JP2017076692A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】立体構造を持つ成膜対象部材の表面に成膜材料を噴霧することによって成膜する場合に、その表面上の凸部や凹部の側壁面に成膜される膜厚のムラを抑制することを課題とする。【解決手段】噴霧部材4から成膜材料を噴霧することにより成膜対象部材20の表面上に膜を形成する成膜装置10において、前記成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りで前記噴霧部材と該成膜対象部材とを相対回転させる相対回転手段13と、互いに異なる2以上の相対回転位置で、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる制御を実行する制御手段30とを有する。【選択図】図1
Description
本発明は、成膜装置及び成膜方法に関するものである。
従来、噴霧部材から成膜材料を噴霧することにより成膜対象部材の表面上に膜を形成する成膜装置が知られている。
例えば、特許文献1には、立体構造を持つ成膜対象部材の表面上にスプレーコーティングにより成膜する成膜装置が開示されている。高機能なデバイスを実現するなどの目的で、複雑な凹凸を持つ立体構造が表面に形成されている成膜対象部材に対し、その表面上に均一な膜を成膜することが求められる。特許文献1に開示の成膜装置は、立体構造を持つ成膜対象部材の表面上にスプレーコーティングによってレジスト膜を構成するレジスト剤を塗布した後、ある時間置いて成膜対象部材上のレジスト剤の拡散移動を促す処置を実行する。これにより、特許文献1によれば、成膜対象部材のレジスト膜に含まれる微小な穴や膜厚の局所的な不均一を修正して膜厚の均一化を図ることができるとしている。
ところが、立体構造を持つ成膜対象部材の表面にスプレーコーティングによって成膜する場合には、凸部の側壁面や凹部の側壁面に成膜される膜厚のムラを十分に抑制できないことがある。
上述した課題を解決するために、本発明は、噴霧部材から成膜材料を噴霧することにより成膜対象部材の表面上に膜を形成する成膜装置において、前記成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りで前記噴霧部材と該成膜対象部材とを相対回転させる相対回転手段と、互いに異なる2以上の相対回転位置で、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる制御を実行する制御手段とを有することを特徴とする。
本発明によれば、立体構造を持つ成膜対象部材の表面に成膜材料を噴霧することによって成膜する場合に、その表面上の凸部の側壁面や凹部の側壁面に成膜される膜厚のムラを抑制することができる。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、本実施形態では、成膜対象部材であるシリコンウエハの表面にフォトレジスト膜を成膜する場合を例に挙げて説明するが、これに限らず、立体構造をもつ成膜対象部材の表面に成膜するものであれば、広く適用可能である。
なお、本実施形態では、成膜対象部材であるシリコンウエハの表面にフォトレジスト膜を成膜する場合を例に挙げて説明するが、これに限らず、立体構造をもつ成膜対象部材の表面に成膜するものであれば、広く適用可能である。
図1は、本実施形態におけるスプレーコート成膜装置の概略構成を示す模式図である。
図2は、本スプレーコート成膜装置を構成するスプレーガンの概略構成を示す模式図である。
図3は、本スプレーガンの先端部の概略構成を示す断面図である。
図2は、本スプレーコート成膜装置を構成するスプレーガンの概略構成を示す模式図である。
図3は、本スプレーガンの先端部の概略構成を示す断面図である。
本実施形態のスプレーコート成膜装置10において、成膜対象部材であるシリコンウエハ20は、加工ブース11内において、加工テーブル12上に載置されて支持される。加工テーブル12の上方には、噴霧部材としてのスプレーガン4が設置されている。スプレーガン4には、塗工液供給部2の塗工液タンク2Bから、成膜材料であるフォトレジスト材とシンナーの混合液からなる塗工液2Aがポンプ2Cによって供給される。また、スプレーガン4には、霧化エア供給部3の霧化エアタンク3Bから、圧縮空気である霧化エア3Aがポンプ3Cによって供給される。
スプレーガン4は、塗工液供給部2から供給される塗工液2Aを、塗工液流路7を介して塗工液ノズル5から排出するとともに、その塗工液ノズル5の外周面を取り囲んで塗工液ノズル5の外周面とエアキャップ6との間に形成されるエア流路9から霧化エア3Aを排出する。これにより、霧化エア3Aによって塗工液2Aが微粒子化され、スプレーガン4からシリコンウエハ20上に噴霧される。加工ブース11には、スプレーガン4から噴霧された余分のスプレーミストを排除するため、クリーンエア供給口や排気口が設けられている。
本実施形態におけるスプレーガン4は、相対移動手段としてのXY走査機構15により、加工テーブル12上のシリコンウエハ20に対し、加工テーブル12の載置面すなわちシリコンウエハ20の被成膜面に沿って2次元方向へ移動可能に構成されている。また、シリコンウエハ20が載置される加工テーブル12は、相対回転手段としてのテーブル回転機構13により、加工テーブル12の載置面すなわちシリコンウエハ20の被成膜面の法線方向に略平行な回転軸回りに回転可能に構成されている。また、シリコンウエハ20に付着した塗工液2A中の液体成分(シンナー)を蒸発させて乾燥させる時間を短縮するために、必要に応じて、シリコンウエハ20を加熱する加熱手段を設けてもよい。この加熱手段としては、シリコンウエハ20が載置される加工テーブル12を加熱するヒータを用いることができる。
図4は、加工テーブル12上にセットされたシリコンウエハ20を示す斜視図である。
加工テーブル12上には、シリコンウエハ20のオリエンテーションフラット(Orientation Flat)20aが加工テーブル12上に設けられているマーク14に近接するように、シリコンウエハ20がセットされ、固定される。このとき、オリエンテーションフラット20aのラインがX軸方向に平行となるように、加工テーブル12上にシリコンウエハ20がセットされ、固定される。加工テーブル12上にシリコンウエハ20を固定する手段は、吸引による吸着手段、静電吸着手段など、どのような手段であってもよい。また、成膜対象部材も、シリコンウエハ20に限らず、ガラスや化合物半導体などの他の物質からなる基板であってもよく、また、基板形状も円形に限らず,液晶ディスプレイのように方形基板でもよい。
加工テーブル12上には、シリコンウエハ20のオリエンテーションフラット(Orientation Flat)20aが加工テーブル12上に設けられているマーク14に近接するように、シリコンウエハ20がセットされ、固定される。このとき、オリエンテーションフラット20aのラインがX軸方向に平行となるように、加工テーブル12上にシリコンウエハ20がセットされ、固定される。加工テーブル12上にシリコンウエハ20を固定する手段は、吸引による吸着手段、静電吸着手段など、どのような手段であってもよい。また、成膜対象部材も、シリコンウエハ20に限らず、ガラスや化合物半導体などの他の物質からなる基板であってもよく、また、基板形状も円形に限らず,液晶ディスプレイのように方形基板でもよい。
図5は、本実施形態におけるスプレーコーティング動作を示す説明図である。
本実施形態では、スプレーガン4を所定の一定速度でX軸方向へ所定距離Sだけ走査(主走査)しながら、霧化エア3Aによって塗工液2Aが微粒子化されたスプレーミスト1を加工テーブル12上のシリコンウエハ20に噴霧する。その後、スプレーガン4をY軸方向(副走査方向)へ所定距離Pだけ移動(副走査)させる。そして、今度は、スプレーガン4を所定の一定速度でX軸方向へ逆向きに所定距離Sだけ走査(主走査)しながら、霧化エア3Aによって塗工液2Aが微粒子化されたスプレーミスト1を加工テーブル12上のシリコンウエハ20に噴霧する。このとき、先に噴霧した箇所に対して部分的に重複するように噴霧が行われる。このような主走査と副走査を繰り返すことで,主走査方向に沿って往復直線移動を行い、シリコンウエハ20上に塗工液2Aを付着させ、レジスト膜を成膜する。
本実施形態では、スプレーガン4を所定の一定速度でX軸方向へ所定距離Sだけ走査(主走査)しながら、霧化エア3Aによって塗工液2Aが微粒子化されたスプレーミスト1を加工テーブル12上のシリコンウエハ20に噴霧する。その後、スプレーガン4をY軸方向(副走査方向)へ所定距離Pだけ移動(副走査)させる。そして、今度は、スプレーガン4を所定の一定速度でX軸方向へ逆向きに所定距離Sだけ走査(主走査)しながら、霧化エア3Aによって塗工液2Aが微粒子化されたスプレーミスト1を加工テーブル12上のシリコンウエハ20に噴霧する。このとき、先に噴霧した箇所に対して部分的に重複するように噴霧が行われる。このような主走査と副走査を繰り返すことで,主走査方向に沿って往復直線移動を行い、シリコンウエハ20上に塗工液2Aを付着させ、レジスト膜を成膜する。
ここで、スプレーガン4から噴霧される塗工液2Aのスプレーミスト1は、図3に示すように、スプレーガン4から噴霧方向Dを中心にして放射状に拡がりながらシリコンウエハ20の表面に到達する。そのため、スプレーガン4に対するシリコンウエハ20の表面上の相対位置の違いによって、シリコンウエハ20の表面上の各箇所に入射するスプレーミスト1の入射角度(シリコンウエハ20の表面法線方向に対する角度)θ1,θ2は異なるものとなる。そのため、仮にスプレーガン4から均一にスプレーミスト1が噴霧された場合でも、入射角度θが大きい箇所(θ1>θ2)ほど、シリコンウエハ20上の単位面積当たりのスプレーミスト1の付着量が少なくなる。ただし、シリコンウエハ20の表面が平面である場合には、上述した主走査や副走査により、シリコンウエハ20の表面上の各箇所に対してそれぞれすべての全入射角度θでスプレーミスト1が噴霧されることになる。よって、入射角度θの違いによるスプレーミスト1の付着量の違いは、上述した主走査や副走査により相殺され、スプレーミスト1の付着量ムラを生じさせることはない。
一方、実際には、スプレーガン4の塗工液ノズル5が真円からずれていたり、エア流路9の排出口が不均一であったりするなどが原因で、霧化エア3Aと塗工液2Aとの混合が不均一となり、スプレーガン4から噴霧されるスプレーミスト1の密度に偏りが生じている。そのため、図3に示すように、入射角度の大きさが同じ角度θ1,θ1’である箇所であっても、スプレーミスト1の付着量は異なるものとなる。ただし、この場合であっても、シリコンウエハ20の表面が平面である場合には、上述した主走査や副走査により、シリコンウエハ20の表面上の各箇所に対してそれぞれすべての全入射角度θでスプレーミスト1が噴霧されることになる。よって、スプレーミスト1の密度の偏りは、上述した主走査や副走査により相殺され、スプレーミスト1の付着量ムラを生じさせることはない。
ところが、スプレーミスト1の密度に偏りが生じていると、成膜対象部材であるシリコンウエハ20が立体構造を有する場合には、シリコンウエハ20の表面上に存在する凸部や凹部の側壁面上において、スプレーミスト1の付着量ムラが生じる。これは、上述した主走査や副走査によっては相殺することができない。
図6は、スプレーガン4から噴霧されるスプレーミスト1が均一で、密度に偏りがなく、かつ、スプレーガン4の噴霧方向Dがシリコンウエハ20の表面法線方向と一致している理想状態を示す説明図である。
図6において、スプレーガン4は、図6中矢印Eに示す方向へ主走査されながらスプレーミスト1を噴霧し、スプレーミスト1は図6に示すように放射状に拡がりながらシリコンウエハ20の表面に到達する。ここで、シリコンウエハ20の表面上に存在する凹部において、主走査方向Eの下流側を向いている側壁面20aに付着するスプレーミスト1によるレジスト膜21の膜厚T2と、上流側を向いている側壁面20bに付着するスプレーミスト1によるレジスト膜21の膜厚T3とを比較する。
図6において、スプレーガン4は、図6中矢印Eに示す方向へ主走査されながらスプレーミスト1を噴霧し、スプレーミスト1は図6に示すように放射状に拡がりながらシリコンウエハ20の表面に到達する。ここで、シリコンウエハ20の表面上に存在する凹部において、主走査方向Eの下流側を向いている側壁面20aに付着するスプレーミスト1によるレジスト膜21の膜厚T2と、上流側を向いている側壁面20bに付着するスプレーミスト1によるレジスト膜21の膜厚T3とを比較する。
スプレーガン4からスプレーミスト1が放射状に噴霧される角度φの範囲がスプレーガン4の噴霧方向D(すなわちシリコンウエハ20の表面法線方向)に対して例えば−10°以上+10°以下の角度範囲であるとする。この場合、シリコンウエハ20の表面上の平面部分20cは、その平面部分20cのどの箇所に入射するスプレーミスト1の入射角度θの範囲も、−10°以上+10°以下の角度範囲である。したがって、シリコンウエハ20の表面上の平面部分20cに付着するスプレーミスト1によるレジスト膜21は、主走査により、均一な膜厚T1となる。
一方、図6に示すように凹部の側壁面20a,20bの部分については、その側壁面20a,20bの各箇所に入射するスプレーミスト1の入射角度θの範囲は、その側壁面20a,20bの傾斜角度分(シリコンウエハ20の表面法線方向に対する側壁面の面方向の傾斜角度)だけ偏りが生じる。そのため、下流側を向いている側壁面20aでは、その傾斜角度が10°であったとすると、その側壁面20aに入射するスプレーミスト1の入射角度θの範囲は、−90°以上−70°以下の角度範囲となる。これに対し、上流側を向いている側壁面20bでは、その傾斜角度が10°であったとすると、その側壁面20aに入射するスプレーミスト1の入射角度θの範囲は、+70°以上+90°以下の角度範囲となる。
このとき、両側壁面20a,20bに入射するスプレーミスト1の入射角度θの大きさの範囲は一致している。したがって、仮にスプレーガン4から均一な噴霧がなされれば、主走査によって、下流側を向いている側壁面20aの膜厚T2も、上流側を向いている側壁面20bの膜厚T3も同じになり、膜厚の違い(スプレーミスト1の付着量の違い)は生じない。なお、これらの側壁面20a,20bの膜厚T2,T3は、平面部分20cの膜厚T1よりも薄いものとなる。これは、側壁面20a,20bに対する入射角度θの大きさが、平面部分20cよりも全体的に大きいためである。
しかしながら、スプレーガン4から不均一な噴霧がなされ、スプレーミスト1の密度に偏りが生じている場合、主走査を行っていても、下流側を向いている側壁面20aの膜厚T2と、上流側を向いている側壁面20bの膜厚T3とは同じにならない。
例えば、スプレーガン4から噴霧される角度φが噴霧方向Dよりも主走査方向上流側(角度φがマイナス側)の密度が、主走査方向下流側(角度φがプラス側)の密度よりも高い場合を考える。この場合、高密度のスプレーミスト1の入射角度θは、上流側を向いている側壁面20bに対しては大きく、下流側を向いている側壁面20aに対しては小さい。また、低密度のスプレーミスト1の入射角度θは、上流側を向いている側壁面20bに対しては小さく、下流側を向いている側壁面20aに対しては大きい。その結果、下流側を向いている側壁面20aには、上流側を向いている側壁面20bよりも、単位面積当たりのスプレーミスト1の付着量が多くなり、図7に示すように、下流側を向いている側壁面20aのレジスト膜21の膜厚T2は、上流側を向いている側壁面20bのレジスト膜21の膜厚T3よりも厚くなる。
例えば、スプレーガン4から噴霧される角度φが噴霧方向Dよりも主走査方向上流側(角度φがマイナス側)の密度が、主走査方向下流側(角度φがプラス側)の密度よりも高い場合を考える。この場合、高密度のスプレーミスト1の入射角度θは、上流側を向いている側壁面20bに対しては大きく、下流側を向いている側壁面20aに対しては小さい。また、低密度のスプレーミスト1の入射角度θは、上流側を向いている側壁面20bに対しては小さく、下流側を向いている側壁面20aに対しては大きい。その結果、下流側を向いている側壁面20aには、上流側を向いている側壁面20bよりも、単位面積当たりのスプレーミスト1の付着量が多くなり、図7に示すように、下流側を向いている側壁面20aのレジスト膜21の膜厚T2は、上流側を向いている側壁面20bのレジスト膜21の膜厚T3よりも厚くなる。
特に、このような側壁面20a,20bに付着するスプレーミスト1の付着量(膜厚T2,T3)の違いは、上述したように、スプレーガン4を主走査方向に往復移動させるときに先に噴霧した箇所に対して部分的に重複するように噴霧を行うと、拡大する。
このような側壁面20a,20bに付着するスプレーミスト1の付着量(膜厚T2,T3)の違いは、シリコンウエハ20の表面上に存在する凹部の側壁面に限らず、図8に示すように、凸部の側壁面の場合でも同様である。
そこで、本実施形態においては、このような側壁面20a,20bに付着するスプレーミスト1の付着量ムラ(膜厚T2,T3の違い)を抑制するために、次のようなスプレーコーティング処理を行う。
図9は、本実施形態におけるスプレーコーティング処理の流れを示すフローチャートである。
本実施形態のスプレーコーティング処理では、まず、スプレーコート成膜装置10の制御部30は、入力される指示情報や所定の制御プログラムに従って、1枚のシリコンウエハ20に対してスプレーコーティング動作を何回行うかをセットする(S1)。ここでセットされる動作回数Nは、成膜するレジスト膜の厚さ、スプレーガン4から噴霧されるスプレーミスト1の密度、主走査方向へのスプレーガン4の移動速度、副走査方向への移動距離Pなどに応じて、適宜設定されるが、本実施形態では、偶数の自然数に設定される。
本実施形態のスプレーコーティング処理では、まず、スプレーコート成膜装置10の制御部30は、入力される指示情報や所定の制御プログラムに従って、1枚のシリコンウエハ20に対してスプレーコーティング動作を何回行うかをセットする(S1)。ここでセットされる動作回数Nは、成膜するレジスト膜の厚さ、スプレーガン4から噴霧されるスプレーミスト1の密度、主走査方向へのスプレーガン4の移動速度、副走査方向への移動距離Pなどに応じて、適宜設定されるが、本実施形態では、偶数の自然数に設定される。
次に、制御部30は、nをリセットした後(S2)、n=n+1をセットし(S3)、1回目のスプレーコーティング動作を実施する(S4)。このスプレーコーティング動作では、制御部30が、XY走査機構15及びスプレーガン4の動作を制御し、図10に示したように、副走査方向へ断続的に移動させながら主走査方向への往復移動を繰り返し、シリコンウエハ20の表面全体にスプレーガン4から噴霧される塗工液2Aのスプレーミスト1を付着させる。
このようにして、1回目のスプレーコーティング動作が終了したら、制御部30は、nがNに達したか否かを判断する(S5)。そして、nがNに達していなければ(S5のNo)、制御部30は、テーブル回転機構13を制御して、シリコンウエハ20が載置される加工テーブル12を、加工テーブル12の載置面すなわちシリコンウエハ20の表面(被成膜面)の法線方向に略平行な回転軸回りに、180°回転させる(S6)。その後、n=n+1をセットして(S3)、2回目のスプレーコーティング動作を実施する(S4)。
2回目のスプレーコーティング動作では、図11に示すように、シリコンウエハ20の表面法線方向に略平行な回転軸回りにおけるスプレーガン4とシリコンウエハ20との相対回転位置が、2回目のスプレーコーティング動作時に対して180°変更されている。これにより、2回目のスプレーコーティング動作では、シリコンウエハ20の表面上における凹部や凸部における主走査方向下流側を向いている側壁面20aと上流側を向いている側壁面20bとの関係が、1回目のスプレーコーティング動作とは逆さまになる。
すなわち、例えば、スプレーガン4から噴霧されるスプレーミスト1の密度に偏りによって、1回目のスプレーコーティング動作では、図12(a)に示すように、下流側を向いている側壁面20aに付着するスプレーミスト1の付着量が、上流側を向いている側壁面20bよりも多かったとする。この場合、2回目のスプレーコーティング動作では、図12(b)に示すように、上流側を向いている側壁面20bに付着するスプレーミスト1の付着量が、下流側を向いている側壁面20aよりも多くなる。その結果、1回目のスプレーコーティング動作と2回目のスプレーコーティング動作とで、両側壁面20a,20b間におけるスプレーミスト1の付着量の違いが相殺される。
そして、以上のようなスプレーコーティング動作をN回(Nは偶数)実施することで(S5のYes)、シリコンウエハ20の表面上に存在する凹部や凸部の側壁面に成膜されるレジスト膜21に膜厚ムラがなく、所望の膜厚をもったレジスト膜21を成膜することができる。
なお、本実施形態では、スプレーコーティング動作を1回行うたびに、加工テーブル12を回転させる例であるが、同じ回転位置で複数回のスプレーコーティング動作を行う場合には、スプレーコーティング動作を連続して2回以上行ってから、加工テーブル12を回転させるようにしてもよい。
また、本実施形態では、加工テーブル12を180°回転させることにより、スプレーガン4とシリコンウエハ20の相対回転位置が互いに180°異なる2つの状態で、シリコンウエハ20の表面上の同一箇所に対してスプレーガン4からのスプレーミスト1を噴霧させる例であるが、これに限られない。
例えば、加工テーブル12を90°回転させることにより、スプレーガン4とシリコンウエハ20の相対回転位置が互いに90°異なる4つの状態で、シリコンウエハ20の表面上の同一箇所に対してスプレーガン4からのスプレーミスト1を噴霧させてもよい。この場合、1回目のスプレーコーティング動作と3回目のスプレーコーティング動作とで、シリコンウエハ20の表面上における凹部や凸部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いが相殺される。同様に、2回目のスプレーコーティング動作と4回目のスプレーコーティング動作とで、シリコンウエハ20の表面上における凹部や凸部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いが相殺される。
また、例えば、加工テーブル12を120°回転させることにより、スプレーガン4とシリコンウエハ20の相対回転位置が互いに120°異なる3つの状態で、シリコンウエハ20の表面上の同一箇所に対してスプレーガン4からのスプレーミスト1を噴霧させてもよい。この場合、1回目〜3回目のスプレーコーティング動作によって、シリコンウエハ20の表面上における凹部や凸部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いが相殺される。
以上を一般化すると、制御部30は、下記の式(1)を満たすように、テーブル回転機構13により角度αずつ相対回転位置をM回変更させるとともに、シリコンウエハ20の表面上の同一箇所に対して各相対回転位置につきb回ずつスプレーガン4からスプレーミスト1を噴霧させることにより、シリコンウエハ20の表面上における凹部や凸部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いを相殺することができる。ただし、「a」は、スプレーガン4とシリコンウエハ20とが360°の相対回転を何回行うかを示す総相対回転回数である。
α = (a × 360°) / (b × M) ・・・(1)
α = (a × 360°) / (b × M) ・・・(1)
ただし、シリコンウエハ20の表面上における凹部や凸部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いを完全に相殺する必要がない場合には、必ずしも、上記式(1)を満たす必要はない。例えば、加工テーブル12を90°回転させる動作を3回行って、スプレーガン4とシリコンウエハ20の相対回転位置が互いに90°異なる3つの状態で、シリコンウエハ20の表面上の同一箇所に対してスプレーガン4からのスプレーミスト1を噴霧させてもよい。この場合であっても、加工テーブル12を回転させずに、スプレーコーティング動作を3回行う場合に比べて、シリコンウエハ20の表面上における凹部や凸部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いは抑制される。
また、本実施形態では、シリコンウエハ20の表面法線方向に略平行な回転軸回りにおけるスプレーガン4とシリコンウエハ20との相対回転位置を変更する相対回転手段が、シリコンウエハ20が載置される加工テーブル12を回転させるテーブル回転機構13であったが、これに限られない。例えば、加工テーブル12を固定したまま、その加工テーブル12上に載置されるシリコンウエハ20を回転させる手段を用いてもよい。この場合、例えば、図5に示した状態でスプレーコーティング動作を行った後、加工テーブル12を固定したまま、その加工テーブル12上に載置されるシリコンウエハ20を180°回転させて図13に示す状態にし、スプレーコーティング動作を行う。また、相対回転手段としては、シリコンウエハ20側を回転させることに伴い、またはこれに代えて、スプレーガン4をシリコンウエハ20の表面法線方向に略平行な回転軸回りで回転させる手段を用いることができる。
また、本実施形態では、シリコンウエハ20の表面上に存在する凸部や凹部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いが、スプレーミスト1の密度偏りに起因して生じる場合を例に挙げて説明したが、側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いは、他の原因でも発生し得る。例えば、図14(a)及び(b)に示すように、スプレーガン4の噴霧方向D’がシリコンウエハ20の表面法線方向(シリコンウエハ20の平面部分20cの法線方向)に対して傾斜している場合にも、同様に、シリコンウエハ20の表面上に存在する凸部や凹部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いが発生する。
具体的に説明すると、例えば、スプレーガン4の噴霧方向D’が、図14(a)及び(b)に示すように、シリコンウエハ20の表面法線方向に対して主走査方向下流側へ5°傾いている場合を考える。スプレーガン4からスプレーミスト1が放射状に噴霧される角度φの範囲がスプレーガン4の噴霧方向D’に対して例えば−10°以上+10°以下の角度範囲であるとすると、シリコンウエハ20の表面上の平面部分20cに対するスプレーミスト1の入射角度θの範囲は、−5°以上+15°以下の角度範囲となる。なお、この場合でも、シリコンウエハ20の表面上の平面部分20cに付着するスプレーミスト1によるレジスト膜21は、主走査により、均一な膜厚を得ることができる。
ところが、シリコンウエハ20上の凹部や等物の側壁面20a,20bについては、その側壁面20a,20bの各箇所に入射するスプレーミスト1の入射角度θの範囲は、上述したとおり、その側壁面20a,20bの傾斜角度分だけ偏りが生じる。そのため、下流側を向いている側壁面20aでは、その傾斜角度が10°であったとすると、その側壁面20aに入射するスプレーミスト1の入射角度θの範囲は、−85°以上−75°以下の角度範囲となる。これに対し、上流側を向いている側壁面20bでは、その傾斜角度が10°であったとすると、その側壁面20aに入射するスプレーミスト1の入射角度θの範囲は、+75°以上+95°以下の角度範囲となる。
このように、下流側を向いている側壁面20aと上流側を向いている側壁面20bとの間でスプレーミスト1の入射角度θの大きさの範囲が異なることから、仮にスプレーミスト1の密度に偏りがなくても、下流側を向いている側壁面20aには、上流側を向いている側壁面20bよりも、単位面積当たりのスプレーミスト1の付着量が多くなり、図14(a)に示すように、下流側を向いている側壁面20aのレジスト膜21の膜厚T2は、上流側を向いている側壁面20bのレジスト膜21の膜厚T3よりも厚くなる。
このようなスプレーガン4の噴霧方向D’の傾斜に起因して、シリコンウエハ20の表面上に存在する凸部や凹部の側壁面間におけるスプレーミスト1の付着量の違いが発生する場合にも、スプレーガン4とシリコンウエハ20との相対回転位置を変更しながらスプレーコーティング動作を行う本実施形態のスプレーコーティング処理は有効である。すなわち、1回目のスプレーコーティング動作と2回目のスプレーコーティング動作とで、両側壁面20a,20b間におけるスプレーミスト1の付着量の違いを相殺でき、シリコンウエハ20の表面上に存在する凹部や凸部の側壁面に成膜されるレジスト膜21に膜厚ムラがなく、所望の膜厚をもったレジスト膜21を成膜することができる。
なお、説明は、主走査方向について説明したものであるが、これは副走査方向についても同様に考えることができる。
以上に説明したものは一例であり、次の態様毎に特有の効果を奏する。
(態様A)
スプレーガン4等の噴霧部材からフォトレジスト材等の成膜材料を噴霧することによりシリコンウエハ20等の成膜対象部材の表面上にレジスト膜21等の膜を形成するスプレーコート成膜装置10等の成膜装置において、前記成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りで前記噴霧部材と該成膜対象部材とを相対回転させるテーブル回転機構13等の相対回転手段と、互いに異なる2以上の相対回転位置で、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる制御を実行する制御部30等の制御手段とを有することを特徴とする。
上述したとおり、噴霧部材から噴霧される成膜材料は、噴霧部材から放射状に拡がりながら成膜対象部材の表面に到達する。そのため、成膜対象部材の表面上の各箇所に入射する成膜材料の入射角度(当該箇所の法線方向に対する角度)は異なるものとなる。噴霧部材から均一な密度で成膜材料が噴霧された場合、入射角度が大きい箇所ほど、単位面積当たりの成膜材料付着量が少ない。
成膜対象部材の表面が平面である場合には、上述したとおり、噴霧部材と成膜対象部材とを相対的に往復直線移動させながら噴霧する従来のスプレーコーティング方法により、その直線移動方向についての入射角度の違いや噴霧の不均一による成膜材料付着量ムラは相殺される。また、その直線移動方向に対して直交する方向についても、先に噴霧した箇所に対して部分的に重複するように往復直線移動させながら噴霧を行うことによって、当該方向についての入射角度の違いや噴霧の不均一による成膜材料付着量ムラも相殺可能である。
しかしながら、立体構造を持つ成膜対象部材においては、その表面上に存在する凸部や凹部に、互いに異なる方向を向いた側壁面が存在し、これらの側壁面間で成膜材料付着量の違いが生じる場合がある。具体的には、例えば、噴霧部材から噴霧される成膜材料の密度に偏っている場合や、噴霧部材の噴霧方向が成膜対象部材の表面法線方向に対して傾斜している場合に、互いに異なる方向を向いた側壁面間で成膜材料付着量の違いが生じる。従来のスプレーコーティング方法では、噴霧部材と成膜対象部材とを相対的に往復直線移動させながら噴霧するとき、噴霧部材に対する各側壁面の向きは一定であり、互いに異なる方向を向いた側壁面間での成膜材料付着量の違いを解消することはできない。むしろ、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を複数回噴霧する場合には、その成膜材料付着量の違いが拡大してしまう。
本態様においては、成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りでの噴霧部材と成膜対象部材との相対回転位置が異なる状態で、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を噴霧することができる。各相対回転位置における噴霧部材に対する各側壁面の向きは互いに異なるため、互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じる成膜材料付着量の違いは、相対回転位置ごとに異なるものとなる。よって、先の噴霧により互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じていた成膜材料付着量の違いを、後の噴霧により部分的に又は全面的に相殺することが可能である。したがって、噴霧部材に対する各側壁面の向きが固定されたままの従来のスプレーコーティング方法よりも、成膜対象部材の表面上に存在する互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じ得る成膜材料付着量の違いを抑制することができる。よって、立体構造を持つ成膜対象部材の表面に成膜材料を噴霧することによって成膜する場合に、その表面上の凸部や凹部の側壁面に成膜される膜厚のムラを抑制することができる。
(態様A)
スプレーガン4等の噴霧部材からフォトレジスト材等の成膜材料を噴霧することによりシリコンウエハ20等の成膜対象部材の表面上にレジスト膜21等の膜を形成するスプレーコート成膜装置10等の成膜装置において、前記成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りで前記噴霧部材と該成膜対象部材とを相対回転させるテーブル回転機構13等の相対回転手段と、互いに異なる2以上の相対回転位置で、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる制御を実行する制御部30等の制御手段とを有することを特徴とする。
上述したとおり、噴霧部材から噴霧される成膜材料は、噴霧部材から放射状に拡がりながら成膜対象部材の表面に到達する。そのため、成膜対象部材の表面上の各箇所に入射する成膜材料の入射角度(当該箇所の法線方向に対する角度)は異なるものとなる。噴霧部材から均一な密度で成膜材料が噴霧された場合、入射角度が大きい箇所ほど、単位面積当たりの成膜材料付着量が少ない。
成膜対象部材の表面が平面である場合には、上述したとおり、噴霧部材と成膜対象部材とを相対的に往復直線移動させながら噴霧する従来のスプレーコーティング方法により、その直線移動方向についての入射角度の違いや噴霧の不均一による成膜材料付着量ムラは相殺される。また、その直線移動方向に対して直交する方向についても、先に噴霧した箇所に対して部分的に重複するように往復直線移動させながら噴霧を行うことによって、当該方向についての入射角度の違いや噴霧の不均一による成膜材料付着量ムラも相殺可能である。
しかしながら、立体構造を持つ成膜対象部材においては、その表面上に存在する凸部や凹部に、互いに異なる方向を向いた側壁面が存在し、これらの側壁面間で成膜材料付着量の違いが生じる場合がある。具体的には、例えば、噴霧部材から噴霧される成膜材料の密度に偏っている場合や、噴霧部材の噴霧方向が成膜対象部材の表面法線方向に対して傾斜している場合に、互いに異なる方向を向いた側壁面間で成膜材料付着量の違いが生じる。従来のスプレーコーティング方法では、噴霧部材と成膜対象部材とを相対的に往復直線移動させながら噴霧するとき、噴霧部材に対する各側壁面の向きは一定であり、互いに異なる方向を向いた側壁面間での成膜材料付着量の違いを解消することはできない。むしろ、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を複数回噴霧する場合には、その成膜材料付着量の違いが拡大してしまう。
本態様においては、成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りでの噴霧部材と成膜対象部材との相対回転位置が異なる状態で、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を噴霧することができる。各相対回転位置における噴霧部材に対する各側壁面の向きは互いに異なるため、互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じる成膜材料付着量の違いは、相対回転位置ごとに異なるものとなる。よって、先の噴霧により互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じていた成膜材料付着量の違いを、後の噴霧により部分的に又は全面的に相殺することが可能である。したがって、噴霧部材に対する各側壁面の向きが固定されたままの従来のスプレーコーティング方法よりも、成膜対象部材の表面上に存在する互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じ得る成膜材料付着量の違いを抑制することができる。よって、立体構造を持つ成膜対象部材の表面に成膜材料を噴霧することによって成膜する場合に、その表面上の凸部や凹部の側壁面に成膜される膜厚のムラを抑制することができる。
(態様B)
前記態様Aにおいて、前記2以上の相対回転位置には、互いに180°異なる相対回転位置が含まれることを特徴とする。
相対回転位置が180°異なる場合、互いに異なる方向を向いた側壁面間における成膜材料付着量の偏差は逆さまになる。よって、相対回転位置が互いに180°異なる状態で、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を噴霧することにより、当該側壁面間における成膜材料付着量の違いを効率よく相殺することができる。
前記態様Aにおいて、前記2以上の相対回転位置には、互いに180°異なる相対回転位置が含まれることを特徴とする。
相対回転位置が180°異なる場合、互いに異なる方向を向いた側壁面間における成膜材料付着量の偏差は逆さまになる。よって、相対回転位置が互いに180°異なる状態で、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を噴霧することにより、当該側壁面間における成膜材料付着量の違いを効率よく相殺することができる。
(態様C)
前記態様A又はBにおいて、前記制御手段は、下記の式(1)を満たすように、前記相対回転手段により角度αずつ前記相対回転位置をM回変更させるとともに、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して各相対回転位置につきb回ずつ前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる制御を実行することを特徴とする。
α = (a × 360°) / (b × M) ・・・(1)
ただし、a、b、Mはいずれも自然数である。
これによれば、互いに異なる方向を向いた側壁面間における成膜材料付着量の違いを相殺することができる。
前記態様A又はBにおいて、前記制御手段は、下記の式(1)を満たすように、前記相対回転手段により角度αずつ前記相対回転位置をM回変更させるとともに、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して各相対回転位置につきb回ずつ前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる制御を実行することを特徴とする。
α = (a × 360°) / (b × M) ・・・(1)
ただし、a、b、Mはいずれも自然数である。
これによれば、互いに異なる方向を向いた側壁面間における成膜材料付着量の違いを相殺することができる。
(態様D)
前記態様Cにおいて、前記a及びbは1であり、前記Mは2であることを特徴とする。
これによれば、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を噴霧する回数を最小限に抑えつつ、互いに異なる方向を向いた側壁面間における成膜材料付着量の違いを相殺することができる。
前記態様Cにおいて、前記a及びbは1であり、前記Mは2であることを特徴とする。
これによれば、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を噴霧する回数を最小限に抑えつつ、互いに異なる方向を向いた側壁面間における成膜材料付着量の違いを相殺することができる。
(態様E)
前記態様Cにおいて、前記a及びbは1であり、前記Mは4であることを特徴とする。
これによれば、あらゆる方向を向いている側壁面間における成膜材料付着量の違いを相殺することが可能となる。
前記態様Cにおいて、前記a及びbは1であり、前記Mは4であることを特徴とする。
これによれば、あらゆる方向を向いている側壁面間における成膜材料付着量の違いを相殺することが可能となる。
(態様F)
前記態様A〜Eのいずれかの態様において、前記相対回転手段は、前記回転軸回りに前記成膜対象部材を回転させるテーブル回転機構13等の成膜対象部材回転手段を含むことを特徴とする。
これによれば、成膜対象部材を回転させることで、噴霧部材と成膜対象部材とを相対回転させることができる。
前記態様A〜Eのいずれかの態様において、前記相対回転手段は、前記回転軸回りに前記成膜対象部材を回転させるテーブル回転機構13等の成膜対象部材回転手段を含むことを特徴とする。
これによれば、成膜対象部材を回転させることで、噴霧部材と成膜対象部材とを相対回転させることができる。
(態様G)
前記態様A〜Fのいずれかの態様において、前記相対回転手段は、前記回転軸回りに前記噴霧部材を回転させる噴霧部材回転手段を含むことを特徴とする。
これによれば、噴霧部材を回転させることで、噴霧部材と成膜対象部材とを相対回転させることができる。
前記態様A〜Fのいずれかの態様において、前記相対回転手段は、前記回転軸回りに前記噴霧部材を回転させる噴霧部材回転手段を含むことを特徴とする。
これによれば、噴霧部材を回転させることで、噴霧部材と成膜対象部材とを相対回転させることができる。
(態様H)
スプレーガン4等の噴霧部材からレジスト材等の成膜材料を噴霧することによりシリコンウエハ20等の成膜対象部材の表面上にレジスト膜21等の膜を形成する成膜方法において、前記成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りで前記噴霧部材と該成膜対象部材とを相対回転させる相対回転工程と、互いに異なる2以上の相対回転位置で、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる噴霧工程とを有することを特徴とする。
本態様においては、成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りでの噴霧部材と成膜対象部材との相対回転位置が異なる状態で、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を噴霧することができる。各相対回転位置における噴霧部材に対する各側壁面の向きは互いに異なるため、互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じる成膜材料付着量の違いは、相対回転位置ごとに異なるものとなる。よって、先の噴霧により互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じていた成膜材料付着量の違いを、後の噴霧により部分的に又は全面的に相殺することが可能である。したがって、噴霧部材に対する各側壁面の向きが固定されたままの従来のスプレーコーティング方法よりも、成膜対象部材の表面上に存在する互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じ得る成膜材料付着量の違いを抑制することができる。よって、立体構造を持つ成膜対象部材の表面に成膜材料を噴霧することによって成膜する場合に、その表面上の凸部や凹部の側壁面に成膜される膜厚のムラを抑制することができる。
スプレーガン4等の噴霧部材からレジスト材等の成膜材料を噴霧することによりシリコンウエハ20等の成膜対象部材の表面上にレジスト膜21等の膜を形成する成膜方法において、前記成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りで前記噴霧部材と該成膜対象部材とを相対回転させる相対回転工程と、互いに異なる2以上の相対回転位置で、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる噴霧工程とを有することを特徴とする。
本態様においては、成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りでの噴霧部材と成膜対象部材との相対回転位置が異なる状態で、成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して成膜材料を噴霧することができる。各相対回転位置における噴霧部材に対する各側壁面の向きは互いに異なるため、互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じる成膜材料付着量の違いは、相対回転位置ごとに異なるものとなる。よって、先の噴霧により互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じていた成膜材料付着量の違いを、後の噴霧により部分的に又は全面的に相殺することが可能である。したがって、噴霧部材に対する各側壁面の向きが固定されたままの従来のスプレーコーティング方法よりも、成膜対象部材の表面上に存在する互いに異なる方向を向いた側壁面間で生じ得る成膜材料付着量の違いを抑制することができる。よって、立体構造を持つ成膜対象部材の表面に成膜材料を噴霧することによって成膜する場合に、その表面上の凸部や凹部の側壁面に成膜される膜厚のムラを抑制することができる。
1 スプレーミスト
2 塗工液供給部
2A 塗工液
3 霧化エア供給部
3A 霧化エア
4 スプレーガン
5 塗工液ノズル
6 エアキャップ
7 塗工液流路
9 エア流路
10 スプレーコート成膜装置
11 加工ブース
12 加工テーブル
13 テーブル回転機構
14 マーク
15 XY走査機構
20 シリコンウエハ
20a,20b 側壁面
20c 平面部分
21 レジスト膜
30 制御部
2 塗工液供給部
2A 塗工液
3 霧化エア供給部
3A 霧化エア
4 スプレーガン
5 塗工液ノズル
6 エアキャップ
7 塗工液流路
9 エア流路
10 スプレーコート成膜装置
11 加工ブース
12 加工テーブル
13 テーブル回転機構
14 マーク
15 XY走査機構
20 シリコンウエハ
20a,20b 側壁面
20c 平面部分
21 レジスト膜
30 制御部
Claims (8)
- 噴霧部材から成膜材料を噴霧することにより成膜対象部材の表面上に膜を形成する成膜装置において、
前記成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りで前記噴霧部材と該成膜対象部材とを相対回転させる相対回転手段と、
互いに異なる2以上の相対回転位置で、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる制御を実行する制御手段とを有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置において、
前記2以上の相対回転位置には、互いに180°異なる相対回転位置が含まれることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1又は2に記載の成膜装置において、
前記制御手段は、下記の式(1)を満たすように、前記相対回転手段により角度αずつ前記相対回転位置をM回変更させるとともに、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して各相対回転位置につきb回ずつ前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる制御を実行することを特徴とする成膜装置。
α = (a × 360°) / (b × M) ・・・(1)
ただし、a、b、Mはいずれも自然数である。 - 請求項3に記載の成膜装置において、
前記a及びbは1であり、前記Mは2であることを特徴とする成膜装置。 - 請求項3に記載の成膜装置において、
前記a及びbは1であり、前記Mは4であることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の成膜装置において、
前記相対回転手段は、前記回転軸回りに前記成膜対象部材を回転させる成膜対象部材回転手段を含むことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の成膜装置において、
前記相対回転手段は、前記回転軸回りに前記噴霧部材を回転させる噴霧部材回転手段を含むことを特徴とする成膜装置。 - 噴霧部材から成膜材料を噴霧することにより成膜対象部材の表面上に膜を形成する成膜方法において、
前記成膜対象部材の表面法線方向に略平行な回転軸回りで前記噴霧部材と該成膜対象部材とを相対回転させる相対回転工程と、
互いに異なる2以上の相対回転位置で、前記成膜対象部材の表面上の同一箇所に対して前記噴霧部材から成膜材料を噴霧させる噴霧工程とを有することを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015203021A JP2017076692A (ja) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015203021A JP2017076692A (ja) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=58551501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015203021A Pending JP2017076692A (ja) | 2015-10-14 | 2015-10-14 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2017076692A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019102729A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 |
CN110687752A (zh) * | 2018-07-05 | 2020-01-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 湿空气制备装置、湿空气制备方法以及光刻装置 |
-
2015
- 2015-10-14 JP JP2015203021A patent/JP2017076692A/ja active Pending
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JP2019102729A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 |
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CN110687752A (zh) * | 2018-07-05 | 2020-01-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 湿空气制备装置、湿空气制备方法以及光刻装置 |
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