JP2017079282A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 62
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 SiN Chemical class 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】不純物を窒化物半導体層12にイオン注入することにより、ソース電極31とオーミック接触を成す活性領域21及びドレイン電極32とオーミック接触を成す活性領域22を形成する第1工程と、窒化物半導体層12上に形成された保護膜を介して活性領域21、22に熱処理を施す第3工程と、第2工程の後に、不純物を窒化物半導体層12にイオン注入することにより、活性領域21、22を囲む不活性領域26を形成する第3工程とを備える。
【選択図】図1
Description
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板上の窒化物半導体層上に開口を有する第1マスクを形成する第1工程と、該開口を介して窒化物半導体層に第1不純物をイオン注入することにより、ソース電極とオーミック接触を成す第1活性領域、及びドレイン電極とオーミック接触を成す第2活性領域を形成する第2工程と、第1マスクを除去する工程の後、イオン注入された窒化物半導体層上を第2マスクで覆った状態で、第1活性領域及び第2活性領域に1000℃以上1300℃以下の範囲で熱処理を施す第3工程と、第3工程の後であって第2マスクの除去後に、窒化物半導体層上に形成された第3マスクに開口を形成し、該開口を介して窒化物半導体層に第2不純物をイオン注入することにより、第1活性領域及び第2活性領域を囲む不活性領域を形成する第4工程と、第4工程の後であって第3マスクの除去後に、窒化物半導体層上に第4マスクを形成する第5工程とを備える。
本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
Claims (4)
- 基板上の窒化物半導体層上に開口を有する第1マスクを形成する第1工程と、
該開口を介して前記窒化物半導体層に第1不純物をイオン注入することにより、ソース電極とオーミック接触を成す第1活性領域、及びドレイン電極とオーミック接触を成す第2活性領域を形成する第2工程と、
前記第1マスクを除去する工程の後、前記イオン注入された窒化物半導体層上を第2マスクで覆った状態で、前記第1活性領域及び前記第2活性領域に1000℃以上1300℃以下の範囲で熱処理を施す第3工程と、
前記第3工程の後であって前記第2マスクの除去後に、前記窒化物半導体層上に形成された第3マスクに開口を形成し、該開口を介して前記窒化物半導体層に第2不純物をイオン注入することにより、前記第1活性領域及び前記第2活性領域を囲む不活性領域を形成する第4工程と、
前記第4工程の後であって前記第3マスクの除去後に、前記窒化物半導体層上に第4マスクを形成する第5工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。 - 前記第1不純物はシリコンであり、前記第2工程では前記第1不純物のドーズ量を1×1014cm-2以上1×1016cm-2以下とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2不純物はアルゴンであり、前記第4工程では前記第2不純物のドーズ量を1×1012cm-2以上5×1015cm-2以下とする、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1マスク、前記第2マスクおよび前記第4マスクは窒化シリコン膜であり、前記第3マスクはフォトレジストである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015207251A JP6641876B2 (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015207251A JP6641876B2 (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017079282A true JP2017079282A (ja) | 2017-04-27 |
JP6641876B2 JP6641876B2 (ja) | 2020-02-05 |
Family
ID=58666192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015207251A Active JP6641876B2 (ja) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6641876B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108598149A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-28 | 苏州闻颂智能科技有限公司 | 一种GaN基HEMT器件 |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
CN108598149A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-28 | 苏州闻颂智能科技有限公司 | 一种GaN基HEMT器件 |
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---|---|
JP6641876B2 (ja) | 2020-02-05 |
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