JP2017078637A - 放射線検出器およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 光電変換基板
31 シンチレータ層
51 放射線としてのX線
A 入射側領域
B 非入射側領域
Claims (6)
- 光を電気信号に変換する光電変換基板と、
前記光電変換基板に接して外部から入射した放射線を光に変換するシンチレータ層と
を具備し、
前記シンチレータ層は、
ハロゲン化物であるCsIにTlを賦活剤として含有する蛍光体であり、
前記シンチレータ層の膜厚方向における前記放射線の入射側を入射側領域、および前記入射側領域とは反対側を非入射側領域とすると、前記入射側領域における前記蛍光体中の前記賦活剤の濃度は0.2mass%±0.15mass%、前記非入射側領域における前記蛍光体中の前記賦活剤の濃度は1.6mass%±0.4mass%である
ことを特徴とする放射線検出器。 - 前記シンチレータ層は、前記入射側領域および前記非入射側領域の前記賦活剤の濃度領域のみで構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の放射線検出器。 - 前記シンチレータ層の膜厚方向における前記入射側領域が占める割合は10%以上である
ことを特徴とする請求項1または2記載の放射線検出器。 - 前記シンチレータ層は、前記入射側領域および前記非入射側領域内におけるそれぞれの単位膜厚200nm以下の領域において、面内方向および膜厚方向のそれぞれの前記賦活剤の濃度分布が±15%以下である
ことを特徴とする請求項1ないし3いずれか一記載の放射線検出器。 - 前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有する
ことを特徴とする請求項1ないし4いずれか一記載の放射線検出器。 - 光を電気信号に変換する光電変換基板と、前記光電変換基板に接して外部から入射した放射線を光に変換するシンチレータ層とを具備する放射線検出器の製造方法であって、
前記シンチレータ層は、ハロゲン化物であるCsIにTlを賦活剤として含有する蛍光体であり、
前記シンチレータ層の膜厚方向における前記放射線の入射側を入射側領域、および前記入射側領域とは反対側を非入射側領域とすると、前記入射側領域における前記蛍光体中の前記賦活剤の濃度は0.2mass%±0.15mass%、前記非入射側領域における前記蛍光体中の前記賦活剤の濃度は1.6mass%±0.4mass%となるように、前記CsIと前記Tlとを材料源とした気相成長法により前記シンチレータ層を形成する
ことを特徴とする放射線検出器の製造方法。
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