JP2017085174A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing apparatus which can surely perform etching processing on a surface of a semiconductor wafer with an etchant.SOLUTION: A substrate processing apparatus includes: a first nozzle body 25 for supplying an etchant E to a plate surface of a semiconductor wafer W; a thickness detection sensor 29 for detecting thickness of the semiconductor wafer etched with the etchant; a control device for interrupting etching with the etchant when abnormality is detected in the thickness of the semiconductor wafer which is detected by the thickness detection sensor; and a polishing body 27 for processing the plate surface of the semiconductor wafer into a roughened surface when the etching with the etchant is interrupted.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

この発明は半導体ウェーハなどの基板の板面をエッチング液を用いてエッチングする基板の処理装置及び処理方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a processing method for etching a plate surface of a substrate such as a semiconductor wafer using an etching solution.

たとえば、半導体装置の製造工程においては、半導体ウェーハの表面に形成された酸化膜、窒化膜或いはアルミニウム膜などをエッチング液を用いて除去するエッチング工程が知られている。   For example, in a semiconductor device manufacturing process, an etching process is known in which an oxide film, a nitride film, an aluminum film, or the like formed on the surface of a semiconductor wafer is removed using an etching solution.

半導体ウェーハの表面に形成された膜をエッチング液によって除去する場合、その膜厚が設定された厚さになるよう、従来はエッチング加工を予め設定された時間だけ行うようにしたり、上記半導体ウェーハの厚さを膜厚センサで検出しながら行うことで、上記半導体ウェーハを所望する厚さにエッチング加工するようにしていた。   When the film formed on the surface of the semiconductor wafer is removed by the etching solution, the etching process is conventionally performed only for a preset time so that the film thickness becomes the set thickness, The semiconductor wafer is etched to a desired thickness by detecting the thickness with a film thickness sensor.

また、後工程における処理によっては、外周部にリブ形状を形成する等、有底筒状の半導体ウェーハを製造する必要が生じている。外周部にリブ形状を形成するためには、半導体ウェーハの中心側をグラインダ等で研削加工し、外周部以外を除去している。なお、研削加工後は、応力除去のため、ウエットエッチングを行っている。   Further, depending on the processing in the subsequent process, it is necessary to manufacture a bottomed cylindrical semiconductor wafer such as forming a rib shape on the outer peripheral portion. In order to form a rib shape on the outer periphery, the center side of the semiconductor wafer is ground with a grinder or the like, and the portions other than the outer periphery are removed. In addition, after the grinding process, wet etching is performed to remove stress.

特開２００２−３１９５６２号公報JP 2002-319562 A

しかしながら、上記半導体ウェーハに形成された膜の表面に、通常使用されるエッチング液ではエッチングされない有機物が付着している場合があり、そのような場合には有機物の膜がマスクとなってエッチングが進行しないということがある。   However, there is a case where an organic material that is not etched by a commonly used etching solution adheres to the surface of the film formed on the semiconductor wafer. In such a case, etching proceeds with the organic film as a mask. There is no.

さらに、上記半導体ウェーハはエッチング工程に搬送される前工程で、たとえばＣＭＰ (Chemical Mechanical Polishing)によって鏡面加工されることがある。鏡面加工された半導体ウェーハの面、つまり鏡面はエッチング液が作用し難い状態となっている。そのため、そのような場合にもエッチング液によるエッチングが進行しないということがある。   Furthermore, the semiconductor wafer may be mirror-finished by CMP (Chemical Mechanical Polishing), for example, in a previous process before being transferred to the etching process. The surface of the semiconductor wafer that has been mirror-finished, that is, the mirror surface, is in a state where the etching solution is difficult to act on. Therefore, even in such a case, etching with the etchant may not proceed.

そして、上述した理由などによって半導体ウェーハのエッチングが進行しないと、上記半導体ウェーハを所望する厚さにエッチング加工することができないということになる。   If the etching of the semiconductor wafer does not proceed for the reasons described above, the semiconductor wafer cannot be etched to a desired thickness.

また、研削加工により中心側を研削する場合、半導体ウェーハの裏面に粘着テープを貼着する必要があることから、研削加工前後に粘着テープを貼り、剥がす工程が必要となる。さらに、前述した応力除去工程や洗浄工程が追加工程として必要となり、工程が複雑化することで、生産性低下等の問題がある。なお、研削加工は加工効率は良いが、半導体ウェーハにクラックが入ることがあるため、加工速度を一定以上にすることができないという問題もある。   In addition, when the center side is ground by grinding, it is necessary to stick an adhesive tape to the back surface of the semiconductor wafer, and thus a process of attaching and peeling the adhesive tape before and after the grinding process is required. Furthermore, the stress removal process and the cleaning process described above are required as additional processes, and the process becomes complicated, resulting in problems such as a reduction in productivity. In addition, although grinding processing has good processing efficiency, there is a problem that the processing speed cannot be set to a certain level or more because a crack may be formed in the semiconductor wafer.

この発明は、基板の板面に有機物の膜が形成されていたり、上記板面が鏡面であるなどしても、上記基板をエッチング液によって所望する厚さに確実にエッチングすることができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。   According to the present invention, even if an organic film is formed on the plate surface of the substrate or the plate surface is a mirror surface, the substrate can be reliably etched to a desired thickness with an etching solution. Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method.

また、この発明は、外周リブ形状を有する半導体ウェーハを製造する際、研削工程を用いないことで、処理工程を減らし、工程を単純化することで、生産性向上を図ることできる基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。   In addition, when manufacturing a semiconductor wafer having an outer peripheral rib shape, the present invention reduces the number of processing steps and simplifies the steps by not using a grinding step, thereby improving productivity. And providing a processing method.

この発明は、基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理装置であって、
上記基板の板面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
上記エッチング液によってエッチングされる上記基板の厚さを検出する厚さ検出手段と、
この厚さ検出手段によって検出される上記基板の厚さが異常であるときに上記エッチング液によるエッチングを中断させる制御手段と、
上記エッチング液によるエッチングが中断されたときに上記基板の板面を粗面に加工する加工手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。 The present invention is a substrate processing apparatus for etching a plate surface of a substrate with an etching solution,
Etching solution supply means for supplying an etching solution to the plate surface of the substrate;
A thickness detecting means for detecting the thickness of the substrate etched by the etchant;
Control means for interrupting etching by the etching solution when the thickness of the substrate detected by the thickness detection means is abnormal;
A processing apparatus for a substrate, comprising processing means for processing the plate surface of the substrate into a rough surface when etching with the etching solution is interrupted.

この発明は、基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理方法であって、
上記基板の板面にエッチング液を供給する工程と、
上記エッチングによる上記基板の厚さの変化が異常であるときに上記エッチング液によるエッチングを中断する工程と、
上記エッチングが中断されたときに上記基板の板面を粗面に加工してからエッチングを再開する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。 The present invention is a substrate processing method for etching a plate surface of a substrate with an etching solution,
Supplying an etching solution to the plate surface of the substrate;
A step of interrupting the etching with the etchant when the change in the thickness of the substrate due to the etching is abnormal,
And a process of re-etching after processing the plate surface of the substrate into a rough surface when the etching is interrupted.

この発明によれば、エッチング時の基板の厚さが変化しているか否かを判断することによって、基板がエッチングされているかどうかを判定し、エッチングが行われていない場合にはエッチングを中断し、上記基板の板面を粗面に加工してからエッチングを再開するようにした。   According to the present invention, it is determined whether or not the substrate has been etched by determining whether or not the thickness of the substrate during etching has changed, and if etching has not been performed, the etching is interrupted. Etching was resumed after processing the plate surface of the substrate into a rough surface.

そのため、上記基板の板面が粗面に加工されることで、基板のエッチングの進行を阻害する原因である、たとえば基板の板面に形成された有機物の膜を除去したり、エッチング液が作用し難い鏡面の状態から作用し易い粗面にすることができるから、上記基板を確実に所望する厚さにエッチングすることが可能となる。   For this reason, the plate surface of the substrate is processed into a rough surface, which causes the progress of etching of the substrate to be inhibited, for example, an organic film formed on the plate surface of the substrate is removed, or an etching solution acts. Since it is possible to make the rough surface easy to act from the difficult mirror surface state, the substrate can be reliably etched to a desired thickness.

この発明の第１の実施の形態を示すスピン処理装置の概略図。1 is a schematic view of a spin processing apparatus showing a first embodiment of the present invention. 図１に示すスピン処理装置の平面図。The top view of the spin processing apparatus shown in FIG. エッチング液、洗浄液及び加圧系統の配管系統図。The piping system diagram of an etching liquid, a cleaning liquid, and a pressurization system. 図３に示す配管系統図に設けられた第１乃至第３の開閉弁を制御する制御装置の構成図。The block diagram of the control apparatus which controls the 1st thru | or 3rd on-off valve provided in the piping system diagram shown in FIG. エッチング時の半導体ウェーハの厚さの変化と時間の関係を示すグラフ。The graph which shows the change of the thickness of the semiconductor wafer at the time of etching, and the relationship of time. エッチングされる面が鏡面となった半導体ウェーハの一部を示す拡大図。The enlarged view which shows a part of semiconductor wafer by which the surface to be etched became a mirror surface. エッチングされる面が鏡面から粗面に加工された半導体ウェーハの一部を示す拡大図。The enlarged view which shows a part of semiconductor wafer by which the surface to be etched was processed from the mirror surface to the rough surface. この発明の第２の実施の形態に係るスピン処理装置を用いて処理中の半導体ウェーハを模式的に示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows typically the semiconductor wafer in process using the spin processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 同半導体ウェーハを模式的に示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the same semiconductor wafer typically. 同半導体ウェーハを模式的に示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the same semiconductor wafer typically. 同スピン処理装置の変形例を模式的に示す縦断面図。The longitudinal cross-sectional view which shows the modification of the spin processing apparatus typically.

以下、この発明の第１の実施の形態を図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１と図２は処理装置としてのスピン処理装置を示し、このスピン処理装置はカップ体１を備えている。このカップ体１の内部には回転テーブル２が設けられている。この回転テーブル２はテーブル用駆動源３によって回転駆動されるようになっていて、その上面には基板としての半導体ウェーハＷが複数の保持ピン２ａによって水平な状態で着脱可能に保持されるようになっている。つまり、上記半導体ウェーハＷは上記回転テーブル２に、この回転テーブル２と一体的に回転するよう保持されるようになっている。   1 and 2 show a spin processing device as a processing device, and the spin processing device includes a cup body 1. A rotary table 2 is provided inside the cup body 1. The turntable 2 is rotated by a table drive source 3 so that a semiconductor wafer W as a substrate is detachably held in a horizontal state by a plurality of holding pins 2a on the upper surface thereof. It has become. That is, the semiconductor wafer W is held on the turntable 2 so as to rotate integrally with the turntable 2.

図１に示すように、上記カップ体１の内部には、この内部を内側空間部５と外側空間部６に隔別する筒状の仕切体４が設けられ、この仕切体４は複数の上下駆動源７によって上下方向に駆動されるようになっている。   As shown in FIG. 1, a cylindrical partition body 4 is provided inside the cup body 1 to separate the interior into an inner space portion 5 and an outer space portion 6, and the partition body 4 includes a plurality of upper and lower portions. It is driven in the vertical direction by the drive source 7.

上記仕切体４が上昇位置にあるとき、後述するように上記回転テーブル２とともに回転する上記半導体ウェーハＷの上面に供給されて遠心力で周囲に飛散するエッチング液Ｅは上記仕切体４の内周面に衝突して上記内側空間部５に滴下するようになっている。   When the partition 4 is in the raised position, as will be described later, the etching solution E that is supplied to the upper surface of the semiconductor wafer W that rotates together with the turntable 2 and scatters around by centrifugal force is the inner periphery of the partition 4. It collides with the surface and drops into the inner space 5.

上記仕切体４が図１に示すように下降位置にあるとき、この仕切体４の上端部に形成された傾斜壁４ａの上端が上記半導体ウェーハＷの上面よりもわずかに低い位置に位置決めされる。それによって、後述するように回転する上記半導体ウェーハＷの上面に供給されて遠心力で周囲に飛散する洗浄液Ｌは上記外側空間部６に滴下するようになっている。   When the partition 4 is in the lowered position as shown in FIG. 1, the upper end of the inclined wall 4 a formed at the upper end of the partition 4 is positioned at a position slightly lower than the upper surface of the semiconductor wafer W. . As a result, the cleaning liquid L supplied to the upper surface of the rotating semiconductor wafer W and scattered around by centrifugal force is dropped into the outer space portion 6 as described later.

上記カップ体１の底部の上記内側空間部５に対応する部位には第１の廃液管８が接続され、上記外側空間部６に対応する部位には第２の廃液管９が接続されている。上記第１の廃液管８に流れた上記エッチング液Ｅは処理再生ユニット１１に導かれて浄化され、後述するように再使用さるようになっている。上記第２の廃液管９に導かれた洗浄液Ｌは浄化処理されて廃棄されるようになっている。   A first waste liquid pipe 8 is connected to a part corresponding to the inner space part 5 at the bottom of the cup body 1, and a second waste liquid pipe 9 is connected to a part corresponding to the outer space part 6. . The etching liquid E that has flowed into the first waste liquid pipe 8 is guided to the treatment regeneration unit 11 to be purified, and is reused as described later. The cleaning liquid L introduced to the second waste liquid pipe 9 is purified and discarded.

図１と図２に示すように、上記カップ体１の外部には第１の回転駆動源１３、第２の回転駆動源１４及び第３の回転駆動源１５が配置されている。各駆動源１３，１４，１５には、各駆動源１３，１４，１５によってそれぞれ回転駆動される第１の軸体１６、第２の軸体１７及び第３の軸体１８が垂直に設けられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a first rotation drive source 13, a second rotation drive source 14, and a third rotation drive source 15 are arranged outside the cup body 1. Each drive source 13, 14, 15 is vertically provided with a first shaft body 16, a second shaft body 17, and a third shaft body 18 that are rotationally driven by the respective drive sources 13, 14, 15. ing.

上記第１の軸体１６の上端には第１のアーム２１の基端が連結されて水平に保持され、第２の軸体１７の上端には、第２のアーム２２の基端が連結されて水平に保持されている。第３の軸体１８の上端には、第３のアーム２３の基端が連結されて水平に保持されている。   The base end of the first arm 21 is connected to the upper end of the first shaft body 16 and held horizontally, and the base end of the second arm 22 is connected to the upper end of the second shaft body 17. Are held horizontally. The base end of the third arm 23 is connected to the upper end of the third shaft body 18 and is held horizontally.

上記第１のアーム２１の先端部にはエッチング液用の第１のノズル体２５と、洗浄液としての純水用の第２のノズル体２６とが設けられている。そして、上記第１のアーム２１が上記第１の回転駆動源１３によって所定の角度の範囲で回転駆動されると、上記第１のノズル体２５と第２のノズル体２６とが上記回転テーブル２に保持された半導体ウェーハＷの上方で径方向に沿って図２に矢印で示すように揺動するようになっている。   A first nozzle body 25 for etching liquid and a second nozzle body 26 for pure water as a cleaning liquid are provided at the tip of the first arm 21. When the first arm 21 is rotationally driven by the first rotational driving source 13 within a predetermined angle range, the first nozzle body 25 and the second nozzle body 26 are moved to the rotary table 2. 2 oscillates along the radial direction above the semiconductor wafer W held in the direction shown by the arrow in FIG.

上記第２のアーム２２の先端部には、上記回転テーブル２に保持された半導体ウェーハＷの上面を粗面に加工する加工手段としての盤状の研磨体２７がシリンダ２８によって上下方向に駆動可能に設けられている。   A disc-shaped polishing body 27 as a processing means for processing the upper surface of the semiconductor wafer W held on the rotary table 2 into a rough surface can be driven in the vertical direction by a cylinder 28 at the tip of the second arm 22. Is provided.

上記研磨体２７は、上記半導体ウェーハＷの板面に接触する面に、上記半導体ウェーハＷの板面を鏡面加工するときに用いられる布地よりも目が粗く、硬い布地が設けられている。そして、上記第２のアーム２２が上記第２の回転駆動源１４によって所定の角度の範囲で回転駆動されると、上記研磨体２７が上記回転テーブル２に保持された半導体ウェーハＷの上方で図２に矢印で示すように揺動するようになっている。   The polishing body 27 is provided with a hard cloth that is rougher than the cloth used when mirror-finishing the plate surface of the semiconductor wafer W on the surface that contacts the plate surface of the semiconductor wafer W. When the second arm 22 is rotationally driven by the second rotational drive source 14 within a predetermined angle range, the polishing body 27 is shown above the semiconductor wafer W held on the rotary table 2. 2 oscillates as indicated by arrows.

したがって、上記研磨体２７を揺動させながら、上記シリンダ２８によって下降方向に付勢すれば、上記研磨体２７によって上記半導体ウェーハＷの上面が鏡面加工されず、鏡面よりも粗い粗面に加工されるようになっている。   Therefore, if the polishing body 27 is oscillated and urged in the downward direction by the cylinder 28, the upper surface of the semiconductor wafer W is not mirror-finished by the polishing body 27 and is processed into a rough surface rougher than the mirror surface. It has become so.

なお上記研磨体２７としては目が粗く、硬い布地を用いたものに限られず、布地に比較的粒径の大きな砥粒を付着させたものなどであってもよく、要は半導体ウェーハＷの板面を粗面に荒らすことができるものであればよい。   The polishing body 27 is not limited to one having a coarse and hard cloth, but may be one in which abrasive grains having a relatively large particle diameter are adhered to the cloth. Any surface can be used as long as the surface can be roughened.

上記第３のアーム２３の先端部には上記半導体ウェーハＷの厚さを検出する、厚さ検出手段である厚さ検出センサ２９が設けられている。この厚さ検出手段は、例えば、レーザ変位センサである。この厚さ検出センサ２９は、上記第３のアーム２３を上記第３の回転駆動源１５によって図２に矢印で示すように揺動させてスキャンすることで、上記回転テーブル２に保持された半導体ウェーハＷの厚さを検出する。つまり、後述するようにエッチング液Ｅによるエッチングされた上記半導体ウェーハＷの厚さや上記研磨体２７によって粗面に加工される上記半導体ウェーハＷの厚さを検出できるようにしている。   A thickness detection sensor 29 serving as a thickness detection means for detecting the thickness of the semiconductor wafer W is provided at the tip of the third arm 23. This thickness detection means is, for example, a laser displacement sensor. The thickness detection sensor 29 scans the third arm 23 by swinging the third arm 23 as shown by an arrow in FIG. The thickness of the wafer W is detected. That is, as described later, the thickness of the semiconductor wafer W etched with the etching solution E and the thickness of the semiconductor wafer W processed into a rough surface by the polishing body 27 can be detected.

図４に示すように、上記厚さ検出センサ２９の検出信号は制御装置３１に出力される。制御装置３１には設定部３２が接続され、この設定部３２によって上記制御装置３１に内蔵された記憶部３３には図５に示すように、正常状態におけるエッチング液による上記半導体ウェーハＷのエッチング時間と厚さとの関係を示す直線状のパターンＰが設定される。このパターンＰは、エッチング時間に対するエッチング量を示す設定値となる。
なお、パターンＰの傾斜角度は、エッチング液Ｅの濃度や種類などの性能によって異なる。 As shown in FIG. 4, the detection signal of the thickness detection sensor 29 is output to the control device 31. The setting unit 32 is connected to the control device 31, and the setting unit 32 stores the etching time of the semiconductor wafer W in the normal state by the etching solution in the storage unit 33 built in the control device 31 as shown in FIG. A linear pattern P indicating the relationship between the thickness and the thickness is set. This pattern P is a set value indicating the etching amount with respect to the etching time.
The inclination angle of the pattern P varies depending on the performance such as the concentration and type of the etching solution E.

エッチング液Ｅによって半導体ウェーハＷのエッチングが開始されると、上記厚さ検出センサ２９によって検出される上記半導体ウェーハＷの厚さｂの変化が比較部３４に出力される。この比較部３４ではエッチングが所定時間経過するごとに、その時間における上記厚さ検出センサ２９によって検出される上記半導体ウェーハＷの厚さｂが上記記憶部３３に設定された上記パターンＰと比較される。   When etching of the semiconductor wafer W is started by the etching liquid E, a change in the thickness b of the semiconductor wafer W detected by the thickness detection sensor 29 is output to the comparison unit 34. Each time the etching is performed for a predetermined time, the comparison unit 34 compares the thickness b of the semiconductor wafer W detected by the thickness detection sensor 29 at that time with the pattern P set in the storage unit 33. The

そして、上記厚さ検出センサ２９によって検出される上記半導体ウェーハＷの厚さｂの変化が上記パターンＰに対して所定の範囲以上ずれた場合、図５に示すようにたとえば、時間ｔｎにおいてはパターンＰでは半導体ウェーハＷの厚さがｂｎであるのに対し、測定値ではその厚さがｂｎ＋αであるとすると、そのことが判定部３５によって判定され、その判定信号が出力部３６に出力される。   When the change in the thickness b of the semiconductor wafer W detected by the thickness detection sensor 29 deviates from the pattern P by a predetermined range or more, for example, as shown in FIG. In P, if the thickness of the semiconductor wafer W is bn, but the measured value is bn + α, this is determined by the determination unit 35, and the determination signal is output to the output unit 36. .

図３と図４に示すように、上記出力部３６は上記テーブル用駆動源３、第１乃至第３の回転駆動源１３〜１５を駆動する駆動信号を出力するようになっている。さらに、上記出力部３６は上記第１のノズル体２５にエッチング液Ｅを供給する第１の給液管３８に設けられた第１の開閉弁３９、上記第２のノズル体２６に洗浄液Ｌを供給する第２の給液管４１に設けられた第２の開閉弁４２、上記シリンダ２８に加圧気体Ａを供給する給気管４３に設けられた第３の開閉弁４４を開閉する駆動信号を出力するようになっている。   As shown in FIGS. 3 and 4, the output unit 36 outputs drive signals for driving the table drive source 3 and the first to third rotary drive sources 13 to 15. Further, the output unit 36 supplies the cleaning liquid L to the first on-off valve 39 provided in the first liquid supply pipe 38 that supplies the etching liquid E to the first nozzle body 25 and the second nozzle body 26. Drive signals for opening and closing a second on-off valve 42 provided on the second liquid supply pipe 41 to be supplied and a third on-off valve 44 provided on the air supply pipe 43 for supplying the pressurized gas A to the cylinder 28 are provided. It is designed to output.

上記第１の給液管３８には上記処理再生ユニット１１からエッチング液Ｅが供給され、上記第２の給液管４１には図示しない洗浄液Ｌの供給源から洗浄液Ｌが供給され、上記給気管４３には図示しない給気源から加圧気体Ａが供給されるようになっている。   The first liquid supply pipe 38 is supplied with the etching liquid E from the processing regeneration unit 11, the second liquid supply pipe 41 is supplied with the cleaning liquid L from a supply source of the cleaning liquid L (not shown), and the air supply pipe The pressurized gas A is supplied to 43 from an air supply source (not shown).

上記半導体ウェーハＷをエッチング加工するときには、上記第１の回転駆動源１３によって回転テーブル２とともに半導体ウェーハＷが回転駆動された状態で、上記第１の回転駆動源１３によって第１のアーム２１が揺動駆動されるとともに、上記第１の開閉弁３９が開放され、上記第１のアーム２１の先端部に設けられた第１のノズル体２５から上記半導体ウェーハＷの上面に対してエッチング液Ｅが噴射供給される。それによって、上記半導体ウェーハＷがエッチングされることになる。   When the semiconductor wafer W is etched, the first arm 21 is swung by the first rotary drive source 13 while the semiconductor wafer W is rotated together with the rotary table 2 by the first rotary drive source 13. The first opening / closing valve 39 is opened and the etching liquid E is applied to the upper surface of the semiconductor wafer W from the first nozzle body 25 provided at the tip of the first arm 21. It is supplied by injection. Thereby, the semiconductor wafer W is etched.

上記半導体ウェーハＷのエッチングの進行状態は第３のアーム２３の先端部に設けられ上記半導体ウェーハＷの上方に位置決めされた厚さ検出センサ２９によって検出される。厚さ検出センサ２９によって検出された上記半導体ウェーハＷの厚さの変化は上記記憶部３３に設定された所定のエッチング時における時間と厚さの変化の関係を示すパターンＰと比較部３４で比較され、その比較結果は判定部３５で所定時間ごと、たとえば数秒ごとに比較判定される。   The progress of etching of the semiconductor wafer W is detected by a thickness detection sensor 29 provided at the tip of the third arm 23 and positioned above the semiconductor wafer W. The change in the thickness of the semiconductor wafer W detected by the thickness detection sensor 29 is compared by the comparison unit 34 with the pattern P indicating the relationship between the time and the thickness change during the predetermined etching set in the storage unit 33. The comparison result is compared and determined by the determination unit 35 every predetermined time, for example, every few seconds.

上記半導体ウェーハＷのエッチング液Ｅが供給される上面に有機物の膜が形成されていたり、図６Ａに示すように前工程で鏡面ｍに加工されている場合、上述したように上記半導体ウェーハＷの上面のエッチング液Ｅによるエッチングが上記パターンＰに比べて進行が遅れたり、進行しないということがある。これは、エッチング液Ｅが半導体ウェーハＷの表面上に留まらずにすぐに排出してしまい、エッチング液Ｅによるエッチング処理が進行しない状態にある。   When an organic film is formed on the upper surface of the semiconductor wafer W to which the etching solution E is supplied, or is processed into a mirror surface m in the previous step as shown in FIG. Etching of the upper surface with the etching solution E may be delayed or may not proceed compared to the pattern P. This is a state in which the etching solution E does not stay on the surface of the semiconductor wafer W and is immediately discharged, and the etching process using the etching solution E does not proceed.

その場合、上記判定部３５での比較結果は上記パターンＰに対して半導体ウェーハＷの厚さが厚いと判定される。そして、上記パターンＰと測定された半導体ウェーハＷの厚さのずれ量が所定量以上となると、そのことが出力部３６に出力される。   In that case, it is determined that the thickness of the semiconductor wafer W is thicker than the pattern P based on the comparison result in the determination unit 35. And when the deviation | shift amount of the thickness of the said pattern P and the measured semiconductor wafer W becomes more than predetermined amount, it will be output to the output part 36. FIG.

それによって、半導体ウェーハＷの厚さに変化が無いと判断されたら、上記出力部３６は第１の開閉弁３９を閉じてエッチング液Ｅの供給を停止し、エッチング処理を一旦停止させ、そして第２の開閉弁４２を開いて第２のノズル体２６から半導体ウェーハＷに洗浄液Ｌを噴射供給することで、半導体ウェーハＷに残留するエッチング液Ｅを洗浄除去する。   Accordingly, when it is determined that there is no change in the thickness of the semiconductor wafer W, the output unit 36 closes the first on-off valve 39 to stop the supply of the etching solution E, temporarily stop the etching process, and The opening / closing valve 42 is opened and the cleaning liquid L is sprayed and supplied from the second nozzle body 26 to the semiconductor wafer W, whereby the etching liquid E remaining on the semiconductor wafer W is cleaned and removed.

上記第２のノズル体２６から洗浄液Ｌが所定時間噴射されて上記半導体ウェーハＷの上面が洗浄されると、上記半導体ウェーハＷの上面に、供給手段３０によってスラリーや研磨粉など研磨剤が供給された後、第２の回転駆動源１４によって第２のアーム２２が揺動駆動される。   When the cleaning liquid L is sprayed from the second nozzle body 26 for a predetermined time and the upper surface of the semiconductor wafer W is cleaned, a polishing agent such as slurry or polishing powder is supplied to the upper surface of the semiconductor wafer W by the supply means 30. After that, the second arm 22 is driven to swing by the second rotational drive source 14.

それと同時に、上記出力部３６から信号によって上記給気管４３に設けられた第３の開閉弁４４が開放されて上記第２のアーム２２の先端部に設けられたシリンダ２８が駆動され、このシリンダ２８によって研磨体２７が回転テーブル２に保持されて回転駆動される半導体ウェーハＷの上面を揺動しながら所定時間押圧加工する。   At the same time, the third on-off valve 44 provided in the air supply pipe 43 is opened by a signal from the output unit 36, and the cylinder 28 provided at the tip of the second arm 22 is driven. Thus, the polishing body 27 is pressed and processed for a predetermined time while swinging the upper surface of the semiconductor wafer W that is held by the rotary table 2 and driven to rotate.

それによって、上記半導体ウェーハＷの上面は上記研磨剤を介して上記研磨体２７に設けられた目が粗くて硬い布地により図６Ｂに示すように粗面ｒに加工される。上記半導体ウェーハＷの上面に研磨剤を供給するに先立って、上記半導体ウェーハＷの上面を洗浄液Ｌによって洗浄してエッチング液Ｅを洗浄除去するようにした。そのため、半導体ウェーハＷの上面にエッチング液Ｅが残留している場合のように、研磨剤がエッチング液Ｅと化学反応を起こし、半導体ウェーハＷの上面が影響を受けるのが防止される。   Thereby, the upper surface of the semiconductor wafer W is processed into a rough surface r as shown in FIG. 6B by a coarse and hard cloth provided on the polishing body 27 through the abrasive. Prior to supplying the polishing agent to the upper surface of the semiconductor wafer W, the upper surface of the semiconductor wafer W was cleaned with the cleaning liquid L to remove the etching liquid E. Therefore, as in the case where the etching solution E remains on the upper surface of the semiconductor wafer W, the polishing agent is prevented from chemically reacting with the etching solution E and the upper surface of the semiconductor wafer W is prevented from being affected.

上記研磨体２７による半導体ウェーハＷを加工しているときの、この半導体ウェーハＷの厚さの変化は上記厚さ検出センサ２９によって検出される。そして、上記研磨体２７による半導体ウェーハＷの厚さの変化が上記記憶部３３に設定されたパターンＰの時間ｔｎにおける厚さｂｎと比較される。   A change in the thickness of the semiconductor wafer W when the semiconductor wafer W is processed by the polishing body 27 is detected by the thickness detection sensor 29. Then, the change in the thickness of the semiconductor wafer W by the polishing body 27 is compared with the thickness bn of the pattern P set in the storage unit 33 at the time tn.

そして、上記半導体ウェーハＷの厚さがｂｎ＋αからエッチング液Ｅによるエッチングを中断した時間ｔｎにおける上記パターンＰによって設定される厚さｂｎになったときに、上記研磨体２７による研磨加工が終了される。それによって、上記研磨体２７によって半導体ウェーハＷを研磨し過ぎるのが防止される。   Then, when the thickness of the semiconductor wafer W reaches the thickness bn set by the pattern P at the time tn when the etching with the etching liquid E is interrupted from bn + α, the polishing process by the polishing body 27 is finished. . Accordingly, it is possible to prevent the semiconductor wafer W from being excessively polished by the polishing body 27.

上記半導体ウェーハＷの上面が上記研磨体２７によって図６Ｂに示すように粗面ｒに加工されると、上記研磨体２７が半導体ウェーハＷの上面から退避した後、上記第１のアーム２１が第２の回転駆動源１４によって揺動駆動される。それと同時に、第２のノズル体２６から洗浄液Ｌが所定時間噴射され、半導体ウェーハＷの上面から研磨剤を洗浄除去する。   When the upper surface of the semiconductor wafer W is processed into the rough surface r as shown in FIG. 6B by the polishing body 27, the first arm 21 is moved to the first arm 21 after the polishing body 27 is retracted from the upper surface of the semiconductor wafer W. The second rotational drive source 14 is driven to swing. At the same time, the cleaning liquid L is sprayed from the second nozzle body 26 for a predetermined time, and the polishing agent is cleaned and removed from the upper surface of the semiconductor wafer W.

ついで、上記第１のアーム２１の先端部に設けられた第１のノズル体２５から半導体ウェーハＷの上面にエッチング液Ｅが噴射供給される。このとき、半導体ウェーハＷの上面に研磨剤が残留していないから、研磨剤とエッチング液Ｅとが化学反応を起こして半導体ウェーハＷの上面が変質するのが防止される。   Next, an etching solution E is jetted and supplied to the upper surface of the semiconductor wafer W from the first nozzle body 25 provided at the tip of the first arm 21. At this time, since the polishing agent does not remain on the upper surface of the semiconductor wafer W, the chemical reaction between the polishing agent and the etching solution E is prevented and the upper surface of the semiconductor wafer W is prevented from being altered.

このようにして、エッチング液Ｅが噴射供給される半導体ウェーハＷの上面は、上記研磨体２７によって粗面ｒに加工されている。つまり、半導体ウェーハＷの上面に、たとえば有機物によって形成された膜が除去されたり、上面の鏡面ｍの状態が粗面ｒに加工されることで、エッチング液Ｅが半導体ウェーハＷの上面に滞留することになるので、エッチング液Ｅによって半導体ウェーハＷの上面のエッチングが進行しない状態が解消されることになる。   In this way, the upper surface of the semiconductor wafer W to which the etching solution E is jetted is processed into the rough surface r by the polishing body 27. That is, the etching liquid E stays on the upper surface of the semiconductor wafer W by removing a film formed of, for example, an organic material on the upper surface of the semiconductor wafer W or processing the mirror surface m of the upper surface into a rough surface r. Therefore, the state where the etching of the upper surface of the semiconductor wafer W does not proceed with the etching solution E is eliminated.

それによって、上記第１のノズル体２５から半導体ウェーハＷの上面にエッチング液Ｅを噴射供給することで、エッチングが進行することになる。そして、そのエッチングの進行状態が上記厚さ検出センサ２９によって検出され、上記パターンＰと比較さながらエッチングが行われることになる。   Accordingly, the etching progresses by spraying and supplying the etching solution E from the first nozzle body 25 to the upper surface of the semiconductor wafer W. Then, the progress of the etching is detected by the thickness detection sensor 29, and etching is performed while being compared with the pattern P.

なお、エッチングの途中で、上述したように研磨体２７によって半導体ウェーハＷの上面を加工した場合、その加工に要した時間が測定される。そして、研磨加工を再開したときに、加工に要した時間が修正されて測定される半導体ウェーハＷの厚さが上記パターンＰに示す値と比較される。   In the middle of etching, when the upper surface of the semiconductor wafer W is processed by the polishing body 27 as described above, the time required for the processing is measured. When the polishing process is resumed, the time required for the process is corrected and the thickness of the semiconductor wafer W measured is compared with the value shown in the pattern P.

以上述べたように、エッチングの途中でエッチングが進行していないことが検出されれば、半導体ウェーハＷの上面が研磨体２７によって粗面ｒに加工された後、エッチングが再開されることになる。   As described above, if it is detected that the etching is not progressing during the etching, the etching is resumed after the upper surface of the semiconductor wafer W is processed into the rough surface r by the polishing body 27. .

したがって、半導体ウェーハＷの上面がエッチング液Ｅによってエッチングが進行していないときには、そのことが検出されて上記半導体ウェーハＷの上面がエッチングされ易い粗面ｒに加工された後、エッチングが再開されるから、半導体ウェーハＷのエッチングを確実に行うことが可能となる。   Therefore, when the upper surface of the semiconductor wafer W is not etched by the etching solution E, this is detected, and after the upper surface of the semiconductor wafer W is processed into the rough surface r that is easily etched, the etching is resumed. Thus, the semiconductor wafer W can be reliably etched.

上記一実施の形態ではカップ体内に仕切体を設け、エッチング液を回収して再使用する例を挙げて説明したが、エッチング液を使用するごとに廃棄する場合には、上記カップ体内に仕切体を設けて使用されたエッチング液を回収する必要はない。   In the above-described embodiment, the partition body is provided in the cup body, and the example in which the etchant is collected and reused has been described. However, when the etchant is discarded every time it is used, the partition body is disposed in the cup body. It is not necessary to collect the etching solution used by providing the above.

また、第１のノズルを第１のアームに設け、研磨体を第２のアームに設けるようにしたが、研磨体も第１第２のノズルと一緒に第１のアームに設けるようにしても差し支えない。   Further, the first nozzle is provided in the first arm and the polishing body is provided in the second arm. However, the polishing body may be provided in the first arm together with the first and second nozzles. There is no problem.

以下、この発明の第２の実施の形態を図１〜図４及び図７Ａ,７Ｂ,７Ｃ、図８を参照しながら説明する。なお、上述した第１の実施の形態におけるスピン処理装置と同一機能部分については説明を省略する。   A second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 4 and FIGS. 7A, 7B, 7C, and FIG. Note that a description of the same functional parts as those of the spin processing apparatus in the first embodiment described above will be omitted.

なお、本実施の形態のスピン処理装置は、半導体ウェーハＷを外周部にリブ部ＷＬを有する形状に加工することを目的としている。また、本実施の形態で用いるエッチング液Ｅとして、薬液（ＨＦ／ＨＮＯ３）が用いられる。 Note that the spin processing apparatus of the present embodiment aims to process the semiconductor wafer W into a shape having the rib portion WL on the outer peripheral portion. In addition, a chemical solution (HF / HNO 3 ) is used as the etching solution E used in the present embodiment.

本実施の形態で用いる研磨体２７は、上記半導体ウェーハＷの板面に接触する面にサンドペーパーが設けられている。そして、上記第２のアーム２２が上記第２の回転駆動源１４によって所定の角度の範囲で回転駆動されると、上記研磨体２７が上記回転テーブル２に保持された半導体ウェーハＷの上方で図２に矢印で示すように揺動するようになっている。   The polishing body 27 used in the present embodiment is provided with a sandpaper on the surface that contacts the plate surface of the semiconductor wafer W. When the second arm 22 is rotationally driven by the second rotational drive source 14 within a predetermined angle range, the polishing body 27 is shown above the semiconductor wafer W held on the rotary table 2. 2 oscillates as indicated by arrows.

したがって、上記研磨体２７を揺動させながら、上記シリンダ２８によって下降方向に付勢すれば、上記研磨体２７によって上記半導体ウェーハＷの上面を粗面に加工されるようになっている。ここで、粗面の粗さは、後述する薬液が十分に留まる程度である。   Therefore, when the polishing body 27 is oscillated and urged in the downward direction by the cylinder 28, the upper surface of the semiconductor wafer W is processed into a rough surface by the polishing body 27. Here, the roughness of the rough surface is such that a chemical solution described later remains sufficiently.

本実施の形態で用いる厚さ検出センサ２９は、上述したレーザ変位センサの他、エンドポイントセンサなどを用いている。   As the thickness detection sensor 29 used in the present embodiment, an endpoint sensor or the like is used in addition to the laser displacement sensor described above.

この厚さ検出センサ２９は、上記第３のアーム２３を上記第３の回転駆動源１５によって図２に矢印で示すように揺動させてスキャンすることで、上記回転テーブル２に保持された半導体ウェーハＷの厚さを検出する。つまり、後述するようにエッチング液Ｅによるエッチングされた上記半導体ウェーハＷの厚さや上記研磨体２７によって粗面に加工される上記半導体ウェーハＷの厚さを検出できるようにしている。   The thickness detection sensor 29 scans the third arm 23 by swinging the third arm 23 as shown by an arrow in FIG. The thickness of the wafer W is detected. That is, as described later, the thickness of the semiconductor wafer W etched with the etching solution E and the thickness of the semiconductor wafer W processed into a rough surface by the polishing body 27 can be detected.

このようなスピン処理装置では、次のようにして図７Ａに示す円板状の半導体ウェーハＷから、図７Ｃに示す外周部にリブ部ＷＬを有する半導体ウェーハＷを形成する。すなわち、上記研磨体２７を作動させ、図７Ｂに示すように、半導体ウェーハＷのリブ部を形成しない中心側ＷＱを粗面化する。   In such a spin processing apparatus, the semiconductor wafer W having the rib portions WL on the outer peripheral portion shown in FIG. 7C is formed from the disk-shaped semiconductor wafer W shown in FIG. 7A as follows. That is, the polishing body 27 is operated to roughen the center side WQ where the rib portion of the semiconductor wafer W is not formed, as shown in FIG. 7B.

次に、上記第１の回転駆動源１３によって回転テーブル２とともに半導体ウェーハＷが回転駆動された状態で、上記第１の回転駆動源１３によって第１のアーム２１が揺動駆動されるとともに、上記第１の開閉弁３９が開放され、上記第１のアーム２１の先端部に設けられた第１のノズル体２５から上記半導体ウェーハＷの上面に対してエッチング液Ｅが噴射供給される。エッチング液Ｅは、粗面化された表面の窪みに留まるため、回転テーブル２の回転によってもエッチングが上記半導体ウェーハＷから飛散しない。このため、エッチングが促進されることとなる。   Next, in a state where the semiconductor wafer W is rotationally driven together with the rotary table 2 by the first rotational drive source 13, the first arm 21 is driven to swing by the first rotational drive source 13, and The first on-off valve 39 is opened, and the etching solution E is jetted and supplied to the upper surface of the semiconductor wafer W from the first nozzle body 25 provided at the tip of the first arm 21. Since the etching solution E remains in the depression on the roughened surface, the etching does not scatter from the semiconductor wafer W even when the turntable 2 rotates. For this reason, etching will be promoted.

そして、上記厚さ検出センサ２９によって検出される上記半導体ウェーハＷの中心側ＷＱの厚さが所定厚さになった時点で、上記出力部３６は第１の開閉弁３９を閉じてエッチング液Ｅの供給を停止し、エッチング処理を停止させる。次に、そして第２の開閉弁４２を開いて第２のノズル体２６から半導体ウェーハＷに洗浄液Ｌを噴射供給することで、半導体ウェーハＷに残留するエッチング液Ｅを洗浄除去する。   When the thickness of the center side WQ of the semiconductor wafer W detected by the thickness detection sensor 29 reaches a predetermined thickness, the output unit 36 closes the first on-off valve 39 and etches the etching solution E. Is stopped, and the etching process is stopped. Next, the second on-off valve 42 is opened, and the cleaning liquid L is sprayed and supplied from the second nozzle body 26 to the semiconductor wafer W, whereby the etching liquid E remaining on the semiconductor wafer W is cleaned and removed.

なお、エッチングを行っている工程で、半導体ウェーハＷの中心側ＷＱの範囲で、厚さに分布が生じた場合は、改めて研磨体２７を作動させて、残り厚さが大きい部分を粗面化し、エッチングの進行を促進して、最終的に厚さ分布が生じないようにしてもよい。   If the thickness is distributed in the range of the central side WQ of the semiconductor wafer W during the etching process, the polishing body 27 is operated again to roughen the portion having the large remaining thickness. The progress of etching may be promoted so that the thickness distribution does not finally occur.

このように、半導体ウェーハＷの外周部にリブ部ＷＬを設けるような場合であっても、研削加工を必要とせず、薬液によるエッチングにより化学的に除去加工を行うことができる。このため、半導体ウェーハＷに負担がかからず、応力除去工程が不要となり、工程が単純化し、生産性が向上し、製造コストが低下する。また、半導体ウェーハＷにクラックが入ることもない。   Thus, even in the case where the rib portion WL is provided on the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W, the grinding process is not required and the removal process can be performed chemically by etching with a chemical solution. For this reason, a burden is not imposed on the semiconductor wafer W, a stress removing process is not required, the process is simplified, the productivity is improved, and the manufacturing cost is reduced. Further, the semiconductor wafer W is not cracked.

なお、図８は本実施の形態の変形例を模式的に示す縦断面図である。図８において図１と同一機能部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。図８は、上記研磨体２７の代わりに、レーザビーム加工をレーザ照射部２７Ａを設けたものである。このようにレーザビーム加工によって、半導体ウェーハＷの中心側ＷＱを粗面化してもよい。   FIG. 8 is a longitudinal sectional view schematically showing a modification of the present embodiment. In FIG. 8, the same functional parts as those in FIG. In FIG. 8, instead of the polishing body 27, a laser irradiation unit 27A is provided for laser beam processing. Thus, the center side WQ of the semiconductor wafer W may be roughened by laser beam processing.

なお、研磨体２７としては、サンドペーパーやレーザビームに限られず、カッタ、ショットブラスト、氷片ブラスト、ドライアイスブラスト等のように、半導体ウェーハＷの板面を粗面に適切に粗すことができるものであればよい。   The polishing body 27 is not limited to sandpaper or a laser beam, and the surface of the semiconductor wafer W can be appropriately roughened to a rough surface such as cutter, shot blast, ice piece blast, dry ice blast, or the like. Anything is possible.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではない。例えば、エッチング加工される基板として半導体ウェーハを例に挙げて説明したが、基板としては半導体ウェーハに代わり、液晶表示装置などに用いられるガラス基板に対してエッチング加工を行う場合にも適用することができる。また、研磨体や厚さ検出センサを揺動して走査させているが、水平面におけるＸＹ方向の走査させるようにしてもよい。この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, a semiconductor wafer has been described as an example of a substrate to be etched, but the substrate may be applied to a case where etching is performed on a glass substrate used in a liquid crystal display device or the like instead of the semiconductor wafer. it can. Further, although the polishing body and the thickness detection sensor are swung and scanned, the scanning may be performed in the XY directions on the horizontal plane. Of course, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

２ 回転テーブル
３ テーブル用駆動源
１３ 第１の回転駆動源
１４ 第２の回転駆動源
１５ 第３の回転駆動源
２１ 第１のアーム
２２ 第２のアーム
２３ 第３のアーム
２５ 第１のノズル体
２６ 第２のノズル体
２７ 研磨体（加工手段）
２７Ａ レーザ照射部（加工手段）
２８ シリンダ（加工手段）
２９ 厚さ検出センサ（厚さ検出手段）
３０ 供給手段
３１ 制御手段
３３ 記憶部
３４ 比較部
３５ 判定部
３６ 出力部 2 rotary table 3 table drive source 13 first rotary drive source 14 second rotary drive source 15 third rotary drive source 21 first arm 22 second arm 23 third arm 25 first nozzle body 26 Second nozzle body 27 Polishing body (processing means)
27A Laser irradiation part (processing means)
28 Cylinder (processing means)
29 Thickness detection sensor (thickness detection means)
30 Supply means 31 Control means 33 Storage section 34 Comparison section 35 Determination section 36 Output section

Claims (13)

基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理装置であって、
上記基板の板面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
上記エッチング液によってエッチングされる上記基板の厚さを検出する厚さ検出手段と、
この厚さ検出手段によって検出される上記基板の厚さが異常であるときに上記エッチング液によるエッチングを中断させる制御手段と、
上記エッチング液によるエッチングが中断されたときに上記基板の板面を粗面に加工する加工手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A substrate processing apparatus for etching a plate surface of a substrate with an etching solution,
Etching solution supply means for supplying an etching solution to the plate surface of the substrate;
A thickness detecting means for detecting the thickness of the substrate etched by the etchant;
Control means for interrupting etching by the etching solution when the thickness of the substrate detected by the thickness detection means is abnormal;
An apparatus for processing a substrate, comprising: processing means for processing the plate surface of the substrate into a rough surface when etching with the etching solution is interrupted. 上記制御手段は、上記加工手段を駆動して上記基板の板面を粗面に加工した後、上記エッチング液によるエッチングを再開させることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。   2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control means restarts the etching with the etchant after driving the processing means to process the plate surface of the substrate into a rough surface. 上記基板の板面を洗浄する洗浄手段を有し、
上記制御手段は、上記厚さ検出手段の検出に基いて上記エッチング手段による上記基板の板面のエッチングを中断して上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工する前と、上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工し終えたときに、上記洗浄手段によって上記基板の板面を洗浄させることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。 Having cleaning means for cleaning the plate surface of the substrate;
The control means interrupts the etching of the plate surface of the substrate by the etching means based on the detection of the thickness detection means, and before processing the plate surface of the substrate into a rough surface by the processing means, 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein when the plate surface of the substrate is processed into a rough surface by means, the plate surface of the substrate is cleaned by the cleaning unit. 上面に上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルを有し、
上記エッチング液供給手段は、回転駆動源によって回転駆動される揺動アームと、この揺動アームの先端に設けられ上記揺動アームが回転駆動されることで上記基板の上方で水平方向に揺動して上記エッチング液を上記基板に噴射するノズル体とを備えていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。 It has a turntable that is driven to rotate while holding the substrate on the upper surface,
The etching solution supply means is oscillated in a horizontal direction above the substrate by a oscillating arm that is rotationally driven by a rotational drive source, and the oscillating arm provided at the tip of the oscillating arm is rotationally driven. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a nozzle body that sprays the etching solution onto the substrate. 上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工するとき、上記厚さ検出手段によって上記基板の厚さが測定されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。   2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein when the plate surface of the substrate is processed into a rough surface by the processing means, the thickness of the substrate is measured by the thickness detection means. 上記制御手段には上記エッチング液による上記基板のエッチング時間と膜厚の変化との関係が設定される記憶部が設けられ、
上記制御手段は、上記厚さ検出手段が検出する基板の厚さの変化を上記記憶部に設定された設定値に基いて上記基板の厚さの変化が正常であるか否かを判定することを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。 The control means is provided with a storage unit in which the relationship between the etching time of the substrate by the etchant and the change in film thickness is set,
The control means determines whether or not the change in the thickness of the substrate is normal based on the set value set in the storage unit with respect to the change in the thickness of the substrate detected by the thickness detection means. The substrate processing apparatus according to claim 1. 基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理方法であって、
上記基板の板面にエッチング液を供給する工程と、
上記エッチングによる上記基板の厚さの変化が異常であるときに上記エッチング液によるエッチングを中断する工程と、
上記エッチングが中断されたときに上記基板の板面を粗面に加工してからエッチングを再開する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。 A substrate processing method for etching a plate surface of a substrate with an etching solution,
Supplying an etching solution to the plate surface of the substrate;
A step of interrupting the etching with the etchant when the change in the thickness of the substrate due to the etching is abnormal,
And a process of re-etching after processing the plate surface of the substrate into a rough surface when the etching is interrupted. 上記エッチング液によってエッチングされる上記基板の厚さを検出する工程を有することを特徴とする請求項７記載の基板の処理方法。   8. The substrate processing method according to claim 7, further comprising a step of detecting a thickness of the substrate etched by the etching solution. 基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理装置であって、
上記基板の板面を粗面に加工する加工手段と、
上記基板の板面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
上記基板の厚さを検出する厚さ検出手段とを具備したことを特徴とする基板の処理装置。 A substrate processing apparatus for etching a plate surface of a substrate with an etching solution,
Processing means for processing the plate surface of the substrate into a rough surface;
Etching solution supply means for supplying an etching solution to the plate surface of the substrate;
A substrate processing apparatus comprising: a thickness detecting means for detecting the thickness of the substrate. 上記加工手段は、上記厚さ検出手段により検出された上記基板の厚さに基づいて、上記基板の板面の一部を粗面に加工することを特徴とする請求項９に記載の基板の処理装置。   10. The substrate according to claim 9, wherein the processing unit processes a part of the plate surface of the substrate into a rough surface based on the thickness of the substrate detected by the thickness detection unit. Processing equipment. 上面に上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルを有し、
上記エッチング液供給手段は、回転駆動源によって回転駆動される揺動アームと、この揺動アームの先端に設けられ上記揺動アームが回転駆動されることで上記基板の上方で水平方向に揺動して上記エッチング液を上記基板に噴射するノズル体とを備えていることを特徴とする請求項９記載の基板の処理装置。 It has a turntable that is driven to rotate while holding the substrate on the upper surface,
The etching solution supply means is oscillated in a horizontal direction above the substrate by a oscillating arm that is rotationally driven by a rotational drive source, and the oscillating arm provided at the tip of the oscillating arm is rotationally driven. The substrate processing apparatus according to claim 9, further comprising a nozzle body that sprays the etching solution onto the substrate. 基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理方法であって、
上記基板の板面を粗面に加工する工程と
上記基板の板面にエッチング液を供給する工程とを備えていることを特徴とする基板の処理方法。 A substrate processing method for etching a plate surface of a substrate with an etching solution,
A substrate processing method comprising: processing a plate surface of the substrate into a rough surface; and supplying an etching solution to the plate surface of the substrate. 上記基板の厚さを検出する工程と、
検出された上記基板の厚さに基づいて、上記基板の板面の一部を粗面に加工する工程をさらに具備することを特徴とする請求項１２に記載の基板の処理方法。 Detecting the thickness of the substrate;
The substrate processing method according to claim 12, further comprising a step of processing a part of a plate surface of the substrate into a rough surface based on the detected thickness of the substrate.
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