JP2017049312A - マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
転写用マスクの一種として、ハーフトーン型位相シフトマスクが知られている。この位相シフトマスクは、透光性基板上に位相シフトパターンを備えたものである。この位相シフト膜は、実質的に露光に寄与しない強度で光を透過させ、かつその位相シフト膜を透過した光に、同じ距離だけ空気中を通過した光に対して所定の位相差を生じさせる機能を有しており、これにより、いわゆる位相シフト効果を生じさせている。
位相シフトマスクでは、位相シフト膜には微細なパターンが設けられ、遮光膜には位相シフト膜との積層構造で所定の光学濃度を満たす遮光帯等を形成するための遮光パターンが設けられているのが一般的である。すなわち、位相シフトマスクでは、一般的に、位相シフト膜と遮光膜とで異なるパターンが形成される。このため、位相シフト膜の上に直接接して遮光膜が設けられた積層構造のマスクブランクでは、位相シフト膜と遮光膜とは互いにエッチング特性の異なる材料が用いられている。位相シフト膜は、単に所定の透過率で透過させる機能だけでなく、その位相シフト膜を透過する光の位相を制御する機能も兼ね備える必要がある。ケイ素を含有する材料は、このような位相シフト膜に求められる光学特性が得やすいため、位相シフト膜の材料に用いられることが多い。
(構成1)
透光性基板の主表面上に位相シフト膜および遮光膜を備えたマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、前記透光性基板側から下層と上層がこの順に積層された構造を有し、
前記下層は、ケイ素および窒素を含有する材料からなり、
前記上層は、ケイ素、アルミニウムおよび酸素を含有する材料からなり、
前記遮光膜は、ケイ素およびタンタルから選ばれる1以上の元素を含有する材料からなり、
前記遮光膜は、前記上層の表面に接して形成されていることを特徴とするマスクブランク。
前記上層は、酸素含有量が60原子%以上であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
前記上層は、前記ケイ素および前記アルミニウムの合計含有量に対する前記ケイ素の含有量の原子%による比率が、4/5以下であることを特徴とする構成1または2記載のマスクブランク。
前記上層は、ケイ素、アルミニウムおよび酸素からなることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
前記上層は、厚さが3nm以上であることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を含有する材料からなることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
前記位相シフト膜は、露光光を1%以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上180度以下の位相差を生じさせる機能とを有することを特徴とする構成1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
前記遮光膜は、遷移金属およびケイ素を含有する材料からなることを特徴とする構成1から7のいずれかに記載のマスクブランク。
前記透光性基板の主表面に接してエッチングストッパー膜が形成されていることを特徴とする構成1から8のいずれかに記載のマスクブランク。
前記エッチングストッパー膜は、酸素含有量が60原子%以上であることを特徴とする構成9記載のマスクブランク。
前記エッチングストッパー膜は、前記ケイ素および前記アルミニウムの合計含有量に対する前記ケイ素の含有量の原子%による比率が、4/5以下であることを特徴とする構成9または10記載のマスクブランク。
前記エッチングストッパー膜は、ケイ素、アルミニウムおよび酸素からなることを特徴とする構成9から11のいずれかに記載のマスクブランク。
前記エッチングストッパー膜は、厚さが3nm以上であることを特徴とする構成9から12のいずれかに記載のマスクブランク。
前記遮光膜上に、クロムを含有する材料からなるハードマスク膜を備えることを特徴とする構成1から13のいずれかに記載のマスクブランク。
構成1から13のいずれかに記載のマスクブランクの前記位相シフト膜に位相シフトパターンが形成され、前記遮光膜に遮光パターンが形成されていることを特徴とする位相シフトマスク。
構成1から14のいずれかに記載のマスクブランクを用いた位相シフトマスクの製造方法であって、
ドライエッチングにより前記遮光膜に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンを有する遮光膜をマスクとし、塩化ホウ素ガスを含有するエッチングガスを用いるドライエッチングにより前記上層に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンを有する遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを含有するエッチングガスを用いるドライエッチングにより前記下層に位相シフトパターンを形成する工程と、
ドライエッチングにより前記遮光膜に遮光帯を含むパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
構成15記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
構成16記載の位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
本発明者らは、Al2O3膜が有する技術的課題を解決すべく鋭意研究を行った。Al2O3膜は、フッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性は高いが、位相シフトマスクの洗浄に用いられる洗浄液に対する耐性は低い。試行錯誤を繰り返して、ケイ素、アルミニウムおよび酸素を含有する材料であるAl2O3とSiO2を混合させた材料でドライエッチング特性や薬液耐性を調べたところ、フッ素系ガスによるドライエッチングに対して実用上、十分な耐性を有し、また、洗浄液(アンモニア過水、TMAH等)に対する耐性もAl2O3膜に比べて高い耐性を有する膜を形成することができることが判明した。また、Al2O3とSiO2からなる膜は、位相シフト膜の一部として、適度な屈折率nと消衰係数kを有することもわかった。
以下、本発明の各実施形態について説明する。
[マスクブランクとその製造]
本発明の第1の実施形態に係るマスクブランクは、位相シフトマスク(転写用マスク)を製造するために用いられるものである。図1に、この第1の実施形態のマスクブランクの構成を示す。この第1の実施形態に係るマスクブランク101は、透光性基板1の主表面上に、下層31、上層32、および遮光膜4を備えていて、下層31と上層32からなる積層膜が、透過する露光光に対して所定の透過率と位相差を付与する位相シフト膜(パターン形成用薄膜)3を形成する。なお図1には図示されていないが、遮光膜4上にハードマスク膜5を備えていることが、微細で高精度な位相シフトパターンを形成する上で好ましい(図3参照)。
このような特性を有する材料としては、ケイ素に窒素を含有する材料や、遷移金属、ケイ素および窒素を含有する材料が挙げられる。遷移金属、ケイ素および窒素を含有する材料は、遷移金属を含有しないケイ素および窒素を含有する材料に比べて遮光性能が高く、遮光膜4の膜厚を薄くすることが可能となる。遮光膜4に含有させる遷移金属としては、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、ハフニウム(Hf)、ニッケル(Ni)、バナジウム(V)、ジルコニウム(Zr)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、ニオブ(Nb)、パラジウム(Pd)等のいずれか1つ以上の金属またはこれらの金属の合金が挙げられる。また、ケイ素を含有する材料で遮光膜4を形成する場合、遷移金属以外の金属(スズ(Sn)インジウム(In)、ガリウム(Ga)等)を含有させてもよい。
この第1の実施形態に係る位相シフトマスク201(図2参照)では、下層31と上層32からなる位相シフト膜3に転写用のパターンである位相シフトパターン3aが形成され、遮光膜4には遮光帯を含むパターンである遮光パターン4b(遮光帯、遮光パッチ等)が形成されている。なお、マスクブランク101にハードマスク膜5が設けられている構成の場合、この位相シフトマスク201の作製途上でハードマスク膜5は除去される。
その後、第2のレジストパターン7bをエッチングマスクとして、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングを行い、ハードマスク膜5に第2のハードマスクパターン5bを形成する(図3(f)参照)。
実施の形態1の半導体デバイスの製造方法は、実施の形態1の位相シフトマスク201または実施の形態1のマスクブランク101を用いて製造された位相シフトマスク201を用い、半導体基板上のレジスト膜に位相シフトパターン(転写パターン)3aを露光転写することを特徴としている。実施の形態1の位相シフトマスク201は、位相シフトパターン3aの側壁の垂直性が高く、位相シフトパターン3aの面内のCD均一性も高い。しかも、十分な薬液洗浄を行えるのでマスク欠陥も少ない。このため、実施の形態1の位相シフトマスク201を用いて半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写すると、半導体デバイス上のレジスト膜に設計仕様を十分に満たす精度でパターンを高い歩留まりで形成することができる。
[マスクブランクとその製造]
本発明の第2の実施形態に係るマスクブランクは、透光性基板1の主表面に接してエッチングストッパー膜2を形成したことを特徴としている。このエッチングストッパー膜2は、実施の形態1で上層32に用いたものと同じケイ素、アルミニウムおよび酸素を含有する材料で、製法も同じである。図4に、この第2の実施形態のマスクブランク102の構成を示す。この第2の実施形態のマスクブランク102は、透光性基板1上に、エッチングストッパー膜2、位相シフト膜3、遮光膜4が順に積層された構造からなるものであり、これにハードマスク膜5を積層することができる。位相シフト膜3は下層31と上層32からなる。この第2の実施の形態のマスクブランク102は、実施の形態1のマスクブランク101に比して、エッチングストッパー膜2をさらに備えた点で異なる。また、これに伴い、詳細を後述するように、下層31の膜厚も変更されている。なお、第1の実施形態のマスクブランク101と同様の構成については同一の符号を使用し、説明を適宜省略する。
一方で、エッチングストッパー膜2は、高い透過率とともに、透光性基板1との間でフッ素系ガスに対する十分なエッチング選択性も同時に求められるため、露光光に対する透過率を透光性基板1と同じ透過率とすることは難しい。すなわち、露光光に対する透光性基板1(合成石英ガラス)の透過率を100%としたときのエッチングストッパー膜2の透過率は、100%未満となる。露光光に対する透光性基板1の透過率を100%としたときのエッチングストッパー膜2の透過率は、95%以上であることが好ましく、96%以上であるとより好ましく、97%以上であるとさらに好ましい。
この第2の実施形態に係る位相シフトマスク202(図5参照)では、マスクブランク102のエッチングストッパー膜2が透光性基板1の主表面上の全面で残され、位相シフト膜3と遮光膜4にパターン露光転写に必要な位相シフトパターン3aおよび遮光パターン4bが形成されていることを特徴としている。
実施の形態2の半導体デバイスの製造方法は、実施の形態2の位相シフトマスク202または実施の形態2のマスクブランク102を用いて製造された位相シフトマスク202を用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写することを特徴としている。実施の形態2の位相シフトマスク202は、位相シフトパターン3aの側壁の垂直性が高く、マスク面内のCD均一性も高い。さらに高い位相制御性を備えている。このため、実施の形態2の位相シフトマスク202を用いて半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写すると、半導体デバイス上のレジスト膜に設計仕様を十分に満たす精度でパターンを形成することができる。
(実施例1)
[マスクブランクの製造]
主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなる透光性基板1を準備した。この透光性基板1は、端面および主表面を所定の表面粗さ以下(二乗平均平方根粗さRqで0.2nm以下)に研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものである。
次に、この実施例1のマスクブランク101を用い、以下の手順で実施例1の位相シフトマスク201を作製した。最初に、スピン塗布法によってハードマスク膜5の表面に接して、電子線描画用化学増幅型レジストからなるレジスト膜を膜厚80nmで形成した。次に、このレジスト膜に対して、転写露光用のパターンを電子線描画し、所定の現像処理を行い、第1のレジストパターン6aを形成した(図3(a)参照)。
なお、位相シフト膜3の位相シフト量は、前述のように、マスクブランクの位相シフト膜3のみでは177.1度であったが、下層パターン31aをドライエッチングにて形成する際に透光性基板1の露出した表面701を少し掘り込む関係で、位相シフトマスク201となった段階での位相シフトパターン3aの位相シフト量は180度と見積もられる。
作製した位相シフトマスク201を露光装置に載置し、露光を行ってウェハ上にレジストパターンを形成したところ、微細な回路パターンを所定の精度で形成することができた。
[マスクブランクの製造]
実施例2のマスクブランクは、下層31を窒化シリコン膜(SiN膜)の2層構造に変えたことと、上層32の組成を実施例1から変えたことを除いて実施例1のマスクブランクと同様にして製造されたものである。したがって、透光性基板1に接して下層31、上層32、遮光膜4およびハードマスク膜5がこの順に積層されたマスクブランクの構造と、透光性基板1、遮光膜4、ハードマスク膜5の材料と製法は実施例1と同じものである。以下、実施例1のマスクブランクと相違する箇所について説明する。
この実施例2のマスクブランク101を用い、実施例1と同様の工程で実施例2の位相シフトマスク201を作製した。
作製した位相シフトマスク201の位相シフトパターン3aのマスク面内のCD均一性を検査したところ、良好な結果であった。また、位相シフトパターン3aの断面をSTEMで観察したところ、位相シフトパターン3aの側壁の垂直性は高く、また、洗浄に伴うパターン剥がれなどの問題も観測されなかった。
なお、位相シフト膜3の位相シフト量は、前述のように、マスクブランクの位相シフト膜3のみでは177.2度であったが、下層パターン31aをドライエッチングにて形成する際に透光性基板1の露出した表面701を少し掘り込む関係で、位相シフトマスク201となった段階での位相シフトパターン3aの位相シフト量は180度と見積もられる。
作製した位相シフトマスク201を露光装置に載置し、露光を行ってウェハ上にレジストパターンを形成したところ、微細な回路パターンを所定の精度で形成することができた。
[マスクブランクの製造]
この実施例3のマスクブランクは、下層31および上層32を除いて、実施例1のマスクブランクと同様にして製造されるものである。この実施例3の下層31は、膜厚を67.5nmに変更したことを除いて実施例1と同様にした。一方、この実施例3の上層32には、アルミニウム、ケイ素および酸素からなるAlSiO膜(Al:Si:O=7:28:65(原子%比))を適用し、下層31の表面に接して、5nmの膜厚で形成した。すなわち、このエッチングストッパー膜2のSi/[Si+Al]は、0.8である。なお、この上層32の製法は実施例1と同じで、条件を変えて組成を上記のように調整した。この膜の波長193nmの光における屈折率nは1.589、消衰係数kは0.0000(測定下限)であった。また、濃度0.5%のアンモニア水でのエッチングレートは0.1nm/minであり、この上層32はマスクブランク101から位相シフトマスク201を製造する過程で行われる薬液洗浄に対して十分な耐性を有することが確認できた。
この実施例3のマスクブランク101を用い、実施例1と同様の工程で実施例3の位相シフトマスク201を作製した。
作製した位相シフトマスク201の位相シフトパターン3aのマスク面内のCD均一性を検査したところ、良好な結果であった。また、位相シフトパターン3aの断面をSTEMで観察したところ、位相シフトパターン3aの側壁の垂直性は高く、また、洗浄に伴うパターン剥がれなどの問題も観測されなかった。
なお、位相シフト膜3の位相シフト量は、前述のように、マスクブランクの位相シフト膜3のみでは177.0度であったが、下層パターン31aをドライエッチングにて形成する際に透光性基板1の露出した表面701を少し掘り込む関係で、位相シフトマスク201となった段階での位相シフトパターン3aの位相シフト量は180度と見積もられる。
作製した位相シフトマスク201を露光装置に載置し、露光を行ってウェハ上にレジストパターンを形成したところ、微細な回路パターンを所定の精度で形成することができた。
[マスクブランクの製造]
この実施例4のマスクブランクは、下層31および上層32を除いて、実施例1のマスクブランクと同様にして製造されるものである。この実施例4の下層31は、膜厚を67nmに変更したことを除いて実施例1と同様とした。一方、この実施例4の上層32には、アルミニウム、ケイ素および酸素からなるAlSiO膜(Al:Si:O=31:8:61(原子%比))を適用し、下層31の表面に接して、5nmの膜厚で形成した。すなわち、このエッチングストッパー膜2のSi/[Si+Al]は、0.205である。なお、この上層32の製法は実施例1と同じで、条件を変えて組成を上記のように調整した。この膜の波長193nmの光における屈折率nは1.720、消衰係数kは0.0328であった。また、濃度0.5%のアンモニア水でのエッチングレートは0.2nm/minであり、この上層32はマスクブランクから位相シフトマスクを製造する過程で行われる薬液洗浄に対して実用に耐える耐性を有することが確認できた。
この実施例4のマスクブランク101を用い、実施例1と同様の工程で実施例4の位相シフトマスク201を作製した。
作製した位相シフトマスク201の位相シフトパターン3aのマスク面内のCD均一性を検査したところ、良好な結果であった。また、位相シフトパターン3aの断面をSTEMで観察したところ、位相シフトパターン3aの側壁の垂直性は高く、また、洗浄に伴うパターン剥がれなどの問題も観測されなかった。
なお、位相シフト膜3の位相シフト量は、前述のように、マスクブランクの位相シフト膜3のみでは177.0度であったが、下層パターン31aをドライエッチングにて形成する際に透光性基板1の露出した表面701を少し掘り込む関係で、位相シフトマスク201となった段階での位相シフトパターン3aの位相シフト量は180度と見積もられる。
作製した位相シフトマスク201を露光装置に載置し、露光を行ってウェハ上にレジストパターンを形成したところ、微細な回路パターンを所定の精度で形成することができた。
[マスクブランクの製造]
実施例5のマスクブランクは、実施の形態2に対応するものであり、エッチングストッパー膜2を透光性基板1の主表面の全面に形成したことを特徴とする。したがって、このマスクブランクは、透光性基板1上にエッチングストッパー膜2、下層31、上層32、遮光膜4およびハードマスク膜5が形成されたマスクブランクである。ここで、エッチングストッパー膜2の導入と、下層31の膜厚以外は、材料、製法とも実施例1と同じである。
エッチングストッパー膜2は実施例1で上層32として用いられたものと同じ材料で、製法も同じものである。したがって、原子%比が、Al:Si:O=21:19:60、Si/[Si+Al]が0.475のAlSiO膜であり、その諸特性は実施例1の上層32と同じである。この膜を透光性基板1の主表面の全面に膜厚10nmで形成した。
また、エッチングストッパー膜2は、SF6とHeの混合ガスをエッチングガスに用いたドライエッチングに対するエッチングレートが、透光性基板1に対するエッチングレートに比べて1/10であり、エッチングストッパー膜2は、下層31のドライエッチング時に十分なエッチングストッパーとなる。
さらに、エッチングストッパー膜2は、濃度0.5%のアンモニア水に対するエッチングレートが0.1nm/minと小さく、薬液洗浄に対して十分な耐性を有する。
この実施例5のマスクブランク102を用い、実施例1と同様の工程で実施例5の位相シフトマスク202を作製した。
作製した位相シフトマスク202の位相シフトパターン3aのマスク面内のCD均一性を検査したところ、良好な結果であった。また、位相シフトパターン3aの断面をSTEMで観察したところ、位相シフトパターン3aの側壁の垂直性は高く、エッチングストッパー膜2への堀込は1nm未満と微小であり、マイクロトレンチも発生していなかった。また、洗浄に伴うパターン剥がれなどの問題も観測されなかった。
なお、下層パターン31aをドライエッチングにて形成する際、エッチングストッパー膜2の露出部表面702はほとんど削れない。このため、位相シフトマスク202となった段階での位相シフトパターン3aの位相シフト量はほぼ180度で、マスクブランクの位相シフト膜3のみの位相差180度と変わらず、位相精度の高い位相シフトマスク202となった。
作製した位相シフトマスク202を露光装置に載置し、露光を行ってウェハ上にレジストパターンを形成したところ、微細な回路パターンを所定の精度で形成することができた。
[マスクブランクの製造]
比較例1のマスクブランクは、下層31の膜厚を66.5nmに変更したことと、上層32をアルミニウムと酸素からなる材料(アルミナ)で形成したことを除き、実施例1のマスクブランクと同様の構成を備える。この比較例1の上層32は、下層31の上に5nmの膜厚で形成した。具体的には、枚葉式RFスパッタリング装置内にMoSiNからなる下層31が形成された透光性基板1を設置し、Al2O3ターゲットを用い、アルゴン(Ar)ガスをスパッタリングガスとするスパッタリング(RFスパッタリング)によって、上層32を形成した。前述同様の組成分析を行った結果、Al:O=42:58(原子%比)であった。すなわち、この上層32のSi/[Si+Al]は0である。
次に、この比較例1のマスクブランク101を用い、実施例1と同様の手順で比較例1の位相シフトマスク201を作製した。作製した比較例1の位相シフトマスク201に対してマスク検査装置によってマスクパターンの検査を行ったところ、欠陥が多数検出された。
別のマスクブランク101を用い、同様の手順で位相シフトマスク201を製造し、その欠陥箇所について、位相シフトパターン3aの断面をSTEMで観察したところ、上層パターン32aが薬液洗浄によってダメージを受けたことが原因と考えられる欠陥が数多く観察された。
作製した位相シフトマスク202を露光装置に載置し、露光を行ってウェハ上にレジストパターンを形成したところ、マスク起因の転写欠陥が見られ、高い歩留まりで半導体デバイスを製造することは困難であった。
1a…エッチング後の透光性基板
2…エッチングストッパー膜
3…位相シフト膜
3a…位相シフトパターン
4…遮光膜
4a、4b…遮光パターン
5…ハードマスク膜
5a、5b…ハードマスクパターン
6a…第1のレジストパターン
7b…第2のレジストパターン
31…下層
31a…下層パターン
32…上層
32a…上層パターン
101、102…マスクブランク
201、202…位相シフトマスク
700…上層パターン表面
701…透光性基板表面(露出部)
702…エッチングストッパー表面(露出部)
Claims (18)
- 透光性基板の主表面上に位相シフト膜および遮光膜を備えたマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、前記透光性基板側から下層と上層がこの順に積層された構造を有し、
前記下層は、ケイ素および窒素を含有する材料からなり、
前記上層は、ケイ素、アルミニウムおよび酸素を含有する材料からなり、
前記遮光膜は、ケイ素およびタンタルから選ばれる1以上の元素を含有する材料からなり、
前記遮光膜は、前記上層の表面に接して形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 前記上層は、酸素含有量が60原子%以上であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記上層は、前記ケイ素および前記アルミニウムの合計含有量に対する前記ケイ素の含有量の原子%による比率が、4/5以下であることを特徴とする請求項1または2記載のマスクブランク。
- 前記上層は、ケイ素、アルミニウムおよび酸素からなることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記上層は、厚さが3nm以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト膜は、露光光を1%以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上180度以下の位相差を生じさせる機能とを有することを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜は、遷移金属およびケイ素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記透光性基板の主表面に接してエッチングストッパー膜が形成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記エッチングストッパー膜は、酸素含有量が60原子%以上であることを特徴とする請求項9記載のマスクブランク。
- 前記エッチングストッパー膜は、前記ケイ素および前記アルミニウムの合計含有量に対する前記ケイ素の含有量の原子%による比率が、4/5以下であることを特徴とする請求項9または10記載のマスクブランク。
- 前記エッチングストッパー膜は、ケイ素、アルミニウムおよび酸素からなることを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記エッチングストッパー膜は、厚さが3nm以上であることを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜上に、クロムを含有する材料からなるハードマスク膜を備えることを特徴とする請求項1から13のいずれかに記載のマスクブランク。
- 請求項1から13のいずれかに記載のマスクブランクの前記位相シフト膜に位相シフトパターンが形成され、前記遮光膜に遮光パターンが形成されていることを特徴とする位相シフトマスク。
- 請求項1から14のいずれかに記載のマスクブランクを用いた位相シフトマスクの製造方法であって、
ドライエッチングにより前記遮光膜に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンを有する遮光膜をマスクとし、塩化ホウ素ガスを含有するエッチングガスを用いるドライエッチングにより前記上層に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンを有する遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを含有するエッチングガスを用いるドライエッチングにより前記下層に位相シフトパターンを形成する工程と、
ドライエッチングにより前記遮光膜に遮光帯を含むパターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項15記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
- 請求項16記載の位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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