JP2017076352A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】検出特性の向上を図ることが可能なタッチ検出機能付き表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、画素配列において、互いに平行に配置され、画像の表示のとき、複数の画素に対して駆動信号を供給する複数の駆動電極とを備え、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、画素配列に配置された第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）に磁界を発生させるコイルクロック信号ＣＬＫが供給され、外部近接物体からの磁界が、平面視において第１駆動電極と交差する第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）によって検出される。
【選択図】図１６

Description

本発明は、表示装置に関し、特に外部近接物体を検出可能なタッチ検出機能付き表示装置に関する。
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、表示装置、例えば液晶表示装置上に装着または液晶表示装置と一体化され、タッチ検出機能付き表示装置として提供される。
外部近接物体として、例えばペンを用いることを可能にしたタッチパネルがある。ペンを用いることを可能とすることにより、例えば小さな領域を指定したり、手書き文字の入力が可能となる。ペンによるタッチを検出する技術は、種々ある。種々ある技術の一つとして、電磁誘導方式がある。この電磁誘導方式は、高精度、高い筆圧検出精度を実現することが可能であり、外部近接物体がタッチパネル表面から離間したホバリング検出機能も実現可能であるため、ペンによるタッチを検出する技術としては有力な技術である。
電磁誘導方式を用いたタッチ検出の技術は、例えば、特許文献１〜３に記載されている。
また、外部近接物体として、指等の検出が可能なタッチ検出装置がある。この場合、検出対象が、ペンと異なるため、タッチを検出する技術としては、電磁誘導方式とは異なる方式が採用されている。例えば、指等のタッチにより生じる光学的な変化、抵抗値の変化、あるいは電界の変化を検出する方式が存在する。これらの方式のなかで、電界の変化を検出する方式は、例えば静電容量を用いる静電容量方式がある。この静電容量方式は、比較的単純な構造を有し、低消費電力であるため、携帯情報端末などに用いられている。
特開平１０−４９３０１号公報 特開２００５−３５２５７２号公報 特開２００６−１６３７４５号公報
電磁誘導方式としては、ペンにコイルと容量を実装し、タッチパネルにおいて磁界を発生し、ペンに実装された容量に磁界エネルギーを蓄え、タッチパネルで検出する方式がある。この方式の場合には、タッチパネルにおいて磁界を発生し、ペンからの磁界エネルギーを受け取るセンサ板が必要とされる。タッチ検出機能付き表示装置を実現するために、センサ板を実装すると、タッチ検出機能付き表示装置の価格（生産コスト）が上昇することになる。また、静電容量方式の場合にも、タッチパネルに静電容量の変化を検出するための静電用電極が必要とされる。そのため、価格が上昇することになる。
本願発明者らは、ペンによるタッチの検出には、電磁誘導方式が適しており、指によるタッチの検出には、静電容量方式が適していると考えた。また、価格の上昇を抑制するために、電磁誘導方式で用いるタッチパネルと静電容量方式で用いるタッチパネルを、表示装置のレイヤ（層）で実現することを考えた。この場合、表示装置のレイヤにより構成される配線は、センサ板と比較すると、抵抗値が高く、また寄生容量も大きくなり、検出特性が悪くなることが考えられる。
特許文献１〜３には、電磁誘導方式を用いたタッチ検出装置が記載されている。しかしながら、ペンによるタッチの検出と指によるタッチの検出の両方が可能な技術は記載も、認識もされていない。
本発明の目的は、検出特性の向上を図ることが可能なタッチ検出機能付き表示装置を提供することにある。
本発明の一態様に係わる表示装置は、行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、画素配列において、互いに平行に配置され、画像の表示のとき、複数の画素に対して駆動信号を供給する複数の駆動電極とを備えている。磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、画素配列に配置された第１配線に、磁界を発生させる磁界駆動信号が供給され、外部近接物体からの磁界が、平面視において第１配線と交差する第２配線によって検出される。
第１配線に磁界駆動信号を供給して、磁界を発生した後、同じ第１配線を用いて、外部近接物体からの磁界を検出するようにした場合、磁界駆動信号の供給を停止しても、第１配線の抵抗値および第１配線の寄生容量によって、第１配線における電圧は変化している。そのため、外部近接物体からの磁界を検出するタイミングを遅らせることが要求される。これに対して、第１配線とは異なる第２配線を用いて、外部近接物体からの磁界が検出されるため、検出するタイミングを遅らせることが要求されない。そのため、タッチを検出する検出時間が長くなるのを防ぐことが可能となり、検出特性の向上を図ることが可能となる。また、外部近接物体からの磁界は、時間の経過とともに弱くなるが、検出するタイミングを遅くすることが要求されないため、強い磁界を検出することが可能となり、検出精度の向上も図れ、検出特性の向上を図ることが可能となる。
また、他の一態様に係わる表示装置は、第１主面を有する第１ガラス基板と、電位に従って透過率が変化する液晶層と、第１主面と、液晶層を挟んで、第１ガラス基板の第１主面と対向する第２主面を有する第２ガラス基板を備えている。ここで、第１ガラス基板の第１主面には、複数の信号線と、複数の駆動電極とが配置されている。平面視で見たとき、複数の信号線は、第１ガラス基板の第１主面において、互いに平行し、第１方向へ延在し、複数の駆動電極は、平面視で見たとき、第１ガラス基板の第１主面において、互いに平行し、複数の信号線とは電気的に分離されている。また、第２ガラス基板の第１主面には、複数の検出電極が配置されている。平面視で見たとき、複数の検出電極は、第２ガラス基板の第１主面において、互いに平行し、複数の駆動電極と交差するように配置されている。
さらに、表示装置は、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、複数の駆動電極のうちの複数の第１駆動電極によって構成される第１コイルに、駆動信号を供給する駆動回路と、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、複数の検出電極のうちの複数の第１検出電極によって構成される第２コイルにおける信号変化を検出する検出回路を備えている。
第１ガラス基板の第１主面に配置されている配線（信号線および駆動電極）に比べて、第２ガラス基板の第１主面に配置されている配線（検出電極）は少ない。そのため、第２ガラス基板の第１主面に配置されている検出電極と他の配線との間の寄生容量は小さくなる。これにより、外部近接物体からの磁界による第２コイルにおける信号変化が劣化するのを防ぐことが可能となる。また、駆動電極は、例えば補助電極によって、合成抵抗を小さくすることが可能であるため第１ガラス基板の第１主面において、強い磁界を発生することが可能となる。
第１コイルによって強い磁界を発生することが可能となり、第２コイルにおける信号変化の劣化を低減することが可能であるため、検出特性の向上を図ることが可能となる。
表示装置を有する電子装置とペンとの関係を示す説明図である。 （Ａ）〜（Ｄ）は、電磁誘導方式の原理を示す説明図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、表示装置の構成を示す平面図および断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、静電容量方式の原理を示す説明図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる表示装置を実装したモジュールの構成を示す平面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構造を示す断面図である。 実施の形態１に係わる表示装置の表示領域の構成を示す回路図である。 実施の形態１に係わる表示装置の磁界タッチ検出のときの構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる表示装置の電界タッチ検出のときの構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる表示装置の磁界タッチ検出のときの構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる表示装置の電界タッチ検出のときの構成を示すブロック図である。 実施の形態１に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、図１３に示した平面におけるＢ−Ｂ’断面およびＣ−Ｃ’断面の断面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１に係わる表示装置における検出電極の構成を示す平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１の変形例に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態１の変形例に係わる表示装置の平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態１の変形例に係わる表示装置の部分的な平面を示す平面図および断面図である。 実施の形態２に係わる表示装置の構成を示すブロック図である。 実施の形態２に係わる表示装置における信号線セレクタおよび切り換え回路の構成を示す回路図である。 実施の形態２に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態２に係わる表示装置における切り換え回路の構成を示す回路図である。 実施の形態２に係わる表示装置における切り換え駆動回路の構成を示す回路図である。 実施の形態２に係わる表示装置における検出制御回路の構成を示すブロック図である。 実施の形態２に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態２に係わる表示装置における切り換え増幅回路の構成を示す回路図である。 実施の形態２に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、図２７におけるＥ−Ｅ’断面およびＦ−Ｆ’断面の断面図である。 （Ａ）〜（Ｇ）は、実施の形態２に係わる表示装置の動作を示す波形図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、実施の形態２に係わる磁界タッチ検出を説明する説明図である。 実施の形態３に係わる表示装置の構成を示す平面図である。 実施の形態３に係わる表示装置における信号線の配置を示す平面図である。 実施の形態３に係わる表示装置における検出電極の配置を示す平面図である。 実施の形態４に係わる表示装置における切り換え制御駆動回路の構成を示す回路図である。 実施の形態４に係わる表示装置における切り換え制御駆動回路の構成を示す回路図である。
以下、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまでも一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
以下の説明は、タッチ検出機能付き表示装置としてタッチ検出機能付き液晶表示装置を例として述べる。しかしながら、これに限定されず、タッチ検出機能付きＯＬＥＤ表示装置にも適用することが可能である。
（実施の形態１）
実施の形態１では、ペンによるタッチと指によるタッチの両方を検出することが可能なタッチ検出機能付き液晶表示装置（本明細書においては、単に、液晶表示装置または表示装置とも称する）が提供される。先ず、ペンによるタッチを検出する基本原理および指によるタッチを検出する基本原理について説明する。
＜電磁誘導方式の基本原理＞
ペンによるタッチの検出は、電磁誘導方式を採用しているので、電磁誘導方式の基本原理を説明する。図１は、表示装置を有する電子装置とペンとの関係を模式的に示した説明図である。また、図２は、電磁誘導方式の原理を説明する説明図である。
図１において、電子装置は、金属カバーに納められた液晶表示装置１と、導光板と、磁性シートとを有している。同図には、液晶表示装置１の断面が、模式的に示されている。すなわち、液晶表示装置１は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｕｓｔｏｒ）ガラス基板（第１基板、第１ガラス基板）ＴＧＢと、このＴＦＴガラス基板ＴＧＢに積層されたセンサレイヤ、カラーフィルタおよびＣＦ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）ガラス基板（第２基板、第２ガラス基板）ＣＧＢを備えている。ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成されたセンサレイヤによって、複数のコイルが形成される。
また、外部近接物体に該当するペンには、コイルと容量素子とが内蔵されている。図１では、容量素子は省略されているが、ペンに内蔵されているコイルが、ペン内コイルＬ１として模式的に示されている。ペン内コイルＬ１（以下、単にコイルＬ１とも称する）とセンサレイヤによって形成されたコイルとの間は、磁界によって結合される。図１では、センサレイヤによって形成されたコイルは省略されているが、説明の都合上、センサレイヤによって形成されたコイルを、コイルＬ２として説明する。
なお、模式的に液晶表示装置１の構造を示すために、図１では省略されているが、例えばＴＦＴガラス基板ＴＧＢとカラーフィルタ基板との間には図示しない液晶層が挟まれている。また、磁性シートと液晶表示装置１との間に挟まれるように、導光板が配置され、導光板は、固定部で固定されている。
ペンが、電子装置に近接することにより、コイルＬ１が、センサレイヤによって形成されたコイルＬ２に近接することになる。これにより、コイルＬ１とコイルＬ２との間に磁界結合が発生し、ペンが近接したことが検出される。
この検出を、図２を用いて説明する。図２（Ａ）は、コイルＬ２が磁界を発生している状態を示しており、図２（Ｂ）は、コイルＬ１が磁界を発生している状態を示している。
図２において、コイルＬ２とペン内容量素子（以下、単に容量素子とも称する）Ｃとは並列的に接続されており、共振回路を構成している。コイルＬ１は、センサレイヤによって形成された１回巻線のコイルが例として示されており、１対の端子を有している。タッチを検出するとき（タッチ検出のとき）、図２（Ａ）に示すように、コイルＬ２の一方の端子ＰＴは、所定時間、送信アンプＡＰ１の出力に接続される。その後、所定時間経過したところで、図２（Ｂ）に示すように、コイルＬ２の端子ＰＴは、受信アンプＡＰ２の入力に、所定時間、接続される。また、コイルＬ２の他方の端子は、図２（Ａ）および（Ｂ）に示すように、タッチ検出のとき、接地電圧Ｖｓに接続されている。
図２（Ｃ）および（Ｄ）は、タッチ検出のときの動作を示す波形図である。図２（Ｃ）および（Ｄ）において、横軸は、時間を示しており、図２（Ｃ）は、送信アンプＡＰ１の出力の波形を示しており、図２（Ｄ）は、受信アンプＡＰ２の出力の波形を示している。
コイルＬ２の一方の端子ＰＴが、送信アンプＡＰ１の出力に接続されているとき、送信アンプＡＰ１の入力には、周期的に変化する送信信号ＩＮが供給される。これにより、送信アンプＡＰ１は、送信信号ＩＮの変化に従って、周期的に変化する駆動信号φ１を、図２（Ｃ）に示すように、所定時間（磁界発生期間）ＴＧ、コイルＬ２の一方の端子ＰＴに供給する。この駆動信号φ１に従って、コイルＬ２が磁界を発生する。このときの磁力線が、図２（Ａ）ではφＧとして示されている。
磁力線φＧは、コイルＬ２の巻線を中心として発生するため、コイルＬ２の内側の磁界が強くなる。コイルＬ１が、コイルＬ２に近接し、例えば図２（Ａ）に示すように、コイルＬ１の中心軸ＬＯが、コイルＬ２の内側に存在すると、コイルＬ１に、コイルＬ２の磁力線が到達する。すなわち、コイルＬ１が、コイルＬ２において発生している磁界内に配置され、コイルＬ１とコイルＬ２とが磁界結合されることになる。コイルＬ２は、駆動信号φ１の変化に従って、周期的に変化する磁界を発生する。そのため、コイルＬ２とコイルＬ１間の相互誘導の作用により、コイルＬ１には、誘起電圧を発生する。容量素子Ｃは、コイルＬ１によって発生した誘起電圧によって充電される。
所定時間が経過したところで、コイルＬ２の一方の端子ＰＴは、所定時間（磁界検出期間）ＴＤ、受信アンプＡＰ２の入力に接続される。磁界検出期間ＴＤにおいては、先の磁界発生期間ＴＧにおいて容量素子Ｃが、充電されていれば、容量素子Ｃに充電された電荷によって、コイルＬ１が、磁界を発生する。図２（Ｂ）には、容量素子Ｃに充電された電荷によって発生したコイルＬ１の磁力線が、φＤとして示されている。
タッチ検出のとき、すなわち、磁界発生期間ＴＧおよび磁界検出期間ＴＤのとき、コイルＬ１が、コイルＬ２に近接していれば、磁界発生期間ＴＧのとき、容量素子Ｃに充電が行われ、磁界検出期間ＴＤのとき、コイルＬ１の磁力線φＤが、コイルＬ２に到達する。コイルＬ１と容量素子Ｃとにより共振回路が構成されているため、コイルＬ１の発生する磁界は、共振回路の時定数に従って変化する。コイルＬ１が発生する磁界が変化することにより、コイルＬ２に誘起電圧が発生する。この誘起電圧によって、コイルＬ２の一方の端子ＰＴにおいて、信号が変化する。この信号の変化が、検出信号φ２として、磁界検出期間ＴＤのとき、受信アンプＡＰ２に入力され、増幅され、センサ信号ＯＵＴとして受信アンプＡＰ２から出力される。
一方、タッチ検出のとき、コイルＬ１が、コイルＬ２に近接していなれば、磁界発生期間ＴＧのとき、容量素子Ｃは充電されない、または充電された電荷量が少なくなる。その結果、磁界検出期間ＴＤのとき、コイルＬ１が発生する磁界の磁力線φＤは、コイルＬ２に到達しない、または到達する磁力線φＤが弱くなる。そのため、磁界検出期間ＴＤのとき、コイルＬ２の一方の端子ＰＴにおける検出信号φ２は変化しない、または信号変化が小さくなる。
図２（Ｃ）および（Ｄ）には、コイルＬ１が、コイルＬ２に近接しているときと、近接していないときの両方の状態が示されている。すなわち、図２（Ｃ）および（Ｄ）において、左側には、コイルＬ１がコイルＬ２に近接していないときの状態が示されており、右側には、コイルＬ１がコイルＬ２に近接しているときの状態が示されている。そのため、図２（Ｄ）において、左側に示した磁界検出期間ＴＤ（ペン無し）では、検出信号φ２は変化しておらず、右側に示した磁界検出期間ＴＤ（ペン有り）では、検出信号φ２が変化している。検出信号φ２が変化している場合を、ペン有りと判定し、検出信号φ２が変化していない場合を、ペン無しと判定することにより、ペンによるタッチを検出することができる。
図２では、ペン有りとペン無しの判定を示したが、コイルＬ１とコイルＬ２との間の距離に従って、検出信号φ２の値が変化するため、ペンとセンサ板との間の距離あるいはペンの筆圧を判定することも可能である。
なお、コイルＬ２の端子ＰＴを、送信アンプＡＰ１の出力から受信アンプＡＰ２の入力へ切り替えるときは、センサレイヤによって形成されたコイルＬ２に蓄積されたエネルギーが放電するまでの所定時間だけ、コイルＬ２の端子ＰＴをフローティング状態にし、所定時間後に端子ＰＴを受信アンプＡＰ２の入力に接続する。
このように、タッチ検出期間において、ペンが、センサレイヤによって形成されたコイルＬ２に近接（接触を含む）していると、磁界検出期間ＴＤのとき、受信アンプＡＰ２の出力信号は変化する。一方、ペンが、コイルＬ２に近接（接触を含む）していないと、磁界検出期間ＴＤのとき、受信アンプＡＰ２の出力信号は変化しない。すなわち、ペンがセンサレイヤによって形成されたコイルＬ２の近傍をタッチしているか否かを、受信アンプＡＰ２の出力信号によって、検出することが可能となる。また、コイルＬ２とコイルＬ１とが近接している場合、その間の距離に従って、コイルＬ１からコイルＬ２へ与えられる磁界エネルギーが変化するため、受信アンプＡＰ２の出力信号の値から、ペンの筆圧も判定することが可能となる。
＜静電容量方式の基本原理＞
次に、指によるタッチを検出する方式を説明する。この実施の形態１では、指によるタッチの検出は、静電容量方式を採用しているので、静電容量方式の基本原理を説明する。図３は、液晶表示装置１の構成を模式的に示す図である。ここで、図３（Ａ）は、液晶表示装置１の平面を、模式的に示した平面図であり、図３（Ｂ）は、液晶表示装置１の断面を、模式的に示した断面図である。図３（Ｂ）では、図１に示した液晶表示装置１の断面がより詳しく描かれている。
図３（Ａ）において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢ（第１ガラス基板）の第１主面ＴＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された駆動電極を示している。また、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ＣＦガラス基板ＣＧＢ（第２ガラス基板）の第１主面ＣＳＦ１に形成されたレイヤによって構成された検出電極を示している。ＴＦＴガラス基板ＴＧＢは、第１主面ＴＳＦ１と、この第１主面ＴＳＦ１と対向する第２主面ＴＳＦ２（図３（Ｂ））を備えている。ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１には、複数のレイヤが形成されているが、図３では、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を構成するレイヤのみが示されている。
ＣＦガラス基板ＣＧＢも、第１主面ＣＳＦ１と、この第１主面ＣＳＦ１と対向する第２主面ＣＳＦ２（図３（Ｂ））を備えている。図３では、第１主面ＣＳＦ１に配置された検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を形成するレイヤのみが描かれている。理解を容易にするために、図３（Ａ）では、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢとＣＦガラス基板ＣＧＢとが分離して、描かれているが、具体的には、図３（Ｂ）に示すように、液晶層を挟んで、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１とＣＦガラス基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように配置されている。
図３（Ｂ）に示すように、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１と、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、複数のレイヤと、液晶層等が挟まれているが、図３では、第１主面ＴＳＦ１と第２主面ＣＳＦ２との間に挟まれた駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｎ＋２）、液晶層およびカラーフィルタのみが示されている。また、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、図３（Ａ）に示すように複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と偏光板が配置されている。図３（Ｂ）では、複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、検出電極ＲＬ（ｎ）のみが、検出電極の例として示されている。
本明細書では、液晶表示装置１を、図３（Ｂ）に示すように、ＣＦガラス基板ＣＧＢおよびＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見たときの状態を、平面視として説明する。すなわち、平面視において、ＣＦガラス基板ＣＧＢおよびＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＣＳＦ１、ＴＳＦ１側から見た場合を説明している。そのため、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１側に、検出電極および偏光板が配置されていると述べたが、見る方向が変われば、例えば検出電極および偏光板は、ＣＦガラス基板ＣＧＢの右側、左側あるいは下側に配置されていることになる。図３（Ｂ）において、１３は、検出電極ＲＬ（ｎ）に接続された増幅回路を示している。
第１主面ＣＳＦ１およびＴＳＦ１側から、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１において、図３（Ａ）に示すように、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行に配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、図３（Ａ）に示すように、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。
図３（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の間には、ＣＦガラス基板ＣＧＢ、液晶層等が介在している。そのため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、平面視で見たときには、交差しているが、互いに電気的に分離されている。駆動電極と検出電極との間には、容量が存在するため、図３（Ｂ）では、この容量が容量素子として破線で示されている。なお、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）間は、互いに分離されており、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）間も互いに分離されている。
駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、表示のときには、表示用の駆動信号（表示駆動信号）が供給され、指によるタッチを検出するときには、タッチ検出用の駆動信号が供給される。
この実施の形態１においては、指によるタッチの検出は、電界を用いて行い、ペンによるタッチの検出は、磁界（図１および図２参照）を用いて行う。そのため、本明細書においては、磁界を用いたタッチの検出を、磁界タッチ検出と称し、電界を用いたタッチの検出を、電界タッチ検出とも称する。後で説明するが、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、磁界タッチ検出のときにも、タッチ検出用の駆動信号が供給される。そのため、表示のときと、電界タッチ検出のときと、磁界タッチ検出のときにおいて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、それぞれに対応した駆動信号が供給されることになる。すなわち、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示のときと電界タッチ検出のときと磁界タッチ検出のときとで、共通に用いられる（兼用される）。共通に用いられるという観点で見た場合、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、共通電極と見なすことができる。
電界タッチ検出の期間においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）には、電界用の駆動信号Ｔｘが供給される。タッチを検出するように選択された駆動電極に対しては、電圧が周期的に変化する信号が、駆動信号Ｔｘとして供給され、タッチを検出しないように非選択とされた駆動電極には、例えば所定の固定電圧が駆動信号Ｔｘとして供給される。電界タッチ検出の期間において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、例えばこの順番で順次、選択される。図３（Ａ）では、駆動電極ＴＬ（２）に、周期的に電圧が変化する信号が駆動信号Ｔｘ（２）として供給されている状態が示されているが、例えば、駆動電極ＴＬ（０）からＴＬ（ｐ）へ向けて、順次、駆動電極が選択され、周期的に電圧が変化する駆動信号が供給されることになる。
これに対し、表示の期間においては、所定の固定電圧あるいは表示すべき画像に応じた電圧が、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）へ、表示駆動信号として供給される。
次に、図４を用いて、静電容量方式の基本原理を説明する。図４において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、図３に示した駆動電極であり、ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図３に示した検出電極である。図４（Ａ）において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、行方向に延在し、列方向に平行して配置されている。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差するように、列方向に延在し、行方向に平行して配置されている。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間に隙間が生じるように、図３（Ｂ）に示したように、検出電極ＲＬ（０）〜Ｒ（ｐ）と駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との間には、液晶層等が配置されている。
図４（Ａ）において、１２−０〜１２−ｐのそれぞれは、単位駆動電極ドライバを模式的に示している。同図では、単位駆動電極ドライバ１２−０〜１２−ｐから、駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）が出力される。また、１３−０〜１３−ｐのそれぞれは、単位増幅回路を模式的に示している。図４（Ａ）において、実線の○で囲んだパルス信号は、選択された駆動電極へ供給される駆動信号Ｔｘの波形を示している。外部検出物体として、同図では、指がＦＧとして示されている。
図４（Ａ）の例では、駆動電極ＴＬ（２）に、単位駆動電極ドライバ１２−２から駆動信号Ｔｘ（２）として、パルス信号が供給されている。駆動電極ＴＬ（２）にパルス信号である駆動信号Ｔｘ（２）を供給することにより、図４（Ｂ）に示すように、駆動電極ＴＬ（２）と交差する検出電極ＲＬ（ｎ）との間で電界が発生する。このとき、指ＦＧが、液晶パネルの駆動電極ＴＬ（２）に近接している位置をタッチしていると、指ＦＧと駆動電極ＴＬ（２）との間でも電界が発生し、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間で発生している電界が減少する。これにより、駆動電極ＴＬ（２）と検出電極ＲＬ（ｎ）との間の電荷量が減少する。その結果、図４（Ｃ）に示すように、駆動信号Ｔｘ（２）の供給に応答して生じる電荷量は、指ＦＧがタッチしているときは、タッチしていないときに比べてΔＱだけ減少する。電荷量の差は、電圧の差として検出信号Ｒｘ（ｎ）に表れ、単位増幅回路１３−ｎに供給され、増幅される。
なお、図４（Ｃ）において、横軸は時間を示しており、縦軸は電荷量を示している。駆動信号Ｔｘ（２）の立ち上がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、上側に増加）し、駆動信号Ｔｘ（２）の電圧の立ち下がりに応答して、電荷量は、増加（同図において、下側に増加）する。このとき、指ＦＧのタッチの有無によって、増加する電荷量が変わる。また、この図面では、電荷量が、上側に増加した後、下側へ増加する前に、リセットが行われており、同様に、電荷量が下側へ増加した後、上側へ増加する前に、電荷量のリセットが行われている。このようにして、リセットされた電荷量を基準として、上下に電荷量が変化する。言い換えるならば、タッチに応じて、検出電極ＲＬ（ｎ）に信号変化が発生する。
駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を、順次選択し、選択した駆動電極に、パルス信号である駆動信号Ｔｘ（０）〜Ｔｘ（ｐ）を、供給することにより、選択した駆動電極と交差する複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれから、それぞれの交差部分に近接した位置に指ＦＧがタッチしているか否かに応じた電圧値を有する検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が出力されることになる。電荷量に差ΔＱが生じている時刻において、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）のそれぞれを、サンプリングし、アナログ／デジタル変換部を用いて、デジタル信号へ変換する。変換されたデジタル信号を信号処理することにより、タッチされた位置の座標を抽出することが可能となる。
＜液晶表示装置の全体概要＞
図５は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。図５において、液晶表示装置１は、表示パネル（液晶パネル）、信号線セレクタ３、表示制御装置４、ゲートドライバ５およびタッチ制御装置６を備えている。また、液晶表示装置１は、切り換え駆動回路（駆動回路、第１切り換え回路）ＳＣ−Ｌ、切り換え駆動ＳＣ−Ｒ、検出制御回路ＳＲおよび切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰを備えている。表示パネルは、表示を行う表示領域（表示部）と周辺領域（周辺部）とを備えている。表示と言う観点で見た場合、表示領域はアクティブ領域であり、周辺領域は非アクティブ領域である。図５では、２が、表示領域（アクティブ領域）として示されている。
表示領域２は、複数の画素が行列状に配置された画素配列ＬＣＤを有している。後で図６〜図８等を用いて説明するが、画素配列ＬＣＤには、複数の信号線、複数の駆動電極（第１電極）、複数の走査線および複数の検出電極（第２電極）が配置されている。ここで、信号線は、画素配列ＬＣＤのそれぞれの列に配置され、駆動電極は、画素配列ＬＣＤの行に配置され、複数の走査線は、画素配列ＬＣＤのそれぞれの行に配置され、検出電極は、画素配列ＬＣＤの列に配置されている。
図５を参照にして述べると、信号線は、縦方向（列方向）に延在し、横方向（行方向）に平行に配置されている。また、駆動電極は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置されている。さらに、走査線は、横方向に延在し、縦方向に平行に配置され、検出電極は、縦方向に延在し、横方向に平行に配置されている。この場合、画素は、信号線と走査線とが交差する部分に配置されている。表示の期間（表示期間）においては、信号線と走査線により、画素が選択され、選択された画素には、そのときの信号線の電圧と、駆動電極の電圧が印加され、選択された画素は、信号線と駆動電極との間の電圧差に従った表示を行う。
表示制御装置４は、制御回路Ｄ−ＣＮＴと信号線ドライバＤ−ＤＲＶとを備えている。制御回路Ｄ−ＣＮＴは、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号と入力端子Ｔｉに供給される画像情報とを受け、入力端子Ｔｉに供給されている画像情報に従った画像信号Ｓｎを形成し、信号線ドライバＤ−ＤＲＶへ供給する。信号線ドライバＤ−ＤＲＶは、供給された画像信号Ｓｎを、表示のとき、時分割的に、信号線セレクタ３へ供給する。また、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、外部端子Ｔｔに供給されるタイミング信号とタッチ制御装置６からの制御信号ＳＷとを受け、種々の制御信号を形成する。制御回路Ｄ−ＣＮＴが形成する制御信号としては、信号線セレクタ３に供給される選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２、同期信号ＴＳＨＤ、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮ、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶ、タッチ検出に関する制御信号Ｔ−ＣＮＴ、コイルクロック信号ＣＬＫ等がある。
この実施の形態１に係わる液晶表示装置１は、磁界タッチ検出と電界タッチ検出とが可能となるようにされている。制御回路Ｄ−ＣＮＴにより形成される信号のうち、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、磁界タッチ検出の実行を示すイネーブル信号である。この磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、例えば磁界タッチ検出のとき、ハイレベルとなり、電界タッチ検出のとき、ロウレベルとなる。また、同期信号ＴＳＨＤは、表示領域２において表示を行う期間（表示期間）とタッチ検出を行う期間（タッチ検出期間）とを識別する同期信号である。同期信号ＴＳＨＤが、表示期間を示しているとき、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、ロウレベルとなる。
この実施の形態１においては、磁界タッチ検出のとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、周期的に電圧が変化するコイルクロック信号ＣＬＫを発生し、電界タッチ検出のときには、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶを発生する。この実施の形態１においては、コイルクロック信号ＣＬＫと制御信号ＴＳＶは、後で説明するが、時分割的に同一の信号配線に供給される。そのため、図５では、コイルクロック信号ＣＬＫと制御信号ＴＳＶは、ＣＬＫ／ＴＳＶとして示されている。
信号線ドライバＤ−ＤＲＶは、表示期間において、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２に従って、時分割的に、画像信号Ｓｎを信号線セレクタ３へ供給する。信号線セレクタ３は、表示領域２に配置された複数の信号線に接続されており、表示期間のとき、供給されている画像信号を、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２に従って、適切な信号線へ供給する。このようにすることにより、表示制御装置４と信号線セレクタ３との間の信号配線の数を低減することが可能となっている。
ゲートドライバ５は、表示期間のとき、制御回路Ｄ−ＣＮＴからのタイミング信号に従って走査線信号Ｖｓ０〜Ｖｓｐを形成し、表示領域２内の走査線に供給する。表示期間においては、ハイレベルの走査線信号が供給されている走査線に接続されている画素が選択され、選択された画素は、そのとき信号線に供給されている画像信号に従った表示を行う。
タッチ制御装置６は、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）を受ける検出回路ＤＥＴと、検出回路ＤＥＴからの検出信号ＳＥ−Ｏに対して処理を行い、タッチされた位置の座標を抽出する処理回路ＰＲＳと、制御回路Ｔ−ＣＮＴを備えている。制御回路Ｔ−ＣＮＴは、表示制御装置４から同期信号ＴＳＨＤおよび磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮを受け、タッチ制御装置６が、表示制御装置４に同期して動作するように制御する。
すなわち、制御回路Ｔ−ＣＮＴは、同期信号ＴＳＨＤがタッチ検出期間を示しているとき、検出回路ＤＥＴおよび処理回路ＰＲＳが、動作するように制御する。また、制御回路Ｔ−ＣＮＴは、特に制限されないが、検出回路ＤＥＴからの検出信号を受け、制御信号ＳＷを形成し、制御回路Ｄ−ＣＮＴへ供給する。処理回路ＰＲＳは、抽出した座標を、座標情報として、外部端子Ｔｏから出力する。
表示領域２は、画素配列ＬＣＤの行に平行した辺２−Ｕ、２−Ｄと、画素配列ＬＣＤの列に平行した辺２−Ｒ、２−Ｌを有している。ここで、辺２−Ｕと辺２−Ｄは、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列ＬＣＤにおける複数の駆動電極と複数の走査線が挟まれるように配置されている。また、辺２−Ｕと辺２−Ｄも、互いに対向した辺であり、この２辺の間に、画素配列ＬＣＤにおける複数の信号線と複数の検出電極が挟まれるように配置されている。
表示領域２に配置された複数の検出電極は、表示領域２の辺２−Ｄの近傍において、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰには、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが供給されている。切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによって磁界タッチ検出が指示されているとき、検出電極によってコイルを構成し、構成したコイルの一方の端部に接地電圧Ｖｓを供給するとともに、コイルの他方の端部における信号変化を増幅する。一方、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなり、電界タッチ検出が指示されているときには、検出電極における信号変化を増幅する。切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰによって増幅された信号変化は、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴへ供給される。
切り換え回路ＳＣ−Ｒは、表示パネルの周辺領域であって、表示領域２の辺２−Ｒに沿って配置されている。また、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌも、表示パネルの周辺領域であって、表示領域２の辺２−Ｌに沿って配置されている。切り換え回路ＳＣ−Ｒは、表示領域２の辺２−Ｒ側において、表示領域２に配置されている複数の駆動電極に接続され、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌは、表示領域２の辺２−Ｌ側において、表示領域２に配置されている複数の駆動電極に接続されている。すなわち、切り換え回路ＳＣ−Ｒおよび切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌは、表示パネルの周辺領域（外部）に配置され、表示領域２の辺の近傍において、表示領域２に配置されている駆動電極と接続されている。
検出制御回路ＳＲは、特に制限されないが、表示パネルの周辺領域であって、表示領域２の辺２−Ｌに沿って配置されており、同じ辺２−Ｌに沿って配置された切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌに対応し、タッチ検出（磁界タッチ検出および電界タッチ検出）期間において、対応する切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌを制御する。
上記した切り換え回路ＳＣ−Ｒは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮを受け、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、磁界タッチ検出を示しているとき、すなわちハイレベルのとき、表示領域２の辺２−Ｒの近傍において、所定の駆動電極間を電気的に接続する。一方、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、ロウレベルのときに、切り換え回路ＳＣ−Ｒは、表示領域２の辺２−Ｒの近傍において、駆動電極間を電気的に分離する。
上記した切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌには、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣ、接地電圧（第１電圧）Ｖｓ、コイルクロック信号ＣＬＫおよび制御信号ＴＳＶが供給されている。また、検出制御回路ＳＲには、制御信号Ｔ−ＣＮＴおよび磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが供給されている。
この実施の形態１においては、磁界タッチ検出のときと電界タッチ検出のときの両方において、表示領域２に配置されている駆動電極と検出電極が、タッチを検出するために用いられる。すなわち、磁界タッチ検出のとき、駆動電極によってコイル（第１コイル）か構成され、構成されたコイルのうち選択されたコイルの一方の端部および他方の端部に、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌから接地電圧Ｖｓおよび磁界用の駆動信号（磁界駆動信号）が供給される。また、磁界タッチ検出のとき、表示領域２に配置された検出電極によってコイル（第２コイル）が構成され、コイルの一方の端部に接地電圧Ｖｓが供給される。磁界タッチ検出のとき、ペンが発生した磁界は、検出電極よって構成されたコイルの他方の端部において検出される。すなわち、コイルの他方の端部における信号変化が切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰによって増幅され、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴへ供給される。
また、電界タッチ検出のときには、表示領域２に配置されている駆動電極に、電界を発生させるための電界駆動信号が、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌから駆動電極に供給される。このとき、検出電極における信号変化が、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰによって増幅され、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴへ供給される。
切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌ、検出制御回路ＳＲおよび切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰについて、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときの動作概要を述べると、次のようになる。
タッチ検出期間において、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮにより磁界タッチ検出が指定されている場合、切り換え回路ＳＣ−Ｒによって、所定の駆動電極間が電気的に接続される。これにより、表示領域２に配置された複数の駆動電極により、複数のコイルが構成される。切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌは、構成された複数のコイルから選択されたコイルの一方の端部および他方の端部に対して、接地電圧Ｖｓおよびコイルクロック信号ＣＬＫ（磁界駆動信号）を供給するように、検出制御回路ＳＲによって制御される。選択されたコイルには、接地電圧Ｖｓとコイルクロック信号ＣＬＫが供給されるため、コイルクロック信号ＣＬＫの電圧変化に応じて変化する磁界が発生する。磁界タッチ検出のとき、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、表示領域２に配置されている複数の検出電極によって構成されている複数のコイルの一方の端部に接地電圧Ｖｓを供給し、コイルの他方の端部における信号変化を増幅する。ペンが磁界を発生している場合、ペンが発生している磁界が、検出電極によって構成されたコイルにより検出され、増幅されて、検出回路ＤＥＴへ供給されることになる。
このように、磁界タッチ検出のときには、それぞれ駆動電極で構成された複数のコイルのうち、選択されたコイルにおいて磁界が発生する。このとき、選択されたコイルの近傍に、図１に示したペン（コイルＬ１と容量素子Ｃを有する）が、存在していると、容量素子Ｃが充電されることになる。充電により蓄積された電荷によって、ペン内のコイルＬ１が、磁界を発生すると、検出電極によって構成されたコイルの他方の端部には、その一方の端部に供給されている接地電圧Ｖｓを基準とした信号変化が発生することになる。これにより、ペンが、選択されたコイルの近傍に存在しているか否かの検出を行うことが可能となる。
これに対して、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルにされ、電界タッチ検出が指定されている場合、切り換え回路ＳＣ−Ｒは、駆動電極間を電気的に分離する。また、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌは、選択された駆動電極に対して、その電圧が周期的に変化する制御信号ＴＳＶを電界駆動信号として供給するように、検出制御回路ＳＲにより制御される。このとき、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、検出電極における信号変化を、増幅して、検出回路ＤＥＴへ供給する。
このように、電界タッチ検出のときには、選択された駆動電極に、電界駆動信号が供給されるため、図４で説明したように、選択された駆動電極の近傍に、指が存在するか否かに応じて、検出電極における信号変化が変わる。その結果、指の存在を検出することが可能となる。
検出制御回路ＳＲは、例えばシフトレジスタを備えている。このシフトレジスタは、駆動電極によって構成されるコイルにそれぞれ対応した複数の段を有している。制御信号Ｔ−ＣＮＴによって、シフトレジスタを構成する複数の段のうちの所定の段が、所定の値に設定される。例えば、表示領域２の辺２−Ｕに最も近接した駆動電極により構成されるコイルに対応する段が、シフトレジスタの初段とされ、この初段に所定の値が設定される。磁界タッチ検出（または電界タッチ検出）を行う度に、シフトレジスタに設定された値は、順次シフトする。シフトレジスタを移動する所定の値が、選択するコイルを指定する情報とされる。これにより、磁界タッチ検出（または電界タッチ検出）が実行される毎に、表示領域２の辺２−Ｕから辺２−Ｄに向かって配置されているコイル（または駆動電極）が選択されることになり、表示領域２の全面で、ペン（または指）のタッチを検出することが可能となる。
なお、表示のときには、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌは、表示領域２に配置された複数の駆動電極に、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣを供給するように、検出制御回路ＳＲによって制御される。これにより、表示のときには、それぞれの駆動電極に、表示駆動信号（電圧ＶＣＯＭＤＣ）が供給されることになる。
＜液晶表示装置１のモジュール構成＞
図６は、液晶表示装置１を実装したモジュール６００の全体構成を示す模式的な平面図である。模式的ではあるが、図６は、実際の配置に合わせて描かれている。同図において、６０１は、図３で示したＴＦＴガラス基板ＴＧＢの領域を示しており、６０２は、図３で示したＴＦＴガラス基板ＴＧＢとＣＦガラス基板ＣＧＢとが積層された領域を示している。モジュール６００において、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢは、領域６０１と６０２において一体となっている。すなわち、領域６０１と領域６０２において、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢは共通である。また、領域６０２においては、図３に示したように、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１とＣＦガラス基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２とが対向するように、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢにＣＦガラス基板ＣＧＢが搭載されている。
図６において、６００−Ｕは、モジュール６００の短辺を示しており、６００−Ｄは、モジュール６００の辺であって、短辺６００−Ｕと対向する短辺を示している。また、６００−Ｌは、モジュール６００の長辺を示しており、６００−Ｒは、モジュール６００の辺であって、長辺６００−Ｌに対向する長辺を示している。
領域６０２であって、表示領域２の辺２−Ｌとモジュール６００の長辺６００−Ｌとの間の領域には、図５で示したゲートドライバ５、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲが配置されている。また、表示領域２の辺２−Ｒとモジュール６００の長辺６００−Ｒとの間の領域には、図５で示した切り換え回路ＳＣ−Ｒが配置されている。表示領域２の辺２−Ｄとモジュール６００の短辺６００−Ｄとの間の領域には、図５で示した信号線セレクタ３、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰおよびドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが配置されている。
この実施の形態１においては、図５に示した信号線ドライブＤ−ＤＲＶおよび制御回路Ｄ−ＣＮＴは、１個の半導体装置に内蔵されている。本明細書においては、この１個の半導体装置が、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣとして示されている。また、図５に示したタッチ制御装置６も、１個の半導体装置に内蔵されている。本明細書においては、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣと区別するために、タッチ制御装置６を内蔵した半導体装置をタッチ用半導体装置６と称する。勿論、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣおよびタッチ用半導体装置６のそれぞれは、複数の半導体装置で構成してもよいし、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣとタッチ用半導体装置６を１個の半導体装置で構成するようにしてもよい。
この実施の形態１においては、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、領域６０１に配置されており、領域６０１のＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された配線および部品により構成されている。部品としては、スイッチ部品があり、スイッチ部品は例えば電界効果型トランジスタ（以下、ＭＯＳＦＥＴと称する）である。また、平面視で見たとき、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰを覆うように、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに実装されている。これにより、表示領域２の下側額縁が大きくなるのを抑制することが可能となる。また、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲを構成する部品も、領域５０２におけるＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成されている。
図５において説明した検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、特に制限されないが、フレキシブルケーブルＦＢ１に伝達される。フレキシブルケーブルＦＢ１には、タッチ用半導体装置６が実装されており、フレキシブルケーブルＦＢ１内の配線を介して、タッチ用半導体装置６に検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）が供給される。また、領域６０１には、フレキシブルケーブルＦＢ２が接続されており、このフレキシブルケーブルＦＢ２には、コネクタＣＮが実装されている。このコネクタＣＮを介して、タッチ用半導体装置６とドライブ用半導体装置ＤＤＩＣとの間で信号の送受信が行われる。図６には、送受信される信号の例として、同期信号ＴＳＨＤが描かれている。勿論、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）は、フレキシブルケーブルＦＢ２およびコネクタＣＮを介して、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰから、タッチ用半導体装置６へ供給するようにしてもよい。
表示領域２には、既に述べたように、複数の画素が行列状に配置された画素配列を有しており、画素配列は、配列の行に沿って配置された複数の駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、配列の列に沿って配置された複数の信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）とを備えている。図６には、例として、２個の駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と２個の信号配線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）とが示されている。なお、図６では、走査線と検出電極は、省略されているが、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）のそれぞれは、例示した駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｍ）と平行して、延在しており、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、例示した信号線ＳＬ（ｋ）、ＳＬ（ｎ）と平行して、延在している。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）あるいは駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）との交差部分には、画素が配置されている。図６に示した表示領域２の４辺に明示してあるＲ、Ｇ、Ｂは、３原色に対応した画素を示している。
＜表示領域の構造＞
図７は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１に含まれる表示領域２の構造を示す断面図である。表示という観点で見た場合、表示パネルの表示部である表示領域２（第１領域）は、アクティブな領域（アクティブ領域）であり、表示パネルの周辺部（表示領域２の外部）の領域（第２領域）は非アクティブな領域（非アクティブ領域）あるいは周辺領域と見なすことができる。この場合、図６を例にして説明すると、アクティブ領域は、表示領域２の辺２−Ｕ、２−Ｄ、２−Ｒおよび２−Ｌによって囲まれた領域となる。
図７は、図６に示した表示領域２のＡ−Ａ’断面を示している。この実施の形態１においては、カラー表示を行うために、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の３原色のそれぞれに対応した３個の画素を用いて、１個のカラー画素を表示する。すなわち、１個のカラー画素が、３個の副画素により構成されていると見なすことができる。この場合、表示期間において、カラー画像信号を伝達する信号線は、それぞれ３個の信号線により構成されることになる。図７においては、具体的に表示領域２の構造を示すために、カラー表示を行う場合を説明する。
図７を説明する前に、図７で用いる信号線の符号を説明しておく。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のそれぞれは、表示期間において、カラー画像信号を伝達する信号線を示している。それぞれの信号線は、３個の副画素に画像信号を伝達する３個の信号線を有している。図７においては、信号線の符号の後に対応する副画素の英字を付して、３個の信号線を区別している。信号線ＳＬ（ｎ）を例にすると、信号線ＳＬ（ｎ）は、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）ＧおよびＳＬ（ｎ）Ｂを有している。ここで、符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｒは、三原色の赤（Ｒ）を示しており、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒは、表示期間においては、三原色の赤に対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示している。符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｇは、三原色の緑（Ｇ）を示しており、信号線ＳＬ（ｎ）Ｇは。三原色の緑に対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示している。また、符号ＳＬ（ｎ）の後に付した英字Ｂは、三原色の青（Ｂ）を示しており、信号線ＳＬ（ｎ）Ｂに対応する副画素へ画像信号を伝達する信号線を示している。
図７において、７００は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢを示している。ＴＦＴガラス基板（ＴＧＢ）７００の第１主面ＴＳＦ１には、第１配線層（導電層）７０１が形成されている。この第１配線層７０１に形成された配線によって、走査線ＧＬ（ｎ）が構成される。第１配線層７０１上には、絶縁層７０２が形成されており、絶縁層７０２上には、第２配線層（導電層）７０３が形成されている。第２配線層７０３に形成された配線によって、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ、信号線ＳＬ（ｎ＋１）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｇ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｂおよび信号線ＳＬ（ｎ＋２）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋２）Ｇが構成されている。同図では、これらの信号線が第２配線層７０３によって構成されていることを示すために、信号線の符号の後に、第２配線層を示す符号７０３を［］内に記載している。例えば、信号線ＳＬ（ｎ）Ｇは、ＳＬ（ｎ）Ｇ［７０３］として示されている。
第２配線層７０３上には、絶縁層７０４が形成され、絶縁層７０４上には、第３配線層（導電層）７０５が形成されている。第３配線層７０５に形成された配線によって、駆動電極ＴＬ（ｎ）と補助電極ＳＭが構成されている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、透明電極（第１電極）である。また、補助電極ＳＭ（第２電極）は、駆動電極ＴＬ（ｎ）よりも抵抗値が低く、駆動電極ＴＬ（ｎ）と電気的に接続するように形成されている。透明電極である駆動電極ＴＬ（ｎ）の抵抗値は、比較的高いが、補助電極ＳＭを駆動電極ＴＬ（ｎ）と電気的に接続することにより、合成抵抗により駆動電極の抵抗を低減することが可能となっている。ここでも、駆動電極および補助電極の符号に付された［７０５］は、第３配線層７０５により構成されていることを示している。
第３配線層７０５上には、絶縁層７０６が形成され、絶縁層７０６の上面には画素電極ＬＤＰが形成されている。図７において、ＣＲ、ＣＢ、ＣＧのそれぞれは、カラーフィルタである。カラーフィルタＣＲ（赤）、ＣＧ（緑）、ＣＢ（青）と絶縁層７０６との間には液晶層７０７が挟まれている。ここで、画素電極ＬＤＰは、信号線と走査線に囲まれており、各画素電極ＬＤＰに対向して、それぞれの画素電極ＬＤＰに対応したカラーフィルタＣＲ、ＣＧあるいはＣＢが設けられている。各カラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢ間にはブラックマトリクスＢＭが設けられている。
また、図７では、省略されているが、図３（Ｂ）に示したように、ＴＦＴガラス基板７００の第１主面ＴＳＦ１と対向するようにＣＦガラス基板ＣＧＢが積層されている。ＣＦガラス基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２に、上記したカラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢが形成されている。言い換えるならば、上記した第１配線層〜第３配線層、絶縁層、液晶層７０７を挟んで、ＴＦＴガラス基板（ＴＧＢ）７００にＣＦガラス基板ＣＧＢが積層され、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２にカラーフィルタＣＲ、ＣＧ、ＣＢが形成されている。図７では省略されているが、図３（Ｂ）に示したように、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、第４配線層（導電層）が形成され、第４配線層の配線によって、図３〜図６等で説明した検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が構成されている。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の上面には、さらに、図３に示すように、偏光板が配置されている。
このように、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１には、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび駆動電極ＴＬが配置されている。また、液晶層等によって、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢから隔離されたＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、検出電極ＲＬが配置されている。
ここで、上記した第１〜第４配線層の一例を述べておくと、第１配線層７０１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）により形成され、第２配線層７０３および第４配線層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）で形成される。第３配線層７０５のうち、駆動電極に対応する配線層は、例えば酸化インジウムスズで形成され、補助電極ＳＭに対応する配線層は、例えばアルミニウムまたは銅によって形成される。
第２配線層７０３および第４配線層が、アルミニウムまたは銅で形成されるため、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）および検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）の抵抗値は、例えば走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）等に比べると小さくなる。また、アルミニウムまたは銅によって補助電極ＳＭが形成され、補助電極ＳＭは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に接続されているため、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）の抵抗値も小さくなっている。
本明細書においては、特に明示しない限り、駆動電極は、補助電極ＳＭが電気的に接続された状態の駆動電極を意味している。すなわち、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、透明電極と、透明電極に電気的に接続された補助電極ＳＭとを意味している。また、本明細書においては、説明を容易にするために、「〜上に、・・・が形成されている」旨の表現を用いている。例えば、「第１配線層７０１上には、絶縁層７０２が形成され」と言う表現を用いている。本明細書で用いている「上」は、接していてもよいし、接していなくてもよいことを意味している。先の例を用いて述べるならば、「絶縁層７０２」は、「第１配線層７０１」に接していてもよいし、接していなくてもよいことを意味している。
＜画素配列＞
次に、表示領域２の回路構成を説明する。図８は、図５および図６に示した表示領域２の回路構成を示す回路図である。図８においても、信号線は、図７と同じ表示形式で表されている。同図において、一点鎖線で示した複数個のＳＰｉｘのそれぞれは、１個の液晶表示素子（副画素）を示している。副画素ＳＰｉｘは、表示領域２において、行列状に配置され、液晶素子配列（画素配列）ＬＣＤを構成している。画素配列ＬＣＤは、各行に配置され、行方向に延在する複数の走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、各列に配置され、列方向に延在する信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（０）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂとを具備している。また、画素配列ＬＣＤは、各行に配置され、行方向に延在する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と、各列に配置され、列方向に延在する検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を有している。
図８には、走査線ＧＬ（ｎ−１）〜ＧＬ（ｎ＋１）と、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒ、ＳＬ（ｎ）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ〜ＳＬ（ｎ＋１）Ｒ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｇ、ＳＬ（ｎ＋１）Ｂと、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）〜ＴＬ（ｎ＋１）に関する画素配列の部分が示されている。なお、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、図８では省略されている。
図８においては、説明を容易にするために、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）〜ＴＬ（ｎ＋１）が、それぞれの行に配置されているように、示されているが、複数の行に対して１個の駆動電極を配置するようにしてもよい。また、検出電極も、複数の列に対して１個の検出電極を配置するようにしてもよい。
画素配列ＬＣＤの行と列の交点に配置されたそれぞれの副画素ＳＰｉｘは、ＴＦＴガラス基板（ＴＧＢ）７００に形成された薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタＴｒのソースに一方の端子が接続された液晶素子ＬＣとを具備している。画素配列ＬＣＤにおいて、同じ行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタＴｒのゲートは、同じ行に配置されている走査線に接続され、同じ列に配置された複数の副画素ＳＰｉｘの薄膜トランジスタＴｒのドレインは、同じ列に配置された信号線に接続されている。言い換えるならば、複数の副画素ＳＰｉｘが、行列状に配置され、各行には、走査線が配置され、走査線には、対応する行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘが接続されている。また、各列には信号線が配置され、信号線には、対応する列に配置された画素ＳＰｉｘが接続されている。また、同じ行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘの液晶素子ＬＣの他端は、行に配置された駆動電極に接続されている。
図８に示した例で説明すれば、同図において、最上段の行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれの薄膜トランジスタＴｒのゲートは、最上段の行に配置された走査線ＧＬ（ｎ−１）に接続されている。また、同図において、最も左側の列に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれの薄膜トランジスタＴｒのドレインは、最も左側の列に配置された信号線ＳＬ（ｎ）Ｒに接続されている。さらに、最上段の行に配置された複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれの液晶素子ＬＣの他端は、図８においては、最上段の行に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−１）に接続されている。
１個の副画素ＳＰｉｘが、先に述べたように、３原色の１つに対応する。従って、３個の副画素ＳＰｉｘによって、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色が構成される。図８では、同じ行に、連続的に配置された３個の副画素ＳＰｉｘによって、１つのカラー画素Ｐｉｘが形成され、当該画素Ｐｉｘにてカラーが表現される。すなわち、図８において、８００Ｒとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｒ（赤）の副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）とされ、８００Ｇとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｇ（緑）の副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）とされ、８００Ｂとして示されている副画素ＳＰｉｘが、Ｂ（青）の副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）とされる。そのために、８００Ｒとして示されている副画素ＳＰｉｘ（Ｒ）には、カラーフィルタとして赤色のカラーフィルタＣＲが設けられており、８００Ｇの副画素ＳＰｉｘ（Ｇ）には、カラーフィルタとして緑色のカラーフィルタＣＧが設けられており、８００Ｂの副画素ＳＰｉｘ（Ｂ）には、カラーフィルタとして青色のカラーフィルタＣＢが設けられている。
また、１つの画素を表す信号のうち、Ｒに対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｒに供給され、Ｇに対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｇに供給され、Ｂに対応する画像信号が、信号線セレクタ３から、信号線ＳＬ（ｎ）Ｂに供給される。
各副画素ＳＰｉｘにおける薄膜トランジスタＴｒは、特に制限されないが、Ｎチャンネル型ＭＯＳＦＥＴである。走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）には、例えばこの順番で順次ハイレベルとなるパルス状の走査線信号が、ゲートドライバ５（図５および図６）から供給される。すなわち、画素配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された走査線ＧＬ（０）から下段の行に配置された走査線ＧＬ（ｐ）に向かって、走査線の電圧が、順次ハイレベルとなる。これにより、画素配列ＬＣＤにおいて、上段の行に配置された副画素ＳＰｉｘから下段の行に配置された副画素ＳＰｉｘに向かって、副画素ＳＰｉｘにおける薄膜トランジスタＴｒが、順次オン状態となる。
薄膜トランジスタＴｒがオン状態となることにより、そのとき信号線に供給されている画像信号が、オン状態の薄膜トランジスタを介して、液晶素子ＬＣに供給される。液晶素子ＬＣは、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給されている表示駆動信号の電圧と、供給された画像信号の電圧との間の電位差に従って、電界が変化し、その液晶素子ＬＣを透過する光の率（透過率）が変わる。これにより、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）に供給する走査線信号に同期して、信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（ｎ）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂに供給した画像信号に応じたカラー画像が、表示領域２に表示されることになる。
複数の副画素ＳＰｉｘのそれぞれは、選択端子と１対の端子とを有していると見なすことができる。この場合、副画素ＳＰｉｘを構成する薄膜トランジスタＴｒのゲートが、副画素ＳＰｉｘの選択端子であり、薄膜トランジスタＴｒのドレインが、１対の端子のうちの一方の端子であり、液晶素子ＬＣの他端が、副画素ＳＰｉｘの他方の端子である。
ここで、図５および図６に示した表示領域２の配置と、図８に示した回路図との対応を述べておくと、次のようになる。
画素配列ＬＣＤは、その配列の行と実質的に平行な１対の辺と、その配列の列と実質的に平行な１対の辺とを有している。画素配列ＬＣＤの行と平行な１対の辺が、図５および図６に示した表示領域２の短辺２−Ｕ、２−Ｄに対応した第１辺、第２辺であり、画素配列ＬＣＤの列と平行な１対の辺が、表示領域２の長辺２−L、２−Ｒに対応した第３辺、第４辺である。
画素配列ＬＣＤにおいて、行と平行な１対の辺のうちの第２辺、すなわち、表示領域２の一方の短辺２−Ｄに沿って、図６に示されているように、信号セレクタ３、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰおよびドライブ用半導体装置ＤＤＩＣが配置されている。画素配列ＬＣＤにおいては、この第２辺（液晶領域２の短辺２−Ｄ）の近傍において、信号線セレクタ３を介して、ドライブ用半導体装置ＤＤＩＣからの画像信号が、信号線ＳＬ（０）Ｒ、ＳＬ（０）Ｇ、ＳＬ（０）Ｂ〜ＳＬ（ｐ）Ｒ、ＳＬ（ｐ）Ｇ、ＳＬ（ｐ）Ｂに供給される。
また、画素配列ＬＣＤにおいて、列と平行な１対の辺（第３辺、第４辺）のうち第３辺、すなわち、表示領域２の長辺２−Ｌに沿って、ゲートドライバ５が配置されている。画素配列ＬＣＤにおいては、この第３辺において、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）にゲートドライバ５からの走査線信号が供給される。図６では、ゲートドライバ５が、表示領域２の長辺２−Ｌに沿って配置されていたが、ゲートドライバ５を、２個に分け、長辺２−Ｌ（画素配列ＬＣＤの第３辺）と長辺２−Ｒ（画素配列ＬＣＤの第４辺）のそれぞれに沿って配置するようにしてもよい。
表示領域２においてカラー表示を行う場合の画素配列ＬＣＤを具体的に説明したが、それぞれ３個の副画素ＳＰｉｘにより構成された複数のカラー画素Ｐｉｘ（画素）により、画素配列ＬＣＤが構成されていると見なしてもよい。このように見なした場合、複数の画素Ｐｉｘが、行列状に配置され、画素配列ＬＣＤが構成される。画素Ｐｉｘにより構成された画素配列ＬＣＤのそれぞれの行には、対応する走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と、対応する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）が配置され、それぞれの列には、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）が配置される。
この場合、３個の副画素ＳＰｉｘを、１個の画素Ｐｉｘと見なし、画素Ｐｉｘは、副画素ＳＰｉｘと同様な構成を有していると見なす。画素配列ＬＣＤに行列状に配置された画素Ｐｉｘのそれぞれの選択端子は、画素Ｐｉｘと同じ行に配置された走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）に接続され、画素Ｐｉｘのそれぞれの一方の端子は、同じ列に配置された信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）に接続され、画素Ｐｉｘのそれぞれの他方の端子は、同じ列に配置された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に接続されることになる。勿論、１個の駆動電極が、画素配列ＬＣＤの複数の行に対応していてもよい。この場合には、複数の行に配置された画素Ｐｉｘの他方の端子が、共通の駆動電極に接続されることになる。
このように、画素配列ＬＣＤが、複数の画素Ｐｉｘにより構成されていると見なした場合においても、図５および図６に示した表示領域２の配置と、図８に示した回路図との対応は、先に説明した内容と同じである。
１個のカラー画素Ｐｉｘを構成する副画素ＳＰｉｘの数が、３個の場合を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば上記Ｒ、Ｇ、Ｂに加えて白（Ｗ）や黄色（Ｙ）、または上記Ｒ、Ｇ、Ｂの補色（シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ））のいずれか１色又は複数色を加えた副画素で１つのカラー画素としてもよい。
＜切り換え回路、切り換え駆動回路および検出制御回路の構成＞
図９は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。図９には、表示領域２に配置されている駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）が示されている。また、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲについても、これらの駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）に対応する部分のみが示されている。図９に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）を例にして、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲの構成と動作を説明する。なお、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲは、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された配線および素子等によって構成されている。また、図９は、図面を見易くするために、縮小等を行っているが、実際の配置に合わせて描かれている。
図９において、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）のそれぞれは、表示領域２において、互いに平行して、行方向（図９では横方向）に延在している。切り換え回路ＳＣ−Ｒは、複数の第１スイッチＳ１０と、複数の第２スイッチＳ１１とを有しており、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御される。
この実施の形態１では、磁界タッチ検出のときに、４個の駆動電極を用いて、２回巻線のコイルが１個構成される。すなわち、平面視において、互いに近接して、平行に配置された４個の駆動電極が、電気的には直列となるように接続され、１個のコイルが構成される。図９を参照にして述べると、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ−３）が、電気的に直列となるように接続され、１個のコイルが構成される。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）によって、１個のコイルが構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋５）によって、１個のコイルが構成される。また、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）〜ＴＬ（ｎ＋９）によって、１個のコイルが構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１０）〜ＴＬ（ｎ＋１３）によって、１個のコイルが構成される。
コイルを構成するために、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）と駆動電極ＴＬ（ｎ−５）のそれぞれの一方の端部は、表示領域２の辺２−Ｌの近傍において、電気的に接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）の他方の端部は、表示領域２の辺２−Ｒの近傍において、第１スイッチＳ１０に接続されている。駆動電極ＴＬ（ｎ−６）の一方の端部は、辺２−Ｌの近傍において、コイルの端部となるノードＴＴ１に接続され、その他方の端部は、辺２−Ｒの近傍において、第１スイッチＳ１０に接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）の他方の端部は、辺２−Ｒの近傍において、第２スイッチＳ１１に接続されている。駆動電極ＴＬ（ｎ−３）の一方の端部は、辺２−Ｌの近傍において、コイルの端部となるノードＴＴ２に接続され、その他方の端部は、辺２−Ｒの近傍において、第２スイッチＳ１１に接続されている。
磁界タッチ検出のとき、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなることによって、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１がオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−６）は、コイルの端部となるノードＴＴ１とノードＴＴ２との間に直列接続されることになり、１個のコイルが構成されることになる。
駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）についても同様に、磁界タッチ検出のときには、コイルの端部となるノードＴＴ１とノードＴＴ２との間に、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）が直列的に接続されることになる。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ−１）のそれぞれの一方の端部は、表示領域２の辺２−Ｌの近傍において、電気的に接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部は、表示領域２の辺２−Ｒの近傍において、第１スイッチＳ１０に接続されている。駆動電極ＴＬ（ｎ−２）の一方の端部は、辺２−Ｌの近傍において、コイルの端部となるノードＴＴ１に接続され、その他方の端部は、辺２−Ｒの近傍において、第１スイッチＳ１０に接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）の他方の端部は、辺２−Ｒの近傍において、第２スイッチＳ１１に接続されている。駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の一方の端部は、辺２−Ｌの近傍において、コイルの端部となるノードＴＴ２に接続され、その他方の端部は、辺２−Ｒの近傍において、第２スイッチＳ１１に接続されている。
磁界タッチ検出のとき、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなることによって、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１がオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）は、コイルの端部となるノードＴＴ１とノードＴＴ２との間に直列接続されることになり、１個のコイルが構成されることになる。
以下、同様に、磁界タッチ検出のときには、第１スイッチＳ１０およぶ第２スイッチＳ１１がオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋５）は、コイルの端部となるノードＴＴ１とＴＴ２との間に直列的に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）〜ＴＬ（ｎ＋９）は、コイルの端部となるノードＴＴ１とＴＴ２との間に直列的に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１０）〜ＴＬ（ｎ＋１３）も、コイルの端部となるノードＴＴ１とＴＴ２との間に直列的に接続されることになる。
これにより、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）のそれぞれを巻線とした５個のコイルが構成されることになる。
切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌは、複数の第３スイッチ、第４スイッチおよび第５スイッチを備えており、第３スイッチと第４スイッチは、検出制御回路ＳＲからの選択信号によってスイッチ制御され、第５スイッチは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御される。図９では、スイッチＳ２０〜Ｓ２４が、第３スイッチに該当し、スイッチＳ３０〜Ｓ３４が、第４スイッチに該当し、スイッチＳ４０〜Ｓ４４が、第５スイッチに該当する。
検出制御回路ＳＲは、表示領域２において、タッチを検出する領域に、それぞれ対応した複数の選択信号を形成して、出力する。検出制御回路ＳＲから出力される選択信号は、磁界タッチ検出のときには、タッチを検出するコイルを指定する選択信号として用いられ、電界タッチ検出のときには、タッチを検出する駆動電極を指定する選択信号として用いられる。この実施の形態１においては、検出制御回路ＳＲは、シフトレジスタと制御回路ＳＲＣを有している。シフトレジスタは、直列的に接続された複数の段（レジスタ段）を備えているが、図９には、複数のレジスタ段のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）に対応するレジスタ段のみが、符号ＵＳＩ（０）〜ＵＳＩ（４）として示されている。
ここで、レジスタ段ＵＳＩ（０）は、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ−３）に対応し、レジスタ段ＵＳＩＵＳＹ（１）は、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）に対応し、レジスタ段ＵＳＩ（２）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋５）に対応している。また、レジスタ段ＵＳＩ（３）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応し、レジスタ段ＵＳＩ（４）は、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１０）〜ＴＬ（ｎ＋１３）に対応している。
タッチ検出を行う前に、制御信号Ｔ−ＣＮＴによって、所定のレジスタ段に、所定の値が設定される。例えば、レジスタ段ＵＳＩ（０）に所定の値が設定される。タッチ検出が実行される毎に、図示しないシフトクロック信号によって、レジスタ段ＵＳＩ（０）に設定された所定の値は、順次レジスタ段ＵＳＩ（１）からＵＳＩ（４）へシフト（移動）する。制御回路ＳＲＣは、レジスタ段ＵＳＩ（０）〜ＵＳＩ（４）に保持された値と、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮとに基づいて、それぞれのレジスタ段ＵＳＩ（０）〜ＵＳＩ（４）に対応した選択信号ＳＴ００、ＳＴ０１〜ＳＴ４０、ＳＴ４１を形成して、出力する。
例えば、レジスタ段ＵＳＩ（０）に所定の値が保持されていれば、制御回路ＳＲＣは、このレジスタ段ＵＳＩ（０）に対応する選択信号ＳＴ００を、ハイレベルにし、残りのレジスタ段ＵＳＩ（０）〜ＵＳＩ（４）のそれぞれに対応した選択信号ＳＴ１０、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０をロウレベルにする。このとき、制御回路ＳＲＣは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、磁界タッチ検出を指定しているか、電界タッチ検出を指定しているかに従って、選択信号ＳＴ０１、ＳＴ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１のレベルを変更する。磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、磁界タッチ検出を指定している場合、制御回路ＳＲＣは、レジスタ段ＵＳＩ（０）〜ＵＳＩ（４）が保持している値にかかわらずに、選択信号ＳＴ０１、ＳＴ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１のそれぞれをロウレベルにする。一方、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、電界タッチ検出を指定している場合、制御回路ＳＲＣは、所定の値を保持しているレジスタ段ＵＳＩ（０）に対応する選択信号ＳＴ０１をロウレベルとし、残りのレジスタ段ＵＳＩ（１）〜ＵＳＩ（４）に対応する選択信号ＳＴ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１をハイレベルにする。
シフトにより、所定の値が、レジスタ段ＵＳＩ（０）からＵＳＩ（１）へ移動すると、制御回路ＳＲＣは、レジスタ段ＵＳＩ（１）に保持された所定の値に応じて、このレジスタ段ＵＳＩ（１）に対応する選択信号ＳＴ１０をハイレベルにし、残りの選択信号ＳＴ００、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０をロウレベルにする。タッチ検出が、磁界タッチ検出の場合には、制御回路ＳＲＣは、選択信号ＳＴ０１、ＳＴ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１をロウレベルにし、電界タッチ検出の場合には、選択信号ＳＴ１１をロウレベルにし、残りの選択信号ＳＴ０１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１をハイレベルにする。
以降同様にして、所定の値が、レジスタ段ＵＳＩ（２）〜ＵＳＩ（４）を移動することにより、順次、選択信号ＳＴ２０〜ＳＴ４０はハイレベルとなる。このとき、磁界タッチ検出であれば、選択信号ＳＴ１１〜ＳＴ４１は、ロウレベルとなり、電界タッチ検出であれば、順次選択信号ＳＴ２１〜ＳＴ４１は、ロウレベルとなる。このように、所定の値は、タッチ検出を行う領域を指定する情報であるため、所定の値は、タッチ検出領域指定情報と見なすことができる。
なお、制御回路ＳＲＣは、表示期間においては、シフトレジスタに保持されている値とは無関係に、選択信号ＳＴ００、ＳＴ１０、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０をロウレベルにし、選択信号ＳＴ０１、ＳＴ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１をハイレベルにする。例えば、同期信号ＴＳＨＤが、制御回路ＳＲＣに供給され、同期信号ＴＳＨＤが表示期間を示しているとき、制御回路ＳＲＣが、上記したレベルの選択信号を形成する。
切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌが有している第３スイッチＳ２０〜Ｓ２４は、対応する選択信号ＳＴ００〜ＳＴ４０によってスイッチ制御され、第４スイッチＳ３０〜Ｓ３４は、対応する選択信号ＳＴ０１〜ＳＴ４１によってスイッチ制御され、第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御される。この実施の形態１においては、第３スイッチＳ２０〜Ｓ２４、第４スイッチＳ３０〜Ｓ３４および第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４のそれぞれは、供給される信号（選択信号および磁界イネーブル信号）が、ハイレベルのときオン状態となり、ロウレベルのときオフ状態となる。例えば、第３スイッチＳ２０は、対応する選択信号ＳＴ００がハイレベルのときオン状態となり、ロウレベルのときオフ状態となる。また、第４スイッチＳ３０は、対応する選択信号ＳＴ０１がハイレベルのときオン状態となり、ロウレベルのときオフ状態となる。同様に、第５スイッチＳ４０は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルのときオン状態となり、ロウレベルのときオフ状態となる。残りの第３スイッチ、第４スイッチおよび第５スイッチも同様である。
駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−２）、ＴＬ（ｎ＋２）、ＴＬ（ｎ＋６）およびＴＬ（ｎ＋１０）のそれぞれの一方の端部、すなわちコイルの端部となるノードＴＴ１は、第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４を介して信号配線Ｌｓに接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）およびＴＬ（ｎ＋１３）のそれぞれの一方の端部、すなわちコイルの端部となるノードＴＴ２は、第３スイッチＳ２０〜Ｓ２４を介して、信号配線Ｌｃに接続されている。さらに駆動電極ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）およびＴＬ（ｎ＋１３）のそれぞれの一方の端部（ノードＴＴ２）は、第４スイッチＳ３０〜Ｓ３４を介して信号配線Ｌｖに接続されている。ここで、信号配線Ｌｓには、接地電圧Ｖｓが供給され、信号配線Ｌｖには、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給される。また、信号配線Ｌｃには、磁界タッチ検出のときに、コイルクロック信号ＣＬＫが供給され、電界タッチ検出のときには、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶが供給される。
＜＜表示期間の動作＞＞
表示期間においては、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、ロウレベルとなる。これにより、切り換え回路ＳＣ−Ｒ内の第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１はオフ状態となる。また、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌ内の第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４もオフ状態となる。表示期間においては、選択信号ＳＴ００〜ＳＴ４０はロウレベルとなり、選択信号ＳＴ０１〜ＳＴ４１はハイレベルとなる。そのため、第３スイッチＳ２０〜Ｓ２４もオフ状態となり、第４スイッチＳ３０〜Ｓ３４がオン状態となる。
第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４がオフ状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−２）、ＴＬ（ｎ＋２）、ＴＬ（ｎ＋６）およびＴＬ（ｎ＋１０）のそれぞれの一方の端部（ノードＴＴ１）は、信号配線Ｌｓから電気的に分離されることになる。また、第３スイッチＳ２０〜Ｓ２４がオフ状態となるため、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）およびＴＬ（ｎ＋１３）のそれぞれの一方の端部（ノードＴＴ２）は、信号配線Ｌｃから電気的に分離されることになる。このとき、第４スイッチＳ３０〜Ｓ３４がオン状態となるため、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）およびＴＬ（ｎ＋１３）のそれぞれの一方の端部（ノードＴＴ２）は、第４スイッチを介して、信号配線Ｌｖに電気的に接続されることになる。
これにより、表示期間において、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）およびＴＬ（ｎ＋１３）には、信号配線Ｌｖから所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給されることになる。すなわち、表示期間においては、これらの駆動電極に、電圧ＶＣＯＭＤＣが表示駆動信号として供給されることになる。
なお、第１スイッチＳ１０およびＳ１１が、表示期間においてオン状態となるように、例えば同期信号ＴＳＨＤと磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮとに基づいた信号で、第１スイッチＳ１０およびＳ１１をスイッチ制御するようにしてもよい。このようにすることにより、表示期間において、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）およびＴＬ（ｎ＋１３）以外の駆動電極へも、表示駆動信号ＶＣＯＭＤＣを供給することが可能となる。
＜＜磁界タッチ検出の動作＞＞
磁界タッチ検出のときには、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮはハイレベルとなる。また、検出制御回路ＳＲから出力される選択信号ＳＴ００、ＳＴ１０、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０のうち、タッチを検出する領域に対応する選択信号がハイレベルとなる。このとき、検出制御回路ＳＲから出力される選択信号ＳＴ０１、ＳＴ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１のそれぞれはロウレベルとなる。
図９は、磁界タッチ検出のときに、タッチを検出する領域として、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）の領域を指定している場合が示されている。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）の領域を指定する選択信号ＳＴ１０がハイレベルで、残りの選択信号ＳＴ００、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０がロウレベルのときの状態が示されている。
磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなることにより、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１がオン状態となり、第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４もオン状態となる。第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１がオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ−３）は、ノードＴＴ１とノードＴＴ２との間に直列的に接続されることになる。これらの駆動電極は、平面視で見たとき、近接して互いに平行に延在しているため、これらの駆動電極によって、ノードＴＴ１とノードＴＴ２とをそれぞれ端部としたコイルが、構成されることになる。同様にして、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）により、ノードＴＴ１とノードＴＴ２を端部としたコイルが構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋５）により、ノードＴＴ１とノードＴＴ２を端部としたコイルが構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）〜ＴＬ（ｎ＋９）により、ノードＴＴ１とノードＴＴ２を端部としたコイルが構成され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１０）〜ＴＬ（ｎ＋１３）により、ノードＴＴ１とノードＴＴ２を端部としたコイルが構成される。
第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４がオン状態となっているため、駆動電極によって構成されたコイル（図９では、５個のコイル）の端部ＴＴ１は、第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４を介して、信号配線Ｌｓに接続され、それぞのコイルの端部ＴＴ１には、接地電圧Ｖｓが供給される。
選択信号ＳＴ１０がハイレベルで、選択信号ＳＴ００、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０がロウレベルであるため、第３スイッチＳ２１がオン状態となり、第３スイッチＳ２０、Ｓ２２〜Ｓ２４はオフ状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）によって構成されたコイルの端部（ノードＴＴ２）は、第３スイッチＳ２１を介して、信号配線Ｌｃに接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）以外の駆動電極によって構成されたコイルの端部（ノードＴＴ２）は、信号配線Ｌｃから分離される。このとき、選択信号ＳＴ０１〜ＳＴ４１はロウレベルであるため、第４スイッチＳ３０〜Ｓ３４はオフ状態となり、コイルの端部ＴＴ２は、信号配線Ｌｖから分離される。
磁界タッチ検出においては、信号配線Ｌｃに、コイルクロック信号ＣＬＫが供給される。そのため、ハイレベルの選択信号ＳＴ１０によって指定されている駆動電極（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）により構成されたコイルの端部（ノードＴＴ２）には、第３スイッチＳ２１を介して、コイルクロック信号ＣＬＫが供給されることになる。このとき、残りの駆動電極により構成されたコイルの端部ＴＴ２には、コイルクロック信号ＣＬＫは供給されない。駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）により構成されたコイルの端部ＴＴ１には、第５スイッチＳ４１を介して接地電圧Ｖｓが供給されている。そのため、駆動電極（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）により構成されたコイルの端部（ノードＴＴ２）には、接地電圧Ｖｓを基準として、周期的に変化する電圧が供給されることになる。その結果、駆動電極（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）により構成されたコイルは、コイルクロック信号ＣＬＫに従った磁界を発生することになる。このとき、残りのコイルには、コイルクロック信号ＣＬＫが供給されないため、磁界を発生しない。
コイルクロック信号ＣＬＫは、磁界を発生させるための磁界駆動信号と見なすことができる。この場合には、検出制御回路ＳＲは、磁界駆動信号を供給するコイルを指定する選択信号を形成し、出力していると見なすことができる。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）によって構成されたコイルで磁界を発生するとき、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、磁界駆動信号が供給される所定の駆動電極であると見なすことができる。
駆動電極（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）により構成されたコイルに磁界駆動信号を供給する場合を説明したが、同様な動作で、他の駆動電極により構成されたコイルに磁界駆動信号を供給し、磁界を発生させることができる。
＜＜電界タッチ検出の動作＞＞
図１０は、実施の形態１に係わる表示装置１の構成を示すブロック図である。図１０に示す構成は、図９に示した構成と同じである。図９と異なるのは、図９が磁界タッチ検出のときの状態を示しているのに対して、図１０は、電界タッチ検出のときの状態を示していることである。すなわち、図１０に示す駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋１３）、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲのそれぞれの構成は、図９と同じであり、第１スイッチ〜第５スイッチの状態が、図９と異なっている。以下、図１０を用いて、電界タッチ検出の際の動作を説明する。
図９において説明したように、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のいずれの場合でも、検出制御回路ＳＲから出力される選択信号ＳＴ００、ＳＴ１０、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０のうち、タッチを検出する領域に対応する選択信号が、ハイレベルとなり、他の選択信号はロウレベルとなる。一方、電界タッチ検出のときに、検出制御回路ＳＲから出力される選択信号ＳＴ０１、ＴＳ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１は、磁界タッチ検出のときに、検出制御回路ＳＲから出力される選択信号のレベルと異なっている。すなわち、図９で説明したように、電界タッチ検出のときには、選択信号ＳＴ０１、ＴＳ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１のうち、タッチを検出する領域に対応する選択信号が、ロウレベルとなり、残りの選択信号はハイレベルとなる。また、電界タッチ検出の際には、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮはロウレベルとなる。
図１０においても、図９と同様に、タッチを検出する領域として、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）に該当する領域が指定されているときの状態が示されている。そのため、検出制御回路ＳＲから出力されている選択信号ＳＴ００〜ＳＴ４０のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）に対応する選択信号ＳＴ１０が、ハイレベルとなり、選択信号ＳＴ００、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０はロウレベルとなっている。また、選択信号ＳＴ０１〜ＳＴ４１のうち、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）に対応する選択信号ＳＴ１１がロウレベルとなり、選択信号ＳＴ０１、Ｓｔ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１のそれぞれはハイレベルとなっている。
電界タッチ検出においては、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなることにより、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１がオフ状態となる。また、第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４もオフ状態となる。第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１がオフ状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ−４）の他方の端部との間は、電気的に分離され、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ−３）の他方の端部との間も、電気的に分離される。
同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ）の他方の端部との間は、電気的に分離され、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の他方の端部との間も、電気的に分離され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ＋４）の他方の端部との間は、電気的に分離され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ＋５）の他方の端部との間は、電気的に分離される。さらに、駆動電極ＴＬ（ｎ＋６）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ＋８）の他方の端部との間は、電気的に分離され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋７）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ＋９）の他方の端部との間も、電気的に分離され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１０）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１２）の他方の端部との間は、電気的に分離され、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１１）の他方の端部と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１３）の他方の端部との間は、電気的に分離される。
また、第５スイッチＳ４０〜Ｓ４４がオフ状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−２）、ＴＬ（ｎ＋２）、ＴＬ（ｎ＋６）およびＴＬ（ｎ＋１０）のそれぞれの一方の端部（ノードＴＴ１）も、信号配線Ｌｓから電気的に分離される。
ハイレベルの選択信号ＳＴ１０によって、第３スイッチＳ２１はオン状態となり、ロウレベルの選択信号ＳＴ００、ＳＴ２０、ＳＴ３０およびＳＴ４０によって、第３スイッチＳ２０、Ｓ２２〜Ｓ２４はオフ状態となる。また、ロウレベルの選択信号ＳＴ１１によって、第４スイッチＳ３１はオフ状態となり、ハイレベルの選択信号ＳＴ０１、ＳＴ２１、ＳＴ３１およびＳＴ４１によって、第４スイッチＳ３０、Ｓ３２〜Ｓ３４はオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の一方の端部は、第３スイッチＳ２１を介して、信号配線Ｌｃに接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）およびＴＬ（ｎ＋１３）のそれぞれの一方の端部は、第４スイッチＳ３０、Ｓ３２〜Ｓ３４を介して、信号配線Ｌｖに接続されることになる。
第１スイッチ１０および第２スイッチＳ１１がオフ状態となっているため、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）等から電気的に分離されている。すなわち、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の他方の端部は、他の駆動電極を介して、接地電圧Ｖｓに接続されず、フローティング状態となる。電界タッチ検出においては、信号配線Ｌｃに、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶが供給されるため、この制御信号ＴＳＶが、電界駆動信号として、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に供給されることになり、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、電界駆動信号の変化に応じた電界を発生することになる。すなわち、選択信号で指定された駆動電極において、電界駆動信号に応じた電界を発生することが可能となる。
駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を例にして説明したが、レジスタ段ＵＳＩ（０）からレジスタ段ＵＳＩ（４）へ、所定の値が順次移動することにより、選択信号ＳＴ００、ＳＴ１０、ＳＴ２０、ＳＴ３０、ＳＴ４０の順に、そのレベルがハイレベルとなり、これに合わせて、選択信号ＳＴ０１、ＳＴ１１、ＳＴ２１、ＳＴ３１、ＳＴ４１の順に、そのレベルがロウレベルとなる。これによって、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）、ＴＬ（ｎ＋１３）の順に、駆動電極が指定され、指定された駆動電極に電界駆動信号が供給されることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ−３）、ＴＬ（ｎ＋５）、ＴＬ（ｎ＋９）、ＴＬ（ｎ＋１３）の順に、電界が発生することになる。図１０に示していない駆動電極についても、同様にして、指定された駆動電極で電界が発生する。駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、電界タッチ検出のときに、電界駆動信号が供給される所定の駆動電極であると見なすことができる。
＜切り換え増幅回路の構成＞
図１１および図１２は、実施の形態１に係わる液晶表示装置１の構成を示すブロック図である。図１１および図１２には、特に切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの構成と、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうちＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ＋８）が示されている。ここで、図１１には、磁界タッチ検出のときの状態が示され、図１２には、電界タッチ検出のときの状態が示されている。切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの構成および検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ＋８）の構成は、図１１と図１２において同じである。そのため、図１１を用いて、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの構成と検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ＋８）の構成を説明し、図１２では、これらの構成の説明は省略する。
検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成されている。このＣＦガラス基板ＣＧＢは、図３および図７等で説明したように、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１上に積層されている。平面視で見たとき、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行に配置されている。そのため、平面視で見たとき、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差している。
図１１では、これらの検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のうち、検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ＋８）が、例示されている。以下、例示した検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ＋８）を用いて説明する。なお、図１１は、図面を見易くするために縮尺等をしているが、実際の配置に合わせて描かれている。
この実施の形態１においては、磁界タッチ検出のときに、４個の検出電極によって、１個のコイル（２回巻線）が形成される。すなわち、検出電極ＲＬ（ｎ−６）の一方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ−５）の一方の端部が、表示領域２の辺２−Ｄの近傍において、電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ−６）の他方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ−４）の他方の端部とが、表示領域２の辺２−Ｕの近傍において、電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ−５）の他方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ−７）の他方の端部とが、表示領域２の辺２−Ｕの近傍において、電気的に接続されている。検出電極ＲＬ（ｎ−４）の一方の端部は、表示領域２の辺２−Ｄにおいて、検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ−４）によって構成されたコイルの一方の端部として、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。同様に、検出電極ＲＬ（ｎ−７）の一方の端部が、表示領域２の辺２−Ｄの近傍において、検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ−４）によって構成されたコイルの他方の端部として、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。
すなわち、平面視で見たとき、互いに平行して配置された検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ−４）が、直列的に接続されることによりコイルが構成され、コイルの一方の端部と他方の端部が、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。
同様にして、検出電極ＲＬ（ｎ−２）の一方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ−１）の一方の端部が、表示領域２の辺２−Ｄの近傍において、電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ−２）の他方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ）の他方の端部とが、表示領域２の辺２−Ｕの近傍において、電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ−１）の他方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ−３）の他方の端部とが、表示領域２の辺２−Ｕの近傍において、電気的に接続されている。検出電極ＲＬ（ｎ）の一方の端部が、表示領域２の辺２−Ｄの近傍において、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ）によって構成されたコイルの一方の端部として、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続され、検出電極ＲＬ（ｎ−３）の一方の端部が、表示領域２の辺２−Ｄの近傍において、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ）によって構成されたコイルの他方の端部として、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。
また。検出電極ＲＬ（ｎ＋２）の一方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ＋３）の一方の端部が、電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋２）の他方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ＋４）の他方の端部とが電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋３）の他方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ＋１）の他方の端部とが電気的に接続されている。検出電極ＲＬ（ｎ＋４）の一方の端部が、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋４）によって構成されたコイルの一方の端部として、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）の一方の端部が、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋４）によって構成されたコイルの他方の端部として、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。
さらに、検出電極ＲＬ（ｎ＋６）の一方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ＋７）の一方の端部が、電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋６）の他方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ＋８）の他方の端部とが電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋７）の他方の端部と検出電極ＲＬ（ｎ＋５）の他方の端部とが電気的に接続されている。検出電極ＲＬ（ｎ＋８）の一方の端部が、検出電極ＲＬ（ｎ＋５）〜ＲＬ（ｎ＋８）によって構成されたコイルの一方の端部として、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋５）の一方の端部が、検出電極ＲＬ（ｎ＋５）〜ＲＬ（ｎ＋８）によって構成されたコイルの他方の端部として、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰに接続されている。
切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰは、切り換え回路（第２切り換え回路）ＳＣ−Ｄと増幅回路ＡＭＰとを備えている。切り換え回路ＳＣ−Ｄは、複数の単極双投スイッチを備えている。図１１では、検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ＋８）によって構成された４個のコイルに対応する４個の単極双投スイッチが、第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３として示されている。これらの第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３のそれぞれは、単極双投スイッチであるため、共通の端子Ｐと、第１端子Ｃ１と第２端子Ｃ２とを備えている。
検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ−４）によって構成されたコイルの一方の端部は、第６スイッチＳ５０の第２端子Ｃ２に接続され、このコイルの他方の端部は、第６スイッチＳ５０の共通端子Ｐに接続されている。また、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ）によって構成されたコイルの一方の端部は、第６スイッチＳ５１の第２端子Ｃ２に接続され、このコイルの他方の端部は、第６スイッチＳ５１の共通端子Ｐに接続されている。さらに、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋４）によって構成されたコイルの一方の端部は、第６スイッチＳ５２の第２端子Ｃ２に接続され、このコイルの他方の端部は、第６スイッチＳ５２の共通端子Ｐに接続されている。同様に、検出電極ＲＬ（ｎ＋５）〜ＲＬ（ｎ＋８）によって構成されたコイルの一方の端部は、第６スイッチＳ５３の第２端子Ｃ２に接続され、このコイルの他方の端部は、第６スイッチＳ５３の共通端子Ｐに接続されている。
第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３のそれぞれの第１端子Ｃ１は、接地電圧（第２電圧）Ｖｓに接続されている。第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３のそれぞれは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによって制御される。すなわち、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、磁界タッチ検出を示すハイレベルのとき、第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３のそれぞれにおいて、共通端子Ｐは、第１端子Ｃ１に接続される。これに対して、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、電界タッチ検出を示すロウレベルのとき、第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３のそれぞれにおいて、供給端子Ｐは、第２端子Ｃ２に接続される。
増幅回路ＡＭＰは、この実施の形態１においては、複数の単位増幅回路を有している。それぞれの単位増幅回路は、特に制限されないが、互いに同じ構成を有しており、検出電極によって構成されたコイルに１対１で対応している。図１１を例にして述べると、増幅回路ＡＭＰは、４個の単位増幅回路を備えている。検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ−４）により構成されたコイルの一方の端部が、対応する単位増幅回路の入力に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ）により構成されたコイルの一方の端部が、対応する単位増幅回路の入力に接続されている。同様にして、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋４）により構成されたコイルの一方の端部が、対応する単位増幅回路の入力に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋５）〜ＲＬ（ｎ＋８）により構成されたコイルの一方の端部が、対応する単位増幅回路の入力に接続されている。これらの単位増幅回路の出力が、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴ（図５）へ供給される。
それぞれの単位増幅回路は互いに同じ構成を有しているため、図１１では、４個の単位増幅回路のうち、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ）により構成されたコイルの一方の端部に接続された単位増幅回路のみが示されている。
特に制限されないが、この実施の形態１において、単位増幅回路は、積分回路により構成されている。すなわち、単位増幅回路は、反転入力（−）と非反転入力（＋）を有する演算増幅器ＯＰと、積分容量素子ＣＳＳと、リセットスイッチＲＳとを備えている。対応するコイルの一方の端部が、演算増幅器ＯＰの反転入力（−）に接続され、演算増幅器ＯＰの非反転入力（＋）は、接地電圧Ｖｓに接続されている。演算増幅器ＯＰの出力と、反転入力（−）との間に、積分容量素子ＣＳＳとリセットスイッチＲＳが並列に接続されている。
例えば、タッチ検出の前に、リセットスイッＲＳは、オン状態にされ、積分容量素子ＣＳＳに蓄積されていた電荷が放電される。その後、リセットスイッチＲＳはオフ状態にされ、タッチ検出を開始する。タッチの有無または／外部検出物体との距離に応じた信号変化が、検出電極により構成されたコイルの一方の端部に発生する。この信号変化は、周期的に発生する。単位増幅回路を構成する積分回路は、所定の期間内での信号変化を積分し、積分の結果を、検出信号Ｒｘ（ｎ）として出力する。
増幅回路ＡＭＰは、信号変化を増幅して、信号変化を検出するため、検出回路と見なすこともできる。増幅回路ＡＭＰを検出回路と見なした場合、単位増幅回路は、単位検出回路と見なすことができる。
＜＜磁界タッチ検出の動作＞＞
磁界タッチ検出のときには、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなる。これにより、図１１に示すように、第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３のそれぞれにおいて、共通端子Ｐは、第１端子Ｃ１に接続される。その結果、検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ−４）によって構成されたコイルの他方の端部には、第６スイッチＳ５０を介して、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。同様に、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ）によって構成されたコイルの他方の端部には、第６スイッチＳ５１を介して、接地電圧Ｖｓが供給され、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋４）によって構成されたコイルの他方の端部には、第６スイッチＳ５２を介して、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。また、検出電極ＲＬ（ｎ＋５）〜ＲＬ（ｎ＋８）によって構成されたコイルの他方の端部には、第６スイッチＳ５３を介して、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。
図９で説明したように、磁界タッチ検出のとき、複数の駆動電極（例えば、ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１））により構成されたコイルによって磁界が発生する。ペンが近接していれば、図２（Ａ）に示したように、ペン内のコイルＬ１によって容量素子Ｃが充電される。次に、図２（Ｂ）に示したように、ペン内のコイルＬ１が磁界を発生する。この実施の形態１においては、図１１に示す複数の検出電極（例えばＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ））によって構成されたコイルによって、ペン内のコイルＬ１が発生している磁界が検出される。
すなわち、ペン内のコイルＬ１が発生した磁界により、検出電極によって構成されたコイルに誘起電圧が発生する。この誘起電圧により、コイルの他方の端部（第６スイッチの共通端子Ｐ）に供給されている接地電圧Ｖｓを基準として、コイルの一方の端部（第６スイッチの第２端子Ｃ１）における信号が変化する。コイルの一方の端部における信号は、基準の接地電圧Ｖｓを中心として、上下に振動しながら減衰する。単位増幅回路を構成する積分回路は、所定の期間、コイルの一方の端部における信号変化を積分することにより、検出信号（例えば、Ｒｘ（ｎ））を形成する。
＜＜電界タッチ検出の動作＞＞
次に、図１２を用いて、電界タッチ検出のときの切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの動作を説明する。
図１２は、電界タッチ検出のときの切り換え回路ＳＣ−Ｄの状態を示している。図１１と異なる点は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、電界タッチ検出を示すように、ロウレベルとなっていることである。磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなることにより、図１２に示すように、第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３のそれぞれにおいて、共通端子Ｐは、第２端子Ｃ２に接続される。
これにより、検出電極ＲＬ（ｎ−７）〜ＲＬ（ｎ−４）により構成されたコイルの一方の端部と、このコイルの他方の端部は、第６スイッチＳ５０を介して電気的に接続されることになる。言い換えるならば、コイルの他方の端部は、接地電圧Ｖｓから分離されることになる。同様に、検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ）により構成されたコイルの一方の端部と、このコイルの他方の端部は、第６スイッチＳ５１を介して電気的に接続され、検出電極ＲＬ（ｎ＋１）〜ＲＬ（ｎ＋４）により構成されたコイルの一方の端部と、このコイルの他方の端部は、第６スイッチＳ５２を介して電気的に接続される。また、検出電極ＲＬ（ｎ＋５）〜ＲＬ（ｎ＋８）により構成されたコイルの一方の端部と、このコイルの他方の端部は、第６スイッチＳ５３を介して電気的に接続される。
検出電極により構成されたコイルのそれぞれの他方の端部が、接地電圧Ｖｓから電気的に分離されるため、それぞれのコイルは、フローティング状態となる。電界タッチ検出においては、図１０で説明したように、選択された駆動電極（例えばＴＬ（ｎ＋１））に、周期的に電圧が変化する電界駆動信号が供給される。これにより、選択された駆動電極と、検出電極により構成され、フローティング状態となっているコイルとの間で電界が発生する。図４で説明したように、指がタッチしていれば、電荷量が変化し、検出電極により構成されたコイルの一方の端部に信号変化が発生する。この信号変化が、単位増幅回路を構成する積分回路によって、所定の時間積分され、検出信号（例えば、Ｒｘ（ｎ））として、検出回路ＤＥＴ（図５）へ供給される。
＜磁界タッチ検出と電界タッチ検出の動作＞
磁界タッチ検出のとき、検出制御回路ＳＲは、例えば表示領域２の辺２−Ｕに近接して配置された駆動電極により構成されたコイルから、表示領域２の辺２−Ｄに近接して配置された駆動電極により構成されたコイルに向けて、順次指定する。このとき、表示領域２の辺２−Ｒと辺２−Ｌとの間に配置された検出電極により構成された複数のコイルにおける信号変化が、増幅回路ＡＭＰ（図１１）によって増幅され、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴへ供給される。これにより、表示領域２において、辺２−Ｕから辺２−Ｄに向けて、ペンがタッチされているか否か、あるいはペンとの距離を把握することが可能となり、ペンのタッチされている座標または／および筆圧等を、表示装置１は出力することが可能となる。
また、電界タッチ検出のときには、検出制御回路ＳＲは、例えば表示領域２の辺２−Ｕに近接して配置された駆動電極から、表示領域２の辺２−Ｄに近接して配置された駆動電極に向けて、順次指定する。このとき、表示領域２の辺２−Ｒと辺２−Ｌとの間に配置された検出電極により構成された複数のコイル（フローティング状態のコイル）における信号変化が、増幅回路ＡＭＰ（図１１）によって増幅され、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴへ供給される。これにより、表示領域２において、辺２−Ｕから辺２−Ｄに向けて、指がタッチされているか否かを把握することが可能となり、指のタッチされている座標等を、表示装置１は出力することが可能となる。
＜駆動電極の構造＞
図１３は、実施の形態１に係わる表示装置１の平面図である。また、図１４は、実施の形態１に係わる表示装置１の断面図である。図１３には、表示領域２において、駆動電極ＴＬ（ｎ）を含む領域が部分的に示されている。図１３において、一点鎖線Ｂ−Ｂ’で示した領域の断面が、図１４（Ａ）に示されており、一点鎖線Ｃ−Ｃ’で示した領域の断面が、図１４（Ｂ）に示されている。図１３および図１４を用いて、駆動電極、信号線、走査線および検出電極の構造の一例を説明する。
図１３には、駆動電極ＴＬ（ｎ）と、駆動電極ＴＬ（ｎ）に近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の一部が示されている。駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）は、平面視において、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行して配置されている。
平面視で見たとき、複数の補助電極ＳＭが、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）と、平行に延在している。同図では、３個の補助電極ＳＭが、駆動電極ＴＬ（ｎ）と平行に延在し、駆動電極ＴＬ（ｎ）に電気的に接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と、２個の補助電極ＳＭが、平行に延在し、電気的に接続されている。同様に、平面視で見たとき、走査線ＧＬ（ｍ）〜ＧＬ（ｍ＋４）も、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）と平行に延在している。また、平面視で見たとき、複数の信号線が、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）と交差するように、列方向に延在し、行方向に互いに平行して配置されている。図１３では、複数の信号線のうち、３個の信号線について、符号ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）が、例示として付されている。
図１３において、一点鎖線Ｂ−Ｂ’で示した領域の断面が、図１４（Ａ）に示され、一点鎖線Ｃ−Ｃ’で示した領域の断面が、図１４（Ｂ）に示されている。図１４（Ａ）において、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１には、第１導電層７０１が形成され、この第１導電層７０１（図７）によって、走査線ＧＬ（ｍ＋２）が構成されている。走査線ＧＬ（ｍ＋２）上には、例えばシリコンナイトライドのような絶縁層７０２が形成され、絶縁層７０２上には、第２導電層７０３が形成されている。この第２導電層７０３によって、信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）が構成されている。図１４（Ａ）では、第２導電層７０３は、それによって構成された信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）として描かれている。
信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）上には、シリコンナイトライドのような絶縁層と、層間樹脂からなる絶縁層７０４が形成されている。絶縁層７０４上には、第３導電層７０５が形成されている。第３導電層７０５によって、駆動電極ＴＬ（ｎ）と補助電極ＳＭが構成されている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、例えば酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）によって構成された透過性の高い透明電極により構成され、補助電極ＳＭは、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗の導電層によって構成されている。なお、既に述べたように、本明細書においては、特に明示しない限り、透明電極によって構成された駆動電極と、この駆動電極よりも抵抗の低い補助電極ＳＭ（第２電極）を合わせて、駆動電極と述べている。
駆動電極ＴＬ（ｎ）上には、シリコンナイトライドのような絶縁層７０６が形成され、絶縁層７０６上には、画素電極ＬＤＰが形成されている。この画素電極ＬＤＰも。透明電極によって構成されている。画素電極ＬＤＰと、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、液晶層７０７が挟まれている。このＣＧガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、検出電極が形成されている。
図１３では、検出電極は省略されているが、この実施の形態１では、平面視で見たとき、複数の検出電極は、信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）と平行するように、列方向に延在し、行方向に平行して配置されている。図１４（Ａ）には、検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋３）が、例として示されている。
図１４（Ｂ）は、図１３において、一点鎖線Ｂ−Ｂ’と交差する一点鎖線Ｃ−Ｃ’の領域の断面を示しているため、図１４（Ｂ）には、第１導電層７０１（図７）によって構成された走査線ＧＬ（ｍ＋３）、ＧＬ（ｍ＋２）が示されている。また、図１４（Ｂ）には、第３導電層７０５により構成された駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）、ＴＬ（ｎ）および補助電極ＳＭと、画素電極ＬＤＰが示されている。さらに、図１４（Ｂ）には、液晶層７０７を挟んで、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢと対向するように配置されたＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成された検出電極ＲＬ（ｎ）が示されている。
平面視で見たときには、走査線と駆動電極は、図１３に示すように、信号線と交差するように重なっている。これらは、図１４に示すように、互いに絶縁層を介して重なっており、電気的には分離されている。また、図１３では省略されている検出電極も、平面視で見たときには、駆動電極および走査線と重なっているが、図１４に示すように、絶縁層を介して重なっており、電気的に分離されている。
図１５は、検出電極の一例を、模式的に示す図である。図１５（Ａ）は、ＣＦガラス基板ＣＦＧの第１主面ＣＳＦ１に配置された複数の検出電極を、模式的に示した平面図である。図１５（Ａ）には、複数の検出電極のうち、検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋２）が、代表として描かれている。検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋２）のそれぞれは、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、表示領域２となる領域で、互いに平行となるように配置されている。すなわち、それぞれの検出電極は、表示領域２において、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に、平行となるように配置されている。図６を参照にして述べると、平面視で見たとき、検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋２）は、表示領域２の辺２−Ｒと辺２−Ｌとの間に挟まるように配置され、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれと交差している。
この実施の形態１においては、特に制限されないが、それぞれの検出電極が、４個の単位検出電極ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）によって構成されている。図１５（Ａ）を例にして述べると、検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋２）のそれぞれが、４個の単位検出電極によって構成されている。図１５（Ａ）では、図面が複雑になるのを避けるために、検出電極ＲＬ（ｎ）を構成する４個の単位検出電極についてのみ、符号ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）が付されているが、残りの検出電極のそれぞれも、４個の単位検出電極ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）によって構成されている。
特に制限されないが、４個の単位検出電極ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）は、屈曲しながら、列方向に延在している。また、検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋２）のそれぞれを構成する４個の単位検出電極ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）は、表示領域２の辺２−Ｕ（図６）の近傍において、接続電極ＲＣＵ（ｎ−２）〜ＲＣＵ（ｎ＋２）に接続されている。さらに、４個の単位検出電極ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）は、表示領域２の辺２−Ｄ（図６）の近傍において、接続電極ＲＣＤ（ｎ−２）〜ＲＣＤ（ｎ＋２）に接続されている。すなわち、接続電極ＲＣＵ（ｎ−２）〜ＲＣＵ（ｎ＋２）および接続電極ＲＣＤ（ｎ−２）〜ＲＣＤ（ｎ＋２）のそれぞれによって、単位検出電極ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）は、互いに電気的に接続されている。例えば検出電極ＲＬ（ｎ）を例にして述べると、この検出電極ＲＬ（ｎ）を構成する４個の単位検出電極ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）のそれぞれの一方の端部は、接続電極ＲＣＵ（ｎ）に電気的に接続され、それぞれの他方の端部は、接続電極ＲＣＤ（ｎ）に電気的に接続されている。これにより、検出電極ＲＬ（ｎ）の抵抗値が低くされている。他の検出電極も同様である。
接続電極ＲＣＵ（ｎ−２）〜ＲＣＵ（ｎ＋２）のそれぞれは、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、表示領域２の辺２−Ｕに沿って配置され、接続電極ＲＣＤ（ｎ−２）〜ＲＣＤ（ｎ＋２）のそれぞれは、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１において、表示領域２の辺２−Ｄに沿って配置されている。
この実施の形態１においては、複数の検出電極ＲＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）によって、複数のコイルが構成される。そのために、２個の検出電極に対応した接続電極ＲＣＵ間が、電気的に接続される。また、それぞれ構成するコイルが、２回巻線以上の場合には、２個の検出電極に対応した接続電極ＲＣＤ間が電気的に接続される。図１１および図１２では、検出電極により構成されるコイルが、２回巻線のコイルを例として示したが、ここでは説明を容易にするために、検出電極により構成されるコイルが１回巻線の場合を説明する。
１回巻線のコイルを検出電極で構成するために、検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋２）は、２個が１組とされる。接続電極ＲＣＵ（ｎ−２）〜ＲＣＵ（ｎ＋２）は、検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋２）に対応しているため、接続電極ＲＣＵ（ｎ−２）〜ＲＣＵ（（ｎ＋２）も、２個が１組とされ、組とされた接続電極ＲＣＵが互いに電気的に接続される。一方、検出電極ＲＬ（ｎ−２）〜ＲＬ（ｎ＋２）に対応する接続電極ＲＣＤ（ｎ−２）〜ＲＣＤ（ｎ＋２）のそれぞれは、ＣＦガラス基板ＣＧＢに配置された信号配線を介して、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに配置された切り換え回路ＳＣ−Ｄに接続されている。
図１５（Ｂ）は、１組とされた検出電極ＲＬ（ｎ）とＲＬ（ｎ＋１）の平面図である。図１５（Ｂ）において、ＣＣＵ（ｎ：ｎ＋１）は、接続電極ＲＣＵ（ｎ）とＲＣＵ（ｎ＋１）とを電気的に接続する共通接続電極を示している。図１５（Ｂ）においても、検出電極ＲＬ（ｎ）を構成する４個の単位検出電極についてのみ、符号ＵＲＬ（１）〜ＵＲＬ（４）が付されている。図１５（Ｂ）において、破線ＤＲＬは、検出電極間に配置されたダミー電極を示している。ダミー電極ＤＲＬは、単位検出電極と平行して配置され、検出電極間に挟まれるように配置されている。ダミー電極ＤＲＬが配置されていないと、検出電極が配置されている領域と、検出電極が配置されていない領域とにおいて、反射が異なることになる。ダミー電極ＤＲＬを、検出電極間に配置することにより、反射を均一とすることが可能となる。
検出電極ＲＬ（ｎ＋１）に対応する接続電極ＲＣＤ（ｎ＋１）は、検出電極により構成されたコイルの一方の端部となり、例えば図１１および図１２に示した第６スイッチＳ５１の第２端子に接続される。この場合、検出電極ＲＬ（ｎ）に対応する接続電極ＲＣＤ（ｎ）は、検出電極により構成されたコイルの他方の端部となり、図１１および図１２に示した第６スイッチＳ５１の共通端子Ｐに接続される。他の検出電極に対応する接続電極ＲＣＵも２個が１組とされ、共通接続電極ＣＣＵに接続され、検出電極に対応する接続電極ＲＣＤは、コイルの一方の端部および他方の端部として、第６スイッチの第２端子Ｃ２および共通端子Ｐに接続される。
これにより、互いに近接し、平行して配置された２個の検出電極によって、１回巻線のコイルが構成されることになる。
図１１および図１２で示したように、複数巻線のコイル（例えば、２回巻線のコイル）を、検出電極によって構成する場合には、例えば、上記した検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）を第１検出電極とし、この第１検出電極とは電気的に分離された第２検出電極を、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成する。２個の第２検出電極間を、表示領域２の辺２−Ｕの近傍において電気的に接続する。電気的に接続した第２検出電極のうちの一方に対応する接続電極を、例えば、図１５（Ｂ）に示した接続電極ＲＣＤ（ｎ＋１）に接続し、第２検出電極のうちの他方に対応する接続電極を、コイルの端部として、第６スイッチの第２端子Ｃ２に接続する。これにより、４個の検出電極によって複数巻線（２回巻線）のコイルを構成することが可能となる。この場合、第１検出電極と第２検出電極との間に絶縁層が形成され、第１検出電極と第２検出電極との間は、絶縁層によって分離される。
＜変形例＞
磁界タッチ検出と電界タッチ検出を、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成された駆動電極とＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極を用いて行う例を説明したが、この変形例においては、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成された駆動電極によって、磁界タッチ検出と電界タッチ検出が行われる。
図１６は、変形例に係わる液晶表示装置１の構成を、概念的に示す平面図である。図１６（Ａ）は、磁界タッチ検出のときの状態を示しており、図１６（Ｂ）は、電界タッチ検出のときの状態を示している。
変形例においては、図７等で説明した第３導電層７０５によって、複数の第１駆動電極ＴＬＸ（０）〜ＴＬＸ（ｐ）と複数の第２駆動電極ＴＬＹ（０）〜ＴＬＹ（ｐ）が形成される。ここで、複数の第２駆動電極ＴＬＹ（０）〜ＴＬＹ（ｐ）は、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行して配置されている。また、複数の第１駆動電極ＴＬＸ（０）〜ＴＬＸ（ｐ）は、行方向に延在し、列方向に平行に配置されている。図１６（Ａ）および（Ｂ）には、上記した第２駆動電極のうちの第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）と、上記した第１駆動電極のうちの第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）〜ＴＬＸ（ｎ＋１）のみが描かれている。
第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）〜ＴＬＸ（ｎ＋１）のそれぞれは、複数の単位第１駆動電極を備えている。すなわち、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）は、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：０〜ＴＬＸ（ｎ−２）：４を備えており、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）は、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）：０〜ＴＬＸ（ｎ−１）：４を備えている。また、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ）は、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ）：０〜ＴＬＸ（ｎ）：４を備えており、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ＋１）は、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ＋１）：０〜ＴＬＸ（ｎ＋１）：４を備えている。
第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）が有する単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：０〜ＴＬＸ（ｎ−２）：４のそれぞれは、物理的には互いに分離されている。同様に、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）：０〜ＴＬＸ（ｎ−１）：４は、互いに分離され、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ）：０〜ＴＬＸ（ｎ）：４は、互いに分離され、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ＋１）：０〜ＴＬＸ（ｎ＋１）：４も、互いに分離されている。
単位第１駆動電極が分離されている領域を、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）が延在するように、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）が配置されている。単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：０〜ＴＬＸ（ｎ−２）：４を例にして、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）の配置を説明すると、次のようになる。
単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：０と単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：１とを分離している領域を、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）が延在し、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：１と単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：２とを分離している領域を、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−１）が延在している。同様に、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）２と単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：３とを分離している領域を、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）が延在し、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：３と単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：４とを分離している領域を、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ＋１）が延在している。他の単位第１駆動電極についても、同様に、単位第１駆動電極間を分離している領域を、第２駆動電極が延在している。
同じ第１駆動電極を構成する複数の単位第１駆動電極間は、第３導電層７０５とは異なる導電層、例えば第１導電層７０１（図７）により形成された信号配線によって、電気的に接続されている。第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）を例にして述べると、この第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）を構成する単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：０〜ＴＬＸ（ｎ−２）：４間は、第１導電層７０１により形成された信号配線Ｇ（ｎ−２）によって電気的に接続されている。同様に、残りの第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）についても、それぞれを構成する単位第１駆動電極間は、第１導電層７０１によって形成された信号配線Ｇ（ｎ−１）〜Ｇ（ｎ＋１）により電気的に接続されている。
これにより、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）〜ＴＬＸ（ｎ＋１）と第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）を同じ第３導電層７０５によって形成しても、第１駆動電極と第２駆動電極とは、電気的に分離した状態で、平面視で見たときには、第１駆動電極と第２駆動電極とが交差した状態となる。
＜＜磁界タッチ検出の動作＞＞
磁界タッチ検出においては、図１６（Ａ）に示すように、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−１）およびＴＬＹ（ｎ＋１）のそれぞれの一方の端部には、接地電圧Ｖｓが供給される。また、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）およびＴＬＹ（ｎ）のそれぞれの一方の端部は、図１１に示した増幅回路ＡＭＰに接続され、増幅回路ＡＭＰにおいて、積分回路の入力に接続される。このとき、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）およびＴＬＹ（ｎ）のそれぞれの他方の端部は、互いに電気的に接続され、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−１）およびＴＬＹ（ｎ＋１）のそれぞれの他方の端部も、互いに電気的に接続される。これにより、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）およびＴＬＹ（ｎ）のそれぞれを巻線とした１回巻線のコイルが構成され、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−１）およびＴＬＹ（ｎ＋１）のそれぞれ巻線とした１回巻線のコイルが構成されることになる。また、構成されたコイルのそれぞれの一方の端部には、積分回路が接続され、他方の端部には接地電圧Ｖｓが供給されることになる。
磁界タッチ検出のときには、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）の一方の端部に、磁界駆動信号としてコイルクロック信号ＣＬＫが供給され、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ）の一方の端部に、接地電圧Ｖｓが供給される。このとき、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）およびＴＬＸ（ｎ）のそれぞれの他方の端部は、互いに電気的に接続され、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）およびＴＬＸ（ｎ＋１）のそれぞれの他方の端部は、互いに電気的に接続される。これにより、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）、ＴＬＸ（ｎ）のそれぞれを巻線とした１回巻線のコイルが構成され、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）、ＴＬＸ（ｎ＋１）のそれぞれを巻線とした１回巻線のコイルが構成されることになる。
第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）とＴＬ（ｎ）により構成されたコイルの一方の端部には、磁界駆動信号（コイルクロック信号ＣＬＫ）が供給され、他方の端部には、接地電圧Ｖｓが供給される。その結果、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）とＴＬ（ｎ）により構成されたコイルにおいて、磁界駆動信号の変化に従った磁界が発生する。発生した磁界によって、ペン内の容量素子が充電されれば、容量素子に充電された電荷に従って、ペン内のコイルが磁界を発生する。ペン内のコイルで発生した磁界に従って、第２駆動電極によって構成されたコイルにおいて信号が変化する。このコイルにおける信号変化が、増幅回路ＡＭＰによって増幅され、検出回路ＤＥＴによって、ペンの有無または／および筆圧が検知される。
磁界駆動信号（コイルクロック信号ＣＬＫ）は、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）に供給された後、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）に供給される。このとき、接地電圧Ｖｓは、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ）ではなく、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ＋１）へ供給される。このようにして、磁界を発生するコイルが順次変更される。
この変形例においては、平面視で見たとき、第２駆動電極により構成された複数のコイルが、部分的に重なっている。同様に、第１駆動電極により構成された複数のコイルも、部分的に重なっている。すなわち、１個のコイルに注目した場合、注目したコイルの巻線となる第２駆動電極（第１駆動電極）間に、隣接する他のコイルの巻線となる第２駆動電極（第１駆動電極）が配置されている。コイルにより発生する磁界は、コイルの巻線に挟まれている領域、すなわちコイルの内側で強くなる。磁界の検出も、コイルの巻線に挟まれている領域（コイルの内側）で感度がよい。そのため、コイルが部分的に重なるようにすることにより、発生する磁界が弱くなる領域、あるいは感度が低下する領域を減らすことが可能となる。
＜＜電界タッチ検出の動作＞＞
次に、電界タッチ検出の動作を図１６（Ｂ）を用いて説明する。図１６（Ｂ）に示した第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）および第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）〜ＴＬＸ（ｎ＋１）の構成は、図１６（Ａ）と同じであるため、説明は省略する。
この変形例においては、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）のそれぞれの他方の端部は、フローティング状態にされる。また、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）およびＴＬＹ（ｎ−１）のそれぞれの一方の端部は、互いに電気的に接続され、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）およびＴＬＹ（ｎ＋１）のそれぞれの一方の端部も、互いに電気的に接続される。互いに接続された第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）およびＴＬＹ（ｎ−１）の一方の端部は、図１２に示した増幅回路ＡＭＰに接続され、互いに接続された第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）およびＴＬＹ（ｎ＋１）の一方の端部も、増幅回路ＡＭＰに接続される。
また、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）〜ＴＬＸ（ｎ＋１）のそれぞれの他方の端部は、フローティング状態にされる。この変形例においては、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）およびＴＬＸ（ｎ−１）のそれぞれの一方の端部に、電界駆動信号である制御信号ＴＳＶが供給される。
指がタッチしている否かにより、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）における電荷量が変化し、この変化に伴って、第２駆動電極における信号変化が変わる。第２駆動電極における信号変化が、増幅回路ＡＭＰによって増幅され、検出回路ＤＥＴにより検出される。その結果、指のタッチの有無等を検出することが可能となる。なお、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）およびＴＬＸ（ｎ−１）に電界駆動信号を供給した後、例えば第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）へ、電界駆動信号が供給され、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）に係わるタッチの検出が行われることになる。
＜＜表示の動作＞＞
表示の際には、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ−２）〜ＴＬＹ（ｎ＋１）および第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）〜ＴＬＸ（ｎ＋１）のそれぞれに、表示駆動信号が供給される。これにより、信号線における電圧と表示駆動信号とに基づいた表示が行われることになる。
＜＜第１駆動電極および第２駆動電極＞＞
図１７は、変形例に係わる表示装置の構成を示す平面図である。図１７において、ＴＬＹ（ｎ−５）〜ＴＬＹ（ｎ＋４）は、第２駆動電極を示しており、ＴＬＸ（０）〜ＴＬＸ（ｐ）は、第１駆動電極を示している。図１６で説明したように、第２駆動電極および第１駆動電極は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された第３導電層７０５によって形成されている。図１６では、コイル間が部分的に重なるように、第２駆動電極により構成されたコイル内に、隣接したコイルの巻線が１個配置された例を説明したが、図１７では、平面視で見たとき、コイル内に、そのコイルと隣接する２個のコイルの巻線が、それぞれ配置されている例が示されている。これにより、図１６で述べたように、磁界の検出感度が低下する領域を低減することが可能となる。なお、第１駆動電極ＴＬＸ（０）〜ＴＬＸ（ｐ）のそれぞれは、図１６で説明したように、複数の単位第１駆動電極を有し、複数の単位第１駆動電極間は、信号配線によって電気的に接続されている。
図１８は、図１７において、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）と第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）〜ＴＬＸ（ｎ＋２）が交差する部分の平面および断面を示す図である。図１８（Ａ）は、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）と第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）〜ＴＬＸ（ｎ＋２）が交差する部分の平面を示しており、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）において一点鎖線Ｄ−Ｄ’で示した部分の断面を示している。
図１８（Ａ）において、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）は、破線で示されている。また、ＴＬＸ（ｎ−２）：０、ＴＬＸ（ｎ−２）：１は、第１駆動電極ＴＬ（ｎ−２）を構成する単位第１駆動電極を示し、ＴＬＸ（ｎ−１）：０、ＴＬＸ（ｎ−１）：１は、第１駆動電極ＴＬ（ｎ−１）を構成する単位第１駆動電極を示し、ＴＬＸ（ｎ）：０、ＴＬＸ（ｎ）：１は、第１駆動電極ＴＬ（ｎ）を構成する単位第１駆動電極を示している。さらに、ＴＬＸ（ｎ＋１）：０、ＴＬＸ（ｎ＋１）：１は、第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）を構成する単位第１駆動電極を示し、ＴＬＸ（ｎ＋２）：０、ＴＬＸ（ｎ＋２）：１は、第１駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）を構成する単位第１駆動電極を示している。
図１６において説明したように、同じ第１駆動電極を構成する単位第１駆動電極間は、物理的に分離され、駆動電極を形成する第３配線層７０５とは異なる配線層によって電気的に接続されている。図１７および図１８において、第２駆動電極ＴＬＹ（０）〜ＴＬＹ（ｐ）のそれぞれは、平面視で見たとき、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と平行するように延在しており、第１駆動電極ＴＬＸ（０）〜ＴＬＸ（ｐ）は、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）と平行するように延在している。図１８（Ａ）には、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のうち、信号線ＳＬ（ｎ−３）〜ＳＬ（ｎ＋４）が描かれている。また、走査線は、走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）のうち、走査線ＧＬ（ｍ−３）〜ＧＬ（ｍ＋６）のみが描かれている。
同じ第１駆動電極を構成する単位第１駆動電極間は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成された第１導電層７０１（図７）によって構成された信号配線Ｇ（ｎ−２）〜Ｇ（ｎ＋２）によって電気的に接続されている。走査線ＧＬ（ｍ−３）〜ＧＬ（ｍ＋６）も、第１導電層７０１によって構成されているため、第１導電層７０１によって、単位第１駆動電極間を接続する信号配線Ｇ（ｎ−２）〜Ｇ（ｎ＋２）と走査線ＧＬ（ｍ−３）〜ＧＬ（ｍ＋６）が形成されていることになる。これにより、新たな導電層を設けなくても、単位第１駆動電極間を電気的に接続することが可能となっている。また、単位第１駆動電極間は、２個の信号配線によって接続されている。例えば、単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：０と単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−２）：１との間には、並列的に２個の信号配線Ｇ（ｎ−２）が配置され、電気的に接続されている。これにより、信号配線Ｇ（ｎ−２）の抵抗値が比較的高くても、合成抵抗を低減することが可能とされている。
また、平面視で見たとき、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）に重なっている信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）のそれぞれと第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）との間には、表示領域２の辺２−Ｕ（例えば図６）の近傍において、図示しないスイッチが接続されている。同様に、信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）のそれぞれと第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）との間には、表示領域２の辺２−Ｄ（例えば図６）の近傍においても、図示しないスイッチが接続されている。この第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）と信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）のそれぞれとの間に接続されたスイッチは、タッチ検出のとき（磁界タッチ検出のときと電界タッチ検出のとき）にオン状態にされる。これにより、磁界タッチ検出のときと電界タッチ検出のときに、信号線（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）と第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）とが並列接続されることになり、第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）の合成抵抗を小さくすることが可能となる。第２駆動電極ＴＬＹ（ｎ）を例にして説明したが、他の第２駆動電極も同様に、タッチ検出のときには、信号線によって、合成抵抗が小さくなるようにされている。
図１８（Ｂ）において、ＬＤＰは画素電極を示しており、ＳＬ（ｎ−３）〜ＳＬ（ｎ＋３）は、第２導電層７０３（図７）によって形成された信号線を示している。ＴＬＹ（ｎ）は、第３導電層７０５によって形成された第２駆動電極を示している。また、ＴＬＸ（ｎ−１）：０およびＴＬＸ（ｎ−１）：１のそれぞれは、第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）を構成する単位第１駆動電極を示している。単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）：０、ＴＬＸ（ｎ−１）：１も、第３導電層７０５によって構成されているが、物理的には、分断されている。Ｇ（ｎ−１）は、第１導電層７０１によって形成された信号配線を示しており、物理的に互いに分離されている単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）：０およびＴＬＸ（ｎ−１）：１は、絶縁層７０４等に設けられた開口部を介して、電気的に信号配線Ｇ（ｎ−１）に接続されている。これにより、物理的には分離されている単位第１駆動電極ＴＬＸ（ｎ−１）：０およびＴＬＸ（ｎ−１）：１は、電気的には接続され、図１６で説明したように、磁界駆動信号、電界駆動信号および表示用駆動信号を、伝達することが可能となっている。
磁界タッチ検出のとき、第１駆動電極ＴＬＸによって磁界を発生するコイル（以下、磁界発生コイルまたは第１コイルとも称する）を構成し、第２駆動電極ＴＬＹによって磁界を検出するコイル（以下、磁界検出コイルまたは第２コイルとも称する）を構成する例を説明したが、これに限定されるものではない。例えば、第２駆動電極ＴＬＹによって、磁界発生コイルを構成し、第１駆動電極ＴＬＸによって、磁界検出コイルを構成するようにしてもよい。
実施の形態１においては、磁界タッチ検出のとき、磁界を発生する磁界発生コイルと、ペンからの磁界を検出する磁界検出コイルとが、別々になっている。例えば、図９および図１１では、駆動電極によって、磁界発生コイルが構成され、検出電極によって、磁界検出コイルが構成される。また、変形例においては、第１駆動電極によって、磁界発生コイルが構成され、第２駆動電極によって、磁界検出コイルが構成されている。
図２で説明したように、同一のコイル（Ｌ２）で、磁界を発生し、ペンからの磁界を検出する場合、検出が遅くなる、あるいは検出精度が低下することが危惧される。すなわち、コイルは、寄生容量等が付随する。そのため、コイルへの磁界駆動信号の供給を停止しても、コイルにおける電圧等は変動しており、収束するのに時間を要することになる。同一のコイルで、ペンからの磁界を検出する場合には、コイルにおける変動が所定の値に収束したタイミングで、検出をしないと、誤検出となる。そのため、検出が遅くなることが考えられる。また、コイルにおける変動の収束を待っている期間においても、ペンは、容量素子に蓄積された電荷によって磁界を発生している。そのため、コイルにおける変動の収束を待っている期間においても、容量素子に蓄えられていた電荷は失われることになる。従って、磁界を検出するタイミングが遅いと、ペンからの磁界が弱くなっており、検出精度が低下することになる。
実施の形態１においては、ペンが発生した磁界を検出する磁界検出コイルが、磁界発生コイルとは別のコイルとなっている。そのため、磁界駆動信号の供給を停止した後、磁界発生コイルにおける電圧等が変動していても、磁界検出コイルにおける電圧等は変動していないため、短時間で、磁界検出を開始することが可能となる。これにより、検出が遅くなるのを防ぐことが可能となる。また、磁界発生コイルにおける変動の収束を待たなくても、検出を開始することができるため、ペンから強い磁界が発生しているときに、検出を開始することが可能となり、検出精度の低下を防ぐことが可能となる。
実施の形態１においては、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、ＳＣ−Ｌによって、駆動電極が、磁界発生コイルを構成する駆動電極または電界を発生する駆動電極として、切り換えて用いられる。すなわち、磁界タッチ検出の際には、駆動電極によって磁界発生コイルが構成され、選択された磁界発生コイルには、磁界駆動信号と所定の電圧（接地電圧Ｖｓ）とが供給される。一方、電界タッチ検出の際には、選択された駆動電極は、フローティング状態で、電界駆動信号が供給される。これにより、電界タッチ検出の際には、選択された駆動電極から、電界駆動信号に従った電界を発生させることが可能となる。
また、切り換え回路ＳＣ−Ｄによって、検出電極は、磁界検出コイルを構成する検出電極または電界を検出する検出電極として、切り換えて用いられる。すなわち、磁界タッチ検出の際には、磁界検出コイルに所定の電圧（接地電圧Ｖｓ）が供給され、所定の電圧を基準として、磁界検出コイルにおける信号変化が検出される。一方、電界タッチ検出の際には、検出電極はフローティング状態とされ、タッチにより生じる電荷の変化が検出電極における信号変化として検出される。
このように、磁界タッチ検出と電界タッチ検出とで、同じ電極（駆動電極および検出電極）を用いることが可能であるため、磁界タッチ検出または／および電界タッチ検出のために、新たな電極あるいは信号配線を設けることが要求されないため、表示装置の価格の上昇を抑制することが可能となる。
変形例においては、磁界タッチ検出のとき、磁界発生コイルと磁界検出コイルが、駆動電極により構成される。また、電界タッチ検出のときには、駆動電極によって、電界の発生と検出が行われる。そのため、例えば、検出電極を設けなくても、磁界タッチ検出と電界タッチ検出を実行することが可能であり、表示装置の価格の上昇を抑制することが可能である。
透明電極よりも抵抗値の低い補助電極ＳＭ（第２電極）を用いずに、透明電極のみを駆動電極として、磁界発生コイルまたは／および磁界検出コイルを構成することが考えられる。例えば、磁界発生コイルを、駆動電極（補助電極ＳＭを有しない）で構成した場合、駆動電極の抵抗値が高いため、表示領域２において、発生する磁界の強さに、バラツキが発生する。図６を例にして述べると、表示領域２の辺２−Ｄ側から磁界駆動信号が、駆動電極に供給されるが、この場合には、辺２−Ｄ側において発生する磁界に比べて、辺２−Ｕ側において発生する磁界が弱くなる。そのため、表示領域２において、磁界の強度にバラツキが生じ、磁界の強度に分布が発生することになる。
また、磁界検出コイルを駆動電極（補助電極ＳＭを有しない）によって構成した場合、駆動電極の抵抗値が高いため、表示領域２において増幅回路ＡＭＰから離れた領域における磁界の変化により生じる増幅回路ＡＭＰの入力信号の変化と、増幅回路ＡＭＰに近接した領域における磁界の変化により生じる増幅回路ＡＭＰの入力信号の変化とでは異なってしまう。そのため、駆動電極によって磁界検出コイルを形成した場合にも、表示領域２における検出の位置（領域）において、検出感度のバラツキが生じてしまうことが考えられる。
さらに、透明電極によって構成された駆動電極によって、磁界発生コイルと磁界検出コイルの両方を構成した場合には、上記したように、磁界発生におけるバラツキと磁界検出におけるバラツキの両方が生じることになる。その結果、増幅回路ＡＭＰに供給される信号変化は、表示領域２において検出する位置によってばらつくことになる。これに対応するためには、例えば、増幅回路ＡＭＰ（検出回路）の増幅率等の特性を、検出する位置に応じて変更することが考えられる。しかしながら、この変更は大きな負担となり、表示装置の価格上昇を招くことが危惧される。
実施の形態１においては、磁界タッチ検出の際に、透明電極と補助電極とを有する駆動電極によって磁界発生コイルが構成される。透明電極は比較的抵抗値が大きいが、補助電極は、透明電極に比べて抵抗値が小さい。そのため、透明電極と、透明電極と並列的に接続された補助電極（第２電極）を有する駆動電極の合成抵抗は小さくなる。これにより、磁界を発生するときに、強い磁界を発生することが可能となり、ペン内の容量素子に蓄えられる電荷量の多くすることが可能となる。
また、ペンからの磁界を検出する磁界検出コイルは、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成された検出電極によって構成される。検出電極は、例えばアルミニウム等によって構成されるため、抵抗値が小さい。また、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成される導電層の数は、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成される導電層の数に比べて少ない。例えば、図１４を参照にして述べると、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１には、走査線、信号線および駆動電極等を形成する複数の導電層が形成されるのに対して、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、検出電極を形成する導電層が形成されているだけである。そのため、検出電極に付随する寄生容量は小さくなる。磁界タッチ検出に際して、磁界検出コイルは、抵抗値が小さく、付随する寄生容量も小さい検出電極によって構成されるため、表示領域２において、検出感度のバラツキを低減することが可能となる。
実施の形態１においては、磁界を発生するときは、透明電極と補助電極とを有する駆動電極を用いた磁界発生コイルが使われ、強い磁界が発生される。また、ペンからの磁界を検出するときには、抵抗値および寄生容量が小さい検出電極を用いた磁界検出コイルが使われ、磁界の検出が行われる。表示領域２において、発生する磁界にバラツキが生じていても、強い磁界を発生することが可能となるため、ペンの容量素子に蓄えられる電荷量を多くすることにより、バラツキの影響が低減される。一方、ペンからの磁界を検出するときには、検出電極を用いることにより、表示領域２における検出感度のバラツキが低減される。そのため、増幅回路ＡＭＰに供給される信号変化が、表示領域２における検出の位置によってばらつくのを低減することが可能となる。これにより、検出する位置に応じて、増幅回路ＡＭＰ（検出回路）の特性を変更する必要がなくなる。あるいは変更を少なくすることが可能となる。
なお、実施の形態１では、増幅回路ＡＭＰが、磁界タッチ検出と電界タッチ検出の両方において、共通で用いられている。磁界タッチ検出の際に、コイルを構成する検出電極に発生する信号変化の値と、電界タッチ検出の際に、検出電極に発生する信号変化の値とは、異なる。そのため、磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときとで、増幅回路ＡＭＰの特性を変更あるいは切り換えることが望ましい。例えば、磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときとで、積分容量ＣＧＳ（図１１、図１２）の値を切り換えることが望ましい。
変形例においては、磁界タッチ検出のとき、磁界発生コイルと磁界検出コイルが、駆動電極により構成される。また、電界タッチ検出のときにも、駆動電極によって、電界の発生と検出が行われる。磁界発生コイルを構成する駆動電極は、物理的に分離された単位駆動電極（単位第１駆動電極）を、信号配線によって電気的に接続することにより、構成される。物理的に分断された単位駆動電極を信号配線によって接続するため、磁界発生コイルを構成する駆動電極は、抵抗値および付随する寄生容量が大きくなることが危惧される。しかしながら、例えば、検出電極を設けなくても、磁界タッチ検出と電界タッチ検出を実行することが可能であり、表示装置の価格の上昇を抑制することが可能である。
（実施の形態２）
図１９は、実施の形態２に係わる表示装置１の構成を示すブロック図である。図１９は、図５に類似しているので、ここでは相違点を主に説明する。図１９において、ゲートドライバ５、タッチ制御装置６および信号線ドライバＤ−ＤＲＶは、図５に示したゲートドライ５、タッチ制御装置６および信号線ドライバＤ−ＤＲＶと同じであるため、説明は省略する。図１９に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴは、図５に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴと類似しているが、図１９に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴは、図５に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴに加えて、表示の期間を示す表示制御信号ＤＰ＿ＥＮと、この表示制御信号ＤＰ＿ＥＮの位相を反転した反転表示制御信号／ＤＰ＿ＥＮを形成する。この表示制御信号ＤＰ＿ＥＮ、反転表示制御信号／ＤＰ＿ＥＮは、例えば同期信号ＴＳＨＤに基づいて形成される。この実施の形態２においては、表示制御信号ＤＰ＿ＥＮは、表示期間においてハイレベルとなり、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときにはロウレベルとなる。そのため、反転表示制御信号／ＤＰ＿ＥＮは、表示期間において、ロウレベルとなり、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のときにはハイレベルとなる。
実施の形態１においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行に配置されており、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）と交差していた。また、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、列方向に延在し、行方向に平行に配置されていた。
これに対して、実施の形態２においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、列方向に延在し、行方向に平行に配置されている。信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、実施の形態１と同様に、列方向に延在し、行方向に平行に配置されている。そのため、実施の形態２において、表示領域２Ａを上面視から見た場合、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、平行に配置されている。また、実施の形態２において、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、行方向に延在し、列方向に平行に配置されている。そのため、実施の形態１と同様に、検出電極（第２配線）ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、表示領域２Ａにおいて、駆動電極（第１配線）ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と交差し、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）とも交差している。
図１９において、３Ａは信号線セレクタを示している。信号線セレクタ３Ａは、表示期間のときには、図５に示した信号線セレクタ３と同様に動作する。すなわち、信号線セレクタ３Ａは、信号線ドライバＤ−ＤＲＶから、時分割的に画像信号が供給される。表示期間においては、供給された画像信号を、選択信号ＳＥＬ１およびＳＥＬ２に従って、適切な信号線へ伝達する。
これに対して、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、すなわちタッチ検出期間においては、信号線セレクタ３Ａは、信号線を駆動電極に電気的に接続する。表示領域２Ａの辺２−Ｕに沿って切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１が配置されている。この切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１も、タッチ検出期間において、信号線と駆動電極とを電気的に接続する。そのため、タッチ検出期間においては、表示領域２Ａの辺２−Ｕ側と辺２−Ｄ側で、信号線と駆動電極とが電気的に接続されることになる。これにより、タッチ検出期間において、駆動電極の合成抵抗が低減されることになる。なお、図１９では、図面が複雑になるのを避けるために、信号線セレクタ３Ａと表示領域２Ａとの間に配置されている駆動電極は省略され、信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）のみが示されている。同様に、表示領域２Ａと切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１との間に配置されている信号線は省略されており、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のみが示されている。
タッチ検出期間においては、検出制御回路ＳＸから、選択信号が、切り換え駆動回路（駆動回路、第１切り換え回路）ＳＣ−ＤＡに供給される。切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡには、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣおよび接地電圧Ｖｓが供給されている。また、磁界タッチ検出のとき、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡには、コイルクロック信号ＣＬＫが供給され、電界タッチ検出のときには、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶが供給される（ＣＬＫ／ＴＳＶと記載）。
表示領域２Ａの辺２−Ｕの近傍には、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２が配置されている。切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２は、辺２−Ｕ側において、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に接続されており、磁界タッチ検出のときには、所定の駆動電極間を電気的に接続する。
上記した切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡにおいても、所定の駆動電極間が電気的に接続されている。磁界タッチ検出のときに、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２によって所定の駆動電極間が電気的に接続されることにより、駆動電極を巻線とした複数の磁界発生コイルが形成される。切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡは、検出制御回路ＳＸからの選択信号に従って、複数の磁界発生コイルから、磁界を発生する磁界発生コイルを選択し、選択した磁界発生コイルに、接地電圧Ｖｓと、コイルクロック信号ＣＬＫを供給する。選択された磁界発生コイルには、接地電圧Ｖｓを基準として、コイルクロック信号ＣＬＫが磁界駆動信号として供給され、磁界駆動信号に従った磁界が発生する。タッチ検出期間では、信号線セレクタ３Ａおよび切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１によって、駆動電極には、信号線が電気的に接続されているため、駆動電極の合成抵抗を小さくすることが可能であり、選択された磁界発生コイルは、強い磁界を発生する。
切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２は、電界タッチ検出のとき、駆動電極間を電気的に分離する。また、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡは、検出制御回路ＳＸからの選択信号によって選択された駆動電極がフローティング状態となるようにし、選択された駆動電極へ制御信号ＴＳＶを電界駆動信号として供給する。これにより、選択された駆動電極は、電界駆動信号に従った電界を発生する。
表示領域２Ａに配置されている検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、信号配線ＲＬＬ（０）〜ＲＬＬ（ｐ）を介して、切り換え増幅回路（第２切り換え回路、検出回路）ＳＣ−ＬＡおよびＳＣ−ＲＡに接続されている。実施の形態２においては、互いに隣接して配置された２個の検出電極が組とされており、組とされた２個の検出電極の端部が電気的に接続され、２個の検出電極の別の端部が、信号配線ＲＬＬに接続されている。一例を述べると、検出電極ＲＬ（０）と、この検出電極ＲＬ（０）に平行して、隣接した検出電極ＲＬ（１）とが、組とされる。組とされた検出電極ＲＬ（０）と検出電極ＲＬ（１）とは、辺２−Ｌ側において電気的に接続され、辺２−Ｒ側において、信号配線ＲＬＬ（０）とＲＬＬ（１）に接続され、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡに接続されている。同様に、組とされた検出電極ＲＬ（２）と検出電極ＲＬ（３）は、辺２−Ｒ側において電気的に接続され、辺２−Ｌ側において、信号配線ＲＬＬ（２）とＲＬＬ（３）に接続され、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡに接続されている。
切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡ、ＳＣ−ＬＡは、磁界タッチ検出のとき、信号配線ＲＬＬ（０）〜ＲＬＬ（ｐ）のうち、第１の信号配線（例えば、ＲＬＬ（１）、ＲＬＬ（３）、以下、切り換え信号配線とも称する）に接地電圧Ｖｓを供給し、第２の信号配線（例えば、ＲＬＬ（０）、ＲＬＬ（２）、以下、検出信号配線とも称する）における信号変化を増幅し、検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴへ供給する。実施の形態２においては、互いに近接して、平行に配置された検出電極によって、１回巻線の磁界検出コイルが構成される。この磁界検出コイルに、切り換え信号配線を介して接地電圧Ｖｓを供給することにより、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡ、ＳＣ−ＬＡは、接地電圧Ｖｓを基準として、磁界検出コイルにおける信号変化を、検出信号配線を介して受信し、増幅することになる。その結果、ペンからの磁界に応じた検出信号を、検出回路ＤＥＴへ供給することが可能となり、ペンの有無または／および筆圧を検出することができる。
また、電界タッチ検出のとき、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡ、ＳＣ−ＬＡは、信号配線ＲＬＬ（０）〜ＲＬＬ（ｐ）のうち、切り換え信号配線をフローティング状態にし、検出信号配線における信号変化を増幅して、検出信号Ｒｘとして検出回路ＤＥＴへ供給する。指がタッチされているか否かにより、電界が変化する。この変化に従って、検出信号配線における信号が変化する。そのため、検出回路ＤＥＴで検出信号Ｒｘを判定することにより、指の有無を検出することができる。
なお、この実施の形態２においては、ペンからの磁界が、複数の磁界検出コイルにより検出され、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴへ供給される。また、電界タッチ検出のときも、電界駆動信号によって発生した電界の変化が、複数の検出電極によって検出され、検出信号Ｒｘ（０）〜Ｒｘ（ｐ）として、検出回路ＤＥＴへ供給される。
表示期間においては、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡから、駆動電極に、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが、表示駆動電圧として供給される。表示の動作は、実施の形態１と同じであるため、省略する。なお、表示期間においては、信号線セレクタ３Ａおよび切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１は、信号線と駆動電極を電気的に分離する。
＜信号線セレクタ３Ａおよび切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１＞
次に信号線セレクタ３Ａおよび切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１の一例を説明する。図２０は、実施の形態２に係わる表示装置における信号線セレクタ３Ａおよび切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１の構成を示す回路図である。図２０において、ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示領域２Ａに配置された駆動電極を示しており、ＳＬは、表示領域２Ａに配置された信号線を示している。平面視で見たとき、図２０に示すように、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）と複数の信号線ＳＬは、互いに平行して、延在するように配置されている。
信号線セレクタ３Ａは、複数の単位セレクタＵ３Ａを備えている。単位セレクタＵ３Ａは、互いに同じ構成を有しているため、図２０では、１個の単位セレクタＵ３Ａの構成が詳しく示されている。単位セレクタＵ３Ａは、第７スイッチＳ６０と第８スイッチＳ７０、Ｓ７１を備えている。第７スイッチＳ６０は、信号線ドライバＤ−ＤＲＶの出力ノードｎｄｒｖ（０）と切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡのノードｎｄａ（０）との間に接続され、反転表示制御信号／ＤＰ＿ＥＮによってスイッチ制御される。また、第８スイッチＳ７０およびＳ７１は、信号線ドライバＤ−ＤＲＶの出力ノードｎｄｒｖ（０）と信号線ＳＬとの間に接続され、第８スイッチＳ７０は、選択信号ＳＥＬ１によってスイッチ制御され、第８スイッチＳ７１は、選択信号ＳＥＬ２によってスイッチ制御される。
表示期間においては、反転制御信号／ＤＰ＿ＥＮは、ロウレベルとなるため、第７スイッチＳ６０はオフ状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（０）と信号線ＳＬとは分離される。一方、表示期間においては、選択信号ＳＥＬ１とＳＥＬ２が相補的にハイレベルとなり、第８スイッチＳ７０とＳ７１が、相補的にオン状態となる。これにより、信号線ドライバＤ−ＤＲＶの出力ノードｎｄｒｖ（０）から出力された画像信号は、複数の信号線ＳＬ（図では２個の信号線）に、時分割的に供給されることになる。
タッチ検出のときには、反転表示制御信号／ＤＰ＿ＥＮがハイレベルとなり、選択信号ＳＥＬ１およびＳＥＬ２は、ともにハイレベルとなる。これにより、タッチ検出のときには、第７スイッチＳ６０および第８スイッチＳ７０、Ｓ７１がオン状態となる。その結果、タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（０）に、複数の信号線ＳＬが電気的に接続されることになる。
切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１も、互いに同じ構成を有する複数の単位切り換え回路Ｕ−ＵＡ１を備えている。図２０では、単位信号線セレクタＵ３Ａに対応する単位切り換え回路Ｕ−ＵＡ１についてのみ、詳しい構成が示されている。単位切り換え回路Ｕ−ＵＡ１は、第９スイッチＳ８０〜Ｓ８２を備えている。第９スイッチＳ８０は、駆動電極ＴＬ（０）とノードｎｕａ（０）との間に接続され、第９スイッチＳ８１およびＳ８２のそれぞれは、信号線ＳＬとノードｎｕａ（０）との間に接続されている。第９スイッチＳ８０〜Ｓ８２は、反転表示制御信号／ＤＰ＿ＥＮによってスイッチ制御される。
表示期間においては、反転表示制御信／ＤＰ＿ＥＮはロウレベルとなるため、第９スイッチＳ８０〜Ｓ８２はオフ状態となる。これに対して、タッチ検出のとき、反転表示制御信号／ＤＰ＿ＥＮはハイレベルとなり、第９スイッチＳ８０〜Ｓ８２はオン状態となる。これにより、表示期間においては、信号線ＳＬは、駆動電極ＴＬ（０）から電気的に分離される。一方、タッチ検出のときには、第９スイッチＳ８０〜Ｓ８２を介して、駆動電極ＴＬ（０）に信号線ＳＬが電気的に接続されることになる。
信号線セレクタ３Ａは、表示領域２Ａの辺２−Ｄに沿って配置され、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１は、表示領域２Ａの辺２−Ｕに沿って配置されている。そのため、タッチ検出のときには、辺２−Ｄ側において、駆動電極ＴＬ（０）に信号線ＳＬが接続されるとともに、辺２−Ｕ側においても、駆動電極ＴＬ（０）に信号線ＳＬが接続されることになる。すなわち、駆動電極ＴＬ（０）に対して、複数の信号線ＳＬが並列接続されることになる。この結果、タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（０）の合成抵抗を小さくすることが可能となる。一方、表示期間においては、駆動電極ＴＬ（０）は、信号線ＳＬから電気的に分離されるため、駆動電極ＴＬ（０）に表示駆動信号を供給することにより、表示駆動信号と画像信号とが、画素に供給され、表示を行うことが可能となる。
駆動電極ＴＬ（０）に対応する単位信号線セレクタＵ３Ａおよび単位切り換え回路Ｕ−ＵＡ１を例にして説明したが、他の駆動電極ＴＬ（１）〜ＴＬ（ｐ）に対応する単位信号線セレクタＵ３Ａおよび単位切り換え回路Ｕ−ＵＡ１についても、構成および動作は同じである。
なお、図２０では、説明を容易にするために、タッチ検出のときに、１個の駆動電極に対して、２個の信号線を接続する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、タッチ検出の際に、３個以上の信号線が、１個の駆動電極に並列接続されるようにしてもよい。
＜磁界発生コイル＞
図２１は、実施の形態２に係わる液晶表示装置の構成を示す模式的な平面図である。実施の形態２では、磁界タッチ検出のとき、表示領域２Ａに配置されている駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）を用いて、磁界発生コイルを形成する。この実施の形態２においては、磁界タッチ検出のとき、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２と切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡによって、所定の駆動電極間が電気的に接続されることにより、磁界発生コイルが形成されることになる。図２１を用いて、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２と切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡにより、駆動電極を巻線として磁界発生コイルの形成する動作を説明する。なお、図２１では、図２０で説明した切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１および信号線セレクタ３Ａは省略されているが、タッチ検出のときには、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１および信号線セレクタ３Ａによって、それぞれの駆動電極には、複数の信号線が並列接続されているものとする。
図２１では、２回巻線の磁界発生コイルが、駆動電極によって形成されている場合を示している。また、説明を容易にするために、図２１には、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のうち、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（８）のみが示されている。
切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２は、表示領域２Ａの辺２−Ｕに沿って配置されており、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１のノードｎｕａ（０）〜ｎｕａ（８）（図２０参照）に接続されている。図２０から理解されるように、ノードｎｕａ（０）〜ｎｕａ（８）は、磁界タッチ検出のとき、対応する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（８）に接続される。切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡは、表示領域２Ａの辺２−Ｄに沿って配置されており、ノードｎｄａ（０）〜ｎｄａ（８）（図２０参照）を備えている。図２０から理解されるように、磁界タッチ検出のとき、ノードｎｄａ（０）〜ｎｄａ（８）は、対応する駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（８）に接続される。なお、図２０で、説明したように、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（８）のそれぞれには、複数の信号線が並列接続されている。
磁界タッチ検出のとき、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２は、駆動電極ＴＬ（０）に対応するノードｎｕａ（０）と、駆動電極ＴＬ（３）に対応するノードｎｕａ（３）とを電気的に接続し、駆動電極ＴＬ（１）に対応するノードｎｕａ（１）と、駆動電極ＴＬ（４）に対応するノードｎｕａ（４）とを電気的に接続する。一方、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡは、駆動電極ＴＬ（１）に対応するノードｎｄａ（１）と駆動電極ＴＬ（３）に対応するノッドｎｄａ（３）とを接続する信号配線を備えている。これにより、磁界タッチ検出のときには、互いに平行して配置された駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＫ（３）およびＴＬ（４）が、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２と切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡによって直列的に接続されることになり、これらの駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＫ（３）およびＴＬ（４）を巻線とした磁界発生コイルが形成されることになる。
また、磁界タッチ検出のときには、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡが、辺２−Ｄ側から、駆動電極ＴＬ（０）に対応するノードｎｄａ（０）に接地電圧Ｖｓを供給し、駆動電極ＴＬ（４）に対応するノードｎｄａ（４）に、コイルクロック信号ＣＬＫを供給する。これにより、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＫ（３）およびＴＬ（４）によって挟まれた駆動電極ＴＬ（２）を中心とした磁界発生コイルが形成され、コイルクロック信号ＣＬＫに応じて変化する磁界が発生する。この場合、発生する磁界は、コイルの中心である駆動電極ＴＬ（２）において、最も強い磁界となる。
磁界タッチ検出のときには、同様にして、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２と切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡにより、別の駆動電極を巻線とした磁界発生コイルが形成される。例えば、駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（６）、ＴＬ（８）およびＴＬ（９）を巻線とした磁界発生コイルが形成される。この場合、駆動電極ＴＬ（７）が、磁界発生コイルの中心となり、この磁界発生コイルに接地電圧Ｖｓとコイルクロック信号ＣＬＫを供給した場合には、駆動電極ＴＬ（７）の領域において、より強い磁界が発生することになる。
このようにして、磁界タッチ検出のときに、駆動電極を巻線とした複数の磁界発生コイルが形成されるが、形成された複数の磁界発生コイルのうち、いずれの磁界発生コイルにコイルクロック信号ＣＬＫを供給するかは、検出制御回路ＳＸ（図１９）によって定められる。
＜切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２の構成＞
図２２は、実施の形態２に係わる切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２の構成を示す回路図である。図２２には、図２１に示した駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（８）と、駆動電極ＴＬ（８）に近接して配置された駆動電極ＴＬ（９）に対応する部分の回路が示されている。
切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２は、第１０スイッチＳ９０〜Ｓ９３を備えている。第１０スイッチＳ９０〜Ｓ９３のそれぞれは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御される。すなわち、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルのとき、オン状態となり、ロウレベルのとき、オフ状態となる。言い換えるなら、磁界タッチ検出のとき、第１０スイッチＳ９０〜Ｓ９３はオン状態となり、電界タッチ検出のとき、第１０スイッチＳ９０〜Ｓ９３はオフ状態となる。
第１０スイッチＳ９０は、駆動電極ＴＬ（０）に対応するノードｕｎａ（０）と駆動電極ＴＬ（３）に対応するノードｕｎａ（３）との間に接続され、第１０スイッチＳ９１は、駆動電極ＴＬ（１）に対応するノードｕｎａ（１）と駆動電極ＴＬ（４）に対応するノードｕｎａ（４）との間に接続されている。同様に、第１０スイッチＳ９２は、駆動電極ＴＬ（５）に対応するノードｕｎａ（５）と駆動電極ＴＬ（８）に対応するノードｕｎａ（８）との間に接続され、第１０スイッチＳ９３は、駆動電極ＴＬ（６）に対応するノードｕｎａ（６）と駆動電極ＴＬ（９）に対応するノードｕｎａ（９）との間に接続されている。
これにより、磁界タッチ検出のときには、表示領域２の辺２−Ｕ側において、駆動電極ＴＬ（０）と駆動電極ＴＬ（３）とが接続され、駆動電極ＴＬ（１）と駆動電極ＴＬ（４）が接続される。また、このとき、駆動電極ＴＬ（５）と駆動電極ＴＬ（８）とが接続され、駆動電極ＴＬ（６）と駆動電極ＴＬ（９）が接続されることになる。一方、電界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（９）は、電気的に分離されることになる。
駆動電極ＴＬ（１０）〜ＴＬ（ｐ）についても、同様に、第１０スイッチによって、磁界タッチ検出のときには、所定の駆動電極間が電気的に接続され、電界タッチ検出のときには、駆動電極間は、電気的に分離される。
＜切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡの構成＞
図２３は、実施の形態２に係わる切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡの構成を示す回路図である。図２３には、図２２で述べた駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（９）に対応する部分の回路のみが示されている。
切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡは、第１１スイッチＳ１００、Ｓ１０１、第１２スイッチＳ１１０、Ｓ１１１、第１３スイッチＳ１２０、Ｓ１２１および信号配線ＣＣＮ１、ＣＣＮ２を備えている。第１１スイッチＳ１００、Ｓ１０１は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御され、第１２スイッチＳ１１０、Ｓ１１１は、表示制御信号ＤＰ＿ＥＮによってスイッチ制御され、第１３スイッチＳ１２０、Ｓ１２１は、検出制御回路ＳＸからの対応する選択信号ＳＮ（０）、ＳＮ（１）によってスイッチ制御される。
第１１スイッチＳ１００は、駆動電極ＴＬ（０）に対応するノードｎｄａ（０）と信号配線Ｌｓとの間に接続され、第１１スイッチＳ１０１は、駆動電極ＴＬ（５）に対応するノードｎｄａ（５）と信号配線Ｌｓとの間に接続されている。磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮは、磁界タッチ検出のとき、ハイレベルとなるため、磁界タッチ検出のとき、第１１スイッチＳ１００、Ｓ１０１がオン状態となり、電界タッチ検出のときには、第１１スイッチＳ１００、Ｓ１０１はオフ状態となる。磁界タッチ検出のとき、第１１スイッチＳ１００、Ｓ１０１がオン状態となることにより、ノードｎｄａ（０）を介して対応する駆動電極ＴＬ（０）は、信号配線Ｌｓに接続され、ノードｎｄａ（５）を介して対応する駆動電極ＴＬ（５）も、信号配線Ｌｓに接続される。この信号配線Ｌｓには、接地電圧Ｖｓが供給されている。そのため、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（０）およびＴＬ（５）は、辺２−Ｄ側において、接地電圧Ｖｓが供給されることになる。
第１２スイッチＳ１１０は、駆動電極ＴＬ（４）に対応するノードｎｄａ（４）と信号配線Ｌｖとの間に接続され、第１２スイッチＳ１１１は、駆動電極ＴＬ（９）に対応するノードｎｄａ（９）と信号配線Ｌｖとの間に接続されている。表示制御信号ＤＰ＿ＥＮは、表示期間のとき、ハイレベルとなるため、表示期間のとき、第１２スイッチＳ１１０、Ｓ１１１がオン状態となり、タッチ検出のときには、第１２スイッチＳ１１０、Ｓ１１１はオフ状態となる。表示期間のとき、第１２スイッチＳ１１０、Ｓ１１１がオン状態となることにより、ノードｎｄａ（４）を介して対応する駆動電極ＴＬ（４）は、信号配線Ｌｖに接続され、ノードｎｄａ（９）を介して対応する駆動電極ＴＬ（９）も、信号配線Ｌｖに接続されことになる。この信号配線Ｌｖには、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給されている。
表示期間のとき、第１２スイッチがオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（４）およびＴＬ（９）は、辺２−Ｄ側において、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが供給されることになる。この所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが、表示駆動信号となる。図２３では、駆動電極ＴＬ（４）およびＴＬ（９）に対して、第１２スイッチを設けているが、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に対して、第１２スイッチを設けるようにしてもよい。
第１３スイッチＳ１２０は、駆動電極ＴＬ（４）に対応するノードｎｄａ（４）と信号配線Ｌｃとの間に接続され、第１３スイッチＳ１２１は、駆動電極ＴＬ（９）に対応するノードｎｄａ（９）と信号配線Ｌｃとの間に接続されている。この実施の形態１において、検出制御回路ＳＸは、第１３スイッチのそれぞれに対応した選択信号を出力する。図２３には、第１３スイッチＳ１２０に対応する選択信号ＳＮ（０）と、Ｓ１２１に対応する選択信号ＳＮ（１）のみが示されている。
検出制御回路ＳＸは、後で図２４を用いて説明するが、タッチ検出のとき、すなわち磁界タッチ検出のときと、電界タッチ検出のときに、検出する領域に対応する選択信号をハイレベルにし、検出を行わない領域に対応する選択信号をロウレベルにする。タッチ検出のときに、例えば選択信号ＳＮ（０）がハイレベルとなることにより、第１３スイッチＳ１２０がオン状態となる。このとき、選択信号ＳＮ（１）はロウレベルであり、第１３スイッチＳ１２１はオフ状態となる。第１３スイッチＳ１２０がオン状態となると、この第１３スイッチＳ１２０およびノードｎｄａ（４）を介して対応する駆動電極ＴＬ（４）は、信号配線Ｌｃに接続される。このとき、第１３スイッチＳ１２１はオフ状態であるため、対応する駆動電極ＴＬ（９）は、信号配線Ｌｃに接続されず、駆動電極ＴＬ（９）と信号配線Ｌｃとは電気的に分離されることになる。
タッチ検出が磁界タッチ検出のときには、信号配線Ｌｃにコイルクロック信号ＣＬＫが供給されため、駆動電極ＴＬ（４）には、コイルクロック信号ＣＬＫが供給されることになる。一方、タッチ検出が電界タッチ検出のときには、信号配線Ｌｃに周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶが供給される。そのため、電界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（４）に制御信号ＴＳＶが供給されることになる。
選択信号ＳＮ（１）がハイレベルで、選択信号ＳＮ（０）がロウレベルのときには、同様にして、第１３スイッチＳ１２１がオン状態となり、第１３スイッチＳ１２０はオフ状態となる。これにより、磁界タッチ検出のときには、第１３スイッチＳ１２１を介して、コイルクロック信号ＣＬＫが、駆動電極ＴＬ（９）に供給され、電界タッチ検出のときには、第１３スイッチＳ１２１を介して、制御信号ＴＳＶが、駆動電極ＴＬ（９）に供給される。
駆動電極ＴＬ（１）に対応するノードｎｄａ（１）および駆動電極ＴＬ（３）に対応するノードｎｄａ（２）は、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡにおいて、信号配線ＣＣＮ１により接続されている。また、駆動電極ＴＬ（６）に対応するノードｎｄａ（６）および駆動電極ＴＬ（８）に対応するノードｎｄａ（８）は、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡにおいて、信号配線ＣＣＮ２により接続されている。
＜検出制御回路の構成＞
図２４は、実施の形態２に係わる検出制御回路ＳＸの構成を示すブロック図である。検出制御回路ＳＸは、図９で説明した検出制御回路ＳＲと同様に、シフトレジスタと制御回路ＳＲＣとを備えている。図２４には、シフトレジスタを構成するレジスタ段がＵＳＸ（０）〜ＵＳＸ（ｐ）として示されている。タッチ検出を実行するまえに、制御信号Ｔ−ＣＮＴによって、所望のレジスタ段にタッチ検出領域指定情報を設定する。例えば、レジスタ段ＵＳＸ（０）にタッチ検出領域指定情報を設定する。設定されたタッチ検出領域指定情報は、図示しないシフトクロック信号が変化することにより、順次、レジスタ段を移動する。例えば、レジスタ段ＵＳＸ（０）に設定されたタッチ検出領域指定情報は、シフトクロック信号の変化に同期して、レジスタ段ＵＳＸ（０）からＵＳＸ（ｐ）へ向けて移動（シフト）する。レジスタ段ＵＳＸ（０）からＵＳＸ（ｐ）に保持されているタッチ検出領域指定情報が、制御回路ＳＲＣを介して、選択信号ＳＮ（０）〜ＳＮ（ｐ）として出力される。
制御回路ＳＲＣは、例えば表示制御信号ＤＰ＿ＥＮによって、表示期間かタッチ検出期間かを判定し、タッチ検出期間のとき、レジスタ段ＵＳＸ（０）からＵＳＸ（ｐ）に保持されているタッチ検出領域指定情報を出力する。例えば、タッチ検出のとき、タッチ検出領域指定情報が、レジスタ段ＵＳＸ（０）からレジスタ段ＵＳＸ（ｐ）へ向けて移動することにより、選択信号は、選択信号ＳＮ（０）からＳＮ（ｐ）に向けて、順次ハイレベルとなる。
＜切り換え回路ＳＣ−ＵＡ２、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡおよび検出制御回路ＳＸの動作＞
次に、図２２から図２４を用いて、磁界タッチ検出のときの動作を説明する。ここでは、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（３）およびＴＬ（４）によって、磁界発生コイルが構成され、この磁界発生コイルが選択される場合を例として説明する。この場合、レジスタ段ＵＳＸ（０）に、タッチ検出領域指定情報が保持されており、このタッチ検出領域指定情報により、レジスタ段ＵＳＸ（０）に対応する選択信号ＳＮ（０）がハイレベルとなっており、残りの選択信号ＳＮ（１）〜ＳＮ（ｐ）はロウレベルとなっている。
磁界タッチ検出のときには、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなるため、図２２に示した第１０スイッチＳ９０〜Ｓ９３がオン状態となる。これにより、駆動電極ＴＬ（０）は、辺２−Ｕ側において、第１０スイッチＳ９０を介して駆動電極ＴＬ（３）に接続され、駆動電極ＴＬ（３）は、辺２−Ｄ側において、信号配線ＣＣＮ１を介して駆動電極ＴＬ（１）に接続され、駆動電極ＴＬ（１）は、辺２−Ｕ側において、第１０スイッチＳ９１を介して駆動電極ＴＬ（４）に接続される。これにより、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（３）およびＴＬ（４）が、直列に接続され、磁界発生コイルが構成される。このとき、他の駆動電極、例えば駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（６）、ＴＬ（８）およびＴＬ（９）も、直列に接続され、これらの駆動電極によって、別の磁界発生コイルが構成されている。
磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなることにより、図２３に示した第１１スイッチＳ１００、Ｓ１０１もオン状態となる。これにより、駆動電極により構成された磁界発生コイルのそれぞれの一方の端部（ノードｎｄａ（０）、ｎｄａ（５））には、第１１スイッチを介して、接地電圧Ｖｓが供給される。このときは、表示期間でないため、表示制御信号ＤＰ＿ＥＮはロウレベルとなっている。そのため、図２３に示した第１２スイッチＳ１１０、Ｓ１１１はオフ状態となっている。
選択信号ＳＮ（０）がハイレベルとなっているため、第１３スイッチＳ１２０がオン状態となる。このとき、選択信号ＳＮ（１）はロウレベルであるため、第１３スイッチＳ１２１はオフ状態となる。磁界タッチ検出のときには、信号配線Ｌｃにコイルクロック信号ＣＬＫが供給される。コイルクロック信号ＣＬＫは、選択信号ＳＮ（０）によってオン状態とされた第１３スイッチＳ１２０を介して、ノードｎｄａ（４）に供給される。すなわち、磁界発生コイルの他方の端部（ノードｎｄａ（４））に、コイルクロック信号ＣＬＫが供給される。このとき、駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（６）、ＴＬ（８）およびＴＬ（９）により構成された別の磁界発生コイルの他方の端部（ノードｎｄａ（９））には、コイルクロック信号ＣＬＫが供給されない。
駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（３）およびＴＬ（４）により構成された磁界発生コイルの一方の端部には、接地電圧Ｖｓが供給され、他方の端部には、コイルクロック信号ＣＬＫが供給される。コイルクロック信号ＣＬＫは、周期的に電圧が変化するため、この磁界発生コイルには、接地電圧Ｖｓを基準として、周期的に変化する電圧が印加されることになり、磁界を発生する。
一方、別の磁界発生コイル、例えば駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（６）、ＴＬ（８）およびＴＬ（９）により構成された磁界発生コイルには、その一方の端部（ノードｎｄａ（５））には接地電圧Ｖｓが供給されるが、他方の端部（ノードｎｄａ（９））には、コイルクロック信号ＣＬＫが供給されない。その結果、別の磁界発生コイルにおいては、磁界が発生しない。
このように、磁界タッチ検出のときに、検出制御回路ＳＸから出力される選択信号は、表示領域２Ａに配置された駆動電極により構成された複数の磁界発生コイルから、磁界を発生させる磁界発生コイルを選択する信号となる。磁界が発生している磁界発生コイルを構成している駆動電極が配置されている領域において、ペンの検出が行われるため、選択信号は、検出する領域を選択する選択信号とも見なせる。
次に、電界タッチ検出のときの動作を説明する。ここでも、レジスタ段ＵＳＸ（０）に対応する選択信号ＳＮ（０）がハイレベルで、他の選択信号ＳＮ（１）〜ＳＮ（ｐ）はロウレベルであるとする。
電界タッチ検出のとき、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮはロウレベルとなる。そのため、第１０スイッチＳ９０〜Ｓ９３はオフ状態となる。また、第１１スイッチＳ１００、Ｓ１０１もオフ状態となる。表示期間ではないため、表示制御信号ＤＰ＿ＥＮはロウレベルとなり、第１２スイッチＳ１１０、Ｓ１１１はオフ状態となる。
選択信号ＳＮ（０）がハイレベルであるため、第１３スイッチＳ１２０はオン状態となる。このとき、選択信号ＳＮ（１）はロウレベルであるため、第１３スイッチＳ１２１はオフ状態となる。第１３スイッチＳ１２０がオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（４）は、信号配線Ｌｃに接続される。信号配線Ｌｃには、電界タッチ検出であるため、制御信号ＴＳＶが供給されている。そのため、駆動電極ＴＬ（４）は、辺２−Ｄ側において、制御信号ＴＳＶが供給されることになる。制御信号ＴＳＶが供給されるとき、第１０スイッチＳ９０、Ｓ９１、第１１スイッチＳ１００および第１２スイッチＳ１１０はオフ状態となっているため、駆動電極ＴＬ（４）は、他の駆動電極から電気的に分離されており、フローティング状態で、制御信号ＴＳＶが供給されることになる。その結果、駆動電極ＴＬ（４）は、制御信号ＴＳＶの電圧変化に従って、電界を発生することになる。言い換えるならば、駆動電極ＴＬ（４）には、制御信号ＴＳＶを電界駆動信号として供給され、電界駆動信号の変化に従って電界を発生する。
駆動電極ＴＬ（４）に電界駆動信号が供給されているとき、他の駆動電極（例えば、ＴＬ（０）〜ＴＬ（３）およびＴＬ（５）〜ＴＬ（９））には、電界駆動信号が供給されないため、他の駆動電極では、電界駆動信号に従った電界は発生しない。そのため、電界タッチ検出のとき、検出制御回路ＳＸから出力される選択信号は、表示領域２Ａに配置された複数の駆動電極から、電界を発生する駆動電極を選択する信号となる。タッチ検出においては、電界を発生する駆動電極の近傍が、例えば指によってタッチされているか否かの検出が行われる。従って、電界タッチ検出のときも、選択信号は、タッチを検出する領域を選択する信号であるとも見なすことができる。
＜磁界検出コイル＞
実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に配置された検出電極が、タッチ検出の際に用いられる。すなわち、検出電極は、磁界タッチ検出のときには、磁界検出コイルを構成する電極として用いられ、電界タッチ検出のときには、電界の変化を検出する電極として用いられる。
図２５は、実施の形態２に係わる検出電極の構成を示す模式的な平面図である。図２５は、模式的ではあるが、実際の配置に合わせて描かれている。検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に配置されている。実施の形態２では、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、行方向に延在し、列方向に平行に配置されている。また、この実施の形態２においては、２個の検出電極が組とされ、１組の検出電極によって、１回巻線のコイルが構成される。磁界タッチ検出のときには、１組の検出電極によって構成されたコイルが、磁界検出コイルとして用いられる。また、電界タッチ検出のときには、コイルを構成する１組の検出電極のうちの少なくとも一方が、電界を検出する電極として用いられる。なお、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）は、例えば図１５で説明したような構成を備えている。
この実施の形態２においては、平面視で見たときに、互いに近接している２個の駆動電極が、コイルを構成する１組の検出電極とされている。図２５を例にして説明すると、検出電極ＲＬ（０）とＲＬ（１）が組とされ、検出電極ＲＬ（２）とＲＬ（３）が組とされ、検出電極ＲＬ（４）とＲＬ（５）が組とされ、検出電極ＲＬ（６）とＲＬ（７）が組とされている。以降同様にして、検出電極ＲＬ（ｐ−１）とＲＬ（ｐ）が組とされている。
検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）のそれぞれは、一方の端部ＴＴＲ１と他方の端部ＴＴＲ２とを備えている。組とされた検出電極ＲＬ（０）の他方の端部ＴＴＲ２と検出電極ＲＬ（１）の一方の端部ＴＴＲ１が、表示領域２Ａの辺２−Ｒ側（図１９）において、接続電極ＣＣＵ（図１５）に接続されている。また、組とされた検出電極ＲＬ（２）の他方の端部ＴＴＲ２と検出電極ＲＬ（３）の一方の端部ＴＴＲ１が、表示領域２Ａの辺２−Ｌ側（図１９）において、接続電極ＣＣＵ（図１５）に接続されている。さらに、組とされた検出電極ＲＬ（４）の他方の端部ＴＴＲ２と検出電極ＲＬ（５）の一方の端部ＴＴＲ１が、表示領域２Ａの辺２−Ｒ側において、接続電極ＣＣＵに接続され、組とされた検出電極ＲＬ（６）の他方の端部ＴＴＲ２と検出電極ＲＬ（７）の一方の端部ＴＴＲ１が、表示領域２Ａの辺２−Ｌ側において、接続電極ＣＣＵに接続されている。以降、組とされている検出電極間が、交互に、辺２−Ｒ側に配置された接続電極ＣＣＵと、辺２−Ｌ側に配置された接続電極ＣＣＵによって接続されている。
組とされている検出電極の端部において、接続電極ＣＣＵに接続されていない端部は、辺２−Ｒまたは辺２−Ｌに沿って配置された信号配線ＲＬＬ（０）〜ＲＬＬ（ｐ）に接続され、信号配線ＲＬＬ（０）〜ＲＬＬ（ｐ）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡ、ＳＣ−ＬＡに接続されている。すなわち、検出電極ＲＬ（０）の一方の端部ＴＴＲ１は、辺２−Ｌに沿って配置された信号配線ＲＬＬ（０）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡに接続され、検出電極ＲＬ（１）の他方の端部ＴＴＲ２は、辺２−Ｌに沿って配置された信号配線ＲＬＬ（１）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡに接続されている。また、検出電極ＲＬ（２）の一方の端部ＴＴＲ１は、辺２−Ｒに沿って配置された信号配線ＲＬＬ（２）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡに接続され、検出電極ＲＬ（３）の他方の端部ＴＴＲ２は、辺２−Ｒに沿って配置された信号配線ＲＬＬ（３）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡに接続されている。
以降、同様にして、検出電極ＲＬ（４）の一方の端部ＴＴＲ１は、信号配線ＲＬＬ（４）を介し、検出電極ＲＬ（５）の他方の端部ＴＴＲ２は、信号配線ＲＬＬ（５）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡに接続され、検出電極ＲＬ（ｐ−３）の一方の端部ＴＴＲ１は、信号配線ＲＬＬ（ｐ−３）を介し、検出電極ＲＬ（ｐ−２）の他方の端部ＴＴＲ２は、信号配線ＲＬＬ（ｐ−２）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡに接続されている。また、検出電極ＲＬ（６）の一方の端部ＴＴＲ１は、信号配線ＲＬＬ（６）を介し、検出電極ＲＬ（７）の他方の端部ＴＴＲ２は、信号配線ＲＬＬ（７）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡに接続され、検出電極ＲＬ（ｐ−１）の一方の端部ＴＴＲ１は、信号配線ＲＬＬ（ｐ−１）を介し、検出電極ＲＬ（ｐ）の他方の端部ＴＴＲ２は、信号配線ＲＬＬ（ｐ）を介して、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡに接続されている。
このように、検出電極と切り換え増幅回路とを接続する信号配線を、辺２−Ｒ側と辺２−Ｌ側に分散して配置することにより、表示領域２Ａの額縁が大きくなるのを防ぐことが可能となる。さらに、この実施の形態２においては、磁界タッチ検出のとき、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡ、ＳＣ−ＲＡは、破線で示した信号配線（切り換え信号配線に該当）、すなわち、信号配線ＲＬＬ（１）、ＲＬＬ（５）、ＲＬＬ（ｐ−２）およびＲＬＬ（３）、ＲＬＬ（８）、ＲＬＬ（ｐ）に接地電圧Ｖｓを供給する。これにより、磁界を検出するとき、磁界によって発生する電流が、図２５に矢印で示すように、それぞれの検出電極の一方の端部ＴＴＲ１から他方の端部ＴＴＲ２へ向けて流れるようになる。これにより、互いに近接した２個のコイルにおいて、互いに近接して配置された検出電極（例えばＲＬ（１）とＲＬ（２））を流れる電流の向きが同じになる。その結果、互いに近接した検出電極を流れる電流の向きが反対になることにより、磁界が弱くなるのを防ぐことが可能となる。
この実施の形態２においては、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡ、ＳＣ−ＲＡは、磁界タッチ検出のときと電界タッチ検出のときとで、破線で示した信号配線の接続先を切り換える。また、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡ、ＳＣ−ＲＡは、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、実線で示した信号配線（検出信号配線に該当）における信号変化を増幅して、検出信号Ｒｘとして出力する。
＜切り換え増幅回路の構成＞
図２６は、実施の形態２に係わる切り換え増幅回路の構成を示す回路図である。図２５に示した切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡおよびＳＣ−ＲＡは、互いに同じ構成を有している。そのため、図２６には、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡの構成が示されている。
切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡは、複数の単位切り換え回路ＵＳＣＣと、複数の単位増幅回路ＵＡＭＰとを備えている。単位切り換え回路ＵＳＣＣは、組とされた検出電極に１対１で対応しており、単位増幅回路ＵＡＭＰも、組とされた検出電極に１対１で対応している。図２６を例にして説明すると、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡは、組とされた検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（１）に対応する単位切り換え回路ＵＳＣＣ（０）、組とされた検出電極ＲＬ（４）、ＲＬ（５）に対応する単位切り換え回路ＵＳＣＣ（４）、組とされた検出電極ＲＬ（ｐ−２）、ＲＬ（ｐ−３）に対応する単位切り換え回路ＵＳＣＣ（ｐ−３）を備えている。また、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡは、組とされた検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（１）に対応する単位増幅回路ＵＡＭＰ（０）、組とされた検出電極ＲＬ（４）、ＲＬ（５）に対応する単位増幅回路ＵＡＭＰ（４）、組とされた検出電極ＲＬ（ｐ−２）、ＲＬ（ｐ−３）に対応する単位増幅回路ＵＡＭＰ（ｐ−３）を備えている。
単位切り換え回路ＵＳＣＣ（０）、ＵＳＣＣ（４）、ＵＳＣＣ（ｐ−３）は、互いに同じ構成を有しているため、図２６では、例として単位切り換え回路ＵＳＣＣ（０）およびＵＳＣＣ（４）の構成が示されている。また、単位増幅回路ＵＡＭＰ（０）、ＵＡＭＰ（４）、ＵＡＭＰ（ｐ−３）も、互いに同じ構成を有している。単位増幅回路ＵＡＭＰ（０）、ＵＡＭＰ（４）、ＵＡＭＰ（ｐ−３）は、例えば、図１１で示した積分回路（リセットスイッチＲＢ、積分容量ＣＳＳおよび演算増幅器ＯＰ）によって構成されている。
単位切り換え回路ＵＳＣＣ（０）およびＵＳＣＣ（４）は、共通端子Ｐ、第１端子Ｃ１および第２端子Ｃ２を有する単極双投スイッチ（以下、第１４スイッチとも称する）Ｓ１３０を備えている。第１４スイッチＳ１３０は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮのレベルに従って、共通端子Ｐを第１端子Ｃ１または第２端子Ｃ２へ接続する。すなわち、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮが、ハイレベルのとき、第１４スイッチＳ１３０における共通端子は、第１端子Ｃ１に接続され、ロウレベルのときには、共通端子Ｐは、第２端子Ｃ２に接続される。
単位切り換え回路ＵＳＣＣ（０）は、信号配線ＲＬＬ（０）およびＲＬＬ（１）を介して、対応する検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（１）に接続されている。単位切り換え回路ＵＳＣＣ（０）においては、信号配線ＲＬＬ（１）を介して、検出電極ＲＬ（１）が、第１４スイッチの共通端子Ｐに接続され、信号配線ＲＬＬ（０）を介して、検出電極ＲＬ（０）が、第１４スイッチＳ１３０の第２端子Ｃ２に接続されている。
単位切り換え回路ＵＳＣＣ（４）は、信号配線ＲＬＬ（４）およびＲＬＬ（５）を介して、対応する検出電極ＲＬ（４）、ＲＬ（５）に接続されている。単位切り換え回路ＵＳＣＣ（４）においては、信号配線ＲＬＬ（５）を介して、検出電極ＲＬ（５）が、第１４スイッチの共通端子Ｐに接続され、信号配線ＲＬＬ（４）を介して、検出電極ＲＬ（４）が、第１４スイッチＳ１３０の第２端子Ｃ２に接続されている。
以下、同様にして、対応する組の検出電極（例えば、ＲＬ（ｐ−２）、ＲＬ（ｐ−３））が、単位切り換え回路（例えば、ＵＳＣＣ（ｐ−３））内の第１４スイッチＳ１３０の共通端子Ｐと第２端子Ｃ２に接続されている。単位切り換え回路ＵＳＣＣ（０）、ＵＳＣＣ（４）、ＵＳＣＣ（ｐ−３）のそれぞれにおける第１４スイッチＳ１３０の第１端子Ｃ１には、接地電圧Ｖｓが供給される。
検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（４）、ＲＬ（ｐ−３）に接続された信号配線ＲＬＬ（０）、ＲＬＬ（４）、ＲＬＬ（ｐ−３）は、それぞれ対応する単位増幅回路ＵＡＭＰ（０）、ＵＡＭＰ（４）、ＵＡＭＰ（ｐ−３）の入力に接続されている。言い換えるならば、検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（４）、ＲＬ（ｐ−３）のそれぞれの一方の端部ＴＴＲ１が、対応する単位増幅回路の入力に接続されている。
切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡも、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡと同様に、複数の単位切り換え回路と単位増幅回路を備えており、信号配線を介して対応する検出電極に接続されている。
＜切り換え増幅回路の動作＞
次に、図２５および図２６を用いて、切り換え増幅回路の動作を説明する。先ず、磁界タッチ検出のときの動作を説明する。
磁界タッチ検出のときには、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなる。これにより、図２６に示した第１４スイッチＳ１３０においては、共通端子Ｐが第１端子Ｃ１に接続される。その結果、破線で示した信号配線ＲＬＬ（１）、ＲＬＬ（５）、ＲＬＬ８ｐ−２）およびＲＬＬ（３）、ＲＬＬ（７）、ＲＬＬ（ｐ）、すなわち切り換え信号配線には、第１４スイッチＳ１３０を介して接地電圧Ｖｓが供給される。
互いに平行して配置された検出電極が、接続電極ＣＣＵによって接続されているため、互いに平行した検出電極によりコイルが形成されていることになる。第１４スイッチＳ１３０を介して、形成されたコイルの一方の端部（切り換え信号配線が接続された端部）に接地電圧Ｖｓが供給されるため、ペンから磁界が与えられると、接地電圧Ｖｓを基準として、コイルの他方の端部（検出信号配線が接続された端部）に、磁界に応じた信号変化が発生する。コイルの他方の端部に発生した信号変化は、検出配線である信号配線（ＲＬＬ（０）、ＲＬＬ（４）、ＲＬＬ（ｐ−３））を介して、単位増幅回路ＵＡＭＰ（０）、ＵＡＭＰ（４）、ＵＡＭＰ（ｐ−３）に伝達され、増幅されて、検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴ（図１９）に供給される。これにより、ペンの有無または／および筆圧の検出が可能となる。すなわち、検出電極によって構成されたコイルが、ペンからの磁界を検出する磁界検出コイルとして動作し、ペンの検出が行われる。
電界タッチ検出においては、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルとなる。これにより、図２６に示した第１４スイッチＳ１３０において、共通端子Ｐは、第２端子Ｃ２に接続される。そのため、組となる検出電極は、切り換え増幅回路ＳＣ−ＬＡ、ＳＣ−ＲＡにおいて、互いに電気的に接続されることになり、フローティング状態となる。電界タッチ検出においては、図２２から図２４で説明したように、選択された駆動電極に電界駆動信号が供給される。選択された駆動電極とフローティング状態の検出電極との間の電界が、指の存在によって変化する。この電界の変化が、検出信号配線である信号配線（ＲＬＬ（０）、ＲＬＬ（４）、ＲＬＬ（ｐ−３））を介して、単位増幅回路ＵＡＭＰ（０）、ＵＡＭＰ（４）、ＵＡＭＰ（ｐ−３）に伝達され、増幅されて、検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴ（図１９）に供給される。これにより、指のタッチが検出される。この実施の形態２においては、検出電極によって構成されたコイルが、電界タッチ検出のときには、検出電極用コイルとして機能していると見なすこともできる。
＜駆動電極の構造＞
図２７は、実施の形態２に係わる液晶表示装置１の平面図である。また、図２８は、実施の形態２に係わる液晶表示装置１の断面図である。図２７には、表示領域２Ａにおいて、駆動電極ＴＬ（ｎ）を含む領域が部分的に示されている。図２７において、一点鎖線Ｅ−Ｅ’で示した領域の断面が、図２８（Ａ）に示されており、一点鎖線Ｆ−Ｆ’で示した領域の断面が、図２８（Ｂ）に示されている。図２７および図２８を用いて、駆動電極、信号線、走査線および検出電極の構造の一例を説明する。
図２７には、駆動電極ＴＬ（ｎ）と、駆動電極ＴＬ（ｎ）に近接して配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−１）の一部が示されている。駆動電極ＴＬ（ｎ）と駆動電極ＴＬ（ｎ−１）は、平面視において、列方向（縦方向）に延在し、行方向（横方向）に平行して配置されている。
平面視で見たとき、複数の補助電極ＳＭが、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ−１）と、平行に延在している。同図では、７個の補助電極ＳＭが、駆動電極ＴＬ（ｎ）と平行に延在し、駆動電極ＴＬ（ｎ）に電気的に接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−１）と、８個の補助電極ＳＭが、平行に延在し、電気的に接続されている。平面視で見たとき、走査線ＧＬ（ｍ）〜ＧＬ（ｍ＋４）は、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ−１）と交差するように延在している。また、平面視で見たとき、複数の信号線ＳＬ（ｎ−９）〜ＳＬ（ｎ＋６）が、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ−１）と平行に延在するように、列方向に延在し、行方向に互いに平行して配置されている。
図２８（Ａ）において、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１には、第１導電層７０１（図７）が形成され、この第１導電層７０１によって、走査線ＧＬ（ｍ＋２）が構成されている。走査線ＧＬ（ｍ＋２）上には、例えばシリコンナイトライドのような絶縁層７０２が形成され、絶縁層７０２上には、第２導電層７０３（図７）が形成されている。この第２導電層７０３によって、信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）が形成されている。
信号線ＳＬ（ｎ−１）〜ＳＬ（ｎ＋１）上には、シリコンナイトライドのような絶縁層と層間樹脂からなる絶縁層７０４が形成されている。絶縁層７０４上には、第３導電層７０５（図７）が形成されている。第３導電層７０５によって、駆動電極ＴＬ（ｎ）と補助電極ＳＭが形成されている。ここで、駆動電極ＴＬ（ｎ）は、実施の形態１と同様に、例えばＩＴＯによって構成された透過性の高い透明電極により構成され、補助電極ＳＭは、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗の導電層によって構成されている。
駆動電極ＴＬ（ｎ）上には、シリコンナイトライドのような絶縁層７０６（図７）が形成され、絶縁層７０６上には、画素電極ＬＤＰが形成されている。この画素電極ＬＤＰも、透明電極によって構成されている。画素電極ＬＤＰと、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第２主面ＣＳＦ２との間には、液晶層７０７が挟まれている。このＣＧガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１には、検出電極が形成され、第２主面には、カラーフィルタ（図示せず）が形成されている。
図２７では、検出電極は省略されているが、この実施の形態２では、平面視で見たとき、複数の検出電極は、信号線ＳＬ（ｎ−９）〜ＳＬ（ｎ＋６）および駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ−１）と交差し、走査線ＧＬ（ｍ）〜ＧＬ（ｍ＋４）と平行するように、行方向（横方向）に延在し、列方向（縦方向）に平行して配置されている。図２８（Ａ）では、検出電極ＲＬ（ｎ）が、例として示されている。
図２８（Ｂ）は、図２７において、一点鎖線Ｅ−Ｅ’と交差する一点鎖線Ｆ−Ｆ’の領域の断面を示しているため、図２８（Ｂ）には、第１導電層７０１（図７）によって構成された走査線ＧＬ（ｍ＋３）、ＧＬ（ｍ＋２）が示されている。また、図２８（Ｂ）には、第３導電層７０５により構成された駆動電極ＴＬ（ｎ）と、画素電極ＬＤＰが示されている。なお、図２７に示すように一点鎖線Ｆ−Ｆ’の領域には、補助電極ＳＭが存在しないため、図２８（Ｂ）では、補助電極ＳＭは示されていない。さらに、図２８（Ｂ）には、液晶層７０７を挟んで、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢと対向するように配置されたＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成された検出電極ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ＋２）が示されている。
平面視で見たときには、走査線、信号線および駆動電極は、図２７に示すように、互いに交差するように重なっているが、これらは、図２８に示すように、互いに絶縁層を介して重なっており、電気的には分離されている。また、図２７では省略されている検出電極も、平面視で見たときには、駆動電極と重なっているが、図２８に示すように、絶縁層を介して重なっており、電気的に分離している。
＜磁界タッチ検出の動作＞
図２９は、実施の形態２に係わる表示装置１の動作を示すタイミング図である。図２９において、横軸は時間を示している。図２９（Ａ）は、周期的に発生するフレーム信号を示しており、表示装置１は、例えば１画面分の表示を、フレーム信号によって定められた１フレーム期間Ｆにおいて行う。実施の形態２においては、図１９に示した制御回路Ｄ−ＣＮＴは、１フレーム期間Ｆにおいて、複数の表示期間と複数のタッチ検出期間とが、交互に発生するように制御する。図２９（Ｂ）〜図２９（Ｇ）は、複数のフレーム期間Ｆのうち、１フレーム期間Ｆ内でのタイミングを示している。すなわち、図２９（Ｂ）〜図２９（Ｇ）に示すタイミングが、複数のフレーム期間Ｆのそれぞれにおいて発生する。
ここで、図２９（Ｂ）は、１フレーム期間Ｆにおいて発生する表示期間と、タッチ検出期間とを模式的に示している。図２９（Ｃ）は、信号線セレクタ３Ａ（図１９）に供給する選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２の波形を示している。図２９（Ｄ）は、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮの波形を示している。また、図２９（Ｅ）および図２９（Ｆ）は、検出制御回路ＳＸからの選択信号のうち、選択信号ＳＮ（０）、ＳＮ（１）の波形を示しており、図２９（Ｇ）は、コイルクロック信号ＣＬＫの波形を示している。図２９では、検出制御回路ＳＸから出力される選択信号の例として、選択信号ＳＮ（０）およびＳＮ（１）が示されているが、検出制御回路ＳＸから出力される任意の選択信号ＳＮ（ｎ−１）、ＳＮ（ｎ）も、同様である。
制御回路Ｄ−ＣＮＴは、図２９（Ｂ）に示すように、それぞれのフレーム期間Ｆにおいて、表示期間Ｄｉｓｐｌａｙとタッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１（Ｓｅｎｓｅ２）とが、時系列的に交互に発生するように制御する。なお、図２９は、タッチ検出のうち、磁界タッチ検出が指定されている場合を示している。
表示期間Ｄｉｓｐｌａｙにおいては、画像信号Ｓｎが信号線ドライバＤ−ＤＲＶ（図１９）から信号線セレクタ３Ａへ供給され、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２が交互にハイレベルとなることにより、画像信号が適切な信号線に供給される。なお、図２９（Ｃ）では、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２が変化していることを示すために、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２を１個の波形で示している。
表示期間Ｄｉｓｐｌａｙにおいては、ハイレベルの表示制御信号ＤＰ＿ＥＮが、制御回路Ｄ−ＣＮＴから切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡに供給されている。このとき、切り換え回路ＳＣ−ＵＡ１および信号線セレクタ３Ａには、ロウレベルの反転表示制御信号／ＤＰ＿ＥＮが、制御回路Ｄ−ＣＮＴが供給されている。これにより、駆動電極と信号線とは電気的に分離されている。また、このとき、切り換え駆動回路ＳＣ−ＤＡ内の第１２スイッチＳ１１０、Ｓ１１１が、ハイレベルの表示制御信号ＤＰ＿ＥＮによってオン状態となっているため、駆動電極には、所定の電圧ＶＣＯＭＤＣが、表示駆動信号として供給される。ゲートドライバ５（図１９）から適切な走査信号が走査線ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ）へ供給されるように、ゲートドライバ５が制御される。これにより、表示パネル２Ａ（図１９）では、表示期間Ｄｉｓｐｌａｙのとき、画像信号Ｓｎに応じた表示が行われる。
図２９（Ｄ）に示すように、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１（Ｓｅｎｓｅ２）において、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにする。これにより、検出制御回路ＳＸは、例えば、選択信号ＳＮ（０）からＳＮ（ｐ）の順にハイレベルにする。図２９においては、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１のとき、選択信号ＳＮ（０）がハイレベルになり、次のタッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ２において、選択信号ＳＮ（１）がハイレベルになっている状態が示されている。
タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１（Ｓｅｎｓｅ２）は、磁界発生コイルを用いて磁界を発生する磁界発生期間ＴＣＧと、磁界発生期間ＴＣＧに続く磁界検出期間ＴＤＴとを備えている。磁界検出期間ＴＤＴにおいては、磁界発生コイルとは異なるコイルを用いて磁界の検出が行われる。すなわち、磁界発生期間ＴＣＧにおいては、駆動電極によって構成された磁界発生コイルにより磁界が発生し、ペンへ磁界エネルギーが供給される。磁界検出期間ＴＤＴにおいては、ペンが発生する磁界が、検出電極によって構成された磁界検出コイルによって検出される。制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界発生期間ＴＣＧのとき、図２９（Ｇ）に示すように、コイルクロック信号ＣＬＫを信号配線Ｌｃへ供給する。
磁界イネ−ブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなることにより、図２１〜図２３で説明したように、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成された駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）によって、複数の磁界発生コイルが形成される。例えば、図２２および図２３において説明したように、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（３）およびＴＬ（４）によって、１個の磁界発生コイルが形成され、駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（６）、ＴＬ（８）およびＴＬ（９）によって、１個の磁界発生コイルが形成される。
選択信号ＳＮ（０）が、ハイレベルとなることにより、図２３で説明したように、この選択信号ＳＮ（０）に対応する磁界発生コイルには、信号配線Ｌｃからコイルクロック信号ＣＬＫが磁界駆動信号として、供給される。その結果、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（３）およびＴＬ（４）によって構成された磁界発生コイルは、コイルクロック信号ＣＬＫの変化に従った磁界を発生する。
磁界発生期間ＴＣＧにおいて、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（３）およびＴＬ（４）により形成された磁界発生コイルの近傍に、ペン（図１）が存在していれば、磁界発生コイルとペン内のコイルＬ１とが磁界結合される。これにより、ペン内の容量素子Ｃが充電されることになる。一方、このとき、磁界発生コイルの近傍に、ペンが存在していなければ、磁界発生コイルとペン内のコイルＬ１との間は磁界結合されず、容量素子Ｃの充電が行われない。
磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルとなることにより、図２５および図２６で説明したように、単位切り換え回路ＵＳＣＣ（０）〜ＵＳＣＣ（ｐ）のそれぞれにおける第１４スイッチＳ１３０においては、共通端子Ｐが、第１端子Ｃ１に接続される。これにより、検出電極の組（例えば、図２５にＲＬ（０）とＲＬ（１）、ＲＬ（２）とＲＬ（３））によって、それぞれ形成された複数のコイルの一方の端部には、第１４スイッチＳ１３０を介して、接地電圧Ｖｓが供給される。
コイルクロック信号ＣＬＫが停止され、磁界発生期間ＴＣＧから磁界検出期間ＴＤＴに移行する。移行するまえの磁界発生期間ＴＣＧにおいて、ペン内の容量素子Ｃが充電されていれば、磁界検出期間ＴＤＴにおいて、ペン内のコイルＬ１は、容量素子Ｃに充電された電荷に従って、電界を発生する。検出電極によって形成された磁界検出コイルに、ペン内のコイルＬ１が近接していれば、コイルＬ１と磁界検出コイルとの間で磁界結合が発生する。これにより、複数の磁界検出コイルのうち、ペンが近接している磁界検出コイルにおいては、ペン内のコイルＬ１によって発生している磁界の変化に応じた信号変化が発生し、単位増幅回路ＵＡＭＰ（０）〜ＵＡＭＰ（ｐ）によって増幅され、検出信号Ｒｘとして検出回路ＤＥＴへ供給される。
なお、磁界検出期間ＴＤＴにおいて、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、信号配線Ｌｃを、例えば、ハイインピーダンス状態にする。
次に、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをロウレベルにして、表示動作を、表示期間Ｄｉｓｐｌａｙにおいて行う。表示期間Ｄｉｓｐｌａｙのあとで、再び、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮをハイレベルにする。なお、表示期間Ｄｉｓｐｌａｙにおいては、検出制御回路ＳＸは、選択信号ＳＮ（０）〜ＳＮ（ｐ）をロウレベルにする。
磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがハイレベルになることにより、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１のときと同様に、駆動電極によって、複数の磁界発生コイルが形成される。このとき、検出制御回路ＳＸは、選択信号ＳＮ（０）をロウレベルに維持し、選択信号ＳＮ（１）をロウレベルからハイレベルへ変化させる。これにより、選択信号ＳＮ（１）に対応した駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（６）、ＴＬ（８）およびＴＬ（９）により形成された磁界発生コイルへ、コイルクロック信号ＣＬＫを供給する。すなわち、図２３において、第１３スイッチＳ１２１がオン状態となり、駆動電極ＴＬ（９）が、信号配線Ｌｃに接続され、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、信号配線Ｌｃにコイルクロック信号ＣＬＫを供給する。
その結果、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ２の磁界発生期間ＴＣＧにおいては、駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（６）、ＴＬ（８）およびＴＬ（９）により形成された磁界発生コイルによって磁界が発生する。この磁界発生期間ＴＣＧに続く、磁界検出期間ＴＤＴにおける動作は、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１における磁界検出期間ＴＤＴの動作と同じである。
このようにして、１フレーム期間Ｆの間、表示と磁界タッチ検出とが、交互に行われる。この場合、１フレーム期間Ｆにおいては、磁界発生期間ＴＣＧのとき、選択信号が、選択信号ＳＮ（０）からＳＮ（ｐ）へ向けて、順次ハイレベルとなるため、表示領域２Ａの辺２−Ｕに近接した領域から、辺２−Ｄに近接した領域に向けて、ペンのタッチ検出が行われることになる。
なお、図２９（Ｃ）に示すように、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１（Ｓｅｎｓｅ２）においては、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、選択信号ＳＥＬ１、ＳＥＬ２の両方をハイレベにする。これにより、タッチ検出期間においては、表示領域２Ａの辺２−Ｕ側と辺２−Ｄ側において、駆動電極に複数の信号線が電気的に接続され、駆動電極の合成抵抗が低くされる。
タッチ検出として、磁界タッチ検出の代わりに、電界タッチ検出を用いる場合には、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１（Ｓｅｎｓｅ２）において、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮがロウレベルにされる。また、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１（Ｓｅｎｓｅ２）においては、コイルクロック信号ＣＬＫの代わりに、周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶが、制御回路Ｄ−ＣＮＴから信号配線Ｌｃに供給される。これにより、図２３で説明したように、駆動信号のうち、選択される駆動電極（例えば、駆動電極ＴＬ（４））は、フローティング状態で、制御信号ＴＳＶが電界駆動信号として供給される。また、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ２においても、選択される駆動電極（例えば、駆動電極ＴＬ（９））は、フローティング状態で、制御信号ＴＳＶが供給されることになる。
電界タッチ検出の場合には、図２６で説明したように、第１４スイッチＳ１３０において、共通端子Ｐが、第２端子Ｃ２に接続される。そのため、組となる検出電極（例えば、図２５のＲＬ（０）とＲＬ（１）、ＲＬ（２）とＲＬ（３））は、フローティング状態となる。これにより、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１においては、選択される駆動電極ＴＬ（０）と、それぞれ組となる検出電極（ＲＬ（０）とＲＬ（１）、ＲＬ（２）とＲＬ（３））間の電界変化が、増幅回路ＡＭＰによって増幅され、検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴに供給される。同様に、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ２においては、選択される駆動電極ＴＬ（１）と、それぞれ組となる検出電極（ＲＬ（０）とＲＬ（１）、ＲＬ（２）とＲＬ（３））間の電界変化が、増幅回路ＡＭＰによって増幅され、検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴに供給される。図４で説明したように、指のタッチの有無に従って、電界変化が変わるため、検出回路ＤＥＴは、指のタッチを検出することが可能となる。
図３０は、実施の形態２に係わる磁界タッチ検出の動作を、模式的に示す説明図である。図３０（Ａ）および（Ｃ）は、磁界発生期間ＴＣＧのときの動作を示しており、図３０（Ｂ）は、磁界検出期間ＴＤＴのときの動作を示している。
図３０（Ａ）および（Ｃ）において、ＧＹ（ｎ−１）〜ＧＹ（ｎ＋４）のそれぞれは、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢの第１主面ＴＳＦ１に形成された駆動電極によって構成された磁界発生コイルを示している。また、図３０（Ｂ）において、ＤＸ（ｎ−２）〜ＤＸ（ｎ＋１）のそれぞれは、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に形成された検出電極により構成された磁界検出コイルを示している。図３０において、Ｌ１は、ペン内のコイルを示しており、Ｃは、ペン内の容量素子を示しており、コイルＬ１と容量素子Ｃは、並列接続され、共振回路を構成している。
図３０（Ａ）〜（Ｃ）においては、説明を一般化するために、ｎ番目を基準とし、磁界発生コイルおよび磁界検出コイルに符号を付している。以下、図３０の磁界発生コイルＧＹ（ｎ）は、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（３）およびＴＬ（４）によって構成された磁界発生コイルに該当し、磁界発生コイルＧＹ（ｎ＋１）は、駆動電極ＴＬ（５）、ＴＬ（６）、ＴＬ（８）およびＴＬ（９）によって構成された磁界発生コイルに該当するものとして説明する。また、図３０の磁界検出コイルＤＸ（ｎ）は、検出電極ＲＬ（０）、ＲＬ（１）によって構成された磁界検出コイルに該当するものとして説明する。
図３０（Ａ）は、図２９において、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１の磁界発生期間ＴＣＧを示しており、図３０（Ｂ）は、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ１の磁界検出期間ＴＤＴを示しており、図３０（Ｃ）は、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ２の磁界発生期間ＴＣＧを示している。
磁界発生期間ＴＣＧにおいては、駆動電極により構成された磁界発生コイルＧＹ（ｎ−１）〜ＧＹ（ｎ＋４）のそれぞれの一方の端部に、接地電圧Ｖｓが供給される。また、複数の磁界発生コイルＧＹ（ｎ−１）〜ＧＹ（ｎ＋４）のうち、対応する選択信号がハイレベルとなっている、磁界発生コイルＧＹ（ｎ）には、その他方の端部に、コイルクロック信号ＣＬＫが供給される。磁界発生コイルＧＹ（ｎ）は、駆動電極ＴＬ（０）、ＴＬ（１）、ＴＬ（３）およびＴＬ（４）によって構成されているため、これらの駆動電極によって挟まれた駆動電極ＴＬ（２）が、磁界発生コイルＧＹ（ｎ）の中心となる。そのため、磁界発生コイルＧＹ（ｎ）は、コイルクロック信号ＣＬＫの変化に応じて、駆動電極ＴＬ（２）において、最も強くなる磁界を発生する。図３０（Ａ）においては、磁界発生コイルＧＹ（ｎ）によって発生した磁力線がφ１として示されている。
図３０（Ａ）では、コイルＬ１が、磁界発生コイルＧＹ（ｎ）に近接している状態が示されている。一例として、コイルの中心と磁界発生コイルＧＹ（ｎ）の中心とが一致している場合が示されている（図３０においては、一点鎖線は、コイルＬ１の中心軸を示す）。コイルＬ１が、磁界発生コイルＧＹ（ｎ）に近接しているため、磁界発生コイルＧＹ（ｎ）とコイルＬ１との間で磁界結合が発生し、容量素子Ｃが充電される。
容量素子Ｃに充電された電荷により、コイルＬ１は、図３０（Ｂ）に示すように、充電された電荷によって磁界を発生する。この場合、コイルＬ１によって発生する磁力線が、φ２として、図３０（Ｂ）には示されている。この例では、コイルＬ１が、磁界検出コイルＤＸ（ｎ）に近接している状態が示されており、コイルＬ１と磁界検出コイルＤＸ（ｎ）との間で磁界結合が発生している。
磁界検出コイルＤＸ（ｎ−２）〜ＤＸ（ｎ＋１）のそれぞれの一方の端部には、図２６および図２９で説明したように、磁界検出期間ＴＤＴのとき、接地電圧Ｖｓが供給される。これにより、磁界検出コイルＤＸ（ｎ）の他方の端部においては、接地電圧Ｖｓを基準とした信号変化が発生し、検出信号Ｒｘ（ｎ）として、切り換え増幅回路ＳＣ−ＲＡ、ＳＣ−ＬＡから出力される。これにより、ペンが、磁界検出コイルＤＸ（ｎ）に近接していることが検出される。
次のタッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ２においては、磁界発生コイルＧＹ（ｎ）に近接して配置された磁界発生コイルＧＹ（ｎ＋１）に対応する選択信号がハイレベルとなり、図３０（Ｃ）に示すように、磁界発生コイルＧＹ（ｎ＋１）の他方の端部に、コイルクロック信号ＣＬＫが供給される。これにより、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ２の磁界発生期間ＴＣＧにおいては、磁界発生コイルＧＹ（ｎ＋１）が、コイルクロック信号ＣＬＫに応じた磁界を発生する。図３０（Ｃ）の例では、ペンは、磁界発生コイルＤＹ（ｎ）に近接した状態が維持されている。そのため、コイルＬ１と磁界発生コイルＤＹ（ｎ＋１）との間は磁界結合が発生しない、あるいは弱い磁界結合が発生することになる。その結果、容量素子Ｃは充電されない、あるいは充電される電荷量が少なくなる。
次に、タッチ検出期間Ｓｅｎｓｅ２の磁界検出期間ＴＤＴにおいて、図３０（Ｂ）と同様な磁界の検出が行われる。この場合、容量素子Ｃは充電されていない、あるいは充電されている電荷量が少ないため、磁界検出コイルＤＸ（ｎ）の他方の端部においては、信号変化が発生しない、あるいは発生する信号変化が小さくなる。このときの検出信号Ｒｘ（ｎ）を判定することにより、ペンは磁界発生コイルＧＹ（ｎ＋１）に近接していない、あるいは距離が離れていることを検知することが可能となる。
磁界タッチ検出のときに、磁界は、駆動電極により構成された磁界発生コイルによって発生し、ペンからの磁界は、検出電極により構成された磁界検出コイルによって検出される。すなわち、磁界を発生するコイルと、磁界を検出するコイルとが、異なっている。そのため、磁界駆動信号（コイルクロック信号ＣＬＫ）を停止したあと、磁界発生コイルが過渡的に変動していても、ペンからの磁界を検出する動作を開始することができる。これにより、検出が遅くなることを防ぐことが可能となる。また、容量素子Ｃに蓄積された電荷が、比較的多いときに、磁界検出を開始することが可能となるため、検出精度の向上を図ることができる。
（実施の形態３）
実施の形態１および２においては、電界タッチ検出と磁界タッチ検出の両方において、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢに形成された駆動電極ＴＬとＣＦガラス基板ＣＧＢに形成された検出電極ＲＬが用いられていた。すなわち、駆動電極ＴＬが、磁界発生と電界発生に用いられ、検出電極ＲＬが、磁界検出と電界検出に用いられていた。これに対して、実施の形態３においては、磁界発生と電界発生に、駆動電極（第１配線）ＴＬが用いられ、磁界検出には、信号線（第２配線）ＳＬが用いられ、電界検出には、検出電極（第３配線）ＲＬが用いられる。
実施の形態３に係わる表示装置１の構成は、図５に示した表示装置の構成と類似している。すなわち、図５において、切り換え増幅回路ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰの構成が、実施の形態３では、実施の形態１と異なっている。
図３１は、実施の形態３に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。同図には、表示領域２の平面が示されている。同図において、ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）のそれぞれは、行方向（横方向）へ延在し、列方向（縦方向）へ平行して配置された駆動電極を示している。また、ＧＬ（ｍ−２）〜ＧＬ（ｍ＋２）は、走査線を示しており、ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）は、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）と交差するように配置された信号線を示している。さらに、ＳＭは、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）に接続された補助電極を示している。
図３１に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）は、図９および図１０に示すように、表示領域２の辺２−Ｒの近傍において、第１スイッチＳ１０および第２スイッチＳ１１に接続されている。駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）の端部（ノードＴＴ２）は、第３スイッチＳ２１を介して信号配線Ｌｃに接続され、さらに第４スイッチＳ３１を介して信号配線Ｌｖに接続されている。また、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）の端部（ノードＴＴ１）は、第５スイッチＳ４１を介して信号配線Ｌｓに接続されている。
図９で説明したように、磁界タッチ検出のときには、駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）によってコイルが構成され、選択信号ＳＴ１０がハイレベルとなることにより、ノードＴＴ２にコイルクロック信号ＣＬＫが供給され、ノードＴＴ１には、接地電圧Ｖｓが供給される。これにより、これらの駆動電極によって構成されたコイルにより磁界が発生する。また、図１０で説明したように、電界タッチ検出のときには、第４スイッチＳ３１がオフ状態とされ、制御信号ＴＳＶが、ノードＴＴ２へ供給される。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）が、制御信号ＴＳＶに従って電界を発生する。
図３２は、磁界タッチ検出のときの信号線の状態を示している。表示期間においては、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）は、互いに分離されている。磁界タッチ検出のときには、互いに隣接した２個の信号線が接続される。すなわち、表示領域２の辺２−Ｄ（図５）側において、互いに隣接した２個の信号線間にスイッチが接続され、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮにより、磁界タッチ検出のとき、このスイッチを介して互いに接続されるにされる。また、表示領域２の辺２−Ｕ（図５）側において、互いに隣接した２個の信号線間にスイッチが接続され、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮにより、磁界タッチ検出のとき、このスイッチを介して互いに接続される。
図３２では、磁界タッチ検出において、信号線ＳＬ（ｎ−６）とＳＬ（ｎ−５）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ−４）とＳＬ（ｎ−３）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ−２）とＳＬ（ｎ−１）とが接続された状態が示されている。また、同様に、信号線ＳＬ（ｎ）とＳＬ（ｎ＋１）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋２）とＳＬ（ｎ＋３）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋４）とＳＬ（ｎ＋５）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋６）とＳＬ（ｎ＋７）とが接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋８）とＳＬ（ｎ＋９）とが接続された状態が示されている。
磁界タッチ検出のとき、磁界検出コイルが、信号線によって構成されるように、辺２−Ｕ側には、信号配線ＬＵ１〜ＬＵ５が配置され、所定の信号線間が、信号配線ＬＵ１〜ＬＵ５によって接続されている。図３２では、信号線ＳＬ（ｎ−６）、ＳＬ（ｎ−５）と、信号線ＳＬ（ｎ−２）、ＳＬ（ｎ−１）とが、辺２−Ｕの近傍において、信号配線ＬＵ１により接続され、信号線ＳＬ（ｎ−４）、ＳＬ（ｎ−３）と、信号線ＳＬ（ｎ＋２）、ＳＬ（ｎ＋３）とが、辺２−Ｕの近傍において、信号配線ＬＵ２により接続されている。また、信号線ＳＬ（ｎ）、ＳＬ（ｎ＋１）と、信号線ＳＬ（ｎ＋６）、ＳＬ（ｎ＋７）とが、辺２−Ｕの近傍において、信号配線ＬＵ３により接続され、信号線ＳＬ（ｎ＋４）、ＳＬ（ｎ＋５）と、図示しない信号線とが、辺２−Ｕの近傍において、信号配線ＬＵ４により接続されている。さらに、信号線ＳＬ（ｎ＋８）、ＳＬ（ｎ＋９）と、図示しない信号線とが、辺２−Ｕの近傍において、信号配線ＬＵ５により接続されている。なお、これらの信号配線ＬＵ１〜ＬＵ５と信号線との間には、磁界イネーブル信号ＳＣ＿ＥＮによってスイッチ制御されるスイッチが設けられており、磁界タッチ検出のときのみ、信号配線ＬＵ１〜ＬＵ５と信号線とが接続される。
互いに接続された信号線が、辺２−Ｄの近傍において、増幅回路ＡＭＰに接続されている。増幅回路ＡＭＰは、図１１で説明した積分回路を複数有しており、それぞれの積分回路に、互いに接続された信号線における信号変化が伝達され、積分回路の出力が、磁界タッチ検出のときの検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴへ供給される。図３２に示した例では、互いに並列接続された信号線ＳＬ（ｎ−６）、ＳＬ（ｎ−５）と、互いに並列接続された信号線ＳＬ（ｎ−２）、ＳＬ（ｎ−１）によって、磁界検出コイルが構成される。また、互いに並列接続された信号線ＳＬ（ｎ−４）、ＳＬ（ｎ−３）と、互いに並列接続された信号線ＳＬ（ｎ＋２）、ＳＬ（ｎ＋３）によって、磁界検出コイルが構成され、互いに並列接続された信号線ＳＬ（ｎ）、ＳＬ（ｎ＋１）と、互いに並列接続された信号線ＳＬ（ｎ＋６）、ＳＬ（ｎ＋７）によって、磁界検出コイルが構成される。
磁界タッチ検出のとき、磁界発生期間ＴＣＧ（図２９）において、駆動電極により構成された磁界発生コイルにより磁界が発生する。ペンが磁界を発生している磁界発生コイルの近傍に存在する場合には、ペン内の容量素子Ｃが充電される。磁界発生期間ＴＣＧに続く磁界検出期間ＴＤＴ（図２９）においては、ペンからの磁界が、信号線によって構成された磁界検出コイルによって検出され、増幅回路ＡＭＰへ伝達される。増幅回路ＡＭＰからの検出信号Ｒｘに基づいて、検出回路ＤＥＴが、ペンの存在または／および筆圧の検知を行う。
この実施の形態３においては、磁界タッチ検出のとき、複数の信号線が、並列接続されているが、これに限定されず、１個の信号線を、磁界検出コイルの巻線としてもよい。しかしながら、複数の信号線を並列接続することにより、磁界検出コイルの抵抗を小さくすることが可能となる。
図３３は、実施の形態３に係わる表示装置１の構成を示す平面図である。図３３において、ＲＬ（０）〜ＲＬ（５）は、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＣＳＦ１に配置された検出電極を示している。図３１には示していなかったが、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（５）のそれぞれは、列方向に延在し、行方向に平行に配置されている。すなわち、図３１に示した駆動電極ＴＬ（ｎ−２）〜ＴＬ（ｎ＋１）と交差し、信号線ＳＬ（ｎ−６）〜ＳＬ（ｎ＋９）と平行するように、ＣＦガラス基板ＣＧＢの第１主面ＳＣＳＦ１に配置されている。
検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（５）は、表示領域２の辺２−Ｄ（図１９）側において、増幅回路ＡＭＰに接続されている。増幅回路ＡＭＰは、図１１で説明した積分回路を複数有しており、それぞれの積分回路には、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（５）における信号変化が伝達され、積分回路の出力が、電界タッチ検出のときの検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴへ供給される。
電界タッチ検出のときに、例えば図３１に示した駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶが、電界駆動信号として供給される。駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）と検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（５）のそれぞれとの間の電界の変化が、増幅回路ＡＭＰによって増幅され、検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴに供給されることになる。これにより、指のタッチの有無等を検知することが可能となる。
実施の形態３において、磁界タッチ検出のときに信号変化を増幅する増幅回路と、電界タッチ検出のときに信号変化を増幅する増幅回路は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
実施の形態３によれば、磁界タッチ検出および電界タッチ検出のとき、表示領域２の辺２−Ｄ側において、信号線および検出電極から、信号変化が、増幅回路ＡＭＰへ伝達される。そのため、表示領域の辺２−Ｌおよび２−Ｒ側の額縁が大きくなるのを防ぐことが可能となる。
実施の形態３では、同一の駆動電極を用いて、磁界の発生と電界の発生を行い、磁界の検出と電界の検出とを、異なる導電層によって形成された信号線および検出電極を用いて行っている。これに限定されず、磁界と電界が、例えば異なる導電層によって形成された信号配線（または電極）によって発生させるようにしてもよい。例えば、磁界は、列方向に延在し、行方向に平行に配置された複数の信号配線を用いて、発生する。電界は、行方向に延在し、列方向に平行に配置された信号配線を用いて、発生するようにしてもよい。この場合、磁界の検出は、行方向に延在し、列方向に平行して配置された複数の信号配線を用いて行う。また、電界の検出は、列方向に延在し、行方向に平行に配置された信号配線を用いて行う。この場合には、磁界の発生と検出が、電界の発生と検出に対して、実質的に９０度、ずれることになる。この場合であっても、磁界発生コイルは、磁界検出コイルと異なるため、検出精度の向上を図ることが可能である。
（実施の形態４）
この実施の形態においては、平面視で見たとき、複数の磁界発生コイルが、互いに重なるようにされる。このようにすることにより、磁界タッチ検出のとき、発生する磁界が弱くなる領域を低減することが可能となり、検出感度が低下する領域が発生するのを防ぐことが可能となる。また、磁界検出コイルも、平面視で見たとき、互いに重なるようにされる。磁界発生コイルが互いに重なり、磁界検出コイルも互いに重なっている例は、既に図３０に示している。勿論、磁界発生コイルのみが、互いに重なるようにしてもよいし、磁界検出コイルのみが、互いに重なるようにしてもよい。
ここでは、磁界発生コイルが、互いに重なるようにする構成を例として説明する。この実施の形態４に係わる表示装置１は、実施の形態１で説明した図５の表示装置に類似している。主に相違するのは、切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲの構成である。実施の形態４においては、図５に示した切り換え回路ＳＣ−Ｒ、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲの代わりに、切り換え制御駆動回路ＳＲ−ＲおよびＳＲ−Ｌが用いられる。
図３４は、実施の形態４に係わる切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｒの構成を示す回路図である。また、図３５は、実施の形態４に係わる切り換え制御駆動回路（駆動回路、第１切り換え回路）ＳＲ−Ｌの構成を示す回路図である。切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｒは、図５において、切り換え回路ＳＣ−Ｒの代わりに、表示領域２の辺２−Ｒ（図５）側に沿って配置され、辺２−Ｒの近傍において、駆動電極に接続されている。また、切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｌは、図５において、切り換え駆動回路ＳＣ−Ｌおよび検出制御回路ＳＲの代わりに、辺２−Ｌ（図５）側に沿って配置され、辺２−Ｌの近傍において、駆動電極ＴＬに接続されている。すなわち、平面視で見たとき、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）のそれぞれは、切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｒと切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｌとの間に配置されていることになる。
切り換え制御駆動回路ＳＲ−ＲおよびＳＲ−Ｌは、複数の単位選択回路と、単位選択回路に対応した複数の単位切換調整回路を備えている。ここで、それぞれの単位選択回路は、磁界タッチ検出のときに強い磁界を発生する領域に配置された駆動電極に対応している。また、単位切換調整回路は、対応する単位選択回路によって制御される。
切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｒにおいて、複数の単位選択回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）および単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（０）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｐ）は、互いに同じ構成を有している。そのため、図３４には、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｎ＋１）と、これらの単位選択制御回路に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）の構成が、示されている。
また、切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｌにおいても、複数の単位選択回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）および単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（０）〜ＵＳＣ（ｐ）は、互いに同じ構成を有している。そのため、図３５には、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ＋９）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ＋１）と、これらの単位選択制御回路に対応する単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）〜ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）の構成が、示されている。
実施の形態１においては、図９に示すように、磁界タッチ検出のとき、それぞれ２回巻線の磁界発生コイルが、駆動電極を用いて形成されていた。これに対して、この実施の形態４においては、磁界タッチ検出のとき、それぞれの磁界発生コイルは、１．５回巻線のコイルによって構成される。すなわち、磁界タッチ検出のとき、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）およびＴＬ（ｎ＋２）を巻線として、１個の磁界発生コイルが形成され、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）およびＴＬ（ｎ＋８）を巻線として、１個の磁界発生コイルが形成される。
例えば、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）およびＴＬ（ｎ＋２）を巻線として、１個の磁界発生コイルが形成された場合、これらの駆動電極によって挟まれた領域、すなわち駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）が、磁界発生コイルの内側となり、強い磁界が発生する。同様に、駆動電極ＴＬ（ｎ）、ＴＬ（ｎ＋１）およびＴＬ（ｎ＋８）を巻線として、１個の磁界発生コイルが形成された場合、これらの駆動電極によって挟まれた領域、すなわち駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）〜ＴＬ（ｎ＋７）が、磁界発生コイルの内側となり、強い磁界が発生する。これにより、強い磁界が発生している領域が分断されるのを防ぐことが可能となる。
＜切り換え制御駆動回路ＳＲ―Ｒ＞
切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｒに設けられている単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）のそれぞれは、磁界タッチ検出のときに、強い磁界を発生する領域（駆動電極）を指定する磁界制御信号Ｃ−Ｒを出力する。また、電界タッチ検出のとき、単位選択制御回路のそれぞれは、磁界制御信号Ｃ−Ｒを所定の電圧にする。さらに、単位選択制御回路は、表示期間において、表示駆動信号が供給される駆動電極を指定する表示制御信号Ｄ−Ｒを出力する。
図３４に示した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）、ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）および単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を例にして説明する。
磁界タッチ検出のとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）は、順次、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）をハイレベルにする。例えば、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−２）、Ｃ−Ｒ（ｎ−１）、Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｒ（ｎ＋１）の順に、ハイレベルにする。また、電界タッチ検出のときには、磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）をロウレベルにする。さらに、表示期間においては、表示駆動信号が供給される駆動電極を指定する表示制御信号Ｄ−Ｒ（０）〜Ｄ−Ｒ（ｐ）をハイレベルにする。
＜単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒの構成＞
単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）は、第１５スイッチＲ２１０〜Ｒ２１５と、第１６スイッチＲ２２０〜Ｒ２２５と、信号配線６３４０とを備えている。ここで、第１６スイッチＲ２２０〜Ｒ２２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）に対応した駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。この第１６スイッチＲ２２０〜Ｒ２２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。
第１５スイッチＲ２１０は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）が対応する駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）に隣接して配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線６３４０との間に接続されている。また、第１５Ｒスイッチ２１１は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）が対応する駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）の隣に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と電圧配線ＬＶ２との間に接続されている。さらに、第１５スイッチＲ２１２は、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）が対応する駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）の隣に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）と信号配線６３４０との間に接続されている。さらに、第１５スイッチＲ２１３〜Ｒ２１５は、それぞれの一方の端子が、駆動電極ＴＬ（ｎ＋３）〜ＴＬ（ｎ＋５）に接続され、それぞれの他方の端子は、フローティング状態となっている。これらの第１５スイッチＲ２１３〜Ｒ２１５は、第１５スイッチの配置が規則的になるように設けられている。そのため、第１５スイッチの規則性を担保しなくてもよい場合には、第１５スイッチＲ２１３〜Ｒ２１５は、設けなくてもよい。第１５スイッチＲ２１０〜Ｒ２１５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。
残りの単位切換調整回路も、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）と同じ構成を有している。図３４において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）を構成する第１５スイッチは、（Ｒ２１０）〜（Ｒ２１５）として示され、第１６スイッチは、（Ｒ２２０）〜（Ｒ２２５）として示され、信号配線は、（６３４０）として示されている。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−２）内の第１５スイッチＲ２１２〜Ｒ２１５は、［Ｒ２１２］〜［Ｒ２１５］として示され、第１６スイッチＲ２２４、Ｒ２２５は、［Ｒ２２４］、［Ｒ２２５］として示され、信号配線６３４０は、［６３４０］として示されている。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ＋１）内の第１５スイッチＲ２１０、Ｒ２１１が、＜Ｒ２１０＞、＜Ｒ２１１＞として示され、第１６スイッチＲ２２０、Ｒ２２１は、＜Ｒ２２０＞、＜Ｒ２２１＞として示され、信号配線６３４０は、＜６３４０＞として示されている。
単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１））に対応する単位切換調整回路に含まれる第１５スイッチＲ２１０〜Ｒ２１３は、２組に分けられ、この単位選択制御回路に対応する駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）を、その間に挟むように配置された所定の駆動電極に接続されている。すなわち、第１５スイッチＲ２１０、Ｒ２１１と、第１５スイッチＲ２１２、Ｒ２１３とに分けられ、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）に隣接した所定の駆動電極と、駆動電極ＴＬ（ｎ＋１）に隣接した所定の駆動電極に接続されている。
＜切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｌ＞
切り換え制御駆動回路ＳＲ−Ｌに設けられている単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）のそれぞれは、磁界タッチ検出のときに、強い磁界を発生する領域（駆動電極）を指定する磁界制御信号Ｃ−Ｌを出力する。また、電界タッチ検出のとき、これらの単位選択制御回路は、電界駆動信号が供給される駆動電極を指定する電界制御信号を出力する。この実施の形態４においては、磁界制御信号Ｃ−Ｌが、電界制御信号としても用いられている。さらに、これらの単位選択制御回路は、表示期間において、表示駆動信号が供給される駆動電極を指定する表示制御信号Ｄ−Ｌを出力する。
図３５に示した単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）および単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）、ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を例にして説明する。
磁界タッチ検出のとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）は、順次、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ）をハイレベルにする。例えば、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−２）、Ｃ−Ｌ（ｎ−１）、Ｃ−Ｌ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ＋１）の順に、ハイレベルにする。また、電界タッチ検出のときには、電界駆動信号が供給される駆動電極に対応した磁界制御信号（例えば、Ｃ−Ｌ（０））をハイレベルにし、残りの磁界制御信号（Ｃ−Ｌ（１）〜Ｃ−Ｌ（ｐ））をロウレベルにする。電界タッチ検出で、電界駆動信号が供給される駆動電極を順次指定する場合には、例えば、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（０）からＣ−Ｌ（ｐ）の順にハイレベルにする。さらに、表示期間においては、表示駆動信号が供給される駆動電極を指定する表示制御信号Ｄ−Ｌ（０）〜Ｄ−Ｌ（ｐ）をハイレベルにする。
＜単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌの構成＞
次に、図３５に示した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）を代表として、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌの構成を説明する。単位調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）は、第１７スイッチＬ２１０〜Ｌ２１５と、第１８スイッチＬ２２０〜Ｌ２２５と、信号配線６３４１とを備えている。ここで、第１８スイッチＬ２２０〜Ｌ２２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）に対応した駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）と、電圧配線ＬＶ１との間に接続されている。第１８スイッチＬ２２０〜Ｌ２２５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの表示制御信号Ｄ−Ｌ（ｎ−１）によりスイッチ制御される。
第１７スイッチＬ２１０は、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜（ｎ＋１）に隣接して配置された駆動電極ＴＬ（ｎ−６）と信号配線ＬＬ１との間に接続され、第１７スイッチＬ２１１は、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜（ｎ＋１）の隣に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と信号配線６３４１との間に接続されている。また、第１７スイッチＬ２１２は、対応する駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜（ｎ＋１）の隣に配置された駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）と信号配線６３４１との間に接続されている。さらに、第１７スイッチＬ２１３〜Ｌ２１５は、それぞれの一方の端子が、駆動電極ＴＬ（ｎ−３）〜ＴＬ（ｎ−１）に接続され、それぞれの他方の端子は、フローティング状態となっている。これらの第１７スイッチＬ２１３〜Ｌ２１５は、先に説明した第１５スイッチＲ２１３〜Ｒ２１５と同じであるため、説明は省略する。第１７スイッチＬ２１０〜Ｌ２１５は、対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）からの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によってスイッチ制御される。
残りの単位切換調整回路も、上記した単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）と同じ構成を有している。図３５において、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ）を構成する第１７スイッチは、（Ｌ２１０）〜（Ｌ２１５）として示され、第１８スイッチは、（Ｌ２２０）〜（Ｌ２２５）として示され、信号配線は、（６３４１）として示されている。同様に、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−２）内の第１７スイッチＬ２１２〜Ｌ２１５は、［Ｌ２１２］〜［Ｌ２１５］として示され、第１８スイッチＬ２２４、Ｌ２２５は、［Ｌ２２４］、［Ｌ２２５］として示され、信号配線６３４１は、［６３４１］として示されている。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ＋１）内の第１７スイッチＬ２１０、Ｌ２１１が、＜Ｌ２１０＞、＜Ｌ２１１＞として示され、第１８スイッチＬ２２０、Ｌ２２１は、＜Ｌ２２０＞、＜Ｌ２２１＞として示され、信号配線６３４１は、＜６３４１＞として示されている。
単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１））に対応する単位切換調整回路に含まれる第１７スイッチＬ２１０〜Ｌ２１２は、２組に分けられ、この単位選択制御回路に対応する駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）を、その間に挟むように配置された所定の駆動電極（ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）およびＴＬ（ｎ＋２）に接続されている。
＜磁界タッチ検出＞
次に、図３４および図３５を参照して、磁界タッチ検出のときの動作を説明する。ここでは、磁界タッチ検出において、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）の領域が、ペンによってタッチされているか否かを検出する場合を例として説明する。
駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）の領域においてペンのタッチを検出するために、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）に対応する単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ−１）およびＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）およびＣ−Ｌ（ｎ−１）を出力する。このとき、残りの単位選択制御回路（例えば、ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ））は、ロウレベルの磁界制御信号（Ｃ−Ｒ（ｎ）およびＣ−Ｌ（ｎ））を出力する。また、磁界タッチ検出のとき、表示制御信号Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）、Ｄ−Ｒ（ｎ−１）、Ｄ−Ｒ（ｎ）およびＤ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）、Ｄ−Ｌ（ｎ−１）、Ｄ−Ｌ（ｎ）はロウレベルとなる。
磁界発生期間ＴＣＧのときに、制御回路Ｄ−ＣＮＴが、周期的に変化するコイルクロック信号ＣＬＫを信号配線ＬＬ１へ供給する。また、磁界タッチ検出の期間では、電圧配線ＬＶ２に接地電圧Ｖｓが供給される。
磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、第１５スイッチＲ２１０〜Ｒ２１２がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第１５スイッチＲ２１０を介して、信号配線６３４０に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第１５スイッチＲ２１１を介して、電圧配線ＬＶ２に接続される。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ−１）において、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、第１５スイッチＲ２１２を介して、信号配線６３４０に接続される。
一方、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）がハイレベルとなることにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、第１７スイッチＬ２１０〜Ｌ２１２がオン状態となる。これにより、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第１７スイッチＬ２１０を介して、信号配線ＬＬ１に接続され、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）は、第１７スイッチＬ２１１を介して、信号配線６３４１に接続される。また、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｌ（ｎ−１）において、駆動電極ＴＬ（ｎ＋２）は、第１７スイッチＬ２１２を介して、信号配線６３４１に接続される。
これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）の領域を挟んで、互いに平行に配置されている駆動電極ＴＬ（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）およびＴＬ（ｎ＋２）は、電圧配線ＬＶ２と信号配線ＬＬ１との間に直列的に接続されることになる。その結果、これらの駆動電極を巻線として、１回と半分（１．５回）巻いた磁界発生コイルが形成される。
磁界発生期間ＴＣＧにおいては、コイルクロック信号ＣＬＫが、信号配線ＬＬ１に供給されるため、コイルクロック信号ＣＬＫに従って変化する磁界が、磁界発生コイルにおいて発生する。ペンが駆動電極ＴＬ（ｎ−４）〜ＴＬ（ｎ＋１）の領域の近傍に存在していれば、磁界発生コイルで発生した磁界エネルギーによって、ペン内の容量素子Ｃが充電される。
ペン内の容量素子Ｃに充電された電荷により、磁界検出期間ＴＤＴのとき、ペン内のコイルが磁界を発生する。ペンが発生した磁界が、検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）によって構成された磁界検出コイルによって検出され、検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴへ供給される。
駆動電極（ｎ−６）、ＴＬ（ｎ−５）およびＴＬ（ｎ＋２）によって、磁界発生コイルが形成されているとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（ｎ）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）からの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（ｎ）、Ｃ−Ｌ（ｎ）はロウレベルであるため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）における第１５スイッチ（Ｒ２１０）〜（Ｒ２１５）および第１７スイッチ（Ｌ２１０）〜（Ｌ２１５）はオフ状態となる。そのため、単位切換調整回路ＵＳＣ−Ｒ（ｎ）およびＵＳＣ−Ｌ（ｎ）において、駆動電極は信号配線（６３４０）、（６３４１）、電圧配線ＬＶ２および信号配線ＬＬ１に接続されず、磁界発生コイルは形成されない。
＜電界タッチ検出＞
電界タッチ検出のとき、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）は、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（０）〜Ｃ−Ｌ（ｐ）を電界制御信号として出力する。例えば、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）を、電界を発生する駆動電極として選択する場合を説明すると、次のようになる。
単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−１）は、磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）を、電界制御信号としてハイレベルにする。このとき、残りの単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｎ−２）、ＵＳＲ−Ｌ（ｎ）〜ＵＳＲ（ｐ）は、ロウレベルの磁界制御信号を出力する。また、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）は、ロウレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｒ（０）〜Ｃ−Ｒ（ｐ）を出力する。なお、表示期間でないため、表示制御信号Ｄ−ＬおよびＤ−Ｒはロウレベルである。
これにより、第１５スイッチはオフ状態となる。このとき、ハイレベルの磁界制御信号Ｃ−Ｌ（ｎ−１）によって、第１７スイッチＬ２１０〜Ｌ２１５がオン状態となる。第１７スイッチＬ２１０がオン状態となることにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、第１７スイッチＬ２１０を介して信号配線ＬＬ１に接続される。
電界タッチ検出のときには、制御回路Ｄ−ＣＮＴは、信号配線ＬＬ１へ周期的に電圧が変化する制御信号ＴＳＶを供給する。これにより、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）には、制御信号ＴＳＶが磁界駆動信号として供給される。第１５スイッチがオフ状態のため、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）は、フローティング状態で、磁界駆動信号が供給されることになり、磁界駆動信号に従った電界を発生する。
検出電極ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ）と、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）との間の電界の変化が、検出信号Ｒｘとして、検出回路ＤＥＴへ供給され、指のタッチ検出が行われる。
表示期間においては、例えば、単位選択制御回路ＵＳＲ−Ｒ（０）〜ＵＳＲ−Ｒ（ｐ）およびＵＳＲ−Ｌ（０）〜ＵＳＲ−Ｌ（ｐ）のそれぞれが、ハイレベルの表示制御信号Ｄ−Ｒ（０）〜Ｄ−Ｒ（ｐ）およびＤ−Ｌ（０）〜Ｄ−Ｌ（ｐ）を出力する。これにより、第１６スイッチおよび第１８スイッチがオン状態となり、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）は、表示領域２の辺２−Ｒおよび２−Ｌの近傍において、電圧配線ＬＶ１に接続される。制御回路Ｄ−ＣＮＴは、表示期間のとき、電圧配線ＬＶ１に表示用の駆動電圧を供給する。これによって、表示期間においては、表示駆動電圧が、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）に供給されることになる。
磁界発生コイルを例にして、互いに重なるコイルの構成を説明したが、同様にして磁界検出コイルも互いに重なるようにすることができる。
図５に示した液晶表示装置１に、図３４および図３５に示した切り換え制御駆動回路ＳＲ―Ｒ、ＳＲ−Ｌを用いる例を、実施の形態４として説明したが、図１９に示した液晶表示装置１に、切り換え制御回路ＳＲ−Ｒ、ＳＲ−Ｌを用いるようにしてもよい。この場合、信号線と駆動電極とが平行して延在するため、実施の形態２で説明したように、タッチ検出のとき、駆動電極に信号線を並列接続することが可能となり、駆動電極の抵抗値をさらに小さくすることが可能となる。
また、図９では、互いに近接した駆動電極（例えば、駆動電極ＴＬ（ｎ−６）〜ＴＬ（ｎ−３））によって、磁界発生コイルを構成する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、図９において、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と駆動電極ＴＬ（ｎ−４）との間に、１個または複数個の駆動電極が挟まれるようにしてもよい。この場合には、駆動電極ＴＬ（ｎ−５）と駆動電極ＴＬ（ｎ−４）との間に挟まれた駆動電極の領域が、磁界発生コイルの内側となり、この内側の領域において、強い磁界が発生することになる。同様に、図１１では、互いに近接した検出電極（例えば、ＲＬ（ｎ−３）〜ＲＬ（ｎ））によって、磁界検出コイルを構成する例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、図１１において、検出電極ＲＬ（ｎ−２）と検出電極ＲＬ（ｎ−１）との間に、１個または複数個の検出電極が挟まれるようにしてもよい。この場合には、検出電極ＲＬ（ｎ−２）と検出電極ＲＬ（ｎ−１）との間に挟まれた検出電極の領域が、磁界検出コイルの内側となり、この内側の領域において、磁界の検出が向上する。
また、図１２では、第６スイッチＳ５０〜Ｓ５３が、単極双投スイッチによって構成されいる例を示したが、これに限定されるものではない。電界タッチ検出のときに、電界駆動信号が供給される検出電極がフローティング状態になればよいため、第６スイッチは、検出電極ＲＬと接地電圧Ｖｓと間に接続された単極単投スイッチであってもよい。この場合、磁界タッチ検出のときに、検出電極ＲＬが、接地電圧Ｖｓに接続されるように単極単投スイッチはオン状態にされ、電界タッチ検出のときには、単極単投スイッチはオフ状態にされる。図２６に示した第１４スイッチＳ１３０についても、同様に単極双投スイッチに限定されず、単極単投スイッチであってもよい。
ＴＦＴガラス基板ＴＧＢは、複数の信号線と複数の走査線で区画された画素の領域（画素領域）を備えた第１基板と見なすことができる。この場合、ＣＦガラス基板ＣＧＢは、第１基板と対向する第２基板と見なすことができる。磁界発生期間においては、例えば、図９に示したように、複数の磁界発生コイル（第１コイル）が、第１基板に配置される。この場合、磁界発生コイルのそれぞれは、平面視で見たとき、長方形型をしている。長方形型の磁界発生コイルの長辺は、行方向（第１方向）に延在し、長方形型の磁界発生コイルは、列方向（第２方向）に平行に配置されている。また、磁界検出期間においては、複数の磁界発生コイルと交差するように、複数の磁界検出コイルが、ＴＦＴガラス基板ＴＧＢまたはＣＦガラス基板ＣＧＢに配置される。例えば、図１１に示したように、磁界検出コイルのそれぞれも、平面視で見たとき、長方形型をしており、その長辺は、列方向（第２方向）に延在し、行方向（第１方向）に平行に配置されている。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例及び修正例に想到し得るものであり、それら変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
例えば、前述の各実施の形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
例えば、実施の形態２においては、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）は、列方向に延在し、行方向に並列に配置されている場合を説明したが、行方向および列方向は、見る視点により変化する。見る視点を変えて、駆動電極ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ）および信号線ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ）が、行方向に延在し、列方向に並列に配置されている場合も本発明の範囲に含まれるものである。また、本明細書で用いている「平行」とは、互いに一端から他端に亘るまで交わることなく延在することを意味する。そのため、一方の線（あるいは電極）の一部又は全部が他方の線（あるいは電極）に対して傾いた状態で設けられていたとしても、これらの線が一端から他端まで交わるものでなければ、本明細書においては、この状態も「平行」であるとする。
１ タッチ機能付き液晶表示装置
２、２Ａ 表示領域
３ 信号線セレクタ
４ 表示制御装置
５ ゲートドライバ
６ タッチ制御装置
ＴＬ（０）〜ＴＬ（ｐ） 駆動電極
ＳＭ 補助電極
ＲＬ（０）〜ＲＬ（ｐ） 検出電極
ＧＬ（０）〜ＧＬ（ｐ） 走査線
ＳＬ（０）〜ＳＬ（ｐ） 信号線
ＣＧＢ ＣＦガラス基板
ＴＧＢ ＴＦＴガラス基板
ＣＳＦ１、ＴＳＦ１ 第１主面
ＣＳＦ２、ＴＳＦ２ 第２主面
ＳＣ−Ｒ 切り換え駆動回路
ＳＣ−Ｌ 切り換え回路
ＳＲ、ＳＸ 検出制御回路
ＳＣ−Ｄ＆ＡＭＰ 切り換え増幅回路
ＳＣ−ＤＡ 切り換え駆動回路
ＳＣ−ＬＡ、ＳＣ−ＲＡ 切り換え増幅回路
ＳＣ＿ＥＮ 磁界イネーブル信号
ＣＬＫ コイルクロック信号
ＴＳＶ 制御信号

Claims (15)

  1. 行列状に配置された複数の画素を有する画素配列と、
    前記画素配列の各列に配置され、対応する列に配置された複数の画素に、画像信号を供給する複数の信号線と、
    前記画素配列において、互いに平行に配置され、画像の表示のとき、前記複数の画素に対して駆動信号を供給する複数の駆動電極と、
    磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記画素配列に配置された第１配線に磁界を発生させる磁界駆動信号が供給され、外部近接物体からの磁界が、平面視において前記第１配線と交差する第２配線によって検出される、表示装置。
  2. 請求項１に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、
    前記第１配線を含む複数の第１配線と、
    前記第２配線を含む複数の第２配線と、
    前記複数の第１配線のうちの所定の第１配線に、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記磁界駆動信号を出力する駆動回路と、
    前記複数の第２配線のうちの所定の第２配線に接続され、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記所定の第２配線における信号変化を検出する検出回路と、
    を備え、
    前記複数の第１配線は、互いに平行に配置され、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記複数の第１配線は、前記駆動回路と第１電圧との間で、第１コイルを形成するように、互いに電気的に接続され、
    前記複数の第２配線は、互いに平行に配置され、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記複数の第２配線は、前記検出回路と第２電圧との間で、第２コイルを形成するように、互いに電気的に接続される、表示装置。
  3. 請求項２に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、磁界を用いて外部近接物体を検出するか電界を用いて外部近接物体を検出するかに従って、前記第１コイルと前記第１電圧との間の接続を切り換える第１切り換え回路と、
    磁界を用いて外部近接物体を検出するか電界を用いて外部近接物体を検出するかに従って、前記第２コイルと前記第２電圧との間の接続を切り換える第２切り換え回路とを備え、
    前記第１切り換え回路は、電界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記第１コイルと前記第１電圧とを電気的に分離し、前記第２切り換え回路は、電界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記第２コイルと前記第２電圧とを電気的に分離し、
    電界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記所定の第１配線に、電界駆動信号が供給され、前記所定の第２配線における信号変化が、前記検出回路によって検出される、表示装置。
  4. 請求項１ないし３のいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、
    前記複数の信号線と前記複数の駆動電極とが配置された第１主面を有する第１基板と、
    第１主面と、前記第１基板の第１主面と対向するように配置された第２主面とを有し、前記第１基板とは隔離された第２基板と、
    を備え、
    前記第１基板に配置された配線によって、前記第１配線が構成され、前記第２基板の第１主面に配置された配線によって、前記第２配線が構成される、表示装置。
  5. 請求項１ないし３のいずれか一項に記載の表示装置において、
    前記第１配線は、前記複数の駆動電極のうちの１の駆動電極と、前記複数の信号線のうち、前記１の駆動電極に接続された信号線とを有する、表示装置。
  6. 請求項２に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、
    前記複数の信号線と前記複数の駆動電極とが配置された第１主面を有する第１基板と、
    第１主面と、前記第１基板の第１主面と対向するように配置された第２主面とを有し、前記第１基板とは隔離された第２基板と、
    を備え、
    前記複数の第１配線と前記複数の第２配線は、前記第１基板の第１主面に配置された配線により構成される、表示装置。
  7. 請求項６に記載の表示装置において、
    前記複数の駆動電極は、
    前記画素配列の行に沿って、互いに平行するように配置された複数の第１駆動電極と、
    前記画素配列の列に沿って、互いに平行するように配置され、前記複数の第１駆動電極とは電気的に分離された複数の第２駆動電極と、
    を備え、
    前記複数の第１配線は、前記複数の第１駆動電極を含み、前記複数の第２配線は、前記複数の第２駆動電極を含む、表示装置。
  8. 請求項１に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、
    前記複数の信号線と前記複数の駆動電極とが配置された第１主面を有する第１基板と、
    第１主面と、前記第１基板の第１主面と対向するように配置された第２主面とを有し、前記第１基板とは隔離された第２基板と、
    前記第２基板の第１主面に配置された第３配線と、
    外部近接物体を検出するとき、駆動信号を出力する駆動回路と、
    外部近接物体を検出するとき、信号変化を検出する検出回路と、
    を備え、
    前記第１基板に配置された配線が、前記第１配線とされ、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記駆動回路から、磁界を発生させる駆動信号が、前記第１配線に供給され、前記第２配線における信号変化が、前記検出回路によって、検出され、
    電界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記駆動回路から、電界を発生させる駆動信号が、前記第１配線に供給され、前記第３配線における信号変化が、前記検出回路によって、検出される、表示装置。
  9. 請求項８に記載の表示装置において、
    前記複数の駆動電極は、前記画素配列の行に配置され、
    前記第１配線は、駆動電極によって構成され、前記第２配線は、信号線によって構成されている、表示装置。
  10. 請求項８または９に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、磁界を用いて外部近接物体を検出するか電界を用いて外部近接物体を検出するかに従って、前記第１配線と第１電圧との間の接続を切り換える第１切り換え回路を備え、
    前記第１切り換え回路は、電界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記第１配線と前記第１電圧とを電気的に分離し、磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記第１配線と前記第１電圧とを電気的に接続する、表示装置。
  11. 請求項２または１０に記載の表示装置において、
    前記検出回路は、前記第２配線における信号変化を検出する複数の単位検出回路を備える、表示装置。
  12. 第１主面を有する第１ガラス基板と、
    電位に従って透過率が変化する液晶層と、
    第１主面と、前記液晶層を挟んで、前記第１ガラス基板の第１主面と対向する第２主面を有する第２ガラス基板と、
    前記第１ガラス基板の第１主面に配置され、平面視で見たとき、前記第１ガラス基板の第１主面において、互いに平行し、第１方向へ延在する複数の信号線と、
    前記第１ガラス基板の第１主面に配置され、平面視で見たとき、前記第１ガラス基板の第１主面において、互いに平行し、前記複数の信号線とは電気的に分離された複数の駆動電極と、
    前記第２ガラス基板の第１主面に配置され、平面視で見たとき、前記第２ガラス基板の第１主面において、互いに平行し、前記複数の駆動電極と交差するように配置された複数の検出電極と、
    磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記複数の駆動電極のうちの複数の第１駆動電極によって構成される第１コイルに、駆動信号を供給する駆動回路と、
    磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記複数の検出電極のうちの複数の第１検出電極によって構成される第２コイルにおける信号変化を検出する検出回路と、
    を備える、表示装置。
  13. 請求項１２に記載の表示装置において、
    前記表示装置は、磁界を用いて外部近接物体を検出するのか電界を用いて外部近接物体を検出するのかに従って、前記第１コイルと第１電圧との間の接続を制御する第１切り換え回路と、磁界を用いて外部近接物体を検出するのか電界を用いて外部近接物体を検出するのかに従って、前記第２コイルと第２電圧との間の接続を制御する第２切り換え回路を備え、
    磁界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記第１コイルおよび前記第２コイルは、前記第１切り換え回路および前記第２切り換え回路によって、前記第１電圧および前記第２電圧に接続され、前記第１コイルには、前記駆動回路から、磁界を発生させる駆動信号が供給され、
    電界を用いて外部近接物体を検出するとき、前記第１コイルおよび前記第２コイルは、前記第１切り換え回路および前記第２切り換え回路によって、前記第１電圧および前記第２電圧から電気的に分離され、前記第１コイルには、前記駆動回路から、電界を発生させる駆動信号が供給される、表示装置。
  14. 請求項１３に記載の表示装置において、
    前記複数の駆動電極のそれぞれは、平面視で見たとき、前記第１方向に沿って配置されている、表示装置。
  15. 複数の信号線と複数の走査線と、前記複数の信号線と前記複数の走査線で区画された画素領域と、を有する第１基板と、
    前記第１基板に対向する第２基板と、
    長辺が第１方向に延在し第２方向に平行に前記第１基板上に配置され磁界を発生させる長方形型の複数の第１コイルと、
    前記複数の第１コイルと交差するように前記第１基板または前記第２基板に配置され磁界を検出する長方形型の複数の第２コイルを有する、表示装置。
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