JP2017037863A - 電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 金属バリの発生を抑制することのできる電子装置を提供すること。
【解決手段】 樹脂よりなり、凹部１６が形成された基体１と、基体１に形成された電極層４と、凹部１６に配置された電子素子６１と、を備え、基体１は、凹部１６が形成された表面１１と、表面１１の向く方向とは反対方向を向く裏面１２と、を有し、基体１には、表面１１から裏面１２にわたって、基体１を貫く貫通孔１８が形成され、貫通孔１８は、内周面１８１を有し、電極層４は、内周面１８１を経て、表面１１から裏面１２にわたって、形成されている。
【選択図】 図１３

Description

本発明は、電子装置に関する。

従来から、様々な電子装置が知られている。電子装置の１つには光学装置がある。光学装置は、絶縁性の基体と、ＬＥＤチップと、めっき層と、を備える。ＬＥＤチップは、絶縁性基体に配置されている。めっき層は絶縁性基体に形成されている。このような光学装置は、たとえば特許文献１にＬＥＤパッケージとして開示されている。

このようなＬＥＤパッケージを製造する場合、絶縁性基体にめっき層を形成した後、ＬＥＤチップを絶縁性基体に配置する。そして、固片化のため、絶縁性基体とめっき層とを一括してダイシングする。このダイシングの際に、めっき層も切断されるため金属バリが発生する。金属バリの発生は種々の不具合を引き起こすおそれがある。たとえば、ＬＥＤパッケージの実装基板の回路に金属バリが落下した場合、回路のショートを引き起こすおそれがある。

特開２０１３−２１９０９０号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、金属バリの発生を抑制することのできる電子装置を提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によると、樹脂よりなり、凹部が形成された基体と、前記基体に形成された電極層と、前記凹部に配置された電子素子と、を備え、前記基体は、前記凹部が形成された表面と、前記表面の向く方向とは反対方向を向く裏面と、前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する方向を向く外側面と、を有し、前記基体には、前記外側面から凹む溝が形成され、前記溝は、溝内面を有し、前記溝内面は、前記電極層から露出した第１溝内面露出部と、前記電極層に覆われた溝内面被覆部と、を有し、前記第１溝内面露出部は、前記外側面につながっている、電子装置が提供される。

好ましくは、前記第１溝内面露出部は、前記溝内面と前記外側面との境界に沿って延びる帯状の領域である。

好ましくは、前記第１溝内面露出部の幅は、５０〜１００μｍである。

好ましくは、前記溝内面は、前記溝において、前記厚さ方向と前記厚さ方向に直交する方向のうち前記溝が開放する方向である第１方向とに直交する第２方向側の端に位置し、且つ、前記表面と前記外側面とにつながる第１傾斜部分を有し、前記第１傾斜部分は、前記厚さ方向において前記表面から離れるほど、前記第２方向とは反対の第３方向に向かうように、前記厚さ方向に対し傾斜しており、前記溝内面は、前記溝において、前記第２方向側の端に位置し、且つ、前記裏面と前記外側面とにつながる第１傾斜部位を有し、前記第１傾斜部位は、前記厚さ方向において前記裏面から離れるほど、前記第３方向に向かうように、前記厚さ方向に対し傾斜している。

好ましくは、前記第１傾斜部分の一部と前記第１傾斜部位の一部とは、前記第１溝内面露出部を構成している。

好ましくは、前記第１傾斜部分は全て、前記溝内面被覆部を構成しており、前記第１傾斜部位の一部は、前記第１溝内面露出部を構成している。

好ましくは、前記第１傾斜部分は、前記第１傾斜部位につながっている。

好ましくは、前記裏面は、前記電極層から露出した第１裏面露出部を有し、前記第１裏面露出部は、前記外側面および前記第１溝内面露出部につながっている。

好ましくは、前記表面は、前記電極層から露出した第１表面露出部を有し、前記第１表面露出部は、前記外側面および前記第１溝内面露出部につながっている。

好ましくは、前記溝内面は、前記電極層から露出した第２溝内面露出部を有し、前記第２溝内面露出部は、前記外側面につながっている。

好ましくは、前記第２溝内面露出部は、前記溝内面と前記外側面との境界に沿って延びる帯状の領域である。

好ましくは、前記第２溝内面露出部の幅は、５０〜１００μｍである。

好ましくは、前記溝内面は、前記溝において、前記厚さ方向と前記厚さ方向に直交する方向のうち前記溝が開放する方向である第１方向とに直交する第２方向とは反対の第３方向側に位置し、且つ、前記表面と前記外側面とにつながる第２傾斜部分を有し、前記第２傾斜部分は、前記厚さ方向において前記表面から離れるほど、前記第２方向に向かうように、前記厚さ方向に対し傾斜しており、前記溝内面は、前記溝において、前記第３方向側に位置し、且つ、前記裏面と前記外側面とにつながる第２傾斜部位を有し、前記第２傾斜部位は、前記厚さ方向において前記裏面から離れるほど、前記第３方向に向かうように、前記厚さ方向に対し傾斜している。

好ましくは、前記第２傾斜部分の一部と前記第２傾斜部位の一部とは、前記第２溝内面露出部を構成している。

好ましくは、前記第２傾斜部分は全て、前記溝内面被覆部を構成しており、前記第２傾斜部位の一部は、前記第２溝内面露出部を構成している。

好ましくは、前記第２傾斜部分は、前記第２傾斜部位につながっている。

好ましくは、前記溝は、側面視において、前記厚さ方向の中央寄りの箇所にて、くびれた形状である。

好ましくは、前記裏面は、前記電極層から露出した第２裏面露出部を有し、前記第２裏面露出部は、前記外側面および前記第２溝内面露出部につながっている。

好ましくは、前記表面は、前記電極層から露出した第２表面露出部を有し、前記第２表面露出部は、前記外側面および前記第２溝内面露出部につながっている。

好ましくは、前記溝は、前記表面から前記裏面にわたって形成されている。

好ましくは、前記溝内面は、前記表面および前記裏面につながっている。

好ましくは、前記溝内面のうち、前記厚さ方向に直交する方向のうち前記溝が開放する方向である第１方向を向く領域は全て、前記溝内面被覆部を構成している。

好ましくは、前記溝内面と前記表面との境界の一部、および、前記溝内面と前記裏面との境界の一部は、前記電極層に覆われている。

好ましくは、複数の前記溝は、前記厚さ方向視において、前記凹部を挟んで互いに反対側に、配置されている。

好ましくは、前記溝が、前記第２方向に沿って複数配置されている。

好ましくは、前記電極層は、前記表面に形成された表面電極と、前記裏面に形成された裏面電極と、前記表面電極および前記裏面電極を導通させる連絡電極と、を含み、前記連絡電極は、前記溝内面に形成されている。

好ましくは、前記外側面には、線状痕が形成されている。

好ましくは、前記外側面および前記溝内面は全て、樹脂により構成されている。

好ましくは、前記基体は、熱可塑性樹脂よりなる。

好ましくは、前記凹部は、前記表面につながり、且つ、前記厚さ方向視において前記電子素子を囲む凹部側面を有し、前記電極層は、前記表面から前記凹部側面にわたって、形成されている。

好ましくは、前記凹部側面は、逆テーパ状になっている。

好ましくは、前記凹部は、前記凹部側面につながる第１凹部底面を有し、前記電極層は、前記凹部側面から前記第１凹部底面にわたって形成されている。

好ましくは、前記凹部は、前記第１凹部底面よりも、前記厚さ方向において前記裏面に近い第２凹部底面を有し、前記第２凹部底面には、前記電子素子が配置されている。

好ましくは、前記電極層は、無電解メッキ層と、前記無電解メッキ層に積層された電解メッキ層と、を含み、前記無電解メッキ層は、前記電解メッキ層と前記基体との間に介在している。

好ましくは、前記無電解メッキ層は、Ｃｕよりなる。

好ましくは、前記電解メッキ層は、Ｃｕ層およびＡｕ層を有し、前記Ｃｕ層は、前記Ａｕ層および前記無電解メッキ層との間に介在している。

好ましくは、前記電解メッキ層は、前記Ｃｕ層および前記Ａｕ層の間に介在するＮｉ層を有する。

好ましくは、前記電極層のいずれの部位も、前記表面と前記外側面との境界、および、前記裏面と前記外側面との境界から離間している。

好ましくは、前記電子素子は、光学素子である。

好ましくは、前記光学素子は、発光素子または受光素子である。

好ましくは、前記光学素子は、ＬＥＤである。

好ましくは、前記電子素子および前記電極層のいずれにもボンディングされたワイヤを更に備える。

好ましくは、前記電子素子を覆う封止樹脂部を更に備える。

好ましくは、前記封止樹脂部は、光を透過させる材料よりなる。

本発明の第２の側面によると、樹脂よりなり、凹部が形成された基体と、前記基体に形成された電極層と、前記凹部に配置された電子素子と、を備え、前記基体は、前記凹部が形成された表面と、前記表面の向く方向とは反対方向を向く裏面と、を有し、前記基体には、前記表面から前記裏面にわたって、前記基体を貫く貫通孔が形成され、前記貫通孔は、内周面を有し、前記電極層は、前記内周面を経て、前記表面から前記裏面にわたって、形成されている、電子装置が提供される。

好ましくは、前記内周面と前記表面との境界は全て、前記電極層に覆われている。

好ましくは、前記内周面の全面は、前記電極層に覆われている。

好ましくは、前記貫通孔は、前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する平面による断面積が、前記裏面から前記表面に向かって徐々に小さくなる。

好ましくは、前記内周面は、互いに対向する第１部分および第２部分を有し、前記第１部分および前記第２部分はいずれも、前記表面から前記裏面にわたる部分であり、前記厚さ方向に対する前記第２部分の傾斜角は、前記厚さ方向に対する前記第１部分の傾斜角よりも、大きい。

好ましくは、前記第２部分は、前記厚さ方向視において、前記凹部に重なる部位を有する。

好ましくは、前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する平面による、前記貫通孔の断面は、矩形状である。

好ましくは、複数の前記貫通孔が、前記凹部を挟んで互いに互いに反対側に、配置されている。

好ましくは、前記電極層は、前記表面に形成された表面電極と、前記裏面に形成された裏面電極と、前記表面電極および前記裏面電極を導通させる連絡電極と、を含み、前記連絡電極は、前記内周面に形成されている。

好ましくは、前記基体は、前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する方向を向く外側面を有し、前記外側面には、線状痕が形成されている。

好ましくは、前記内周面は全て、樹脂により構成されている。

好ましくは、前記基体は、熱可塑性樹脂よりなる。

好ましくは、前記凹部は、前記表面につながり、且つ、前記厚さ方向視において前記電子素子を囲む凹部側面を有し、前記電極層は、前記表面から前記凹部側面にわたって、形成されている。

好ましくは、前記凹部側面は、逆テーパ状になっている。

好ましくは、前記凹部は、前記凹部側面につながる第１凹部底面を有し、前記電極層は、前記凹部側面から前記第１凹部底面にわたって形成されている。

好ましくは、前記凹部は、前記第１凹部底面よりも、前記厚さ方向において前記裏面に近い第２凹部底面を有し、前記第２凹部底面には、前記電子素子が配置されている。

好ましくは、前記電極層は、無電解メッキ層と、前記無電解メッキ層に積層された電解メッキ層と、を含み、前記無電解メッキ層は、前記電解メッキ層と前記基体との間に介在している。

好ましくは、前記無電解メッキ層は、Ｃｕよりなる。

好ましくは、前記電解メッキ層は、Ｃｕ層およびＡｕ層を有し、前記Ｃｕ層は、前記Ａｕ層および前記無電解メッキ層との間に介在している。

好ましくは、前記電解メッキ層は、前記Ｃｕ層および前記Ａｕ層の間に介在するＮｉ層を有する。

好ましくは、前記電極層のいずれの部位も、前記表面と前記外側面との境界、および、前記裏面と前記外側面との境界から離間している。

好ましくは、前記電子素子は、光学素子である。

好ましくは、前記光学素子は、発光素子または受光素子である。

好ましくは、前記光学素子は、ＬＥＤである。

好ましくは、前記電子素子および前記電極層のいずれにもボンディングされたワイヤを更に備える。

好ましくは、前記電子素子を覆う封止樹脂部を更に備える。

好ましくは、前記封止樹脂部は、光を透過させる材料よりなる。

本発明の第３の側面によると、樹脂よりなり、凹部が形成された基体と、前記基体に形成された電極層と、前記凹部に配置された電子素子と、を備え、前記基体は、前記凹部が形成された表面と、前記表面の向く方向とは反対方向を向く裏面と、前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する方向を向く外側面と、を有し、前記電極層は、前記表面に形成された表面電極と、前記裏面に形成された裏面電極と、を含み、前記表面電極のいずれの部位も、前記表面と前記外側面との境界から離間しており、前記裏面電極のいずれの部位も、前記裏面と前記外側面との境界から離間している、電子装置が提供される。

好ましくは、前記電極層は、無電解メッキ由来の材料のみよりなる。

好ましくは、前記電極層は、第１無電解メッキ層と、前記第１無電解メッキ層に積層された第２無電解メッキ層と、を含み、前記第１無電解メッキ層は、前記第２無電解メッキ層と前記基体との間に介在している。

好ましくは、前記第１無電解メッキ層は、Ｃｕよりなる。

好ましくは、前記第２無電解メッキ層は、Ｃｕ層およびＡｕ層を有し、前記Ｃｕ層は、前記Ａｕ層および前記第１無電解メッキ層との間に介在している。

好ましくは、前記第２無電解メッキ層は、前記Ｃｕ層および前記Ａｕ層の間に介在するＮｉ層を有する。

好ましくは、前記電極層は、前記表面電極および前記裏面電極を導通させる連絡電極を含む。

好ましくは、前記外側面には、線状痕が形成されている。

好ましくは、前記外側面は全て、樹脂により構成されている。

好ましくは、前記基体は、熱可塑性樹脂よりなる。

好ましくは、前記凹部は、前記表面につながり、且つ、前記厚さ方向視において前記電子素子を囲む凹部側面を有し、前記電極層は、前記表面から前記凹部側面にわたって、形成されている。

好ましくは、前記凹部側面は、逆テーパ状になっている。

好ましくは、前記凹部は、前記凹部側面につながる第１凹部底面を有し、前記電極層は、前記凹部側面から前記第１凹部底面にわたって形成されている。

好ましくは、前記凹部は、前記第１凹部底面よりも、前記厚さ方向において前記裏面に近い第２凹部底面を有し、前記第２凹部底面には、前記電子素子が配置されている。

好ましくは、前記電子素子は、光学素子である。

好ましくは、前記光学素子は、発光素子または受光素子である。

好ましくは、前記光学素子は、ＬＥＤである。

好ましくは、前記電子素子および前記電極層のいずれにもボンディングされたワイヤを更に備える。

好ましくは、前記電子素子を覆う封止樹脂部を更に備える。

好ましくは、前記封止樹脂部は、光を透過させる材料よりなる。

本発明の第４の側面によると、本発明の第３の側面によって提供される電子装置の製造方法であって、樹脂よりなる基体を成型する工程と、レーザ光を照射することにより、前記基体の表面を選択的に粗化し、且つ、表面改質する工程と、前記基体を金属イオンからなるイオン触媒に接触させる工程と、前記イオン触媒を還元剤によって金属に還元する工程と、前記基体に前記電極層を形成する工程と、を備え、前記電極層を形成する工程は、前記基体の回路となる部分に無電解メッキ層を形成する工程を含む、電子装置の製造方法が提供される。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態の実装構造の断面図である。 本発明の第１実施形態の電子装置の平面図である。 本発明の第１実施形態の電子装置の底面図である。 図２に示した電子装置の右側面図である。 図２に示した電子装置の一部を示す斜視図である。 図４のＶＩ−ＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。 図４のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。 本発明の第１実施形態にかかる電極層の積層構造を模式的に拡大して示す断面図である。 外側面に形成された線状痕を示す図である。 本発明の第１実施形態の電子装置の製造方法の一工程を示す図である。 図１０に続く一工程を示す図である。 本発明の第１実施形態の第１変形例の電子装置の一部を示す斜視図である。 本発明の第２実施形態の電子装置の断面図である。 本発明の第２実施形態の電子装置の平面図である。 本発明の第２実施形態の電子装置の底面図である。 本発明の第３実施形態の電子装置の平面図である。 本発明の第３実施形態の電子装置の底面図である。 本発明の第３実施形態にかかる電極層の積層構造を模式的に拡大して示す断面図である。 本発明の第４実施形態の電子装置の平面図である。 本発明の第４実施形態の電子装置の底面図である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１〜図１１を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態の実装構造の断面図である。

図１に示す電子装置の実装構造８００は、電子装置１０１と、実装基板８９１と、導電性接合部８９５と、を備える。

実装基板８９１は、たとえばプリント配線基板である。実装基板８９１は、たとえば、絶縁基板と、当該絶縁基板に形成されたパターン電極（図示略）とを含む。電子装置１０１は実装基板８９１に搭載されている。電子装置１０１と、実装基板８９１との間には、導電性接合部８９５が介在している。導電性接合部８９５は、たとえばハンダよりなり、電子装置１０１と実装基板８９１とを接合している。

図２は、本発明の第１実施形態の電子装置の平面図である。図３は、本発明の第１実施形態の電子装置の底面図である。図４は、図２に示した電子装置の右側面図である。図５は、図２に示した電子装置の一部を示す斜視図である。なお、図１の電子装置は、図２のＩ−Ｉ線に沿う断面図となっている。

図１〜図５に示す電子装置１０１は、基体１と、電極層４と、電子素子６１と、ワイヤ６２と、封止樹脂部７と、を備える。なお理解の便宜上、図１以外では、封止樹脂部７の図示を省略している。電子装置１０１はＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｄｅｖｉｃｅ）である。ＭＩＤとは、射出成形品に電気回路、電極、パターンが形成された回路成形部品である。

基体１は樹脂よりなる。基体１は、熱可塑性樹脂よりなり、たとえば、芳香族系ポリアミド、あるいは、液晶性ポリエステルよりなる。

基体１は、表面１１と、裏面１２と、外側面１３と、を有する。

表面１１は厚さ方向Ｚ１を向く。表面１１は平坦である。裏面１２は表面１１の向く方向（厚さ方向Ｚ１）とは反対方向（方向Ｚ２）を向く。裏面１２は平坦である。外側面１３は、裏面１２から表面１１に向かう方向である厚さ方向Ｚ１に直交する方向を向く。外側面１３は、厚さ方向Ｚ１視において、基体１の外周を一周する面である。

図１〜図５に示すように、外側面１３は、第１側面１３１と、第２側面１３２と、第３側面１３３と、第４側面１３４と、を有する。

第１側面１３１は、第１方向Ｘ１を向き、平坦である。第１側面１３１は、表面１１および裏面１２につながっている。第２側面１３２は、第２方向Ｘ２を向き、平坦である。第２側面１３２は、表面１１および裏面１２につながっている。第３側面１３３は、第３方向Ｘ３を向き、平坦である。第３側面１３３は、表面１１および裏面１２につながっている。第４側面１３４は、第４方向Ｘ４を向き、平坦である。第４側面１３４は、表面１１および裏面１２につながっている。第１側面１３１と第２側面１３２とは互いにつながっており、第２側面１３２と第４側面１３４とは互いにつながっており、第１側面１３１と第３側面１３３とは互いにつながっており、第３側面１３３と第４側面１３４とは互いにつながっている。

上述のように、基体１は樹脂よりなるため、第１側面１３１と、第２側面１３２と、第３側面１３３と、第４側面１３４とはいずれも、樹脂のみから構成されている。

後述のように、基体１は、金型を用いて射出成形された後にダイシングされることにより、形成される。本実施形態では、第１側面１３１および第４側面１３４はダイシングにより形成される面である。そのため、第１側面１３１には、ダイシングブレードによって形成された線状痕１３１Ａ（図９参照）が残存しており、第４側面１３４にはダイシングブレードによって形成された線状痕１３４Ａ（図９参照）が残存している。一方、第２側面１３２および第３側面１３３は金型により形成される面である。

図１、図２、図５等に示すように、基体１には凹部１６が形成されている。具体的には、基体１の表面１１に凹部１６が形成されている。本実施形態では、凹部１６の形状は矩形状であるが、凹部１６の形状はこれに限定されない。

凹部１６は、凹部内側面１６１と、第１凹部底面１６２と、第２凹部底面１６３と、起立面１６４と、を有する。

凹部内側面１６１は、表面１１につながり、且つ、厚さ方向Ｚ１視において電子素子６１を囲んでいる。凹部内側面１６１はわずかに逆テーパ状になっている。これは、上述のように基体１は金型によって形成されるため、金型を凹部１６から抜けやすくするためである。

第１凹部底面１６２は、厚さ方向Ｚ１を向いている。第１凹部底面１６２は凹部内側面１６１につながる。

第２凹部底面１６３は、厚さ方向Ｚ１を向いている。第２凹部底面１６３は、第１凹部底面１６２よりも、厚さ方向Ｚ１において裏面１２に近い。すなわち、第２凹部底面１６３は、第１凹部底面１６２よりも、方向Ｚ２側に位置している。換言すれば、厚さ方向Ｚ１において、第２凹部底面１６３および表面１１の間に、第１凹部底面１６２が位置している。第２凹部底面１６３は凹部内側面１６１につながっている。

起立面１６４は第２凹部底面１６３から起立しており、凹部内側面１６１と第１凹部底面１６２と第２凹部底面１６３とにつながっている。

図１〜図５等に示すように、基体１には、複数の溝３が形成されている。溝３については、電極層４の説明をした後に説明する。

図１〜図５等に示す電極層４は基体１に形成されている。電極層４は、表面１１と裏面１２と凹部内側面１６１と第１凹部底面１６２とに形成されている。

電極層４は、表面電極４４と、裏面電極４５と、連絡電極４６と、内側面電極４７と、底面電極４８と、を含む。本実施形態では、表面電極４４と、裏面電極４５と、連絡電極４６と、内側面電極４７と、底面電極４８とを１組として、表面電極４４等が４組形成されている。

表面電極４４は表面１１に形成されている。表面電極４４は、基部４４１および接続部４４２を有する。基部４４１は、内側面電極４７と連絡電極４６との間に介在する部位である。接続部４４２は、基部４４１につながっており、表面１１の端縁（表面１１と外側面１３との境界）にまで至っている。接続部４４２は、電極層４を形成する際に電解メッキを行う場合に、他の電子装置１０１の表面電極４４における接続部４４２と導通させるための部位である。

裏面電極４５は裏面１２に形成されている。裏面電極４５は連絡電極４６につながっている。本実施形態では、裏面電極４５は矩形状であるが、裏面電極４５の形状はどのような形状であってもよい。図１に示すように、実装構造８００において裏面電極４５には導電性接合部８９５が接している。

連絡電極４６は、表面電極４４および裏面電極４５につながっており、表面電極４４および裏面電極４５を導通させている。本実施形態では、連絡電極４６は溝３の溝内面３１（後述）に形成されている。

内側面電極４７は凹部内側面１６１に形成されており、表面電極４４につながっている。このようにして、電極層４は、表面１１から凹部内側面１６１にわたって、形成されている。内側面電極４７は表面電極４４から方向Ｚ２に沿って延びる形状である。

底面電極４８は第１凹部底面１６２に形成されている。底面電極４８は内側面電極４７につながっている。このようにして、電極層４は、凹部内側面１６１から第１凹部底面１６２にわたって形成されている。本実施形態では、底面電極４８は矩形状であるが、底面電極４８の形状はどのような形状であってもよい。

電極層４の積層構造は次のとおりである。

図８に模式的に示すように、電極層４は、メッキ層４１Ａ（無電解メッキ層）と、メッキ層４２Ａ（電解メッキ層）と、を含む。

メッキ層４１Ａは、メッキ層４２Ａと基体１との間に介在している。メッキ層４１Ａは、後述のように無電解メッキにより形成される。メッキ層４１Ａは、たとえばＣｕよりなる。メッキ層４１Ａの厚さは、たとえば、０．３〜０．８μｍである。

メッキ層４２Ａは、メッキ層４１Ａに積層されている。メッキ層４２Ａは後述のように電解メッキにより形成される。メッキ層４２Ａは、Ｃｕ層４２１Ａと、Ａｕ層４２２Ａとを含む。Ｃｕ層４２１Ａは、Ａｕ層４２２Ａとメッキ層４１Ａとの間に介在している。本実施形態では、メッキ層４２ＡはＮｉ層４２３Ａを含む。Ｎｉ層４２３ＡはＣｕ層４２１ＡおよびＡｕ層４２２Ａの間に介在している。なお、本実施形態とは異なり、メッキ層４２ＡがＮｉ層４２３Ａを含んでいなくてもよい。Ｃｕ層４２１Ａの厚さはたとえば、１０〜３０μｍであり、Ａｕ層４２２Ａの厚さはたとえば０．２〜０．５μｍであり、Ｎｉ層４２３Ａの厚さはたとえば２〜８μｍである。

基体１には、外側面１３から凹む溝３が形成されている。溝３は、表面１１から裏面１２にわたって形成されている。本実施形態では、複数の（４つの）溝３が、厚さ方向Ｚ１視において、凹部１６を挟んで互いに反対側に、配置されている。溝３が、第２方向Ｘ２に沿って複数配置されている。具体的には、第１側面１３１から凹む溝３が２つ形成されており、第４側面１３４から凹む溝３が２つ形成されている。

以下、第１側面１３１から凹む溝３について説明するが、他の溝３についても同様である。

図６は、図４のＶＩ−ＶＩ線に沿う部分拡大断面図である。図７は、図４のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う部分拡大断面図である。

図１〜図７に示す溝３は、溝内面３１を有する。溝内面３１は、表面１１と裏面１２と外側面１３とにつながっている。溝内面３１の一部は電極層４（具体的には連絡電極４６）に覆われている。溝内面３１と表面１１との境界の一部、および、溝内面３１と裏面１２との境界の一部は、電極層４に覆われている。

図４〜図７等に示すように、溝内面３１は、溝内面被覆部３１０と、第１溝内面露出部３１１と、第２溝内面露出部３１２と、を有する。

溝内面被覆部３１０は、溝内面３１のうち電極層４に覆われた部分である。溝内面３１のうち、厚さ方向Ｚ１に直交する方向のうち溝３が開放する方向である第１方向Ｘ１を向く領域は全て、溝内面被覆部３１０を構成している。

第１溝内面露出部３１１は、溝内面３１のうち電極層４から露出した部分である。第１溝内面露出部３１１は、溝内面３１のうち第２方向Ｘ２側に位置している。第１溝内面露出部３１１は外側面１３につながっている。本実施形態では、第１溝内面露出部３１１は、溝内面３１と外側面１３との境界に沿って延びる帯状の領域である。第１溝内面露出部３１１の幅Ｌ１１（図６参照）は、たとえば５０〜１００μｍである。

第２溝内面露出部３１２は、溝内面３１のうち電極層４から露出した部分である。第２溝内面露出部３１２は、溝内面３１のうち第３方向Ｘ３側に位置している。すなわち、第２溝内面露出部３１２と第１溝内面露出部３１１とは、溝３において、Ｘ２−Ｘ３方向において、互いに反対側に位置している。第２溝内面露出部３１２は外側面１３につながっている。本実施形態では、第２溝内面露出部３１２は、溝内面３１と外側面１３との境界に沿って延びる帯状の領域である。第２溝内面露出部３１２の幅Ｌ１２（図７参照）は、たとえば５０〜１００μｍである。

溝３は、側面視において、厚さ方向Ｚ１の中央寄りの箇所にて、くびれた形状である。具体的には、溝内面３１は、第１傾斜部分３１５Ａと、第２傾斜部分３１５Ｂと、第１傾斜部位３１６Ａと、第２傾斜部位３１６Ｂと、を有する。本実施形態では、第１傾斜部分３１５Ａと、第２傾斜部分３１５Ｂと、第１傾斜部位３１６Ａと、第２傾斜部位３１６Ｂと、はいずれも平坦である。

図５、図６等に示す第１傾斜部分３１５Ａは、溝３において、厚さ方向Ｚ１と厚さ方向Ｚ１に直交する方向のうち溝３が開放する方向（本実施形態では第１方向Ｘ１）とに直交する方向（本実施形態では第２方向Ｘ２）側の端に位置する。第１傾斜部分３１５Ａは、表面１１と外側面１３とにつながる。第１傾斜部分３１５Ａは、厚さ方向Ｚ１において表面１１から離れるほど、第２方向Ｘ２とは反対の第３方向Ｘ３に向かうように、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。第１傾斜部分３１５Ａの一部は第１溝内面露出部３１１を構成している。

図５、図６等に示す第１傾斜部位３１６Ａは、溝３において、厚さ方向Ｚ１と厚さ方向Ｚ１に直交する方向のうち溝３が開放する方向（本実施形態では第１方向Ｘ１）とに直交する（本実施形態では第２方向Ｘ２）側の端に位置する。第１傾斜部位３１６Ａは、裏面１２と外側面１３とにつながる。第１傾斜部位３１６Ａは、厚さ方向Ｚ１において裏面１２から離れるほど、第２方向Ｘ２とは反対の第３方向Ｘ３に向かうように、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。第１傾斜部位３１６Ａの一部は第１溝内面露出部３１１を構成している。第１傾斜部位３１６Ａには第１傾斜部分３１５Ａがつながっている。

図５、図７等に示す第２傾斜部分３１５Ｂは、溝３において、厚さ方向Ｚ１と厚さ方向Ｚ１に直交する方向のうち溝３が開放する方向（本実施形態では第１方向Ｘ１）とに直交する方向（本実施形態では第３方向Ｘ３）側の端に位置する。第２傾斜部分３１５Ｂは、表面１１と外側面１３とにつながる。第２傾斜部分３１５Ｂは、厚さ方向Ｚ１において表面１１から離れるほど、第２方向Ｘ２に向かうように、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。第２傾斜部分３１５Ｂの一部は第２溝内面露出部３１２を構成している。

図５、図７等に示す第２傾斜部位３１６Ｂは、溝３において、厚さ方向Ｚ１と厚さ方向Ｚ１に直交する方向のうち溝３が開放する方向（本実施形態では第１方向Ｘ１）とに直交する（本実施形態では第３方向Ｘ３）側の端に位置する。第２傾斜部位３１６Ｂは、裏面１２と外側面１３とにつながる。第２傾斜部位３１６Ｂは、厚さ方向Ｚ１において裏面１２から離れるほど、第２方向Ｘ２に向かうように、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。第２傾斜部位３１６Ｂの一部は第２溝内面露出部３１２を構成している。第２傾斜部位３１６Ｂには第２傾斜部分３１５Ｂがつながっている。

図２、図５等に示すように、本実施形態では、表面１１は、第１表面露出部１１１および第２表面露出部１１２を有する。第１表面露出部１１１および第２表面露出部１１２はいずれも、電極層４から露出している。第１表面露出部１１１は、外側面１３および第１溝内面露出部３１１につながっており、第２表面露出部１１２は、外側面１３および第２溝内面露出部３１２につながっている。

同様に、図３、図５等に示すように、本実施形態では、裏面１２は、第１裏面露出部１２１および第２裏面露出部１２２を有する。第１裏面露出部１２１および第２裏面露出部１２２はいずれも、電極層４から露出している。第１裏面露出部１２１は、外側面１３および第１溝内面露出部３１１につながっており、第２裏面露出部１２２は、外側面１３および第２溝内面露出部３１２につながっている。

図１、図２等に示す電子素子６１は凹部１６に配置されている。具体的には、電子素子６１は第２凹部底面１６３に配置されている。本実施形態では、電子素子６１は光学素子である。光学素子は、発光素子または受光素子であり、本実施形態では特に、ＬＥＤである。本実施形態とは異なり、電子素子６１は光学素子に限定されるものではなく、ＬＳＩや光学素子ではないダイオード等であってもよい。また、電子素子６１は半導体よりなるものに限定されず、たとえば、インダクタや抵抗であってもよい。本実施形態では、電子装置１０１は３つの電子素子６１を備えているが、電子素子６１の個数はこれに限定されず、１、２または４以上であってもよい。

複数のワイヤ６２のうち３つは、電子素子６１および電極層４（本実施形態では底面電極４８）のいずれにもボンディングされている。これにより、電子素子６１および電極層４が互いに導通している。複数のワイヤ６２のうち１つは、第２凹部底面１６３に形成された配線層と電極層４（本実施形態では底面電極４８）とにボンディングされている。

図１に示す封止樹脂部７は、凹部１６に充填されている。封止樹脂部７は電子素子６１とワイヤ６２とを覆っている。本実施形態では電子素子６１は光学素子であるため、封止樹脂部７は、光を透過させる材料よりなる。

次に、電子装置１０１の製造方法について簡単に説明する。

まず、金型を用いた射出成形により、図１０に示す樹脂よりなる基体１’を形成する。

次に、図示は省略するが、基体１’の表面改質を行う。表面改質はたとえば、紫外線を基体１’の表面に照射することにより行う。この工程では、基体１’の表面を選択的に粗化し、表面改質する。

次に、基体１’を金属イオンからなるイオン触媒に接触させ、イオン触媒を吸着させる。具体的には、基体１’にパラジウムイオン触媒を吸着させ、更に、金属に還元する。その後、基体１’の全面に、無電解メッキによってＣｕよりなるメッキ層４１Ａ’を形成する。

次に、図１０に示すように、レーザ光をメッキ層４１Ａ’に照射することにより、非回路領域と回路領域（メッキ層４１Ａ’のうち電極層４となるべき領域）との境界に沿って、非回路領域を除去する。次に、電解メッキによって、図８に示したＣｕ層４２１Ａを形成する。

次に、メッキ層４１Ａ’のうち非回路領域として残存する箇所をソフトエッチングによって除去した後、電解メッキによって、図８に示したＮｉ層４２３ＡおよびＡｕ層４２２Ａを形成する。

以上のように、電極層４’が形成される。

次に、図１１に示すように、凹部１６に電子素子６１を配置し、ワイヤ６２を電子素子６１等にボンディングする。次に、凹部１６に封止樹脂部７を充填する。

次に、ダイシングブレードを用いて、切断線Ｄｓ１に沿って基体１’を切断することにより、複数の電子装置１０１を得ることができる。なお、この切断によって、上述の第１側面１３１および第４側面１３４が形成される。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、溝内面３１は、電極層４から露出した第１溝内面露出部３１１と、電極層４に覆われた溝内面被覆部３１０と、を有する。第１溝内面露出部３１１は、外側面１３につながっている。このような構成の電子装置１０１の製造においては、ダイシングブレードで基体１’を切断する際に、電極層４’とダイシングブレードとが接触する箇所を少なくすることができる。これにより、ダイシングブレードで基体１’を切断する際に、金属バリが発生することを抑制できる。

本実施形態においては、第１傾斜部分３１５Ａは、厚さ方向Ｚ１において表面１１から離れるほど、第２方向Ｘ２とは反対の第３方向Ｘ３に向かうように、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。このような構成によると、図１０に示した工程において、表面１１にレーザ光を照射する状態から、基体１’を傾斜させることなく、レーザ光を溝内面３１（具体的には第１傾斜部分３１５Ａ）に照射することができる。このことは、溝内面３１にレーザ光を照射するために基体１’を傾斜させる手間を省くことができ、ひいては、電子装置１０１の製造の効率化に資する。

同様に、本実施形態においては、第１傾斜部位３１６Ａは、厚さ方向Ｚ１において裏面１２から離れるほど、第２方向Ｘ２とは反対の第３方向Ｘ３に向かうように、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。このような構成によると、図１０に示した工程において、表面１１にレーザ光を照射する状態から、基体１’を傾斜させることなく、レーザ光を溝内面３１（具体的には第１傾斜部位３１６Ａ）に照射することができる。このことは、溝内面３１にレーザ光を照射するために基体１’を傾斜させる手間を省くことができ、ひいては、電子装置１０１の製造の効率化に資する。

本実施形態においては、第２傾斜部分３１５Ｂは、厚さ方向Ｚ１において表面１１から離れるほど、第２方向Ｘ２に向かうように、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜してこのような構成によると、図１０に示した工程において、裏面１２にレーザ光を照射する状態から、基体１’を傾斜させることなく、レーザ光を溝内面３１（具体的には第２傾斜部分３１５Ｂ）に照射することができる。このことは、溝内面３１にレーザ光を照射するために基体１’を傾斜させる手間を省くことができ、ひいては、電子装置１０１の製造の効率化に資する。

同様に、本実施形態においては、第２傾斜部位３１６Ｂは、厚さ方向Ｚ１において裏面１２から離れるほど、第２方向Ｘ２に向かうように、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。このような構成によると、図１０に示した工程において、裏面１２にレーザ光を照射する状態から、基体１’を傾斜させることなく、レーザ光を溝内面３１（具体的には第２傾斜部位３１６Ｂ）に照射することができる。このことは、溝内面３１にレーザ光を照射するために基体１’を傾斜させる手間を省くことができ、ひいては、電子装置１０１の製造の効率化に資する。

導電性接合部８９５が連絡電極４６に付着している場合、導電性接合部８９５が表面１１側に這い上がるおそれがある。本実施形態では、溝３は、側面視において、厚さ方向Ｚ１の中央寄りの箇所にて、くびれた形状である。このような構成によると、第１傾斜部分３１５Ａおよび第１傾斜部位３１６Ａとの境界と、第２傾斜部分３１５Ｂと第２傾斜部位３１６Ｂとの境界の近傍の領域にて、導電性接合部８９５を留まらせることができる。

なお、上述の実施形態では、溝３の側面視の形状がくさび状である例を示したが、溝３の形状はこれに限定されない。たとえば、溝内面３１が傾斜する部分を全く有していなくてもよい。

あるいは、溝内面３１が第１傾斜部分３１５Ａおよび第１傾斜部位３１６Ａを有していない形状であってもよい。あるいは、溝内面３１が第２傾斜部分３１５Ｂおよび第２傾斜部位３１６Ｂを有していない形状であってもよい。

＜第１実施形態の第１変形例＞
図１２を用いて、本発明の第１実施形態の第１変形例について説明する。

なお、以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。

図１２は、本発明の第１実施形態の第１変形例の電子装置の一部を示す斜視図である。

同図に示す電子装置は、第１傾斜部分３１５Ａは全て、溝内面被覆部３１０を構成しており、第２傾斜部分３１５Ｂは全て、溝内面被覆部３１０を構成している点において、電子装置１０１と主に相違する。本変形例においては、図５に示した電子装置１０１の第１表面露出部１１１および第２表面露出部１１２が形成されていない。そのため、溝内面３１と表面１１との境界は全て、電極層４に覆われている。

本変形例によると、封止樹脂部７の形成時に封止樹脂部７を構成する樹脂材が表面１１上を流れたとしても、樹脂材は、電極層４のうち、溝内面３１と表面１１との境界に沿った部分にせき止められる。よって、樹脂材が、連絡電極４６をつたって裏面１２側に至る不都合を回避できる。また、ダイシング時に生じうる金属バリは、ダイシングブレードの回転方向に依り、表面１１側、あるいは、裏面１２側のいずれか一方が少なくなる。そのため、表面１１側にバリが生じにくいように、ダイシングブレードの回転方向を決定することにより、第１傾斜部分３１５Ａや第２傾斜部分３１５Ｂ付近に形成されうる金属バリの発生を、抑制することができる。

＜第２実施形態＞
図１３〜図１５を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

図１３は、本発明の第２実施形態の電子装置の断面図である。図１４は、本発明の第２実施形態の電子装置の平面図である。図１５は、本発明の第２実施形態の電子装置の底面図である。

これらの図に示す電子装置１０２は、基体１と、電極層４と、電子素子６１と、ワイヤ６２と、封止樹脂部７と、を備える。

電子素子６１と、ワイヤ６２と、封止樹脂部７と、の各構成は、電子装置１０１にて述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

図１３〜図１５に示す基体１は、表面１１と、裏面１２と、外側面１３と、を有する。基体１には凹部１６が形成されている。表面１１と、裏面１２と、外側面１３と、凹部１６と、については、電子装置１０１にて述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

本実施形態では、基体１に溝３は形成されていない。基体１には、貫通孔１８が形成されている。貫通孔１８は、表面１１から裏面１２にわたって、基体１を貫く。本実施形態では、複数の（４つの）貫通孔１８が、厚さ方向Ｚ１視において、凹部１６を挟んで互いに反対側に、配置されている。貫通孔１８が、第２方向Ｘ２に沿って複数配置されている。具体的には、第１側面１３１側に貫通孔１８が２つ形成されており、第４側面１３４側に貫通孔１８が２つ形成されている。

以下、ある貫通孔１８について説明するが、他の貫通孔１８についても同様である。

貫通孔１８は、内周面１８１を有する。内周面１８１は、表面１１と裏面１２とにつながっている。内周面１８１は電極層４（具体的には連絡電極４６）に覆われている。本実施形態では、内周面１８１の全面は、電極層４に覆われている。内周面１８１と表面１１との境界および内周面１８１と裏面１２との境界は全て、電極層４に覆われている。このようにして、電極層４は、内周面１８１を経て、表面１１から裏面１２にわたって、形成されている。

本実施形態では、貫通孔１８は、裏面１２から表面１１に向かう方向である厚さ方向Ｚ１に直交する平面による断面積が、裏面１２から表面１１に向かって徐々に小さくなっている。裏面１２から表面１１に向かう方向である厚さ方向Ｚ１に直交する平面による貫通孔１８の断面は、矩形状である。裏面１２から表面１１に向かう方向である厚さ方向Ｚ１に直交する平面による貫通孔１８の断面形状は、矩形状に限定されず、たとえば、円形状であってもよい。

図１３〜図１５に示すように、内周面１８１は、互いに対向する第１部分１８１Ａおよび第２部分１８１Ｂを有する。

第１部分１８１Ａおよび第２部分１８１Ｂはいずれも、表面１１から裏面１２にわたる部分である。すなわち第１部分１８１Ａおよび第２部分１８１Ｂはいずれも、表面１１および裏面１２につながっている。第２部分１８１Ｂは、厚さ方向Ｚ１視において、第１部分１８１Ａよりも、凹部１６寄りの位置に位置している。第２部分１８１Ｂは、厚さ方向Ｚ１視において、凹部１６に重なる部位を有する。厚さ方向Ｚ１に対する第２部分１８１Ｂの傾斜角θ２は、厚さ方向Ｚ１に対する第１部分１８１Ａの傾斜角θ１よりも、大きい。

なお、本実施形態とは異なり、貫通孔１８は、裏面１２から表面１１に向かう方向である厚さ方向Ｚ１に直交する平面による断面積が、裏面１２から表面１１に向かって一定であってもよい。

このように、連絡電極４６によって表面電極４４および裏面電極４５が導通している。そのため、外側面１３には、電極層４が形成されておらず、外側面１３は全て電極層４から露出している。

次に、電子装置１０２の製造方法について簡単に説明する。

本実施形態においても、図１０〜図１１を参照して説明した工程と同様の工程を経ることにより、メッキ層４１Ａ’、およびメッキ層４２Ａ’（Ｃｕ層４２１Ａ’、Ａｕ層４２２Ａ’、およびＮｉ層４２３Ａ’）を形成する。次に、ダイシングブレードを用いて、基体１’を切断することにより、複数の電子装置１０２を得ることができる。なお、この切断によって、上述の第１側面１３１および第４側面１３４が形成される。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、基体１には、表面１１から裏面１２にわたって、基体１を貫く貫通孔１８が形成されている。貫通孔１８は、内周面１８１を有する。電極層４は、内周面１８１を経て、表面１１から裏面１２にわたって、形成されている。このような構成によると、ダイシングブレードで基体１’を切断する際に、電極層４’とダイシングブレードとが接触する箇所を少なくすることができる。これにより、ダイシングブレードで基体１’を切断する際に、金属バリが発生することを抑制できる。また、電極層４’とダイシングブレードとが接触する箇所を少なくできることは、ダイシングブレードの摩耗を防止するのに適する。

本実施形態においては、内周面１８１と表面１１との境界は全て、電極層４に覆われている。このような構成によると、封止樹脂部７の形成時に封止樹脂部７を構成する樹脂材が表面１１上を流れたとしても、樹脂材は、電極層４のうち、内周面１８１と表面１１との境界に沿った部分にせき止められる。よって、樹脂材が、貫通孔１８を通って裏面１２側に至る不都合を回避できる。

本実施形態においては、貫通孔１８は、裏面１２から表面１１に向かう方向である厚さ方向Ｚ１に直交する平面による断面積が、裏面１２から表面１１に向かって徐々に小さくなる。このような構成は、表面１１における貫通孔１８の開口面積を小さくするのに適する。このことは、厚さ方向Ｚ１視における、電子装置１０２の小型化に適する。更に、基体１’の表面改質のための紫外線の照射を、裏面１２側から内周面１８１に向けて行うことにより、内周面１８１の表面改質を適切に行うことができる。

＜第３実施形態＞
図１６〜図１８を用いて、本発明の第３実施形態について説明する。

図１６は、本発明の第３実施形態の電子装置の平面図である。図１７は、本発明の第３実施形態の電子装置の底面図である。

これらの図に示す電子装置１０１Ａは、基体１と、電極層４と、電子素子６１と、ワイヤ６２と、封止樹脂部７（本実施形態では図示略）と、を備える。電子装置１０１Ａは、電極層４の製造方法が、電子装置１０１の製造方法とは異なる。電極層４は無電解メッキ由来の材料のみよりなる。以下具体的に説明する。

基体１、電子素子６１、ワイヤ６２、封止樹脂部７は、電子装置１０１に関して述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

電極層４は基体１に形成されている。電極層４は、表面１１と裏面１２と凹部内側面１６１と第１凹部底面１６２とに形成されている。

電極層４は、表面電極４４と、裏面電極４５と、連絡電極４６と、内側面電極４７と、底面電極４８と、を含む。本実施形態では、電極層４は、無電解メッキ由来の材料のみよりなる。そのため、表面電極４４は、電子装置１０１における接続部４４２（図２、図５参照）を有していない。表面電極４４のいずれの部位も、表面１１と外側面１３との境界から離間しており、裏面電極４５のいずれの部位も、裏面１２と外側面１３との境界から離間している。

表面電極４４と、裏面電極４５と、連絡電極４６と、内側面電極４７と、底面電極４８と、に関しては、これらの点を除き、電子装置１０１にて述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

電極層４の積層構造は次のとおりである。

図１８に模式的に示すように、電極層４は、メッキ層４１Ｂ（第１無電解メッキ層）と、メッキ層４２Ｂ（第２無電解メッキ層）と、を含む。

メッキ層４１Ｂは、メッキ層４２Ｂと基体１との間に介在している。メッキ層４１Ｂは、無電解メッキにより形成される。メッキ層４１Ｂは、たとえばＣｕよりなる。メッキ層４１Ｂの厚さは、たとえば、０．３〜０．８μｍである。

メッキ層４２Ｂは、メッキ層４１Ｂに積層されている。メッキ層４２Ｂは無電解メッキにより形成される。メッキ層４２Ｂは、Ｃｕ層４２１Ｂと、Ａｕ層４２２Ｂとを含む。Ｃｕ層４２１Ｂは、Ａｕ層４２２Ｂとメッキ層４１Ｂとの間に介在している。本実施形態では、メッキ層４２ＢはＮｉ層４２３Ｂを含む。Ｎｉ層４２３ＢはＣｕ層４２１ＢおよびＡｕ層４２２Ｂの間に介在している。なお、本実施形態とは異なり、メッキ層４２ＢがＮｉ層４２３Ｂを含んでいなくてもよい。Ｃｕ層４２１Ｂの厚さはたとえば、１０〜３０μｍであり、Ａｕ層４２２Ｂの厚さはたとえば０．２〜０．５μｍであり、Ｎｉ層４２３Ｂの厚さはたとえば２〜８μｍである。

メッキ層４２Ｂは、電子装置１０１にて述べたメッキ層４２Ａ（メッキ層４２Ａ’）の形成方法と同様の方法によって形成される。

次に、無電解メッキによって、図１８に示した、Ｃｕ層４２１Ｂと、Ｎｉ層４２３Ｂと、Ａｕ層４２２Ｂと、を順に形成する。

その後は、第１実施形態と同様に、電子素子６１を凹部１６に配置する等により、電子装置１０１Ａが製造される。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態によると、第１実施形態で述べた作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。

本実施形態においては、表面電極４４のいずれの部位も、表面１１と外側面１３との境界から離間しており、裏面電極４５のいずれの部位も、裏面１２と外側面１３との境界から離間している。このような構成の電子装置１０１Ａを形成する際、第１実施形態にかかる電子装置１０１における接続部４４２を形成する必要がない。よって、基体１’のダイシング時に接続部４４２近傍に形成されうる金属バリの発生を、防止できる。

＜第４実施形態＞
図１９〜図２０を用いて、本発明の第４実施形態について説明する。

図１９は、本発明の第４実施形態の電子装置の平面図である。図２０は、本発明の第４実施形態の電子装置の底面図である。

これらの図に示す電子装置１０２Ａは、基体１と、電極層４と、電子素子６１と、ワイヤ６２と、封止樹脂部７（本実施形態では図示略）と、を備える。電子装置１０２Ａは、電極層４の製造方法が、電子装置１０２の製造方法とは異なる。電極層４は無電解メッキ由来の材料のみよりなる。具体的な説明は、電子装置１０１Ａに関して述べた説明を適用できるから、本実施形態では説明を省略する。

本実施形態によると、第２実施形態で述べた作用効果に加え、以下の作用効果を奏する。

本実施形態においては、表面電極４４のいずれの部位も、表面１１と外側面１３との境界から離間しており、裏面電極４５のいずれの部位も、裏面１２と外側面１３との境界から離間している。このような構成の電子装置１０２Ａを形成する際、第２実施形態にかかる電子装置１０２における接続部４４２を形成する必要がない。よって、基体１’のダイシング時に接続部４４２近傍に形成されうる金属バリの発生を、防止できる。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

１，１’ 基体
１０１，１０１Ａ，１０２，１０２Ａ 電子装置
１１ 表面
１１１ 第１表面露出部
１１２ 第２表面露出部
１２ 裏面
１２１ 第１裏面露出部
１２２ 第２裏面露出部
１３ 外側面
１３１ 第１側面
１３１Ａ 線状痕
１３２ 第２側面
１３３ 第３側面
１３４ 第４側面
１３４Ａ 線状痕
１６ 凹部
１６１ 凹部内側面
１６２ 第１凹部底面
１６３ 第２凹部底面
１６４ 起立面
１８ 貫通孔
１８１ 内周面
１８１Ａ 第１部分
１８１Ｂ 第２部分
３ 溝
３１ 溝内面
３１０ 溝内面被覆部
３１１ 第１溝内面露出部
３１２ 第２溝内面露出部
３１５Ａ 第１傾斜部分
３１５Ｂ 第２傾斜部分
３１６Ａ 第１傾斜部位
３１６Ｂ 第２傾斜部位
４，４’ 電極層
４１Ａ，４１Ａ’，４１Ｂ，４２Ａ，４２Ａ’，４２Ｂ， メッキ層
４２１Ａ，４２１Ａ’，４２１Ｂ Ｃｕ層
４２２Ａ，４２２Ａ’，４２２Ｂ Ａｕ層
４２３Ａ，４２３Ａ’，４２３Ｂ Ｎｉ層
４４ 表面電極
４４１ 基部
４４２ 接続部
４５ 裏面電極
４６ 連絡電極
４７ 内側面電極
４８ 底面電極
６１ 電子素子
６２ ワイヤ
７ 封止樹脂部
８００ 実装構造
８９１ 実装基板
８９５ 導電性接合部
Ｄｓ１ 切断線
Ｌ１１，Ｌ１２ 幅
Ｘ１ 第１方向
Ｘ２ 第２方向
Ｘ３ 第３方向
Ｘ４ 第４方向
Ｚ１ 厚さ方向
Ｚ２ 方向
θ１，θ２ 傾斜角

Claims (27)

1. 樹脂よりなり、凹部が形成された基体と、
   前記基体に形成された電極層と、
   前記凹部に配置された電子素子と、を備え、
   前記基体は、前記凹部が形成された表面と、前記表面の向く方向とは反対方向を向く裏面と、を有し、
   前記基体には、前記表面から前記裏面にわたって、前記基体を貫く貫通孔が形成され、前記貫通孔は、内周面を有し、
   前記電極層は、前記内周面を経て、前記表面から前記裏面にわたって、形成されている、電子装置。
2. 前記内周面と前記表面との境界は全て、前記電極層に覆われている、請求項１に記載の電子装置。
3. 前記内周面の全面は、前記電極層に覆われている、請求項１または請求項２に記載の電子装置。
4. 前記貫通孔は、前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する平面による断面積が、前記裏面から前記表面に向かって徐々に小さくなる、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子装置。
5. 前記内周面は、互いに対向する第１部分および第２部分を有し、
   前記第１部分および前記第２部分はいずれも、前記表面から前記裏面にわたる部分であり、
   前記厚さ方向に対する前記第２部分の傾斜角は、前記厚さ方向に対する前記第１部分の傾斜角よりも、大きい、請求項４に記載の電子装置。
6. 前記第２部分は、前記厚さ方向視において、前記凹部に重なる部位を有する、請求項５に記載の電子装置。
7. 前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する平面による、前記貫通孔の断面は、矩形状である、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子装置。
8. 複数の前記貫通孔が、前記凹部を挟んで互いに互いに反対側に、配置されている、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子装置。
9. 前記電極層は、前記表面に形成された表面電極と、前記裏面に形成された裏面電極と、前記表面電極および前記裏面電極を導通させる連絡電極と、を含み、
   前記連絡電極は、前記内周面に形成されている、請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の電子装置。
10. 前記基体は、前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する方向を向く外側面を有し、
    前記外側面には、線状痕が形成されている、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の電子装置。
11. 前記内周面は全て、樹脂により構成されている、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の電子装置。
12. 前記基体は、熱可塑性樹脂よりなる、請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の電子装置。
13. 前記凹部は、前記表面につながり、且つ、前記厚さ方向視において前記電子素子を囲む凹部側面を有し、
    前記電極層は、前記表面から前記凹部側面にわたって、形成されている、請求項１に記載の電子装置。
14. 前記凹部側面は、逆テーパ状になっている、請求項１３に記載の電子装置。
15. 前記凹部は、前記凹部側面につながる第１凹部底面を有し、
    前記電極層は、前記凹部側面から前記第１凹部底面にわたって形成されている、請求項１３または請求項１４に記載の電子装置。
16. 前記凹部は、前記第１凹部底面よりも、前記厚さ方向において前記裏面に近い第２凹部底面を有し、
    前記第２凹部底面には、前記電子素子が配置されている、請求項１５に記載の電子装置。
17. 前記電極層は、無電解メッキ層と、前記無電解メッキ層に積層された電解メッキ層と、を含み、前記無電解メッキ層は、前記電解メッキ層と前記基体との間に介在している、請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の電子装置。
18. 前記無電解メッキ層は、Ｃｕよりなる、請求項１７に記載の電子装置。
19. 前記電解メッキ層は、Ｃｕ層およびＡｕ層を有し、前記Ｃｕ層は、前記Ａｕ層および前記無電解メッキ層との間に介在している、請求項１８に記載の電子装置。
20. 前記電解メッキ層は、前記Ｃｕ層および前記Ａｕ層の間に介在するＮｉ層を有する、請求項１９に記載の電子装置。
21. 前記基体は、前記裏面から前記表面に向かう方向である厚さ方向に直交する方向を向く外側面を有し、
    前記電極層のいずれの部位も、前記表面と前記外側面との境界、および、前記裏面と前記外側面との境界から離間している、請求項１ないし請求項１６のいずれかに記載の電子装置。
22. 前記電子素子は、光学素子である、請求項１ないし請求項２１のいずれかに記載の電子装置。
23. 前記光学素子は、発光素子または受光素子である、請求項２２に記載の電子装置。
24. 前記光学素子は、ＬＥＤである、請求項２３に記載の電子装置。
25. 前記電子素子および前記電極層のいずれにもボンディングされたワイヤを更に備える、請求項１ないし請求項２４のいずれかに記載の電子装置。
26. 前記電子素子を覆う封止樹脂部を更に備える、請求項１ないし請求項２５のいずれかに記載の電子装置。
27. 前記封止樹脂部は、光を透過させる材料よりなる、請求項２６に記載の電子装置。

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