JP2014098736A - 表示装置および表示装置の駆動方法 - Google Patents

表示装置および表示装置の駆動方法 Download PDF

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Abstract

【課題】駆動電圧を高くすることなく輝度の高い画像を表示することができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、
電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子が行方向と列方向とに2次元マトリクス状に配列されて成る表示部、
表示素子の各行に対応して配された給電線に表示素子を駆動するための駆動電圧を供給する電源部、
表示素子の各列に対応して配されたデータ線に映像信号に応じた映像信号電圧を供給する信号出力部、及び、
表示すべき画像の入力信号に基づいて行方向に並ぶ表示素子に対応した入力信号における最大階調値を検出し、検出結果に基づいて、表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比を制御すると共に、駆動電圧のデューティ比と入力信号とに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号の値を制御する制御部、
を備えている。
【選択図】 図2

Description

本開示は、表示装置および表示装置の駆動方法に関する。
電流駆動型の発光部を備えた表示素子、及び、係る表示素子を備えた表示装置が周知である。例えば、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用した発光部を備えた表示素子(以下、単に、有機EL表示素子と略称する場合がある)は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示素子として注目されている。
液晶表示装置と同様に、例えば、有機EL表示素子を備えた表示装置においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、構造が複雑になるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等の利点を有する。アクティブマトリクス方式により駆動される有機EL表示素子にあっては、発光層を含む有機層等から構成された発光部に加えて、発光部を駆動するための駆動回路を備えている。
電流駆動型の発光部を駆動するための回路として、例えば、2つのトランジスタと1つの容量部から構成された駆動回路(2Tr/1C駆動回路と呼ぶ)が、特開2007−310311号公報(特許文献1)等から周知である。2Tr/1C駆動回路は、例えば後述する図3に示すように、書込みトランジスタTRWと駆動トランジスタTRDの2つのトランジスタ、及び、1つの容量部C1から構成されている。
特開2007−310311号公報
図3に示すような構成の表示素子を備えた表示装置の輝度は、基本的には、発光部に流される電流の値と、発光部に電流が流される期間の1フィールド期間に占める割合(デューティ比)とに応じて定まる。動画ボケを軽減するといった観点から、デューティ比を小さく設定することが好ましいが、発光部が発光する期間が短くなるので表示装置の輝度が低下する。この場合、表示される画像の輝度を高めようとすれば表示素子を駆動するための駆動電圧をより高く設定する必要が生ずる。これによって、表示装置の消費電力が増加する。
従って、本開示の目的は、駆動電圧をより高く設定することなく、動画ボケの軽減を図りつつ画像の輝度も高めることができる表示装置およびその駆動方法を提供することにある。
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子が行方向と列方向とに2次元マトリクス状に配列されて成る表示部、
表示素子の各行に対応して配された給電線に表示素子を駆動するための駆動電圧を供給する電源部、
表示素子の各列に対応して配されたデータ線に映像信号の値に応じた映像信号電圧を供給する信号出力部、及び、
表示すべき画像の入力信号に基づいて行方向に並ぶ表示素子に対応した入力信号における最大階調値を検出し、検出結果に基づいて、表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比を制御すると共に、駆動電圧のデューティ比と入力信号とに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号の値を制御する制御部、
を備えている表示装置である。
上記の目的を達成するための本開示の表示装置の駆動方法は、
電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子が行方向と列方向とに2次元マトリクス状に配列されて成る表示部、
表示素子の各行に対応して配された給電線に表示素子を駆動するための駆動電圧を供給する電源部、
表示素子の各列に対応して配されたデータ線に映像信号に応じた映像信号電圧を供給する信号出力部、及び、
表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比と表示素子に対応した映像信号の値とを制御する制御部、
を備えた表示装置を用いて、
表示すべき画像の入力信号に基づいて行方向に並ぶ表示素子に対応した入力信号における最大階調値を検出する工程、
検出結果に基づいて、表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比を制御する工程、及び、
駆動電圧のデューティ比と入力信号とに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号の値を制御する工程、
を行う表示装置の駆動方法である。
本開示に係る表示装置および表示装置の駆動方法によれば、表示すべき画像の入力信号に基づいて行方向に並ぶ表示素子に対応した入力信号における最大階調値を検出し、検出結果に基づいて、表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比を制御すると共に、駆動電圧のデューティ比と入力信号とに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号の値を制御する。これによって、駆動電圧をより高く設定することなく、動画ボケの軽減を図りつつ画像の輝度も高めることができる。
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の概念図である。 図2は、制御部の構成および動作を説明するための模式的なブロック図である。 図3は、第(m,n)番目の表示素子の等価回路図である。 図4は、表示部における表示素子を含む部分の模式的な一部断面図である。 図5は、表示装置の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。 図6は、表示素子に対応する入力信号の階調と各画素行に対応した給電線における駆動電圧のデューティ比との関係を説明するための模式的な図である。 図7は、図6に引き続き、表示素子に対応する入力信号の階調と各画素行に対応した給電線における駆動電圧のデューティ比との関係を説明するための模式的な図である。 図8は、駆動電圧のデューティ比の切り替えによって、映像信号の値を変更する必要がある表示素子を説明するための模式的な図である。 図9は、給電線に印加される駆動電圧のデューティ比を説明するための模式的なグラフである。 図10Aは、給電線の電位と、第2ノードの電位と、駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係を説明するための模式図である。図10B、図10C及び図10Dは、図10Aに示す期間A、期間B及び期間Cにおけるドレイン電流の流れを説明するための模式図である。 図11Aは、給電線に印加される駆動電圧のデューティ比がD1[%]であるときの給電線の電位と、第2ノードの電位と、駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係を説明するための模式図である。図11Bは、給電線に印加される駆動電圧のデューティ比がD2[%]であるときの給電線の電位と、第2ノードの電位と、駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係を説明するための模式図である。 図12は、給電線に印加される駆動電圧のデューティ比が一定であるときに、明るい画像を表示するときの第2ノードの電位および駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係、並びに、暗い画像を表示するときの第2ノードの電位および駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係を説明するための模式図である。 図13は、映像信号値テーブル格納部に格納されているデータを説明するための模式的な表である。 図14は、第1の実施形態の変形例における、表示素子に対応する入力信号の階調と各画素行に対応した給電線における駆動電圧のデューティ比との関係を説明するための模式的な図である。 図15は、変形例の表示装置に用いられる制御部の構成および動作を説明するための模式的なブロック図である。 図16は、映像信号値テーブル格納部に格納されているデータを説明するための模式的な表である。 図17A及び図17Bは、表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態/非導通状態等を模式的に示す図である。 図18A及び図18Bは、図17Bに引き続き、表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態/非導通状態等を模式的に示す図である。 図19A及び図19Bは、図18Bに引き続き、表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態/非導通状態等を模式的に示す図である。 図20A及び図20Bは、図19Bに引き続き、表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態/非導通状態等を模式的に示す図である。 図21A及び図21Bは、図20Bに引き続き、表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態/非導通状態等を模式的に示す図である。 図22は、図21Bに引き続き、表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタの導通状態/非導通状態等を模式的に示す図である。 図23は、表示素子を構成する駆動回路の他の例を説明するための模式的な回路図である。 図24は、表示素子を構成する駆動回路の他の例を説明するための模式的な回路図である。
以下、図面を参照して、実施形態に基づいて本開示を説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料は例示である。以下の説明において、同一要素または同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は、以下の順序で行う。
1.本開示に係る表示装置および表示装置の駆動方法、全般に関する説明
2.第1の実施形態、その他
[本開示に係る表示装置および表示装置の駆動方法、全般に関する説明]
本開示に係る表示装置あるいは本開示の表示装置の駆動方法(以下、これらを単に、「本開示」と呼ぶ場合がある)において、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号の値とに対応した映像信号の値は、発光部が発光を開始するまでの期間の長さが発光部に流される電流の値によって変化することによる影響を補償するように設定されている構成とすることができる。
上述した好ましい構成を含む本開示において、制御部は、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号の値とに対応した映像信号の値を格納した映像信号値テーブル格納部を備えている構成とすることができる。
上述した各種の好ましい構成を含む本開示において、制御部は、駆動電圧のデューティ比を、最大階調値が所定の基準値以下の場合には所定の値D1に設定し、最大階調値が所定の基準値を超える場合には値D1よりも大きい所定の値D2に設定する構成とすることができる。この場合において、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺が最大階調値が所定の基準値を超えない行で占められている場合に、制御部は、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺行における駆動電圧のデューティ比を最大階調値が所定の基準値を超える行に近づくほど所定の値D1に近づけるように制御し併せて表示素子に対応した映像信号の値を制御する構成とすることができる。
上述した各種の好ましい構成を含む本開示に用いられる電源部、信号出力部および制御部は、周知の回路素子等を用いて構成することができる。
表示装置は、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。カラー表示の構成とする場合には、1つの画素は複数の副画素から成る構成、具体的には、1つの画素は、赤色発光副画素、緑色発光副画素、及び、青色発光副画素の3つの副画素から成る構成とすることができる。更には、これらの3種の副画素に更に1種類あるいは複数種類の副画素を加えた1組(例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた1組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた1組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた1組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた1組)から構成することもできる。
表示装置の画素(ピクセル)の値として、VGA(640,480)、S−VGA(800,600)、XGA(1024,768)、APRC(1152,900)、S−XGA(1280,1024)、U−XGA(1600,1200)、HD−TV(1920,1080)、Q−XGA(2048,1536)の他、(1920,1035)、(720,480)、(1280,960)等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
表示素子を構成する電流駆動型の発光部として、有機エレクトロルミネッセンス発光部、LED発光部、半導体レーザ発光部などを挙げることができる。これらの発光部は、周知の材料や方法を用いて構成することができる。平面型の表示装置を構成する観点からは、中でも、発光部は有機エレクトロルミネッセンス発光部から成る構成が好ましい。
表示部を構成する表示素子は、或る平面内に形成され(例えば、支持体上に形成され)ており、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、発光部を駆動する駆動回路の上方に形成されている。
発光部を駆動する駆動回路は、例えば、トランジスタや容量部から成る回路として構成することができる。駆動回路を構成するトランジスタとして、例えば、nチャネル型の薄膜トランジスタ(TFT)を挙げることができる。トランジスタは、エンハンスメント型であってもよいし、デプレッション型であってもよい。nチャネル型のトランジスタにあってはLDD構造(Lightly Doped Drain構造)が形成されていてもよい。場合によっては、LDD構造は非対称に形成されていてもよい。例えば、駆動トランジスタに大きな電流が流れるのは表示素子の発光時であるので、発光時においてドレイン領域となる一方のソース/ドレイン領域にのみLDD構造を形成した構成とすることもできる。尚、例えば、pチャネル型の薄膜トランジスタを用いてもよい。本開示の動作に適合する限り、駆動回路の構成は特に限定するものではない。
1つのトランジスタの有する2つのソース/ドレイン領域において、「一方のソース/ドレイン領域」という用語を、電源側に接続されたソース/ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタが導通状態にあるとは、ソース/ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース/ドレイン領域から他方のソース/ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタが非導通状態にあるとは、ソース/ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、ソース/ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料(導電性高分子)から成る層から構成することができる。
駆動回路を構成する容量部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層から構成することができる。駆動回路を構成する上述したトランジスタ及び容量部は、或る平面内に形成され(例えば、支持体上に形成され)、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及び容量部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース/ドレイン領域は、発光部の一端(発光部に備えられたアノード電極等)に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成であってもよい。
走査線やデータ線、あるいは給電線などといった各種の配線は、或る平面上(例えば、支持体上)に形成される。これらの配線は、周知の構成や構造とすることができる。
支持体や後述する基板の構成材料として、高歪点ガラス、ソーダガラス(Na2O・CaO・SiO2)、硼珪酸ガラス(Na2O・B23・SiO2)、フォルステライト(2MgO・SiO2)、鉛ガラス(Na2O・PbO・SiO2)等のガラス材料の他、可撓性を有する高分子材料、例えば、ポリエーテルスルホン(PES)やポリイミド、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)に例示される高分子材料を例示することができる。尚、支持体や基板の表面に各種のコーティングが施されていてもよい。支持体と基板の構成材料は、同じであってもよいし異なっていてもよい。可撓性を有する高分子材料から成る支持体および基板を用いれば、可撓性を有する表示装置を構成することができる。
本明細書における各種の式に示す条件は、式が数学的に厳密に成立する場合の他、式が実質的に成立する場合にも満たされる。式の成立に関し、表示素子や表示装置の設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。
以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ(時間長)は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。縦軸においても同様である。また、タイミングチャートにおける波形の形状も模式的なものである。
[第1の実施形態]
第1の実施形態は、本開示に係る表示装置および表示装置の駆動方法に関する。
図1は、第1の実施形態に係る表示装置の概念図である。
表示装置1は、電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子10が行方向と列方向とに2次元マトリクス状に配列されて成る表示部20、
表示素子10の各行に対応して配された給電線PS1に表示素子10を駆動するための駆動電圧VCC-Hを供給する電源部100、及び、
表示素子10の各列に対応して配されたデータ線DTLに映像信号VDSigの値に応じた映像信号電圧VSigを供給する信号出力部102、及び、
表示素子10に対応する給電線PS1に供給される駆動電圧VCC-Hのデューティ比と表示素子10に対応した映像信号VDSigの値とを制御する制御部110、
を備えている。
制御部110は、表示すべき画像の入力信号DTSigに基づいて行方向に並ぶ表示素子10に対応した入力信号DTSigにおける最大階調値を検出し、検出結果に基づいて、表示素子10に対応する給電線PS1に供給される駆動電圧VCC-Hのデューティ比を制御すると共に、駆動電圧VCC-Hのデューティ比と入力信号DTSigとに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号VDSigの値を制御する。第1の実施形態において、制御部110は、表示すべき画像の入力信号DTSigに基づいて行方向に並ぶ表示素子10に対応した入力信号DTSigにおける最大階調値を検出する工程、検出結果に基づいて、表示素子10に対応する給電線PS1に供給される駆動電圧のデューティ比を制御する工程、及び、駆動電圧のデューティ比と入力信号DTSigとに基づいて、各行の表示素子10のそれぞれに対応した映像信号VDSigの値を制御する工程、を行う
表示部20は、更に、行方向に並ぶ表示素子10に接続され、走査回路101から走査信号が供給される走査線SCLと、全ての表示素子10に共通に接続される第2の給電線PS2を備えている。第2の給電線PS2には、共通の電圧(後述するVCat)が供給される。
走査線SCL及びデータ線DTL並びに給電線PS1及び第2の給電線PS2と、表示素子10との接続関係は、図3を参照して、後で詳しく説明する。
表示部20が画像を表示する領域(表示領域)は、行方向(図1においてX方向)にN個、列方向(図1においてY方向)にM個、合計N×M個の、2次元マトリクス状に配列された表示素子10から構成されている。表示領域における表示素子10の行数はMであり、各行を構成する表示素子10の数はNである。尚、図1においては、3×3個の表示素子10を図示しているが、これは、あくまでも例示に過ぎない。
走査線SCL及び給電線PS1の本数はそれぞれM本である。第m行目(但し、m=1,2・・・,M)の表示素子10は、第m番目の走査線SCLm及び第m番目の給電線PS1mに接続されており、1つの表示素子行を構成する。
また、データ線DTLの本数はN本である。第n列目(但し、n=1,2・・・,N)の表示素子10は、第n番目のデータ線DTLnに接続されている。
表示装置1は、例えばモノクロ表示の表示装置であり、1つの表示素子10が1つの画素を構成する。走査回路101からの走査信号によって、表示装置1は行単位で線順次走査される。第m行、第n列目に位置する表示素子10を、以下、第(n,m)番目の表示素子10あるいは第(n,m)番目の画素と呼ぶ。
表示装置1にあっては、第m行目に配列されたN個の画素のそれぞれを構成する表示素子10が同時に駆動される。換言すれば、行方向に沿って配されたN個の表示素子10にあっては、その発光/非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。表示装置1の表示フレームレートをFR(回/秒)と表せば、表示装置1を行単位で線順次走査するときの1行当たりの走査期間(いわゆる水平走査期間)は、(1/FR)×(1/M)秒未満である。
表示装置1の制御部110には、表示すべき画像に応じた入力信号DTSigが例えば図示せぬ装置から入力される。制御部110は、入力信号DTSigに基づいて、電源部100の動作を制御するためのデューティ設定信号DURと映像信号VDSigを出力する。
信号出力部102は、映像信号VDSigに基づいて映像信号電圧VSigを出力する。より具体的には、信号出力部102は、映像信号電圧VSigと後述する基準電圧VOfsとをデータ線DTLに交互に供給する。
以下の説明において、入力信号DTSigが例えば第(n,m)番目の表示素子10に対応するものであることを示す場合に、これを入力信号DTSig(n,m)と表す場合がある。映像信号VDSigについても同様である。
また、映像信号電圧VSigが例えば第(n,m)番目の表示素子10に対応するものであることを示す場合に、これを映像信号電圧VSig(n,m)あるいは映像信号電圧VSig_mと表す場合がある。
電源部100は、上述した駆動電圧VCC-Hに加えて、後述する初期化電圧VCC-Lを給電線PS1に供給する。1フレーム期間に対して駆動電圧VCC-Hを供給する期間の占める割合(以下、「駆動電圧のデューティ比」と呼ぶ場合がある)は、制御部110からのデューティ設定信号DURによって、給電線PS1毎に制御される。以下の説明において、第m番目の給電線PS1mに対応するデューティ設定信号を、デューティ設定信号DURmと表す場合がある。
説明の都合上、入力信号DTSigおよび映像信号VDSigの階調ビット数は8ビットであるとする。入力信号DTSigの階調値は、表示すべき画像の輝度に応じて、0乃至255のいずれかの値となる。ここでは、入力信号DTSigの階調値が大きいほど表示すべき画像の輝度が高いものとする。
また、説明の都合上、表示装置1は、白表示状態において階調値が0から255まで変化するにつれて、その輝度が0[cd/m2]から或る所定の上限値(例えば1000[cd/m2])まで線形に変化するような仕様であるとする。
次いで、制御部110の構成および動作の概要について説明する。
図2は、制御部の構成および動作を説明するための模式的なブロック図である。
制御部110は、ラインバッファ部111、最大階調値検出部112、デューティ比設定部113、映像信号値設定部114および映像信号値テーブル格納部115から構成されている。
制御部110によって、表示すべき画像の入力信号DTSigに基づいて行方向に並ぶ表示素子10に対応した入力信号DTSigにおける最大階調値を検出する工程、検出結果に基づいて、表示素子10に対応する給電線PS1に供給される駆動電圧のデューティ比を制御する工程、及び、駆動電圧のデューティ比と入力信号DTSigとに基づいて、各行の表示素子10のそれぞれに対応した映像信号VDSigの値を制御する工程が行われる。
制御部110は、行方向に並ぶ表示素子10から成る群ごとに順次処理を行う。図2を参照して、第m行目の表示素子10に対応した処理について説明する。
制御部110に入力される入力信号DTSig(1,m)〜DTSig(N,m)は、ラインバッファ部111に保持される。最大階調値検出部112は、ラインバッファ部111に保持された値に基づいて、入力信号DTSig(1,m)〜DTSig(N,m)における最大階調値を検出する。
制御部110は、駆動電圧のデューティ比を、最大階調値が所定の基準値(例えば「127」)以下の場合には所定の値D1に設定し、最大階調値が所定の基準値を超える場合には値D1よりも大きい所定の値D2に設定する。
具体的には、デューティ比設定部113は、最大階調値検出部112の検出結果に基づいて第m行の表示素子に対応する給電線PS1mに供給される駆動電圧のデューティ比を設定する。給電線PS1mにおける駆動電圧のデューティ比は、検出結果が「127」以下の場合には所定の値D1(例えば45[%])に設定され、検出結果が「128」以上の場合には所定の値D2(例えば90[%])に設定される。
デューティ比設定部113は、電源部100に、給電線PS1mにおける駆動電圧のデューティ比を制御するためのデューティ設定信号DURmを供給する。
映像信号値設定部114は、デューティ比設定部113によって設定された駆動電圧のデューティ比とラインバッファ部111に保持された入力信号DTSigの値とに基づいて映像信号VDSigの値を設定することで、各行の表示素子10のそれぞれに対応した映像信号VDSigの値を制御する。
映像信号値テーブル格納部115には、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号DTSigの値とに対応した映像信号VDSigの値がテーブルとして格納されている。映像信号値設定部114は、映像信号値テーブル格納部115を順次参照して、映像信号VDSig(1,m)〜VDSig(N,m)を設定し、且つ、信号出力部102に供給する。テーブルの内容は、後述する図13を参照して後で詳しく説明する。
信号出力部102は、映像信号VDSigの値に応じた映像信号電圧VSigをデータ線DTLに供給する。映像信号VDSigの値と映像信号電圧VSigの値との対応関係は、発光部に電流が流れているときの明るさと映像信号VDSigの値とが線形性を示すように予め設定されている。
以上、制御部110の構成および動作の概要について説明した。ここで、本開示の理解を助けるため、表示素子10の構成および動作の概要、並びに、表示装置1の基本的な動作の概要について説明する。
図3は、第(m,n)番目の表示素子の等価回路図である。
表示素子10は、電流駆動型の発光部ELPと駆動回路11を含んでいる。駆動回路11は、駆動トランジスタTRD、及び、容量部C1を備えており、駆動トランジスタTRDのソース/ドレイン領域を介して発光部ELPに電流が流れる。
駆動回路11は、駆動トランジスタTRDに加えて、更に、書込みトランジスタTRWを備えている。駆動トランジスタTRDと書込みトランジスタTRWは、nチャネル型のTFTから成る。尚、例えば書込みトランジスタTRWがpチャネル型のTFTから成る構成とすることもできる。また、駆動回路11は更に別のトランジスタを備えていてもよい。
容量部C1は、駆動トランジスタTRDのソース領域に対するゲート電極の電圧(所謂ゲート−ソース間電圧)を保持するために用いられる。この場合の「ソース領域」とは、発光部ELPが発光するときに「ソース領域」として働く側のソース/ドレイン領域を意味する。表示素子10の発光状態においては、駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域(図2において給電線PS1に接続されている側)はドレイン領域として働き、他方のソース/ドレイン領域(発光部ELPの一端、具体的には、アノード電極に接続されている側)はソース領域として働く。容量部C1を構成する一方の電極と他方の電極は、それぞれ、駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域とゲート電極に接続されている。
書込みトランジスタTRWは、走査線SCLに接続されたゲート電極と、データ線DTLに接続された一方のソース/ドレイン領域と、駆動トランジスタTRDのゲート電極に接続された他方のソース/ドレイン領域とを有する。
駆動トランジスタTRDのゲート電極は、書込みトランジスタTRWの他方のソース/ドレイン領域と容量部C1の他方の電極とが接続された、第1ノードND1を構成する。駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域は、容量部C1の一方の電極と発光部ELPのアノード電極とが接続された、第2ノードND2を構成する。
発光部ELPの他端(具体的には、カソード電極)には、第2の給電線PS2から、電圧VCat(例えば0[ボルト])が印加される。発光部ELPの容量を符号CELで表す。また、発光部ELPの発光に必要とされる閾値電圧をVth-ELとする。即ち、発光部ELPのアノード電極とカソード電極との間にVth-EL以上の電圧が印加されると、発光部ELPは発光する。
発光部ELPは、例えば有機エレクトロルミネッセンス発光部から成り、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極等から成る周知の構成や構造を有する。
図4は、表示部における表示素子を含む部分の模式的な一部断面図である。
駆動回路11を構成するトランジスタTRD,TRW及び容量部C1は支持体21上に形成され、発光部ELPは、例えば、層間絶縁層40を介して、駆動回路11を構成するトランジスタTRD,TRW及び容量部C1の上方に形成されている。また、駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域は、発光部ELPに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図4においては、駆動トランジスタTRDのみを図示する。その他のトランジスタは隠れて見えない。
駆動トランジスタTRDは、ゲート電極31、ゲート絶縁層32、半導体層33に設けられたソース/ドレイン領域35,35、及び、ソース/ドレイン領域35,35の間の半導体層33の部分が該当するチャネル形成領域34から構成されている。一方、容量部C1は、他方の電極36、ゲート絶縁層32の延在部から構成された誘電体層、及び、一方の電極37から成る。ゲート電極31、ゲート絶縁層32の一部、及び、容量部C1を構成する他方の電極36は、支持体21上に形成されている。駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域35は配線38(給電線PS1に対応する)に接続され、他方のソース/ドレイン領域35は一方の電極37に接続されている。駆動トランジスタTRD及び容量部C1等は、層間絶縁層40で覆われており、層間絶縁層40上に、アノード電極51、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極53から成る発光部ELPが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を1層52で表した。発光部ELPが設けられていない層間絶縁層40の部分の上には、第2層間絶縁層54が設けられ、第2層間絶縁層54及びカソード電極53上には透明な基板22が配置されており、発光層にて発光した光は、基板22を通過して、外部に出射される。尚、一方の電極37とアノード電極51とは、層間絶縁層40に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極53は、第2層間絶縁層54、層間絶縁層40に設けられたコンタクトホール56,55を介して、ゲート絶縁層32の延在部上に設けられた配線39(第2の給電線PS2に対応する)に接続されている。
図3に示す駆動トランジスタTRDは、表示素子10の発光状態においては、飽和領域で動作するように電圧設定されており、以下の式(1)に従ってドレイン電流Idsを流すように駆動される。上述したように、表示素子10の発光状態においては、駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース/ドレイン領域はソース領域として働く。説明の都合上、以下、駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース/ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ :実効的な移動度
L :チャネル長
W :チャネル幅
gs:ソース領域に対するゲート電極の電圧
th:閾値電圧
ox:(ゲート絶縁層の比誘電率)×(真空の誘電率)/(ゲート絶縁層の厚さ)
k≡(1/2)・(W/L)・Cox
とする。
ds=k・μ・(Vgs−Vth2 (1)
このドレイン電流Idsが発光部ELPを流れることで、表示素子10の発光部ELPが発光する。更には、このドレイン電流Idsの値の大小によって、ドレイン電流Idsが流れているときの発光部ELPにおける光の強さが制御される。
以上、表示素子10の構成および動作の概要について説明した。次いで、表示装置1の基本的な動作の概要について説明する。動作の詳細については、後述する図17ないし図22を参照して後で説明する。
図5は、表示装置の動作を説明するための模式的なタイミングチャートである。
以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。
Sig :映像信号電圧
・・・0ボルト〜15ボルト
Ofs :駆動トランジスタTRDのゲート電極(第1ノードND1)に印加する基準電圧
・・・0ボルト
CC-H :発光部ELPに電流を流すための駆動電圧
・・・20ボルト
CC-L :駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域(第2ノードND2)の
電位を初期化するための初期化電圧
・・・−10ボルト
th :駆動トランジスタTRDの閾値電圧
・・・3ボルト
Cat :発光部ELPのカソード電極に印加される電圧
・・・0ボルト
th-EL:発光部ELPの閾値電圧
・・・4ボルト
図5に示す[期間−TP(2)-1]は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、第(n,m)番目の表示素子10が発光状態にある期間である。即ち、第(n,m)番目の画素を構成する表示素子10における発光部ELPには駆動トランジスタを介してドレイン電流Idsが流れている。第(n,m)番目の表示素子10の発光状態は、第(m+m’)行目に配列された表示素子10の水平走査期間の開始直前まで継続される。
[期間−TP(2)0]の始期において、給電線PS1mの電圧が駆動電圧VCC-Hから初期化電圧VCC-Lに切り替えられ、[期間−TP(2)2]の終期までその状態が継続する。第(n,m)番目の表示素子10は非発光状態にある。
[期間−TP(2)1]において、基準電圧VOfsとの差が駆動トランジスタTRDの閾値電圧を超える初期化電圧VCC-Lを給電線PS1mから駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に印加し、走査線SCLmからの走査信号に基づいて導通状態とされた書込みトランジスタTRWを介してデータ線DTLnから駆動トランジスタTRDのゲート電極に基準電圧VOfsを印加し、以て、駆動トランジスタTRDのゲート電極の電位と駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域の電位とを初期化する。
[期間−TP(2)3]の始期において、給電線PS1mの電圧が基準電圧VOfsから駆動電圧VCC-Hに切り替えられる。
[期間−TP(2)3]及び[期間−TP(2)5]において、走査線SCLからの走査信号に基づいて導通状態とされた書込みトランジスタTRWを介してデータ線DTLnから駆動トランジスタTRDのゲート電極に基準電圧VOfsを印加した状態で、給電線PS1mから駆動電圧VCC-Hを駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に印加し、以て、駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域の電位を基準電圧VOfsから駆動トランジスタTRDの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行う。
[期間−TP(2)7]において、走査線SCLmの走査信号に基づいて、表示素子10の書込みトランジスタTRWを導通状態とする。データ線DTLnから書込みトランジスタTRWのゲート電極に映像信号電圧VSig_mを印加する。
駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域には電源部100から駆動電圧VCC-Hが印加している状態で、駆動トランジスタTRDのゲート電極に映像信号電圧VSigを印加する。このため、図5に示すように、表示素子10にあっては[期間−TP(2)7]において第2ノードND2の電位が変化する。具体的には、第2ノードND2の電位が上昇する。この電位の上昇量を符号ΔVで表す。駆動トランジスタTRDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース/ドレイン領域との間の電位差Vgsは、後述する式(5)によって与えられる。
[期間−TP(2)8]において、書込みトランジスタTRWが非導通状態とされる。表示素子10にあっては、書込み処理によって容量部C1に映像信号電圧VSig_mに応じた電圧が保持されている。走査線からの走査信号は終了しているので、書込みトランジスタTRWは非導通状態となる。従って、映像信号電圧VSig_mの駆動トランジスタTRDのゲート電極への印加が停止されることによって、書込み処理によって容量部C1に保持された電圧の値に応じた電流が駆動トランジスタTRDを介して発光部ELPに流れて発光部ELPが発光する。
表示素子10の動作について、より具体的に説明する。駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に電源部100から駆動電圧VCC-Hが印加された状態を維持しており、第1ノードND1は、データ線DTLnから電気的に切り離されている。従って、以上の結果として、第2ノードND2の電位は上昇する。
ここで、上述したとおり、駆動トランジスタTRDのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部C1が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタTRDのゲート電極に生じ、第1ノードND1の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタTRDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース/ドレイン領域との間の電位差Vgsは、式(5)の値を保持する。発光部ELPを流れる電流は、駆動トランジスタTRDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Idsであるので、後述する式(6)によって与えれる。
そして、発光部ELPの発光状態を第(m+m’−1)番目の水平走査期間まで継続する。この第(m+m’−1)番目の水平走査期間の終期は、[期間−TP(2)-1]の終期に相当する。ここで、「m’」は、1<m’<Mの関係を満たし、本開示においては表示素子行ごとに独立して制御される。
発光部ELPは、[期間−TP(2)8]の始期から第(m+m’)番目の水平走査期間Hm+m'の直前まで駆動され、この期間が発光期間となる。通常、閾値電圧キャンセル処理に要する期間は発光期間に対して充分短い期間であるので、実質的には、給電線PS1に駆動電圧VCC-Hが供給されている期間を発光期間として扱うことができる。
以上、表示装置1の基本的な動作の概要について説明した。
次いで、図6ないし図13を参照して、表示装置1における本開示に固有の動作について詳しく説明する。
図6は、表示素子に対応する入力信号の階調と各画素行に対応した給電線における駆動電圧のデューティ比との関係を説明するための模式的な図である。図7は、図6に引き続き、表示素子に対応する入力信号の階調と各画素行に対応した給電線における駆動電圧のデューティ比との関係を説明するための模式的な図である。図8は、駆動電圧のデューティ比の切り替えによって、映像信号VDSigの値を変更する必要がある表示素子を説明するための模式的な図である。図9は、給電線に印加される駆動電圧のデューティ比を説明するための模式的なグラフである。
図2を参照して説明したように、給電線PS1における駆動電圧のデューティ比は、給電線PS1に接続される表示素子10に対応する入力信号DTSigの最大階調値の検出結果に基づいて、給電線PS1毎に制御される。駆動電圧のデューティ比は、検出結果が「127」以下の場合には、上述した値D1(例えば45[%])に設定され、検出結果が「128」以上の場合には、上述した値D2(例えば90[%])に設定される。
従って、図6に示すように、例えば表示部20における全ての表示素子10において対応する入力信号DTSigの階調値が「127」以下の場合には、給電線PS11〜PS1Mの全てにおいて、駆動電圧のデューティ比が値D1となるように制御される。給電線PS1mにおける波形の例を、図9の上段に示す。
次いで、一部の表示素子10に対応する入力信号DTSigの階調値が「128」以上となったときの動作を説明する。
例えば、第(n,m)番目の表示素子10に対応する入力信号DTSigの階調値のみが「128」以上となった場合、図7にしめすように給電線PS1mについては、駆動電圧のデューティ比は値D2となる。給電線PS1mにおける波形の例を、図9の下段に示す。
これによって、第m行目の表示素子10の発光期間は、他の行の表示素子10の発光期間に比べて概ね2倍となり、輝度も概ね2倍となる。従って、入力信号DTSigの階調値と画像の輝度との間の線形性を保つ観点から、図8に示すように、第m行の表示素子10における映像信号VDSigの値を好適に変更する必要が生ずる。
表示装置1において、駆動電圧のデューティ比が値D1であって入力信号DTSigの階調値が0〜127の場合には、映像信号VDSigの値が入力信号DTSigの階調値と一致するように制御される。
ここで、入力信号DTSigの階調値に対して輝度が線形に変化するようにするためにデューティ比が値D2に設定された状態における映像信号VDSigの値を入力信号DTSigの階調値×D1/D2といった式で単純に決定すると、支障を生ずる。以下、図10ないし図12を参照して説明する。
図10Aは、給電線の電位と、第2ノードの電位と、駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係を説明するための模式図である。図10B、図10C及び図10Dは、図10Aに示す期間A、期間B及び期間Cにおけるドレイン電流の流れを説明するための模式図である。
図10Aないし図10Dを参照して、給電線PS1の電位と、第2ノードND2の電位と、駆動トランジスタTRDを流れるドレイン電流Idsとの関係を説明する。
図10Aに示すように、給電線PS1mの電位が初期化電圧VCC-Lから駆動電圧VCC-Hに切り替わると、図5を参照して説明した[期間−TP(2)7]の後、駆動トランジスタTRDにドレイン電流Idsが流れる。従って、書込み処理終了後、第2ノードND2の電位は上昇する。
このとき、第2ノードND2の電位が、発光部ELPの閾値電圧Vth-ELを超えない[期間A]にあっては、ドレイン電流Idsは専ら発光部ELPの容量CELに流れ込む(図10B参照)。尚、符号ICはドレイン電流Idsのうち容量CELに流れ込む電流を示し、符号IEはドレイン電流Idsのうち発光部ELPに流れる電流を示す。そして、第2ノードND2の電位が、発光部ELPの閾値電圧Vth-ELを超えた後に一定値に達するまでの[期間B]にあっては、ドレイン電流Idsは、容量CELに流れ込むと共に、発光部ELPにも流れる(図10C参照)。従って、[期間A]は「発光部が発光を開始するまでの期間」となる。更に、第2ノードND2の電位が一定値に達した後の[期間C]にあっては、ドレイン電流Idsは、専ら発光部ELPに流れる(図10D参照)。容量CELに流れ込む電流ICは、発光に寄与しない。従って、ドレイン電流Idsのうち発光に寄与する部分(電荷量)は、図10Aのハッチングを施した部分である。
図11Aは、給電線に印加される駆動電圧のデューティ比がD1[%]であるときの給電線の電位と、第2ノードの電位と、駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係を説明するための模式図である。図11Bは、給電線に印加される駆動電圧のデューティ比がD2[%]であるときの給電線の電位と、第2ノードの電位と、駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係を説明するための模式図である。
この場合、図11Aに対し図11Bは駆動電圧のデューティ比が2倍となる。しかしながら、[期間A]や[期間B]の存在により、図11Aの動作状態における輝度に対して図11Bの動作状態における輝度は、駆動電圧のデューティ比が2倍になるからといって、そのまま単純に2倍とはならない。
従って、デューティ比が値D2に設定された状態における映像信号VDSigの値を入力信号DTSigの階調値×D1/D2といった式で単純に決定すると、入力信号DTSigの階調値と表示される画像の輝度との線形性が損なわれる場合がある。
また、上述した[期間A]や[期間B]の長さは、駆動トランジスタに流れるドレイン電流の値によっても左右される。
図12は、給電線に印加される駆動電圧のデューティ比が一定であるときに、明るい画像を表示するときの第2ノードの電位および駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係、並びに、暗い画像を表示するときの第2ノードの電位および駆動トランジスタを流れるドレイン電流の関係を説明するための模式図である。
上述した[期間A]の長さは、発光部ELPの容量CELに流れ込むドレイン電流によって、容量CELの両端の電位差が発光部ELPの閾値電圧Vth-ELを超えるまでの長さで与えられる。
図5等を参照して後で詳しく説明するが、[期間A]の始期において、第2ノードの電位は(VOfs−Vth)である。従って、発光部ELPのカソードに印加される電圧VCatが0[ボルト]であれば、[期間A]、即ち、「発光部が発光を開始するまでの期間」の長さは、これを符号TAで表せば、TA={Vth-EL−(VOfs−Vth)}・CEL/Idsといった式で与えられる。この式から明らかなように、「発光部が発光を開始するまでの期間」の長さTAは、発光部ELPに流される電流の値によって変化する。
長さTAは、場合によっては、数ミリ秒に及ぶことがある。従って、特に表示装置のリフレッシュレートを高く設定した場合などにあっては、1フレーム期間に対して無視することができない値となる。
表示装置1にあっては、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号DTSigの値とに対応した映像信号VDSigの値は、発光部が発光を開始するまでの期間の長さが発光部に流される電流の値によって変化することによる影響を補償するように設定されている。
即ち、図2に示す映像信号値テーブル格納部には、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号DTSigの値とに対応し、更には、発光部が発光を開始するまでの期間の長さが発光部に流される電流の値によって変化することによる影響を補償するように定めた映像信号VDSigの値が格納されている。
図13は、映像信号値テーブル格納部に格納されているデータを説明するための模式的な表である。
図において、例えば[Data(D2、127)]は、駆動電圧のデューティ比が値D2であるときに、画面の輝度が階調値「127」に対応するように定められた映像信号VDSigの値を示し、[Data(D2、255)]は、駆動電圧のデューティ比が値D2であるときに、画面の輝度が階調値「255」に対応するように定められた映像信号VDSigの値を示す。他についても同様である。
これらの値は、デューティ比の値D1,D2や、「発光部が発光を開始するまでの期間」の長さTAを用いて得ることができる。
デューティ比が値D1であって、発光部ELPにドレイン電流Ids_D1が流れ、そのときの「発光部が発光を開始するまでの期間」の長さがTA_D1である場合の画像の輝度と同じ輝度を、デューティ比が値D2の場合に再現しようとすれば、デューティ比が値D2のときのドレイン電流を符号Ids_D2、「発光部が発光を開始するまでの期間」の長さを符号TA_D2と表せば、
ds_D2=Ids_D1×{(D1/100)−(TA_D1/FR)}/{(D2/100)−(TA_D2/FR)}
といった条件を満たせば、デューティ比が値D2の場合において略同様の輝度で画像が表示される。従って、このドレイン電流Ids_D2を流すための映像信号VDSigの値を選択すればよい。
あるいは又、実測によって適宜好適な映像信号VDSigの値を選択して得ることもできる。実測による選択によれば、結果として、図10における[期間B]の影響も補償される。
表示装置1によれば、或る程度の輝度を表示すべき表示素子を含む行を除き、駆動電圧のデューティ比が相対的に小さく設定される。また、或る程度の輝度を表示すべき表示素子を含む行のデューティ比が相対的に大きくすることで、駆動電圧を高く設定することなく必要な輝度の表示を行うことができる。従って、駆動電圧をより高く設定することなく、動画ボケの軽減を図りつつ画像の輝度も高く表示することができる。
次いで、第1の実施形態の変形例について説明する。
図14は、第1の実施形態の変形例における、表示素子に対応する入力信号の階調と各画素行に対応した給電線における駆動電圧のデューティ比との関係を説明するための模式的な図である。
図8に示す例では、第m行の表示素子10に接続される給電線PS1mについてのみ、駆動電圧のデューティ比が値D2とされた。この場合、隣接する行とのデューティ比の差が顕著となって、画質に違和感を生ずるといったことが考えられる。
そこで、変形例にあっては、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺が最大階調値が所定の基準値を超えない行で占められている場合に、制御部は、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺行における駆動電圧のデューティ比を最大階調値が所定の基準値を超える行に近づくほど所定の値D1に近づけるように制御し併せて表示素子10に対応した映像信号VDSigの値を制御する。
図14に示す例では、第m行については駆動電圧のデューティ比が値D2に設定され、第(m−1)行および第(m+1)行についてはデューティ比が値D3(例えば75[%])に設定され、第(m−2)行および第(m−3)行ならびに第(m+2)行および第(m+3)行についてはデューティ比が値D4(例えば60[%])に設定され、他はデューティ比が値D1(例えば45[%])に設定される。
図15は、変形例の表示装置に用いられる制御部の構成および動作を説明するための模式的なブロック図である。
変形例における表示装置の概念図は、図1において制御部110を制御部210と読み替えればよい。
上述した制御部110と同様に、制御部210にも、表示すべき画像に応じた入力信号DTSigが例えば図示せぬ装置から入力される。制御部210は、入力信号DTSigに基づいて、電源部100の動作を制御するためのデューティ設定信号DURと映像信号VDSigを出力する。
制御部210は、フレームバッファ部211、各行最大階調値検出部212、各行デューティ比設定部213、映像信号値設定部214および映像信号値テーブル格納部215から構成されている。
制御部210に入力される入力信号DTSig(1,1)〜DTSig(N,M)は、フレームバッファ部211に保持される。各行最大階調値検出部212は、フレームバッファ部211に保持された値に基づいて、各行における最大階調値を検出する。
各行デューティ比設定部213は、各行最大階調値検出部212の検出結果に基づいて、第1行ないし第M行における駆動電圧のデューティ比を設定する。
基本的には、制御部110と同様に、駆動電圧のデューティ比を、最大階調値が所定の基準値以下の場合には所定の値D1に設定し、最大階調値が所定の基準値を超える場合には値D1よりも大きい所定の値D2に設定する。但し、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺が最大階調値が所定の基準値を超えない行で占められている場合に、制御部210は、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺行における駆動電圧のデューティ比を最大階調値が所定の基準値を超える行に近づくほど所定の値D1に近づけるように設定する。そして、各行デューティ比設定部213は、電源部100に、給電線PS11〜PS1Mにおける駆動電圧のデューティ比を制御するためのデューティ設定信号DUR1〜DURMを供給する。
映像信号値設定部214は、各行デューティ比設定部213によって設定された駆動電圧のデューティ比とフレームバッファ部211に保持された入力信号DTSigの値とに基づいて映像信号VDSigの値を設定することで、各行の表示素子10のそれぞれに対応した映像信号VDSigの値を制御する。
映像信号値テーブル格納部215には、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号DTSigの値とに対応した映像信号VDSigの値がテーブルとして格納されている。映像信号値設定部214は、各行デューティ比設定部213からの情報とフレームバッファ部からの情報に基づいて、映像信号値テーブル格納部215を順次参照して、映像信号VDSig(1,1)〜VDSig(N,M)を設定し、且つ、信号出力部102に供給する。
図16は、映像信号値テーブル格納部に格納されているデータを説明するための模式的な表である。
図13において説明したと同様に、例えば[Data(D3、0)]は、駆動電圧のデューティ比が値D3であるときに、画面の輝度が階調値「0」に対応するように定められた映像信号VDSigの値を示し、[Data(D3、127)]は、駆動電圧のデューティ比が値D3であるときに、画面の輝度が階調値「127」に対応するように定められた映像信号VDSigの値を示す。他についても同様である。
以上、第1の実施形態の変形例について説明した。
次いで、第1の実施形態およびその変形例について共通する表示装置全体の動作の詳細を、図5、図17の(A)及び(B)、図18の(A)及び(B)、図19の(A)及び(B)、図20の(A)及び(B)、図21の(A)及び(B)、並びに、図22を参照して詳細に説明する。
[期間−TP(2)-1](図5、図17の(A)参照)
この[期間−TP(2)-1]は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、前回の各種の処理完了後に第(n,m)番目の表示素子10が発光状態にある期間である。即ち、第(n,m)番目の画素を構成する表示素子10における発光部ELPには、後述する式(5’)に基づくドレイン電流Ids’が流れており、第(n,m)番目の画素を構成する表示素子10の輝度は、係るドレイン電流Ids’に対応した値である。ここで、書込みトランジスタTRWは非導通状態であり、駆動トランジスタTRDは導通状態である。第(n,m)番目の表示素子10の発光状態は、第(m+m’)行目に配列された表示素子10の水平走査期間の開始直前まで継続される。
上述したように、各水平走査期間に対応して、データ線DTLnには、基準電圧VOfsと映像信号電圧VSigとが供給される。しかしながら、書込みトランジスタTRWは非導通状態であるので、[期間−TP(2)-1]においてデータ線DTLnの電位(電圧)が変化しても、第1ノードND1と第2ノードND2の電位は変化しない(実際には、寄生容量等の静電結合による電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる)。後述する[期間−TP(2)0]においても同様である。
図5に示す[期間−TP(2)0]〜[期間−TP(2)6]は、前回の各種の処理完了後の発光状態が終了した後から、次の書込み処理が行われる直前までの動作期間である。[期間−TP(2)0]〜[期間−TP(2)7]において、第(n,m)番目の表示素子10は原則として非発光状態にある。図5に示すように、[期間−TP(2)5]、[期間−TP(2)6]及び[期間−TP(2)7]は第m番目の水平走査期間Hmに包含される。
また、[期間−TP(2)3]及び[期間−TP(2)5]において、走査線SCLからの走査信号に基づいて導通状態とされた書込みトランジスタTRWを介してデータ線DTLnから駆動トランジスタTRDのゲート電極に基準電圧VOfsを印加した状態で、給電線PS1から駆動電圧VCC-Hを駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に印加し、以て、駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域の電位を基準電圧VOfsから駆動トランジスタTRDの閾値電圧を減じた電位に向かって近づける閾値電圧キャンセル処理を行う。
以下の説明においては、閾値電圧キャンセル処理を複数の水平走査期間、より具体的には、第(m−1)番目の水平走査期間Hm-1と第m番目の水平走査期間Hmにおいて行うとして説明するが、これに限定するものではない。
また、[期間−TP(2)1]において、基準電圧VOfsとの差が駆動トランジスタTRDの閾値電圧を超える初期化電圧VCC-Lを給電線PS1から駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に印加し、走査線SCLmからの走査信号に基づいて導通状態とされた書込みトランジスタTRWを介してデータ線DTLnから駆動トランジスタTRDのゲート電極に基準電圧VOfsを印加し、以て、駆動トランジスタTRDのゲート電極の電位と駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域の電位とを初期化する。
図5において、[期間−TP(2)1]は、第(m−2)番目の水平走査期間Hm-2における基準電圧期間(データ線DTLに基準電圧VOfsが印加される期間)に一致し、[期間−TP(2)3]は、第(m−1)番目の水平走査期間Hm-1における基準電圧期間に一致し、[期間−TP(2)5]は、第m番目の水平走査期間Hmにおける基準電圧期間に一致するとする。
引き続き、図5等を参照して、[期間−TP(2)0]〜[期間−TP(2)8]の各期間の動作について説明する。
[期間−TP(2)0](図5、図17の(B)参照)
この[期間−TP(2)0]は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この[期間−TP(2)0]は、前の表示フレームにおける第(m+m’)番目の水平走査期間Hm+m'の始期から、現表示フレームにおける第(m−3)番目の水平走査期間の終期までの期間である。そして、この[期間−TP(2)0]において、第(n,m)番目の表示素子10は、原則として非発光状態にある。[期間−TP(2)0]の始期において、電源部100から給電線PS1mに供給する電圧を駆動電圧VCC-Hから初期化電圧VCC-Lに切り替える。その結果、第2ノードND2の電位はVCC-Lまで低下し、発光部ELPのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ELPは非発光状態となる。また、第2ノードND2の電位低下に倣うように、浮遊状態の第1ノードND1(駆動トランジスタTRDのゲート電極)の電位も低下する。
[期間−TP(2)1](図5、図18の(A)参照)
そして、現表示フレームにおける第(m−2)番目の水平走査期間Hm-2が開始する。この[期間−TP(2)1]において、走査線SCLmをハイレベルとして表示素子10の書込みトランジスタTRWを導通状態とする。信号出力部102からデータ線DTLnに供給される電圧は基準電圧VOfsである。その結果、第1ノードND1の電位は、VOfs(0ボルト)となる。電源部100の動作に基づき、給電線PS1mから初期化電圧VCC-Lを第2ノードND2に印加しているので、第2ノードND2の電位はVCC-L(−10ボルト)を保持する。
第1ノードND1と第2ノードND2との間の電位差は10ボルトであり、駆動トランジスタTRDの閾値電圧Vthは3ボルトであるので、駆動トランジスタTRDは導通状態である。尚、第2ノードND2と発光部ELPに備えられたカソード電極との間の電位差は−10ボルトであり、発光部ELPの閾値電圧Vth-ELを超えない。これにより、第1ノードND1の電位及び第2ノードND2の電位が初期化される。
[期間−TP(2)2](図5、図18の(B)参照)
この[期間−TP(2)2]において走査線SCLmをローレベルとする。表示素子10の書込みトランジスタTRWは非導通状態となる。第1ノードND1及び第2ノードND2の電位は、基本的には従前の状態を維持する。
[期間−TP(2)3](図5、図19の(A)参照)
この[期間−TP(2)3]において、第1回目の閾値電圧キャンセル処理を行う。走査線SCLmをハイレベルとし表示素子10の書込みトランジスタTRWを導通状態とする。信号出力部102からデータ線DTLnに供給される電圧は基準電圧VOfsである。第1ノードND1の電位は、VOfs(0ボルト)である。
次いで、電源部100から給電線PS1mに供給される電圧を、電圧VCC-Lから駆動電圧VCC-Hに切り替える。その結果、第1ノードND1の電位は変化しないが(VOfs=0ボルトを維持)、基準電圧VOfsから駆動トランジスタTRDの閾値電圧Vthを減じた電位に向かって、第2ノードND2の電位は変化する。即ち、第2ノードND2の電位が上昇する。
この[期間−TP(2)3]が充分長ければ、駆動トランジスタTRDのゲート電極と他方のソース/ドレイン領域との間の電位差がVthに達し、駆動トランジスタTRDは非導通状態となる。即ち、第2ノードND2の電位が(VOfs−Vth)に近づき、最終的に(VOfs−Vth)となる。しかしながら、図5に示す例では、[期間−TP(2)3]の長さは、第2ノードND2の電位を充分変化させるには足りない長さであり、[期間−TP(2)3]の終期において、第2ノードND2の電位は、VCC-L<V1<(VOfs−Vth)という関係を満たす或る電位V1に達する。
[期間−TP(2)4](図5、図19の(B)参照)
この[期間−TP(2)4]においては、走査線SCLmをローレベルとし、表示素子10の書込みトランジスタTRWは非導通状態となる。その結果、第1ノードND1は浮遊状態となる。
電源部100から駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に駆動電圧VCC-Hが印加されているので、第2ノードND2の電位は、電位V1から或る電位V2に上昇する。一方、駆動トランジスタTRDのゲート電極は浮遊状態であり、容量部C1が存在するが故に、ブートストラップ動作が駆動トランジスタTRDのゲート電極に生ずる。従って、第1ノードND1の電位は、第2ノードND2の電位変化に倣って上昇する。
次の[期間−TP(2)5]における動作の前提として、[期間−TP(2)5]の始期において、第2ノードND2の電位が(VOfs−Vth)よりも低いことが必要となる。[期間−TP(2)4]の長さは、基本的には、V2<(VOfs-L−Vth)の条件を満たすように決定されている。
[期間−TP(2)5](図5、図20の(A)及び(B)参照)
この[期間−TP(2)5]において、第2回目の閾値電圧キャンセル処理を行う。走査線SCLmからの走査信号に基づいて、表示素子10の書込みトランジスタTRWを導通状態とする。信号出力部102からデータ線DTLnに供給される電圧は基準電圧VOfsである。第1ノードND1の電位は、ブートストラップ動作によって上昇した電位から、再度VOfs(0ボルト)となる(図20の(A)参照)。
ここで、容量部C1の値を値c1とし、発光部ELPの容量CELの値を値cELとする。そして、駆動トランジスタTRDのゲート電極と他方のソース/ドレイン領域との間の寄生容量の値をcgsとする。第1ノードND1と第2ノードND2との間の容量値を符号cAで表せば、cA=c1+cgsである。また、第2ノードND2と第2の給電線PS2との間の容量値を符号cBと表せば、cB=cELである。尚、発光部ELPの両端に、追加の容量部が並列に接続されている構成であってもよいが、その場合には、cBには更に追加の容量部の容量値が加算される。
第1ノードND1の電位が変化すると、第1ノードND1と第2ノードND2との間の電位も変化する。即ち、第1ノードND1の電位の変化分に基づく電荷が、第1ノードND1と第2ノードND2との間の容量値と、第2ノードND2と第2の給電線PS2との間の容量値に応じて、振り分けられる。然るに、値cb(=cEL)が、値cA(=c1+cgs)と比較して充分に大きな値であれば、第2ノードND2の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ELPの容量CELの値cELは、容量部C1の値c1及び駆動トランジスタTRDの寄生容量の値cgsよりも大きい。以下、第1ノードND1の電位変化により生ずる第2ノードND2の電位変化は考慮せずに説明を行う。尚、図5に示した駆動のタイミングチャートにおいては、第1ノードND1の電位変化により生ずる第2ノードND2の電位変化を考慮せずに示した。
電源部100から駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に駆動電圧VCC-Hが印加されているので、基準電圧VOfsから駆動トランジスタTRDの閾値電圧Vthを減じた電位に向かって、第2ノードND2の電位は変化する。即ち、第2ノードND2の電位は、電位V2から上昇し、基準電圧VOfsから駆動トランジスタTRDの閾値電圧Vthを減じた電位に向かって変化する。そして、駆動トランジスタTRDのゲート電極と他方のソース/ドレイン領域との間の電位差がVthに達すると、駆動トランジスタTRDが非導通状態となる(図20の(B)参照)。この状態にあっては、第2ノードND2の電位は、概ね(VOfs−Vth)である。ここで、以下の式(3)が保証されていれば、云い換えれば、式(3)を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ELPが発光することはない。
(VOfs−Vth)<(Vth-EL+VCat) (3)
この[期間−TP(2)5]にあっては、第2ノードND2の電位は、最終的に、(VOfs−Vth)となる。即ち、駆動トランジスタTRDの閾値電圧Vth、及び、基準電圧VOfsのみに依存して、第2ノードND2の電位は決定される。そして、発光部ELPの閾値電圧Vth-ELとは無関係である。[期間−TP(2)5]の終期において、走査線SCLmからの走査信号に基づいて、書込みトランジスタTRWを導通状態から非導通状態とする。
[期間−TP(2)6](図5、図21の(A)参照)
書込みトランジスタTRWの非導通状態を維持した状態で、信号出力部102からデータ線DTLnの一端に基準電圧VOfsに替えて映像信号電圧VSig_mが供給される。[期間−TP(2)5]において駆動トランジスタTRDが非導通状態に達しているとすれば、実質上、第1ノードND1と第2ノードND2の電位は変化しない(実際には、寄生容量等の静電結合による電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる)。尚、[期間−TP(2)5]で行う閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタTRDが非導通状態に達していない場合には、[期間−TP(2)6]においてブートストラップ動作が生じ、第1ノードND1と第2ノードND2の電位は多少上昇する。
[期間−TP(2)7](図5、図21の(B)参照)
この[期間−TP(2)7]において、走査線SCLmの走査信号に基づいて、表示素子10の書込みトランジスタTRWを導通状態とする。データ線DTLnから書込みトランジスタTRWのゲート電極に映像信号電圧VSig_mを印加する。
上述した書込み処理にあっては、駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域には電源部100から駆動電圧VCC-Hが印加している状態で、駆動トランジスタTRDのゲート電極に映像信号電圧VSigを印加する。このため、図5に示すように、表示素子10にあっては[期間−TP(2)7]において第2ノードND2の電位が変化する。具体的には、第2ノードND2の電位が上昇する。この電位の上昇量を符号ΔVで表す。
駆動トランジスタTRDのゲート電極(第1ノードND1)の電位をVg、駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域(第2ノードND2)の電位をVsとしたとき、上述した第2ノードND2の電位の上昇を考慮しなければ、Vgの値、Vsの値は以下のとおりとなる。第1ノードND1と第2ノードND2の電位差、即ち、駆動トランジスタTRDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース/ドレイン領域との間の電位差Vgsは、以下の式(4)で表すことができる。
g =VSig_m
s ≒VOfs−Vth
gs≒VSig_m−(VOfs−Vth) (4)
即ち、駆動トランジスタTRDに対する書込み処理において得られたVgsは、発光部ELPにおける輝度を制御するための映像信号電圧VSig_m、駆動トランジスタTRDの閾値電圧Vth、及び、基準電圧VOfsのみに依存している。そして、発光部ELPの閾値電圧Vth-ELとは無関係である。
次いで、上述した第2ノードND2の電位の上昇量(ΔV)について説明する。上述した駆動方法にあっては、表示素子10の駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に駆動電圧VCC-Hを印加している状態で書込み処理を行う。これにより、表示素子10の駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域の電位を変化させる移動度補正処理が併せて行われる。
駆動トランジスタTRDを薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生ずることは避け難い。従って、移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタTRDのゲート電極に同じ値の映像信号電圧VSigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタTRDを流れるドレイン電流Idsと、移動度μの小さい駆動トランジスタTRDを流れるドレイン電流Idsとの間に、差異が生じてしまう。そして、このような差異が生ずると、表示装置1の画面の均一性(ユニフォーミティ)が損なわれてしまう。
上述した駆動方法にあっては、駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域には電源部100から駆動電圧VCC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタTRDのゲート電極に映像信号電圧VSigが印加される。このため、図5に示すように、書込み処理において第2ノードND2の電位が上昇する。駆動トランジスタTRDの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域における電位(即ち、第2ノードND2の電位)の上昇量ΔV(電位補正値)は大きくなる。逆に、駆動トランジスタTRDの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域における電位の上昇量ΔVは小さくなる。ここで、駆動トランジスタTRDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース/ドレイン領域との間の電位差Vgsは、式(4)から以下の式(5)のように変形される。
gs≒VSig_m−(VOfs−Vth)−ΔV (5)
尚、映像信号電圧VSigの書込みを行う走査信号の期間の長さは、表示素子10や表示装置1の設計に応じて決定すればよい。また、このときの駆動トランジスタTRDの他方のソース/ドレイン領域における電位(VOfs−Vth+ΔV)が以下の式(3’)を満足するように、走査信号の期間の長さは決定されているとする。
表示素子10にあっては、[期間−TP(2)7]において発光部ELPが発光することはない。この移動度補正処理によって、係数k(≡(1/2)・(W/L)・Cox)のばらつきの補正も同時に行われる。
(VOfs−Vth+ΔV)<(Vth-EL+VCat) (3’)
[期間−TP(2)8](図5、及び、図22参照)
駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に電源部100から駆動電圧VCC-Hが印加された状態を維持する。表示素子10にあっては、書込み処理によって容量部C1に映像信号電圧VSig_mに応じた電圧が保持されている。走査線からの走査信号は終了しているので、書込みトランジスタTRWは非導通状態となる。従って、映像信号電圧VSig_mの駆動トランジスタTRDのゲート電極への印加が停止されることによって、書込み処理によって容量部C1に保持された電圧の値に応じた電流が駆動トランジスタTRDを介して発光部ELPに流れて発光部ELPが発光する。
表示素子10の動作について、より具体的に説明する。駆動トランジスタTRDの一方のソース/ドレイン領域に電源部100から駆動電圧VCC-Hが印加された状態を維持しており、第1ノードND1は、データ線DTLnから電気的に切り離されている。従って、以上の結果として、第2ノードND2の電位は上昇する。
ここで、上述したとおり、駆動トランジスタTRDのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部C1が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタTRDのゲート電極に生じ、第1ノードND1の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタTRDのゲート電極とソース領域として働く他方のソース/ドレイン領域との間の電位差Vgsは、式(5)の値を保持する。
また、第2ノードND2の電位が上昇し、(Vth-EL+VCat)を超えるので、発光部ELPは発光を開始する。このとき、発光部ELPを流れる電流は、駆動トランジスタTRDのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Idsであるので、式(1)で表すことができる。ここで、式(1)と式(5)から、式(1)は、以下の式(6)のように変形することができる。
ds=k・μ・(VSig_m−VOfs−ΔV)2 (6)
従って、発光部ELPを流れる電流Idsは、基準電圧VOfsを0ボルトに設定したとした場合、発光部ELPにおける輝度を制御するための映像信号電圧VSig_mの値から、駆動トランジスタTRDの移動度μに起因した電位補正値ΔVの値を減じた値の2乗に比例する。云い換えれば、発光部ELPを流れる電流Idsは、発光部ELPの閾値電圧Vth-EL、及び、駆動トランジスタTRDの閾値電圧Vthには依存しない。即ち、発光部ELPの発光量(輝度)は、発光部ELPの閾値電圧Vth-ELの影響、及び、駆動トランジスタTRDの閾値電圧Vthの影響を受けない。そして、第(n,m)番目を構成する表示素子10の輝度は、係る電流Idsに対応した値である。
しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタTRDほど電位補正値ΔVが大きくなるので、式(5)の左辺のVgsの値が小さくなる。従って、式(6)において、移動度μの値が大きくとも、(VSig_m−VOfs−ΔV)2の値が小さくなる結果、駆動トランジスタTRDの移動度μのばらつき(更には、kのばらつき)に起因するドレイン電流Idsのばらつきを補正することができる。これにより、移動度μのばらつき(更には、kのばらつき)に起因する発光部ELPの輝度のばらつきを補正することができる。
そして、発光部ELPの発光状態を第(m+m’−1)番目の水平走査期間まで継続する。この第(m+m’−1)番目の水平走査期間の終期は、[期間−TP(2)-1]の終期に相当する。ここで、「m’」は、1<m’<Mの関係を満たし、表示装置1において所定の値である。換言すれば、発光部ELPは、[期間−TP(2)8]の始期から第(m+m’)番目の水平走査期間Hm+m'の直前まで駆動され、この期間が発光期間となる。
以上、本開示の実施形態について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、構造、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。
例えば駆動トランジスタをpチャネル型トランジスタとする場合には、図23のように駆動トランジスタと発光部ELPとの結線関係を入れ替えればよい。この回路においても、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理およびブートストラップ動作を支障なく行うことができる。
あるいは又、図24に示すように、表示素子10を構成する駆動回路11が、第1ノードND1に接続された第1ノード初期化トランジスタTRND1を備えている構成であってもよい。第1ノード初期化トランジスタTRND1においては、一方のソース/ドレイン領域は、基準電圧VOfsが印加され、他方のソース/ドレイン領域は、第1ノードND1に接続されている。第1ノード初期化トランジスタAZを介して第1ノード初期化回路103からの信号が第1ノード初期化トランジスタTRND1のゲート電極に印加され、第1ノード初期化トランジスタTRND1のオン/オフ状態を制御する。これにより、第1ノードND1の電位を設定することができる。
なお、本開示の技術は以下のような構成も取ることができる。
[1]
電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子が行方向と列方向とに2次元マトリクス状に配列されて成る表示部、
表示素子の各行に対応して配された給電線に表示素子を駆動するための駆動電圧を供給する電源部、
表示素子の各列に対応して配されたデータ線に映像信号の値に応じた映像信号電圧を供給する信号出力部、及び、
表示すべき画像の入力信号に基づいて行方向に並ぶ表示素子に対応した入力信号における最大階調値を検出し、検出結果に基づいて、表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比を制御すると共に、駆動電圧のデューティ比と入力信号とに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号の値を制御する制御部、
を備えている表示装置。
[2]
駆動電圧のデューティ比の値と入力信号の値とに対応した映像信号の値は、発光部が発光を開始するまでの期間の長さが発光部に流される電流の値によって変化することによる影響を補償するように設定されている上記[1]に記載の表示装置。
[3]
制御部は、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号の値とに対応した映像信号の値を格納した映像信号値テーブル格納部を備えている上記[1]または[2]に記載の表示装置。
[4]
制御部は、駆動電圧のデューティ比を、最大階調値が所定の基準値以下の場合には所定の値D1に設定し、最大階調値が所定の基準値を超える場合には値D1よりも大きい所定の値D2に設定する上記[1]ないし[3]のいずれかに記載の表示装置。[5]
最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺が最大階調値が所定の基準値を超えない行で占められている場合に、制御部は、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺行における駆動電圧のデューティ比を最大階調値が所定の基準値を超える行に近づくほど所定の値D1に近づけるように制御し併せて表示素子に対応した映像信号の値を制御する上記[4]に記載の表示装置。
[6]
電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子が行方向と列方向とに2次元マトリクス状に配列されて成る表示部、
表示素子の各行に対応して配された給電線に表示素子を駆動するための駆動電圧を供給する電源部、
表示素子の各列に対応して配されたデータ線に映像信号に応じた映像信号電圧を供給する信号出力部、及び、
表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比と表示素子に対応した映像信号の値とを制御する制御部、
を備えた表示装置を用いて、
表示すべき画像の入力信号に基づいて行方向に並ぶ表示素子に対応した入力信号における最大階調値を検出する工程、
検出結果に基づいて、表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比を制御する工程、及び、
駆動電圧のデューティ比と入力信号とに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号の値を制御する工程、
を行う表示装置の駆動方法。
[7]
駆動電圧のデューティ比の値と入力信号の値とに対応した映像信号の値を、発光部が発光を開始するまでの期間の長さが発光部に流される電流の値によって変化することによる影響を補償するように設定する上記[7]に記載の表示装置の駆動方法。
[8]
制御部は、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号の値とに対応した映像信号の値を格納した映像信号値テーブル格納部を備えている上記[6]または[7]に記載の表示装置の駆動方法。
[9]
制御部は、駆動電圧のデューティ比を、最大階調値が所定の基準値以下の場合には所定の値D1に設定し、最大階調値が所定の基準値を超える場合には値D1よりも大きい所定の値D2に設定する上記[6]ないし[8]のいずれかに記載の表示装置の駆動方法。
[10]
最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺が最大階調値が所定の基準値を超えない行で占められている場合に、制御部は、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺行における駆動電圧のデューティ比を最大階調値が所定の基準値を超える行に近づくほど所定の値D1に近づけるように制御し併せて表示素子に対応した映像信号の値を制御する上記[9]に記載の表示装置の駆動方法。
1・・・表示装置、10・・・表示素子、11・・・駆動回路、20・・・表示部、21・・・支持体、22・・・基板、31・・・ゲート電極、32・・・ゲート絶縁層、33・・・半導体層、34・・・チャネル形成領域、35,35・・・ソース/ドレイン領域、36・・・他方の電極、37・・・一方の電極、38,39・・・配線、40・・・層間絶縁層、51・・・アノード電極、52・・・正孔輸送層、発光層及び電子輸送層、53・・・カソード電極、54・・・第2層間絶縁層、55,56・・・コンタクトホール、100・・・電源部、101・・・走査回路、102・・・信号出力部、103・・・第1ノード初期化回路、110・・・制御部、111・・・ラインバッファ部、112・・・最大階調値検出部、113・・・デューティ比設定部、114・・・映像信号値設定部、115・・・映像信号値テーブル格納部、210・・・制御部、211・・・フレームバッファ部、212・・・各行最大階調値検出部、213・・・各行デューティ比設定部、214・・・映像信号値設定部、215・・・映像信号値テーブル格納部、SCL・・・走査線、DTL・・・データ線、PS1・・・給電線(第1の給電線)、PS2・・・第2の給電線、AZ・・・第1ノード初期化制御線、TRW・・・書込みトランジスタ、TRD・・・駆動トランジスタ、TRND1・・・第1ノード初期化トランジスタ、C1・・・容量部、ELP・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部、CEL・・・発光部ELPの容量、ND1・・・第1ノード、ND2・・・第2ノード

Claims (6)

  1. 電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子が行方向と列方向とに2次元マトリクス状に配列されて成る表示部、
    表示素子の各行に対応して配された給電線に表示素子を駆動するための駆動電圧を供給する電源部、
    表示素子の各列に対応して配されたデータ線に映像信号の値に応じた映像信号電圧を供給する信号出力部、及び、
    表示すべき画像の入力信号に基づいて行方向に並ぶ表示素子に対応した入力信号における最大階調値を検出し、検出結果に基づいて、表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比を制御すると共に、駆動電圧のデューティ比と入力信号とに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号の値を制御する制御部、
    を備えている表示装置。
  2. 駆動電圧のデューティ比の値と入力信号の値とに対応した映像信号の値は、発光部が発光を開始するまでの期間の長さが発光部に流される電流の値によって変化することによる影響を補償するように設定されている請求項1に記載の表示装置。
  3. 制御部は、駆動電圧のデューティ比の値と入力信号の値とに対応した映像信号の値を格納した映像信号値テーブル格納部を備えている請求項1に記載の表示装置。
  4. 制御部は、駆動電圧のデューティ比を、最大階調値が所定の基準値以下の場合には所定の値D1に設定し、最大階調値が所定の基準値を超える場合には値D1よりも大きい所定の値D2に設定する請求項1に記載の表示装置。
  5. 最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺が最大階調値が所定の基準値を超えない行で占められている場合に、制御部は、最大階調値が所定の基準値を超える行の周辺行における駆動電圧のデューティ比を最大階調値が所定の基準値を超える行に近づくほど所定の値D1に近づけるように制御し併せて表示素子に対応した映像信号の値を制御する請求項4に記載の表示装置。
  6. 電流駆動型の発光部と発光部を駆動する駆動回路とを含む表示素子が行方向と列方向とに2次元マトリクス状に配列されて成る表示部、
    表示素子の各行に対応して配された給電線に表示素子を駆動するための駆動電圧を供給する電源部、
    表示素子の各列に対応して配されたデータ線に映像信号に応じた映像信号電圧を供給する信号出力部、及び、
    表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比と表示素子に対応した映像信号の値とを制御する制御部、
    を備えた表示装置を用いて、
    表示すべき画像の入力信号に基づいて行方向に並ぶ表示素子に対応した入力信号における最大階調値を検出する工程、
    検出結果に基づいて、表示素子に対応する給電線に供給される駆動電圧のデューティ比を制御する工程、及び、
    駆動電圧のデューティ比と入力信号とに基づいて、各行の表示素子のそれぞれに対応した映像信号の値を制御する工程、
    を行う表示装置の駆動方法。
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