JP2017042786A

JP2017042786A - 保護膜形成用樹脂剤及びレーザ加工方法

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Publication number: JP2017042786A
Application number: JP2015166667A
Authority: JP
Inventors: 幸伸大浦; Sachinobu Oura; 仙一梁; Senichi Yana; 陽平山下; Yohei Yamashita
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2015-08-26
Filing date: 2015-08-26
Publication date: 2017-03-02
Anticipated expiration: 2035-08-26
Also published as: JP6614696B2

Abstract

【課題】レーザビームを用いた加工において、加工性、加工品質及び歩留まりをさらに向上させる。【解決手段】レーザ加工に用いられる保護膜形成用樹脂剤として、水溶性樹脂と、樹脂水溶液中に分散され断面が長軸と長軸に直交する短軸とを持つ細長形状を有する金属酸化物の微粒子とを含むものを使用する。断面が長軸と長軸に直交する短軸とを持つ細長形状を有する金属酸化物の微粒子が樹脂水溶液中に分散されているため、これを被加工物に塗布し保護膜としてレーザ加工することにより、保護膜におけるレーザビームの吸収率が高くなるため、加工効率が向上し、レーザビームの波長に対して吸収性の低い基板についても効率よくレーザ加工することができる。また、加工品質も高くなり、加工により製造される製品の歩留まりを向上させることができる。【選択図】図４

Description

本発明は、レーザ加工に用いられる保護膜形成用樹脂剤、及び、その保護膜形成用樹脂剤を基板に塗布してレーザ加工するレーザ加工方法に関する。

従来、ガラス等の板状物の切断・分割に、レーザビームが用いられている。特許文献１には、ガラス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施す際に、二酸化チタン（TiO₂）等の微小な金属酸化物を分散させた樹脂をガラス基板に塗布して保護膜を形成することにより、レーザビームの吸収効率を向上させ、ガラス基板の加工性を向上させることが記載されている（例えば、特許文献１参照）。

かかる技術を用いることにより、金属酸化物を分散させていない樹脂を保護膜形成用の液として用いた場合に比べ、チッピングやレーザ焼けの発生率を減少させることができる。

特開２０１３−８１９５１号公報

しかし、引用文献１記載の発明においても、加工性、加工品質、歩留まりの観点から、さらなる向上が求められている。

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、レーザビームを用いた加工において、加工性、加工品質及び歩留まりをさらに向上させることを課題とする。

本発明は、レーザ加工に用いられる保護膜形成用樹脂剤であって、水溶性樹脂と、水溶性樹脂に分散され、断面が長軸と長軸に直交する短軸とを持つ細長形状を有する金属酸化物の微粒子とを含む。金属酸化物の微粒子については、長軸の長さを５００ｎｍ以下、短軸の長さを長軸の長さの１／１０〜１／５とするとよい。また、この保護膜形成用樹脂剤は、金属酸化物の微粒子を０．１〜１０体積％含むとよい。

また本発明は、レーザビームを照射して基板をアブレーション加工するレーザ加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべき基板上の領域に上記保護膜形成用樹脂剤を塗布して金属酸化物の微粒子入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜形成工程を実施した後、保護膜が形成された領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を備える。

本発明に係る保護膜形成用樹脂剤は、断面が長軸と長軸に直交する短軸とを持つ細長形状を有する金属酸化物の微粒子が水溶性樹脂に分散されているため、樹脂への分散性にすぐれている。したがって、これを被加工物に塗布し保護膜としてレーザ加工することにより、保護膜におけるレーザビームの吸光度が高くなるため、加工効率が向上し、レーザビームの波長に対して吸収性の低い基板についても効率よくレーザ加工することができる。また、加工品質も高くなり、加工により製造される製品の歩留まりを向上させることができる。

レーザ加工装置の例を示す斜視図である。レーザ加工装置に備えた保護膜形成手段を示す斜視図である。表面に保護膜が被覆された板状ワークを示す拡大断面図である。本発明の保護膜形成用樹脂剤を用いた保護膜を示す拡大写真である。従来の保護膜形成用樹脂剤を用いた保護膜を示す拡大写真である。出力３Ｗ、繰返し周波数４０ｋＨｚ、送り速度１５０ｍｍ／ｓの加工条件の下で、（ａ）は実施例の保護膜が被覆された基板をアブレーション加工した部分を示す拡大写真である。（ｂ）は、比較例の保護膜が被覆された基板をアブレーション加工した部分を示す拡大写真である。出力３Ｗ、繰返し周波数４０ｋＨｚ、送り速度２５０ｍｍ／ｓの加工条件の下で、（ａ）は実施例の保護膜が被覆された基板をアブレーション加工した部分を示す拡大写真である。（ｂ）は、比較例の保護膜が被覆された基板をアブレーション加工した部分を示す拡大写真である。出力３Ｗ、繰返し周波数１２０ｋＨｚ、送り速度１５０ｍｍ／ｓの加工条件の下で、（ａ）は実施例の保護膜が被覆された基板をアブレーション加工した部分を示す拡大写真である。（ｂ）は、比較例の保護膜が被覆された基板をアブレーション加工した部分を示す拡大写真である。出力３Ｗ、繰返し周波数１２０ｋＨｚ、送り速度１５０ｍｍ／ｓ、基板裏面側へのデフォーカス３０μｍの加工条件の下で、（ａ）は実施例の保護膜が被覆された基板をアブレーション加工した部分を示す拡大写真である。（ｂ）は、比較例の保護膜が被覆された基板をアブレーション加工した部分を示す拡大写真である。レーザビームの波長と吸光度との関係を示すグラフである。

図１に示すレーザ加工装置１は、チャックテーブル２に保持された板状ワークＷをレーザ加工手段３によって加工する装置である。板状ワークＷは、裏面がテープＴに貼着され、テープＴにはリング状のフレームＦが貼着されており、板状ワークＷは、テープＴを介してフレームＦに支持される。

レーザ加工装置１の前面側（−Ｙ方向側）には、フレームＦによって支持された板状ワークＷが複数収容されるカセット４０が載置されるカセット載置領域４が設けられている。カセット載置領域４は昇降可能となっている。カセット載置領域４の後方（＋Ｙ方向側）には、フレームＦによって支持された板状ワークＷが一時的に置かれる仮置き領域４１が設けられている。仮置き領域４１には、板状ワークＷを所定の位置に合わせる位置合わせ手段４２を備えている。また、仮置き領域４１の後方（＋Ｙ方向側）には、フレームＦに支持された板状ワークＷのカセット４０からの搬出及びカセット４０への搬入を行う搬出入手段４３が配設されている。

チャックテーブル２は、フレームＦに支持された板状ワークＷのチャックテーブル２に対する着脱が行われる着脱領域Ａと、レーザ加工が行われる加工領域Ｂとの間をＸ軸方向に移動可能であるとともに、Ｙ軸方向に移動可能となっている。

着脱領域Ａの＋Ｙ方向側には、レーザ加工前の板状ワークＷの表面に保護膜を形成する保護膜形成手段６が配設されている。保護膜形成手段６は、図２に示すように、フレームＦに支持された板状ワークＷを保持して回転する保持部６０と、保持部６０に保持された板状ワークＷに液状樹脂を滴下する樹脂ノズル６１と、板状ワークＷに洗浄液を滴下する洗浄液ノズル６２とを備えている。保持部６０は、昇降部６３によって駆動されて昇降可能となっているとともに、モータ６４によって駆動されて回転可能となっている。

昇降部６３は、モータ６４の側面側に固定された複数のエアシリンダ６３０とロッド６３１とから構成され、エアシリンダ６３０の昇降によってモータ６４及び保持部６０が昇降する構成となっている。

図１に示すように、仮置き領域４１の近傍には、フレームに支持された板状ワークＷを仮置き領域４１と保護膜形成手段６との間で搬送する第１の搬送手段５が配設されている。

保護膜形成手段６の上方には、フレームＦに支持された板状ワークＷを保護膜形成手段６から着脱領域Ａに位置するチャックテーブル２に搬送する第２の搬送手段７が配設されている。第２の搬送手段７は、板状ワークＷを吸着する吸着部７０と、吸着部７０を昇降させる昇降部７１と、吸着部７０及び昇降部７１をＹ軸方向に移動させるアーム部７２とを備えている。

レーザ加工手段３は、レーザビームを発振する発振手段３０と、レーザビームに繰り返し周波数を設定する周波数設定手段３１と、レーザビームの出力を調整する出力調整手段３２と、レーザビームを集光する集光器８とを備えている。

次に、板状ワークＷをレーザ加工する際の図１に示したレーザ加工装置１の動作概要について説明する。まず、フレームＦに支持された板状ワークＷは、カセット４０に複数収容される。そして、搬出入手段４３によってフレームＦが挟持されてフレームＦとともに板状ワークＷが仮置き領域４１に搬出される。

（保護膜形成工程）
仮置き領域４１において、位置合わせ手段４２によって板状ワークＷが一定の位置に位置合わせされた後、第1の搬送手段５によってフレームＦに支持された板状ワークＷが保護膜形成手段６の保持部６０に搬送され、図２に示したように、表面Ｗ１が上方に露出した状態で保持される。そして、図２に示した樹脂ノズル６１から板状ワークＷの表面Ｗ１の上に保護膜形成用樹脂剤６１０が滴下され、保持部６０が回転することにより、表面Ｗ１の全面に保護膜形成用樹脂剤６１０が塗布される。なお、保護膜形成用樹脂剤６１０は、本実施形態のようにスピンコート法により塗布してもよいし、スリット状のノズルから噴出させることによりを塗布してもよい。

板状ワークＷの表面Ｗ１の上に保護膜形成用樹脂剤６１０を塗布した後、例えば保持部６０を回転させることによって保護膜形成用樹脂剤６１０を乾燥させて固化させることにより、図３に示す保護膜９が被覆される。なお、保護膜形成用樹脂剤６１０は、ランプ（例えばキセノンフラッシュランプ）からの光の照射によって乾燥させてもよい。その場合は、温度上昇を避けるために、パルス光を照射するとよい。また、ホットプレートによるベーキングを行ってもよい。

図３に示したようにウエーハＷの表面Ｗ１に金属酸化物の微粒子入りの保護膜９が被覆された後、図１に示す第２の搬送手段７の昇降部７１が降下し、吸着部７０によって板状ワークＷが吸着される。そして、昇降部７１が上昇し、アーム部７２が−Ｙ方向に移動することにより、着脱領域Ａに位置するチャックテーブル２の上方に板状ワーク２が移動し、昇降部７１が降下して板状ワークＷの吸着を解除することにより、板状ワークＷがチャックテーブル２に載置され、吸引保持される。

（レーザ加工工程）
そして、チャックテーブル２が−Ｘ方向に移動し、加工すべき分割予定ラインが検出され集光器８と分割予定ラインとのＹ軸方向の位置合わせがなされる。そして、さらにチャックテーブル２がＸ軸方向に加工送りされるとともに、集光器８が保護膜９を透過させて板状ワークＷの表面Ｗ１の保護膜が形成された領域にレーザビームを照射することにより、分割予定ラインに沿ってアブレーション加工が行われる。加工送り速度は、例えば１０〜３００［ｍｍ／秒］とすることができる。また、レーザビームは、例えば波長が３５５［ｎｍ］、出力が０．５〜１０［Ｗ］、繰返し周波数が１０〜２００［ｋＨｚ］とすることができる。

次に、保護膜形成手段６によって被覆される保護膜９について詳細に説明する。図２に示した滴下される保護膜形成用樹脂剤６１０は、水溶性樹脂に金属酸化物が分散されて構成されている。ここで、水溶性樹脂としては、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）の他、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド、ポリエチレンイミン、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等を用いるとよい。ポリビニルアルコール又はポリビニルピロリドンは、その粘度が２０〜４００［ｃｐ］のものを用いることができる。また、金属酸化物としては、例えば二酸化チタン（TiO₂）の微粒子を用いる。二酸化チタン以外にも、Fe₂O₃、ZnO、CeO₂、CuO、Cu₂O、又はMgOを用いることができる。これらの金属酸化物は、加工時に使用するレーザビームの波長に対する吸光度に基づいて選択される。

図４の写真１００は、本発明の保護膜形成用樹脂剤６１０を用いた保護膜９を拡大して示したもので、金属酸化物の微粒子は、円形ではなく、長軸と長軸に対して直交する短軸とを有する不定形の細長形状に形成されている。細長形状には、楕円形や多角形、針状などが含まれ、これらの向きは不規則であり、これらには異方性の高いものも含まれる。例えば、長軸の長さは５００［ｎｍ］以下であり、短軸の長さは、長軸の長さの１／１０〜１／５である。長軸の長さは、好ましくは１〜１００［ｎｍ］、より好ましくは２０〜５０［ｎｍ］であるとよい。長軸の長さが５００［ｎｍ］を超えると、レーザビームの散乱の効果が優勢となり、レーザ加工には望ましくない。

金属酸化物の微粒子の濃度は、総体積（金属酸化物の体積＋樹脂の体積）に対して０．１〜１０体積％とするとよく、好ましくは、０．５〜５％、さらに好ましくは１〜２．５％とするとよい。

なお、保護膜９を、プラズマダイシング（ドライエッチング）の際のエッチングマスクとして用いると、プラズマ耐性を向上させることができる。

図４の写真１００に示した金属酸化物（酸化チタン（TiO₂））の微粒子が水中に分散した分散液（TiO₂濃度：３０重量％）を、ポリビニルアルコール（日本合成化学社製ＧＬ−０５）水溶液中に混入させ、スターラーにより攪拌することにより、細長形状のTiO₂の微粒子がポリビニルアルコール水溶液中に分散した実施例の試料（水溶性樹脂）を作成した。TiO₂の微粒子としては、粒子径（長軸長）が２０〜５０［ｎｍ］のものを使用した。TiO₂の微粒子の占有率は、水溶性樹脂を含めた全体の体積に対して６２［％］とした。

一方、比較例として、図５の写真１０１に示す細長形状でない略球状の酸化チタンの微粒子が水中に分散した分散液（TiO₂濃度：３０重量％）を、水溶性ポリビニルアルコール（日本合成化学社製ＧＬ−０５）水溶液中に混入させ、スターラーにより攪拌することにより、TiO₂の微粒子がポリビニルアルコール水溶液中に分散した比較例の試料（水溶性樹脂）を作成した。TiO₂の微粒子の占有率は、水溶性樹脂を含めた全体の体積に対して８０［％］とした。

上記実施例の水溶性樹脂及び比較例の水溶性樹脂をそれぞれガラスの表面に被覆して保護膜とし、ガラスのストリートに沿ってレーザビームを照射してアブレーション加工を行った。

図６〜９に示す写真は、図１に示したレーザ加工装置１を用いて実施例及び比較例の保護膜を表面に被覆したガラスをアブレーション加工した後の加工部分を撮影したものである。図６〜９において、各図の（ａ）の写真２０１，３０１，４０１，５０１は、実施例の加工結果を示しており、各図の（ｂ）の写真２０２，３０２，４０２，５０２は、比較例の加工結果を示している。

図６〜９の（ａ）の写真２０１，３０１，４０１，５０１は、ガラスの表面の境界６０１，６０３，６０５，６０７の両側（左右）に、液状樹脂のみを塗布して保護膜を被覆した部分（左側）と実施例の保護膜を被覆した部分（右側）とをそれぞれ形成し、それぞれの部分をアブレーション加工して加工状態を撮影して得たものである。一方、図６〜９の（ｂ）の写真２０２，３０２，４０２，５０２は、ガラスの表面の境界６０２，６０４，６０６，６０８の両側（左右）に、液状樹脂のみを塗布して保護膜を被覆した部分（左側）と略球状の酸化チタンを分散させた保護膜形成用樹脂剤を用いて保護膜を被覆した部分（右側）とをそれぞれ形成し、それぞれの部分をアブレーション加工して加工状態を撮影したものである。

すべての実施例及び比較例に共通のレーザビームの加工条件は以下のとおりである。
波長：３５５［ｎｍ］
出力：３［Ｗ］

図６（ａ）、（ｂ）は、繰返し周波数を４０［ｋＨｚ］、図１に示したチャックテーブル２の送り速度を１５０［ｍｍ／秒］とした場合の加工結果を示している。図６（ａ）の写真２０１の境界６０１より左側に写った酸化チタンを含まない保護膜が被覆された部分は、加工溝２０３が直線状に形成されておらず、加工溝２０３の両側には多くのチッピングが生じている。一方、図６（ａ）の写真２０１の境界６０１より右側に写った実施例の保護膜が被覆された部分の加工溝２０４の両側にはチッピングがなく、加工溝２０４は直線状に形成され、加工品質が高いことが確認された。また、加工溝２０４の両側には保護膜を構成する樹脂剤が多く飛散しており、効率よく加工が行われたことを確認することができる。

図６（ｂ）の写真２０２の境界６０２より左側に写った酸化チタンを含まない保護膜が被覆された部分は、加工溝２０５が直線状に形成されておらず、加工溝２０５の両側には多くのチッピングが生じている。一方、図６（ｂ）の写真２０２の境界６０２より右側に写った略球状の酸化チタンを分散させた保護膜が被覆された部分の加工溝２０６は、直線状に形成されている。しかし、この加工溝２０６は、図６（ａ）の写真２０１の加工溝２０４と比較すると、溝幅が狭く、保護膜を構成する樹脂剤の飛散量も少なく、図６（ａ）の写真２０１の加工溝２０４の方が、効率よく加工できていることが確認された。したがって、保護膜に含まれる酸化チタンについては、略球状の微粒子よりも不定形の細長形状の微粒子の方が加工品質及び加工効率を向上させることが確認された。

図７（ａ）、（ｂ）は、繰返し周波数を４０［ｋＨｚ］、図１に示したチャックテーブル２の送り速度を２５０［ｍｍ／秒］とした場合の加工結果を示している。図７（ａ）の写真３０１の境界６０３より左側に写った酸化チタンを含まない保護膜が被覆された部分は、加工溝３０３が直線状に形成されておらず、加工溝３０３の両側にはチッピングが生じている。一方、図７（ａ）の写真３０１の境界６０３より右側に写った実施例の保護膜が被覆された部分の加工溝３０４の両側にはチッピングがなく、加工溝３０４は直線状に形成されており、加工品質が高いことが確認された。また、加工溝３０４の両側には保護膜を構成する樹脂剤が多く飛散しており、効率よく加工が行われたことを確認することができる。

図７（ｂ）の写真３０２の境界６０４より左側に写った酸化チタンを含まない保護膜が被覆された部分は、加工溝３０５が直線状に形成されておらず、加工溝３０５の両側には多くのチッピングが生じている。一方、図７（ｂ）の写真３０２の境界６０４より右側に写った略球状の酸化チタンを分散させた保護膜が被覆された部分の加工溝３０６は、直線状に形成されている。しかし、この加工溝３０６は、図７（ａ）の写真３０１の加工溝３０４と比較すると、溝幅が狭く、保護膜を構成する樹脂剤の飛散量も少なく、図７（ａ）の写真３０１の加工溝３０４の方が、効率よく加工できていることが確認された。したがって、保護膜に含まれる酸化チタンについては、略球状の微粒子よりも細長形状の微粒子の方が加工品質を向上させることができることが確認された。

図８（ａ）、（ｂ）は、繰返し周波数を１２０［ｋＨｚ］、図１に示したチャックテーブル２の送り速度を１５０［ｍｍ／秒］とした場合の加工結果を示している。図８（ａ）の写真４０１の境界６０５より左側に写った酸化チタンを含まない保護膜が被覆された部分は、加工溝４０３の溝幅が狭い。一方、図８（ａ）の写真４０１の境界６０５より右側に写った実施例の保護膜が被覆された部分の加工溝４０４は、溝幅が広く、その両側には保護膜を構成する樹脂剤が多く飛散しており、効率よく加工が行われたことを確認することができる。

図８（ｂ）の写真４０２の境界６０６より左側に写った酸化チタンを含まない保護膜が被覆された部分は、加工溝４０５の溝幅が狭い。一方、図８（ｂ）の写真４０２の境界６０６より右側に写った略球状の酸化チタンを分散させた保護膜が被覆された部分の加工溝４０６は、加工溝４０５よりも溝幅が広い。しかし、加工溝４０６は、図８（ａ）の加工溝４０４と比較すると溝幅が狭く、図８（ａ）の加工溝４０４の方が効率よく加工できていることが確認された。したがって、保護膜に含まれる酸化チタンについては、略球状の微粒子よりも細長形状の微粒子の方が加工品質を向上させることができることが確認された。

図９（ａ）、（ｂ）は、繰返し周波数を１２０［ｋＨｚ］、図１に示したチャックテーブル２の送り速度を１５０［ｍｍ／秒］とし、レーザビームの集光深さを表面から３０［μｍ］裏面側にデフォーカスした場合の加工結果を示している。図９（ａ）の写真５０１の境界６０７より左側に写った酸化チタンを含まない保護膜が被覆された部分には、連続的な加工溝が形成されておらず、アブレーション加工ができなかった。一方、図９（ａ）の写真５０１の境界６０７の右側に写った実施例の保護膜が被覆された部分の加工溝５０４は、連続した直線状に形成され、アブレーション加工が行われたことが確認された。また、加工溝５０４は、溝幅が広く、効率よく加工できていることも確認された。

図９（ｂ）の写真５０１の境界６０８の左側に写った酸化チタンを含まない保護膜が被覆された部分には、連続的な加工溝が形成されておらず、アブレーション加工ができなかった。一方、図９（ｂ）の写真５０２の境界６０８より右側に写った略球状の酸化チタンを分散させた保護膜が被覆された部分の加工溝５０６は、連続した直線状に形成されていることが確認された。しかし、加工溝５０６は、図９（ａ）の加工溝５０４と比較すると、溝幅が狭く、図９（ａ）の加工溝５０４の方が、効率よく加工できていることが確認された。したがって、レーザビームの焦点を表面から深さ方向にずらした場合においても、酸化チタンは、略球状の粒子よりも楕円形などの細長形状の粒子の方が加工品質を向上させることができることが確認された。

以下に示す表１は、シリコンにポリイミドが成膜されたワーク（以下、「本ワーク」という。）をレーザ加工した場合におけるレーザ焼け発生率、チッピング発生率及び歩留まりの平均値を示している。加工条件は以下のとおりである。
波長：３５５［ｎｍ］
出力：２［Ｗ］
繰返し周波数：２００［ｋＨｚ］
スポット径：１０［μｍ］
送り速度：２００［ｍｍ／ｓｅｃ］
表１中、「金属酸化物なし」は、本ワークに金属酸化物の微粒子を含まない液状樹脂を塗布して保護膜を被覆した場合、「比較例」は、本ワークに略球状の酸化チタンの微粒子を分散させた保護膜形成用樹脂剤を塗布して保護膜を被覆した場合、「本発明」は、本ワークに細長形状の酸化チタンの微粒子を分散させた保護膜形成用樹脂剤を塗布して保護膜を被覆した場合を示している。なお、レーザ焼けは、飛散した保護膜でレーザビームが反射することにより、照射すべきでない位置にレーザビームが照射されてしまう現象である。

［表１］
本発明のチッピング発生率０．００（％）は、検出限界以下であることを示している。

上記表１から明らかなように、レーザ焼け発生率、チッピング発生率、歩留まりのいずれの点においても、本発明の保護膜形成用樹脂剤を用いると、金属酸化物なし又は比較例よりもすぐれていることがわかった。

図１０に示すグラフは、サファイア基板（リファレンス）、略球状の酸化チタンの微粒子を分散させた樹脂剤、細長形状の酸化チタンの微粒子を分散させた樹脂剤のそれぞれについて、日本分光社製Ｖ−６７０を用いて吸収スペクトルを測定することにより、レーザビームの波長と吸光度との関係を求めた結果を示している。

図１０のグラフから分かるように、サファイア基板（リファレンス）は、波長の値にかかわらず吸光度が低い。一方、酸化チタンの微粒子を分散させた樹脂剤は、波長が長くなるほど吸光度が低下するが、樹脂剤を構成する酸化チタンの形状が略球状の場合よりも細長形状の場合の方が、波長が長くなることにともなう吸光度の低下率が低く、より高い吸光度を維持できることが確認された。したがって、酸化チタンの微粒子を細長形状とした樹脂剤を保護膜として採用すると、酸化チタンの微粒子が略円形である場合と比較して、波長を長くしても効率よくレーザ加工できると考えられる。

Ｗ：板状ワークＴ：テープＦ：フレーム
１：レーザ加工装置
２：チャックテーブル
３：レーザ加工手段３０：発振手段３１：周波数設定手段３２：出力調整手段
４：カセット載置領域４０：カセット４１：仮置き領域４２：位置あわせ手段
４３：搬出入手段
５：第１の搬送手段
６：保護膜形成手段６０：保持部６１：樹脂ノズル６１０：保護膜形成用樹脂剤
６２：洗浄液ノズル６３：昇降部６３０：エアシリンダ６３１：ロッド
６４：モータ
７：第２の搬送手段７０：吸着部７１：昇降部７２：アーム部
８：集光器
２０１，２０２，３０１，３０２，４０１，４０２，５０１，５０２：写真
２０３〜２０６，３０３〜３０６，４０３〜４０６，５０４，５０６：加工溝
６０１〜６０８：境界

Claims

レーザ加工に用いられる保護膜形成用樹脂剤であって、
水溶性樹脂と、
前記水溶性樹脂に分散され、断面が長軸と前記長軸に直交する短軸とを持つ細長形状を有する金属酸化物の微粒子と、を含む保護膜形成用樹脂剤。
前記長軸の長さは５００ｎｍ以下であり、前記短軸の長さは前記長軸の長さの１／１０〜１／５である請求項１に記載の保護膜形成用樹脂剤。
前記金属酸化物の微粒子を０．１〜１０体積％含む請求項１または２に記載の保護膜形成用樹脂剤。
レーザビームを照射して基板をアブレーション加工するレーザ加工方法であって、
少なくともアブレーション加工すべき基板上の領域に請求項１から３のいずれか一項に記載の保護膜形成用樹脂剤を塗布して前記金属酸化物の微粒子入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程を実施した後、前記保護膜が形成された領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、
を備えるレーザ加工方法。