JP2017065028A - 半導体装置、その製造方法、液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発熱抵抗体の酸化を抑制するための技術を提供する。
【解決手段】熱エネルギーを与えることによって液体を吐出させるための半導体装置１００は、基板１０１と、基板１０１の上にある発熱抵抗体１０３と、発熱抵抗体１０３の上にある保護層１０８、１０９と、保護層１０８，１０９と発熱抵抗体１０３との間にあり、発熱抵抗体１０３の酸化を抑制するための酸化抑制層１０７と、を備える。酸化抑制層１０７は、金属窒化物と金属フッ化物との少なくとも何れかを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、その製造方法、液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置に関する。

プリンタなどの液体吐出装置には、液体に熱エネルギーを付与するための発熱抵抗体を有する半導体装置が搭載される。特許文献１には、発熱抵抗体を液体から保護するために、シリコン酸化物やシリコン窒化物で形成された保護層によって発熱抵抗体を覆うことが記載されている。

特開２００４−５５８４５号公報

液体に熱エネルギーを与えるための半導体装置を製造する際に発熱抵抗体が露出した状態でプラズマ処理を行うと、発熱抵抗体が酸化してしまう。また、半導体装置の動作時に発熱抵抗体が加熱されると、発熱抵抗体を覆う保護層に含まれる酸素や発熱抵抗体の表面に残留した酸素によって、発熱抵抗体が酸化してしまう。発熱抵抗体が酸化すると、発熱抵抗体の抵抗値が変化し、インク吐出性能が低下する。本発明は、発熱抵抗体の酸化を抑制するための技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、熱エネルギーを与えることによって液体を吐出させるための半導体装置であって、基板と、前記基板の上にある発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体の上にある保護層と、前記保護層と前記発熱抵抗体との間にあり、前記発熱抵抗体の酸化を抑制するための酸化抑制層と、を備え、前記酸化抑制層は、金属窒化物と金属フッ化物との少なくとも何れかを含むことを特徴とする半導体装置が提供される。

上記手段により、発熱抵抗体の酸化を抑制するための技術が提供される。

本発明の一部の実施形態の半導体装置及びその製造方法を説明する図。 図１の半導体装置の別の製造方法を説明する図。 本発明の別の実施形態の半導体装置及びその製造方法を説明する図。 本発明の様々な実施形態を説明する図。

添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。本発明の一部の実施形態に係る半導体装置は、熱エネルギーを与えることによって液体を吐出させるための複数の吐出素子を備える。この半導体装置は、例えば液体吐出ヘッドの回路基板として用いられうる。

＜第１実施形態の変形例＞
図１を参照して、第１実施形態に係る半導体装置１００の構成及びその製造方法を説明する。図１（ａ１）〜（ｆ１）は１つの吐出素子に着目して半導体装置１００の製造方法の各工程を説明する平面図であり、図１（ａ２）〜（ｆ２）は、図１（ａ１）〜（ｆ１）に対応するＡＡ線断面図である。

図１（ｆ１）及び（ｆ２）を参照して、半導体装置１００の構成を説明する。半導体装置１００は、半導体基板１０１、層間絶縁層１０２、発熱抵抗体１０３、配線部材１０４´、酸化抑制層１０７、保護層１０８及び保護層１０９を備える。半導体基板１０１は例えばシリコン基板である。層間絶縁層１０２は半導体基板１０１の上に位置する。層間絶縁層１０２の下面は半導体基板１０１の上面に接している。層間絶縁層１０２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）等の絶縁体で形成される。

発熱抵抗体１０３は層間絶縁層１０２の上に位置する。したがって、発熱抵抗体１０３は半導体基板１０１の上にも位置する。発熱抵抗体１０３の下面は層間絶縁層１０２の上面に接している。発熱抵抗体１０３は層間絶縁層１０２の一部を覆い、他の一部を覆っていない。発熱抵抗体１０３は導電材料で形成され、例えばタンタル又はタングステン等の金属元素を含む窒化タンタルシリコン（ＴａＳｉＮ）、窒化タングステンシリコン（ＷＳiＮ）などで形成される。

配線部材１０４´は発熱抵抗体１０３の上に位置する。配線部材１０４´の下面は発熱抵抗体１０３の上面に接している。配線部材１０４´は、発熱抵抗体１０３の一部を覆い、他の一部を覆っていない。具体的に、配線部材１０４´は、発熱抵抗体１０３の中央部分を覆っておらず、この中央部分の両側に位置する部分を覆う。配線部材１０４´は導電材料で形成され、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属元素を含む導電材料で形成される。発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´で覆われていない部分が吐出素子として機能する。半導体装置１００の動作時に、配線部材１０４´を通じて発熱抵抗体１０３に電流が流れることによって発熱抵抗体１０３が加熱され、それによって生じた熱エネルギーが液体に与えられる。発熱抵抗体１０３の抵抗値は配線部材１０４´の抵抗値よりも高い。

酸化抑制層１０７は発熱抵抗体１０３の上に位置する。本実施形態では、酸化抑制層１０７は、発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´で覆われていない部分を覆い、発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´で覆われている部分を覆っていない。酸化抑制層１０７の下面は、発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´で覆われていない部分の上面に接している。さらに、酸化抑制層１０７の下面は、この部分の上面全体に接している。発熱抵抗体１０３と配線部材１０４´との間に酸化抑制層１０７が存在しないので、発熱抵抗体１０３と配線部材１０４´との接触抵抗が低減される。

酸化抑制層１０７は、酸化が生じる材料で発熱抵抗体１０３が形成された場合であっても、発熱抵抗体１０３の酸化を抑制する。例えば、酸化抑制層１０７は、保護層１０８からの酸素による発熱抵抗体１０３の酸化や、半導体装置１００の製造中に発熱抵抗体１０３の上面に残存した酸素による発熱抵抗体１０３の酸化を抑制する。酸化抑制層１０７は、酸素の拡散を抑制する機能を有する材料、例えば金属窒化物又は金属フッ化物で形成される。金属窒化物の例として、窒化タングステン、窒化タンタルなどがある。金属フッ化物の例として、フッ化タングステン、フッ化タンタルなどがある。

保護層１０８は、層間絶縁層１０２、配線部材１０４´及び酸化抑制層１０７の上に位置する。保護層１０８の下面は、これらの部材の上面に接している。保護層１０８は、例えば窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁体で形成される。保護層１０９は、保護層１０８の上に位置する。保護層１０９は、発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´で覆われていない部分とその周辺とを覆う。保護層１０８は、例えばタンタルなどの耐衝撃性に優れた材料で形成される。

続いて、半導体装置１００の製造方法について説明する。まず、図１（ａ１）及び（ａ２）に示すように、半導体基板１０１の上に、層間絶縁層１０２、発熱抵抗体１０３、導電膜１０４及びレジストパターン１０５をこの順に形成する。半導体基板１０１は例えばシリコン基板である。層間絶縁層１０２は、例えば酸化シリコン層であり、熱酸化やＣＶＤ法などによって形成される。発熱抵抗体１０３は、例えば窒化タンタルシリコンや窒化タングステンシリコンなどの導電材料で形成される。導電膜１０４は、例えばアルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）や、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）などの導電材料で形成される。レジストパターン１０５は、導電膜１０４の上に塗布されたフォトレジストを露光・現像することによって形成される。レジストパターン１０５は、導電膜１０４のうち除去されるべきでない部分を覆い、導電膜１０４のうち除去されるべき部分（発熱抵抗体１０３を露出させる部分）を覆わない。

次に、図１（ｂ１）及び（ｂ２）に示すように、レジストパターン１０５を用いて導電膜１０４をエッチングすることによって発熱抵抗体１０３の上面の一部を露出させ、その後にレジストパターン１０５を除去する。導電膜１０４のうちエッチングによって形成された側壁１０４ａはテーパー形状を有する。導電膜１０４のエッチングは、ドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。ウェットエッチングを用いた場合に、発熱抵抗体１０３がプラズマによるダメージを受けることを抑制できる。また、レジストパターン１０５の除去は、ドライプロセスで行われてもよいし、ウェットプロセスで行われてもよい。ウェットプロセスを用いた場合に、発熱抵抗体１０３がプラズマによるダメージを受けることを抑制できる。

次に、図１（ｃ１）及び（ｃ２）に示すように、発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４の上にレジストパターン１０６を形成する。レジストパターン１０６は、発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４の上に塗布されたフォトレジストを露光・現像することによって形成される。レジストパターン１０６は、発熱抵抗体１０３のうち導電膜１０４に覆われてない部分と、導電膜１０４のうち除去されるべきでない部分（配線部材１０４´となる部分）とを覆い、導電膜１０４のうち除去されるべき部分を覆わない。

次に、図１（ｄ１）及び（ｄ２）に示すように、レジストパターン１０６を用いて発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４をエッチングすることによって層間絶縁層１０２の上面の一部を露出させる。このエッチングは、ドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。このエッチング中に、発熱抵抗体１０３のうち導電膜１０４に覆われてない部分は、レジストパターン１０６で覆われたままである。そのため、発熱抵抗体１０３の上面はエッチングの影響を受けない。以上の２回のエッチングによって、発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４が半導体装置１００で用いられる形状に成形される。導電膜１０４のうち残った部分が配線部材１０４´となる。

次に、図１（ｅ１）及び（ｅ２）に示すように、レジストパターン１０６を除去する。レジストパターン１０６の除去は、フッ素を含むガス雰囲気におけるプラズマ処理によるアッシングで行ってもよい。プラズマ処理によるアッシングを行うことによって、ドライエッチングによるダメージでレジストパターン１０６が硬化した場合であっても、レジストパターン１０６を除去できる。このようなアッシングを行うことによって、レジストパターン１０６が除去された後に、発熱抵抗体１０３に含まれる金属元素とガス雰囲気中のフッ素とが反応する。その結果、発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´に覆われてない部分に金属フッ化物からなる酸化抑制層１０７が形成される。具体的に、発熱抵抗体１０３がタンタルを含む窒化タンタルシリコンである場合に、酸化抑制層１０７としてフッ化タンタル層が形成される。発熱抵抗体１０３がタングステンを含む窒化タングステンシリコンである場合に、酸化抑制層１０７としてフッ化タングステン層が形成される。

プラズマ処理に用いられるガス雰囲気は、フッ素の代わりに窒素を含んでもよい。この場合に、レジストパターン１０６が除去された後に、発熱抵抗体１０３に含まれる金属元素とガス雰囲気中の窒素とが反応する。その結果、発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´に覆われてない部分に金属窒化物からなる酸化抑制層１０７が形成される。具体的に、発熱抵抗体１０３がタンタルを含む窒化タンタルシリコンである場合に、酸化抑制層１０７として窒化タンタル層が形成される。発熱抵抗体１０３がタングステンを含む窒化タングステンシリコンである場合に、酸化抑制層１０７として窒化タングステン層が形成される。

さらに、プラズマ処理に用いられるガス雰囲気は、フッ素と窒素との両方を含んでもよい。この場合に、酸化抑制層１０７は、金属窒化物と金属フッ化物との両方を含む。

上述の例では、レジストパターン１０６の除去と酸化抑制層１０７の形成とを同じプラズマ処理によって行う場合を説明した。これに代えて、フッ素又は窒素の何れも含まないガス雰囲気でプラズマアッシング処理を行うことによってレジストパターン１０６を除去した後に、フッ素又は窒素を含むガス雰囲気でプラズマ処理を行うことによって酸化抑制層１０７を形成してもよい。

次に、図１（ｆ１）及び（ｆ２）に示すように、層間絶縁層１０２、配線部材１０４´及び酸化抑制層１０７の上に保護層１０８を形成し、保護層１０８の上に保護層１０９を形成する。保護層１０８は、例えば窒化シリコン層であり、例えばＣＶＤ法によって形成される。保護層１０９は例えばタンタル層であり、タンタル膜をスパッタリング法によって成膜した後にパターニングすることによって形成される。その後、既存の必要な処理を行うことによって、半導体装置１００が完成される。

＜第１実施形態の変形例＞
続いて、図２を参照して、半導体装置１００の別の製造方法について説明する。図２（ａ１）〜（ｆ１）は１つの吐出素子に着目して半導体装置１００の製造方法の各工程を説明する平面図であり、図２（ａ２）〜（ｆ２）は、図２（ａ１）〜（ｆ１）に対応するＢＢ線断面図である。以下では図１の製造方法との相違点を主に説明し、重複する説明を省略する。図２の製造方法では、発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４に対する２回のエッチングの順番が図１の製造方法とは異なる。

まず、図２（ａ１）及び（ａ２）に示すように、半導体基板１０１の上に、層間絶縁層１０２、発熱抵抗体１０３、導電膜１０４及びレジストパターン２０１をこの順に形成する。レジストパターン２０１は、発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４のうち除去されるべきでない部分を覆い、発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４のうち除去されるべき部分を覆わない。レジストパターン２０１は、導電膜１０４の上に塗布されたフォトレジストを露光・現像することによって形成される。

次に、図２（ｂ１）及び（ｂ２）に示すように、レジストパターン２０１を用いて発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４をエッチングすることによって層間絶縁層１０２の上面の一部を露出させる。このエッチングは、ドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。このエッチング中に、発熱抵抗体１０３のうち除去されるべきでない部分は、導電膜１０４で覆われたままである。そのため、発熱抵抗体１０３の上面はエッチングの影響を受けない。

次に、図２（ｃ１）及び（ｃ２）に示すように、レジストパターン２０１を除去し、その後に層間絶縁層１０２及び導電膜１０４の上にレジストパターン２０２を形成する。レジストパターン２０１の除去は、ドライプロセスで行われてもよいし、ウェットプロセスで行われてもよい。いずれにせよ、発熱抵抗体１０３の上面は導電膜１０４で覆われたままであるので、発熱抵抗体１０３の上面は除去プロセスの影響を受けない。レジストパターン２０２は、層間絶縁層１０２及び導電膜１０４の上に塗布されたフォトレジストを露光・現像することによって形成される。レジストパターン２０２は、導電膜１０４のうち除去されるべきでない部分を覆い、導電膜１０４のうち除去されるべき部分を覆わない。また、レジストパターン２０２は、層間絶縁層１０２の上面全体を覆ってもよいし、図２（ｃ１）に示すように、層間絶縁層１０２の上面のうち導電膜１０４の付近の部分を覆わなくてもよい。

次に、図２（ｄ１）及び（ｄ２）に示すように、レジストパターン２０２を用いて導電膜１０４をエッチングすることによって発熱抵抗体１０３の上面の一部を露出させ、その後にレジストパターン２０２を除去する。導電膜１０４のうちエッチングによって形成された側壁１０４ｂはテーパー形状を有する。導電膜１０４のうち残った部分が配線部材１０４´となる。

導電膜１０４のエッチングは、ドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。ウェットエッチングを用いた場合に、発熱抵抗体１０３がプラズマダメージを受けることを抑制できる。また、レジストパターン２０２の除去は、ドライプロセスで行われてもよいし、ウェットプロセスで行われてもよい。ウェットプロセスを用いた場合に、発熱抵抗体１０３がプラズマによるダメージを受けることを抑制できる。

次に、図２（ｅ１）及び（ｅ２）に示すように、発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´に覆われてない部分に対してフッ素又は窒素を含むガス雰囲気におけるプラズマ処理によるアッシングを行うことによって、この部分の表面に酸化抑制層１０７を形成する。酸化抑制層１０７の形成については図１の製造方法の場合と同様であるので、重複する説明を省略する。

次に、図２（ｆ１）及び（ｆ２）に示すように、層間絶縁層１０２、配線部材１０４´及び酸化抑制層１０７の上に保護層１０８を形成し、保護層１０８の上に保護層１０９を形成する。その後、既存の必要な処理を行うことによって、半導体装置１００が完成される。

＜第２実施形態＞
図３を参照して、第２実施形態に係る半導体装置３００の構成及びその製造方法を説明する。図３（ａ１）〜（ｅ１）は１つの吐出素子に着目して半導体装置３００の製造方法の各工程を説明する平面図であり、図３（ａ２）〜（ｅ２）は、図３（ａ１）〜（ｅ１）に対応するＣＣ線断面図である。

半導体装置３００は、酸化抑制層１０７の代わりに酸化抑制層３０１を備える点で半導体装置１００と異なり、他の点は同様であってもよい。酸化抑制層１０７と酸化抑制層３０１とは半導体装置１００における位置が異なり、材料や機能などのその他の点は同様であってもよい。酸化抑制層３０１は、発熱抵抗体１０３の上面全体を覆う。したがって、酸化抑制層３０１は、発熱抵抗体１０３のうち配線部材１０４´で覆われていない部分だけでなく、発熱抵抗体１０３と配線部材１０４´との間にも位置する。

続いて、半導体装置３００の製造方法について説明する。以下では図１の製造方法との相違点を主に説明し、重複する説明を省略する。図３の製造方法では、酸化抑制層３０１を形成するタイミングが図１の製造方法とは異なる。まず、図３（ａ１）及び（ａ２）に示すように、半導体基板１０１の上に、層間絶縁層１０２、発熱抵抗体１０３、酸化抑制層３０１、導電膜１０４及びレジストパターン１０５をこの順に形成する。酸化抑制層３０１は、発熱抵抗体１０３に対してフッ素又は窒素を含むガス雰囲気におけるプラズマアッシング処理を行うことによって形成される。酸化抑制層３０１の形成は図１の製造方法の酸化抑制層１０７の形成と同様にして行われてもよい。これに代えて、スパッタリングによって金属フッ化物又は金属窒化物を成膜することによって酸化抑制層３０１を形成してもよい。

次に、図３（ｂ１）及び（ｂ２）に示すように、レジストパターン１０５を用いて導電膜１０４をエッチングすることによって酸化抑制層３０１の上面の一部を露出させ、その後にレジストパターン１０５を除去する。導電膜１０４のうちエッチングによって形成された側壁１０４ａはテーパー形状を有する。

導電膜１０４のエッチングは、ドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。ウェットエッチングを用いた場合に、酸化抑制層３０１がプラズマによるダメージを受けることを抑制できる。また、レジストパターン１０５の除去は、ドライプロセスで行われてもよいし、ウェットプロセスで行われてもよい。ウェットプロセスを用いた場合に、酸化抑制層３０１がプラズマによるダメージを受けることを抑制できる。

次に、図３（ｃ１）及び（ｃ２）に示すように、酸化抑制層３０１及び導電膜１０４の上にレジストパターン１０６を形成する。レジストパターン１０６は、酸化抑制層３０１及び導電膜１０４の上に塗布されたフォトレジストを露光・現像することによって形成される。レジストパターン１０６は、酸化抑制層３０１のうち導電膜１０４に覆われてない部分と、導電膜１０４のうち除去されるべきでない部分とを覆い、導電膜１０４のうち除去されるべき部分を覆わない。

次に、図３（ｄ１）及び（ｄ２）に示すように、レジストパターン１０６を用いて発熱抵抗体１０３、酸化抑制層３０１及び導電膜１０４をエッチングすることによって層間絶縁層１０２の上面の一部を露出させ、その後にレジストパターン１０６を除去する。このエッチングは、ドライエッチングであってもよいし、ウェットエッチングであってもよい。このエッチング中に、発熱抵抗体１０３は、酸化抑制層３０１で覆われたままである。以上の２回のエッチングによって、発熱抵抗体１０３及び導電膜１０４が半導体装置１００で用いられる形状に成形される。導電膜１０４のうち残った部分が配線部材１０４´となる。レジストパターン１０６の除去は、ドライプロセスで行われてもよいし、ウェットプロセスで行われてもよい。

次に、図３（ｅ１）及び（ｅ２）に示すように、層間絶縁層１０２、配線部材１０４´及び酸化抑制層３０１の上に保護層１０８を形成し、保護層１０８の上に保護層１０９を形成する。その後、既存の必要な処理を行うことによって、半導体装置３００が完成される。

続いて、その他の実施形態として、図４を参照しつつ、上記の実施形態で説明された半導体装置を利用した液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置を以下に説明する。図４（ａ）は、いずれかの実施形態で説明された半導体装置を基体６０１として有する記録ヘッド６００の主要部を液体吐出ヘッドの一例として示す。図４（ａ）では、上述の実施形態の発熱抵抗体１０３が発熱部６０２として描かれている。また、説明のために天板６０３の一部が切り取られている。図４（ａ）に示されるように、複数の吐出口６０４に連通した液路６０５を形成するための流路壁部材６０６とインク供給口６０７を有する天板６０３とを基体６０１に組み合わせることにより、記録ヘッド６００が構成されうる。この場合に、インク供給口６０７から注入されるインクが内部の共通液室６０８へ蓄えられて各液路６０５へ供給され、その状態で基体６０１が駆動されることで、吐出口６０４からインクが吐出される。

図４（ｂ）は液体吐出カートリッジの一例であるインクジェット用のカートリッジ６１０の全体構成を説明する図である。カートリッジ６１０は、上述した複数の吐出口６０４を有する記録ヘッド６００と、この記録ヘッド６００に供給するためのインクを収容するインク容器６１１とを備えている。液体容器であるインク容器６１１は、境界線Ｋを境に記録ヘッド６００に着脱可能に設けられている。カートリッジ６１０には、図４（ｃ）に示される記録装置に搭載された場合にキャリッジ側からの駆動信号を受け取るための電気的コンタクト（不図示）が設けられており、この駆動信号によって発熱部６０２が駆動される。インク容器６１１の内部には、インクを保持するために繊維質状又は多孔質状のインク吸収体が設けられており、これらのインク吸収体によってインクが保持されている。

図４（ｃ）は液体吐出装置の一例であるインクジェット記録装置７００の外観斜視図を示す。インクジェット記録装置７００は、カートリッジ６１０を搭載し、カートリッジ６１０へ付与される信号を制御することにより、高速記録、高画質記録を実現しうる。インクジェット記録装置７００において、カートリッジ６１０は、駆動モータ７０１の正逆回転に連動して駆動力伝達ギア７０２、７０３を介して回転するリードスクリュー７０４の螺旋溝７２１に対して係合するキャリッジ７２０上に搭載されている。カートリッジ６１０は駆動モータ７０１の駆動力によってキャリッジ７２０と共にガイド７１９に沿って矢印ａ又はｂ方向に往復移動可能である。不図示の記録媒体給送装置によってプラテン７０６上に搬送される記録用紙Ｐ用の紙押え板７０５は、キャリッジ移動方向に沿って記録用紙Ｐをプラテン７０６に対して押圧する。フォトカプラ７０７、７０８は、キャリッジ７２０に設けられたレバー７０９のフォトカプラ７０７、７０８が設けられた領域での存在を確認して駆動モータ７０１の回転方向の切換等を行うためにホームポジションの検知を行う。支持部材７１０はカートリッジ６１０の全面をキャップするキャップ部材７１１を支持し、吸引部７１２はキャップ部材７１１内を吸引し、キャップ内開口を介してカートリッジ６１０の吸引回復を行う。移動部材７１５は、クリーニングブレード７１４を前後方向に移動可能にし、クリーニングブレード７１４及び移動部材７１５は、本体支持板７１６に支持されている。クリーニングブレード７１４は、図示の形態でなく周知のクリーニングブレードが本実施形態にも適用できる。また、レバー７１７は、吸引回復の吸引を開始するために設けられ、キャリッジ７２０と係合するカム７１８の移動に伴って移動し、駆動モータ７０１からの駆動力がクラッチ切換等の公知の伝達手法で移動制御される。カートリッジ６１０に設けられた発熱部６０２に信号を付与し、駆動モータ７０１等の各機構の駆動制御を司る記録制御部（不図示）は、装置本体側に設けられている。

次に、図４（ｄ）に示されるブロック図を用いてインクジェット記録装置７００の記録制御を実行するための制御回路の構成について説明する。制御回路は、記録信号が入力するインタフェース８００、ＭＰＵ（マイクロプロセッサ）８０１、ＭＰＵ８０１が実行する制御プログラムを格納するプログラムＲＯＭ８０２を備えている。制御回路は更に、各種データ（上記記録信号やヘッドに供給される記録データ等）を保存しておくダイナミック型のＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）８０３と、記録ヘッド８０８に対する記録データの供給制御を行うゲートアレイ８０４とを備えている。ゲートアレイ８０４は、インタフェース８００、ＭＰＵ８０１、ＲＡＭ８０３間のデータ転送制御も行う。さらにこの制御回路は、記録ヘッド８０８を搬送するためのキャリアモータ８１０と、記録紙搬送のための搬送モータ８０９とを備えている。この制御回路はさらに、記録ヘッド８０８を駆動するヘッドドライバ８０５、搬送モータ８０９及びキャリアモータ８１０をそれぞれ駆動するためのモータドライバ８０６、８０７とを備えている。上記制御構成の動作を説明すると、インタフェース８００に記録信号が入るとゲートアレイ８０４とＭＰＵ８０１との間で記録信号がプリント用の記録データに変換される。そして、モータドライバ８０６、８０７が駆動されるとともに、ヘッドドライバ８０５に送られた記録データに従って記録ヘッドが駆動され、印字が行われる。

１００ 半導体装置、１０１ 半導体基板、１０３ 発熱抵抗体、１０４´ 配線部材、１０７ 酸化抑制層、１０８、１０９ 保護層

Claims (16)

1. 熱エネルギーを与えることによって液体を吐出させるための半導体装置であって、
   基板と、
   前記基板の上にある発熱抵抗体と、
   前記発熱抵抗体の上にある保護層と、
   前記保護層と前記発熱抵抗体との間にあり、前記発熱抵抗体の酸化を抑制するための酸化抑制層と、を備え、
   前記酸化抑制層は、金属窒化物と金属フッ化物との少なくとも何れかを含むことを特徴とする半導体装置。
2. 前記発熱抵抗体と前記保護層との間に、前記発熱抵抗体の第１部分を覆っており、前記発熱抵抗体の第２部分を覆っていない配線部材を更に有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記酸化抑制層は、前記発熱抵抗体の前記第２部分に接していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記配線部材は、前記発熱抵抗体の前記第１部分に接していることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
5. 前記酸化抑制層は、前記発熱抵抗体の前記第１部分と前記配線部材との間にさらに位置することを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
6. 前記発熱抵抗体は、タンタルを含み、
   前記酸化抑制層は、窒化タンタルとフッ化タンタルとの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の半導体装置。
7. 前記発熱抵抗体は、窒化タンタルシリコンを含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記発熱抵抗体は、タングステンを含み、
   前記酸化抑制層は、窒化タングステンとフッ化タングステンとの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の半導体装置。
9. 前記発熱抵抗体は、窒化タングステンシリコンを含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
10. 熱エネルギーを与えることによって液体を吐出させるための半導体装置であって、
    基板と、
    前記基板の上にあり、タンタルを含む発熱抵抗体と、
    前記発熱抵抗体の上にある保護層と、
    前記保護層と前記発熱抵抗体との間にあり、フッ化タンタルと窒化タンタルとの少なくとも何れかを含む層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置と、前記半導体装置によって液体の吐出が制御される吐出口とを備えることを特徴とする液体吐出ヘッド。
12. 請求項１１に記載の液体吐出ヘッドとインクを収容する液体容器とを備えることを特徴とする液体吐出カートリッジ。
13. 請求項１１に記載の液体吐出ヘッドと、前記液体吐出ヘッドに液体を吐出させるための駆動信号を供給する供給手段とを有することを特徴とする液体吐出装置。
14. 液体に熱エネルギーを与えることによって吐出させるための半導体装置の製造方法であって、
    基板の上にある発熱抵抗体を形成する形成工程と、
    前記発熱抵抗体の上に酸化抑制層を形成する工程と、
    前記酸化抑制層の上に保護層を形成する工程と、を有し、
    前記酸化抑制層は、金属窒化物と金属フッ化物との少なくとも何れかを含み、
    前記酸化抑制層を形成する工程は、フッ素又は窒素を含むガス雰囲気において前記発熱抵抗体に対してプラズマ処理を行うことを含むことを特徴とする製造方法。
15. 液体に熱エネルギーを与えることによって吐出させるための半導体装置の製造方法であって、
    基板の上にある発熱抵抗体を形成する形成工程と、
    前記発熱抵抗体の上に保護層を形成する工程と、
    前記発熱抵抗体の上に導電膜を形成する工程と、
    前記発熱抵抗体の一部を露出するように、第１レジストパターンを用いて前記導電膜の一部をエッチングする工程と、
    前記第１レジストパターンを除去する工程と、
    前記第１レジストパターンを除去した後に、前記発熱抵抗体の前記一部を覆う第２レジストパターンを用いて前記導電膜の他の一部をエッチングする工程と、
    前記第２レジストパターンを除去する工程と、を含み、
    前記第１レジストパターンの除去は、ウェットプロセスによって行われ、
    前記第２レジストパターンの除去は、フッ素又は窒素を含むガス雰囲気におけるプラズマ処理によって行われ、当該プラズマ処理によって前記発熱抵抗体の一部がフッ化又は窒化することを特徴とする製造方法。
16. 前記発熱抵抗体の上に前記酸化抑制層を形成する工程と、
    前記酸化抑制層の上に導電膜を形成する工程と、
    前記導電膜の一部をエッチングする工程と、を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の製造方法。