JP2017022125A5 - - Google Patents
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Description
本発明に係る第一の態様の導電性基板の製造方法は、カルボン酸と、一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンで被覆された銅ナノ粒子が、高分子分散剤と、溶剤に分散されており、前記高分子分散剤は、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇであり、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、当該塗膜を焼成する工程とを有することを特徴とする。
また、本発明に係る第二の態様の導電性基板の製造方法は、銅を含む化合物、ヒドラジン及びヒドラジンの水和物より選択される１種以上の還元性化合物、カルボン酸、及び一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンを含む混合物、又は、カルボン酸銅、ヒドラジン及びヒドラジンの水和物より選択される１種以上の還元性化合物、及び一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンを含む混合物のいずれかを加熱することにより銅ナノ粒子を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子を、溶剤中で、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇである高分子分散剤により分散することにより、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
当該塗膜を焼成する工程とを有することを特徴とする。
前記銅ナノ粒子を、溶剤中で、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇである高分子分散剤により分散することにより、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
当該塗膜を焼成する工程とを有することを特徴とする。
また、本発明に係る銅ナノ粒子分散体は、カルボン酸と、一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンで被覆された銅ナノ粒子が、高分子分散剤と、溶剤に分散されており、前記高分子分散剤は、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇであり、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下であることを特徴とする。
（参考例６）
実施例１の（２）において、ソルスパース４１０００の代わりに、ディスパーｂｙｋ−１８０（ビックケミー・ジャパン製、酸価９４ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価９４ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＴＨＦ可溶分の重量平均分子量１０００、９０％熱重量減少温度が３５０．２℃）を用いた以外は実施例１の（２）と同様にして、銅ナノ粒子分散体６を得た。
得られた銅ナノ粒子分散体６を用いて、実施例１の（３）と同様にして、プラズマ焼成により導電性基板を製造した。
得られた銅ナノ粒子分散体６を用いて、実施例１の（４）と同様にして、フラッシュ光焼成により導電性基板を製造した。
実施例１の（２）において、ソルスパース４１０００の代わりに、ディスパーｂｙｋ−１８０（ビックケミー・ジャパン製、酸価９４ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価９４ｍｇＫＯＨ／ｇ、ＴＨＦ可溶分の重量平均分子量１０００、９０％熱重量減少温度が３５０．２℃）を用いた以外は実施例１の（２）と同様にして、銅ナノ粒子分散体６を得た。
得られた銅ナノ粒子分散体６を用いて、実施例１の（３）と同様にして、プラズマ焼成により導電性基板を製造した。
得られた銅ナノ粒子分散体６を用いて、実施例１の（４）と同様にして、フラッシュ光焼成により導電性基板を製造した。
Claims (13)
- カルボン酸と、一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンで被覆された銅ナノ粒子が、高分子分散剤と、溶剤に分散されており、前記高分子分散剤は、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇであり、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
当該塗膜を焼成する工程とを有する、導電性基板の製造方法。 - 前記高分子分散剤は、９０％熱重量減少温度が４２０℃以下である、請求項１に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記カルボン酸は、炭素数が１０以下である、請求項１又は２に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記焼成する工程が、プラズマにより焼成する工程であるか、フラッシュ光の照射により焼成する工程である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記焼成する工程後に、更に、得られた焼結膜を化学エッチングする工程を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- 銅を含む化合物、ヒドラジン及びヒドラジンの水和物より選択される１種以上の還元性化合物、カルボン酸、及び一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンを含む混合物、又は、カルボン酸銅、ヒドラジン及びヒドラジンの水和物より選択される１種以上の還元性化合物、及び一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンを含む混合物のいずれかを加熱することにより銅ナノ粒子を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子を、溶剤中で、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇである高分子分散剤により分散することにより、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である銅ナノ粒子分散体を調製する工程と、
前記銅ナノ粒子分散体を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程と、
当該塗膜を焼成する工程とを有する、導電性基板の製造方法。 - 前記高分子分散剤は、９０％熱重量減少温度が４２０℃以下である、請求項６に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記カルボン酸は、炭素数が１０以下である、請求項６又は７に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記焼成する工程が、プラズマにより焼成する工程であるか、フラッシュ光の照射により焼成する工程である、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- 前記焼成する工程後に、更に、得られた焼結膜を化学エッチングする工程を有する、請求項６乃至９のいずれか一項に記載の導電性基板の製造方法。
- カルボン酸と、一級又は二級アミノ基を有しヒドロキシ基を含まないアルキルアミンで被覆された銅ナノ粒子が、高分子分散剤と、溶剤に分散されており、前記高分子分散剤は、酸価が４０〜１４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、アミン価が０〜７４ｍｇＫＯＨ／ｇであり、動的光散乱法による体積平均粒径が５００ｎｍ以下である、銅ナノ粒子分散体。
- 前記高分子分散剤は、９０％熱重量減少温度が４２０℃以下である、請求項１１に記載の銅ナノ粒子分散体。
- 前記カルボン酸は、炭素数が１０以下である、請求項１１又は１２に記載の銅ナノ粒子分散体。
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