JP2017068032A - 表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】ブートストラップ動作に伴う輝度ムラを低減することができる表示装置を提供する。【解決手段】一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、ゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子の駆動に当たって、ゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づけ、次いで、ゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、ゲート電極に基準電圧を印加する処理を行う。【選択図】 図３

Description

本開示は、表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器に関する。

電流駆動型の発光部を備えた表示素子、及び、係る表示素子を備えた表示装置が周知である。例えば、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用した発光部を備えた表示素子（以下、単に、有機ＥＬ表示素子と略称する場合がある）は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示素子として注目されている。

液晶表示装置と同様に、例えば、有機ＥＬ表示素子を備えた表示装置においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、構造が複雑になるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等の利点を有する。アクティブマトリクス方式により駆動される有機ＥＬ表示素子にあっては、発光層を含む有機層等から構成された発光部に加えて、発光部を駆動するための駆動回路を備えている。

電流駆動型の発光部を駆動するための回路として、例えば、２つのトランジスタと１つの容量部から構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）が、特開２００７−３１０３１１号公報（特許文献１）等から周知である。２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、図１に示すように、書込みトランジスタＴＲ_Wと駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタ、及び、１つの容量部Ｃ_Sから構成されている。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は第１ノードＮＤ₁を構成し、発光部ＥＬＰに接続されるソース／ドレイン領域は第２ノードＮＤ₂を構成する。

容量部Ｃ_Sは、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域に対するゲート電極の電圧（所謂ゲート−ソース間電圧）を保持するために用いられる。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thは表示素子毎にばらつく。従って、容量部Ｃ_Sに保持されている電圧が映像信号電圧のみを反映した電圧であると、閾値電圧Ｖ_thのばらつきによる輝度ムラが生ずる。このため、容量部Ｃ_Sに保持される電圧が映像信号電圧と閾値電圧Ｖ_thとを反映した電圧となるように駆動回路を駆動するといったことが行われる。

容量部Ｃ_Sに映像信号電圧と閾値電圧Ｖ_thとを反映した電圧が保持されるようにした状態で、書込みトランジスタＴＲ_Wが非導通状態とされると、駆動トランジスタを介して電流が流れ発光部ＥＬＰが発光する。発光部ＥＬＰのアノード電極の電圧、換言すれば、第２ノードＮＤ₂の電圧は発光部ＥＬＰの発光に伴い上昇する。このとき、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電圧、換言すれば、第１ノードＮＤ₁の電圧は、ブートストラップ動作によって上昇する。理想的なブートストラップ動作が起こるとすれば、ブートストラップ動作の前後においてゲート−ソース間電圧は保たれるので、駆動トランジスタの閾値電圧Ｖ_thのばらつきによる輝度ムラは生じない。

特開２００７−３１０３１１号公報

実際には、駆動トランジスタＴＲ_Dの寄生容量などの影響によって、ブートストラップ動作時における第１ノードＮＤ₁の電圧の上昇量は、第２ノードＮＤ₂の電圧の上昇量よりも小さくなる。また、ブートストラップ動作時における第２ノードＮＤ₂の電圧の上昇量は、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thに応じて変化する。このため、ブートストラップ動作の前後における容量部Ｃ_Sの電圧変化の程度は、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thの値によって変化する。定性的には、閾値電圧Ｖ_thが大きくなるほどブートストラップ動作によって容量部Ｃ_Sの電圧が小さくなり、結果として発光部ＥＬＰに流れる電流が減少する。これは、輝度ムラの原因となる。

従って、本開示の目的は、ブートストラップ動作に伴う輝度ムラを低減することができる表示装置およびその駆動方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の表示素子の駆動方法は、
一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子の駆動に当たって、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
表示素子の駆動方法である。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
駆動部は、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
表示装置である。

上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置は、
一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
駆動部は、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
電子機器である。

本開示に係る表示装置の駆動方法によれば、閾値電圧キャンセル処理を行った後に、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する。この動作による駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電圧変化は、閾値電圧Ｖ_thが大きくなるほどブートストラップ動作によって容量部Ｃ_Sの電圧が小さくなるといった現象を軽減させる。これによって、ブートストラップ動作に伴う輝度ムラを低減することができる。本開示の表示装置や電子機器にあっては、ブートストラップ動作に伴う輝度ムラが軽減された画像を表示することができる。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。 図２は、表示部における表示素子を含む部分の模式的な一部断面図である。 図３は、第１の実施形態に係る表示装置の動作、より具体的には、表示装置の第（ｎ，ｍ）番目の表示素子の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。 図４は、図３の［期間−ＴＰ₂］および［期間−ＴＰ₃］において給電線に印加される第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mを駆動電圧Ｖ_CC-Hとすると共に［期間−ＴＰ₃］において走査線に印加されるパルスを省略した参考例の表示装置の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。 図５Ａ及び図５Ｂは、参考例の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、図５Ｂに引き続き、参考例の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、図６Ｂに引き続き、参考例の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、図７Ｂに引き続き、参考例の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図９は、図４に示す［期間−ＴＰ₄］ないし［期間−ＴＰ₅］のブートストラップ動作における駆動トランジスタのソース電圧変化に対するゲート電圧変化の割合を示すブートストラップゲインＧ_bstを説明するための図である。 図１０は、ブートストラップゲインＧ_bstが「１」であるときの動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。 図１１は、ブートストラップゲインＧ_bstが「０．６」であるときの動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。 図１２Ａ及び図１２Ｂは、図４に示す［期間−ＴＰ₄］及び［期間−ＴＰ₅］における駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの値を説明する図であって、図１２Ａは駆動トランジスタの閾値電圧がＶ_th1である場合を示し、図１２Ｂは駆動トランジスタの閾値電圧がＶ_th2（＞Ｖ_th1）である場合を示す。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３Ｂに引き続き、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図１５Ａ及び図１５Ｂは、図１４Ｂに引き続き、第１の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図１６は、第１の実施形態に係る表示装置において、閾値電圧がＶ_th1である駆動トランジスタを備えた表示素子と、閾値電圧がＶ_th2（＞Ｖ_th1）である駆動トランジスタを備えた表示素子とにおける、駆動トランジスタのゲート電圧およびソース電圧の変化を説明するための、模式的なタイミングチャートである。 図１７は、図１６における電圧変化を説明するための表である。 図１８は、第１の実施形態の変形例に係る表示装置の概念図である。 図１９は、第２の実施形態に係る表示装置の概念図である。 図２０は、第２の実施形態に係る表示装置の動作、より具体的には、表示装置の第（ｎ，ｍ）番目の表示素子の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。 図２１Ａ及び図２１Ｂは、第２の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図２２Ａ及び図２２Ｂは、図２１Ｂに引き続き、第２の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図２３Ａ及び図２３Ｂは、図２２Ｂに引き続き、第２の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図２４Ａ及び図２４Ｂは、図２３Ｂに引き続き、第２の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図２５Ａ及び図２５Ｂは、図２４Ｂに引き続き、第２の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図２６は、図２５Ｂに引き続き、第２の実施形態の表示装置に係る表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態／非導通状態等を模式的に示す図である。 図２７は、第２の実施形態の変形例に係る表示装置の概念図である。 図２８は、第２の実施形態の変形例に係る表示装置の概念図である。 図２９は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２９Ａにその正面図を示し、図２９Ｂにその背面図を示す。 図３０は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。 図３１は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。

以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示に係る表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器全般に関する説明
２．第１の実施形態
３．第２の実施形態
４．電子機器の説明、その他

［本開示に係る表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器、全般に関する説明］
本開示に係る表示素子の駆動方法、表示装置、及び、電子機器（以下、これらを単に、「本開示」と呼ぶ場合がある）にあっては、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に第１の駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域の電圧を第１の駆動電圧を超える第２の駆動電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する構成とすることができる。

上述した好ましい構成の本開示にあっては、閾値電圧キャンセル処理の前に、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加される電圧を第２の駆動電圧から初期化電圧に切り替えることで、他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する構成とすることができる。この場合において、初期化電圧は、基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも低い所定の値に設定された電圧とすることができる。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示において、表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される構成とすることができる。この場合において、基準電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される構成とすることができる。

あるいは又、本開示にあっては、
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域には、発光制御トランジスタを介して電圧が印加され、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で、第１の制御電圧がゲート電極に印加されて導通状態となった発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ発光制御トランジスタのゲートに印加される電圧を第１の制御電圧を超える第２の制御電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する構成とすることができる。

この場合においても、表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される構成とすることができる。そして、閾値電圧キャンセル処理の前に、発光制御トランジスタを非導通状態とし且つ駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を超える電圧を印加し次いで基準電圧を印加することによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する構成とすることができる。この場合において、基準電圧を超える電圧と基準電圧とは、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される構成とすることができる。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示にあっては、書込み処理において、駆動トランジスタに電流が流れることによって駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位が変化する構成とすることができる。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示において、発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から成る構成とすることができる。電流駆動型の発光部として、有機エレクトロルミネッセンス発光部、ＬＥＤ発光部、半導体レーザ発光部などを挙げることができる。これらの発光部は、周知の材料や方法を用いて構成することができる。平面型の表示装置を構成する観点からは、中でも、発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る構成が好ましい。

上述した各種の好ましい構成を含む本開示に用いられる駆動部は、例えば、走査部、データドライバ、及び、電源部といった回路から構成される。これらは、周知の回路素子等を用いて構成することができる。

表示装置は、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。カラー表示の構成とする場合には、１つの画素は複数の副画素から成る構成、具体的には、１つの画素は、赤色発光副画素、緑色発光副画素、及び、青色発光副画素の３つの副画素から成る構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。

表示装置の画素（ピクセル）の値として、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。

表示部を構成する表示素子は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）ており、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、発光部を駆動する駆動回路の上方に形成されている。

発光部を駆動する駆動回路は、トランジスタや容量部から成る回路として構成することができる。駆動回路を構成するトランジスタとして、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を挙げることができる。トランジスタは、エンハンスメント型であってもよいし、デプレッション型であってもよい。ｎチャネル型のトランジスタにあってはＬＤＤ構造（Lightly Doped Drain構造）が形成されていてもよい。場合によっては、ＬＤＤ構造は非対称に形成されていてもよい。例えば、駆動トランジスタに大きな電流が流れるのは表示素子の発光時であるので、発光時においてドレイン領域となる一方のソース／ドレイン領域にのみＬＤＤ構造を形成した構成とすることもできる。本開示の動作に適合する限り、駆動回路の構成は特に限定するものではない。

１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源側に接続されたソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタが導通状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタが非導通状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。

駆動回路を構成する容量部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層から構成することができる。駆動回路を構成する上述したトランジスタ及び容量部は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及び容量部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は、発光部の一端（発光部に備えられたアノード電極等）に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成であってもよい。

走査線やデータ線、あるいは給電線などといった各種の配線は、或る平面上（例えば、支持体上）に形成される。これらの配線は、周知の構成や構造とすることができる。

支持体や後述する基板の構成材料として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）等のガラス材料の他、可撓性を有する高分子材料、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）やポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される高分子材料を例示することができる。尚、支持体や基板の表面に各種のコーティングが施されていてもよい。支持体と基板の構成材料は、同じであってもよいし異なっていてもよい。可撓性を有する高分子材料から成る支持体および基板を用いれば、可撓性を有する表示装置を構成することができる。

本明細書における各種の式に示す条件は、式が数学的に厳密に成立する場合の他、式が実質的に成立する場合にも満たされる。式の成立に関し、表示素子や表示装置の設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。

以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。縦軸においても同様である。また、タイミングチャートにおける波形の形状も模式的なものである。

［第１の実施形態］
第１の実施形態は、本開示に係る表示素子およびその駆動方法、並びに、表示装置およびその駆動方法に関する。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置の概念図である。表示装置１は、発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子３が、行方向（図１においてＸ方向）に延びる走査線ＳＣＬと列方向（図１においてＹ方向）に延びるデータ線ＤＴＬとに接続された状態で２次元マトリクス状に配列して形成されている表示部２を備えている。尚、図示の都合上、図１においては、１つの表示素子３、より具体的には、後述する第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３についての結線関係を示した。

表示装置１は、更に、電源部１００、走査部１０１、及び、データドライバ１０２を備えている。これらによって、表示部２を駆動するための駆動部が構成される。

走査線ＳＣＬには、走査部１０１から走査信号が供給される。データ線ＤＴＬには、表示すべき画像の輝度に応じた映像信号電圧などが供給される。給電線ＰＳ１には、電源部１００から駆動電圧などが供給される。尚、後述する共通給電線ＰＳ２には、共通の電圧（例えば接地電位）が供給される。

図１では図示されていないが、表示パネル２が画像を表示する領域（表示領域）は、行方向にＮ個、列方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列された表示素子３から構成されている。表示領域における表示素子３の行数はＭであり、各行を構成する表示素子３の数はＮである。

走査線ＳＣＬ、及び、給電線ＰＳ１の本数はそれぞれＭ本である。第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２・・・，Ｍ）の表示素子３は、第ｍ番目の走査線ＳＣＬ_m、第ｍ番目の給電線ＰＳ１_mに接続されており、１つの表示素子行を構成する。尚、図１では、走査線ＳＣＬ_m及び給電線ＰＳ１_mのみが示されている。

また、データ線ＤＴＬの本数はＮ本である。第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２・・・，Ｎ）の表示素子３は、第ｎ番目のデータ線ＤＴＬ_nに接続されている。尚、図１では、データ線ＤＴＬ_nのみが示されている。

表示素子３は、一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部ＥＬＰが接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタＴＲ_D、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部Ｃ_Sを含み、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に接続されている書込みトランジスタＴＲ_Wを更に含んでいる。駆動トランジスタＴＲ_Dと書込みトランジスタＴＲ_Wは、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。尚、例えば書込みトランジスタＴＲ_Wがｐチャネル型のＴＦＴから成る構成とすることもできる。また、表示素子３は更に別のトランジスタを備えていてもよい。

書込みトランジスタＴＲ_Wの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。

駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は、書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ_Sの一方の電極に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域は、給電線ＰＳ１に接続されており、他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰの一端（より具体的には、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極）に接続され、且つ、容量部Ｃ_Sの他方の電極に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成する。

容量部Ｃ_Sは、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域に対するゲート電極の電圧（所謂ゲート−ソース間電圧）を保持するために用いられる。この場合の「ソース領域」とは、発光部ＥＬＰが発光するときに「ソース領域」として働く側のソース／ドレイン領域を意味する。表示素子３の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域（図１において給電線ＰＳ１に接続されている側）はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域（発光部ＥＬＰの一端、具体的には、アノード電極に接続されている側）はソース領域として働く。

表示装置１は、例えばモノクロ表示の表示装置であり、１つの表示素子３が１つの画素を構成する。走査部１０１からの走査信号によって、表示装置１は行単位で線順次走査される。第ｍ行、第ｎ列目に位置する表示素子３を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３あるいは第（ｎ，ｍ）番目の画素と呼ぶ。また、第ｍ行目の表示素子に割り当てられる走査期間（水平走査期間）を、符号Ｈ_mで表す。

表示装置１にあっては、第ｍ行目に配列されたＮ個の画素のそれぞれを構成する表示素子３が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたＮ個の表示素子３にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置１の表示フレームレートをＦＲ（回／秒）と表せば、表示装置１を行単位で線順次走査するときの１行当たりの走査期間（いわゆる水平走査期間）は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満である。

表示装置１には、例えば図示せぬ装置から、表示すべき画像に応じた階調を表す映像信号Ｄ_Sigが入力される。映像信号Ｄ_Sigは、８ビット、１６ビットおよび２４ビットなどといった階調ビット数のデジタル信号である。入力される映像信号Ｄ_Sigのうち、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３に対応する映像信号をＤ_Sig(n,m)と表す場合がある。

データドライバ１０２は、映像信号Ｄ_Sigの値に対応した電圧を生成し、データ線ＤＴＬに供給する。映像信号Ｄ_Sigに対応する映像信号電圧をＶ_Sigと表す。また、映像信号電圧Ｖ_Sigが例えば第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３に対応するものであることを示す場合に、これを映像信号電圧Ｖ_Sig(n,m)あるいは映像信号電圧Ｖ_{Sig_m}と表す場合がある。

尚、第１の実施形態において、データドライバ１０２は、基準電圧Ｖ_Ofsと映像信号電圧Ｖ_Sigとを交互にデータ線ＤＴＬに供給する。具体的には、水平走査期間の前半は基準電圧Ｖ_Ofs、後半は映像信号電圧Ｖ_Sigを供給する。

電源部１００は、第１の駆動電圧Ｖ_CC-M、第２の駆動電圧Ｖ_CC-H、及び、初期化電圧Ｖ_CC-Lを給電線ＰＳ１に供給する。

走査部１０１は、走査線ＳＣＬに走査信号を供給する。これによって、走査線ＳＣＬに接続された書込みトランジスタＴＲ_Wの導通状態／非導通状態が制御される。

発光部ＥＬＰは、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子であって、具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子から構成されている。発光部ＥＬＰは、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極等から成る周知の構成や構造を有する。

発光部ＥＬＰの他端（具体的には、カソード電極）には、共通給電線ＰＳ２から、電圧Ｖ_Cat（例えば０［ボルト］）が印加される。発光部ＥＬＰの容量を符号Ｃ_ELで表す。また、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶ_th-ELとする。発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶ_th-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。

ここで、発光部やトランジスタなどの配置関係について説明する。図２は、表示部における表示素子を含む部分の模式的な一部断面図である。

トランジスタＴＲ_D，ＴＲ_W及び容量部Ｃ_Sは支持体２１上に形成され、発光部ＥＬＰは、例えば、層間絶縁層４０を介して、トランジスタＴＲ_D，ＴＲ_W及び容量部Ｃ_Sの上方に形成されている。また、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図２においては、駆動トランジスタＴＲ_Dのみを図示する。その他のトランジスタは隠れて見えない。

駆動トランジスタＴＲ_Dは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３に設けられた一方のソース／ドレイン領域３５Ａ、他方のソース／ドレイン領域３５Ｂ、及び、一方のソース／ドレイン領域３５Ａと他方のソース／ドレイン領域３５Ｂとの間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。一方、容量部Ｃ_Sは、一方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、他方の電極３７から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及び、容量部Ｃ_Sを構成する一方の電極３６は、支持体２１上に形成されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域３５Ａは配線３８（給電線ＰＳ１に対応する）に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５Ｂは他方の電極３７に接続されている。駆動トランジスタＴＲ_D及び容量部Ｃ_S等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２２が配置されており、発光層にて発光した光は、基板２２を通過して、外部に出射される。尚、他方の電極３７とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６，５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９（共通給電線ＰＳ２に対応する）に接続されている。

尚、容量部Ｃ_Sを構成する電極の面積に対して、発光部ＥＬＰを構成する電極の面積は大きい。一般的に、容量値は、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_EL＞容量部Ｃ_Sといった関係にある。

図１に示す駆動トランジスタＴＲ_Dは、表示素子３の発光状態においては、飽和領域で動作するように電圧設定されており、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉ_dsを流すように駆動される。上述したように、表示素子３の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の都合上、以下、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ ：実効的な移動度
Ｌ ：チャネル長
Ｗ ：チャネル幅
Ｖ_gs：ソース領域に対するゲート電極の電圧（ゲート−ソース間電圧）
Ｖ_th：閾値電圧
Ｃ_ox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox
とする。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）² （１）

このドレイン電流Ｉ_dsが発光部ＥＬＰを流れることで、表示素子３の発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉ_dsの値の大小によって、ドレイン電流Ｉ_dsが流れているときの発光部ＥＬＰにおける光の強さが制御される。

以上、表示装置１の概要について説明した。次いで、表示装置１の基本的な動作の概要について説明する。詳細な動作については、後述する図５ないし図１７を参照して、後ほど詳しく説明する。

図３は、第１の実施形態に係る表示装置の動作、より具体的には、表示装置の第（ｎ，ｍ）番目の表示素子の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。

本開示にあっては、一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタＴＲ_D、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部Ｃ_Sを含む表示素子３の駆動に当たって、
駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加し、
その後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号電圧Ｖ_Sigを印加する書込み処理を行い、
次いで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる。

ここで、第１の実施形態にあっては、
駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mを印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とし且つ駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域の電圧を第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mを超える第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hに切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。

以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。

Ｖ_Sig ：映像信号電圧
・・・０ボルト〜１５ボルト
Ｖ_Ofs ：駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極（第１ノードＮＤ₁）に印加する基準電圧
・・・０ボルト
Ｖ_CC-L ：駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の
電位を初期化するための初期化電圧
・・・−１０ボルト
Ｖ_CC-M ：閾値電圧キャンセル処理時に供給される第１の駆動電圧
・・・１０ボルト
Ｖ_CC-H ：発光部ＥＬＰに電流を流すための第２の駆動電圧
・・・２０ボルト
Ｖ_th ：駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧
・・・３ボルト
Ｖ_Cat ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖ_th-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・４ボルト

図３に示す［期間−ＴＰ₀］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３が発光状態にある期間である。第（ｎ，ｍ）番目の画素を構成する表示素子３における発光部ＥＬＰには駆動トランジスタＴＲ_Dを介してドレイン電流が流れている。

［期間−ＴＰ₁］において、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に印加される電圧を第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hから初期化電圧Ｖ_CC-Lに切り替えることで、他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する。

具体的には、［期間−ＴＰ₁］の始期において、給電線ＰＳ１_mの電圧を駆動電圧Ｖ_CC-Hから初期化電圧Ｖ_CC-Lに切り替え、［期間−ＴＰ₂］の途中までその状態を継続する。駆動トランジスタＴＲ_Dは導通状態であるので、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）は低下しＶ_CC-Lに初期化される。電圧値を例示したように、初期化電圧Ｖ_CC-Lは、基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電圧よりも低い所定の値に設定された電圧である。書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態であり、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂とは容量部を介して接続されているので、第１ノードＮＤ₁の電位も、第２ノードＮＤ₂の電位低下に伴い低下する。

そして、［期間−ＴＰ₂］において、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧（第１の実施形態にあっては、第１の駆動電圧Ｖ_CC-M）を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行う。

具体的には、［期間−ＴＰ₂］の始期から終期に亘って、走査線ＳＣＬからの走査信号に基づいて導通状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介してデータ線ＤＴＬ_nから駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。また、［期間−ＴＰ₂］の途中において、給電線ＰＳ１_mの電圧を基準電圧Ｖ_Ofsから第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mに切り替える。

駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート−ソース間電圧は閾値電圧Ｖ_thを超えているので、駆動トランジスタＴＲ_Dには電流が流れ、他方のソース／ドレイン領域の電位は上昇する。これによって、第２ノードＮＤ₂の電位は基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づく。第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）に達すると、駆動トランジスタＴＲ_Dは非導通状態となる。

そして、［期間−ＴＰ₂］において、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。

具体的には、［期間−ＴＰ₃］において、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とし且つ駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域の電圧を第１の駆動電圧を超える第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hに切り替えることで他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。

［期間−ＴＰ₃］の始期において、書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態にある。［期間−ＴＰ₃］の途中で、給電線ＰＳ１_mの電圧を第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mから第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hに切り替える。後で図１４Ｂを参照して詳しく説明するが、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域とゲート電極との間には寄生容量があるので、給電線ＰＳ１_mの電圧上昇に伴いゲート電極の電位も上昇する。これによって、駆動トランジスタＴＲ_Dは導通状態となって、他方のソース／ドレイン領域の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電圧、換言すれば、第１ノードＮＤ₁の電圧も、ブートストラップ動作によって上昇する。

その後、走査線ＳＣＬからの走査信号に基づいて導通状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介してデータ線ＤＴＬ_nから駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位はＶ_Ofsまで低下し初期化され、第２ノードＮＤ₂の電位も併せて低下する。

［期間−ＴＰ₄］の間、データ線ＤＴＬ_nには映像信号電圧Ｖ_{Sig_m}が供給される。この期間の間に、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行う。具体的には、走査線ＳＣＬ_mの走査信号に基づいて書込みトランジスタＴＲ_Wを導通状態とし、データ線ＤＴＬ_nから書込みトランジスタＴＲ_Wのゲート電極に映像信号電圧Ｖ_{Sig_m}を印加する。

この書込み処理において、駆動トランジスタＴＲ_Dに電流が流れることによって駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位が変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加されている状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号電圧Ｖ_Sigが印加されるので、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流が流れ、第２ノードＮＤ₂の電位が変化する。具体的には、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。

次いで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部ＥＬＰを発光させる。具体的には、走査線ＳＣＬ_mの走査信号が終了すると書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態となり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極はデータ線ＤＴＬ_nから切り離される。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加されており、第１ノードＮＤ₁は、データ線ＤＴＬ_nから電気的に切り離されている。そして、書込み処理によって容量部Ｃ_Sに保持された電圧の値に応じた電流が駆動トランジスタＴＲ_Dを介して発光部ＥＬＰに流れる。以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。

ここで、上述したとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部Ｃ_Sが存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。

以上、表示装置１の基本的な動作の概要について説明した。

後で詳しく説明するように、図３に示す［期間−ＴＰ₃］の動作による駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電圧変化は、［期間−ＴＰ₄］〜［期間−ＴＰ₅］において閾値電圧Ｖ_thが大きくなるほどブートストラップ動作によって容量部Ｃ_Sの電圧が小さくなるといった現象を軽減させる。

ここで、第１の実施形態の特徴となる動作の理解を助けるため、特徴となる動作を省略した参考例の動作、及び、その問題点について詳しく説明する。

図４は、図３の［期間−ＴＰ₂］および［期間−ＴＰ₃］において給電線に印加される第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mを第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hとすると共に［期間−ＴＰ₃］において走査線に印加されるパルスを省略した参考例の表示装置の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。

［期間−ＴＰ₀］（図４、図５Ａ参照）
この［期間−ＴＰ₀］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、前回の各種の処理完了後に第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３が発光状態にある期間である。即ち、給電線ＰＳ１_mには第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hが供給され、第（ｎ，ｍ）番目の画素を構成する表示素子３における発光部ＥＬＰには、後述する式（５）に基づくドレイン電流Ｉ_ds’が流れており、第（ｎ，ｍ）番目の画素を構成する表示素子３の輝度は、係るドレイン電流Ｉ_ds’に対応した値である。ここで、書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態であり、駆動トランジスタＴＲ_Dは導通状態である。

上述したように、各水平走査期間に対応して、データ線ＤＴＬ_nには、基準電圧Ｖ_Ofsと映像信号電圧Ｖ_Sigとが供給される。しかしながら、書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態であるので、［期間−ＴＰ₀］においてデータ線ＤＴＬ_nの電位（電圧）が変化しても、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は変化しない（実際には、寄生容量等の静電結合による電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる）。

［期間−ＴＰ₁］（図４、図５Ｂ参照）
この［期間−ＴＰ₁］は、例えば、現表示フレームにおける動作である。［期間−ＴＰ₀］の始期において、給電線ＰＳ１_mに供給する電圧を第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hから初期化電圧Ｖ_CC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

［期間−ＴＰ₂］（図４、図６Ａ、及び、図６Ｂ参照）
この［期間−ＴＰ₂］において、走査線ＳＣＬ_mをハイレベルとして書込みトランジスタＴＲ_Wを導通状態とする。データ線ＤＴＬ_nには基準電圧Ｖ_Ofsが供給されているので、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（０ボルト）となる（図６Ａ参照）。そして、給電線ＰＳ１_mに供給される電圧を、初期化電圧Ｖ_CC-Lから第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hに切り替える。その結果、基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。

この［期間−ＴＰ₂］が充分長ければ、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差がＶ_thに達し、駆動トランジスタＴＲ_Dは非導通状態となる。即ち、第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる（図６Ｂ参照）。

［期間−ＴＰ₃］（図４、図７Ａ参照）
この［期間−ＴＰ₃］においては、走査線ＳＣＬ_mをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁は浮遊状態となる。［期間−ＴＰ₂］において駆動トランジスタＴＲ_Dが非導通状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は変化しない（実際には、寄生容量等の静電結合による電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる）。尚、閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲ_Dが非導通状態に達していない場合には、ブートストラップ動作が生じ、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は多少上昇する。

［期間−ＴＰ₄］（図４、図７Ｂ、及び、図８Ａ参照）
この［期間−ＴＰ₄］において、データ線ＤＴＬ_nには映像信号電圧Ｖ_{Sig_m}が供給される。そして、走査線ＳＣＬ_mの走査信号に基づいて、書込みトランジスタＴＲ_Wを導通状態とし、書込みトランジスタＴＲ_Wを介して駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号電圧Ｖ_{Sig_m}を印加する。

上述した書込み処理にあっては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加されている。このため、図４に示すように、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。この電位の上昇量を符号ΔＶで表す（図７Ｂ参照）。書込み処理の終了後、走査線ＳＣＬ_mの走査信号に基づいて、書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態となる（図８Ａ参照）

駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極（第１ノードＮＤ₁）の電位をＶ_g、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位をＶ_sと表すとき、上述した第２ノードＮＤ₂の電位の上昇量ΔＶを考慮しなければ、Ｖ_gの値、Ｖ_sの値は以下のとおりとなる。第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（２）で表すことができる。

Ｖ_g ＝Ｖ_{Sig_m}
Ｖ_s ≒Ｖ_Ofs−Ｖ_th
Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （２）

駆動トランジスタＴＲ_Dに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号電圧Ｖ_{Sig_m}、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、基準電圧Ｖ_Ofsのみに依存している。

次いで、上述した第２ノードＮＤ₂の電位の上昇量（ΔＶ）について説明する。上述した駆動方法にあっては、表示素子３の駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧Ｖ_CC-Hを印加している状態で書込み処理を行う。これにより、表示素子３の駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位を変化させる移動度補正処理が併せて行われる。

駆動トランジスタＴＲ_Dを薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生ずることは避け難い。移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に同じ値の映像信号電圧Ｖ_Sigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタＴＲ_Dを流れるドレイン電流Ｉ_dsと、移動度μの小さい駆動トランジスタＴＲ_Dを流れるドレイン電流Ｉ_dsとの間に差異が生じ、表示装置１の画面の均一性（ユニフォーミティ）が損なわれてしまう。

上述した駆動方法にあっては、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）の上昇量ΔＶは大きくなる。逆に、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位の上昇量ΔＶは小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（２）から以下の式（３）のように変形される。

Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （３）

尚、映像信号電圧Ｖ_Sigの書込みを行う走査信号の期間の長さは、表示素子３や表示装置１の設計に応じて決定すればよい。また、このときの駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）が以下の式（４）を満足するように、走査信号の期間の長さは決定されているとする。この条件をみたせば、書込み処理において発光部ＥＬＰは発光しない。尚、この移動度補正処理によって、式（１）における係数ｋ（≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox）のばらつきの補正も同時に行われる。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （４）

［期間−ＴＰ₅］（図４、及び、図８Ｂ参照）
駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加され、また、書込み処理の終了から引き続き書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態を維持する。以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。このときの電位の上昇量を符号Ｖ_upと表す。

駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部Ｃ_Sが存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。このときの電位の上昇量を符号Ｖ_bstと表す。ブートストラップ動作が理想的であれば、Ｖ_up＝Ｖ_bstであるので、ゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの値は、式（３）の値を保持する。

第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を超えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsであるので、式（１）で表すことができる。ここで、式（１）と式（３）から、式（１）は、以下の式（５）のように変形することができる。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （５）

従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、基準電圧Ｖ_Ofsを０ボルトに設定したとした場合、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号電圧Ｖ_{Sig_m}の値から、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μに起因した電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thには依存しないので、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。そして、第（ｎ，ｍ）番目を構成する表示素子３の輝度は、係る電流Ｉ_dsに対応した値である。

しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタＴＲ_Dほど電位補正値ΔＶが大きくなるので、式（３）の左辺のＶ_gsの値が小さくなる。従って、式（４）において、移動度μの値が大きくとも、（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）²の値が小さくなる結果、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因するドレイン電流Ｉ_dsのばらつきを補正することができる。これにより、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する発光部ＥＬＰの輝度のばらつきを補正することができる。

以上、参考例の動作について詳しく説明した。引き続き、参考例の問題点について詳しく説明する。

上述したように、図４の［期間−ＴＰ₄］ないし［期間−ＴＰ₅］におけるブートストラップ動作が理想的なものであれば、ゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの値は、式（３）の値を保持する。従って、発光時に流れる電流は閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。

しかしながら、実際には、ブートストラップ動作において、Ｖ_up＞Ｖ_bstといった挙動を示す。これによって、ブートストラップ動作後におけるゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの値は、閾値電圧Ｖ_thの影響を受ける。以下、図９ないし図１２を参照して詳しく説明する。

尚、説明の都合上、書込み処理における第２ノードＮＤ₂の電位変化ΔＶは考慮しないものとする。

図９は、図４に示す［期間−ＴＰ₄］ないし［期間−ＴＰ₅］のブートストラップ動作における駆動トランジスタのソース電圧変化に対するゲート電圧変化の割合を示すブートストラップゲインＧ_bstを説明するための図である。

トランジスタのゲート電極には、各種配線などとの間に生ずる寄生容量が存在する。図９にあっては、寄生容量を符号Ｃ_pで示した。

この場合、第２ノードＮＤ₂にＶ_upの電圧変化が生じたときの第１ノードＮＤ₁の電圧変化Ｖ_bstは、以下の式（６）で与えられる。

Ｖ_bst＝｛Ｃ_S／（Ｃ_S＋Ｃ_p）｝・Ｖ_up （６）
＝Ｇ_bst・Ｖ_up
但し、Ｇ_bst≡Ｃ_S／（Ｃ_S＋Ｃ_p）であって、以下、ブートストラップゲインと称する。

容量部Ｃ_Sに対して寄生容量Ｃ_pが十分小さい値であれば、ブートストラップゲインＧ_bstは実質的に「１」として扱うことができる。しかしながら、表示素子の細密化が進むほど、容量部Ｃ_Sを構成する電極の面積を小さくせざるを得ず、結果として、寄生容量Ｃ_pの影響が大きくなる。

ここで、ブートストラップゲインＧ_bstが「１」であるときと、ブートストラップゲインＧ_bstが１より小さい例として、例えばＧ_bstが「０．６」であるときの電圧変化について説明する。

図１０は、ブートストラップゲインＧ_bstが「１」であるときの動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。

図１０において、［期間−ＴＰ₄］の書込み処理時のゲート−ソース間電圧をＶ_{gs_4}と表せば、
Ｖ_{gs_4}＝Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）
と表される。

また、発光時の発光部ＥＬＰのアノード電極の電圧を符号Ｖ_ELで表せば、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域の電圧上昇量Ｖ_upは、
Ｖ_up＝Ｖ_EL−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）
と表される。

そして、ブートストラップ動作によるゲート電極の電圧上昇量Ｖ_bstは、
Ｖ_bst＝Ｇ_bst・Ｖ_up＝Ｖ_up
となる。

従って、［期間−ＴＰ₄］ないし［期間−ＴＰ₅］におけるブートストラップ動作後のゲート−ソース間電圧をＶ_{gs_5}と表せば、
Ｖ_{gs_5}＝Ｖ_{Sig_4}
＝Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）
となる。

このように、ブートストラップゲインＧ_bstが「１」の場合には、ブートストラップ動作の前後においてゲート−ソース間電圧は変化しない。

次いで、図１１の場合について説明する。図１１の場合においても、［期間−ＴＰ₄］の書込み処理時のゲート−ソース間電圧Ｖ_{gs_4}は図１０と同様に、
Ｖ_{gs_4}＝Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）
であり、また、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域の電圧上昇量Ｖ_upも、
Ｖ_up＝Ｖ_EL−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）
である。

しかしながら、図１１の場合には、ブートストラップ動作によるゲート電極の電圧上昇量Ｖ_bstは、
Ｖ_bst＝Ｇ_bst・Ｖ_up＝０．６×Ｖ_up
である。

従って、ブートストラップ動作後のゲート−ソース間電圧Ｖ_{gs_5}は、
Ｖ_{gs_5}＝Ｖ_{Sig_4}−（Ｖ_up−０．６×Ｖ_up）
＝Ｖ_{Sig_4}−Ｖ_up・（１−０．６）
＝Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−（Ｖ_EL−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th））・（１−０．６）
となる。

従って、ブートストラップゲインＧ_bstが１より小さい場合には、ブートストラップ動作におけるゲート−ソース間電圧の低下量は
（Ｖ_EL−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th））・（１−Ｇ_bst） （７）
と表される。Ｇ_bstが「０．６」の例について説明をしているので、より具体的には、
（Ｖ_EL−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th））・（１−０．６）
と表される。

この式（７）には、閾値電圧Ｖ_thが含まれている。従って、閾値電圧Ｖ_thがばらつくと、ブートストラップ動作によるゲート−ソース間電圧の低下量もばらつく。

このため、［期間−ＴＰ₄］の書込み処理において閾値電圧Ｖ_thの影響をキャンセルするように容量部Ｃ_sに電圧を保持したとしても、ブートストラップ動作によるゲート−ソース間電圧の低下量のばらつきによって、輝度がばらつく。

図１２Ａ及び図１２Ｂは、［期間−ＴＰ₄］及び［期間−ＴＰ₅］における駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_gsの値を説明する図であって、図１２Ａは駆動トランジスタの閾値電圧がＶ_th1である場合を示し、図１２Ｂは駆動トランジスタの閾値電圧がＶ_th2（＞Ｖ_th1）である場合を示す。

図から明らかなように、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域の電圧上昇量Ｖ_upは、閾値電圧Ｖ_thが大きくほど大きくなる。結果として、ブートストラップ動作におけるゲート−ソース間電圧の低下量も、閾値電圧Ｖ_thが大きくほど大きくなる。閾値電圧がＶ_th1とＶ_th2とである場合、ブートストラップ動作におけるゲート−ソース間電圧の低下量には、（１−０．６）・（Ｖ_th2−Ｖ_th1）の差が生ずる。定性的には、閾値電圧Ｖ_thが大きいほど、表示素子の輝度が暗くなるといった現象が生ずる。

以上、参考例の問題点について詳しく説明した。次いで、第１の実施形態の特徴となる動作について、図３、図１３ないし図１７を参照して、詳しく説明する。

図３に示すように、第１の実施形態にあっては、［期間−ＴＰ₂］および［期間−ＴＰ₃］において給電線ＰＳ１_mに第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mが印加される。

このとき、給電線ＰＳ１_mに供給される駆動電圧の値は参考例と異なるものの、以下説明するように、参考例と同様に他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理が行われる。

［期間−ＴＰ₂］（図３、図１３Ａ、及び、図１３Ｂ参照）
［期間−ＴＰ₂］において、走査線ＳＣＬ_mをハイレベルとして書込みトランジスタＴＲ_Wを導通状態とする。データ線ＤＴＬ_nには基準電圧Ｖ_Ofsが供給されているので、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（０ボルト）となる（図１３Ａ参照）。そして、給電線ＰＳ１_mに供給される電圧を、初期化電圧Ｖ_CC-Lから第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mに切り替える。その結果、基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。

この［期間−ＴＰ₂］が充分長ければ、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差がＶ_thに達し、駆動トランジスタＴＲ_Dは非導通状態となる。即ち、第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる（図１３Ｂ参照）。

［期間−ＴＰ₃］（図３、図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５Ａ、及び、図１５Ｂ参照）
この［期間−ＴＰ₃］においては、走査線ＳＣＬ_mをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態となる。その結果、第１ノードＮＤ₁は浮遊状態となる。［期間−ＴＰ₂］において駆動トランジスタＴＲ_Dが非導通状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は変化しない（図１４Ａ参照）。ここまでは、参考例と同様の動作である。

第１の実施形態にあっては、［期間−ＴＰ₃］の途中で、給電線ＰＳ１_mの電圧を第１の駆動電圧Ｖ_CC-Mから第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hに切り替える（図１４Ｂ参照）。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と一方のソース／ドレイン領域との間には寄生容量（符号Ｃ_gdで表す）があるので、容量結合によってゲート電極の電位も上昇する。この結果、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート−ソース間電圧は閾値電圧Ｖ_thを超えるので、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流が流れ、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電圧、換言すれば、第１ノードＮＤ₁の電圧も、ブートストラップ動作によって上昇する。

その後、走査線ＳＣＬからの走査信号に基づいて導通状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介してデータ線ＤＴＬ_nから駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位は低下し、再びＶ_CC-Lに初期化される。第２ノードＮＤ₂の電位も併せて低下する。これによって、駆動トランジスタＴＲ_Dは非導通状態となる（図１５Ａ参照）。その後、書込みトランジスタＴＲ_Wが非導通状態とされるが、駆動トランジスタＴＲ_Dは非導通状態を保つ（図１５Ｂ参照）。

［期間−ＴＰ₄］以降の動作は、参考例において説明した動作と同様であるので、説明を省略する。

以上説明した第１の実施形態の特徴となる動作を行うことによって、ブートストラップ動作におけるゲート−ソース間電圧の低下量が閾値電圧Ｖ_thのばらつきに起因する輝度ムラが軽減される。以下、詳しく説明する。

図１６は、第１の実施形態に係る表示装置において、閾値電圧がＶ_th1である駆動トランジスタＴＲ_Dを備えた表示素子と、閾値電圧がＶ_th2（＞Ｖ_th1）である駆動トランジスタＴＲ_Dを備えた表示素子とにおける、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電圧およびソース電圧の変化を説明するための、模式的なタイミングチャートである。尚、閾値電圧がＶ_th1であるものの波形を実線、閾値電圧がＶ_th2であるものの波形を破線で示した。

また、図１７は、図１６における電圧変化を説明するための表である。尚、この表においては、ブートストラップゲインＧ_bstが「０．６」であるとした例の数値を記載した。

図１６において、符号Ｖ_g1と符号Ｖ_s1とは、閾値電圧がＶ_th1である駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電圧とソース電圧とを示す。同様に、符号Ｖ_g2と符号Ｖ_s2とは、閾値電圧がＶ_th2である駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電圧とソース電圧とを示す。また、符号Ｖ_A1は、［期間−ＴＰ₃］のブートストラップ動作時における閾値電圧がＶ_th1である駆動トランジスタＴＲ_Dのソース電圧の上昇量を示す。同様に、符号Ｖ_A2は、閾値電圧がＶ_th2である駆動トランジスタＴＲ_Dのソース電圧の上昇量を示す。

定性的には、同種のトランジスタであっても、閾値電圧が低いトランジスタほど電流が流れやすいといった傾向を示す。図１６の例では、Ｖ_th1＜Ｖ_th2であるから、Ｖ_A1＞Ｖ_A2といった大小関係がある。

そして、［期間−ＴＰ₃］においてゲート電極の電圧を再初期化すると、ゲート電極の電位変化に応じてソース領域の電圧もある程度は低下する。

この結果、ゲート電圧Ｖ_s1、ゲート電圧Ｖ_s2は、図１６や図１７の［Ｃ］の欄に示すように、
Ｖ_s1＝Ｖ_Ofs−Ｖ_th1＋Ｖ_a1
Ｖ_s2＝Ｖ_Ofs−Ｖ_th2＋Ｖ_a2
といった値となる。

上述したように、ゲート電極の電圧の再初期化前においてＶ_A1＞Ｖ_A2といった大小関係がある。このため、Ｖ_a1とＶ_a2についても、Ｖ_a1＞Ｖ_a2といった大小関係を示す。以下、理由について説明する。

図９を参照して説明したブートストラップゲインＧ_bstは、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース電圧変化に対するゲート電圧変化の割合を示す値であって、Ｇ_bst≡Ｃ_S／（Ｃ_S＋Ｃ_p）として与えられた。ここで、図９の配線関係から、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電圧変化に対するソース電圧変化の割合を示す値Ｇ_inを考える。この場合、基本的には、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELと容量部Ｃ_Sとが直列接続された回路における分圧関係によってＧ_inが定まる。具体的には、Ｇ_in≡Ｃ_S／（Ｃ_S＋Ｃ_EL）として与えられる。

従って、図１６の［Ｂ］においてＶ_g1の電圧は（Ｖ_Ofs＋Ｖ_A1・Ｇ_bst）と表され、これが、図１６の［Ｃ］においてＶ_Ofsまで低下する。Ｖ_g1の低下によるＶ_s1の低下量は、（Ｖ_A1・Ｇ_bst・Ｇ_in）と表される。同様に、図１６の［Ｂ］においてＶ_g2の電圧は（Ｖ_Ofs＋Ｖ_A2・Ｇ_bst）と表され、これが、図１６の［Ｃ］においてＶ_Ofsまで低下する。Ｖ_g2の低下によるＶ_s2の低下量は、（Ｖ_A2・Ｇ_bst・Ｇ_in）と表される。

そうすると、図１６の［Ｃ］と［Ｄ］におけるＶ_a1，Ｖ_a2は、
Ｖ_a1＝Ｖ_A1・（１−Ｇ_bst・Ｇ_in）
Ｖ_a2＝Ｖ_A2・（１−Ｇ_bst・Ｇ_in）
と表される。Ｇ_bstとＧ_inは分圧関係から定まる値であるから、（１−Ｇ_bst・Ｇ_in）は正の値となる。従って、Ｖ_A1＞Ｖ_A2であれば、Ｖ_a1＞Ｖ_a2である。

そして、書込み処理の後のゲート電圧Ｖ_s1、ゲート電圧Ｖ_s2は、図１７の［Ｅ］の欄、ブートストラップが生じた状態でのゲート電圧Ｖ_s1、ゲート電圧Ｖ_s2は、図１７の［Ｆ］の欄に示す値となる。

これらの値から、第１の実施形態においては、閾値電圧がＶ_th1とＶ_th2とである場合、ブートストラップ動作におけるゲート−ソース間電圧の低下量の差は、
（１−０．６）・（Ｖ_th2−Ｖ_th1）−０．６×（Ｖ_a1−Ｖ_a2）
と表される。

従って、参考例の場合に比べて、ブートストラップ動作におけるゲート−ソース間電圧の低下量の差は、０．６×（Ｖ_a1−Ｖ_a2）相殺される。これによって、ブートストラップ動作におけるゲート−ソース間電圧の低下量が閾値電圧Ｖ_thのばらつきに起因する輝度ムラが軽減される。

図３の［期間−ＴＰ₃］においてブートストラップ動作を行う期間の長さは、表示装置の設計や仕様に応じて、実測などに基づき、適宜好ましい長さを設定すればよい。

以上、第１の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、図１８に示す表示装置１Ａのように、表示素子３が、第１ノードＮＤ₁に接続された第１ノード初期化トランジスタＴＲ₁を備えている構成であってもよい。第１ノード初期化トランジスタＴＲ₁において、一方のソース／ドレイン領域には、基準電圧Ｖ_Ofsが印加され、他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードＮＤ₁に接続されている。第１ノード初期化回路１０３からの信号がゲート電極に印加されて第１ノード初期化トランジスタＴＲ₁が導通状態となることで、第１ノードＮＤ₁の電位を初期化することができる。従って、この構成にあっては、データドライバ１０２から基準電圧Ｖ_Ofsを供給する必要がない。

［第２の実施形態］
第２の実施形態も、本開示に係る表示素子およびその駆動方法、並びに、表示装置およびその駆動方法に関する。

図１９は、第２の実施形態に係る表示装置の概念図である。

第２の実施形態に係る表示装置１Ｂは、図１に示す表示装置１に対して、表示素子３が発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を備えていること、及び、発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を制御するための発光制御線ＣＬ並びに発光制御部１０４を備えていることが主に相違する。第２の実施形態にあっては、電源部１００、走査部１０１、データドライバ１０２、及び、発光制御部１０４によって表示部２を駆動する駆動部が構成される。

発光制御線ＣＬは、走査線ＳＣＬと同様にＭ本設けられており、第ｍ行目の表示素子３の発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}のゲート電極は、第ｍ番目の発光制御線ＣＬ_mに接続されている。発光制御部１０４は発光制御線ＣＬに信号を供給する。これによって、発光制御線ＣＬに接続された発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}の導通状態／非導通状態が制御される。尚、図１９では、発光制御線ＣＬ_mのみが示されている。

駆動トランジスタＴＲ_Dや書込みトランジスタＴＲ_Wと同様に、発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}は、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。尚、例えば書込みトランジスタＴＲ_Wがｐチャネル型のＴＦＴから成る構成とすることもできる。

発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}は、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域と給電線ＰＳ１との間に配置されている。従って、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には、発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を介して電圧が印加される。

発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}が付加されている点を除き、表示素子３の構成は、第１の実施形態において説明した構成と同様である。第１の実施形態と同様に、映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に印加される。

尚、データドライバ１０２や電源部１００が供給する電圧は、第１の実施形態とは異なる。データドライバ１０２は、基準電圧Ｖ_Ofsを超える電圧Ｖ_Ofs-H、基準電圧Ｖ_Ofs、及び、映像信号電圧Ｖ_Sigを、順次データ線ＤＴＬに供給する。具体的には、水平走査期間の前半は電圧Ｖ_Ofs-Hを供給した後に基準電圧Ｖ_Ofsを供給し、後半は映像信号電圧Ｖ_Sigを供給する。電源部１００は、第２の駆動電圧Ｖ_CC-Hを給電線ＰＳ１に供給する。

以上、表示装置１Ｂの概要について説明した。次いで、表示装置１Ｂの動作の概要について説明する。詳細な動作については、後述する図２１ないし図２６を参照して、後ほど詳しく説明する。

図２０は、第２の実施形態に係る表示装置の動作、より具体的には、表示装置の第（ｎ，ｍ）番目の表示素子の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。

上述したように、本開示にあっては、一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部ＥＬＰが接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタＴＲ_D、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部Ｃ_Sを含む表示素子３の駆動に当たって、
駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加し、
その後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号電圧Ｖ_Sigを印加する書込み処理を行い、
次いで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部ＥＬＰを発光させる。

ここで、第２の実施形態にあっては、
駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加した状態で、第１の制御電圧がゲート電極に印加されて導通状態となった発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を介して駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とし且つ発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}のゲートに印加される電圧を第１の制御電圧を超える第２の制御電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。

以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。

ＶＧ_L ：発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を非導通状態とする電圧
・・・０ボルト
ＶＧ_H1 ：発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を導通状態とする第１の制御電圧
・・・１０ボルト
ＶＧ_H1 ：発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を導通状態とする第２の制御電圧
・・・１５ボルト
Ｖ_Ofs-H：基準電圧Ｖ_Ofsを超える電圧
・・・３０ボルト

［期間−ＴＰ₀］（図２０、図２１Ａ参照）
図２０に示す［期間−ＴＰ₀］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、第（ｎ，ｍ）番目の表示素子３が発光状態にある期間である。第（ｎ，ｍ）番目の画素を構成する表示素子３における発光部ＥＬＰには駆動トランジスタＴＲ_Dを介してドレイン電流が流れている。書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態であり、発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}と駆動トランジスタＴＲ_Dとは導通状態である。

［期間−ＴＰ₁］〜［期間−ＴＰ₂］（図２０、図２１Ｂ、図２２Ａ、図２２Ｂ、図２３Ａ参照）
この［期間−ＴＰ₁］以降は、例えば、現表示フレームにおける動作である。［期間−ＴＰ₁］〜［期間−ＴＰ₂］において、発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を非導通状態とし且つ駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを超える電圧を印加し次いで基準電圧Ｖ_Ofsを印加することによって、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化し、その後、閾値電圧キャンセル処理を行う。基準電圧Ｖ_Ofsを超える電圧Ｖ_Ofs-Hと、基準電圧Ｖ_Ofsとは、導通状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に印加される。

具体的には、［期間−ＴＰ₁］の始期において、発光制御線ＣＬ_mに電圧ＶＧ_Lを供給し、発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}が非導通状態とする。駆動トランジスタＴＲ_Dと給電線ＰＳ１_mは電気的に切り離されるので、発光部ＥＬＰは消灯する。結果として、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）は、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）といった値まで低下する（図２１Ｂ参照）。書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態であり、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂とは容量部Ｃ_Sを介して接続されているので、第１ノードＮＤ₁の電位も、第２ノードＮＤ₂の電位低下に伴い低下する。

尚、［期間−ＴＰ₁］の開始時から、データ線ＤＴＬ_nに、基準電圧Ｖ_Ofsを超える電圧Ｖ_Ofs-Hを供給する。［期間−ＴＰ₁］の途中で走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wを導通状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_Ofs-Hに上昇する。第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂とは容量部Ｃ_Sを介して接続されているので、第２ノードＮＤ₂も上昇する。これによって、発光部ＥＬＰの両端の電位差が閾値電圧Ｖ_th-ELを超えるので、電位発光部ＥＬＰは導通状態となるが、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域の電位は、再び、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）まで、直ちに低下する（図２２Ａ参照）。尚、この過程において、発光部ＥＬＰが発光し得るが、発光は一瞬であり、実用上、問題とはならない。一方、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は電圧Ｖ_Ofs-Hを保持する。

そして、［期間−ＴＰ₂］において、データ線ＤＴＬ_nの電圧を基準電圧Ｖ_Ofsに切り替える。これによって、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofsとなる（図２２Ｂ参照）。そして、第１ノードＮＤ₁の電位の低下に伴い、第２ノードＮＤ₂の電位も低下する。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_Ofs−Ｖ_Ofs-H）に基づく電荷が、容量部Ｃ_S、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。尚、閾値補正動作の前提として、第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）よりも低いことが必要となる。電圧Ｖ_Ofs-Hの値等は、この条件を満たすように設定されている。即ち、以上の処理により、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴＲ_Dは導通状態となる。

次に、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加した状態で、第１の制御電圧ＶＧ_H1がゲート電極に印加されて導通状態となった発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}を介して駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行う（図２３Ａ参照）。

具体的には、書込みトランジスタＴＲ_Wの導通状態を保った状態で、発光制御線ＣＬ_mに第１の制御電圧ＶＧ_H1を供給する（図２３Ｂ参照）。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート−ソース間電圧は閾値電圧Ｖ_thを超えているので、駆動トランジスタＴＲ_Dには電流が流れ、他方のソース／ドレイン領域の電位は上昇する。これによって、第２ノードＮＤ₂の電位は基準電圧Ｖ_Ofsから駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって近づく。第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）に達すると、駆動トランジスタＴＲ_Dは非導通状態となる。

［期間−ＴＰ₃］（図２０、図２４Ａ、図２４Ｂ、図２５Ａ、図２５Ｂ、及び、図２６参照）
この［期間−ＴＰ₃］において、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。

具体的には、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とし且つ発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}のゲートに印加される電圧を第１の制御電圧ＶＧ_H1を超える第２の制御電圧ＶＧ_H2に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。

［期間−ＴＰ₃］の始期において、走査線ＳＣＬ_mをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲ_Wは非導通状態となる。その結果、第１ノードＮＤ₁は浮遊状態となる。［期間−ＴＰ₂］において駆動トランジスタＴＲ_Dが非導通状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は変化しない（図２４Ａ参照）。

第２の実施形態にあっては、［期間−ＴＰ₃］の途中で、発光制御線ＣＬ_mの電圧を第１の制御電圧ＶＧ_H1から第２の制御電圧ＶＧ_H2に切り替える（図２４Ｂ参照）。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と一方のソース／ドレイン領域との間には寄生容量Ｃ_gdがあり、また、発光制御トランジスタＴＲ_{EL_C}のゲート電極とソース領域との間にも寄生容量（符号Ｃ_gs’で表す）があるので、容量結合によって駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位も上昇する。この結果、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート−ソース間電圧は閾値電圧Ｖ_thを超えるので、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電流が流れ、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電圧、換言すれば、第１ノードＮＤ₁の電圧も、ブートストラップ動作によって上昇する（図２５Ａ参照）。

その後、走査線ＳＣＬからの走査信号に基づいて導通状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介してデータ線ＤＴＬ_nから駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に基準電圧Ｖ_Ofsを印加する。駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位は低下し、再びＶ_CC-Lに初期化される。第２ノードＮＤ₂の電位も併せて低下する。これによって、駆動トランジスタＴＲ_Dは非導通状態となる（図２５Ｂ参照）。その後、書込みトランジスタＴＲ_Wが非導通状態とされるが、駆動トランジスタＴＲ_Dは非導通状態を保つ（図２６参照）。

［期間−ＴＰ₄］以降の動作は、第１の実施形態において説明した動作と同様であるので、説明を省略する。

第２の実施形態の［期間−ＴＰ₃］における駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極やソース領域の電圧変化は、第１の実施形態における［期間−ＴＰ₃］の電圧変化と同様である。従って、第１の実施形態において説明したのと同様に、ブートストラップ動作におけるゲート−ソース間電圧の低下量が閾値電圧Ｖ_thのばらつきに起因する輝度ムラが軽減される。

以上、第２の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、図２７に示す表示装置１Ｃのように、表示素子３が、第２ノードＮＤ₂に接続された第２ノード初期化トランジスタＴＲ₂を備えている構成であってもよい。第２ノード初期化トランジスタＴＲ₂において、一方のソース／ドレイン領域は、初期化電圧Ｖ_SSが印加され、他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードＮＤ₂に接続されている。第２ノード初期化回路１０５からの信号が第２ノード初期化トランジスタＴＲ₂のゲート電極に印加されることで導通状態／非導通状態が制御されるので、第２ノードＮＤ₂の電位を初期化することができる。従って、データドライバ１０２が電圧Ｖ_Ofs-Hや電圧Ｖ_Ofsを供給するといった必要はない。また、図２８に示す表示装置１Ｄのように、表示素子３が、第１ノードＮＤ₁に接続された第１ノード初期化トランジスタＴＲ₁と、第２ノードＮＤ₂に接続された第２ノード初期化トランジスタＴＲ₂とを備えている構成であってもよい。

以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。

以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、例えば、テレビジョンセット、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（頭部装着型ディスプレイ）等の表示部として用いることができる。

本開示の表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられていてもよい。以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、デジタルスチルカメラ及びヘッドマウントディスプレイを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これに限られるものではない。

（具体例１）
図２９は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図であり、図２９Ａにその正面図を示し、図２９Ｂにその背面図を示す。レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。

そして、カメラ本体部３１１の背面略中央にはモニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。

上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例２）
図３０は、ヘッドマウントディスプレイの外観図である。ヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部４１１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部４１２を有している。このヘッドマウントディスプレイにおいて、その表示部４１１として本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本例に係るヘッドマウントディスプレイは、その表示部４１１として本開示の表示装置を用いることによって作製される。

（具体例３）
図３１は、シースルーヘッドマウントディスプレイの外観図である。シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１は、本体部５１２、アーム５１３および鏡筒５１４で構成される。

本体部５１２は、アーム５１３および眼鏡５００と接続される。具体的には、本体部５１２の長辺方向の端部はアーム５１３と結合され、本体部５１２の側面の一側は接続部材を介して眼鏡５００と連結される。尚、本体部５１２は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。

本体部５１２は、シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１の動作を制御するための制御基板や、表示部を内蔵する。アーム５１３は、本体部５１２と鏡筒５１４とを接続させ、鏡筒５１４を支える。具体的には、アーム５１３は、本体部５１２の端部および鏡筒５１４の端部とそれぞれ結合され、鏡筒５１４を固定する。また、アーム５１３は、本体部５１２から鏡筒５１４に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵する。

鏡筒５１４は、本体部５１２からアーム５１３を経由して提供される画像光を、接眼レンズを通じて、シースルーヘッドマウントディスプレイ５１１を装着するユーザの目に向かって投射する。このシースルーヘッドマウントディスプレイ５１１において、本体部５１２の表示部に、本開示の表示装置を用いることができる。

尚、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
［１］
一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子の駆動に当たって、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
表示素子の駆動方法。
［２］
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に第１の駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域の電圧を第１の駆動電圧を超える第２の駆動電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する、
上記［１］に記載の表示素子の駆動方法。
［３］
閾値電圧キャンセル処理の前に、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加される電圧を第２の駆動電圧から初期化電圧に切り替えることで、他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する、
上記［２］に記載の表示素子の駆動方法。
［４］
初期化電圧は、基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも低い所定の値に設定された電圧である、
上記［３］に記載の表示素子の駆動方法。
［５］
表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、
映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［２］ないし［４］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［６］
基準電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［５］に記載の表示素子の駆動方法。
［７］
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域には、発光制御トランジスタを介して電圧が印加され、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で、第１の制御電圧がゲート電極に印加されて導通状態となった発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ発光制御トランジスタのゲートに印加される電圧を第１の制御電圧を超える第２の制御電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する、
上記［１］に記載の表示素子の駆動方法。
［８］
表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、
映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［７］に記載の表示素子の駆動方法。
［９］
閾値電圧キャンセル処理の前に、
発光制御トランジスタを非導通状態とし且つ駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を超える電圧を印加し次いで基準電圧を印加することによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する、
上記［８］に記載の表示素子の駆動方法。
［１０］
基準電圧を超える電圧と基準電圧とは、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［８］に記載の表示素子の駆動方法。
［１１］
書込み処理において、駆動トランジスタに電流が流れることによって駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位が変化する、
上記［１］ないし［１０］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［１２］
発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
上記［１］ないし［１１］のいずれかに記載の表示素子の駆動方法。
［１３］
発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子である、
上記［１２］に記載の表示素子の駆動方法。
［１４］
一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
駆動部は、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
表示装置。
［１５］
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に第１の駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域の電圧を第１の駆動電圧を超える第２の駆動電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する、
上記［１４］に記載の表示装置。
［１６］
閾値電圧キャンセル処理の前に、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加される電圧を第２の駆動電圧から初期化電圧に切り替えることで、他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する、
上記［１５］に記載の表示装置。
［１７］
初期化電圧は、基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも低い所定の値に設定された電圧である、
上記［１６］に記載の表示装置。
［１８］
表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、
映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［１５］ないし［１７］のいずれかに記載の表示装置。
［１９］
基準電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［１８］に記載の表示装置。
［２０］
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域には、発光制御トランジスタを介して電圧が印加され、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で、第１の制御電圧がゲート電極に印加されて導通状態となった発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ発光制御トランジスタのゲートに印加される電圧を第１の制御電圧を超える第２の制御電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する、
上記［１４］に記載の表示装置。
［２１］
表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、
映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［２０］に記載の表示装置。
［２２］
閾値電圧キャンセル処理の前に、
発光制御トランジスタを非導通状態とし且つ駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を超える電圧を印加し次いで基準電圧を印加することによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する、
上記［２１］に記載の表示装置。
［２３］
基準電圧を超える電圧と基準電圧とは、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［２１］に記載の表示装置。
［２４］
書込み処理において、駆動トランジスタに電流が流れることによって駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位が変化する、
上記［１４］ないし［２３］のいずれかに記載の表示装置。
［２５］
発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
上記［１４］ないし［２４］のいずれかに記載の表示装置。
［２６］
発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子である、
上記［２５］に記載の表示装置。
［２７］
表示装置を備えた電子機器であって、
表示装置は、
一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
を備えており、
駆動部は、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
電子機器。
［２８］
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に第１の駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域の電圧を第１の駆動電圧を超える第２の駆動電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する、
上記［２７］に記載の電子機器。
［２９］
閾値電圧キャンセル処理の前に、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加される電圧を第２の駆動電圧から初期化電圧に切り替えることで、他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する、
上記［２８］に記載の電子機器。
［３０］
初期化電圧は、基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも低い所定の値に設定された電圧である、
上記［２９］に記載の電子機器。
［３１］
表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、
映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［２８］ないし［３０］のいずれかに記載の電子機器。
［３２］
基準電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［３１］に記載の電子機器。
［３３］
駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域には、発光制御トランジスタを介して電圧が印加され、
駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で、第１の制御電圧がゲート電極に印加されて導通状態となった発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ発光制御トランジスタのゲートに印加される電圧を第１の制御電圧を超える第２の制御電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する、
上記［２７］に記載の電子機器。
［３４］
表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、
映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［３３］に記載の電子機器。
［３５］
閾値電圧キャンセル処理の前に、
発光制御トランジスタを非導通状態とし且つ駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を超える電圧を印加し次いで基準電圧を印加することによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する、
上記［３４］に記載の電子機器。
［３６］
基準電圧を超える電圧と基準電圧とは、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
上記［３４］に記載の電子機器。
［３７］
書込み処理において、駆動トランジスタに電流が流れることによって駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位が変化する、
上記［２７］ないし［３６］のいずれかに記載の電子機器。
［３８］
発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
上記［２７］ないし［３７］のいずれかに記載の電子機器。
［３９］
発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子である、
上記［３８］に記載の電子機器。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ・・・表示装置、２・・・表示部、３・・・表示素子、２１・・・支持体、２２・・・透明な基板、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３４・・・チャネル形成領域、３５Ａ・・・一方のソース／ドレイン領域、３５Ｂ・・・他方のソース／ドレイン領域、３６・・・一方の電極、３７・・・他方の電極、３８，３９・・・配線、４０・・・層間絶縁層、５１・・・アノード電極、５２・・・正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層、５３・・・カソード電極、５４・・・第２層間絶縁層、５５，５６・・・コンタクトホール、１００・・・電源部、１０１・・・走査部、１０２・・・データドライバ、１０３・・・第１ノード初期化回路、１０４・・・発光制御部、１０５・・・第２ノード初期化回路、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＰＳ１・・・給電線、ＰＳ２・・・共通給電線、ＣＬ・・・発光制御線、ＡＺ１・・・第１ノード初期化制御線、ＡＺ２・・・第２ノード初期化制御線、ＴＲ_W・・・書込みトランジスタ、ＴＲ_D・・・駆動トランジスタ、ＴＲ₁・・・第１ノード初期化トランジスタ、ＴＲ₂・・・第２ノード初期化トランジスタ、ＴＲ_{EL_C}・・・発光制御トランジスタ、Ｃ_S・・・容量部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部、Ｃ_EL・・・発光部ＥＬＰの容量、ＮＤ₁・・・第１ノード、ＮＤ₂・・・第２ノード、３１１・・・カメラ本体部、３１２・・・撮影レンズユニット、３１３・・・グリップ部、３１４・・・モニタ、３１５・・・ビューファインダ、５００・・・眼鏡、５１１・・・シースルーヘッドマウントディスプレイ、５１２・・・本体部、５１３・・・アーム、５１４・・・鏡筒

Claims (15)

1. 一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子の駆動に当たって、
   駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
   次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
   その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
   次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
   表示素子の駆動方法。
2. 駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に第１の駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
   次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域の電圧を第１の駆動電圧を超える第２の駆動電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する、
   請求項１に記載の表示素子の駆動方法。
3. 閾値電圧キャンセル処理の前に、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加される電圧を第２の駆動電圧から初期化電圧に切り替えることで、他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する、
   請求項２に記載の表示素子の駆動方法。
4. 初期化電圧は、基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも低い所定の値に設定された電圧である、
   請求項３に記載の表示素子の駆動方法。
5. 表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、
   映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
   請求項２に記載の表示素子の駆動方法。
6. 基準電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
   請求項５に記載の表示素子の駆動方法。
7. 駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域には、発光制御トランジスタを介して電圧が印加され、
   駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で、第１の制御電圧がゲート電極に印加されて導通状態となった発光制御トランジスタを介して駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
   次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし且つ発光制御トランジスタのゲートに印加される電圧を第１の制御電圧を超える第２の制御電圧に切り替えることで、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加する、
   請求項１に記載の表示素子の駆動方法。
8. 表示素子は、駆動トランジスタのゲート電極に接続されている書込みトランジスタを更に含んでおり、
   映像信号電圧は、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
   請求項７に記載の表示素子の駆動方法。
9. 閾値電圧キャンセル処理の前に、
   発光制御トランジスタを非導通状態とし且つ駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を超える電圧を印加し次いで基準電圧を印加することによって、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位を初期化する、
   請求項８に記載の表示素子の駆動方法。
10. 基準電圧を超える電圧と基準電圧とは、導通状態とされた書込みトランジスタを介して駆動トランジスタのゲート電極に印加される、
    請求項８に記載の表示素子の駆動方法。
11. 書込み処理において、駆動トランジスタに電流が流れることによって駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域の電位が変化する、
    請求項１に記載の表示素子の駆動方法。
12. 発光部は、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている、
    請求項１に記載の表示素子の駆動方法。
13. 発光部は有機エレクトロルミネッセンス素子である、
    請求項１２に記載の表示素子の駆動方法。
14. 一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
    を備えており、
    駆動部は、
    駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
    次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
    その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
    次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
    表示装置。
15. 表示装置を備えた電子機器であって、
    表示装置は、
    一方のソース／ドレイン領域に電圧が印加され他方のソース／ドレイン領域に発光部が接続されたｎチャネル型の駆動トランジスタ、及び、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間に接続された容量部を含む表示素子が配置された表示部、及び、表示部を駆動する駆動部、
    を備えており、
    駆動部は、
    駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加した状態で一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加することで他方のソース／ドレイン領域の電位を基準電圧から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行い、
    次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とし、寄生容量を介して浮遊状態のゲート電極の電位を変化させて駆動トランジスタを介して電流を流すことによって他方のソース／ドレイン領域とゲート電極との電圧を上昇させた後、駆動トランジスタのゲート電極に基準電圧を印加し、
    その後、駆動トランジスタのゲート電極に映像信号電圧を印加する書込み処理を行い、
    次いで、駆動トランジスタのゲート電極を浮遊状態とすることで発光部を発光させる、
    電子機器。

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