JP2017014098A - 不均一系水素触媒反応器 - Google Patents
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Abstract
【課題】ハイドリノを形成するための原子状水素の触媒反応のための反応セルと、原子状水素の源と、固体、液体、又は、不均−触媒反応混合物からなる水素触媒の源と、からなるパワー源が提供される。【解決手段】触媒作用反応は、１つ以上の化学的な他の反応によって活性化若しくは開始され、そして、伝播された。電気的に伝導的な支持体の上に維持されるこれらの反応は、幾つかのクラスからなることができる。例えば、（ｉ）ハイドリノ触媒作用反応のための活性化エネルギーを提供する発熱反応、（ｉｉ）ハイドリノ触媒作用反応を支持するために触媒若しくは原子状水素の源の少なくとも１つのために供給する結合された反応、（ｉｉｉ）ハイドリノ触媒作用反応の間に触媒からの電子の受容体として機能するフリーラジカル反応、（ｉｉｉ）ハイドリノ触媒作用反応の間に触媒からの電子の受容体として機能するフリーラジカル反応、等である。【選択図】図１
Description
（関連特許の相互参照）
本出願は、２００８年７月３０日に出願の米国仮出願番号第６１／０８４９２３号、２００８年８月５日に出願の米国仮出願番号第６１／０８６，３１６号、２００８年８月１３日に出願の米国仮出願番号第６１／０８８，４９２号、２００８年９月５日に出願の米国仮出願番号第６１／０９４，５１３号、２００８年９月１９日に出願の米国仮出願番号第６１／０９８，５１４号、２００８年１０月３日に出願の米国仮出願番号第６１／１０２，４６５号、２００８年１０月１０日に出願の米国仮出願番号第６１／１０４，５３４号、２００８年１０月１５日に出願の米国仮出願番号第６１／１０５，６６０号、２００８年１０月２０日に出願の米国仮出願番号第６１／１０６，９３２号、２００８年１０月２８日に出願の米国仮出願番号第６１／１０９，０８８号、２００８年１０月３１日に出願の米国仮出願番号第６１／１１０，２５３号、２００８年１１月７日に出願の米国仮出願番号第６１／１１２，４９１号、２００８年１１月１４日に出願の米国仮出願番号第６１／１１４，７３５号、２００８年１１月２１日に出願の米国仮出願番号第６１／１１６，９６６号、２００８年１２月５日に出願の米国仮出願番号第６１／１９３，５４３号、２００８年１２月１９日に出願の米国仮出願番号第６１／１３９，２９３号、２００９年１月１５日に出願の米国仮出願番号第６１／１４５，０２２号、２００９年１月２３日に出願の米国仮出願番号第６１／１４６，９６２号、２００９年２月６日に出願の米国仮出願番号第６１／１５０，５７１号、２００９年２月１３日に出願の米国仮出願番号第６１／１５２，５００号、２００９年２月２７日に出願の米国仮出願番号第６１／１５６，３２８号、２００９年３月６日に出願の米国仮出願番号第６１／１５８，２５２号、２００９年３月１３日に出願の米国仮出願番号第６１／１６０，１４５号、２００９年３月２７日に出願の米国仮出願番号第６１／１６４，１５１号、２００９年４月３日に出願の米国仮出願番号第６１／１６６，４９５号、２００９年４月１７日に出願の米国仮出願番号第６１／１７０，４１８号、２００９年４月３０日に出願の米国仮出願番号第６１／１７４，３４６号、２００９年５月８日に出願の米国仮出願番号第６１／１７６，６７５号、２００９年５月１５日に出願の米国仮出願番号第６１／１７８，７９６号、２００９年５月２２日に出願の米国仮出願番号第６１／１８０，４５６号、２００９年５月２９日に出願の米国仮出願番号第６１／１８２，４６８号、２００９年６月１２日に出願の米国仮出願番号第６１／１８６，６６０号、２００９年６月１９日に出願の米国仮出願番号第６１／２１８，７７１号、２００９年６月２６日に出願の米国仮出願番号第６１／２２０，９１１号、２００９年７月２日に出願の米国仮出願番号第６１／２２２，７２１号、そして、２００９年７月１７日に出願の米国仮出願番号第６１／２２６，５４１号の利益を主張し、参照することによりこれらすべての全内容が本明細書に組み込まれる。
本出願は、２００８年７月３０日に出願の米国仮出願番号第６１／０８４９２３号、２００８年８月５日に出願の米国仮出願番号第６１／０８６，３１６号、２００８年８月１３日に出願の米国仮出願番号第６１／０８８，４９２号、２００８年９月５日に出願の米国仮出願番号第６１／０９４，５１３号、２００８年９月１９日に出願の米国仮出願番号第６１／０９８，５１４号、２００８年１０月３日に出願の米国仮出願番号第６１／１０２，４６５号、２００８年１０月１０日に出願の米国仮出願番号第６１／１０４，５３４号、２００８年１０月１５日に出願の米国仮出願番号第６１／１０５，６６０号、２００８年１０月２０日に出願の米国仮出願番号第６１／１０６，９３２号、２００８年１０月２８日に出願の米国仮出願番号第６１／１０９，０８８号、２００８年１０月３１日に出願の米国仮出願番号第６１／１１０，２５３号、２００８年１１月７日に出願の米国仮出願番号第６１／１１２，４９１号、２００８年１１月１４日に出願の米国仮出願番号第６１／１１４，７３５号、２００８年１１月２１日に出願の米国仮出願番号第６１／１１６，９６６号、２００８年１２月５日に出願の米国仮出願番号第６１／１９３，５４３号、２００８年１２月１９日に出願の米国仮出願番号第６１／１３９，２９３号、２００９年１月１５日に出願の米国仮出願番号第６１／１４５，０２２号、２００９年１月２３日に出願の米国仮出願番号第６１／１４６，９６２号、２００９年２月６日に出願の米国仮出願番号第６１／１５０，５７１号、２００９年２月１３日に出願の米国仮出願番号第６１／１５２，５００号、２００９年２月２７日に出願の米国仮出願番号第６１／１５６，３２８号、２００９年３月６日に出願の米国仮出願番号第６１／１５８，２５２号、２００９年３月１３日に出願の米国仮出願番号第６１／１６０，１４５号、２００９年３月２７日に出願の米国仮出願番号第６１／１６４，１５１号、２００９年４月３日に出願の米国仮出願番号第６１／１６６，４９５号、２００９年４月１７日に出願の米国仮出願番号第６１／１７０，４１８号、２００９年４月３０日に出願の米国仮出願番号第６１／１７４，３４６号、２００９年５月８日に出願の米国仮出願番号第６１／１７６，６７５号、２００９年５月１５日に出願の米国仮出願番号第６１／１７８，７９６号、２００９年５月２２日に出願の米国仮出願番号第６１／１８０，４５６号、２００９年５月２９日に出願の米国仮出願番号第６１／１８２，４６８号、２００９年６月１２日に出願の米国仮出願番号第６１／１８６，６６０号、２００９年６月１９日に出願の米国仮出願番号第６１／２１８，７７１号、２００９年６月２６日に出願の米国仮出願番号第６１／２２０，９１１号、２００９年７月２日に出願の米国仮出願番号第６１／２２２，７２１号、そして、２００９年７月１７日に出願の米国仮出願番号第６１／２２６，５４１号の利益を主張し、参照することによりこれらすべての全内容が本明細書に組み込まれる。
（開示された実施例の要約）
本開示はｎ＝１の状態の原子Ｈに低エネルギー状態の原子水素源を形成させることが可能な水素触媒、及びその反応を開始・伝播して低エネルギー水素を形成することが可能な他の種、から成る触媒系を目的とする。ある実施態様では、本開示は、水素の触媒作用をサポートしてハイドリノを形成するため、原子水素の少なくとも１つの源物質及び触媒または触媒源から成る反応混合物を目的とする。固体及び液体燃料について本明細書で開示された反応物及び反応も、相の混合物を含む不均一系燃料の反応物及び反応である。反応混合物は水素触媒または水素触媒源及び原子水素源から選択された少なくとも２種の成分から成り、原子水素及び水素触媒の少なくとも１つは反応混合物の反応により形成されてもよい。他の実施態様では、反応混合物はさらに、特定の実施態様で導電性である支持体、溶融塩を含む有機溶媒または無機溶媒などの溶媒、ゲッター（残量ガス吸着物質）、及び反応を起こすその効力により触媒作用を活性化させる少なくとも１つの反応物を含む。
本開示はｎ＝１の状態の原子Ｈに低エネルギー状態の原子水素源を形成させることが可能な水素触媒、及びその反応を開始・伝播して低エネルギー水素を形成することが可能な他の種、から成る触媒系を目的とする。ある実施態様では、本開示は、水素の触媒作用をサポートしてハイドリノを形成するため、原子水素の少なくとも１つの源物質及び触媒または触媒源から成る反応混合物を目的とする。固体及び液体燃料について本明細書で開示された反応物及び反応も、相の混合物を含む不均一系燃料の反応物及び反応である。反応混合物は水素触媒または水素触媒源及び原子水素源から選択された少なくとも２種の成分から成り、原子水素及び水素触媒の少なくとも１つは反応混合物の反応により形成されてもよい。他の実施態様では、反応混合物はさらに、特定の実施態様で導電性である支持体、溶融塩を含む有機溶媒または無機溶媒などの溶媒、ゲッター（残量ガス吸着物質）、及び反応を起こすその効力により触媒作用を活性化させる少なくとも１つの反応物を含む。
ハイドリノを形成する反応は１つ以上の化学反応により活性化し、開始され、伝播される。これらの反応は、（ｉ）ハイドリノ反応に活性化エネルギーを提供する発熱反応、（ｉｉ）ハイドリノ反応をサポートするための少なくとも１種の触媒源または原子水素を提供する共役反応、（ｉｉｉ）特定の実施態様でハイドリノ反応中、触媒からの電子受容体として作用するフリーラジカル反応、（ｉｖ）特定の実施態様においてハイドリノ反応中、触媒からの電子受容体として作用する酸化還元反応、（ｖ）ある実施態様で、触媒が原子水素からエネルギーを受け取り、ハイドリノを形成するとき、イオン化するため触媒の作用を促進する、ハロゲン化物、硫化物、水素化物、ヒ化物、酸化物、リン化物及び窒素化物交換を含む陰イオン交換などの交換反応、ならびに（ｖｉ）ハイドリノ反応のために少なくとも１つの化学環境を提供し、Ｈ触媒機能を促進するため電子を移動させるように作用し、可逆的相もしくは他の物理的変化または電子状態変化を起こし、ハイドリノ反応の程度または率のうち少なくとも１つを増加させるために低エネルギー水素生成物に結合する、ゲッター、支持体またはマトリックス支援ハイドリノ反応、から選択することが可能である。特定の実施態様では、導電性支持体は活性化反応を可能にする。
他の実施態様では、本開示は、触媒源または触媒；原子水素源または原子水素；触媒源または触媒及び原子水素源または原子水素を形成する反応物；原子水素の触媒作用を開始する１種以上の反応物；ならびに触媒を可能にする支持体から選択される少なくとも２つの成分を含む動力系を目的とし、
ここで、該動力系はさらに、反応槽、真空ポンプ、交換反応を逆にするための分離システム、電解槽、熱システムなどの動力変換器及びシステム、ならびに反応生成物から燃料を再生する化学合成反応器のいずれかを含むことが可能である。
ここで、該動力系はさらに、反応槽、真空ポンプ、交換反応を逆にするための分離システム、電解槽、熱システムなどの動力変換器及びシステム、ならびに反応生成物から燃料を再生する化学合成反応器のいずれかを含むことが可能である。
さらなる実施態様では、本開示は、触媒源または触媒；原子水素源または原子水素；触媒源または触媒及び原子水素源または原子水素を形成する反応物；原子水素の触媒作用を開始する１種以上の反応物；ならびに触媒を可能にする支持体から選択される少なくとも２つの成分を含む低エネルギー状態の水素を有する化合物を形成するシステムを目的とし、
ここでは、低エネルギー状態の水素を有する化合物を形成するシステムはさらに、反応槽、真空ポンプ、交換反応を逆にするための分離システム、電解槽、熱システム、ならびに反応生成物から燃料を再生する化学合成反応器のいずれかを含むことが可能である。
ここでは、低エネルギー状態の水素を有する化合物を形成するシステムはさらに、反応槽、真空ポンプ、交換反応を逆にするための分離システム、電解槽、熱システム、ならびに反応生成物から燃料を再生する化学合成反応器のいずれかを含むことが可能である。
本開示の他の実施態様は、触媒源または触媒；原子水素源または原子水素；触媒源または触媒及び原子水素源または原子水素を形成する反応物；原子水素の触媒作用を開始する１種以上の反応物；ならびに触媒を可能にする支持体から選択される少なくとも２つの成分を含む低エネルギー状態の水素を有する化合物を形成するためのバッテリーまたは燃料セルシステムを目的とし、
ここでは、低エネルギー状態の水素を有する化合物を形成するバッテリーシステムまたは燃料セルシステムはさらに、反応槽、真空ポンプ、交換反応を逆にするための分離システム、電解槽、熱システムなどのシステム、ならびに反応産物から燃料を再生する化学合成反応器のいずれかを含むことが可能である。
ここでは、低エネルギー状態の水素を有する化合物を形成するバッテリーシステムまたは燃料セルシステムはさらに、反応槽、真空ポンプ、交換反応を逆にするための分離システム、電解槽、熱システムなどのシステム、ならびに反応産物から燃料を再生する化学合成反応器のいずれかを含むことが可能である。
本開示は原子水素からエネルギーを放出し、電子殻が核と近位置にある低エネルギー状態を形成する触媒系を目的とする。放出された動力（パワー）は発電に利用し、そして新たな水素種及び化合物は所望の生成物である。これらのエネルギー状態は従来の物理的法則により予測され、対応するエネルギー放出遷移をするために水素からエネルギーを受け取る触媒を必要とする。
古典物理学は、水素原子、水素イオン、水素分子イオン、及び、水素分子の閉形式解を与え、分数の主量子数を持つ対応する種を予測する。マクスウェル方程式を使い、電子は、束縛されたｎ＝１状態の電子がエネルギーを放出できないと拘束して遷移間の時間変動性の電磁気場のソース電流を含むとして、電子の構造が境界値問題として導かれた。Ｈ原子の解によって予測される反応は、以前に可能と思われていたよりも低いエネルギー状態における水素を形成するために、さもなければ安定な原子水素から、エネルギーを受け入れることができる触媒へと、非放射的なエネルギー伝達を含む。具体的には、古典物理学は、Ｅｈが１ハートリーであるときに、Ｅｈ＝２７．２ｅＶである原子水素のポテンシャルエネルギーの整数倍の正味エンタルピーを伴う反応を提供する、ある特定の原子、エキシマー、イオン、及び、２原子水素化物との、触媒反応を、原子水素が、経験するかもしれないことを予測する。それらの知られた電子エネルギーレベルを基礎として識別可能な特定の種（例えば、Ｈｅ＋、Ａｒ＋、Ｓｒ＋、Ｋ、Ｌｉ、ＨＣｌ、そして、ＮａＨ）は、プロセスを触媒するために原子水素の提示が要求される。反応は、分数の主量子数に対応する未反応の原子水素よりもエネルギーにおいて低い水素原子、及び、特に熱く、励起状態のＨを形成するために、Ｈへのｑ・１３．６ｅＶの移動又はｑ・１３．６ｅＶの連続発光に続く非放射的なエネルギー移動を含む。即ち、水素原子の主エネルギー準位に対する式において、
ｎ＝１，２，３，．．． （２）
であり、ここで、ａＨは、水素原子（５２．９４７ｐｍ）のボーア半径であり、ｅは電子の電荷の大きさ、ε０は真空の誘電率であり、分数の量子数は、次のようになる。
であり、ここで、ａＨは、水素原子（５２．９４７ｐｍ）のボーア半径であり、ｅは電子の電荷の大きさ、ε０は真空の誘電率であり、分数の量子数は、次のようになる。
ここで、ｐは、ｐ≦１３７となる整数であるが、励起状態の水素に対するリュードベリ式におけるｎ＝整数のよく知られるパラメータと置き換わり、「ハイドリノ」と呼ばれるより低いエネルギー状態（低エネルギー状態）の水素原子を表す。水素のｎ＝１の状態、及び、水素のｎ＝１／整数の状態は、非放射性であるが、例えばｎ＝１からｎ＝１／２というような２つの非放射性の状態の間での遷移は、非放射性のエネルギー移動により可能である。水素は、水素又はハイドリノ原子の対応する半径が、次の式で与えられ、式（１）及び（３）によって与えられる安定状態の特別なケースである。
ｒ＝аＨ／ｐ （４）
ここで、ｐ＝１，２，３，・・・・である。エネルギーの保存のため、ａＨ／（ｍ＋ｐ）への半径遷移及び通常のｎ＝１状態における水素原子のポテンシャルエネルギーの整数の単位において、水素原子から触媒へのエネルギーの移動がなければならない。ハイドリノは、ｍが整数であるところの、次式の反応の正味のエンタルピーを持つ適当な触媒と、通常の水素原子との反応によって形成される。
ｍ・２７．２ｅＶ （５）
反応の正味のエンタルピーがｍ・２７．２ｅＶにより近く合致すると、触媒作用の速度は増加すると信じられる。エネルギーｍ・２７．２ｅＶの±１０％以内、好ましくは、±５％以内の反応の正味のエンタルピーを備える触媒が、大抵の応用に適当であると発見されてきた。
ｒ＝аＨ／ｐ （４）
ここで、ｐ＝１，２，３，・・・・である。エネルギーの保存のため、ａＨ／（ｍ＋ｐ）への半径遷移及び通常のｎ＝１状態における水素原子のポテンシャルエネルギーの整数の単位において、水素原子から触媒へのエネルギーの移動がなければならない。ハイドリノは、ｍが整数であるところの、次式の反応の正味のエンタルピーを持つ適当な触媒と、通常の水素原子との反応によって形成される。
ｍ・２７．２ｅＶ （５）
反応の正味のエンタルピーがｍ・２７．２ｅＶにより近く合致すると、触媒作用の速度は増加すると信じられる。エネルギーｍ・２７．２ｅＶの±１０％以内、好ましくは、±５％以内の反応の正味のエンタルピーを備える触媒が、大抵の応用に適当であると発見されてきた。
触媒反応はエネルギー放出の２つのステップ：触媒への非放射的なエネルギーの移動と、それに続いて、対応する安定な最終状態に半径が減少する際の追加のエネルギー放出とを含む。一般的な反応は、次式で表され、
Ｃａｔ（ｑ＋ｒ）＋＋ｒｅ−→Ｃａｔｑ＋＋ｍ・２７．２ｅＶ （８）
さらに、ここで、全反応は、次式の通りである。
さらに、ここで、全反応は、次式の通りである。
ここで、ｑ、ｒ、ｍ、及びｐは、整数である。Ｈ＊［ａＨ／（ｍ＋ｐ）］は、水素原子の半径（分母において１が相当）と、陽子のそれの（ｍ＋ｐ）倍に等しい中心視野を持ち、Ｈ［ａＨ／（ｍ＋ｐ）］は、Ｈのそれの１／（ｍ＋ｐ）倍の半径での対応する安定状態である。電子が、水素原子の半径からこの距離の１／（ｍ＋ｐ）倍の半径にまで半径方向加速度を経ると、特徴的な光の放射として、又は、第３体の運動エネルギーとして、エネルギーが放出される。発光は、［（ｐ＋ｍ）２−ｐ２−２ｍ］・１３．６ｅＶ（９１．２／［（ｐ＋ｍ）２−ｐ２−２ｍ］ｎｍ）で端を持つ極端紫外連続放射の形態であるかもしれない。放射に加えて、高速Ｈを形成する共鳴運動エネルギー移動が起こるかもしれない。対応するＨ（ｎ＝３）の高速原子の放出を伴う、バックグラウンドＨ２との衝突によるこれらの高速Ｈ（ｎ＝１）の続く励起は、広がったバルマーα線放射を生じさせる。極端なバルマーα線の幅広化（＞１００ｅＶ）は、予測と一致することが見られる。
好ましい触媒は、従って、ｍ・２７．２ｅＶの反応の正味正のエンタルピーを供給することができる。即ち、触媒は水素原子からの非放射的エネルギー移動を共鳴的に受け、分数の量子エネルギー水準への電子的な遷移に影響を与えるように周囲にエネルギーを放出する。非放射的なエネルギーの移動の結果として、式（１）及び（３）により与えられる主エネルギー水準を持つより低いエネルギーの非放射的な状態を達成するまで、水素原子は不安定で更なるエネルギーを放出する。このようにして、式（３）により与えられるｎについて、ｒｎ＝ｎａＨの水素原子のサイズにおいて相当する減少を伴って水素原子からエネルギーを触媒作用により放出する。例えば、Ｈ（ｎ＝１）からＨ（ｎ＝１／４）への触媒作用により２０４ｅＶが放出され、水素半径は、ａＨから（１／４）＊ａＨに減少する。触媒生成物であるＨ（１／ｐ）は、ハイドリノ水素化物イオンであるＨ−（１／ｐ）を形成するように電子とまた反応するかも知れず、或いは、２つのＨ（１／ｐ）は、反応して、対応する分子ハイドリノＨ２（１／ｐ）を形成するかもしれない。
特に、触媒生成物Ｈ（１／ｐ）はまた、結合エネルギーＥＢを持つ新規な水素化物イオンＨ（１／ｐ）−を形成するように電子と反応するかもしれない。ここで、
であり、ｐ＝整数＞１、ｓ＝１／２、ｈ（エイチバー）はプランク定数（換算プランク定数）であり、μ０は真空の誘電率であり、ｍｅは電子の質量であり、μｅは換算電子質量であり
で表され、ｍｐは陽子の質量であり、ａ０はボーアの半径であり、イオン半径ｒ１は次のように表される。
式（１０）から、水素化物イオンの計算されたイオン化エネルギーは、０．７５４１８ｅＶであり、実験値は、６０８２．９９±０．１５ｃｍ−１（０．７５４１８ｅＶ）である。
高磁場側にシフトしたＮＭＲピークは、通常の水素化物イオンに比べて減少した半径に関するより低いエネルギー状態の水素の存在の直接の証拠であり、そして、陽子の反磁性のシールドにおける増加を持つより低いエネルギー状態の水素の存在の直接の証拠である。シフトは、より低いエネルギー状態による要素及び通常の水素化物イオンＨ−の合計により次式で与えられる。
ここで、Ｈ−に対してｐ＝０であり、Ｈ−（１／ｐ）に対してｐ＝整数＞１であり、αは微細構造定数である。
Ｈ（１／ｐ）は、陽子と反応するかもしれず、２つのＨ（１／ｐ）が反応するかもしれず、それぞれ、Ｈ２（１／ｐ）＋及びＨ２（１／ｐ）を生成するであろう。水素分子イオン及び分子電荷及び電流密度関数、結合距離、及び、エネルギーは、非放射の制約で、楕円面座標においてラプラシアンから解かれる。
長球の分子軌道の各焦点において＋ｐｅの中心場を持つ水素分子イオンの全エネルギーＥＴは、次のようになる。
ここで、ｐが整数、ｃは真空での光の速度、そして、μは換算核質量である。長球の分子軌道の各焦点での＋ｐｅの中心場を持っている水素分子の全エネルギーは次のようになる。
水素分子Ｈ２（１／ｐ）の結合解離エネルギーＥＤは、対応する水素原子の全エネルギーとＥＴとの差である。
ＥＤ＝Ｅ（２Ｈ（１／ｐ））−ＥＴ （１５）
ここで、
Ｅ（２Ｈ（１／ｐ））＝−ｐ２２７．２０ｅＶ （１６）
であり、
ＥＤは、式（１５−１６）及び（１４）により与えられる。
ＥＤ＝−ｐ２２７．２０ｅＶ−ＥＴ
＝−ｐ２２７．２０ｅＶ
−（−ｐ２３１．３５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ）
＝ｐ２４．１５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ （１７）
Ｈ２、Ｄ２、Ｈ２ ＋、及び、Ｄ２ ＋、の計算された及び実験上のパラメータは表１に与えられる。
ＥＤ＝Ｅ（２Ｈ（１／ｐ））−ＥＴ （１５）
ここで、
Ｅ（２Ｈ（１／ｐ））＝−ｐ２２７．２０ｅＶ （１６）
であり、
ＥＤは、式（１５−１６）及び（１４）により与えられる。
ＥＤ＝−ｐ２２７．２０ｅＶ−ＥＴ
＝−ｐ２２７．２０ｅＶ
−（−ｐ２３１．３５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ）
＝ｐ２４．１５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ （１７）
Ｈ２、Ｄ２、Ｈ２ ＋、及び、Ｄ２ ＋、の計算された及び実験上のパラメータは表１に与えられる。
触媒作用生成物ガスのＮＭＲは、Ｈ２（１／４）の理論的に予測される化学シフトの決定的なテストを提供する。一般に、Ｈ２（１／ｐ）の１Ｈ ＮＭＲ共鳴は、電子が核に極めて近くにあるところの楕円座標における分数の半径により、Ｈ２のそれより高磁場側にあると予測される。Ｈ２（１／ｐ）に対する予測されるシフトΔＢＴ／Ｂは、Ｈ２のそれ、及び、Ｈ２（１／ｐ）に対するｐ＝整数＞１に依存する項の合計により与えられる。
ここで、Ｈ２に対して、ｐ＝０である。−２８．０ｐｐｍの実験上の絶対Ｈ２気相共鳴シフトは、−２８．０１ｐｐｍの予測絶対気相シフトと極めて良好に一致する（式（１９））。
水素タイプの分子Ｈ２（１／ｐ）のυ＝０からυ＝１への遷移に対する振動エネルギーＥｖｉｂは、次のようになる。
Ｅｖｉｂ＝ｐ２０．５１５９０２ｅＶ （２０）
ここで、ｐは整数である。水素タイプの分子Ｈ２（１／ｐ）のＪからＪ＋１への遷移に対する回転エネルギーＥｒｏｔは、次のようになる。
Ｅｖｉｂ＝ｐ２０．５１５９０２ｅＶ （２０）
ここで、ｐは整数である。水素タイプの分子Ｈ２（１／ｐ）のＪからＪ＋１への遷移に対する回転エネルギーＥｒｏｔは、次のようになる。
ここで、ｐは整数であり、Ｉは慣性モーメントである。
回転エネルギーのｐ２依存は、核間距離のｐの逆数依存、及び、慣性モーメントＩへの対応する影響から生じる。Ｈ２（１／ｐ）に対する予測核間距離２ｃ’は、次のようになる。
研究技術の広域スペクトルからのデータは、強く一貫して、以前に可能と考えられていたよりも、水素がより低いエネルギー状態の中に存在することができることを、示している。これらのより低いエネルギー状態にある、「小さな水素」としてハイドリノと呼ばれるもの、及び、対応する水素化物イオン及び分子ハイドリノの存在をこのデータは支持する。伝統的な「基底」（ｎ＝１）状態より低いエネルギーである分数量子状態にある水素を生産する、原子状水素の新規な反応の可能性を支持する関連するこれらの従前の研究の幾つかは、極紫外線（ＥＵＶ）分光、触媒と水素化物イオン生成物からの特徴的発光、より低いエネルギーの水素の発光、化学的に形成されたプラズマ、バルマーα線の拡幅化、Ｈ線の反転分布、高い電子温度、異常なプラズマ残光時間、パワー発生、及び、新規化合物の分析を含む。
本開示の触媒的な低いエネルギー水素遷移は、原子状Ｈから遷移を引き起こすエネルギーを受取り、かつ、触媒によらない原子状水素のポテンシャルエネルギーである２７．２ｅＶの整数ｍの吸熱化学反応の形式であってよい触媒を必要とする。吸熱の触媒反応は、原子またはイオンのような（例えば、Ｌｉ→Ｌｉ２＋に対するｍ＝３）種からの１又はそれ以上のイオン化であるかもしれず、最初の結合（例えば、ＮａＨ→Ｎａ２＋＋Ｈに対するｍ＝２）のパートナーの１又はそれ以上から、１又はそれ以上の電子のイオン化で結合切断の協奏反応を更に含むかもしれない。Ｈｅ＋は、それが２×２７．２ｅＶという５４．４１７ｅＶでイオン化するので、２７．２ｅＶの整数倍に等しいエンタルピー変化を伴う化学的又は物理的プロセスという触媒基準を満たす。２つの水素原子は、同じエンタルピーの触媒としてもまた機能してもよい。水素原子Ｈ（１／ｐ）ｐ＝１，２，３，．．．１３７は、式（１）及び（２）によって与えられる低位エネルギー状態への更なる遷移を経験することができる。ここで、１つの原子の遷移は、そのポテンシャルエネルギーにおいて同時に起きる逆の変化と共に、ｍ・２７．２ｅＶを共鳴的に及び非放射的に受取る第２のものによって触媒される。Ｈ（１／ｐ’）へのｍ・２７．２ｅＶの共鳴伝達により誘発されるＨ（１／ｐ）からＨ（１／（ｐ＋ｍ））への遷移に対する全体の一般式は、次のように表される。
Ｈ(１／ｐ’)＋Ｈ(１／ｐ)
→Ｈ＋Ｈ(１／(ｐ＋ｍ))＋［２ｐｍ＋ｍ２−ｐ’２＋１］・１３．６ｅＶ （２３）
→Ｈ＋Ｈ(１／(ｐ＋ｍ))＋［２ｐｍ＋ｍ２−ｐ’２＋１］・１３．６ｅＶ （２３）
水素原子は、一方が他方に対して触媒となるように作用して、それぞれ、１つ及び２つの原子に対してｍ＝３及びｍ＝２である触媒として機能してよい。衝突相手の第３の水素原子から５４．４ｅＶを２つの原子が共鳴的に及び非放射的に受取り、２Ｈを形成するように、極めて高速のＨが１つの分子と衝突するとき、２つの原子触媒２Ｈに対する速度は高いかもしれない。
ｍ＝２で、触媒Ｈｅ＋及び２Ｈの生成物は、Ｈ（１／４）を形成し、そして、好ましい状態として分子ハイドリノを形成するように速く反応するＨ（１／３）である。特に、高い水素原子濃度の場合、触媒として（ｐ’＝１；ｍ＝１）Ｈに関し、Ｈ（１／３）・（ｐ＝３）からＨ（１／４）・（ｐ＋ｍ＝４）への式（２３）により与えられる更なる遷移は、速くあり得る。
対応する分子ハイドリノＨ２（１／４）とハイドリノ水素化物イオンＨ−（１／４）は、ｐ＝４の量子状態が更なる触媒作用に対して長い理論的な寿命を、それＨ（１／４）に与える四極子のそれよりも何倍も大きい多極子を持つので、観測結果と一致して最終生成物である。
Ｈｅ＋及び２Ｈへの非放射性のエネルギー移動は、Ｈｅ＋イオンエネルギーレベルをくみ上げ、ヘリウム水素及び水素プラズマでにおけるＨの電子励起温度を増やすと、予測される。両触媒に対して、中間体Ｈ＊［аＨ／（２＋１）］（ｍ＝２とした式（６））は、水素原子の半径（分母において１に相当）、及び、陽子のそれの３倍に等しい中心場を持ち、［аＨ／３］は、Ｈのそれの１／３の半径を備える安定した状態に相当する。電子が、水素原子の半径からこの距離の１／３の半径へと半径方向加速度を受けて、エネルギーは、特徴的な発光として、又は、第三体の運動エネルギーとして、放出される。発光は、５４．４ｅＶ（２２．８ｎｍ）での発光端を持ち、より長い波長へと延びる極紫外線連続放射の形態において、あるかもしれない。その代わりに、高速Ｈが共鳴運動エネルギー移動のために予測される。第２の連続体バンドは、原子状水素が［аＨ／３］から２７．２ｅＶを受けて、触媒作用生成物の［аＨ／３］（式（４−７）及び（２３））から［аＨ／４］状態へと、後続する急速な遷移から生じると予測される。極紫外線（ＥＵＶ）分光及び高分解能可視分光は、触媒Ｈｅ＋及び２Ｈをそれぞれ供給する水素と共にするヘリウム及び水素単独のパルス状の放出、発光、及び、マイクロ波において記録された。Ｈｅ＋イオン線のポンピングが水素の添加と共に起こり、特定の条件下での水素プラズマの励起温度は非常に高かった。２２．８ｎｍと４０．８ｎｍとの両方で、ＥＵＶ連続体は観察され、そして、並外れた（＞５０ｅＶ）バルマーα線の拡幅化が観察された。Ｈ２（１／４）は、ヘリウム−水素、水素、水−水蒸気−補助された水素プラズマから集められたガスにおいて、ＣＤＣｌ３に溶解されて、１．２５ｐｐｍでソリューションＮＭＲにより、観察された。
同様に、Ａｒ＋からＡｒ２＋への反応は、式（４−７）においてｍ＝１に相当する、２７．６３ｅＶの正味の反応エンタルピーを持つ。触媒としてＡｒ＋が機能すると、その予想される９１．２ｎｍ及び４５．６ｎｍの連続体が、１．２５ｐｐｍでソリューションＮＭＲにより観察され、同様に、予想された気相のハイドリノ生成物Ｈ２（１／４）、高速Ｈ、触媒励起状態のポンピング、ハイドリノ遷移の他の特徴的な痕跡も観察された。これらの結果及びヘリウムプラズマのそれらを考慮すれば、Ｈｅ＋触媒のための５４．４ｅＶ（ｑ＝４）及び４０．８ｅＶ（ｑ＝３）での閾値を持つｑ・１３．６ｅＶ連続体が観察されていた。幅広いスペクトル領域における高エネルギの連続放射線を引き起こす、より低い状態へのハイドリノの遷移に関しては、ｑの非常により大きい値で可能である。
最近のパワー生成及び生成物特徴付け研究において、原子リチウムと分子ＮａＨは、触媒として機能した。なぜならば、それらは、２７．２ｅＶの原子状水素のポテンシャルエネルギーの整数倍ｍ（例えば、Ｌｉに対してｍ＝３であり、ＮａＨに対してｍ＝２である）に等しいエンタルピー変化をもってする化学又は物理プロセスという触媒基準を満たすからである。新規なアルカリ・ハライド・ヒドリノ水素化物化合物（ＭＨ＊Ｘ；Ｍ＝Ｌｉ又はＮａ、Ｘ＝ハロゲン化合物）の対応するヒドリノ水素化物イオンＨ−（１／４）、及び、分子ヒドリノＨ２（１／４）のエネルギーレベルに対する閉じた形の方程式に基づく特定の予測は、化学的に生成された触媒作用反応物を用いてテストされた。
第１に、Ｌｉ触媒がテストされた。ＬｉとＬｉＮＨ２が、原子リチウムと水素原子の源として使われた。水流バッチ式熱量測定法を用いて、１ｇのＬｉから、０．５ｇのＬｉＮＨ２から、１０ｇのＬｉＢｒから、１５ｇのＰｄ／Ａｌ２Ｏ３からの測定されたパワーは、ΔＨ＝−１９．１ｋＪのエネルギーバランスでもって、約１６０Ｗであった。観察されたエネルギーバランスは、既知の化学に基づけば、最大理論値の４．４倍だった。次に、結晶におけるＨ２（１／４）をトラップするのと同様に、ＬｉＨ＊Ｘを形成するために触媒作用生成物Ｈ（１／４）のゲッターとしてＬｉＢｒが機能し、化学合成においてパワー反応混合物が用いられるとき、ラネーニッケル（Ｒ−Ｎｉ）が解離剤（ｄｉｓｓｏｃｉａｔｏｒ）として機能した。ＴｏＦ−ＳＩＭは、ＬｉＨ＊Ｘピークを示した。１Ｈ ＭＡＳ ＮＭＲ ＬｉＨ＊Ｂｒ及びＬｉ＊Ｉは、ＬｉＸマトリックスにおいて、Ｈ−（１／４）にマッチする約−２．５ｐｐｍで、大きな区別できる高磁場共鳴を示した。１．１３ｐｐｍのＮＭＲピークは、侵入型Ｈ２（１／４）に相当し、通常のＨ２のそれの４２倍のＨ２（１／４）回転振動が、ＦＴＩＲスペクトルで１９８９ｃｍ−１で観察された。Ｌｉ＊Ｂｒ結晶のに記録されるＸＰＳスペクトルは、他の如何なる主要な元素が不在であることに基づき、如何なる既知の元素に割り当てられなかった約９．５ｅＶ及び１２．３ｅＶのピークを示したが、２つの化学環境下におけるＨ−（１／４）の結合エネルギーにマッチした。エネルギー・プロセスの更なる痕跡は、原子状Ｌｉが原子状水素と共に存在したときに、約１−２Ｖ／ｃｍの非常に低い場の強度及び低い温度（例えば、約１０３Ｋ）でのｒｔ−プラズマ又は共鳴移行と呼ばれるプラズマの形成の観察であった。Ｈバルマーα線の時間依存性の線幅拡大は、異常に速いＨ（＞４０ｅＶ）に対応していると観察された。
水素、及び、水素以外の少なくとも１つの元素Ｍから成っているＭＨのような本開示の化合物は、水素の源及びハイドリノを形成するための触媒の源として、機能する。ｔ電子のイオン化エネルギー及び結合エネルギーの合計がおよそｍ・２７．２ｅＶ（ここで、ｍは整数）であるように、触媒反応は、原子Ｍから各々連続エネルギー順位へとｔ電子のイオン化に加えて、Ｍ−Ｈ結合の破壊により提供される。そのような触媒システムは、ナトリウムを含む。ＮａＨの結合エネルギーは、１．９２４５ｅＶである。そして、それぞれ、Ｎａの第１及び第２のイオン化エネルギーは、５．１３９０８ｅＶ及び４７．２８６４ｅＶである。これらのエネルギーに基づいて、ＮａＨ分子は、触媒及びＨの源として機能できる。なぜなら、ＮａＨの結合エネルギー、及び、ＮａからＮａ２＋への二重イオン化（ｔ＝２）は、５４．３５ｅＶ（２・２７．２ｅＶ）であるからである。触媒反応は、次の式で与えられる。
Ｎａ２＋＋２ｅ−＋Ｈ→ＮａＨ＋５４．３５ｅＶ （２６）
そして、全反応は、次のように表される。
そして、全反応は、次のように表される。
生成物Ｈ（１／３）直ちに反応してＨ（１／４）を形成し、そして、好ましい状態として、分子ハイドリノＨ２（１／４）となる（式（２４））。ＮａＨの結合エネルギー、Ｎａ２＋へのＮａの二重イオン化（ｔ＝２）、及び、Ｈのポテンシャルエネルギーの合計が８１．５６ｅＶ（３・２７．２ｅＶ）であるので、ＮａＨ触媒反応が強調されるのかもしれない。
Ｎａ２＋＋２ｅ−＋Ｈ＋Ｈｆａｓｔ ＋＋ｅ−→ＮａＨ＋Ｈ＋８１．５６ｅＶ （２９）
そして、全反応は次の式で表される。
そして、全反応は次の式で表される。
ここで、Ｈｆａｓｔ ＋は、少なくとも１３．６ｅＶの運動エネルギーを持つ高速水素原子である。Ｈ−（１／４）は、安定なハロゲン化水素化物を形成し、そして、２Ｈ（１／２）→Ｈ２（１／４）及びＨ−（１／４）＋Ｈ＋→Ｈ２（１／４）という反応により形成される対応する分子と共に好ましい生成物である。
水素化ナトリウムは、典型的に、金属ナトリウムとガス状の水素の反応によって形成されるイオン結晶性化合物の形態である。そして、気相において、ナトリウムは、７４．８０４８ｋＪ／ｍｏｌｅの結合エネルギーを持つ共有結合性のＮａ２分子を含む。ＮｓＨ（ｓ）が、ＮａＨ（ｇ）をつくるためにヘリウム雰囲気の下で非常に遅い温度上昇率（０．１℃／分）で加熱されたとき、式（２５−２７）により与えられる予測された発熱反応が、示差走査熱量測定装置（ＤＳＣ）により高い温度で観察されたことが発見された。高いパワーを成すために、化学システムは、ＮａＨ（ｇ）の形成速度及び量を大いに増やすように設計された。生成熱から計算されるＮａＯＨ及びＮａをＮａ２Ｏ及びＮａＨ（ｓ）へとの反応は、ΔＨ＝−４４．７ｋＪ／ＮａＯＨモルの熱を放出する。
ＮａＯＨ＋２Ｎａ→Ｎａ２Ｏ＋ＮａＨ(ｓ)
ΔＨ＝−４４．７ｋＪ／ｍｏｌｅ ＮａＯＨ （３１）
この発熱反応は、ＮａＨ（ｇ）の形成を促進することができ、式（２５−２７）によって与えられる発熱反応を促進するために利用された。
Ｎａ２Ｏ＋Ｈ→ＮａＯＨ＋Ｎａ
ΔＨ＝−１１．６ｋＪ／ｍｏｌｅ ＮａＯＨ （３２）
ＮａＨ→Ｎａ＋Ｈ(１／３)
ΔＨ＝−１０，５００ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ （３３）
ＮａＨ→Ｎａ＋Ｈ(１／４)
ΔＨ＝−１９，７００ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ （３４）
ＮａＯＨ＋２Ｎａ→Ｎａ２Ｏ＋ＮａＨ(ｓ)
ΔＨ＝−４４．７ｋＪ／ｍｏｌｅ ＮａＯＨ （３１）
この発熱反応は、ＮａＨ（ｇ）の形成を促進することができ、式（２５−２７）によって与えられる発熱反応を促進するために利用された。
Ｎａ２Ｏ＋Ｈ→ＮａＯＨ＋Ｎａ
ΔＨ＝−１１．６ｋＪ／ｍｏｌｅ ＮａＯＨ （３２）
ＮａＨ→Ｎａ＋Ｈ(１／３)
ΔＨ＝−１０，５００ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ （３３）
ＮａＨ→Ｎａ＋Ｈ(１／４)
ΔＨ＝−１９，７００ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ （３４）
触媒反応が、Ｈ（１／３）を形成し、これが更に反応してＨ（１／４）を形成するような遷移を付随して経る固有のＨの放出に依存するので、ＮａＨは高い運動エネルギーをユニークに達成する。示差走査熱量測定（ＤＳＣ）は、分子ＮａＨ形成の量を増加するために、極端にゆっくりとした温度上昇速度で（０．１℃／ｍｉｎ）、ヘリウム雰囲気下で、イオン化ＮａＨについてなされた。−１７７ｋＪ／ｍｏｌｅ ＮａＨの新規発熱効果が、６４０℃から８２５℃の温度範囲で観察された。高パワーを成すために、約１００ｍ２／ｇの面積があるＲ−Ｎｉが、ＮａＯＨで表面コートされ、ＮａＨを形成するためにＮａ金属と反応させられた。水流型バッチ式熱量測定計を用いて、１５ｇのＲ−Ｎｉから、測定されたパワーは、Ｎａ金属と反応したとき、出発材料としてＲ−ＮｉからＲ−ＮｉＡｌ合金へとの変化のΔＨ≒０ｋＪに比べ、ΔＨ＝−３６ｋＪのエネルギーバランスを持っており、約０．５ｋＷであった。Ｎａｈ反応の観察されたエネルギーバランスは、−１．６Ｘ１０４ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ２であったが、燃焼エンタルピーの−２４１．８ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ２の６６倍以上であった。ＮａＯＨドーピングにおいて０．５の重量％へと増加することにより、Ｒ−Ｎｉ合金のＡｌは、ＮａＨ触媒を生成するための還元体としてＮａ金属に置き換わるように機能した。６０℃まで加熱されるとき、１５ｇの複合触媒材料は、１１．７のｋＪの過剰エネルギーを放出し、０．２５ｋＷの電力を得るために、添加物を必要としなかった。ＤＭＦ−ｄ７に溶解された生成物ガスにソルーションＮＭＲを行うと、１．２ｐｐｍでＨ２（１／４）を示した。
ＴｏＦ−ＳＩＭは、ナトリウムハイドリノ水素化物、ＮａＨｘ、ピークを示した。ＮａＨ＊ＢｒとＮａＨ＊Ｃｌの１Ｈ ＭＡＳ ＮＭＲスペクトルは、Ｈ−（１／４）にマッチする、それぞれ−３．６ｐｐｍ及び−４ｐｐｍでの大きな区別できる磁場共鳴を示し、Ｈ２（１／４）にマッチする１．１ｐｐｍでのＮＭＲピークを示した。水素の唯一のソースとしての固体酸ＫＨＳＯ４及びＮａＣｌの反応からのＮａＨ＊Ｃｌは、２つの分数水素状態を含んでいた。Ｈ−（１／４）ＮＭＲピークは、−３．９７ｐｐｍで観察された。そして、Ｈ−（１／３）ピークもまた、−３．１５ｐｐｍで存在した。対応するＨ２（１／４）及びＨ２（１／３）ピークは、１．１５ｐｐｍ及び１．７ｐｐｍでそれぞれ観察された。ＤＭＦ−ｄ７で溶解したＮａＨ＊Ｆの１Ｈ ＮＭＲは、それぞれ、１．２ｐｐｍ及び−３．８６ｐｐｍにて、分離されたＨ２（１／４）及びＨ−（１／４）を示した。ここで、如何なる固体マトリックス効果や代替のピーク割当の可能性が無いことから、強固なＮＭＲ割当が確認された。ＮａＨ＊Ｂｒについてで記録されたＸＰＳスペクトルは、ＬｉＨ＊Ｂｒ及びＫＨ＊Ｉからの結果にマッチした約９．５ｅＶ及び１２．３ｅＶでのＨ−（１／４）ピークを示した。一方、ナトリウムハイドリノ水素化物は、ハロゲン化物ピークがない状態で、６ｅＶでＨ−（１／３）のＸＰＳピークを更に持っている２つの分数水素状態を示した。通常のＨ２のエネルギーの４２倍のエネルギーを持つ予測された回転遷移は、また、１２．５ｋｅＶの電子ビームを使って励起されたＨ２（１／４）からも観察された。
ＮＭＲ変化、ＴｏＦ−ＳＩＭｓ質量、ＸＰＳ結合エネルギー、ＦＴＩＲ及び発光スペクトルなどのこれらのデータは、本開示の態様を含む触媒作用系のハイドリノ生成物を特徴とし、またそれを同定する。
Ｉ．ハイドリノ
次の式で与えられる結合エネルギーを持つ水素原子は、本開示のＨ触媒作用反応の生成物であるが、ここで、ｐは１より大きい整数であり、好ましくは、２から１３７である。
結合エネルギー＝１３．６／（１／ｐ）２ｅＶ （３５）
原子、イオン、又は、分子の結合エネルギー（イオン化エネルギーとしても知られる）は、原子、イオン、又は、分子から１つの電子を除くために要求されるエネルギーである。式（３５）で与えられる結合エネルギーを持つ水素原子は、以下「ハイドリノ原子」又は「ハイドリノ」と称する。通常の水素原子の半径がａＨであり、ｐが整数であるところ、半径аＨ／ｐのハイドリノを指定する符号は、Ｈ［аＨ／ｐ］である。半径ａＨを持つ水素原子は、以下「通常の水素原子」又は「普通の水素原子」と称する。通常の原子状水素は、１３．６ｅＶ結合エネルギーによって特徴付けられる。
次の式で与えられる結合エネルギーを持つ水素原子は、本開示のＨ触媒作用反応の生成物であるが、ここで、ｐは１より大きい整数であり、好ましくは、２から１３７である。
結合エネルギー＝１３．６／（１／ｐ）２ｅＶ （３５）
原子、イオン、又は、分子の結合エネルギー（イオン化エネルギーとしても知られる）は、原子、イオン、又は、分子から１つの電子を除くために要求されるエネルギーである。式（３５）で与えられる結合エネルギーを持つ水素原子は、以下「ハイドリノ原子」又は「ハイドリノ」と称する。通常の水素原子の半径がａＨであり、ｐが整数であるところ、半径аＨ／ｐのハイドリノを指定する符号は、Ｈ［аＨ／ｐ］である。半径ａＨを持つ水素原子は、以下「通常の水素原子」又は「普通の水素原子」と称する。通常の原子状水素は、１３．６ｅＶ結合エネルギーによって特徴付けられる。
ハイドリノは、次の正味の反応生成エンタルピーを持つ適当な触媒で通常の水素原子を反応させることにより、形成される。
ｍ・２７．２ｅＶ （３６）
ここで、ｍは整数である。正味の反応エンタルピーがｍ・２７．２ｅＶとより厳密に一致すると、触媒作用の率が上昇すると考えられている。ｍ・２７．２ｅＶの±１０％（好ましくは±５％）以内の正味の反応エンタルピーを持つ触媒が、大抵の適用にふさわしいと発見されてきた。
ｍ・２７．２ｅＶ （３６）
ここで、ｍは整数である。正味の反応エンタルピーがｍ・２７．２ｅＶとより厳密に一致すると、触媒作用の率が上昇すると考えられている。ｍ・２７．２ｅＶの±１０％（好ましくは±５％）以内の正味の反応エンタルピーを持つ触媒が、大抵の適用にふさわしいと発見されてきた。
この触媒作用は、ｒｎ＝ｎａＨの水素原子のサイズにおいて、相応の減少を備える水素原子からエネルギーを放出する。例えば、Ｈ（ｎ＝１）からＨ（ｎ＝１／２）への触媒作用は４０．８ｅＶを放出し、そして、水素半径は、ａＨから（１／２）аＨに減少する。ｔ電子のイオン化エネルギーの合計がおよそｍ・２７．２ｅＶになるように、ｔ電子の各原子から連続体エネルギーレベルへのイオン化によって、触媒システムが提供される。ここで、ｍは整数である。
与えられた上記の式（６−９）により、触媒システムへの更なる例は、リチウム金属を含む。リチウムの第１及び第２のイオン化エネルギーは、５．３９１７２ｅＶ及び７５．６４０１８ｅＶである。ＬｉからＬｉ２＋への二重イオン化（ｔ＝２）反応は、８１．０３１９ｅＶの正味の反応エンタルピーを持つ（式（３６）において、ｍ＝３の場合に等しい）。
Ｌｉ２＋＋２ｅ−→Ｌｉ（ｍ）＋８１．０３１９ｅＶ （３８）
そして、全反応は、次の通りである。
そして、全反応は、次の通りである。
もう１つの具体化において、触媒システムは、セシウムを含む。セシウムの第１及び第２のイオン化エネルギーは、３．８９３９０ｅＶ及び２３．１５７４５ｅＶである。ＣｓからＣｓ２＋への二重イオン化（ｔ＝２）反応は、そして、２７．０５１３５ｅＶの正味の反応エンタルピーを持つ（式（３６）において、ｍ＝１としたものに等しい）。
Ｃｓ２＋＋２ｅ−→Ｃｓ（ｍ）＋２７．０５１３５ｅＶ （４１）
そして、全反応は、次の通りである。
そして、全反応は、次の通りである。
さらなる触媒システムは、カリウム金属を含む。カリウムの第１、第２、及び第３のイオン化エネルギーは、４．３４０６６ｅＶ、３１．６３ｅＶ、４５．８０６ｅＶである。ＫからＫ３＋への三重のイオン化（ｔ＝３）反応は、そして、８１．７７６７ｅＶの正味の反応エンタルピーを持つ（式（３６）において、ｍ＝３としたものに等しい）。
Ｋ３＋＋３ｅ−→Ｋ（ｍ）＋８１．７４２６ｅＶ （４４）
そして、全反応は、次の通りである。
そして、全反応は、次の通りである。
パワー源として、触媒作用の間に放たれるエネルギーは、触媒に持って行かれるエネルギーより非常に大きい。放出されるエネルギーは、従来の化学反応と比較して大きい。例えば、水を形成するために水素ガス及び酸素ガスが以下のような燃焼を経るとき、水の既知の生成エンタルピーは、水素原子につき１．４８ｅＶ、又は、ΔＨｆ＝−２８６ＫＪ／ｍｏｌｅ Ｈ、である。
Ｈ２（ｇ）＋１／２Ｏ２（ｇ）→Ｈ２Ｏ（ｌ） （４６）
対照的に、触媒作用を経る各通常の水素原子（ｎ＝１）は、正味４０．８ｅＶを放出する。更に、次のような触媒遷移が起こるかもしれない。
Ｈ２（ｇ）＋１／２Ｏ２（ｇ）→Ｈ２Ｏ（ｌ） （４６）
対照的に、触媒作用を経る各通常の水素原子（ｎ＝１）は、正味４０．８ｅＶを放出する。更に、次のような触媒遷移が起こるかもしれない。
一旦触媒作用が始まると、ハイドリノは、不均化と呼ばれるプロセスにおいて自動触媒化する。このメカニズムは、無機イオン触媒作用のそれと類似している。しかし、ハイドリノ触媒作用は、ｍ・２７．２ｅＶへのエンタルピーのより良いマッチングのために、無機イオン触媒のそれより高い反応速度を持つであろう。
本開示の水素化物イオンは、即ち約１３．６／ｎ２ｅＶの結合エネルギーを持つ水素原子である、ハイドリノと、電子源との反応によって形成され得る。ここで、ｎ＝１／ｐであり、ｐは１を超える整数である。ハイドリノ水素化物イオンは、Ｈ−（ｎ＝１／ｐ）又はｒＨ−（１／ｐ）で表される。
ハイドリノ水素化物イオンは、通常の水素核及び約０．８ｅＶの結合エネルギーを持つ２つの電子から成る通常の水素化物イオンとは区別される。後者は以下、「通常の水素化物イオン」または「正常な水素化物イオン」と称する。ハイドリノ水素化物イオンはプロテウム、ジュウテリウム（重水素）、トリチウム（三重水素）を含む水素核、及び式（４９〜５０）にしたがった結合エネルギー状態にある２つの区別できない電子から成る。
ハイドリノ水素化物イオンの結合エネルギーは、次のような式によって表すことができる。
ここで、ｐは１を超える整数であり、ｓ＝１／２、πはパイ、ｈ（エイチバー）は換算プランク定数、μｏは真空の透磁率、ｍｅは電子の質量、μｅは次式で与えられる換算電子の質量である。
ここで、ｍｐは陽子の質量、ａＨは水素原子の半径、ａｏはボーアの半径、そして、ｅは素電荷である。半径は、次の式のように与えられる。
ハイドリノ水素化物イオンＨ−（ｎ＝１／ｐ）の結合エネルギーは、ｐを整数として、ｐの関数で、表２に示される。
本開示によると、ｐ＝２から２３までの通常の水素化物イオン（約０．７５ｅＶ）の結合よりも大きく、ｐ＝２４の場合よりも小さい、式（４９−５０）による結合エネルギーを持つハイドリノ水素化物イオン（Ｈ−）が、提供される。式（４９−５０）のｐ＝２からｐ＝２４へに対して、水素化物イオンの結合エネルギーは、それぞれ、３、６．６、１１．２、１６．７、２２．８、２９．３、３６．１、４２．８、４９．４、５５．５、６１．０、６５．６、６９．２、７１．６、７２．４、７１．６、６８．８、６４．０、５６．８、４７．１、３４．７、１９．３、及び、０．６９ｅＶである。新規な水素化物イオンからなっている典型的な組成物も、またここに提供される。
１つ以上のハイドリノ水素化物イオン及び１つ以上の他の元素から成る化合物も例示しておく。このような化合物は「ハイドリノ水素化物化合物」と称する。
通常の水素種は、以下のような結合エネルギーによって特徴づけられる。
（ａ）水素化物イオン（「通常の水素化物イオン」）、０．７５４ｅＶ、
（ｂ）水素原子（「通常の水素原子」）、１３．６ｅＶ、
（ｃ）二原子水素分子、１５．３ｅＶ（「通常の水素分子」）、
（ｄ）水素分子イオン、１６．３ｅＶ（「通常の水素分子イオン」）、そして、
（ｅ）Ｈ３ ＋、２２．６ｅＶ（「通常の三水素分子イオン」）。
ここに、水素の形態に関して、「普通の」と「通常の」とは、同義である。
（ａ）水素化物イオン（「通常の水素化物イオン」）、０．７５４ｅＶ、
（ｂ）水素原子（「通常の水素原子」）、１３．６ｅＶ、
（ｃ）二原子水素分子、１５．３ｅＶ（「通常の水素分子」）、
（ｄ）水素分子イオン、１６．３ｅＶ（「通常の水素分子イオン」）、そして、
（ｅ）Ｈ３ ＋、２２．６ｅＶ（「通常の三水素分子イオン」）。
ここに、水素の形態に関して、「普通の」と「通常の」とは、同義である。
本開示の更なる実施例によれば、以下のような少なくとも１つの増加した結合エネルギー水素種を含む化合物が提供される。（ａ）ｐが２から１３７の整数であるときに、１３．６／（１／ｐ）２ｅＶの約０．９から１．１倍の範囲内のような、約１３．６／（１／ｐ）２ｅＶの結合エネルギーを持つ水素原子、（ｂ）ｐが２から２４の整数であるときに、
の結合エネルギーの約０．９から１．１倍の範囲内のような、
のような結合エネルギーを持つ水素化物イオン（Ｈ−）、（ｃ）Ｈ４ ＋（１／ｐ）、（ｄ）ｐが２から１３７の整数であるときに、２２．６／（１／ｐ）２ｅＶの約０．９から１．１倍の範囲内のような、約２２．６／（１／ｐ）２ｅＶの結合エネルギーを持つ三重ハイドリノ分子イオンＨ３ ＋（１／ｐ）、（ｅ）ｐが２から１３７の整数であるときに、１５．３／（１／ｐ）２ｅＶの約０．９から１．１倍の範囲内のような、約１５．３／（１／ｐ）２ｅＶの結合エネルギーを持つ二重ハイドリノ、そして、（ｆ）ｐが整数で、好ましくは２から１３７であるときに、６．３／（１／ｐ）２ｅＶの約０．９から１．１倍の範囲内のような、約１６．３／（１／ｐ）２ｅＶの結合エネルギーを持つ二重ハイドリノ。
本開示の更なる実施例によれば、以下のような少なくとも１つの増加した結合エネルギー水素種を含む化合物が提供される。（ａ）次のような全エネルギーをおよそもつ二重ハイドリノ分子イオンであって、
例えば、以下のエネルギーの約０．９倍から１．１倍の範囲内のものを持つ。
ここで、ｐは整数であり、ｈ（エイチバー）は換算プランク定数であり、ｍｅは電子の質量であり、ｃは真空中の光の速度であり、そして、μは換算原子核質量である。そして、（ｂ）以下のような全エネルギーを持つ二重ハイドリノであり、
以下のエネルギーの約０．９倍から１．１倍の範囲のようなものを持つものである。
ここで、ｐは整数であり、ａｏはボーアの半径である。
本開示の１つの実施例によると、化合物が負に荷電する増加した結合エネルギーを持つ水素種から成るところ、その化合物は、陽子、通常のＨ２ ＋又は通常のＨ３ ＋のような、１又はそれ以上の陽イオンを更に含む。
少なくとも１つのハイドリノ水素化物イオンを含む化合物を調製するために、方法はここに提供される。そのような化合物は、以下において、「ハイドリノ・ヒドリド化合物」と称される。その方法は、約（ｍ／２）・２７ｅＶの正味の反応エンタルピーを持っている触媒で、原子状水素に反応を起こさせるステップを含む。ここで、ｍは１を超える整数であるが、好ましくは４００未満の整数であり、約１３．６／（１／ｐ）２ｅＶの結合エネルギーを持つ増加した結合エネルギーを持つ水素原子を生成する。このとき、ｐは整数で、好ましくは２から１３７の整数である。触媒作用の更なる生産物は、エネルギーである。増加した結合エネルギー水素原子は、電子源と反応することができ、増加した結合エネルギーを持つ水素化物を生産する。増加した結合エネルギーを持つ水素化物イオンは、少なくとも１又はそれ以上の陽イオンと反応することができ、増加した結合エネルギーの水素化物イオンを含む化合物を生産する。
物質の新規な水素組成物は以下から成ることが可能である。
（ａ）結合エネルギーを有する少なくとも１つの中性、陽性または陰性の水素種（以下、「結合エネルギー増大水素種」とする）
この結合エネルギーは、
（ｉ）対応する通常の水素種の結合エネルギーより大きいか、または、
（ｉｉ）通常の水素種の結合エネルギーは周囲条件（標準温度及び圧力、ＳＴＰ）での熱エネルギーより低いことから、対応する通常の水素種は不安定であるか、確認できないか、あるいは陰性である、任意の水素種の結合エネルギーより大きい；及び、
（ｂ）少なくとも１つの他の元素。
以下、本開示の化合物は「結合エネルギー増大水素化合物」とする。
（ａ）結合エネルギーを有する少なくとも１つの中性、陽性または陰性の水素種（以下、「結合エネルギー増大水素種」とする）
この結合エネルギーは、
（ｉ）対応する通常の水素種の結合エネルギーより大きいか、または、
（ｉｉ）通常の水素種の結合エネルギーは周囲条件（標準温度及び圧力、ＳＴＰ）での熱エネルギーより低いことから、対応する通常の水素種は不安定であるか、確認できないか、あるいは陰性である、任意の水素種の結合エネルギーより大きい；及び、
（ｂ）少なくとも１つの他の元素。
以下、本開示の化合物は「結合エネルギー増大水素化合物」とする。
この文脈の「他の元素」は結合エネルギー増大水素種以外の元素を意味する。したがって、他の元素は通常の水素種または水素以外の任意の元素となり得る。化合物の１つの群では、他の元素及び結合エネルギー増大水素種は中性である。化合物の別の群では、他の元素及び結合エネルギー増大水素種は、他の元素が均衡な電荷を提供して中性の化合物を形成するように帯電している。化合物の前者の群は分子結合及び配位結合が特徴であり、後者の群はイオン結合が特徴である。
また、提供する新規な化合物及び分子イオンは以下から成る。
（ａ）総エネルギーを有する少なくとも１つの中性、陽性または陰性の水素種（以下、「結合エネルギー増大水素種」とする）、
この総エネルギーは、
（ｉ）対応する通常の水素種の総エネルギーより大きいか、または、
（ｉｉ）通常の水素種の総エネルギーは周囲条件での熱エネルギーより低いことから、対応する通常の水素種は不安定であるか、確認できないか、あるいは陰性である任意の水素種の総エネルギーより大きい；及び、
（ｂ）少なくとも１つの他の元素。
水素種の総エネルギーは、水素種から全ての電子を除去するエネルギーの合計である。本開示にしたがった水素種の総エネルギーは、対応する通常の水素種の総エネルギーより大きい。増大総エネルギーを有する水素種のいくつかの実施態様が、対応する通常の水素種の第一電子結合エネルギーより小さい第一電子結合エネルギーを持っていたとしても、本開示に記載の総エネルギーが増加した水素種も「結合エネルギー増大水素種」とする。例えば、Ｐ＝２４での式（４９〜５０）の水素化物イオンは、通常の水素化物イオンの第一の結合エネルギーより小さい第一結合エネルギーを有し、一方、Ｐ＝２４での式（４９〜５０）の水素化物イオンの総エネルギーは、対応する通常の水素化物イオンの総エネルギーよりもかなり大きい。
（ａ）総エネルギーを有する少なくとも１つの中性、陽性または陰性の水素種（以下、「結合エネルギー増大水素種」とする）、
この総エネルギーは、
（ｉ）対応する通常の水素種の総エネルギーより大きいか、または、
（ｉｉ）通常の水素種の総エネルギーは周囲条件での熱エネルギーより低いことから、対応する通常の水素種は不安定であるか、確認できないか、あるいは陰性である任意の水素種の総エネルギーより大きい；及び、
（ｂ）少なくとも１つの他の元素。
水素種の総エネルギーは、水素種から全ての電子を除去するエネルギーの合計である。本開示にしたがった水素種の総エネルギーは、対応する通常の水素種の総エネルギーより大きい。増大総エネルギーを有する水素種のいくつかの実施態様が、対応する通常の水素種の第一電子結合エネルギーより小さい第一電子結合エネルギーを持っていたとしても、本開示に記載の総エネルギーが増加した水素種も「結合エネルギー増大水素種」とする。例えば、Ｐ＝２４での式（４９〜５０）の水素化物イオンは、通常の水素化物イオンの第一の結合エネルギーより小さい第一結合エネルギーを有し、一方、Ｐ＝２４での式（４９〜５０）の水素化物イオンの総エネルギーは、対応する通常の水素化物イオンの総エネルギーよりもかなり大きい。
また、本明細書で提供する新規な化合物及び分子イオンは以下から成る。
（ａ）結合エネルギーを有する複数の中性、陽性または陰性の水素種（以下、「結合エネルギー増大水素種」とする）、
この総エネルギーは、
（ｉ）対応する通常の水素種の結合エネルギーより大きいか、または、
（ｉｉ）通常の水素種の結合エネルギーは周囲条件での熱エネルギーより低いことから、対応する通常の水素種は不安定であるか、確認できないか、あるいは陰性である任意の水素種の結合エネルギーより大きい；及び、
（ｂ）場合により１つの他の元素。
以下、本開示の化合物は「結合エネルギー増大水素化合物」と称する。
（ａ）結合エネルギーを有する複数の中性、陽性または陰性の水素種（以下、「結合エネルギー増大水素種」とする）、
この総エネルギーは、
（ｉ）対応する通常の水素種の結合エネルギーより大きいか、または、
（ｉｉ）通常の水素種の結合エネルギーは周囲条件での熱エネルギーより低いことから、対応する通常の水素種は不安定であるか、確認できないか、あるいは陰性である任意の水素種の結合エネルギーより大きい；及び、
（ｂ）場合により１つの他の元素。
以下、本開示の化合物は「結合エネルギー増大水素化合物」と称する。
結合エネルギー増大水素種は１つ以上のハイドリノ原子を、電子、ハイドリノ原子、前記結合エネルギー増大水素種の少なくとも１つを含む化合物、及び少なくとも１つの他の原子、分子、または結合エネルギー増大水素種以外のイオンのうちの１つ以上と反応させることで形成することが可能である。
また、提供する新規な化合物及び分子イオンは以下から成る。
（ａ）総エネルギーを有する複数の中性、陽性または陰性の水素種（以下、「結合エネルギー増大水素種」とする）、
この総エネルギーは、
（ｉ）通常の分子水素の総エネルギーより大きいか、または、
（ｉｉ）通常の水素種の総エネルギーが周囲条件での熱エネルギーより低いことから、対応する通常の水素種は不安定であるか、確認できないか、あるいは陰性である任意の水素種の総エネルギーより大きい；及び、
（ｂ）場合により１つの他の元素。
以下、本開示の化合物は「結合エネルギー増大水素化合物」と称する。
（ａ）総エネルギーを有する複数の中性、陽性または陰性の水素種（以下、「結合エネルギー増大水素種」とする）、
この総エネルギーは、
（ｉ）通常の分子水素の総エネルギーより大きいか、または、
（ｉｉ）通常の水素種の総エネルギーが周囲条件での熱エネルギーより低いことから、対応する通常の水素種は不安定であるか、確認できないか、あるいは陰性である任意の水素種の総エネルギーより大きい；及び、
（ｂ）場合により１つの他の元素。
以下、本開示の化合物は「結合エネルギー増大水素化合物」と称する。
ある実施態様では、提供される化合物は、（ａ）Ｐ＝２〜２３で通常の水素化物イオンの結合より大きく（約０．８ｅＶ）、Ｐ＝２４ではそれよりも小さい式（４９〜５０）にしたがって結合エネルギーを有する水素化物イオン（「結合エネルギー増大水素化物イオン」または「ハイドリノ水素化物イオン」）；（ｂ）通常の水素原子の結合エネルギーより大きい結合エネルギー（約１３．６ｅＶ）を有する水素原子（「結合エネルギー増大水素原子」または「ハイドリノ」）；（ｃ）約１５．３ｅＶより大きい第一結合エネルギーを有する水素分子（「結合エネルギー増大水素分子」または「ハイドリノ」）；（ｄ）約１６．３ｅＶより大きい結合エネルギーを有する分子水素イオン（「結合エネルギー増大分子水素イオン」または「ハイドリノ分子イオン」）から選択される少なくとも１つの結合エネルギー増大水素種から成る。
ＩＩ．動力炉及び動力システム
本開示の別の実施態様にしたがって、エネルギー及び低エネルギー水素種を生成する水素触媒反応器を提供する。図１に示すように、水素触媒反応器７０は、エネルギー反応混合物７４、熱交換器８０、ならびに蒸気発生器８２及びタービン９０などの動力変換器を含む槽７２から成る。実施態様では、触媒作用は源物質７６からの原子水素と触媒７８とを反応させ、低エネルギー水素「ハイドリノ」を形成し、動力を生成することを含む。水素と触媒から成る反応混合物が反応し、低エネルギー水素が形成される場合、熱交換器８０は触媒反応により放出された熱を吸収する。熱交換器は、蒸気発生器８２と熱を交換する。蒸気発生器８２は交換器８０から熱を吸収し、蒸気を生成する。さらに、エネルギー反応器７０は、蒸気発生器８２からの蒸気を受け取って蒸気エネルギーを電気エネルギーに変換する発電機１００へ機械動力を提供するタービン９０から成り、このエネルギーは労働力を生成するか、あるいは消失させるために負荷受容器１１０が受け取ることが可能である。
本開示の別の実施態様にしたがって、エネルギー及び低エネルギー水素種を生成する水素触媒反応器を提供する。図１に示すように、水素触媒反応器７０は、エネルギー反応混合物７４、熱交換器８０、ならびに蒸気発生器８２及びタービン９０などの動力変換器を含む槽７２から成る。実施態様では、触媒作用は源物質７６からの原子水素と触媒７８とを反応させ、低エネルギー水素「ハイドリノ」を形成し、動力を生成することを含む。水素と触媒から成る反応混合物が反応し、低エネルギー水素が形成される場合、熱交換器８０は触媒反応により放出された熱を吸収する。熱交換器は、蒸気発生器８２と熱を交換する。蒸気発生器８２は交換器８０から熱を吸収し、蒸気を生成する。さらに、エネルギー反応器７０は、蒸気発生器８２からの蒸気を受け取って蒸気エネルギーを電気エネルギーに変換する発電機１００へ機械動力を提供するタービン９０から成り、このエネルギーは労働力を生成するか、あるいは消失させるために負荷受容器１１０が受け取ることが可能である。
実施態様では、エネルギー反応混合物７４は、供給路６２を経由して供給される燃料などのエネルギー放出材料７６から成る。反応混合物は、水素同位体原子源、分子水素同位体源、及び触媒７８の源物質から成り、約ｍ・２７．２ｅＶを共鳴的に減じ、ｍが整数であり、その整数が好ましくは４００未満である低エネルギー原子水素を形成する。ここでは水素が触媒と接触することで、水素の低エネルギー状態への反応が起こる。触媒は溶解状態、液体、気体または固体状態であってよい。触媒は熱などの形態でエネルギーを放出し、低エネルギー水素同位体原子、低エネルギー水素分子、水素化物イオン及び低エネルギー水素化合物のうち少なくとも１つを形成する。したがって、動力セルもまた、低エネルギー水素化学反応器を含む。
水素源は水素ガス、熱解離などの水解離物、水の電気分解物、水素化物由来水素または金属水素溶液由来水素であり得る。別の実施態様では、エネルギー放出材料７６の分子水素は、混合物７４の分子水素解離触媒により原子水素へと解離する。このような解離触媒または解離体は水素、ジュウテリウムまたはトリチウム原子及び／または分子も吸収し、例えば、パラジウム及びプラチナなどの貴金属の元素、化合物、合金または混合物、モリブデン及びタングステンなどの耐火金属、ニッケル及びチタニウムなどの遷移金属、ならびにニオブ及びジルコニウムなどの内部遷移金属が挙げられる。好ましくは、解離体はＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、ＲｅもしくはＲｈなどの貴金属、またはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２上のＮｉ、あるいはこれらの組み合わせといった高表面積を有する。
ある実施態様では、ｔ電子のイオン化エネルギーの総数が約ｍ・２７．２ｅＶで、ｔ及びｍが各々整数であるように、ｔ電子を原子またはイオンから連続エネルギーレベルへとイオン化させることで触媒が提供される。触媒は、関与したイオン間をｔ電子が移動することでも提供され得る。ｔ電子が１つのイオンから別のイオンへと移動することで反応の正味エンタルピーが提供され、このことにより、電子受容イオンのｔ電子のイオン化エネルギー分が差し引かれた電子供与イオンのｔイオン化エネルギーの合計は約ｍ・２７．２ｅＶに等しくなり、ここではｔ及びｍは各々整数である。別の実施態様では、触媒は、水素に結合した原子Ｍを有するＮａＨなどのＭＨから成り、Ｍ−Ｈ結合エネルギー及びｔ電子のイオン化エネルギーを合算し、ｍ・２７．２ｅＶのエンタルピーが算出される。
実施例において、触媒の源は、およそ（ｍ／２）・２７ｅＶにプラス・マイナス１ｅＶの正味のエンタルピーを典型的に提供する、触媒供給通路６１を通して供給される触媒材料７８からなる。触媒は、原子状水素及びハイドリノからエネルギーを受取るハイドリノ、分子、イオン、及び、原子を含む。実施例において、触媒は、ＡｌＨ、ＢｉＨ、ＣｌＨ、ＣｏＨ、ＧｅＨ、ＩｎＨ、ＮａＨ、ＲｕＨ、ＳｂＨ、ＳｅＨ、ＳｉＨ、ＳｎＨ、Ｃ２、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ２、ＮＯ２、及びＣＯ３の分子から、そして、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｋｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｋｒ、２Ｋ＋、Ｈｅ＋、Ｔｉ２＋、Ｎａ＋、Ｒｂ＋、Ｓｒ＋、Ｆｅ＋、Ｍｏ２＋、Ｍｏ４＋、Ｉｎ３＋、Ｈｅ＋、Ａｒ＋、Ｘｅ＋、Ａｒ２＋及びＨ＋、さらにＮｅ＋及びＨ＋の原子又はイオンから選択される、少なくとも１つの種を含んでよい。
動力系の実施態様では、熱交換媒体を有する熱交換器により熱が除去される。熱交換器は水冷壁で、媒体は水でよい。空間及び工程熱処理のために熱を直接移動させてよい。あるいは、水などの熱交換媒体は蒸気への変換といった相変化を受ける。この変換は蒸気発生器内でなされてもよい。蒸気は、蒸気タービン及び発生器などの加熱エンジン内で電気を発生させるために使用してもよい。
本開示にしたがった燃料を再利用または再生するための水素触媒エネルギー及び低エネルギー水素種生成反応器５の実施態様は、図２に示してあり、水素源、触媒源、場合により蒸発させる溶媒の混合物である燃料反応混合物１１を含むボイラー１０、水素源１２、蒸気パイプ及び蒸気発生器１３、タービン１４などの動力変換器、ウォーターコンデンサー１６、水形成源１７、燃料再利用器１８、ならびに水素−ジハイドリノガス分離器１９から成る。工程１では、触媒源、水素源を含む多相から成る気体、液体、固体または不均一系混合物などの燃料が反応し、ハイドリノ及び低エネルギー水素生成物を形成する。工程２では、使用済み燃料を再処理し、火力発電を維持するため、ボイラー１０へ再供給する。ボイラー１０で発生させた熱はパイプ及び蒸気発生器１３内で蒸気を形成し、該蒸気はタービン１４へ移し、発生器に電力を供給することで順次に電気を生成する。工程３では、ウォーターコンデンサー１６により水を濃縮する。熱から電力への変換を維持するサイクルを完了するため、水源１７により水が消失する場合がある。工程４では、ハイドリノ水素化物化合物及びハイドリノガスなどの低エネルギー水素生成物を除去し、反応しなかった水素を燃料再利用器１８に戻すか、あるいは水素源１２を使用済み燃料に戻し、再利用燃料を形成する。ガス生成物及び反応しなかった水素を水素−ジハイドリノガス分離器１９で分離してよい。生成物ハイドリノ水素化物化合物を燃料再利用器１８で分離し、除去してもよい。処理は戻された燃料を使用し、ボイラー内か、またはボイラー外で行ってもよい。したがって、システムはさらに、使用済み燃料の除去、再生及び再供給を行うため反応物や生成物を移動させる気体及び固体輸送体の少なくとも１つを含んでもよい。ハイドリノの形成で使用された分を補給する水素を、燃料処理中、源物質１２から添加しする。この水素には再利用水素、未使用水素が含まれてもよい。再利用燃料は動力装置を稼動し、電気を発生させる火力発電を維持する。
反応物分解が最低にならないように、水素添加ならびに分離及び添加または置換して、連続モードで反応器を稼動してよい。あるいは反応した燃料を生成物から連続的に再生する。後者のスキームの１つの実施態様では、反応混合物は、原子または分子触媒の反応物を生成し得る種、さらに反応してハイドリノを形成する原子水素から成り、触媒及び原子水素の生成により形成された生成物種は、少なくとも生成物を水素と反応させる工程により再生することが可能である。ある実施態様では、反応器は流動化反応器部分をさらに含む可能性がある移動床反応器から成り、ここでは反応物を連続的に供給し、副産物を除去し、再生し、反応器にもどす。ある実施態様では、反応物が再生されるにつれてハイドリノ水素化物化合物またはジハイドリノ分子などの低エネルギー水素生成物が回収される。さらに、ハイドリノ水素化物イオンは他の化合物に形成するか、あるいは反応物の再生中、ジハイドリノ分子へと変換してもよい。
反応器はさらに、溶媒を蒸発させるなどして生成物混合体の成分を分離する分離器が存在するのであれば、それを含んでよい。分離器は例えば、大きさなどの物理的特性の違いにより機械的に分離する篩から成る。分離器はサイクロン分離器など、混合物の成分の密度の違いを利用する分離器であってもよい。例えば、炭素、Ｅｕなどの金属、ＫＢｒなどの無機生成物から選択される群の少なくとも２つは、強制的に不活化したガスなどの好適な媒体中で、遠心力により密度の違いに基づいて分離することが可能である。成分の分離は誘電率や帯電性の違いに基づいてもよい。例えば炭素は、電界により混合物から除去し、帯電の前者への応用に基づいて金属から分離し得る。混合物の１つ以上の成分が磁性である場合、磁石を使用して分離を実行する場合もある。一続きの強磁石のみ、または１つ以上の篩と組み合わせて混合物を攪拌し、磁性粒子の磁石への強い吸着性または引力、及び粒子を２つに分類するサイズ差の少なくとも１つに基づいて分離を行うことも可能である。篩及び付与された磁界を使用した実施態様では、後者は重力に付加的な力を加え、篩を通り抜けた小さい磁性粒子を得る。このとき混合物の他の粒子はサイズが大きいために篩に残る。
反応器は差動位相変化または反応に基づいて１つ以上の成分を分離する分離器をさらに含んでもよい。ある実施態様では、相変化は熱を使用した溶融を含み、液体は重力ろ過、加圧ガスで補助したろ過、遠心分離及び真空処理などの当技術分野で公知の方法で固体から分離する。反応は水素化物分解などの分解または水素化物を形成する反応を含み、分離はそれぞれ、対応する金属を溶融し、その後分離し、水素化物粉末を機械的に分離して行ってもよい。後者は篩により実行し得る。ある実施態様では、相変化または反応は所望の反応物または中間体を生成する場合もある。特定の実施態様では、任意の所望の分離工程を含む再生は反応器の内外で生じる場合がある。
当業者に公知の他の方法は、日常的に行われている実験を応用して本開示の分離に利用することが可能である。概して、機械的分離は４つの群、沈降、遠心分離、ろ過及び篩分けに分類できる。１つの実施態様では、粒子の分離は篩分け及び分類器の使用の少なくとも１つにより達成される。生成物を望ましく分離するために、粒子のサイズ及び形状は出発物質で選択してよい。
動力系はさらに、表面の温度を反応セルの温度より低く制御する温度制御装置により触媒蒸気圧を維持する触媒濃縮器を含んでもよい。表面温度は触媒の蒸気圧を望ましいものにする所望の温度に維持する。ある実施態様では、触媒濃縮器はセル内管格子である。熱交換器が存在する実施態様では、熱移動媒体の流速は、主要な熱交換器より低い所望の温度で濃縮器を維持する速度に調節してもよい。ある実施態様では、作動媒体は水であり、濃縮器が所望の低温度になるように濃縮器での流速は水冷壁より速くなっている。空間及び工程熱処理または蒸気への変換のために、作動媒体の分かれた流路は再結合して移動してもよい。
本開示のセルは本明細書で開示された触媒、反応混合物、方法及びシステムから成り、ここでは特定のセルは、反応を活性化、開始、伝播及び／または維持する反応器及び少なくとも１つの部材として作用し、反応物を再生する。本開示にしたがえば、セルは少なくとも１種の触媒または触媒源、少なくとも１種の原子水素源及び槽から成る。その操作用セル及びシステムは当業者に公知である。本開示の共晶塩電気分解セル、プラズマ電気分解反応器、障壁電極反応器、ＲＦプラズマ反応器、加圧ガスエネルギー反応器、ガス放電エネルギー反応器、好ましくはパルス放電、より好ましくはパルスピンチプラズマ放電、マイクロ波セルエネルギー反応器、ならびにグロー放電セルとマイクロ波及び／またはＲＦプラズマ反応器の組み合わせなどの電気分解セルエネルギー反応器は、水素源；反応物間の反応によるハイドリノ反応を生じさせるこれらの状態のいずれかにある固体状、溶解状、液状、気体状、及び不均一系の触媒源または反応物の１つ；少なくとも水素及び触媒を含み、水素と触媒とを接触させるか、あるいはＭＨ触媒を反応させることで低エネルギー水素を形成する反応が起こる槽、反応物；場合により、低エネルギー水素生成物を除去するための成分から成る。ある実施態様では、低エネルギー状態水素を形成する反応は酸化反応により促進される。酸化反応は触媒から電子を受け取ること、及び原子水素からのエネルギーの受容により形成される高電荷陽子を中性化することのうち少なくとも１つによって、ハイドリノ形成反応速度を高める場合がある。したがって、これらのセルは、このような酸化反応を起こす方式で操作してよい。ある実施態様では、電気分解またはプラズマセルは、陽極で酸化反応を起こす場合があり、ここでは散布などの方法により提供された水素及び触媒が反応し、関連する酸化反応を介してハイドリノを形成する。
液体燃料の実施態様では、セルの動力に対して、燃料を再生する動力に関連して溶媒分解率がごくわずかである温度でセルを操作する。その場合の温度は、蒸気サイクルを使用するなどの従来の方法で動力変換の効率が十分になり、低沸点作動媒体を使用できる温度より低い温度である。別の実施態様では、作動媒体の温度は熱ポンプを使用して上昇させてもよい。したがって、空間及び工程熱処理は周囲条件以上の温度で操作する動力セルを使用して行われ、作動媒体は熱ポンプなどの部材により温度が上昇する。温度が十分に上昇すると、液相から気相へと転移が起こり、気体は圧力体積（ＰＶ）の操作に使用でき得る。ＰＶ操作は発生器に動力供給し、電気を生成することを含む。その後、媒体を濃縮し、濃縮した作動媒体を反応器セルに戻し、再加熱し、動力ループで再循環させてよい。
反応器の実施態様では、液相及び固相を含む不均一系触媒混合物は反応器を経て流れる。その流れはポンプ作用により達成され得る。混合物はスラリーであってよい。混合物は熱領域で加熱され、それにより水素のハイドリノへの触媒作用が、熱領域を維持するため熱を放出する。生成物は熱領域から流れ、反応混合物は生成物から再生され得る。別の実施態様では、不均一系混合物の少なくとも１種の固体は重力送りにより反応器へと流れる場合もある。溶媒は、１種以上の固体を、別々に、あるいは組み合わせて反応器へと流してよい。反応混合物は、解離体、高表面積（ＨＳＡ）材料、Ｒ−Ｎｉ、Ｎｉ、ＮａＨ、Ｎａ、ＮａＯＨ及び溶媒の群の少なくとも１つを含んでよい。
ある実施態様では、１種以上の反応物、好ましくはハロゲン源、ハロゲンガス、酸素源または溶媒を他の反応物の混合体に注入する。注入は、ハイドリノ形成反応からの過剰なエネルギー及び動力を最適化するために制御する。注入のセル温度及び注入速度は最適化するために制御できる。他の工程のパラメーター及び混合を制御し、プロセス工学の当業者に公知の方法によりさらに最適化する。
動力変換では、各セル型は熱エネルギーまたはプラズマを機械動力または電気動力にする公知の任意の変換器とつなげてもよく、例えば熱エンジン、蒸気またはガスタービンシステム、スターリングエンジンまたは熱電子もしくは熱電変換器が挙げられる。さらに、プラズマ変換器は磁気鏡電磁流体動力変換器、プラズマ力学的動力変換器、ジャイロトロン、光子集積マイクロ波動力変換器、電荷ドリフト動力または光電子変換器を含む。ある実施態様では、セルは内部燃焼エンジンの少なくとも１つのシリンダーから成る。
ＩＩＩ．水素ガスセル及び固体、液体及び不均一系燃料反応器
本開示の実施態様にしたがって、ハイドリノと動力を生成する反応器は反応器セルの形態をとる。本開示の反応器は図３に示す。反応物のハイドリノは触媒との触媒反応により提供される。触媒作用は気相で、または固体状態もしくは液体状態で起こる。
本開示の実施態様にしたがって、ハイドリノと動力を生成する反応器は反応器セルの形態をとる。本開示の反応器は図３に示す。反応物のハイドリノは触媒との触媒反応により提供される。触媒作用は気相で、または固体状態もしくは液体状態で起こる。
図３の反応器は、真空または大気より高い圧力になることが可能なチャンバー２００を有する反応槽２０７から成る。チャンバー２００と連通する水素源２２１は、水素供給路２４２を経由して水素をチャンバーに送達する。制御装置２２２を設置し、水素供給路２４２経由を経由して水素が槽へ流れる圧力及び流量を制御する。圧力センサー２２３は槽内の圧力を監視する。真空ポンプ２５６は、真空ライン２５７を経てチャンバーを空にするために使用する。
ある実施態様では、触媒作用はガス相で起こる。触媒はセルの温度を高温に維持することでガス状にできる。この温度は触媒の蒸気圧を順に決定する。原子及び／または分子水素反応物も、任意の圧力範囲での所望の圧力で維持される。ある実施態様では、圧力は大気より低く、約１．３３Ｐａから約１３，３００Ｐａの範囲が好ましい。別の実施態様では、所望の操作温度で維持されるセル中で金属源などの触媒源と金属水素化物などの対応する水素化物との混合物を維持することで圧力が決定する。
ハイドリノ原子を生成するのに適した触媒源２５０を触媒容器２９５に入れ、加熱して気体状触媒を形成することが可能である。気体状触媒を触媒容器２９５から反応チャンバー２００に通すため、反応槽２０７は触媒供給路２４１を有する。あるいは、反応槽の内側にある舟形容器などの化学耐性開口容器に触媒を入れてもよい。
水素源は水素ガスや分子状水素とすることが可能である。分子状水素解離触媒で水素を原子水素に解離することもできる。このような解離触媒または解離体には例えばラネーニッケル（Ｒ−Ｎｉ）、試金石または貴金属、及び支持体上の試金石または貴金属が挙げられる。試金石または貴金属はＰｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ及びＲｈで、支持体はＴｉ、Ｎｂ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びこれらの組み合わせのうち少なくとも１つであってよい。さらに、解離体は炭素上のＰｔまたはＰｄであり、これは水素過剰触媒、ニッケルファイバーマット、Ｐｄシート、Ｔｉスポンジ、ＴｉまたはＮｉスポンジまたはマット上に電気めっきしたＰｔまたはＰｄ、ＴｉＨ、Ｐｔブラック及びＰｄブラック、モリブデン及びタングステンなどの耐火金属、ニッケル及びチタニウムなどの遷移金属、ニオブ及びジルコニウムなどの内部遷移金属、ならびに当業者に公知の他の同様な材料を含んでいてもよい。ある実施態様では、水素はＰｔまたはＰｄ上で解離する。チタニウムまたはＡｌ２Ｏ３などの支持体金属にＰｔまたはＰｄを被覆してもよい。別の実施態様では、解離体はタングステンまたはモリブデンなどの耐火金属であり、解離材料は温度調節部材２３０で高温に維持可能であり、この部材は図３の横断面図に示すとおり加熱コイルの形態をとる場合がある。加熱コイルは動力供給２２５から動力供給される。好ましくは、解離材料はセルの操作温度で維持する。解離をより効果的に行うために、さらに解離体の温度をセル温度以上に操作してもよい。温度が上昇すると、触媒が解離体上で濃縮するのを防ぐことができる。供給体２８５に動力供給される２８０などの熱フィラメントにより水素解離体も提供することが可能である。
ある実施態様では、解離した水素原子が気体状触媒と接触してハイドリノ原子を生成するように水素解離が起こる。動力供給体２７２に動力供給される触媒容器ヒーター２９８を有する触媒容器２９５の温度を制御し、触媒蒸気圧を所望の圧力で維持する。触媒を反応器内の舟形容器に入れる場合、触媒の舟形容器の温度を調節し、舟形容器の動力供給を調整することで、触媒蒸気圧が所望の値で維持される。セル温度は、動力供給２２５に動力供給される過熱コイル２３０によって所望の操作温度で制御可能である。セル（浸透セルと称する）はさらに内部反応チャンバー２００及び外部水素容器２９０から成り、ここでは２つのチャンバーを隔てる壁２９１を介した水素の拡散により、水素がセルへ供給されるようになっている。壁の温度は拡散速度を調節するヒーターで調節してもよい。さらに、水素容器内の水素圧を調節して拡散速度を調節してもよい。
触媒の圧力を所望の値で維持するために、水素源として浸透性を有するセルを密閉してもよい。あるいは、反応ガス混合物と接触するバルブが所望の温度で維持されるように、セルにはさらに高温バルブを入り口または出口にそれぞれ備える。さらにセルは低エネルギー水素種及び／または結合エネルギー増加水素化合物を選択的に回収するゲッターまたはトラップ２５５を含み、ジハイドリノガス生成物を放出するための選択的バルブ２０６をさらに含んでもよい。
ある実施態様では、固体燃料または不均一系触媒燃料混合物２６０などの反応物は、ヒーター２３０で熱することにより槽２００内で反応する。好ましくは反応速度の速い１種以上の発熱性反応物といった反応物をさらに添加し、調節バルブ２３２及び連結部２３３を経由してセル２００に流入させてもよい。添加する反応物はハロゲン源、ハロゲン、酸素源または溶媒でよい。反応物２６０は、添加した反応物と反応する種を含むこともあり得る。ハロゲンを添加し、反応物２６０でハロゲン化物を形成するか、あるいは、酸素源を反応物２６０に添加し、例えば酸化物を形成してもよい。
触媒は原子リチウム、カリウムまたはセシウム、ＮａＨ分子、２Ｈ及びハイドリノ原子の群のうち少なくとも１つであり、触媒作用は不均化反応を含む。リチウム触媒は約５００〜１０００℃の範囲でセル温度を維持することで気体状になる。セルは約５００〜７５０℃の範囲で維持されることが好ましい。セル圧は大気より低く維持し、約１．３３Ｐａから約１３，３００Ｐａの範囲であることが好ましい。所望の操作温度が維持されているセル内で触媒金属、ならびにリチウムとリチウム水素化物、カリウムとカリウム水素化物、ナトリウムとナトリウム水素化物、及びセシウムとセシウム水素化物などの対応する水素化物の混合物を維持することによって、触媒及び水素圧の少なくとも１つが決定されることが最も好ましい。気相中の触媒は金属由来リチウム原子またはリチウム金属源を含んでいてよい。約５００〜１０００℃の操作温度範囲でリチウム金属及びリチウム水素化物の混合物で決定した圧力でリチウム触媒を維持することが好ましく、約５００〜７５０℃の操作温度範囲にあるセルでの圧力が最も好ましい。他の実施態様では、Ｋ、Ｃｓ及びＮａはＬｉと置き換え、触媒は原子Ｋ、原子Ｃｓ及び分子ＮａＨである。
触媒容器または舟形容器から成る気体セル反応器の実施態様では、気体状Ｎａ、ＮａＨ触媒、またはＬｉ、Ｋ及びＣｓ蒸気などの気体状触媒は、セル蒸気源である容器または舟形容器中の蒸気と比較して過剰に過熱した状態でセル内で維持する。１つの実施態様では、以下に開示された水素解離体、または金属及び金属水素化物分子の少なくとも１つの解離体上で、過剰過熱蒸気は触媒の濃縮を抑制する。容器または舟形容器からの触媒としてのＬｉを含む実施態様では、容器または舟形容器はＬｉが気化する温度で維持する。Ｈ２は、容器温度でＬｉＨのモル分率を増加させる圧力より低い圧力で維持し得る。この条件を可能にする圧力及び温度は、当技術分野で公知である所与の等温線におけるＨ２圧対ＬｉＨモル分率のデータプロットから決定することが可能である。ある実施態様では、Ｌｉが壁または解離体上で濃縮しないように解離体を含むセル反応チャンバーを高温で操作する。Ｈ２は容器からセルへと流動し、触媒輸送速度を高める。触媒容器からセルへ、その後セルから流出するような流動は、ハイドリノ生成物を除去し、反応のハイドリノ生成物阻害を防ぐ１つの方法である。他の実施態様では、Ｋ、Ｃｓ及びＮａはＬｉと置き換え、触媒は原子Ｋ、原子Ｃｓ及び分子ＮａＨである。
水素は水素源からの反応に供給する。例えば水素は、水素容器から浸透して供給される。水素容器の圧力は約１，３３０Ｐａ〜約１,３３０，０００Ｐａであり、約１３，３００Ｐａ〜約１３３，０００Ｐａが好ましく、大気圧程度の範囲が最も好ましい。セルは約１００℃〜３０００℃の温度、好ましくは約１００℃〜１５００℃の温度、最も好ましくは約５００℃〜８００℃の温度で操作する。
水素源は、添加した水素化物を分解して得てもよい。浸透によりＨ２を提供するセルの設計は、密閉した槽内に入れた内部金属水素化物を含み、原子Ｈが高温で外部に浸透する設計である。槽はＰｄ、Ｎｉ、ＴｉまたはＮｂを含んでもよい。ある実施態様では、水素化物を含むＮｂ管などの密閉管に水素化物を入れ、Ｓｗａｇｅｌｏｃｋなどのシール材で両端を密閉する。密閉する場合、水素化物はアルカリまたはアルカリ土類水素化物である。あるいは、内部水素化物試薬の場合だけでなく、この場合でも、水素化物は、塩類水素化物、チタニウム水素化物、バナジウム、ニオブ及びタンタル水素化物、ジルコニウム及びハフニウム水素化物、レアアース水素化物、イットリウム及びスカンジウム水素化物、遷移元素水素化物、金属間水素化物及びそれらの合金の群の少なくとも１つとすることが可能である。
ある実施態様では、水素化物、及び各水素化物分解温度に基づいた±２００℃の操作温度は以下のリストのうち少なくとも１つから選択される。
レアアース水素化物は約８００℃の操作温度；ランタン水素化物は約７００℃の操作温度；ガドリニウム水素化物は約７５０℃の操作温度；ネオジム水素化物は約７５０℃の操作温度；イットリウム水素化物は約８００℃の操作温度；スカンジウム水素化物は約８００℃の操作温度；イッテルビウム水素化物は約８５０〜９００℃の操作温度；チタニウム水素化物は約４５０℃の操作温度；セリウム水素化物は約９５０℃の操作温度；プラセオジム水素化物は約７００℃の操作温度；ジルコニウム−チタニウム（５０％／５０％）水素化物は約６００℃の操作温度；Ｒｂ／ＲｂＨまたはＫ／ＫＨなどのアルカリ金属／アルカリ金属水素化物混合物は約４５０℃の操作温度；及びＢａ／ＢａＨ２などのアルカリ土類金属／アルカリ土類水素化物混合物は約９００〜１０００℃の操作温度。
レアアース水素化物は約８００℃の操作温度；ランタン水素化物は約７００℃の操作温度；ガドリニウム水素化物は約７５０℃の操作温度；ネオジム水素化物は約７５０℃の操作温度；イットリウム水素化物は約８００℃の操作温度；スカンジウム水素化物は約８００℃の操作温度；イッテルビウム水素化物は約８５０〜９００℃の操作温度；チタニウム水素化物は約４５０℃の操作温度；セリウム水素化物は約９５０℃の操作温度；プラセオジム水素化物は約７００℃の操作温度；ジルコニウム−チタニウム（５０％／５０％）水素化物は約６００℃の操作温度；Ｒｂ／ＲｂＨまたはＫ／ＫＨなどのアルカリ金属／アルカリ金属水素化物混合物は約４５０℃の操作温度；及びＢａ／ＢａＨ２などのアルカリ土類金属／アルカリ土類水素化物混合物は約９００〜１０００℃の操作温度。
気体状の金属は二原子共有結合分子を含むことが可能である。本開示の目的はＬｉならびにＫ及びＣｓなどの原子触媒を提供することである。したがって、反応器はさらに、金属分子（「ＭＭ」）及び金属水素化物分子（「ＭＨ」）のうち少なくとも１つの解離体を含んでもよい。好ましくは、触媒源、Ｈ２源、ならびにＭが原子触媒であるＭＭ、ＭＨ及びＨＨの解離体は、例えば温度や反応物濃度の所望のセル条件で操作することに適している。Ｈ２の水素化物源を使用する場合、ある実施態様では、分解温度は触媒の蒸気圧を望ましいものにする温度範囲である。水素源が水素容器から反応チャンバーへ浸透する場合、継続的操作に好適な触媒源はＳｒ及びＬｉ金属である。なぜならそれらの各蒸気圧は、浸透が起こる温度で約１.３３〜１３，３００Ｐａという望ましい範囲にあるからである。浸透セルの他の実施態様では、浸透を可能にする高温でセルを操作し、その後、所望の圧力で揮発性触媒の蒸気圧を維持する温度までセル温度を下げる。
ガスセルの実施態様では、解離体は現物質から触媒及びＨを生成する成分を含む。ＴｉもしくはＰｄ上のＰｔ、単独またはＴｉなどの基質上にあるイリジウムもしくはロジウムといった表面触媒も触媒及び水素原子を組み合わせた分子の解離体の役割を担っている。好ましくは、Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３またはＰｄ／Ａｌ２Ｏ３など解離体は高表面積を有する。
Ｈ２源はＨ２ガスとすることも可能である。この実施態様では、圧力は監視及び調節することが可能である。これは、それぞれＫまたはＣｓ金属及びＬｉＮＨ２などの触媒及び触媒源で可能になる。なぜならそれらは、高温バルブの使用を可能にする低温度で揮発するからである。ＬｉＮＨ２はまた、Ｌｉセルの必要な操作温度を下げ、腐食性も低い。このことは、フィラメントが水素解離体を担うプラズマ及びフィラメントセルの場合では、フィードスルーを使用する長期操作を可能にする。
触媒としてのＮａＨを有するガスセル水素反応器のさらなる実施態様は、容器内の反応器セル及びＮａ中に解離体を有するフィラメントを含む。Ｈ２は容器を通じてメインチャンバーに流入させてもよい。ガスの流速、Ｈ２圧及びＮａ蒸気圧を制御して動力が制御される。後者は容器温度を制御することで制御し得る。別の実施態様では、ハイドリノ反応は外部ヒーターで加熱して開始し、原子Ｈは解離体により提供される。
反応混合物は機械的攪拌または混合など当技術分野で公知の方法で攪拌してよい。攪拌システムは１つ以上の圧電性変換器を含んでよい。各圧電性変換器は超音波攪拌器を提供し得る。反応セルは振動させ、さらに、反応混合物を攪拌するために振動させるステンレス鋼またはタングステンボールなどの攪拌子を含む。別の実施態様では、機械的攪拌にはボールミル粉砕が含まれる。これらの方法、好ましくはボールミル粉砕を利用して反応物を混合してもよい。
ある実施態様では、触媒は例えば攪拌子による振動、超音波攪拌及びボールミル粉砕のうち少なくとも１つといった機械的攪拌により形成される。超音波などの音波の機械的衝撃または圧縮は反応物に反応または物理的変化を起こし、触媒、好ましくはＮａＨ分子を形成し得る。反応混合物は溶媒を含んでも含まなくともよい。機械的に攪拌し、ＮａＨ分子を形成する固体ＮａＨなどの固体が反応物であってもよい。あるいは、反応混合物は液体を含んでもよい。混合物は少なくとも１つのＮａ種を有していてもよい。Ｎａ種は液体混合物の成分、あるいは溶液の形態でもよい。ある実施態様では、エーテル、炭化水素、フッ素化炭化水素、芳香族化合物または複素環芳香族溶媒などの溶媒中の金属の懸濁液を高速攪拌してナトリウム金属を分散させる。溶媒温度は金属の融点よりやや上で維持すればよい。
ＩＶ．燃料−タイプ
本開示の実施態様は、水素の触媒を支持し、相の使用可能な混合物の気相、液相及び固相の少なくとも１つの中でハイドリノを形成する少なくとも１つの水素源及び触媒源の反応混合物を含む燃料を目的としている。本明細書で提供している固体及び液体燃料用の反応物及び反応はまた、相混合物を含む不均一系燃料の反応物及び反応である。
本開示の実施態様は、水素の触媒を支持し、相の使用可能な混合物の気相、液相及び固相の少なくとも１つの中でハイドリノを形成する少なくとも１つの水素源及び触媒源の反応混合物を含む燃料を目的としている。本明細書で提供している固体及び液体燃料用の反応物及び反応はまた、相混合物を含む不均一系燃料の反応物及び反応である。
本開示の目的はＬｉならびにＫ及びＣｓなどの原子触媒、ならびに分子触媒ＮａＨを提供することである。金属は二原子共有結合分子を形成する。したがって、固体燃料、液体燃料及び不均一系燃料の実施態様では、可逆的に金属触媒Ｍを形成し、分解または反応してＬｉまたはＮａＨなどの触媒を提供する合金、複合体、複合体源、混合物、懸濁液及び溶液が反応物に含まれている。別の実施態様では、触媒源及び原子水素源の少なくとも１つはさらに、反応して触媒及び原子水素のうち少なくとも１つを形成する少なくとも１つの反応物を含む。別の実施態様では、反応混合物は、反応混合物の１つ以上の反応物または種の反応を経て形成されるか、あるいは物理的変化により形成されるＮａＨ触媒またはＮａＨ触媒源またはＬｉもしくはＫなどの他の触媒を含む。
反応混合物は表面上の触媒反応を支持する固体をさらに含んでもよい。触媒またはＮａＨなどの触媒源は、その表面上を被覆してもよい。被覆は、ボールミル粉砕などの方法により、活性炭、ＴｉＣ、ＷＣ、Ｒ−Ｎｉなどの支持体とＮａＨとを反応させて可能になる。反応混合物は不均一系触媒または不均一系触媒源を含んでもよい。ある実施態様では、ＮａＨなどの触媒は、好ましくはエーテルなどのアポーティック溶媒を使用して初期湿潤の方法により活性炭、ＴｉＣ、ＷＣまたはポリマーなどの支持体上に被覆する。支持体はまた、アルカリハロゲン化物などの無機化合物、好ましくはＮａＦ及びＨＮａＦ２のうちの少なくとも１つを含んでもよい。ここではＮａＨは触媒として作用し、フッ化溶媒を使用する。
液体燃料の実施態様では、反応混合物は、触媒源、触媒、水素源及び触媒用溶媒の少なくとも１つを含む。他の実施態様では、個体燃料及び液体燃料の本開示はさらに、両者の複合体を含み、さらに気相をも含む。多相中で触媒及び原子水素ならびにそれらの源物質などの反応物を有する触媒は不均一系反応混合物と呼ばれており、燃料は不均一系燃料と呼ばれている。したがって、燃料は、ハイドリノへ遷移する少なくとも１つの水素源の反応混合物、式（３５）に示された状態、ならびに液相、固相及び気相の少なくとも１つで反応物を有する遷移を起こす触媒を含む。反応物から起こる異なる相の触媒による触媒作用は、本開示の実施態様である不均一系触媒として当業者に周知である。不均一系触媒は、化学反応を生じさせる表面を提供し、本開示の実施態様を含んでいる。固体燃料及び液体燃料のための本明細書で提供された反応物及び反応もまた、不均一燃料の反応物及び反応である。
本開示の任意の燃料に関し、ＮａＨなどの触媒または触媒源は、機械的混合などの方法またはボールミル粉砕によりＨＳＡ材料などの支持体などの反応混合物の他の成分と混合してよい。全ての場合、ハイドリノを形成する反応を維持するために水素を付加的に添加してもよい。水素ガスは任意の望ましい圧力、好ましくは０．１〜２００ａｔｍの範囲にする。水素の代替的源物質はＮＨ４Ｘ（Ｘは陰イオン、好ましくはハロゲン化物）、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ４、ボラン、ならびにアルカリ金属水素化物、アルカリ土類金属水素化物、好ましくはＭｇＨ２及びレアアース金属水素化物、好ましくはＬａＨ２及びＧｄＨ２などの金属水素化物の群の少なくとも１つから成る。
Ａ．支持体
特定の実施態様では、本開示の固体、液体及び不均一系燃料は支持体から成る。支持体は自身の機能に特異的な特性を持つ。例えば、支持体が電子受容体または導管として機能する場合、支持体は導電性であることが好ましい。また、支持体が反応物を分散させる場合、支持体は高表面積であることが好ましい。前者の場合、ＨＳＡ支持体などの支持体は、高分子である活性炭、グラフェン及び複素環多環芳香族炭化水素などの導電性ポリマーを含んでよい。炭素は活性炭（ＡＣ）を含むことが好ましいが、メソ多孔炭素、ガラス状炭素、コークス、黒鉛炭素、ＰｔまたはＰｄなどの解離体金属を含む炭素などの他の形態をも含み、ｗｔ％は０．１〜５ｗｔ％であり、遷移金属粉末は好ましくは１〜１０層、より好ましくは３層の炭素層を有し、遷移金属、好ましくはＮｉ、Ｃｏ及びＭｎの少なくとも１つを被覆した炭素など、金属または合金を被覆した炭素、好ましくはナノパウダーを有する。炭素に金属を挿入してもよい。挿入する金属がＮａで、触媒がＮａＨである場合、Ｎａ挿入は飽和状態であることが好ましい。支持体は高表面積であることが好ましい。支持体として作用する有機導電性ポリマーの共通クラスはポリ（アセチレン）、ポリ（ピロール）、ポリ（チオフェン）、ポリ（アニリン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−硫化フェニレン）、及びポリ（パラ−フェニレンビニレン）の群の少なくとも１つである。これらの直鎖状主鎖ポリマーはポリアセチレン、ポリアニリン等、「ブラック」または「メラニン」として当技術分野で典型的に公知である。支持体はポリアセチレン、ポリピロール及びポリアニリンのうちの１つといった混合共重合体であってよい。好ましくは、導電ポリマー支持体はポリアセチレン、ポリアニリン及びポリピロールの典型的な誘導体の少なくとも１つである。他の支持体は導電性ポリマーのポリチアジル（（Ｓ−Ｎ）ｘ）などの炭素以外の要素を含む。
特定の実施態様では、本開示の固体、液体及び不均一系燃料は支持体から成る。支持体は自身の機能に特異的な特性を持つ。例えば、支持体が電子受容体または導管として機能する場合、支持体は導電性であることが好ましい。また、支持体が反応物を分散させる場合、支持体は高表面積であることが好ましい。前者の場合、ＨＳＡ支持体などの支持体は、高分子である活性炭、グラフェン及び複素環多環芳香族炭化水素などの導電性ポリマーを含んでよい。炭素は活性炭（ＡＣ）を含むことが好ましいが、メソ多孔炭素、ガラス状炭素、コークス、黒鉛炭素、ＰｔまたはＰｄなどの解離体金属を含む炭素などの他の形態をも含み、ｗｔ％は０．１〜５ｗｔ％であり、遷移金属粉末は好ましくは１〜１０層、より好ましくは３層の炭素層を有し、遷移金属、好ましくはＮｉ、Ｃｏ及びＭｎの少なくとも１つを被覆した炭素など、金属または合金を被覆した炭素、好ましくはナノパウダーを有する。炭素に金属を挿入してもよい。挿入する金属がＮａで、触媒がＮａＨである場合、Ｎａ挿入は飽和状態であることが好ましい。支持体は高表面積であることが好ましい。支持体として作用する有機導電性ポリマーの共通クラスはポリ（アセチレン）、ポリ（ピロール）、ポリ（チオフェン）、ポリ（アニリン）、ポリ（フルオレン）、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリテトラチアフルバレン、ポリナフタレン、ポリ（ｐ−硫化フェニレン）、及びポリ（パラ−フェニレンビニレン）の群の少なくとも１つである。これらの直鎖状主鎖ポリマーはポリアセチレン、ポリアニリン等、「ブラック」または「メラニン」として当技術分野で典型的に公知である。支持体はポリアセチレン、ポリピロール及びポリアニリンのうちの１つといった混合共重合体であってよい。好ましくは、導電ポリマー支持体はポリアセチレン、ポリアニリン及びポリピロールの典型的な誘導体の少なくとも１つである。他の支持体は導電性ポリマーのポリチアジル（（Ｓ−Ｎ）ｘ）などの炭素以外の要素を含む。
別の実施態様では、支持体は半導体である。炭素、ケイ素、ゲルマニウム及びα−灰色スズなどの第ＩＶ族の元素であってよい。ケイ素やゲルマニウムなどの元素材料以外に、半導体支持体には、ひ化ガリウム、りん化インジウム、またはケイ素、ゲルマニウムもしくはひ化アルミニウムなどの合金といった化合物材料が含まれる。ある実施態様では、結晶が大きくなるにつれて、ホウ素またはリンなどの少量（例えば百万あたり１〜１０部）のドーパントを添加して、ケイ素及びゲルマニウム結晶などの材料の導電性を向上させることが可能である。ドープ半導体は粉状に破砕し、支持体として作用し得る。
特定の実施態様では、ＨＳＡ支持体は遷移金属、貴金属、金属間化合物、レアアース、アクチニド、ランタニド、好ましくはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、及びＳｍ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、メタロイド、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ならびにランタニド合金、好ましくはＬａＮｉ５及びＹ−Ｎｉなどのこの群の少なくとも２つの金属または元素を含む合金といった金属である。支持体は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ及びＲｈまたはチタニウム上のＰｔもしくはＰｄ（ＰｔまたはＰｄ／Ｔｉ）などの支持された貴金属の少なくとも１つといった貴金属であってよい。
他の実施態様では、ＨＳＡ材料は立方晶窒化ホウ素；六方晶窒化ホウ素；ウルツ鉱窒化ホウ素粉末；ヘテロダイヤモンド；窒化ホウ素ナノチューブ；窒化ケイ素；窒化アルミニウム；窒化チタニウム（ＴｉＮ）；窒化チタニウムアルミニウム（ＴｉＡｌＮ）；窒化タングステン；好ましくは１〜１０層、より好ましくは３層の炭素層を有するＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ及び他の遷移金属粉末の少なくとも１つといった炭素被覆金属または合金、好ましくはナノパウダー；遷移金属、好ましくはＮｉ、Ｃｏ及びＭｎ被覆炭素の少なくとも１つなどの金属または合金被覆炭素、好ましくはナノパウダー；カーバイド、好ましくは粉末；酸化ベリリウム（ＢｅＯ）粉末；Ｌａ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、アルミン酸ナトリウムなどの酸化レアアース粉末；ならびに好ましくは単層であるフラーレン、グラフェンまたはナノチューブなどの炭素、の中の少なくとも１つから成る。
炭化物は、例えば炭化カルシウム（ＣａＣ２）のような塩のようなもの、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）及び炭化硼素（Ｂ４Ｃ又はＢＣ３）のような共有結合形の化合物、そして、例えばタングステンカーバイドのような侵入型化合物のうちの１又はそれ以上の結合タイプを含んでよい。炭化物は、Ａｕ２Ｃ２、ＺｎＣ２、及びＣｄＣ２のようなアセチリド、又は、Ｂｅ２Ｃ、炭化アルミニウム（Ａｌ４Ｃ３）のようなメチド、及び、Ａ３ＭＣタイプの炭化物であってよい。ここで、Ａは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ−Ｎａ、Ｇｄ−Ｌｕのような遷移金属又は希土類金属であり、Ｍは、Ａｌ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、及びＰｂのような金属又は半金属の主なグループ要素である。Ｃ２ ２−イオンを持つ炭化物は、アルカリ金属又は貨幣金属の１つを含むカチオンＭＩを備える炭化物Ｍ２ ＩＣ２、アルカリ土類金属を含むカチオンＭＩＩを持つ炭化物ＭＩＩＣ２、そして、好ましくは、Ａｌ、Ｌａ、Ｐｒ、又は、Ｔｂを含むカチオンＭＩＩＩを持つ炭化物Ｍ２ ＩＩＩ（Ｃ２）３のうちの少なくとも１つの炭化物を含んでよい。炭化物は、ＹＣ２、ＴｂＣ２、ＹｂＣ２、ＵＣ２、Ｃｅ２Ｃ３、Ｐｒ２Ｃ３、及び、Ｔｂ２Ｃ３の群のそれらのような、Ｃ２ ２−以外のイオンを含んでよい。炭化物は、Ｍｇ２Ｃ３、Ｓｃ３Ｃ４、及びＬｉ４Ｃ３のようなセスキ炭化物を含んでよい。炭化物は、ＭがＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、そして、Ｉｒであるとしたときに、Ｌｎ３Ｍ（Ｃ２）２、Ｄｙ１２Ｍｎ５Ｃ１５、Ｌｎ３．６７ＦｅＣ６、Ｌｎ３Ｍｎ（Ｃ２）２（Ｌｎ＝Ｇｄ及びＴｂ）、そして、ＳｃＣｒＣ２のようなＣ２ユニットを更に含んでよい遷移金属及びランタニド金属を含むようなものの三成分系の炭化物を含んでよい。炭化物は、更に、炭化鉄（Ｆｅ３Ｃ又はＦｅＣ２：Ｆｅ）のように「中間の」遷移金属カーバイドの分類になってもよい。炭化物は、ランタン炭化物（ＬａＣ２又はＬａ２Ｃ３）、イットリウム炭化物、アクチニド炭化物のようなランタニド（ＭＣ２及びＭ２Ｃ３）と、スカンジウム炭化物、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化バナジウム、炭化クロム、炭化マンガン、炭化コバルト、炭化ニオビウム、炭化モリブデン、炭化タンタル、炭化ジルコニウム、及び炭化ハフニウムのような遷移金属炭化物と、からなる群からの少なくとも１つであってよい。更に、適当な炭化物は、Ｌｎ２ＦｅＣ４、Ｓｃ３ＣｏＣ４、Ｌｎ３ＭＣ４（Ｍ＝Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ）、Ｌｎ３Ｍｎ２Ｃ６、Ｅｕ３．１６ＮｉＣ６、ＳｃＣｒＣ２、Ｔｈ２ＮｉＣ２、Ｙ２ＲｅＣ２、Ｌｎ１２Ｍ５Ｃ１５（Ｍ＝Ｍｎ、Ｒｅ）、ＹＣｏＣ、Ｙ２ＲｅＣ２、及び、本技術分野において知られている他の炭化物の少なくとも１つを含む。
ある実施態様では、支持体はＴｉＣまたはＷＣ及びＨｆＣ、Ｍｏ２Ｃ、ＴａＣ、ＹＣ２、ＺｒＣ、Ａｌ４Ｃ３及びＢ４Ｃなどの導電性カーバイドである。支持体はＭＢ２ホウ化物含有物などの金属ホウ化物であってよい。支持体またはＨＳＡ材料はホウ化物、好ましくはＭＢ２などの導電性の２次元ネットワークホウ化物であり、ＭはＣｒ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ及びＧｄ（ＣｒＢ２、ＴｉＢ２、ＭｇＢ２、ＺｒＢ２、ＧｄＢ２）の中の少なくとも１つの金属である。
炭素−ＨＳＡ材料の実施態様では、Ｎａは炭素支持体に挿入されず、炭素と反応してアセチリドを形成することもない。ある実施態様では、触媒または触媒源、好ましくはＮａＨはフラーレン、カーボンナノチューブ及びゼオライトなどのＨＳＡ材料の内部に挿入される。ＨＳＡ材料はさらに、グラファイト、グラフェン、ダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）、水素化ダイヤモンド様炭素（ＨＤＬＣ）、ダイヤモンド粉末、黒鉛炭素、ガラス状炭素及びＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｙ、Ｐｄ及びＰｔの中の少なくとも１つの他の金属を含む炭素、またはフッ素化炭素、好ましくはフッ素化グラファイト、フッ素化ダイヤモンドまたはフッ化テトラカーボン（Ｃ４Ｆ）など、他の元素を含むドーパントから成る。金属はＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎの混合物などの混合物であることが好ましい。金属は任意のｗｔ％比であってよい。好ましくは、組成と重量パーセント（％）比はＮｉが約２０〜２５％、Ｃｏが６０〜７０％、及びＭｎが５〜１５％である。ＨＳＡ材料はフッ化物被覆金属もしくは炭素などの不動態化されたフッ化物であるか、あるいは金属フッ化物、好ましくはアルカリまたはレアアースフッ化物などのフッ化物を含んでもよい。
別の実施態様では、支持体はＬｉまたはＫの場合の原子半径やＮａＨの場合の分子規模などの１つの触媒の大きさにのみ適合する細孔径または層間隔を有する。Ｌｉの場合、細孔径または層間隔は約１．３５Å〜３Åが理想的である。Ｋの場合、細孔径または層間隔は約１．７Å〜３。５Åが理想的である。ＮａＨの場合、細孔径または層間隔は約１．５Å〜５Åが理想的である。ある実施態様では、サイズ識別及び選択に基づいて支持体はＬｉまたはＫなどの原子触媒ならびにＮａＨなどの単一触媒分子を提供する。大きい表面積及び約３．５Åの層間分離距離を有する好適な支持体は活性炭である。物理的または化学的活性化により活性炭は活性化または再活性化することが可能である。前者の活性化には炭化または酸化が含まれ、後者の活性化には化学物質の含浸が含まれる。
反応混合物はポリマー支持体などの支持体をさらに含むこともあり得る。ポリマー支持体はポリテトラフルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮ(登録商標)）などのポリ（テトラフルオロエチレン）、ポリビニルフェロセン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイソプレン、ポリ（アミノホスファゼン）、ポリエチレングリコールまたは酸化物及びポリプロピレングリコールまたは酸化物などのエーテル単位を含むポリマー、好ましくはアリ−ルエーテル、ポリ（テトラメチレンエーテル）グリコール（ＰＴＭＥＧ、ポリテトラヒドロフラン、「Ｔｅｒａｔｈａｎｅ」、「ポリＴＨＦ」）などのポリエーテルポリオール、ポリビニルホルマール、ならびに酸化ポリエチレン及び酸化ポリプロピレンなどのエポキシドの反応から得た物質から選択し得る。ある実施態様では、ＨＳＡはフッ素を含む。フッ化ＨＳＡの例は、ポリテトラフルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮ(登録商標)）、ポリテトラフルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮ(登録商標)）−ＰＦＡ、ポリフッ化ビニル、ＰＶＦ、ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ（フッ化ビニリデン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）、ならびにパーフルオルアルコキシポリマーが挙げられる。
Ｂ．固体燃料
固体燃料は、ＬｉＨ、Ｌｉ、ＮａＨ、Ｎａ、ＫＨ、Ｋ、ＲｂＨ、Ｒｂ及びＣｓＨから選択した少なくとも１つの触媒などのハイドリノを形成する触媒または触媒源、原子水素源、ならびに以下の機能を１つ以上行う他の固体化学反応物から成る：（ｉ）反応混合物の１種以上の成分間で起こる１つの反応を行うことによって、あるいは反応混合物の少なくとも１種の成分の物理的または化学的変化を行うことによって、反応物が触媒または原子水素を形成する；ならびに（ｉｉ）反応物が触媒反応を開始し、伝播し、維持し、ハイドリノを形成する。溶媒を含む液体燃料の反応混合物を含む本開示に記述された固体燃料の多くの例は、溶媒を例外として、包括していることを意味するものではない。本開示に基づいて、他の反応混合物を当業者に教示する。
固体燃料は、ＬｉＨ、Ｌｉ、ＮａＨ、Ｎａ、ＫＨ、Ｋ、ＲｂＨ、Ｒｂ及びＣｓＨから選択した少なくとも１つの触媒などのハイドリノを形成する触媒または触媒源、原子水素源、ならびに以下の機能を１つ以上行う他の固体化学反応物から成る：（ｉ）反応混合物の１種以上の成分間で起こる１つの反応を行うことによって、あるいは反応混合物の少なくとも１種の成分の物理的または化学的変化を行うことによって、反応物が触媒または原子水素を形成する；ならびに（ｉｉ）反応物が触媒反応を開始し、伝播し、維持し、ハイドリノを形成する。溶媒を含む液体燃料の反応混合物を含む本開示に記述された固体燃料の多くの例は、溶媒を例外として、包括していることを意味するものではない。本開示に基づいて、他の反応混合物を当業者に教示する。
固体燃料の実施態様では、反応混合物は触媒、水素源、ならびにＨＳＡ支持体、ゲッター、分散剤及び不活性ガスの少なくとも１つから成る。触媒はＮａＨであってよい。不活性ガスは希ガス及び窒素のうち少なくとも１つとなり得る。不活性ガスはＮｅ及びＮ２の混合物であることが好ましく、該混合物はＮｅが約５０％、Ｎ２が５０％であることがより好ましい。圧力は約１３３ｐａ〜１００気圧の範囲であることが好ましい。Ｎｅ−Ｎ２混合物の圧力は１大気圧であることが好ましい。反応温度は約１００℃〜９００℃の範囲であることが好ましい。反応混合物はさらに、Ｎａ及びＮａＯＨの少なくとも１つ、ならびにＮａＨ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｆｅ及びアルカリ金属などの還元剤も含む。反応混合物がＮａＯＨを含む場合、Ｈ２も供給されることが好ましく、反応混合物が１種以上の不活性ガスを含む場合、Ｈ２は任意の混合物のガスを含む。水素源は水素または水素化物、ならびにＰｔ／Ｔｉ、水素化Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｄ、ＰｔまたはＲｕ／Ａｌ２Ｏ３、Ｎｉ、ＴｉまたはＮｂ粉末などの解離体を含んでもよい。ＨＳＡ支持体、ゲッター及び分散剤の少なくとも１つはＮｉ、ＴｉまたはＮｂ粉末、Ｒ−Ｎｉ、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＮａＸ（Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、Ｎａ２Ｏ、ＮａＯＨ及びＮａ２ＣＯ３などの金属粉末の群の少なくとも１つを含んでもよい。ある実施態様では、金属は、Ｎａ種及びＨ源などの源物質からのＮａＨ分子の形成を触媒する。金属は遷移金属、貴金属、金属間化合物、レアアース金属、ランタニド金属、アクチニド金属、ならびにアルミニウム及びスズなどの他の金属であってよい。
Ｃ．ハイドリノ反応活性剤
ハイドリノ反応は１つ以上の他の化学反応により活性化または開始及び伝播され得る。これらの反応は（ｉ）ハイドリノ反応のための活性化エネルギーを提供する発熱反応、（ｉｉ）ハイドリノ反応を補助する触媒源または原子水素の少なくとも１つを提供する共役反応、（ｉｉｉ）ある実施態様では、ハイドリノ反応中、触媒からの電子受容体として作用するフリーラジカル反応、（ｉｖ）ある実施態様では、ハイドリノ反応中、触媒からの電子受容体として作用する酸化−還元反応、（ｖ）ハロゲン化物、硫化物、水素化物、ヒ化物、酸化物、リン化物を含む陰イオン交換、及び、ある実施態様ではハイドリノを形成するために原子水素からエネルギーを受容するようにイオン化する触媒の作用を促進する窒化物交換などの交換反応、ならびに（ｖｉ）ハイドリノ反応のために少なくとも１つの化学環境を提供し、Ｈ触媒機能を促進するため電子を移動させるように働き、可逆的相もしくは他の物理的変化または電子状態変化を起こし、ハイドリノ反応の範囲または速度のうち少なくとも１つを増加させるために低エネルギー水素生成物に結合するゲッター、支持体またはマトリックス支援ハイドリノ反応、などいくつかに分類することが可能である。ある実施態様では、反応混合物は支持体、好ましくは活性化反応を可能にする導電性支持体を含む。
ハイドリノ反応は１つ以上の他の化学反応により活性化または開始及び伝播され得る。これらの反応は（ｉ）ハイドリノ反応のための活性化エネルギーを提供する発熱反応、（ｉｉ）ハイドリノ反応を補助する触媒源または原子水素の少なくとも１つを提供する共役反応、（ｉｉｉ）ある実施態様では、ハイドリノ反応中、触媒からの電子受容体として作用するフリーラジカル反応、（ｉｖ）ある実施態様では、ハイドリノ反応中、触媒からの電子受容体として作用する酸化−還元反応、（ｖ）ハロゲン化物、硫化物、水素化物、ヒ化物、酸化物、リン化物を含む陰イオン交換、及び、ある実施態様ではハイドリノを形成するために原子水素からエネルギーを受容するようにイオン化する触媒の作用を促進する窒化物交換などの交換反応、ならびに（ｖｉ）ハイドリノ反応のために少なくとも１つの化学環境を提供し、Ｈ触媒機能を促進するため電子を移動させるように働き、可逆的相もしくは他の物理的変化または電子状態変化を起こし、ハイドリノ反応の範囲または速度のうち少なくとも１つを増加させるために低エネルギー水素生成物に結合するゲッター、支持体またはマトリックス支援ハイドリノ反応、などいくつかに分類することが可能である。ある実施態様では、反応混合物は支持体、好ましくは活性化反応を可能にする導電性支持体を含む。
ある実施態様では、律速段階を速め、原子水素から非放射共鳴エネルギー移動を受容してイオン化され、ハイドリノを形成するように触媒から電子を除去することにより、Ｌｉ、Ｋ及びＮａＨなどの触媒は高速でハイドリノを形成する働きをする。Ｌｉ及びＫの典型的金属形態は原子形態に変換し、ＮａＨのイオン形態は、支持体あるいは活性炭素（ＡＣ）、Ｐｔ／Ｃ、Ｐｄ／Ｃ、ＴｉＣまたはＷＣなどのＨＳＡ材料を使用して分子形態に変換し、それぞれＬｉ及びＫ原子及びＮａＨ分子などの触媒を分散させる。反応混合物の他の種との反応での表面変化を考慮して、支持体は高表面積と高導電性を有することが好ましい。ハイドリノを形成する原子水素を転移させる反応には、Ｌｉ、ＫまたはＮａＨなどの触媒、及び原子水素が必要であり、ＮａＨは協奏反応中の触媒及び原子水素源として作用する。原子水素から触媒への２７．２ｅＶの整数倍の非放射エネルギー移動の反応工程により、触媒がイオン化し、自由電子が反応を起こし、電荷蓄積により急速に停止する。ＡＣなどの支持体は導電性電子受容体としても作用し、酸化剤（オキシダント）、フリーラジカルまたはそれらの源物質を含む最終電子受容体反応物を反応混合物へ添加し、触媒反応から放出された電子を最終的に除去してハイドリノを形成する。また、還元剤を反応混合物に添加し、酸化反応を促進する。電子受容体協奏反応は発熱して、反応物を加熱し、反応速度を促進することが好ましい。反応の活性化エネルギー及び反応の伝播は、高速で発熱性の酸化あるいはＭｇまたはＡｌと結合したＯ２またはＣＦ４の反応などのフリーラジカル反応により実現し、ＣＦｘ及びＦなどの基ならびにＯ２及びＯは、ＡＣなどの支持体を介して触媒から電子を最終的に受容する働きをする。「電子受容体反応」部に提供されるＯ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＮＦ３、Ｍ２Ｓ２Ｏ８（Ｍはアルカリ金属である）、Ｓ、ＣＳ２、及びＳＯ２、ＭｎＩ２、ＥｕＢｒ２、ＡｇＣｌ等の群から、他の酸化剤または基の源物質を単独で、あるいは組み合わせて選択してもよい。
好ましくは、酸化剤は少なくとも２つの電子を受容する。対応する陰イオンはＯ２ ２−、Ｓ２−、Ｃ２Ｓ４ ２−（テトラチオオキサレート陰イオン）、ＳＯ３ ２−及びＳＯ４ ２−であってよい。２つの電子は、ＮａＨ及びＬｉ（式（２５〜２７）及び（３７〜３９））などの触媒作用中に二重にイオン化される触媒から受け取る場合もある。反応混合物または反応器への電子受容体の添加は、固体燃料及び不均一系触媒の実施態様、ならびに電気分解セル、グロー放電、ＲＦ、マイクロ波などのプラズマセル、障壁電極プラズマセル及び連続的に操作された、あるいはパルスモードのプラズマ電気分解セルなどの本開示のセルの実施態様すべてに適用する。ＡＣなどの電子伝導性、好ましくは非反応性の支持体も、これらのセルの各実施態様の反応物に添加してよい。マイクロ波プラズマセルの実施態様は、水素原子を支持するプラズマチャンバーの内側にある金属表面などの水素解離体を含む。
実施態様では、触媒源、金属などのエネルギー反応源、ならびに酸素源、ハロゲン源及びフリーラジカル源のうちの少なくとも１つ、ならびに支持体などの反応混合物の種、化合物または材料の混合物は組み合わせて使用してもよい。反応混合物の化合物または材料の反応元素も組み合わせて使用してよい。例えば、フッ素または塩素源はＮｘＦｙ及びＮｘＣｌｙの混合物であってよく、あるいはハロゲンは化合物ＮｘＦｙＣｌｒなどで混合してもよい。当業者により通常の実験で組み合わせを決定できるであろう。
ａ．発熱反応
ある実施態様では、反応混合物は、ＮａＨ、Ｋ及びＬｉの少なくとも１つなどの触媒源または触媒、水素源または水素、ならびに反応を実行する少なくとも１種から成る。反応は高発熱性であることが好ましく、ハイドリノ触媒反応に活性エネルギーが提供されるように、反応速度が速いことが好ましい。反応は酸化反応であってもよい。好適な酸化反応は溶媒、好ましくはエーテル溶媒などの酸素含有種と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｐ、レアアース金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも１つなどの金属との反応である。より好ましくは、発熱反応はアルカリまたはアルカリ土類ハロゲン化物、好ましくはＭｇＦ２、またはＡｌ、Ｓｉ、Ｐのハロゲン化物、及びレアアース金属を形成する。好適なハロゲン化物反応は、溶媒、好ましくはフッ化炭素溶媒などのハロゲン化物を含む種と、Ａｌ、レアアース金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも１つなどの金属及び金属水素化物の少なくとも１つとの反応である。金属または金属水素化物はＮａＨ、ＫまたはＬｉなどの触媒または触媒源でよい。反応混合物は、それぞれ生成物ＮａＣｌ及びＮａＦを有する少なくともＮａＨ及びＮａＡｌＣｌ４またはＮａＡｌＦ４を含んでよい。反応混合物は，少なくともＮａＨ、生成物ＮａＦを有するフルオロ溶媒を含んでよい。
ある実施態様では、反応混合物は、ＮａＨ、Ｋ及びＬｉの少なくとも１つなどの触媒源または触媒、水素源または水素、ならびに反応を実行する少なくとも１種から成る。反応は高発熱性であることが好ましく、ハイドリノ触媒反応に活性エネルギーが提供されるように、反応速度が速いことが好ましい。反応は酸化反応であってもよい。好適な酸化反応は溶媒、好ましくはエーテル溶媒などの酸素含有種と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｐ、レアアース金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも１つなどの金属との反応である。より好ましくは、発熱反応はアルカリまたはアルカリ土類ハロゲン化物、好ましくはＭｇＦ２、またはＡｌ、Ｓｉ、Ｐのハロゲン化物、及びレアアース金属を形成する。好適なハロゲン化物反応は、溶媒、好ましくはフッ化炭素溶媒などのハロゲン化物を含む種と、Ａｌ、レアアース金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも１つなどの金属及び金属水素化物の少なくとも１つとの反応である。金属または金属水素化物はＮａＨ、ＫまたはＬｉなどの触媒または触媒源でよい。反応混合物は、それぞれ生成物ＮａＣｌ及びＮａＦを有する少なくともＮａＨ及びＮａＡｌＣｌ４またはＮａＡｌＦ４を含んでよい。反応混合物は，少なくともＮａＨ、生成物ＮａＦを有するフルオロ溶媒を含んでよい。
概して、ハイドリノ反応に活性化エネルギーを提供する発熱反応の生成物は金属酸化物または金属ハロゲン化物、好ましくはフッ化物でよい。好適な生成物は、Ａｌ２Ｏ３、Ｍ２Ｏ３（Ｍ＝レアアース金属）、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＰＦ３またはＰＦ５、ＡｌＦ３、ＭｇＦ２、ＭＦ３（Ｍ＝レアアース金属）、ＮａＦ、ＮａＨＦ２、ＫＦ、ＫＨＦ２、ＬｉＦ及びＬｉＨＦ２である。Ｔｉが発熱反応を行う実施態様では、触媒は２７．２ｅＶ（式（５）ではｍ＝１）の第二イオン化エネルギーを有するＴｉ２＋である。反応混合物はＮａＨ、Ｎａ、ＮａＮＨ２、ＮａＯＨ、ポリテトラフルオロエチレン（Ｔｅｆｌｏｎ(登録商標)）、フッ化炭素の少なくとも２つ、及びＰｔ／ＴｉまたはＰｄ／ＴｉなどのＴｉ源を含んでよい。Ａｌが発熱反応を行う実施態様では、触媒は表３に示すようにＡｌＨである。反応混合物はＮａＨ、Ａｌ、炭素粉末、フッ化炭素、好ましくはヘキサフルオロベンゼンまたはパーフルオロヘプタン、Ｎａ、ＮａＯＨ、Ｌｉ、ＬｉＨ、Ｋ、ＫＨ及びＲ−Ｎｉなどの溶媒のうち少なくとも２つから成り得る。ハイドリノを形成し、対応する動力を放出する別のサイクルの反応物を形成するために、活性化エネルギーを提供する発熱反応の生成物が再生されることが好ましい。金属フッ化物生成物が電気分解により金属とフッ素ガスに再生されることが好ましい。電解質は共晶混合物も含んでよい。金属は水素化し、炭素生成物及び任意のＣＨ４及び炭化水素生成物はフッ素化し、それぞれ初期物質の金属水素化物及びフッ化炭素溶媒を形成し得る。
ハイドリノ転移反応を活性化するための発熱反応の実施態様では、レアアース金属（Ｍ）、Ａｌ、Ｔｉ及びＳｉの群の少なくとも１つは、それぞれＭ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ３及びＳｉＯ２などの対応する酸化物に酸化される。酸化物は１，４−ベンゾジオキサン（ＢＤＯ）などのエーテル溶媒であり、酸化反応を促進するためにヘキサフルオロベンゼン（ＨＦＢ）またはパーフルオロヘプタンなどのフッ化炭素をさらに含んでもよい。反応の例として、混合物はＮａＨ、活性炭、Ｓｉ及びＴｉの少なくとも１つ、ＢＤＯ及びＨＦＢの少なくとも１つを含んでよい。還元剤としてのＳｉの場合、生成物ＳｉＯ２は、高温でのＨ２還元または炭素との反応によりＳｉへと再生し、Ｓｉ及びＣＯ及びＣＯ２を形成し得る。ハイドリノを形成する反応混合物の特定の実施態様はＮａ、ＮａＨ、Ｋ、ＫＨ、Ｌｉ及びＬｉＨの少なくとも１つなどの触媒または触媒源、好ましくは反応速度の速い発熱反応物源または発熱反応物を含み、Ｈの触媒反応を活性化し、ハイドリノ及び支持体を形成する。発熱反応物は、酸化物を形成するために酸素源及び酸素を反応させる種を含んでよい。ｘ及びｙが整数である場合、酸素源はＨ２Ｏ、Ｏ２、Ｈ２Ｏ２、ＭｎＯ２、酸化物、炭素酸化物、好ましくはＣＯまたはＣＯ２、窒素酸化物、Ｎ２Ｏ及びＮＯ２などのＮｘＯｙ、硫黄酸化物、ＳｘＯｙ、好ましくは場合により銀イオンなどの酸化触媒と共に使用するＭ２ＳｘＯｙ（Ｍはアルカリ金属）などの酸化剤、Ｃｌ２ＯなどのＣｌｘＯｙ、好ましくはＮａＣｌＯ２から得るＣｌＯ２、好ましくは酸がニトロニウムイオン（ＮＯ２＋）、ＮａＯＣｌ、ＩｘＯｙ、好ましくはＩ２Ｏ５、ＰｘＯｙ、ＳｘＯｙを形成するＨＮＯ２、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ２ＳＯ３、ＨＣｌ、及びＨＦなどの濃縮酸及びそれらの混合物、亜硝酸塩、硝酸塩、塩素酸塩、硫酸塩、リン酸塩の１つなどの無機化合物のオキシアニオン、酸化コバルトなどの金属酸化物、ＮａＯＨなどの触媒の酸化物または水酸化物、陽イオンがＮａ、Ｋ及びＬｉなどの触媒源である過塩素酸塩、エーテルなどの有機化合物の酸素含有官能基、好ましくはジメトキシエタン、ジオキサン及び１，４−ベンゾジオキサン（ＢＤＯ）の中の１つであり、反応物種はレアアース金属（Ｍ）、Ａｌ、Ｔｉ及びＳｉの群の中の少なくとも１つを含み、対応する酸化物はそれぞれ、Ｍ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ３及びＳｉＯ２である。反応物種はＡｌ２Ｏ３酸化アルミニウム、Ｌａ２Ｏ３酸化ランタン、ＭｇＯ酸化マグネシウム、Ｔｉ２Ｏ３酸化チタニウム、Ｄｙ２Ｏ３酸化ジスプロシウム、Ｅｒ２Ｏ３酸化エルビウム、Ｅｕ２Ｏ３酸化ユウロピウム、ＬｉＯＨ水酸化リチウム、Ｈｏ２Ｏ３酸化ホルミウム、Ｌｉ２Ｏ酸化リチウム、Ｌｕ２Ｏ３酸化ルテチウム、Ｎｂ２Ｏ５酸化ニオブ、Ｎｄ２Ｏ３酸化ネオジウム、ＳｉＯ２酸化ケイ素、Ｐｒ２Ｏ３酸化プラセオジム、Ｓｃ２Ｏ３酸化スカンジウム、ＳｒＳｉＯ３メタケイ酸ストロンチウム、Ｓｍ２Ｏ３酸化サマリウム、Ｔｂ２Ｏ３酸化テルビウム、Ｔｍ２Ｏ３酸化ツリウム、Ｙ２Ｏ３酸化イットリウム及びＴａ２Ｏ５酸化タンタル、Ｂ２Ｏ３酸化ホウ素及び酸化ジルコニウムの群の中の少なくとも１つの酸化物の金属または元素を含んでよい。支持体は炭素、好ましくは活性炭素を含んでよい。金属または元素はＡｌ、Ｌａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｌｉ、Ｈｏ、Ｌｕ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｓｉ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｓｒ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｙ、Ｔａ、Ｂ、Ｚｒ、Ｓ、Ｐ、Ｃ及びこれらの水素化物の中の少なくとも１つであってよい。
別の実施態様では、酸素源はＭ２Ｏなどの酸化物の少なくとも１つであり、Ｍはアルカリ金属、好ましくはＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏ、Ｍ２Ｏ２などの過酸化物であり、Ｍはアルカリ金属、好ましくはＬｉ２Ｏ２、Ｎａ２Ｏ２及びＫ２Ｏ２、ＭＯ２などの超酸化物であり、Ｍはアルカリ金属、好ましくはＬｉ２Ｏ２、Ｎａ２Ｏ２及びＫ２Ｏ２であり得る。イオン過酸化物はさらにＣａ、ＳｒまたはＢａを含んでよい。
別の実施例において、ハイドリノを形成するためにＨの触媒反応を活性化する、好ましくは速い反応速度を持つ、発熱反応物又は発熱反応物の源、及び、酸素の源のうちの少なくとも１つは、ＭＮＯ３、ＭＮＯ、ＭＮＯ２、Ｍ３Ｎ、Ｍ２ＮＨ、ＭＮＨ２、ＭＸ、ＮＨ３、ＭＢＨ４、ＭＡｌＨ４、Ｍ３ＡｌＨ６、ＭＯＨ、Ｍ２Ｓ、ＭＨＳ、ＭＦｅＳｉ、Ｍ２ＣＯ３、ＭＨＣＯ３、Ｍ２ＳＯ４、ＭＨＳＯ４、Ｍ３ＰＯ４、Ｍ２ＨＰＯ４、ＭＨ２ＰＯ４、Ｍ２ＭｏＯ４、ＭＮｂＯ３、Ｍ２Ｂ４Ｏ７（四硼酸リチウム）、ＭＢＯ２、Ｍ２ＷＯ４、ＭＡｌＣｌ４、ＭＧａＣｌ４、Ｍ２ＣｒＯ４、Ｍ２Ｃｒ２Ｏ７、Ｍ２ＴｉＯ３、ＭＺｒＯ３、ＭＡｌＯ２、ＭＣｏＯ２、ＭＧａＯ２、Ｍ２ＧｅＯ３、ＭＭｎ２Ｏ４、Ｍ４ＳｉＯ４、Ｍ２ＳｉＯ３、ＭＴａＯ３、ＭＣｕＣｌ４、ＭＰｄＣｌ４、ＭＶＯ３、ＭＩＯ３、ＭＦｅＯ２、ＭＩＯ４、ＭＣｌＯ４、ＭＳｃＯｎ、ＭＴｉＯｎ、ＭＶＯｎ、ＭＣｒＯｎ、ＭＣｒ２Ｏｎ、ＭＭｎ２Ｏｎ、ＭＦｅＯｎ、ＭＣｏＯｎ、ＭＮｉＯｎ、ＭＮｉ２Ｏｎ、ＭＣｕＯｎ、及び、ＭＺｎＯｎ、ここで、ＭがＬｉ、Ｎａ、又は、Ｋであり、ｎ＝１、２、３、又は、４であるが；オキシアニオン；強酸のオキシアニオン；オキシダント；Ｖ２Ｏ３、Ｉ２Ｏ５、ＭｎＯ２、Ｒｅ２Ｏ７、ＣｒＯ３、ＲｕＯ２、ＡｇＯ、ＰｄＯ、ＰｄＯ２、ＰｔＯ、ＰｔＯ２、Ｉ２Ｏ４、Ｉ２Ｏ５、Ｉ２Ｏ９、ＳＯ２、ＳＯ３、ＣＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ３、Ｎ２Ｏ４、Ｎ２Ｏ５、Ｃｌ２Ｏ、ＣｌＯ２、Ｃｌ２Ｏ３、Ｃｌ２Ｏ６、Ｃｌ２Ｏ７、ＰＯ２、Ｐ２Ｏ３、及び、Ｐ２Ｏ５、のような分子オキシダント；ＮＨ４Ｘ、ここで、Ｘは硝酸塩又は他の適当な当業者に知られているアニオンであり、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＮＯ３ −、ＮＯ２ −、ＳＯ４ ２−、ＨＳＯ４ −、ＣｏＯ２ −、ＩＯ３ −、ＩＯ４ −、ＴｉＯ３ −、ＣｒＯ４ −、ＦｅＯ２ −、ＰＯ４ ３−、ＨＰＯ４ ２−、Ｈ２ＰＯ４ −、ＶＯ３ −、ＣｌＯ４ −、及び、Ｃｒ２Ｏ７ ２−からなる群の１つであるが；そして、反応物の他のアニオンからなる群の１つ又はそれ以上を含む。反応混合物は、還元剤を追加的に含んでもよい。実施例において、Ｎ２Ｏ５は、２Ｐ２Ｏ５＋１２ＨＮＯ３→４Ｈ３ＰＯ４＋６Ｎ２Ｏ５に従って、反応するＰ２Ｏ５やＨＮＯ３のような反応物の混合物の反応から形成される。
酸素を含む化合物又は酸素が発熱反応に加わるような実施例において、Ｏ２は触媒又は触媒の源として機能する。酸素分子の結合エネルギーは５．１６５ｅＶであり、酸素原子の第１、第２、第３のイオン化エネルギーは、それぞれ、１３．６１８０６ｅＶ、３５．１１７３０ｅＶ、５４．９３５５ｅＶである。反応：Ｏ２→Ｏ＋Ｏ２＋、Ｏ２→Ｏ＋Ｏ３＋、及び、２Ｏ→２Ｏ＋は、それぞれＥｈの約２、４、１倍の正味のエンタルピーを供給し、そして、これらのエネルギーを受け入れることにより、ハイドリノの形成を引き起こすＨを形成するように、ハイドリノを形成する触媒反応を含む。
また、ハイドリノ反応を活性化する発熱反応源は、好ましくはＡｌを溶融することで開始するＰｄ及びＡｌ間の反応を形成する金属合金となり得る。発熱反応はハイドリノ形成反応を活性化するエネルギー粒子を生成することが好ましい。反応物は発熱物質または火工品組成物であってよい。別の実施態様では、約１０００〜５０００℃、好ましくは約１５００〜２５００℃の範囲などの非常に高い温度で反応物を操作して活性化エネルギーが提供される。反応槽は高温ステンレス鋼合金、耐火金属もしくは合金、アルミナ、または炭素を含んでもよい。反応器の加熱または発熱反応により反応物の温度を上昇させることが達成され得る。
発熱反応物は、ハロゲン元素、好ましくはフッ素又は塩素、及び、フッ素又は塩素と反応してフッ化物又は塩化物をそれぞれ形成する種からなってもよい。適当なフッ素の源は、次のようなものである。ＣＦ４、ヘキサフルオロベンゼン、ヘキサデカフルオロヘプタンのようなフルオロカーボン、好ましくはＢＦ３、Ｂ２Ｆ４、ＢＣｌ３、又はＢＢｒ３であるＢｘＸｙ、フルオロシランのようなＳＦｘ、フッ化窒素、好ましくはＮＦ３であるＮｘＦｙ、ＮＦ３Ｏ、ＳｂＦｘ、好ましくはＢｉＦ５であるＢｉＦｘ、好ましくはＮＣｌ３であるＮｘＣｌｙ、好ましくはＳＦ４、ＳＦ６、又は、Ｓ２Ｆ１０のようなＳｘＦｙ（Ｘはハロゲン。ｘ及びｙは整数。）又はＳＣｌ２であるＳｘＸｙ、フッ化リン、Ｎａ２ＳｉＦ６及びＫ２ＳｉＦ６のようなＭ２ＳｉＦ６でＭはアルカリ金属、ＭｇＳｉＦ６のようなＭＳｉＦ６でＭはアルカリ土類金属、ＧａＦ３、ＰＦ５、ＭＰＦ６でＭはアルカリ金属、ＭａＨＦ２及びＫＨＦ２のようなＭＨＦ２でＭはアルカリ土類金属、Ｋ２ＴａＦ７、ＫＢＦ４、Ｋ２ＭｎＦ６、及び、Ｋ２ＺｒＦ６であるが、ここで、アルカリ金属としてＬｉ、Ｎａ、又はＫの１つのようものが他のアルカリ金属又はアルカリ土類金属に置換されたもののような他の類似の化合物も予期される。塩素の適当な源は、Ｃｌ２ガス、ＳｂＣｌ５、及び、ＣＣｌ４やクロロホルムのようなクロロカーボンである。反応物種は、アルカリ又はアルカリ土類金属又は水素化物、希土類金属（Ｍ）、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、及び、対応するフッ化物若しくは塩化物を形成するＰからなる群の少なくとも１つを含んでよい。好ましくは、反応物アルカリ金属は触媒のそれと対応し、アルカリ土類水素化物はＭｇＨ２であり、希土類元素はＬａであり、そして、Ａｌはナノ粉末である。支持体は、炭素、好ましくは活性炭、メソポーラスカーボン、及び、Ｌｉイオン・バッテリーで使用されるカーボンを含んでよい。反応物は、如何なるモル比でもよい。好ましくは、反応物種及びフッ素若しくは塩素はフッ化物又は塩素の元素としてほぼ化学量論比で存在し、触媒は過剰に、好ましくはフッ素又は塩素と反応する元素とほぼ同じモル比において存在し、そして、支持体は過剰に存在する。
発熱反応物はハロゲンガス、好ましくは塩素または臭素、またはＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩなどのハロゲンガス源、好ましくはＣＦ４またはＣＣｌ４、ならびにハロゲンと反応し、ハロゲン化物を形成する種を含んでよい。ハロゲン源はＣｘＯｙＸｒなどの酸素源でもあり、ここではＸはハロゲンであり、ｘ、ｙ及びｒは整数で当業者に公知である。反応物種はアルカリまたはアルカリ土類金属またはハロゲン化物、対応するハロゲン化物を形成するレアアース金属、Ａｌ、Ｓｉ及びＰを含んでもよい。好ましくは、反応物アルカリ金属には対応する触媒があり、アルカリ土類水素化物はＭｇＨ２、レアアースはＬａ、Ａｌはナノパウダーである。支持体は炭素、好ましくは活性炭素を含んでよい。反応物は任意のモル比であってよい。好ましくは、反応物種及びハロゲンはほぼ等しいストイキ比（理論混合比）であり、触媒は過剰量あり、ハロゲンと反応する元素とほぼ同じモル比であり、支持体が過剰量あることが好ましい。ある実施態様では、反応物はＮａ、ＮａＨ、Ｋ、ＫＨ、Ｌｉ、ＬｉＨ及びＨ２などの触媒源または触媒、ハロゲンガス、好ましくは塩素または臭素ガス、Ｍｇ、ＭｇＨ２、レアアースの少なくとも１つ、好ましくはＬａ、ＧｄまたはＰｒ、Ａｌ、ならびに支持体、好ましくは活性炭などの炭素を含む。
ｂ．フリーラジカル反応
ある実施態様では、発熱反応はフリーラジカル反応、好ましくはハロゲン化物または酸素フリーラジカル反応である。ハロゲン基の源物質はハロゲン、好ましくはＦ２もしくはＣｌ２、またはフッ化炭素、好ましくはＣＦ４であってよい。Ｆフリーラジカル源はＳ２Ｆ１０である。ハロゲンガスを含む反応混合物はさらに、フリーラジカル開始剤を含んでよい。反応器はフリーラジカル、好ましくはハロゲンフリーラジカル、より好ましくは塩素またはフッ素フリーラジカルを形成するため紫外線光源を含んでよい。フリーラジカル開始剤は過酸化物、アゾ化合物及び金属塩などの金属イオン源、好ましくはＣｏ２＋源となるＣｏＣｌ２またはＦｅ２＋源であるＦｅＳＯ４などのコバルトハロゲン化物といった当技術分野で公知の開始剤である。後者はＨ２Ｏ２またはＯ２などの酸素種と反応することが好ましい。ラジカルは中性でよい。
ある実施態様では、発熱反応はフリーラジカル反応、好ましくはハロゲン化物または酸素フリーラジカル反応である。ハロゲン基の源物質はハロゲン、好ましくはＦ２もしくはＣｌ２、またはフッ化炭素、好ましくはＣＦ４であってよい。Ｆフリーラジカル源はＳ２Ｆ１０である。ハロゲンガスを含む反応混合物はさらに、フリーラジカル開始剤を含んでよい。反応器はフリーラジカル、好ましくはハロゲンフリーラジカル、より好ましくは塩素またはフッ素フリーラジカルを形成するため紫外線光源を含んでよい。フリーラジカル開始剤は過酸化物、アゾ化合物及び金属塩などの金属イオン源、好ましくはＣｏ２＋源となるＣｏＣｌ２またはＦｅ２＋源であるＦｅＳＯ４などのコバルトハロゲン化物といった当技術分野で公知の開始剤である。後者はＨ２Ｏ２またはＯ２などの酸素種と反応することが好ましい。ラジカルは中性でよい。
酸素種は原子酸素源を含んでよい。酸素は一重項酸素でよい。ある実施態様では、一重項酸素はＮａＯＣｌとＨ２Ｏ２との反応から形成される。ある実施態様では、酸素源はＯ２を含み、フリーラジカル反応、好ましくはＯ原子のフリーラジカル反応を促進するためにフリーラジカル源またはフリーラジカル開始剤をさらに含んでもよい。フリーラジカル源または酸素源はオゾンまたはオゾニドのうち少なくとも１つであってよい。ある実施態様では、反応器には酸素中の放電などのオゾン源が含まれ、反応混合物にオゾンが提供される。
フリーラジカル源または酸素源はさらに、ペルオキソ化合物、ペルオキシド、Ｈ２Ｏ２、アゾ基を含む化合物、Ｎ２Ｏ、ＮａＯＣｌ、フェントン試薬または類似の試薬、ＯＨラジカルまたはその源物質、過キセノン酸塩イオンまたはアルカリもしくはアルカリ土類過キセノン酸塩、好ましくは過キセノン酸ナトリウム（Ｎａ４ＸｅＯ６）または過キセノン酸カリウム（Ｋ４ＸｅＯ６）などのその源物質、四酸化キセノン（ＸｅＯ４）及び過キセノン酸（Ｈ４ＸｅＯ６）、ならびに金属塩などの金属イオン源の中の少なくとも１つを含んでよい。金属塩はＦｅＳＯ４、ＡｌＣｌ３、ＴｉＣｌ３、好ましくはＣｏ２＋源であるＣｏＣｌ２などのハロゲン化コバルトの１つであってよい。
ある実施態様では、Ｃｌなどのフリーラジカルは、ＮａＨ＋ＭｇＨ２＋活性炭素（ＡＣ）などの支持体＋Ｃｌ２などのハロゲンガスといった反応混合物中で、Ｃｌ２などのハロゲンから形成する。フリーラジカルはＣｌ２及びＣＨ４などの炭化水素の混合物の反応により２００℃以上といった高温で形成し得る。ハロゲンは炭化水素より多いモル濃度にしてもよい。クロロカーボン生成物及びＣｌラジカルを還元剤と反応させ、ハイドリノを形成する活性化エネルギー及び経路を提供し得る。合成ガス（シンガス）及びフィッシャー・トロプシュ法を用いて、またはメタンへの炭素の直接的水素還元により、炭素生成物を再生してもよい。反応混合物は、２００℃以上といった高温のＯ２及びＣｌ２の混合物を含んでよい。混合物を反応させてＣｌＯ、Ｃｌ２Ｏ及びＣｌＯ２などのＣｌｘＯｙ（ｘ及びｙは整数）を形成してもよい。反応混合物は、２００℃以上といった高温のＨ２及びＣｌ２を含み、反応し、ＨＣｌを形成し得る。反応混合物は、５０℃以上といったやや高温のＰｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃ、またはＰｄ／Ｃなどの再結合剤と共にＨ２及びＯ２を含み、反応し、Ｈ２Ｏを形成し得る。再結合剤は１大気圧より高い範囲、好ましくは約２〜１００大気圧の範囲などの高圧で操作してよい。反応混合物は、フリーラジカルや一重項酸素形成に有利な不定比であってよい。システムは紫外線光またはプラズマ源をさらに含み、ＲＦなどのフリーラジカル、マイクロ波、またはグロー放電、好ましくは高電圧パルスプラズマ源を形成し得る。反応物はさらに、Ｃｌ、Ｏ及びＨなどの原子フリーラジカル、一重項酸素及びオゾンの中の少なくとも１つを形成する触媒を含んでもよい。触媒はＰｔなどの貴金属であってよい。Ｃｌラジカルを形成する実施態様では、Ｐｔ触媒は、それぞれ分解温度が５８１℃、４３５℃及び３２７℃であるＰｔＣｌ２、ＰｔＣｌ３及びＰｔＣｌ４などの塩化プラチナの分解温度より高い温度で維持する。ある実施態様では、Ｐｔ、Ｐｄまたはそれらのハロゲン化物を溶解しない好適な溶媒中で金属ハロゲン化物を溶解し、溶液を除去することで、金属ハロゲン化物を含む生成混合物からＰｔを回収し得る。炭素及びＰｔまたはＰｄハロゲン化物を含む固体は、対応するハロゲン化物の分解により炭素上のＰｔまたはＰｄを形成するために加熱してもよい。
ある実施態様では、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２またはＮＯガスを反応混合物に添加する。Ｎ２Ｏ、ＮＯ２はＮＯラジカル源として作用し得る。別の実施態様では、好ましくはＮＨ３の酸化によりセル中でＮＯラジカルを生成する。反応は高温で、プラチナまたはプラチナ−ロジウム上でのＮＨ３とＯ２との反応であってよい。ハーバー法、その後にオストワルト法を行うなど、公知の工業的方法によりＮＯ、ＮＯ２及びＮ２Ｏを生成することが可能である。１つの実施態様では、工程手順の例は以下のとおりである。
具体的には、数種の酸化物を含むα−鉄などの触媒を使用し、高温及び高圧でＮ２及びＨ２からＮＨ３を生成するためにハーバー法が利用できる。高温プラチナまたはプラチナ−ロジウム触媒などの触媒でアンモニアをＮＯ、ＮＯ２及びＮ２Ｏへと酸化させるためにオストワルト法が利用できる。上記で開示した方法によりアルカリ硝酸塩を再生することが可能である。
システム及び反応混合物は燃焼反応を開始し、補助し、一重項酸素及びフリーラジカルのうちの少なくとも１つを提供する。燃焼反応物は、他のハイドリノ反応物と反応するフリーラジカルや一重項酸素形成に有利な不定比であってよい。ある実施態様では、安定した反応の持続に有利になるように爆発反応を抑制するか、あるいは適当な反応物とモル比により爆発反応を起こし、所望のハイドリノ反応速度を得る。ある実施態様では、セルは内部燃焼エンジンの少なくとも１つのシリンダーを含む。
ｃ．電子受容体反応
ある実施態様では、反応混合物は電子受容体をさらに含む。ハイドリノを形成する触媒反応中、原子水素から電子受容体へとエネルギーが移動させられると、電子受容体は触媒からイオン化した電子のためのシンクとして作用する場合がある。電子受容体は、導電性ポリマーまたは金属支持体、第ＶＩ族元素などの酸化剤、分子、化合物、フリーラジカル、安定したフリーラジカルを形成する種、及びハロゲン原子、Ｏ２、Ｃ、ＣＦ１，２，３または４、Ｓｉ、Ｓ、ＰｘＳｙ、ＣＳ２、ＳｘＮｙなどの高電子親和性を有する種、Ｏ及びＨ、Ａｕ、Ａｔ、ＡｌｘＯｙ（ｘ及びｙは整数）をさらに含むこれらの化合物、好ましくは、実施態様がＡｌ（ＯＨ）３とＲ−ＮｉのＡｌ、ＣｌＯ、Ｃｌ２、Ｆ２、ＡｌＯ２、Ｂ２Ｎ、ＣｒＣ２、Ｃ２Ｈ、ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２、ＭｎＸ３（Ｘ＝ハロゲン化物）、ＭｏＸ３（Ｘ＝ハロゲン化物）、ＮｉＸ３（Ｘ＝ハロゲン化物）、ＲｕＦ４，５，または６、ＳｃＸ４（Ｘ＝ハロゲン化物）、ＷＯ３との反応の中間物質であるＡｌＯ２、ならびに当業者に公知の高電子親和性を有する他の原子及び分子の中の少なくとも１つであってよい。ある実施態様では、支持体は原子水素からの非放射共鳴エネルギー移動を受容することによりイオン化されることから、支持体は触媒から電子受容体として作用する。好ましくは、支持体は導電性かつ形態安定性フリーラジカルの少なくとも１種である。好適なこのような支持体は導電性ポリマーである。支持体はＣ６イオンを形成するＬｉイオンバッテリーの炭素などのマクロ構造全体にわたって陰イオンを形成し得る。別の実施態様では、支持体は、好ましくはドーピングして導電性を促進する半導体である。反応混合物はさらに、Ｏ、ＯＨ、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２、Ｆ、Ｃｌ及びＮＯなどのフリーラジカルまたはその源物質を含み、それらは触媒作用中、支持体に形成されたフリーラジカルのスカベンジャーとして作用し得る。ある実施態様では、ＮＯなどのフリーラジカルはアルカリ金属などの触媒または触媒源と複合体を形成し得る。別の実施態様では、支持体は不対電子を有する。支持体はＥｒ２Ｏ３などのレアアース元素または化合物など常磁性である。ある実施態様では、ＮａＨ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓなどの触媒または触媒源を支持体などの電子受容体に含浸させ、反応混合物の他の成分を添加する。好ましくは、支持体は挿入したＮａＨまたはＮａを有するＡＣである。
ある実施態様では、反応混合物は電子受容体をさらに含む。ハイドリノを形成する触媒反応中、原子水素から電子受容体へとエネルギーが移動させられると、電子受容体は触媒からイオン化した電子のためのシンクとして作用する場合がある。電子受容体は、導電性ポリマーまたは金属支持体、第ＶＩ族元素などの酸化剤、分子、化合物、フリーラジカル、安定したフリーラジカルを形成する種、及びハロゲン原子、Ｏ２、Ｃ、ＣＦ１，２，３または４、Ｓｉ、Ｓ、ＰｘＳｙ、ＣＳ２、ＳｘＮｙなどの高電子親和性を有する種、Ｏ及びＨ、Ａｕ、Ａｔ、ＡｌｘＯｙ（ｘ及びｙは整数）をさらに含むこれらの化合物、好ましくは、実施態様がＡｌ（ＯＨ）３とＲ−ＮｉのＡｌ、ＣｌＯ、Ｃｌ２、Ｆ２、ＡｌＯ２、Ｂ２Ｎ、ＣｒＣ２、Ｃ２Ｈ、ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２、ＭｎＸ３（Ｘ＝ハロゲン化物）、ＭｏＸ３（Ｘ＝ハロゲン化物）、ＮｉＸ３（Ｘ＝ハロゲン化物）、ＲｕＦ４，５，または６、ＳｃＸ４（Ｘ＝ハロゲン化物）、ＷＯ３との反応の中間物質であるＡｌＯ２、ならびに当業者に公知の高電子親和性を有する他の原子及び分子の中の少なくとも１つであってよい。ある実施態様では、支持体は原子水素からの非放射共鳴エネルギー移動を受容することによりイオン化されることから、支持体は触媒から電子受容体として作用する。好ましくは、支持体は導電性かつ形態安定性フリーラジカルの少なくとも１種である。好適なこのような支持体は導電性ポリマーである。支持体はＣ６イオンを形成するＬｉイオンバッテリーの炭素などのマクロ構造全体にわたって陰イオンを形成し得る。別の実施態様では、支持体は、好ましくはドーピングして導電性を促進する半導体である。反応混合物はさらに、Ｏ、ＯＨ、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２、Ｆ、Ｃｌ及びＮＯなどのフリーラジカルまたはその源物質を含み、それらは触媒作用中、支持体に形成されたフリーラジカルのスカベンジャーとして作用し得る。ある実施態様では、ＮＯなどのフリーラジカルはアルカリ金属などの触媒または触媒源と複合体を形成し得る。別の実施態様では、支持体は不対電子を有する。支持体はＥｒ２Ｏ３などのレアアース元素または化合物など常磁性である。ある実施態様では、ＮａＨ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓなどの触媒または触媒源を支持体などの電子受容体に含浸させ、反応混合物の他の成分を添加する。好ましくは、支持体は挿入したＮａＨまたはＮａを有するＡＣである。
ｄ．酸化―還元反応
実施例において、ハイドリノ反応は、酸化―還元反応によって活性化される。実証的な実施例において、反応混合物は、触媒、水素源、酸化剤、還元剤、及び担体のグループの少なくとも２つの種を含む。反応混合物はまた、グループ１３トリハライド、好ましくは、少なくとも１つのＡｌＣｌ３、ＢＦ３、ＢＣｌ３、及び、ＢＢｒ３のようなルイス酸を含んでよい。
ある実施例において、各反応混合物は、以下の要素（ｉ）−（ｉｉｉ）から選ばれる少なくとも１つを含む。
（ｉ）Ｌｉ、ＬｉＨ、Ｋ、ＫＨ、ＮａＨ、Ｒｂ、ＲｂＨ、Ｃｓ、及びＣｓＨから選ばれる触媒。
（ｉｉ）Ｈ２ガス、Ｈ２ガスの源、又は、水素化物から選ばれる水素源。
（ｉｉｉ）ハロゲン化物、燐化物、ホウ化物、酸化物、水酸化物、シリサイド、窒素化合物、ヒ化物、セレン化物、テルル化物、アンチモニド、炭化物、硫化物、水素化物、炭酸塩、炭酸水素、硫酸塩、硫酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素、二水素リン酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、過マンガン酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、亜塩素酸塩、過亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、臭素酸塩、過臭素酸塩、亜臭素酸塩、ペルブロミド、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ヨウ素塩、過ヨウ素塩、クロム酸塩、二クロム酸塩、テルル酸塩、セレン酸塩、ヒ酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩、コバルト酸化物、酸化テルル、及び、他のオキシアニオン、の内の１つの金属化合物から選ばれるオキシダント。ここで、これらは、例えばハロゲンの化合物、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎ、Ａｓ、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｃ、Ｓ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、及び、Ｔｅであり、金属は好ましくは遷移金属を含み、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属であり、前記オキシダントは、更に以下を含む。ハロゲン化鉛のような鉛化合物、ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ２、ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ２、ＧｅＯ、ＧｅＰ、ＧｅＳ、ＧｅＩ４、及びＧｅＣｌ４のようなハロゲン化物、酸化物、若しくは、硫化物のようなゲルマニウム化合物、ＣＦ４若しくはＣｌＣＦ３のようなフルオロカーボン、ＣＣｌ４、のようなクロロカーボン、Ｏ２、ＭＮＯ３、ＭＣｌＯ４、ＭＯ２、ＮＦ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、Ｂ３Ｎ３Ｈ６のようなホウ素−窒素化合物、ＳＦ６、Ｓ、ＳＯ２、ＳＯ３、Ｓ２Ｏ５Ｃｌ２、Ｆ５ＳＯＦ、Ｍ２Ｓ２Ｏ８のような硫黄化合物、Ｓ２Ｃｌ２、ＳＣｌ２、Ｓ２Ｂｒ２のようなＳｘＸｙ、又は、ＳＯＣｌ２、ＳＯＦ２、ＳＯ２Ｆ２、又はＳＯＢｒ２のようなＳＯｘＸｙ、ａｓＣｌＦ５、のようなＸｘＸ’ｙ、ＣｌＯ２Ｆ、ＣｌＯ２Ｆ２、ＣｌＯＦ３、ＣｌＯ３Ｆ、及びＣｌＯ２Ｆ３のようなＸｘＸ’ｙＯｚ、Ｂ３Ｎ３Ｈ６のようなホウ素−窒素化合物、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、好ましくはＴｅＦ４、ＴｅＦ６であるＴｅＸｘ、好ましくはＴｅＯ２又はＴｅＯ３であるＴｅＯｘ、好ましくはＳｅＦ６であるＳｅＸｘ、好ましくはＳｅＯ２又はＳｅＯ３であるＳｅＯｘ、ＴｅＯ２、ＴｅＯ３、Ｔｅ（ＯＨ）６、ＴｅＢｒ２、ＴｅＣｌ２、ＴｅＢｒ４、ＴｅＣｌ４、ＴｅＦ４、ＴｅＩ４、ＴｅＦ６、ＣｏＴｅ、ＮｉＴｅのような酸化テルル、ハロゲン化テルル、又は、他のテルル化合物、ＳｅＯ２、ＳｅＯ３、Ｓｅ２Ｂｒ２、Ｓｅ２Ｃｌ２、ＳｅＢｒ４、ＳｅＣｌ４、ＳｅＦ４、ＳｅＦ６、ＳｅＯＢｒ２、ＳｅＯＣｌ２、ＳｅＯＦ２、ＳｅＯ２Ｆ２、ＳｅＳ２、Ｓｅ２Ｓ６、Ｓｅ４Ｓ４、又はＳｅ６Ｓ２のような酸化セレン、ハロゲン化セレン、又は、他のセレン化合物、Ｐ、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｓ５、ＰＦ３、ＰＣｌ３、ＰＢｒ３、ＰＩ３、ＰＦ５、ＰＣｌ５、ＰＢｒ４Ｆ、若しくはＰＣｌ４ＦのようなＰｘＸｙ、ＰＯＢｒ３、ＰＯＩ３、ＰＯＣｌ３若しくはＰＯＦ３のようなＰＯｘＸｙ、ＰＳＢｒ３、ＰＳＦ３、ＰＳＣｌ３のようなＰＳｘＸｙ（Ｍはアルカリ金属。ｘ、ｙ及びｚは整数。Ｘ及びＸ’はハロゲン。）、Ｐ３Ｎ５、（Ｃｌ２ＰＮ）３、（Ｃｌ２ＰＮ）４、若しくは（Ｂｒ２ＰＮ）ｘのようなリン−窒素化合物、ＡｌＡｓ、Ａｓ２Ｉ４、Ａｓ２Ｓｅ、Ａｓ４Ｓ４、ＡｓＢｒ３、ＡｓＣｌ３、ＡｓＦ３、ＡｓＩ３、Ａｓ２Ｏ３、Ａｓ２Ｓｅ３、Ａｓ２Ｓ３、Ａｓ２Ｔｅ３、ＡｓＣｌ５、ＡｓＦ５、Ａｓ２Ｏ５、Ａｓ２Ｓｅ５、若しくはＡｓ２Ｓ５、のような酸化ヒ素、ハロゲン化ヒ素、硫化ヒ素、セレン化ヒ素、テルル化ヒ素、又は、他のヒ素化合物、ＳｂＡｓ、ＳｂＢｒ３、ＳｂＣｌ３、ＳｂＦ３、ＳｂＩ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｂＯＣｌ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２（ＳＯ４）３、Ｓｂ２Ｓ３、Ｓｂ２Ｔｅ３、Ｓｂ２Ｏ４、ＳｂＣｌ５、ＳｂＦ５、ＳｂＣｌ２Ｆ３、Ｓｂ２Ｏ５、若しくはＳｂ２Ｓ５のような酸化アンチモン、ハロゲン化アンチモン、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、又は、他のアンチモン化合物、ＢｉＡｓＯ４、ＢｉＢｒ３、ＢｉＣｌ３、ＢｉＦ３、ＢｉＦ５、Ｂｉ（ＯＨ）３、ＢｉＩ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＢｉＯＢｒ、ＢｉＯＣｌ、ＢｉＯＩ、Ｂｉ２Ｓｅ３、Ｂｉ２Ｓ３、Ｂｉ２Ｔｅ３、若しくはＢｉ２Ｏ４のような酸化ビスマス、ハロゲン化ビスマス、硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、又は、他のビスマス化合物、ＳｉＣｌ４、ＳｉＢｒ４、ＣｒＣｌ３、ＺｎＦ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＭｎＣｌ２、ＭｎＢｒ２、ＭｎＩ２、ＣｏＢｒ２、ＣｏＩ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＣｌ２、ＮｉＢｒ２、ＮｉＦ２、ＦｅＦ２、ＦｅＣｌ２、ＦｅＢｒ２、ＦｅＣｌ３、ＴｉＦ３、ＣｕＢｒ、ＣｕＢｒ２、ＶＦ３、及びＣｕＣｌ２のような遷移金属ハロゲン化物のような金属ハロゲン化物、金属水酸化物、又は、金属酸化物、ＳｎＦ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＳｎＦ４、ＳｎＣｌ４、ＳｎＢｒ４、ＳｎＩ４、ＩｎＦ、ＩｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、ＡｇＣｌ、ＡｇＩ、ＡｌＦ３、ＡｌＢｒ３、ＡｌＩ３、ＹＦ３、ＣｄＣｌ２、ＣｄＢｒ２、ＣｄＩ２、ＩｎＣｌ３、ＺｒＣｌ４、ＮｂＦ５、ＴａＣｌ５、ＭｏＣｌ３、ＭｏＣｌ５、ＮｂＣｌ５、ＡｓＣｌ３、ＴｉＢｒ４、ＳｅＣｌ２、ＳｅＣｌ４、ＩｎＦ３、ＩｎＣｌ３、ＰｂＦ４、ＴｅＩ４、ＷＣｌ６、ＯｓＣｌ３、ＧａＣｌ３、ＰｔＣｌ３、ＲｅＣｌ３、ＲｈＣｌ３、ＲｕＣｌ３のような金属ハロゲン化物、Ｙ２Ｏ３、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、又はＮｂＯ、ＮｉＯ、Ｎｉ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＡｇＯ、Ｇａ２Ｏ、Ａｓ２Ｏ３、ＳｅＯ２、ＴｅＯ２、Ｉｎ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｉｎ（ＯＨ）３、Ｇａ（ＯＨ）３、及びＢｉ（ＯＨ）３のような金属酸化物、又は、金属水酸化物、ＣＯ２、Ａｓ２Ｓｅ３、ＳＦ６、Ｓ、ＳｂＦ３、ＣＦ４、ＮＦ３、ＫＭｎＯ４及びＮａＭｎＯ４のような過マンガン酸塩、Ｐ２Ｏ５、ＬｉＮＯ３、ＮａＮＯ３及びＫＮＯ３のような硝酸塩、ＢＢｒ３及びＢＩ３、のようなハロゲン化ホウ素、好ましくはＩｎＢｒ２、ＩｎＣｌ２、及びＩｎＩ３のようなハロゲン化インジウムである第１３族元素のハロゲン化物、好ましくはＡｇＣｌ若しくはＡｇＩであるハロゲン化銀、ハロゲン化鉛、ハロゲン化カドミウム、ハロゲン化ジルコニウム、好ましくは遷移金属酸化物、遷移金属硫化物、又は、遷移金属ハロゲン化物（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、若しくはＺｎと、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ若しくはＩとの組合）、好ましくはＹＦ３である第２若しくは第３遷移系列のハロゲン化物、酸化物、好ましくはＹ２Ｓ３である硫化物、又は、水酸化物、好ましくはＹ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓの化合物、ハロゲン化物の場合ＮｂＸ３、ＮｂＸ５、若しくはＴａＸ５のような化合物、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳ、ＦｅＳ、ＮｉＳ、ＭｎＳ、Ｃｕ２Ｓ、ＣｕＳ、及びＳｎＳのような金属硫化物、ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＢａＩ２、ＳｒＢｒ２、ＳｒＩ２、ＣａＢｒ２、ＣａＩ２、ＭｇＢｒ２、若しくはＭｇＩ２のようなアルカリ土類ハロゲン化物、ＥｕＢｒ３、ＬａＦ３、ＬａＢｒ３、ＣｅＢｒ３、ＧｄＦ３、ＧｄＢｒ３のような希土類ハロゲン化物、ＣｅＩ２、ＥｕＦ２、ＥｕＣｌ２、ＥｕＢｒ２、ＥｕＩ２、ＤｙＩ２、ＮｄＩ２、ＳｍＩ２、ＹｂＩ２、及びＴｍＩ２の１つのような２価の状態にあることが好ましい希土類ハロゲン化物、ユウロピウム・ホウ化物のような金属ホウ化物、ＣｒＢ２、ＴｉＢ２、ＭｇＢ２、ＺｒＢ２、及びＧｄＢ２のようなＭＢ２ホウ化物、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌ、若しくはＣｓＩのようなハロゲン化アルカリ、Ｃａ３Ｐ２のような金属リン化物、ＰｔＣｌ２、ＰｔＢｒ２、ＰｔＩ２、ＰｔＣｌ４、ＰｄＣｌ２、ＰｂＢｒ２、及びＰｂＩ２のような貴金属ハロ
ゲン化物、貴金属酸化物、貴金属硫化物、ＣｅＳのような希土類硫化物、他の希土類であるＬａ及びＧｄの硫化物、Ｎａ２ＴｅＯ４、Ｎａ２ＴｅＯ３、Ｃｏ（ＣＮ）２、ＣｏＳｂ、ＣｏＡｓ、Ｃｏ２Ｐ、ＣｏＯ、ＣｏＳｅ、ＣｏＴｅ、ＮｉＳｂ、ＮｉＡｓ、ＮｉＳｅ、Ｎｉ２Ｓｉ、ＭｇＳｅのような金属とアニオン、ＥｕＴｅのような希土類テルル化物、ＥｕＳｅのような希土類セレン化物、ＥｕＮのような希土類窒化物、ＡｌＮ、ＧｄＮ、及びＭｇ３Ｎ２のような金属窒化物、Ｆ２Ｏ、Ｃｌ２Ｏ、ＣｌＯ２、Ｃｌ２Ｏ６、Ｃｌ２Ｏ７、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＣｌＯＦ３、ＣｌＦ５、ＣｌＯ２Ｆ、ＣｌＯ２Ｆ３、ＣｌＯ３Ｆ、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、Ｉ２Ｏ５、ＩＢｒ、ＩＣｌ、ＩＣｌ３、ＩＦ、ＩＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、のような酸素原子と異なるハロゲン原子の組合せの群から少なくとも２つの原子を含む化合物、ＯｓＦ６、ＰｔＦ６、又はＩｒＦ６のような第２若しくは第３遷移系列の金属ハロゲン化物、ハロゲン化物、酸化物、若しくは、硫化物のようなアルカリ金属化合物、アルカリ、アルカリ土類、遷移金属、希土類、好ましくはＩｎである第１３族、好ましくはＳｎである第１４族の金属を還元により形成することができる化合物、希土類水素化物のような金属水素化物、アルカリ土類水素化物、若しくは、アルカリ水素化物、である。ここで、オキシダントが好ましくはメタルハイドライドである水素化物であるとき、触媒又は触媒の源はアルカリ金属のような金属であってよい。適当なオキシダントは、金属ハロゲン化物、金属硫化物、金属酸化物、金属水酸化物、金属セレン化物、及び、金属燐化物であり、例えば、ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＢａＩ２、ＣａＢｒ２、ＭｇＢｒ２、若しくはＭｇＩ２のようなアルカリ土類ハロゲン化物、ＥｕＢｒ２、ＥｕＢｒ３、ＥｕＦ３、ＬａＦ３、ＧｄＦ３ＧｄＢｒ３、ＬａＦ３、ＬａＢｒ３、ＣｅＢｒ３のような希土類ハロゲン化物、ＹＦ３のような第２若しくは第３遷移系列の金属ハロゲン化物、ＣｒＢ２若しくはＴｉＢ２のような金属ホウ化物、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌ、若しくはＣｓＩのようなアルカリハロゲン化物、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳ、Ｙ２Ｓ３、ＦｅＳ、ＭｎＳ、Ｃｕ２Ｓ、ＣｕＳ、及びＳｂ２Ｓ５のような金属硫化物、Ｃａ３Ｐ２のような金属リン化物、ＣｒＣｌ３、ＺｎＦ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＭｎＣｌ２、ＭｎＢｒ２、ＭｎＩ２、ＣｏＢｒ２、ＣｏＩ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＢｒ２、ＮｉＦ２、ＦｅＦ２、ＦｅＣｌ２、ＦｅＢｒ２、ＴｉＦ３、ＣｕＢｒ、ＶＦ３、及びＣｕＣｌ２のような遷移金属ハロゲン化物、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＩｎＦ、ＩｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、ＡｇＣｌ、ＡｇＩ、ＡｌＩ３、ＹＦ３、ＣｄＣｌ２、ＣｄＢｒ２、ＣｄＩ２、ＩｎＣｌ３、ＺｒＣｌ４、ＮｂＦ５、ＴａＣｌ５、ＭｏＣｌ３、ＭｏＣｌ５、ＮｂＣｌ５、ＡｓＣｌ３、ＴｉＢｒ４、ＳｅＣｌ２、ＳｅＣｌ４、ＩｎＦ３、ＰｂＦ４、及びＴｅＩ４、のような金属ハロゲン化物、Ｙ２Ｏ３、ＦｅＯ、ＮｂＯ、Ｉｎ（ＯＨ）３、Ａｓ２Ｏ３、ＳｅＯ２、ＴｅＯ２、ＢＩ３、ＣＯ２、Ａｓ２Ｓｅ３のような金属酸化物若しくは金属水酸化物、Ｍｇ３Ｎ２、若しくはＡｌＮのような金属窒化物、Ｃａ３Ｐ２、ＳＦ６、Ｓ、ＳｂＦ３、ＣＦ４、ＮＦ３、ＫＭｎＯ４、ＮａＭｎＯ４、Ｐ２Ｏ５、ＬｉＮＯ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３のような金属リン化物、そして、ＢＢｒ３のような金属ホウ化物である。ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＥｕＢｒ２、ＥｕＦ３、ＹＦ３、ＣｒＢ２、ＴｉＢ２、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＩ、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳ、Ｙ２Ｓ３、Ｃａ３Ｐ２、ＭｎＩ２、ＣｏＩ２、ＮｉＢｒ２、ＺｎＢｒ２、ＦｅＢｒ２、ＳｎＩ２、ＩｎＣｌ、ＡｇＣｌ、Ｙ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＣＯ２、ＳＦ６、Ｓ、ＣＦ４、ＮａＭｎＯ４、Ｐ２Ｏ５、ＬｉＮＯ３、のリストの少なくとも１つを適当な酸化剤は含む。適当な酸化剤は、ＥｕＢｒ２、ＢａＢｒ２、ＣｒＢ２、ＭｎＩ２、及びＡｇＣｌ、のリストの少なくとも１つを含む。適当な酸化剤は、Ｌｉ２、ＺｎＳ、及びＹ２Ｓ３、の少なくとも１つを含む。ある実施例においては、酸素酸化剤は、Ｙ２Ｏ３である。
実施例において、ハイドリノ反応は、酸化―還元反応によって活性化される。実証的な実施例において、反応混合物は、触媒、水素源、酸化剤、還元剤、及び担体のグループの少なくとも２つの種を含む。反応混合物はまた、グループ１３トリハライド、好ましくは、少なくとも１つのＡｌＣｌ３、ＢＦ３、ＢＣｌ３、及び、ＢＢｒ３のようなルイス酸を含んでよい。
ある実施例において、各反応混合物は、以下の要素（ｉ）−（ｉｉｉ）から選ばれる少なくとも１つを含む。
（ｉ）Ｌｉ、ＬｉＨ、Ｋ、ＫＨ、ＮａＨ、Ｒｂ、ＲｂＨ、Ｃｓ、及びＣｓＨから選ばれる触媒。
（ｉｉ）Ｈ２ガス、Ｈ２ガスの源、又は、水素化物から選ばれる水素源。
（ｉｉｉ）ハロゲン化物、燐化物、ホウ化物、酸化物、水酸化物、シリサイド、窒素化合物、ヒ化物、セレン化物、テルル化物、アンチモニド、炭化物、硫化物、水素化物、炭酸塩、炭酸水素、硫酸塩、硫酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素、二水素リン酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、過マンガン酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、亜塩素酸塩、過亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、臭素酸塩、過臭素酸塩、亜臭素酸塩、ペルブロミド、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ヨウ素塩、過ヨウ素塩、クロム酸塩、二クロム酸塩、テルル酸塩、セレン酸塩、ヒ酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩、コバルト酸化物、酸化テルル、及び、他のオキシアニオン、の内の１つの金属化合物から選ばれるオキシダント。ここで、これらは、例えばハロゲンの化合物、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎ、Ａｓ、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｃ、Ｓ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、及び、Ｔｅであり、金属は好ましくは遷移金属を含み、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属であり、前記オキシダントは、更に以下を含む。ハロゲン化鉛のような鉛化合物、ＧｅＦ２、ＧｅＣｌ２、ＧｅＢｒ２、ＧｅＩ２、ＧｅＯ、ＧｅＰ、ＧｅＳ、ＧｅＩ４、及びＧｅＣｌ４のようなハロゲン化物、酸化物、若しくは、硫化物のようなゲルマニウム化合物、ＣＦ４若しくはＣｌＣＦ３のようなフルオロカーボン、ＣＣｌ４、のようなクロロカーボン、Ｏ２、ＭＮＯ３、ＭＣｌＯ４、ＭＯ２、ＮＦ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、Ｂ３Ｎ３Ｈ６のようなホウ素−窒素化合物、ＳＦ６、Ｓ、ＳＯ２、ＳＯ３、Ｓ２Ｏ５Ｃｌ２、Ｆ５ＳＯＦ、Ｍ２Ｓ２Ｏ８のような硫黄化合物、Ｓ２Ｃｌ２、ＳＣｌ２、Ｓ２Ｂｒ２のようなＳｘＸｙ、又は、ＳＯＣｌ２、ＳＯＦ２、ＳＯ２Ｆ２、又はＳＯＢｒ２のようなＳＯｘＸｙ、ａｓＣｌＦ５、のようなＸｘＸ’ｙ、ＣｌＯ２Ｆ、ＣｌＯ２Ｆ２、ＣｌＯＦ３、ＣｌＯ３Ｆ、及びＣｌＯ２Ｆ３のようなＸｘＸ’ｙＯｚ、Ｂ３Ｎ３Ｈ６のようなホウ素−窒素化合物、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、好ましくはＴｅＦ４、ＴｅＦ６であるＴｅＸｘ、好ましくはＴｅＯ２又はＴｅＯ３であるＴｅＯｘ、好ましくはＳｅＦ６であるＳｅＸｘ、好ましくはＳｅＯ２又はＳｅＯ３であるＳｅＯｘ、ＴｅＯ２、ＴｅＯ３、Ｔｅ（ＯＨ）６、ＴｅＢｒ２、ＴｅＣｌ２、ＴｅＢｒ４、ＴｅＣｌ４、ＴｅＦ４、ＴｅＩ４、ＴｅＦ６、ＣｏＴｅ、ＮｉＴｅのような酸化テルル、ハロゲン化テルル、又は、他のテルル化合物、ＳｅＯ２、ＳｅＯ３、Ｓｅ２Ｂｒ２、Ｓｅ２Ｃｌ２、ＳｅＢｒ４、ＳｅＣｌ４、ＳｅＦ４、ＳｅＦ６、ＳｅＯＢｒ２、ＳｅＯＣｌ２、ＳｅＯＦ２、ＳｅＯ２Ｆ２、ＳｅＳ２、Ｓｅ２Ｓ６、Ｓｅ４Ｓ４、又はＳｅ６Ｓ２のような酸化セレン、ハロゲン化セレン、又は、他のセレン化合物、Ｐ、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｓ５、ＰＦ３、ＰＣｌ３、ＰＢｒ３、ＰＩ３、ＰＦ５、ＰＣｌ５、ＰＢｒ４Ｆ、若しくはＰＣｌ４ＦのようなＰｘＸｙ、ＰＯＢｒ３、ＰＯＩ３、ＰＯＣｌ３若しくはＰＯＦ３のようなＰＯｘＸｙ、ＰＳＢｒ３、ＰＳＦ３、ＰＳＣｌ３のようなＰＳｘＸｙ（Ｍはアルカリ金属。ｘ、ｙ及びｚは整数。Ｘ及びＸ’はハロゲン。）、Ｐ３Ｎ５、（Ｃｌ２ＰＮ）３、（Ｃｌ２ＰＮ）４、若しくは（Ｂｒ２ＰＮ）ｘのようなリン−窒素化合物、ＡｌＡｓ、Ａｓ２Ｉ４、Ａｓ２Ｓｅ、Ａｓ４Ｓ４、ＡｓＢｒ３、ＡｓＣｌ３、ＡｓＦ３、ＡｓＩ３、Ａｓ２Ｏ３、Ａｓ２Ｓｅ３、Ａｓ２Ｓ３、Ａｓ２Ｔｅ３、ＡｓＣｌ５、ＡｓＦ５、Ａｓ２Ｏ５、Ａｓ２Ｓｅ５、若しくはＡｓ２Ｓ５、のような酸化ヒ素、ハロゲン化ヒ素、硫化ヒ素、セレン化ヒ素、テルル化ヒ素、又は、他のヒ素化合物、ＳｂＡｓ、ＳｂＢｒ３、ＳｂＣｌ３、ＳｂＦ３、ＳｂＩ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｂＯＣｌ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２（ＳＯ４）３、Ｓｂ２Ｓ３、Ｓｂ２Ｔｅ３、Ｓｂ２Ｏ４、ＳｂＣｌ５、ＳｂＦ５、ＳｂＣｌ２Ｆ３、Ｓｂ２Ｏ５、若しくはＳｂ２Ｓ５のような酸化アンチモン、ハロゲン化アンチモン、硫化アンチモン、セレン化アンチモン、テルル化アンチモン、又は、他のアンチモン化合物、ＢｉＡｓＯ４、ＢｉＢｒ３、ＢｉＣｌ３、ＢｉＦ３、ＢｉＦ５、Ｂｉ（ＯＨ）３、ＢｉＩ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＢｉＯＢｒ、ＢｉＯＣｌ、ＢｉＯＩ、Ｂｉ２Ｓｅ３、Ｂｉ２Ｓ３、Ｂｉ２Ｔｅ３、若しくはＢｉ２Ｏ４のような酸化ビスマス、ハロゲン化ビスマス、硫化ビスマス、セレン化ビスマス、テルル化ビスマス、又は、他のビスマス化合物、ＳｉＣｌ４、ＳｉＢｒ４、ＣｒＣｌ３、ＺｎＦ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＭｎＣｌ２、ＭｎＢｒ２、ＭｎＩ２、ＣｏＢｒ２、ＣｏＩ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＣｌ２、ＮｉＢｒ２、ＮｉＦ２、ＦｅＦ２、ＦｅＣｌ２、ＦｅＢｒ２、ＦｅＣｌ３、ＴｉＦ３、ＣｕＢｒ、ＣｕＢｒ２、ＶＦ３、及びＣｕＣｌ２のような遷移金属ハロゲン化物のような金属ハロゲン化物、金属水酸化物、又は、金属酸化物、ＳｎＦ２、ＳｎＣｌ２、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＳｎＦ４、ＳｎＣｌ４、ＳｎＢｒ４、ＳｎＩ４、ＩｎＦ、ＩｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、ＡｇＣｌ、ＡｇＩ、ＡｌＦ３、ＡｌＢｒ３、ＡｌＩ３、ＹＦ３、ＣｄＣｌ２、ＣｄＢｒ２、ＣｄＩ２、ＩｎＣｌ３、ＺｒＣｌ４、ＮｂＦ５、ＴａＣｌ５、ＭｏＣｌ３、ＭｏＣｌ５、ＮｂＣｌ５、ＡｓＣｌ３、ＴｉＢｒ４、ＳｅＣｌ２、ＳｅＣｌ４、ＩｎＦ３、ＩｎＣｌ３、ＰｂＦ４、ＴｅＩ４、ＷＣｌ６、ＯｓＣｌ３、ＧａＣｌ３、ＰｔＣｌ３、ＲｅＣｌ３、ＲｈＣｌ３、ＲｕＣｌ３のような金属ハロゲン化物、Ｙ２Ｏ３、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、又はＮｂＯ、ＮｉＯ、Ｎｉ２Ｏ３、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＡｇＯ、Ｇａ２Ｏ、Ａｓ２Ｏ３、ＳｅＯ２、ＴｅＯ２、Ｉｎ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）２、Ｉｎ（ＯＨ）３、Ｇａ（ＯＨ）３、及びＢｉ（ＯＨ）３のような金属酸化物、又は、金属水酸化物、ＣＯ２、Ａｓ２Ｓｅ３、ＳＦ６、Ｓ、ＳｂＦ３、ＣＦ４、ＮＦ３、ＫＭｎＯ４及びＮａＭｎＯ４のような過マンガン酸塩、Ｐ２Ｏ５、ＬｉＮＯ３、ＮａＮＯ３及びＫＮＯ３のような硝酸塩、ＢＢｒ３及びＢＩ３、のようなハロゲン化ホウ素、好ましくはＩｎＢｒ２、ＩｎＣｌ２、及びＩｎＩ３のようなハロゲン化インジウムである第１３族元素のハロゲン化物、好ましくはＡｇＣｌ若しくはＡｇＩであるハロゲン化銀、ハロゲン化鉛、ハロゲン化カドミウム、ハロゲン化ジルコニウム、好ましくは遷移金属酸化物、遷移金属硫化物、又は、遷移金属ハロゲン化物（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、若しくはＺｎと、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ若しくはＩとの組合）、好ましくはＹＦ３である第２若しくは第３遷移系列のハロゲン化物、酸化物、好ましくはＹ２Ｓ３である硫化物、又は、水酸化物、好ましくはＹ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓの化合物、ハロゲン化物の場合ＮｂＸ３、ＮｂＸ５、若しくはＴａＸ５のような化合物、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳ、ＦｅＳ、ＮｉＳ、ＭｎＳ、Ｃｕ２Ｓ、ＣｕＳ、及びＳｎＳのような金属硫化物、ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＢａＩ２、ＳｒＢｒ２、ＳｒＩ２、ＣａＢｒ２、ＣａＩ２、ＭｇＢｒ２、若しくはＭｇＩ２のようなアルカリ土類ハロゲン化物、ＥｕＢｒ３、ＬａＦ３、ＬａＢｒ３、ＣｅＢｒ３、ＧｄＦ３、ＧｄＢｒ３のような希土類ハロゲン化物、ＣｅＩ２、ＥｕＦ２、ＥｕＣｌ２、ＥｕＢｒ２、ＥｕＩ２、ＤｙＩ２、ＮｄＩ２、ＳｍＩ２、ＹｂＩ２、及びＴｍＩ２の１つのような２価の状態にあることが好ましい希土類ハロゲン化物、ユウロピウム・ホウ化物のような金属ホウ化物、ＣｒＢ２、ＴｉＢ２、ＭｇＢ２、ＺｒＢ２、及びＧｄＢ２のようなＭＢ２ホウ化物、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌ、若しくはＣｓＩのようなハロゲン化アルカリ、Ｃａ３Ｐ２のような金属リン化物、ＰｔＣｌ２、ＰｔＢｒ２、ＰｔＩ２、ＰｔＣｌ４、ＰｄＣｌ２、ＰｂＢｒ２、及びＰｂＩ２のような貴金属ハロ
ゲン化物、貴金属酸化物、貴金属硫化物、ＣｅＳのような希土類硫化物、他の希土類であるＬａ及びＧｄの硫化物、Ｎａ２ＴｅＯ４、Ｎａ２ＴｅＯ３、Ｃｏ（ＣＮ）２、ＣｏＳｂ、ＣｏＡｓ、Ｃｏ２Ｐ、ＣｏＯ、ＣｏＳｅ、ＣｏＴｅ、ＮｉＳｂ、ＮｉＡｓ、ＮｉＳｅ、Ｎｉ２Ｓｉ、ＭｇＳｅのような金属とアニオン、ＥｕＴｅのような希土類テルル化物、ＥｕＳｅのような希土類セレン化物、ＥｕＮのような希土類窒化物、ＡｌＮ、ＧｄＮ、及びＭｇ３Ｎ２のような金属窒化物、Ｆ２Ｏ、Ｃｌ２Ｏ、ＣｌＯ２、Ｃｌ２Ｏ６、Ｃｌ２Ｏ７、ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＣｌＯＦ３、ＣｌＦ５、ＣｌＯ２Ｆ、ＣｌＯ２Ｆ３、ＣｌＯ３Ｆ、ＢｒＦ３、ＢｒＦ５、Ｉ２Ｏ５、ＩＢｒ、ＩＣｌ、ＩＣｌ３、ＩＦ、ＩＦ３、ＩＦ５、ＩＦ７、のような酸素原子と異なるハロゲン原子の組合せの群から少なくとも２つの原子を含む化合物、ＯｓＦ６、ＰｔＦ６、又はＩｒＦ６のような第２若しくは第３遷移系列の金属ハロゲン化物、ハロゲン化物、酸化物、若しくは、硫化物のようなアルカリ金属化合物、アルカリ、アルカリ土類、遷移金属、希土類、好ましくはＩｎである第１３族、好ましくはＳｎである第１４族の金属を還元により形成することができる化合物、希土類水素化物のような金属水素化物、アルカリ土類水素化物、若しくは、アルカリ水素化物、である。ここで、オキシダントが好ましくはメタルハイドライドである水素化物であるとき、触媒又は触媒の源はアルカリ金属のような金属であってよい。適当なオキシダントは、金属ハロゲン化物、金属硫化物、金属酸化物、金属水酸化物、金属セレン化物、及び、金属燐化物であり、例えば、ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＢａＩ２、ＣａＢｒ２、ＭｇＢｒ２、若しくはＭｇＩ２のようなアルカリ土類ハロゲン化物、ＥｕＢｒ２、ＥｕＢｒ３、ＥｕＦ３、ＬａＦ３、ＧｄＦ３ＧｄＢｒ３、ＬａＦ３、ＬａＢｒ３、ＣｅＢｒ３のような希土類ハロゲン化物、ＹＦ３のような第２若しくは第３遷移系列の金属ハロゲン化物、ＣｒＢ２若しくはＴｉＢ２のような金属ホウ化物、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌ、若しくはＣｓＩのようなアルカリハロゲン化物、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳ、Ｙ２Ｓ３、ＦｅＳ、ＭｎＳ、Ｃｕ２Ｓ、ＣｕＳ、及びＳｂ２Ｓ５のような金属硫化物、Ｃａ３Ｐ２のような金属リン化物、ＣｒＣｌ３、ＺｎＦ２、ＺｎＢｒ２、ＺｎＩ２、ＭｎＣｌ２、ＭｎＢｒ２、ＭｎＩ２、ＣｏＢｒ２、ＣｏＩ２、ＣｏＣｌ２、ＮｉＢｒ２、ＮｉＦ２、ＦｅＦ２、ＦｅＣｌ２、ＦｅＢｒ２、ＴｉＦ３、ＣｕＢｒ、ＶＦ３、及びＣｕＣｌ２のような遷移金属ハロゲン化物、ＳｎＢｒ２、ＳｎＩ２、ＩｎＦ、ＩｎＣｌ、ＩｎＢｒ、ＩｎＩ、ＡｇＣｌ、ＡｇＩ、ＡｌＩ３、ＹＦ３、ＣｄＣｌ２、ＣｄＢｒ２、ＣｄＩ２、ＩｎＣｌ３、ＺｒＣｌ４、ＮｂＦ５、ＴａＣｌ５、ＭｏＣｌ３、ＭｏＣｌ５、ＮｂＣｌ５、ＡｓＣｌ３、ＴｉＢｒ４、ＳｅＣｌ２、ＳｅＣｌ４、ＩｎＦ３、ＰｂＦ４、及びＴｅＩ４、のような金属ハロゲン化物、Ｙ２Ｏ３、ＦｅＯ、ＮｂＯ、Ｉｎ（ＯＨ）３、Ａｓ２Ｏ３、ＳｅＯ２、ＴｅＯ２、ＢＩ３、ＣＯ２、Ａｓ２Ｓｅ３のような金属酸化物若しくは金属水酸化物、Ｍｇ３Ｎ２、若しくはＡｌＮのような金属窒化物、Ｃａ３Ｐ２、ＳＦ６、Ｓ、ＳｂＦ３、ＣＦ４、ＮＦ３、ＫＭｎＯ４、ＮａＭｎＯ４、Ｐ２Ｏ５、ＬｉＮＯ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３のような金属リン化物、そして、ＢＢｒ３のような金属ホウ化物である。ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＥｕＢｒ２、ＥｕＦ３、ＹＦ３、ＣｒＢ２、ＴｉＢ２、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＩ、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳ、Ｙ２Ｓ３、Ｃａ３Ｐ２、ＭｎＩ２、ＣｏＩ２、ＮｉＢｒ２、ＺｎＢｒ２、ＦｅＢｒ２、ＳｎＩ２、ＩｎＣｌ、ＡｇＣｌ、Ｙ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＣＯ２、ＳＦ６、Ｓ、ＣＦ４、ＮａＭｎＯ４、Ｐ２Ｏ５、ＬｉＮＯ３、のリストの少なくとも１つを適当な酸化剤は含む。適当な酸化剤は、ＥｕＢｒ２、ＢａＢｒ２、ＣｒＢ２、ＭｎＩ２、及びＡｇＣｌ、のリストの少なくとも１つを含む。適当な酸化剤は、Ｌｉ２、ＺｎＳ、及びＹ２Ｓ３、の少なくとも１つを含む。ある実施例においては、酸素酸化剤は、Ｙ２Ｏ３である。
追加の実施例において、各反応混合物は、上述した（ｉ）−（ｉｉｉ）の構成要素の以下に続く族から選ばれる少なくとも１つの種を含み、更に、（ｉｖ）アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、第２及び第３遷移金属、及び希土類金属、そして、アルミニウムから選ばれる少なくとも１つの還元剤を含む。好ましくは、Ａｌ、Ｍｇ、ＭｇＨ２、Ｓｉ、Ｌａ、Ｂ、Ｚｒ、及びＴｉ粉末、及び、Ｈ２のグループからの１つである。
さらなる実施態様では、各反応混合物は、上述した成分（ｉ）〜（ｉｖ）の以下の属から選択される少なくとも１種を含み、ＡＣ、炭素上の１％ＰｔまたはＰｄ（Ｐｔ／Ｃ、Ｐｄ／Ｃ）及びカーバイド、好ましくはＴｉＣまたはＷＣから選択した導電性支持体などの支持体（ｖ）をさらに含む。
複数の反応物は任意のモル比でいいが、ほぼ等しいモル比であることが好ましい。
（ｉ）触媒又は触媒原、（ｉｉ）水素源、（ｉｉｉ）酸化剤、（ｉｖ）還元剤、及び（ｖ）担体を含む適当な反応系は、ＮａＨ又はＫＨを触媒として又は触媒源及びＨ源として、ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＭｇＢｒ２、ＭｇＩ２、ＣａＢｒ２、ＥｕＢｒ２、ＥｕＦ３、ＹＦ３、ＣｒＢ２、ＴｉＢ２、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌ、ＣｓＩ、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳ、Ｙ２Ｓ３、Ｃａ３Ｐ２、ＭｎＩ２、ＣｏＩ２、ＮｉＢｒ２、ＺｎＢｒ２、ＦｅＢｒ２、ＳｎＩ２、ＩｎＣｌ、ＡｇＣｌ、Ｙ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＣＯ２、ＳＦ６、Ｓ、ＣＦ４、ＮａＭｎＯ４、Ｐ２Ｏ５、ＬｉＮＯ３、のうちの１つを酸化剤として、ＭｇＨ２はまた水素源として機能するかもしれないが、Ｍｇ又はＭｇＨ２を還元剤として、そして、ＡＣ、ＴｉＣ、又はＷＣを担体として含む。水素化スズが酸化剤であるような場合、Ｓｎ生成物は、触媒作用メカニズムにおいて還元剤の及び導電体の担体の少なくとも１つとして機能するかもしれない。
別の好適な反応では、（ｉ）触媒または触媒源、（ｉｉ）水素源、（ｉｉｉ）酸化剤及び（ｉｖ）支持体を含むシステムは、触媒、触媒源及びＨ源としてのＮａＨまたはＫＨ、酸化剤としてのＥｕＢｒ２、ＢａＢｒ２、ＣｒＢ２、ＭｎＩ２及びＡｇＣｌの１つ、ならびに支持体としてのＡＣ、ＴｉＣまたはＷＣから成る。複数の反応物は任意のモル比でいいが、ほぼ等しいモル比であることが好ましい。
触媒、水素源、酸化剤、還元剤及び支持体は任意の所望のモル比でよい。反応物、ＫＨまたはＮａＨを含む触媒、ＣｒＢ２、ＡｇＣｌ２の少なくとも１つを含む酸化剤、及びアルカリ土類、遷移金属またはレアアースハロゲン化物、好ましくはＥｕＢｒ２、ＢａＢｒ２及びＭｎＩ２などの臭化物またはヨウ化物の群から得る金属ハロゲン化物、ＭｇまたはＭｇＨ２を含む還元剤、ならびにＡＣ、ＴｉＣまたはＷＣを含む支持体を有する実施態様では、モル比はほぼ同じである。レアアースハロゲン化物は対応するハロゲンと、金属またはＨＢｒなどの水素ハロゲン化物との直接的反応により形成し得る。二ハロゲン化物はＨ２還元により三ハロゲン化物から形成し得る。
追加の酸化剤は、高い双極子モーメントを持った中間体を形成、又は、高い双極子モーメントを持つものである。好ましくは、高い双極子モーメントを持つ種は、触媒作用反応において触媒から容易に電子を受け取る。その種は、高い電子親和力を持ってもよい。１つの実施例において、電子受容体は、それぞれ、ｓｐ３、３ｄ、及び４ｆの半分満たされた殻を持つＳｎ、Ｍｎ、及びＧｄ又はＥｕ化合物のような半分満たされた又はおよそ半分満たされた電子殻を持っている。後者のタイプの代表的な酸化物は、ＬａＦ３、ＬａＢｒ３、ＧｄＦ３、ＧｄＣｌ３、ＧｄＢｒ３、ＥｕＢｒ２、ＥｕＩ２、ＥｕＣｌ２、ＥｕＦ２、ＥｕＢｒ３、ＥｕＩ３、ＥｕＣｌ３、及びＥｕＦ３．に対応する金属である。１つの実施例において、酸化剤は、高い酸化状態を持ち、更に、Ｆ、Ｃｌ、又はＯの少なくとも１つのような高い電気陰性度を備える原子を含む、Ｐ、Ｓ、Ｓｉ、及びＣの少なくとも１つのような非金属の化合物を含む。別の実施例においては、オキシダントは、２価のような低い酸化状態を持つＦｅ及びＳｎの少なくとも１つのような金属の化合物からなり、そして、更に、Ｂｒ若しくはＩの少なくとも１つのような低い電気陰性度を持つ原子からなる。ＭｎＯ４ −、ＣｌＯ４４ −、又はＮＯ３ −のような１価の負の電荷を持つイオンは、ＣＯ３ ２−又はＳＯ４ ２−のような２価の負の電荷を持つイオンよりも好ましい。実施例において、オキシダントは、反応性生物として溶融されセルから除かれるように、低い融点を持つ金属に対応する金属ハロゲン化物のような化合物からなる。低い融点の金属の適当なオキシダントは、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｇ、及びＳｎのハロゲン化物である。反応物は、如何なるモル比であってもよいが、好ましくは、ほぼ等しいモル比である。
ある実施態様では、反応混合物は、（ｉ）第Ｉ族元素からの金属または水素化物を含む触媒または触媒源、（ｉｉ）Ｈ２ガスもしくはＨ２ガス源または水素化物などの水素源、（ｉｉｉ）第１３、１４、１５、１６及び１７族元素；好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅの群から選択される元素の少なくとも１つを含む原子またはイオンまたは化合物を含む酸化剤、（ｉｖ）元素または水素化物、好ましくはＭｇ、ＭｇＨ２、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｚｒ及びＬａなどのレアアース金属から選択される１種以上の元素または水素化物を含む還元剤、ならびに（ｖ）好ましくは導電性であり、好ましくは反応混合物の他種と反応して別の化合物を形成することのない支持体から成る。好適な支持体はＡＣなどの炭素、グラフェン、ＰｔまたはＰｄ／Ｃ及びカーバイド、好ましくはＴｉＣまたはＷＣなどの金属を含浸させた炭素を含むことが好ましい。
ある実施態様では、反応混合物は、（ｉ）第Ｉ族元素からの金属または水素化物を含む触媒または触媒源、（ｉｉ）Ｈ２ガスまたはＨ２ガス源または水素化物などの水素源、（ｉｉｉ）ハロゲン化物、酸化物または硫化物化合物、好ましくは金属ハロゲン化物、酸化物または硫化物、より好ましくは第ＩＡ、ＩＩＡ、３ｄ、４ｄ、５ｄ、６ｄ、７ｄ、８ｄ、９ｄ、１０ｄ、１１ｄ、１２ｄ族の元素及びランタニドのハロゲン化物、最も好ましくは遷移金属ハロゲン化物またはランタニドハロゲン化物を含む酸化剤、（ｉｖ）元素または水素化物、好ましくはＭｇ、ＭｇＨ２、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂ、Ｚｒ及びＬａなどのレアアース金属から選択される１種以上の元素または水素化物を含む還元剤、及び（ｖ）好ましくは導電性であり、好ましくは反応混合物の他種と反応して別の化合物を形成することのない支持体から成る。好適な支持体はＡＣなどの炭素、ＰｔまたはＰｄ／Ｃなどの金属を含浸させたカーバイド、及びカーバイド、好ましくはＴｉＣまたはＷＣから成ることが好ましい。
ｅ．交換反応、熱可逆的反応及び再生
ある実施態様では、酸化剤、ならびに還元剤、触媒源及び触媒の少なくとも１つは可逆的に反応する場合がある。ある実施態様では、酸化剤はハロゲン化物、好ましくは金属ハロゲン化物、より好ましくは、遷移金属、スズ、インジウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びレアアースハロゲン化物、最も好ましくはレアアースハロゲン化物である。可逆反応はハロゲン化物交換反応であることが好ましい。好ましくは、周囲温度〜３０００℃、好ましくは周囲温度〜１０００℃の温度で、酸化剤と、還元剤、触媒源及び触媒の少なくとも１つとの間でハロゲン化物が可逆的に交換されるように、反応エネルギーは低いことが好ましい。反応平衡はハイドリノ反応を実行ために変化させてもよい。変化は温度変化、反応濃度の変化、または反応比の変化により起こり得る。反応は水素添加により維持し得る。代表的な反応では、交換は
ある実施態様では、酸化剤、ならびに還元剤、触媒源及び触媒の少なくとも１つは可逆的に反応する場合がある。ある実施態様では、酸化剤はハロゲン化物、好ましくは金属ハロゲン化物、より好ましくは、遷移金属、スズ、インジウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属及びレアアースハロゲン化物、最も好ましくはレアアースハロゲン化物である。可逆反応はハロゲン化物交換反応であることが好ましい。好ましくは、周囲温度〜３０００℃、好ましくは周囲温度〜１０００℃の温度で、酸化剤と、還元剤、触媒源及び触媒の少なくとも１つとの間でハロゲン化物が可逆的に交換されるように、反応エネルギーは低いことが好ましい。反応平衡はハイドリノ反応を実行ために変化させてもよい。変化は温度変化、反応濃度の変化、または反応比の変化により起こり得る。反応は水素添加により維持し得る。代表的な反応では、交換は
であり、式中、ｎ１、ｎ２、ｘ及びｙは整数であり、Ｘはハロゲン化物、Ｍｏｘは酸化剤の金属、Ｍｒｅｄ／ｃａｔは還元剤、触媒源及び触媒の少なくとも１つの金属である。ある実施態様では、１つ以上の反応物はハロゲン化物であり、さらに反応には、ハロゲン化物交換以外に可逆的水素化物交換が挙げられる。可逆反応は、反応物の温度及び濃度など他の反応条件以外に水素圧を調節して制御してもよい。典型的な反応は
ある実施態様では、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、またはレアアースハロゲン化物、好ましくはＲｂＣｌ、ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＥｕＸ２またはＧｄＸ３（Ｘはハロゲン化物または硫化物）、最も好ましくはＥｕＢｒ２などの酸化剤は、触媒または触媒源、好ましくはＮａＨまたはＫＨ、場合により還元剤、好ましくはＭｇまたはＭｇＨ２と反応させ、ＭｏｘまたはＭｏｘＨ２及びＮａＸまたはＫＸなどの触媒のハロゲン化物または硫化物を形成する。レアアースハロゲン化物は、触媒、または触媒源、場合により還元剤を選択的に除去することで再生し得る。ある実施態様では、ＭｏｘＨ２を熱分解し、ポンピングなどの方法で水素ガスを除去する。ハロゲン化物交換（式（５４〜５５））は触媒の金属を形成する。金属はアルカリ土類またはレアアースハロゲン化物などの金属ハロゲン化物から離れる溶融液体または蒸発ガスもしくは昇華ガスとして除去してよい。例えば遠心分離または加圧不活性ガス流などの方法で液体を除去してよい。触媒または触媒源は再水素化する。これは元の混合物中でレアアースハロゲン化物及び支持体と再結合する初期反応物を再生するのに適している。ＭｇまたはＭｇＨ２を還元剤として使用する場合、Ｈ２を付加した水素化物を形成し、水素化物を溶融し、液体を除去することによってＭｇを最初に除去し得る。Ｘ＝Ｆである実施態様では、ＥｕＨ２などのレアアースとＦを交換することでＭｇＦ２生成物がＭｇＨ２に変換することが可能で、ここでは溶融したＭｇＨ２は連続的に除去する。ＭｇＨ２の形成及び選択的除去に有利になるように、高圧Ｈ２下で反応を行ってもよい。還元剤は再水素化し、他の再生反応物に添加し、元の反応混合物を形成し得る。別の実施態様では、交換反応は、酸化剤の金属硫化物または酸化物と、還元剤、触媒源及び触媒の少なくとも１つとの間で起こる。各タイプのシステムの例には、１．６６ｇのＫＨ＋１ｇのＭｇ＋２．７４ｇのＹ２Ｓ３＋４ｇのＡＣ及び１ｇのＮａＨ＋１ｇのＭｇ＋２．２６ｇのＹ２Ｏ３＋４ｇのＡＣが挙げられる。
触媒、触媒源または還元剤の選択的除去は連続的であり、触媒、触媒源または還元剤は反応器内で少なくとも部分的に再利用され得る。反応器はさらに蒸留器または還流部材を含み、図４の蒸留器３４、触媒源または還元剤などの触媒を除去し、それをセルに戻すことが可能である。場合により、それを水素化し、さらに反応させ、この生成物を戻すことも可能である。反応温度は最大値と最小値間で循環させ、平衡移動により反応物を連続的に再利用してもよい。ある実施態様では、システム熱交換器は、セル温度を高低値間で急速に変化させ、平衡を前後させ、ハイドリノ反応を促進することが可能である。
再生反応は、水素のような追加された種と行われる触媒反応を含んでよい。１つの実施例において、触媒及びＨの源は、ＫＨであり、そして、オキシダントはＥｕＢｒ２である。熱的に引き起こされた再生反応は次のようになる。
２ＫＢｒ＋Ｅｕ→ＥｕＢｒ２＋２Ｋ （５６）
又は
２ＫＢｒ＋ＥｕＨ２→ＥｕＢｒ２＋２ＫＨ （５７）
その代わりに、Ｈ２は、ＫＨ及びＥｕＢｒ２のような酸化剤及び触媒の源又は触媒の再生触媒としてそれぞれ機能する。
３ＫＢｒ＋１／２Ｈ２＋ＥｕＨ２→ＥｕＢｒ３＋３ＫＨ （５８）
そして、ＥｕＢｒ２は、Ｈ２還元によってＥｕＢｒ３から形成される。可能性のあるルートは、次の式の通りである。
ＥｕＢｒ３＋１／２Ｈ２→ＥｕＢｒ２＋ＨＢｒ （５９）
ＨＢは、次の式のように再生利用されてよく、正味の反応をその次の式のように備える。
ＨＢｒ＋ＫＨ→ＫＢｒ＋Ｈ２ （６０）
２ＫＢｒ＋ＥｕＨ２→ＥｕＢｒ２＋２ＫＨ （６１）
熱的に促進される再生反応の速度は、より低いエネルギーで当業者に知られる異なる道筋を使うことにより、増大させられ得る。
２ＫＢｒ＋Ｈ２＋Ｅｕ→ＥｕＢｒ２＋２ＫＨ （６２）
３ＫＢｒ＋３／２Ｈ２＋Ｅｕ→ＥｕＢｒ３＋３ＫＨ （６３）
ＥｕＢｒ３＋１／２Ｈ２→ＥｕＢｒ２＋ＨＢｒ （６４）
金属と、Ｈ２の存在において対応する水素化物との間に、次式のような平衡が存在するので、式（６２）により与えられる反応は可能性がある。
２ＫＢｒ＋Ｅｕ→ＥｕＢｒ２＋２Ｋ （５６）
又は
２ＫＢｒ＋ＥｕＨ２→ＥｕＢｒ２＋２ＫＨ （５７）
その代わりに、Ｈ２は、ＫＨ及びＥｕＢｒ２のような酸化剤及び触媒の源又は触媒の再生触媒としてそれぞれ機能する。
３ＫＢｒ＋１／２Ｈ２＋ＥｕＨ２→ＥｕＢｒ３＋３ＫＨ （５８）
そして、ＥｕＢｒ２は、Ｈ２還元によってＥｕＢｒ３から形成される。可能性のあるルートは、次の式の通りである。
ＥｕＢｒ３＋１／２Ｈ２→ＥｕＢｒ２＋ＨＢｒ （５９）
ＨＢは、次の式のように再生利用されてよく、正味の反応をその次の式のように備える。
ＨＢｒ＋ＫＨ→ＫＢｒ＋Ｈ２ （６０）
２ＫＢｒ＋ＥｕＨ２→ＥｕＢｒ２＋２ＫＨ （６１）
熱的に促進される再生反応の速度は、より低いエネルギーで当業者に知られる異なる道筋を使うことにより、増大させられ得る。
２ＫＢｒ＋Ｈ２＋Ｅｕ→ＥｕＢｒ２＋２ＫＨ （６２）
３ＫＢｒ＋３／２Ｈ２＋Ｅｕ→ＥｕＢｒ３＋３ＫＨ （６３）
ＥｕＢｒ３＋１／２Ｈ２→ＥｕＢｒ２＋ＨＢｒ （６４）
金属と、Ｈ２の存在において対応する水素化物との間に、次式のような平衡が存在するので、式（６２）により与えられる反応は可能性がある。
反応の道筋は、以下の式のように当業者に知られる、より低いエネルギーの中間ステップを含んでもよい。
２ＫＢｒ＋Ｍｇ＋Ｈ２→ＭｇＢｒ２＋２ＫＨ （６６）
ＭｇＢｒ２＋Ｅｕ＋Ｈ２→ＥｕＢｒ２＋ＭｇＨ２ （６７）
２ＫＢｒ＋Ｍｇ＋Ｈ２→ＭｇＢｒ２＋２ＫＨ （６６）
ＭｇＢｒ２＋Ｅｕ＋Ｈ２→ＥｕＢｒ２＋ＭｇＨ２ （６７）
ＫＨまたはＫ金属はアルカリ土類またはレアアースハロゲン化物などの金属ハロゲン化物から離れる溶融液体または蒸発ガスもしくは昇華ガスとして除去してよい。遠心分離または加圧不活性ガス流などの方法で液体を除去してよい。他の実施態様では、ＮａＨ、ＬｉＨ、ＲｂＨ、ＣｓＨ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｒｂ、Ｃｓなどの別の触媒または触媒源はＫＨまたはＫと置換し、酸化剤は別のレアアースハロゲン化物またはアルカリ土類ハロゲン化物、好ましくはＢａＣｌ２またはＢａＢｒ２などの別の金属ハロゲン化物を含んでよい。
他の実施態様では、熱可逆反応には、好ましくは、各々が少なくとも１つの金属原子を含む２種間での交換反応がさらに含まれる。交換はアルカリ金属などの触媒の金属と、酸化剤などの交換相手の金属との間で起こる。交換は酸化剤と還元剤との間も起こる場合がある。交換する種は、ハロゲン化物、水素化物、酸化物、硫化物、窒化物、ホウ化物、炭化物、ケイ化物、ヒ化物、セレン化物、テルル化合物、リン化物、硝酸、硫化水素、炭酸塩、硫酸塩、硫化水素塩、リン酸塩、リン酸水素、二水素リン酸塩、過塩素酸塩、クロム酸塩、二クロム酸塩、酸化コバルトなどの陰イオン、ならびに当業者に公知の他のオキシアニオン及び陰イオンでよい。交換相手の少なくとも１つは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属、第二列遷移金属、第三列遷移金属、貴金属、レアアース金属、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｅ及びＴｅを含んでよい。好適な交換陰イオンはハロゲン化物、酸化物、硫化物、窒化物、リン化物及びホウ化物である。交換に好適な金属は、各々が金属または水素化物としてのアルカリ、好ましくはＮａまたはＫ、アルカリ土類金属、好ましくはＭｇまたはＢａ及びレアアース金属、好ましくはＥｕまたはＤｙである。交換反応の例と共に触媒反応物の例を以下に示す。これらの反応は包括的なものではなく、さらに例示は当業者に公知である。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．５ｇのＤｙＩ２、Ｅｉｎ：１３５．０ｋＪ、解離エネルギーｄＥ：６．１ｋＪ、温度勾配変化ＴＳＣ：無し、最高温度Ｔｍａｘ：４０３℃、理論値は１．８９ｋＪ、利得は３．２２倍である。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．５ｇのＤｙＩ２、Ｅｉｎ：１３５．０ｋＪ、解離エネルギーｄＥ：６．１ｋＪ、温度勾配変化ＴＳＣ：無し、最高温度Ｔｍａｘ：４０３℃、理論値は１．８９ｋＪ、利得は３．２２倍である。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．０９ｇのＥｕＦ３、Ｅｉｎ：１８５．１ｋＪ、解離エネルギーｄＥ：８．０ｋＪ、温度勾配変化ＴＳＣ：無し、最高温度Ｔｍａｘ：４６３℃、理論値は１．６９ｋＪ、利得は４．７３倍である。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋３．７ｇｍのＣｒＢ２、Ｅｉｎ：３１７ｋＪ、解離エネルギーｄＥ：１９ｋＪ、最高温度Ｔｍａｘ〜３４０℃で温度勾配変化ＴＳＣ無し、理論エネルギーは吸熱的であり０．０５ｋＪ、利得は無限大である。
・０．７０ｇのＴｉＢ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末及び４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−４）を使い切った。エネルギー利得は５．１ｋＪであったが、セル温度の急激な上昇は観察されなかった。最大セル温度は４３１℃で、理論値は０である。
・０．４２ｇのＬｉＣｌ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末及び４ｇのＡＣ３−４を使い切った。エネルギー利得は５．４ｋＪであったが、セル温度の急激な上昇は観察されなかった。最大セル温度は４１２℃で、理論値は０であり、利得は無限大である。
・１．２１ｇのＲｂＣｌ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末及び４ｇのＡＣ３−４、エネルギー利得は６．０ｋＪであったが、セル温度の急激な上昇は観察されなかった。最大セル温度は４４２℃で、理論値は０である。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋０．８７ｇのＬｉＢｒ；Ｅｉｎ：１４６．０ｋＪ；解離エネルギーｄＥ：６．２４ｋＪ；温度勾配変化ＴＳＣ：観察されず；最高温度Ｔｍａｘ：４３９℃、理論値は吸熱的である。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋７．３ｇｍのＹＦ３；Ｅｉｎ：３２０ｋＪ；解離エネルギーｄＥ：１７ｋＪ；最高温度Ｔｍａｘ〜３４０℃で温度勾配変化ＴＳＣ無し；エネルギー利得は〜４．５Ｘ（Ｘ〜０．７４ｋＪ＊５＝３．７ｋＪ）である。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１４．８５ｇｍ（乾燥重量）のＢａＢｒ２；Ｅｉｎ：３２８ｋＪ；解離エネルギーｄＥ：１６ｋＪ；最高温度Ｔｍａｘ〜３２０℃で温度勾配変化ＴＳＣ無し；エネルギー利得は１６０Ｘ（Ｘ〜０．０２ｋＪ＊５＝０．１ｋＪ）である。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１０．４ｇｍのＢａＣｌ２；Ｅｉｎ：３３１ｋＪ；解離エネルギーｄＥ：１８ｋＪ；最高温度Ｔｍａｘ〜３２０℃で温度勾配変化ＴＳＣ無し。エネルギー利得は〜６．９Ｘ（Ｘ〜０．５２ｘ５＝２．６ｋＪ）である。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１３．９ｇｍのＭｇＩ２；Ｅｉｎ：３１５ｋＪ；解離エネルギーｄＥ：１６ｋＪ；最高温度Ｔｍａｘ〜３４０℃で温度勾配変化ＴＳＣ無し。エネルギー利得は１．８Ｘ（Ｘ〜１．７５ｘ５＝８．７５ｋＪ）である。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋０．９７ｇのＺｎＳ；Ｅｉｎ：１３２．１ｋＪ：解離エネルギーｄＥ：７．５ｋＪ；温度勾配変化ＴＳＣ：無し；最高温度Ｔｍａｘ：３７０℃、理論値は１．４ｋＪ、利得は５．３３倍である。
・２．７４ｇのＹ２Ｓ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末及び４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭素粉末（３００℃で乾燥）、エネルギー利得は５．２ｋＪであったが、セル温度が急激に上昇することはなかった。最大セル温度は４４４℃で、理論値は０．４１ｋＪであり、利得は１２．６４倍である。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．８２ｇのＣａ３Ｐ２；Ｅｉｎ：１３３．０ｋＪ：解離エネルギーｄＥ：５．８ｋＪ；温度勾配変化ＴＳＣ：無し；最高温度Ｔｍａｘ：４０７℃、理論値は吸熱的であり、利得は無限大である。
・２０ｇのＡＣ３−５＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋９．１ｇのＣａ３Ｐ２、Ｅｉｎ：２８２．１ｋＪ：解離エネルギーｄＥ：１８．１ｋＪ、温度勾配変化ＴＳＣ：無し；最高温度Ｔｍａｘ：３２０℃、理論値は吸熱的であり、利得は無限大である。
・２０ｇのＡＣ３−５＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋９．１ｇのＣａ３Ｐ２、Ｅｉｎ：２８２．１ｋＪ：解離エネルギーｄＥ：１８．１ｋＪ、温度勾配変化ＴＳＣ：無し；最高温度Ｔｍａｘ：３２０℃、理論値は吸熱的であり、利得は無限大である。
ある実施態様では、熱再生反応システムは以下を含む：
（ｉ）ＮａＨ及びＫＨから選択した少なくとも１つの触媒または触媒源；
（ｉｉ）ＮａＨ、ＫＨ及びＭｇＨ２から選択した少なくとも１つの水素源；
（ｉｉｉ）ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＢａＩ２、ＣａＢｒ２、ＭｇＢｒ２またはＭｇＩ２などのアルカリ土類ハロゲン化物、ＥｕＢｒ２、ＥｕＢｒ３、ＥｕＦ３、ＤｙＩ２、ＬａＦ３またはＧｄＦ３などのレアアースハロゲン化物、ＹＦ３などの第２または第３列遷移金属ハロゲン化物、ＣｒＢ２またはＴｉＢ２などの金属ホウ化物、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌまたはＣｓＩなどのアルカリハロゲン化物、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳまたはＹ２Ｓ３などの金属硫化物、Ｙ２Ｏ３などの金属酸化物、ならびにＣａ３Ｐ２などの金属リン化物；
（ｉｖ）Ｍｇ及びＭｇＨ２から選択した少なくとも１つの還元剤；ならびに
（ｖ）ＡＣ、ＴｉＣ及びＷＣから選択した支持体。
（ｉ）ＮａＨ及びＫＨから選択した少なくとも１つの触媒または触媒源；
（ｉｉ）ＮａＨ、ＫＨ及びＭｇＨ２から選択した少なくとも１つの水素源；
（ｉｉｉ）ＢａＢｒ２、ＢａＣｌ２、ＢａＩ２、ＣａＢｒ２、ＭｇＢｒ２またはＭｇＩ２などのアルカリ土類ハロゲン化物、ＥｕＢｒ２、ＥｕＢｒ３、ＥｕＦ３、ＤｙＩ２、ＬａＦ３またはＧｄＦ３などのレアアースハロゲン化物、ＹＦ３などの第２または第３列遷移金属ハロゲン化物、ＣｒＢ２またはＴｉＢ２などの金属ホウ化物、ＬｉＣｌ、ＲｂＣｌまたはＣｓＩなどのアルカリハロゲン化物、Ｌｉ２Ｓ、ＺｎＳまたはＹ２Ｓ３などの金属硫化物、Ｙ２Ｏ３などの金属酸化物、ならびにＣａ３Ｐ２などの金属リン化物；
（ｉｖ）Ｍｇ及びＭｇＨ２から選択した少なくとも１つの還元剤；ならびに
（ｖ）ＡＣ、ＴｉＣ及びＷＣから選択した支持体。
ｆ．ゲッター、支持体、又はマトリックス支援ハイドリノ反応
別の実施例において、交換反応は吸熱である。そのような実施例において、金属化合物は、ハイドリノ反応速度を増大するために、生産物のためのハイドリノ反応又はゲッターのために好ましい支持体又はマトリックスの少なくとも１つとして機能してよい。典型的な触媒反応物と、典型的な支持体、マトリックス、又は、ゲッターは以下に与えられる。これらの反応は網羅的であるとは意味されず、そして、更なる例は当業者に知られるであろう。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．２３ｇのＭｇ３Ａｓ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は、１３９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）は、３９３℃。理論では吸熱反応。ゲインは無限大。
・２０ｇのＡＣ３−５＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋１１．２ｇのＭｇ３Ａｓ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は、２９８．６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）は、３１５℃。理論では吸熱反応。ゲインは無限大。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の１．０１ｇのＭｇ３Ｎ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＡＣ３−４。エネルギーゲインは、５．２ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は、４０１℃。理論では０。ゲインは無限大。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の０．４１ｇのＡｌＮ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＡＣ３−５。エネルギーゲインは、４．９ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は、４０７℃。理論では吸熱反応。
実施例において、熱的に再生する反応システムは、以下の（ｉ）−（ｖ）から選ばれる少なくとも２つの要素から成る。
（ｉ）ＮａＨ，ＫＨ，及びＭｇＨ２；から選ばれる少なくとも１つの触媒又は触媒源。
（ｉｉ）ＮａＨ及びＫＨから選ばれる少なくとも１つの水素源。
（ｉｉｉ）Ｍｇ３Ｎ２又はＡｌＮのような金属窒化物、及び、Ｍｇ３Ａｓ２のような金属ヒ化物から選ばれる少なくとも１つの酸化剤、マトリックス、第２の支持体、又は、ゲッター。
（ｉｖ）Ｍｇ及びＭｇＨ２から選ばれる少なくとも１つの還元剤。
（ｖ）ＡＣ、ＴｉＣ、又はＷＣから選ばれる少なくとも１つの支持体。
別の実施例において、交換反応は吸熱である。そのような実施例において、金属化合物は、ハイドリノ反応速度を増大するために、生産物のためのハイドリノ反応又はゲッターのために好ましい支持体又はマトリックスの少なくとも１つとして機能してよい。典型的な触媒反応物と、典型的な支持体、マトリックス、又は、ゲッターは以下に与えられる。これらの反応は網羅的であるとは意味されず、そして、更なる例は当業者に知られるであろう。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．２３ｇのＭｇ３Ａｓ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は、１３９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）は、３９３℃。理論では吸熱反応。ゲインは無限大。
・２０ｇのＡＣ３−５＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋１１．２ｇのＭｇ３Ａｓ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は、２９８．６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）は、３１５℃。理論では吸熱反応。ゲインは無限大。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の１．０１ｇのＭｇ３Ｎ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＡＣ３−４。エネルギーゲインは、５．２ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は、４０１℃。理論では０。ゲインは無限大。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の０．４１ｇのＡｌＮ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＡＣ３−５。エネルギーゲインは、４．９ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は、４０７℃。理論では吸熱反応。
実施例において、熱的に再生する反応システムは、以下の（ｉ）−（ｖ）から選ばれる少なくとも２つの要素から成る。
（ｉ）ＮａＨ，ＫＨ，及びＭｇＨ２；から選ばれる少なくとも１つの触媒又は触媒源。
（ｉｉ）ＮａＨ及びＫＨから選ばれる少なくとも１つの水素源。
（ｉｉｉ）Ｍｇ３Ｎ２又はＡｌＮのような金属窒化物、及び、Ｍｇ３Ａｓ２のような金属ヒ化物から選ばれる少なくとも１つの酸化剤、マトリックス、第２の支持体、又は、ゲッター。
（ｉｖ）Ｍｇ及びＭｇＨ２から選ばれる少なくとも１つの還元剤。
（ｖ）ＡＣ、ＴｉＣ、又はＷＣから選ばれる少なくとも１つの支持体。
Ｄ．液体燃料：有機溶融溶媒系
さらに実施態様はチャンバー２００に含まれる溶融塩などの溶融固体または液体溶媒を含む。液体溶媒は溶媒の沸点以上の温度でセルを操作して蒸発させてもよい。触媒などの反応物は、触媒を形成する溶媒または反応物に溶解し、懸濁し、Ｈを該溶媒に懸濁し、溶解する。蒸発した溶媒は触媒を含むガスとして作用し、水素触媒反応の速度を高め、ハイドリノを形成する。溶融固体または蒸発溶媒は加熱器２３０により過熱することで維持し得る。反応混合物はＨＳＡ材料などの固体支持体をさらに含む。溶融固体、液体または気体状溶媒と、ＫまたはＬｉ及びＨまたはＮａＨなどの触媒及び水素とに相互関係が存在することから反応は表面で起こる。不均一系触媒を使用した実施態様では、混合物の溶媒が触媒反応速度を高める場合もある。
さらに実施態様はチャンバー２００に含まれる溶融塩などの溶融固体または液体溶媒を含む。液体溶媒は溶媒の沸点以上の温度でセルを操作して蒸発させてもよい。触媒などの反応物は、触媒を形成する溶媒または反応物に溶解し、懸濁し、Ｈを該溶媒に懸濁し、溶解する。蒸発した溶媒は触媒を含むガスとして作用し、水素触媒反応の速度を高め、ハイドリノを形成する。溶融固体または蒸発溶媒は加熱器２３０により過熱することで維持し得る。反応混合物はＨＳＡ材料などの固体支持体をさらに含む。溶融固体、液体または気体状溶媒と、ＫまたはＬｉ及びＨまたはＮａＨなどの触媒及び水素とに相互関係が存在することから反応は表面で起こる。不均一系触媒を使用した実施態様では、混合物の溶媒が触媒反応速度を高める場合もある。
水素ガスを含む実施態様では、Ｈ２は溶液を通過して泡立たせる場合もある。別の実施態様では、セルを加圧して溶解Ｈ２の濃度が高められる。さらなる実施態様では、反応物は、高速で、有機溶媒の沸点ほど、また無機溶媒の融点ほどの温度で攪拌することが好ましい。
有機溶媒反応混合物は、好ましくは約２６℃〜４００℃の範囲、より好ましくは約１００℃〜３００℃の範囲の温度で加熱する。無機溶媒混合物は、溶媒が液体にである温度より高く、ＮａＨ分子がすべて分解される温度より低い温度まで過熱する。
ａ．有機溶媒
有機溶媒は、官能基を付加して別の溶媒へと修飾可能な１つ以上の部分を含み得る。該部分はアルカン、環状アルカン、アルケン、環状アルケン、アルキン、芳香族、複素環及びそれらの組み合わせ、エーテル、ハロゲン化炭化水素（フッ化、塩化、臭化、ヨウ化炭化水素）、好ましくはフッ素化したアミン、硫化物、ニトリル、ホスホルアミド（例えばＯＰ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）、及びアミノホスファゼンなどの少なくとも１つの炭化水素を含んでよい。基はアルキル、シクロアルキル、アルコキシカルボニル、シアノ、カルバモイル、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓを含有する複素環、スルホ、スルファモイル、アルコキシスルファモイル、ホスホノ、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオール、アシルオキシ、アリール、アルケニル、脂肪族、アシル、カルボキシル、アミノ、シアノアルコキシ、ジアゾニウム、カルボキシアルキルカルボキサミド、アルケニルチオ、シアノアルコキシカルボニル、カルバモイルアルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアミノ、シアノアルキルアミノ、アルコキシカルボニルアルキルアミノ、スルホアルキルアミノ、アルキルスルファモイルアルキルアミノ、オキシド、ヒドロキシアルキル、カルボキシアルキルカルボニルオキシ、シアノアルキル、カルボキシアルキルチオ、アリールアミノ、ヘテロアリールアミノ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、シアノアルコキシ、アルコキシカルボニルアルコキシ、カルバモイルアルコキシ、カルバモイルアルキルカルボニルオキシ、スルホアルコキシ、ニトロ、アルコキシアリール、ハロゲンアリール、アミノアリール、アルキルアミノアリール、トリル、アルケニルアリール、アリルアリール、アルケニルオキシアリール、アリルオキシアリール、シアノアリール、カルバモイルアリール、カルボキシアリール、アルコキシカルボニルアリール、アルキルカルボニルオキシアリール、スルホアリール、アルコキシスルホアリール、サルファモイルアリール及びニトロアリールの少なくとも１つを含んでよい。好ましくは、基はアルキル、シクロアルキル、アルコキシ、シアノ、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓを含有する複素環、スルホ、ホスホノ、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオール、アリール、アルケニル、脂肪族、アシル、アルキルアミノ、アルケニルチオ、アリールアミノ、ヘテロアリールアミノ、ハロゲンアリール、アミノアリール、アルキルアミノアリール、アルケニルアリール、アリルアリール、アルケニルオキシアリール、アリルオキシアリール及びシアノアリール基の少なくとも１つを含む。
有機溶媒は、官能基を付加して別の溶媒へと修飾可能な１つ以上の部分を含み得る。該部分はアルカン、環状アルカン、アルケン、環状アルケン、アルキン、芳香族、複素環及びそれらの組み合わせ、エーテル、ハロゲン化炭化水素（フッ化、塩化、臭化、ヨウ化炭化水素）、好ましくはフッ素化したアミン、硫化物、ニトリル、ホスホルアミド（例えばＯＰ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）、及びアミノホスファゼンなどの少なくとも１つの炭化水素を含んでよい。基はアルキル、シクロアルキル、アルコキシカルボニル、シアノ、カルバモイル、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓを含有する複素環、スルホ、スルファモイル、アルコキシスルファモイル、ホスホノ、ヒドロキシル、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオール、アシルオキシ、アリール、アルケニル、脂肪族、アシル、カルボキシル、アミノ、シアノアルコキシ、ジアゾニウム、カルボキシアルキルカルボキサミド、アルケニルチオ、シアノアルコキシカルボニル、カルバモイルアルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアミノ、シアノアルキルアミノ、アルコキシカルボニルアルキルアミノ、スルホアルキルアミノ、アルキルスルファモイルアルキルアミノ、オキシド、ヒドロキシアルキル、カルボキシアルキルカルボニルオキシ、シアノアルキル、カルボキシアルキルチオ、アリールアミノ、ヘテロアリールアミノ、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、シアノアルコキシ、アルコキシカルボニルアルコキシ、カルバモイルアルコキシ、カルバモイルアルキルカルボニルオキシ、スルホアルコキシ、ニトロ、アルコキシアリール、ハロゲンアリール、アミノアリール、アルキルアミノアリール、トリル、アルケニルアリール、アリルアリール、アルケニルオキシアリール、アリルオキシアリール、シアノアリール、カルバモイルアリール、カルボキシアリール、アルコキシカルボニルアリール、アルキルカルボニルオキシアリール、スルホアリール、アルコキシスルホアリール、サルファモイルアリール及びニトロアリールの少なくとも１つを含んでよい。好ましくは、基はアルキル、シクロアルキル、アルコキシ、シアノ、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓを含有する複素環、スルホ、ホスホノ、ハロゲン、アルコキシ、アルキルチオール、アリール、アルケニル、脂肪族、アシル、アルキルアミノ、アルケニルチオ、アリールアミノ、ヘテロアリールアミノ、ハロゲンアリール、アミノアリール、アルキルアミノアリール、アルケニルアリール、アリルアリール、アルケニルオキシアリール、アリルオキシアリール及びシアノアリール基の少なくとも１つを含む。
触媒はＮａＨ分子、Ｌｉ及びＫの少なくとも１つであってよい。後者の場合、ＬｉＨ及びＫＨが触媒源として作用し得る。溶媒は有機溶媒であってよい。溶媒は、溶媒の沸点以上が好ましいセルの操作温度で実質的に蒸発させてよい。溶媒は極性であることが好ましい。溶媒は非プロトン性溶媒であってよい。極性かつ非プロトン性溶媒は、メタノール、エタノール、ギ酸、フッ化水素及びアンモニアなどのプロトン性溶媒と共にイオン溶解力を共有する溶媒であるが酸性水素は有しない。これらの溶媒は概して、高誘電率及び高極性を有する。例として、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、１，４−ジオキサン、及びヘキサメチルホスホラミドが挙げられる。
本開示の１つの実施態様では、溶媒は１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、トリオキサン、アセチルアセトアルデヒドジメチルアセタール、１，４−ベンゾジオキサン、３−ジメチルアミノアニソール、２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、Ｎ−Ｎ−ジメチルホルムアミドエチレンアセタール、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチラール（ジメトキシメタン）、テトラヒドロピランジベンゾジオキサン、ｎ−ブチルエチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、アリルエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ビス（２−エチルヘキシル）エーテル、第二−ブチルエチルエーテル、ジシクロヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、３，４−ジヒドロ−１Ｈ−２−ベンゾピラン、２，２’−ジメトキシビフェニル、１，６−ジメトキシヘキサン、メトキシベンゼンなどの置換芳香族エーテル、メトキシトルエン、２，５−ジメトキシトルエン、１，４−ジフェノキシベンゼンなどのジフェノキシベンゼン、アリルフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ベンジルフェニルエーテル、ｎ−ブチルフェニルエーテル、３，４，５−トリメトキシトルエンなどのトリメトキシトルエン、２，２’−ジナフチルエーテル、２−［２−（ベンジルオキシ）エチル］−５，５−ジメチル−１，３−ジオキサン、１，３−ベンゾジオキソール、ベラトロール（１，２−ジメトキシベンゼン）、アニソール、ビス（フェニル）エーテル、１，４−ダイオキシン、ジベンゾジオキシンまたはジベンゾ［１，４］ダイオキシン、ジビニルエーテル、ジシクロヘキサノ−１８−クラウン−６、ジベンゾ−１８−クラウン−６，１５−クラウン−５、及び１８−クラウン−６などのクラウンエーテル、ビス（４−メチルフェニル）エーテル、ビス（２−シアノエチル）エーテル、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、及びビス［２−（ビニルオキシ）エチル］エーテルの群の少なくとも１つといったエーテルから成る。Ｎａ及び水素源を含む実施態様では、Ｎａがエーテルにやや溶解性があり、しかもナトリウムイオンを安定させることから、エーテルは典型的な溶媒である。これらの特徴はハイドリノ反応に都合がよい。ＮａＨ以外に、ＫまたはＬｉも、エーテル溶媒を付加的に含む反応混合物の触媒として作用し得る。
実施例において、溶媒又はＨＳＡ材料は、Ｃ−Ｏ、Ｃ＝Ｏ、Ｃ≡Ｎ、及び、Ｃ−Ｆのような高い結合モーメントを持つ官能基を含む。溶媒又はＨＳＡ材料の分子は、高い双極子モーメントを持つかもしれない。好ましくは、溶媒又はＨＳＡは、エーテル、ニトリル、又は、フッ化炭化水素のようなハロゲン化炭化水素であり、好ましくは非常に安定した結合を持ち、好ましくは極性があるものの少なくとも１つからなる。好ましくは、フルオロカーボン溶媒は、式ＣｎＦ２ｎ＋２を持ち、幾つかのＨがＦを配置し、又は、芳香族であるかもしれない。もう一つの実施例において、溶媒又はＨＳＡは、フッ化有機分子、フッ素化炭化水素、フッ化アルコキシ化合物、及び、フッ化エーテルからなる群の少なくとも１つを含む。典型的なフッ化溶媒は、１，２−ジメトキシ−４−フルオロベンゼン、ヘキサである花逆ｅｎｚエン、過フルオロヘプタン、オクタフルオロナフタレン、オクタフルオロトルエン、２Ｈ−ペルフルオロ−５，８，１１，１４−テトラメチル−３，６，９，１２，１５−ペンタであるオキサオクタデカン、ペルフルオロ−５，８，１１，１４−テトラメチル−３，６，９，１２，１５−ペンタであるオキサオクタデカン、ペルフルオロ（テトラであるデカであるヒドロフェナントレン）とペルフルオロ−１，３，５−トリメチルシクロヘキサンである。典型的なフッ化ＨＳＡは、ポリテトラフルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮ(登録商標)）、ポリテトラフルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮ(登録商標)）−ＰＦＡ、フッ化ビニル樹脂、ＰＶＦ、ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ（フッ化ビニリデン−コ−ヘキサフルオロプロピレン）、及び、過フルオロアルコキシ・ポリマーである。適当な反応混合物は、オクタフルオロナフタレン、ＮａＨ、及び、Ａｃ、ＴｉＣ、ＷＣ、又は、Ｒ−Ｎｉのような支持体を含む。反応物は、オクタフルオロナフタレン（４５ｗｔ％）、ＮａＨ（１０ｗｔ％）、及び、とＲ−Ｎｉ（４５ｗｔ％）のような、如何なる所望の比率であることができる。
別の溶媒の例としては、式ＣｎＦ２ｎ＋２を有するフッ化炭素などのフッ化炭素が挙げられ、これはＦの箇所に数個のＨを有し、芳香族である場合もある。ある実施態様では、フッ素化溶媒はパーフルオロ−メタン、パーフルオロ−エタン、パーフルオロ−プロパン、パーフルオロ−ヘプタン、パーフルオロ−ペンタン、パーフルオロ−ヘキサン、及びパーフルオロ−シクロヘキサンならびに他の直鎖及び分岐鎖パーフルオロ−アルカン及び部分的にＦ置換アルカン、ビス（ジフルオロメチル）エーテル、１，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、２，２’，３，３’，４，４’，５，５’，６，６’−デカフルオロ−１，１’−ビフェニル、ｏ−ジフルオロベンゼン、ｍ−ジフルオロベンゼン、ｐ−ジフルオロベンゼン、４，４’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル、１，１−ジフルオロシクロヘキサン、１，１−ジフルオロエタン、１，２−ジフルオロエタン、１，１−ジフルオロエテン、シス−１，２−ジフルオロエテン、トランス−１，２−ジフルオロエテン、ジフルオロメタン、２−（ジフルオロメトキシ）−１，１，１−トリフルオロエタン、２，２−ジフルオロプロパン、フルオロベンゼン、２−フルオロ−１，１’−ビフェニル、４−フルオロ−１，１’−ビフェニル、１−フルオロブタン、２−フルオロブタン、フルオロシクロヘキサン、１−フルオロシクロヘキサン、１−フルオロデカン、フルオロエタン、フルオロエテン、１−フルオロヘプタン、１−フルオロヘキサン、フルオロメタン、１−フルオロ−２−メトキシベンゼン、１−フルオロ−３−メトキシベンゼン、１−フルオロ−４−メトキシベンゼン、（フルオロメチル）ベンゼン、２−フルオロ−２−メチルプロパン、１−フルオロナフタレン、２−フルオロナフタレン、１−フルオロオクタン、１−フルオロペンタン、１−フルオロプロパン、２−フルオロプロパン、シス−１−フルオロプロパン、トランンス−１−フルオロプロペン、２−フルオロプロパン、３−フルオロプロペン、２−フルオロピリジン、３−フルオロピリジン、２−フルオロトルエン、３−フルオロトルエン、４−フルオロトルエン、１−フルオロ−２−（トリフルオロメチル）ベンゼン、１−フルオロ−３−（トリフルオロメチル）ベンゼン、１−フルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，１，１，２，３，３，３−ヘプタフルオロプロパン、ヘキサフルオロベンゼン、１，１，２，３，４，４−ヘキサフルオロ−１，３−ブタジエン、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブチン、ヘキサフルオロシクロブテン、ヘキサフルオロエタン、１，１，１，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン、メチル・ペンタフルオロエチル・エ−テル、ペンタフルオロベンゼン、ペンタフルオロエタン、ペンタフルオロメトキシベンゼン、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロパン、２，３，４，５，６−ペンタフルオロトルエン、１，１，２，４，４−ペンタフルオロ−３−（トリフルオロメチル）−１，３−ブタジエン、パーフルオロブタン、パーフルオロ−２−ブテン、パーフルオロ−２−ブチルテトラヒドロフラン、パーフルオロシクロブタン、パーフルオロシクロヘキサン、パーフルオロシクロヘキセン、パーフルオロデカリン、パーフルオロデカン、パーフルオロジメトキシメタン、パーフルオロ−２，３−ジメチルブタン、パーフルオロエチル・エチル・エ−テル、パーフルオロエチル２，２，２−トリフルオロエチル・エーテル、パーフルオロヘプタン、パーフルオロ−１−ヘプタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロ−１−ヘキセン、パーフルオロイソブタン、パーフルオロイソブテン、パーフルオロイソプロピル・メチル・エーテル、パーフルオロメチルシクロヘキサン、パーフルオロ−２−メチルペンタン、パーフルオロ−３−メチルペンタン、パーフルオロナフタレン、パーフルオロノナン、パーフルオロオクタン、フッ化パーフルオロオクチルスルホニル、パーフルオロオキセタン、パーフルオロペンタン、パーフルオロパン、パーフルオロプロペン、パーフルオロプロピル・メチル・エーテル、パーフルオロピリジン、パーフルオロトルエン、パーフルオロトリプロピルアミン、１，１，１，２−テトラフルオロエタン、１，１，２，２−テトラフルオロエタン、１，２，２，２−テトラフルオロエチル・ジフルオロエチル・エーテル、テトラフルオロメタン、トリフルミゾール、トリフルオペラジン、１，２，４−トリフルオロベンゼン、１，３，５−トリフルオロベンゼン、１，１，１−トリフルオロエタン、１，１，２−トリフルオロエタン、トリフルオロエテン、２，２，２−トリフルオロエチル・メチル・エーテル、トリフルオロメタン、トリフルオロメチル・ジフルオロメチル・エーテル、トリフルオロメチル１，１，２，２−テトラフルオロエチル・エーテル、１，１，１−トリフルオロプロパン、３，３，３−トリフルオロプロペン、３，３，３−トリフルオロ−１−プロピン、トリフルプロマジン、アンデカアンデカフルオロシクロヘキサン、ペンタフルオロベンゾニトリル、トリフルオロアセトニトリル、（トリフルオロメチル）ベンゼン、３−（トリフルオロメチル）ベンゾニトリル、４−（トリフルオロメチル）ベンゾニトリル、トリフルオロ（トリフルオロメチル）ロキシラン及びトリス（パーフルオロブチル）アミンの基及び誘導体の中の少なくとも１つを含む。
別の実施態様では、溶媒は、直鎖及び分岐アルカン、アルケン、アルキン及び芳香族のリストにある官能基を有する炭化水素などの炭化水素を含む。炭化水素溶媒は、アセナフテン、アセナフチレン、アリルベンゼン、１−アリルシクロヘキセン、アリルシクロペンタン、アントラセン、ベンズ［ａ］アントラセン，ベンゼン、ベンゾ［ｃ］クリセン、ベンゾ［ｇ］クリセン、ベンゾ［ｂ］フルオランテン、ベンゾ［ｊ］フルオランテン，ベンゾ［ｋ］フルオランテン，１１Ｈ−ベンゾ［ａ］フッ素、１１Ｈ−ベンゾ［ｂ］フルオリン、ベンゾ［ｇｈｉ］ペリレン、ベンゾ［ｃ］フェナントレン、ベンゾ［ａ］ピレン、ベンゾ［ｅ］ピレン、ベンゾ［ｂ］トリフェニレン、９，９’−ビアントラセン、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、ビシクロ［４．１．０］ヘプタン、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン、１，１’−ビシクロペンチル、１，１’−ビナフタレン、２，２’−ビナフタレン、ビフェニル、１，３−ビス（１−メチルエテニル）ベンゼン、（トランス）−１，３−ブタジエニルベンゼン、１，３−ブタジイン、ブタン、１−ブテン、シス−２−ブテン、トランス−２−ブテン、（トランス−１−ブテニル）ベンゼン、２−ブテニルベンゼン、３−ブテニルベンゼン、１−ブテン−３−エン、ブチルベンゼン、第２級ブチルベンゼン、（±），第３級ブチルベンゼン、２−ブチル−１，１’−ビフェニル、ブチルシクロヘキサン、第２級ブチルシクロヘキサン、第３級ブチルシクロヘキサン、ブチルシクロペンタン、１−第３級ブチルｌ−３，５−ジメチルベンゼン、５−ブチルドコサン、１１−ブチルドコサン、１−第３級ブチル−４−エチルベンゼン、１−第３級ブチル−２−メチルベンゼン、１−第３級ブチル−３−メチルベンゼン、１−第３級−ブチル−４−メチルベンゼン、１−ブチルナフタレン、２−ブチルナフタレン、５−ブチルノナン、カンフェン、（＋），カンフェン、（−），３−カレン、（＋），α−カロテン、β−カロテン、β，Ψ−カロテン、Ψ，Ψ−カロテン、Ψ，Ψ−カロテン−１６−ｏｌ、コレスタン、（５α），コレスタン、（５β），シクロブタン、シクロブテン、シクロデカン、シクロドデカン、１，５，９−シクロデカトリエン、シス−シクロドデセン、トランス−シクロドデセン、１，３−シクロヘプタジエン、シクロヘプタン、１，３，５−シクロヘプタトリエン、シクロヘプテン、１，３−シクロヘキサジエン、１，４−シクロヘキサジエン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、１−シクロヘキセン−１−イルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、シクロヘキシルシクロヘキサン、シクロノナン、１，４−シクロオクタジエン、シス，シス−１，５−シクロオクタジエン、シクロオクタン、１，３，５，７−シクロオクタテトラエン、１，３，５−シクロオクタテトリエン、シス−シクロオクテン、トランス−シクロオクテン、シクロオクチン、シクロペンタデカン、１，３−シクロペンタジエン、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロペンチルベンゼン、１，３−デカジエン、１，９−デカジエン、シス−デカヒドロナフタレン、トランス−デカヒドロナフタレン、デカン、１−デセン、シス−２−デセン、トランス−２−デセン、シス−５−デセン、トランス−５−デセン、デシルベンゼン、デシルシクロヘキサン、デシルシクロペンタン、１１−デシルヘンエイコサン、１−デシルナフタレン、１−デシン、５−デシン、ジベンズ［ａ，ｈ］アントラセン、ジベンズ［ａ，ｊ］アントラセン，ジベンゾ［ｂ，ｋ］クリセン、ジベンゾ［ａ，ｅ］ピレン、ジベンゾ［ａ，ｈ］ピレン、ジベンゾ［ａ，ｉ］ピレン、ジベンゾ［ａ，ｌ］ピレン、ｏ−ジエチルベンゼン、ｍ−ジエチルベンゼン、ｐ−ジエチルベンゼン、１，１−ジエチルシクロヘキサン、１，２−ジヒドロベンズ［ｊ］アセアントリレン、９，１０−ジヒドロ−９，１０［１’，２’］−ベンゼノアントラセン、１６，１７−ジヒドロ−１５Ｈ−シクロペンタ［ａ］フェナントレン，２，３−ジヒドロ−１−メチル−１Ｈ−インデン、１，２−ジヒドロナフタレン、１，４−ジヒドロナフタレン、９，１０−ジヒドロフェナントレン、２，３−ジヒドロ−１，１，３−トリメチル−３−フェニル−１Ｈ−インデン、１，２−ジイソプロピルベンゼン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、２，６−ジイソプロピルナフタレン、７，１２−ジメチルベンズ［ａ］アントラセン、２，２’−ジメチルビフェニル、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、２，３−ジメチル−１−ブテン、３，３−ジメチル−１−ブテン、２，３−ジメチル−２−ブテン、３，３−ジメチル−１−ブチン、１，１−ジメチルシクロヘキサン、シス−１，３−ジメチルシクロヘキサン、トランス−１，３−ジメチルシクロヘキサン、シス−１，４−ジメチルシクロヘキサン、トランス−１，４−ジメチルシクロヘキサン、１，２−ジメチルシクロヘキサン、１，３−ジメチルシクロヘキセン、１，１−ジメチルシクロペンタン、シス−１，２−ジメチルシクロペンタン、トランス−１，２−ジメチルシクロペンタン、シス−１，３−ジメチルシクロペンタン、トランス−１，３−ジメチルシクロペンタン、１，２−ジメチルシクロペンテン、１，５−ジメチルシクロペンテン、１，２−ジメチレンシクロヘキサン、２，６−ジメチル−１，５−ヘプタジエン、２，２−ジメチルヘプタン、２，３−ジメチルヘプタン、２，４−ジメチルヘプタン、２，５−ジメチルヘプタン、２，６−ジメチルヘプタン、３，３−ジメチルヘプタン、３，４−ジメチルヘプタン、３，５−ジメチルヘプタン、４，４−ジメチルヘプタン、２，５−ジメチル−１，５−ヘキサジエン、２，５−ジメチル−２，４−ヘキサジエン、２，２−ジメチルヘキサン、２，３−ジメチルヘキサン、２，４−ジメチルヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン、３，３−ジメチルヘキサン、３，４−ジメチルヘキサン、２，３−ジメチル−１−ヘキセン、５，５−ジメチル−１−ヘキセン、２，３−ジメチル−２−ヘキセン、２，５−ジメチル−２−ヘキセン、シス−２，２−ジメチル−３−ヘキセン、トランス−２，２−ジメチル−３−ヘキセン、１−（１，５−ジメチル−４−ヘキセニル）−４−メチルベンゼン、１，１−ジメチルインダン、１，４−ジメチル−７−イソプロピルアズレン、１，６−ジメチル−４−イソプロピルナフタレン、２，４−ジメチル−３−イソプロピルペンタン、１，２−ジメチルナフタレン、１，３−ジメチルナフタレン、１，４−ジメチルナフタレン、１，５−ジメチルナフタレン、１，６−ジメチルナフタレン、１，７−ジメチルナフタレン、１，８−ジメチルナフタレン、２，３−ジメチルナフタレン、２，６−ジメチルナフタレン、２，７−ジメチルナフタレン、３，７−ジメチル−１，６−オクタジエン、２，２−ジメチルオクタン、２，３−ジメチルオクタン、２，４−ジメチルオクタン、２，５−ジメチルオクタン、２，６−ジメチルオクタン、２，７−ジメチルオクタン、３，４−ジメチルオクタン、３，６−ジメチルオクタン、シス−３，７−ジメチル−１，３，６−オクタトリエン、トランス−３，７−ジメチル−１，３，６−オクタトリエン、３，７−ジメチル−１，３，７−オクタトリエン、シス，シシ−２，６−ジメチル−２，４，６−オクタトリエン、トランス，トランス−２，６−ジメチル、２，４，６−オクタトリエン、３，７−ジメチル−１−オクテン、ジメチル−１、３−ペンタジエン、２，２−ジメチルペンタン、２，３−ジメチルペンタン、２，４−ジメチルペンタン、３，３−ジメチルペンタン、２，３−ジメチル−１−ペンテン、２，４−ジメチル−１−ペンテン、３，３−ジメチル−１−ペンテン、３，４−ジメチル−１−ペンテン、２，３−ジメチル−２−ペンテン、２，４−ジメチル−２−ペンテン、シス−３，４−ジメチル−２−ペンテン、シス−３，４−ジメチル−２−ペンテン、トランス−３，４−ジメチル−２−ペンテン、シス−４，４−ジメチル−２−ペンテン、トランス−４，４−ジメチル−２−ペンテン、４，４−ジメチル−１−ペンチン、４，４−ジメチル−２−ペンチン、（１，１−ジメチルプロピル）ベンゼン、（２，２−ジメチルプロピル）ベンゼン、２，７−ジメチルピレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、トランス，トランス−１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジイン、１，１−ジフェニルブタン、１，２−ジフェニルブタン、１，４−ジフェニルブタン、１，３−ジフェニル−１−ブテン、１，１−ジフェニルエタン、１，２−ジフェニルエタン、１，１−ジフェニルエタン、１，６−ジフェニル−１，３，５−ヘキサトリエン、ジフェニルメタン、１，３−ジフェニルプロパン、２，２−ジフェニルプロパン、１，１−ジフェニル−１−プロペン、１，２−ジ（ｐ−トリル）エタン、ｏ−ジビニルベンゼン、ｍ−ジビニルベンゼン、ｐ−ジビニルベンゼン、ドコサン、１−ドコセン、５，７−ドデカジイン、ドデカン、ドデシルシクロヘキサン、１−ドデシン、６−ドデシン、ドトリアコンタン、エイコサン、エルゴスタン、（５α），エルゴスタン，（５β），エタン、エチルベンゼン、エチルシクロヘキサン、１−エチルシクロヘキセン、エチルシクロペンタン、１−エチルシクロペンテン、１−エチル−２，４−ジメチルベンゼン、１−エチル−３，５−ジメチルベンゼン、２−エチル−１，３−ジメチルベンゼン、３−エチル−１，２−ジメチルベンゼン、４−エチル−１，２−ジメチルベンゼン、３−エチル−２，２−ジメチルペンタン、３−エチル−２，３−ジメチルペンタン、３−エチルヘプタン、４−エチルヘプタン、３−エチルヘキサン、エチリデンシクロヘキサン、１−エチル−２−イソプロピルベンゼン、２−エチル−３−メチル−１−ブテン、トランス−１−エチル−４−メチルシクロヘキサン、１−エチル−１−メチルシクロペンタン、シス−１−エチル−２−メチルシクロペンタン、トランス−１−エチル−２−メチルシクロペンタン、シス−１−エチル−３−メチルシクロペンタン、トランス−１−エチル−３−エチルシクロペンタン、３−エチル−４−メチルヘキサン、４−エチル−２メチルヘキサン、３−エチル−２−メチルペンタン、３−エチル−３−メチルペンタン、３−エチル−２−メチル−１−ペンテン、１−エチルナフタレン、２−エチルナフタレン、３−エチルオクタン、４−エチルオクタン、３−エチルペンタン、２−エチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、３−エチル−２−ペンテン、２−エチルスチレン、３−エチルスチレン、４−エチルスチレン、２−エチルトルエン、３−エチルトルエン、４−エチルトルエン、１−エチル−２，４，５−トリメチルベンゼン、２−エチル−１，３，５−トリメチルベンゼン、フルオランテン、フルベン、ヘンエイコサン、ヘントリアコンタン、ヘプタコサン、ヘプタデカン、１−ヘプタデセン、ヘプタデシルベンゼン、１，６−ヘプタジエン、１，６−ヘプタジイン、２，２，４，４，６，８，８−ヘプタメチルノナン、ヘプタン、１−ヘプテン、シス−２−ヘプテン、トランス−２−ヘプテン、シス−３−ヘプテン、トランス−３−ヘプテン、ヘプチルシクロヘキサン、ヘプチルシクロペンタン、１−ヘプチン、２−ヘプチン、３−ヘプチン、ヘキサセン、ヘキサコサン、ヘキサデカン、１−ヘキサデセン、ヘキサデシルベンゼン、１−ヘキサデシン、シス−１，３−ヘキサジエン、トランス−１，３−ヘキサジエン、シス−１，４−ヘキサジエン、トランス−１，４−ヘキサジエン、１，５−ヘキサジエン、シス，シス−２，４−ヘキサジエン、トランス，シス−２，４−ヘキサジエン、トランス，トランス−２，４−ヘキサジエン、１，５−ヘキサジエン−３−イン、１，５−ヘキサジイン、２，４−ヘキサジイン、ヘキサエチルベンゼン、シス−１，２，３，５，６，８ａ−ヘキサヒドロ−４，７−ジメチル−１−イソプロピルナフタレン、（１Ｓ）、ヘキサメチルベンゼン、２，６，１０，１５，１９，２３−ヘキサメチルテトラコサン、ヘキサン、ヘキサトリアコンタン、
シス−１，３，５−ヘキサトリエン、トランス−１，３，５−ヘキサトリエン、１−ヘキセン、シス−２−ヘキセン、トランス−２−ヘキセン、シス−３−ヘキセン、トランス−３−ヘキセン、ヘキシルベンゼン、ヘキシルシクロヘキサン、ヘキシルシクロペンタン、１−ヘキシルナフタレン、１−ヘキシル−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、１−ヘキシン、２−ヘキシン、３−ヘキシン、インダン、インデノ［１，２，３−ｃｄ］ピレン、イソブタン、イソブテン、イソブチルベンゼン、イソブチルシクロヘキサン、イソブチルシクロペンタン、イソペンタン、イソペンチルベンゼン、イソプロペニルベンゼン、ｐ−イソプロペニルイソプロピルベンゼン、ｐ−イソプロペニルスチレン、イソプロピルシクロヘキサン、４−イソプロピルヘプタン、１−イソプロピル−２−メチルベンゼン、１−イソプロピル−３−メチルベンゼン、１−イソプロピル−４−メチルベンゼン、５−イソプロピル−２−メチル−１，３−シクロヘキサジエン、（Ｒ），１−イソプロピルナフタレン、２−イソプロピルナフタレン、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、［２，２］メタシクロファン，１−メチルアントラセン、２−メチルアントラセン、９−メチルアントラセン、７−メチルベンズ［ａ］アントラセン、８−メチルベンズ［ａ］アントラセン、９−メチルベンズ［ａ］アントラセン、１０−メチルベンズ［ａ］アントラセン、１２−メチルベンズ［ａ］アントラセン、１−メチル−２−ベンジルベンゼン、１−メチル−４−ベンジルベンゼン、２−メチルビフェニル、３−メチルビフェニル、４−メチルビフェニル、３−メチル−１，２−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、２−メチル−１−ブテン−３−イン、３−メチル−１−ブチン、３−メチルクリセン、５−メチルクリセン、６−メチルクリセン、２−メチル−１，３−シクロヘキサジエン、１−メチルシクロヘキセン、３−メチルシクロヘキセン、（±）、４−メチルシクロヘキセン、１−メチル−１，３−シクロペンタジエン、メチルシクロペンタン、１−メチルシクロペンテン、３−メチルシクロペンテン、４−メチルシクロペンテン、２−メチルデカン、３−メチルデカン、４−メチルデカン、４−メチル−２，４−ジフェニル−１−ペンテン、メチレンシクロヘキサン、３−メチレンヘプタン、４−メチレン−１−イソプロピルシクロヘキセン、５−（１−メチルエチリデン）−１，３−シクロペンタジエン、１−メチル−９Ｈ−フルオレン、９−メチル−９Ｈ−フルオレン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２−メチル−１−ヘプテン、６−メチル−１−ヘプテン、２−メチル−２−ヘプテン、シス−３−メチル−２−ヘプテン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２−メチル−１−ヘキセン、３−メチル−１−ヘキセン、４−メチル−１−ヘキセン、５−メチル−１−ヘキセン、２−メチル−２−ヘキセン、シス−３−メチル−２−ヘキセン、シス−４−メチル−２−ヘキセン、トランス−４−メチル−２−ヘキセン、シス−５−メチル−２−ヘキセン、トランス−５−メチル−２−ヘキセン、シス−２−メチル−３−ヘキセン、トランス−２−メチル−３−ヘキセン、シス−３−メチル−３−ヘキセン、トランス−３−メチル−３−ヘキセン、５−メチル−１−ヘキシン、５−メチル−２−ヘキシン、２−メチル−３−ヘキシン、シス−１−メチル−４−イソプロピルシクロヘキサン、トランス−１−メチル−４−イソプロピルシクロヘキサン、１−メチル−４−イソプロピルシクロヘキセン、１−メチル−７−イソプロピルフェナントレン、３−メチル−４−メチレンヘキサン、１−メチル−４−（５−メチル−１−メチレン−４−ヘキセニル）シクロヘキセン、（Ｓ）、１−メチル−４−（１−メチルビニル）ベンゼン、１−メチルナフタレン、２−メチルナフタレン、２−メチルノナン、３−メチルノナン、４−メチルノナン、５−メチルノナン、２−メチル−１−ノネン、２−メチル−２−ノルボルネン、２−メチルオクタン、３−メチルオクタン、４−メチルオクタン、２−メチル−１−オクテン、７−メチル−１−オクテン、シス−２−メチル−１，３−ペンタジエン、３−メチル−１，３−ペンタジエン、４−メチル−１，３−ペンタジエン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、２−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、２−メチル−２−ペンテン、３−メチル−シス−２−ペンテン、３−メチル−トランス−２−ペンテン、４−メチル−シス−２−ペンテン、４−メチル−トランス−２−ペンテン、３−メチル−３−ペンテン−１−イン、４−メチル−１−ペンチン、４−メチル−２−ペンチン、１−メチルフェナントレン、３−メチルフェナントレン、４−メチルフェナントレン、２−メチル−１−プロペン、三量体、シス−（１−メチル−１−プロペニル）ベンゼン、トランス−（１−メチル−１−プロペニル）ベンゼン、１−メチル−２−プロピルベンゼン、１−メチル−３−プロピルベンゼン、１−メチルピレン、２−メチルピレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−メチルアンデカン、３−メチルアンデカン、１−メチル−４−ビニルシクロヘキサン、β−ミルセン、ナフサセン、ナフタレン、ノナデカン、１，８−ノナジエン、１，８−ノナジエン、ノナン、１−ノネン、ノニルベンゼン、ノニルシクロヘキサン、ノニルシクロペンタン、１−ノニルナフタレン、１−ノニン、オクタコサン、オクタデカヒドロクリセン、オクタデカン、１−オクタデセン、オクタデシルベンゼン、オクタデシルシクロヘキサン、１，７−オクタジエン、１，７−オクタジイン、１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロアントラセン、オクタヒドロインデン、１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフェナントレン、オクタン、１，３，５，７−オクタテトラエン、１−オクテン、シス−２−オクテン、シス−３−オクテン、トランス−３−オクテン、シス−４−オクテン、トランス−４−オクテン、１−オクテン−３−イン、オクチルベンゼン、オクチルシクロヘキサン、オクチルシクロペンタン、１−オクチン、２−オクチン、３−オクチン、４−オクチン、１，３−ペンタジイン、ペンタエチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、２，２，４，６，６−ペンタメチルヘプタン、２，２，４，６，６−ペンタメチル−３−ヘプテン、２，２，３，３，４−ペンタメチルペンタン、２，２，３，４，４−ペンタメチルペンタン、ペンタン、ペンタフェン、ペンタトリアコンタン、１−ペンテン、シス−２−ペンテン、トランス−２−ペンテン、１−ペンテン−３−イン、１−ペンテン−４−イン、シス−３−ペンテン−１−イン、トランス−３−ペンテン−１−イン、ペンチルベンゼン、ペンチルシクロヘキサン、ペンチルシクロペンタン、１−ペンチルナフタレン、１−ペンチン、２−ペンチン、ペリレン、α−フェランドレン、β−フェランドレン、フェナントレン、フェニルアセチレン、９−フェニルアントラセン、２−フェニル−１，３−ブタジエン、２−フェニル−１−ブテン、１−フェニル−１Ｈ−インデン、１−フェニルナフタレン、２−フェニルナフタレン、５’−フェニル−１，１’：３’，１”−テルフェニル、ピセン、プロパン、プロペン、シス−１−プロペニルベンゼン、トランス−１−プロペニルベンゼン、プロピルベンゼン、プロピルシクロヘキサン、プロピルシクロペンタン、４−プロピルヘプタン、１−プロピルナフタレン、ピレン、１，１’：４’，１”：４”，１”’−クアテルフェニル、スピロ［５．５］アンデカン、スクアレン、シス−スチルベン、トランス−スチルベン、スチレン、ｏ−ターフェニル，ｍ−ターフェニル，ｐ−ターフェニル，α−テルピネン、γ−テルピネン、テトラコサン、テトラデカヒドロフェナントレン、テトラデカン、テトラデシルベンゼン、テトラデシルシクロヘキサン、１，２，３，５−テトラエチルベンゼン、１，２，３，４−テトラヒドロ−１，５−ジメチルナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロ−１−メチルナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロ５−メチルナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−メチルナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロフェナントレン、１，２，３，４−テトラヒドロ−１，１，６−トリメチルナフタレン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、２，２，３，３−テトラメチルブタン、１，２，３，４−テトラメチルシクロヘキサン、１，１，３，３−テトラメチルシクロペンタン、１，１，２，２−テトラメチルシクロプロパン、２，２，３，３−テトラメチルヘキサン、２，２，５，５−テトラメチルヘキサン、３，３，４，４−テトラメチルヘキサン、２，２，３，３−テトラメチルペンタン、２，２，３，４−テトラメチルペンタン、２，２，４，４−テトラメチルペンタン、２，３，３，４−テトラメチルペンタン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、１，１，２，２−テトラフェニルエテン、テトラフェニルメタン、５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン、トリアコンタン、トリコサン、トリシクロ［３．３．１３，７］デカン、トリデカン、１−トリデセン、トリデシルベンゼン、トリデシルシクロヘキサン、１−トリデシン、１，２，３−トリエチルベンゼン、１，２，４−トリエチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，２，４−トリイソプロピルベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、１，７，７−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン、１，７，７−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、２，２，３−トリメチルブタン、２，３，３−トリメチル−１−ブテン、１，１，２−トリメチルシクロヘキサン、１，１，３−トリメチルシクロペンタン、１α，２α，４β−１，２，４−トリメチルシクロペンタン、２，２，６−トリメチルヘプタン、２，５，５−トリメチルヘプタン、３，３，５−トリメチルヘプタン、３，４，５−トリメチルヘプタン、２，２，３−トリメチルヘキサン、２，２，４−トリメチルヘキサン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、２，３，３−トリメチル−１−ペンテン、２，４，４−トリメチル−１−ペンテン、２，３，４−トリメチル−２−ペンテン、１，１，２−トリフェニルエタン、１，１，２−トリフェニルエテン、トリフェニルメタン、トリトリアコンタン、１，１０−アンデカジエン、アンデカン、１−アンデカン、シス−２−アンデカン、トランス−２−アンデカン、シス−４−アンデカン、トランス−４−アンデカン、シス−５−アンデカン、トランス−５−アンデカン、アンデシルベンゼン、１−ウンデシン、２−ウンデシン、ビニルシクロヘキサン、１−ビニルシクロヘキサン、４−ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン、６−ビニル−６−メチル−１−イソプロピル−３−１−（１−メチルエチルイデン）シクロヘキセン、（Ｓ）、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、２−ビニル−５−ノルボルネン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、及びｐ−キシレンから成る群の誘導体の少なくとも１つであってよい。
シス−１，３，５−ヘキサトリエン、トランス−１，３，５−ヘキサトリエン、１−ヘキセン、シス−２−ヘキセン、トランス−２−ヘキセン、シス−３−ヘキセン、トランス−３−ヘキセン、ヘキシルベンゼン、ヘキシルシクロヘキサン、ヘキシルシクロペンタン、１−ヘキシルナフタレン、１−ヘキシル−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、１−ヘキシン、２−ヘキシン、３−ヘキシン、インダン、インデノ［１，２，３−ｃｄ］ピレン、イソブタン、イソブテン、イソブチルベンゼン、イソブチルシクロヘキサン、イソブチルシクロペンタン、イソペンタン、イソペンチルベンゼン、イソプロペニルベンゼン、ｐ−イソプロペニルイソプロピルベンゼン、ｐ−イソプロペニルスチレン、イソプロピルシクロヘキサン、４−イソプロピルヘプタン、１−イソプロピル−２−メチルベンゼン、１−イソプロピル−３−メチルベンゼン、１−イソプロピル−４−メチルベンゼン、５−イソプロピル−２−メチル−１，３−シクロヘキサジエン、（Ｒ），１−イソプロピルナフタレン、２−イソプロピルナフタレン、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、［２，２］メタシクロファン，１−メチルアントラセン、２−メチルアントラセン、９−メチルアントラセン、７−メチルベンズ［ａ］アントラセン、８−メチルベンズ［ａ］アントラセン、９−メチルベンズ［ａ］アントラセン、１０−メチルベンズ［ａ］アントラセン、１２−メチルベンズ［ａ］アントラセン、１−メチル−２−ベンジルベンゼン、１−メチル−４−ベンジルベンゼン、２−メチルビフェニル、３−メチルビフェニル、４−メチルビフェニル、３−メチル−１，２−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ブテン、２−メチル−２−ブテン、２−メチル−１−ブテン−３−イン、３−メチル−１−ブチン、３−メチルクリセン、５−メチルクリセン、６−メチルクリセン、２−メチル−１，３−シクロヘキサジエン、１−メチルシクロヘキセン、３−メチルシクロヘキセン、（±）、４−メチルシクロヘキセン、１−メチル−１，３−シクロペンタジエン、メチルシクロペンタン、１−メチルシクロペンテン、３−メチルシクロペンテン、４−メチルシクロペンテン、２−メチルデカン、３−メチルデカン、４−メチルデカン、４−メチル−２，４−ジフェニル−１−ペンテン、メチレンシクロヘキサン、３−メチレンヘプタン、４−メチレン−１−イソプロピルシクロヘキセン、５−（１−メチルエチリデン）−１，３−シクロペンタジエン、１−メチル−９Ｈ−フルオレン、９−メチル−９Ｈ−フルオレン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２−メチル−１−ヘプテン、６−メチル−１−ヘプテン、２−メチル−２−ヘプテン、シス−３−メチル−２−ヘプテン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２−メチル−１−ヘキセン、３−メチル−１−ヘキセン、４−メチル−１−ヘキセン、５−メチル−１−ヘキセン、２−メチル−２−ヘキセン、シス−３−メチル−２−ヘキセン、シス−４−メチル−２−ヘキセン、トランス−４−メチル−２−ヘキセン、シス−５−メチル−２−ヘキセン、トランス−５−メチル−２−ヘキセン、シス−２−メチル−３−ヘキセン、トランス−２−メチル−３−ヘキセン、シス−３−メチル−３−ヘキセン、トランス−３−メチル−３−ヘキセン、５−メチル−１−ヘキシン、５−メチル−２−ヘキシン、２−メチル−３−ヘキシン、シス−１−メチル−４−イソプロピルシクロヘキサン、トランス−１−メチル−４−イソプロピルシクロヘキサン、１−メチル−４−イソプロピルシクロヘキセン、１−メチル−７−イソプロピルフェナントレン、３−メチル−４−メチレンヘキサン、１−メチル−４−（５−メチル−１−メチレン−４−ヘキセニル）シクロヘキセン、（Ｓ）、１−メチル−４−（１−メチルビニル）ベンゼン、１−メチルナフタレン、２−メチルナフタレン、２−メチルノナン、３−メチルノナン、４−メチルノナン、５−メチルノナン、２−メチル−１−ノネン、２−メチル−２−ノルボルネン、２−メチルオクタン、３−メチルオクタン、４−メチルオクタン、２−メチル−１−オクテン、７−メチル−１−オクテン、シス−２−メチル−１，３−ペンタジエン、３−メチル−１，３−ペンタジエン、４−メチル−１，３−ペンタジエン、２−メチルペンタン、３−メチルペンタン、２−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、２−メチル−２−ペンテン、３−メチル−シス−２−ペンテン、３−メチル−トランス−２−ペンテン、４−メチル−シス−２−ペンテン、４−メチル−トランス−２−ペンテン、３−メチル−３−ペンテン−１−イン、４−メチル−１−ペンチン、４−メチル−２−ペンチン、１−メチルフェナントレン、３−メチルフェナントレン、４−メチルフェナントレン、２−メチル−１−プロペン、三量体、シス−（１−メチル−１−プロペニル）ベンゼン、トランス−（１−メチル−１−プロペニル）ベンゼン、１−メチル−２−プロピルベンゼン、１−メチル−３−プロピルベンゼン、１−メチルピレン、２−メチルピレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−メチルアンデカン、３−メチルアンデカン、１−メチル−４−ビニルシクロヘキサン、β−ミルセン、ナフサセン、ナフタレン、ノナデカン、１，８−ノナジエン、１，８−ノナジエン、ノナン、１−ノネン、ノニルベンゼン、ノニルシクロヘキサン、ノニルシクロペンタン、１−ノニルナフタレン、１−ノニン、オクタコサン、オクタデカヒドロクリセン、オクタデカン、１−オクタデセン、オクタデシルベンゼン、オクタデシルシクロヘキサン、１，７−オクタジエン、１，７−オクタジイン、１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロアントラセン、オクタヒドロインデン、１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロフェナントレン、オクタン、１，３，５，７−オクタテトラエン、１−オクテン、シス−２−オクテン、シス−３−オクテン、トランス−３−オクテン、シス−４−オクテン、トランス−４−オクテン、１−オクテン−３−イン、オクチルベンゼン、オクチルシクロヘキサン、オクチルシクロペンタン、１−オクチン、２−オクチン、３−オクチン、４−オクチン、１，３−ペンタジイン、ペンタエチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、２，２，４，６，６−ペンタメチルヘプタン、２，２，４，６，６−ペンタメチル−３−ヘプテン、２，２，３，３，４−ペンタメチルペンタン、２，２，３，４，４−ペンタメチルペンタン、ペンタン、ペンタフェン、ペンタトリアコンタン、１−ペンテン、シス−２−ペンテン、トランス−２−ペンテン、１−ペンテン−３−イン、１−ペンテン−４−イン、シス−３−ペンテン−１−イン、トランス−３−ペンテン−１−イン、ペンチルベンゼン、ペンチルシクロヘキサン、ペンチルシクロペンタン、１−ペンチルナフタレン、１−ペンチン、２−ペンチン、ペリレン、α−フェランドレン、β−フェランドレン、フェナントレン、フェニルアセチレン、９−フェニルアントラセン、２−フェニル−１，３−ブタジエン、２−フェニル−１−ブテン、１−フェニル−１Ｈ−インデン、１−フェニルナフタレン、２−フェニルナフタレン、５’−フェニル−１，１’：３’，１”−テルフェニル、ピセン、プロパン、プロペン、シス−１−プロペニルベンゼン、トランス−１−プロペニルベンゼン、プロピルベンゼン、プロピルシクロヘキサン、プロピルシクロペンタン、４−プロピルヘプタン、１−プロピルナフタレン、ピレン、１，１’：４’，１”：４”，１”’−クアテルフェニル、スピロ［５．５］アンデカン、スクアレン、シス−スチルベン、トランス−スチルベン、スチレン、ｏ−ターフェニル，ｍ−ターフェニル，ｐ−ターフェニル，α−テルピネン、γ−テルピネン、テトラコサン、テトラデカヒドロフェナントレン、テトラデカン、テトラデシルベンゼン、テトラデシルシクロヘキサン、１，２，３，５−テトラエチルベンゼン、１，２，３，４−テトラヒドロ−１，５−ジメチルナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロ−１−メチルナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロ５−メチルナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−メチルナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロフェナントレン、１，２，３，４−テトラヒドロ−１，１，６−トリメチルナフタレン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、２，２，３，３−テトラメチルブタン、１，２，３，４−テトラメチルシクロヘキサン、１，１，３，３−テトラメチルシクロペンタン、１，１，２，２−テトラメチルシクロプロパン、２，２，３，３−テトラメチルヘキサン、２，２，５，５−テトラメチルヘキサン、３，３，４，４−テトラメチルヘキサン、２，２，３，３−テトラメチルペンタン、２，２，３，４−テトラメチルペンタン、２，２，４，４−テトラメチルペンタン、２，３，３，４−テトラメチルペンタン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、１，１，２，２−テトラフェニルエテン、テトラフェニルメタン、５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン、トリアコンタン、トリコサン、トリシクロ［３．３．１３，７］デカン、トリデカン、１−トリデセン、トリデシルベンゼン、トリデシルシクロヘキサン、１−トリデシン、１，２，３−トリエチルベンゼン、１，２，４−トリエチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，２，４−トリイソプロピルベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリメチルベンゼン、１，７，７−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン、１，７，７−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、２，２，３−トリメチルブタン、２，３，３−トリメチル−１−ブテン、１，１，２−トリメチルシクロヘキサン、１，１，３−トリメチルシクロペンタン、１α，２α，４β−１，２，４−トリメチルシクロペンタン、２，２，６−トリメチルヘプタン、２，５，５−トリメチルヘプタン、３，３，５−トリメチルヘプタン、３，４，５−トリメチルヘプタン、２，２，３−トリメチルヘキサン、２，２，４−トリメチルヘキサン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、２，３，３−トリメチル−１−ペンテン、２，４，４−トリメチル−１−ペンテン、２，３，４−トリメチル−２−ペンテン、１，１，２−トリフェニルエタン、１，１，２−トリフェニルエテン、トリフェニルメタン、トリトリアコンタン、１，１０−アンデカジエン、アンデカン、１−アンデカン、シス−２−アンデカン、トランス−２−アンデカン、シス−４−アンデカン、トランス−４−アンデカン、シス−５−アンデカン、トランス−５−アンデカン、アンデシルベンゼン、１−ウンデシン、２−ウンデシン、ビニルシクロヘキサン、１−ビニルシクロヘキサン、４−ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン、６−ビニル−６−メチル−１−イソプロピル−３−１−（１−メチルエチルイデン）シクロヘキセン、（Ｓ）、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、２−ビニル−５−ノルボルネン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、及びｐ−キシレンから成る群の誘導体の少なくとも１つであってよい。
別の実施態様では、溶媒はトリブチルアミン、トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、トリス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン）、アリルジエチルアミン、アリルジメチルアミンなどのアミン、ベンゾ［ｆ］キノリン、ビス［４−（ジメチルアミノ）フェニル］メタン、４，４’ビス−（ジメチルアミノ）トリフェニルメタン、ブチルジメチルアミン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ジペンテン、メチルシクロヘキサン、２−メチルペンタン、オクタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ピネン、スチレン、テルピネン及び鉱物油などのアルカン、アルケン及びアルキンなどの炭化水素溶媒、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、エチルベンゼン、クメン（イソプロピルベンゼン）、ｐ−サイメン（１−メチル−４−イソプロピルベンゼン）、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、プロピルベンゼン、プソイドクメン（１，２，４−トリメチルベンゼン）、ナフタレン、デカリン（シス及びトランス・デカヒドロナフタレン）、テトラリン（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン）、ピロール、フラン、２，５−ジフェニルフラン、チオフェン、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、キノリン、イソキノリン、インドール、アクリジン、１，２−ジメチルインドール、９，９’−ジオキサンエチリデン、２，６−ルチジン（２，６−ジメチルピリジン）、２−ピコリン（２−メチルピリジン）などの芳香族及び複素環芳香族、ならびにアセトニトリル及びプロパンニトリルなどのニトリルの基の少なくとも１つを含む。ある実施態様では、アミノ基はアリールに結合する。好適なアミノ溶媒は、好ましくは１，３，５−トリス−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンゼン上に複数のアルキル化アミノ基０を有するＮ−ベンジル−Ｎ−エチルアニリンなどのＮ，Ｎ−ジメチルアニリン類似体である。
別の実施態様では、溶媒はジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、ヘキサメチルリン酸アミド（ＨＭＰＡ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、４−ジメチルアミノベンズアルデヒド、アセトン、ジメチルアセトン−１，３−ジカルボン酸塩、３’，４’−ジメチルアセトフェノン、メチルホスホン酸ジメチル、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、ヘキサメチル亜リン酸トリアミド、トリブチル亜リン酸塩、トリブチルホウ酸塩、トリエチルホウ酸塩、トリ−ｎ−ブチルホウ酸塩、トリフェニルホウ素、亜リン酸トリエチル、トリエチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリメチレン、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリフェニル、トリス（フェニル）ホスフィン、フェロセン、ニッケロセン、有機金属化合物、ジメチルセレニウム、ジメチルテルリド、四エチル鉛、エチルトリメチル鉛、テトラ−ｎ−ブチル鉛、フェニルチオベンゼン及びジフェニルセレン化物などの有機金属化合物、トリメチルスチビン、テトラ−ｎ−ブチルゲルマニウム、テトラプロピルチタン酸塩、テトラブチルチタン酸塩、トリブチルアルミン酸塩、トリブチルアルミニウム、トリエチルスチビン、トリメチルアルシン、トリメチルインジウム及びトリフェニルスチビン、ジエチルスルフィド及びビス（フェニル）スルフィドなどのアルキルスルフィド、ジエチルセレニドなどのアルキルセレニド、ジエチルテルル化物などのアルキルテルル化物、ジエチルスルホキシド、アリルエチルエーテル、アルミニウムエタノール付加物、アルミニウムエトキシド、アルミニウム第二−ブトキシド、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリプロピル、ホウ酸トリブチル、ホウ酸トリヘキシル、トリフェニルスチビン、１，３−ベンゾジオキソール、ベンゾフラン、２Ｈ−１−ベンゾピラン、ベンゾチアゾール、ベンゾ［ｂ］チオフェン、ベンゾキサゾール、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルアニリン、ベンジルエチルエーテル、ベンジルメチルエーテル、ベンジルフェニルエーテル、２，２’−ビピリジン、１，３−ビス（１−メチル−４−ピペリジル）プロパン、ビス（４−メチルフェニル）エーテル、ビス（フェニル）エーテル、ビス（４−メチルフェニル）硫化物、ビス（メチルチオ）メタン、１，２−ビス（Ｎ−モルホリノ）エタン、２，２’−ビチオフェン、１−（２−ブトキシエトキシ）−２−プロパノール、１−ブトキシ−４−メチルベンゼン、４−［３−（４−ブトキシフェノキシ）プロピル］モルフォリン、ブチルエチルエーテル、第二−ブチルエーテル、ｔ−ブチルエチルエーテル、ブチルエチル硫化物、ｔ−ブチルエチル硫化物、ブチルイソブチルエーテル、ｔ−ブチルイソブチルエーテル、ｔ−ブチルイソプロピルエーテル、１−ｔ−ブチル−４−メトキシベンゼン、ブチルメチルエーテル、第二−ブチルメチルエーテル、ブチルフェニルエーテル、Ｎ−ブチルピペリジン、ブチルプロピルエーテル、ブチルビニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエーテル、ジベンジルエーテル、１，４−ジブトキシベンゼン、１，２−ジブトキシエタン、ジブトキシメタン、ジブチルエーテル、ジ−第二−ブチルエーテル、ジ−第三−ブチルエーテル、塩酸ジシクロミン、ジエチルエーテル、ジシクロペンチルエーテル、１，２−ジエトキシベンゼン、１，４−ジエトキシベンゼン、１，１−ジエトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルメタンアミン、１，１−ジメトキシエタン、１，２−ジメトキシエタン、ジメトキシメタン、２−（ジエトキシメチル）フラン、１，１−ジエトキシペンタン、１，１−ジエトキシプロパン、２，２−ジエトキシプロパン、３，３−ジエトキシ−１−プロペン、３，３−ジエトキシ−１−プロピン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、ジエチレングリコ−ルジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチルテルリド、ジフルフリルエーテル、ジヘプチルエーテル、ジヘキシルエーテル、２，３−ジヒドロ−１，４−ベンゾジオキシン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、３，４−ジヒドロ−１Ｈ−２−ベンゾピラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−１−ベンゾピラン、２，５−ジヒドロ−２，５−ジメトキシフラン、２，３−ジヒドロ−１，４−ジオキシン、３，６−ジヒドロ−４−メチル−２Ｈ−ピラン、４，５−ジヒドロ−２−メチルチアゾール、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、ジイソペンチル、エ−テル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、１，４−ジメトキシベンゼン、１，２−ジメトキシエタン、４，８−ジメトキシフロ［２，３−ｂ］キノリン、ジメトキシメタン、１，２−ジメトキシ−４−メチルベンゼン、１，３−ジメトキシ−５−メチルベンゼン、１，４−ジメトキシ−２−メチルベンゼン、１，２−ジメチル−１Ｈ−イミダゾール、１，３−ジメチル−１Ｈ−インドール、ジメチルセレニド、１，３−ジオキサン、１，３−ジオキセパン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジフェノキシエタン、ジフェニルセレニド、１，２−ジプロポキシエタン、ジプロポキシメタン、ジプロピルエーテル、ジビニルエーテル、硫化ジビニル、３−エトキシ−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、２−エトキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、１−エトキシ−２−メトキシエタン、エチルトリメチル鉛、インドリジン、４−メトキシピリジン、６−メトキシキノリン、１−メチル−３−フェノキシベンゼン、１−メチル−４−（フェニルチオ）ベンゼン、メチルトリエチル鉛、１，４−オキサチアン、オキサゾール、オキセパン、プテリジン、テトラエトキシゲルマン、チタニウム（ＩＶ）ｎ−ブトキシド、チタン酸テトラプロピル、アルミン酸トリブチル、トリブチルアルミニウム、ホウ酸トリブチル、亜リン酸トリブチル、１，３，５−トリエトキシベンゼン、ホウ酸トリエチル、トリエチルホスフィン、亜リン酸トリエチル、トリエチルスチビン、トリメチルインジウム、亜リン酸トリメチル、トリメチルスチビン、トリフェニルスチビン、Ｎ−（１−シクロペンテン−１−イル）ピロリジン、シクロペンチル硫化メチル、デカメチルシクロペンタシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、Ｎ，Ｎ−ジアリル−２−プロペン−１−アミン、硫化ジアリル、ジベンゾフラン、ベンゾ［ｂ］チオフェン、ジベンゾチオフェン、硫化ジベンジル、Ｎ，Ｎ−ジブチルアニリン、２，６−ジ−三級−ブチルピリジン、硫化ジブチル、ジ−二級−硫化ブチル、ジ−三級−硫化ブチル、ジデシルエーテル、ジエチルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−２−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−４−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１−ナフタレンアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１０Ｈ−フェノチアジン−１０−エタンアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−α−フェニルベンゼンメタンアミン、硫化ジエチル、硫化ジヘプチル、硫化ジヘキシル、２，３−ジヒドロフラン、２，５−ジヒドロフラン、２，３−ジヒドロ−２−メチルベンゾフラン、２，３−ジヒドロチオフェン、２，５−ジヒドロチオフェン、硫化ジイソブチル、硫化ジイソペンチル、硫化ジイソプロピル、１，２−ジメトキシ−４−アリルベンゼン、４，７−ジメトキシ−５−アリル−１，３−ベンゾジオキソール、４，４’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル、１，１−ジメトキシドデカン、（２，２−ジメトキシエチル）ベンゼン、１，１−ジメトキシヘキサデカン、１，２−ジメトキシ−４−（１−プロペニル）ベンゼン、４，５−ジメトキシ−６−（２−プロペニル）−１，３ベンゾジオキソ−ル、１，２−ジメトキシ−４−ビニルベンゼン、２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ベンゾチアゾール、２，６−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール、２，５−ジメチルベンゾキサゾール、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−ベンジル−Ｎ’−２−ピリジニル−１，２−エタンジアミン、４’−ジメチル−２，２’−ビピリジン、ジメチルデシルアミン、ジメチルエーテル、（１，１−ジメチルエトキシ）ベンゼン、２，５−ジメチルフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ナフチルアミン、２，９−ジメチル−１，１０−フェナントロリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，２−ジメチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−プロパンアミン、２，３−ジメチルピラジン、２，５−ジメチルピラジン、２，６−ジメチルピラジン、１，３−ジメチル−１Ｈ−ピラゾ−ル、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ピリジンアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−ピリジンアミン、２，３−ジメチルピリジン、２，４−ジメチルピリジン、２，５−ジメチルピリジン、２，６−ジメチルピリジン、３，４−ジメチルピリジン、３，５−ジメチルピリジン、４，６−ジメチルピリミジン、１，２−ジメチルピロリジン、２，４−ジメチルキノリン、２，６−ジメチルキノリン、２，７−ジメチルキノリン、２，３−ジメチルキノキサリン、硫化ジメチル、テルル化ジメチル、２，５−ジメチル−１，３，４−チアジアゾール、２，７−ジメチルチアントレン、２，４−ジメチルチアゾール、４，５−ジメチルチアゾール、２，３−ジメチルチオフェン、２，４−ジメチルチオフェン、２，５−ジメチルチオフェン、３，４−ジメチルチオフェン、２，６−ジメチル−４−トリデシルモルフォリン、ジノニルエーテル、ジオクチルエーテル、硫化ジオクチル、ジペンチルエーテル、硫化ジペンチル、２，５−ジフェニルオキサゾール、１−（３，３−ジフェニルプロピル）ピペリジン、１，４−ビス（４−メチル−５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼン、硫化ジフェニル、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアニリン、硫化ジプロピル、１，３−ジチアン、１，４−ジチアン、１，３−ジチオラン、１−ドデシルピペリジン、ドチエピン、ドキセピン、ドキシラミン、１−エトキシ−３−メチルベンゼン、１−エトキシ−４−メチルベンゼン、２−エトキシ−２−メチルブタン、１−エトキシナフタレン、２−エトキシナフタレン、２−エチル−１Ｈ−ベンズイミダゾール、９−エチル−９Ｈ−カルバゾール、エチルジメチルアミン、３−エチル−２，５−ジメチルピラジン、２−エチルフラン、エチルヘキシルエーテル、１−エチル−１Ｈ−イミダゾール、エチルイソペンチルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、Ｎ−エチル−Ｎ−イソプロピル−２−プロパンアミン、硫化エチルイソプロピル、１−エチル−４−メトキシベンゼン、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアニリン、１−エチル−２−メチル−１Ｈ−ベンズイミダゾール、２−エチル−２−メチル−１，３−ジオキサラン、エチルメチルエーテル、２−エチル−５−メチルピラジン、３−エチル−４−メチルピリジン、４−エチル−２−メチルピリジン、硫化エチルメチル、Ｎ−エチルモルフォリン、１−エチルピペリジン、エチルプロピルエーテル、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、４−（１−エチルプロピル）ピリジン、硫化エチルプロピル、２−エチルピラジン、２−エチルピリジン、３−エチルピリジン、４−エチルピリジン、１−エチル−１Ｈ−ピロール、２−エチルテトラヒドロフラン、（エチルチオ）ベンゼン、エチルチオシアネート、１−（エチルチオ）−４−メチルベンゼン、２−エチルチオフェン、エチルビニルエーテル、ヘキサブチルジスタノキサン、ヘキサデシルジメチルアミン、ヘキサデシルビニルエーテル、２，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロピロロ［１，２−ａ］ピリミジン、ヘキサヒドロ−１，３，５−トリフェニル−１，３，５−トリアジン、ヒドロコタルニン、ヒドロヒドラスチニン、イミプラミン、イソブチルジメチルアミン、イソプロピルメチルエーテル、硫化イソプロピルメチル、硫化イソプロピルプロピル、（イソプロピルチオ）ベンゼン、イソプロピルビニルエーテル、メブヒドロリン、２−メトキシ−１，１’−ビフェニル、４−メトキシ−１，１’−ビフェニル、１−メトキシ−１，３−ブタジエン、２−メトキシ−１，３−ブタジエン、１−メトキシ−１−ブテン−３−イン、メトキシシクロヘキサン、
（２−メトキシエトキシ）エテン、２−（２−メトキシエチル）ピリジン、２−メトキシフラン、４−メトキシフロ［２，３−ｂ］キノリン、２−メトキシ−２−メチルブタン、２−（メトキシメチル）フラン、１−メトキシナフタレン、２−メトキシナフタレン、トランス−１−メトキシ−４−（２−フェニルビニル）ベンゼン、２−メトキシ−１−プロペン、３−メトキシ−１−プロペン、トランス−１−メトキシ−４−（１−プロペニル）ベンゼン、１−メトキシ−４−（２−プロペニル）ベンゼン、１−メトキシ−４−プロピルベンゼン、２−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、（２−メトキシビニル）ベンゼン、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、１−メチル−１Ｈ−ベンズイマゾール、２−メチルベンゾフラン、２−メチルベンゾチアゾール、２−メチルベンゾオキサゾール、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アニリン、［（３−メチルブトキシ）メチル］ベンゼン、１−［２−（３−メチルブトキシ）−２−フェニルエチル］ピロリジン、メチル第三−ブチルエーテル、３−メチル−９Ｈ−カルバゾール、９−メチル−９Ｈ−カルバゾール、２−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、３−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、メチルジオクチルアミン、４−メチル−１，３−ジオキサン、２−メチル−１，３−ジオキソラン、メチルジフェニルアミン、１−（１−メチルエトキシ）ブタン、２−［２−（１−メチルエトキシ）エチル］ピリジン、１−（１−メチルエトキシ）プロパン、２−メチルフラン、３−メチルフラン、１−メチルイミダゾール、１−メチル−１Ｈ−インドール、１−メチルイソキノリン、３−メチルイソキノリン、４−メチルイソキサゾール、５−メチルイソキサゾール、４−メチルモルフォリン、メチル−１−ナフチルアミン、２−メチルオキサゾール、４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール、２−メチル−２−オキサゾリン、３−（４−メチル−３−ペンテニル）フラン、メチルペンチルエーテル、硫化メチルペンチル、硫化メチル第三−ペンチル、１０−メチル−１０Ｈ−フェノチアジン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルベンゼンメタンアミン、１−メチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−ベンジル−４−ピペリジンアミン、２−メチル−５−フェニルピリジン、１−エチルピペリジン、４−（２−メチルプロペニル）モルフォリン、メチルプロピルエーテル、１−メチル−２−プロピルピペリジン、（Ｓ）、硫化メチルプロピル、Ｎ−メチル−Ｎ−２−プロピルベンゼンメタンアミン、２−メチルピラジン、１−メチル−１Ｈ−ピラゾール、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−メチルピリミジン、４−メチルピリミジン、５−メチルピリミジン、１−メチルピロール、Ｎ−メチルピロリジン、３−（１−メチル−２−ピロリジニル）ピリジン、（±）、２−メチルキノリン、３−メチルキノリン、４−メチルキノリン、５−メチルキノリン、６−メチルキノリン、７−メチルキノリン、８−メチルキノリン、２−メチルキノキサリン、２−メチルテトラヒドロフラン、２−メチルチアゾール、４−メチルチアゾール、（メチルチオ）ベンゼン、（メチルチオ）エテン、［（メチルチオ）メチル］ベンゼン、２−メチルチオフェン、３−メチルチオフェン、３−（メチルチオ）−１−プロペン、メチスチシン、２−（４−モルフォリノチオ）ベンゾチアゾール、ミリスチシン、１，５−ナフチリジン、１，６−ナフチリジン、ニコテリン、オクチルフェニルエーテル、オルフェナドリン、パパベリン、２−（３−ペンテニル）ピリジン、ペラジン、フェナントリジン、１，７−フェナントロリン、１，１０−フェナントロリン、４，７−フェナントロリン、フェナジン、フェンジメトラジン、フェニンダミン、９−フェニルアクリジン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ベンジルベンゼンメタンアミン、２−（２−フェニルエチル）ピリジン、２−フェニルフラン、１−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、４−フェニルモルフォリン、１−フェニルピペリジン、フェニルプロピルエーテル、４−（３−フェニルプロピル）ピリジン、２−フェニルピリジン、３−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、１−フェニル−１Ｈ−ピロール、１−フェニルピロリジン、２−フェニルキノリン、フェニルビニルエーテル、ピプロタール、プロマジン、プロメタジン、トランス−５−（１−プロペニル）−１，３−ベンゾジオキソール、５−プロピル−１，３−ベンゾジオキソール、２−プロピルピリジン、４−プロピルピリジン、（プロピルチオ）ベンゼン、プロピルビニルエーテル、４Ｈ−ピラン、ピランテル、ピリラミン、キナゾリン、サフロール、２，２’：６’，２”−ターピリジン、２，２’：５，２”−テルチオフェン、チタン酸テトラブチル、テトラエトキシメタン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチル−１，２−エタンジアミン、１，２，３，４−テトラヒドロ−６，７−ジメトキシ−１，２−ジメチルイソキノリン、（±）、４，５，６，７−テトラヒドロ−３，６−ジメチルベンゾフラン、シス−テトラヒドロ−２，５−ジメチルチオフェン、３，４，５，６−テトラヒドロ−７−メトキシ−２Ｈ−アゼピン、１，２，３，６−テトラヒドロ−１−メチル−４−フェニルピリジン、テトラヒドロ−３−メチル−２Ｈ−チピラン、２，３，４，５−テトラヒドロ−６−プロピルピリジン、テトラヒドロピラン、５，６，７，８−テトラヒドロキノリン、テトラヒドロチオフェン、Ｎ，Ｎ，２，６−テトラメチルアニリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，４−ベンゼンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ヘキサンジアミン、テナルジン、テニルジアミン、チアシクロキサン、１，２，５−チアジアゾール、チアントレン、チアゾール、チエパン、チエチルペラジン、チオリダジン、９Ｈ−チオキサンテン、チペピジン、トリブチルアミン、１，１，１−トリエトキシエタン、トリエトキシメタン、１，１，１−トリエトキシプロパン、トリエチルアルミニウム、トリエチルアミン、トリエチルアルシン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリフェンモルフ、トリヘキシルアミン、ホウ酸トリヘキシル、アルミン酸トリイソブチル、トリイソブチルアルミニウム、トリイソブチルアミン、トリイソペンチルアミン、トリイソプロポキシメタン、ホウ酸トリイソプロピル、リン酸トリイソプロピル、１，３，５−トリメトキシベンゼン、トリメトキシボロキシン、１，１，１−トリメトキシエタン、トリメトキシメタン、トリメチルアルミニウム、トリメチルアミン、トリメチルアルシン、トリメチルボラン、ホウ酸トリメチル、１，２，４−トリメチルピペラジン、トリメチルピラジン、２，３，６−トリメチルピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、１，２，５−トリメチル−１Ｈ−ピリロール、Ｎ，Ｎ，２−トリメチル−６−キノリンアミン、トリフェニルアルシン、リン酸トリフェニル、２，４，６−トリフェニル−１，３，５−トリアジン、トリプロリジン、トリプロピルアミン、トリプロピルボラン、ホウ酸トリプロピル、リン酸トリプロピル、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）メタン、トリス（エチルチオ）メタン、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（３−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、２，４６−トリス（２−ピリジニル）−１，３，５−ティアジン、トリス（ｏ−トリル）亜リン酸塩、９−ビニル−９Ｈ−カルバゾール、２−ビニルフラン、１−ビニル−２−メトキシベンゼン、１−ビニル−３−メトキシベンゼン、１−ビニル−４−メトキシベンゼン、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、９Ｈ−キサンテン、ジベンゾフラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ベンゾピラン、アルベリン、アルミニウム２−ブトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アンタゾリン、１−ベンジルピペリジン、２−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、１−ベンジル−１Ｈ−ピロール、（ベンジルチオ）ベンゼン、２，２’−ビピリジン、２，３’−ビピリジン、２，４’−ビピリジン、３，３’−ビピリジン、４，４’−ビピリジン、２，２’−ビキノリン、１，３−ビス（１−メチル−４−ピペリジル）プロパン、硫化ブチルメチル、ｔ−硫化ブチルメチル、４−ブチルモフォリン、４−ｔ−ブチルピリジン、２−ブチルチオフェン、クスパリン、シクリジン、４−（３−シクロヘキセン−１−イル）ピリジン、シクロヘキシルジエチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、シラン、ジシラン、シロキサン及びジシロキサンなどのケイ素系溶媒、好ましくは、ヘキサメチルジシロキサン、（ＣＨ３）３ＳｉＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、及び（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＣＨＣＨ２ＣＨ３）２、ハロゲン化シラン、シロキサン、及びジシロキサン、好ましくはイミダゾリウム及びアルキルイミダゾリウム塩などのフッ素化されて、かつイオン性の液体、好ましくは塩化メチルイミダゾリウム及び他の類似の化合物の基及び誘導体の少なくとも１つとして含む。
（２−メトキシエトキシ）エテン、２−（２−メトキシエチル）ピリジン、２−メトキシフラン、４−メトキシフロ［２，３−ｂ］キノリン、２−メトキシ−２−メチルブタン、２−（メトキシメチル）フラン、１−メトキシナフタレン、２−メトキシナフタレン、トランス−１−メトキシ−４−（２−フェニルビニル）ベンゼン、２−メトキシ−１−プロペン、３−メトキシ−１−プロペン、トランス−１−メトキシ−４−（１−プロペニル）ベンゼン、１−メトキシ−４−（２−プロペニル）ベンゼン、１−メトキシ−４−プロピルベンゼン、２−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、３−メトキシピリジン、（２−メトキシビニル）ベンゼン、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、１−メチル−１Ｈ−ベンズイマゾール、２−メチルベンゾフラン、２−メチルベンゾチアゾール、２−メチルベンゾオキサゾール、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）アニリン、［（３−メチルブトキシ）メチル］ベンゼン、１−［２−（３−メチルブトキシ）−２−フェニルエチル］ピロリジン、メチル第三−ブチルエーテル、３−メチル−９Ｈ−カルバゾール、９−メチル−９Ｈ−カルバゾール、２−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、３−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、メチルジオクチルアミン、４−メチル−１，３−ジオキサン、２−メチル−１，３−ジオキソラン、メチルジフェニルアミン、１−（１−メチルエトキシ）ブタン、２−［２−（１−メチルエトキシ）エチル］ピリジン、１−（１−メチルエトキシ）プロパン、２−メチルフラン、３−メチルフラン、１−メチルイミダゾール、１−メチル−１Ｈ−インドール、１−メチルイソキノリン、３−メチルイソキノリン、４−メチルイソキサゾール、５−メチルイソキサゾール、４−メチルモルフォリン、メチル−１−ナフチルアミン、２−メチルオキサゾール、４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサゾール、２−メチル−２−オキサゾリン、３−（４−メチル−３−ペンテニル）フラン、メチルペンチルエーテル、硫化メチルペンチル、硫化メチル第三−ペンチル、１０−メチル−１０Ｈ−フェノチアジン、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルベンゼンメタンアミン、１−メチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−ベンジル−４−ピペリジンアミン、２−メチル−５−フェニルピリジン、１−エチルピペリジン、４−（２−メチルプロペニル）モルフォリン、メチルプロピルエーテル、１−メチル−２−プロピルピペリジン、（Ｓ）、硫化メチルプロピル、Ｎ−メチル−Ｎ−２−プロピルベンゼンメタンアミン、２−メチルピラジン、１−メチル−１Ｈ−ピラゾール、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−メチルピリミジン、４−メチルピリミジン、５−メチルピリミジン、１−メチルピロール、Ｎ−メチルピロリジン、３−（１−メチル−２−ピロリジニル）ピリジン、（±）、２−メチルキノリン、３−メチルキノリン、４−メチルキノリン、５−メチルキノリン、６−メチルキノリン、７−メチルキノリン、８−メチルキノリン、２−メチルキノキサリン、２−メチルテトラヒドロフラン、２−メチルチアゾール、４−メチルチアゾール、（メチルチオ）ベンゼン、（メチルチオ）エテン、［（メチルチオ）メチル］ベンゼン、２−メチルチオフェン、３−メチルチオフェン、３−（メチルチオ）−１−プロペン、メチスチシン、２−（４−モルフォリノチオ）ベンゾチアゾール、ミリスチシン、１，５−ナフチリジン、１，６−ナフチリジン、ニコテリン、オクチルフェニルエーテル、オルフェナドリン、パパベリン、２−（３−ペンテニル）ピリジン、ペラジン、フェナントリジン、１，７−フェナントロリン、１，１０−フェナントロリン、４，７−フェナントロリン、フェナジン、フェンジメトラジン、フェニンダミン、９−フェニルアクリジン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ベンジルベンゼンメタンアミン、２−（２−フェニルエチル）ピリジン、２−フェニルフラン、１−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、４−フェニルモルフォリン、１−フェニルピペリジン、フェニルプロピルエーテル、４−（３−フェニルプロピル）ピリジン、２−フェニルピリジン、３−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、１−フェニル−１Ｈ−ピロール、１−フェニルピロリジン、２−フェニルキノリン、フェニルビニルエーテル、ピプロタール、プロマジン、プロメタジン、トランス−５−（１−プロペニル）−１，３−ベンゾジオキソール、５−プロピル−１，３−ベンゾジオキソール、２−プロピルピリジン、４−プロピルピリジン、（プロピルチオ）ベンゼン、プロピルビニルエーテル、４Ｈ−ピラン、ピランテル、ピリラミン、キナゾリン、サフロール、２，２’：６’，２”−ターピリジン、２，２’：５，２”−テルチオフェン、チタン酸テトラブチル、テトラエトキシメタン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチル−１，２−エタンジアミン、１，２，３，４−テトラヒドロ−６，７−ジメトキシ−１，２−ジメチルイソキノリン、（±）、４，５，６，７−テトラヒドロ−３，６−ジメチルベンゾフラン、シス−テトラヒドロ−２，５−ジメチルチオフェン、３，４，５，６−テトラヒドロ−７−メトキシ−２Ｈ−アゼピン、１，２，３，６−テトラヒドロ−１−メチル−４−フェニルピリジン、テトラヒドロ−３−メチル−２Ｈ−チピラン、２，３，４，５−テトラヒドロ−６−プロピルピリジン、テトラヒドロピラン、５，６，７，８−テトラヒドロキノリン、テトラヒドロチオフェン、Ｎ，Ｎ，２，６−テトラメチルアニリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，４−ベンゼンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，２−エタンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，６−ヘキサンジアミン、テナルジン、テニルジアミン、チアシクロキサン、１，２，５−チアジアゾール、チアントレン、チアゾール、チエパン、チエチルペラジン、チオリダジン、９Ｈ−チオキサンテン、チペピジン、トリブチルアミン、１，１，１−トリエトキシエタン、トリエトキシメタン、１，１，１−トリエトキシプロパン、トリエチルアルミニウム、トリエチルアミン、トリエチルアルシン、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリフェンモルフ、トリヘキシルアミン、ホウ酸トリヘキシル、アルミン酸トリイソブチル、トリイソブチルアルミニウム、トリイソブチルアミン、トリイソペンチルアミン、トリイソプロポキシメタン、ホウ酸トリイソプロピル、リン酸トリイソプロピル、１，３，５−トリメトキシベンゼン、トリメトキシボロキシン、１，１，１−トリメトキシエタン、トリメトキシメタン、トリメチルアルミニウム、トリメチルアミン、トリメチルアルシン、トリメチルボラン、ホウ酸トリメチル、１，２，４−トリメチルピペラジン、トリメチルピラジン、２，３，６−トリメチルピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、１，２，５−トリメチル−１Ｈ−ピリロール、Ｎ，Ｎ，２−トリメチル−６−キノリンアミン、トリフェニルアルシン、リン酸トリフェニル、２，４，６−トリフェニル−１，３，５−トリアジン、トリプロリジン、トリプロピルアミン、トリプロピルボラン、ホウ酸トリプロピル、リン酸トリプロピル、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）メタン、トリス（エチルチオ）メタン、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（３−メチルフェニル）ホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、２，４６−トリス（２−ピリジニル）−１，３，５−ティアジン、トリス（ｏ−トリル）亜リン酸塩、９−ビニル−９Ｈ−カルバゾール、２−ビニルフラン、１−ビニル−２−メトキシベンゼン、１−ビニル−３−メトキシベンゼン、１−ビニル−４−メトキシベンゼン、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、９Ｈ−キサンテン、ジベンゾフラン、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ベンゾピラン、アルベリン、アルミニウム２−ブトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アンタゾリン、１−ベンジルピペリジン、２−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、１−ベンジル−１Ｈ−ピロール、（ベンジルチオ）ベンゼン、２，２’−ビピリジン、２，３’−ビピリジン、２，４’−ビピリジン、３，３’−ビピリジン、４，４’−ビピリジン、２，２’−ビキノリン、１，３−ビス（１−メチル−４−ピペリジル）プロパン、硫化ブチルメチル、ｔ−硫化ブチルメチル、４−ブチルモフォリン、４−ｔ−ブチルピリジン、２−ブチルチオフェン、クスパリン、シクリジン、４−（３−シクロヘキセン−１−イル）ピリジン、シクロヘキシルジエチルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、シラン、ジシラン、シロキサン及びジシロキサンなどのケイ素系溶媒、好ましくは、ヘキサメチルジシロキサン、（ＣＨ３）３ＳｉＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、及び（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＣＨＣＨ２ＣＨ３）２、ハロゲン化シラン、シロキサン、及びジシロキサン、好ましくはイミダゾリウム及びアルキルイミダゾリウム塩などのフッ素化されて、かつイオン性の液体、好ましくは塩化メチルイミダゾリウム及び他の類似の化合物の基及び誘導体の少なくとも１つとして含む。
溶媒はポリマーを含んでもよい。ポリマー溶媒はセルの操作温度で蒸気圧を低下させ、ポリマーはセルの操作温度では液体であることが好ましい。このような重合溶媒の１つには、ポリプロピレングリコールまたは酸化ポリプロピレンが挙げられる。
他の溶媒はＮａＨ分子を溶媒和する特性を有する当技術分野で公知の溶媒である。溶媒混合物は任意のモル比でよい。好適な溶媒はトルエン、ナフタレン、ヘキサフルオロベンゼン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、トリオキサン、１，４−ベンゾジオキサン、１，２−ジメトキシエタン及びＮ，Ｎ−ジメチルアニリン、ビス（フェニル）エーテル、１，４−ダイオキシン、ジベンゾダイオキシンまたはジベンゾ［１，４］ダイオキシン及びジビニルエーテルの群の少なくとも１つを含む。
液体溶媒を含む実施態様では、触媒ＮａＨは反応混合物の成分の少なくとも１つであり、反応混合物から形成される。反応混合物はＮａＨ、Ｎａ、ＮＨ３、ＮａＮＨ２、Ｎａ２ＮＨ、Ｎａ３Ｎ、Ｈ２Ｏ、ＮａＯＨ、ＮａＸ（Ｘは陰イオン、好ましくはハロゲン化物）、Ｒ−Ｎｉ、ＮａＢＨ４、ＮａＡｌＨ４、Ｎｉ、Ｐｔブラック、Ｐｄブラック、Ｎａ、ＮａＯＨ及びＮａＨの少なくとも１つなどのＮａ種でドーピングしたＲ−Ｎｉ、ＨＳＡ支持体、吸着体、分散剤、Ｈ２などの水素源、ならびに水素解離体の群の少なくとも１つをさらに含み得る。支持体はＮａＯＨなどの反応混合物、及びエーテルなどの溶媒、好ましくはＢＤＯの成分で酸化物を形成しないことが好ましい。この場合、支持体は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒ及びＲｈの少なくとも１つなどの貴金属、またはチタニウム上のＰｔもしくはＰｄ（ＰｔもしくはＰｄ／Ｔｉ）などの支持された貴金属であってよい。
典型的な反応混合物は、ＮａＨ又はＮａＨの源、高表面積ニッケル粉末、高表面積コバルト粉末、及び、好ましくはＬａである希土類金属粉末のうちの少なくとも１つ、及び、好ましくは１，４−ベンゾジオキサン（ＢＤＯ）であるエーテル溶媒からなる。
ある実施態様では、反応混合物はＮａＨ＋溶媒＋支持体を含み、ここでは（１）支持体は、還元した高表面積Ｎｉ粉末、Ｌａ粉末、及びナノチューブなどの炭素、好ましくは単層グラファイト、グラフェン、ダイヤモンド様炭素（ＤＬＣ）、水素化ダイヤモンド様炭素（ＨＤＬＣ）、ダイヤモンド粉末、黒鉛炭素、ガラス状炭素、及びＰｄもしくはＰｔ／炭素など他の金属を含む炭素またはフッ素化炭素などの他の元素を含むドーパント、好ましくはフッ素化グラファイトもしくはフッ素化ダイヤモンドから選択した少なくとも１つの支持体を含み；（２）溶媒は１，４−ジベンゾジオキサン（ＢＤＯ）、ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン及びビフェニルエーテルなどのエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン（ＤＭＡｎ）、全フッ素置換されたアルカン、またはヘキサフルオロベンゼン、ヘキサメチルホスホラミド（ＨＭＰＡ）、プロトン酸及びトルエンなどのアリールを含む。他の実施態様では、Ｎａ、Ｋ、ＫＨ、Ｌｉ及びＬｉＨの少なくとも１つはＮａＨと置換する。ある実施態様では、反応混合物は、Ｎａ、ＮａＨ、ＮａＦの群から得る種、溶媒、好ましくはフッ素化した炭素系溶媒、及び炭素などのＨＳＡ材料、好ましくは単層ナノチューブを含む。
好適な反応混合物は（１）ＮａＨ、ヘキサフルオロベンゼン、及び単層ナノチューブの少なくとも１つ、Ｐｔ粉末、活性炭及びＡｌ、Ｌａ、Ｙでドーピングしたメソ多孔性炭素、またはＮｉ粉末もしくは対応するカーバイド、（２）ＮａＨまたはＫＨ、１，４−ジベンゾジオキザン（ＢＤＯ）、Ｌａ粉末、Ｎｄ粉末の少なくとも１つ、及びＡｌ、Ｌａ、Ｙ及びＮｉのカーバイド、（３）ＮａＨ、ジオキサン、及びＣｏまたはＮｄ粉末、（４）ＮａＨ、ＮａＯＨ、ＢＤＯ及びポリテトラフルオロエチレン（Ｔｅｆｌｏｎ(登録商標)）粉末、の群の少なくとも１つを含む。重量パーセントは任意の割合でよく、ほぼ同量が好ましい。別の実施態様では、反応混合物はＮａ、ＮａＨから選択した種、溶媒、好ましくはエーテル溶媒、及び金属、好ましくはレアアースなどのＨＳＡ材料を含む。好適な反応混合物はＮａＨ、１，４−ジベンゾジオキサン（ＢＤＯ）、及びＬａを含む。重量パーセントは任意の割合でよく、それぞれ約１０／４５／４５ｗｔ％が好ましい。別の例示的な動力セルの実施態様では、反応混合物はＮａＨ、Ｒ−Ｎｉまたは高表面積Ｎｉ粉末及びエーテル溶媒を含む。特定の化学セルの実施態様では、反応混合物はさらに、ハイドリノ水素化物イオンの吸着体及びアルカリハロゲン化物などの分子ハイドリノ、好ましくはＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、及びＮａＩの少なくとも１つなどのハロゲン化ナトリウムを含む。
ある実施態様では、溶媒はハロゲン官能基、好ましくはフッ素を有する。好適な反応混合物は、ＮａＨなどの触媒に添加し、活性炭、フッ素ポリマーまたはＲ−Ｎｉなどの支持体と混合したヘキサフルオロベンゼン及びオクタフルオロナフタレンの少なくとも１つを含む。ある実施態様では、反応混合物はＮａ、ＮａＨ、溶媒、好ましくはフッ素化溶媒、及びＨＳＡ材料の群から選ぶ１つ以上の種を含む。ＨＳＡ材料は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎの少なくとも１つなど、炭素で被覆した金属または合金、ならびに当業者に公知の方法にしたがった、好ましくは１〜１０層の炭素層及び、さらに好ましくは３層を有する遷移金属粉末、好ましくはナノパウダー；遷移金属、好ましくはＮｉ、Ｃｏ及びＭｎ被覆炭素及びフッ化物、好ましくは金属フッ化物などの金属または合金被覆炭素、好ましくはナノパウダーの少なくとも１つを含んでよい。金属は鋼鉄、ニッケル、銅またはモネルメタルなどのフッ化物の非反応層で被覆することが可能な金属が好ましい。被覆金属は高表面積の粉末である場合もある。他の好適な金属はフッ化物を被覆したＬａなどのレアアースであり、ＬａＦ３などのＬａＦｘを含む場合もある。特定の実施態様では、金属フッ化物はＭＦより安定しており、ここではＭは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫなどの触媒または触媒源である。さらなる実施態様では、反応混合物は金属フッ化物などのフッ化物をさらに含む。フッ化物はＮａＦ、ＫＦ及びＬｉＦなどの触媒の金属を含み、さらに、遷移金属、貴金属、金属間化合物、レアアース、ランタニド、好ましくはＬａまたはＧｄ，及びアクチニド金属、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、Ｐｂ、メタロイド、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、アルカリ金属及びアルカリ土類金属を含んでもよい。フッ化物は吸着体ならびにＨＳＡ材料を含んでもよい。ある実施態様では、金属は、好ましくは無機フッ化物の形成に抵抗性のあるＬａＮｉ５などの合金及びＮｉ−Ｙ合金またはカーバイドを含んでよい。
再生のための適当なフッ化溶媒は、ＣＦ４である。ＮａＨ触媒に関しフッ化溶媒のための適当な支持体又はＨＳＡ材料は、ＮａＦである。実施例において、反応混合物は、少なくともＮａＨ、ＣＦ４、及び、ＮａＦからなる。他のフッ素ベースの支持体又はゲッターは、Ｍ２ＳｉＦ６（Ｍはアルカリ金属。例えば、Ｎａ２ＳｉＦ６及びＫ２ＳｉＦ６）、ＭＳｉＦ６（Ｍはアルカリ土類金属。例えばＭｇＳｉＦ６、ＧａＦ３、ＰＦ５）、ＭＰＦ６（Ｍはアルカリ金属）、ＭＨＦ２（Ｍはアルカリ金属。例えば、ＮａＨＦ２及びＫＨＦ２、Ｋ２ＴａＦ７、ＫＢＦ４、Ｋ２ＭｎＦ６、及びＫ２ＺｒＦ６）、そして、他の類似の化合物も予期され、例えば、アルカリ金属としてＬｉ，Ｎａ，又は、Ｋの１つがあり、別のアルカリ又はアルカリ土類金属の置換されたもの等からなる。
ある実施態様では、溶媒は、フッ素及び少なくとも１種の他の元素から成り、ここでは少なくとも１種の他の元素をベースとするフッ化物がＮａＨ反応に対して熱力学的または動力学的に安定しており、また、２００℃〜７００℃とすることが可能なセル操作温度の液体であることが好ましい。他の元素はＳｉ、Ｔｅ、ＳｅまたはＳｂとなり得る。溶媒はＳｉｘＦｙであり、ｘ及びｙは整数である。別の実施態様では、反応混合物のＮａＨまたは任意の他の反応物を有する溶媒の化学特性は、ＮａＦ及びＨ２が、好ましくは炭素及びＮａＨを含むフッ素化溶媒へ可逆的に反応するような可逆的化学特性である。ＮａＨ及びフッ素化溶媒を含む実施態様では、任意のＣ−Ｆ結合に対してＮａＨがＮａより反応性が低く、Ｈ２がＮａ量を減少させるようにＨ２をフッ素化溶媒反応に供給する。
ある実施態様では、フッ素化溶媒及びＨＳＡ材料の少なくとも１つはＮａＦを形成する攻撃から保護されている。フッ化炭素は強塩基に安定的であり、ある実施態様では、ＮａＨ触媒源は強塩基である。現物質はＮａ、ＮａＨ、ＮａＮＨ２、ＮＨ３、ＮａＯＨ、Ｎａ２Ｏの少なくとも１つ、水素化物及びＨ２の少なくとも１つなどの水素源、ならびに解離体である。再生可能なものもある触媒ＮａＨを形成する反応は、下記に示す式（１５８〜１６１）、（１６８）及び（１７７〜１８３）に例示される。ＮａＨ触媒を形成するＮａＯＨのサイクルは式（１５８〜１６１）に示される。式（１５８）に示す反応はＮａがフッ化炭素溶媒と反応する量を制限するものである。還元剤をＮａＯＨ含有反応混合物に添加し、ＮａＨ及び還元剤の酸化物を形成し得る。さらにＮａＯＨを生成する可能性がある水素含有酸化物を還元し、反応物を再利用し得る。水素は解離体により解離してもよい。還元剤は、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｓｎ及びＺｎなどの水素により還元可能な対応する酸化物を有する金属であってよい。あるいは、ＺｎＯなどの酸化物は約１７５０℃などの高温まで加熱することにより金属に還元することが可能である。他の実施態様では、フッ素化溶媒はエーテル、好ましくはジベンゾジオキシン、ジベンゾ−１，４−ジオキサン、ジオキサン及びジメトキシエタンの１つ、トルエン、キシレン、ベンゼン、ナフタレン、ナフタセン、フェナントレン、クリセン、フルオランテン及びピレンの少なくとも１つなどの炭化水素、の中の少なくとも１つなどの別のタイプで置換してもよい。支持体は、好ましくはＬａ、Ｐｒ、Ｃｏ及びＮｄの少なくとも１つの金属であってよい。
好適な反応混合物はＮａＨまたはＮａＨ源、溶媒、好ましくはＣＦ４、ヘキサフルオロベンゼン（ＨＦＢ）またはパーフルオロヘプタンなどの炭化水素、好ましくは炭素及び金属を含む支持体、場合により水素から成る。炭素は活性炭（ＡＣ）を含むことが好ましいが、ガラス状炭素、コークス、黒鉛炭素、及びｗｔ％が０．１〜５ｗｔ％であるＰｔまたはＰｄなどの解離体金属を有する炭素などの他の形態を含んでもよい。金属は金属粉末、水素化物またはカーバイドの少なくとも１つ、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属の群の少なくとも１つ、好ましくはＭｇＨ２としてのＭｇ、金属としてのＡｌまたはＡｌ４Ｃ３などのカーバイド、レアアース金属またはカーバイド、好ましくはＬａ、金属または合金、好ましくはＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎの少なくとも１つなどの炭素で被覆したナノパウダー、及び好ましくは１〜１０層、より好ましくは３層の炭素層を有する他の遷移金属粉末、及び金属または合金被覆炭素、好ましくは遷移金属などのナノパウダー、好ましくはＮｉ，Ｃｏ及びＭｎ被覆炭素の少なくとも１つの形態であってよい。金属は炭素と相互に作用している場合もある。挿入する金属がＮａで、触媒がＮａＨである場合、Ｎａ挿入は飽和状態であることが好ましい。反応物は（１）ＮａＨ（１４ｗｔ％）、ＨＦＢ（１４ｗｔ％）、ＡＣ（５８ｗｔ％）及びＭｇＨ２（１４ｗｔ％）；（２）ＮａＨ（１４ｗｔ％）、ＨＦＢ（１４ｗｔ％）、ＡＣ（５８ｗｔ％）及びＡｌ（１４ｗｔ％）；（３）ＮａＨ（１４ｗｔ％）、ＨＦＢ（１４ｗｔ％）、ＡＣ（５８ｗｔ％）及びＡｌ４Ｃ３（１４ｗｔ％）；（４）ＮａＨ（１４ｗｔ％）、ＨＦＢ（１４ｗｔ％）、ＡＣ（５８ｗｔ％）及び炭素で被覆したＣｏナノパウダー（１４ｗｔ％）；（５）ＮａＨ（１４ｗｔ％）、ＨＦＢ（１４ｗｔ％）、ＡＣ（５８ｗｔ％）及びＬａ（１４ｗｔ％）などの任意の望ましい割合とすることが可能である。他の実施態様では、ＡＣ、活性炭はメソ多孔性炭素に置換され、また他の実施態様では溶媒は、好ましくは他の反応物より２〜３倍多い。他の実施態様では、ＫまたはＬｉなどの別の触媒はＮａＨ触媒と置換する。
１つの一般的な実施態様では、反応混合物は保護剤または遮断剤と呼ばれる成分を含み、これは混合物の１つの成分と別のものとの望ましからざる反応を少なくとも部分的に抑制するものである。保護剤または遮断剤は溶媒または支持体と反応しないことが好ましい。強塩基はフッ化炭素に対して非反応性であり；一方、Ｎａは反応性である。したがって、ある実施態様では、Ｈ２、ＮａＯＨ、ＮａＮＨ２及びＮＨ３の少なくとも１つを遮断剤として反応混合物に添加し、ハイドリノ形成反応中に形成された任意のＮａと反応し、フッ化炭素支持体などの支持体と反応することを抑制する。例として、反応混合物はＮａＨ；ＮａＯＨ，ＮａＮＨ２、ＮＨ３、Ｈ２の少なくとも１つなどの遮断剤；ＢＤＯ、クラウンエーテル、酸化ポリプロピレン、ＣＦ４及びＨＦＢの少なくとも１つなどの溶媒；及びポリテトラフルオロエチレン（Ｔｅｆｌｏｎ(登録商標)）粉末などの少なくとも１つのフッ化炭素を含む支持体から成る。例として保護剤は水素化物及びカーバイドである。保護反応物は金属支持体であってよい。反応には、ＮａＨ、ＢＤＯなどのエーテル溶媒、レアアース金属水素化物などの金属水素化物、またはＡｌ、レアアース及び遷移金属カーバイドの少なくとも１つなどのカーバイドが含まれる場合もある。
第２の一般的な実施態様では、反応混合物は、ハイドリノ形成以外の成分間反応に対して長期的に実質的に安定している。好ましくは、極性溶媒などの溶媒は触媒または支持体とは反応しない。例えば、３５０℃未満などの好適に低い反応温度では、エーテル溶媒は触媒源としてのＮａＨ、フッ化炭素支持体、レアアース粉末、水素化物またはカーバイドに対しては非反応性である。したがって、例として反応混合物はＮａＨ、ＢＤＯなどのエーテル溶媒、ジオキサン、またはクラウンエーテル、及びＬａ粉末などの希少金属粉末支持体から成る。別の支持体は、ＬａＮｉ５などの溶媒との反応に耐性のある合金から成る。
３番目の一般的な実施例において、反応混合物は、成分間で副反応もまた起こるが、高収率でハイドリノを形成する反応物からなる。反応物は、ハイドリノを形成するために、もう１つのサイクルを走らせて再生されるかもしれない。典型的な反応混合物は、ＮａＨ、ＣＦ４のようなフルオロカーボン溶媒、及び、ポリテトラフルオロエチレン（Ｔｅｆｌｏｎ(登録商標)）、フッ化黒鉛、活性炭、グラフェン、及び、メソ多孔性炭素、加えて、Ａｌ、Ｌａ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｙ、及び、Ｆｅ粉末、及びそれらの炭化物の少なくとも１つのような支持体からなる。好ましくは、金属と炭化物は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎの１つのような混合物からなる。金属と炭化物は、如何なる重量％比であってよい。好ましくは、組成と重量パーセント（％）比は、約２０から２５％のＮｉ、６０から７０％のＣｏ、及び、５から１５％のＭｎである。もう１つにおいては、金属と炭化物は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓ、及び、Ｃａの１つのような他の元素との混合物からなる。金属と炭化物と他の元素は、如何なる重量％比であってもよい。好ましくは、組成と重量パーセント（％）比率は、約２０±５％のＮｉ、６５±５％Ｃｏ、１０±５％Ｍｎ、１±５％Ｆｅ、１％±２Ｓ、及び、０．５±２％Ｃａである。他の実施例において、炭素支持体は、活性炭又はメソ多孔性炭素のような高表面積炭素、及び、ニッケル、鉄、イリジウム、バナジウム、鉛、モリブデン、及び、タングステンのような、ＮａＦよりも熱力学的に安定でないフッ化物を形成する少なくとも１つの金属からなる。
他の実施態様は、これらに基づくこれら３つの一般的実施態様の任意の組み合わせを含む反応混合物、それらの任意の組み合わせ、または代替的反応戦略または経路を含む。
ある実施態様では、触媒及び原子水素を提供する１種または複数の源物質はＬｉＮＨ２などのアミド、Ｌｉ２ＮＨなどのイミド、Ｌｉ３Ｎなどの窒化物及びＮＨ３を含む触媒金属の中の少なくとも１つから成る。これらの種の反応はＬｉ原子及び原子水素の両方を提供する。また、Ｋ、Ｃｓ及びＮａはＬｉと置換し、触媒は原子Ｋ、原子Ｃｓ及び分子ＮａＨである。液体溶媒を含む反応混合物の別の実施態様では、触媒はＬｉである。反応混合物はＬｉ、ＬｉＮＨ２、Ｌｉ２ＮＨ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＮＯ３、ＬｉＸ、ＮＨ４Ｘ（Ｘは陰イオン、好ましくはハロゲン化物）、ＮＨ３、Ｒ−Ｎｉの群の種、ＨＳＡ支持体、吸着体、分散体、Ｈ２などの水素源及び水素解離体をさらに含んでよい。
ｂ．無機溶媒
別の実施態様では、反応混合物は少なくとも１つの無機溶媒を含む。溶媒は溶融塩などの溶融無機化合物を付加的に含む。無機溶媒は溶融ＮａＯＨであってよい。ある実施態様では、反応混合物は触媒、水素源及び触媒用無機溶媒から成る。触媒はＮａＨ分子、Ｌｉ及びＫの少なくとも１つであってよい。溶媒はアルカリハロゲン化物及びアルカリ土類ハロゲン化物の群の溶融塩の少なくとも１つなどの溶融もしくは融合塩または共晶混合物の少なくとも１つであってよい。ＮａＨ触媒反応混合物の無機溶媒はＮａＣｌ及びＫＣｌなどのアルカリハロゲン化物の混合物の低融点共晶混合物を含んでよい。溶媒は低融点塩、好ましくはＮａＩ（６６０℃）、ＮａＡｌＣｌ４（１６０℃）、ＮａＡｌＦ４の少なくとも１つなどのＮａ塩、ならびにＭが金属であり、ＸがＮａＸより安定した金属ハロゲン化物を有するハロゲン化物であるＮａＭＸ４と同クラスの化合物であってよい。反応混合物はさらに、Ｒ−Ｎｉなどの支持体を含んでよい。
別の実施態様では、反応混合物は少なくとも１つの無機溶媒を含む。溶媒は溶融塩などの溶融無機化合物を付加的に含む。無機溶媒は溶融ＮａＯＨであってよい。ある実施態様では、反応混合物は触媒、水素源及び触媒用無機溶媒から成る。触媒はＮａＨ分子、Ｌｉ及びＫの少なくとも１つであってよい。溶媒はアルカリハロゲン化物及びアルカリ土類ハロゲン化物の群の溶融塩の少なくとも１つなどの溶融もしくは融合塩または共晶混合物の少なくとも１つであってよい。ＮａＨ触媒反応混合物の無機溶媒はＮａＣｌ及びＫＣｌなどのアルカリハロゲン化物の混合物の低融点共晶混合物を含んでよい。溶媒は低融点塩、好ましくはＮａＩ（６６０℃）、ＮａＡｌＣｌ４（１６０℃）、ＮａＡｌＦ４の少なくとも１つなどのＮａ塩、ならびにＭが金属であり、ＸがＮａＸより安定した金属ハロゲン化物を有するハロゲン化物であるＮａＭＸ４と同クラスの化合物であってよい。反応混合物はさらに、Ｒ−Ｎｉなどの支持体を含んでよい。
Ｌｉ触媒反応混合物の無機溶媒はＬｉＣｌ及びＫＣｌなどのアルカリハロゲン化物の混合物の低融点共晶混合物を含んでよい。溶融塩溶媒はＮａＨに安定的なフッ素系溶媒を含んでよい。ＬａＦ３の融点は１４９３℃であり、ＮａＦの融点は９９６℃である。適当な比率で、場合により他のフッ化物を含むボールミル混合物は、ＮａＨに対して安定的で、好ましくは６００℃〜７００℃の範囲で溶融するフッ化物−塩溶媒を含む。溶融塩の実施態様では、反応混合物は、ＮａＦ−ＫＦ−ＬｉＦ（１１．５−４２．０−４６．５）ＭＰ＝４５４℃などのＮａＨ＋塩混合物、またはＬｉＦ−ＫＦ（５２％−４８％）ＭＰ＝４９２℃などのＮａＨ＋塩混合物から成る。
Ｖ．再生システム及び反応
本開示にしたがった燃料再利用または再生システムの概略図を図４に示す。ある実施態様では、ハイドリノ反応の副産物は金属ハロゲン化物ＭＸ、好ましくはＮａＸまたはＫＸを含む。その場合、燃料リサイクラー１８（図４）は、支持体からＮａＸなどの無機化合物を分離する分離器２１を含む。ある実施態様では、分離器またはその部材は、種の密度差に基づく分離を行う移動装置またはサイクロン分離器２２から成る。さらなる分離器またはその部材は、磁性分離器２３から成り、それはＭＸなどの非磁性材料が分離器を流れている間、ニッケルまたは鉄などの磁性粒子が磁石により引き出されるものである。別の実施態様では、分離器またはその部材は、別のものより広範囲に少なくとも１つの成分を溶解し、懸濁し、分離を可能にする成分溶媒洗浄液２５を含む分別生成物可溶化または懸濁システム２４から成り、さらに、溶媒蒸発器２７及び化合物収集器２８などの化合物回収システム２６から成る。あるいは、回収システムは沈殿器２９及び化合物乾燥器及び収集器３０から成る。ある実施態様では、図４に示すタービン１４及び水濃縮器１６からの廃熱を利用し、蒸発器２７及び乾燥器３０の少なくとも１つを加熱する（図４）。リサイクラー１８（図４）の段階の任意の他の部材を熱するための熱は廃熱を含む場合もある。
本開示にしたがった燃料再利用または再生システムの概略図を図４に示す。ある実施態様では、ハイドリノ反応の副産物は金属ハロゲン化物ＭＸ、好ましくはＮａＸまたはＫＸを含む。その場合、燃料リサイクラー１８（図４）は、支持体からＮａＸなどの無機化合物を分離する分離器２１を含む。ある実施態様では、分離器またはその部材は、種の密度差に基づく分離を行う移動装置またはサイクロン分離器２２から成る。さらなる分離器またはその部材は、磁性分離器２３から成り、それはＭＸなどの非磁性材料が分離器を流れている間、ニッケルまたは鉄などの磁性粒子が磁石により引き出されるものである。別の実施態様では、分離器またはその部材は、別のものより広範囲に少なくとも１つの成分を溶解し、懸濁し、分離を可能にする成分溶媒洗浄液２５を含む分別生成物可溶化または懸濁システム２４から成り、さらに、溶媒蒸発器２７及び化合物収集器２８などの化合物回収システム２６から成る。あるいは、回収システムは沈殿器２９及び化合物乾燥器及び収集器３０から成る。ある実施態様では、図４に示すタービン１４及び水濃縮器１６からの廃熱を利用し、蒸発器２７及び乾燥器３０の少なくとも１つを加熱する（図４）。リサイクラー１８（図４）の段階の任意の他の部材を熱するための熱は廃熱を含む場合もある。
燃料リサイクラー１８（図４）はさらに、回収したＭＸを金属及びハロゲンガスまたは他のハロゲン化生成物またはハロゲン化物生成物へと電気分解する電気分解器３１から成る。ある実施態様では、好ましくは共晶融液などの融液から、動力反応器３６内で電気分解が起こる。電気分解ガス及び金属生成物は高揮発性ガス収集器３２及び金属収集器３３で別々に収集し、これらはさらに、金属混合物の場合、それぞれ金属蒸留器または分離器３４を含んでもよい。初期反応物が水素化物である場合、金属は水素化反応器３５により水素化され、この反応器は、圧力を大気圧より低くも高くも同等にもできるセル３６、金属と水素化物の入口と出口３７、水素ガス用入口３８及びそのバルブ３９、水素供給器４０、ガス出口４１及びそのバルブ４２、ポンプ４３、ヒーター４４、ならびに圧力温度計測器４５から成る。ある実施態様では、水素供給器４０は水素を有する水性電気分解器及び酸素ガス分離器を含む。単離した金属生成物は少なくとも部分的にハロゲン化反応器４６中でハロゲン化され、この反応器は、圧力を大気圧より低くも高くも同等にもできるセル４７、炭素用入口とハロゲン化生成物用出口４８、フッ素ガス用入口４９及びそのバルブ５０、ハロゲンガス供給器５１、ガス出口５２及びそのバルブ５３、ポンプ５４、ヒーター５５、及び圧力温度計測器５６から成る。好ましくは、反応器は触媒及び他の反応物も含み、生成物として金属５７を、所望の酸化状態及び化学量論のハロゲン化物にする。金属または金属水素化物、金属ハロゲン化物、支持体及び他の初期反応物の少なくとも２つは、別の動力生成サイクル用の混合器５８中で混合した後、ボイラー１０へと再利用する。
例として、ハイドリノ反応及び再生反応では、反応混合物はＮａＨ触媒、Ｍｇ、ＭｎＩ２、及び支持体、活性炭、ＷＣまたはＴｉＣから成る。ある実施態様では、発熱反応源は、
２ＫＨ＋ＭｎＩ２→２ＫＩ＋Ｍｎ＋Ｈ２ （８６）
Ｍｇ＋ＭｎＩ２→ＭｇＩ２＋Ｍｎ （８７）
などＭｎＩ２による金属水素化物の酸化反応である。ＫＩ及びＭｇＩ２は溶融塩からＩ２、Ｋ及びＭｇへと電気分解し得る。ダウンズセルまたは改変ダウンズセルを使用して溶融電気分解を行ってもよい。Ｍｎは機械的な分離器、場合により篩を使用して分離してよい。未反応ＭｇまたはＭｇＨ２は溶融し、固体相と液体相を分離することによって分離し得る。電気分解用のヨウ化物は、脱酸素水などの好適な溶媒での反応生成物のすすぎ液から得られる。溶液はろ過し、ＡＣなどの支持体、場合により遷移金属を除去する。固体は遠心分離し、好ましくは動力系からの廃熱を利用して乾燥させる。あるいは、それらを溶融し、その後、液相及び固相を分離して、ハロゲン化物を分離してもよい。別の実施態様では、サイクロン分離などの方法で、より軽いＡＣを初めに他の反応生成物から分離し得る。Ｋ及びＭｇは非相溶性であり、分離したＫなどの金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からＨ２ガスで水素化してよい。金属ヨウ化物は、分離した金属、またはＡＣから分離していない金属との公知の反応により形成してよい。ある実施態様では、ＭｎはＨＩと反応し、ＭｎＩ２を形成し、Ｈ２は再利用し、Ｉ２と反応し、ＨＩを形成する。他の実施態様では、他の金属、好ましくは遷移金属はＭｎと置換する。Ａｌなどの別の還元剤はＭｇと置換し得る。別のハロゲン化物、好ましくは塩化物はヨウ化物と置換し得る。ＬｉＨ、ＫＨ、ＲｂＨまたはＣｓＨはＮａＨと置換し得る。
２ＫＨ＋ＭｎＩ２→２ＫＩ＋Ｍｎ＋Ｈ２ （８６）
Ｍｇ＋ＭｎＩ２→ＭｇＩ２＋Ｍｎ （８７）
などＭｎＩ２による金属水素化物の酸化反応である。ＫＩ及びＭｇＩ２は溶融塩からＩ２、Ｋ及びＭｇへと電気分解し得る。ダウンズセルまたは改変ダウンズセルを使用して溶融電気分解を行ってもよい。Ｍｎは機械的な分離器、場合により篩を使用して分離してよい。未反応ＭｇまたはＭｇＨ２は溶融し、固体相と液体相を分離することによって分離し得る。電気分解用のヨウ化物は、脱酸素水などの好適な溶媒での反応生成物のすすぎ液から得られる。溶液はろ過し、ＡＣなどの支持体、場合により遷移金属を除去する。固体は遠心分離し、好ましくは動力系からの廃熱を利用して乾燥させる。あるいは、それらを溶融し、その後、液相及び固相を分離して、ハロゲン化物を分離してもよい。別の実施態様では、サイクロン分離などの方法で、より軽いＡＣを初めに他の反応生成物から分離し得る。Ｋ及びＭｇは非相溶性であり、分離したＫなどの金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からＨ２ガスで水素化してよい。金属ヨウ化物は、分離した金属、またはＡＣから分離していない金属との公知の反応により形成してよい。ある実施態様では、ＭｎはＨＩと反応し、ＭｎＩ２を形成し、Ｈ２は再利用し、Ｉ２と反応し、ＨＩを形成する。他の実施態様では、他の金属、好ましくは遷移金属はＭｎと置換する。Ａｌなどの別の還元剤はＭｇと置換し得る。別のハロゲン化物、好ましくは塩化物はヨウ化物と置換し得る。ＬｉＨ、ＫＨ、ＲｂＨまたはＣｓＨはＮａＨと置換し得る。
例として、ハイドリノ反応及び再生反応では、反応混合物はＮａＨ触媒、Ｍｇ、ＡｇＣｌ及び支持体、活性炭から成る。ある実施態様では、発熱反応源は、
ＫＨ＋ＡｇＣｌ→ＫＣｌ＋Ａｇ＋１／２Ｈ２ （８８）
Ｍｇ＋２ＡｇＣｌ→ＭｇＣｌ２＋２Ａｇ （８９）
などのＡｇＣｌによる金属水素化物の酸化反応である。ＫＣｌ及びＭｇＣｌ２は溶融塩からＣｌ２、Ｋ及びＭｇへと電気分解し得る。ダウンズセルまたは改変ダウンズセルを使用して溶融電気分解を行ってもよい。Ａｇは機械的な分離器、場合により篩を使用して分離してよい。未反応ＭｇまたはＭｇＨ２は溶融し、固相と液相を分離することにより分離し得る。電気分解用の塩化物は、脱酸素水などの好適な溶媒での反応生成物のすすぎ液から得られる。溶液はろ過し、ＡＣなどの支持体、場合によりＡｇ金属を除去する。固体は遠心分離し、好ましくは動力系からの廃熱を利用して乾燥させる。あるいは、それらを溶融し、その後、液相及び固相を分離してハロゲン化物を分離してもよい。別の実施態様では、サイクロン分離などの方法で、より軽いＡＣを初めに他の反応生成物から分離し得る。Ｋ及びＭｇは非相溶性であり、分離したＫなどの金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からＨ２ガスで水素化してよい。金属塩化物は、分離した金属、またはＡＣから分離していない金属との公知の反応により形成してよい。ある実施態様では、ＡｇはＣｌ２と反応し、ＡｇＣｌを形成し、Ｈ２は再利用し、Ｉ２と反応し、ＨＩを形成する。他の実施態様では、他の金属、好ましくは遷移金属またはＩｎはＡｇと置換する。Ａｌなどの別の還元剤はＭｇと置換し得る。別のハロゲン化物、好ましくは塩化物はヨウ化物と置換し得る。ＬｉＨ、ＫＨ、ＲｂＨまたはＣｓＨはＮａＨと置換する。
ＫＨ＋ＡｇＣｌ→ＫＣｌ＋Ａｇ＋１／２Ｈ２ （８８）
Ｍｇ＋２ＡｇＣｌ→ＭｇＣｌ２＋２Ａｇ （８９）
などのＡｇＣｌによる金属水素化物の酸化反応である。ＫＣｌ及びＭｇＣｌ２は溶融塩からＣｌ２、Ｋ及びＭｇへと電気分解し得る。ダウンズセルまたは改変ダウンズセルを使用して溶融電気分解を行ってもよい。Ａｇは機械的な分離器、場合により篩を使用して分離してよい。未反応ＭｇまたはＭｇＨ２は溶融し、固相と液相を分離することにより分離し得る。電気分解用の塩化物は、脱酸素水などの好適な溶媒での反応生成物のすすぎ液から得られる。溶液はろ過し、ＡＣなどの支持体、場合によりＡｇ金属を除去する。固体は遠心分離し、好ましくは動力系からの廃熱を利用して乾燥させる。あるいは、それらを溶融し、その後、液相及び固相を分離してハロゲン化物を分離してもよい。別の実施態様では、サイクロン分離などの方法で、より軽いＡＣを初めに他の反応生成物から分離し得る。Ｋ及びＭｇは非相溶性であり、分離したＫなどの金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からＨ２ガスで水素化してよい。金属塩化物は、分離した金属、またはＡＣから分離していない金属との公知の反応により形成してよい。ある実施態様では、ＡｇはＣｌ２と反応し、ＡｇＣｌを形成し、Ｈ２は再利用し、Ｉ２と反応し、ＨＩを形成する。他の実施態様では、他の金属、好ましくは遷移金属またはＩｎはＡｇと置換する。Ａｌなどの別の還元剤はＭｇと置換し得る。別のハロゲン化物、好ましくは塩化物はヨウ化物と置換し得る。ＬｉＨ、ＫＨ、ＲｂＨまたはＣｓＨはＮａＨと置換する。
ある実施態様では、反応混合物はハイドリノ反応生成物から再生する。例として、ハイドリノ反応及び再生反応では、固体燃料反応混合物はＫＨまたはＮａＨ触媒、ＭｇまたはＭｇＨ２、及びＢａＢｒ２などのアルカリ土類ハロゲン化物、及び支持体、活性炭、ＷＣまたは、好ましくはＴｉＣから成る。ある実施態様では、発熱反応源は、
２ＫＨ＋Ｍｇ＋ＢａＢｒ２→２ＫＢｒ＋Ｂａ＋ＭｇＨ２ （９０）
２ＮａＨ＋Ｍｇ＋ＢａＢｒ２→２ＮａＢｒ＋Ｂａ＋ＭｇＨ２ （９１）
などＢａＢｒ２による金属水素化物または金属の酸化反応である。Ｂａ、マグネシウム、ＭｇＨ２、ＮａＢｒ及びＫＢｒの融点はそれぞれ、７２７℃、６５０℃、３２７℃、７４７℃及び７３４℃である。したがって、場合によりＨ２を添加してＭｇＨ２を維持し、優先的にＭｇＨ２を溶融し、反応生成物混合物から液体を分離することによって、バリウム及び任意のＢａ−Ｍｇ金属間化合物からＭｇＨ２を分離することが可能である。場合により、それはＭｇへと熱分解し得る。次に、残りの反応生成物を電気分解融液に添加してもよい。固体支持体及びＢａは沈殿し、分離可能な層を形成することが好ましい。あるいは、Ｂａは溶融して液体として分離し得る。その後ＮａＢｒまたはＫＢｒを電気分解し、アルカリ金属及びＢｒ２を形成してもよい。後者はＢａと反応し、ＢａＢｒ２を形成する。あるいは、Ｂａは陰極であり、ＢａＢｒ２は陽極区画で直接形成する。アルカリ金属は電気分解後に水素化され、あるいは陰極区画内でＨ２を泡立てることにより、電気分解中、陰極区画で形成される。その後ＭｇＨ２またはＭｇ、ＮａＨまたはＫＨ、ＢａＢｒ２及び支持体を反応混合物に戻す。他の実施態様では、他の実施態様では、別のアルカリ土類ハロゲン化物はＢａＢｒ２好ましくはＢａＣｌ２と置換する。別の実施態様では、反応物と生成物間のエネルギー差が小さいことから、電気分解せずに再生反応が起こる。式（９０〜９１）に示される反応は、温度または水素圧などの反応条件を変化させることで逆転し得る。あるいは、ＫまたはＮａなどの溶融または揮発性種を選択的に除去し、さらに反応させることが可能な反応物または種を再生するために反応が逆行するように操作し、セルに戻し、元の反応混合物を形成する。別の実施態様では、ＮａＨ、ＫＨ，ＮａまたはＫなどの触媒または触媒源と、アルカリ土類ハロゲン化物またはレアアースハロゲン化物などの初期酸化物との間の可逆反応を維持するために、揮発性種を継続的に還流させてもよい。ある実施態様では、図４に示す蒸留器３４などの蒸留器を使用して還流を可能にする。別の実施態様では、温度または水素圧などの反応条件を変化させ、反応を逆転させ得る。この場合、初めに反応は、ハイドリノ及び反応混合物生成物を形成する順方向で実行する。その後、低エネルギー水素以外の生成物を初期反応物へと変換する。このことは、反応条件を変えることで、場合により、初めに使用または形成したものと同じ、あるいは異なる生成物または反応物を少なくとも部分的に添加または除去することで可能になる。したがって、順方向反応及び再生反応は、交互サイクルで実行する。水素を添加し、ハイドリノ形成で消費された水素を補ってもよい。別の実施態様では、高温などの反応条件が維持される。この温度では、ハイドリノ形成が望ましい速度、好ましくは最大になることを可能にする方法で順反応及び逆行反応が起こるように可逆反応が最適化されている。
２ＫＨ＋Ｍｇ＋ＢａＢｒ２→２ＫＢｒ＋Ｂａ＋ＭｇＨ２ （９０）
２ＮａＨ＋Ｍｇ＋ＢａＢｒ２→２ＮａＢｒ＋Ｂａ＋ＭｇＨ２ （９１）
などＢａＢｒ２による金属水素化物または金属の酸化反応である。Ｂａ、マグネシウム、ＭｇＨ２、ＮａＢｒ及びＫＢｒの融点はそれぞれ、７２７℃、６５０℃、３２７℃、７４７℃及び７３４℃である。したがって、場合によりＨ２を添加してＭｇＨ２を維持し、優先的にＭｇＨ２を溶融し、反応生成物混合物から液体を分離することによって、バリウム及び任意のＢａ−Ｍｇ金属間化合物からＭｇＨ２を分離することが可能である。場合により、それはＭｇへと熱分解し得る。次に、残りの反応生成物を電気分解融液に添加してもよい。固体支持体及びＢａは沈殿し、分離可能な層を形成することが好ましい。あるいは、Ｂａは溶融して液体として分離し得る。その後ＮａＢｒまたはＫＢｒを電気分解し、アルカリ金属及びＢｒ２を形成してもよい。後者はＢａと反応し、ＢａＢｒ２を形成する。あるいは、Ｂａは陰極であり、ＢａＢｒ２は陽極区画で直接形成する。アルカリ金属は電気分解後に水素化され、あるいは陰極区画内でＨ２を泡立てることにより、電気分解中、陰極区画で形成される。その後ＭｇＨ２またはＭｇ、ＮａＨまたはＫＨ、ＢａＢｒ２及び支持体を反応混合物に戻す。他の実施態様では、他の実施態様では、別のアルカリ土類ハロゲン化物はＢａＢｒ２好ましくはＢａＣｌ２と置換する。別の実施態様では、反応物と生成物間のエネルギー差が小さいことから、電気分解せずに再生反応が起こる。式（９０〜９１）に示される反応は、温度または水素圧などの反応条件を変化させることで逆転し得る。あるいは、ＫまたはＮａなどの溶融または揮発性種を選択的に除去し、さらに反応させることが可能な反応物または種を再生するために反応が逆行するように操作し、セルに戻し、元の反応混合物を形成する。別の実施態様では、ＮａＨ、ＫＨ，ＮａまたはＫなどの触媒または触媒源と、アルカリ土類ハロゲン化物またはレアアースハロゲン化物などの初期酸化物との間の可逆反応を維持するために、揮発性種を継続的に還流させてもよい。ある実施態様では、図４に示す蒸留器３４などの蒸留器を使用して還流を可能にする。別の実施態様では、温度または水素圧などの反応条件を変化させ、反応を逆転させ得る。この場合、初めに反応は、ハイドリノ及び反応混合物生成物を形成する順方向で実行する。その後、低エネルギー水素以外の生成物を初期反応物へと変換する。このことは、反応条件を変えることで、場合により、初めに使用または形成したものと同じ、あるいは異なる生成物または反応物を少なくとも部分的に添加または除去することで可能になる。したがって、順方向反応及び再生反応は、交互サイクルで実行する。水素を添加し、ハイドリノ形成で消費された水素を補ってもよい。別の実施態様では、高温などの反応条件が維持される。この温度では、ハイドリノ形成が望ましい速度、好ましくは最大になることを可能にする方法で順反応及び逆行反応が起こるように可逆反応が最適化されている。
例として、ハイドリノ及び再生反応では、固体燃料反応混合物はＮａＨ触媒、Ｍｇ、ＦｅＢｒ２、及び支持体、活性炭から成る。ある実施態様では、発熱反応源は
２ＮａＨ＋ＦｅＢｒ２→２ＮａＢｒ＋Ｆｅ＋Ｈ２ （９２）
Ｍｇ＋ＦｅＢｒ２→ＭｇＢｒ２＋Ｆｅ （９３）
などのＦｅＢｒ２による金属水素化物の酸化反応である。ＮａＢｒ及びＭｇＢｒ２は溶融塩からＢｒ２、Ｎａ及びＭｇへと電気分解し得る。溶融電気分解はダウンズセルまたは改変ダウンズセルを使用して実行し得る。Ｆｅは強磁性であり、機械的な分離器、場合により篩を使用して磁気的に分離してよい。別の実施態様では、強磁性ＮｉはＦｅと置換してよい。未反応ＭｇまたはＭｇＨ２は溶融し、固相と液相を分離することによって分離し得る。電気分解用の臭化物は、脱酸素水などの好適な溶媒での反応生成物のすすぎ液から得られる。溶液はろ過し、ＡＣなどの支持体、場合により遷移金属を除去する。固体は遠心分離し、好ましくは動力系からの廃熱を利用して乾燥させる。あるいは、それらを溶融し、その後、液体及び固相を分離してハロゲン化物を分離してもよい。別の実施態様では、サイクロン分離などの方法で、より軽いＡＣを初めに他の反応生成物から分離し得る。Ｎａ及びＭｇは非相溶性であり、分離したＮａなどの金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からＨ２ガスで水素化してよい。金属臭化物は、分離した金属、またはＡＣから分離していない金属との公知の反応により形成してよい。ある実施態様では、ＦｅはＨＢｒと反応し、ＦｅＢｒ２を形成し、Ｈ２は再利用し、Ｂｒ２と反応し、ＨＢｒを形成する。他の実施態様では、他の金属、好ましくは遷移金属はＦｅと置換する。Ａｌなどの別の還元剤はＭｇと置換し得る。別のハロゲン化物、好ましくは塩化物は臭化物と置換し得る。ＬｉＨ、ＫＨ、ＲｂＨまたはＣｓＨはＮａＨと置換する。
２ＮａＨ＋ＦｅＢｒ２→２ＮａＢｒ＋Ｆｅ＋Ｈ２ （９２）
Ｍｇ＋ＦｅＢｒ２→ＭｇＢｒ２＋Ｆｅ （９３）
などのＦｅＢｒ２による金属水素化物の酸化反応である。ＮａＢｒ及びＭｇＢｒ２は溶融塩からＢｒ２、Ｎａ及びＭｇへと電気分解し得る。溶融電気分解はダウンズセルまたは改変ダウンズセルを使用して実行し得る。Ｆｅは強磁性であり、機械的な分離器、場合により篩を使用して磁気的に分離してよい。別の実施態様では、強磁性ＮｉはＦｅと置換してよい。未反応ＭｇまたはＭｇＨ２は溶融し、固相と液相を分離することによって分離し得る。電気分解用の臭化物は、脱酸素水などの好適な溶媒での反応生成物のすすぎ液から得られる。溶液はろ過し、ＡＣなどの支持体、場合により遷移金属を除去する。固体は遠心分離し、好ましくは動力系からの廃熱を利用して乾燥させる。あるいは、それらを溶融し、その後、液体及び固相を分離してハロゲン化物を分離してもよい。別の実施態様では、サイクロン分離などの方法で、より軽いＡＣを初めに他の反応生成物から分離し得る。Ｎａ及びＭｇは非相溶性であり、分離したＮａなどの金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からＨ２ガスで水素化してよい。金属臭化物は、分離した金属、またはＡＣから分離していない金属との公知の反応により形成してよい。ある実施態様では、ＦｅはＨＢｒと反応し、ＦｅＢｒ２を形成し、Ｈ２は再利用し、Ｂｒ２と反応し、ＨＢｒを形成する。他の実施態様では、他の金属、好ましくは遷移金属はＦｅと置換する。Ａｌなどの別の還元剤はＭｇと置換し得る。別のハロゲン化物、好ましくは塩化物は臭化物と置換し得る。ＬｉＨ、ＫＨ、ＲｂＨまたはＣｓＨはＮａＨと置換する。
例として、ハイドリノ反応及び再生反応では、固体燃料反応混合物はＫＨまたはＮａＨ触媒、ＭｇまたはＭｇＨ２、ＳｎＢｒ２、及び支持体、活性炭、ＷＣまたはＴｉＣから成る。ある実施態様では、発熱反応源は、
２ＫＨ＋ＳｎＢｒ２→２ＫＢｒ＋Ｓｎ＋Ｈ２ （９４）
２ＮａＨ＋ＳｎＢｒ２→２ＮａＢｒ＋Ｓｎ＋Ｈ２ （９５）
Ｍｇ＋ＳｎＢｒ２→ＭｇＢｒ２＋Ｓｎ （９６）
などＳｎＢｒ２による金属水素化物または金属の酸化反応である。スズ、マグネシウム、ＭｇＨ２、ＮａＢｒ及びＫＢｒの融点はそれぞれ、１１９℃、６５０℃、３２７℃、７４７℃及び７３４℃である。スズ−マグネシウム合金は、合金相の図表に示すとおり、Ｍｇが約５ｗｔ％では、例えば４００℃以上で溶融することが分かっている。ある実施態様では、スズ及びマグネシウム金属及び合金は、金属及び合金を溶融し、液相及び固相を分離することで支持体及びハロゲン化物から分離する。合金はＭｇＨ２固体及びスズ金属を形成する温度でＨ２と反応し得る。固相及び液相を分離し、ＭｇＨ２及びスズを得る。ＭｇＨ２はＭｇ及びＨ２へと熱分解し得る。あるいは、任意の未反応Ｍｇ及び任意のＳｎ−Ｍｇ合金を固体ＭｇＨ２及び液体スズに変換するように選択した温度で、Ｈ２を元の場所の反応生成物に添加してもよい。スズは選択的に除去し得る。その後、ＭｇＨ２を加熱し、液体として除去する。次に、（１）溶融及び相分離、（２）ＷＣなどの高密度支持体が好まれる濃度差によるサイクロン分離、または（３）サイズ差による篩い分けなどの方法により、ハロゲン化物を支持体から除去し得る。あるいは、ハロゲン化物を好適な溶媒に溶解し、液体及び固体相を、ろ過などの方法で分離してもよい。液体を蒸発させ、次に、非相溶性でそれぞれが分離しているＮａまたはＫ、場合によりＭｇ金属へと、ハロゲン化物を融液から電気分解する。別の実施態様では、ハロゲン化ナトリウム、好ましくはハイドリノ反応器で形成したものと同じハロゲン化物を電気分解して再生するＮａ金属を使用し、ハロゲン化物の還元によりＫを形成する。また、Ｂｒ２などのハロゲンガスを電気分解融液から回収し、単離したＳｎと反応させ、ＮａＨまたはＫＨ、及びＭｇまたはＭｇＨ２とのハイドリノ反応の別のサイクルのために再利用するＳｎＢｒ２を形成する。ここでは水素化物はＨ２ガスでの水素化により形成される。ある実施態様では、ＨＢｒが形成され、Ｓｎと反応し、ＳｎＢｒ２を形成する。Ｂｒ２及びＨ２の反応により、あるいは電気分解エネルギーを低下させるような利点を有する陽極上でＨ２を泡立てることによる電気分解中に、ＨＢｒを形成してもよい。他の実施態様では、別の金属がＳｎ、好ましくは遷移金属と置換し、別のハロゲン化物はＩなどのＢｒと置換する場合がある。
２ＫＨ＋ＳｎＢｒ２→２ＫＢｒ＋Ｓｎ＋Ｈ２ （９４）
２ＮａＨ＋ＳｎＢｒ２→２ＮａＢｒ＋Ｓｎ＋Ｈ２ （９５）
Ｍｇ＋ＳｎＢｒ２→ＭｇＢｒ２＋Ｓｎ （９６）
などＳｎＢｒ２による金属水素化物または金属の酸化反応である。スズ、マグネシウム、ＭｇＨ２、ＮａＢｒ及びＫＢｒの融点はそれぞれ、１１９℃、６５０℃、３２７℃、７４７℃及び７３４℃である。スズ−マグネシウム合金は、合金相の図表に示すとおり、Ｍｇが約５ｗｔ％では、例えば４００℃以上で溶融することが分かっている。ある実施態様では、スズ及びマグネシウム金属及び合金は、金属及び合金を溶融し、液相及び固相を分離することで支持体及びハロゲン化物から分離する。合金はＭｇＨ２固体及びスズ金属を形成する温度でＨ２と反応し得る。固相及び液相を分離し、ＭｇＨ２及びスズを得る。ＭｇＨ２はＭｇ及びＨ２へと熱分解し得る。あるいは、任意の未反応Ｍｇ及び任意のＳｎ−Ｍｇ合金を固体ＭｇＨ２及び液体スズに変換するように選択した温度で、Ｈ２を元の場所の反応生成物に添加してもよい。スズは選択的に除去し得る。その後、ＭｇＨ２を加熱し、液体として除去する。次に、（１）溶融及び相分離、（２）ＷＣなどの高密度支持体が好まれる濃度差によるサイクロン分離、または（３）サイズ差による篩い分けなどの方法により、ハロゲン化物を支持体から除去し得る。あるいは、ハロゲン化物を好適な溶媒に溶解し、液体及び固体相を、ろ過などの方法で分離してもよい。液体を蒸発させ、次に、非相溶性でそれぞれが分離しているＮａまたはＫ、場合によりＭｇ金属へと、ハロゲン化物を融液から電気分解する。別の実施態様では、ハロゲン化ナトリウム、好ましくはハイドリノ反応器で形成したものと同じハロゲン化物を電気分解して再生するＮａ金属を使用し、ハロゲン化物の還元によりＫを形成する。また、Ｂｒ２などのハロゲンガスを電気分解融液から回収し、単離したＳｎと反応させ、ＮａＨまたはＫＨ、及びＭｇまたはＭｇＨ２とのハイドリノ反応の別のサイクルのために再利用するＳｎＢｒ２を形成する。ここでは水素化物はＨ２ガスでの水素化により形成される。ある実施態様では、ＨＢｒが形成され、Ｓｎと反応し、ＳｎＢｒ２を形成する。Ｂｒ２及びＨ２の反応により、あるいは電気分解エネルギーを低下させるような利点を有する陽極上でＨ２を泡立てることによる電気分解中に、ＨＢｒを形成してもよい。他の実施態様では、別の金属がＳｎ、好ましくは遷移金属と置換し、別のハロゲン化物はＩなどのＢｒと置換する場合がある。
別の実施態様では、初期段階で、すべての反応生成物は水性ＨＢｒと反応し、溶液を濃縮し、ＭｇＢｒ２及びＫＢｒ溶液からＳｎＢｒ２を沈殿させる。塩を分離するために他の好適な溶媒及び分離法を使用してよい。その後ＭｇＢｒ２及びＫＢｒをＭｇ及びＫへと電気分解する。あるいは、ＫＢｒのみ電気分解が必要になるように作動部分または選択的溶媒法によって、最初にＭｇまたはＭｇＨ２を除去する。ある実施態様では、ハイドリノ反応中、またはその後、Ｈ２を添加して形成し得る固体ＭｇＨ２から融液としてＳｎを除去する。ＭｇＨ２またはＭｇ、ＫＢｒ及び支持体はその後、電気分解融液に添加する。支持体は粒子径が大きいことから堆積領域に沈降する。ＭｇＨ２及びＫＢｒは融液の一部を形成し、密度に基づいて分離する。Ｍｇ及びＫは非相溶性であり、Ｍｇ及びＫが別々に回収されるようにＫも分離相を形成する。Ｋ、Ｍｇ及びＳｎＢｒ２が電気分解生成物になるように陽極をＳｎとする場合もある。陽極は液体スズであるか、あるいは液体スズを、臭素と反応する陽極で分離し、ＳｎＢｒ２を形成する場合もある。この場合、再生のためのエネルギーギャップは、両電極での元素生成物に対応する化合物ギャップ対高元素ギャップである。さらなる実施態様では、反応物はＫＨ、支持体及びＳｎＩ２またはＳｎＢｒ２から成る。Ｓｎは液体として除去し、ＫＸ及び支持体などの残存生成物は電気分解融液に添加し、支持体は密度に基づいて分離する。この場合、ＷＣなどの高密度支持体が好ましい。
反応物は酸素化合物から成り、ＮａＨ、ＬｉまたはＫなどの触媒または触媒源の酸化物、及びＭｇ、ＭｇＨ２、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂ、ＺｒまたはＬａなどの還元剤の酸化物といった酸化物生成物を形成し得る。ある実施態様では、反応物は水素ハロゲン化物酸、好ましくはＨＣｌなどの酸と酸化物を反応させて再生させ、塩化物などの対応するハロゲン化物を形成する。ある実施態様では、炭酸塩、炭酸水素塩などの酸化炭素種、シュウ酸またはシュウ酸塩などのカルボン酸種は金属または金属水素化物に還元され得る。好ましくは、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ、ＬｉＨ、ＫＨ、ＮａＨ、Ａｌ、Ｍｇ及びＭｇＨ２の少なくとも１つは、炭素及び酸素を含む種と反応し、対応する金属酸化物または水酸化物及び炭素を形成する。各々対応する金属は電気分解により再生し得る。共晶混合物などの溶融塩を使用して電気分解を行ってもよい。塩素ガスなどのハロゲンガス電気溶解生成物を使用し、再生サイクルの一部としてＨＣＬなどの対応する酸を形成してもよい。水素ハロゲン化物酸であるＨＸは、ハロゲンガスと水素ガスを反応させることで、場合により水素ハロゲン化物ガスを水に溶解することで形成してもよい。水素ガスは水の電気分解により形成されることが好ましい。酸素はハイドリノ反応混合物の反応物であるか、あるいは反応させて、ハイドリノ反応混合物の酸素源を形成してもよい。酸化物ハイドリノ反応性生物と酸とを反応させる工程は、酸で生成物をすすぎ、金属塩を含む溶液を形成する工程を含む場合もある。ある実施態様では、ハイドリノ反応混合物及び対応する生成物混合物は炭素、好ましくは活性炭などの支持体から成る。金属酸化物は、水性酸に溶解させることで支持体から分離し得る。したがって、生成物を酸ですすぎ、さらにろ過し、反応混合物の成分を分離する。水は動力系からの熱、好ましくは廃熱を使用して蒸発により除去し、金属塩化物などの塩は電気分解混合物に添加して金属及びハロゲンガスを形成し得る。ある実施態様では、任意のメタンまたは炭化水素生成物は水素、場合により炭素または二酸化炭素へと再編成する。あるいは、メタンはガス生成物混合物から分離し、市販されていた。別の実施態様では、フィッシャー・トロプシュ反応などの当技術分野で公知の方法により、メタンを他の炭化水素生成物へと形成し得る。メタン形成は、不活性ガスなどの妨害ガスを添加し、水素圧または温度減少などの適さない条件を維持して抑制し得る。
別の実施態様では、金属酸化物は共晶混合物から直接電気分解する。ＭｇＯなどの酸化物は水に反応させ、Ｍｇ（ＯＨ）２などの水酸化物を形成し得る。ある実施態様では、水酸化物を還元する。還元剤は、ＮａまたはＮａＨなどのアルカリ金属または水素化物であってよい。生成物の水酸化物は溶融塩として直接に電気分解し得る。アルカリ金属水酸化物などのハイドリノ反応生成物も、市販品及び対応の獲得ハロゲン化物として使用し得る。その後、ハロゲン化物はハロゲンガス及び金属へと電気分解し得る。ハロゲンガスは市販の工業ガスとして使用してよい。金属は、好ましくは水の電気分解用として、水素ガスで水素化し、ハイドリノ反応混合物の一部として反応器に提供し得る。
アルカリ金属などの還元剤は当業者に公知の方法及びシステムを使用して、対応する化合物、好ましくはＮａＯＨまたはＮａ２Ｏを含む生成物から再生することが可能である。共晶混合物などの混合物中での電気分解を含む方法も１つある。さらなる実施態様では、還元剤生成物は還元剤金属酸化物（例えばＭｇＯ）などの、少なくとも数種の酸化物を含んでよい。水酸化物または酸化物は塩酸などの弱酸に溶解し、ＮａＣｌまたはＭｇＣｌ２などの対応する塩を形成し得る。酸を使用する処理には無水反応も挙げられる。ガスは低圧で流れている場合もある。アルカリまたはアルカリ土類金属などの生成物還元剤により塩を処理し、元の還元剤を形成してもよい。ある実施態様では、第二の還元剤はアルカリ土類金属、好ましくはＣａであり、ＮａＣｌまたはＭｇＣｌ２をＮａまたはＭｇ金属へと還元する。ＣａＣｌ３の付加的な生成物を回収し、また再利用する。代替的実施態様では、高温で酸化物をＨ２により還元する。
例として、ハイドリノ反応及び再生反応では、反応混合物はＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｏ２及び支持体、活性炭から成る。ある実施態様では、発熱反応源は
ＭｇＨ２＋Ｏ２→Ｍｇ（ＯＨ）２ （９７）
ＭｇＨ２＋１．５Ｏ２＋Ｃ→ＭｇＯ３＋Ｈ２ （９８）
ＮａＨ＋３／２Ｏ２＋Ｃ→ＮａＨＣＯ３ （９９）
２ＮａＨ＋Ｏ２→２ＮａＯＨ （１００）
などのＯ２による金属水素化物の酸化反応である。任意のＭｇＯ生成物は水との反応により水酸化物に変換し得る
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１０１）
炭酸ナトリウムまたはマグネシウム、炭酸水素塩、ならびに炭素及び酸素を含む他の種はＮａまたはＮａＨ：
ＮａＨ＋Ｎａ２ＣＯ３→３ＮａＯＨ＋Ｃ＋１／Ｈ２ （１０２）
ＮａＨ＋１／３ＭｇＣＯ３→ＮａＯＨ＋１／３Ｃ＋１／３Ｍｇ （１０３）
で還元し得る。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１０４）
を使用してＭｇへと還元することが可能である。その後、ＮａＯＨは、融液から直接、Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２へと電気分解することが可能である。カストナー法を使用してもよい。塩基性溶液に好適な陰極及び陽極はニッケルである。陽極は炭素、Ｐｔなどの貴金属、Ｐｔなどの貴金属で被覆したＴｉなどの支持体、または位置的に安定した陽極であってもよい。別の実施態様では、ＮａＯＨはＨＣｌとの反応によりＮａＣｌに変換し、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２は水の電気分解によるＨ２と反応し、ＨＣｌを形成し得る。ダウンズセルまたは改変ダウンズセルを使用して溶融ＮａＣｌ電気分解を行ってもよい。あるいは、ＨＣｌを塩素アルカリ電気分解で生成してもよい。この電気分解の水性ＮａＣｌは水性ＨＣｌでの反応生成物のすすぎ液から得られる。好ましくは動力系からの廃熱を用いて、溶液をろ過して、遠心分離や乾燥が可能なＡＣなどの支持体を除去してもよい。
ＭｇＨ２＋Ｏ２→Ｍｇ（ＯＨ）２ （９７）
ＭｇＨ２＋１．５Ｏ２＋Ｃ→ＭｇＯ３＋Ｈ２ （９８）
ＮａＨ＋３／２Ｏ２＋Ｃ→ＮａＨＣＯ３ （９９）
２ＮａＨ＋Ｏ２→２ＮａＯＨ （１００）
などのＯ２による金属水素化物の酸化反応である。任意のＭｇＯ生成物は水との反応により水酸化物に変換し得る
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１０１）
炭酸ナトリウムまたはマグネシウム、炭酸水素塩、ならびに炭素及び酸素を含む他の種はＮａまたはＮａＨ：
ＮａＨ＋Ｎａ２ＣＯ３→３ＮａＯＨ＋Ｃ＋１／Ｈ２ （１０２）
ＮａＨ＋１／３ＭｇＣＯ３→ＮａＯＨ＋１／３Ｃ＋１／３Ｍｇ （１０３）
で還元し得る。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１０４）
を使用してＭｇへと還元することが可能である。その後、ＮａＯＨは、融液から直接、Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２へと電気分解することが可能である。カストナー法を使用してもよい。塩基性溶液に好適な陰極及び陽極はニッケルである。陽極は炭素、Ｐｔなどの貴金属、Ｐｔなどの貴金属で被覆したＴｉなどの支持体、または位置的に安定した陽極であってもよい。別の実施態様では、ＮａＯＨはＨＣｌとの反応によりＮａＣｌに変換し、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２は水の電気分解によるＨ２と反応し、ＨＣｌを形成し得る。ダウンズセルまたは改変ダウンズセルを使用して溶融ＮａＣｌ電気分解を行ってもよい。あるいは、ＨＣｌを塩素アルカリ電気分解で生成してもよい。この電気分解の水性ＮａＣｌは水性ＨＣｌでの反応生成物のすすぎ液から得られる。好ましくは動力系からの廃熱を用いて、溶液をろ過して、遠心分離や乾燥が可能なＡＣなどの支持体を除去してもよい。
ある実施態様では、反応工程は、（１）水性ＨＣｌで生成物をすすぎ、水酸化物、酸化物及び炭酸塩などの種から金属塩化物を形成する工程、（２）水ガス変化反応及びフィッシャー・トロプシュ反応を使用し、放出された任意のＣＯ２をＨ２還元により水及びＣに変換する工程であって、工程１０での支持体としてＣを再利用し、工程１、４または５で水を使用する工程、（３）ＡＣなどの支持体をろ過し、乾燥させる工程であって、乾燥が遠心分離の工程を含んでもよい工程、（４）水をＨ２及びＯ２へと電気分解し、工程８〜１０を提供する工程、（５）場合により水性ＮａＣｌの電気分解からＨ２及びＨＣｌを形成し、工程１及び９を提供する工程、（６）金属塩化物を単離し、乾燥させる工程、（７）金属塩化物の融液を金属及び塩素へと電気分解する工程、（８）Ｃｌ２及びＨ２の反応によりＨＣｌを形成し、工程１を提供する工程、（９）任意の金属を水素化し、水素との反応により対応する出発反応物を形成する工程、ならびに（１０）工程４からのＯ２を添加し、あるいは大気から単離したＯ２を使用して初期反応混合物を形成する工程を含む。
別の実施態様では、酸化マグネシウム及び水酸化マグネシウムの少なくとも１つは融液からＭｇ及びＯ２へと電気分解する。融液はＮａＯＨ融液で、Ｎａも電気分解し得る。ある実施態様では、炭酸塩及び炭酸水素塩などの酸化炭素は、酸素源として反応混合物に添加するＣＯ及びＣＯ２の少なくとも１つへと分解し得る。あるいは、ＣＯ２及びＣＯなどの酸化炭素種は、水素により炭素及び水へと還元し得る。ＣＯ２及びＣＯを水性ガスシフト反応及びフィッシャー・トロプシュ反応で還元してもよい。
典型的なハイドリノ及び再生反応において、反応混合物は、ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、ＣＦ４と支持体、活性炭からなる。実施例において、発熱反応の源は、以下に示すようなＣＦ４による金属水素化物の酸化反応である。
２ＭｇＨ２＋ＣＦ４→Ｃ＋２ＭｇＦ２＋２Ｈ２ （１０５）
２ＭｇＨ２＋ＣＦ４→ＣＨ４＋２ＭｇＦ２ （１０６）
４ＮａＨ＋ＣＦ４→Ｃ＋４ＮａＦ＋２Ｈ２ （１０７）
４ＮａＨ＋ＣＦ４→ＣＨ４＋４ＮａＦ （１０８）
ＮａＦ及びＭｇＦ２は、ＨＦを追加的に含んでよい溶融塩から、Ｆ２、Ｎａ、及びＭｇに電解されてよい。Ｎａ及びＭｇは、不混和性であり、分離された金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からのＨ２ガスで、水素化されてよい。Ｆ２ガスは、ＣＦ４を再生するために、炭素及び如何なるＣＨ４反応生成物と反応を生じてもよい。その代わりに、そして、好ましくは、電気分解セルのアノードは炭素からなり、そして、ＣＦ４が陽極電気分解生成物であるように、電流及び電解条件が維持される。
２ＭｇＨ２＋ＣＦ４→Ｃ＋２ＭｇＦ２＋２Ｈ２ （１０５）
２ＭｇＨ２＋ＣＦ４→ＣＨ４＋２ＭｇＦ２ （１０６）
４ＮａＨ＋ＣＦ４→Ｃ＋４ＮａＦ＋２Ｈ２ （１０７）
４ＮａＨ＋ＣＦ４→ＣＨ４＋４ＮａＦ （１０８）
ＮａＦ及びＭｇＦ２は、ＨＦを追加的に含んでよい溶融塩から、Ｆ２、Ｎａ、及びＭｇに電解されてよい。Ｎａ及びＭｇは、不混和性であり、分離された金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からのＨ２ガスで、水素化されてよい。Ｆ２ガスは、ＣＦ４を再生するために、炭素及び如何なるＣＨ４反応生成物と反応を生じてもよい。その代わりに、そして、好ましくは、電気分解セルのアノードは炭素からなり、そして、ＣＦ４が陽極電気分解生成物であるように、電流及び電解条件が維持される。
典型的なハイドリノと再生反応において、反応混合物はＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｐ２Ｏ５（Ｐ４Ｏ１０）、と支持体、及び、活性炭からなる。実施例において、例えば、発熱反応の源は、以下のようなＰ２Ｏ５による金属水素化物の酸化反応である。
５ＭｇＨ２＋Ｐ２Ｏ５→５ＭｇＯ＋２Ｐ＋５Ｈ２ （１０９）
５ＮａＨ＋Ｐ２Ｏ５→５ＮａＯＨ＋２Ｐ （１１０）
リンは、Ｏ２内で燃焼によってＰ２Ｏ５に変換され得る。
２Ｐ＋２．５Ｏ２→Ｐ２Ｏ５ （１１１）
ＭｇＯ生産物は、水との反応によって水酸化物に変換されてよい。
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１１２）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを用い、Ｍｇに還元され得る。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１１３）
そして、ＮａＯＨは、溶融物から直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電解され得、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２が、ＨＣｌを生成するように水の電気分解からＨ２と反応してもよいところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＯＨはＮａＣｌに変わるかもしれない。実施例において、Ｎａ及びＭｇのような金属は、好ましくは水の電気分解からのＨ２との反応によって、対応する水素化物に変換されてもよい。
５ＭｇＨ２＋Ｐ２Ｏ５→５ＭｇＯ＋２Ｐ＋５Ｈ２ （１０９）
５ＮａＨ＋Ｐ２Ｏ５→５ＮａＯＨ＋２Ｐ （１１０）
リンは、Ｏ２内で燃焼によってＰ２Ｏ５に変換され得る。
２Ｐ＋２．５Ｏ２→Ｐ２Ｏ５ （１１１）
ＭｇＯ生産物は、水との反応によって水酸化物に変換されてよい。
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１１２）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを用い、Ｍｇに還元され得る。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１１３）
そして、ＮａＯＨは、溶融物から直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電解され得、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２が、ＨＣｌを生成するように水の電気分解からＨ２と反応してもよいところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＯＨはＮａＣｌに変わるかもしれない。実施例において、Ｎａ及びＭｇのような金属は、好ましくは水の電気分解からのＨ２との反応によって、対応する水素化物に変換されてもよい。
典型的なハイドリノ及び再生反応において、固体燃料反応混合物は、ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、ＮａＮＯ３、及び、支持体、活性炭からなる。実施例において、発熱反応の源は、以下のようなＮａＮＯ３による金属水素化物の酸化反応である。
ＮａＮＯ３＋ＮａＨ＋Ｃ→Ｎａ２ＮＯ３＋１／２Ｎ２＋１／２Ｈ２ （１１４）
ＮａＮＯ３＋１／２Ｈ２＋２ＮａＨ→３ＮａＯＨ＋１／２Ｎ２ （１１５）
ＮａＮＯ３＋３ＭｇＨ２→３ＭｇＯ＋ＮａＨ＋１／２Ｎ２＋５／２Ｈ２ （１１６）
ナトリウム又はマグネシウム炭酸塩、炭酸水素、及び、炭素及び酸素からなる他の種は、Ｎａ又はＮａＨで還元されてよい。
ＮａＨ＋Ｎａ２ＣＯ３→３ＮａＯＨ＋Ｃ＋１／Ｈ２ （１１７）
ＮａＨ＋１／３ＭｇＣＯ３→ＮａＯＨ＋１／３Ｃ＋１／３Ｍｇ （１１８）
炭酸塩は、水媒体から水酸化物及びＣＯ２まで分解されることもできる。
Ｎａ２ＣＯ３＋Ｈ２Ｏ→２ＮａＯＨ＋ＣＯ２ （１１９）
放出されたＣＯ２は、水性ガスシフト反応及びフィッシャー・トロプシュ反応を使用して、Ｈ２による還元により、水及びＣに反応されてよい。
ＣＯ２＋Ｈ２→ＣＯ＋Ｈ２Ｏ （１２０）
ＣＯ＋Ｈ２→Ｃ＋Ｈ２Ｏ （１２１）
ＭｇＯ生産物は、水との反応によって水酸化物に変換されてよい。
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１２２）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを使用してＭｇに還元され得る。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１２３）
アルカリ硝酸塩は、当業者に知られている方法を使用して再生され得る。実施例において、ハーバー法に続くオストワルド法によるような、既知の工業的方法によって、ＮＯ２は、発生させられ得る。１つの実施例において、ステップの典型的なシーケンスは、以下の通りである。
ＮａＮＯ３＋ＮａＨ＋Ｃ→Ｎａ２ＮＯ３＋１／２Ｎ２＋１／２Ｈ２ （１１４）
ＮａＮＯ３＋１／２Ｈ２＋２ＮａＨ→３ＮａＯＨ＋１／２Ｎ２ （１１５）
ＮａＮＯ３＋３ＭｇＨ２→３ＭｇＯ＋ＮａＨ＋１／２Ｎ２＋５／２Ｈ２ （１１６）
ナトリウム又はマグネシウム炭酸塩、炭酸水素、及び、炭素及び酸素からなる他の種は、Ｎａ又はＮａＨで還元されてよい。
ＮａＨ＋Ｎａ２ＣＯ３→３ＮａＯＨ＋Ｃ＋１／Ｈ２ （１１７）
ＮａＨ＋１／３ＭｇＣＯ３→ＮａＯＨ＋１／３Ｃ＋１／３Ｍｇ （１１８）
炭酸塩は、水媒体から水酸化物及びＣＯ２まで分解されることもできる。
Ｎａ２ＣＯ３＋Ｈ２Ｏ→２ＮａＯＨ＋ＣＯ２ （１１９）
放出されたＣＯ２は、水性ガスシフト反応及びフィッシャー・トロプシュ反応を使用して、Ｈ２による還元により、水及びＣに反応されてよい。
ＣＯ２＋Ｈ２→ＣＯ＋Ｈ２Ｏ （１２０）
ＣＯ＋Ｈ２→Ｃ＋Ｈ２Ｏ （１２１）
ＭｇＯ生産物は、水との反応によって水酸化物に変換されてよい。
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１２２）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを使用してＭｇに還元され得る。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１２３）
アルカリ硝酸塩は、当業者に知られている方法を使用して再生され得る。実施例において、ハーバー法に続くオストワルド法によるような、既知の工業的方法によって、ＮＯ２は、発生させられ得る。１つの実施例において、ステップの典型的なシーケンスは、以下の通りである。
具体的には、幾らか酸化物を含んでいるα−鉄のような触媒を用いて、高い温度及び圧力でＮＨ３をＮ２及びＨ２から生成するために、ハーバー法は用いられてよい。熱い白金又は白金ロジウム触媒のような触媒で、アンモニアを酸化してＮＯ２にするために、オストワルド法が使用されてよい。熱は、パワーシステムからの廃熱であってよい。硝酸ナトリウムを形成するために、ＮａＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３又はＮａＨＣＯ３と反応する硝酸を形成するために、ＮＯ２が水に溶解されてよい。そして、残存するＮａＯＨは、融液から直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電解され得、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２がＨＣｌを形成するように水の電気分解からＨ２と反応するかもしれないところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＣｌに変換されてよい。実施例において、Ｎａ及びＭｇのような金属は、好ましくは水の電気分解からのＨ２との反応によって、対応する水素化物に変換されてよい。他の実施例においては、Ｌｉ及びＫがＮａに取って代わる。
典型的なハイドリノ及び再生反応において、反応混合物は、ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、ＳＦ６、支持体、活性炭からなる。実施例において、発熱反応の源は、以下のようにＳＦ６による金属水素化物の酸化反応である。
４ＭｇＨ２＋ＳＦ６→３ＭｇＦ２＋４Ｈ２＋ＭｇＳ （１２５）
７ＮａＨ＋ＳＦ６→６ＮａＦ＋３Ｈ２＋ＮａＨＳ （１２６）
ＮａＦ及びＭｇＦ２及び硫化物は、追加的にＨＦを含んでよい溶融塩から、Ｎａ及びＭｇへと電解されてよい。フッ素電気分解ガスは、動的に除去されてよいＳＦ６ガスを形成するために、硫化物と反応してよい。Ｆ２からのＳＦ６の分離は、モレキュラーシーブのような媒体、膜分離、又は、低温蒸留のような当業者に知られる方法によってよい。ＮａＨＳは３５０℃で融解し、融解した電気分解混合物の一部となるかもしれない。反応が電気分解の間にその場で生じるところ、ＮａＨＳを形成するために、如何なるＭｇＳ生成物もＮａと反応してもよい。Ｓ及び金属は、電気分解の間に作られる生成物であるかもしれない。或いは、金属は、より安定なフッ化物が形成されるように、又は、Ｆ２がフッ化物を形成するために加えられるように、少数派であるかもしれない。
３ＭｇＨ２＋ＳＦ６→３ＭｇＦ２＋３Ｈ２＋Ｓ （１２７）
６ＮａＨ＋ＳＦ６→６ＮａＦ＋３Ｈ２＋Ｓ （１２８）
ＮａＦ及びＭｇＦ２は、追加的にＨＦを含んでよい溶融塩から、Ｆ２、Ｎａ、及びＭｇに電気分解されてよい。Ｎａ及びＭｇは不混和性であり、そして、分離された金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からなるＨ２ガスで水素化されてよい。Ｆ２ガスは、ＳＦ６を再生するために、硫黄と反応させられてよい。
４ＭｇＨ２＋ＳＦ６→３ＭｇＦ２＋４Ｈ２＋ＭｇＳ （１２５）
７ＮａＨ＋ＳＦ６→６ＮａＦ＋３Ｈ２＋ＮａＨＳ （１２６）
ＮａＦ及びＭｇＦ２及び硫化物は、追加的にＨＦを含んでよい溶融塩から、Ｎａ及びＭｇへと電解されてよい。フッ素電気分解ガスは、動的に除去されてよいＳＦ６ガスを形成するために、硫化物と反応してよい。Ｆ２からのＳＦ６の分離は、モレキュラーシーブのような媒体、膜分離、又は、低温蒸留のような当業者に知られる方法によってよい。ＮａＨＳは３５０℃で融解し、融解した電気分解混合物の一部となるかもしれない。反応が電気分解の間にその場で生じるところ、ＮａＨＳを形成するために、如何なるＭｇＳ生成物もＮａと反応してもよい。Ｓ及び金属は、電気分解の間に作られる生成物であるかもしれない。或いは、金属は、より安定なフッ化物が形成されるように、又は、Ｆ２がフッ化物を形成するために加えられるように、少数派であるかもしれない。
３ＭｇＨ２＋ＳＦ６→３ＭｇＦ２＋３Ｈ２＋Ｓ （１２７）
６ＮａＨ＋ＳＦ６→６ＮａＦ＋３Ｈ２＋Ｓ （１２８）
ＮａＦ及びＭｇＦ２は、追加的にＨＦを含んでよい溶融塩から、Ｆ２、Ｎａ、及びＭｇに電気分解されてよい。Ｎａ及びＭｇは不混和性であり、そして、分離された金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からなるＨ２ガスで水素化されてよい。Ｆ２ガスは、ＳＦ６を再生するために、硫黄と反応させられてよい。
典型的なハイドリノ及び再生反応において、反応混合物は、ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、ＮＦ３、及び、支持体、活性炭から成る。実施例において、発熱反応の源は、以下のようにＮＦ３による金属水素化物の酸化反応である。
３ＭｇＨ２＋２ＮＦ３→３ＭｇＦ２＋３Ｈ２＋Ｎ２ （１２９）
６ＭｇＨ２＋２ＮＦ３→３ＭｇＦ２＋Ｍｇ３Ｎ２＋６Ｈ２ （１３０）
３ＮａＨ＋ＮＦ３→３ＮａＦ＋１／２Ｎ２＋１．５Ｈ２ （１３１）
ＮａＦ及びＭｇＦ２は、追加的にＨＦを含んでよい溶融塩から、Ｆ２、Ｎａ、及びＭｇへと電気分解されるかもしれない。Ｍｇ３Ｎ２からＭｇＦ２への変換は、融液で生じてよい。Ｎａ及びＭｇは不混和性であり、そして、分離された金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からのＨ２ガスで水素化されるかもしれない。Ｆ２ガスは、ＮＦ３を形成するために、好ましくは銅でパックされた反応器の中で、ＮＨ３と反応するかもしれない。アンモニアは、ハーバー法からつくられるかもしれない。或いは、ＮＦ３は、無水ＨＦの中で、ＮＨ４Ｆの電気分解によって形成されるかもしれない。
３ＭｇＨ２＋２ＮＦ３→３ＭｇＦ２＋３Ｈ２＋Ｎ２ （１２９）
６ＭｇＨ２＋２ＮＦ３→３ＭｇＦ２＋Ｍｇ３Ｎ２＋６Ｈ２ （１３０）
３ＮａＨ＋ＮＦ３→３ＮａＦ＋１／２Ｎ２＋１．５Ｈ２ （１３１）
ＮａＦ及びＭｇＦ２は、追加的にＨＦを含んでよい溶融塩から、Ｆ２、Ｎａ、及びＭｇへと電気分解されるかもしれない。Ｍｇ３Ｎ２からＭｇＦ２への変換は、融液で生じてよい。Ｎａ及びＭｇは不混和性であり、そして、分離された金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からのＨ２ガスで水素化されるかもしれない。Ｆ２ガスは、ＮＦ３を形成するために、好ましくは銅でパックされた反応器の中で、ＮＨ３と反応するかもしれない。アンモニアは、ハーバー法からつくられるかもしれない。或いは、ＮＦ３は、無水ＨＦの中で、ＮＨ４Ｆの電気分解によって形成されるかもしれない。
典型的なハイドリノ及び再生反応において、固体燃料反応混合物は、ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８、及び、サポート、活性炭から成る。実施例において、発熱反応の源は、以下のようにＮａ２Ｓ２Ｏ８による金属水素化物の酸化反応である。
８ＭｇＨ２＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ８
→２ＭｇＳ＋２ＮａＯＨ＋６ＭｇＯ＋６Ｈ２ （１３２）
７ＭｇＨ２＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ８＋Ｃ
→２ＭｇＳ＋Ｎａ２ＣＯ３＋５ＭｇＯ＋７Ｈ２ （１３３）
１０ＮａＨ＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ８→２Ｎａ２Ｓ＋８ＮａＯＨ＋Ｈ２ （１３４）
９ＮａＨ＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ８＋Ｃ
→２Ｎａ２Ｓ＋Ｎａ２ＣＯ３＋５ＮａＯＨ＋２Ｈ２ （１３５）
如何なるＭｇＯ生成物でも、水との反応によって水酸化物に変換されるかもしれない。
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１３６）
ナトリウム又は炭酸マグネシウム、炭酸水素、及び、炭素及び酸素からなる他の種は、Ｎａ又はＮａＨとで、還元されるかもしれない。
ＮａＨ＋Ｎａ２ＣＯ３→３ＮａＯＨ＋Ｃ＋１／Ｈ２ （１３７）
ＮａＨ＋１／３ＭｇＣＯ３
→ＮａＯＨ＋１／３Ｃ＋１／３Ｍｇ （１３８）
ＭｇＳは、酸素内で燃焼させられ得、加水分解され得、硫酸ナトリウムを形成するようにＮａと交換させられ得、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８へと電気分解させられ得る。
２ＭｇＳ＋１０Ｈ２Ｏ＋２ＮａＯＨ
→Ｎａ２Ｓ２Ｏ８＋２Ｍｇ（ＯＨ）２＋９Ｈ２ （１３９）
Ｎａ２Ｓは酸素内で燃焼させられ得、硫酸ナトリウムに加水分解さられ得、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８を形成するために電気分解され得る。
２Ｎａ２Ｓ＋１０Ｈ２Ｏ→Ｎａ２Ｓ２Ｏ８＋２ＮａＯＨ＋９Ｈ２ （１４０）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを用いて、Ｍｇに還元され得る。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１４１）
そして、ＮａＯＨは、融液から直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電気分解させられることができ、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２が、ＨＣｌを形成するように、水の電気分解からＨ２と反応するかもしれないところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＣｌに変換させられるかもしれない。
８ＭｇＨ２＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ８
→２ＭｇＳ＋２ＮａＯＨ＋６ＭｇＯ＋６Ｈ２ （１３２）
７ＭｇＨ２＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ８＋Ｃ
→２ＭｇＳ＋Ｎａ２ＣＯ３＋５ＭｇＯ＋７Ｈ２ （１３３）
１０ＮａＨ＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ８→２Ｎａ２Ｓ＋８ＮａＯＨ＋Ｈ２ （１３４）
９ＮａＨ＋Ｎａ２Ｓ２Ｏ８＋Ｃ
→２Ｎａ２Ｓ＋Ｎａ２ＣＯ３＋５ＮａＯＨ＋２Ｈ２ （１３５）
如何なるＭｇＯ生成物でも、水との反応によって水酸化物に変換されるかもしれない。
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１３６）
ナトリウム又は炭酸マグネシウム、炭酸水素、及び、炭素及び酸素からなる他の種は、Ｎａ又はＮａＨとで、還元されるかもしれない。
ＮａＨ＋Ｎａ２ＣＯ３→３ＮａＯＨ＋Ｃ＋１／Ｈ２ （１３７）
ＮａＨ＋１／３ＭｇＣＯ３
→ＮａＯＨ＋１／３Ｃ＋１／３Ｍｇ （１３８）
ＭｇＳは、酸素内で燃焼させられ得、加水分解され得、硫酸ナトリウムを形成するようにＮａと交換させられ得、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８へと電気分解させられ得る。
２ＭｇＳ＋１０Ｈ２Ｏ＋２ＮａＯＨ
→Ｎａ２Ｓ２Ｏ８＋２Ｍｇ（ＯＨ）２＋９Ｈ２ （１３９）
Ｎａ２Ｓは酸素内で燃焼させられ得、硫酸ナトリウムに加水分解さられ得、Ｎａ２Ｓ２Ｏ８を形成するために電気分解され得る。
２Ｎａ２Ｓ＋１０Ｈ２Ｏ→Ｎａ２Ｓ２Ｏ８＋２ＮａＯＨ＋９Ｈ２ （１４０）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを用いて、Ｍｇに還元され得る。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１４１）
そして、ＮａＯＨは、融液から直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電気分解させられることができ、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２が、ＨＣｌを形成するように、水の電気分解からＨ２と反応するかもしれないところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＣｌに変換させられるかもしれない。
典型的なハイドリノ及び再生反応において、固体燃料反応混合物は、ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｓ、及び、サポート、活性炭から成る。実施例において、発熱反応の源は、以下のようにＳによる金属水素化物の酸化反応である。
ＭｇＨ２＋Ｓ→ＭｇＳ＋Ｈ２ （１４２）
２ＮａＨ＋Ｓ→Ｎａ２Ｓ＋Ｈ２ （１４３）
硫化マグネシウムは、水との反応によって水酸化物に変換されるかもしれない。
ＭｇＳ＋２Ｈ２Ｏ→２Ｍｇ（ＯＨ）２＋Ｈ２Ｓ （１４４）
Ｈ２Ｓが高い温度で分解されるかもしれない、或いは、ＳＯ２からＳに変換させるために使われるかもしれない。硫化ナトリウムは、燃焼及び加水分解によって水酸化物に変換され得る。
Ｎａ２Ｓ＋１．５Ｏ２→Ｎａ２Ｏ＋ＳＯ２
Ｎａ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ→２ＮａＯＨ （１４５）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを用いて、Ｍｇに還元されることができる。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１４６）
そして、ＮａＯＨは、メルトから直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電気分解されることができ、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２が、ＨＣｌを形成するため水の電気分解からＨ２と反応させられるかもしれないところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＯＨはＮａＣｌに変換させられるかもしれない。
ＳＯ２＋２Ｈ２Ｓ→３Ｓ＋２Ｈ２Ｏ （１４７）
実施例において、Ｎａ及びＭｇのような金属は、好ましくは水の電気分解からのＨ２との反応によって、対応する水素化物に変換させられるかもしれない。他の実施例において、Ｓ及び金属は、メルトから電気分解によって再生されるかもしれない。
ＭｇＨ２＋Ｓ→ＭｇＳ＋Ｈ２ （１４２）
２ＮａＨ＋Ｓ→Ｎａ２Ｓ＋Ｈ２ （１４３）
硫化マグネシウムは、水との反応によって水酸化物に変換されるかもしれない。
ＭｇＳ＋２Ｈ２Ｏ→２Ｍｇ（ＯＨ）２＋Ｈ２Ｓ （１４４）
Ｈ２Ｓが高い温度で分解されるかもしれない、或いは、ＳＯ２からＳに変換させるために使われるかもしれない。硫化ナトリウムは、燃焼及び加水分解によって水酸化物に変換され得る。
Ｎａ２Ｓ＋１．５Ｏ２→Ｎａ２Ｏ＋ＳＯ２
Ｎａ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ→２ＮａＯＨ （１４５）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを用いて、Ｍｇに還元されることができる。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１４６）
そして、ＮａＯＨは、メルトから直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電気分解されることができ、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２が、ＨＣｌを形成するため水の電気分解からＨ２と反応させられるかもしれないところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＯＨはＮａＣｌに変換させられるかもしれない。
ＳＯ２＋２Ｈ２Ｓ→３Ｓ＋２Ｈ２Ｏ （１４７）
実施例において、Ｎａ及びＭｇのような金属は、好ましくは水の電気分解からのＨ２との反応によって、対応する水素化物に変換させられるかもしれない。他の実施例において、Ｓ及び金属は、メルトから電気分解によって再生されるかもしれない。
典型的なハイドリノ及び再生反応において、反応混合物はＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｎ２Ｏ、及び、サポート、活性炭から成る。実施例において、発熱反応の源は、以下のようにＮ２Ｏによる金属水素化物の酸化反応である。
４ＭｇＨ２＋Ｎ２Ｏ→ＭｇＯ＋Ｍｇ３Ｎ２＋４Ｈ２ （１４８）
ＮａＨ＋３Ｎ２Ｏ＋Ｃ→ＮａＨＣＯ３＋３Ｎ２＋１／２Ｈ２ （１４９）
ＭｇＯ生成物は、水との反応によって水酸化物に変換させられるかもしれない。
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１５０）
窒化マグネシウムはまた、水酸化マグネシウムに加水分解されるかもしれない。
Ｍｇ３Ｈ２＋６Ｈ２Ｏ→３Ｍｇ（ＯＨ）２＋３Ｈ２＋Ｎ２ （１５１）
炭酸ナトリウム、炭酸水素、及び、炭素及び酸素からなる他の種は、Ｎａ又はＮａＨで還元されるかもしれない。
ＮａＨ＋Ｎａ２ＣＯ３→３ＮａＯＨ＋Ｃ＋１／Ｈ２ （１５２）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを用いて、Ｍｇに還元されることができる。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１５３）
そして、ＮａＯＨは、メルトから直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電気分解されることができ、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２が、ＨＣｌを形成するために水の電気分解からのＨ２との反応を起こすかもしれないところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＯＨは、ＮａＣｌに変換させられるかもしれない。ハーバー法からつくられるアンモニアは酸化させられ（式（１２４））、定常状態の反応生成物の他のガスから分離されるＮ２Ｏの生成を支持するために、温度がコントロールされる。
４ＭｇＨ２＋Ｎ２Ｏ→ＭｇＯ＋Ｍｇ３Ｎ２＋４Ｈ２ （１４８）
ＮａＨ＋３Ｎ２Ｏ＋Ｃ→ＮａＨＣＯ３＋３Ｎ２＋１／２Ｈ２ （１４９）
ＭｇＯ生成物は、水との反応によって水酸化物に変換させられるかもしれない。
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１５０）
窒化マグネシウムはまた、水酸化マグネシウムに加水分解されるかもしれない。
Ｍｇ３Ｈ２＋６Ｈ２Ｏ→３Ｍｇ（ＯＨ）２＋３Ｈ２＋Ｎ２ （１５１）
炭酸ナトリウム、炭酸水素、及び、炭素及び酸素からなる他の種は、Ｎａ又はＮａＨで還元されるかもしれない。
ＮａＨ＋Ｎａ２ＣＯ３→３ＮａＯＨ＋Ｃ＋１／Ｈ２ （１５２）
Ｍｇ（ＯＨ）２は、Ｎａ又はＮａＨを用いて、Ｍｇに還元されることができる。
２Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＯＨ＋Ｍｇ （１５３）
そして、ＮａＯＨは、メルトから直接Ｎａ金属及びＮａＨ及びＯ２に電気分解されることができ、或いは、ＮａＣｌ電気分解ガスＣｌ２が、ＨＣｌを形成するために水の電気分解からのＨ２との反応を起こすかもしれないところ、ＨＣｌとの反応によって、ＮａＯＨは、ＮａＣｌに変換させられるかもしれない。ハーバー法からつくられるアンモニアは酸化させられ（式（１２４））、定常状態の反応生成物の他のガスから分離されるＮ２Ｏの生成を支持するために、温度がコントロールされる。
典型的なハイドリノ及び再生反応において、反応混合物はＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｃｌ２、支持体（活性炭、ＷＣ、又はＴｉＣのようなもの）から成る。反応器は、ハイドリノ反応を開始するために、好ましくはＣｌ２を分離するような高いエネルギー光（好ましくは極紫外線）の源を更に含んでもよい。実施例において、発熱反応の源は、以下のようにＣｌ２による金属水素化物の酸化反応である。
２ＮａＨ＋Ｃｌ２→２ＮａＣｌ＋Ｈ２ （１５４）
ＭｇＨ２＋Ｃｌ２→ＭｇＣｌ２＋Ｈ２ （１５５）
ＮａＣｌとＭｇＣｌ２は、溶融塩からＣｌ２、Ｎａ、及び、Ｍｇに電気分解されるかもしれない。溶融ＮａＣｌ電気分解は、ダウンズ電解槽又は改良ダウンズ電解槽を用いて実行されるかもしれない。この電気分解のためのＮａＣｌは、水溶液での反応生成物の洗浄から来るかもしれない。その溶液は、遠心分離され、好ましくはパワーシステムからの廃熱を用いて乾燥されるかもしれないＡＣ（活性炭）のような支持体を取り除くために濾過されてよい。Ｎａ及びＭｇは不混和性であり、そして、分離された金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からのＨ２ガスで、水素化されてよい。典型的な結果は、以下の通りである。
・４ｇのＷＣ＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋０．０１ｍｏｌのＣｌ２ ＵＶランプで開始され、Ｃｌ２を解離してＣｌ生成。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１６２．９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は２３−４２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：８５℃。理論では７．１０ｋＪ。ゲインは２．２５倍。
２ＮａＨ＋Ｃｌ２→２ＮａＣｌ＋Ｈ２ （１５４）
ＭｇＨ２＋Ｃｌ２→ＭｇＣｌ２＋Ｈ２ （１５５）
ＮａＣｌとＭｇＣｌ２は、溶融塩からＣｌ２、Ｎａ、及び、Ｍｇに電気分解されるかもしれない。溶融ＮａＣｌ電気分解は、ダウンズ電解槽又は改良ダウンズ電解槽を用いて実行されるかもしれない。この電気分解のためのＮａＣｌは、水溶液での反応生成物の洗浄から来るかもしれない。その溶液は、遠心分離され、好ましくはパワーシステムからの廃熱を用いて乾燥されるかもしれないＡＣ（活性炭）のような支持体を取り除くために濾過されてよい。Ｎａ及びＭｇは不混和性であり、そして、分離された金属は、好ましくはＨ２Ｏの電気分解からのＨ２ガスで、水素化されてよい。典型的な結果は、以下の通りである。
・４ｇのＷＣ＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋０．０１ｍｏｌのＣｌ２ ＵＶランプで開始され、Ｃｌ２を解離してＣｌ生成。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１６２．９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は２３−４２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：８５℃。理論では７．１０ｋＪ。ゲインは２．２５倍。
ＮａＨ、ＫまたはＬｉまたはそれらの水素化物などの触媒または触媒源を含む反応物、アルカリ金属または水素化物、好ましくはＭｇ、ＭｇＨ２またはＡｌなどの還元剤、ＮＦ３などの酸化剤は電気分解により再生することが可能である。好ましくは、金属フッ化物生成物は電気分解により金属及びフッ素ガスへと再生される。電解液は共晶混合液を含んでよい。さらに混合液はＨＦを含んでよい。ＮＦ３は無水ＨＦ中のＮＨ４Ｆの電気分解により再生してもよい。別の実施態様では、銅を充填した反応器などの反応器内でＮＨ３をＦ２と反応させる。Ｆ２は、Ｆ２生成物に有利になる条件を利用している位置的に安定した陽極または炭素陽極を使用して電気分解により生成してよい。ＳＦ６はＳとＦ２との反応により再生してよい。ハイドリノ反応で形成し得る任意の金属窒素化物は熱分解、Ｈ２還元、酸化物または水酸化物への酸化及びハロゲン化物への反応、その後の電気分解、ならびに金属ハロゲン化物が溶融電気分解している間のハロゲンガスとの反応、の中の少なくとも１つにより再生し得る。アンモニアと塩素ガスの反応、またはＮＨ４Ｃｌなどのアンモニウム塩と塩素ガスの反応によりＮＣｌ３を形成することが可能である。塩素ガスは生成物反応混合物由来などの塩化物塩の電気分解から得てもよい。ＮＨ３はハーバー法により形成し、水素は好ましくは水の電気分解から得られる。ある実施態様では、ＮＨ３及びＮＨ４Ｃｌなどのアンモニウム塩の少なくとも１つと、Ｃｌ２ガスとの反応により反応器中でＮＣｌ３が元の場所で形成される。ある実施態様では、ＢｉＦ５は、ＢｉＦ３と、金属フッ化物の電気分解から形成されたＦ２との反応により再生することが可能である。
酸素またはハロゲンの源物質が場合により発熱活性化反応の反応物として作用する実施態様では、酸化物またはハロゲン化物生成物は電気分解により再生されることが好ましい。電解液はＡｌ２Ｏ３及びＮａ３ＡｌＦ６；ＭｇＦ２、ＮａＦ、及びＨＦ；Ｎａ３ＡｌＦ６；ＮａＦ、ＳｉＦ４及びＨＦ；及びＡｌＦ３、ＮａＦ及びＨＦの混合物などの共晶混合物を含んでよい。ＳｉＦ４をＳｉ及びＦ２へ電気分解するとアルカリフッ化物共晶混合物が形成される場合がある。Ｍｇ及びＮａの混和性が低いことから、それらは融液の相で分離することが可能である。Ａｌ及びＮａの混和性が低いことから、融液の相で分離することが可能である。別の実施態様では、電気分解生成物は蒸留により分離することが可能である。さらなる実施態様では、Ｔｉ２Ｏ３はＣ及びＣｌ２との反応により再生され、ＣＯ及びＴｉＣｌ４を形成する。これはＭｇとさらに反応してＴｉ及びＭＧＣｌ２を形成する。Ｍｇ及びＣｌ２は電気分解により再生してもよい。ＭｇＯが生成物である場合、Ｍｇはピジョン法により再生が可能である。ある実施態様では、ＭｇＯはＳｉと反応し、ＳｉＯ２及び濃縮Ｍｇガスを形成する。高温でのＨ２還元により、またはＳｉ及びＣＯ及びＣＯ２を形成する炭素との反応により、生成物ＳｉＯ２はＳｉへと再生し得る。別の実施態様では、溶融塩化カルシウム中の固体酸化物の電気分解といった方法を使用した電気分解により、Ｓｉを再生させる。ある実施態様では、アルカリ塩素酸塩または過塩素酸塩などの塩素酸塩または過塩素酸塩は電気分解的酸化により再生させる。鹹水は電気分解的に酸化させ、塩素酸塩及び過塩素酸塩へと酸化し得る。
反応物を再生させるため、形成され得る金属支持体を被覆する酸化物を、反応物または生成物混合物からの分離後、希酸により除去してもよい。別の実施態様では、一酸化炭素または二酸化炭素を放出する炭素との反応により、カーバイドを酸化物から生成する。
反応混合物が溶媒を含む場合、蒸発による溶媒の除去、または固体を保持するろ過または遠心分離により、溶媒を他の反応物または生成物から分離して再生する場合もある。アルカリ金属などの他の揮発性成分が存在する場合、それらが蒸発するように好適な高温まで過熱して選択的にそれらを除去してもよい。例えば、Ｎａ金属が蒸留により回収されるような金属や、炭素などの支持体が残る。ＮａはＮａＨへと再水素化し、添加した溶媒で炭素に戻し、反応混合物を再生させる。Ｒ−Ｎｉなどの単離した固体も別々に再生し得る。分離したＲ−Ｎｉは、０．１〜３００ａｔｍの範囲の圧力で水素ガスへ暴露して水素化し得る。
溶媒が触媒反応中に分解して、ハイドリノを形成する場合、溶媒は再生し得る。例えば、ＤＭＦの分解生成物はジメチルアミン、一酸化炭素、ギ酸、ギ酸ナトリウム及びホルムアルデヒドでよい。ある実施態様では、メタノール中でのジメチルアミンと一酸化炭素の触媒反応か、あるいはギ酸メチルとジメチルアミンとの反応によりジメチルホルムアミドを生成する。それはジメチルアミンをギ酸と反応させても調製し得る。
ある実施態様では、例としてエーテル溶媒は反応混合物の生成物から再生し得る。好ましくは、反応混合物及び条件は、エーテルの反応速度がハイドリノを形成する速度と比べて最小限になるように選択され、ここではハイドリノ反応から生成したエネルギーに比べてエーテル分解が少ない。したがって、必要に応じて除去したエーテル分解生成物と共に、エーテルを元に戻してもよい。あるいは、エーテル及び反応条件は、エーテル反応生成物が単離され、エーテルを再生するように選択してよい。
ある実施態様は以下の少なくとも１つを含む：ＨＳＡはフッ化物であり、ＨＳＡは金属であり、溶媒はフッ素化する。金属フッ化物は反応生成物であってよい。金属及びフッ素ガスは金属分解により再生され得る。電解液はＮａＦ、ＭｇＦ２、ＡｌＦ３またはＬａＦ３などのフッ化物を含み、さらにフッ化物の融点を下げる少なくとも１つのＨＦなどの他の種及び他の塩を含み、例えば米国特許第５，４２７，６５７号に開示されている。過剰なＨＦはＬａＦ３を溶解し得る。電極はグラファイトなどの炭素であり、望ましい分解生成物としてフッ化炭素も形成し得る。ある実施態様では、炭素コートＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅなどの炭素を被覆した少なくとも１つの金属または合金、好ましくはナノパウダー、他の遷移金属パウダー、または合金、及び金属コート炭素、好ましくはナノパウダー、例えば遷移金属または合金で被覆した炭素、好ましくは少なくとも１つのＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びＭｎコート炭素は、磁性粒子を含む。磁石を使用して、ＮａＦなどのフッ化物及び炭素の混合物といった混合物から磁性粒子を分離し得る。収集した粒子は反応混合物の一部として再利用し、ハイドリノを形成し得る。
実施例において、ＮａＦのような触媒又は触媒の源、及び、フッ化溶媒は、電気分解が後に続く生成物の分離によって、ＮａＦからなる生成物から再生される。ＮａＦの隔離の方法は、ＮａＦ固体を与えるために、１又はそれ以上の濾過及び蒸留が後に続く、低沸点の極性溶媒による混合物の洗浄であるかもしれない。電気分解は、溶融塩電気分解であってよい。溶融塩は、共融混合物のような混合物であってよい。好ましくは、本技術分野で知られているように、混合物はＮａＦ及びＨＦからなる。ナトリウム金属及び弗素ガスは、電気分解から集められてよい。Ｎａは、ＮａＨを形成するように、Ｈと反応させられてよい。フッ素ガスは、溶媒として機能してよいフッ素化炭化水素を形成するために、炭化水素との反応を起こしてよい。ＨＦフッ素化生成物は、電気分解混合物に戻され得る。或いは、ベンゼン及びグラファイトカーボンのような炭化水素及び炭素生成物は、それぞれ、フッ素化され得、反応混合物に戻され得る。炭素は、本技術分野で知られている方法によって、溶媒として機能するように、より低い融点を持つ、より小さなフッ化物フラグメントに分解され得る。溶媒は、混合物からなってよい。フッ素化の程度は、水素触媒作用反応速度をコントロールするための方法として使用され得る。実施例において、ＣＦ４は、好ましくはアルカリフッ化塩である融解したフッ化塩の電気分解によって炭素電極を用いて生成され、又は、フッ素ガスでの二酸化炭素の反応により生成される。如何なるＣＨ４及び炭化水素生成物でも、ＣＦ４及びフッ化炭素になるようにフッ化されてもよい。
前記ＨＳＡ材料を形成するフッ素化炭素に好適なフッ素化ＨＳＡ材料及び方法は米国特許第３，９２９，９２０号、米国特許第３，９２５，４９２号、米国特許第３，９２５，２６３号及び米国特許第４，８８６，９２１号に開示されているような当技術分野で公知のものであってよい。さらなる方法は、米国特許第４，１３９，４７４号に開示されているポリ−フッ化二炭素の調製、米国特許第４，４４７，６６３号に開示されている炭素の連続フッ化の工程、米国特許第４，４２３，２６１号に開示されている式（Ｃ２Ｆ）ｎに表されるポリ−フッ化二炭素を主に含むフッ化黒鉛を生成する工程、米国特許第３，９２５，２６３号に開示されているポリ−フッ化二炭素を調製する工程、米国特許第３，８７２，０３２に開示されているフッ化黒鉛を調製する工程、米国特許第４，２４３，６１５号に開示されているポリ−フッ化二炭素を調製する工程、米国特許第４，４３８，０８６号に開示されている炭素とフッ素ガス間の接触反応によりフッ化黒鉛を調製する方法、米国特許第３，９２９，９１８号に開示されているフッ化黒鉛の合成、米国特許第３，９２５，４９２号に開示されているポリ−フッ化炭素を調製する工程、ならびにＬａｇｏｗら、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｄａｌｔｏｎ、１２６８（１９７４）に開示された黒鉛−フッ素化学への新たな合成アプローチを提供するメカニズムを含み、ここで開示された材料はＨＳＡ材料を含む。反応器の材料の１種として、モネルメタル、ニッケル、鋼鉄または銅は、フッ素ガスによる腐食を考慮して使用する。炭素材料は、カーボンブラック、石油コークス、石油ピッチコークス及び木炭などの非晶質炭素、天然グラファイト、グラフェン及び人工グラファイト、フラーレン及び好ましくは単層であるナノチューブなどの結晶炭素が挙げられる。Ｎａは炭素支持体に挿入してアセチリドを形成しないことが好ましい。このような炭素材料は様々な形態で使用することが可能である。概して、粉末炭素材料は５０ミクロン以下の平均粒子径であることが好ましいが、それより大きくても好適である。粉末炭素材料以外に、他の形態も好適である。炭素材料はブロック、球体、棒状及び繊維の形態であってよい。反応は流動床型反応器から選択した反応器、ロータリー窯型反応器、及びトレータワー型反応器で実行し得る。
別の実施態様では、フッ素化炭素は添加剤を用いて再生する。炭素もまた、セル外で、または元の場所でＣｏＦ３などの無機反応物によりフッ素化してよい。反応器に添加して再生するＣｏ、ＣｏＦ、ＣｏＦ２及びＣｏＦ３の１つなどの無機フッ素化反応物源が反応混合物にさらに含まれ、そうでなければ、それはハイドリノを形成する反応物混合物から、あるいはＦ２ガスなどの別の試薬から、場合によりＰｔまたはＰｄなどのフッ素化触媒金属を添加して、セルの操作中に形成し得る。添加剤はＮＨ４Ｆを形成する可能性のあるＮＨ３でよい。炭素及び炭化水素の少なくとも１つはＮＨ４Ｆと反応してフッ素化し得る。ある実施態様では、反応混合物はＨＮａＦ２をさらに含み、それをフッ素化する炭素と反応させてもよい。フッ化炭素は元の場所、またはハイドリノ反応器の外部で形成してもよい。フッ化炭素は溶媒またはＨＳＡ材料として作用する可能性もある。
溶媒、支持体または吸着体の少なくとも１つがフッ素を含む実施態様では、溶媒または支持体がフッ素化有機物、ならびにＮａＨＦ２及びＮａＦなどの触媒金属のフッ化物である場合、生成物はおそらく炭素を含む。このことは放出または回収され得る分子ハイドリノガスなどの低エネルギー水素生成物にも当てはまる。Ｆ２を使用し、動力を生じる反応の別のサイクルで反応物として使用し得るＣＦ４ガスとして炭素をエッチング処理してもよい。ＮａＦ及びＮａＨＦ２の残留生成物はＮａ及びＦ２へ電気分解し得る。Ｎａは水素と反応し、ＮａＨを形成し、Ｆ２を使用して炭素生成物をエッチングする。ＮａＨ、残留ＮａＦ及びＣＦ４を組み合わせ、動力生成反応の別のサイクルを実行し、ハイドリノを形成する。他の実施態様では、Ｌｉ、Ｋ、ＲｂまたはＣｓはＮａと置換してよい。
ＶＩ．他の液体及び不均−燃料実施例
本開示において、「液体−溶媒実施例」は、液体燃料及び不均−燃料のような液体溶媒からなる対応する燃料及び如何なる反応混合物を含む。
本開示において、「液体−溶媒実施例」は、液体燃料及び不均−燃料のような液体溶媒からなる対応する燃料及び如何なる反応混合物を含む。
液体溶媒からなる別の実施例において、原子状ナトリウム及び分子状ＮａＨの１つは、少なくとも１つの他の化合物又は元素、及び、Ｎａの分子状形態、イオン形態、又は、金属形態の間の反応によって供給される。Ｎａ又はＮａＨの源は、金属のＮａ、ＮａＯＨのようなＮａを含む無機化合物、及び、ＮａＮＨ２、ＮａＮＨ２、及び、Ｎａ２Ｏ、ＮａＸ（Ｘはハロゲン化物である）、及び、ＮａＨ（ｓ）のような他の適当なＮａ化合物の少なくとも１つであってよい。他の元素は、Ｈ、置換剤、又は、還元剤であってよい。反応混合物は、（１）溶媒、（２）Ｎａ（ｍ），ＮａＨ，ＮａＮＨ２，Ｎａ２ＣＯ３，Ｎａ２Ｏ，ＮａＯＨ，ＮａＯＨドープ−Ｒ−Ｎｉ，ＮａＸ（Ｘはハロゲン），及び、ＮａＸドープＲ−Ｎｉ，の内の少なくとも１つのようなナトリウムの源、（３）Ｈ２ガス及び解離剤及び水素化物のような水素の源、（４）好ましくはＬｉであるアルカリ又はアルカリ土類金属のような置換剤、そして、（５）アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタニド、Ｔｉのような遷移金属、アルミニウム、Ｂ、ＡｌＨｇ、ＮａＰｂ、ＮａＡｌ、ＬｉＡｌのような金属合金、のような金属の少なくとも１つ、更に、アルカリ土類ハロゲン化物、遷移金属ハロゲン化物、ハロゲン化ランタニド、及び、ハロゲン化アルミニウムのような還元剤と組合せて又は単独において金属の源となるような還元剤、の内の少なくとも１つを含んでよい。他の適当な還元剤は、ＬｉＢＨ４、ＮａＢＨ４、ＬｉＡｌＨ４、又は、ＮａＡｌＨ４のような金属水素化物からなる。好ましくは、ＮａＨ分子及びＮａ、ＮａＨ（ｓ）、及び、Ｎａ２ＯのようなＮａ生成物を形成するために、還元剤はＮａＯＨと反応する。ＮａＨの源は、アルカリ又はアルカリ土類金属又はＲ−ＮｉのＡｌ金属間合金のようなＮａＨ触媒を形成するための還元剤のような反応物及びＮａＯＨからなるＲ−Ｎｉであってもよい。更に、典型的な試薬は、アルカリ又はアルカリ土類金属、及び、好ましくはＢｒ又はＩであるが、Ｘをハロゲンとしたときの、ＡｌＸ３、ＭｇＸ２、ＬａＸ３、ＣｅＸ３、及び、ＴｉＸｎのような酸化剤である。更に、反応混合物は、ゲッター、又は、Ｒ−Ｎｉのような解離剤にドープされるかもしれないＮａ２ＣＯ３、Ｎａ３ＳＯ４、及びＮａ３ＰＯ４、の少なくとも１つのような分散剤を含むもう１つの化合物からなってよい。反応混合物は、支持体がその混合物の少なくとも１つの反応物をドープされてよい支持体であるところ、支持体を更に含んでよい。支持体は、反応混合物からＮａＨ触媒の生産性に有利となる大きな表面積を好ましくは持ってよい。支持体は、Ｒ−Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｎ、γ−、β−、若しくはα−アルミナのようなＡｌ２Ｏ３、アルミン酸ナトリウム（β−アルミナはＮａ＋のような他のイオンを持ち、理想的な組成であるＮａ２Ｏ・１１Ａｌ２Ｏ３を持つ。）、Ｍ２Ｏ３のようなランタニド酸化物（好ましくは、Ｍ＝Ｌａ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｐｒ，Ｔｂ，Ｇｄ，及びＥｒ）、Ｓｉ、シリカ、ケイ酸塩、ゼオライト、ランタニド、遷移金属、アルカリ及びＮａを備えるアルカリ土類合金のような金属合金、希土類金属、Ｎｉを支持したＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３若しくはＳｉＯ２、そして、白金、パラジウム、若しくは、ルテニウムを支持したアルミナの少なくとも１つのような他の支持金属、からなる群の少なくとも１つを含んでよい。支持体は、高い表面積を持ってよく、そして、Ｒ−Ｎｉ、ゼオライト、ケイ酸塩、アルミン酸塩、アルミナ、アルミナ・ナノ粒子、多孔性Ａｌ２Ｏ３、Ｐｔ、Ｒｕ、若しくはＰｄ／Ａｌ２Ｏ３、炭素、Ｐｔ若しくはＰｄ／Ｃのような高い表面積（ＨＳＡ）材料、Ｎａ２ＣＯ３、シリカ及びゼオライト材料のような無機化合物、好ましくはＹゼオライト粉末、フラーレン若しくはナノチューブのような炭素を含んでよい。実施例において、Ａｌ２Ｏ３（及び、存在するならば解離剤のＡｌ２Ｏ３支持体）のような支持体は、表面改質支持体を形成するように、ランタニドのような還元剤と反応する。実施例において、表面のＡｌは、ランタニド置換支持体を形成するように、ランタニドと交換する。この支持体は、ＮａＯＨのようなＮａＨ分子の源をドープされてもよく、ランタニドのような還元剤と反応させられるかもしれない。ランタニドでのランタニド置換支持体の後続反応は、それをあまり変えないであろう、そして、表面にドープされたＮａＯＨは、還元剤ランタニドとの反応によってＮａＨ触媒に還元され得る。
反応混合物がＮａＨ触媒の源を含むところ、液体溶媒を含む実施例において、ＮａＨの源は、Ｎａの合金及び水素の源であってよい。合金は、ナトリウム金属、及び１又はそれ以上のアルカリ又はアルカリ土類金属、遷移金属、Ａｌ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ｐｔ、Ｐｄ、又は、他の金属の合金のような、本技術分野において知られているそれらの少なくとも１つを含んでよく、そして、Ｈ源はＨ２又は水素化物であってよい。
ＮａＨ分子の源のような試薬、ナトリウムの源、ＮａＨの源、水素の源、置換剤、及び、還元剤は、如何なる望ましいモル比で存在する。各々は、０より大きく、１００％未満のモル比である。好ましくは、モル比は類似している。
液体−溶媒の実施例において、反応混合物は、溶媒、Ｎａ若しくはＮａの源、ＮａＨ若しくはＮａＨの源、金属水素化物若しくは金属水素化物の源、金属水素化物を形成するための反応物若しくは反応物の源、水素の解離剤、及び、水素の源からなる群の少なくとも１シリーズのものを含む。反応混合物は、支持体を更に含んでよい。金属水素化物を形成するための反応物は、好ましくはＬａ若しくはＧｄであるランタニドを含んでよい。実施例において、Ｌａは、ＬａＨｎ（ｎ＝１，２，３）を形成するように、ＮａＨと可逆的に反応するかもしれない。実施例において、水素化物交換反応は、ＮａＨ触媒を形成する。可逆的な−般的な反応は次の式により与えられる。
式（１５６）によって与えられる反応は、表３おいて与えられる他のＭＨ−タイプ触媒に適用される。反応は、ＮａＨ触媒を形成するように、Ｎａと反応する原子状水素を形成するように、解離させられるかもしれない水素の形成を開始するかもしれない。解離剤は、好ましくは、Ｐｔ、Ｐｄ、若しくはＲｕ／Ａｌ２Ｏ３粉末、Ｐｔ／Ｔｉ、及び、Ｒ−Ｎｉの少なくとも１つである。優先して、Ａｌ２Ｏ３のような解離剤の支持体は、Ａｌの代わりに表面のＬａの置換を少なくとも含み、又は、Ｐｔ、Ｐｄ、若しくはＲｕ／Ｍ２Ｏ３でＭがランタニドであるものを含む。解離剤は、分離器が原子状水素を渡すところ、反応混合物の残りから分離されるかもしれない。
溶媒を除去して、Ｈ２を加えて、ふるいによってＮａＨと水素化ランタンを分離して、Ｌａを形成するために水素化ランタンを熱して、ＬａとＮａＨを混合することによって、反応混合物が実施例において、再生されるかもしれないところ、適当な液体−溶媒の実施例は、溶媒、ＮａＨ、Ｌａ、及び、Ａｌ２Ｏ３粉末上のＰｄからなる反応混合物を含む。或いは、再生は、Ｎａを溶かして、液体を除去することによってＮａとランタン水素化物を分離するステップと、Ｌａを形成するために水素化ランタンを熱するステップと、ＮａからＮａＨへと水素化するステップと、ＬａとＮａＨを混合するステップと、溶媒を加えるステップとを含む。ＬａとＮａＨの混合は、ボールミルによってもよい。
液体−溶媒の実施例において、Ｒ−Ｎｉのような高い表面積の材料は、ＮａＸ（Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）がドープされる。ドープされたＲ−Ｎｉは、Ｎａ及びＮａＨの少なくとも１つを形成するために、ハロゲン化物を置き換えるであろう試薬と反応する。実施例において、反応物は、少なくとも、好ましくはＫ，Ｒｂ，Ｃｓの少なくとも１つであるアルカリ若しくはアルカリ土類金属である。別の実施例において、反応物は、好ましくはＫＨ、ＲｂＨ、ＣｓＨ、ＭｇＨ２、及びＣａＨ２の少なくとも１つである、アルカリ若しくはアルカリ土類水素化物である。反応物は、アルカリ金属及びアルカリ土類水素化物の両方であってよい。可逆的な−般的な反応は次の式で与えられる。
Ａ．ＮａＨ触媒を形成するためのＮａＯＨ触媒反応
ＮａＯＨ及びＮａがＮａ２Ｏ及びＮａＨとなる反応は次のようになる。
ＮａＯＨ＋２Ｎａ→Ｎａ２Ｏ＋ＮａＨ （１５８）
発熱反応は、ＮａＨ（ｇ）の形成を促進することができる。このように、Ｎａ金属は、触媒ＮａＨ（ｇ）を形成するために、還元剤として機能することができる。ＮａＨの源との類似する高い発熱還元反応を持つ適当な還元剤の他の例は、アルカリ金属、Ｍｇ及びＣａの少なくとも１つのようなアルカリ土類金属、ＬｉＢＨ４、ＮａＢＨ４、ＬｉＡｌＨ４、若しくはＮａＡｌＨ４のような金属水素化物、Ｂ、Ａｌ、Ｔｉのような遷移金属、Ｌａ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｇｄ、及び、Ｅｒの内の少なくとも１つのような、好ましくはＬａ、Ｔｂ、及びＳｍであるが、ランタニドである。好ましくは、反応混合物は、溶媒、ＮａＨ触媒の源を含むＮａＯＨのようなドーパントを持つ高い表面積の材料（ＨＳＡ材料）を含む。好ましくは、触媒への高い表面積を備える材料の上のドーパントの変換が、成し遂げられる。その変換は、還元反応によって起こされてよい。Ｎａに加えて、他の好ましい還元剤は、他のアルカリ金属、Ｔｉ、ランタニド、又はＡｌである。好ましくは、反応混合物は、還元剤がＮａ又は金属間Ａｌであるところ、好ましくはＲ−ＮｉであるＨＳＡ材料にドープされたＮａＯＨを含む。反応混合物は、水素化物又はＨ２ガスのようなＨの源及び解離剤を更に含んでよい。ある実施例においては、Ｈ源は、水素化されたＲ−Ｎｉである。
ＮａＯＨ及びＮａがＮａ２Ｏ及びＮａＨとなる反応は次のようになる。
ＮａＯＨ＋２Ｎａ→Ｎａ２Ｏ＋ＮａＨ （１５８）
発熱反応は、ＮａＨ（ｇ）の形成を促進することができる。このように、Ｎａ金属は、触媒ＮａＨ（ｇ）を形成するために、還元剤として機能することができる。ＮａＨの源との類似する高い発熱還元反応を持つ適当な還元剤の他の例は、アルカリ金属、Ｍｇ及びＣａの少なくとも１つのようなアルカリ土類金属、ＬｉＢＨ４、ＮａＢＨ４、ＬｉＡｌＨ４、若しくはＮａＡｌＨ４のような金属水素化物、Ｂ、Ａｌ、Ｔｉのような遷移金属、Ｌａ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｇｄ、及び、Ｅｒの内の少なくとも１つのような、好ましくはＬａ、Ｔｂ、及びＳｍであるが、ランタニドである。好ましくは、反応混合物は、溶媒、ＮａＨ触媒の源を含むＮａＯＨのようなドーパントを持つ高い表面積の材料（ＨＳＡ材料）を含む。好ましくは、触媒への高い表面積を備える材料の上のドーパントの変換が、成し遂げられる。その変換は、還元反応によって起こされてよい。Ｎａに加えて、他の好ましい還元剤は、他のアルカリ金属、Ｔｉ、ランタニド、又はＡｌである。好ましくは、反応混合物は、還元剤がＮａ又は金属間Ａｌであるところ、好ましくはＲ−ＮｉであるＨＳＡ材料にドープされたＮａＯＨを含む。反応混合物は、水素化物又はＨ２ガスのようなＨの源及び解離剤を更に含んでよい。ある実施例においては、Ｈ源は、水素化されたＲ−Ｎｉである。
液体−溶媒の実施例において、式（１５８）によって与えられたようなＮａＨ触媒を生成する反応の生成物として形成されるＮａ２Ｏは、ＮａＨ触媒の源として更に機能することができるＮａＯＨを形成するように水素の源と反応を起こす。実施例において、原子状水素の存在があるところに、式（１５８）からのＮａＯＨの再生反応は、次のようになる。
Ｎａ２Ｏ＋Ｈ→ＮａＯＨ＋Ｎａ
ΔＨ＝−１１．６ｋＪ／ｍｏｌｅ ＮａＯＨ （１５９）
ＮａＨ→Ｎａ＋Ｈ（１／３）
ΔＨ＝−１０，５００ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ （１６０）
ＮａＨ→Ｎａ＋Ｈ（１／４）
ΔＨ＝−１９，７００ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ （１６１）
このように、原子状水素又は原子状水素の源を備えるＮａＯＨ及びＮａの少量は、式（１５８−１６１）により与えられるような再生反応の複数のサイクルを通して、順に、ハイドリノの大量生産を形成する、ＮａＨ触媒の触媒源として機能する。実施例において、式（１５８−１６１）によって与えられる反応が、ＮａＨとＨ共に、ハイドリノを形成するように進むところ、式（１６２）によって与えられる反応からＡｌ（ＯＨ）３は、ＮａＯＨ及びＮａＨの源として機能することができる。
３Ｎａ＋Ａｌ（ＯＨ）３
→ＮａＯＨ＋ＮａＡｌＯ２＋ＮａＨ＋１／２Ｈ２ （１６２）
液体−溶媒の実施例において、Ａｌの金属間化合物は、ＮａＨ触媒を形成する還元剤として機能する。その可逆反応は以下のように与えられる。
３ＮａＯＨ＋２Ａｌ→Ａｌ２Ｏ３＋３ＮａＨ （１６３）
この発熱反応は、ＮａＨの再生が原子状水素の存在下にＮａから生じるところ、式（２５−３０）によって与えられる非常な発熱反応を促進するように、ＮａＨ（ｇ）の形成を促進することができる。
Ｎａ２Ｏ＋Ｈ→ＮａＯＨ＋Ｎａ
ΔＨ＝−１１．６ｋＪ／ｍｏｌｅ ＮａＯＨ （１５９）
ＮａＨ→Ｎａ＋Ｈ（１／３）
ΔＨ＝−１０，５００ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ （１６０）
ＮａＨ→Ｎａ＋Ｈ（１／４）
ΔＨ＝−１９，７００ｋＪ／ｍｏｌｅ Ｈ （１６１）
このように、原子状水素又は原子状水素の源を備えるＮａＯＨ及びＮａの少量は、式（１５８−１６１）により与えられるような再生反応の複数のサイクルを通して、順に、ハイドリノの大量生産を形成する、ＮａＨ触媒の触媒源として機能する。実施例において、式（１５８−１６１）によって与えられる反応が、ＮａＨとＨ共に、ハイドリノを形成するように進むところ、式（１６２）によって与えられる反応からＡｌ（ＯＨ）３は、ＮａＯＨ及びＮａＨの源として機能することができる。
３Ｎａ＋Ａｌ（ＯＨ）３
→ＮａＯＨ＋ＮａＡｌＯ２＋ＮａＨ＋１／２Ｈ２ （１６２）
液体−溶媒の実施例において、Ａｌの金属間化合物は、ＮａＨ触媒を形成する還元剤として機能する。その可逆反応は以下のように与えられる。
３ＮａＯＨ＋２Ａｌ→Ａｌ２Ｏ３＋３ＮａＨ （１６３）
この発熱反応は、ＮａＨの再生が原子状水素の存在下にＮａから生じるところ、式（２５−３０）によって与えられる非常な発熱反応を促進するように、ＮａＨ（ｇ）の形成を促進することができる。
２つの適当な液体−溶媒の実施例は、Ｎａが還元剤として機能するところ、約０．５ｗｔ％ＮａＯＨを含むＮａ及びＲ−Ｎｉの第１の反応混合物と、金属間化合物Ａｌが還元剤として機能するところ、約０．５ｗｔ％ＮａＯＨを含むＲ−Ｎｉの第２の反応混合物と、を含む。反応混合物は、Ｈ源及び還元剤として機能してよいＮａＯＨ及びＮａＨを加えることによって、再生されてよい。
液体−溶媒の実施例において、エネルギー反応器について、ＮａＯＨのようなＮａＨの源は、少なくとも水素化物及び水素ガスの１つのような水素の源及び解離剤の添加により、再生される。水素化物と解離剤は、水素化されたＲ−Ｎｉであってよい。別の実施例において、ＮａＯＨがドープされたＲ−ＮｉのようなＮａＨの源は、再水素化、ＮａＨの添加、及び、ＮａＯＨの添加の少なくとも１つにより再生される。ここで、添加は物理的な混合による。最初に溶媒を除去して、混合は、ボールミルによるような方法によって機械的に実行されてよい。
液体−溶媒の実施例において、反応混合物は、非常に安定な酸化物及びＮａＨを形成するために、ＮａＯＨ又はＮａ２Ｏと反応する酸化物−成形の反応物を更に含む。そのような反応物構成は、セリウム、マグネシウム、ランタニド、チタン、又は、アルミニウム、又は、それらの化合物であって、ＡｌＸ３、ＭｇＸ２、ＬａＸ３、ＣｅＸ３、及び、ＴｉＸｎ（Ｘがハロゲン化物で、好ましくは、Ｂｒ又はＩ）のようなもの、及び、還元化合物であって、アルカリ若しくはアルカリ土類金属のようなものからなる。実施例において、ＮａＨ触媒の源は、表面でＮａＯＨのようなナトリウム化合物からなるＲ−Ｎｉを含む。そして、ＡｌＸ３、ＭｇＸ２、ＬａＸ３、ＣｅＸ３、及び、ＴｉＸｎ、並びに、アルカリ金属Ｍのような酸化物−形成の反応物とＮａＯＨとの反応は、ＮａＨ、ＭＸ、及び、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、及び、Ｔｉ２Ｏ３をそれぞれ形成する。
液体−溶媒の実施例において、反応混合物は、Ｎａ及びＮａＨ分子の少なくとも１つを形成するために加えられた、ＮａＯＨをドープしたＲ−Ｎｉ、及び、アルカリ若しくはアルカリ土類金属からなる。Ｎａは、ＮａＨ触媒を形成するためにＲ−Ｎｉのような水素化物又はＨ２ガスのような源からのＨと更に反応する。ＮａＨの反応に続く触媒作用反応は、式（３５）によって与えられるＨ状態を形成する。アルカリ若しくはアルカリ土類金属Ｍの添加は、反応によってＮａ＋をＮａに還元してもよい。
ＮａＯＨ＋Ｍ ｔｏ ＭＯＨ＋Ｎａ （１６４）
２ＮａＯＨ＋Ｍ→Ｍ（ＯＨ）２＋２Ｎａ （１６５）
Ｍは、Ｈ並びにＮａを形成するために、ＮａＯＨとも反応してもよい。
２ＮａＯＨ＋Ｍ→Ｎａ２Ｏ＋Ｈ２＋ＭＯ （１６６）
Ｎａ２Ｏ＋Ｍ→Ｍ２Ｏ＋２Ｎａ （１６７）
そして、触媒ＮａＨは、反応によって形成されてよい。
Ｎａ＋Ｈ→ＮａＨ （１６８）
Ｒ−Ｎｉ及び如何なる追加されたＨの源からの反応と同様に、式（１６６）によって与えられるような反応から、Ｈと反応することにより、形成されてよい。Ｎａは、適当な還元剤である。なぜなら、それがＮａＨの更なる源であるからである。
ＮａＯＨ＋Ｍ ｔｏ ＭＯＨ＋Ｎａ （１６４）
２ＮａＯＨ＋Ｍ→Ｍ（ＯＨ）２＋２Ｎａ （１６５）
Ｍは、Ｈ並びにＮａを形成するために、ＮａＯＨとも反応してもよい。
２ＮａＯＨ＋Ｍ→Ｎａ２Ｏ＋Ｈ２＋ＭＯ （１６６）
Ｎａ２Ｏ＋Ｍ→Ｍ２Ｏ＋２Ｎａ （１６７）
そして、触媒ＮａＨは、反応によって形成されてよい。
Ｎａ＋Ｈ→ＮａＨ （１６８）
Ｒ−Ｎｉ及び如何なる追加されたＨの源からの反応と同様に、式（１６６）によって与えられるような反応から、Ｈと反応することにより、形成されてよい。Ｎａは、適当な還元剤である。なぜなら、それがＮａＨの更なる源であるからである。
水素は、ＮａＯＨを還元し、ＮａＨ触媒を形成するように、加えられてよい。
ＮａＯＨ＋Ｈ２→ＮａＨ＋Ｈ２Ｏ （１６９）
Ｒ−ＮｉのＨは、ＮａＯＨを還元してＮａ金属、及び、ポンプにより除去される水にするかもしれない。有機溶剤は、還元の前にまず除去されてよく、又は、溶融した無機溶媒が使われてもよい。
ＮａＯＨ＋Ｈ２→ＮａＨ＋Ｈ２Ｏ （１６９）
Ｒ−ＮｉのＨは、ＮａＯＨを還元してＮａ金属、及び、ポンプにより除去される水にするかもしれない。有機溶剤は、還元の前にまず除去されてよく、又は、溶融した無機溶媒が使われてもよい。
液体−溶媒の実施例において、反応混合物は、ＮａＨ触媒を形成するためにＮａＨの源と反応する１又はそれ以上の化合物を含む。源は、ＮａＯＨであってよい。化合物は、ＬｉＮＨ２、Ｌｉ２ＮＨ、及びＬｉ３Ｎの少なくとも１つを含んでよい。反応混合物は、Ｈ２のような水素の源を更に含んでよい。実施例において、ＮａＨ及び水酸化リチウムを形成するため、水酸化ナトリウム及びリチウムアミドの反応は、次の通りである。
ＮａＯＨ＋ＬｉＮＨ２
→ＬｉＯＨ＋ＮａＨ＋１／２Ｎ２＋ＬｉＨ （１７０）
ＮａＯＨ＋ＬｉＮＨ２
→ＬｉＯＨ＋ＮａＨ＋１／２Ｎ２＋ＬｉＨ （１７０）
ＮａＨ及び水酸化リチウムを形成するため、水酸化ナトリウムとリチウム・イミドとの反応は、次の通りである。
ＮａＯＨ＋Ｌｉ２ＮＨ
→Ｌｉ２Ｏ＋ＮａＨ＋１／２Ｎ２＋１／２Ｈ２ （１７１）
そして、ＮａＨ及び水酸化リチウムを形成するため、水酸化ナトリウムと窒化リチウムとの反応は、次の通りである。
ＮａＯＨ＋Ｌｉ３Ｎ
→Ｌｉ２Ｏ＋ＮａＨ＋１／２Ｎ２＋Ｌｉ （１７２）
ＮａＯＨ＋Ｌｉ２ＮＨ
→Ｌｉ２Ｏ＋ＮａＨ＋１／２Ｎ２＋１／２Ｈ２ （１７１）
そして、ＮａＨ及び水酸化リチウムを形成するため、水酸化ナトリウムと窒化リチウムとの反応は、次の通りである。
ＮａＯＨ＋Ｌｉ３Ｎ
→Ｌｉ２Ｏ＋ＮａＨ＋１／２Ｎ２＋Ｌｉ （１７２）
Ｂ．ＮａＨ触媒を形成するためのアルカリ土類水酸化物触媒反応
液体−溶媒の実施例において、Ｈの源は、触媒ＮａＨを形成するために、Ｎａの源に提供される。Ｎａ源は、金属であってよい。Ｈの源は、水酸化物であってよい。水酸化物は、アルカリ、アルカリ土類水酸化物、遷移金属水酸化物、Ａｌ（ＯＨ）３の少なくとも１つであってよい。実施例において、Ｎａは、対応する酸化物及びＮａＨ触媒を形成するために、水酸化物と反応する。水酸化物がＭｇ（ＯＨ）２である実施例において、生成物はＭｇＯである。水酸化物がＣａ（ＯＨ）２である実施例において、生成物はＣａＯである。アルカリ土類酸化物は、水酸化物を再生させるために、水と反応を起こすかもしれない。水酸化物は、濾過及び遠心分離のような方法によって、沈殿物として集められることができる。
液体−溶媒の実施例において、Ｈの源は、触媒ＮａＨを形成するために、Ｎａの源に提供される。Ｎａ源は、金属であってよい。Ｈの源は、水酸化物であってよい。水酸化物は、アルカリ、アルカリ土類水酸化物、遷移金属水酸化物、Ａｌ（ＯＨ）３の少なくとも１つであってよい。実施例において、Ｎａは、対応する酸化物及びＮａＨ触媒を形成するために、水酸化物と反応する。水酸化物がＭｇ（ＯＨ）２である実施例において、生成物はＭｇＯである。水酸化物がＣａ（ＯＨ）２である実施例において、生成物はＣａＯである。アルカリ土類酸化物は、水酸化物を再生させるために、水と反応を起こすかもしれない。水酸化物は、濾過及び遠心分離のような方法によって、沈殿物として集められることができる。
例えば、実施例において、ＮａＨ触媒を形成する反応と、Ｍｇ（ＯＨ）２に対する再生サイクルは、以下の反応式に従って行われる。
３Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＨ＋ＭｇＯ＋Ｎａ２Ｏ （１７３）
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１７４）
液体−溶媒の実施例において、ＮａＨ触媒を形成する反応と、Ｃａ（ＯＨ）２に対する再生サイクルは、以下の反応式に従って行われる。
４Ｎａ＋Ｃａ（ＯＨ）２→２ＮａＨ＋ＣａＯ＋Ｎａ２Ｏ （１７５）
ＣａＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｃａ（ＯＨ）２ （１７６）
３Ｎａ＋Ｍｇ（ＯＨ）２→２ＮａＨ＋ＭｇＯ＋Ｎａ２Ｏ （１７３）
ＭｇＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｍｇ（ＯＨ）２ （１７４）
液体−溶媒の実施例において、ＮａＨ触媒を形成する反応と、Ｃａ（ＯＨ）２に対する再生サイクルは、以下の反応式に従って行われる。
４Ｎａ＋Ｃａ（ＯＨ）２→２ＮａＨ＋ＣａＯ＋Ｎａ２Ｏ （１７５）
ＣａＯ＋Ｈ２Ｏ→Ｃａ（ＯＨ）２ （１７６）
Ｃ．ＮａＨ触媒を形成するためのＮａ／Ｎ合金反応
固体及び液体状態にあるアルカリ金属は、金属である。Ｍ又はＭＨ触媒を生成するために、Ｍは、アルカリ金属であり、液体又は不均−系の燃料の反応混合物は、Ｍ／Ｎ合金反応物である。実施例において、反応混合物、液体燃料反応、不均−系燃料反応、及び、再生反応は、燃料が触媒及び原子状水素の少なくとも１つを生成するところ、Ｍ／Ｎシステムのそれらを含む。
固体及び液体状態にあるアルカリ金属は、金属である。Ｍ又はＭＨ触媒を生成するために、Ｍは、アルカリ金属であり、液体又は不均−系の燃料の反応混合物は、Ｍ／Ｎ合金反応物である。実施例において、反応混合物、液体燃料反応、不均−系燃料反応、及び、再生反応は、燃料が触媒及び原子状水素の少なくとも１つを生成するところ、Ｍ／Ｎシステムのそれらを含む。
実施例において、反応混合物は、ＮａＨ触媒を形成するためにＮａＨの源と反応する１又はそれ以上の化合物からなる。反応混合物は、Ｎａ、ＮａＨ、ＮａＮＨ２、Ｎａ２ＮＨ、Ｎａ３Ｎ、ＮＨ３、解離剤、Ｈ２ガス若しくは水素化物のような水素源、支持体、そして、ＮａＸ（Ｘはハロゲン化物である）のようなゲッターからなる群の少なくとも１つを含んでよい。解離剤は、好ましくはＰｔ、Ｒｕ、又は、Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３粉末である。解離剤は、Ｎａに適切に不活発な高い表面積を持つ支持体の上の、Ｐｔ又はＰｄを含んでよい。解離剤は、炭素上のＰｔ若しくはＰｄ又はＰｄ／Ａｌ２Ｏ３であってよい。後者の支持体は、ＮａＡｌＯ２のような材料の保護表面コーティングを含んでよい。反応物は、如何なるｗｔ％で存在してもよい。
反応混合物がＨ２の添加によって再生するかもしれないところ、適当な液体−溶媒の実施例は、溶媒、Ｎａ若しくはＮａＨ、ＮａＮＨ２、及び、Ａｌ２Ｏ３粉末上のＰｄの反応混合物からなる。
実施例において、ＮａＮＨ２は反応混合物に加えられる。ＮａＮＨ２は、可逆反応によってＮａＨを生成する。
Ｎａ２＋ＮａＮＨ２→ＮａＨ＋Ｎａ２ＮＨ （１７７）
２ＮａＨ＋ＮａＮＨ２→ＮａＨ（ｇ）＋Ｎａ２ＮＨ＋Ｈ２ （１７８）
Ｎａ２＋ＮａＮＨ２→ＮａＨ＋Ｎａ２ＮＨ （１７７）
２ＮａＨ＋ＮａＮＨ２→ＮａＨ（ｇ）＋Ｎａ２ＮＨ＋Ｈ２ （１７８）
ハイドリノ反応サイクルにおいて、Ｎａ−Ｎａ及びＮａＮＨ２が反応し、ＮａＨ分子及びＮａ２ＮＨを形成する。そして、ＮａＨはハイドリノとＮａを形成する。このように、次の反応によるように、反応は可逆である。
Ｎａ２ＮＨ＋Ｈ２→ＮａＮＨ２＋ＮａＨ （１７９）
Ｎａ２ＮＨ＋Ｎａ＋Ｈ→ＮａＮＨ２＋Ｎａ２ （１８０）
Ｎａ２ＮＨ＋Ｈ２→ＮａＮＨ２＋ＮａＨ （１７９）
Ｎａ２ＮＨ＋Ｎａ＋Ｈ→ＮａＮＨ２＋Ｎａ２ （１８０）
実施例において、この反応が触媒を生み出すもう１つであるような式（１７９）のＮａＨは分子である。
アンモニア及びナトリウム水素化物を形成するナトリウムアミドと水素との反応は次のようになる。
Ｈ２＋ＮａＮＨ２→ＮＨ３＋ＮａＨ （１８１）
液体−溶媒の実施例において、この反応は可逆である。反応は、Ｈ２濃度を上昇させることによってＮａＨを形成するように促進され得る。或いは、正反応は、解離剤を用いて原子状水素の形成により促進され得る。反応は以下のように与えられる。
２Ｈ＋ＮａＮＨ２→ＮＨ３＋ＮａＨ （１８２）
発熱反応は、ＮａＨ（ｇ）の形成を促進することができる。
Ｈ２＋ＮａＮＨ２→ＮＨ３＋ＮａＨ （１８１）
液体−溶媒の実施例において、この反応は可逆である。反応は、Ｈ２濃度を上昇させることによってＮａＨを形成するように促進され得る。或いは、正反応は、解離剤を用いて原子状水素の形成により促進され得る。反応は以下のように与えられる。
２Ｈ＋ＮａＮＨ２→ＮＨ３＋ＮａＨ （１８２）
発熱反応は、ＮａＨ（ｇ）の形成を促進することができる。
液体−溶媒の実施例において、ＮａＨ触媒は、ＮａＮＨ２と水素の反応から生成するが、水素は、好ましくは反応式（１８１−１８２）で与えられるような原子状水素である。反応物の比率は、如何なる望ましい量であってよい。好ましくは、比率は、式（１８１−１８２）のそれらに対しておよそ化学量論的である。触媒反応が式（２５−３０）によって与えられ、ナトリウムアミドがＮａとアンモニアとの反応によって追加的なＮａＨ触媒と共に形成されるところ、触媒を形成する反応は、ハイドリノを形成するように反応されたそれを取り替えるために、Ｈ２ガス又は水素化物のようなＨの源の添加と共に可逆である。
ＮＨ３＋Ｎａ２→ＮａＮＨ２＋ＮａＨ （１８３）
ＮＨ３＋Ｎａ２→ＮａＮＨ２＋ＮａＨ （１８３）
液体−溶媒の実施例において、ＨＳＡ材料は、ＮａＮＨ２がドープされる。ＮａとＮａＨの少なくとも１つを形成するために、アミド基を置き換えるであろう試薬と、ドープされたＨＳＡ材料は反応を起こす。実施例において、反応物は、好ましくはＬｉであるが、アルカリ若しくはアルカリ土類金属である。もう１つの実施例において、反応物は、好ましくはＬｉＨであるが、アルカリ若しくはアルカリ土類水素化物である。反応物は、アルカリ金属及びアルカリ土類水素化物の両方であってよい。水素化物、ＨＳＡ材料、及び、置換試薬のような反応混合物の他の如何なる試薬によって提供されるそれに加えて、Ｈ２ガスのようなＨの源が、更に供給されてよい。
液体−溶媒の実施例において、リチウムアミド、イミド、又は、窒素化合物及びＮａ若しくはＮａＨ触媒を形成するために、ナトリウムアミドはリチウムとの反応を経る。リチウム・イミド及びＮａＨを形成するナトリウムアミドとリチウムとの反応は、以下の通りである。
２Ｌｉ＋ＮａＮＨ２→Ｌｉ２ＮＨ＋ＮａＨ （１８４）
リチウムアミド及びＮａＨを形成するためのナトリウムアミドと水素化リチウムとの反応は、以下の通りである。
ＬｉＨ＋ＮａＮＨ２→ＬｉＮＨ２＋ＮａＨ （１８５）
リチウムアミド及びＮａＨを形成するためのナトリウムアミドとリチウムと水素との反応は、以下の通りである。
Ｌｉ＋１／２Ｈ２＋ＮａＮＨ２→ＬｉＮＨ２＋ＮａＨ （１８６）
液体−溶媒の実施例において、混合物の反応は、Ｎａを形成し、そして、反応物は、以下のような反応によって触媒ＮａＨを形成するためにＮａと反応するＨの源を更に含む。
Ｌｉ＋ＮａＮＨ２ ｔｏ ＬｉＮＨ２＋Ｎａ （１８７）
Ｎａ＋Ｈ ｔｏ ＮａＨ （１８８）
ＬｉＨ＋ＮａＮＨ２ ｔｏ ＬｉＮＨ２＋Ｎａ （１８９）
２Ｌｉ＋ＮａＮＨ２→Ｌｉ２ＮＨ＋ＮａＨ （１８４）
リチウムアミド及びＮａＨを形成するためのナトリウムアミドと水素化リチウムとの反応は、以下の通りである。
ＬｉＨ＋ＮａＮＨ２→ＬｉＮＨ２＋ＮａＨ （１８５）
リチウムアミド及びＮａＨを形成するためのナトリウムアミドとリチウムと水素との反応は、以下の通りである。
Ｌｉ＋１／２Ｈ２＋ＮａＮＨ２→ＬｉＮＨ２＋ＮａＨ （１８６）
液体−溶媒の実施例において、混合物の反応は、Ｎａを形成し、そして、反応物は、以下のような反応によって触媒ＮａＨを形成するためにＮａと反応するＨの源を更に含む。
Ｌｉ＋ＮａＮＨ２ ｔｏ ＬｉＮＨ２＋Ｎａ （１８７）
Ｎａ＋Ｈ ｔｏ ＮａＨ （１８８）
ＬｉＨ＋ＮａＮＨ２ ｔｏ ＬｉＮＨ２＋Ｎａ （１８９）
液体−溶媒の実施例において、反応物は、好ましくはＬｉであるアルカリ若しくはアルカリ土類金属のようなＮａＮＨ２のアミド基を置き換える反応物であるＮａＮＨ２を含み、そして追加的に、ＭＨ（Ｍ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及び、Ｂａ）、Ｈ２、水素解離剤、及び、水素化物の内の少なくとも１つのようなＨの源を含んでよい。
溶媒、Ｍ、ＭＨ、ＮａＨ、ＮａＮＨ２、ＨＳＡ材料、水素化物、及び解離剤のような反応混合物の試薬は、如何なる望ましいモル比でも存在する。Ｍ、ＭＨ、ＮａＮＨ２、及び解離剤の各々は、モル比において、０より大きく、１００％未満であり、好ましくは、これらのモル比は類似する。
分子触媒ＮａＨを生成する液体−溶媒システムの他の実施例は、Ｎａ及びＮａＢＨ４若しくはＮＨ４Ｘ（Ｘは、ハロゲンのようなアニオンである）を含む。分子ＮａＨ触媒は、Ｎａ２とＮａＢＨ４との反応によって生成することができる。
Ｎａ２＋ＮａＢＨ４→ＮａＢＨ３＋Ｎａ＋ＮａＨ （１９０）
ＮＨ４Ｘは、ＮａＮＨ２及びＨ２を生成することができる。
Ｎａ２＋ＮＨ４Ｘ→ＮａＸ＋ＮａＮＨ２＋Ｈ２ （１９１）
Ｎａ２＋ＮａＢＨ４→ＮａＢＨ３＋Ｎａ＋ＮａＨ （１９０）
ＮＨ４Ｘは、ＮａＮＨ２及びＨ２を生成することができる。
Ｎａ２＋ＮＨ４Ｘ→ＮａＸ＋ＮａＮＨ２＋Ｈ２ （１９１）
そして、ＮａＨ触媒は、Ｅｑｓ．（１７７−１８９）の反応によって生成することができる。もう１つの液体−溶媒の実施例において、Ｎａ／Ｎシステムがハイドリノ触媒ＮａＨを形成する反応メカニズムは、以下の通りである。
ＮＨ４Ｘ＋Ｎａ−Ｎａ→ＮａＨ＋ＮＨ３＋ＮａＸ （１９２）
ＮＨ４Ｘ＋Ｎａ−Ｎａ→ＮａＨ＋ＮＨ３＋ＮａＸ （１９２）
Ｄ．追加的なＭＨタイプ触媒及び反応
タイプＭＨのもう１つの触媒システムは、アルミニウムを含む。ＡｌＨの結合エネルギーは、２．９８ｅＶである。Ａｌの第１及び第２のイオン化エネルギーは、それぞれ、５．９８５７６８ｅＶ及び１８．８２８５５ｅＶである。これらのエネルギーに基づいて、ＡｌＨの結合エネルギープラスＡｌ２＋へのＡｌの二重イオン化（ｔ＝２）が式（３６）でｍ＝１に等しい２７．７９ｅＶ（２７．２ｅＶ）であるので、ＡｌＨ分子は、触媒及びＨ源として機能することができる。触媒反応は、次のように与えられる。
タイプＭＨのもう１つの触媒システムは、アルミニウムを含む。ＡｌＨの結合エネルギーは、２．９８ｅＶである。Ａｌの第１及び第２のイオン化エネルギーは、それぞれ、５．９８５７６８ｅＶ及び１８．８２８５５ｅＶである。これらのエネルギーに基づいて、ＡｌＨの結合エネルギープラスＡｌ２＋へのＡｌの二重イオン化（ｔ＝２）が式（３６）でｍ＝１に等しい２７．７９ｅＶ（２７．２ｅＶ）であるので、ＡｌＨ分子は、触媒及びＨ源として機能することができる。触媒反応は、次のように与えられる。
Ａｌ２＋＋２ｅ−＋Ｈ→ＡｌＨ＋２７．７９ｅＶ （１９４）
ここで、全反応は、次のようになる。
ここで、全反応は、次のようになる。
液体−溶媒の実施例において、反応混合物は、ＡｌＨ分子及びＡｌＨ分子の源の少なくとも１つを含む。ＡｌＨ分子の源は、Ａｌ金属及び好ましくは原子水素である水素の源を含んでよい。水素の源は、好ましくはＲ−Ｎｉである水素化物であってよい。もう１つの実施例において、触媒ＡｌＨは、還元剤と、酸化物若しくはＡｌの水酸化物との反応によって生成する。還元剤は、以前に与えられたＮａＯＨ還元剤の少なくとも１つを含む。実施例において、Ｈの源は、触媒ＡｌＨを形成するために、Ａｌの源に供給される。Ａｌ源は、金属であってよい。Ｈの源は、水酸化物であってよい。水酸化物は、アルカリ、アルカリ土類水酸化物、遷移金属水酸化物、及びＡｌ（ＯＨ）３のうち少なくとも１つであってよい。
ラネーニッケルは、以下の２つの反応ステップによって調製されることができる。
Ｎｉ＋３Ａｌ→ＮｉＡｌ３（又はＮｉ２Ａｌ３） （１９６）
Ｎｉ＋３Ａｌ→ＮｉＡｌ３（又はＮｉ２Ａｌ３） （１９６）
Ｎａ［Ａｌ（ＯＨ）４］は、高濃度ＮａＯＨにおいて、直ちに溶解させられる。それは、脱酸素化された水で洗浄され得る。調製されたＮｉは、Ａｌを含み（約１０ｗｔ％、変化し得る）、多孔性で、そして、大きな表面積を持つ。それは大量のＨを、Ｎｉ格子において、及び、Ｎｉ−ＡｌＨｘ（ｘ＝１，２，３）の形態においての両方で、含む。
Ｒ−Ｎｉは、ＡｌＨ分子の化学放出を引き起こすために、もう１つの元素と反応を起こしてよい。そして、ＡｌＨ分子は、それから、式（１９３−１９５）によって与えられる反応による触媒作用を経る。実施例において、ＡｌＨ放出は、還元反応、エッチング、又は、合金形成によって引き起こされる。そのような他の元素Ｍは、ＡｌＨｘ成分が引き続き触媒作用を受けるＡｌＨ分子を放出するようにさせる、Ｒ−ＮｉのＮｉ部分と反応するアルカリ若しくはアルカリ土類金属である。実施例において、Ｍは、ＡｌＨを形成するためにＨと更に反応するかもしれないＡｌ金属を形成するために、Ａｌ水酸化物若しくは酸化物と反応するかもしれない。反応は、加熱により開始され得、そして、反応速度は、温度をコントロールすることによってコントロールされてよい。溶媒、Ｍ（アルカリ若しくはアルカリ土類金属）、及び、Ｒ−Ｎｉは、如何なる望ましいモル比ででも存在する。溶媒、Ｍ、及びＲ−Ｎｉの各々は、モル比において、０より大きく、１００％未満である。好ましくは、Ｍ及びＲ−Ｎｉのモル比は類似する。
液体−溶媒の実施例において、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、及び、他の元素及び化合物の少なくとも１つを含む合金又はＲ−Ｎｉのような、本技術分野で知られているＡｌの合金又は他のレーニー金属及びＲ−Ｎｉを、ＡｌＨの源は含む。Ｒ−Ｎｉ又は合金は、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｆｅ、及び、Ｃｒの内の少なくとも１つのようなプロモーターを更に含んでよい。Ｒ−Ｎｉは、Ｗ．Ｒ．グレイス・レーニー２４００、レーニー２８００、レーニー２８１３、レーニー３２０１、レーニー４２００、又は、これらの材料のエッチングされた若しくはＮａドープされた実施例の少なくとも１つであってよい。ＡｌＨ触媒システムのもう１つの液体−溶媒の実施例において、Ｎｉに対するＡｌの比率が、約１０−９０％の範囲、好ましくは約１０−５０％の範囲、そして、より好ましくは約１０−３０％の範囲にあるところ、触媒の源はＮｉ／Ａｌ合金を含む。触媒の源は、パラジウム若しくはプラチナを含んでよく、更に、レーニー金属としてＡｌを含んでよい。
タイプＭＨのもう１つの触媒システムは、塩素を含む。ＨＣｌの結合エネルギーは、４．４７０３ｅＶである。Ｃｌの第１、第２、及び、第３のイオン化エネルギーは、それぞれ、１２．９６７６４ｅＶ、２３．８１４ｅＶ、及び、３９．６１ｅＶである。これらのエネルギーに基づいて、ＨＣｌの結合エネルギープラスＣｌ３＋へのＣｌの３重のイオン化（ｔ＝３）が式（３６）でｍ＝３に等しい８０．８６ｅＶ（３・２７．２ｅＶ）であるので、ＨＣｌは触媒及びＨ源として機能することができる。触媒反応は、次のように与えられる。
Ｃｌ３＋＋３ｅ−＋Ｈ→ＨＣｌ＋８０．８６ｅＶ （１９９）
全反応は、次の通りである。
全反応は、次の通りである。
液体−溶媒の実施例において、反応混合物は、ＨＣｌ又はＨＣｌの源を含む。源は、ＮＨ４Ｃｌ又は固体酸、及び、アルカリ若しくはアルカリ土類塩化物のような塩化物であってよい。固体酸は、ＭＨＳＯ４、ＭＨＣＯ３、ＭＨ２ＰＯ４、及び、ＭＨＰＯ４の少なくとも１つであってよい。ここで、Ｍは、アルカリ若しくはアルカリ土類カチオンのようなカチオンである。他のそのような固体酸は、当業者に知られている。実施例において、反応混合物は、Ｈ２ＳＯ４のような強酸及びＮａＣｌのようなイオン化合物を含む。ＮａＣｌのようなイオン化合物と酸との反応は、ハイドリノ触媒及びＨ源として機能するようにＨＣｌを生成する。
−般に、ｔ電子の結合エネルギーとイオン化エネルギーの合計がおよそｍが整数である３・２７．２ｅＶであるように、連続したエネルギーレベルに各々Ｍ−水素結合の切断プラス原子Ｍからのｔ電子のイオン化により提供されるハイドリノを生成するＭＨタイプ水素触媒は、表３において与えられる。各々のＭＨ触媒は、第１のコラムに与えられ、そして、対応するＭ−Ｈ結合エネルギーはコラム２で与えられる。第１のコラムに与えられるＭＨ種の原子Ｍは、イオン化されるが、コラム２で、結合エネルギーの追加に関する３・２７．２ｅＶの正味の反応エンタルピーを提供する。触媒のエンタルピーは、第８のコラムで与えられるが、ｍの値は第９のコラムで与えられる。イオン化に寄与する電子は、イオン化ポテンシャル（イオン化エネルギー又は結合エネルギーとも呼ばれる）に関し与えられる。例えば、ＮａＨの結合エネルギー（１．９２４５ｅＶ）は、コラム２で与えられる。原子又はイオンの第ｎ番目の電子のイオン化ポテンシャルは、ＩＰｎによって指定され、ＣＲＣによって与えられる。即ち、例えば、Ｎａ＋５．１３９０８ｅＶ→Ｎａ＋＋ｅ−及びＮａ＋＋４７．２８６４ｅＶ→Ｎａ２＋＋ｅ−。それぞれ、第１のイオン化ポテンシャル、ＩＰ１＝５．１３９０８ｅＶと、第２のイオン化ポテンシャル、ＩＰ２＝４７．２８６４ｅＶは、第２、及び、第３コラムにおいて与えられる。ＮａＨ結合の切断及びＮａの二重イオン化のための正味の反応エンタルピーは、５４．３５ｅＶであり、第８のコラムで与えられ、また、式（３６）においてｍ＝２であり、第９のコラムで与えられる。追加的に、Ｈは表３で与えられるＭＨ分子の各々と反応することができ、それにより、典型的な式（２３）によって与えられるように、ＭＨ単独の触媒反応性生物に相対して、１つだけ量子数ｐが増加させられる（式（３５））ハイドリノを形成する。
ＭＨタイプ触媒の他の液体−溶媒の実施例において、反応物はＳｂＨ、ＳｉＨ、ＳｎＨ、及びＩｎＨの源を含む。触媒ＭＨを提供する実施例において、源は、Ｍ及びＨ２の源、及び、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、及び、Ｉｎの１つとＨ２の源からなるＭＨｘ、そして、ＳｂＨ３，、ＳｉＨ４、ＳｎＨ４、及び、ＩｎＨ３のうちの少なくとも１つを含む。
液体−溶媒の反応混合物は、更に、Ｈの源及び触媒の源を含み、ここで、Ｈ及び触媒の少なくとも１つの源が固体酸又はＮＨ４Ｘであってよく、更にここで、ＨＣｌ触媒を形成するためにＸはハロゲンであるが、好ましくはＣｌである。好ましくは、反応混合物は、Ｘが好ましくはＣｌであるハロゲンであるが、溶媒、ＮＨ４Ｘ、固体酸、ＮａＸ、ＬｉＸ、ＫＸ、ＮａＨ、ＬｉＨ、ＫＨ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ、支持体、水素解離剤、及び、Ｈ２のうちの少なくとも１つを含んでもよい。固体酸は、ＮａＨＳＯ４、ＫＨＳＯ４、ＬｉＨＳＯ４、ＮａＨＣＯ３、ＫＨＣＯ３、ＬｉＨＣＯ３、Ｎａ２ＨＰＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４、Ｌｉ２ＨＰＯ４、ＮａＨ２ＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、及び、ＬｉＨ２ＰＯ４であってよい。触媒は、ＮａＨ、Ｌｉ、Ｋ、及び、ＨＣｌのうちの少なくとも１つであってよい。反応混合物は、解離剤及び支持体の少なくとも１つを更に含んでもよい。
ＡｌＨ及びＡｌのようなＭ合金からなるＭＨの源の各々の場合において、それぞれ、合金は、Ｈ２ガスのようなＨ２の源で水素化されてよい。Ｈ２は、反応の間、合金に供給され得る。或いは、反応の間、Ｈの圧力の変化と共に望ましいＨ量の合金を形成するように、Ｈ２は供給され得る。この場合、最初のＨ２圧は、約０であってよい。合金は、アルカリ若しくはアルカリ土類金属のような金属の添加により活性化されてよい。ＭＨ触媒及びＭＨの源のために、水素ガスは、約１３３Ｐａから１００ａｔｍの、好ましくは、約１３，３００Ｐａから１０ａｔｍの、更に好ましくは、約６６，７００Ｐａから２ａｔｍの範囲内に維持されてよい。他の実施例において、水素の源は、アルカリ若しくはアルカリ土類金属水素化物又は遷移金属水素化物のような水素化物からである。
２つのＨ原子がイオン化するとき、式（３５）によって与えられる状態を形成するように１つのＨ原子は遷移を経るところ、高密度の原子状水素は、ハイドリノを形成するために三体衝突反応を経ることができる。その反応は、次のように与えられる。
２Ｈ＋＋２ｅ−→２Ｈ［ａＨ］＋２７．２１ｅＶ （２０２）
全反応は次のようになる。
全反応は次のようになる。
別の実施例において、反応は次のように与えられる。
２Ｈｆａｓｔ ＋＋２ｅ−→２Ｈ［ａＨ］＋５４．４ｅＶ （２０５）
さらに、全反応は、次のようになる。
さらに、全反応は、次のようになる。
液体−溶媒の実施例において、高密度におけるＨ原子を供給する材料は、Ｒ−Ｎｉである。原子状水素は、セルに供給されるＨ２ガスのようなＨ２源からＨ２の解離、及び、Ｒ−Ｎｉ内のＨの分解の少なくとも１つからであってよい。触媒作用を引き起こすために原子状水素の層の生産を強化するように、アルカリ若しくはアルカリ土類金属ＭとＲ−Ｎｉとは反応を起こしてもよい。混合が水素の添加が続く金属Ｍを蒸発させて再生することができる溶媒から再水素化物まで、Ｒ−Ｎｉは、Ｒ−Ｎｉを分離した。
ＶＩＩ．追加的なＨ自動触媒反応
単にＨ原子だけを含むもう１つの触媒反応において、２つの熱いＨ２分子が衝突して、３つのＨ原子が第４のＨ原子のために３・２７．２ｅＶの触媒として機能するように、解離する。そして、３つの原子が共鳴して及び非放射的に、第４の水素原子から８１．６ｅＶを受取り、３Ｈが触媒として機能するところ、４つの水素原子間の反応は、次のようになる。
単にＨ原子だけを含むもう１つの触媒反応において、２つの熱いＨ２分子が衝突して、３つのＨ原子が第４のＨ原子のために３・２７．２ｅＶの触媒として機能するように、解離する。そして、３つの原子が共鳴して及び非放射的に、第４の水素原子から８１．６ｅＶを受取り、３Ｈが触媒として機能するところ、４つの水素原子間の反応は、次のようになる。
３Ｈｆａｓｔ ＋＋３ｅ−→３Ｈ＋８１．６ｅＶ （２０８）
全反応は次のようになる。
全反応は次のようになる。
式（２０７）の中間体のＨ＊［ａＨ／（３＋１）］による、極紫外線連続放射バンドは、１２２．４ｅＶ（１０．１ｎｍ）で短波長遮断をし、より長い波長に延びることが予測される。
−般に、３・２７．２ｅＶの受領によってＨからＨ［ａＨ／（ｐ＝３＋１）］への移行は、次のエネルギーでの短波長遮断を持つ連続バンドを与える。
上記エネルギーは、次の式により与えられる。
これは、９１．２／ｍ２ｎｍに対応し、対応するカットオフ（遮断）よりも長波長に延びる。
Ｈ２と熱いＨとの衝突を含む別の触媒反応が生じると、Ｈ原子の２つの各々が第３の原子を形成するために１３．６ｅＶを受領し、そして、第３の原子に対して、２７．２ｅＶの触媒として機能するようにイオン化する。そして、２Ｈが触媒として機能するように第３の水素原子から、２つの原子は２７．２ｅＶを共鳴的にかつ非放射的に受領することができる、水素間の反応は、次のように与えられる。
２Ｈ＋＋２ｅ−→２Ｈ＋２７．２ｅＶ （２１２）
全反応は、次のようになる。
全反応は、次のようになる。
式（２１１）のＨ＊［ａＨ／（１＋１）］中間体による極紫外線連続放射バンドは、１３．６ｅＶ（９１．２ｎｍ）で短波長遮断を持ち、長波長に延びると予測されている。第２の水素原子から２７．２ｅＶで受け入れることにより触媒として、Ｈ原子が機能するところ、９１．２の連続バンドを与えるための別の反応を、高密度は認める。
高磁界が存在する場合、最終状態ハイドリノ原子の結合エネルギーでの短波長遮断でもって、連続体バンドとして、放出される結合エネルギーとともに、直接的に分数状態にイオン化した電子が移行する。
極紫外線連続放射線バンドは、それぞれ、５４．４ｅＶ（２２．８ｎｍ）と１２２．４ｅＶ（１０．１ｎｍ）で短波長遮断を持ち、より長い波長に延びると予測される。多極化及び対応する選択規則により、Ｈ（１／４）は好ましい状態である。極紫外線連続放射は、２１７．６ｅＶ（５．７ｎｍ）での短波長遮断を持ち、より長波長側に延びると予測される。
分子ハイドリノＨ２（１／ｐ）のイオン化ポテンシャルは、次のようになる。
ＩＰ１＝ＥＴ〔Ｈ２ ＋（１／ｐ）〕−ＥＴ（Ｈ２（１／ｐ））
＝−ｐ２１６．１３３９２ｅＶ−ｐ３０．１１８７５５ｅＶ
−（−ｐ２３１．３５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ）
＝ｐ２１５．２１７１ｅＶ＋ｐ３０．２０７７１４ｅＶ （２１６）
分子ハイドリノＨ２（１／ｐ）結合エネルギーＥＤは次のように与えられる。
ＥＤ＝−ｐ２２７．２０ｅＶ−ＥＴ
＝−ｐ２２７．２０ｅＶ
−（−ｐ２３１．３５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ）
＝ｐ２４．１５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ （２１７）
本開示のもう１つの側面は、ＥＵＶ放射線の光源からなる。光源は、イオン化閾値にまで分子ハイドリノガスを励起するような要素及び分子ハイドリノガスを含む。脱励起エネルギーは、式（２１６）によって与えられる。励起は、好ましくは電子線である、粒子線でされてよい。分子ハイドリノ・ガスは、マトリックスに、好ましくはアルカリ若しくはアルカリ土類ハロゲン化物結晶にトラップされてよい。結晶は、２ｋＶのような高エネルギーにて電子ビームで爆撃してもよく、これにより励起がなされ、続いて脱励起の発光が生じる。もう１つの実施例において、脱励起は、さらに分子ハイドリノ結合の切断という結果になる。式（２１６）及び（２１７）によって与えられるエネルギーにおける違いによって、発光エネルギーが次のように与えられる。
Ｅｅｍｉｓｓｉｏｎ＝ｐ２１１．０６６１ｅＶ−ｐ３０．１１８７５５ｅＶ
（２１８）
ｐ＝４に対して、放射線は、７．３ｎｍ（１６９．５ｅＶ）であるが、これは、超紫外線（ＥＵＶ）である。この光は、マイクロエレクトロニクス素子を作るために、ＥＵＶリソグラフィ用となり得た。
ＩＰ１＝ＥＴ〔Ｈ２ ＋（１／ｐ）〕−ＥＴ（Ｈ２（１／ｐ））
＝−ｐ２１６．１３３９２ｅＶ−ｐ３０．１１８７５５ｅＶ
−（−ｐ２３１．３５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ）
＝ｐ２１５．２１７１ｅＶ＋ｐ３０．２０７７１４ｅＶ （２１６）
分子ハイドリノＨ２（１／ｐ）結合エネルギーＥＤは次のように与えられる。
ＥＤ＝−ｐ２２７．２０ｅＶ−ＥＴ
＝−ｐ２２７．２０ｅＶ
−（−ｐ２３１．３５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ）
＝ｐ２４．１５１ｅＶ−ｐ３０．３２６４６９ｅＶ （２１７）
本開示のもう１つの側面は、ＥＵＶ放射線の光源からなる。光源は、イオン化閾値にまで分子ハイドリノガスを励起するような要素及び分子ハイドリノガスを含む。脱励起エネルギーは、式（２１６）によって与えられる。励起は、好ましくは電子線である、粒子線でされてよい。分子ハイドリノ・ガスは、マトリックスに、好ましくはアルカリ若しくはアルカリ土類ハロゲン化物結晶にトラップされてよい。結晶は、２ｋＶのような高エネルギーにて電子ビームで爆撃してもよく、これにより励起がなされ、続いて脱励起の発光が生じる。もう１つの実施例において、脱励起は、さらに分子ハイドリノ結合の切断という結果になる。式（２１６）及び（２１７）によって与えられるエネルギーにおける違いによって、発光エネルギーが次のように与えられる。
Ｅｅｍｉｓｓｉｏｎ＝ｐ２１１．０６６１ｅＶ−ｐ３０．１１８７５５ｅＶ
（２１８）
ｐ＝４に対して、放射線は、７．３ｎｍ（１６９．５ｅＶ）であるが、これは、超紫外線（ＥＵＶ）である。この光は、マイクロエレクトロニクス素子を作るために、ＥＵＶリソグラフィ用となり得た。
実施例において、ここに明らかにされるように、それぞれ、Ｒｂ若しくは水素化物のようなＲｂ＋の源、又は、Ｃｓ金属若しくは水素化物のようなＣｓの源は、Ｒｂ＋又はＣｓ触媒の源として、それぞれ機能してよい。
ハイドリノ水素化物イオンは、分子ハイドリノを形成するために酸素又は硫黄のような酸化剤と反応してよい。典型的な反応は以下の通りである。
２Ｈ−（１／ｐ）＋Ｓ→Ｈ２（１／ｐ）＋Ｓ２− （２１９）
２Ｈ−（１／ｐ）＋Ｏ２→Ｈ２（１／ｐ）＋Ｏ２ ２− （２２０）
このように、ハイドリノ化学反応の実施例において、ハイドリノ水素化物は、それが望ましい生成物であるときに、分子ハイドリノに変換されてよい。
２Ｈ−（１／ｐ）＋Ｓ→Ｈ２（１／ｐ）＋Ｓ２− （２１９）
２Ｈ−（１／ｐ）＋Ｏ２→Ｈ２（１／ｐ）＋Ｏ２ ２− （２２０）
このように、ハイドリノ化学反応の実施例において、ハイドリノ水素化物は、それが望ましい生成物であるときに、分子ハイドリノに変換されてよい。
ＶＩＩＩ．水素ガス放出パワー及びプラスマ・セル及び反応器
本開示の水素ガス放出パワーとプラズマ・セルと反応器は、図５に示される。図５の水素ガス放出パワーとプラズマ・セルと反応器は、チャンバー３００を持つ水素ガス−充満グロー放電真空室３１５を含むガス放出セル３０７を含む。水素源３２２は、水素供給通過３４２を介して、調節弁３２５によりチャンバー３００に水素を供給する。触媒は、セル・チャンバー３００に含まれる。電圧及び電流源３３０は、電流がカソード３０５とアノード３２０の間を通るようにする。電流は可逆であってよい。
本開示の水素ガス放出パワーとプラズマ・セルと反応器は、図５に示される。図５の水素ガス放出パワーとプラズマ・セルと反応器は、チャンバー３００を持つ水素ガス−充満グロー放電真空室３１５を含むガス放出セル３０７を含む。水素源３２２は、水素供給通過３４２を介して、調節弁３２５によりチャンバー３００に水素を供給する。触媒は、セル・チャンバー３００に含まれる。電圧及び電流源３３０は、電流がカソード３０５とアノード３２０の間を通るようにする。電流は可逆であってよい。
実施例において、カソード３０５の材料は、Ｆｅ、Ｄｙ、Ｂｅ、及びＰｄのような触媒の源であってよい。水素ガス放出パワーとプラズマ・セルと反応器のもう１つの実施例において、容器３１３の壁は、導電性で、電極３０５を取り替えるカソードとして機能し、アノード３２０は、ステンレス鋼空洞アノードのような空洞であるかもしれない。放出は、触媒源を蒸発させ触媒にするかもしれない。分子水素は放出によって解離されるかもしれず、それにより水素原子が形成され、ハイドリノとエネルギーが生成されるかもしれない。追加の解離は、チャンバーで内で水素解離剤によって提供されるかもしれない。
水素ガス放出パワーとプラズマセルと気相で触媒作用が生じる反応器とのもう１つの実施例は、制御可能なガス状の触媒を利用する。ハイドリノへの変換のためのガス状の水素原子は、分子水素ガスの放出によって供給される。ガス放出セル３０７は、触媒リザーバー３９５から反応チャンバー３００へとガス状の触媒３５０の通過のための触媒供給通路３４１を有する。触媒リザーバ３９５は、ガス状の触媒を反応室３００に供給するために、電源３７２を備える触媒リザーバ・ヒーター３９２で加熱される。その電源３７２によってヒーター３９２を調節することによって、触媒リザーバ３９５の温度をコントロールすることによって、触媒蒸気圧力がコントロールされる。反応器は、選択的なベント・バルブ３０１を更に含む。ステンレス鋼、タングステン、又は陶製ボートのような耐薬品性の口の開いた容器は、ガス放出セル内に配置され、触媒を含んでよい。ガス状の触媒を反応室に供給するために関連した電源を使っているボート・ヒーターで、触媒ボートの中の触媒は、熱されてよい。或いは、ボートの中の触媒が、昇華され、沸騰され、揮発化されて気相になるように、白熱ガス放出セルが高温で操作される。その電源でヒーターを調節することによってボート又は放出セルの温度をコントロールすることによって、触媒蒸気圧力はコントロールされる。セルにおいて触媒が凝集することを妨ぐために、温度は、触媒源、触媒リザーバー３９５、又は、触媒ボートの温度より上に維持される。
実施例において、触媒作用は気相で生じ、リチウムは触媒であり、そして、リチウム金属のような原子リチウム又はＬｉＮＨ２のようなリチウム化合物の源は、約３００−１０００℃の範囲内にセルの温度を維持することによりガス状にされる。最も好ましくは、セルは約５００−７５０の℃の範囲で維持される。原子及び／又は分子の水素反応物は、好ましくは約１３．３Ｐａから約１３，３００Ｐａの範囲であるが、大気圧より低い圧力で維持される。最も好ましくは、望ましい動作温度に維持されるセル内にリチウム金属及びリチウム水素化物の混合物を維持することによって、圧力は決定される。動作温度範囲は、好ましくは約３００−１０００℃の範囲であり、そして、最も好ましくは、３００−７５０℃の動作温度範囲でのセルについて圧力が達成できるものであることである。電源３８５で動力が与えられる図５の３８０のような加熱コイルによって、望ましい動作温度にセルは制御され得る。セルは、内部の反応チャンバー３００と外の水素リザーバ３９０を更に含んでよく、２つのチャンバーを分離している壁３１３を通して水素の拡散によりセルに水素が供給されてよい。壁の温度は、拡散速度をコントロールするために、ヒーターを用いてコントロールされてよい。拡散速度は、水素リザーバで水素の圧力をコントロールすることによってさらにコントロールされてよい。
Ｌｉ、ＬｉＮＨ２、Ｌｉ２ＮＨ、Ｌｉ３Ｎ、ＬｉＮＯ３、ＬｉＸ、ＮＨ４Ｘ（Ｘはハロゲン）、ＮＨ３、ＬｉＢＨ４、ＬｉＡｌＨ４、及び、Ｈ２の群の種からなる反応混合物を有するシステムのもう１つの実施例において、反応物の少なくとも１つは、１又はそれ以上の試薬を添加することにより、及び、プラズマ再生によって再生する。プラズマは、ＮＨ３及びＨ２のようなガス１つであってよい。プラズマは、そのままで維持されてよい（反応セル内で）、又は、反応セルと連通する外部セル内で維持されてもよい。他の実施例において、Ｋ、Ｃｓ、及び、Ｎａは、触媒が原子Ｋ、原子Ｃｓ、及び、分子ＮａＨであるところ、ＮａがＬｉに取って代わる。
触媒の圧力を欲求レベルに維持するために、水素源としての透過があるセルは、シールされてよい。或いは、反応ガス混合体と接触している弁が望ましい温度に維持されるように、セルは各々の入口又は出口で耐熱弁を更に含んでよい。
セルを絶縁することにより、及び、ヒーター３８０で補助的なヒーター・パワーを適用することによって、広い範囲に渡り、独立して、プラズマセル温度をコントロールできる。このように、触媒蒸気圧力は、プラズマ・パワーから独立してコントロールできる。
放電電圧は、約１００から１０，０００ボルトの範囲にあってよい。電流は、望ましい電圧で如何なる望ましい範囲にあってもよい。更にまた、プラズマは、如何なる所望の周波数範囲、オフセット電圧、ピーク電圧、ピーク電力、及び、波形で脈打たせてもよい。
もう１つの実施例において、プラズマは、触媒の又は触媒の源である種の反応物の溶媒のような液体媒体中において、生じるかもしれない。
ＩＸ．燃料電池及びバッテリ
図６に示される燃料電池及びバッテリー４００の実施例において、固体燃料又は不均−系触媒を含むハイドリノ反応物は、対応する半電池反応のための反応物を含む。操作の間、触媒は原子状水素と反応し、そして、エネルギー伝達は結果として触媒のイオン化となる。アノード４１０がイオン化電子電流を究極的には受け入れるので、アノード・コンパートメント４０２内で反応が起きてもよい。Ｌｉ、Ｋ、及び、ＮａＨの少なくとも１つは、ハイドリノを形成するように、触媒として機能してよい。原子状水素から触媒への２７．２ｅＶの整数倍の無放射状態でのエネルギー伝達の反応ステップは、結果としてイオン化された触媒と自由電子となる。ＡＣのような支持体は、アノードと電気的な接触している伝導性の電子受容体として機能してよい。最終的な電子−受容体反応物は、ハイドリノを形成するための触媒反応から放出される電子を究極的にあさるカソード・セル反応混合物の成分である正に荷電した対イオンの源や、フリーラジカルのような酸化剤若しくはその源を含む。酸化剤又はカソード−セル反応混合物は、カソード４０５を備えるカソードコンパートメント４０１内に存在する。好ましくは、酸化剤は、酸素若しくは酸素の源、好ましくはＦ２又はＣｌ２であるハロゲン若しくはハロゲンの源、ＣＦ４、ＳＦ６、及び、ＮＦ３のうちの少なくとも１つである。操作の間、触媒のイオンのような対イオンは、アノードコンパートメントに、好ましくは塩橋４２０を通ってカソードコンパートメントに動くかもしれない。各セル反応は、追加の反応物によって供給されるかもしれず、また、生成物は、生成物保管庫４３０と４３１に対するリザーバ又は反応物の源へ、通路４６０と４６１を通って除去されるかもしれない。
図６に示される燃料電池及びバッテリー４００の実施例において、固体燃料又は不均−系触媒を含むハイドリノ反応物は、対応する半電池反応のための反応物を含む。操作の間、触媒は原子状水素と反応し、そして、エネルギー伝達は結果として触媒のイオン化となる。アノード４１０がイオン化電子電流を究極的には受け入れるので、アノード・コンパートメント４０２内で反応が起きてもよい。Ｌｉ、Ｋ、及び、ＮａＨの少なくとも１つは、ハイドリノを形成するように、触媒として機能してよい。原子状水素から触媒への２７．２ｅＶの整数倍の無放射状態でのエネルギー伝達の反応ステップは、結果としてイオン化された触媒と自由電子となる。ＡＣのような支持体は、アノードと電気的な接触している伝導性の電子受容体として機能してよい。最終的な電子−受容体反応物は、ハイドリノを形成するための触媒反応から放出される電子を究極的にあさるカソード・セル反応混合物の成分である正に荷電した対イオンの源や、フリーラジカルのような酸化剤若しくはその源を含む。酸化剤又はカソード−セル反応混合物は、カソード４０５を備えるカソードコンパートメント４０１内に存在する。好ましくは、酸化剤は、酸素若しくは酸素の源、好ましくはＦ２又はＣｌ２であるハロゲン若しくはハロゲンの源、ＣＦ４、ＳＦ６、及び、ＮＦ３のうちの少なくとも１つである。操作の間、触媒のイオンのような対イオンは、アノードコンパートメントに、好ましくは塩橋４２０を通ってカソードコンパートメントに動くかもしれない。各セル反応は、追加の反応物によって供給されるかもしれず、また、生成物は、生成物保管庫４３０と４３１に対するリザーバ又は反応物の源へ、通路４６０と４６１を通って除去されるかもしれない。
特定の実施例において、ここに明らかにされる、反応物を再生させ、反応を維持して、より低いエネルギーの水素を形成するパワーの、化学的な、バッテリーの及び燃料電池のシステムは、ハイドリノを形成する際に消費される水素だけが置き換えられる必要があることを除けば、閉じた系とすることができ、消費された水素燃料は水の電気分解から得ることが出来る。
Ｘ．化学反応器
本開示は、ジハイドリノ分子及びハイドリノ・ヒドリド化合物のような、本開示の増加した結合エネルギー水素化合物を生産するための他の反応器にもまた、関係する。触媒作用の更なる生成物は、セルのタイプによるが、パワー及びオプションとしてプラズマ及び光である。そのような反応器は、以下「水素反応器」又は「水素セル」と称する。水素反応器は、ハイドリノを作るためのセルを含む。ハイドリノを作るためのセルは、ガス放電セル、プラズマトーチ・セル、又は、マイクロ波パワー・セルのような化学反応器又は気体燃料電池の形であるかもしれない。ハイドリノを作るためのセルの典型的な実施例は、液体燃料電池（セル）、固体燃料電池（セル）、及び、不均−燃料電池（セル）の形であるかもしれない。これらのセルの各々は、（ｉ）原子状水素の源と；（ｉｉ）ハイドリノを作るための固体触媒、融解触媒、液体触媒、ガス状触媒、又はそれらの混合物から選ばれる少なくとも１つの触媒と；及び（ｉｉｉ）反応している水素のための容器及びハイドリノを作るための触媒とを含む。ここに使われ、本開示によって考慮された、用語「水素」は、特に明記しない限り、プロチウム（ｐｒｏｔｅｕｍ）（１Ｈ）だけでなく、デューテリウム（２Ｈ）もとトリチウム（３Ｈ）をも含む。ハイドリノ反応の反応物としてのデューテリウムが使用される場合、不均−系燃料と固体燃料のヘリウム生成物又はトリチウム生成物の相対的な極微量は予想される。
本開示は、ジハイドリノ分子及びハイドリノ・ヒドリド化合物のような、本開示の増加した結合エネルギー水素化合物を生産するための他の反応器にもまた、関係する。触媒作用の更なる生成物は、セルのタイプによるが、パワー及びオプションとしてプラズマ及び光である。そのような反応器は、以下「水素反応器」又は「水素セル」と称する。水素反応器は、ハイドリノを作るためのセルを含む。ハイドリノを作るためのセルは、ガス放電セル、プラズマトーチ・セル、又は、マイクロ波パワー・セルのような化学反応器又は気体燃料電池の形であるかもしれない。ハイドリノを作るためのセルの典型的な実施例は、液体燃料電池（セル）、固体燃料電池（セル）、及び、不均−燃料電池（セル）の形であるかもしれない。これらのセルの各々は、（ｉ）原子状水素の源と；（ｉｉ）ハイドリノを作るための固体触媒、融解触媒、液体触媒、ガス状触媒、又はそれらの混合物から選ばれる少なくとも１つの触媒と；及び（ｉｉｉ）反応している水素のための容器及びハイドリノを作るための触媒とを含む。ここに使われ、本開示によって考慮された、用語「水素」は、特に明記しない限り、プロチウム（ｐｒｏｔｅｕｍ）（１Ｈ）だけでなく、デューテリウム（２Ｈ）もとトリチウム（３Ｈ）をも含む。ハイドリノ反応の反応物としてのデューテリウムが使用される場合、不均−系燃料と固体燃料のヘリウム生成物又はトリチウム生成物の相対的な極微量は予想される。
ハイドリノ・ヒドリド化合物のようなより低い−エネルギー水素から成っている化合物を合成するために化学反応器の実施例おいて、鉄の対イオン、好ましくは炭化鉄、酸化鉄、又は、ＦｅＩ２若しくはＦｅＩ３のような揮発性の鉄塩、の置換によるＨ−（１／Ｐ）と反応する正の酸化状態にある鉄を含む鉄塩を用いて、鉄ハイドリノ水素化物フィルムが合成される。触媒は、Ｋ、ＮａＨ、又は、Ｌｉであることができる。Ｈは、Ｈ２及びＲ−Ｎｉ又はＰｔ／Ａｌ２Ｏ３のような解離剤から存在し得る。もう１つの実施例において、鉄ハイドリノ水素化物は、Ｒ−Ｎｉのような解離剤及びＨ２ガスのような水素の源、及び、ＮａＨ、Ｌｉ、又はＫのような触媒、反応器の操作温度で分解する鉄水素化物のような鉄の源から形成される。マンガン・ハイドリノ水素化物は、Ｒ−Ｎｉのような解離剤及びＨ２ガスのような水素の源、及び、ＮａＨ，Ｌｉ，又はＫ，のような触媒、反応器の操作温度で分解するＭｎ（ＩＩ）２，４−ペンタンジオナートのような有機金属のようなマンガン源から形成されてよい。実施例において、反応器は約２５℃から８００℃の温度範囲に、好ましくは約４００℃から５００℃の範囲に維持される。
アルカリ金属が気相において共有結合性の二原子分子であるので、実施例において、増加した結合エネルギー水素化合物を形成する触媒は、少なくとも１つの他の元素との反応によって源から形成される。Ｋ又はＬｉのような触媒は、ＸがハロゲンとしてＫＨＸ ＬｉＨＸを形成するために、ＫＸ又はＬｉＸのようなアルカリ・ハロゲン化物におけるＫ又はＬｉ金属の分散により生成されてよい。触媒Ｋ又はＬｉは、それぞれＬｉＨ及びＬｉ又はＫＨ及びＫを形成するために、原子状Ｈと、蒸発したＫ２又はＬｉ２との反応によって、生成されてもよい。増加した結合エネルギー水素化合物は、ＭＨＸであってもよい。ここで、Ｍはアルカリ金属、Ｈはハイドリノ水素化物、Ｘは１価の負に荷電したイオンで、好ましくは、ハロゲン及びＨＣＯ３ −の１つである。実施例において、Ｈがハイドリノ水素化物であるＫＨＣｌ又はＫＨＩを形成するための反応混合物は、ＫＸ（Ｘ＝Ｃｌ，Ｉ）でカバーされたＫ金属及び解離剤と、好ましくは、ニッケル・スクリーン及びＲ−Ｎｉのようなニッケル金属とをそれぞれ含む。水素の添加と共に、高温度に好ましくは４００−７００℃の範囲に反応混合物を維持することによって、反応は実行される。好ましくは、水素の圧力は、約５ＰＳＩのゲージ圧で維持される。このように、ＭＸがＫの上に置かれ、Ｋ原子はハロゲン格子を通って移動し、ハロゲンがＫを分散するように機能し、Ｋ２に対して解離剤として行動し、ＫＨＸを形成するためにＲ−Ｎｉ又はニッケル・スクリーンのような解離剤からＨとの界面に反応する。
ハイドリノ・ヒドリド化合物の合成のための適当な反応混合物は、触媒、水素の源、酸化剤、還元剤、及び、支持体からなる群から少なくとも２つのシリーズを含むが、ここで、酸化剤は、Ｓ２Ｃｌ２、ＳＣｌ２、Ｓ２Ｂｒ２、Ｓ２Ｆ２、ＣＳ２、Ｓｂ２Ｓ５、のようなＳｘＸｙ、ＳＯＣｌ２、ＳＯＦ２、ＳＯ２Ｆ２、ＳＯＢｒ２、Ｐ、Ｐ２Ｏ５、Ｐ２Ｓ５、のようなＳＯｘＸｙ、ＰＦ３、ＰＣｌ３、ＰＢｒ３、ＰＩ３、ＰＦ５、ＰＣｌ５、ＰＢｒ４Ｆ、又は、ＰＣｌ４Ｆ，のようなＰｘＸｙ、ＰＯＢｒ３、ＰＯＩ３、ＰＯＣｌ３、又は、ＰＯＦ３、のようなＰＯｘＸｙ、ＰＳＢｒ３、ＰＳＦ３、ＰＳＣｌ３、のようなＰＳｘＸｙ、Ｐ３Ｎ５、（Ｃｌ２ＰＮ）３、又は（Ｃｌ２ＰＮ）４、（Ｂｒ２ＰＮ）ｘ、のようなリン−窒素化合物（Ｍはアルカリ金属。ｘ及びｙは整数。Ｘはハロゲン。）、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、及びＴｅＯ２、そして、ＳＦ６、Ｓ、ＳＯ２、ＳＯ３、Ｓ２Ｏ５Ｃｌ２、Ｆ５ＳＯＦ、Ｍ２Ｓ２Ｏ８，のような硫黄、リン、及び、酸素の少なくとも１つの源である。酸化剤は、好ましくはフッ素であるハロゲンの源で、例えばＣＦ４、ＮＦ３、又は、ＣｒＦ２のようなものを含んでよい。混合物は、また、ＭｇＳ及びＭＨＳ（Ｍｉはアルカリ金属である）のようなリン又は硫黄の源としてゲッターを含んでよい。適当なゲッターは、通常のＨピークの高磁場であるハイドリノ水素化物ピーク及び通常のＨで高磁場にシフトしたＮＭＲピークを生じる化合物又は原子である。適当なゲッターは、元素のＳ、Ｐ、Ｏ、Ｓｅ、及びＴｅを含むか、または、Ｓ、Ｐ、Ｏ、Ｓｅ、及びＴｅを含む化合物を含む。ハイドリノ水素化物イオンのための適当なゲッターの−般的な特性は、基本的な形態において、ドープされた基本的な形で、又は、ハイドリノ水素化物イオンをトラップして、安定化させる他の元素と共に、鎖、籠、又は、リングを形成するということである。好ましくは、Ｈ−（１／ｐ）は固体又は溶液ＮＭＲで観察され得る。もう１つの実施例において、ＮａＨ又はＨＣｌは、触媒として機能する。適当な反応混合物は、ＭＸ及びＭ’ＨＳＯ４を含む。ここで、好ましくはＮａとＫであるが、ＭとＭ’はアルカリ金属であり、好ましくはＣｌであるが、Ｘはハロゲン元素である。
（１）ＮａＨ触媒，ＭｇＨ２、ＳＦ６、及び活性炭（ＡＣ）、（２）ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｓ、及び、活性炭（ＡＣ）、（３）ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｋ２Ｓ２Ｏ８、Ａｇ、及び、ＡＣ、（４）ＫＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｋ２Ｓ２Ｏ８、及びＡＣ、（５）ＭＨ触媒（Ｍ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）、Ａｌ、又は、ＭｇＨ２、Ｏ２、Ｋ２Ｓ２Ｏ８、及び、ＡＣ、（６）ＫＨ触媒、Ａｌ、ＣＦ４、及び、ＡＣ、（７）ＮａＨ触媒ｔ、Ａｌ、ＮＦ３、及び、ＡＣ、（８）ＫＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｎ２Ｏ、及び、ＡＣ、（９）ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、Ｏ２、及び、活性炭（ＡＣ）、（１０）ＮａＨ触媒、ＭｇＨ２、ＣＦ４、及び、ＡＣ、（１１）ＭＨ触媒、ＭｇＨ２、（Ｍ＝Ｌｉ、Ｎａ、又は、Ｋ）Ｐ２Ｏ５（Ｐ４Ｏ１０）、及び、ＡＣ、（１２）ＭＨ触媒、ＭｇＨ２、ＭＮＯ３、（Ｍ＝Ｌｉ、Ｎａ、又は、Ｋ）及び、ＡＣ、（１３）ＮａＨ又はＫＨ触媒、Ｍｇ、Ｃａ、又は、Ｓｒ、好ましくはＦｅＣｌ２、ＦｅＢｒ２、ＮｉＢｒ２、ＭｎＩ２である遷移金属ハロゲン化物、又は、ＥｕＢｒ２のような希土類ハロゲン化物、及び、ＡＣ、及び、（１４）ＮａＨ触媒、Ａｌ、ＣＳ２、及び、ＡＣの少なくとも１つを含む反応混合物は、粉末を生成するのに、また、より低いエネルギーの水素化合物を生成するために適当なシステムである。上記に与えられる典型的な反応混合物の他の実施例において、触媒カチオンはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、又は、Ｃｓの１つを含み、前記反応混合物の他の種は、反応１から１４のそれらから選ばれる。反応物は、如何なる望ましい比であってもよい。
ハイドリノ反応生成物は、それぞれ、通常の分子水素又は水素化水素の高磁場側にシフトしたプロトンＮＭＲピークを持つ水素化物イオン及び水素分子の少なくとも１つである。実施例において、水素生成物は、水素以外の元素に結びつく。ここで、プロトンＮＭＲピークは、その生成物と同じ分子式を持つ化合物、種、又は、通常の分子のそれから高磁場側にシフトし、或いは、前記化合物、種、又は、通常の分子は室温で安定ではない。
実施例において、パワーと増加した結合エネルギー水素化合物は、ＬｉＮＯ３、ＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｈ２、カーボンのような支持体、例えば活性炭、好ましくはＭｇＨ２である、金属若しくは金属水素化物還元剤の２又はそれ以上を含む反応混合物によって生成される。反応物は如何なるモル比でもよい。好ましくは、反応混合物は、９．３ｍｏｌｅ％のＭＨ、８．６ｍｏｌｅ％のＭｇＨ２、７４ｍｏｌｅ％のＡＣ、７．８６ｍｏｌｅ％のＭＮＯ３（ＭはＬｉ、Ｎａ、又はＫ）を含む。ここで、各種のモル％は、各種に与えられたもののプラス又はマイナスでファクタ１０（１０倍）の範囲内で変化することができる。好ましい１／４の状態を持つ生成物分子ハイドリノ及びハイドリノ水素化物イオンは、それぞれ、約１．２２ｐｐｍ及び−３．８５ｐｐｍで、液体ＮＭＲを用いて観察することができる。これは、生成物混合物をＮＭＲ溶媒（好ましくは重水素化ＤＦＭ）で、抽出して行う。生成物Ｍ２ＣＯ３は、ＭＨＭＨＣＯ３のような化合物を形成するために、ハイドリノ水素化物イオンに対するゲッターとして機能してよい。
もう１つの実施例において、パワーと増加した結合エネルギー水素化合物は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｈ２、金属又は金属水素化物還元剤、好ましくはＭｇＨ２又はＡｌ粉末、好ましくはナノパウダー、炭素のような支持体、好ましくは活性炭素、フッ素ガス又はフルオロカーボンのようなフッ素の源、好ましくはＣＦ４又はヘキサフルオロベンゼン（ＨＦＢ）からなる種の２又はそれ以上を含む反応混合物によって生成される。反応物は如何なるモル比でもあり得る。好ましくは、反応混合物は、９．８ｍｏｌｅ％のＭＨ、９．１ｍｏｌｅ％のＭｇＨ２又は９ｍｏｌｅ％のＡｌナノパウダー、７９ｍｏｌｅ％のＡＣ、２．４ｍｏｌｅ％のＣＦ４又はＨＦＢ（ＭはＬｉ、Ｎａ、又はＫ）からなる。ここで、各種のモル％は、各種に与えられたもののプラス又はマイナスでファクタ１０（１０倍）の範囲内で変化することができる。好ましい１／４の状態を持つ生成物分子ハイドリノ及びハイドリノ水素化物イオンは、それぞれ、約１．２２ｐｐｍ及び−３．８６ｐｐｍで、液体ＮＭＲを用いて観察することができる。これは、生成物混合物をＮＭＲ溶媒（好ましくは重水素化ＤＦＭ又はＣＤＣｌ３）で、抽出して行う。
もう１つの実施例において、パワーと増加した結合エネルギー水素化合物は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｈ２、好ましくはＭｇＨ２又はＡｌ粉末である金属若しくは金属水素化物還元剤、カーボンのような支持体、好ましくは活性炭、及び、好ましくはＳＦ６であるフッ素の源という種から２又はそれ以上を含む反応混合物によって生成される。反応物は如何なるモル比でもあり得る。好ましくは、反応混合物は、１０ｍｏｌｅ％のＭＨ、９．１ｍｏｌｅ％のＭｇＨ２又は９ｍｏｌｅ％のＡｌ粉末、７８．８ｍｏｌｅ％のＡＣ、２４ｍｏｌｅ％のＳＦ６（ＭはＬｉ、Ｎａ、又はＫ）からなる。ここで、各種のモル％は、各種に与えられたもののプラス又はマイナスでファクタ１０（１０倍）の範囲内で変化することができる。適当な反応混合物は、ＮａＨ、ＭｇＨ２、又は、Ｍｇ、ＡＣ、及び、ＳＦ６をこれらのモル比において含む。好ましい１／４の状態を持つ生成物分子ハイドリノ及びハイドリノ水素化物イオンは、それぞれ、約１．２２ｐｐｍ及び−３．８６ｐｐｍで、液体ＮＭＲを用いて観察することができる。これは、生成物混合物をＮＭＲ溶媒（好ましくは重水素化ＤＦＭ又はＣＤＣｌ３）で、抽出して行う。
もう１つの実施例において、パワーと増加した結合エネルギー水素化合物は、ＬｉＨ、ＮａＨ、ＫＨ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｈ２、好ましくはＭｇＨ２又はＡｌ粉末である金属又は金属水素化物還元剤、カーボンのような支持体、好ましくは活性炭、及び、硫黄、リン、及び酸素の少なくとも１つの源、好ましくはＳ若しくはＰ粉末、ＳＦ６、ＣＳ２、Ｐ２Ｏ５、及び、ＭＮＯ３（Ｍはアルカリ金属）からなる種の２又はそれ以上からなる反応混合物によって形成される。反応物は如何なるモル比でもあり得る。好ましくは、反応混合物は、８．１ｍｏｌｅ％のＭＨ、７．５ｍｏｌｅ％のＭｇＨ２又はＡｌ粉末、６５ｍｏｌｅ％のＡＣ、及び、１９．５ｍｏｌｅ％のＳ（ＭはＬｉ、Ｎａ、又は、Ｋ）からなる。ここで、各種のモル％は、各種に与えられたもののプラス又はマイナスでファクタ１０（１０倍）の範囲内で変化することができる。適当な反応混合物は、ＮａＨ、ＭｇＨ２、又は、Ｍｇ、ＡＣ、及び、Ｓをこれらのモル比において含む。好ましい１／４の状態を持つ生成物分子ハイドリノ及びハイドリノ水素化物イオンは、それぞれ、約１．２２ｐｐｍ及び−３．８６ｐｐｍで、液体ＮＭＲを用いて観察することができる。これは、生成物混合物をＮＭＲ溶媒（好ましくは重水素化ＤＦＭ又はＣＤＣｌ３）で、抽出して行う。
もう１つの実施例において、パワーと増加した結合エネルギー水素化合物は、ＮａＨＳを含む反応混合物によって生産される。ハイドリノ水素化物イオンは、ＮａＨＳから分離されてよい。実施例において、Ｈ２（１／４）を形成するために、溶媒（好ましくはＨ２Ｏ）のようなプロトンの源とさらに反応を起こすかもしれないＨ−（１／４）を形成するために、固相反応がＮａＨＳの中で起こる。
実施例において、ハイドリノ・ヒドリド化合物は浄化されてよい。精製法は、抽出及び再結晶化を適当な溶媒を使って行うステップの少なくとも１つを含む。この方法は、クロマトグラフィー及び無機化合物の分離に対する他の技術であって当業者に知られているものを更に含んでもよい。
液体−燃料の実施例において、溶媒は、好ましくはフッ素であるハロゲン官能基を持つ。適当な反応混合物は、ＮａＨのような触媒に添加され、活性炭、フッ化ポリマー、又は、Ｒ−Ｎｉのような支持体と混合される、ヘキサフルオロベンゼン及びオクタフルオロナフタレンの少なくとも１つからなる。反応混合物は、当業者に知られている応用において、使われるかもしれないエネルギー物質からなるかもしれない。高エネルギー・バランスによる適当な応用は、推進薬及びピストン−エンジン燃料である。実施例において、望ましい生成物は、集められるフラーレン及びナノチューブの少なくとも１つである。
実施例において、分子ハイドリノＨ２（１／ｐ）、そして、好ましくはＨ２（１／４）は、水素化物バッテリー及び表面コーティングのような適用において使用されるかもしれない対応する水素化物イオンを形成するように更に還元される生成物である。分子ハイドリノ結合は、衝突方法によって壊れるかもしれない。Ｈ２（１／ｐ）は、プラズマ又はビーム状態のイオン又は電子とのエネルギー衝突を介して解離されるかもしれない。解離したハイドリノ原子は、それから、望ましい水素化物イオンを形成するために反応するかもしれない。
更なる実施例において、分子ハイドリノＨ２（１／ｐ）、好ましくはＨ２（１／４）は、核磁気共鳴画像法（ＭＲＩ）の造影剤として使われる生成物である。この造影剤は、吸入され肺を画像化する。ここで、通常のＨと比較して、その高磁場化学シフトは、それが識別可能でかつ選択的であることを許可する。別の実施例において、より低いエネルギー水素化合物及びより低いエネルギー水素種、例えばＨ−（１／ｐ）のうち少なくとも１つは、抗脂質異常症剤薬、抗コレステロール薬、避妊薬、抗凝固物質、抗炎症薬、免疫抑制薬、抗不整脈薬、抗悪性腫瘍薬、高血圧治療薬、エピネフリン遮断薬、心臓変力薬、抗鬱薬、利尿剤、抗かび剤、抗菌薬、抗不安薬、鎮静剤、筋弛緩薬、抗痙攣薬、潰瘍病の治療のための薬剤、喘息と過敏性反応の治療のための薬剤、反血栓塞栓性薬剤、筋ジストロフィーの治療のための薬剤、治療的流産をもたらす薬剤、貧血の治療のための薬剤、同種移植片生き残りを改善する薬剤、プリン代謝の障害の治療のための薬剤、虚血性心疾患の治療のための薬剤、麻酔性禁断の治療のための薬剤、二次伝達物質イノシトール三リン酸エステルの影響を活性化する薬剤、脊髄反射を妨げる薬剤、及び、ＡＩＤＳの治療のための薬を含む抗ウイルス薬、からなる群から少なくとも１つを含む医薬品である。自然に生じる製剤において、低−エネルギー水素化合物及び低−エネルギー水素種の少なくとも１つは、自然に生じるより高い濃度のような望ましい濃度を持つようになされる。
ＸＩ．実験
Ａ．水―流れ、バッチ熱量計
各入力ｉｎｆｒａの右手側に挙げられる触媒反応混合物のエネルギー及び電力の釣り合い（ｂａｌａｎｃｅ）は、約１３０．３ｃｍ３の容積（内径（ＩＤ）が３．８１ｃｍ、長さが１１．４３ｃｍ、壁の厚みが０．５０８ｃｍ）又は１９８８ｃｍ３の容積（内径（ＩＤ）が９．５２５ｃｍ、長さが２７．９４ｃｍ、壁の厚みが１．９０５ｃｍ）の円筒形のステンレス製の反応器と、誤差が±１％未満を得るようにセルの中に放出されたエネルギーの９９％強を回収した外部水冷却媒体コイル及び各セルを収納する真空チャンバーを含む水流熱量計を用いることにより得られた。エネルギー回収は、時間に対して全出力パワーＰＴを積分することにより決定された。パワーは、次の式で与えられた。
Ａ．水―流れ、バッチ熱量計
各入力ｉｎｆｒａの右手側に挙げられる触媒反応混合物のエネルギー及び電力の釣り合い（ｂａｌａｎｃｅ）は、約１３０．３ｃｍ３の容積（内径（ＩＤ）が３．８１ｃｍ、長さが１１．４３ｃｍ、壁の厚みが０．５０８ｃｍ）又は１９８８ｃｍ３の容積（内径（ＩＤ）が９．５２５ｃｍ、長さが２７．９４ｃｍ、壁の厚みが１．９０５ｃｍ）の円筒形のステンレス製の反応器と、誤差が±１％未満を得るようにセルの中に放出されたエネルギーの９９％強を回収した外部水冷却媒体コイル及び各セルを収納する真空チャンバーを含む水流熱量計を用いることにより得られた。エネルギー回収は、時間に対して全出力パワーＰＴを積分することにより決定された。パワーは、次の式で与えられた。
ここで、
は、質量流速であり、Ｃｐは水の比熱であり、ΔＴは入口及び出口の間の温度の違いの絶対値であった。反応は、外部ヒーターへ正確なパワーを適用することにより開始された。特に、１００−２００Ｗのパワー（１３０．３ｃｍ３セル）又は８００−１０００Ｗのパワー（１９８８ｃｍ３セル）が、ヒータに供給された。この加熱期間の間、試薬は、ハイドリノ反応の閾値温度に到達し、反応のオンセットはセル温度における急激な上昇によって典型的に確認された。セル温度が約４００−５００℃に到達すると、入力パワーはゼロに設定された。５０分後、プログラムはパワーをゼロに導いた。冷却媒体への熱の移動速度を増加するために、チャンバーは、約１３３，０００Ｐａのヘリウムで再度加圧された。そして、水の温度における最大の変化（出口温度マイナス入口温度）は、約１．２℃であった。アセンブリは、フローサーミスタにおける十分な平衡の観察により確認されるように、２４時間の間に渡って、平衡に十分に達するようにされた。
各試験において、エネルギー入力及びエネルギー出力は、対応するパワーの積分により計算された。各時間のインクリメント（間隔）において、冷却媒体フローにおける熱エネルギーは、１９℃での水の密度（０．９９８ｋｇ／リッター）、水の比熱（４．１８１ｋＪ／ｋｇ℃）、補正温度差、及び時間の間隔をかけることにより、式（２２１）を用いて計算された。値は、全実験に渡って合計され、全エネルギー出力を得た。セルからの全エネルギーＥＴは、エネルギー入力Ｅｉｎ及び正味のエネルギーＥｎｅｔの和と等しくなければならない。従って、正味のエネルギーは次の式で得られた。
Ｅｎｅｔ＝ＥＴ−Ｅｉｎ （２２２）
エネルギーの釣り合い条件から、Ｅｅｘは最大理論エネルギーＥｍｔに対して次のように決定された。
Ｅｅｘ＝Ｅｎｅｔ−Ｅｍｔ （２２３）
Ｅｎｅｔ＝ＥＴ−Ｅｉｎ （２２２）
エネルギーの釣り合い条件から、Ｅｅｘは最大理論エネルギーＥｍｔに対して次のように決定された。
Ｅｅｘ＝Ｅｎｅｔ−Ｅｍｔ （２２３）
キャリブレーション試験結果は、出力クーラントへの抵抗入力の９８％よりよいヒートカップリングを示していた。過剰熱が無い制御は、キャリブレーション有の補正により、熱量計は１％未満の誤差であるような正確さであった。最高温度（Ｔｍａｘ）がセル温度の最高値であり、Ｅｉｎが入力エネルギーであり、そして、ｄＥが入力したエネルギーから過剰となる測定した出力エネルギーである。全てのエネルギーは発熱である。与えられた正の値は、エネルギーの大きさを示す。
［金属ハロゲン化物、酸化物、及び、硫化物］
２０ｇのＡＣ３−５＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋１１．２ｇのＭｇ３Ａｓ２。２９８．６ｋＪ、出力エネルギー（ｄＥ）は２１．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３１５℃。理論的には吸熱。ゲインは無限大。
２０ｇのＡＣ３−５＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋１１．２ｇのＭｇ３Ａｓ２。２９８．６ｋＪ、出力エネルギー（ｄＥ）は２１．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３１５℃。理論的には吸熱。ゲインは無限大。
・２０ｇのＡＣ３−５＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋９．１ｇのＣａ３Ｐ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８２．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３２０℃。吸熱反応。ゲインは無限大。
・Ｒｏｗａｎ検証：７．４７ｇｍのＫＨ＋４．５ｇｍのＭｇ＋１８．０ｇｍのＴｉＣ＋１４．０４ｇｍのＥｕＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２１．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４０．５ｋＪ。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲイン〜６．５Ｘ（１．３７ｋＪｘ４．５＝６．１６ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋３．５ｇｍのＴｉＢ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０ｋＪ。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。エネルギー・ゲイン〜Ｘ（Ｘ〜０ｋＪ、１インチ（２．５４ｃｍ）セル：過剰エネルギー：５．１ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋６．０５ｇｍのＲｂＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜Ｘ（Ｘ〜０ｋＪ；１インチ（２．５４ｃｍ）セル：過剰エネルギーは〜６．０ｋＪ）．
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋２．３ｇｍのＬｉ２Ｓ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜Ｘ（Ｘ〜０ｋＪ；１インチ（２．５４ｃｍ）セル：過剰エネルギーは〜５．０ｋＪ）．
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋５．０５ｇｍのＭｇ３Ｎ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。エネルギー・ゲインは〜（Ｘ〜０ｋＪ；１インチ（２．５４ｃｍ）セル：過剰エネルギーは〜５．２ｋＪ）。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．５５ｇのＰｔＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１５．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１０８−３２７℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３４６℃。理論では、６．６６ｋＪ。ゲインは２．３６倍。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．５５ｇのＰｔＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１４．３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１００−２５６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３２６℃。理論では、６．０３ｋＪ，ゲインは２．３７倍。
・４ｇのＷＣ＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋０．０１ｍｏｌのＣｌ２。ＵＶランプでＣｌ２からＣｌへの解離開始。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１６２．９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２３−４２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：８５℃。理論では、７．１０ｋＪ。ゲインは２．２５倍。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．６６ｇのＰｄＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１１．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１３３−２７６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７０℃。理論では、６．４３ｋＪ，ゲインは１．８２倍。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．６６ｇのＰｄＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１１０−２１７℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６１℃。理論では、５．８１ｋＪ，ゲインは１．６３倍。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．６０ｇのＰｄＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１７７−３４２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０３℃。理論では、５．５３ｋＪ，ゲインは１．４１倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の０．４１ｇのＡｌＮ＋１．６６ｇのＫＨ＋１ｇのＭｇ粉末＋４ｇのＡＣ３−５。エネルギー・ゲインは４．９ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４０７℃。理論では、吸熱反応性。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋３．７ｇｍのＣｒＢ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。理論エネルギーは吸熱反応性の０．０５ｋＪ。ゲインは無限大。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍの新しいＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋９．３６ｇｍのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４３ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜２．３Ｘ（Ｘ＝１８．８８ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍの新しいＴｉＣ（Ｇ０６Ｕ０５５）＋７．２ｇｍのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２５ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜１．７２Ｘ（Ｘ＝１４．５２ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１１．３ｇｍのＹ２Ｏ３（ゲインは〜４ＸＴｉＣと共に）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３５３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは〜４Ｘ（Ｘ〜１．１８ｋＪ＊５＝５．９ｋＪ）。
・４．１５ｇｍのＫＨ＋２．５ｇｍのＭｇ＋１０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋３９．８ｇｍのＥｕＢｒ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは〜２．２６Ｘ（Ｘ＝１１．９３ｋＪ）。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．２３ｇのＭｇ３Ａｓ２。１３３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７１℃。理論では吸熱反応性。ゲインは無限大。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．２３ｇのＭｇ３Ａｓ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９３℃。理論では吸熱反応性。ゲインは無限大。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．８２ｇのＣａ３Ｐ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は、５．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０７℃。理論では吸熱反応性。ゲインは無限大。
・４ｇのＡＣ３−５＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．９７ｇのＷＣｌ６。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１．８４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１００−３４２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７５℃。理論では１６．７。ゲインは１．３倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル内の、２．６０ｇのＣｓＩ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＡＣ３−４が仕上げられた。エネルギー・ゲインは４．９ｋＪであった。しかし、セルの温度の急激な上昇は見られなかった。最高セル温度は４０６℃。理論では０。ゲインは無限大。
・０．４２ｇのＬｉＣｌ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び４ｇのＡＣ３−４が仕上げられた。エネルギー・ゲインは５．４ｋＪ。しかし、セルの温度の急激な上昇は見られなかった。最高セル温度は４１２℃。理論では０。ゲインは無限大。
・４ｇのＡＣ３−４＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．２１ｇのＲｂＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７２℃。理論では０。ゲインは無限大。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１０．０ｇｍのＣａＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜３．０Ｘ（Ｘ〜１．７１ｋＪ＊５＝８．５５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋７．３ｇｍのＹＦ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜４．５Ｘ（Ｘ〜０．７４ｋＪ＊５＝３．７ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１４．０ｇｍの乾燥ＳｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３６ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１３０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは〜１．２３Ｘ（Ｘ〜５．８５ｋＪｘ５＝２９．２５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１５．６ｇｍのＥｕＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４５ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。エネルギー・ゲインは〜３２Ｘ（Ｘ〜０．２８ｋＪｘ５＝１．４ｋＪ）、そして、ゲインは〜６．５Ｘ（１．３７ｋＪｘ５＝６．８５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１１．２５ｇｍの乾燥ＺｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４５ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは〜２．１Ｘ（Ｘ〜４．１９ｋＪｘ５＝２０．９ｋＪ）。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋ＳＦ６。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は７７．７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０５ｋＪ。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４００℃。エネルギー・ゲインは〜１．４３Ｘ（Ｘは０．０３ｍｏｌｅのＳＦ６〜７３ｋＪとして）。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋ＳＦ６。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２１７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８４ｋＪ。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４００℃。エネルギー・ゲインは〜１．１５Ｘ（Ｘは０．０３ｍｏｌｅのＳＦ６〜７３ｋＪとして）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋７．２ｇｍのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３５７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２５ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜１．７２Ｘ（Ｘ〜１４．５２ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋７．２ｇｍのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は４８７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３４ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜２．３４Ｘ（Ｘ〜１４．５２ｋＪ）。
・２０ｇのＡＣ３−４＋８．３ｇのＣａ＋５ｇのＮａＨ＋１５．５ｇのＭｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１８１．５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６１．３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１５９−２３３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：２８３℃。理論では２９．５ｋＪ。ゲインは２．０８倍。
・４ｇのＡＣ３−４＋１．６６ｇのＣａ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．０９ｇのＭｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１５．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２２８−３８４℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９５℃。理論では６．６８ｋＪ。ゲインは２．３７倍。
・４ｇのＡＣ３−４＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋０．４６ｇのＬｉ２Ｓ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１９℃。理論では吸熱反応性。
・１．０１ｇのＭｇ３Ｎ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＡＣ３−４を１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中に。エネルギー・ゲインは５．２ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４０１℃。理論では０。
・１．２１ｇのＲｂＣｌ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＡＣ３−４。エネルギー・ゲインは６．０ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４４２℃。理論では０。
・２．２４ｇのＺｎ３Ｎ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＡＣ３−４が仕上げられた。エネルギー・ゲインは５．５ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４１０℃。理論では４．４１ｋＪ。ゲインは１．２５倍。
・４ｇのＡＣ３−４＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．７７ｇのＰｄＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が８３−２０４℃有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３０６℃。理論では６．１４ｋＪ。ゲインは１．７倍。
・０．７４ｇのＣｒＢ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−４）を１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル内に。エネルギー・ゲインは４．３ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４０４℃。理論では０。
・０．７０ｇのＴｉＢ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−４）が仕上げられた。エネルギー・ゲインは５．１ｋＪ。しかし、温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４３１℃。理論では０。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１４．８５ｇｍのＢａＢｒ２（乾燥）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。エネルギー・ゲインは１６０Ｘ（Ｘ〜０．０２ｋＪ＊５＝０．１ｋＪ）。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋４．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋２．９７ｇｍのＢａＢｒ２（乾燥）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３６０℃。エネルギー・ゲインは〜１５０Ｘ（Ｘ〜０．０２ｋＪ）。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１３．９ｇｍのＭｇＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜１．８Ｘ（Ｘ〜１．７５ｘ５＝８．７５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋９．２ｇｍのＭｇＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜２．１Ｘ（Ｘ〜２．２３ｘ５＝１１．５ｋＪ）。
・２０ｇのＡＣ３−３＋８．３ｇのＫＨ＋７．２ｇのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８６．６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２９．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３２７−３９１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９４℃。理論では１３．５７ｋＪ。ゲインは２．１７倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇＨ２＋１．６６ｇのＫＨ＋１．４４ｇのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９７℃。理論では２．５３ｋＪ。ゲインは１．８９倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．４８ｇのＣａ３Ｎ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４０．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９２℃。理論では２．０１ｋＪ。ゲインは２．２１倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．８６ｇのＩｎＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１６３−２５９℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７４℃。理論では４．２２ｋＪ。ゲインは１．８７倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．８６ｇのＩｎＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８６−３０２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７０℃。理論では４．７ｋＪ。ゲインは１．５９倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．５ｇのＤｙＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０３℃。理論では１．８９ｋＪ。ゲインは３．２２倍。
・３．９２ｇのＥｕＢｒ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−３）を１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル内に。エネルギー・ゲインは１０．５ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４２９℃。理論では３．４ｋＪ。ゲインは３倍。
・４．５６ｇのＡｓＩ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭文末（ＡＣ３−３）。エネルギー・ゲインは１３．５ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は１６６℃（２３７−４０３℃）で有。最高セル温度は４２５℃。理論では８．６５ｋＪ。ゲインは１．５６倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．０９ｇのＥｕＦ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１８５．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４６３℃。理論では１．６９ｋＪ。ゲインは４．７３倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．２７ｇのＡｇＦ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．０４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が８４−１９０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６９℃。理論では３．５８ｋＪ。ゲインは１．６９倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．９２ｇのＥｕＢｒ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１６２．５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．５４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４７１℃。理論では３．４１ｋＪ。ゲインは２．２１倍。
・２．０９ｇのＥｕＦ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−３）を１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル内に。エネルギー・ゲインは５．５ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４１７℃。理論では１．７１ｋＪ。ゲインは３．２５倍。
・３．２９ｇのＹＢｒ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−３）。エネルギー・ゲインは７．０ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４４℃。理論では４．１６ｋＪ。ゲインは１．６８倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１９．５ｇｍのＢａＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは〜２．９５Ｘ（Ｘ〜０．８８ｋＪｘ５＝４．４ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１０．４ｇｍのＢａＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。エネルギー・ゲインは〜６．９Ｘ（Ｘ〜０．５２ｘ５＝２．６ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋３９．８ｇｍのＬａＦ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。エネルギー・ゲインは〜１．９Ｘ（Ｘ〜３．６５ｋＪ）。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１４．８５ｇｍのＢａＢｒ２（乾燥）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。エネルギー・ゲインは〜１００Ｘ（Ｘ〜０．０１＝０．０２ｘ５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１４．８５ｇｍのＢａＢｒ２（乾燥）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２６７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３６０℃。エネルギー・ゲインは〜２．５Ｘ（Ｘ〜３．２ｋＪ）。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋４．８５ｇｍのＺｎＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜１．５Ｘ（Ｘ〜８．０ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋７．２ｇｍのＡｇＣｌ（０７０１０９で乾燥）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２１９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２６ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜１．８Ｘ（Ｘ〜１４．５２ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１１．３ｇｍのＹ２Ｏ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２４ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）がａｔ〜３００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは〜４．０Ｘ（Ｘ〜５．９ｋＪｗｉｔｈＮａＨ）。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．９５ｇのＹＣｌ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８４℃。理論では３．３ｋＪ。ゲインは２．１５倍。
・４．７０ｇのＹＩ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）を１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル内に。エネルギー・ゲインは６．９ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４２６℃。理論では３．３７ｋＪ。ゲインは２．０４倍。
・１．５１ｇのＳｎＯ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは９．４ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４６０℃。理論では７．０６ｋＪ。ゲインは１．３３倍。
・４．５６ｇのＡｓＩ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは１１．５ｋＪ。セル温度の急激な上昇が１４４℃（２２１−３６５℃）で有。最高セル温度は４６３℃。理論では８．６５ｋＪ。ゲインは１．３３倍。
・３．０９ｇのＭｎＩ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＳＴｉＣ−１（ＴｉＣは、シグマ・アルドリッチから）。エネルギー・ゲインは９．６ｋＪ。セル温度の急激な上昇が１３７℃（３８−１７５℃）で有。最高セル温度は３９６℃。理論では３．７３ｋＪ。ゲインは２．５７倍。
・３．９９ｇのＳｅＢｒ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは２０．９ｋＪ。セル温度の急激な上昇が２２４℃（４７−２７１℃）で有。最高セル温度は３８３℃。理論では１６．９３ｋＪ。ゲインは１．２３倍。
・２０ｇのＡＣ３−３＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋１１．６５ｇのＡｇＩ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２３８．６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３１．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２３０−３１６℃有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３１７℃。理論では１２．３ｋＪ。ゲインは２．５７倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋０．９１ｇのＣｏＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４５．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４２０℃。理論では２．６３ｋＪ。ゲインは３．３倍。
・４ｇのＡＣ３−３＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．８４ｇのＭｇＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３４．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．７５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４００℃。理論では２．２３ｋＪ。ゲインは２．５８倍。
・５．０２ｇのＳｂＩ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは１２．２ｋＪ。セル温度の急激な上昇が１５４℃（１４１−２９５℃）で有。最高セル温度は３７９℃。理論では９．７１ｋＪ。ゲインは１．２６倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋７．２ｇｍのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２７５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは〜２．１Ｘ（Ｘ〜１４．５２ｋＪ）。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋５．０ｇｍのＴｉＣ＋２．９７ｇｍのＢａＢｒ２ が負荷された ＢａＢｒ２−ＫＨ−Ｍｇ−ＴｉＣ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３６０℃。理論では０．６４ｋＪ。ゲインは３倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋４．８ｇｍのＣｕＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３６０℃。エネルギー・ゲインは〜２．１Ｘ（Ｘ〜１４．４ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋４．３５ｇｍのＭｎＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは〜２．２Ｘ（Ｘ〜６．３ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１０．７ｇｍのＧｄＦ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３６０℃。エネルギー・ゲインは〜２．５４Ｘ（Ｘ〜２．７５ｋＪ）。
・２０ｇのＡＣ３−２＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋７．２ｇのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２７．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４０．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２８８−３１８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３２６℃。理論では１４．５２ｋＪ。ゲインは２．７８倍。
・２０ｇのＡＣ３−２＋５ｇのＭｇ＋８．３ｇのＫＨ＋７．２ｇのＣｕＢｒ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２０５．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２１６−２６８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：２８０℃。理論では１３．４６ｋＪ。ゲインは１．６７倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．４６ｇのＹＦ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０５℃。理論では０．７７。ゲインは５．６５倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．４６ｇのＹＦ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９８℃。理論では０．７４。ゲインは７．５４倍。
・１１．３ｇのＹ２Ｏ３、５ｇのＮａＨ、５ｇのＭｇ粉末、及び、２０ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−２）を２インチ（５．０８ｃｍ）の極めて頑丈なセル内に。エネルギー・ゲインは２４．５ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は３８６℃。理論では５．９。ゲインは４．２倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．９１ｇのＢａＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７８℃。理論では０．１ｋＪ。ゲインは５１倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．９１ｇのＢａＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２３．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３．３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９０℃。理論では０．８８ｋＪ。ゲインは３．８倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．０８ｇのＢａＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０３℃。理論では０．５２ｋＪ。ゲインは１０．５倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．４２ｇのＳｒＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２８．２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．３５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８３℃。理論では１．６２ｋＪ。ゲインは３．３倍。
・４．０４ｇのＳｂ２Ｓ５、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−２）が仕上げられた。エネルギー・ゲインは、１８．０ｋＪ。温度の急激な上昇が、２５１℃（２２４−４７５℃）で有。最高温度（Ｔｍａｘ）は、４８１℃。理論では１２．７ｋＪ。ゲインは１．４倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋０．９７ｇのＺｎＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３２．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７０℃。理論では１．４ｋＪ。ゲインは５．３３倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．１２ｇのＥｕＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１１４−１８２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７１℃。理論では吸熱反応性の＋０．３５ｋＪ。ゲインは無限大。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．１２ｇのＥｕＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が７３−１３５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８５℃。理論では０．２８ｋＪ。ゲインは３４倍。
・４ｇのＣＡ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．６７ｇのＰｂＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．９８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２７０−４０８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４２１℃。理論では５．１７ｋＪ。ゲインは１．３５倍。
・４ｇのＣＡ３−２＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．２７ｇのＡｇＦ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．２１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が７４−１７５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７２℃。理論では３．５８ｋＪ。ゲインは２倍。
・１．８０ｇのＧｄＢｒ３（０．０１ｍｏｌ ＧｄＢｒ３は３．９７ｇ。しかし、十分なＧｄＢｒ３はなかった。）、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは、２．８ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は見られなかった。最高セル温度は４３１℃。理論では１．８４ｋＪ。ゲインは１．５２倍。
・０．９７ｇのＺｎＳ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは、４．０ｋＪ。しかし、セル温度の急激な上昇は見られなかった。最高セル温度は４４４℃。理論では１．６１ｋＪ。ゲインは２．４９倍。
・３．９２ｇのＢＩ３（ＰＰ製のバイアル中）、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは、１３．２ｋＪ。セル温度勾配の変化は８７℃（１５２−２３９℃）で有。最高セル温度は４６５℃。理論では９．７ｋＪ。ゲインは１．３６倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．２ｇのＨｆＣｌ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は、１３１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２７７−４３９℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４０℃。理論では８．１ｋＪ。ゲインは１．２９倍。
・４ｇのＡＣ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．２ｇのＨｆＣｌ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１１．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２５４−３５７℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０５℃。理論では９．０６ｋＪ。ゲインは１．２７倍。
・４ｇのＣＡ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．９７ｇのＢａＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３２．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．６５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６１℃。理論では０．６４ｋＪ。ゲインは７．２４倍。
・４ｇのＣＡ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．３５ｇのＡｇＩ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４２．９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．３２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４２０℃。理論では２．４６ｋＪ。ゲインは２．９８倍。
・４．１２ｇのＰＩ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）は仕上げられた。エネルギー・ゲインは、１３．８ｋＪ。セル温度の急激な上昇は１８９℃（１８４−３７３℃）で有。最高セル温度は４３８℃。理論では１１．１ｋＪ。ゲインは１．２４倍。
・１．５７ｇのＳｎＦ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは、７．９ｋＪ。セル温度勾配の変化は７２℃（１４９−２２１℃）で有。最高セル温度は４０７℃。理論では５．２８ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・１．９６ｇのＬａＦ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは、４．２ｋＪ。セル温度の急激な上昇は無し。最高セル温度は４４２℃。理論では０．６８ｋＪ。ゲインは６．１６倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．７８ｇのＭｇＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７１℃。理論では１．７５ｋＪ。ゲインは３．８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．４８ｇのＳｒＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０２℃。理論では１．３５ｋＪ。ゲインは４．５４倍。
・４ｇのＣＡ３−２＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．０ｇのＣａＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．３３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４５℃。理論では１．７１ｋＪ。ゲインは３．７倍。
・４ｇのＣＡ３−２＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．９７ｇのＢａＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４０．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．０１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０５℃。理論では０．０２ｋＪ。ゲインは４８３倍。
・０．９０ｇのＣｒＦ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）が仕上げられた。エネルギー・ゲインは、４．７ｋＪ。セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４１５℃。理論では３．４６ｋＪ。ゲインは１．３６倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋７．５ｇｍのＩｎＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２７５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは、〜２．２Ｘ（Ｘ〜１１．４５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１２．１ｇｍのＩｎＩ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．２５Ｘ（Ｘ〜９．６ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋９．７５ｇｍのＩｎＢｒ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．７Ｘ（Ｘ〜１０ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１５．４５ｇｍのＭｎＩ２。ＰｅｔｅｒＪａｎｓｓｏｎ博士のための立証実験。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４５ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜３０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは、〜２．４３Ｘ（Ｘ〜１８．５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１０．８ｇｍのＦｅＢｒ２（ＦｅＢｒ２は、ＳＴＲＥＭＣｈｅｍｉｃａｌｓ社製）。ＰｅｔｅｒＪａｎｓｓｏｎ博士のための立証実験。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．８４Ｘ（Ｘ〜２５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１５．６５ｇｍのＣｏＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２４３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５５ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。理論では２６．３５ｋＪ。ゲインは２．０８倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１１．０ｇｍのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２７０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。理論では２３ｋＪ。ゲインは１．９５倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１０．８ｇｍのＦｅＢｒ２（ＦｅＢｒ２はＳＴＲＥＭＣｈｅｍｉｃａｌｓ社製）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。理論では２５ｋＪ。ゲインは１．５２倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１１．２５ｇｍのＺｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４２ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３７５℃。エネルギー・ゲインは、〜２Ｘ（Ｘ〜２０．９ｋＪ）。
・８．３０ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１９．８５ｇｍのＧｄＢｒ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．３Ｘ（Ｘ〜２０．３ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋４．３５ｇｍのＭｎＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３４９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは、〜３．６Ｘ（Ｘ〜６．６ｋＪ）。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．７９ｇのＬａＢｒ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９２℃。理論では２．４６ｋＪ。ゲインは１．９６倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．８０ｇのＣｅＢｒ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１３℃。理論では３．８４ｋＪ。ゲインは１．９７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．４４ｇのＡｇＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３６．２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．１４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４２０℃。理論では２．９０ｋＪ。ゲインは２．４６倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．６０ｇのＣｕ２Ｓ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０５℃。理論では２．６７ｋＪ。ゲインは２．０６倍。
・２．５４ｇのＴｅＩ４（０．０１ｍｏｌ ＴｅＩ４は、６．３５ｇであるが、十分な量のＴｅＩ４ではない）、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは、８．３ｋＪ。セル温度の急激な上昇が１１３℃（２０２−３１５℃）で有。最高セル温度は３９５℃。理論では５．６１ｋＪ。ゲインは１．４８倍。
・２．５１ｇのＢＢｒ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（ＡＣ３−１）。エネルギー・ゲインは、１２．４ｋＪ。セル温度の勾配変化が５２℃（７７−１２９℃）で有。セル温度の急激な上昇が８８℃（２４５−３３３℃）で有。最高セル温度は４３８℃。理論では９．２８ｋＪ。ゲインは１．３４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．０ｇのＮａＨ＋３．５９ｇのＴａＣｌ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６．９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が８０−２９３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６６℃。理論では１１．８９ｋＪ。ゲインは１．４２倍。
・２．７２ｇのＣｄＢｒ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、６．６ｋＪ。セル温度の急激な上昇が５６℃（２５３−３０９℃）で有。最高セル温度は４１４℃。理論では４．３１ｋＪ。ゲインは１．５３倍。
・２．７３ｇのＭｏＣｌ５、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２０．１ｋＪ。セル温度の急激な上昇が２４０℃（６７−３０７℃）で有。最高セル温度は５１１℃。理論では１５．０４ｋＪ。ゲインは１．３４倍。
・２．７５ｇのＩｎＢｒ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、７．３ｋＪ。セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４８１℃。理論では４．４６ｋＪ。ゲインは１．６４倍。
・１．８８ｇのＮｂＦ５、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１５．５ｋＪ。セル温度の急激な上昇は見られず。最高セル温度は４４８℃。理論では１１．３６ｋＪ。ゲインは１．３６倍。
・２．３３ｇのＺｒＣｌ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１２．９ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１５６℃（３１１−４６７℃）で有。最高セル温度は４７２℃。理論では８．８２ｋＪ。ゲインは１．４６倍。
・３．６６ｇのＣｄＩ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、６．７ｋＪ。セル温度の勾配変化は、７４℃（１２５−１９９℃）で有。最高セル温度は４１７℃。理論では４．１２ｋＪ。ゲインは１．６２倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．６４ｇのＧｄＣｌ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．８２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９５℃。理論では３．５４ｋＪ。ゲインは１．３６倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋７．５ｇｍのＩｎＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３２ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは、〜２．８Ｘ（Ｘ〜１１．５ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１５．６５ｇｍのＣｏＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４１ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．５５Ｘ（Ｘ〜２６．４ｋＪ）。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１９．８５ｇｍのＧｄＢｒ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２８ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．８Ｘ（Ｘ〜１５．６ｋＪ）。
・４．９８ｇｍのＫＨ＋３．０ｇｍのＭｇ＋１２．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋５．８５ｇｍのＩｎＢｒ３ Ｘシステム。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１３ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．３Ｘ（Ｘ〜１０ｋＪ）。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．２６ｇのＹ２Ｏ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３３．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８４℃。理論では１．１８ｋＪ。ゲインは４．４４倍。
・４．１１ｇのＺｒＢｒ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１１．２ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１５４℃（２８０−４３４℃）で有。最高セル温度は４４４℃。理論では９．３１ｋＪ。ゲインは１．２倍。
・５．９９ｇのＺｒＩ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１１．３ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、２００℃（２１４−４１４℃）で有。最高セル温度は４５４℃。理論では９．４ｋＪ。ゲインは１．２倍。
・２．７０ｇのＮｂＣｌ５、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１６．４ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、２１３℃（１３７−３５０℃）で有。最高セル温度は３９５℃。理論では１３．４０ｋＪ。ゲインは１．２２倍。
・２．０２ｇのＭｏＣｌ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１２．１ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は５３６℃。理論では８．４８ｋＪ。ゲインは１．４３倍。
・３．１３ｇのＮｉＩ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、８．０ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、３３℃（３３５−３６８℃）で有。最高セル温度は４３８℃。理論では５．８９ｋＪ。ゲインは１．３６倍。
・３．８７ｇのＡｓ２Ｓｅ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１２．３ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、２４１℃（１９５−４３６℃）で有。最高セル温度は４４６℃。理論では８．４ｋＪ。ゲインは１．４６倍。
・２．７４ｇのＹ２Ｓ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、５．２ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４４４℃。理論では０．４１ｋＪ。ゲインは１２．６４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．７９ｇのＬａＢｒ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４７．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４３℃。理論では３．３９ｋＪ。ゲインは２倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．１５ｇのＭｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．５５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３６０−４０５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１１℃。理論では３．６３ｋＪ。ゲインは１．５３倍。
・２．６０ｇのＢｉ（ＯＨ）３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１４．８ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１７３℃（２０２−３７５℃）で有。最高セル温度は４５２℃。理論では１２．２３ｋＪ。ゲインは１．２倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１８．５ｇｍのＳｎＩ２（Ｓｔｒｅｍ社製）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２４４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。理論では２８．１ｋＪ。ゲインは１．９倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１０．８ｇｍのＦｅＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３７５℃。理論では２２ｋＪ。ゲインは１．９５倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１０．８ｇｍのＦｅＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２３０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３６０℃。理論では２２ｋＪ。ゲインは１．４５倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１５．４５ｇｍのＭｎＩ２（Ｓｔｒｅｍ社製）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２６９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４９ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは、〜３．４Ｘ（Ｘ〜１４．８ｋＪ）。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１．６６ｇのＣａ＋１ｇのＮａＨ＋３．０９ｇのＭｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．９８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１７８−３７４℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８３℃。理論では５．９０ｋＪ。ゲインは１．６９倍。
・０．９６ｇのＣｕＳ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、５．５ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４０９℃。理論では２．９３ｋＪ。ゲインは１．８８倍。
・０．８７ｇのＭｎＳ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、４．７ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４１２℃。理論では１．３２ｋＪ。ゲインは３．５７倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１５．４５ｇｍのＭｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２６９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４９ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。理論では１８．６５ｋＪ。ゲインは２．６倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ＋１１．０ｇｍのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２４５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。ｗｉｔｈ最高温度（Ｔｍａｘ）〜３１０℃。理論では２６ｋＪ。ゲインは１．６倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋６．３ｇｍのＭｎＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３３３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。理論では１７．６ｋＪ。ゲインは２倍。
・２．４２ｇのＩｎＩ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、４．４ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４３８℃。理論では１．９２ｋＪ。ゲインは２．３倍。
・１．７２ｇのＩｎＦ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、９．２ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４４６℃。理論では５ｋＪ。ゲインは１．８５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．９８ｇのＡｓ２Ｏ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１０．５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１７．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が：３２５−４５２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４７１℃。理論では１１．４８ｋＪ。ゲインは１．４９倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋４．６６ｇのＢｉ２Ｏ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１７．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８５−４０３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４８１℃。理論では１３．８ｋＪ。ゲインは１．２８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．０２ｇのＭｏＣｌ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１１．１０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３４２−４９６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４９６Ｃ。理論では７．７６ｋＪ。ゲインは１．４３倍。
・２．８３ｇのＰｂＦ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１３．９ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、２４５Ｃ（２１７−４６２℃）で有。最高セル温度は４６４℃。理論では１３．３８ｋＪ。ゲインは１．３２倍。
・２．７８ｇのＰｂＣｌ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００Ｃで乾燥）。エネルギー・ゲインは、６．８ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４８８℃。理論では５．２２ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１．６６ｇのＫＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２７５−３５０Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８５Ｃ。理論では４．６ｋＪ。ゲインは１．６倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．７４ｇのＭｏＣｌ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１９．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が８６−３３４Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７３Ｃ。理論では１４．０６ｋＪ。ゲインは１．３５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１．６６ｇのＣａ＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２７．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．６９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３００−４２０Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）：１０．６９Ｃ。理論では７．６７ｋＪ。ゲインは１．３９倍。
・５．９０ｇのＢｉＩ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００Ｃで乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．９ｋＪ。セル温度の勾配変化は、７０Ｃ（２１７−２８７Ｃ）で有。最高セル温度は４５８℃。理論では８．８７ｋＪ。ゲインは１．２３倍。
・１．７９ｇのＳｂＦ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００Ｃで乾燥）。エネルギー・ゲインは、１１．７ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１６９Ｃ（１３８−３０７Ｃ）で有。最高セル温度は４５４℃。理論では９．２１ｋＪ。ゲインは１．２７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１．６６ｇのＣａ＋１ｇのＮａＨ＋３．０９ｇのＭｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１７８−３４０Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７３Ｃ。理論では５．９ｋＪ。ゲインは２．１３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１．６６ｇのＣａ＋１ｇのＮａＨ＋１．３４ｇのＣｕＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３５．２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２．２６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２５０−３９０Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４３７Ｃ。理論では８．５５ｋＪ。ゲインは１．４３倍。
・１．５０ｇのＩｎＣｌ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００Ｃで乾燥）。エネルギー・ゲインは、５．１ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４１０℃。理論では２．２９ｋＪ。ゲインは２．２２倍。
・２．２１ｇのＩｎＣｌ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００Ｃで乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．９ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１９１Ｃ（２３５−４２６Ｃ）で有。最高セル温度は４３１℃。理論では７．１１ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・１．９５ｇのＩｎＢｒ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００Ｃで乾燥）。エネルギー・ゲインは、６．０ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４３５℃。理論では２ｋＪ。ゲインは３倍。
・３．５５ｇのＩｎＢｒ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００Ｃで乾燥）。エネルギー・ゲインは、９．１ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１５２Ｃ（１５６−３０８Ｃ）で有。最高セル温度は３８６℃。理論では６．９２ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１．６６ｇのＫＨ＋３．７９ｇのＳｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１６９．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が：２００−２８９Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４３１Ｃ。理論では４．０３ｋＪ。ゲインは１．４９倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１０．７５ｇｍのＭｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３５Ｃ。エネルギー・ゲインは、〜１．９Ｘ（Ｘ〜１８．１ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１０．７５ｇｍのＭｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２８０Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０Ｃ。エネルギー・ゲインは、〜２．２Ｘ（Ｘ〜１８．１ｋＪ）。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋１．０５ｇｍのＴｉＦ３ ５Ｘセル＃１０８６ＣＡＩＩ−３００と共に。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０Ｃ。理論では２．５ｋＪ。ゲインは２．４倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋４．７ｇｍのＦｅＦ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２６０Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０Ｃ。理論では２０．６５ｋＪ。ゲインは１．９３倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋５．１ｇｍのＣｕＦ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２０３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１２５Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０Ｃ。理論では２９ｋＪ。ゲインは１．９６倍。
・８３．０ｇｍのＫＨ＋５０．０ｇｍのＭｇ＋２００．０ｇｍのＷＣ＋１８５ｇｍのＳｎＩ２ ＵＲＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３１０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４２８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１４０Ｃで有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０Ｃ。理論では２００ｋＪ。ゲインは２．１４倍。
０６１００９ＫＡＷＦＣ１＃１１０２ １．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋４．０ｇｍのＷＣ＋３．９７ｇｍのＧｄＢｒ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜３００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４２０℃。エネルギー・ゲインは、〜３．５Ｘ（Ｘ〜２ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋３．６ｇｍのＦｅＯ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３５５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２４ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３６０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．４５Ｘ（Ｘ〜１６．６ｋＪ）。
・８３．０ｇｍのＫＨ＋５０．０ｇｍのＭｇ＋２００．０ｇｍのＷＣ＋１８５ｇｍのＳｎＩ２ ＲＯＷＡＮ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３７９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４１６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。理論では２００ｋＪ。ゲインは２倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１５．６５ｇｍのＣｏＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３６１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４１０℃。理論では２６．３５ｋＪ。ゲインは２．６倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ３００＋４．４ｇｍのＦｅＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．７Ｘ（Ｘ〜１２．３ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋４０．０ｇｍのＷＣ＋１８．５ｇｍのＳｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２７ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．３５Ｘ（Ｘ〜２０ｋＪ）。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１５．４５ｇｍのＭｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜１７０℃。理論では１４．８ｋＪ。ゲインは２倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１１．０ｇｍのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２４８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３００℃。エネルギー・ゲインは、〜１．７Ｘ（Ｘ〜２０ｋＪ）。理論では２６．２５ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１１．０ｇｍのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．５Ｘ（Ｘ〜２０ｋＪ）。理論では２６．２５ｋＪ。ゲインは１．１４倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１１．０ｇｍのＮｉＢｒ２。セル＃１１０５の繰返し。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２４２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．６５Ｘ（Ｘ〜２０ｋＪ）。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１１．１ｇｍのＩｎＣｌ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１８９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４８ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２６０℃。エネルギー・ゲインは、〜１．５Ｘ（Ｘ〜３１ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１５．４５ｇｍのＭｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２４８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４６ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２５℃。エネルギー・ゲインは、〜３Ｘ（Ｘ〜１４．８ｋＪ）。
・２．９６ｇのＦｅＢｒ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１２．５ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、７７℃（７２−１４９℃）で有。最高セル温度は４１８℃。理論では８．３５ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・０．７２ｇのＦｅＯ、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、６．７ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４４８℃。理論では３．３ｋＪ。ゲインは２倍。
・１．２６ｇのＭｎＣｌ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、８．６ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４３７℃。理論では３．５２ｋＪ。ゲインは２．４５倍。
・１．１３ｇのＦｅＦ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１２．６ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は６１８℃。理論では６．４４ｋＪ。ゲインは１．９６倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．９７ｇのＧｄＢｒ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４３．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０３℃。理論では１．９９ｋＪ。ゲインは２．７３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．５７ｇのＳｎＦ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．２４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１３℃。理論では５．２８ｋＪ。ゲインは１．３７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋４．０４ｇのＳｂ２Ｓ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１９．３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４２１−６５１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：６５１℃。理論では１２．３７ｋＪ。ゲインは１．５６倍。
・１．３６ｇのＺｎＣｌ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、６．６ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４０２℃。理論では４．３４ｋＪ。ゲインは１．５２倍。
・１．０３ｇのＺｎＦ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、６．５ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４２７℃。理論では３．７６ｋＪ。ゲインは１．７３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．２２ｇのＩｎＣｌ３。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−１２．６ｋＪ。次の反応が考慮される：ＩｎＣｌ３（ｃ）＋３ＮａＨ（ｃ）＋１．５Ｍｇ（ｃ）＝３ＮａＣｌ（ｃ）＋Ｉｎ（ｃ）＋１．５ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−６４０．４５ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは−６．４ｋＪ。過剰熱は−６．２ｋＪ。２．０Ｘ過剰の熱。
・１．０８ｇのＶＦ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、９．５ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４４７℃。理論では４．９ｋＪ。ゲインは１．９４倍。
・８．３ｇのＫＨ＋５．０ｇのＭｇ＋２０．０ｇのＡＣ（ＩＩ−３００）＋５．４ｇのＶＦ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５８ｋＪ。理論では２４．５ｋＪ。ゲインは２．３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．７２ｇのＩｎＦ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９１℃。理論では５ｋＪ。ゲインは１．６２倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．０２ｇのＣｕＦ２。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−９．４ｋＪ。次の反応が考慮される：ＣｕＦ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝ＭｇＦ２（ｃ）＋Ｃｕ（ｃ）Ｑ＝−５８１．５ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは−５．８２ｋＪ。過剰熱は、−３．５９ｋＪ。１．６Ｘ過剰の熱。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．８３ｇのＰｂＦ４。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−１７．６ｋＪ。次の反応が考慮される：ＰｂＦ４（ｃ）＋２Ｍｇ（ｃ）＋４ＮａＨ（ｃ）＝２ＭｇＨ２（ｃ）＋４ＮａＦ（ｃ）＋Ｐｂ（ｃ）Ｑ＝−１２９０．０ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−１２．９ｋＪ。過剰熱は：−４．７ｋＪ。１．４Ｘ過剰の熱。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋６．２６ｇｍのＳｎＩ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３７０℃。理論では１０．１ｋＪ。ゲインは１．７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋３．７ｇのＴｉＢｒ４。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−１６．１ｋＪ。次の反応が考慮される：ＴｉＢｒ４（ｃ）＋４ＫＨ（ｃ）＋２Ｍｇ（ｃ）＋Ｃ（ｓ）＝４ＫＢｒ（ｃ）＋ＴｉＣ（ｃ）＋２ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−１０６２．３ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−１０．７ｋＪ。過剰熱は：−５．４ｋＪ。１．５Ｘ過剰の熱。
ＢＩ３
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．４ｇのＢＩ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２８．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８０−２６３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６５℃。理論では５．５５ｋＪ。ゲインは１．４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．４ｇのＢＩ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２８．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８０−２６３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６５℃。理論では５．５５ｋＪ。ゲインは１．４倍。
ＭｎＢｒ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．１５ｇのＭｎＢｒ２。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−７．０ｋＪ。次の反応が考慮される：ＭｎＢｒ２（ｃ）＋２ＫＨ（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＫＢｒ（ｃ）＋Ｍｎ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−３６２．６ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−３．６３ｋＪ。過剰熱は、−３．４ｋＪ。１．９Ｘ過剰の熱。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．１５ｇのＭｎＢｒ２。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−７．０ｋＪ。次の反応が考慮される：ＭｎＢｒ２（ｃ）＋２ＫＨ（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＫＢｒ（ｃ）＋Ｍｎ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−３６２．６ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−３．６３ｋＪ。過剰熱は、−３．４ｋＪ。１．９Ｘ過剰の熱。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＷＣ＋１０．７５ｇｍのＭｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３０９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３５℃。エネルギー・ゲインは、〜１．９Ｘ（Ｘ〜１８．１ｋＪ）。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１０．７５ｇｍのＭｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。エネルギー・ゲインは、〜２．２Ｘ（Ｘ〜１８．１ｋＪ）。
ＦｅＦ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋０．９４ｇのＦｅＦ２。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−９．８ｋＪ。次の反応が考慮される：ＦｅＦ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝ＭｇＦ２（ｃ）＋Ｆｅ（ｃ）Ｑ＝−４１２．９ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．１３ｋＪ。過剰熱は、−５．６７ｋＪ。２．４Ｘ過剰の熱。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋０．９４ｇのＦｅＦ２。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−９．８ｋＪ。次の反応が考慮される：ＦｅＦ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝ＭｇＦ２（ｃ）＋Ｆｅ（ｃ）Ｑ＝−４１２．９ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．１３ｋＪ。過剰熱は、−５．６７ｋＪ。２．４Ｘ過剰の熱。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋４．７ｇｍのＦｅＦ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２８０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３４０℃。理論では２０．６５ｋＪ。ゲインは１．９４倍。
ＴｉＦ３
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋１．０５ｇｍのＴｉＦ３（５Ｘセル＃１０８６ＣＡＩＩ−３００と共に）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。理論では２．５。ゲインは２．４倍。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋１．０５ｇｍのＴｉＦ３（５Ｘセル＃１０８６ＣＡＩＩ−３００と共に）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。理論では２．５。ゲインは２．４倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋５．２５ｇｍのＴｉＦ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２６８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。ネルギー・ゲインは、無し（Ｘ〜２１．７ｋＪ）。
ＣｕＦ２
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋５．１ｇｍのＣｕＦ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２０３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１２５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。理論では２９．１ｋＪ。ゲインは２倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋５．１ｇｍのＣｕＦ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２０３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１２５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。理論では２９．１ｋＪ。ゲインは２倍。
ＭｎＩ２
・４．０ｇｍのＮａＨ＋４．０ｇｍのＭｇ＋１６．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１２．３６ｇｍのＭｎＩ２（４Ｘスケール・アップ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２５３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３００℃。理論では１１．８ｋＪ。ゲインは２．５倍。
・４．０ｇｍのＮａＨ＋４．０ｇｍのＭｇ＋１６．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１２．３６ｇｍのＭｎＩ２（４Ｘスケール・アップ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２５３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３００℃。理論では１１．８ｋＪ。ゲインは２．５倍。
・３．０９ｇのＭｎＩ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）に関し熱量測定。エネルギー・ゲインは、８．８ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、９２℃（１７２−２６４℃）で有。最高セル温度は４１０℃。理論では２．９６ｋＪ。ゲインは３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．０９ｇのＭｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２６．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１５７−２４１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８５℃。理論では２．９６ｋＪ。ゲインは２．６９倍。
ＺｎＢｒ２
・２．２５ｇのＺｎＢｒ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．３ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、８２℃（２５３−３３５℃）で有。最高セル温度は４５６℃。理論では３．５６ｋＪ。ゲインは２．９倍。
・２．２５ｇのＺｎＢｒ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．３ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、８２℃（２５３−３３５℃）で有。最高セル温度は４５６℃。理論では３．５６ｋＪ。ゲインは２．９倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１１．２５ｇｍのＺｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。理論では１７．８ｋＪ。ゲインは１．４６倍。
ＣｏＣｌ２
・１．３ｇのＣｏＣｌ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．４ｋＪ。セル温度の勾配変化は、１０５℃（３１６−４２１℃）で有。最高セル温度は４５０℃。理論では５．２ｋＪ。ゲインは２倍。
・１．３ｇのＣｏＣｌ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．４ｋＪ。セル温度の勾配変化は、１０５℃（３１６−４２１℃）で有。最高セル温度は４５０℃。理論では５．２ｋＪ。ゲインは２倍。
・１．３ｇのＣｏＣｌ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、９．６ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１８１℃（２９５−４７６℃）で有。最高セル温度は４７８℃。理論では５．２ｋＪ。ゲインは１．８９倍。
ＳｎＢｒ２
・２．８ｇのＳｎＢｒ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇそれぞれの粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）を用いた。エネルギー増幅は、１４．２ｋＪであった。温度の急激な上昇は、１４８℃（１４８−２９６℃）で有。最高セル温度は３７６℃。理論では３．７５ｋＪ。ゲインは３．７８倍。
・２．８ｇのＳｎＢｒ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇそれぞれの粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）を用いた。エネルギー増幅は、１４．２ｋＪであった。温度の急激な上昇は、１４８℃（１４８−２９６℃）で有。最高セル温度は３７６℃。理論では３．７５ｋＪ。ゲインは３．７８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．７９ｇのＳｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１３５−２３６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７０℃。理論では３．７５ｋＪ。ゲインは２倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ粉末＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ３００＋１１．４ｇｍのＳｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２１１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３００℃。理論では１５．５ｋＪ。ゲインは２．６倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ５．０ｇｍ＋２０．０ｇｍのＴｉＣ２＋１４．０ｇｍのＳｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２２９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３１０℃。ゲインは〜２．４Ｘ（Ｘ〜１９ｋＪ）。理論では１８．８ｋＪ。ゲインは２．４倍。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋４．０ｇｍのＷＣ＋２．８ｇｍのＳｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。理論では３．７５ｋＪ。ゲインは２．６６倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１．６６ｇのＫＨ＋２．７９ｇのＳｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１６８−２６３で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８１℃。理論では４．２９ｋＪ。ゲインは２．２５倍。
・１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．７９ｇのＳｎＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．８２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１２５−２２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８６℃。理論では５．８５ｋＪ。ゲインは１．３３倍。
ＳｎＩ２
・６．６４ｇｍのＫＨ＋４．０ｇｍのＭｇ粉末＋１８．０ｇｍのＴｉＣ＋１４．８ｇｍのＳｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２３２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。エネルギー・ゲインは、〜３．６Ｘ（Ｘ〜１２．８ｋＪ）。理論では１２．６ｋＪ。ゲインは３．７倍。
・６．６４ｇｍのＫＨ＋４．０ｇｍのＭｇ粉末＋１８．０ｇｍのＴｉＣ＋１４．８ｇｍのＳｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２３２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。エネルギー・ゲインは、〜３．６Ｘ（Ｘ〜１２．８ｋＪ）。理論では１２．６ｋＪ。ゲインは３．７倍。
・３．７ｇのＳｎＩ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１１．９ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４５５℃。理論では３．２ｋＪ。ゲインは３．７倍。
・１．６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋３．７ｇｍのＳｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１６２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４９０℃。理論では３．２ｋＪ。ゲインは４倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ粉末＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ３００＋１８．５ｇｍのＳｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２２１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３００℃。理論では１５．９ｋＪ。ゲインは３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．７３ｇのＳｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２１．９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．５６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９１℃。理論では３．２ｋＪ。ゲインは２．３６倍。
・１．６６ｇのＫＨ＋３．７９ｇのＳｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１６１−２５９℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３５９℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２．１７倍。
ＳｎＣｌ２
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋９．６ｇｍのＳｎＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１８１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。理論では１９ｋＪ。ゲインは１．５７倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋９．６ｇｍのＳｎＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１８１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。理論では１９ｋＪ。ゲインは１．５７倍。
ＮｉＢｒ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２．０１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２９０−３７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１７℃。理論では４ｋＪ。ゲインは３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２．０１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２９０−３７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１７℃。理論では４ｋＪ。ゲインは３倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４．０ｇｍのＴｉＣ）混合物＋２．２ｇｍのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１１ｋＪ。温度勾配ジャンプが２６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３９０℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２．７５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．７８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９２℃。理論では４ｋＪ。ゲインは１．９５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋０．３３ｇのＬｉＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．７２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２７０−４３６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４０℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２．６８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇＫＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．４５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２８５−４２３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４２３℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２．６倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３８．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．１２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４２５℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ粉末＋活性炭ＣＡＩＩ３００の２０．０ｇｍ）混合物＋１１．０ｇｍのＮｉＢｒ２（理論上２３．６ｋＪ），入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２２４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５３ｋＪ。温度勾配ジャンプが１６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２８０℃。理論では２０ｋＪ。ゲインは２．６５倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇ＋４．０ｇｍのＷＣ＋２．２ｇｍのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１９７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１１ｋＪ。小さな温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜５００℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２．７５倍。
・５０．０ｇｍのＮａＨ＋５０．０ｇｍのＭｇ＋２００．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋１０９．５ｇｍのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１９９０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５７７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜１４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜９８０℃。理論では１９９ｋＪ。ゲインは２．９倍。
・Ｍｇ無しのコントロール：４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．３７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７５℃。理論では３．９８ｋＪ。ゲインは１．３５倍。
・コントロール：１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．１３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１９５−３１０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１６℃。理論では５．２５ｋＪ。
・コントロール：１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＮｉＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３８．２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は−０．１８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７７℃。理論では３．９８ｋＪ。
ＣｕＣｌ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．３４ｇのＣｕＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２５０−３８１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９３℃。理論では４．９ｋＪ。ゲインは２．１５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．３４ｇのＣｕＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２５０−３８１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９３℃。理論では４．９ｋＪ。ゲインは２．１５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋１．３４ｇのＣｕＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２２９−３５４℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１８℃。理論では４．９ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋１．３４ｇのＣｕＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．３ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２２９−３１４℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０９℃。理論では４．９ｋＪ。ゲインは１．６９倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ粉末＋２０．０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）混合物＋１０．７５ｇｍのＣｕＣｌ２（理論上４５ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２６８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８０ｋＪ。温度勾配ジャンプが２１０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３６０℃。理論では３９ｋＪ。ゲインは２倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中に１．４ｇのＣｕＣｌ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１４．６ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１９０℃（１８８−３７８℃）で有。最高セル温度は４３７℃。理論では４．９ｋＪ。ゲインは３倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ粉末＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋６．７ｇｍのＣｕＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２５５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。理論では２４．５ｋＪ。ゲインは２．２４倍。
ＣｕＣｌ
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１ｇのＣｕＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２８．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．９４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９５℃。理論では２．１８ｋＪ。ゲインは２．２６倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１ｇのＣｕＣｌ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２８．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．９４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９５℃。理論では２．１８ｋＪ。ゲインは２．２６倍。
ＣｏＩ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．１３ｇのＣｏＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４１．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１１℃。次の反応が考慮される：２ＮａＨ（ｃ）＋ＣｏＩ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＩ（ｃ）＋Ｃｏ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−４４９．８ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．５０ｋＪ。過剰熱は、−５．１８ｋＪ。ゲインは１．９倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．１３ｇのＣｏＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４１．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１１℃。次の反応が考慮される：２ＮａＨ（ｃ）＋ＣｏＩ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＩ（ｃ）＋Ｃｏ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−４４９．８ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．５０ｋＪ。過剰熱は、−５．１８ｋＪ。ゲインは１．９倍。
・３．１３ｇのＣｏＩ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．７ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１１７℃（２４８−３６５℃）で有。最高セル温度は４３８℃。理論では５．２７ｋＪ。ゲインは２．０３倍。
ＺｎＩ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．１９ｇのＺｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５７．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３３０℃。次の反応が考慮される：２ＮａＨ（ｃ）＋ＺｎＩ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＩ（ｃ）＋Ｚｎ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−３３０．４７ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−３．３０ｋＪ。過剰熱は、−２．５０ｋＪ。ゲインは１．７５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．１９ｇのＺｎＩ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５７．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：３３０℃。次の反応が考慮される：２ＮａＨ（ｃ）＋ＺｎＩ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＩ（ｃ）＋Ｚｎ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−３３０．４７ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−３．３０ｋＪ。過剰熱は、−２．５０ｋＪ。ゲインは１．７５倍。
・３．１９ｇのＺｎＩ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、５．９ｋＪ。セル温度の勾配変化は、７９℃（１８０−２５９℃）で有。最高セル温度は４２３℃。理論では４．２９ｋＪ。ゲインは１．３８倍。
ＮｉＦ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋０．９７ｇのＮｉＦ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が：２５３−３３５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８５℃。次の反応が考慮される：２ＮａＨ（ｃ）＋ＮｉＦ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＦ（ｃ）＋Ｎｉ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−４６４．４ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．６４ｋＪ。過剰熱は、−３．２４ｋＪ。ゲインは１．７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋０．９７ｇのＮｉＦ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が：２５３−３３５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８５℃。次の反応が考慮される：２ＮａＨ（ｃ）＋ＮｉＦ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＦ（ｃ）＋Ｎｉ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−４６４．４ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．６４ｋＪ。過剰熱は、−３．２４ｋＪ。ゲインは１．７倍。
・０．９７ｇのＮｉＦ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、８．７ｋＪ。セル温度の勾配変化は、６３℃（２５６−３１９℃）で有。最高セル温度は４１０℃。理論では５．２５ｋＪ。ゲインは１．６６倍。
ＣｏＢｒ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＣｏＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４０．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４６１℃。次の反応が考慮される。２ＮａＨ（ｃ）＋ＣｏＢｒ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＢｒ（ｃ）＋Ｃｏ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−４６４ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．６４ｋＪ。過剰熱は、−２．９ｋＪ。ゲインは１．６４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．１９ｇのＣｏＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４０．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４６１℃。次の反応が考慮される。２ＮａＨ（ｃ）＋ＣｏＢｒ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＢｒ（ｃ）＋Ｃｏ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−４６４ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．６４ｋＪ。過剰熱は、−２．９ｋＪ。ゲインは１．６４倍。
・２．１９ｇのＣｏＢｒ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．４ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１１０℃（３０６−４１６℃）で有。最高セル温度は４５０℃。理論では５．２７ｋＪ。ゲインは１．９７倍。
・２．１９ｇのＣｏＢｒ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．２ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４４６℃。理論では５．２７ｋＪ。ゲインは１．９４倍。
ＦｅＣｌ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．２７ｇのＦｅＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４５０℃。理論では３．６８ｋＪ。ゲインは２．８５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．２７ｇのＦｅＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４５０℃。理論では３．６８ｋＪ。ゲインは２．８５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋１．２７ｇのＦｅＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４１．７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４０℃。理論では３．６８ｋＪ。ゲインは１．９倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の１．３ｇのＦｅＣｌ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１１．５ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、１４２℃（２８７−４２９℃）で有。最高セル温度は４４８℃。理論では４．１ｋＪ。ゲインは２．８倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇ粉末＋２０．０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）混合物＋６．３５ｇｍのＦｅＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３７ｋＪ。温度勾配ジャンプが２２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。理論では１８．４ｋＪ。ゲインは２倍。
ＦｅＣｌ３
・２．７ｇのＦｅＣｌ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２１．３ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、２０５℃（１４７−３５２℃）で有。最高セル温度は４４５℃。理論では１０．８ｋＪ。ゲインは１．９７倍。
・２．７ｇのＦｅＣｌ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２１．３ｋＪ。セル温度の急激な上昇は、２０５℃（１４７−３５２℃）で有。最高セル温度は４４５℃。理論では１０．８ｋＪ。ゲインは１．９７倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋１．６ｇｍのＦｅＣｌ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。理論では６．６５ｋＪ。ゲインは２．１倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ３００＋８．１ｇｍのＦｅＣｌ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２５３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３００℃。理論では３３ｋＪ。ゲインは１．５６倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋６．５ｇｍのＦｅＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２９９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は無し。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。理論では１８．９ｋＪ。ゲインは２．３倍。
ＦｅＢｒ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．１６ｇのＦｅＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．９０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４５５℃。理論では３．６ｋＪ。ゲインは２．７５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．１６ｇのＦｅＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．９０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４５５℃。理論では３．６ｋＪ。ゲインは２．７５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋２．１６ｇのＦｅＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．８１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４２８℃。理論では３．６ｋＪ。ゲインは２．４４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋０．３３ｇのＬｉＨ＋２．１６ｇのＦｅＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１６４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．６８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４５０℃。理論では３．６ｋＪ。ゲインは２．４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１．６６ｇのＫＨ＋２．１６ｇのＦｅＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５９．８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．０７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：４５９℃。理論では３．６ｋＪ。ゲインは２．５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．９６ｇのＦｅＢｒ２。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−６．７ｋＪ。次の反応が考慮される：２ＮａＨ（ｃ）＋ＦｅＢｒ２（ｃ）＋Ｍｇ（ｃ）＝２ＮａＢｒ（ｃ）＋Ｆｅ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−４３５．１ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−４．３５ｋＪ。過剰熱は、−２．３５ｋＪ。１．５４Ｘ過剰の熱。
ＮｉＣｌ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．３０ｇのＮｉＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２３０−３６８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７６℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２．４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．３０ｇのＮｉＣｌ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２３０−３６８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７６℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２．４倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の１．３ｇのＮｉＣｌ２、０．３３ｇのＬｉＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、９．２ｋＪ。温度の勾配変化は、１００℃（２０５−３０５℃）で有。最高セル温度は４３２℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２．３倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の１．３ｇのＮｉＣｌ２、０．３３ｇのＬｉＨ、１ｇのＡｌ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、８．０ｋＪ。温度の勾配変化は、８５℃（２０６−２９１℃）で有。最高セル温度は４４７℃。理論では４ｋＪ。ゲインは２倍。
ＣｕＢｒ
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．４４ｇのＣｕＢｒ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．６７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８２℃。理論では２ｋＪ。ゲインは２．３３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．４４ｇのＣｕＢｒ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４．６７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）は見られず。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８２℃。理論では２ｋＪ。ゲインは２．３３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．４４ｇのＣｕＢｒ。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−７．６ｋＪ。次の反応が考慮される：ＣｕＢｒ（ｃ）＋ＫＨ（ｃ）＋０．５Ｍｇ（ｃ）＝ＫＢｒ（ｃ）＋Ｃｕ（ｃ）＋０．５ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−２６９．２ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−２．７０ｋＪ。過剰熱は、−４．９０ｋＪ。２．８Ｘ過剰の熱。
ＣｕＢｒ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．２３ｇのＣｕＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１８．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．０４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１０８−１８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６９℃。理論では４．６８ｋＪ。ゲインは１．７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．２３ｇのＣｕＢｒ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１８．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８．０４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１０８−１８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６９℃。理論では４．６８ｋＪ。ゲインは１．７倍。
ＳｎＦ４
・２．０ｇのＳｎＦ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１８．４ｋＪ。温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は５７６℃。理論では９．３ｋＪ。ゲインは１．９８倍。
・２．０ｇのＳｎＦ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１８．４ｋＪ。温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は５７６℃。理論では９．３ｋＪ。ゲインは１．９８倍。
ＡｌＩ３
・４．１ｇのＡｌＩ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．１ｋＪ。温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４１２℃。理論では６．６８ｋＪ。ゲインは１．５１倍。
・４．１ｇのＡｌＩ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１０．１ｋＪ。温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４１２℃。理論では６．６８ｋＪ。ゲインは１．５１倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ−３００＋２０．５ｇｍのＡｌＩ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３１８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４８ｋＪ。理論では３３．４ｋＪ。ゲインは１．４倍。
ＳｉＣｌ４
・１．７ｇのＳｉＣｌ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１２．６ｋＪ。温度の急激な上昇は、６８℃（３６６−４３４℃で有。最高セル温度は４７３℃。理論では７．３２ｋＪ。ゲインは１．７２倍。
・１．７ｇのＳｉＣｌ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１２．６ｋＪ。温度の急激な上昇は、６８℃（３６６−４３４℃で有。最高セル温度は４７３℃。理論では７．３２ｋＪ。ゲインは１．７２倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋０．０１ｍｏｌのＳｉＣｌ４（１．１５ｃｃ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１４．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１４．１９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２６０−４１０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４２３℃。理論では７．３２ｋＪ。ゲインは１．９４倍。
ＡｌＢｒ３
・２．７ｇのＡｌＢｒ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、７．５ｋＪ。温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４１２℃。理論では４．４６ｋＪ。ゲインは１．６８倍。
・２．７ｇのＡｌＢｒ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、７．５ｋＪ。温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は４１２℃。理論では４．４６ｋＪ。ゲインは１．６８倍。
ＦｅＣｌ３
・２．７ｇのＦｅＣｌ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２１．３ｋＪ。温度の急激な上昇は、２０５℃（１４７−３５２℃）で有。最高セル温度は４４５℃。理論では１０．８ｋＪ。ゲインは１．９７倍。
・２．７ｇのＦｅＣｌ３、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２１．３ｋＪ。温度の急激な上昇は、２０５℃（１４７−３５２℃）で有。最高セル温度は４４５℃。理論では１０．８ｋＪ。ゲインは１．９７倍。
ＳｅＢｒ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．９９ｇのＳｅＢｒ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２３．４０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１３２−４４８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４８℃。理論では１５．７ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．９９ｇのＳｅＢｒ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２３．４０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１３２−４４８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４８℃。理論では１５．７ｋＪ。ゲインは１．５倍。
ＳｎＢｒ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋４．３８ｇのＳｎＢｒ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２．４４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１２０−２７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３５９℃。理論では８．４ｋＪ。ゲインは１．４８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋４．３８ｇのＳｎＢｒ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１２．４４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１２０−２７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３５９℃。理論では８．４ｋＪ。ゲインは１．４８倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ粉末＋２０．０ｇｍのＣＡＩＩ３００＋２２．０ｇｍのＳｎＢｒ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１６３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２９０℃。理論では４２ｋＪ。ゲインは１．８６倍。
ＳｉＢｒ４
・３．５ｇのＳｉＢｒ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１１．９ｋＪ。温度の急激な上昇は、９９℃（３０４−４０３℃）で有。最高セル温度は４４９℃。理論では７．６２ｋＪ。ゲインは１．５６倍。
・３．５ｇのＳｉＢｒ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１１．９ｋＪ。温度の急激な上昇は、９９℃（３０４−４０３℃）で有。最高セル温度は４４９℃。理論では７．６２ｋＪ。ゲインは１．５６倍。
ＴｅＢｒ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋４．４７ｇのＴｅＢｒ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８６−４１１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１８℃。理論では１１．３ｋＪ。ゲインは１．６３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋４．４７ｇのＴｅＢｒ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８６−４１１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１８℃。理論では１１．３ｋＪ。ゲインは１．６３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋４．４７ｇのＴｅＢｒ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１４．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１４４−３０５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７４℃。理論では１１．４ｋＪ。ゲインは１．２９倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の４．５ｇのＴｅＢｒ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇＨ２粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１９．１ｋＪ。温度の急激な上昇は、２１８℃（１７２−３９０℃）で有。最高セル温度は４１０℃。理論では１２．６５ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の４．５ｇのＴｅＢｒ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２３．５ｋＪ。温度の急激な上昇は、２４７℃（１８４−４３１℃）で有。最高セル温度は４３６℃。理論では１２．４ｋＪ。ゲインは１．８９倍。
・６．６４ｇｍのＫＨ＋４．０ｇｍのＭｇ粉末＋１６ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）＋１８ｇｍのＴｅＢｒ４（ｋＪ理論上）（５Ｘスケールアップの８０％）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２１３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７７ｋＪ。温度勾配ジャンプは、１４０℃。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。理論では４８．４ｋＪ。ゲインは１．５９倍。
ＴｅＣｌ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．７ｇのＴｅＣｌ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６．７６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１１４−３００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８５℃。理論では１３ｋＪ。ゲインは１．２９倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．７ｇのＴｅＣｌ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９９．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６．７６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１１４−３００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８５℃。理論では１３ｋＪ。ゲインは１．２９倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、２．７ｇのＴｅＣｌ４、０．３３ｇのＬｉＨ、１ｇのＭｇＨ２粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２０．４ｋＪ。温度の急激な上昇は、１４０℃（１３８−２７８℃）で有。最高セル温度は３９９℃。理論では１２．１ｋＪ。ゲインは１．６９倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、２．７ｇのＴｅＣｌ４、０．３３ｇのＬｉＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１７．２ｋＪ。温度の急激な上昇は、２４０℃（１３７−３７７℃）で有。最高セル温度は３９８℃。理論では１２．８ｋＪ。ゲインは１．３４倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、２．７ｇのＴｅＣｌ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇＨ２粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１５．６ｋＪ。温度の急激な上昇は、２１６℃（１３９−３５５℃）で有。最高セル温度は３５８℃。理論では１２．１ｋＪ。ゲインは１．２９倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、２．７ｇのＴｅＣｌ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＡｌ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１９．４ｋＪ。温度の急激な上昇は、２０２℃（８９−２９１℃）で有。最高セル温度は５４３℃。理論では１０．９ｋＪ。ゲインは１．７８倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、２．７ｇのＴｅＣｌ４、０．３３ｇのＬｉＨ、１ｇのＡｌ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１９．０ｋＪ。温度の急激な上昇は、２８８℃（１５５−４４３℃）で有。最高セル温度は４４３℃。理論では１０．９ｋＪ。ゲインは１．７４倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、２．７ｇのＴｅＣｌ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１７．７ｋＪ。温度の急激な上昇は、２０８℃（８４−２９２℃）で有。最高セル温度は３９６℃。理論では１３ｋＪ。ゲインは１．３６倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、２．７ｇのＴｅＣｌ４、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＡｌ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１８．７ｋＪ。温度の急激な上昇は、２２４℃（１１２−３３６℃）で有。最高セル温度は３９８℃。理論では１２ｋＪ。ゲインは１．５６倍。
ＳｅＣｌ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．２１ｇのＳｅＣｌ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．１４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１４１−４３５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４３５℃。理論では１５ｋＪ。ゲインは１．４８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋２．２１ｇのＳｅＣｌ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．１４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１４１−４３５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４３５℃。理論では１５ｋＪ。ゲインは１．４８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１．６６ｇのＫＨ＋２．２０ｇのＳｅＣｌ４。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−２５．２ｋＪ。次の反応が考慮される：ＳｅＣｌ４（ｃ）＋４ＫＨ（ｃ）＋３Ｍｇ（ｃ）＝４ＫＣｌ（ｃ）＋ＭｇＳｅ（ｃ）＋２ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−１７５０．４ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−１７．５ｋＪ。過剰熱は、−７．７ｋＪ。１．４４Ｘ過剰の熱。
ＣＦ４
・５０ｇｍのＮａＨ＋５０ｇｍのＡｌ＋２００ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００＋０．３ｍｏｌｅのＣＦ４。４５ＰＳＩＧのリザーバー・セル体積は、２２２１．８ＣＣ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２１９０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４８２ｋＪ。温度ジャンプは、２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜７６０℃。理論では３４５ｋＪ。ゲインは１．４倍。
・５０ｇｍのＮａＨ＋５０ｇｍのＡｌ＋２００ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００＋０．３ｍｏｌｅのＣＦ４。４５ＰＳＩＧのリザーバー・セル体積は、２２２１．８ＣＣ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２１９０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４８２ｋＪ。温度ジャンプは、２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜７６０℃。理論では３４５ｋＪ。ゲインは１．４倍。
・５０．０ｇｍのＮａＨ＋５０ｇｍのＭｇ粉末＋２００ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ−３００＋７５−９．９ＰＳＩＧ（空にした後）のＣＦ４。リザーバーの体積が１８００ＣＣで、この圧力低下に対して、ｎ＝０．３５６ｍｏｌｅ。理論エネルギーは〜３９２ｋＪ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１８１０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７６５ｋＪ。温度勾配ジャンプは、１７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）は、〜１０００℃。ゲインは７６５／３９２＝１．９５Ｘ。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋（１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋０．０１２３ｍｏｌｅのＣＦ４。理論エネルギーは〜１３．６ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１４３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２５ｋＪ。温度勾配ジャンプは、２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜５００℃。エネルギー・ゲインは、〜１．８Ｘ。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋（１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ−３００４ｇｍ）ボールミル＋〜０．０１ｍｏｌｅのＣＦ４。理論エネルギーは〜１０．２ｋＪ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８ｋＪ。温度勾配ジャンプは、２６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜５００℃。エネルギー・ゲインは、〜１．７Ｘ。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋（１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ−３００４ｇｍ）ボールミル＋０．００６ｍｏｌｅのＣＦ４。理論エネルギーは、〜７．２ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１５ｋＪ。温度勾配ジャンプが３００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４４０℃。エネルギー・ゲインは、〜２．０Ｘ。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋３．５５ｇのＲｂ＋０．００８２ｍｏｌのＣＦ４＋０．００６３ｍｏｌのＨ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は７６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２０．７２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３０−２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３４８℃。理論では１０ｋＪ。ゲインは２倍。
ＳＦ６
・５０ｇｍのＮａＨ＋５０ｇｍのＭｇＨ２＋２００ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００＋０．２９ｍｏｌｅのＳＦ６。４３ＰＳＩＧのリザーバー・セル体積は、２２２１．８ＣＣ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１７６０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９２０ｋＪ。温度勾配ジャンプは、〜１４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜１１００℃。理論では６３８ｋＪ。ゲインは１．４４倍。
・５０ｇｍのＮａＨ＋５０ｇｍのＭｇＨ２＋２００ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００＋０．２９ｍｏｌｅのＳＦ６。４３ＰＳＩＧのリザーバー・セル体積は、２２２１．８ＣＣ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１７６０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９２０ｋＪ。温度勾配ジャンプは、〜１４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜１１００℃。理論では６３８ｋＪ。ゲインは１．４４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋０．００９４ｍｏｌのＳＦ６。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９６．７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３３．１４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１１０−４５５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４５５℃。理論では２０．６５ｋＪ。過剰は、１２．５ｋＪ。ゲインは１．６倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＡｌ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋０．０１ｍｏｌｅのＳＦ６。理論エネルギーは、〜２０ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。温度勾配変化は、〜１００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４００℃。理論では２０．４ｋＪ。過剰は、９．６ｋＪ。ゲインは１．４７倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋０．０１ｍｏｌｅのＳＦ６。理論エネルギーは〜２２ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２８ｋＪ。温度勾配変化は、〜１１０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４１０℃。理論では２２ｋＪ。過剰は、６ｋＪ。ゲインは１．２７倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＡｌナノ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋０．００５ｍｏｌｅのＳＦ６。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０７ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１ｋＪ。温度勾配変化は、〜１６０℃。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３８０℃。理論では１０．２ｋＪ。ゲインは２倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋０．００５ｍｏｌｅのＳＦ６（ＳＦ６）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８ｋＪ。温度勾配変化は、〜１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３７０℃。理論では１２．５ｋＪ。過剰は、５．５ｋＪ。ゲインは１．４４倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋０．００２５ｍｏｌｅのＳＦ６。理論エネルギーは、〜５．５ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１００ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０ｋＪ。温度勾配変化は、〜１６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３５℃。理論では５．５ｋＪ。ゲインは１．８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋０．５ｇのＢ＋１ｇのＮａＨ＋０．００４７ｍｏｌのＳＦ６。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１５．１４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２１０−３５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４０９℃。理論では１０．１２ｋＪ。過剰は、５ｋＪ。ゲインは１．４９倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１．６６ｇのＫＨ＋０．００９２９ｍｏｌのＳＦ６（セル温度がＳＦ６を満たすと２９℃に上昇した）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は６６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２６．１１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３７−３７５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７５℃。理論では２０．４ｋＪ。ゲインは１．２８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋０．３３ｇのＬｉＨ＋０．００９２９ｍｏｌのＳＦ６（セル温度がＳＦ６を満たすと２６℃に上昇した）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３２．４５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２７５−５４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５５０℃。理論では２３．２ｋＪ。ゲインは１．４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＳ＋１ｇのＮａＨ＋０．０１０６ｍｏｌのＳＦ６（オンライン）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が５１−３１３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３５４℃。理論では１１．２ｋＪ。ゲインは１．６倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇＨ２＋２０．０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋ＳＦ６４０ＰＳＩＧ。０．０２６ｍｏｌｅのオンライン（理論エネルギーは〜５７ｋＪ）２インチ（５．０８ｃｍ）のセル。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２２４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は８６ｋＪ。温度ジャンプは、１５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。理論では５７ｋＪ。ゲインは１．５倍。
ＴｅＯ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋１．６ｇのＴｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２５．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８．４６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２１０−４４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４０℃。理論では９．６７ｋＪ。過剰は、８．８ｋＪ。ゲインは１．９倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋１．６ｇのＴｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は３２５．１ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８．４６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２１０−４４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４４０℃。理論では９．６７ｋＪ。過剰は、８．８ｋＪ。ゲインは１．９倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋２ｇのＭｇＨ２＋２ｇのＮａＨ＋３．２ｇのＴｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３１．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８５−４９１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４９８℃。理論では１７．２８ｋＪ。ゲインは１．８３倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、１．６ｇのＴｅＯ２、０．３３ｇのＬｉＨ、１ｇのＡｌ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１８．１ｋＪ。温度の急激な上昇は、見られず。最高セル温度は６３７℃。理論では８．６６ｋＪ。ゲインは２．１倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、１．６ｇのＴｅＯ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇＨ２粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２２．０ｋＪ。温度の急激な上昇は、２３３℃（３１６−５４９℃）で有。最高セル温度は５５４℃。理論では８．６４ｋＪ。ゲインは２．５５倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、１．６ｇのＴｅＯ２、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＭｇ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２０．３ｋＪ。温度の急激な上昇は、２７４℃（２６８−５４２℃）で有。最高セル温度は５４９℃。理論では１０．９ｋＪ。ゲインは１．８６倍。
・５．０ｇｍのＮａＨ＋５．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋２０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋８．０ｇｍのＴｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２５３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は７７ｋＪ。温度勾配のジャンプは、２００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４００℃。理論では４８．３５ｋＪ。ゲインは１．６倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４．０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋１．６ｇｍのＴｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６ｋＪ。温度勾配ジャンプが、１９０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４００℃。理論では９．６７ｋＪ。ゲインは１．６５倍。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４．０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋１．６ｇｍのＴｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１９ｋＪ。温度勾配ジャンプが、３４０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜５７０℃。理論では９．６７ｋＪ。ゲインは２倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＮａＨ＋１．６ｇのＴｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１１．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が：２０７−３５２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３８１℃。理論では６．６ｋＪ。ゲインは１．６７倍。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋１．６ｇｍのＴｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３３ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１５ｋＪ。温度勾配ジャンプが、２８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４６０℃。理論では８．６４ｋＪ。ゲインは１．７４５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．６０ｇのＴｅＯ２。実験上の出力エネルギー（ｄＥ）は−１７．０ｋＪ。次の反応が考慮される：ＴｅＯ２（ｃ）＋３Ｍｇ（ｃ）＋２ＮａＨ（ｃ）＝２ＭｇＯ（ｃ）＋Ｎａ２Ｔｅ（ｃ）＋ＭｇＨ２（ｃ）Ｑ＝−１１９２．７ｋＪ／ｒｅａｃｔｉｏｎ。理論化学反応エネルギーは、−１１．９ｋＪ。過剰熱は、−５．１ｋＪ。１．４３Ｘ過剰の熱。
Ｐ２Ｏ５
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、１．６６ｇのＫＨ、２ｇのＰ２Ｏ５、及び、１ｇのＭｇＨ２、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２１．２ｋＪ。温度の急激な上昇は、２４２℃（２９９−５４１℃）で有。最高セル温度は５４９℃。理論では１０．８ｋＪ。過剰は、１０．３５ｋＪ。ゲインは１．９６倍。
０３２６０９ＧＣ４：０３１９０９ＲＣＷＦ４／１．６６ｇのＫＨ＋２ｇのＰ２Ｏ５＋１ｇのＭｇＨ２＋ＤＭＦ−ｄ７中の４ｇのＣＡＩＩＩ−３００（受領した状態）。強い−３．８６ｐｐｍのピーク。
０３２６０９ＧＣ４：０３１９０９ＲＣＷＦ４／１．６６ｇのＫＨ＋２ｇのＰ２Ｏ５＋１ｇのＭｇＨ２＋ＤＭＦ−ｄ７中の４ｇのＣＡＩＩＩ−３００（受領した状態）。強い−３．８６ｐｐｍのピーク。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセルの中の、１．６６ｇのＫＨ、２ｇのＰ２Ｏ５、及び、１ｇのＭｇＨ２、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２１．２ｋＪ。温度の急激な上昇は、２４２℃（２９９−５４１℃）で有。最高セル温度は５４９℃。理論では１０．８ｋＪ。過剰は、１０．３５ｋＪ。ゲインは１．９６倍。
０３２６０９ＧＣ４：０３１９０９ＲＣＷＦ４／１．６６ｇのＫＨ＋２ｇのＰ２Ｏ５＋１ｇのＭｇＨ２＋ＤＭＦ−ｄ７中の４ｇのＣＡＩＩＩ−３００（受領した状態）。強い−３．８６ｐｐｍのピーク。
０３２６０９ＧＣ４：０３１９０９ＲＣＷＦ４／１．６６ｇのＫＨ＋２ｇのＰ２Ｏ５＋１ｇのＭｇＨ２＋ＤＭＦ−ｄ７中の４ｇのＣＡＩＩＩ−３００（受領した状態）。強い−３．８６ｐｐｍのピーク。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１．６６ｇのＫＨ＋２ｇのＰ２Ｏ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１．６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３２０−６１６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：６１６℃。理論では１１．５ｋＪ。過剰は、１０．１ｋＪ。ゲインは１．９倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋２０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋１０．０ｇｍのＰ２Ｏ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は２７２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は９８ｋＪ。ジャンプが２５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４５０℃。理論では５４ｋＪ。ゲインは１．８１倍。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋２．０ｇｍのＰ２Ｏ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１ｋＪ。ジャンプが３００℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜５５０℃。理論では１０．８ｋＪ。ゲインは１．９４倍。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋２．０ｇｍのＰ２Ｏ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１ｋＪ。温度勾配ジャンプが、２７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜６００℃。理論では１０．８ｋＪ。ゲインは１．９５倍。
ＮａＭｎＯ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＳｉ＋１ｇのＮａＨ＋３．５ｇのＮａＭｎＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２６．２５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４５−３３０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４６５℃。理論では１７．６ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＳｉ＋１ｇのＮａＨ＋３．５ｇのＮａＭｎＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２３．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２６．２５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４５−３３０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４６５℃。理論では１７．６ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋３．５ｇのＮａＭｎＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２０．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３２．４１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４４−３７３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４３３℃。理論では２０．５ｋＪ。過剰は、７．７ｋＪ。ゲインは１．５８倍。
・４ｇ ＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇ Ｍｇ＋１ｇ ＮａＨ＋３．５ｇ ＮａＭｎＯ４；入力エネルギー（Ｅｉｎ）は６６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３２．２７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が７４−４３０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４３０℃。理論では１７．４ｋＪ。過剰は、１４．９ｋＪ。ゲインは１．８５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．５ｇのＮａＭｎＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は７２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３４．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４９−３６２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６４℃。理論では１７．４ｋＪ。過剰は、１６．７ｋＪ。ゲインは２倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＭｇ粉末＋２０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋１７．５ｇｍのＮａＭｎＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１６０ｋＪ。温度勾配ジャンプが、７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。理論では８７ｋＪ。ゲインは１．８４倍。
・８．３ｇｍのＫＨ＋５．０ｇｍのＡｌ粉末＋２０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋１７．５ｇｍのＮａＭｎＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１７１ｋＪ。温度勾配ジャンプが、５０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３５０℃。理論では１０２．５ｋＪ。ゲインは１．６６倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４．０ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋３．５ｇｍのＮａＭｎＯ４（理論上、〜１７．４ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は５４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３２ｋＪ。温度勾配ジャンプが、６０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４５０℃。理論では１７．４ｋＪ。ゲインは１．８倍。
・１．６６ｇｍのＫＨ＋１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４．０ｇｍのＴｉＣ＋３．５ｇｍのＮａＭｎＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は６５ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３０ｋＪ。温度勾配ジャンプが、７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４１０℃。理論では１７．４ｋＪ。ゲインは１．７倍。
Ｎｉｔｒａｔｅ
・１インチ（２．５４ｃｍ）のセル中の、２．ｇのＮａＨ、３ｇのＮａＮＯ３、並びに、１ｇのＴｉ粉末及び４ｇの活性炭粉末（３００℃で乾燥）の混合物。エネルギー・ゲインは、３３．２ｋＪ。そして、温度の急上昇が、４１８℃（１１０−５２８℃）で有。最高セル温度が、５３０℃。理論では２４．８ｋＪ。過剰は、８．４ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）のセル中の、２．ｇのＮａＨ、３ｇのＮａＮＯ３、並びに、１ｇのＴｉ粉末及び４ｇの活性炭粉末（３００℃で乾燥）の混合物。エネルギー・ゲインは、３３．２ｋＪ。そして、温度の急上昇が、４１８℃（１１０−５２８℃）で有。最高セル温度が、５３０℃。理論では２４．８ｋＪ。過剰は、８．４ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）のセル中の、３．ｇのＮａＨ、３ｇのＮａＮＯ３、並びに、１ｇのＡｌナノ粉末及び４ｇの活性炭粉末（３００℃で乾燥）の混合物。エネルギー・ゲインは、４２．３ｋＪ。そして、温度の急上昇が、３８４℃（１５０−５３４℃）で有。最高セル温度が、５４０℃。理論では３３．３ｋＪ。過剰は、９ｋＪ。ゲインは１．２７倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）のセル中の、２，１ｇのＮａＨ、３ｇのＮａＮＯ３、並びに、１ｇのＭｇＨ２及び４ｇの活性炭粉末（３００℃で乾燥）の混合物。エネルギー・ゲインは、４３．４ｋＪ。そして、温度の急上昇が、３８２℃（６７−４４９℃）で有。最高セル温度が、４５１℃。理論では２８．６ｋＪ。過剰は、１４．８ｋＪ。ゲインは１．５２７倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル中の、０．３３ｇのＬｉＨ、１．７ｇのＬｉＮＯ３、並びに、１ｇのＭｇＨ２及び４ｇの活性炭粉末（３００℃で乾燥）の混合物。エネルギー・ゲインは、４０．１ｋＪ。そして、温度の急上昇が、３３７℃（９２−４２９℃）で有。最高セル温度が、４３１℃。理論では２１．６ｋＪ。過剰は、１８．５ｋＪ。ゲインは１．８６倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）のセル中の、０．３３ｇのＬｉＨ、１．７ｇのＬｉＮＯ３、並びに、１ｇのＴｉ及び４ｇの活性炭粉末（３００℃で乾燥）の混合物。エネルギー・ゲインは、３６．５ｋＪ。そして、温度の急上昇が、３１９℃（８３−４０２℃）で有。最高セル温度が、４５０℃。理論では１８．４ｋＪ。過剰は、１８ｋＪ。ゲインは２倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋２．４２ｇのＬｉＮＯ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は７５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３９．０１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が５７−４９２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４９２℃。理論では２８．５ｋＪ。過剰は、１０．５ｋＪ。ゲインは１．３７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋２．４２ｇのＬｉＮＯ３。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８１．２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４１．８９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が７３−５２８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５２８℃。理論では３４．６ｋＪ。過剰は、７．３ｋＪ。ゲインは１．２１倍。
ＣｌＯ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋２ｇのＮａＣｌＯ４＋１ｇのＮａＨ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３８．８８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１３０−５５１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５５１℃。理論では３０．７ｋＪ。過剰は、８．２ｋＪ。ゲインは１．２７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋２ｇのＮａＣｌＯ４＋１ｇのＮａＨ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３８．８８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１３０−５５１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５５１℃。理論では３０．７ｋＪ。過剰は、８．２ｋＪ。ゲインは１．２７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋４．２９ｇのＮａＣｌＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は、８８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５８．２４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１１９−６１５℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：６１５℃。理論では４７．１ｋＪ。過剰は、１１．１４ｋＪ。ゲインは１．２３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋４．２９ｇのＮａＣｌＯ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は５６．２６ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１１３−５７１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５７１℃。理論では３６．２ｋＪ。過剰は、２０．１ｋＪ。ゲインは１．５５倍。
Ｋ２Ｓ２Ｏ８
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１．６６ｇのＫＨ＋２．７ｇのＫ２Ｓ２Ｏ８。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２７．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１７８−４６２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４６８℃。理論では１９．６ｋＪ。過剰は、７．８ｋＪ。ゲインは１．４０倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１．６６ｇのＫＨ＋２．７ｇのＫ２Ｓ２Ｏ８。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２７．４ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１７８−４６２℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４６８℃。理論では１９．６ｋＪ。過剰は、７．８ｋＪ。ゲインは１．４０倍。
ＳＯ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋０．０１４６ｍｏｌのＳＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は５８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２０．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４２−２８７℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３０９℃。理論では１５ｋＪ。過剰は、５．７ｋＪ。ゲインは１．３８倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋０．０１４６ｍｏｌのＳＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は５８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２０．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４２−２８７℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３０９℃。理論では１５ｋＪ。過剰は、５．７ｋＪ。ゲインは１．３８倍。
Ｓ
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋３．２ｇのＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は６７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４９−３５６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６６℃。理論では１７．９ｋＪ。過剰は、４．８ｋＪ。ゲインは１．２７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋３．２ｇのＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は６７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が４９−３５６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６６℃。理論では１７．９ｋＪ。過剰は、４．８ｋＪ。ゲインは１．２７倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル中の、１．３ｇのＳ粉末、１．６６ｇのＫＨ、１ｇのＳｉ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＩＩ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１３．７ｋＪ。そして、温度の急上昇が、１２９℃（６６−１９５℃）で有。最高セル温度が、４１５℃。理論では７．５ｋＪ。過剰は、１．８２倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル中の、３．２ｇのＳ粉末、０．３３ｇのＬｉＨ、１ｇのＡｌ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＶ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、２７．１ｋＪ。そして、温度の急上昇が、３０１℃（１６３−４６４℃）で有。最高セル温度が、４８４℃。理論では２０．９ｋＪ。過剰は、６．２ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・１インチ（２．５４ｃｍ）の極めて頑丈なセル中の、３．２ｇのＳ粉末、０．３３ｇのＬｉＨ、１ｇのＳｉ粉末、及び、４ｇのＣＡ−ＩＶ３００活性炭粉末（３００℃で乾燥）。エネルギー・ゲインは、１７．７ｋＪ。そして、温度の急上昇が、２３３℃（２１２−４４５℃）で有。最高セル温度が、４５１℃。理論では１３．７ｋＪ。過剰は、４ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＳｉ＋１．６６ｇのＫＨ＋１．３ｇのＳ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．８ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が５２−１９６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３２６℃。理論では７．４ｋＪ。ゲインは１．４５倍。
ＳｎＦ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．９５ｇのＳｎＦ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３０．２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１３．８９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３７５−５２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５２５℃。理論では９．３ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．９５ｇのＳｎＦ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３０．２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１３．８９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３７５−５２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５２５℃。理論では９．３ｋＪ。ゲインは１．５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋１．９５ｇのＳｎＦ４。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３０．２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１３．８９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が３７５−５２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５２５℃。理論では９．３ｋＪ。ゲインは１．５倍。
ＳｅＯ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋２ｇのＭｇＨ２＋２ｇのＮａＨ＋２．２ｇのＳｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２９．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が９９−３８８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９３℃。理論では２０．５ｋＪ。ゲインは１．４倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋２ｇのＭｇＨ２＋２ｇのＮａＨ＋２．２ｇのＳｅＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２９．５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が９９−３８８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９３℃。理論では２０．５ｋＪ。ゲインは１．４倍。
ＣＳ２
・１．０ｇｍのＮａＨ＋（１．０ｇｍのＡｌ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋ＰＰのバイアル中にある、１．２ｍｌのＣＳ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は７２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８ｋＪ。温度勾配ジャンプが〜８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。理論では１１．４ｋＪ。ゲインは１．５８倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋（１．０ｇｍのＡｌ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋ＰＰのバイアル中にある、１．２ｍｌのＣＳ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は７２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８ｋＪ。温度勾配ジャンプが〜８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３２０℃。理論では１１．４ｋＪ。ゲインは１．５８倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＭｇＨ２粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋ＰＰのバイアル中にある、１．２ｍｌのＣＳ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８２ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１８ｋＪ。温度勾配ジャンプが、〜８０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜３３０℃。理論では１２．６ｋＪ。ゲインは１．４倍。
ＣＯ２
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋０．００９５３ｍｏｌのＣＯ２（ＣＯ２を満たすと、セル温度が４５℃まで上昇）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１８８．４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．３７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が８０−１２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５０８℃。理論では６．３ｋＪ。ゲインは１．６５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋０．００９５３ｍｏｌのＣＯ２（ＣＯ２を満たすと、セル温度が４５℃まで上昇）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１８８．４ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１０．３７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が８０−１２０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：５０８℃。理論では６．３ｋＪ。ゲインは１．６５倍。
ＰＦ５
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋０．０１０ｍｏｌのＰＦ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１５．６５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２１０−３７１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７１℃。理論では１０ｋＪ。過剰は、６．４５ｋＪ。ゲインは１．５７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋０．０１０ｍｏｌのＰＦ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１２７．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１５．６５ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が２１０−３７１℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３７１℃。理論では１０ｋＪ。過剰は、６．４５ｋＪ。ゲインは１．５７倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＡｌ＋１ｇのＮａＨ＋０．０１ｍｏｌのＰＦ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０１．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１５．７ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１７８−３７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９１℃。理論では１０ｋＪ。ゲインは１．５７倍。
ＮＦ３
・１．０ｇｍのＮａＨ＋（１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ−３００）ボールミル＋０．０１１ｍｏｌｅのＮＦ３。そして、理論エネルギーは〜ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２８ｋＪ。温度勾配ジャンプが、７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４７０℃。理論では１９．６ｋＪ。ゲインは１．４倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋（１．０ｇｍのＭｇ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ−３００）ボールミル＋０．０１１ｍｏｌｅのＮＦ３。そして、理論エネルギーは〜ｋＪ）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１３６ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２８ｋＪ。温度勾配ジャンプが、７０℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜４７０℃。理論では１９．６ｋＪ。ゲインは１．４倍。
ＰＣｌ５
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋２．０８ｇのＰＣｌ５＋１ｇのＮａＨ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９０．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２０．２９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８０−３７９℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９１℃。理論では１３．９２ｋＪ。ゲインは１．４５倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋２．０８ｇのＰＣｌ５＋１ｇのＮａＨ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は９０．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２０．２９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１８０−３７９℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９１℃。理論では１３．９２ｋＪ。ゲインは１．４５倍。
Ｐ２Ｓ５
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋２．２２ｇのＰ２Ｓ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１３．７９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１５０−３６３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９８℃。理論では１０．５ｋＪ。過剰は、３．３ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇＨ２＋１ｇのＮａＨ＋２．２２ｇのＰ２Ｓ５。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０５．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１３．７９ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１５０−３６３℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３９８℃。理論では１０．５ｋＪ。過剰は、３．３ｋＪ。ゲインは１．３倍。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋１．０ｇｍのＡｌ粉末＋４ｇｍの活性炭ＣＡＩＩ３００）ボールミル＋２．２２ｇｍのＰ２Ｓ５）。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１１０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は１４ｋＪ。Ｔｅｍｐ．Ｓｌｏｐｅｊｕｍｐａｔ〜１７０℃ｗｉｔｈ最高温度（Ｔｍａｘ）〜４２５℃。理論では１０．１ｋＪ。ゲインは１．３９倍。
Ｏｘｉｄｅ
・４ｇのＡＣ＋１ｇのＭｇＨ２＋１．６６ｇのＫＨ＋１．３５ｇのＫＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１５７−４０８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１６℃。理論では１５．４ｋＪ。ゲインは１．３６倍。
・４ｇのＡＣ＋１ｇのＭｇＨ２＋１．６６ｇのＫＨ＋１．３５ｇのＫＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は８６．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２１．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１５７−４０８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４１６℃。理論では１５．４ｋＪ。ゲインは１．３６倍。
ＭｎＯ４
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．５ｇのＭｎＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．１１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１７０−４９８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４９８℃。理論では１８．４ｋＪ。過剰は、３．７ｋＪ。ゲインは１．２倍。
・４ｇのＣＡＩＩＩ−３００＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋３．５ｇのＭｎＯ２。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０８．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．１１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が１７０−４９８℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：４９８℃。理論では１８．４ｋＪ。過剰は、３．７ｋＪ。ゲインは１．２倍。
Ｎ２Ｏ
・４ｇのＰｔ／Ｃ＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋０．０１９８ｍｏｌのＮ２Ｏ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は７２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が７３−３４６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６１℃。理論では１６．２ｋＪ。ゲインは１．３７倍。
・４ｇのＰｔ／Ｃ＋１ｇのＭｇ＋１ｇのＮａＨ＋０．０１９８ｍｏｌのＮ２Ｏ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は７２．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は２２．２ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が７３−３４６℃で有。最高温度（Ｔｍａｘ）：３６１℃。理論では１６．２ｋＪ。ゲインは１．３７倍。
ＨＦＢ
・１．０ｇｍのＮａＨ＋ボールミルされた（１ｇｍのアルミ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ）ナノ粉末＋５ｇｍの活性炭（ＡＣ））＋１ｍｌのＨＦＢ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３５ｋＪ。４５０℃の温度ジャンプが、９０℃で有。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋ボールミルされた（１ｇｍのアルミ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ）ナノ粉末＋５ｇｍの活性炭（ＡＣ））＋１ｍｌのＨＦＢ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０８ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３５ｋＪ。４５０℃の温度ジャンプが、９０℃で有。
・１．０ｇｍのＮａＨ＋ボールミルされた（５ｇｍのＬａ＋５ｇｍの活性炭）＋１ｍｌのヘキサフルオロベンゼン。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１０９ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３８ｋＪ。４００℃の温度ジャンプが、９０℃で有。
・ボールミルされた（４ｇの活性炭（ＡＣ）＋１ｇのＭｇＨ２）＋１ｍｌのＨＦＢ＋１ｇのＮａＨ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５０．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は４５．１ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が〜５０−２４０で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜２５０℃。
・Ｂｌｅｎｄ（４ｇのＡＣ＋１ｇのＭｇＨ２）＋１ｍｌのＨＦＢ＋１ｇのＮａＨ。入力エネルギー（Ｅｉｎ）は１５０．０ｋＪ。出力エネルギー（ｄＥ）は３５．０ｋＪ。温度の急激な上昇（ＴＳＣ）が５４−２５５℃で有。４５−２４１℃，４８−１９９℃；最高温度（Ｔｍａｘ）：２５８℃，２４７℃，２０６℃（三重セル）。
・１インチ（２．５４ｃｍ）セル中の、１．６６ｇのＫＨ、１ｍｌのヘキサデカフルオロヘプタン（ＨＤＦＨ）、４ｇの活性炭粉末、及び１ｇのＭｇＨ２の混合物。出力エネルギー（ｄＥ）は３４．３ｋＪ。温度の急激な上昇は、４１９℃（１４５−５６４℃）で有。最高温度（Ｔｍａｘ）〜５７５℃。
Ｂ．ソリューションＮＭＲ
ハイドリノを形成するための代表的な反応混合物は、（ｉ）ＬｉＨ，ＫＨ，及びＮａＨから選択される１つのような少なくとも１つの触媒と、（ｉｉ）ＮｉＢｒ２、ＭｎＩ２、ＡｇＣｌ、ＥｕＢｒ２、ＳＦ６、Ｓ、ＣＦ４、ＮＦ３、ＬｉＮＯ３，Ａｇを伴うＭ２Ｓ２Ｏ８、及びＰ２Ｏ５から選択される１つのような少なくとも１つの酸化剤と、（ｉｉｉ）Ｍｇ粉末、又はＭｇＨ２、Ａｌ粉末、又はアルミニウム・ナノパウダー（ＡｌＮＰ）、Ｓｒ、及びＣａから選択される１つのような少なくとも１つの還元剤と、及び（ｉｖ）ＡＣ及びＴｉＣから選択される１つのような少なくとも１つの支持体と、からなる。反応混合物の５０ｍｇの反応生成物は、バイアルに入った１．５ｍｌの重水素化Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド−ｄ７（ＤＣＯＮ（ＣＤ３）２、ＤＭＦ−ｄ７、（９９．５％、ケンブリッジ・アイソトープ・ラバラトリーズ・インク社製）に加えられた。これは、ガラスポリテトラフルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮ(登録商標)）バルブで密閉され、撹拌され、アルゴン雰囲気下でグローブボックス中で１２時間に渡って溶解するようにされた。如何なる固体もない状態での溶液は、ＮＭＲチューブ（外径５ｍｍ。長さ２３ｃｍ。Ｗｉｌｍａｄ社製）にガス気密接続により移され、炎でチューブが封された。ＮＭＲスペクトルは、５００ＭＨｚブルーカーＮＭＲスペクトロメータ（重水素でロック）で記録された。化学シフトは、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）に相対的に、８．０３ｐｐｍでＤＭＦ−ｄ７のような溶媒周波数に参照された。
ハイドリノを形成するための代表的な反応混合物は、（ｉ）ＬｉＨ，ＫＨ，及びＮａＨから選択される１つのような少なくとも１つの触媒と、（ｉｉ）ＮｉＢｒ２、ＭｎＩ２、ＡｇＣｌ、ＥｕＢｒ２、ＳＦ６、Ｓ、ＣＦ４、ＮＦ３、ＬｉＮＯ３，Ａｇを伴うＭ２Ｓ２Ｏ８、及びＰ２Ｏ５から選択される１つのような少なくとも１つの酸化剤と、（ｉｉｉ）Ｍｇ粉末、又はＭｇＨ２、Ａｌ粉末、又はアルミニウム・ナノパウダー（ＡｌＮＰ）、Ｓｒ、及びＣａから選択される１つのような少なくとも１つの還元剤と、及び（ｉｖ）ＡＣ及びＴｉＣから選択される１つのような少なくとも１つの支持体と、からなる。反応混合物の５０ｍｇの反応生成物は、バイアルに入った１．５ｍｌの重水素化Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド−ｄ７（ＤＣＯＮ（ＣＤ３）２、ＤＭＦ−ｄ７、（９９．５％、ケンブリッジ・アイソトープ・ラバラトリーズ・インク社製）に加えられた。これは、ガラスポリテトラフルオロエチレン（ＴＥＦＬＯＮ(登録商標)）バルブで密閉され、撹拌され、アルゴン雰囲気下でグローブボックス中で１２時間に渡って溶解するようにされた。如何なる固体もない状態での溶液は、ＮＭＲチューブ（外径５ｍｍ。長さ２３ｃｍ。Ｗｉｌｍａｄ社製）にガス気密接続により移され、炎でチューブが封された。ＮＭＲスペクトルは、５００ＭＨｚブルーカーＮＭＲスペクトロメータ（重水素でロック）で記録された。化学シフトは、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）に相対的に、８．０３ｐｐｍでＤＭＦ−ｄ７のような溶媒周波数に参照された。
ハイドリノ水素化物イオンＨ−（１／４）は、約−３．８６ｐｐｍで観察されると予測され、そして、分子ハイドリノＨ２（１／４）はＴＭＳと比較して１．２５ｐｐｍで観察されると予測された。シフトによるこれらのピークの発生の位置と特定の反応混合物に対する強度は、表４で与えられる。
Claims (25)
- 水素種を含む組成及び無触媒作用下の水素種よりも安定で、より負である全エネルギーを持つ水素種を形成する原子状水素の触媒作用のための反応セルと、
反応容器と、
真空ポンプと、
反応容器と連通する源からの原子状水素の源と、
反応容器と連通する水素触媒の源と、
原子状水素の源及び水素触媒の源の少なくとも１つの源は、原子状水素及び水素触媒及び少なくとも１つの他の元素の少なくとも１つを形成する元素を含む少なくとも1つの反応物からなる反応混合物を、原子状水素及び水素触媒の少なくとも１つが前記源から形成されるように、含み、
触媒を活性化すること及び増殖することの少なくとも１つの機能を実行することにより触媒作用を引き起こすような少なくとも１つの他の反応物と、
反応容器の中で水素触媒及び原子状水素の少なくとも１つの形成を開始させ、水素原子の触媒作用の間、水素のモル当たり約300ｋJよりも大きな量において、原子状水素がエネルギーを放出するように、触媒作用を引き起こす反応を開始させる、容器のためのヒーターと、
を備えることを特徴とするパワー源。 - 触媒作用反応を引き起こす反応が、
(i)触媒作用反応のために活性化エネルギーを供給する発熱反応；
(ii)触媒作用反応を支持する触媒又は原子状水素の源の少なくとも１つに対して供給する共役反応;
(iii)触媒作用反応の間、触媒から電子のアクセプターとして機能するフリーラジカル反応;
(iv)触媒作用反応の間、触媒から電子のアクセプターとして機能する酸化還元反応;
(v)前記水素種を形成するために原子状水素からエネルギーを受け入れて、イオン化された触媒の活動を容易にする交換反応；及び
(vi)ゲッター、支持体、マトリックス−支援触媒反応、
から選ばれる反応を含むことを特徴とする請求項１記載のパワー源。 - 反応混合物は、触媒作用反応を可能にするように、導電性支持体からなることを特徴とする請求項１記載のパワー源。
- 反応混合物は、固体、液体、又は、不均一系の触媒作用の反応混合物からなることを特徴とする請求項１記載のパワー源。
- 触媒作用反応を引き起こす酸化還元反応を含む反応混合物が、
（ｉ）Ｌｉ、ＬｉＨ、Ｋ、ＫＨ、ＮａＨ、Ｒｂ、ＲｂＨ、Ｃｓ、及び、ＣｓＨから選ばれる少なくとも１つの触媒；
（ｉｉ）Ｈ２ガス、Ｈ２ガスの源、又は、水素化物；
（ｉｉｉ）以下から選ばれる少なくとも１つの酸化剤；
ハロゲン化物、リン化物、ホウ化物、酸化物、水酸化物、シリサイド、窒素化合物、ヒ化物、セレン化物、テルル化物、アンチモニド、炭化物、硫化物、水素化物、炭酸塩、炭酸水素、硫酸塩、硫酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素、二水素リン酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、過マンガン酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、亜塩素酸塩、過亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、臭素酸塩、過臭素酸塩、亜臭素酸塩、ペルブロミド（perbromites）、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、ヨード酸塩（iodites）、過ヨウ素酸塩（periodites）、クロム酸塩、二クロム酸塩、テルル酸塩、セレン酸塩、ヒ酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩、コバルト酸化物、酸化テルル、及び、ハロゲン元素のオキシアニオン、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎ、Ａｓ、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｃ、Ｓ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、及び、Ｔｅからなる金属化合物；
遷移金属、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ、鉛、ゲルマニウム、アルカリ金属及びアルカリ土類金属化合物；
ＧｅＦ２，ＧｅＣｌ２，ＧｅＢｒ２，ＧｅＩ２，ＧｅＯ，ＧｅＰ，ＧｅＳ，ＧｅＩ４，及び、ＧｅＣｌ４，フルオロカーボン，ＣＦ４，ＣｌＣＦ３，クロロカーボン，ＣＣｌ４，Ｏ２，ＭＨＯ３，ＭＣｌＯ４，ＭＯ２，ＮＦ３，Ｎ２Ｏ，ＮＯ，ＮＯ２，ホウ素−窒素化合物、例えば、Ｂ３Ｎ３Ｈ６，硫黄化合物、例えば、ＳＦ６，Ｓ，ＳＯ２，ＳＯ３，Ｓ２Ｏ５Ｃｌ２，Ｆ５ＳＯＦ，Ｍ２Ｓ２Ｏ８，ＳｘＸｙ、例えば、Ｓ２Ｃｌ２，ＳＣｌ２，Ｓ２Ｂｒ２，又は、Ｓ２Ｆ２，ＣＳ２，ＳＯｘＸｙ，ＳＯＣｌ２，ＳＯＦ２，ＳＯ２Ｆ２，ＳＯＢｒ２，ＸｘＸ’ｙ，ＣｌＦ５，ＸｘＸ’ｙＯｚ，ＣｌＯ２Ｆ，ＣｌＯ２Ｆ２，ＣｌＯＦ３，ＣｌＯ３Ｆ，ＣｌＯ２Ｆ３，ホウ素−窒素化合物，Ｂ３Ｎ３Ｈ６，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，ＴｅＸｘ，ＴｅＦ４，ＴｅＦ６，ＴｅＯｘ，ＴｅＯ２，ＴｅＯ３，ＳｅＸｘ，ＳｅＦ６，ＳｅＯｘ，ＳｅＯ２、又は、ＳｅＯ３，酸化テルル，ハロゲン化物，テルル化合物，ＴｅＯ２，ＴｅＯ３，Ｔｅ（ＯＨ）６，ＴｅＢｒ２，ＴｅＣｌ２，ＴｅＢｒ４，ＴｅＣｌ４，ＴｅＦ４，ＴｅＩ４，ＴｅＦ６，ＣｏＴｅ，又は、ＮｉＴｅ，セレン化合物、酸化セレン，ハロゲン化セレン，硫化セレン，ＳｅＯ２，ＳｅＯ３，Ｓｅ２Ｂｒ２，Ｓｅ２Ｃｌ２，ＳｅＢｒ４，ＳｅＣｌ４，ＳｅＦ４，ＳｅＦ６，ＳｅＯＢｒ２，ＳｅＯＣｌ２，ＳｅＯＦ２，ＳｅＯ２Ｆ２，ＳｅＳ２，Ｓｅ２Ｓ６，Ｓｅ４Ｓ４，又は、Ｓｅ６Ｓ２，Ｐ，Ｐ２Ｏ５，Ｐ２Ｓ５，ＰｘＸｙ，ＰＦ３，ＰＣｌ３，ＰＢｒ３，ＰＩ３，ＰＦ５，ＰＣｌ５，ＰＢｒ４Ｆ，ＰＣｌ４Ｆ，ＰＯｘＸｙ，ＰＯＢｒ３，ＰＯＩ３，ＰＯＣｌ３、又は、ＰＯＦ３，ＰＳｘＸｙ，（Ｍはアルカリ金属。ｘ，ｙ、及び、ｚは整数。Ｘ及びＸ’はハロゲン）、ＰＳＢｒ３，ＰＳＦ３，ＰＳＣｌ３，亜リン酸窒素化合物，Ｐ３Ｎ５，（Ｃｌ２ＰＮ）３，（Ｃｌ２ＰＮ）４，（Ｂｒ２ＰＮ）ｘ，ヒ素化合物，酸化ヒ素，ハロゲン化ヒ素，硫化ヒ素，セレン化ヒ素，ヒ素テルル化物，ＡｌＡｓ，Ａｓ２Ｉ４，Ａｓ２Ｓｅ，Ａｓ４Ｓ４，ＡｓＢｒ３，ＡｓＣｌ３，ＡｓＦ３，ＡｓＩ３，Ａｓ２Ｏ３，Ａｓ２Ｓｅ３，Ａｓ２Ｓ３，Ａｓ２Ｔｅ３，ＡｓＣｌ５，ＡｓＦ５，Ａｓ２Ｏ５，Ａｓ２Ｓｅ５，Ａｓ２Ｓ５，アンチモン化合物，酸化アンチモン，ハロゲン化アンチモン，硫化アンチモン，硫酸アンチモン，アンチモン・セレン化物，アンチモン・ヒ化物，ＳｂＡｓ，ＳｂＢｒ３，ＳｂＣｌ３，ＳｂＦ３，ＳｂＩ３，Ｓｂ２Ｏ３，ＳｂＯＣｌ，Ｓｂ２Ｓｅ３，Ｓｂ２（ＳＯ４）３，Ｓｂ２Ｓ３，Ｓｂ２Ｔｅ３，Ｓｂ２Ｏ４，ＳｂＣｌ５，ＳｂＦ５，ＳｂＣｌ２Ｆ３，Ｓｂ２Ｏ５，Ｓｂ２Ｓ５，ビスマス化合物，酸化ビスマス，ハロゲン化ビスマス，硫化ビスマス，ビスマス・セレン化物，ＢｉＡｓＯ４，ＢｉＢｒ３，ＢｉＣｌ３，ＢｉＦ３，ＢｉＦ５，Ｂｉ（ＯＨ）３，ＢｉＩ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＢｉＯＢｒ，ＢｉＯＣｌ，ＢｉＯＩ，Ｂｉ２Ｓｅ３，Ｂｉ２Ｓ３，Ｂｉ２Ｔｅ３，Ｂｉ２Ｏ４，ＳｉＣｌ４，ＳｉＢｒ４，遷移金属ハロゲン化物，ＣｒＣｌ３，ＺｎＦ２，ＺｎＢｒ２，ＺｎＩ２，ＭｎＣｌ２，ＭｎＢｒ２，ＭｎＩ２，ＣｏＢｒ２，ＣｏＩ２，ＣｏＣｌ２，ＮｉＣｌ２，ＮｉＢｒ２，ＮｉＦ２，ＦｅＦ２，ＦｅＣｌ２，ＦｅＢｒ２，ＦｅＣｌ３，ＴｉＦ３，ＣｕＢｒ，ＣｕＢｒ２，ＶＦ３，ＣｕＣｌ２，金属ハロゲン化物，ＳｎＦ２，ＳｎＣｌ２，ＳｎＢｒ２，ＳｎＩ２，ＳｎＦ４，ＳｎＣｌ４，ＳｎＢｒ４，ＳｎＩ４，ＩｎＦ，ＩｎＣｌ，ＩｎＢｒ，ＩｎＩ，ＡｇＣｌ，ＡｇＩ，ＡｌＦ３，ＡｌＢｒ３，ＡｌＩ３，ＹＦ３，ＣｄＣｌ２，ＣｄＢｒ２，ＣｄＩ２，ＩｎＣｌ３，ＺｒＣｌ４，ＮｂＦ５，ＴａＣｌ５，ＭｏＣｌ３，ＭｏＣｌ５，ＮｂＣｌ５，ＡｓＣｌ３，ＴｉＢｒ４，ＳｅＣｌ２，ＳｅＣｌ４，ＩｎＦ３，ＩｎＣｌ３，ＰｂＦ４，ＴｅＩ４，ＷＣｌ６，ＯｓＣｌ３，ＧａＣｌ３，ＰｔＣｌ３，ＲｅＣｌ３，ＲｈＣｌ３，ＲｕＣｌ３，金属酸化物，金属水酸化物，Ｙ２Ｏ３，ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，又は、ＮｂＯ，ＮｉＯ，Ｎｉ２Ｏ３，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ａｇ２Ｏ，ＡｇＯ，Ｇａ２Ｏ，Ａｓ２Ｏ３，ＳｅＯ２，ＴｅＯ２，Ｉｎ（ＯＨ）３，Ｓｎ（ＯＨ）２，Ｉｎ（ＯＨ）３，Ｇａ（ＯＨ）３，Ｂｉ（ＯＨ）３，ＣＯ２，Ａｓ２Ｓｅ３，ＳＦ６，Ｓ，ＳｂＦ３，ＣＦ４，ＮＦ３，金属過マンガン酸塩，ＫＭｎＯ４，ＮａＭｎＯ４，Ｐ２Ｏ５，金属硝酸塩，ＬｉＮＯ３，ＮａＮＯ３，ＫＮＯ３，ハロゲン化ホウ素，ＢＢｒ３，ＢＩ３，第１３族元素ハロゲン化物，ハロゲン化インジウム，ＩｎＢｒ２，ＩｎＣｌ２，ＩｎＩ３，ハロゲン化銀，ＡｇＣｌ，ＡｇＩ，ハロゲン化鉛，ハロゲン化カドミウム，ハロゲン化ジルコニウム，遷移金属酸化物，遷移金属硫化物，又は、遷移金属ハロゲン化物（Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，又は、Ｚｎと、Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ、又は、Ｉと），第２又は第３遷移金属ハロゲン化物，ＹＦ３，第２又は第３遷移金属酸化物，第２又は第３遷移金属硫化物，Ｙ２Ｓ３，、Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｏｓのハロゲン化物，例えば、ＮｂＸ３，ＮｂＸ５，又は、ＴａＸ５，Ｌｉ２Ｓ，ＺｎＳ，ＦｅＳ，ＮｉＳ，ＭｎＳ，Ｃｕ２Ｓ，ＣｕＳ，ＳｎＳ，アルカリ土類ハロゲン化物，ＢａＢｒ２，ＢａＣｌ２，ＢａＩ２，ＳｒＢｒ２，ＳｒＩ２，ＣａＢｒ２，ＣａＩ２，ＭｇＢｒ２，又は、ＭｇＩ２，希土類元素ハロゲン化物，ＥｕＢｒ３，ＬａＦ３，ＬａＢｒ３，ＣｅＢｒ３，ＧｄＦ３，ＧｄＢｒ３，希土類元素ハロゲン化物で金属が２価のもの，ＣｅＩ２，ＥｕＦ２，ＥｕＣｌ２，ＥｕＢｒ２，ＥｕＩ２，ＤｙＩ２，ＮｄＩ２，ＳｍＩ２，ＹｂＩ２，及び、ＴｍＩ２，金属ホウ化物，ユーロピウム・ホウ化物，ＭＢ２ホウ化物，ＣｒＢ２，ＴｉＢ２，ＭｇＢ２，ＺｒＢ２，ＧｄＢ２，ハロゲン化アルカリ，ＬｉＣｌ，ＲｂＣｌ，又は、ＣｓＩ，金属リン化物，例えば、Ｃａ３Ｐ２，貴金属ハロゲン化物，貴金属酸化物，貴金属硫化物，ＰｔＣｌ２，ＰｔＢｒ２，ＰｔＩ２，ＰｔＣｌ４，ＰｄＣｌ２，ＰｂＢｒ２，ＰｂＩ２，希土類元素硫化物，ＣｅＳ，Ｌａハロゲン化物，Ｇｄハロゲン化物，金属とアニオン，Ｎａ２ＴｅＯ４，Ｎａ２ＴｅＯ３，Ｃｏ（ＣＮ）２，ＣｏＳｂ，ＣｏＡｓ，Ｃｏ２Ｐ，ＣｏＯ，ＣｏＳｅ，ＣｏＴｅ，ＮｉＳｂ，ＮｉＡｓ，ＮｉＳｅ，Ｎｉ２Ｓｉ，ＭｇＳｅ，希土類元素テルル化物，ＥｕＴｅ，希土類元素セレン化物，ＥｕＳｅ，希土類元素窒素化合物，ＥｕＮ，金属窒化物，ＡｌＮ，ＧｄＮ，Ｍｇ３Ｎ２，酸素及び異なるハロゲン原子から選ばれる少なくとも２つを含む化合物，Ｆ２Ｏ，Ｃｌ２Ｏ，ＣｌＯ２，Ｃｌ２Ｏ６，Ｃｌ２Ｏ７，ＣｌＦ，ＣｌＦ３，ＣｌＯＦ３，ＣｌＦ５，ＣｌＯ２Ｆ，ＣｌＯ２Ｆ３，ＣｌＯ３Ｆ，ＢｒＦ３，ＢｒＦ５，Ｉ２Ｏ５，ＩＢｒ，ＩＣｌ，ＩＣｌ３，ＩＦ，ＩＦ３，ＩＦ５，ＩＦ７，第２又は第３遷移金属ハロゲン化物，ＯｓＦ６，ＰｔＦ６，又は、ＩｒＦ６，還元により金属を形成する化合物，金属水素化物，希土類元素水素化物，アルカリ土類水素化物，又は、アルカリ水素化物；
（ｉｖ）金属，アルカリ，アルカリ土類，遷移金属，第２及び第３遷移金属，及び、希土類金属，Ａｌ，Ｍｇ，ＭｇＨ２，Ｓｉ，Ｌａ，Ｂ，Ｚｒ，及び、Ｔｉ粉末，及び、Ｈ２，から選択される少なくとも１の還元剤、そして、
（ｖ）ＡＣ，カーボン上の１％Ｐｔ又はＰｄ（Ｐｔ／Ｃ，Ｐｄ／Ｃ），炭化物，ＴｉＣ，及びＷＣ、から選択される少なくとも１つの電気的に導電性の支持体、
を含む請求項２に記載のパワー源。 - 触媒作用反応を引き起こす酸化還元反応を含む反応混合物が、
（ｉ）第１族元素からの金属又は水素化物を含む触媒の源又は触媒の少なくとも１つ；
（ｉｉ）Ｈ２ガス若しくは水素化物の源、又は、Ｈ２ガスを含む水素の源の少なくとも１つ；
（ｉｉｉ）Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，及び、Ｔｅから選ばれ、第１３族、第１４族、第１５族、第１６族、及び、第１７族からの元素の少なくとも１つを含む化合物、イオン、又は、原子を含む少なくとも１つの酸化剤；
(iv) Mg, MgH2, Al, Si, B, Zr, 及び、希土類金属から選択された水素化物又は元素を含む少なくとも１つの還元剤 ; 及び
(v)炭素，ＡＣ，グラフェン，金属含浸炭素，Ｐｔ／Ｃ，Ｐｄ／Ｃ，炭化物，ＴｉＣ，及び、ＷＣから選ばれる電気的に導電性の支持体の少なくとも１つ；
を含むことを特徴とする請求項２に記載のパワー源。 - 触媒作用反応を引き起こすための酸化還元反応を含む反応混合物が
（ｉ）第１族元素からの金属又は水素化物を含む触媒又は触媒の源の少なくとも１つ；
（ｉｉ）Ｈ２ ガス、又は、Ｈ２ ガスの源、又は、水素化物を含む水素の源の少なくとも１つ。；
（ｉｉｉ）第ＩＡ族、第ＩＩＡ族、３ｄ，４ｄ，５ｄ，６ｄ，７ｄ，８ｄ，９ｄ，１０ｄ，１１ｄ，１２ｄ族、及び、ランタニドから選択される元素のハロゲン化物、酸化物、又は、硫化物からなる酸化剤の少なくとも１つ；
（ｉｖ）Ｍｇ，ＭｇＨ２，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｚｒ，及び、希土類金属から選択される元素又は水素化物を含む還元剤の少なくとも１つ；及び
（ｖ）炭素，ＡＣ，グラフェン，Ｐｔ／Ｃ又はＰｄ／Ｃのような金属含浸炭素，炭化物，ＴｉＣ，及び、ＷＣから選ばれる電気的に導電性の支持体の少なくとも１つ；
を含むことを特徴とする請求項２に記載のパワー源。 - 触媒作用反応を引き起こす交換反応が、酸化剤、還元剤、及び、触媒の少なくとも２つの間のアニオン交換を含み、ここで、アニオンは、ハロゲン化物、水素化物、酸化物、硫化物、窒素化合物、ホウ化物、炭化物、シリサイド、ヒ化物、セレン化物、テルル化物、リン化物、硝酸塩、硫化水素、炭酸塩、硫酸塩、硫酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素、二水素リン酸塩、過塩素酸塩、クロム酸塩、二クロム酸塩、コバルト酸化物、及び、オキシアニオンから選択されることを特徴とする請求項２に記載のパワー源。
- 触媒作用を引き起こす交換反応が、最初の交換反応を再生するように熱的に可逆的であることを特徴とする請求項８に記載のパワー源。
- 熱的に再生する反応物が、
（ｉ）ＮａＨ及びＫＨから選択された少なくとも１つの触媒又は触媒源；
（ｉｉ）ＮａＨ、ＫＨ、及び、ＭｇＨ２から選択された水素の源；
（ｉｉｉ）以下から選択される少なくとも１つの酸化剤
（ａ）ＢａＢｒ２，ＢａＣｌ２，ＢａＩ２，ＣａＢｒ２，ＭｇＢｒ２，及び、ＭｇＩ２から選択されるアルカリ土類ハロゲン化物；
（ｂ）ＥｕＢｒ２，ＥｕＢｒ３，ＥｕＦ３，ＤｙＩ２，ＬａＦ３，及び、ＧｄＦ３から選択される希土類ハロゲン化物；
（ｃ）ＹＦ３から選択される第２又は第３列遷移金属ハロゲン化物；
（ｄ）ＣｒＢ２、及び、ＴｉＢ２から選択される金属ホウ化物；
（ｅ）ＬｉＣｌ，ＲｂＣｌ，及び、ＣｓＩから選択されるアルカリハロゲン化物；
（ｆ）Ｌｉ２Ｓ，ＺｎＳ、及び、Ｙ２Ｓ３から選択される金属硫化物；
（ｈ）Ｙ２Ｏ３から選択される金属酸化物；
（ｉ）Ｃａ３Ｐ２から選択される金属リン化物
（ｉｖ）Ｍｇ及びＭｇＨ２から選択された少なくとも１つの還元剤；及び
（ｖ）ＡＣ、ＴｉＣ、及び、ＷＣから選択した支持体；
を含むことを特徴とする請求項９に記載のパワー源。 - 触媒作用反応を引き起こす、ゲッター、支持体、又は、マトリックス支援の触媒作用反応が、触媒作用反応のための化学的環境の少なくとも１つを提供すること、Ｈ触媒機能を促進するように電子を移動させるように働くこと、可逆的相又は他の物理的変化又は電子状態における変化を経ること、触媒作用反応の速度又は程度の少なくとも１つを増大させるように前記水素種生成物に結合すること、を含むことを特徴とする請求項２に記載のパワー源。
- ゲッター、支持体、又は、マトリックス支援の触媒作用反応が、最初の交換反応物を再生するように熱的に逆転させられ得ることを特徴とする請求項１１に記載のパワー源。
- ゲッター、支持体、又は、マトリックス支援の触媒作用混合物が、
（ｉ）ＮａＨ及びＫＨから選択された少なくとも１つの触媒又は触媒源；
（ｉｉ）ＮａＨ、ＫＨ、及び、ＭｇＨ２から選択された水素の源；
（ｉｉｉ）次の２つから選択される少なくとも１つの酸化剤；
（ａ）Ｍｇ３Ａｓ２から選択される金属ヒ化物；及び
（ｂ）Ｍｇ３Ｎ２及びＡｌＮから選択される金属窒化物；
（ｉｖ）Ｍｇ及びＭｇＨ２から選択される少なくとも１つの還元剤；及び
（ｖ）ＡＣ，ＴｉＣ，及び、ＷＣから選択される少なくとも１つの支持体；
を備えることを特徴とする請求項１２のパワー源。 - アルカリ金属を含む触媒を含む触媒作用反応を引き起こす反応混合物が、電気分解によりアルカリ金属を再生し、１又はそれ以上の成分を分離することにより、生成物から再生されることを特徴とする請求項１のパワー源。
- 水素種を含む組成及び無触媒作用下の水素種よりも安定で、より負である全エネルギーを持つ水素種を形成する原子状水素の触媒作用のための反応セルと、
反応容器と、
真空ポンプと、
反応容器と連通する源からの原子状水素の源と、
反応容器と連通する源からの水素触媒の源と、
原子状水素の源及び水素触媒の源の少なくとも１つの源は、原子状水素及び水素触媒及び少なくとも１つの他の元素の少なくとも１つを形成する元素を含む少なくとも１つの反応物からなる反応混合物を、原子状水素及び水素触媒の少なくとも１つが前記源から形成されるように、含み、
触媒を活性化すること及び増殖することの少なくとも１つの機能を実行することにより触媒作用を引き起こすような少なくとも１つの他の反応物と、
反応容器の中で水素触媒及び原子状水素の少なくとも１つの形成を開始させ、水素原子の触媒作用の間、水素のモル当たり約３００ｋＪよりも大きな量において、原子状水素がエネルギーを放出するように、触媒作用を引き起こす反応を開始させる、容器のためのヒーターと、を備えることを特徴とする水素化物反応器。 - 化合物の合成のための反応混合物が、
（ｉ）−（ｖ）：（ｉ）触媒，（ｉｉ）水素の源，（ｉｉｉ）酸化剤，（ｉｖ）還元剤，及び（ｖ）支持体、
の属から選択される少なくとも２つを含むことを特徴とする請求項１５に記載の水素化物反応器。 - 酸化剤は、硫黄、リン、酸素、ＳＦ６，Ｓ，ＳＯ２，ＳＯ３，Ｓ２Ｏ５Ｃｌ２，Ｆ５ＳＯＦ，Ｍ２Ｓ２Ｏ８，ＳｘＸｙＳ２Ｃｌ２，ＳＣｌ２，Ｓ２Ｂｒ２，Ｓ２Ｆ２，ＣＳ２，Ｓｂ２Ｓ５，ＳＯｘＸｙ，ＳＯＣｌ２，ＳＯＦ２，ＳＯ２Ｆ２，ＳＯＢｒ２，Ｐ，Ｐ２Ｏ５，Ｐ２Ｓ５，ＰｘＸｙ，ＰＦ３，ＰＣｌ３，ＰＢｒ３，ＰＩ３，ＰＦ５，ＰＣｌ５，ＰＢｒ４Ｆ，ＰＣｌ４Ｆ，ＰＯｘＸｙ，ＰＯＢｒ３，ＰＯＩ３，ＰＯＣｌ３，ＰＯＦ３，ＰＳｘＸｙ，ＰＳＢｒ３，ＰＳＦ３，ＰＳＣｌ３，リンー窒素化合物，Ｐ３Ｎ５，（Ｃｌ２ＰＮ）３，又は、（Ｃｌ２ＰＮ）４，（Ｂｒ２ＰＮ）ｘ（Ｍはアルカリ金属。ｘ及びｙは整数。Ｘはハロゲン。），Ｏ２，Ｎ２Ｏ，及び、ＴｅＯ２，ハロゲン化物，ＣＦ４，ＮＦ３，ＣｒＦ２，リンの源，硫黄の源，ＭｇＳ，ＭＨＳ（Ｍはアルカリ金属）、から選択されることを特徴とする請求項１６の水素化物反応器。
- 反応混合物は、触媒された水素のためのものであって、元素のＳ，Ｐ，Ｏ，Ｓｅ，及び、Ｔｅ、更に、Ｓ，Ｐ，Ｏ，Ｓｅ，及び、Ｔｅを含む化合物から選択されるゲッターを更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の水素化反応器。
- 触媒は、約２７．２ ｅＶ ± ０．５ ｅＶ、及び、２７．２／２ ｅＶ ± ０．５ ｅＶのうちの１つを整数単位として水素原子からエネルギーを受け入れることが可能であることを特徴とする請求項１に記載のパワー源。
- 触媒が原子又はイオンＭを含み、ｔ電子をこの原子又はイオンＭからから連続エネルギーレベルへとのイオン化は、ｔ電子のイオン化エネルギーの合計が、ｍを整数として、ほぼ、ｍ・２７．２ ｅＶ、及び、ｍ・２７．２／２ ｅＶのうちの１つであるようになることを特徴とする請求項１に記載のパワー源。
- 触媒は二原子分子ＭＨを含み、Ｍ−Ｈ結合の破断と、原子Ｍから連続エネルギーレベルへのｔ電子のイオン化とにおいて、結合エネルギー及びｔ電子のイオン化エネルギーの合計は、およそ、ｍ×２７．２ ｅＶ、及び、ｍ・２７．２／２ ｅＶ （ｍは整数）であることを特徴とする請求項１に記載のパワー源。
- 触媒が、ＡｌＨ，ＢｉＨ，ＣｌＨ，ＣｏＨ，ＧｅＨ，ＩｎＨ，ＮａＨ，ＲｕＨ，ＳｂＨ，ＳｅＨ，ＳｉＨ，ＳｎＨ，Ｃ２，Ｎ２，Ｏ２，ＣＯ２，ＮＯ２，及び、ＮＯ３の分子、及び、Ｌｉ，Ｂｅ，Ｋ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｋｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｋｒ，２Ｋ＋，Ｈｅ＋，Ｔｉ２＋，Ｎａ＋，Ｒｂ＋，Ｓｒ＋，Ｆｅ３＋，Ｍｏ２＋，Ｍｏ４＋，Ｉｎ３＋，Ｈｅ＋，Ａｒ＋，Ｘｅ＋，Ａｒ２＋及びＨ＋，及びＮｅ＋及びＨ＋の原子又はイオン、から選ばれる原子、イオン、及び／又は、分子を含むことを特徴とする請求項１に記載のパワー源。
- 電気分解又は熱再生反応を用いてパワー生産及び再生が同調して維持されるように連続して操作されることを特徴とする請求項１のパワー源。
- 更に、パワー変換器を含むことを特徴とする請求項１のパワー源。
- 変換器が、反応容器と連通する蒸気発生器、蒸気発生器と連通する蒸気タービン、及び、蒸気タービンと連通する発電装置を備えることを特徴とする請求項２４に記載のパワー源。
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