JP2017049132A - 温度センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】サーミスタ素子の還元劣化による検出精度の低下を防ぐことができ、且つ生産性に優れた温度センサを提供すること。【解決手段】温度センサは、サーミスタ素子2と、サーミスタ素子2に接続された一対の信号線31を内側に挿通保持するシースピン3と、サーミスタ素子2を覆うと共にシースピン3の先端部に接合された金属製のカバー4と、を有する。シースピン3は、一対の信号線31と、一対の信号線31を挿通保持する絶縁材32と、絶縁材32の外周を覆う内筒管33と、内筒管33の外周面に密着した外筒管34と、を有する。内筒管33の外周面331と外筒管34の内周面341との少なくとも一方には、軸方向における内筒管33及び外筒管34の全長にわたって連続した切欠部35が形成されている。切欠部35は、内筒管33と外筒管34との間において、シースピン3の先端側と基端側とを連通する通気路351を構成している。【選択図】図2
Description
本発明は、サーミスタ素子を用いた温度センサに関する。
例えば、自動車エンジン等の内燃機関の排気系等に配置され、排気ガス等の温度を測定する温度センサとして、感温素子にサーミスタ素子を用いたものがある。かかる温度センサは、サーミスタ素子に接続された一対の信号線を内側に挿通保持するシースピンと、サーミスタ素子を覆うと共にシースピンの先端部に接合された金属製のカバーとを有する。この種の温度センサは、高温雰囲気下で使用されることにより、カバーの外側面のみならず内側面も急速に酸化することがある。カバーの内側面が酸化すると、カバー内空間の酸素が著しく減少する。その結果、サーミスタ素子が還元劣化し、検出精度が低下するおそれがある。
これを防ぐために、カバー内に空気(酸素)を導入することができる通気経路を有する温度センサが提案されている(特許文献1)。この温度センサは、シースピンの外殻であるシースパイプを二重管構造とすると共に、二重管の内側管と外側管との間に隙間を設けている。この隙間を、シースピンの軸方向の先端と基端とを連通する通気経路としている。具体的には、内側管と外側管との間に金属線をスペーサとして介在させて、外側管を部分的に変形させることにより、内側管と外側管との間に通気経路を形成している。あるいは、内側管を多角柱形状とすることで、円筒形状の外側管との間に通気経路を形成している。
しかしながら、上記温度センサは、生産性に欠けるという課題がある。すなわち、外側管を部分的に変形させる場合、外側管の外形の精度を保ちにくい。また、内側管を多角柱とする場合も、外側管の外形精度を保ちにくい。それゆえ、いずれの場合においても、シースピンを効率的に作製することが困難であり、温度センサの生産性を高めることは困難である。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、サーミスタ素子の還元劣化による検出精度の低下を防ぐことができ、且つ生産性に優れた温度センサを提供しようとするものである。
本発明の一態様は、サーミスタ素子と、
該サーミスタ素子に接続された一対の信号線を内側に挿通保持するシースピンと、
上記サーミスタ素子を覆うと共に上記シースピンの先端部に接合された金属製のカバーと、を有し、
上記シースピンは、上記一対の信号線と、該一対の信号線を挿通保持する絶縁材と、該絶縁材の外周を覆う内筒管と、該内筒管の外周面に密着した外筒管と、を有し、
上記内筒管の外周面と上記外筒管の内周面との少なくとも一方には、軸方向における上記内筒管及び上記外筒管の全長にわたって連続した切欠部が形成されており、該切欠部は、内筒管と外筒管との間において、上記シースピンの先端側と基端側とを連通する通気路を構成している、温度センサにある。
該サーミスタ素子に接続された一対の信号線を内側に挿通保持するシースピンと、
上記サーミスタ素子を覆うと共に上記シースピンの先端部に接合された金属製のカバーと、を有し、
上記シースピンは、上記一対の信号線と、該一対の信号線を挿通保持する絶縁材と、該絶縁材の外周を覆う内筒管と、該内筒管の外周面に密着した外筒管と、を有し、
上記内筒管の外周面と上記外筒管の内周面との少なくとも一方には、軸方向における上記内筒管及び上記外筒管の全長にわたって連続した切欠部が形成されており、該切欠部は、内筒管と外筒管との間において、上記シースピンの先端側と基端側とを連通する通気路を構成している、温度センサにある。
上記温度センサにおいては、シースピンの先端側と基端側とを連通する通気路が形成されている。これにより、カバーの内側空間に、シースピンの基端側の空間から空気(酸素)を導入することができる。そのため、サーミスタ素子の還元劣化を防止し、検出精度の低下を防ぐことができる。また、通気路は、内筒管及び外筒管のいずれか一方に形成された切欠部によって構成されている。それゆえ、通気路を形成するにあたっては、内筒管の外周面及び外筒管の内周面の少なくとも一方に切欠部を形成すればよい。そのため、特に、内筒管又は外筒管を部分的に変形させる必要はない。さらに、外筒管は内筒管に密着しているため、シースピンの加工の際に、外筒管の形状精度を損ねるおそれがない。その結果、形状精度に優れたシースピンを容易に得ることができ、温度センサの生産性を向上させることができる。
以上のごとく、上記態様によれば、サーミスタ素子の還元劣化による検出精度の低下を防ぐことができ、且つ生産性に優れた温度センサを提供することができる。
(実施形態1)
温度センサの実施形態につき、図1〜図11を用いて説明する。
本実施形態の温度センサ1は、図1に示すごとく、サーミスタ素子2と、サーミスタ素子2に接続された一対の信号線31を内側に挿通保持するシースピン3と、サーミスタ素子2を覆うと共にシースピン3の先端部に接合された金属製のカバー4と、を有する。
温度センサの実施形態につき、図1〜図11を用いて説明する。
本実施形態の温度センサ1は、図1に示すごとく、サーミスタ素子2と、サーミスタ素子2に接続された一対の信号線31を内側に挿通保持するシースピン3と、サーミスタ素子2を覆うと共にシースピン3の先端部に接合された金属製のカバー4と、を有する。
シースピン3は、図2〜図4に示すごとく、一対の信号線31と、一対の信号線31を挿通保持する絶縁材32と、絶縁材32の外周を覆う内筒管33と、内筒管33の外周面に密着した外筒管34と、を有する。
内筒管33の外周面331には、軸方向における内筒管33の全長にわたって連続した切欠部35が形成されている。
切欠部35は、内筒管33と外筒管34との間において、シースピン3の先端側と基端側とを連通する通気路351を構成している。
切欠部35は、内筒管33と外筒管34との間において、シースピン3の先端側と基端側とを連通する通気路351を構成している。
温度センサ1は、例えば、車両等の排気系に配置される。本明細書においては、温度センサ1の長手方向を、軸方向といい、軸方向においてサーミスタ素子2が設けられた側を先端側といい、その反対側を基端側という。
サーミスタ素子2は、温度によって抵抗値が変化する半導体であり、例えばマンガン、クロム等の酸化物からなる。図1に示すごとく、サーミスタ素子2には、例えば白金又は白金などを基材とした白金合金からなる一対の電極線21が設けてある。この一対の電極線21に、それぞれ、シースピン3に保持された一対の信号線31の先端が接続されている。
サーミスタ素子2は、温度によって抵抗値が変化する半導体であり、例えばマンガン、クロム等の酸化物からなる。図1に示すごとく、サーミスタ素子2には、例えば白金又は白金などを基材とした白金合金からなる一対の電極線21が設けてある。この一対の電極線21に、それぞれ、シースピン3に保持された一対の信号線31の先端が接続されている。
図1、図2に示すごとく、シースピン3は、円柱形状を有すると共に、その先端側及び基端側から一対の信号線31を突出させている。シースピン3の外殻を構成する内筒管33と外筒管34とは円筒形状を有する二重管構造を有している。内筒管33及び外筒管34は、例えば、ステンレス鋼等の金属からなる。内筒管33の内側には、一対の信号線31と共に絶縁材32が充填されている。一対の信号線31は、互いの間の絶縁及び内筒管33との間の絶縁が図られた状態で、絶縁材32に保持されている。一対の信号線31は、例えばステンレス等の金属線からなる。また、絶縁材32は、例えばマグネシア等の紛体からなる。
サーミスタ素子2は、その先端側から、例えばステンレス鋼からなるカバー4によって覆われている。カバー4は、シースピン3の先端部にその外周側から嵌合している。そして、カバー4は、外筒管34に溶接されている。また、シースピン3の基端から突出した一対の信号線31の基端部は、接続部材5を介して、一対のリード線6と電気的に接続されている。リード線6は、導体線を絶縁被覆材によって被覆してなる被覆導線からなる。
温度センサ1は、シースピン3の基端側の一部を内側に配置するように形成された円筒状の保護チューブ11を有する。保護チューブ11の先端部には、シースピン3を外周から保持するリブ13が固定されている。また、保護チューブ11の外周には、温度センサ1を車両の排気管等の被測定箇所に取り付けるためのニップル14が配設されている。
保護チューブ11内において、シースピン3の基端側には、例えばセラミックからなる保持部材15と、円筒状の金属製のスペーサ16が配設されている。また、スペーサ16の基端側には、保護チューブ11と一対のリード線6との間の隙間を塞ぐゴムブッシュ17が配置されている。ゴムブッシュ17は、保護チューブ11によってかしめられている。そして一対のリード線6は、ゴムブッシュ17を介して保護チューブ11の基端側へ引き出されている。
保護チューブ11の内側には、リブ13とゴムブッシュ17とにより塞がれたチューブ内空間111が形成されている。そして、シースピン3の基端面は、チューブ内空間に配されている。なお、チューブ内空間111には、リード線6の内部の隙間、すなわち絶縁被覆材の内側における導体線の間の小さな隙間を通じて、外部から空気(酸素)を導入することができる。
シースピン3は、図2に示すごとく、内筒管33の外周面331に、切欠部35が形成されている。切欠部35は、図3、図4に示すごとく、軸方向における内筒管33の全長にわたって直線状に連続して形成されている。切欠部35は、内筒管33の外周面から溝状に切り欠かれた形状を有する。この溝状の切欠部35の、軸方向に直交する平面による断面形状は、特に限定されるものではなく、例えば、図5(a)に示すような略長方形状、図5(b)に示すような略三角形状、図5(c)に示すような略半円形状等、種々の形状とすることができる。
本実施形態において、切欠部35の深さは、図5に示すごとく、内筒管33の肉厚の半分以下としている。切欠部35の深さ及び幅は、それぞれ、例えば0.05〜0.1mm程度とすることができる。そして、内筒管33の外周側に重なるように配された外筒管34の内周面によって、切欠部35の外周側が塞がれることにより、図2、図4に示すごとく、通気路351が形成されている。これにより、通気路351は、シースピン3の先端から基端まで、連続して形成される。そして、シースピン3の先端面は、カバー4の内側に面し、シースピン3の基端面は、保護チューブ11のチューブ内空間111に面している。それゆえ、通気路351を介してカバー4の内側空間は、チューブ内空間111と連通している。つまり、チューブ内空間111から通気路351を介してカバー内空間41に空気(酸素)が導入されるようになっている。
次に、本実施形態のシースピン3の製造方法につき、説明する。
まず、図6に示すごとく、後述するスウェージング加工前の内筒管33の内部に、略円柱状に形成された絶縁材ピース320を挿入する。絶縁材ピース320は、例えばマグネシア等からなる。絶縁材ピース320は、内筒管33の両端面まで挿入される。絶縁材ピース320は、軸線方向に向かって、一対の信号線31を挿入するための貫通穴321を一対有する。各貫通穴321に各信号線31を挿通しながら、内筒管33の内側に絶縁材ピース320を挿入する。
まず、図6に示すごとく、後述するスウェージング加工前の内筒管33の内部に、略円柱状に形成された絶縁材ピース320を挿入する。絶縁材ピース320は、例えばマグネシア等からなる。絶縁材ピース320は、内筒管33の両端面まで挿入される。絶縁材ピース320は、軸線方向に向かって、一対の信号線31を挿入するための貫通穴321を一対有する。各貫通穴321に各信号線31を挿通しながら、内筒管33の内側に絶縁材ピース320を挿入する。
内筒管33は、図7、図8に示すごとく、ダイス穴71を有するダイス7を用いて、スウェージング加工を行う。スウェージング加工は、内筒管33を所定の径まで細くするために、ダイス穴71の内径が異なる複数のダイス7を用いる。ここで、スウェージング加工の最後に用いられるダイス7には、ダイス穴71に向って突出する突起72が設けられている。これにより、スウェージング加工の際に、内筒管33の外周面331の一部に、切欠部35を形成することができる。
以上により、一対の信号線31と、一対の信号線31を挿通保持する絶縁材32とを内側に配置した内筒管33が形成される。そして、内筒管33の外周面331には、切欠部35が形成されている。
次に、図9に示すごとく、一対の信号線31と絶縁材32とを内側に配した内筒管33を、外筒管34の内部に挿入する。内筒管33の軸方向の両端が、外筒管34の軸方向両端と一致するように、内筒管33を外筒管34に挿入する。そして、内筒管33を内側に配した外筒管34を、図10、図11に示すごとく、ダイス70を用いてスウェージング加工を行う。これにより、内筒管33と外筒管34とが密着した状態で、所望の外径のシースピン3が得られる。そして、通気路351は、内筒管33の外周面331と、外筒管34の内周面341との間に形成される。
次に、本実施形態の作用効果につき説明する。
上記温度センサ1において、シースピン3の先端側と基端側とを連通する通気路351が形成されている。これにより、カバー4の内側空間に、シースピン3の基端部の空間から空気(酸素)を導入することができる。そのため、サーミスタ素子の還元劣化を防止し、検出精度の低下を防ぐことができる。
上記温度センサ1において、シースピン3の先端側と基端側とを連通する通気路351が形成されている。これにより、カバー4の内側空間に、シースピン3の基端部の空間から空気(酸素)を導入することができる。そのため、サーミスタ素子の還元劣化を防止し、検出精度の低下を防ぐことができる。
また、通気路351は、内筒管33に形成された切欠部35によって構成されている。それゆえ、通気路351を形成するにあたっては、内筒管33の外周面331に切欠部35を形成すればよい。そのため、特に、内筒管33を部分的に変形させる必要はない。
さらに、外筒管34は内筒管33に密着しているため、シースピン3の加工の際に、外筒管34の形状精度を損ねるおそれがない。その結果、形状精度に優れたシースピン3を容易に得ることができ、温度センサ1の生産性を向上させることができる。
以上のごとく、本実施形態によれば、サーミスタ素子の還元劣化による検出精度の低下を防ぐことができ、且つ生産性に優れた温度センサ1を提供することができる。
(実施形態2)
本実施形態の温度センサ1は、図12に示すごとく、サーミスタ素子2とカバー4との間には、例えば無機接着剤等からなる絶縁性のフィラー42が充填されている。具体的には、カバー内空間41に、フィラー42が充填されている。フィラー42は、サーミスタ素子2及び信号線31と共にカバー4内に充填されて硬化しており、これにより、サーミスタ素子2及び信号線31は、カバー4内に保持されている。
本実施形態の温度センサ1は、図12に示すごとく、サーミスタ素子2とカバー4との間には、例えば無機接着剤等からなる絶縁性のフィラー42が充填されている。具体的には、カバー内空間41に、フィラー42が充填されている。フィラー42は、サーミスタ素子2及び信号線31と共にカバー4内に充填されて硬化しており、これにより、サーミスタ素子2及び信号線31は、カバー4内に保持されている。
フィラー42としては、例えばアルミナ等の無機接着剤を用いることができる。
その他は、実施形態1と同様である。なお、実施形態1における符号と同じ符号は、特に示さない限り、同様の構成要素等を示すものであって、先行する説明を参照する。
その他は、実施形態1と同様である。なお、実施形態1における符号と同じ符号は、特に示さない限り、同様の構成要素等を示すものであって、先行する説明を参照する。
本実施形態においては、サーミスタ素子2とカバー4との間にフィラー42が充填されているため、カバー内空間41の空気体積は減少している。それゆえ、温度センサ1が、高温雰囲気下で使用されたとき、カバー内空間41の酸素は特に減少しやすい。それゆえ、通気路351を設けることにより、サーミスタ素子2の還元劣化を防止し、検出精度の低下を回避することができる。また、絶縁性のフィラー42が充填されていることにより、仮に車両振動や外部からの衝撃が与えられたとしても、サーミスタ素子2、電極線21及び信号線31が、フィラー42に保持固定されているため、サーミスタ素子2、信号線31等の構成部材の破損を回避することができる。
その他、実施形態1と同様の作用効果を得ることができる。
その他、実施形態1と同様の作用効果を得ることができる。
(実施形態3)
本実施形態の温度センサ1は、図13に示すごとく、螺旋状の切欠部35を有する。すなわち、切欠部35は、内筒管33の外周面331において、内筒管33の一端から他端へ向かうにつれて周方向に移動するように螺旋状に形成されている。この螺旋状の切欠部35が、軸方向における内筒管33の全長にわたって連続して形成されている。このような螺旋状の切欠部35は、シースピン3のスウェージング加工の際に、ダイス70に対してシースピン3を周方向に回転させながら、軸方向に移動させることにより、内筒管33の外周面331に形成することができる。
本実施形態の温度センサ1は、図13に示すごとく、螺旋状の切欠部35を有する。すなわち、切欠部35は、内筒管33の外周面331において、内筒管33の一端から他端へ向かうにつれて周方向に移動するように螺旋状に形成されている。この螺旋状の切欠部35が、軸方向における内筒管33の全長にわたって連続して形成されている。このような螺旋状の切欠部35は、シースピン3のスウェージング加工の際に、ダイス70に対してシースピン3を周方向に回転させながら、軸方向に移動させることにより、内筒管33の外周面331に形成することができる。
その他は、実施形態1と同様の構成を有し、同様の作用効果を有する。なお、先行する実施形態における符号と同じ符号は、特に示さない限り、同様の構成要素等を示すものであって、先行する説明を参照する。
(実施形態4)
本実施形態の温度センサ1は、図14に示すごとく、外筒管34の内周面341に、切欠部35を形成してなる。切欠部35は、内筒管33と外筒管34との間において、シースピン3の先端側と基端側とを連通する通気路351を構成している。
本実施形態の温度センサ1は、図14に示すごとく、外筒管34の内周面341に、切欠部35を形成してなる。切欠部35は、内筒管33と外筒管34との間において、シースピン3の先端側と基端側とを連通する通気路351を構成している。
その他は、実施形態1と同様である。なお、実施形態1における符号と同じ符号は、特に示さない限り、同様の構成要素等を示すものであって、先行する説明を参照する。
上記温度センサ1において、通気路351は、外筒管34に形成された切欠部35によって構成されている。それゆえ、通気路351を形成するにあたっては、外筒管34の内周面341に切欠部35を形成すればよい。そのため、特に、外筒管34を部分的に変形させる必要はない。
その他、実施形態1と同様の作用効果を得ることができる。
その他、実施形態1と同様の作用効果を得ることができる。
(実施形態5)
本実施形態の温度センサ1は、図15、図16に示すごとく、内筒管33の外周面331の一部を平坦面に切り欠いた切欠部35を形成してなる。この平坦な切欠部35が、内筒管33の軸方向の全長にわたって形成されている。そして、図16に示すごとく、外筒管34の内周面341と内筒管33の平坦な切欠部35との間に通気路351が形成されている。
本実施形態の温度センサ1は、図15、図16に示すごとく、内筒管33の外周面331の一部を平坦面に切り欠いた切欠部35を形成してなる。この平坦な切欠部35が、内筒管33の軸方向の全長にわたって形成されている。そして、図16に示すごとく、外筒管34の内周面341と内筒管33の平坦な切欠部35との間に通気路351が形成されている。
その他は、実施形態1と同様である。なお、実施形態1における符号と同じ符号は、特に示さない限り、同様の構成要素等を示すものであって、先行する説明を参照する。
本実施形態の場合においても、実施形態1と同様の効果を得ることができる。
本実施形態の場合においても、実施形態1と同様の効果を得ることができる。
本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。また、上記の実施形態を適宜組み合わせた形態とすることもできる。
例えば、切欠部35は一カ所だけでなく、円周方向に複数設けることができる。
例えば、切欠部35は一カ所だけでなく、円周方向に複数設けることができる。
1 温度センサ
2 サーミスタ素子
3 シースピン
31 信号線
32 絶縁材
33 内筒管
331 外周面
34 外筒管
341 内周面
35 切欠部
351 通気路
4 カバー
2 サーミスタ素子
3 シースピン
31 信号線
32 絶縁材
33 内筒管
331 外周面
34 外筒管
341 内周面
35 切欠部
351 通気路
4 カバー
Claims (3)
- サーミスタ素子(2)と、
該サーミスタ素子に接続された一対の信号線(31)を内側に挿通保持するシースピン(3)と、
上記サーミスタ素子を覆うと共に上記シースピンの先端部に接合された金属製のカバー(4)と、を有し、
上記シースピンは、上記一対の信号線と、該一対の信号線を挿通保持する絶縁材(32)と、該絶縁材の外周を覆う内筒管(33)と、該内筒管の外周面(331)に密着した外筒管(34)と、を有し、
上記内筒管の外周面と上記外筒管の内周面(341)との少なくとも一方には、軸方向における上記内筒管及び上記外筒管の全長にわたって連続した切欠部(35)が形成されており、該切欠部は、内筒管と外筒管との間において、上記シースピンの先端側と基端側とを連通する通気路(351)を構成している、温度センサ(1)。 - 上記切欠部は、上記内筒管の外周面に形成されており、上記切欠部と上記外筒管の内周面との間に上記通気路が形成されている、請求項1に記載の温度センサ。
- 上記サーミスタ素子と上記カバーとの間には、絶縁性のフィラー(42)が充填されている、請求項1又は請求項2に記載の温度センサ。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111684247A (zh) * | 2018-01-31 | 2020-09-18 | 株式会社电装 | 温度传感器 |
CN111684246A (zh) * | 2018-01-31 | 2020-09-18 | 株式会社电装 | 温度传感器以及温度测定装置 |
-
2015
- 2015-09-02 JP JP2015172891A patent/JP2017049132A/ja active Pending
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CN111684247A (zh) * | 2018-01-31 | 2020-09-18 | 株式会社电装 | 温度传感器 |
CN111684246A (zh) * | 2018-01-31 | 2020-09-18 | 株式会社电装 | 温度传感器以及温度测定装置 |
CN111684247B (zh) * | 2018-01-31 | 2022-06-28 | 株式会社电装 | 温度传感器 |
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