JP2017017143A - 基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
処理液を吐出する吐出口と、基板の表面に形成された液膜中の処理液を吸引する吸引口とを備えたノズル部を、前記基板に対して相対的に移動させながら、前記吐出口から基板の表面に第2処理液を吐出すると共に、前記吸引口から基板の表面の液膜中の処理液を吸引して、前記液膜内の処理液を第1処理液から第2処理液に置換することにより、第2処理液の液膜を形成する第2液膜形成工程と、
前記第2液膜形成工程の期間中、前記吸引口から吸引された液体を回収する回収工程と、を含むことを特徴とする。
(a)前記第2液膜形成工程では、前記吐出口から吐出される第2処理液の流量が、前記吸引口より吸引される処理液の流量よりも大きいこと。
(b)前記第1処理液は、アルコールであり、前記第2処理液は、前記アルコールと混合可能なフッ素含有有機溶剤であること。または、前記第1処理液は、アルコールとさらに置換された第1フッ素含有有機溶剤であり、前記第2処理液は、第1フッ素含有有機溶剤よりも揮発性が低い第2フッ素含有有機溶剤であること。
(c)前記第2液膜形成工程の後、前記基板に対して前記ノズル部を相対的に移動させながら、前記吐出口から基板の表面に第3処理液を吐出すると共に、前記吸引口から基板の表面の液膜中の処理液を吸引して、前記液膜内の処理液を第2処理液から第3処理液に置換することにより、第3処理液の液膜を形成する第3液膜形成工程を含み、前記回収工程は、前記第3液膜形成工程の期間中も実施されること。このとき、前記第3液膜形成工程では、前記吐出口から吐出される第3処理液の流量が、前記吸引口より吸引される処理液の流量よりも大きいこと。さらに、前記第1処理液は、アルコールであり、前記第2処理液は、前記アルコールと混合可能な第1フッ素含有有機溶剤であり、前記第3処理液は、第1フッ素含有有機溶剤よりも揮発性が低い第2フッ素含有有機溶剤であること。
(d)前記基板の表面に最後に形成される液膜は、超臨界流体または亜臨界流体である高圧流体により、基板の表面に付着した液体を除去する処理が行われる処理容器まで基板を搬送する際に、基板の乾燥を防止するためのものであること。
まず本発明によるノズルを備えた液処理装置が組込まれた基板処理装置について説明する。基板処理装置の一例として、基板であるウエハWに各種処理液を供給して液処理を行う液処理ユニット2(液処理装置)と、液処理後のウエハWに付着している乾燥防止用の液体を超臨界流体(超臨界状態または亜臨界状態の高圧流体)と接触させて除去する超臨界処理ユニット3(高圧流体処理ユニット)とを備えたウエハ処理装置1について説明する。
また吐出、吸引ノズル6には、第2フッ素含有有機溶剤と同様に乾燥防止用の液体である第1フッ素含有有機溶剤(例えばHFE(HydroFluoro Ether))の供給を行う第1フッ素含有有機溶剤供給部203aを構成する処理液供給部71、及び吐出、吸引ノズル6を介して処理液の吸引を行う処理液吸引部72が接続されている。
図3(a)は吐出、吸引ノズル6の縦断側面図、図3(b)は、図3(a)中のA−A’位置を下面側から見た横断平面図、図3(c)は吐出、吸引ノズル6を下面側から見た平面図である。
シート固定部材63の前記開口を介してウエハWに対向する透過シート62の下面は、吐出、吸引ノズル6の対向面に相当する。この対向面の周縁部を覆うシート固定部材63の下面は、前記対向面よりもウエハW側へ突出した突出面630に相当する。
図4に示すように、処理液供給ライン702の上流側には、開閉バルブ715を介して供給タンク714が設けられている。処理液供給ライン702の上流側の端部は、この供給タンク714内に貯留された第1フッ素含有有機溶剤の液溜まり中に挿入されている。
この気体供給ライン705からアスピレータ724に気体を供給すると、アスピレータ724内の気体の流れに真空排気ライン704側の気体が引き込まれ、回収タンク725内が真空状態(減圧雰囲気)となる。アスピレータ724を通過した気体は、排気ライン706へと排出される。吸引口614からの処理液の吸引量を調節するという観点において、前記気体供給ライン705に設けられたレギュレータ722は、処理液の吸引量調節機構に相当する。また、吐出、吸引ノズル6、処理液供給部71、及び処理液吸引部72は、本実施の形態の処理液供給装置を構成している。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
図7を参照しながらウエハ処理装置1にて実施されるウエハWの処理の流れについて説明しておくと、初めに液処理ユニット2にて酸性やアルカリ性の薬液によるウエハWの処理が行われる(P1)。薬液による処理が終わったら、リンス洗浄水によるリンス洗浄(P2)が行われ、次いでウエハWの表面に残存するリンス洗浄水をIPAに置換する(P3)。さらに、ウエハW上のIPAを第1フッ素含有有機溶剤であるHFEと置換した後(P4)、当該HFEを第2フッ素含有有機溶剤であるPFCと置換(P5)する。そして、ウエハWの表面が乾燥防止用の処理液であるPFCで覆われた状態で、ウエハWを液処理ユニット2から超臨界処理ユニット3へ搬送し、超臨界処理を行ってウエハWに付着している液体を除去する。
以下、図5を参照しながら液処理ユニット2の作用について説明する。
詳細には、図8(c)、図9に示すように、吐出、吸引ノズル6をウエハWの上方位置に移動させ、透過シート62の下面(対向面)が、ウエハWとの間に0.3〜5mmの範囲の1mmの隙間を介して対向する高さ位置に配置する。このとき透過シート62の下面、及び透過シート62の突出面630は、ウエハWの表面に形成されたIPAの液膜LMに接触した状態となっている。
上記置換工程において、IPAは第1処理液、HFEは第2処理液に相当する。
超臨界処理ユニット3へ搬送されたウエハWには、超臨界処理用のフッ素含有有機溶剤の超臨界流体が供給され、ウエハWを覆う液体(第2フッ素含有有機溶剤)を除去する超臨界処理が行われる。
なお、図10〜図12の各図において、図1〜図7を用いて説明した実施の形態と共通の構成要素には、これらの図で用いたものと共通の符号を付してある。
吐出、吸引ノズル6を用いることにより、第2フッ素含有有機溶剤の使用量を低減できる。
以上に述べた各液膜形成工程においても、吐出口613から吐出される処理液(第2処理液、または第3処理液)の流量が、吸引口614より吸引される処理液の流量よりも大きくなるように設定することにより、ウエハWの表面に吐出口613から吐出される処理液の液膜を形成することができる。
W ウエハ
1 液処理装置
2 液処理ユニット
3 超臨界処理ユニット
3A 処理容器
4A 超臨界流体供給部
5 制御部
6 吐出、吸引ノズル
613 吐出口
614 吸引口
615 流路空間
62 透過シート
630 突出面
71 処理液供給部
72 処理液吸引部
724 アスピレータ
Claims (11)
- 基板の表面に第1処理液を供給し、前記第1処理液の液膜を形成する第1液膜形成工程と、
処理液を吐出する吐出口と、基板の表面に形成された液膜中の処理液を吸引する吸引口とを備えたノズル部を、前記基板に対して相対的に移動させながら、前記吐出口から基板の表面に第2処理液を吐出すると共に、前記吸引口から基板の表面の液膜中の処理液を吸引して、前記液膜内の処理液を第1処理液から第2処理液に置換することにより、第2処理液の液膜を形成する第2液膜形成工程と、
前記第2液膜形成工程の期間中、前記吸引口から吸引された液体を回収する回収工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記第2液膜形成工程では、前記吐出口から吐出される第2処理液の流量が、前記吸引口より吸引される処理液の流量よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記第1処理液は、アルコールであり、前記第2処理液は、前記アルコールと混合可能なフッ素含有有機溶剤であることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法
- 前記第1処理液は、アルコールとさらに置換された第1フッ素含有有機溶剤であり、前記第2処理液は、第1フッ素含有有機溶剤よりも揮発性が低い第2フッ素含有有機溶剤であることを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記第2液膜形成工程の後、前記基板に対して前記ノズル部を相対的に移動させながら、前記吐出口から基板の表面に第3処理液を吐出すると共に、前記吸引口から基板の表面の液膜中の処理液を吸引して、前記液膜内の処理液を第2処理液から第3処理液に置換することにより、第3処理液の液膜を形成する第3液膜形成工程を含み、
前記回収工程は、前記第3液膜形成工程の期間中も実施されることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 前記第3液膜形成工程では、前記吐出口から吐出される第3処理液の流量が、前記吸引口より吸引される処理液の流量よりも大きいことを特徴とする請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記第1処理液は、アルコールであり、前記第2処理液は、前記アルコールと混合可能な第1フッ素含有有機溶剤であり、前記第3処理液は、第1フッ素含有有機溶剤よりも揮発性が低い第2フッ素含有有機溶剤であることを特徴とする請求項5または6に記載の基板処理方法。
- 前記基板の表面に最後に形成される液膜は、超臨界流体または亜臨界流体である高圧流体により、基板の表面に付着した液体を除去する処理が行われる処理容器まで基板を搬送する際に、基板の乾燥を防止するためのものであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記アルコールは、イソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項3、4または7のいずれか一つに記載の基板処理方法。
- 前記フッ素含有有機溶剤はハイドロフルオロエーテルであることを特徴とする請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記第1フッ素含有有機溶剤はハイドロフルオロエーテルであり、第2フッ素含有有機溶剤はパー不ルオロカーボンであることを特徴とする請求項4または7に記載の基板処理方法。
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JPH0845832A (ja) * | 1994-08-03 | 1996-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JP2004221244A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2007196094A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給ユニットおよびそれを備えた基板処理装置 |
JP2014022566A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP5607269B1 (ja) * | 2014-01-17 | 2014-10-15 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0845832A (ja) * | 1994-08-03 | 1996-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
JP2004221244A (ja) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
JP2007196094A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給ユニットおよびそれを備えた基板処理装置 |
JP2014022566A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP5607269B1 (ja) * | 2014-01-17 | 2014-10-15 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び装置 |
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