulled at one location. Can be done.

第2継続モードは、複数の吸着移動部230の引っ張り動作を一つずつ行う処理モードである。この第2継続モードでは、一つの吸着移動部230によって重合基板Tの剥離ができない場合、他の一つの吸着移動部230を動作させるものであり、支持基板Sの外周部の複数箇所が同時に引っ張られない。そのため、接合面Wj、Sjにかかる負荷を抑えることができる。なお、複数の吸着移動部230を複数のグループに分け、グループごとに吸着移動部230の引っ張り動作を行うようにしてもよい。   The second continuation mode is a processing mode in which the pulling operations of the plurality of suction moving units 230 are performed one by one. In the second continuation mode, when the superposed substrate T cannot be peeled off by one suction moving unit 230, the other suction moving unit 230 is operated, and a plurality of outer peripheral portions of the support substrate S are simultaneously pulled. I can't. Therefore, the load applied to the joint surfaces Wj and Sj can be suppressed. Note that the plurality of suction movement units 230 may be divided into a plurality of groups, and the suction movement unit 230 may be pulled for each group.

第3継続モードは、支持基板Sの外周部が剥離するまで、動作させる吸着移動部230の数を順次増やす動作を行う処理モードである。この第3継続モードでは、支持基板Sの外周部が剥離しない場合に、動作させる吸着移動部230の数を増やすため、剥離しやすい重合基板Tに対しては接合面Wj、Sjにかかる負荷を抑えることができる。   The third continuation mode is a processing mode in which an operation of sequentially increasing the number of suction moving units 230 to be operated is performed until the outer peripheral portion of the support substrate S is peeled off. In the third continuous mode, when the outer peripheral portion of the support substrate S does not peel off, the load on the bonding surfaces Wj and Sj is applied to the superposed substrate T that is easily peeled off in order to increase the number of suction moving units 230 to be operated. Can be suppressed.

また、剥離装置31Aは、繰り返しモードによる処理の場合、たとえば、以下に示す第1〜第3繰り返しモードから選択された処理を実行する。第1〜第3繰り返しモードは、第1〜第3継続モードにそれぞれ対応する動作を行う処理モードである。   Moreover, in the case of the process by repetition mode, 31 A of peeling apparatuses perform the process selected from the 1st-3rd repetition mode shown below, for example. The first to third repetition modes are processing modes for performing operations corresponding to the first to third continuation modes, respectively.

第1繰り返しモードでは、剥離装置31Aは、複数の吸着移動部230によって同時に支持基板Sの外周部を引っ張る処理を、支持基板Sの外周部が剥離するまで繰り返し行う。   In the first repeat mode, the peeling device 31A repeatedly performs the process of simultaneously pulling the outer peripheral portion of the support substrate S by the plurality of suction moving units 230 until the outer peripheral portion of the support substrate S is peeled off.

第2繰り返しモードでは、剥離装置31Aは、複数の吸着移動部230の引っ張り動作を一つずつまたはグループごとに行う処理を支持基板Sの外周部が剥離するまで繰り返し行う。たとえば、剥離装置31Aは、吸着移動部230a、230cの組と、吸着移動部230b、230dの組とで交互に支持基板Sの外周部を引っ張る処理を行う。   In the second repeat mode, the peeling device 31A repeatedly performs a process of performing the pulling operation of the plurality of suction moving units 230 one by one or for each group until the outer peripheral portion of the support substrate S is peeled off. For example, the peeling device 31A performs a process of alternately pulling the outer peripheral portion of the support substrate S between the set of suction moving units 230a and 230c and the set of suction moving units 230b and 230d.

また、第3繰り返しモードでは、剥離装置31Aは、動作させる吸着移動部230の数を順次増やす動作を繰り返し行う。   In the third repetition mode, the peeling device 31A repeatedly performs an operation of sequentially increasing the number of suction moving units 230 to be operated.

このように、第2の実施形態に係る剥離装置31Aでは、複数の吸着移動部230を備え、これら複数の吸着移動部230によって剥離動作を行うため、重合基板Tの剥離動作を容易に行うことができる。なお、上述においては、剥離装置31Aにおいて、吸着移動部230の動作モードを選択することができるものとして説明したが、これに限定されるものではなく、吸着移動部230の動作モードは一つであってもよい。   Thus, in the peeling apparatus 31A according to the second embodiment, since the plurality of suction moving units 230 are provided and the plurality of suction moving units 230 perform the peeling operation, the peeling operation of the superposed substrate T can be easily performed. Can do. In the above description, it has been described that the operation mode of the suction moving unit 230 can be selected in the peeling device 31A. However, the present invention is not limited to this, and the operation mode of the suction moving unit 230 is one. There may be.

また、上述においては、各吸着移動部230を独立して動作させる例を説明したが、これに限定されるものではない。たとえば、複数の本体部231を一つのシリンダ232で移動させることで、複数の吸着移動部230を一体的に移動させるようにしてもよい。   Moreover, although the example which operates each adsorption | suction movement part 230 independently was demonstrated in the above-mentioned, it is not limited to this. For example, the plurality of main body portions 231 may be moved by one cylinder 232 to move the plurality of suction moving portions 230 integrally.

また、上述においては、4つの吸着移動部230を周回りに所定間隔を空けて配置する例を説明したが、吸着移動部230の数や配置はこれに限定されるものではなく、適宜変更可能である。また、吸着移動部230の本体部231の形状についても第1の実施形態と同様に種々の形状を採用することができる。また、本体部231の移動方向についても第1の実施形態と同様に鉛直方向への移動に限定されるものではなく、たとえば、鉛直下向きに対して斜め方向であって、かつ、支持基板Sの中心寄りとしてもよい(図9参照)。   In the above description, the example in which the four suction moving units 230 are arranged at predetermined intervals around the circumference has been described. However, the number and arrangement of the suction moving units 230 are not limited to this, and can be changed as appropriate. It is. In addition, various shapes can be adopted for the shape of the main body 231 of the suction moving unit 230 as in the first embodiment. Further, the movement direction of the main body 231 is not limited to the vertical movement as in the first embodiment. For example, the main body 231 is inclined with respect to the vertical downward direction, and the support substrate S It may be closer to the center (see FIG. 9).

(第3の実施形態)
上述した剥離装置31、31Aでは、支持部105または処理容器100の天井に第1保持部110を固定する例を説明したが、弾性部材を介して第1保持部110を支持部105または処理容器100の天井に支持させることもできる。以下では、弾性部材を介して第1保持部110を支持部105に支持させる例について説明する。ここでは、第2の実施形態の剥離装置31Aに対して第1保持部110を支持する弾性部材を追加する例を説明するが、第1の実施形態の剥離装置31に対して第1保持部110を支持する弾性部材を追加することもできる。
(Third embodiment)
In the peeling apparatuses 31 and 31A described above, the example in which the first holding unit 110 is fixed to the ceiling of the support unit 105 or the processing container 100 has been described. However, the first holding unit 110 is supported by the support unit 105 or the processing container via an elastic member. It can also be supported on 100 ceilings. Below, the example which makes the support part 105 support the 1st holding | maintenance part 110 via an elastic member is demonstrated. Here, an example in which an elastic member that supports the first holding unit 110 is added to the peeling device 31A of the second embodiment will be described, but the first holding unit is added to the peeling device 31 of the first embodiment. An elastic member supporting 110 may be added.

図13は、第3の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図であり、図14は、第3の実施形態に係る剥離装置による剥離動作の説明図である。   FIG. 13 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the third embodiment, and FIG. 14 is an explanatory diagram of the peeling operation by the peeling apparatus according to the third embodiment.

図13に示すように、第3の実施形態に係る剥離装置31Bでは、支持部105と第1保持部110との間に複数の弾性部材307が配置される。これら複数の弾性部材307は、たとえば、ばね部材によって形成され、第1保持部110の外周部に周回りに所定間隔を空けて配置される。   As shown in FIG. 13, in the peeling device 31 </ b> B according to the third embodiment, a plurality of elastic members 307 are arranged between the support part 105 and the first holding part 110. The plurality of elastic members 307 are formed of, for example, a spring member, and are arranged on the outer periphery of the first holding unit 110 with a predetermined interval around the circumference.

このように構成された剥離装置31Bにおいて、たとえば、各吸着移動部230のシリンダ232の鉛直下向きへの移動量を異ならせたとする。この場合、図14に示すように、弾性部材307によって、鉛直方向下方への移動量が多いシリンダ232側に第1保持部110の吸着面112が傾斜する。   In the peeling apparatus 31B configured as described above, for example, it is assumed that the amount of movement of each suction moving unit 230 in the vertically downward direction of the cylinder 232 is varied. In this case, as illustrated in FIG. 14, the elastic member 307 causes the suction surface 112 of the first holding unit 110 to be inclined toward the cylinder 232 that has a large amount of movement downward in the vertical direction.

したがって、吸着移動部230によって支持基板Sの外周部にかかる力の一部を、弾性部材307を含む第1保持部110で吸収することができ、これにより、支持基板Sの外周部へ急激に力が加わることを抑制することができる。なお、各吸着移動部230のシリンダ232の鉛直下向きへの移動量を一定に保ったまま本体部231を鉛直下向きに移動させる場合でも同様に、支持基板Sの外周部にかかる力の一部を、弾性部材307を含む第1保持部110で吸収することができる。   Accordingly, a part of the force applied to the outer peripheral portion of the support substrate S by the adsorption moving unit 230 can be absorbed by the first holding unit 110 including the elastic member 307, and thereby, the outer peripheral portion of the support substrate S is rapidly increased. It can suppress that force is added. In addition, even when the main body 231 is moved vertically downward while keeping the amount of movement of the cylinders 232 of the suction moving parts 230 vertically downward, a part of the force applied to the outer peripheral part of the support substrate S is similarly applied. It can be absorbed by the first holding part 110 including the elastic member 307.

このように、第3の実施形態に係る剥離装置31Bでは、支持部105と第1保持部110との間に複数の弾性部材307が配置されるため、支持基板Sの外周部へ急激に力が加わることを抑制することができる。   Thus, in the peeling apparatus 31B according to the third embodiment, since the plurality of elastic members 307 are disposed between the support portion 105 and the first holding portion 110, a force is rapidly applied to the outer peripheral portion of the support substrate S. Can be prevented from being added.

(第4の実施形態)
上述した剥離装置において、さらに重合基板Tの剥離を促すために、たとえば刃物等の鋭利部材を用いて重合基板Tの側面に切り込みを入れてもよい。以下では、鋭利部材を用いて重合基板Tの側面に切り込みを入れる場合の例について説明する。ここでは、第1の実施形態の剥離装置31に対して重合基板Tの側面に切り込みを入れる構成を追加する例を説明するが、第2および第3の実施形態の剥離装置31A、31Bに対して重合基板Tの側面に切り込みを入れる構成を追加することもできる。
(Fourth embodiment)
In the above-described peeling device, in order to further promote peeling of the superposed substrate T, for example, a sharp member such as a blade may be used to cut a side surface of the superposed substrate T. Below, the example in the case of notching the side surface of the superposition | polymerization board | substrate T using a sharp member is demonstrated. Here, although the example which adds the structure which cuts into the side surface of the superposition | polymerization board | substrate T with respect to the peeling apparatus 31 of 1st Embodiment is demonstrated, with respect to the peeling apparatuses 31A and 31B of 2nd and 3rd embodiment, Thus, it is possible to add a configuration in which a cut is made on the side surface of the superposed substrate T.

図15は、第4の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。図15に示すように、第4の実施形態に係る剥離装置31Cは、第1の実施形態の剥離装置31の構成に加え、切込部170と、撮像部180とをさらに備える。この切込部170は、吸着移動部130に対応する位置に設けられる。   FIG. 15 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the fourth embodiment. As illustrated in FIG. 15, the peeling device 31 </ b> C according to the fourth embodiment further includes a cutting unit 170 and an imaging unit 180 in addition to the configuration of the peeling device 31 of the first embodiment. The cut portion 170 is provided at a position corresponding to the suction moving portion 130.

切込部170は、Y軸方向に延びるレール171と、このレール171に沿って移動する移動部172と、移動部172の重合基板Tと対向する側の端面に設けられる鋭利部材173と、レール171を鉛直方向に昇降させる昇降部174とを備える。   The cut portion 170 includes a rail 171 extending in the Y-axis direction, a moving portion 172 that moves along the rail 171, a sharp member 173 provided on an end surface of the moving portion 172 on the side facing the overlapping substrate T, a rail And an elevating part 174 for elevating and lowering 171 in the vertical direction.

鋭利部材173は、たとえば刃物であり、先端が重合基板Tへ向けて突出するように移動部172に設けられる。刃物としては、たとえば、カミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いることができる。なお、セラミック樹脂系の刃物あるいはフッ素コーティングされた刃物を用いることで、重合基板Tに対して切り込みを入れた際のパーティクルの発生を抑えることができる。   The sharp member 173 is, for example, a blade, and is provided on the moving portion 172 so that the tip protrudes toward the superposed substrate T. As the blade, for example, a razor blade, a roller blade, an ultrasonic cutter, or the like can be used. In addition, generation | occurrence | production of the particle at the time of making a cut | incision with respect to the superposition | polymerization board | substrate T can be suppressed by using a ceramic-resin type blade or a fluorine-coated blade.

撮像部180は、たとえばCCD(Charge Coupled Device)カメラであり、切込部170が設けられる側の重合基板Tの側面を撮像する。撮像部180の撮像データは、制御装置50(図1参照)へ出力される。   The imaging unit 180 is, for example, a CCD (Charge Coupled Device) camera, and images the side surface of the overlapping substrate T on the side where the notch unit 170 is provided. The imaging data of the imaging unit 180 is output to the control device 50 (see FIG. 1).

制御装置50は、撮像部180から入力された撮像データに基づき昇降部174を駆動させることで、接着剤Gの高さ範囲に含まれるように鋭利部材173を配置させる。その後、制御装置50は、鋭利部材173を重合基板Tにおける接着剤Gへ挿入させる。   The control device 50 drives the lifting / lowering unit 174 based on the imaging data input from the imaging unit 180 to arrange the sharp member 173 so as to be included in the height range of the adhesive G. Thereafter, the control device 50 inserts the sharp member 173 into the adhesive G on the superposed substrate T.

ここで、制御装置50の制御に基づいて剥離装置31Cが行う鋭利部材173の挿入動作について図16を参照して具体的に説明する。図16は、鋭利部材173の挿入動作の説明図である。なお、図16では、理解を容易にするために鋭利部材173の先端の形状を山型としたが、鋭利部材173の形状は図示のものに限られない。   Here, the insertion operation of the sharp member 173 performed by the peeling device 31C based on the control of the control device 50 will be specifically described with reference to FIG. FIG. 16 is an explanatory diagram of the insertion operation of the sharp member 173. In FIG. 16, the shape of the tip of the sharp member 173 is a mountain shape for easy understanding, but the shape of the sharp member 173 is not limited to the illustrated shape.

剥離装置31Cは、移動部172を駆動させることによって、鋭利部材173の先端部が重合基板Tの側面に当接する位置まで鋭利部材173を移動させる。その後、剥離装置31Cは、移動部172を重合基板T側に向かってさらに移動させる。これにより、鋭利部材173は、重合基板Tの中心Pへ向かう方向D1に沿って、重合基板Tにおける接着剤Gへ挿入される。   The peeling device 31 </ b> C moves the sharp member 173 to a position where the tip of the sharp member 173 contacts the side surface of the superposed substrate T by driving the moving unit 172. Thereafter, the peeling device 31C further moves the moving unit 172 toward the superposed substrate T side. Accordingly, the sharp member 173 is inserted into the adhesive G on the superposed substrate T along the direction D1 toward the center P of the superposed substrate T.

このように、鋭利部材173が重合基板Tの側面に当接する位置で移動部172を一端停止させた後、移動部172を再び移動させて鋭利部材173を重合基板Tへ挿入させることで、鋭利部材173の挿入の際に重合基板Tへ伝わる衝撃を緩和させることができる。また、この切込部170は、吸着移動部130に対応する位置に設けられる。すなわち、支持基板Sの第2領域E2と被処理基板Wとの間の接合部分に鋭利部材173の挿入が行われる。そのため、吸着移動部130によって剥離する位置に切り込みを入れることができ、重合基板Tの剥離処理をより確実に行うことができる。   Thus, after the moving part 172 is stopped once at a position where the sharp member 173 contacts the side surface of the superposed substrate T, the sharp part 173 is inserted again into the superposed substrate T by moving the moving part 172 again. The impact transmitted to the superposed substrate T when the member 173 is inserted can be reduced. Further, the cut portion 170 is provided at a position corresponding to the suction moving portion 130. That is, the sharp member 173 is inserted into the joint portion between the second region E2 of the support substrate S and the substrate W to be processed. For this reason, it is possible to make a cut at the position where the suction moving unit 130 peels off, and the peeling process of the superposed substrate T can be performed more reliably.

なお、剥離装置31Cは、鋭利部材173を重合基板Tへ挿入させた後、重合基板Tの周方向D2に沿って鋭利部材173を移動させることもできる。このようにすることで、より大きな切り込みを重合基板Tに対して入れることができる。かかる場合、切込部170は、移動部172において鋭利部材173を重合基板Tの周方向D2に沿って移動させる構成をさらに備えていればよい。   The peeling device 31C can also move the sharp member 173 along the circumferential direction D2 of the superposed substrate T after inserting the sharp member 173 into the superposed substrate T. By doing in this way, a bigger notch can be made with respect to the superposition | polymerization board | substrate T. FIG. In such a case, the cut portion 170 only needs to further include a configuration for moving the sharp member 173 along the circumferential direction D2 of the overlapped substrate T in the moving portion 172.

また、鋭利部材173による切り込み処理は、重合基板Tが、第1保持部110と第2保持部120によって被処理基板Wと支持基板Sとに分離されるまでの間のいずれのタイミングで行ってもよい。たとえば、剥離装置31Cは、第1保持部110と第2保持部120によって重合基板Tを吸着保持した後、吸着移動部130によって支持基板Sの第2領域E2を引っ張る前に切り込み処理を行ってもよいし、吸着移動部130によって支持基板Sの第2領域E2を引っ張りながら切り込み処理を行ってもよい。また、剥離装置31Cは、吸着移動部130の吸着移動による剥離動作の結果、重合基板Tが剥離できなかった場合にのみ切り込み処理を行ってもよい。   Further, the cutting process by the sharp member 173 is performed at any timing until the superposed substrate T is separated into the target substrate W and the support substrate S by the first holding unit 110 and the second holding unit 120. Also good. For example, the peeling device 31C performs a cutting process after the first holding unit 110 and the second holding unit 120 suck and hold the overlapped substrate T and before the suction moving unit 130 pulls the second region E2 of the support substrate S. Alternatively, the cutting process may be performed while pulling the second region E2 of the support substrate S by the suction moving unit 130. Further, the peeling device 31C may perform the cutting process only when the superposed substrate T cannot be peeled as a result of the peeling operation by the suction movement of the suction moving unit 130.

上述してきたように、第4の実施形態に係る剥離装置31Cは、鋭利部材173による切り込み処理を行うことで、重合基板Tの剥離処理をより確実に行うことができる。なお、ここでは、鋭利部材173がカッター等の刃物である場合の例について説明したが、鋭利部材は、必ずしも刃物であることを要しない。たとえば、鋭利部材は、皮下針等の管状の針体であってもよい。また、鋭利部材は、ワイヤーであってもよい。   As described above, the peeling device 31C according to the fourth embodiment can perform the peeling process of the superposed substrate T more reliably by performing the cutting process by the sharp member 173. Here, an example in which the sharp member 173 is a cutter such as a cutter has been described, but the sharp member is not necessarily required to be a cutter. For example, the sharp member may be a tubular needle body such as a hypodermic needle. The sharp member may be a wire.

(第5の実施形態)
また、上述してきた各実施形態では、重合基板Tを常温で剥離する場合の例について説明した。しかし、剥離装置は、重合基板Tにおける被処理基板Wおよび支持基板Sのうちの一方を加熱または冷却することによって生じる温度差を利用して重合基板Tの剥離を促進させることもできる。
(Fifth embodiment)
Moreover, in each embodiment mentioned above, the example in the case of peeling the superposition | polymerization board | substrate T at normal temperature was demonstrated. However, the peeling apparatus can also promote peeling of the superposed substrate T by utilizing a temperature difference generated by heating or cooling one of the target substrate W and the support substrate S in the superposed substrate T.

ここで、重合基板Tの支持基板S側を加熱する場合の例について図17を参照して説明する。図17は、第5の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図であり、第2保持部の一部を模式的に断面図として表している。なお、ここでは、第1の実施形態の剥離装置31に対して重合基板Tの支持基板S側を加熱する構成を追加する例を説明するが、第2〜第4の実施形態の剥離装置31A〜31Cに対して重合基板Tの支持基板S側を加熱する構成を追加することもできる。   Here, the example in the case of heating the support substrate S side of the superposition | polymerization board | substrate T is demonstrated with reference to FIG. FIG. 17 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to the fifth embodiment, and a part of the second holding unit is schematically shown as a cross-sectional view. In addition, although the example which adds the structure which heats the support substrate S side of the superposition | polymerization board | substrate T with respect to the peeling apparatus 31 of 1st Embodiment is demonstrated here, 31 A of peeling apparatuses of 2nd-4th embodiment are demonstrated. The structure which heats the support substrate S side of the superposition | polymerization board | substrate T with respect to -31C can also be added.

図17に示すように、第5の実施形態に係る剥離装置31Dの第2保持部220は、第1の実施形態に係る第2保持部120に加え、さらに本体部121の内部に加熱機構128を備える。加熱機構128は、たとえば、ヒーターであり、本体部121に吸着保持される支持基板Sを所定の温度に加熱する。なお、重合基板Tの被処理基板W側を吸着保持する第1保持部110は、加熱機構を備えないものとする。   As shown in FIG. 17, the second holding unit 220 of the peeling apparatus 31 </ b> D according to the fifth embodiment includes a heating mechanism 128 inside the main body 121 in addition to the second holding unit 120 according to the first embodiment. Is provided. The heating mechanism 128 is, for example, a heater, and heats the support substrate S sucked and held by the main body 121 to a predetermined temperature. In addition, the 1st holding | maintenance part 110 which adsorbs and holds the to-be-processed substrate W side of the superposition | polymerization board | substrate T shall not be provided with a heating mechanism.

第2保持部220によって重合基板Tが吸着保持されると、重合基板Tの支持基板S側が加熱機構128によって加熱される。これにより、支持基板Sが被処理基板Wに対して相対的に膨張し、支持基板Sと被処理基板Wとの間にずれが生じるため、重合基板Tの剥離を促進させることができる。また、支持基板Sを加熱することで支持基板S側の接着剤Gが軟化するため、これによっても重合基板Tの剥離を促進させることができる。   When the superposed substrate T is sucked and held by the second holding unit 220, the support substrate S side of the superposed substrate T is heated by the heating mechanism 128. As a result, the support substrate S expands relative to the substrate W to be processed, and a shift occurs between the support substrate S and the substrate W to be processed, so that peeling of the superposed substrate T can be promoted. Moreover, since the adhesive G by the side of the support substrate S softens by heating the support substrate S, peeling of the superposition | polymerization board | substrate T can be accelerated | stimulated also by this.

また、重合基板Tに温度差を与えるためには、支持基板Sの加熱を急激に行うことが好ましい。そこで、第2保持部220では、重合基板Tの剥離を開始する直前に加熱機構128を作動させ、支持基板Sを瞬間的に加熱することとしてもよい。   Moreover, in order to give a temperature difference to the superposition | polymerization board | substrate T, it is preferable to heat the support substrate S rapidly. Therefore, in the second holding unit 220, the heating mechanism 128 may be operated immediately before starting the peeling of the superposed substrate T, and the support substrate S may be heated instantaneously.

また、第1保持部110には、たとえばヒートポンプやペルチェ素子等を用いた冷却機構を設けてもよい。これにより、支持基板Sの被処理基板Wに対する相対的な膨張をより促進することができ、また、熱酸化に対する抑制効果を高めることもできる。   Further, the first holding unit 110 may be provided with a cooling mechanism using, for example, a heat pump or a Peltier element. Thereby, the relative expansion | swelling with respect to the to-be-processed substrate W of the support substrate S can be accelerated | stimulated more, and the inhibitory effect with respect to thermal oxidation can also be heightened.

また、第2保持部220に加熱機構を設けず、第1保持部110に加熱機構または冷却機構を設け、第1保持部110に対して重合基板Tを吸着保持させた後、重合基板Tの被処理基板W側を瞬間的に加熱または冷却してもよい。また、第2保持部220に加熱機構128を設けることに加え、さらに、吸着移動部130に加熱機構を設けるようにしてもよい。   In addition, the second holding unit 220 is not provided with a heating mechanism, the first holding unit 110 is provided with a heating mechanism or a cooling mechanism, and the superposed substrate T is adsorbed and held by the first holding unit 110. The substrate W to be processed may be heated or cooled instantaneously. In addition to providing the second holding unit 220 with the heating mechanism 128, the suction moving unit 130 may be further provided with a heating mechanism.

(第6の実施形態)
ところで、剥離システムの構成は、図1に示した構成に限定されず、種々の構成を取り得る。そこで、剥離システムの他の構成について図18を参照して説明する。図18は、第6の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
(Sixth embodiment)
By the way, the structure of a peeling system is not limited to the structure shown in FIG. 1, A various structure can be taken. Therefore, another configuration of the peeling system will be described with reference to FIG. FIG. 18 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the sixth embodiment.

図18に示すように、第6の実施形態に係る剥離システム1Aは、検査装置60をさらに備える。また、第6の実施形態に係る剥離システム1Aは、図1に示す第2搬送領域40に代えて、第2搬送領域40Aを備える。第2搬送領域40Aには、X軸方向に延在する搬送路41A上を移動可能な第3搬送装置42Aが設置される。なお、第3搬送装置42Aは、図1に示す第3搬送装置42と同様、たとえばベルヌーイチャックを用いて被処理基板Wを非接触状態で搬送する。   As shown in FIG. 18, the peeling system 1 </ b> A according to the sixth embodiment further includes an inspection device 60. Moreover, 1 A of peeling systems which concern on 6th Embodiment are provided with 40 A of 2nd conveyance areas instead of the 2nd conveyance area 40 shown in FIG. In the second transport region 40A, a third transport device 42A that can move on a transport path 41A extending in the X-axis direction is installed. Note that the third transport apparatus 42A transports the substrate W to be processed in a non-contact state using, for example, a Bernoulli chuck, similarly to the third transport apparatus 42 shown in FIG.

検査装置60は、被処理基板Wに対し、接合面Wjに形成された電子回路に損傷がないか、あるいは、接着剤Gの残渣がないか等の表面検査を行う装置である。   The inspection device 60 is a device that performs surface inspection on the substrate W to be processed, such as whether the electronic circuit formed on the bonding surface Wj is not damaged or there is no residue of the adhesive G.

剥離システム1Aでは、第1洗浄装置33によって洗浄された被処理基板Wが第3搬送装置42Aによって第1洗浄装置33から取り出され、検査装置60へ搬送される。検査装置60へ搬送された被処理基板Wは、検査装置60によって表面検査が行われる。そして、電子回路の損傷や接着剤Gの残渣等の異常が発見された被処理基板Wは、第3搬送装置42Aによって第1洗浄装置33へ戻され、第1搬送装置21によって第1洗浄装置33から搬入出ステーション10へ搬送される。   In the peeling system 1A, the substrate to be processed W cleaned by the first cleaning device 33 is taken out from the first cleaning device 33 by the third transfer device 42A and transferred to the inspection device 60. The substrate W transferred to the inspection apparatus 60 is subjected to surface inspection by the inspection apparatus 60. And the to-be-processed substrate W by which abnormality, such as damage of an electronic circuit and the residue of the adhesive agent G, was discovered, is returned to the 1st washing | cleaning apparatus 33 by the 3rd conveying apparatus 42A, and the 1st washing | cleaning apparatus by the 1st conveying apparatus 21 It is conveyed from 33 to the loading / unloading station 10.

一方、検査装置60によって異常が発見されなかった被処理基板Wは、第3搬送装置42Aによって後処理ステーションMへ搬送され、後処理ステーションMによってマウントやダイシングといった後処理が施される。このように、剥離システムは、剥離後の被処理基板Wに対して表面検査を行う検査装置をさらに備えていてもよい。   On the other hand, the to-be-processed substrate W in which no abnormality is found by the inspection apparatus 60 is transferred to the post-processing station M by the third transfer apparatus 42A, and post-processing such as mounting and dicing is performed by the post-processing station M. Thus, the peeling system may further include an inspection device that performs surface inspection on the substrate to be processed W after peeling.

第6の実施形態に係る剥離システム1Aでは、第1洗浄装置33と後処理ステーションMとの間に検査装置60が配置されることから、異常が発見されなかった被処理基板Wを後処理ステーションMへ搬送することができる。これにより、スループットを向上させることができる。   In the peeling system 1A according to the sixth embodiment, since the inspection apparatus 60 is disposed between the first cleaning device 33 and the post-processing station M, the substrate W to be processed in which no abnormality is found is processed in the post-processing station. It can be conveyed to M. Thereby, throughput can be improved.

(その他の実施形態)
上述してきた各実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gによって接合された重合基板Tである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Tに限定されない。たとえば、上述してきた各実施形態の剥離装置では、SOI(Silicon On Insulator)基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
(Other embodiments)
In each of the embodiments described above, an example in which the superposed substrate to be peeled is the superposed substrate T in which the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded by the adhesive G has been described. However, the superposition | polymerization board | substrate used as the peeling object of a peeling apparatus is not limited to this superposition | polymerization board | substrate T. FIG. For example, in the peeling apparatus of each embodiment described above, in order to generate an SOI (Silicon On Insulator) substrate, a superposed substrate in which a donor substrate on which an insulating film is formed and a substrate to be processed are bonded is targeted for peeling. It is also possible.

ここで、SOI基板の製造方法について図19Aおよび図19Bを参照して説明する。図19Aおよび図19Bは、SOI基板の製造工程を示す模式図である。図19Aに示すように、SOIを形成するための重合基板TAは、ドナー基板Dとハンドル基板Hとを接合することによって形成される。ドナー基板Dは、表面に絶縁膜5が形成されるとともに、表面近傍の所定深さに水素イオン注入層6が形成された基板である。また、ハンドル基板Hとしては、たとえばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。   Here, an SOI substrate manufacturing method will be described with reference to FIGS. 19A and 19B. FIG. 19A and FIG. 19B are schematic views showing the manufacturing process of the SOI substrate. As shown in FIG. 19A, the superposition substrate TA for forming the SOI is formed by bonding the donor substrate D and the handle substrate H. The donor substrate D is a substrate in which the insulating film 5 is formed on the surface and the hydrogen ion implantation layer 6 is formed at a predetermined depth near the surface. As the handle substrate H, for example, a silicon wafer, a glass substrate, a sapphire substrate, or the like can be used.

上述してきた各実施形態の剥離装置では、たとえば、第1保持部でハンドル基板Hを保持し、第2保持部でドナー基板Dを保持した状態で、重合基板TAの外周部を引っ張ることで、ドナー基板Dに形成された水素イオン注入層6に対して機械的衝撃を与える。これにより、図19Bに示すように、水素イオン注入層6内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Dからシリコン層7が剥離する。その結果、ハンドル基板Hの上面に絶縁膜5とシリコン層7とが転写され、SOI基板WAが形成される。なお、第1保持部でハンドル基板Hを保持し、第2保持部でドナー基板Dを保持することが好適であるが、第1保持部でドナー基板Dを保持し、第2保持部でハンドル基板Hを保持してもよい。   In the peeling apparatus of each embodiment described above, for example, by holding the handle substrate H by the first holding unit and holding the donor substrate D by the second holding unit, by pulling the outer peripheral portion of the polymerization substrate TA, A mechanical impact is applied to the hydrogen ion implantation layer 6 formed on the donor substrate D. Thereby, as shown in FIG. 19B, the silicon-silicon bond in the hydrogen ion implantation layer 6 is cut, and the silicon layer 7 is peeled from the donor substrate D. As a result, the insulating film 5 and the silicon layer 7 are transferred to the upper surface of the handle substrate H, and the SOI substrate WA is formed. It is preferable that the handle substrate H is held by the first holding unit and the donor substrate D is held by the second holding unit, but the donor substrate D is held by the first holding unit and the handle is held by the second holding unit. The substrate H may be held.

また、上述した実施形態では、被処理基板Wと支持基板Sとを接着剤Gを用いて接合する場合の例について説明したが、接着剤Gは、接合面Wj、Sjの全面に塗布されてもよいし、接合面Wj、Sjの一部にのみ塗布されてもよい。接合面Wj、Sjの一部にのみ接着剤Gを塗布する場合には、被処理基板Wおよび支持基板Sの外周部にのみ接着剤Gを塗布することが好ましい。また、接合面Wj、Sjを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。   In the above-described embodiment, an example in which the target substrate W and the support substrate S are bonded using the adhesive G has been described. However, the adhesive G is applied to the entire bonding surfaces Wj and Sj. Alternatively, it may be applied only to a part of the joint surfaces Wj and Sj. When the adhesive G is applied only to a part of the bonding surfaces Wj and Sj, it is preferable to apply the adhesive G only to the outer peripheral portions of the substrate W and the support substrate S. Further, the joint surfaces Wj and Sj may be divided into a plurality of regions, and adhesives having different adhesive strength may be applied to each region.

また、上述した実施形態では、第1保持部で被処理基板Wを保持し、第2保持部で支持基板Sを保持するものとして説明したが、第1保持部で支持基板Sを保持し、第2保持部で被処理基板Wを保持してもよい。なお、被処理基板Wが薄型化されている場合、第1保持部で被処理基板Wを保持し、第2保持部で支持基板Sを保持することが好適である。   In the above-described embodiment, the processing target substrate W is held by the first holding unit and the supporting substrate S is held by the second holding unit. However, the supporting substrate S is held by the first holding unit, The substrate W to be processed may be held by the second holding unit. In addition, when the to-be-processed substrate W is thinned, it is suitable to hold | maintain the to-be-processed substrate W with a 1st holding | maintenance part, and hold | maintain the support substrate S with a 2nd holding | maintenance part.

また、上述した実施形態では、第2保持部を鉛直下向きへ移動させることで、支持基板Sの非接合面Snを第2保持部で引っ張る例を説明したが、これに限定されるものではない。たとえば、第2保持部に対して第1保持部を鉛直上向きへ移動させることで、結果的に支持基板Sの非接合面Snを第2保持部で引っ張るようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the example in which the non-joint surface Sn of the support substrate S is pulled by the second holding unit by moving the second holding unit vertically downward has been described. However, the present invention is not limited to this. . For example, the non-joint surface Sn of the support substrate S may be pulled by the second holding unit by moving the first holding unit vertically upward with respect to the second holding unit.

また、上述した実施形態では、重合基板Tの板面が水平方向に延在する向きで重合基板Tの剥離処理を行う例を説明したが、これに限定されるものではない。たとえば、重合基板Tの板面が鉛直方向に延在する向きで重合基板Tの剥離処理を行ってもよく、また、重合基板Tの板面が水平方向や鉛直方向以外の向きで重合基板Tの剥離処理を行ってもよい。   Moreover, although embodiment mentioned above demonstrated the example which performs the peeling process of the superposition | polymerization board | substrate T in the direction where the plate | board surface of the superposition | polymerization board | substrate T is extended in a horizontal direction, it is not limited to this. For example, the peeling process of the superposed substrate T may be performed in a direction in which the plate surface of the superposed substrate T extends in the vertical direction, and the superposed substrate T in a direction other than the horizontal direction or the vertical direction. The peeling process may be performed.

また、上述した実施形態では、吸着移動部130、230を移動機構140の支持部材141によって支持し、移動機構140によって吸着移動部130、230を鉛直方向に移動可能であるものとして説明した。しかし、吸着移動部130、230は、移動機構140によって支持されずに、たとえば処理容器100の底面や移動機構140の基台144で支持されてもよい。この場合、制御装置50は、一部の制御において、吸着移動部130、230を移動機構140と同期して鉛直方向に移動させることが望ましい。   In the above-described embodiment, the suction moving units 130 and 230 are supported by the support member 141 of the moving mechanism 140, and the suction moving units 130 and 230 can be moved in the vertical direction by the moving mechanism 140. However, the suction moving units 130 and 230 may be supported by, for example, the bottom surface of the processing container 100 or the base 144 of the moving mechanism 140 without being supported by the moving mechanism 140. In this case, it is desirable that the control device 50 moves the suction moving units 130 and 230 in the vertical direction in synchronization with the moving mechanism 140 in some controls.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。   Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

1、1A 剥離システム
10 搬入出ステーション
20 第1搬送領域
30 剥離処理ステーション
40 第2搬送領域
31、31A〜31D 剥離装置
50 制御装置
105 支持部
110 第1保持部
120、220 第2保持部
130、230a〜230d 吸着移動部
170 切込部
307 弾性部材
E1 第1領域
E2 第2領域
D ドナー基板
H ハンドル基板
S 支持基板
W 被処理基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1A peeling system 10 Carry-in / out station 20 1st conveyance area 30 Peeling processing station 40 2nd conveyance area 31, 31A-31D Peeling apparatus 50 Control apparatus 105 Support part 110 1st holding part 120,220 2nd holding part 130, 230a to 230d Suction moving portion 170 Cut portion 307 Elastic member E1 First region E2 Second region D Donor substrate H Handle substrate S Support substrate W Substrate

Claims (12)

第1基板を吸着保持する第1保持部と、
前記第1基板に接合された第2基板の中央部を吸着保持する第2保持部と、
記第2保持部によって保持された前記第2基板の外周部のうち一部の領域を吸着し、前記一部の領域を前記第1基板の板面から離す方向へ移動させる吸着移動部と
前記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる移動機構と、
前記第2保持部および前記吸着移動部を前記移動機構により移動させて前記中央部および前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張った状態で、前記吸着移動部により前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へさらに引っ張る動作を実行させる制御部と
を備えることを特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate by suction;
A second holding part for sucking and holding a central part of the second substrate bonded to the first substrate;
Adsorbing a partial area of the outer peripheral portion of the second substrate held by the previous SL second holding portion, a suction moving unit that moves in a direction away said part of the area from the plate surface of the first substrate ,
A moving mechanism for moving the second holding unit and the suction moving unit in a direction away from the first holding unit;
In a state where the second holding unit and the suction moving unit are moved by the moving mechanism and the central part and the part of the region are pulled away from the first substrate, the part of the suction is moved by the suction moving unit. And a controller that performs an operation of further pulling the region away from the first substrate .
前記吸着移動部は、
前記第2基板の前記一部の領域を、前記第1基板から離す方向であって、かつ、前記第2基板の中央部寄りに移動させること
を特徴とする請求項1に記載の剥離装置。
The adsorption moving unit is
The peeling apparatus according to claim 1, wherein the partial area of the second substrate is moved in a direction away from the first substrate and closer to a center portion of the second substrate.
前記吸着移動部を複数備えること
を特徴とする請求項1または2に記載の剥離装置。
The peeling apparatus according to claim 1, comprising a plurality of the suction moving units.
前記複数の吸着移動部は互いに独立して動作すること
を特徴とする請求項3に記載の剥離装置。
The peeling apparatus according to claim 3, wherein the plurality of suction moving units operate independently of each other.
弾性部材を介して前記第1保持部の外周部を支持する支持部を備えること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の剥離装置。
The peeling apparatus according to claim 1, further comprising a support portion that supports an outer peripheral portion of the first holding portion via an elastic member.
前記吸着移動部は、
前記第2基板の前記一部の領域が前記第1基板から剥離するまで継続して前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へ移動させること
を特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の剥離装置。
The adsorption moving unit is
6. The method according to claim 1, wherein the partial region is continuously moved in a direction away from the first substrate until the partial region of the second substrate is peeled off from the first substrate. The peeling apparatus as described in any one.
前記吸着移動部は、
前記第2基板の前記一部の領域が前記第1基板から剥離するまで、前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へ移動させる動作を繰り返し行うこと
を特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の剥離装置。
The adsorption moving unit is
The operation of moving the partial area in a direction away from the first substrate is repeatedly performed until the partial area of the second substrate is peeled off from the first substrate. The peeling apparatus as described in any one of these.
前記第1基板と前記第2基板との接合部分に切り込みを入れる切込部を備えること
を特徴とする請求項1〜のいずれか一つに記載の剥離装置。
The peeling apparatus according to any one of claims 1 to 7 , further comprising: a notch portion for making a notch in a joint portion between the first substrate and the second substrate.
前記切込部は前記吸着移動部に対応する位置に設けられること
を特徴とする請求項に記載の剥離装置。
The peeling device according to claim 8 , wherein the cut portion is provided at a position corresponding to the suction moving portion.
第1基板と第2基板とが接合された重合基板が載置される搬入出ステーションと、
前記搬入出ステーションに載置された前記重合基板を搬送する搬送装置と、
前記搬送装置によって搬送された前記重合基板を剥離する剥離装置を含む剥離ステーションと
を備え、
前記剥離装置は、
前記第1基板を吸着保持する第1保持部と、
前記第1基板に接合された前記第2基板の中央部を吸着保持する第2保持部と、
記第2保持部によって保持された前記第2基板の外周部のうち一部の領域を吸着し、前記一部の領域を前記第1基板の板面から離す方向へ移動させる吸着移動部と
前記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる移動機構と、
前記第2保持部および前記吸着移動部を前記移動機構により移動させて前記中央部および前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張った状態で、前記吸着移動部により前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へさらに引っ張る動作を実行させる制御部と
を備えることを特徴とする剥離システム。
A loading / unloading station on which a superposed substrate in which the first substrate and the second substrate are bonded is placed;
A transport device for transporting the superposed substrate placed on the carry-in / out station;
A peeling station including a peeling device for peeling the superposed substrate transported by the transport device;
The peeling device is
A first holding unit that holds the first substrate by suction;
A second holding part for sucking and holding a central part of the second substrate bonded to the first substrate;
Adsorbing a partial area of the outer peripheral portion of the second substrate held by the previous SL second holding portion, a suction moving unit that moves in a direction away said part of the area from the plate surface of the first substrate ,
A moving mechanism for moving the second holding unit and the suction moving unit in a direction away from the first holding unit;
In a state where the second holding unit and the suction moving unit are moved by the moving mechanism and the central part and the part of the region are pulled away from the first substrate, the part of the suction is moved by the suction moving unit. And a control unit that executes an operation of further pulling the region in a direction away from the first substrate .
第1基板を吸着保持する第1保持部によって、前記第1基板を保持する工程と、
前記第1基板に接合された第2基板の中央部を吸着保持する第2保持部と、前記第2基板の外周部のうち一部の領域を吸着し、前記一部の領域を前記第1基板の板面から離す方向へ移動させる吸着移動部とによって、前記第2基板を保持する工程と、
記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる移動機構によって、前記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる工程と
前記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる工程によって、前記第2基板の前記中央部および前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張った状態で、前記吸着移動部により前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へさらに引っ張る工程と
を含むことを特徴とする剥離方法。
A step of holding the first substrate by a first holding unit that holds the first substrate by suction;
A second holding part that sucks and holds the central part of the second substrate bonded to the first substrate, and a part of the outer periphery of the second substrate is sucked and the part of the first part is taken as the first part. A step of holding the second substrate by a suction moving unit that moves in a direction away from the plate surface of the substrate;
The moving mechanism of the previous second holding portion SL and the suction moving unit is moved in a direction away from said first holding portion, to the front second holding portion SL and the suction moving unit is moved in a direction away from said first holding portion Process ,
The central portion and the partial region of the second substrate are pulled away from the first substrate by moving the second holding portion and the suction moving portion away from the first holding portion. A step of further pulling the partial area away from the first substrate by the suction moving unit in a state;
The peeling method characterized by including.
第1基板を吸着保持する第1保持部によって、前記第1基板を保持する手順と、
前記第1基板に接合された第2基板の中央部を吸着保持する第2保持部と、前記第2基板の外周部のうち一部の領域を吸着し、前記一部の領域を前記第1基板の板面から離す方向へ移動させる吸着移動部とによって、前記第2基板を保持する手順と、
記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる移動機構によって、前記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる手順と
前記第2保持部および前記吸着移動部を前記第1保持部から離す方向へ移動させる手順によって、前記第2基板の前記中央部および前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へ引っ張った状態で、前記吸着移動部により前記一部の領域を前記第1基板から離す方向へさらに引っ張る手順と
をコンピュータに対して実行させることを特徴とする剥離プログラム。
A procedure of holding the first substrate by a first holding unit that holds the first substrate by suction;
A second holding part that sucks and holds the central part of the second substrate bonded to the first substrate, and a part of the outer periphery of the second substrate is sucked and the part of the first part is taken as the first part. A procedure for holding the second substrate by a suction moving unit that moves the substrate in a direction away from the plate surface ;
The moving mechanism of the previous second holding portion SL and the suction moving unit is moved in a direction away from said first holding portion, to the front second holding portion SL and the suction moving unit is moved in a direction away from said first holding portion and procedures,
The central portion and the partial region of the second substrate are pulled away from the first substrate by a procedure of moving the second holding portion and the suction moving portion away from the first holding portion. A peeling program for causing the computer to execute a procedure of further pulling the partial area in a direction away from the first substrate by the suction moving unit .
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