JP2017022305A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 58
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 GaAlAs Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/483—Containers
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L33/52—Encapsulations
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Abstract
【解決手段】上面を光取り出し面とする発光素子10を準備する工程と、上面100aを有する支持体100を準備する工程と、上面40aから下面に貫通した開口部40cを備えた枠体40を準備する工程と、支持体の上面に、枠体の下面を対向させて枠体を載置する工程と、枠体の開口部内の支持体の上面に、発光素子を載置する工程と、枠体の外側面から内側面まで貫通するように設けられた注入口40dから樹脂を注入し、発光素子の上面の少なくとも一部が露出するよう被覆部材を形成する工程と、発光素子及び被覆部材の上に透光性部材を設ける工程と、を含む。
【選択図】図4
Description
上面を光取り出し面とする発光素子を準備する工程と、
上面を有する支持体を準備する工程と、
上面から下面に貫通した開口部を備えた枠体を準備する工程と、
前記支持体の上面に、前記枠体の下面を対向させて前記枠体を載置する工程と、
前記枠体の開口部内の支持体の上面に、発光素子を載置する工程と、
前記枠体の外側面から内側面まで貫通するように設けられた注入口から樹脂を注入し、前記発光素子の上面の少なくとも一部が露出するよう被覆部材を形成する工程と、
前記発光素子及び前記被覆部材の上に透光性部材を設ける工程と、
を含む発光装置の製造方法。
実施形態1に係る発光装置を図1A〜1Dに示す。図1Aは発光装置1の上斜方からの斜視図、図1Bは発光装置1の下斜方からの斜視図、図1Cは図1AのA1−A1断面における断面図、図1Dは図1AのA2−A2断面における断面図を示す。
発光素子として、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を準備する。発光素子10は、積層構造体(透光性基板と、半導体層)10aと、電極10bと、を備えている。積層構造体10aは、半導体層中に発光層10aaを備える。電極10bが形成された下面(電極形成面10d)とは反対側の面が光の取り出し面として用いられ、この光取り出し面を上面10cとして備える。
上面100aを有する支持体100を準備する。支持体は、後述の枠体を接合するための接合部材を備えた支持体でもよく、また、接合部材を備えていない支持体でもよい。
上面40aと下面40bとを備えた枠体40であって、上面から下面に貫通した開口部40cを備えた枠体40を準備する。枠体40の高さ(上面から下面までの長さ)は、後述の工程で用いられる発光素子の高さよりも高いものを用いる。枠体40は、1つの開口部を構成する枠体(側壁)に、外側面から内側面まで貫通する貫通孔40dを備える。この貫通孔40dは、開口部内に樹脂を注入するための注入口40dとなる。注入口40dの上端は、枠体の上面40aから離間した位置にある。注入口40dの下端は、枠体の下面(支持体と接合される下面)と一致する。すなわち、貫通孔40dは枠体の下面を切欠いた形状、又は、下面の凹部ともいうことができる。
支持体の上面100aに、枠体の下面40bを対向させて載置する。支持体の上面100a及び/又は枠体の下面40bに接合部材を備えておき、この接合部材を介して支持体と枠体とを接合させるのが好ましい。このように支持体100と枠体40とを接合させることで枠体の開口部40cに相当する位置に凹部が形成される。換言すると、支持体の上面100aを底面とし、枠体40を側壁とする凹部が形成される。
枠体の開口部40c内の支持体の上面100aに、発光素子10を載置する。支持体の上面100a及び/又は発光素子10の下面(下面が電極形成面の場合は電極10bの下面)に、ダイボンド部材を備えておき、このダイボンド部材を介して支持体100と発光素子10とを接合させる。支持体の上面100aに、枠体40と発光素子10とを載置する順序は、先に枠体40を載置した後に発光素子10を載置してもよく、あるいは、発光素子10を載置した後に枠体40を載置してもよい。好ましくは、先に枠体40を支持体の上面100aに載置する。また、発光素子の側面10eは、枠体40の内側面から離間するように載置することが好ましい。特に、各面が同じ距離だけ離間するように載置することが好ましい。換言すると、枠体の開口部40cの中央に発光素子10の中央が略一致するように載置することが好ましい。
次いで、枠体(側壁)40に設けられた注入口40dを介して、開口部40cの外側から開口部40cの内側に樹脂を注入して被覆部材20材を形成する。換言すると、発光素子の側面10eと枠体40(内側面)との間の空間を埋めるように樹脂を充填して被覆部材20を形成する。発光素子10と支持体の上面100aとの間に隙間がある場合は、その隙間にも樹脂を充填して被覆部材20を形成する。
次に、発光素子10と被覆部材20の上に、透光性部材30を設ける。透光性部材30は、枠体40の開口部の上方から、例えば、ポッティングなどによって形成することができる。尚、被覆部材を供給するための樹脂供給用の開口部を備えている枠体を用いる場合、その樹脂供給用の開口部には透光性部材を設けなくてもよい。透光性部材は、1層又は複数層とすることができる。
次いで、支持体100を除去する。その後、枠体40を切断する(例えば、図2G中の破線の位置で切断)ことで、図1Aに示す発光装置1を得ることができる。枠体の切断は、ダイサー、ブレード、レーザー等を用いることができる。
実施形態2に係る発光装置を図3A、図3Bに示す。発光装置2は、発光素子10と、発光素子の側面10eを覆う被覆部材20と、発光素子の上面10cと被覆部材20の上面とを覆う透光性部材30と、透光性部材30の側面と被覆部材20の側面とを囲む枠体40と、を備える。実施形態2は、枠体に設けられる貫通孔(注入口)が、枠体の下面から離間する位置に形成されているほかは、実施形態1と同様である。従って、異なる点について説明する。
実施形態3に係る発光装置は、図5A、図5Bに示す枠体40及び支持体100とを用いて形成される。得られる発光装置の外観は図1と同様である。実施形態3では、枠体40に設けられる貫通孔40dが、枠体の下面に達している切欠き(枠体の下面の凹部)である点は、実施形態1と同様である。実施形態3では、支持体の上面100aに溝部100bが設けられており、枠体の貫通孔40dと支持体の溝部100bとで、注入口が構成される。溝部100bは、枠体の貫通孔40dの下方の支持体の上面に設けられている。枠体の貫通孔40dの幅と、支持体の溝部100bの幅は、略等しい幅、又は異なる幅とすることができる。
実施形態4に係る発光装置は、図6A、図6Bに示す枠体40と支持体100とを用いて形成される。詳細には、上面から下面に貫通した開口部40cを備えた枠体40を準備する工程と、上面100aに、枠体の外側面から内側面までの長さよりも長い溝部100bを有する支持体100を準備する工程と、支持体の溝部100bの上方に、枠体の下面40bを対向させて載置し、溝部と前記枠体の下面とで構成される注入口を形成する工程と、枠体の開口部内の支持体の上面に、発光素子を載置する工程と、注入口から樹脂を注入し、枠体と発光素子との間に被覆部材を形成する工程と、を含む。つまり、枠体には貫通孔は存在しておらず、枠体の下面は面一となっている。そして、このような枠体の下面と、支持体の上面の溝部100bと枠体の下面40bとで注入口40dを構成している。
実施形態5に係る発光装置4は、実施形態4に用いられる枠体及び支持体を用いて形成された発光装置を示す。実施形態5では、例えば、図8A、図8Bに示すように、被覆部材20発光素子の側面を覆わない、又は、発光層を覆わない程度に設けられる。そして、被覆部材の上、及び発光素子の上面を覆う透光性部材が、2層になっている。すなわち、発光素子10の側面と上面とを覆う第1透光性部材31と、第1透光性部材31を覆う第2透光性部材32と、を備える。第2透光性部材は、発光素子とは接しないように設けられている。そしてこのような2層構造とする場合、第1透光性部材を、蛍光体を含まない部材(例えば透明部材)とし、第2透光性部材を、蛍光体を含む層、とすることができる。このようにすることで、蛍光体層を介して外部に放出される光を、色ムラの少ない光とすることができる。尚、第1透光性部材31は、発光素子の上面と接するように設けても構わない。
支持体は、枠体を載置する上面を備えており、例えば、平板状の支持体が挙げられる。支持体の上面と枠体とで、発光素子を載置する凹部を構成ものであり、支持体の上面は凹部の底面を成す。支持体は、工程内において各部材を支持する基台である。例えば、発光素子を載置する工程、枠体を載置する工程、被覆部材を形成する工程、透光性部材を形成する工程等において、これらの部材を一体的に支持する。そのため、ある程度の強度を備えた部材が好ましい。
枠体は、発光素子の上面よりも大きな面積の開口部を備える。枠体は、複数の開口部を備えていることが好ましい。また、開口部としては、発光素子が載置される素子載置用の開口部と、樹脂供給用の開口部を備えることが好ましい。発光素子用の開口部は、1つの枠体の中に複数備えることができる。隣接する開口部とは、1つの枠体(側壁)を共有することができる。樹脂供給用の開口部は、発光素子用の開口部と隣接して設けられ、これら2つの開口部の間の枠体(側壁)に、貫通孔を備える。
複数の開口部を備えた枠体の場合、例えば、左右に並んだ2つの開口部の間の枠体を、その中央で切断することで、右側の発光装置及び左側の発光装置の両方の外側面とすることができる。
発光素子としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができ、青色、緑色、赤色等の可視光を発光可能な発光素子を用いることができる。半導体発光素子は、発光層を含む積層構造体と、電極と、を備える。積層構造体は、電極が形成された側の面(電極形成面)と、それとは反対側の面が光取り出し面とを備える。
被覆部材は、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂であるのが好ましい。
透光性部材は、透光性材料としては、透光性樹脂、ガラス等が使用できる。特に、透光性樹脂が好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
また、透光性部材には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
10…発光素子
10a…積層構造体
10aa…発光層
10b…電極
10c…発光素子の上面(光取り出し面)
10d…発光素子の下面(電極形成面)
10e…発光素子の側面
20…被覆部材
30…透光性部材
31…第1透光性部材
32…第2透光性部材
40…枠体(側壁)
40a…枠体の上面
40b…枠体の下面
40c…開口部(素子載置用開口部)
40d…枠体の注入口(貫通孔、切欠き)
40e…開口部(樹脂供給用開口部)
100…支持体
100a…支持体の上面
100b…支持体の注入口(溝部)
200…ノズル
Claims (9)
- 上面を光取り出し面とする発光素子を準備する工程と、
上面を有する支持体を準備する工程と、
上面から下面に貫通した開口部を備えた枠体を準備する工程と、
前記支持体の上面に、前記枠体の下面を対向させて前記枠体を載置する工程と、
前記枠体の開口部内の前記支持体の上面に、発光素子を載置する工程と、
前記枠体の外側面から内側面まで貫通するように設けられた注入口から樹脂を注入し、前記発光素子の上面の少なくとも一部が露出するよう被覆部材を形成する工程と、
前記発光素子及び前記被覆部材の上に透光性部材を設ける工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記注入口は、下端が前記枠体の下面から離間している請求項1記載の発光装置の製造方法。
- 前記注入口は、下端が前記支持体の下面に達している請求項1又は請求項2記載の発光装置の製造方法。
- 前記支持体の上面は、前記注入口の下方に、溝部を有する請求項3記載の発光装置の製造方法。
- 上面から下面に貫通した開口部を備えた枠体を準備する工程と、
上面に、前記枠体の外側面から内側面までの長さよりも長い溝部を有する支持体を準備する工程と、
前記支持体の溝部の上方に、前記枠体の下面を対向させて載置し、前記溝部と前記枠体の下面とで構成される注入口を形成する工程と、
前記枠体の開口部内の前記支持体の上面に、発光素子を載置する工程と、
前記注入口から樹脂を注入し、前記枠体と前記発光素子との間に被覆部材を形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記注入口の上端は、前記発光素子の発光層よりも下に位置する請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記枠体の開口部は、前記発光素子が載置される素子載置用開口部と、前記素子載置用開口部と前記枠体を介して隣接する樹脂供給用開口部と、を備える請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記開口部と前記開口部との間の前記枠体を切断する工程を含む請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記透光性部材は、蛍光体を含む請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015140405A JP6458671B2 (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 発光装置の製造方法 |
US15/209,761 US9786821B2 (en) | 2015-07-14 | 2016-07-14 | Method for manufacturing light emitting device |
US15/697,452 US10186641B2 (en) | 2015-07-14 | 2017-09-07 | Light emitting device |
US16/215,644 US10672958B2 (en) | 2015-07-14 | 2018-12-11 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015140405A JP6458671B2 (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 発光装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018240559A Division JP6645568B2 (ja) | 2018-12-25 | 2018-12-25 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017022305A true JP2017022305A (ja) | 2017-01-26 |
JP6458671B2 JP6458671B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=57775244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015140405A Active JP6458671B2 (ja) | 2015-07-14 | 2015-07-14 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9786821B2 (ja) |
JP (1) | JP6458671B2 (ja) |
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2015
- 2015-07-14 JP JP2015140405A patent/JP6458671B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-14 US US15/209,761 patent/US9786821B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-07 US US15/697,452 patent/US10186641B2/en active Active
-
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Also Published As
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---|---|
US9786821B2 (en) | 2017-10-10 |
US10186641B2 (en) | 2019-01-22 |
US10672958B2 (en) | 2020-06-02 |
US20170018686A1 (en) | 2017-01-19 |
US20190123245A1 (en) | 2019-04-25 |
US20180013039A1 (en) | 2018-01-11 |
JP6458671B2 (ja) | 2019-01-30 |
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Legal Events
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|
A977 | Report on retrieval |
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