JP2017021938A - 調光制御ユニット、照明システム、及び設備機器 - Google Patents

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Shigeru Ido
滋 井戸
明則 平松
Akinori Hiramatsu
明則 平松
城戸 大志
Hiroshi Kido
大志 城戸
武志 鴨井
Takeshi Kamoi
武志 鴨井
上田 大輔
Daisuke Ueda
大輔 上田
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Abstract

【課題】スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくした調光制御ユニット、照明システム、及び設備機器を提供する。
【解決手段】制御回路22は、設定された調光レベルに応じたデューティ比のPWM信号S3によりMOSFET21をスイッチングすることによって、直流電源ユニット1から入力される直流電圧を矩形波電圧に変換して光源ユニット3に出力させるように構成されている。制御回路22は、MOSFET21に流れる電流I1の立ち上がり時間及び立ち下がり時間のうち少なくとも一方が1マイクロ秒以上になるようにMOSFET21への印加電圧を制御する電圧制御部を有している。
【選択図】図1

Description

本発明は、調光制御ユニット、照明システム、及び設備機器に関し、より詳細には、半導体発光素子を調光点灯するための調光制御ユニット、照明システム、及び設備機器に関する。

従来、半導体発光素子を調光点灯するための点灯装置が提供されている(例えば特許文献1参照)。特許文献1記載の点灯装置は、交流電源を整流、平滑して一定の直流電圧を出力する昇圧チョッパ回路と、昇圧チョッパ回路の出力を降圧して半導体発光素子に供給する降圧チョッパ回路とを備える。

特許文献1記載の点灯装置では、降圧チョッパ回路が有するスイッチング素子のオン時間幅を調光制御回路が制御することによって、半導体発光素子を調光点灯させている。

また、直流電源から出力される直流電圧をPWM信号に応じて断続的に供給することによって半導体発光素子を調光点灯させる点灯装置も提供されている。この点灯装置は、半導体発光素子に対応した電圧値の直流電圧を出力する直流電源と半導体発光素子との間に電気的に接続されたスイッチング素子を備える。

この点灯装置では、上記PWM信号に応じてスイッチング素子をオン/オフすることによって、上記PWM信号に応じた矩形波電圧を半導体発光素子に供給し、半導体発光素子を調光点灯させている。

特開2012−226924号公報

ところで、上述の後者の点灯装置では、スイッチング素子を介して半導体発光素子に供給される電流に、基本波成分だけでなく高調波成分も含まれているため、半導体発光素子から放射される光にも高調波成分が含まれることになる。

そのため、例えばバーコード読取時に上記高調波成分と同じ周波数の光を放射するバーコード読取装置を上記半導体発光素子による照明下で使用した場合、上記半導体発光素子から放射される光によりバーコードの内容が読み取れない可能性があった。

本発明は上記課題に鑑みてなされており、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくした調光制御ユニット、照明システム、及び設備機器を提供することを目的とする。

本発明の調光制御ユニットは、半導体発光素子を有する光源ユニットに直接印加して前記半導体発光素子を点灯可能な電圧値の直流電圧を出力する直流電源と前記光源ユニットとの間に電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御回路とを備え、前記制御回路は、設定された調光レベルに応じたデューティ比のPWM信号により前記スイッチング素子をスイッチングすることによって、前記直流電源から入力される直流電圧を矩形波電圧に変換して前記光源ユニットに出力させるように構成されており、前記制御回路は、前記スイッチング素子に流れる電流の立ち上がり時間及び立ち下がり時間のうち少なくとも一方が1マイクロ秒以上になるように前記スイッチング素子への印加電圧を制御する電圧制御部を有していることを特徴とする。

本発明の照明システムは、半導体発光光源を有する光源ユニットと、前記光源ユニットを調光制御する上記の調光制御ユニットと、を備えたことを特徴とする。

本発明の設備機器は、半導体発光光源を有する光源ユニットと、前記光源ユニットを調光制御する上記の調光制御ユニットと、前記光源ユニット及び前記調光制御ユニットを保持する設備機器本体と、を備えたことを特徴とする。

本発明の調光制御ユニットは、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

本発明の照明システムは、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

本発明の設備機器は、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

本発明の実施形態に係る照明システムの回路図である。 本発明の実施形態に係る照明システムの概略構成図である。 本発明の実施形態に係る照明システムにおいてスイッチング素子のスイッチング周波数と半導体発光素子の光周波数との関係を示すグラフである。 本発明の実施形態に係る調光制御ユニットの要部を示す回路図である。 本発明の実施形態に係る調光制御ユニットの動作を説明するための波形図である。 本発明の実施形態に係る調光制御ユニットのスイッチング素子に流れる電流の波形図である。 本発明の実施形態に係る別の調光制御ユニットの要部を示す回路図である。 本発明の実施形態に係る別の調光制御ユニットの動作を説明するための波形図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の調光制御ユニットの要部を示す回路図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の調光制御ユニットの動作を説明するための波形図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の調光制御ユニットの要部を示す回路図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の調光制御ユニットの動作を説明するための波形図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の調光制御ユニットの別の動作を説明するための波形図である。 本発明の実施形態に係る別の照明システムの回路図である。 本発明の実施形態に係る別の照明システムの動作を説明するための波形図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の照明システムの回路図である。 本発明の実施形態に係るさらに別の照明システムの動作を説明するための波形図である。 本発明の実施形態に係る設備機器としての冷蔵ショーケースの外観斜視図である。 本発明の実施形態に係る設備機器としての自動販売機の外観斜視図である。

本発明の実施形態に係る調光制御ユニット、照明システム、及び設備機器について、図面を参照しながら具体的に説明する。ただし、以下に説明する構成は、本発明の一例に過ぎず、本発明は下記の実施形態に限定されない。したがって、この実施形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

本実施形態の照明システム10は、図1に示すように、直流電源ユニット1(直流電源)と、調光制御ユニット2と、光源ユニット3と、調光信号出力回路4とを備える。

直流電源ユニット1は、一般的なスイッチング電源からなり、商用交流電源のような交流電源100より入力される交流電圧(例えば、実効値がAC100[V]〜AC242[V])を、一定の直流電圧に変換して出力する。直流電源ユニット1は、光源ユニット3に直接印加して、光源ユニット3を点灯可能な電圧値(例えばDC24[V])を出力する。

光源ユニット3は、半導体発光素子である7個の発光ダイオード311〜317と、発光ダイオード311〜317に流れる電流を一定に制御する定電流回路32と、逆流防止用のダイオード33と、定電流回路32の発振防止用のキャパシタ34とを備える。定電流回路32は、NPN型のトランジスタ321,322と、抵抗器323〜326とで構成される。なお、光源ユニット3を構成する半導体発光素子は発光ダイオードに限らず、発光ダイオード以外のエレクトロルミネッセンス(EL:Electro Luminescence)素子、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子などでもよい。

また、光源ユニット3は、一対の接続端子301,302を備える。正極側の接続端子301には、ダイオード33のアノードとキャパシタ34の一端とが電気的に接続されている。ダイオード33のカソードには、抵抗器323を介してトランジスタ321のコレクタが電気的に接続されている。

トランジスタ321のエミッタは、負極側の接続端子302とキャパシタ34の他端とに電気的に接続されている。トランジスタ321のコレクタは、抵抗器324を介してトランジスタ322のベースに電気的に接続されている。トランジスタ322のエミッタは、トランジスタ321のベースに電気的に接続されている。

トランジスタ322のエミッタとトランジスタ321のエミッタとの間には、抵抗器325,326の並列回路が電気的に接続されている。そして、ダイオード33のカソードとトランジスタ322のコレクタとの間には、電流の流れる向きがダイオード33と同じ向きになるようにして、7個の発光ダイオード311〜317が直列かつ電気的に接続されている。

ここに、一対の接続端子301,302間に電気的に接続されたキャパシタ34は、調光制御ユニット2と光源ユニット3とを電気的に接続する電線81(図2参照)のインダクタンスによって定電流回路32が発振状態になるのを防止する。したがって、電線81のインダクタンスが小さい場合には、キャパシタ34を設けなくてもよい。

調光制御ユニット2は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)21(スイッチング素子)と、制御回路22と、電源回路23とを備える。制御回路22は、信号変換回路24と、マイコン25と、ドライブ回路26とで構成され、MOSFET21のオン/オフを制御する。

MOSFET21のゲートは、ドライブ回路26の出力端子に電気的に接続されている。また、MOSFET21のドレインは、後述の接続端子222に電気的に接続され、MOSFET21のソースは、後述の接続端子212に電気的に接続されている。なお、スイッチング素子は上述のMOSFETに限らず、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などのバイポーラトランジスタでもよい。

信号変換回路24には、調光信号出力回路4から後述の接続端子231,232を介して調光信号S1が入力される。調光信号出力回路4から出力される調光信号S1は、例えば光源ユニット3の調光レベルに応じてデューティ比が変化するようなPWM信号である。信号変換回路24は、例えば調光信号出力回路4から入力される調光信号S1を平滑することによって、調光信号S1をそのデューティ比(すなわち調光レベル)に応じた電圧値(例えば0[V]〜10[V])の電圧信号S2に変換する。

なお、調光信号出力回路4から信号変換回路24に入力される調光信号S1はPWM信号に限らず、調光レベルに応じて電圧値が変化するような電圧信号でもよい。この場合、信号変換回路24は、調光信号S1の電圧値の変動範囲を調整し、マイコン25に出力すればよい。

マイコン25は、ROM(Read Only Memory)に記憶されたプログラムを実行することによって、MOSFET21の制御動作を実行するマイクロコンピュータからなる。マイコン25は、信号変換回路24から入力される電圧信号S2の電圧値に応じてデューティ比が変化するようなPWM信号S3を生成し、ドライブ回路26に出力する。

ドライブ回路26の出力端子は、MOSFET21のゲートに電気的に接続されている。ドライブ回路26は、マイコン25から入力されるPWM信号S3の信号レベルに応じてMOSFET21をスイッチングする。言い換えれば、ドライブ回路26は、PWM信号S3の信号レベルがハイレベルであればMOSFET21をオン状態にし、PWM信号S3の信号レベルがローレベルであればMOSFET21をオフ状態にする。なお、ドライブ回路26の回路構成については後述する。

電源回路23は、直流電源ユニット1から入力される直流電圧の電圧値(例えばDC24[V])を所定の電圧値(例えばDC12[V])に変換し、信号変換回路24とマイコン25とドライブ回路26とに供給する。

調光制御ユニット2は、直流電源ユニット1の正極側の出力端子に電気的に接続される接続端子211と、直流電源ユニット1の負極側の出力端子に電気的に接続される接続端子212とを備える。また、調光制御ユニット2は、光源ユニット3の接続端子301に電気的に接続される正極側の接続端子221と、光源ユニット3の接続端子302に電気的に接続される負極側の接続端子222とを備える。

さらに、調光制御ユニット2は、調光信号出力回路4の出力端子に接続される一対の接続端子231,232を備える。なお、接続端子211と接続端子221とは、内部配線を介して電気的に接続されている。

図2は本実施形態の照明システム10の概略構成図であり、直流電源ユニット1と光源ユニット3との間に調光制御ユニット2が電気的に接続されている。調光制御ユニット2の接続端子221,222には、光源ユニット3からの電線81が電気的に接続され、接続端子211,212には、直流電源ユニット1からの電線82が電気的に接続されている。また、調光制御ユニット2の接続端子231,232には、調光信号出力回路4からの電線83が電気的に接続されている。

次に、調光制御ユニット2が光源ユニット3を調光制御する場合の動作について説明する。

調光レベルに応じたデューティ比のPWM信号からなる調光信号S1が調光信号出力回路4から調光制御ユニット2に入力されると、信号変換回路24は、調光信号S1をそのデューティ比に応じた電圧値の電圧信号S2に変換し、マイコン25に出力する。

マイコン25は、信号変換回路24から電圧信号S2が入力されると、電圧信号S2の電圧値に応じたデューティ比のPWM信号S3を生成し、生成したPWM信号S3をドライブ回路26に出力する。

ドライブ回路26は、マイコン25からPWM信号S3が入力されると、PWM信号S3の信号レベルに応じてMOSFET21をスイッチングする。言い換えれば、ドライブ回路26は、PWM信号S3の信号レベルがハイレベルの期間ではMOSFET21をオン状態にし、PWM信号S3の信号レベルがローレベルの期間ではMOSFET21をオフ状態にする。

ドライブ回路26がMOSFET21をオン状態にすると、直流電源ユニット1から調光制御ユニット2を介して光源ユニット3に直流電圧が印加され、発光ダイオード311〜317が点灯する。一方、ドライブ回路26がMOSFET21をオフ状態にすると、光源ユニット3に電流が流れなくなり、発光ダイオード311〜317は消灯する。これにより、調光制御ユニット2から光源ユニット3に矩形波電圧が印加され、光源ユニット3が間欠的に発光する。

なお、光源ユニット3に直流電圧が印加された状態では、発光ダイオード311〜317に流れる電流が定電流回路32によって一定に制御される。そして、調光制御ユニット2から光源ユニット3に矩形波電圧が印加されて光源ユニット3が間欠的に発光することによって、光源ユニット3が調光制御される。

また、マイコン25から出力されるPWM信号S3のデューティ比に応じて、発光ダイオード311〜317が点灯する期間と、発光ダイオード311〜317が消灯する期間との割合が変化することで、光源ユニット3の調光レベルが制御される。

図3は、PWM信号S3のデューティ比が50%の場合におけるMOSFET21のスイッチング周波数(PWM周波数)Freqと、発光ダイオード311〜317の光周波数Apkとの関係を示すグラフである。ここに、光周波数とは、発光ダイオードによる点灯→消灯→点灯の周波数のことをいう。なお、スイッチング周波数Freqは、100[Hz]〜10[kHz]であるのが好ましく、100[Hz]より小さい場合には人の目にちらつきが感じられる。

MOSFET21のスイッチング周波数Freq=fp1とした場合、MOSFET21を介して発光ダイオード311〜317に供給される電流には、基本波成分fp1だけでなく、その奇数倍の高調波成分であるfp2、fp3、fp4、…も含まれる。そのため、発光ダイオード311〜317から放射される光にも、基本波成分fp1に対応する周波数成分だけでなく、fp2、fp3、fp4、…に対応する周波数成分も含まれることになる。

ここで、MOSFET21を介して供給される上記電流、言い換えればMOSFET21のドレイン電流の立ち上がり時間及び立ち下がり時間がともに0である場合、光周波数Apkは、基本波成分fp1に対応する周波数成分から−20[dB/dec]で減衰する。つまり、スイッチング周波数Freqの10倍の周波数での光周波数Apkの周波数成分は0.1倍になる。したがって、スイッチング周波数Freq=1[kHz]で光周波数Apk=0[dB]の場合、光周波数Apkの周波数101[kHz]での成分値は−40[dB]になる。

また、MOSFET21のドレイン電流の立ち上がり時間及び立ち下がり時間をともにtrとした場合、立ち上がり周波数fr=1/trで光周波数Apkが極小となる変化点が存在する。例えば、立ち上がり時間及び立ち下がり時間tr=1[μsec]では、立ち上がり周波数fr0=1[MHz]で光周波数Apkが極小になる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間tr=10[μsec]では、立ち上がり周波数fr1=100[kHz]で光周波数Apkが極小になる。

立ち上がり周波数fr0=1[MHz]の場合、発光ダイオード311〜317から放射される光の立ち上がり時間及び立ち下がり時間は短く、光の変化が急峻になることから、広い周波数範囲で高調波成分が発生することになる。一方、立ち上がり周波数fr1=100[kHz]の場合、発光ダイオード311〜317から放射される光の立ち上がり時間及び立ち下がり時間は長くなり、光の変化が緩やかになることから、高調波成分の発生を抑えることができる。

以上のことから、発光ダイオード311〜317から放射される光の高調波成分を発生しにくくするためには光の変化を緩やかにする必要があり、MOSFET21のドレイン電流の立ち上がり時間及び立ち下がり時間を長くするのがよい。したがって、本実施形態では、MOSFET21のドレイン電流の立ち上がり時間及び立ち下がり時間を1[μsec]以上に設定している。

本実施形態の調光制御ユニット2では、図4に示すドライブ回路26によってMOSFET21のドレイン電流の立ち上がり時間及び立ち下がり時間を長くすることにより、発光ダイオード311〜317から放射される光の高調波成分を発生しにくくしている。

また、本実施形態の照明システム10のように、光源ユニット3の入力端間にキャパシタ34を電気的に接続している場合には、キャパシタ34の充電開始時においてパルス状の突入電流が発生する。したがって、MOSFET21のドレイン−ソース間にも上記突入電流が流れることになる。

例えば、光源ユニット3に供給する電圧の大きさが24[V]、光源ユニット3に流れる電流が4.17[A]、キャパシタ34の静電容量が1[μF]である場合、上記突入電流は30[A]近くまで上昇する。そのため、MOSFET21に大きなストレスが加えられることになる。

そのため、本実施形態の調光制御ユニット2では、図4に示すように、MOSFET21のドレイン電流のピーク値を制限する電流制限部263を設けている。以下、ドライブ回路26について具体的に説明する。

ドライブ回路26は、図4に示すように、定電流回路261と、電流検出部262と、電流制限部263と、NPN型のトランジスタ264と、キャパシタ265と、抵抗器266〜268と、ダイオード269とを有する。

定電流回路261は、PNP型のトランジスタ2611,2612と、抵抗器2613とで構成される。トランジスタ2611のエミッタは、電源回路23の出力端子と抵抗器2613の一端とに電気的に接続され、抵抗器2613の他端は、トランジスタ2611のベースとトランジスタ2612のエミッタとに電気的に接続されている。

トランジスタ2611のコレクタは、トランジスタ2612のベースと抵抗器266の一端とに電気的に接続され、トランジスタ2612のコレクタは、抵抗器268の一端とMOSFET21のゲートとに電気的に接続されている。つまり、本実施形態の定電流回路261は、電源回路23の出力端子とMOSFET21(スイッチング素子)の制御端子(ゲート)との間に電気的に接続されている。

抵抗器266の他端は、トランジスタ264のコレクタに電気的に接続され、トランジスタ264のエミッタはグランドに電気的に接続されている。トランジスタ264のベースは、抵抗器267を介してマイコン25の出力端子に電気的に接続されている。

抵抗器268の他端は、ダイオード269のアノードに電気的に接続され、ダイオード269のカソードは、マイコン25の出力端子に電気的に接続されている。マイコン25から出力されるPWM信号S3の信号レベルがローレベルの場合、後述のキャパシタ265に蓄積された電荷が抵抗器268→ダイオード269の経路で放電されるが、この放電時における時定数は抵抗器268により設定される。

上述の定電流回路261は、抵抗器2613の両端電圧がトランジスタ2611のベース・エミッタ間電圧となるようにトランジスタ2612を制御することにより、抵抗器2613及びトランジスタ2612に流れる電流を一定に制御する。なお、トランジスタ264がオフのときは抵抗器266に電流が流れないため、トランジスタ2612がオフになり、定電流回路261は動作しない。

電流検出部262は、MOSFET21のソースとグランドとの間に電気的に接続された抵抗器2621からなり、MOSFET21のドレイン−ソース間に流れる電流、つまりドレイン電流I1を検出する。

電流制限部263は、NPN型のトランジスタ2631と、抵抗器2632,2633とで構成され、電流検出部262の検出結果に基づいてMOSFET21のドレイン−ソース間に流れるドレイン電流I1のピーク値を制限する。

トランジスタ2631のコレクタは、抵抗器2632を介してMOSFET21のゲートに電気的に接続され、トランジスタ2631のエミッタはグランドに電気的に接続されている。トランジスタ2613のベースは、抵抗器2633を介してMOSFET21のソースに電気的に接続されている。MOSFET21のゲート−ソース間には、キャパシタ265が電気的に接続されている。

ここで、上述のキャパシタ265は、MOSFET21のゲート電圧V1(ゲートへの印加電圧)を緩やかに変化させるために設けられており、キャパシタ265の静電容量はMOSFET21の寄生容量の2倍以上にするのがよい。例えば、MOSFET21のゲート−ソース間の寄生容量が1000[pF]である場合には、キャパシタ265の静電容量を2000[pF]以上にする。これにより、MOSFET21の寄生容量にばらつきがある場合でも、寄生容量のばらつきによる特性変化を抑えることができる。

また、上述の電流制限部263は、電流検出部262を構成する抵抗器2621に流れる電流、つまりMOSFET21のドレイン電流I1に応じた抵抗器2621の両端電圧を検出する。そして、電源制限部263は、抵抗器2621の両端電圧がトランジスタ2631のベース・エミッタ間電圧(約0.6[V])に達すると、トランジスタ2631がオンになり、キャパシタ265の電荷を抵抗器2632を介して放電させる。これにより、MOSFET21のゲート電圧V1の上昇を抑えることができ、それに伴ってMOSFET21のドレイン電流I1のピーク値を制限することができる。

次に、図4のドライブ回路26を用いた調光制御ユニット2の動作について図5を参照しながら具体的に説明する。

時刻t1のときに、マイコン25から入力されるPWM信号S3の信号レベルがハイレベルになると、トランジスタ264がオンになる。トランジスタ264がオンになると、トランジスタ2612がオンになり、電源回路23→抵抗器2613→トランジスタ2612→キャパシタ265→グランドの経路で電流が流れる。その結果、キャパシタ265の両端電圧、つまりMOSFET21のゲート電圧V1が上昇する。

なお、トランジスタ2612のエミッタ電流は、トランジスタ2611と抵抗器2613によって定電流制御される。すなわち、抵抗器2613の両端電圧がトランジスタ2611のベース−エミッタ間電圧Vbeとなるように、トランジスタ2612のベース電流が制御される。その結果、トランジスタ2612のエミッタ電流Ieは、Ie=Vbe/R1となる。なお、トランジスタ2612のhfe(電流増幅率)が100以上であれば、Ic=Ieとみなすことができる。

ここに、抵抗器2613の抵抗値をR1、キャパシタ265の静電容量をC1とすると、キャパシタ265の充電速度は、C1/Ic=C1×R1/Vbeになる。C1=0.01[μF]、R1=220[Ω]、Vbe=0.6[V]とすると、キャパシタ265の充電速度は約3.7[μsec/V]になる。この場合、ゲート電圧が5Vまで上昇するには約19[μsec]かかることになる。

時刻t2のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第1電圧(閾値電圧)Vth1に達すると、MOSFET21がオンになり、MOSFET21のドレイン−ソース間にドレイン電流I1が流れる。このドレイン電流I1は、ゲート電圧V1の上昇に伴って増加する。

時刻t3のときに、MOSFET21のドレイン電流I1が電流制限部263による制限値Ip1に達すると、トランジスタ2631がオンになり、MOSFET21のゲート電圧V1がV11に制限される。その結果、MOSFET21のドレイン電流I1も制限値Ip1に制限される。その後、MOSFET21のドレイン電流I1が制限値Ip1を下回ると、ゲート電圧V1は再び上昇する。

時刻t4のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が、ドレイン−ソース間のオン抵抗が十分小さくなる第2電圧Vth2に達すると、光源ユニット3の定電流回路32によって、MOSFET21のドレイン電流I1が一定(電流値I11)に制御される。

時刻t5のときに、PWM信号S3の信号レベルがローレベルになると、トランジスタ264がオフになり、定電流回路261が停止する。定電流回路261が停止すると、キャパシタ265に蓄積された電荷によって、キャパシタ265→抵抗器268→ダイオード269→マイコン25の経路で電流が流れ、これによりMOSFET21のゲート電圧V1が低下する。

ここに、抵抗器268の抵抗値をR2とすると、キャパシタ265の放電時における時定数はR2×C1となる。

時刻t6のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第2電圧Vth2を下回ると、ドレイン−ソース間のオン抵抗が大きくなり、ドレイン電流I1も減少する。そして、時刻t7のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第1電圧Vth1を下回ると、MOSFET21がオフになり、ドレイン電流I1がゼロになる。以降、時刻t1〜t7の動作を繰り返し行う。

本実施形態では、電流制限部263によってドレイン電流I1のピーク値を制限しているので、MOSFET21に加えられるストレスを低減することができる。また、ドレイン電流I1のピーク値を制限することにより、電流容量の小さいMOSFET21(スイッチング素子)を使用することができるので、コストダウンを図ることもできる。

さらに、本実施形態のように、定電流回路261によって、ドレイン電流I1の立ち上がり時間tr(=t3−t2)及び立ち下がり時間tf(=t7−t6)を長くすることで、ドレイン電流I1を緩やかに変化させることができる。その結果、発光ダイオード311〜317から放射される光も緩やかに変化させることができ、発光ダイオード311〜317から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。ここに、本実施形態では、定電流回路261により電圧制御部が構成される。

そして、本実施形態では、ドレイン電流I1の立ち上がり及び立ち下がりにおいて、MOSFET21を能動領域で動作させており、これによりドレイン電流I1を直線的かつ連続的に変化させている。また、MOSFET21のスイッチング周波数は10[kHz]以下に制限するのがよく、これによりドレイン電流I1の立ち上がり及び立ち下がりを緩やかにすることができる。

ところで、本実施形態では、MOSFET21のドレイン電流I1の立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfの下限値を1[μsec]としたが、上限値については以下のように設定される。

図6は、MOSFET21のドレイン電流I1の波形図である。マイコン25から出力されるPWM信号S3の周期をT1、調光下限におけるデューティ比をDmとすると、MOSFET21のドレイン電流I1の立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfの上限値は、T1×Dmで求められる。

例えば、周期T1=1[msec]、デューティ比Dm=0.5である場合、1[μsec]≦tr≦500[μsec]、1[μsec]≦tf≦500[μsec]になる。なお、周期T1は100[μsec]〜2[msec]の範囲で設定され、デューティ比Dmは0.01〜0.8の範囲で設定されるのがよい。

図4のドライブ回路26では、キャパシタ34による突入電流を制限する電流制限部263を設けたが、例えば上記突入電流が小さい場合やMOSFET21の電流容量が大きい場合には、図7に示すように、電流制限部263を設けなくてもよい。なお、図7のドライブ回路26において、電流検出部262及び電流制限部263以外の構成要素は図4のドライブ回路26と同様であるから、ここでは説明を省略する。

次に、図7のドライブ回路26を用いた電流制御ユニット2の動作について図8を参照しながら具体的に説明する。

時刻t1のときに、マイコン25から入力されるPWM信号S3の信号レベルがハイレベルになると、トランジスタ264がオンになる。トランジスタ264がオンになると、トランジスタ2612がオンになり、電源回路23→抵抗器2613→トランジスタ2612→キャパシタ265→グランドの経路で電流が流れる。これにより、キャパシタ265の両端電圧、つまりMOSFET21のゲート電圧V1が上昇する。

なお、トランジスタ2612のエミッタ電流は、トランジスタ2611と抵抗器2613によって定電流制御される。すなわち、抵抗器2613の両端電圧がトランジスタ2611のベース−エミッタ間電圧Vbeとなるように、トランジスタ2612のベース電流が制御される。その結果、トランジスタ2612のエミッタ電流Ieは、Ie=Vbe/R1となる。なお、トランジスタ2612のhfe(電流増幅率)が100以上であれば、Ic=Ieとみなすことができる。

ここに、キャパシタ265の充電速度は、C1/Ic=C1×R1/Vbeになる。C1=0.01[μF]、R1=220[Ω]、Vbe=0.6[V]とすると、キャパシタ265の充電速度は約3.7[μsec/V]になる。この場合、ゲート電圧が5Vまで上昇するには約19[μsec]かかることになる。

時刻t2のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第1電圧(閾値電圧)Vth1に達すると、MOSFET21がオンになり、MOSFET21のドレイン−ソース間にドレイン電流I1が流れる。このドレイン電流I1は、ゲート電圧V1の上昇に伴って増加する。

ここで、MOSFET21がオンになり、ドレイン電流I1が光源ユニット3に供給されると、光源ユニット3の入力端間に電気的に接続されたキャパシタ34に突入電流が生じる。これに対して、本実施形態では、定電流回路261によりMOSFET21のゲート電圧V1を緩やかに上昇させており、上記突入電流のピーク値Ip2を制限することができる。

時刻t3のときには、MOSFET21のゲート電圧V1が、MOSFET21のドレイン−ソース間のオン抵抗が十分小さくなる第2電圧Vth2になる。このとき、MOSFET21のドレイン電流I1は、光源ユニット3の定電流回路32によって一定(電流値I11)に制御される。

時刻t4のときに、PWM信号S3の信号レベルがローレベルになると、トランジスタ264がオフになり、定電流回路261が停止する。定電流回路261が停止すると、キャパシタ265の電荷によって、キャパシタ265→抵抗器268→ダイオード269→マイコン25の経路で電流が流れ、これによりMOSFET21のゲート電圧V1が低下する。ここに、キャパシタ265の放電時における時定数はR2×C1となる。

時刻t5のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第2電圧Vth2を下回ると、ドレイン−ソース間のオン抵抗が大きくなり、ドレイン電流I1も減少する。そして、時刻t6のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第1電圧Vth1を下回ると、MOSFET21がオフになり、ドレイン電流I1がゼロになる。以降、時刻t1〜t6の動作を繰り返し行う。

本実施形態では、定電流回路261によって、ドレイン電流I1の立ち上がり時間tr(=t3−t2)及び立ち下がり時間tf(=t6−t5)を長くすることで、ドレイン電流I1を緩やかに変化させることができる。その結果、発光ダイオード311〜317から放射される光も緩やかに変化させることができ、発光ダイオード311〜317から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、ドレイン電流I1の立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfを長くすることで、キャパシタ34による突入電流のピーク値Ip2を制限することができ、MOSFET21に加えられるストレスを低減することができる。

図9は、本実施形態のドライブ回路26の別の例を示す回路図である。図4及び図7のドライブ回路26では、定電流回路261により電圧制御部を構成したが、図9のドライブ回路26では、抵抗器274,275により電圧制御部を構成している。以下、ドライブ回路26について具体的に説明する。

ドライブ回路26は、NPN型のトランジスタ271と、キャパシタ272と、抵抗器273〜275と、ダイオード276とを有する。

トランジスタ271のベースは、マイコン25の出力端子に電気的に接続されており、トランジスタ271は、マイコン25から出力されるPWM信号S3によってオン/オフが制御される。トランジスタ271のコレクタは、抵抗器273を介して電源回路23の出力端子に電気的に接続され、トランジスタ271のエミッタはグランドに電気的に接続されている。

トランジスタ271のコレクタと抵抗器273との接続点は、抵抗器274とダイオード276との直列回路を介してMOSFET21のゲートに電気的に接続されている。また、抵抗器274とダイオード276との直列回路の両端間には、抵抗器275が電気的に接続されている。さらに、MOSFET21のゲート−ソース間には、キャパシタ272が電気的に接続されている。

ここで、キャパシタ272の充電時における時定数は抵抗器274により設定され、キャパシタ272の放電時における時定数は抵抗器275により設定される。また、抵抗器274,275の抵抗値は1[kΩ]以上であるのが好ましい。

また、キャパシタ272は、MOSFET21のゲート電圧(印加電圧)V1を緩やかに変化させるために設けられており、キャパシタ272の静電容量はMOSFET21の寄生容量の2倍以上にするのがよい。例えば、MOSFET21のゲート−ソース間の寄生容量が1000[pF]である場合には、キャパシタ272の静電容量を2000[pF]以上にする。これにより、MOSFET21の寄生容量にばらつきがある場合でも、寄生容量のばらつきによる特性変化を抑えることができる。

次に、図9のドライブ回路26を用いた調光制御ユニット2の動作について図10を参照しながら具体的に説明する。

時刻t1のときに、マイコン25から出力されるPWM信号S3の信号レベルがローレベルになると、トランジスタ271はオフになり、トランジスタ271のコレクタ電圧VcはVc1になる。このとき、電源回路23→抵抗器273→抵抗器274→ダイオード276→キャパシタ272→グランドの経路で電流が流れ、キャパシタ272の両端電圧、すなわちMOSFET21のゲート電圧V1が上昇する。

ここに、抵抗器273の抵抗値をR3、抵抗器274の抵抗値をR4、キャパシタ272の静電容量をC2とすると、キャパシタ272の充電時における時定数は(R3+R4)×C2になる。

時刻t2のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第1電圧(閾値電圧)Vth1に達すると、MOSFET21がオンになり、MOSFET21のドレイン−ソース間にドレイン電流I1が流れる。このドレイン電流I1は、ゲート電圧V1の上昇に伴って増加する。

ここで、MOSFET21がオンになり、ドレイン電流I1が光源ユニット3に供給されると、光源ユニット3の入力端間に電気的に接続されたキャパシタ34に突入電流が生じる。これに対して、本実施形態では、抵抗器274によりMOSFET21のゲート電圧V1を緩やかに上昇させており、上記突入電流のピーク値Ip2を制限することができる。

時刻t3のときには、MOSFET21のゲート電圧V1が、MOSFET21のドレイン−ソース間のオン抵抗が十分小さくなる第2電圧Vth2になる。このとき、MOSFET21のドレイン電流I1は、光源ユニット3の定電流回路32によって一定(電流値I11)に制御される。

時刻t4のときに、PWM信号S3の信号レベルがハイレベルになると、トランジスタ271がオンになり、トランジスタ271のコレクタ電圧Vcはゼロになる。このとき、キャパシタ272に蓄積された電荷によって、キャパシタ272→抵抗器275→トランジスタ271→グランドの経路で電流が流れる。これにより、キャパシタ272の両端電圧、すなわちMOSFET21のゲート電圧V1が低下する。

ここに、抵抗器275の抵抗値をR5とすると、キャパシタ272の放電時における時定数はR5×C2になる。

時刻t5のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第2電圧Vth2を下回ると、ドレイン−ソース間のオン抵抗が大きくなり、ドレイン電流I1も減少する。そして、時刻t6のときに、ゲート電圧V1が第1電圧Vth1を下回ると、MOSFET21がオフになり、ドレイン電流I1もゼロになる。以降、時刻t1〜t6の動作を繰り返し行う。

本実施形態では、抵抗器274,275によって、ドレイン電流I1の立ち上がり時間tr(=t3−t2)及び立ち下がり時間tf(=t6−t5)を長くすることで、ドレイン電流I1を緩やかに変化させることができる。その結果、発光ダイオード311〜317から放射される光も緩やかに変化させることができ、発光ダイオード311〜317から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、ドレイン電流I1の立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfを長くすることで、キャパシタ34による突入電流のピーク値Ip2を制限することができ、MOSFET21に加えられるストレスを低減することができる。

図11は、本実施形態のドライブ回路26のさらに別の例を示す回路図である。図4及び図7のドライブ回路26では、定電流回路261により電圧制御部を構成したが、図11のドライブ回路26では、マイコン25及びフィルタ部281,282により電圧制御部を構成している。以下、ドライブ回路26について具体的に説明する。

ドライブ回路26は、図11に示すように、2つのフィルタ部281,282を有する。

フィルタ部281は、抵抗器2811とキャパシタ2812とで構成されたローパスフィルタである。抵抗器2811の一端はMOSFET21のゲートとキャパシタ2812の一端とに電気的に接続され、抵抗器2811の他端はフィルタ部282の抵抗器2821の一端に電気的に接続されている。また、キャパシタ2812の他端は、グランドに電気的に接続されている。

フィルタ部282は、抵抗器2821とキャパシタ2822とで構成されたローパスフィルタである。抵抗器2821の一端は抵抗器2811の他端とキャパシタ2822の一端とに電気的に接続され、抵抗器2821の他端はマイコン25の出力端子に電気的に接続されている。また、キャパシタ2822の他端は、グランドに電気的に接続されている。

ここに、フィルタ部281,282の時定数は、マイコン25から出力されるPWM信号S3の最小パルス幅と、PWM信号S3の周期とに基づいて設定される。

例えば、PWM信号S3の最小パルス幅が100[μsec]である場合、フィルタ部281,282の時定数は周期より小さい値(例えば50[μsec]以下)に設定される。また、PWM信号S3の周期が5[μsec]である場合、フィルタ部281,282の時定数はPWM信号S3の周期の2倍以上(10[μsec]以上)が望ましい。したがって、この場合には、10[μsec]〜50[μsec]の範囲でフィルタ部281,282の時定数が設定される。

次に、図11のドライブ回路26を用いた調光制御ユニット2の動作について図12を参照しながら具体的に説明する。

時刻t1のときに、マイコン25は、パルス幅が徐々に大きくなるPWM信号S3をドライブ回路26に出力する。ドライブ回路26に入力されたPWM信号S3は、フィルタ部281,282により平滑され、MOSFET21のゲートに印加される。これにより、ゲート電圧V1が上昇する。

時刻t2のときに、マイコン25は、パルス幅がさらに大きいPWM信号S3をドライブ回路26に出力する。ドライブ回路26に入力されたPWM信号S3は、フィルタ部281,282により平滑され、MOSFET21のゲートに印加される。これにより、ゲート電圧V1がさらに上昇し、ゲート電圧V1が第1電圧(閾値電圧)Vth1に達すると、MOSFET21がオンになり、MOSFET21のドレイン−ソース間にドレイン電流I1が流れる。このドレイン電流I1は、ゲート電圧V1の上昇に伴って増加する。

ここで、MOSFET21がオンになり、ドレイン電流I1が光源ユニット3に供給されると、光源ユニット3の入力端間に電気的に接続されたキャパシタ34に突入電流が生じる。これに対して、本実施形態では、フィルタ部281,282によりMOSFET21のゲート電圧V1を緩やかに上昇させており、上記突入電流のピーク値Ip2を制限することができる。

時刻t3のときには、MOSFET21のゲート電圧V1が、MOSFET21のドレイン−ソース間のオン抵抗が十分小さくなる第2電圧Vth2になる。このとき、MOSFET21のドレイン電流I1は、光源ユニット3の定電流回路32によって一定(電流値I11)に制御される。

時刻t4のときに、マイコン25は、振幅がハイレベル(DC5[V])に固定されたPWM信号S3をドライブ回路26に出力し、これによりMOSFET21のゲート電圧V1も一定(電圧値V12)に維持される。

時刻t5のときに、マイコン25は、パルス幅が徐々に小さくなるPWM信号S3をドライブ回路26に出力し、これによりMOSFET21のゲート電圧V1がパルス幅に応じて徐々に低下する。

時刻t6のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第2電圧Vth2を下回ると、ドレイン−ソース間のオン抵抗が大きくなり、ドレイン電流I1も減少する。そして、時刻t7のときに、MOSFET21のゲート電圧V1が第1電圧Vth1を下回ると、MOSFET21がオフになり、ドレイン電流I1もゼロになる。以降、時刻t1〜t7の動作を繰り返し行う。

本実施形態では、マイコン25及びフィルタ部281,282によって、ドレイン電流I1の立ち上がり時間tr(=t3−t2)及び立ち下がり時間tf(=t7−t6)を長くすることで、ドレイン電流I1を緩やかに変化させることができる。その結果、発光ダイオード311〜317から放射される光も緩やかに変化させることができ、発光ダイオード311〜317から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、ドレイン電流I1の立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfを長くすることで、キャパシタ34による突入電流のピーク値Ip2を制限することができ、MOSFET21に加えられるストレスを低減することができる。さらに、マイコン25から出力されるPWM信号S3のパルス幅の制御パターンを変更することで、図7及び図9のドライブ回路26に比べて、ドレイン電流I1の立ち上がり及び立ち下がり精度を向上させることができる。ここに、本実施形態では、マイコン25により信号出力部が構成される。

ところで、図11のドライブ回路26において、図13に示す波形図のように動作させてもよい。以下、具体的に説明する。

マイコン25は、MOSFET21がオンしていない時刻t1〜t2の期間において、遷移時間(t2−t1)が短くなるように、パルス幅の小さいPWM信号S3をドライブ回路26に出力する。これにより、MOSFET21のゲート電圧V1が急峻に立ち上がる。

時刻t2のときに、マイコン25は、パルス幅がさらに大きいPWM信号S3をドライブ回路26に出力しており、その結果、MOSFET21のゲート電圧V1が第1電圧(閾値電圧)Vth1に達すると、MOSFET21がオンになる。MOSFET21がオンになると、ドレイン−ソース間にドレイン電流I1が流れる。このドレイン電流I1は、ゲート電圧V1の上昇に伴って増加する。

ここで、MOSFET21がオンになり、ドレイン電流I1が光源ユニット3に供給されると、光源ユニット3の入力端間に電気的に接続されたキャパシタ34に突入電流が生じる。これに対して、本実施形態では、フィルタ部281,282によりMOSFET21のゲート電圧V1を緩やかに上昇させており、上記突入電流のピーク値Ip2を制限することができる。

時刻t3のときには、MOSFET21のゲート電圧V1が、MOSFET21のドレイン−ソース間のオン抵抗が十分小さくなる第2電圧Vth2になる。このとき、MOSFET21のドレイン電流I1は、光源ユニット3の定電流回路32によって一定(電流値I11)に制御される。

その後、マイコン25は、ゲート電圧V1が電圧V12に達するまでの時刻t3〜t4の期間において、遷移時間(t4−t3)が短くなるように、PWM信号S3のパルス幅を変化させている。

本実施形態では、上述のようにPWM信号S3のパルス幅を変化させることで、ゲート電圧V1が一定値(V12)になるまでの時間を変えることなく、ドレイン電流I1の立ち上がり時間trをさらに長くすることができる。これにより、発光ダイオード311〜317から放射される光の高調波成分をさらに発生しにくくすることができる。

なお、上述の実施形態では、マイコン25からPWM信号S3を出力する場合について説明したが、例えばラダー抵抗回路によるD/A変換を用いたり、ΔΣ変調を用いたりしてもよい。

図14は、本実施形態の照明システム10の別の例を示す回路図である。本実施形態の照明システム10は、直流電源ユニット1と、調光制御ユニット2と、光源ユニット3とを備える。調光制御ユニット2は、MOSFET21と、電源回路23と、マイコン25と、ローパスフィルタ27と、電流検出回路28とを備える。

電源回路23は、直流電源ユニット1の出力からマイコン25の動作電源を生成してマイコン25に供給する。電流検出回路28は、例えばMOSFET21のソースと直流電源ユニット1の負極側の出力端子との間に電気的に接続された抵抗器からなり、MOSFET21のドレイン電流I1を検出し、検出結果をマイコン25に出力する。

マイコン25は、外部から入力される調光信号と、電流検出回路28の検出結果とに基づいてPWM信号S3を生成し、MOSFET21に対して出力する。このとき、PWM信号S3は、ローパスフィルタ27によって平滑され、MOSFET21のゲートに印加される。

次に、図14の照明システム10の動作について図15を参照しながら具体的に説明する。なお、以下では、光源ユニット3の内部で短絡が生じた場合を例に説明する。また、マイコン25を構成する上記ROMには、MOSFET21のドレイン電流I1の上限値Ip3が予め記憶されている。

時刻t1のときに、マイコン25は、パルス幅が徐々に大きくなるPWM信号S3を出力する。このPWM信号S3は、ローパスフィルタ27によって平滑され、MOSFET21のゲートに印加される。これにより、MOSFET21のゲート電圧V1が上昇する。

時刻t2のときに、マイコン25は、パルス幅がさらに大きいPWM信号S3を出力しており、その結果、MOSFET21のゲート電圧V1が第1電圧(閾値電圧)Vth1に達すると、MOSFET21がオンになる。MOSFET21がオンになると、ドレイン−ソース間にドレイン電流I1が流れる。このドレイン電流I1は、ゲート電圧V1の上昇に伴って増加する。

時刻t3のときに、光源ユニット3の内部で短絡が生じ、MOSFET21のドレイン電流I1が上限値Ip3に達すると、マイコン25は、ドレイン電流I1が一定(電流値Ip3)になるように、PWM信号S3のパルス幅を設定する。これにより、MOSFET21のゲート電圧V1の上昇が抑制される。

マイコン25は、電流検出回路28の検出結果に基づいて、ドレイン電流I1=Ip3の状態が一定時間(t4−t3)続いている場合には、PWM信号S3の出力を停止し、MOSFET21のゲート電圧V1をゼロにする。これにより、MOSFET21がオフになり、MOSFET21のドレイン電流I1もゼロになる。

例えば、上述した図4のドライブ回路26のように電流制限部263を設けただけでは、MOSFET21のドレイン電流I1のピーク値を制限することはできるが、MOSFET21の損失が大きい状態が維持されることになる。これに対して、図14の調光制御ユニット2によれば、光源ユニット3の内部で短絡が生じた場合でも、調光制御ユニット2を安全に停止させることができる。

また、電流検出回路28によりドレイン電流I1を検出することによって、MOSFET21がオンになる第1電圧Vth1や、MOSFET21のドレイン−ソース間のオン抵抗が十分小さくなる第2電圧Vth2を検出することもできる。これにより、MOSFET21の個体差による第1電圧Vth1及び第2電圧Vth2のばらつきを補正することができ、ドレイン電流I1の立ち上がり及び立ち下がり精度を向上させることができる。

図16は、本実施形態の照明システム10のさらに別の例を示す回路図である。上述した図14では、光源ユニット3が1つの場合について説明したが、図16に示すように、2つの光源ユニット3A,3Bを制御できるように構成してもよい。

本実施形態の照明システム10は、直流電源ユニット1と、調光制御ユニット2と、2つの光源ユニット3A,3Bと、インターフェース回路5とを備える。インターフェース回路5は、外部に設けられた調光器と調光制御ユニット2のマイコン25との間を中継し、調光器から受け取った調光信号をマイコン25に出力する。

調光制御ユニット2は、2つのMOSFET21A,21Bと、電源回路23と、マイコン25と、2つのローパスフィルタ27A,27Bと、電流検出回路28とを備える。なお、光源ユニット3は2つに限らず、3つ以上であってもよい。この場合、光源ユニット3に合わせてMOSFET21、ローパスフィルタ27も増やす必要がある。

電源回路23は、直流電源ユニット1の出力からマイコン25の動作電源を生成してマイコン25に供給する。

一方のMOSFET21Aは、一方の光源ユニット3Aに電気的に接続され、他方のMOSFET21Bは、他方の光源ユニット3Bに電気的に接続されている。また、一方のMOSFET21Aは、一方のローパスフィルタ27Aを介してマイコン25に電気的に接続され、他方のMOSFET21Bは、他方のローパスフィルタ27Bを介してマイコン25に電気的に接続されている。

電流検出回路28は、例えばMOSFET21Aのソースと直流電源ユニット1の負極側の出力端子との間に電気的に接続された第1抵抗器と、MOSFET21Bのソースと上記出力端子との間に電気的に接続された第2抵抗器とを有する。そして、電流検出回路28は、第1抵抗器によりMOSFET21Aのドレイン電流I1を検出し、かつ第2抵抗器によりMOSFET21Bのドレイン電流I2を検出して、検出結果をマイコン25に出力する。なお、電流検出回路28は、各光源ユニット3に対して各別に設けてもよい。

次に、図16の照明システム10の動作について図17を参照しながら具体的に説明する。

時刻t1のときには、MOSFET21Aのゲート電圧V1が第1電圧(閾値電圧)Vth1に達することでMOSFET21Aがオンになり、ドレイン電流I1が流れる。その後、MOSFET21Aのゲート電圧V1が、ドレイン−ソース間のオン抵抗が十分小さくなる第2電圧に達すると、ドレイン電流I1は、光源ユニット3Aの定電流回路32によって一定(電流値I11)に制御される。このとき、MOSFET21Bのゲート電圧V2は0[V]であり、MOSFET21Bはオフである。

時刻t2のときには、MOSFET21Aのゲート電圧V1が第1電圧Vth1を下回ることで、MOSFET21Aがオフになり、ドレイン電流I1がゼロになる。このとき、MOSFET21Bのゲート電圧V2は0[V]であり、MOSFET21Bはオフのままである。

時刻t3のときには、MOSFET21Bのゲート電圧V2が第1電圧Vth1に達することでMOSFET21Bがオンになり、ドレイン電流I2が流れる。その後、MOSFET21Bのゲート電圧V2が、ドレイン−ソース間のオン抵抗が十分小さくなる第2電圧に達すると、ドレイン電流I2は、光源ユニット2Bの定電流回路32によって一定(電流値I11)に制御される。このとき、MOSFET21Aのゲート電圧V1は0[V]であり、MOSFET21Aはオフである。

時刻t4のときには、MOSFET21Bのゲート電圧V2が第1電圧Vth1を下回ることで、MOSFET21Bがオフになり、ドレイン電流I2がゼロになる。このとき、MOSFET21Aのゲート電圧V1は0[V]であり、MOSFET21Aはオフのままである。以降、時刻t1〜t4の動作を繰り返し行う。

ここで、光源ユニット3Aと光源ユニット3Bとで光色が異なる場合、光源ユニット3Aの点灯期間(t2−t1)と、光源ユニット3Bの点灯期間(t4−t3)との比率を変えることで、光源ユニット3A,3Bによる混色光の色温度を変更することができる。

ところで、本実施形態では、光源ユニット3A,3Bが交互に点灯するように制御したが、光源ユニット3A,3Bが同時に点灯するように制御してもよい。ただし、この場合には、光源ユニット3Aの点灯時に流れるドレイン電流I1と、光源ユニット3Bの点灯時に流れるドレイン電流I2の和が、直流電源ユニット1の許容範囲内であることが必要である。

なお、ドレイン電流I1,I2の和が直流電源ユニット1の許容範囲内であるか否かを判別する方法として、直流電源ユニット1の出力電圧値をマイコン25に入力し、直流電源ユニット1の電圧降下を検出できるように構成するのが好ましい。

ここに、本実施形態では、ドレイン電流I1の立ち上がり及び立ち下がりが直線的である場合を例に説明したが、ドレイン電流I1の立ち上がり及び立ち下がりは必ずしも直線的でなくてもよい。この場合も、ドレイン電流I1の立ち上がり及び立ち下がりを緩やかにすることで、発光ダイオード311〜317から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態では、ドレイン電流I1の立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfの両方を長くしたが、立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfのうち少なくとも一方が長くなっていればよい。好ましくは、立ち上がり時間trが長くなっているのがよい。

以上説明したように、本実施形態の調光制御ユニット2は、スイッチング素子(MOSFET21)と、制御回路22とを備える。スイッチング素子は、半導体発光素子(発光ダイオード311〜317)を有する光源ユニット3に直接印加して半導体発光素子を点灯可能な電圧値の直流電圧を出力する直流電源(直流電源ユニット1)と光源ユニット3との間に電気的に接続される。制御回路22は、スイッチング素子のスイッチング動作を制御する。制御回路22は、設定された調光レベルに応じたデューティ比のPWM信号S3によりスイッチング素子をスイッチングすることによって、直流電源から入力される直流電圧を矩形波電圧に変換して光源ユニット3に出力させるように構成されている。制御回路22は、電圧制御部(例えば定電流回路261)を有している。電圧制御部は、スイッチング素子に流れる電流(ドレイン電流I1)の立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfのうち少なくとも一方が1マイクロ秒以上になるようにスイッチング素子への印加電圧(ゲート電圧V1)を制御する。

上記構成によれば、スイッチング素子に流れる電流I1の立ち上がり及び立ち下がりの少なくとも一方において電流変化が緩やかになり、これにより半導体発光素子から放射される光の変化も緩やかになる。その結果、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態の調光制御ユニット2のように、電圧制御部は、立ち上がり時間trが1マイクロ秒以上になるように印加電圧を制御するのが好ましい。

上記構成によれば、スイッチング素子に流れる電流の立ち上がりにおいて電流変化が緩やかになり、これにより半導体発光素子から放射される光の変化も緩やかになる。その結果、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態の調光制御ユニット2のように、電圧制御部は、立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfのうち少なくとも一方がT1×Dm以下になるように印加電圧を制御するのが好ましい。なお、T1はPWM信号S3の周期であり、Dmは調光下限におけるデューティ比である。

上記構成によれば、スイッチング素子に流れる電流I1の立ち上がり及び立ち下がりの少なくとも一方において電流変化が緩やかになり、これにより半導体発光素子から放射される光の変化も緩やかになる。その結果、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態の調光制御ユニット2のように、スイッチング素子はトランジスタ(MOSFET21)からなるのが好ましい。この場合、電圧制御部は、立ち上がり時間tr及び立ち下がり時間tfのうち少なくとも一方において、トランジスタが能動領域で動作するように印加電圧を制御してトランジスタに流れる電流を連続的に変化させるのが好ましい。

上記構成によれば、スイッチング素子に流れる電流の立ち上がり及び立ち下がりのうち少なくとも一方において電流変化が緩やかになり、これにより半導体発光素子から放射される光の変化も緩やかになる。その結果、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態の調光制御ユニット2のように、印加電圧を供給する電源回路23をさらに備えているのが好ましい。この場合、電圧制御部は、電源回路23の出力端子とスイッチング素子の制御端子(ゲート)との間に電気的に接続された1キロオーム以上の抵抗器274,27からなるのが好ましい。

上記構成によれば、抵抗器274,275により設定される時定数を大きくすることによってスイッチング素子の制御端子への印加電圧が緩やかに上昇することになり、これによりスイッチング素子に流れる電流も緩やかに上昇することになる。その結果、半導体発光素子から放射される光も緩やかに変化することになり、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態の調光制御ユニット2のように、印加電圧を供給する電源回路23をさらに備えているのが好ましい。この場合、電圧制御部は、電源回路23の出力端子とスイッチング素子の制御端子(ゲート)との間に電気的に接続された定電流回路261からなるのが好ましい。

上記構成によれば、定電流回路261によってスイッチング素子の制御端子への印加電圧が緩やかに上昇することになり、これによりスイッチング素子に流れる電流も緩やかに上昇することになる。その結果、半導体発光素子から放射される光も緩やかに変化することになり、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態の調光制御ユニット2のように、電圧制御部は、信号出力部(マイコン25)と、フィルタ部281,282とを有しているのが好ましい。信号出力部は、印加電圧の大きさに応じたパルス幅のPWM信号を出力し、フィルタ部281,282は、上記PWM信号を平滑化してスイッチング素子の制御端子(ゲート)に出力する。

上記構成によれば、信号出力部から出力されるPWM信号のパルス幅を調整することによってスイッチング素子の制御端子への印加電圧を緩やかに上昇させることができ、これによりスイッチング素子に流れる電流も緩やかに上昇させることができる。その結果、半導体発光素子から放射される光も緩やかに変化することになり、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態の調光制御ユニット2のように、制御回路22は、スイッチング素子のスイッチング周波数を10キロヘルツ以下に制限するのが好ましい。

上記構成によれば、スイッチング素子のスイッチング周波数を10キロヘルツ以下に制限することによって、スイッチング素子に流れる電流の立ち上がり及び立ち下がりが緩やかになる。その結果、半導体発光素子から放射される光も緩やかに変化することになり、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光素子から放射される光の高調波成分を発生しにくくすることができる。

また、本実施形態の調光制御ユニット2のように、電流検出部262と、電流制限部263とをさらに備えるのが好ましい。電流検出部262は、スイッチング素子に流れる電流を検出する。電流制限部263は、電流検出部262の検出結果に基づいてスイッチング素子に流れる電流のピーク値を制限する。

上記構成によれば、スイッチング素子に流れる電流のピーク値を電流制限部263が制限することによって、過大な電流がスイッチング素子に流れるのを抑えることができ、その結果、電流容量の小さいスイッチング素子を使用することができる。

本実施形態の照明システム10は、光源ユニット3と、調光制御ユニット2とを備える。光源ユニット3は、半導体発光光源(ダイオード311〜317)を有する。調光制御ユニット2は、光源ユニット3を調光制御する。

上記構成によれば、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光光源から放射される光の高調波成分を発生しにくくした照明システム10を実現することができる。

ところで、上述の実施形態で説明した照明システム10は空間照明用の照明器具だけでなく、照明用の光源ユニットを備えた設備機器にも適用が可能である。このような設備機器としては、商品を照明するための光源ユニットを備えた冷蔵ショーケースや、商品又は商品見本を照明するための光源ユニットを備えた自動販売機などがある。

図18は、本実施形態の設備機器としての冷蔵ショーケース6の外観斜視図である。冷蔵ショーケース6は、例えばコンビニエンスストアのような小売店舗に設置され、商品を冷却又は加熱しながら陳列販売するために用いられる。冷蔵ショーケース6の本体60(設備機器本体)は、前面が開口した陳列室61を備えている。陳列室61には、商品を陳列するための陳列棚62が複数段(本実施形態では3段)設けられている。

本体60には、陳列室61の天井部分に光源ユニット3が設置されており、本体60には直流電源ユニット1と調光制御ユニット2とが取り付けられている。光源ユニット3は、調光制御ユニット2により調光制御され、光源ユニット3の発光により陳列棚62に陳列させた商品を照明する。

図19は、本実施形態の設備機器としての自動販売機7の外観斜視図である。自動販売機7の本体70(設備機器本体)の内部には、商品見本72を展示するための展示室71が設けられ、本体70の前面に設けられた透明な窓部73を通して展示室71の内部を視認できるようになっている。

本体70の内部には、例えば展示室71の上側に光源ユニット3が配置されている。また、本体70の内部には、直流電源ユニット1と調光制御ユニット2とが配置されている。光源ユニット3は、調光制御ユニット2により調光制御され、光源ユニット3の発光により展示室71に配置された商品見本72を照明する。

近年の省エネ意識の高まりにより、夏期及び冬期のような電力需要が増加する季節や、昼間など自然光が存在する時間帯において、設備機器の消費電力を抑制するために、光源ユニット3の消費電力を抑制したいという要望がある。本実施形態の設備機器は調光制御ユニット2を備えており、調光制御ユニット2が光源ユニット3を調光点灯することで、商品又は商品見本などの対象物を照明しながら光源ユニット3の消費電力を抑制することができる。

上述のように、本実施形態の設備機器(冷蔵ショーケース6、自動販売機7)は、光源ユニット3と、調光制御ユニット2と、設備機器本体(本体60,70)とを備える。光源ユニット3は、半導体発光光源(ダイオード311〜317)を有する。調光制御ユニット2は、光源ユニット3を調光制御する。設備機器本体は、光源ユニット3及び調光制御ユニット2を保持する。

上述の構成によれば、スイッチング素子のスイッチング動作に応じて半導体発光光源から放射される光の高調波成分を発生しにくくした設備機器を実現することができる。

1 直流電源ユニット(直流電源)
2 調光制御ユニット
3 光源ユニット
6 冷蔵ショーケース(設備機器)
7 自動販売機(設備機器)
10 照明システム
21 MOSFET(スイッチング素子)
23 電源回路
22 制御回路
25 マイコン(信号出力部)
60,70 本体(設備機器本体)
261 定電流回路(電圧制御部)
262 電流検出部
263 電流制限部
274,275 抵抗器(電圧制御部)
281,282 フィルタ部
311〜317 発光ダイオード(半導体発光素子、半導体発光光源)
Dm 調光下限におけるデューティ比
I1 ドレイン電流(電流)
S3 PWM信号
T1 周期
V1 ゲート電圧(印加電圧)
tr 立ち上がり時間
tf 立ち下がり時間

Claims (11)

  1. 半導体発光素子を有する光源ユニットに直接印加して前記半導体発光素子を点灯可能な電圧値の直流電圧を出力する直流電源と前記光源ユニットとの間に電気的に接続されたスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御回路とを備え、
    前記制御回路は、設定された調光レベルに応じたデューティ比のPWM信号により前記スイッチング素子をスイッチングすることによって、前記直流電源から入力される直流電圧を矩形波電圧に変換して前記光源ユニットに出力させるように構成されており、
    前記制御回路は、前記スイッチング素子に流れる電流の立ち上がり時間及び立ち下がり時間のうち少なくとも一方が1マイクロ秒以上になるように前記スイッチング素子への印加電圧を制御する電圧制御部を有していることを特徴とする調光制御ユニット。
  2. 前記電圧制御部は、前記立ち上がり時間が1マイクロ秒以上になるように前記印加電圧を制御することを特徴とする請求項1記載の調光制御ユニット。
  3. 前記電圧制御部は、前記PWM信号の周期をT1、調光下限におけるデューティ比をDmとした場合、前記立ち上がり時間及び前記立ち下がり時間のうち少なくとも一方がT1×Dm以下になるように前記印加電圧を制御することを特徴とする請求項1又は2記載の調光制御ユニット。
  4. 前記スイッチング素子はトランジスタからなり、
    前記電圧制御部は、前記立ち上がり時間及び前記立ち下がり時間のうち少なくとも一方において、前記トランジスタが能動領域で動作するように前記印加電圧を制御して前記トランジスタに流れる電流を連続的に変化させることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の調光制御ユニット。
  5. 前記印加電圧を供給する電源回路をさらに備え、
    前記電圧制御部は、前記電源回路の出力端子と前記スイッチング素子の制御端子との間に電気的に接続された1キロオーム以上の抵抗器からなることを特徴とする請求項4記載の調光制御ユニット。
  6. 前記印加電圧を供給する電源回路をさらに備え、
    前記電圧制御部は、前記電源回路の出力端子と前記スイッチング素子の制御端子との間に電気的に接続された定電流回路からなることを特徴とする請求項4記載の調光制御ユニット。
  7. 前記電圧制御部は、前記印加電圧の大きさに応じたパルス幅のPWM信号を出力する信号出力部と、前記PWM信号を平滑化して前記スイッチング素子の制御端子に出力するフィルタ部とを有していることを特徴とする請求項4記載の調光制御ユニット。
  8. 前記制御回路は、前記スイッチング素子のスイッチング周波数を10キロヘルツ以下に制限することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の調光制御ユニット。
  9. 前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部と、
    前記電流検出部の検出結果に基づいて前記スイッチング素子に流れる電流のピーク値を制限する電流制限部とをさらに備えていることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の調光制御ユニット。
  10. 半導体発光光源を有する光源ユニットと、
    前記光源ユニットを調光制御する請求項1〜9の何れか1項に記載の調光制御ユニットと、を備えたことを特徴とする照明システム。
  11. 半導体発光光源を有する光源ユニットと、
    前記光源ユニットを調光制御する請求項1〜9の何れか1項に記載の調光制御ユニットと、
    前記光源ユニット及び前記調光制御ユニットを保持する設備機器本体と、を備えたことを特徴とする設備機器。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10342081B2 (en) * 2017-01-17 2019-07-02 Astronics Dme Llc LED driver for providing power to parallel LEDs
JP2018200762A (ja) * 2017-05-25 2018-12-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 点灯装置、照明器具、及び、看板

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3503098B2 (ja) * 1996-01-24 2004-03-02 アンデン株式会社 負荷駆動回路
JP3793880B2 (ja) * 2003-02-06 2006-07-05 松永 浩 点灯装置
TW200737066A (en) * 2006-03-22 2007-10-01 Beyond Innovation Tech Co Ltd Driving circuit with protection module for back light module
JP4325683B2 (ja) * 2007-02-14 2009-09-02 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置、及び画像表示装置の制御方法
US7965048B2 (en) * 2008-10-16 2011-06-21 Capella Microsystems, Corp. Switching converter for lighting with light intensity as feedback and light emitting apparatus using the same
US8084962B2 (en) * 2009-03-13 2011-12-27 Lite-On It Corporation Driving circuit for LED
JP2012009772A (ja) * 2010-06-28 2012-01-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 電源装置および照明器具
JP2012160287A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Sharp Corp 発光ダイオード点灯回路
JP5891454B2 (ja) 2011-04-18 2016-03-23 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体発光素子の点灯装置およびそれを用いた照明器具
JP5812292B2 (ja) * 2012-03-29 2015-11-11 東芝ライテック株式会社 標識灯および標識灯システム
CN102958255B (zh) * 2012-10-31 2016-03-30 施耐德电气东南亚(总部)有限公司 一种调光系统的供电方法和调光系统
KR20160017841A (ko) * 2014-08-06 2016-02-17 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
JP6399444B2 (ja) * 2014-09-01 2018-10-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 電源装置及び照明装置
US9432116B2 (en) * 2014-10-07 2016-08-30 Abl Ip Holding Llc Use of very high frequency switching power converters for also modulating light output from solid state emitter to communicate data

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