JP2017059597A - Chip resistor - Google Patents

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Yasuhiro Kamijo
泰弘 上條
裕哉 井口
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裕哉 井口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip resistor for uniformly dispersing heat generation from a resistor while securing an electrode area of an electrode for wire bonding connection.SOLUTION: A first square surface electrode 11 (electrode 4 for wire bonding) is disposed in the almost central part on the upper surface of an insulating substrate 10, a second surface electrode 12 is formed so as to surround the first surface electrode 11 while being separated from the first surface electrode 11 by a predetermined distance, and a resistor 5 is formed between these first surface electrode 11 and the second surface electrode 12. Furthermore, a side electrode 20 connected to a back electrode 25 is formed on each side surface of the insulating substrate 10. As a result, an electrode area can be widely secured on the surface of the insulating substrate 10, current uniformly flows in the entire resistor 5, and a current path is dispersed.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、ワイヤボンディング接続用の電極を有するチップ抵抗器に関する。   The present invention relates to a chip resistor having an electrode for wire bonding connection.

各種電子部品を搭載した電子機器の小型化によって機器内での部品の実装密度が上がり、回路基板上において、部品接続のための導体パターンであるパッドやランドの形成が困難になる場合がある。そこで、抵抗素子にワイヤボンディング用の電極を設けて、その抵抗素子と回路基板上の配線とをワイヤボンディングにより電気的に接続することが従来より行われている。   The downsizing of electronic devices on which various electronic components are mounted increases the mounting density of components in the devices, and it may be difficult to form pads and lands that are conductor patterns for connecting components on a circuit board. Therefore, it has been conventionally performed to provide an electrode for wire bonding on the resistance element and to electrically connect the resistance element and the wiring on the circuit board by wire bonding.

ワイヤボンディング用の電極を有するチップ抵抗器として、例えば、特許文献1は、その図6等に示されるように下面電極60を備え、ワイヤボンディング用電極として機能する補助電極50を一対の上面電極30それぞれの上面に形成したチップ抵抗器を開示している。この特許文献1では、上面電極30間に抵抗体20が配置され、抵抗体20の端部に上面電極30の端部が重なり、抵抗体20の上面を保護膜40が覆う構成となっている。   As a chip resistor having an electrode for wire bonding, for example, Patent Document 1 includes a lower surface electrode 60 as shown in FIG. 6 and the like, and an auxiliary electrode 50 functioning as an electrode for wire bonding is used as a pair of upper surface electrodes 30. A chip resistor formed on each upper surface is disclosed. In Patent Document 1, the resistor 20 is disposed between the upper surface electrodes 30, the end of the upper surface electrode 30 overlaps with the end of the resistor 20, and the protective film 40 covers the upper surface of the resistor 20. .

また、特許文献2は、ワイヤボンディング可能な小型のチップ抵抗器を開示している。特許文献2では、チップ基体上に離間して形成された第1の電極と第2の電極との間に跨るように抵抗体(抵抗皮膜)が形成され、第1の電極上にワイヤボンディング可能な電極面積を確保して、その電極上にワイヤを架けることで電気的な接続を得ている。   Patent Document 2 discloses a small chip resistor capable of wire bonding. In Patent Document 2, a resistor (resistive film) is formed so as to straddle between a first electrode and a second electrode formed separately on a chip substrate, and wire bonding is possible on the first electrode. A large electrode area is secured, and an electrical connection is obtained by placing a wire on the electrode.

特開2006−12959号公報JP 2006-12959 A 特開平9−162002号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-162002

上述したワイヤボンディング実装による抵抗器は、ワイヤを接続するために広い電極面積を必要とするが、近年における抵抗器の小型化の要求に応えるため、限られた絶縁基板上で電極面積を広く確保すると、必然的に抵抗体の面積が狭くなる。そして、抵抗体の面積が狭くなると、抵抗体の発熱による温度上昇が大きくなり、大電力用の抵抗器へのワイヤボンディング接続の適用が困難になるという問題がある。   The above-mentioned resistors by wire bonding mounting require a wide electrode area for connecting wires, but in order to meet the recent demand for miniaturization of resistors, a wide electrode area is secured on a limited insulating substrate. Then, the area of the resistor is inevitably narrowed. When the area of the resistor is narrowed, there is a problem that the temperature rise due to heat generation of the resistor becomes large, and it becomes difficult to apply the wire bonding connection to the high-power resistor.

上述した特許文献1のチップ抵抗器の場合、一対の上面電極それぞれの上面にワイヤボンディング用電極(補助電極)が形成され、上面電極間に抵抗体を配置しているため、抵抗体の面積が圧迫されるという問題がある。その結果、抵抗体の面積を十分に確保したり、あるいは抵抗体を長く引き延ばすことができないという制約により、チップ抵抗器の高抵抗化が困難になるという問題もある。   In the case of the chip resistor of Patent Document 1 described above, the wire bonding electrode (auxiliary electrode) is formed on the upper surface of each of the pair of upper surface electrodes, and the resistor is disposed between the upper surface electrodes. There is a problem of being pressed. As a result, there is a problem that it is difficult to increase the resistance of the chip resistor due to the restriction that the area of the resistor is sufficiently secured or the resistor cannot be extended for a long time.

また、特許文献2のチップ抵抗器では、第1の電極と第2の電極とが、チップ基体の長手方向のほぼ中央から一端側に偏倚した位置で離間して相対する構成となっている。そのため、抵抗体の面積をそれほど小さくしなくても電極面積を広く確保できるが、抵抗体における発熱が基板の片側に集中し、例えば、ヒートサイクルといった熱衝撃を受けたときに応力が集中し、抵抗体または絶縁基板にクラックが発生する原因となり得る。   Further, the chip resistor disclosed in Patent Document 2 has a configuration in which the first electrode and the second electrode are spaced apart from each other at a position deviated from substantially the center in the longitudinal direction of the chip base to one end side. Therefore, it is possible to secure a wide electrode area without reducing the area of the resistor so much, but heat generation in the resistor is concentrated on one side of the substrate, for example, stress is concentrated when subjected to a thermal shock such as a heat cycle, This can cause cracks in the resistor or the insulating substrate.

本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ワイヤボンディング接続のための十分な電極面積を確保するとともに、抵抗体からの発熱を均等に分散できるチップ抵抗器を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a chip resistor that can secure a sufficient electrode area for wire bonding connection and can evenly distribute heat generated from the resistor. Is to provide a vessel.

上記の目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として以下の構成を備える。すなわち、本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板と、前記絶縁基板の表面のほぼ中央部に形成された表面電極と、前記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極と、前記絶縁基板の各側面に形成され、前記裏面電極と接続された側部電極と、前記表面電極と前記側部電極とを接続する抵抗体とを備えることを特徴とする。   The following configuration is provided as means for achieving the above object and solving the above-described problems. That is, the chip resistor of the present invention includes an insulating substrate, a surface electrode formed in a substantially central portion of the surface of the insulating substrate, a back electrode formed on the back surface of the insulating substrate, and each side surface of the insulating substrate. And a side electrode connected to the back electrode, and a resistor connecting the surface electrode and the side electrode.

例えば、前記絶縁基板の表面のうち前記表面電極を除く領域に絶縁性の保護膜を形成したことを特徴とする。   For example, an insulating protective film is formed in a region of the surface of the insulating substrate excluding the surface electrode.

また、本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板と、前記絶縁基板の表面のほぼ中央部に形成された第1表面電極と、前記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極と、前記絶縁基板の各側面に形成され、前記裏面電極と接続された側部電極と、前記側部電極と接続されるとともに、前記第1表面電極と所定距離離間しながら該第1表面電極を取り囲むように前記絶縁基板の表面周辺部に沿って形成された第2表面電極と、前記第1表面電極と前記第2表面電極とを接続する抵抗体とを備え、前記第1表面電極をワイヤボンディング接続用の電極とすることを特徴とする。   The chip resistor of the present invention includes an insulating substrate, a first surface electrode formed at a substantially central portion of the surface of the insulating substrate, a back electrode formed on the back surface of the insulating substrate, and the insulating substrate. A side electrode formed on each side surface and connected to the back surface electrode, connected to the side electrode, and insulated from the first surface electrode so as to surround the first surface electrode while being separated by a predetermined distance. A second surface electrode formed along the periphery of the surface of the substrate; and a resistor for connecting the first surface electrode and the second surface electrode, wherein the first surface electrode is an electrode for wire bonding connection. It is characterized by.

例えば、前記絶縁基板の長さ方向と幅方向において前記第1表面電極と前記第2表面電極間の最短距離がほぼ等しいことを特徴とする。例えば、前記抵抗体は、前記第1表面電極を取り囲むように形成されることを特徴とする。また、例えば、前記抵抗体は、前記第1表面電極と前記第2表面電極との間の1あるいは複数箇所に分割されて形成されることを特徴とする。さらには、例えば、前記絶縁基板の表面のうち前記第1表面電極を除く領域に絶縁性の保護膜を形成したことを特徴とする。   For example, the shortest distance between the first surface electrode and the second surface electrode is substantially equal in the length direction and the width direction of the insulating substrate. For example, the resistor is formed so as to surround the first surface electrode. Further, for example, the resistor is formed by being divided into one or a plurality of places between the first surface electrode and the second surface electrode. Furthermore, for example, an insulating protective film is formed in a region excluding the first surface electrode on the surface of the insulating substrate.

本発明によれば、ワイヤボンディング接続のための電極面積を抑え、抵抗体の面積を十分に確保しつつ、抵抗体全体に均一に電流が流れて電流経路が分散され、抵抗体からの発熱を均等に分散できるチップ抵抗器を提供することができる。   According to the present invention, while suppressing the electrode area for wire bonding connection and sufficiently securing the area of the resistor, the current flows uniformly through the entire resistor and the current path is dispersed, thereby generating heat from the resistor. Chip resistors that can be evenly distributed can be provided.

本発明の第1の実施の形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。It is a top view of the chip resistor concerning the 1st example of an embodiment of the present invention. 図1においてA−A’矢視線に沿って切断したときの断面図である。It is sectional drawing when cut | disconnecting along an A-A 'arrow line in FIG. 本実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を時系列で示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of the chip resistor which concerns on the example of this embodiment in time series. 絶縁基板の分割用の溝を示す図である。It is a figure which shows the groove | channel for a division | segmentation of an insulated substrate. 絶縁基板に第1表面電極、第2表面電極および裏面電極を形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the 1st surface electrode, the 2nd surface electrode, and the back surface electrode were formed in the insulated substrate. 絶縁基板に抵抗体を形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the resistor was formed in the insulated substrate. 絶縁基板に保護膜およびワイヤボンディング接続用電極を形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the protective film and the electrode for wire bonding connection were formed in the insulated substrate. チップ抵抗器の4側面に側部電極を形成した様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that the side part electrode was formed in 4 side surfaces of a chip resistor. 抵抗体を異なる4箇所に分割して形成した例を示す図である。It is a figure which shows the example which divided and formed the resistor in four different places. 抵抗体を異なる2箇所に分割して形成した例(その1)を示す図である。It is a figure which shows the example (the 1) formed by dividing a resistor into two different places. 抵抗体を異なる2箇所に分割して形成した例(その2)を示す図である。It is a figure which shows the example (the 2) formed by dividing a resistor into two different places. 抵抗体を異なる3箇所に分割して形成した例を示す図である。It is a figure which shows the example which divided and formed the resistor in three different places. 抵抗体を1箇所に形成した例(その1)を示す図である。It is a figure which shows the example (the 1) which formed the resistor in one place. 抵抗体を1箇所に形成した例(その2)を示す図である。It is a figure which shows the example (the 2) which formed the resistor in one place. 抵抗体を異なる2箇所に分割して形成した例(その3)を示す図である。It is a figure which shows the example (the 3) formed by dividing a resistor into two different places. 抵抗体を異なる4箇所に分割して形成した例の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the example which divided and formed the resistor in four different places.

以下、本発明に係る実施の形態例について添付図面を参照して詳細に説明する。
<第1の実施の形態例>
図1は、本発明の第1の実施の形態例に係るチップ抵抗器の平面図(上面図)であり、図2は、図1においてA−A’矢視線(一点鎖線)に沿って切断したときの断面図である。図1および図2に示すように、本実施の形態例に係るチップ抵抗器1は、全体形状が直方体でその平面形状がほぼ正方形の絶縁基板10と、絶縁基板10の上面のほぼ中央部に形成された第1表面電極11と、絶縁基板10の上面端部(周辺部)に沿って、第1表面電極11と所定距離だけ離間しながら第1表面電極11を取り囲むように形成された第2表面電極12とを備える。絶縁基板10は、例えば、電気絶縁性を有するアルミナ焼結体等からなる。
Embodiments according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
<First Embodiment>
FIG. 1 is a plan view (top view) of the chip resistor according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is cut along the line AA ′ (dashed line) in FIG. It is sectional drawing when doing. As shown in FIGS. 1 and 2, the chip resistor 1 according to the present embodiment has an insulating substrate 10 whose overall shape is a rectangular parallelepiped and has a substantially square planar shape, and a substantially central portion of the upper surface of the insulating substrate 10. The first surface electrode 11 is formed and the first surface electrode 11 is formed so as to surround the first surface electrode 11 while being separated from the first surface electrode 11 by a predetermined distance along the upper surface end portion (peripheral portion) of the insulating substrate 10. 2 surface electrodes 12. The insulating substrate 10 is made of, for example, an alumina sintered body having electrical insulation.

さらに、絶縁基板10の上面であって、第1表面電極11と第2表面電極12の間隙を充填するように、例えば、酸化ルテニウム(RuO2)等からなる抵抗体5が形成されている。よって、抵抗体5と第2表面電極12は、それらを平面視した場合、第1表面電極11を囲むようにロの字形状をなしている。また、絶縁基板10の4つの側面には側部電極20が形成され、絶縁基板10の下面全体には、チップ抵抗器1を回路基板やリードフレーム等にはんだ接続するため裏面電極25が形成されている。ここでは、これら第2表面電極12と側部電極20と裏面電極25は、相互に電気的に導通状態となっている。 Further, a resistor 5 made of, for example, ruthenium oxide (RuO 2 ) is formed on the upper surface of the insulating substrate 10 so as to fill a gap between the first surface electrode 11 and the second surface electrode 12. Therefore, the resistor 5 and the second surface electrode 12 have a square shape so as to surround the first surface electrode 11 when viewed in plan. Further, side electrodes 20 are formed on the four side surfaces of the insulating substrate 10, and a back electrode 25 is formed on the entire lower surface of the insulating substrate 10 to solder-connect the chip resistor 1 to a circuit board, a lead frame, or the like. ing. Here, the second front electrode 12, the side electrode 20, and the back electrode 25 are electrically connected to each other.

なお、上記の例では絶縁基板10の上面中央部に第1表面電極11を形成し、それを取り囲むように第2表面電極12を形成して、これらの電極間に抵抗体5を形成したが、第2表面電極12を設けず、絶縁基板10の上面の第1表面電極11と、絶縁基板10の各側面に対応した4つの側部電極20とを接続するように抵抗体5を形成してもよい。   In the above example, the first surface electrode 11 is formed at the center of the upper surface of the insulating substrate 10, the second surface electrode 12 is formed so as to surround the first surface electrode 11, and the resistor 5 is formed between these electrodes. The resistor 5 is formed so as to connect the first surface electrode 11 on the upper surface of the insulating substrate 10 and the four side electrodes 20 corresponding to the respective side surfaces of the insulating substrate 10 without providing the second surface electrode 12. May be.

また、本実施の形態例に係るチップ抵抗器1では、正方形である第1表面電極11の各辺と、それに対応する第2表面電極12の各辺との距離が同一となるように形成される。すなわち、絶縁基板10の長さ方向と幅方向において第1表面電極11と第2表面電極12の対応する各辺方向における最短距離が等しい。上記のように第2表面電極12を設けない構成とした場合には、第1表面電極11の各辺から、それに対応する絶縁基板10の各辺までの最短距離が等しい。   Further, the chip resistor 1 according to the present embodiment is formed such that the distance between each side of the square first surface electrode 11 and each side of the corresponding second surface electrode 12 is the same. The That is, the shortest distances in the corresponding side directions of the first surface electrode 11 and the second surface electrode 12 are equal in the length direction and the width direction of the insulating substrate 10. When the second surface electrode 12 is not provided as described above, the shortest distance from each side of the first surface electrode 11 to each side of the insulating substrate 10 corresponding thereto is equal.

本実施の形態例に係るチップ抵抗器では、図2に示すように、第1表面電極11の上部に、例えば、ニッケル(Ni)系めっき、錫(Sn)系めっき、パラジウム(Pd)系めっき、あるいは金(Au)系めっきによるワイヤボンディング接続用電極4を形成する。また、抵抗体5の上部は、例えば、耐熱性のエポキシ樹脂等からなる保護膜3で覆われており、その際、保護膜3は、ワイヤボンディング接続用電極4が露出するように形成される。   In the chip resistor according to the present embodiment, as shown in FIG. 2, for example, nickel (Ni) plating, tin (Sn) plating, palladium (Pd) plating is formed on the first surface electrode 11. Alternatively, the wire bonding connection electrode 4 is formed by gold (Au) plating. The upper portion of the resistor 5 is covered with a protective film 3 made of, for example, a heat-resistant epoxy resin, and the protective film 3 is formed so that the wire bonding connection electrode 4 is exposed. .

第1表面電極11、第2表面電極12および裏面電極25は、例えば、銀(Ag)または銀(Ag)−パラジウム(Pd)ペーストを用いて形成され、側部電極20は、例えば、銀(Ag)ペーストを塗布して形成される。また、裏面電極25を、銅(Cu)または導電性接着剤を用いて形成してもよい。さらに、側部電極20と裏面電極25の全体、および第2表面電極12の一部を覆うように、例えば、ニッケル(Ni)または錫(Sn)によるめっき層9を形成してもよい。   The 1st surface electrode 11, the 2nd surface electrode 12, and the back surface electrode 25 are formed using a silver (Ag) or silver (Ag) -palladium (Pd) paste, for example, and the side electrode 20 is made of, for example, silver ( Ag) It is formed by applying a paste. Further, the back electrode 25 may be formed using copper (Cu) or a conductive adhesive. Further, for example, the plating layer 9 of nickel (Ni) or tin (Sn) may be formed so as to cover the entire side electrode 20 and the back electrode 25 and a part of the second surface electrode 12.

チップ抵抗器1を実装する際には、裏面電極25をプリント配線基板にはんだ付けするとともに、図2に示すように、ワイヤボンディング接続用電極4に金(Au)またはアルミニウム(Al)からなるワイヤ2の一端を接続し、他端をプリント配線基板の配線パターンに接続する。ワイヤの接続は、例えば、超音波溶接等によって行う。なお、図1では、ワイヤ2の図示を省略している。   When the chip resistor 1 is mounted, the back electrode 25 is soldered to the printed wiring board, and the wire bonding connection electrode 4 is made of a wire made of gold (Au) or aluminum (Al) as shown in FIG. One end of 2 is connected and the other end is connected to the wiring pattern of the printed wiring board. The connection of the wire is performed by, for example, ultrasonic welding. In addition, illustration of the wire 2 is abbreviate | omitted in FIG.

次に、本実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造プロセスについて説明する。図3は、本実施の形態例に係るチップ抵抗器の製造工程を時系列で示すフローチャートである。最初に、図3のステップS1において、チップ抵抗器の多数個取り用の大判絶縁基板を準備し、ステップS3で分割用の溝を形成する。具体的には、図4に示すように大判の絶縁基板30(例えば、アルミナ基板、セラミック基板等)の表面と裏面それぞれに、基板分割用の溝として1次分割用の溝31と2次分割用の溝33を形成する。   Next, a manufacturing process of the chip resistor according to the present embodiment will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the manufacturing process of the chip resistor according to the present embodiment in time series. First, in step S1 of FIG. 3, a large-sized insulating substrate for chip resistors is prepared, and in step S3, a dividing groove is formed. Specifically, as shown in FIG. 4, a primary division groove 31 and a secondary division are provided as a substrate division groove on each of the front and back surfaces of a large insulating substrate 30 (for example, an alumina substrate, a ceramic substrate, etc.). A groove 33 is formed.

ステップS5で、1次分割用の溝31と2次分割用の溝33とで囲まれた絶縁基板30の個々の領域に、図5(b)に示すように裏面電極25を形成するとともに、続くステップS7で、第1表面電極11および第2表面電極12を形成する(図5(a),(b)参照)。図5に示すように、第1表面電極11は、絶縁基板10の上面中央部に形成され、第2表面電極12は、絶縁基板10の上面周辺部に沿って、第1表面電極11と所定距離離間しながら、その第1表面電極11を取り囲むように形成される。このとき、図5(b)に示すように、第2表面電極12の外周端部12aと、絶縁基板10の側端部10aとが同一面となるように第2表面電極12を形成する。なお、図5(b)は、チップ抵抗器の平面図(図5(a))の水平方向の中心線に対する断面図である。   In step S5, as shown in FIG. 5B, the back surface electrode 25 is formed in each region of the insulating substrate 30 surrounded by the primary dividing groove 31 and the secondary dividing groove 33. In the subsequent step S7, the first surface electrode 11 and the second surface electrode 12 are formed (see FIGS. 5A and 5B). As shown in FIG. 5, the first surface electrode 11 is formed at the center of the upper surface of the insulating substrate 10, and the second surface electrode 12 is formed along with the first surface electrode 11 along the periphery of the upper surface of the insulating substrate 10. It is formed so as to surround the first surface electrode 11 while being separated by a distance. At this time, as shown in FIG. 5B, the second surface electrode 12 is formed so that the outer peripheral end portion 12a of the second surface electrode 12 and the side end portion 10a of the insulating substrate 10 are flush with each other. FIG. 5B is a cross-sectional view with respect to the horizontal center line of the plan view of the chip resistor (FIG. 5A).

ステップS9において、抵抗体5を形成する。具体的には、図6に示すように、第1表面電極11と第2表面電極12との間隙部分(図5(a)のロの字形状部分15)を充填し、さらに、これら第1表面電極11の外周部と第2表面電極12の内周部それぞれの端部領域を覆うように抵抗体5をスクリーン印刷し、焼成する。   In step S9, the resistor 5 is formed. Specifically, as shown in FIG. 6, the gap between the first surface electrode 11 and the second surface electrode 12 (the square-shaped portion 15 in FIG. 5A) is filled, and further, the first surface electrode 11 and the second surface electrode 12 are filled. The resistor 5 is screen-printed and fired so as to cover the end regions of the outer peripheral portion of the surface electrode 11 and the inner peripheral portion of the second surface electrode 12.

ここでは、第1表面電極11と第2表面電極12を、同一材料を用いて同一工程で形成し、その後、抵抗体5を形成するが、これに限定されず、例えば、抵抗体5を形成した後に第2表面電極12を形成するようにしてもよい。また、上記第1表面電極11、第2表面電極12および裏面電極25を同一の工程で形成してもよく、それらを形成する順序も上記に限定されない。   Here, the first surface electrode 11 and the second surface electrode 12 are formed in the same process using the same material, and then the resistor 5 is formed. However, the present invention is not limited to this. For example, the resistor 5 is formed. After that, the second surface electrode 12 may be formed. In addition, the first surface electrode 11, the second surface electrode 12, and the back electrode 25 may be formed in the same process, and the order of forming them is not limited to the above.

チップ抵抗器1の抵抗値は、例えば、第1表面電極11と第2表面電極12の幅、すなわち、これらの電極間の距離を変えることで抵抗体5の幅を調整する、あるいは抵抗体5の厚みを調整する等の方法で所望の抵抗値にする。また、必要に応じて、例えば、レーザビームやサンドブラスト等によって抵抗体5の一部に切れ込み(トリミング溝)を入れることによって抵抗値を調整する。   The resistance value of the chip resistor 1 is adjusted, for example, by changing the width of the first surface electrode 11 and the second surface electrode 12, that is, the distance between these electrodes, or adjusting the width of the resistor 5. A desired resistance value is obtained by adjusting the thickness of the film. If necessary, the resistance value is adjusted by making a cut (trimming groove) in a part of the resistor 5 with a laser beam, sandblast, or the like.

ステップS11において、図7に示すように、抵抗体5の全体および第2表面電極12の一部を覆い、かつ、第1表面電極11の一部を露出するように保護膜3を形成する。続くステップS13では、第1表面電極11の露出部分にワイヤボンディング接続用電極4を形成する(図7参照)。なお、第1表面電極11の上部にワイヤボンディング接続用電極4を形成せずに、第1表面電極11がワイヤボンディング接続用電極4を兼ねるようにしてもよい。   In step S <b> 11, as shown in FIG. 7, the protective film 3 is formed so as to cover the entire resistor 5 and a part of the second surface electrode 12 and expose a part of the first surface electrode 11. In the subsequent step S13, the wire bonding connection electrode 4 is formed on the exposed portion of the first surface electrode 11 (see FIG. 7). The first surface electrode 11 may also serve as the wire bonding connection electrode 4 without forming the wire bonding connection electrode 4 on the first surface electrode 11.

ステップS15において、大判絶縁基板30の溝31を分割ラインとする1次ブレイクを行い、大判絶縁基板30を短冊状に分割する。ステップS17では、短冊状に分割した基板を積み重ね、その両破断面(第1の側面ともいう)に、例えば樹脂銀(Ag)ペーストを塗布して乾燥(硬化)し、チップ抵抗器の4側面のうちの2つの側面に側部電極20を形成する。   In step S15, a primary break is performed with the groove 31 of the large insulating substrate 30 as a dividing line, and the large insulating substrate 30 is divided into strips. In step S17, the substrates divided into strips are stacked, and, for example, resin silver (Ag) paste is applied to both fractured surfaces (also referred to as first side surfaces) and dried (cured). Side electrodes 20 are formed on two side surfaces.

ステップS19では、短冊状に分割した絶縁基板の溝33を分割ラインとする2次ブレイクにより、チップ抵抗器を個片に分割する。そして、ステップS21で、チップ抵抗器の4側面のうち残りの2つの側面(第2の側面ともいう)に、例えば銀(Ag)ペーストを塗布して、側部電極20を形成する。その後、銀(Ag)ペーストを乾燥、焼成する。これにより、図8(a)に示すように、チップ抵抗器の4側面に側部電極20が形成される。また、図8(b)から分かるように、この側部電極20によって、第2表面電極12と裏面電極25とが電気的に導通状態となる。   In step S19, the chip resistor is divided into pieces by a secondary break with the groove 33 of the insulating substrate divided into strips as a dividing line. In step S21, for example, silver (Ag) paste is applied to the remaining two side surfaces (also referred to as second side surfaces) of the four side surfaces of the chip resistor to form the side electrodes 20. Thereafter, the silver (Ag) paste is dried and fired. Thereby, as shown in FIG. 8A, the side electrodes 20 are formed on the four side surfaces of the chip resistor. Further, as can be seen from FIG. 8B, the second electrode 20 and the back electrode 25 are electrically connected by the side electrode 20.

なお、側部電極20の形成は、上記の方法に限定されず、例えば、短冊状に分割した絶縁基板を個片に分割し、それを保持しながら、その一側面を銀(Ag)ペースト内に浸漬し、残る3つの側面についても同様に銀(Ag)ペースト内に浸漬して側部電極20を形成してもよい。また、浸漬によらず、例えば、スポンジ等に銀(Ag)ペーストを浸み込ませ、これを絶縁基板の個片の4側面それぞれに押し当てる方法を採ってもよい。   The formation of the side electrode 20 is not limited to the above-described method. For example, the insulating substrate divided into strips is divided into pieces, and one side is held in a silver (Ag) paste while holding it. The side electrodes 20 may be formed by dipping in the silver (Ag) paste in the same manner for the remaining three side surfaces. Further, for example, a method may be adopted in which a silver (Ag) paste is immersed in a sponge or the like and pressed against each of the four side surfaces of the individual pieces of the insulating substrate.

さらに、側部電極20と裏面電極25の全体、および第2表面電極12の一部を覆うように、ニッケル(Ni)または錫(Sn)等によりめっき層9を形成してもよい。めっき層9とワイヤボンディング接続用電極4は同一材料を用いて、同一工程で形成してもよい。この場合、図3におけるステップS13は省略される。一方、めっき層9とワイヤボンディング接続用電極4が異なる材料を用いて形成される場合、またはワイヤボンディング接続用電極4を形成しない場合には、めっき層9を形成する工程において、ワイヤボンディング接続用電極4または第1表面電極11にめっきが付着しないようにする。   Furthermore, the plating layer 9 may be formed of nickel (Ni), tin (Sn), or the like so as to cover the entire side electrode 20 and the back surface electrode 25 and a part of the second surface electrode 12. The plating layer 9 and the wire bonding connection electrode 4 may be formed in the same process using the same material. In this case, step S13 in FIG. 3 is omitted. On the other hand, when the plating layer 9 and the wire bonding connection electrode 4 are formed using different materials, or when the wire bonding connection electrode 4 is not formed, in the step of forming the plating layer 9, The plating is prevented from adhering to the electrode 4 or the first surface electrode 11.

以上説明したように、本実施の形態例に係るチップ抵抗器では、絶縁基板の上面のほぼ中央部に正方形のワイヤボンディング用電極を配置し、そのワイヤボンディング用電極の周囲を囲むように抵抗体を形成することで、絶縁基板表面において電極面積を広く確保することができ、信頼性の高いワイヤボンディングが可能となる。また、第1表面電極と所定距離だけ離間しながら、その第1表面電極を取り囲むように第2表面電極を形成し、これら第1表面電極と第2表面電極との間に抵抗体を形成することで、抵抗体が所定形状に規定され、抵抗値のバラツキを低減できる。   As described above, in the chip resistor according to the present embodiment, a square wire bonding electrode is arranged at substantially the center of the upper surface of the insulating substrate, and the resistor is surrounded by the wire bonding electrode. By forming, a wide electrode area can be secured on the surface of the insulating substrate, and highly reliable wire bonding is possible. Further, the second surface electrode is formed so as to surround the first surface electrode while being separated from the first surface electrode by a predetermined distance, and a resistor is formed between the first surface electrode and the second surface electrode. Thus, the resistor is defined in a predetermined shape, and variation in resistance value can be reduced.

さらに、チップ抵抗器の側部電極が絶縁基板の4つの側面に形成されているため、特にめっき層が形成されている場合には、チップ抵抗器を配線基板へ実装したとき、これら4側面にはんだフィレットが形成されるので、安定性と信頼性の高いはんだ付けができ、いわゆるマンハッタン現象(チップ立ち現象)やヒートサイクルによるクラックの発生を抑制することができる。   Further, since the side electrodes of the chip resistor are formed on the four side surfaces of the insulating substrate, particularly when the plating layer is formed, when the chip resistor is mounted on the wiring substrate, these four side surfaces are formed. Since the solder fillet is formed, it is possible to perform soldering with high stability and reliability, and to suppress the so-called Manhattan phenomenon (chip standing phenomenon) and the occurrence of cracks due to heat cycle.

また、絶縁基板上面のほぼ中央部にワイヤボンディング用電極を配置したので、実装時において方向性を考慮する必要がなくなり、チップ抵抗器としての取り扱いが容易になる。   In addition, since the wire bonding electrode is disposed almost at the center of the upper surface of the insulating substrate, it is not necessary to consider the directionality during mounting, and handling as a chip resistor is facilitated.

さらには、平面形状が正方形の絶縁基板の上面中央部に正方形の第1表面電極を形成したので、第1表面電極の各辺から、それに対応する絶縁基板の各辺に対応した側部電極までの距離が同一となる、あるいは、第2表面電極を形成した場合には、第1表面電極の各辺から、それに対向する第2表面電極の各辺までの距離が同一となる。すなわち、絶縁基板の幅方向と長さ方向において第1表面電極と第2表面電極の各辺方向における最短距離が等しいので、第1表面電極と第2表面電極との間に形成した抵抗体全体に均一に電流が流れ、電流経路が分散される。その結果、抵抗体からの発熱も分散されるため温度上昇が小さくなり、大電力用のチップ抵抗器に適した構成とすることができる。また、熱衝撃を受けたときの応力の集中が緩和されるので、抵抗体や絶縁基板へのクラックの発生を抑制できる。   Furthermore, since the square first surface electrode is formed in the center of the upper surface of the insulating substrate having a square shape, from each side of the first surface electrode to the side electrode corresponding to each side of the corresponding insulating substrate. When the second surface electrode is formed, the distance from each side of the first surface electrode to each side of the second surface electrode facing it is the same. That is, since the shortest distance in each side direction of the first surface electrode and the second surface electrode is equal in the width direction and the length direction of the insulating substrate, the entire resistor formed between the first surface electrode and the second surface electrode Current flows uniformly and current paths are dispersed. As a result, since the heat generated from the resistor is also dispersed, the temperature rise is reduced, and a configuration suitable for a chip resistor for high power can be achieved. Moreover, since the concentration of stress when subjected to thermal shock is alleviated, the occurrence of cracks in the resistor and the insulating substrate can be suppressed.

本願発明は上述した実施の形態例に限定されず、種々の変形が可能である。上記の第1の実施の形態例に係るチップ抵抗器は、全体形状が直方体で平面形状が正方形の絶縁基板の表面中央部に、正方形の表面電極を形成したが、これに限定されない。例えば、図示を省略するが、平面形状が円形(全体形状が円柱状)の絶縁基板の表面中央部に円形の表面電極を形成し、その表面電極と、絶縁基板の周側面に形成した側部電極とを抵抗体で接続する構成としてもよい。あるいは、平面形状が円形の絶縁基板の表面中央部に円形の第1表面電極を形成し、この第1表面電極と、絶縁基板の表面の周辺部に形成したリング状の第2表面電極との間に抵抗体を形成する構成としてもよい。   The present invention is not limited to the embodiment described above, and various modifications are possible. In the chip resistor according to the first embodiment described above, the square surface electrode is formed at the center of the surface of the insulating substrate whose overall shape is a rectangular parallelepiped and whose planar shape is a square, but the present invention is not limited to this. For example, although not shown, a circular surface electrode is formed at the center of the surface of an insulating substrate having a circular planar shape (the entire shape is a column), and the surface electrode and side portions formed on the peripheral side surface of the insulating substrate It is good also as a structure which connects an electrode with a resistor. Alternatively, a circular first surface electrode is formed at the center of the surface of the insulating substrate having a circular planar shape, and the first surface electrode and a ring-shaped second surface electrode formed at the periphery of the surface of the insulating substrate. It is good also as a structure which forms a resistor between.

このような構成とすることで、表面電極の周辺端から絶縁基板の周辺端(側部電極の周辺端)までの距離が全方向において同一となる。また、第2表面電極を形成した場合には、第1表面電極の周辺端と第2表面電極の周辺端との距離が同一となり、第1表面電極と第2表面電極間の全方向における最短距離が等しくなる。その結果、上記第1の実施の形態例に係るチップ抵抗器の抵抗体と比較した場合、表面電極と側部電極間、あるいは第1表面電極と第2表面電極間に形成した抵抗体全体において、より均一に電流が流れ、電流経路が分散される。   With this configuration, the distance from the peripheral edge of the surface electrode to the peripheral edge of the insulating substrate (peripheral edge of the side electrode) is the same in all directions. Further, when the second surface electrode is formed, the distance between the peripheral edge of the first surface electrode and the peripheral edge of the second surface electrode is the same, and the shortest in all directions between the first surface electrode and the second surface electrode. The distance becomes equal. As a result, when compared with the resistor of the chip resistor according to the first embodiment, in the entire resistor formed between the surface electrode and the side electrode or between the first surface electrode and the second surface electrode. , Current flows more evenly and the current path is dispersed.

<第2の実施の形態例>
上記第1の実施の形態例に係るチップ抵抗器では、絶縁基板10の上面において第1表面電極11の周囲を取り囲むように抵抗体5を形成したが、第2の実施の形態例では、絶縁基板10の上面において抵抗体を分割して形成する。以下、抵抗体を1〜4箇所に形成した例について説明する。
<Second Embodiment>
In the chip resistor according to the first embodiment, the resistor 5 is formed so as to surround the periphery of the first surface electrode 11 on the upper surface of the insulating substrate 10. The resistor is divided and formed on the upper surface of the substrate 10. Hereinafter, the example which formed the resistor in 1-4 places is demonstrated.

図9〜図15は、本発明の第2の実施の形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。これらのチップ抵抗器はいずれも、絶縁基板50の上面のほぼ中央部に第1表面電極61が形成され、絶縁基板50の上面端部(周辺部)に沿って、第1表面電極61と所定距離離間しながら第1表面電極61を取り囲むように第2表面電極62が形成されている。さらに、絶縁基板50の4つの側面に渡って側部電極80が形成されている。なお、図9〜図15では、保護膜とめっき層の図示を省略している。   9 to 15 are plan views of the chip resistor according to the second embodiment of the present invention. In each of these chip resistors, a first surface electrode 61 is formed at a substantially central portion of the upper surface of the insulating substrate 50, and the first surface electrode 61 and the predetermined surface along the upper surface end (peripheral portion) of the insulating substrate 50. A second surface electrode 62 is formed so as to surround the first surface electrode 61 while being spaced apart. Further, side electrodes 80 are formed over the four side surfaces of the insulating substrate 50. 9 to 15, the protective film and the plating layer are not shown.

図9〜図15の示すチップ抵抗器のうち、図9〜図11は、絶縁基板50の上面において、その基板平面の水平または垂直方向の中心線に対して対称となるように抵抗体を分割して形成した例である。また、図12〜図15は、抵抗体を絶縁基板50の上面の一部に偏って形成した例である。いずれのチップ抵抗器も、抵抗体を2〜4箇所に分割する場合には、各抵抗体の形状や抵抗値が同一になるように設定され、同一材料を用いて同一工程にて一括して形成する。   Among the chip resistors shown in FIGS. 9 to 15, FIGS. 9 to 11 divide the resistor on the upper surface of the insulating substrate 50 so as to be symmetric with respect to the horizontal or vertical center line of the substrate plane. This is an example formed. 12 to 15 are examples in which the resistor is formed so as to be biased to a part of the upper surface of the insulating substrate 50. When any of the chip resistors is divided into 2 to 4 locations, the shape and resistance value of each resistor are set to be the same, and the same material is used in the same process. Form.

図9に示すチップ抵抗器は、絶縁基板50の水平および垂直方向の中心線に対して対称となるように、抵抗体を異なる4箇所に分割して形成した例である。ここでは、分割した抵抗体65a〜65dそれぞれが、第1表面電極61と、それを取り囲む第2表面電極62とを跨ぐように形成されている。   The chip resistor shown in FIG. 9 is an example in which the resistor is divided into four different locations so as to be symmetric with respect to the horizontal and vertical center lines of the insulating substrate 50. Here, each of the divided resistors 65a to 65d is formed so as to straddle the first surface electrode 61 and the second surface electrode 62 surrounding it.

図10のチップ抵抗器は、絶縁基板50の垂直方向の中心線に対して対称となるように抵抗体を分割した例であり、異なる2箇所に抵抗体65e,65fが形成されている。また、図11のチップ抵抗器は、絶縁基板50の水平方向の中心線に対して対称となるように抵抗体を分割して形成した例である。図11に示す例では、異なる2箇所に形成した抵抗体65g,65hそれぞれの面積を、図9,図10の抵抗体よりも大きくして、抵抗体からの発熱を分散させている。   The chip resistor of FIG. 10 is an example in which the resistors are divided so as to be symmetric with respect to the vertical center line of the insulating substrate 50, and resistors 65e and 65f are formed at two different locations. Further, the chip resistor of FIG. 11 is an example in which the resistor is divided so as to be symmetric with respect to the horizontal center line of the insulating substrate 50. In the example shown in FIG. 11, the areas of the resistors 65g and 65h formed at two different locations are made larger than those of the resistors shown in FIGS. 9 and 10, and the heat generated from the resistors is dispersed.

一方、図12のチップ抵抗器は、抵抗体を異なる3箇所に分割して抵抗体65i〜65kとして形成した例である。また、図13、図14のチップ抵抗器は、抵抗体を1箇所に形成した例である。すなわち、図13では、第1表面電極61と第2表面電極62とを跨ぐように1個の抵抗体65lが形成されている。図14では、第1表面電極61と第2表面電極62との間にコの字形状の抵抗体65mを形成し、その抵抗体65mを大きくして発熱を分散させている。さらに、図15は、抵抗体を絶縁基板50の対角線方向の2箇所に分割して形成した例であり、ここでも、第1表面電極61と第2表面電極62間を跨ぐように抵抗体65n,65oを形成している。   On the other hand, the chip resistor of FIG. 12 is an example in which the resistor is divided into three different locations to form resistors 65i to 65k. Moreover, the chip resistor of FIG. 13, FIG. 14 is an example which formed the resistor in one place. That is, in FIG. 13, one resistor 65 l is formed so as to straddle the first surface electrode 61 and the second surface electrode 62. In FIG. 14, a U-shaped resistor 65m is formed between the first surface electrode 61 and the second surface electrode 62, and the resistor 65m is enlarged to dissipate heat. Further, FIG. 15 shows an example in which the resistor is formed by dividing the resistor into two portions in the diagonal direction of the insulating substrate 50. Here again, the resistor 65n is formed so as to straddle between the first surface electrode 61 and the second surface electrode 62. , 65o.

第2の実施の形態例に係るチップ抵抗器では、図9〜図15に示すように、抵抗体を絶縁基板上面の一部に偏って形成し、あるいは2〜4箇所に分割して形成する場合、第2表面電極62が絶縁基板50の上面端部を覆い、側部電極80が絶縁基板50の側面全体(4側面)を覆うように形成したが、これに限定されない。例えば、図16は、絶縁基板50の水平および垂直方向の中心線に対して対称となるように抵抗体を異なる4箇所に分割し、それらを抵抗体65p〜65sとして形成した例であり、ここでは、第2表面電極を絶縁基板50の4辺に対応させて4つに分け、それぞれを絶縁基板50の上面端部に形成している(第2表面電極62a〜62d)。また、側部電極についても、絶縁基板50の4つの側面それぞれに分割して側部電極80a〜80dを形成し、それらが第2表面電極62a〜62dと電気的に接続されている。   In the chip resistor according to the second embodiment, as shown in FIGS. 9 to 15, the resistor is formed so as to be biased to a part of the upper surface of the insulating substrate, or divided into 2 to 4 portions. In this case, the second surface electrode 62 covers the upper surface end of the insulating substrate 50 and the side electrode 80 covers the entire side surface (four side surfaces) of the insulating substrate 50. However, the present invention is not limited to this. For example, FIG. 16 shows an example in which the resistor is divided into four different positions so as to be symmetric with respect to the horizontal and vertical center lines of the insulating substrate 50 and formed as resistors 65p to 65s. Then, the second surface electrode is divided into four corresponding to the four sides of the insulating substrate 50, and each is formed on the upper surface end portion of the insulating substrate 50 (second surface electrodes 62a to 62d). The side electrodes are also divided into four side surfaces of the insulating substrate 50 to form side electrodes 80a to 80d, which are electrically connected to the second surface electrodes 62a to 62d.

このように第2の実施の形態例に係るチップ抵抗器によれば、絶縁基板上に抵抗体を分割して形成することで、抵抗体からの発熱を分散し、それにより温度上昇が緩和されるという効果が奏される。また、側部電極を絶縁基板の4側面各々に対応して形成することで側部電極を4側面に有することになり、実装時において、それら4面にはんだフィレットが形成される。そのため、チップ抵抗器を安定した状態で回路基板に実装でき、チップ立ち現象、ヒートサイクルによるクラックの発生を抑制することができる。   As described above, according to the chip resistor according to the second embodiment, by dividing the resistor on the insulating substrate, the heat generated from the resistor is dispersed, and thereby the temperature rise is alleviated. The effect is to be played. Further, by forming the side electrodes corresponding to each of the four side surfaces of the insulating substrate, the side electrodes are provided on the four side surfaces, and solder fillets are formed on these four surfaces during mounting. Therefore, the chip resistor can be mounted on the circuit board in a stable state, and the occurrence of cracks due to the chip standing phenomenon and heat cycle can be suppressed.

さらには、レーザー等により抵抗体にトリミング溝を形成する場合、第2の実施の形態例に係るチップ抵抗器のように抵抗体を1〜4箇所に分けて形成した方がトリミング箇所の特定が容易になり、トリミングがしやすいという利点がある。   Furthermore, when the trimming groove is formed in the resistor by a laser or the like, the trimming part is specified by forming the resistor in one to four places like the chip resistor according to the second embodiment. There is an advantage that it becomes easy and trimming is easy.

1 チップ抵抗器
2 ワイヤ
3 保護膜
4 ワイヤボンディング接続用電極
5,65a〜65s 抵抗体
10,50 絶縁基板
11,61 第1表面電極
12,62,62a〜62d 第2表面電極
20,80,80a〜80d 側部電極
25 裏面電極
30 大判絶縁基板
31 1次分割用の溝
33 2次分割用の溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip resistor 2 Wire 3 Protective film 4 Wire bonding connection electrode 5, 65a to 65s Resistor 10, 50 Insulating substrate 11, 61 First surface electrode 12, 62, 62a to 62d Second surface electrode 20, 80, 80a ˜80d Side electrode 25 Back electrode 30 Large insulating substrate 31 Groove for primary division 33 Groove for secondary division

Claims (7)

絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面のほぼ中央部に形成された表面電極と、
前記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極と、
前記絶縁基板の各側面に形成され、前記裏面電極と接続された側部電極と、
前記表面電極と前記側部電極とを接続する抵抗体とを備えることを特徴とするチップ抵抗器。
An insulating substrate;
A surface electrode formed at substantially the center of the surface of the insulating substrate;
A back electrode formed on the back surface of the insulating substrate;
A side electrode formed on each side of the insulating substrate and connected to the back electrode;
A chip resistor comprising a resistor for connecting the surface electrode and the side electrode.
前記絶縁基板の表面のうち前記表面電極を除く領域に絶縁性の保護膜を形成したことを特徴とする請求項1に記載のチップ抵抗器。 The chip resistor according to claim 1, wherein an insulating protective film is formed in a region of the surface of the insulating substrate excluding the surface electrode. 絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面のほぼ中央部に形成された第1表面電極と、
前記絶縁基板の裏面に形成された裏面電極と、
前記絶縁基板の各側面に形成され、前記裏面電極と接続された側部電極と、
前記側部電極と接続されるとともに、前記第1表面電極と所定距離離間しながら該第1表面電極を取り囲むように前記絶縁基板の表面周辺部に沿って形成された第2表面電極と、
前記第1表面電極と前記第2表面電極とを接続する抵抗体とを備えることを特徴とするチップ抵抗器。
An insulating substrate;
A first surface electrode formed substantially at the center of the surface of the insulating substrate;
A back electrode formed on the back surface of the insulating substrate;
A side electrode formed on each side of the insulating substrate and connected to the back electrode;
A second surface electrode connected to the side electrode and formed along the periphery of the surface of the insulating substrate so as to surround the first surface electrode while being spaced apart from the first surface electrode by a predetermined distance;
A chip resistor comprising a resistor for connecting the first surface electrode and the second surface electrode.
前記絶縁基板の長さ方向と幅方向において前記第1表面電極と前記第2表面電極間の最短距離がほぼ等しいことを特徴とする請求項3に記載のチップ抵抗器。 4. The chip resistor according to claim 3, wherein the shortest distance between the first surface electrode and the second surface electrode is substantially equal in the length direction and the width direction of the insulating substrate. 前記抵抗体は、前記第1表面電極を取り囲むように形成されることを特徴とする請求項3または4に記載のチップ抵抗器。 The chip resistor according to claim 3, wherein the resistor is formed so as to surround the first surface electrode. 前記抵抗体は、前記第1表面電極と前記第2表面電極との間の1あるいは複数箇所に分割されて形成されることを特徴とする請求項3または4に記載のチップ抵抗器。 5. The chip resistor according to claim 3, wherein the resistor is divided into one or a plurality of locations between the first surface electrode and the second surface electrode. 6. 前記絶縁基板の表面のうち前記第1表面電極を除く領域に絶縁性の保護膜を形成したことを特徴とする請求項3から6のいずれか1項に記載のチップ抵抗器。 7. The chip resistor according to claim 3, wherein an insulating protective film is formed in a region of the surface of the insulating substrate excluding the first surface electrode.
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JP2018181879A (en) * 2017-04-03 2018-11-15 三菱電機株式会社 Thin film capacitor and manufacturing method of thin film capacitor

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