JP2017069260A - フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ - Google Patents
フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017069260A JP2017069260A JP2015189802A JP2015189802A JP2017069260A JP 2017069260 A JP2017069260 A JP 2017069260A JP 2015189802 A JP2015189802 A JP 2015189802A JP 2015189802 A JP2015189802 A JP 2015189802A JP 2017069260 A JP2017069260 A JP 2017069260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field plate
- drain region
- transistor
- region
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 86
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 19
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 11
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Description
(Ga2O3系トランジスタの構成)
図1は、実施の形態に係るGa2O3系トランジスタ1の垂直断面図である。Ga2O3系トランジスタ1は、フィールドプレート構造を有する、ディプレッション型ノーマリーオンMOSFETである。
上記実施の形態によれば、フィールドプレート部22の長さや誘電体膜18の厚さ、すなわちフィールドプレート部22の高さをGa2O3チャネルに適した値に調整することにより、電界の集中を効果的に緩和し、オフ状態における絶縁破壊電圧の向上が得られる。同時に、電流コラプスをより効果的に抑制することができる。
Claims (4)
- Ga2O3系基板と、
前記Ga2O3系基板上に形成されたGa2O3系結晶層と、
前記Ga2O3系結晶層中に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記Ga2O3系結晶層の前記ソース領域とドレイン領域の間の領域上に形成されたゲート電極と、
前記Ga2O3系結晶層上に形成された誘電体膜と、
を有し、
前記ゲート電極及び前記ソース電極の少なくとも一方が、前記Ga2O3系結晶層上に誘電体膜を介して形成され、前記ゲート電極又は前記ソース電極の底部のドレイン領域側の縁の真上の位置から前記ドレイン領域の方向へ延在するフィールドプレート部を含み、
前記フィールドプレート部の延在方向の長さが、1μm以上である、
Ga2O3系トランジスタ。 - 前記誘電体膜の厚さが、0.1μmより大きい、
請求項1に記載のGa2O3系トランジスタ。 - 前記フィールドプレート部の延在方向の長さが、3μm以上である、
請求項1又は2に記載のGa2O3系トランジスタ。 - 前記誘電体膜の厚さが、0.2μm以上かつ0.8μm以下である、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のGa2O3系トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015189802A JP6653883B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015189802A JP6653883B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017069260A true JP2017069260A (ja) | 2017-04-06 |
JP6653883B2 JP6653883B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=58495227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015189802A Active JP6653883B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6653883B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110164769A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-23 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氧化镓场效应晶体管及其制备方法 |
CN111243962A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-05 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种氧化镓高电子迁移率异质结晶体管及其制备方法 |
CN112133756A (zh) * | 2020-10-07 | 2020-12-25 | 西安电子科技大学 | 基于t型栅结构的pn结栅控氧化镓场效应晶体管及其制备方法 |
WO2021139040A1 (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118122A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Nec Corp | ショットキゲート電界効果トランジスタ |
JP2013038239A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Sanken Electric Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
JP2013131736A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-07-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2015002343A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2015056457A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2015
- 2015-09-28 JP JP2015189802A patent/JP6653883B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002118122A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Nec Corp | ショットキゲート電界効果トランジスタ |
JP2013038239A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Sanken Electric Co Ltd | 窒化物半導体装置 |
JP2013131736A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-07-04 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2015002343A (ja) * | 2013-06-18 | 2015-01-05 | 株式会社タムラ製作所 | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2015056457A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110164769A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-23 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 氧化镓场效应晶体管及其制备方法 |
WO2021139040A1 (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法 |
CN111243962A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-05 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种氧化镓高电子迁移率异质结晶体管及其制备方法 |
CN111243962B (zh) * | 2020-01-20 | 2022-07-15 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种氧化镓高电子迁移率异质结晶体管及其制备方法 |
CN112133756A (zh) * | 2020-10-07 | 2020-12-25 | 西安电子科技大学 | 基于t型栅结构的pn结栅控氧化镓场效应晶体管及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6653883B2 (ja) | 2020-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9343562B2 (en) | Dual-gated group III-V merged transistor | |
US11563092B2 (en) | GA2O3-based semiconductor device | |
JP6066219B2 (ja) | 低いソース抵抗を有する電界効果トランジスタデバイス | |
US9490324B2 (en) | N-polar III-nitride transistors | |
US7728356B2 (en) | P-GaN/AlGaN/AlN/GaN enhancement-mode field effect transistor | |
US7989882B2 (en) | Transistor with A-face conductive channel and trench protecting well region | |
Li et al. | Design and simulation of 5–20-kV GaN enhancement-mode vertical superjunction HEMT | |
JP6097298B2 (ja) | 信頼性が高められたハイパワー半導体電子部品 | |
US11973138B2 (en) | N-polar devices including a depleting layer with improved conductivity | |
Kachi | Current status of GaN power devices | |
WO2019239632A1 (ja) | パワー半導体素子及びその製造方法 | |
JP6653883B2 (ja) | フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ | |
RU154437U1 (ru) | Гетероструктурный полевой транзистор на основе нитрида галлия с улучшенной стабилизацией вольт-амперной характеристики | |
KR102154689B1 (ko) | 탄화규소 트렌치 게이트 mosfet | |
US9029945B2 (en) | Field effect transistor devices with low source resistance | |
JP2019145791A (ja) | 炭化ケイ素から成る半導体ボディを備えた半導体装置 | |
Luo et al. | Enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using double buried p-type layers | |
US20220199766A1 (en) | SiC Devices with Shielding Structure | |
JP6550869B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20190088738A1 (en) | Semiconductor device | |
Peng et al. | Simulation of a high-performance enhancement-mode HFET with back-to-back graded AlGaN layers | |
Nanen et al. | Enhanced drain current of 4H-SiC MOSFETs by adopting a three-dimensional gate structure | |
US20200111903A1 (en) | Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof | |
Kuball et al. | Floating body effects in carbon doped GaN HEMTs | |
Meneghesso et al. | Smart Power Devices Nanotechnology |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180327 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190716 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190913 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20190913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6653883 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |