JP2017022158A - パワー半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】より小型化を図ることのできるパワー半導体装置を提供する。【解決手段】第１板状リードＬ１に形成された交流端子Ｌ１ａが枠体１０の一辺側に配置され、第２板状リードＬ２に形成された負極端子Ｌ２ａおよび第３板状リードＬ３に形成された正極端子Ｌ３ａが枠体の他辺側に配置され、枠体内において、第１配線パターンおよび第２配線パターンとは、所定のクリアランスＣを挟んで近接配置されている。【選択図】図１

Description

本発明は、パワー半導体装置に関する。

例えば、ハイブリッド車や電気自動車等の車両に搭載されるパワー半導体装置として、パワー半導体素子とバスバとを積層させて接続した電力変換装置などが知られている。

このようなパワー半導体素子とバスバを積層させて接続したパワー半導体装置に関する技術は種々提案されている（例えば特許文献１、２等）。

特開２０１０−３５３６９号公報 特開２０１３−８９７８４号公報

ところが、従来技術に係るパワー半導体装置では、例えば正極端子、負極端子および交流端子を枠体の一辺側に集約させる構成としているため、各端子が干渉するなどして十分な小型化を図ることができないという不都合があった。

また、上記不具合を解消すべく、交流端子について、正極端子および負極端子を設けた枠体の一辺側の反対側から導出させる構成とした場合であっても、回路配線パターン上にワイヤ接続用の領域と超音波接続用の領域とを設ける必要があり、未だ十分な小型化を図ることができないという問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、より小型化を図ることのできるパワー半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係るパワー半導体装置は、スイッチング素子と整流素子とがそれぞれに接続された第１配線パターンおよび第２配線パターンと、前記第１配線パターン上に配置された前記スイッチング素子および前記整流素子の上部端子に接続された第１板状リードと、前記第２配線パターン上に配置された前記スイッチング素子および前記整流素子の上部端子に接続された第２板状リードと、前記第１配線パターンに接続された第３板状リードと、前記第１配線パターンおよび前記第２配線パターンを囲繞する枠体と、を備え、前記第１板状リードに形成された交流端子が前記枠体の一辺側に配置され、前記第２板状リードに形成された負極端子および前記第３板状リードに形成された正極端子が前記枠体の他辺側に配置され、前記枠体内において、第１配線パターンおよび第２配線パターンとは、所定のクリアランスを挟んで近接配置されていることを要旨とする。

本発明に係るパワー半導体装置によれば、配線パターン、スイッチング素子、整流素子と板状リードが積層させて接続され、さらに板状リードには端子部が一体的に形成されているので、従来技術のように半導体素子と回路配線パターンをワイヤ接続させるためのスペースが不要となり、また配線パターン同士を所定のクリアランスを挟んで近接配置しているので、より一層の小型化を図ることができる。

第１の実施の形態に係るパワー半導体装置の構成例を示す平面図である。 第１の実施の形態に係るパワー半導体装置の構成例を示すＡ−Ａ線断面図である。 第１の実施の形態に係るパワー半導体装置の回路構成例を示す回路図である。 第２の実施の形態に係るパワー半導体装置の構成例を示す斜視図である。 第２の実施の形態に係るパワー半導体装置の構成例を示す説明図である。 第２の実施の形態に係るパワー半導体装置の他の構成例を示す斜視図である。 第２の実施の形態に係るパワー半導体装置の他の構成例の要部を示す斜視図である。

以下、本発明の一例としての実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。

［第１の実施の形態に係るパワー半導体装置］
図１〜図３を参照して、第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１について説明する。

ここで、図１は、第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１の構成例を示す平面図、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図、図３は、パワー半導体装置Ｍ１の回路構成例を示す回路図である。

図２等に示すように、インバータ装置としてのパワー半導体装置Ｍ１は、主に、冷却器５０と、この冷却器５０上に設けられる半導体モジュールの構造物５００と、冷却器５０上にあって半導体モジュールの構造物５００を囲繞する樹脂製の枠体１０と、枠体１０内に充填される絶縁性の樹脂２００とから構成されている。

冷却器５０は、例えば銅やアルミニウム等の押出し成形により形成される。なお、図示は省略するが、冷却器５０には冷却水等の冷媒を流通させる流路を形成したり、空冷用のフィン等を設けてもよい。

半導体モジュールの構造物５００は、ＩＧＢＴ等で構成されるスイッチング素子Ｓ１，Ｓ２と、ダイオードで構成される整流素子Ｄ１，Ｄ２とがそれぞれに接続される金属層（例えば、Ｃｕ層等）で構成される第１配線パターンＰ１および第２配線パターンＰ２と、第１配線パターンＰ１上に配置されたスイッチング素子Ｓ１および整流素子Ｄ１の上部端子に接続された第１板状リードＬ１と、第２配線パターンＰ２上に配置されたスイッチング素子Ｓ２および整流素子Ｄ２の上部端子に接続された第２板状リードＬ２と、第１配線パターンＰ１に接続された第３板状リードＬ３等から構成される。

また、第１板状リードＬ１に形成された交流端子Ｌ１ａが枠体１０の一辺側（図上は左端側）１０ｂに配置され、第２板状リードＬ２に形成された負極端子Ｌ２ａおよび第３板状リードＬ３に形成された正極端子Ｌ３ａが枠体１０の他辺側（図上は右端側）１０ａに配置されている。

また、枠体１０内において、第１配線パターンＰ１および第２配線パターンとは、所定のクリアランスＣを挟んで近接配置されている。

なお、正極端子Ｌ３ａ、交流端子Ｌ１ａ、負極端子Ｌ２ａには、枠体１０に固定するためのボルト孔２０が穿設されている。

図２を参照して、より具体的な構成について述べる。

図２に示すように、例えばＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂で成形される枠体１０は、銅やアルミニウム等で構成される冷却器５０上に載置されている。

枠体１０の上端部には、ナット保持部１５が形成され、正極端子Ｌ３ａ、交流端子Ｌ１ａ、負極端子Ｌ２ａに穿設されたボルト孔２０から挿入されるボルト（図示せず）と螺合される螺合部としてのナット６０が保持されている。

冷却器５０上には、ハンダ等の接合層７１を介して、絶縁層７３の一面（図上は下面）に形成される金属の接合パターン７２が接合されている。

絶縁層７３の他面（図上は上面）には、第１配線パターンＰ１が形成されている。

第１配線パターンＰ１上には、整流素子Ｄ１とスイッチング素子Ｓ１がハンダ層Ｄ１ａ、Ｓ１ａを介して接合されている。

第１板状リードＬ２は、銅板等を折曲げ加工して形成され、平板状の接続部Ｌ１ｂと、起立部Ｌ１ｃと、端子部（交流端子）Ｌ１ａとを有している。

第１板状リードＬ１は、接続部Ｌ１ｂがハンダ等から成る接合層を介して第１配線パターンＰ１上に配置されたスイッチング素子Ｓ１および整流素子Ｄ１の上部端子Ｓ１ｂ、Ｄ１ｂに接合されている。

なお、スイッチング素子Ｓ１および整流素子Ｄ１は、下部端子Ｓ１ａ、Ｄ１ａを介して第１配線パターンＰ１上に接合されている
また、第１板状リードＬ１の接続部Ｌ１ｄは、ハンダ等から成る接合層７４を介して第２配線パターンＰ２に接合されている。

この状態において、端子部（交流端子）Ｌ１ａは、ナット６０と当接する位置に保持され、図示しないボルトにより固定される。

第３板状リードＬ３は、銅板等を折曲げ加工して形成され、平板状の接続部Ｌ３ｂと、起立部Ｌ３ｃと、端子部（正極端子）Ｌ３ａとを有している。

第３板状リードＬ３は、接続部Ｌ３ｂがハンダ等から成る接合層７５を介して第１配線パターンＰ１に接合されている。この状態において、端子部（正極端子）Ｌ３ａは、ナット６０と当接する位置に保持され、図示しないボルトにより固定される。

なお、図２に現れない第２板状リードＬ２等も同様にして構成される。

また、図２に示すように、枠体１０内には、半導体モジュールの構造物５００を覆うようにエポキシ樹脂などの絶縁性の樹脂２００が充填されている。

このような構成の第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１によれば、配線パターンＰ１、Ｐ２、スイッチング素子Ｓ１、Ｓ２、整流素子Ｄ１、Ｄ２と板状リードＬ１〜Ｌ３を積層させて接続させ、さらに板状リードＬ１〜Ｌ３には端子部Ｌ１ａ、Ｌ２ａ、Ｌ３ａが一体的に形成されているので、従来のように半導体素子と回路配線パターンをワイヤ接続させるためのスペースが不要となり、また配線パターンＰ１、Ｐ２同士を所定のクリアランスＣを挟んで近接配置しているので、従来に比して、より一層の小型化を図ることができる。

また、第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１では、枠体１０内には、第１配線パターンＰ１および第２配線パターンＰ２のみを構成する配線パターン（金属パターン）が形成されるようにしているので、配線領域を低減でき、より一層の小型化を図ることができる。

また、第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１では、図１に示すように、第１配線パターンＰ１と第２配線パターンＰ２とは対称形状に形成されているので、枠体１０内の設置スペースを効率的に利用して、より一層の小型化を図ることができる。

なお、本実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１を三相モータ等の駆動に用いる場合には、各相毎に対応させてパワー半導体装置Ｍ１を並設するようにできる。

［第２の実施の形態に係るパワー半導体装置］
（構成例）
図４および図５を参照して、第２の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ２の構成例について説明する。

なお、第２の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ２について、前述の第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１と同様の構成については、同一符号を付して重複した説明は省略する。

第２の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ２では、第１板状リードＬ１に代えて第１板状リードＬ１１を、第２板状リードＬ２に代えて第２板状リードＬ１２を、第３板状リードＬ３に代えて第３板状リードＬ１３を設けている。

第１板状リードＬ１１は、銅板等を折曲げ加工して形成され、平板状の接続部Ｌ１１ｂ、Ｌ１１ｅと、折り返し部（図４に示す例では側面形状がＳ字状となっている）Ｌ１１ｃ、Ｌ１１ｆと、端子部（交流端子）Ｌ１１ａとを有している。

また、接続部Ｌ１１ｂの第２板状リードＬ１２側の辺には、壁部Ｌ１１ｄが立設されている。

第１板状リードＬ１１は、接続部Ｌ１１ｂ、Ｌ１１ｅがハンダ等から成る接合層を介して第１配線パターンＰ１および第２配線パターンＰ２に接合されている。この状態において、端子部（交流端子）Ｌ１１ａは、ナット６０と当接する位置に保持され、図示しないボルトにより固定される。

ここで、第１板状リードＬ１１に折返し部Ｌ１１ｃ、Ｌ１１ｆを設けることにより、スイッチング素子Ｓ１、Ｓ２および整流素子Ｄ１、Ｄ２との接続部Ｌ１１ｂ、Ｌ１１ｅ側に、リード自体の重心が位置することになり、ハンダ接合時の第１板状リードＬ１１の姿勢を安定させることができる。

第２板状リードＬ１２は、銅板等を折曲げ加工して形成され、平板状の接続部Ｌ１２ｂと、折り返し部（図４に示す例では側面形状がＳ字状となっている）Ｌ１２ｃと、端子部（負極端子）Ｌ１２ａとを有している。

また、接続部Ｌ１２ｂの第１板状リードＬ１１側の辺には、第１板状リードＬ１１の壁部Ｌ１１ｄと対向する壁部Ｌ１２ｄが立設されている。

第２板状リードＬ１２は、接続部Ｌ１２ｂがハンダ等から成る接合層を介して第２配線パターンＰ２に接合されている。この状態において、端子部（負極端子）Ｌ１２ａは、ナット６０と当接する位置に保持され、図示しないボルトにより固定される。

ここで、第２板状リードＬ１２に折返し部Ｌ１２ｃを設けることにより、スイッチング素子Ｓ２および整流素子Ｄ２との接続部Ｌ１２ｂ側に、リード自体の重心が位置することになり、ハンダ接合時の第２板状リードＬ１２の姿勢を安定させることができる。

第３板状リードＬ１３は、銅板等を折曲げ加工して形成され、平板状の接続部Ｌ１３ｂと、折り返し部（図４に示す例では側面形状がＳ字状となっている）Ｌ１３ｃと、端子部（正極端子）Ｌ１３ａとを有している。

また、接続部Ｌ１３ｂの第２板状リードＬ１２側の辺および反対側の辺には、壁部Ｌ１３ｄ、Ｌ１３ｅが立設されている。

第３板状リードＬ１３は、接続部Ｌ１３ｂがハンダ等から成る接合層を介して第１配線パターンＰ１に接合されている。この状態において、端子部（正極端子）Ｌ１３ａは、ナット６０と当接する位置に保持され、図示しないボルトにより固定される。

ここで、第３板状リードＬ１３に折返し部Ｌ１３ｃ及び壁部Ｌ１３ｄ、Ｌ１３ｅを設けることにより、スイッチング素子Ｓ１および整流素子Ｄ１との接続部Ｌ１３ｂ側に、リード自体の重心が位置することになり、ハンダ接合時の第３板状リードＬ１３の姿勢を安定させることができる。

また、図４に示すように、第１板状リードＬ１１の壁部Ｌ１１ｄと、第２板状リードＬ１２の壁部Ｌ１２ｄとは長手方向に平行状態で対向している。

これにより、壁部Ｌ１１ｄと壁部Ｌ１２ｄとの間に相互インダクタンスを発生させることができ、自己インダクタンスを低減して、スイッチング素子Ｓ１、Ｓ２による電流切換時における導電性能を向上させることができる。

なお、第２板状リードＬ１２の壁部Ｌ１２ｄを第３板状リードＬ１３側に延長することにより、第３板状リードＬ１３の壁部Ｌ１３ｄと第２板状リードＬ１２の壁部Ｌ１２ｄとの間に相互インダクタンスを発生させて、上記と同様の効果を得ることもできる。

また、第２の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ２によれば、従来のようにスイッチング素子、整流素子および配線パターンをワイヤ接続させる作業領域（スペース）が不要となり、さらに第１配線パターンＰ１と第２配線パターンＰ２とを近接配置しているので、従来に比して、より一層の小型化を図ることができるなど、第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１と同様の効果を奏することができる。

なお、本実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ２を三相モータ等の駆動に用いる場合には、各相毎に対応させてパワー半導体装置Ｍ２を並設するようにできる。

（他の構成例）
図６および図７を参照して、他の構成例に係るパワー半導体装置Ｍ３について説明する。

図６は、他の構成例に係るパワー半導体装置Ｍ３を示す斜視図、図７は、枠体１０を外した状態の要部を示す斜視図である。

なお、パワー半導体装置Ｍ３について、前述の第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１および第２の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ２と同様の構成については、同一符号を付して重複した説明は省略する。

他の構成例に係るパワー半導体装置Ｍ３では、第１板状リードＬ１１に代えて第１板状リードＬ２１を、第２板状リードＬ１２に代えて第２板状リードＬ２２を、第３板状リードＬ１３に代えて第３板状リードＬ２３を設けている。

第１板状リードＬ２１は、銅板等を折曲げ加工して形成され、平板状の接続部Ｌ２１ｂ、Ｌ２１ｅと、接続部Ｌ２１ｂ、Ｌ２１ｅから立設される起立部Ｌ２１ｃ、Ｌ２１ｆと、端子部（交流端子）Ｌ２１ａとを有している。

また、接続部Ｌ２１ｂの第２板状リードＬ２２側の辺には、壁部Ｌ２１ｄが立設されている。

第１板状リードＬ２１は、接続部Ｌ２１ｂ、Ｌ２１ｅがハンダ等から成る接合層を介して第１配線パターンＰ１および第２配線パターンＰ２に接合されている。この状態において、端子部（交流端子）Ｌ２１ａは、ナット６０と当接する位置に保持され（図６参照）、図示しないボルトにより固定される。

第２板状リードＬ２２は、銅板等を折曲げ加工して形成され、平板状の接続部Ｌ２２ｂと、接続部Ｌ２２ｂから立設される壁部Ｌ２２ｄと、端子部（負極端子）Ｌ２２ａとを有している。

なお、図７に示すように、接続部Ｌ２２ｂと端子部Ｌ２２ａとは、壁部Ｌ２２ｄを介して接続されている。

第２板状リードＬ２２は、接続部Ｌ２２ｂがハンダ等から成る接合層を介して第２配線パターンＰ２に接合されている。この状態において、端子部（負極端子）Ｌ２２ａは、ナット６０と当接する位置に保持され（図７参照）、図示しないボルトにより固定される。

ここで、図６、図７に示すように、第１板状リードＬ２１の壁部Ｌ２１ｄと、第２板状リードＬ２２の壁部Ｌ２２ｄとは長手方向に平行状態で対向している。

これにより、壁部Ｌ２１ｄと壁部Ｌ２２ｄとの間に相互インダクタンスを発生させることができ、自己インダクタンスを低減して、スイッチング素子Ｓ１、Ｓ２による電流切換時における導電性能を向上させることができる。

第３板状リードＬ２３は、銅板等を折曲げ加工して形成され、平板状の接続部Ｌ２３ｂと、接続部Ｌ２３ｂから立設される壁部Ｌ２３ｄと、端子部（正極端子）Ｌ２３ａとを有している。

なお、図７に示すように、接続部Ｌ２３ｂと端子部Ｌ２３ａとは、壁部Ｌ２３ｄを介して接続されている。

第３板状リードＬ２３は、接続部Ｌ２３ｂがハンダ等から成る接合層を介して第１配線パターンＰ１に接合されている。この状態において、端子部（正極端子）Ｌ２３ａは、ナット６０と当接する位置に保持され（図７参照）、図示しないボルトにより固定される。

パワー半導体装置Ｍ３では、図７に示すように、壁部Ｌ２３ｄと壁部Ｌ２２ｄも平行状態で対向しているので、壁部Ｌ２３ｄと壁部Ｌ２２ｄとの間にも相互インダクタンスを発生させることができ、自己インダクタンスを低減して、スイッチング素子Ｓ１、Ｓ２による電流切換時における導電性能をより向上させることができる。

また、他の構成例に係るパワー半導体装置Ｍ３によれば、従来のようにスイッチング素子、整流素子および配線パターンをワイヤ接続させる作業領域（スペース）が不要となり、さらに第１配線パターンＰ１と第２配線パターンＰ２とを近接配置しているので、従来に比して、より一層の小型化を図ることができるなど、第１の実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ１と同様の効果を奏することができる。

なお、本実施の形態に係るパワー半導体装置Ｍ３を三相モータ等の駆動に用いる場合には、各相毎に対応させてパワー半導体装置Ｍ３を並設するようにできる。

以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本明細書で開示された実施の形態はすべての点で例示であって開示された技術に限定されるものではないと考えるべきである。すなわち、本発明の技術的な範囲は、前記の実施の形態における説明に基づいて制限的に解釈されるものでなく、あくまでも特許請求の範囲の記載にしたがって解釈すべきであり、特許請求の範囲の記載技術と均等な技術および特許請求の範囲内でのすべての変更が含まれる。

Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３…パワー半導体装置
Ｄ１，Ｄ２…整流素子
Ｌ１、Ｌ１１、Ｌ２１…第１板状リード
Ｌ２、Ｌ１２、Ｌ２２…第２板状リード
Ｌ３、Ｌ１３、Ｌ２３…第３板状リード
Ｌ１ｂ、Ｌ２ｂ、Ｌ２ｄ、Ｌ３ｂ、Ｌ１１ｂ、Ｌ１２ｂ、Ｌ１３ｂ、Ｌ２１ｂ、Ｌ２２ｂ、Ｌ２２ｅ、Ｌ２３ｂ…接続部
Ｌ１１ｃ、Ｌ１２ｃ、Ｌ１２ｆ、Ｌ１３ｃ…折り返し部
Ｌ１１ｄ、Ｌ１１ｅ、Ｌ１２ｄ、Ｌ１３ｄ、Ｌ２１ｄ、Ｌ２２ｄ、Ｌ２３ｄ…壁部
Ｌ１ａ、Ｌ１１ａ、Ｌ２１ａ…交流端子（端子部）
Ｌ２ａ、Ｌ１２ａ、Ｌ２２ａ…負極端子（端子部）
Ｌ３ａ、Ｌ１３ａ、Ｌ２３ａ…正極端子（端子部）
Ｌ１ｃ、Ｌ２ｃ、Ｌ２２ｃ、Ｌ２２ｆ…起立部
Ｐ１…第１配線パターン
Ｐ２…第２配線パターン
Ｓ１，Ｓ２…スイッチング素子
１０…枠体
１５…ナット保持部
２０…ボルト孔
５０…冷却器
６０…ナット
７１…接合層
７２…接合パターン
７３…絶縁層
７４、７５…接合層
２００…樹脂
５００…半導体モジュールの構造物
Ｃ…クリアランス

上記目的を達成するため、本発明に係るパワー半導体装置は、第１スイッチング素子と第１整流素子とが接続された第１配線パターンと、第２スイッチング素子と第２整流素子とが接続された第２配線パターンと、前記第１スイッチング素子および前記第１整流素子の上部端子に接続されるとともに、前記第２配線パターンに接続された第１板状リードと、前記第２スイッチング素子および前記第２整流素子の上部端子に接続された第２板状リードと、前記第１配線パターンに接続された第３板状リードと、前記第１配線パターンおよび前記第２配線パターンを囲繞する枠体と、を備え、前記第１板状リードに形成された交流端子が前記枠体の一辺側に配置され、前記第２板状リードに形成された負極端子および前記第３板状リードに形成された正極端子が前記枠体の他辺側に配置され、前記枠体内において、第１配線パターンおよび第２配線パターンの間には、所定のクリアランスが形成され、前記第１板状リードは、前記第１スイッチング素子および前記第１整流素子と接続された第１接続部（Ｌ１ｂ）と、前記第２配線パターンに接続された第２接続部（Ｌ１ｄ）と、前記枠体の一辺側で前記クリアランスを迂回するように前記第１接続部と前記第２接続部を繋ぐとともに、前記交流端子が設けられた迂回部と、を有していることを要旨とする。

Claims (5)

1. スイッチング素子（Ｓ１，Ｓ２）と整流素子（Ｄ１，Ｄ２）とがそれぞれに接続された第１配線パターン（Ｐ１）および第２配線パターン（Ｐ２）と、
   前記第１配線パターン上に配置された前記スイッチング素子および前記整流素子の上部端子に接続された第１板状リード（Ｌ１）と、
   前記第２配線パターン上に配置された前記スイッチング素子および前記整流素子の上部端子に接続された第２板状リード（Ｌ２）と、
   前記第１配線パターンに接続された第３板状リード（Ｌ３）と、
   前記第１配線パターンおよび前記第２配線パターンを囲繞する枠体（１０）と、を備え、
   前記第１板状リードに形成された交流端子（Ｌ１ａ）が前記枠体の一辺側に配置され、
   前記第２板状リードに形成された負極端子（Ｌ２ａ）および前記第３板状リードに形成された正極端子（Ｌ３ａ）が前記枠体の他辺側に配置され、
   前記枠体内において、第１配線パターンおよび第２配線パターンとは、所定のクリアランス（Ｃ）を挟んで近接配置されていることを特徴とするパワー半導体装置。
2. 前記枠体内には、前記第１配線パターンおよび前記第２配線パターンのみの配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のパワー半導体装置。
3. 前記第１板状リード（Ｌ１１）、前記第２板状リード（Ｌ１２）および前記第３板状リード（Ｌ１３）の少なくとも一つは、前記スイッチング素子および前記整流素子との接続部（Ｌ１１ｂ、Ｌ１２ｂ、Ｌ１３ｂ）から前記枠体に配置される端子部（Ｌ１１ａ、Ｌ１２ａ、Ｌ１３ａ）に至る範囲に、折り返し部（Ｌ１１ｃ、Ｌ１２ｃ、Ｌ１３ｃ）を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパワー半導体装置。
4. 前記第１板状リードおよび前記第２板状リードは、互いの一部が隣接配置され、対向する壁部（Ｌ１１ｄ、Ｌ１２ｄ）が立設して形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載のパワー半導体装置。
5. 前記第２板状リードおよび前記第３板状リードは、互いの一部が隣接配置され、対向する壁部（Ｌ１２ｄ、Ｌ１３ｄ）が立設して形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載のパワー半導体装置。

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