JP2017013145A - 高速切削加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具 - Google Patents
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Abstract
Description
例えば、特許文献1には、重切削加工での硬質被覆層の耐欠損性を高めるため、工具基体表面に、組成式(Ti1−XAlX)N(ただし、原子比で、Xは0.4〜0.65)を満足するTiとAlの複合窒化物層からなり、かつ、該層についてEBSDによる結晶方位解析を行った場合、表面研磨面の法線方向から0〜15度の範囲内に結晶方位<100>を有する結晶粒の面積割合が50%以上であり、また、隣り合う結晶粒同士のなす角を測定した場合に、小角粒界(0<θ≦15゜)の割合が50%以上であるような結晶配列を示すTiとAlの複合窒化物層からなる硬質被覆層を被覆した被覆工具が提案されている。
そこで、高速切削加工条件下でも、長期の使用にわたってすぐれた耐摩耗性を発揮する被覆工具が求められている。
即ち、結晶方位の近い粒子が集まった領域とは、
(1)硬質被覆層表面の結晶粒の集合体からなる領域内の各結晶粒の工具基体表面の法線方向に対して最も傾斜角度が少ない結晶方位<100>のベクトルを平均した方位と基体表面の法線方向のなす角度が10度以下である。
(2)領域内の各結晶粒の結晶方位の差は2度以上10度以下である。
上記(1)、(2)の条件を同時に満足するような複数の結晶粒の集合体からなる領域を「結晶方位の近い粒子が集まった領域」と定義する。
さらに、工具基体である立方晶窒化硼素(以下、「cBN」で示す)焼結体におけるcBN粒子の平均粒径、含有割合が、硬質被覆層表面側における(Ti,Al)N層の結晶粒の柱状化促進、また、結晶方位の近い粒子が集まった領域の形成を促進する上で、重要な要素であることを見出したのである。
「(1)立方晶窒化硼素焼結体からなる工具基体の表面に、1.0〜4.0μmの平均層厚の硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、
(a)前記硬質被覆層は、
組成式:(Ti1−xAlx)Nで表した場合、0.4≦x≦0.7(但し、xは原子比)を満足するTiとAlの複合窒化物層であり、
(b)前記硬質被覆層の結晶組織は、工具基体との界面側では結晶粒の平均幅が0.01〜0.05μmの微粒組織、また、硬質被覆層表面側では結晶粒の平均幅が0.05〜1.0μmの柱状組織であって、該柱状組織の層厚方向の平均厚さは、硬質被覆層の層厚より薄く、かつ、0.3〜1.5μmの平均厚さで形成されており、
(c)前記硬質被覆層の表面には、複数の結晶粒の集合体からなり、該集合体の平均幅が0.5〜2.0μmである結晶方位の近い粒子が集まった領域が形成され、該結晶方位の近い粒子が集まった領域が硬質被覆層の表面に占める面積割合は30〜80面積%であり、
(d)前記結晶方位の近い粒子が集まった領域は、該領域内の各結晶粒の結晶方位の差が2度以上10度以下である領域であって、しかも、工具基体表面の法線方向に対する該領域内の各結晶粒の結晶方位の傾斜角度差が最も小さい結晶方位<100>のベクトルを平均した方位と基体表面の法線方向のなす角度が10度以下であることを特徴とする表面被覆切削工具。
(2)前記硬質被覆層の結晶粒について、電子線後方散乱回折法による結晶方位解析を行ったとき、基体表面の法線方向から0〜10度の範囲内に結晶方位<100>を有する結晶粒の面積割合が40〜90面積%を満足するような結晶配向性を有することを特徴とする(1)に記載の表面被覆切削工具。
(3)前記(1)または(2)に記載の工具基体は、少なくとも切削に使用する刃先が立方晶窒化硼素焼結体からなり、前記立方晶窒化硼素焼結体は立方晶窒化硼素粒子とTiの窒化物、炭化物、炭窒化物、硼化物およびAlの窒化物、酸化物からなる群から選ばれた少なくとも1種以上の粒子と不可避不純物とを含む結合相とからなり、前記立方晶窒化硼素粒子は平均粒径2.0〜4.0μmかつ立方晶窒化硼素焼結体全体に占める含有割合が50〜80体積%であることを特徴とする(1)または(2)に記載の表面被覆切削工具。」
に特徴を有するものである。
図1(a)は、本発明被覆工具の硬質被覆層表面の概略模式図であり、図1(b)は、本発明被覆工具の縦断面の概略模式図である。
図1(b)に示すように、本発明の被覆工具は、立方晶窒化硼素焼結体からなる工具基体(以下、「cBN工具基体」で示す)の表面に、(Ti,Al)N層からなる硬質被覆層が形成されており、しかも、該(Ti,Al)N層の結晶組織は、工具基体との界面側では微粒組織、また、硬質被覆層表面側では柱状組織であり、該柱状組織は、層厚方向に0.3〜1.5μmの平均厚みで形成されている。
また、図1(a)に示すように、本発明の被覆工具の硬質被覆層をその表面から観察したとき、硬質被覆層表面には、結晶方位の近い複数の結晶粒の集合体からなる結晶方位の近い粒子が集まった領域が形成されている。そして、「結晶方位の近い粒子が集まった領域」をより厳密に言えば、領域内の各結晶粒の結晶方位の差が2度以上10度以下である領域であって、しかも、工具基体表面の法線方向に対する該領域内の各結晶粒の結晶方位の傾斜角度差が最も小さい結晶方位<100>のベクトルを平均した方位と基体表面の法線方向のなす角度が10度以下である領域をいう。
本発明の被覆工具の硬質被覆層は、
組成式:(Ti1−xAlx)N
で表した場合、0.4≦x≦0.7(但し、xは原子比)を満足する組成のTiとAlの複合窒化物層からなる。
上記組成式において、xの値を0.4(原子比)以上とすることによって、(Ti,Al)N層における高温硬さと高温耐酸化性が向上するが、一方、xの値が0.7(原子比)を超えると、岩塩型結晶構造を維持することが困難になるばかりか、アモルファス化し易くなり、硬さが低下してくることから、TiとAlの合量に占めるAlの含有割合(但し、原子比)は、0.4≦x≦0.7と定めた。
なお、上記組成式では、TiとAlからなる金属元素とNからなる非金属元素が、恰も、原子比で1:1であるかのような形式で記載しているが、大事なのは、TiとAlとの比率であって、金属元素[Ti、Al]と非金属元素[N]の割合は1:1に限定されるものではなく、1:1の場合と同一の結晶構造が維持されるのであれば金属元素[Ti、Al]と非金属元素[N]の割合は1:1を外れていてもよい。
また、上記(Ti,Al)N層は、その平均層厚が1.0μm未満であると、硬質被覆層の表面における結晶方位の近い粒子が集まった領域を十分な面積割合で形成することができず、一方、(Ti,Al)N層の平均層厚が4.0μmを超えると、高速切削加工においてチッピング、欠損を発生しやすくなるので、(Ti,Al)N層からなる硬質被覆層の平均層厚は、1.0〜4.0μmと定めた。
硬質被覆層の組成および層厚は工具基体表面に垂直な硬質被覆層の縦断面について、工具基体表面に平行な方向の幅が10μmであり、硬質被覆層の厚み領域が全て含まれるよう設定された視野について、走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscopy:SEM)、透過型電子顕微鏡(Transmission Electron Microscope:TEM)、エネルギー分散型X線分光法(Energy Dispersive X−ray Spectroscopy:EDS)、オージェ電子分光法(Auger electron spectroscopy:AES)を用いた断面測定により、測定する。層厚を複数箇所で測定し、これを平均することにより、平均層厚を算出した。なお、工具基体表面とは、基体の硬質被覆層と接する面の面方向に垂直な断面の観察像における、基体と硬質被覆層の界面粗さの基準線とする。
図1(b)の模式図に示すように、本発明の被覆工具の硬質被覆層を構成する(Ti,Al)N層の結晶組織は、工具基体との界面側(工具基体との界面近傍)で結晶粒の平均幅が0.01〜0.05μmの微粒組織、また、硬質被覆層表面側では結晶粒の平均幅が0.05〜1.0μmの柱状組織である。
工具基体との界面側の結晶組織を微粒組織としたのは、工具基体と硬質被覆層との密着強度を高めるためであり、また、硬質被覆層表面側で柱状組織としたのは、結晶粒界を少なくすることで粒界を起点とする破壊を抑制すると同時に、硬質被覆層表面に前記結晶方位の近い粒子が集まった領域を形成し、隣り合う結晶粒同士の結合を強固なものとして、耐チッピング性、耐欠損性を高めるとともに、より一段と耐摩耗性(特に、耐擦れ摩耗性)を高めるためである。
ここで、工具基体との界面側(工具基体との界面近傍)に形成される微粒組織において、結晶粒の平均幅が0.01μm未満であると、硬質被覆層表面側に所定の平均幅の柱状組織が形成されず、一方、平均幅が0.05μmを超えると、結晶粒の粗大化が進行し粗粒が形成され、結晶粒界が少なくなることで皮膜-基体界面で生じたクラックが分散されにくくなり、所望の密着強度を得られなくなることから、工具基体との界面側(工具基体との界面近傍)に形成される微粒組織における結晶粒の平均幅は0.01〜0.05μmと定めた。
また、硬質被覆層表面側においては、結晶粒の平均幅が0.05μm以上の柱状組織を形成することによって、切削加工時の負荷による粒界からの破壊に起因するチッピング、欠損、剥離等の発生が抑制されるとともに耐摩耗性の向上が図られるが、結晶粒の平均幅が1.0μmを超えると、粗大な柱状組織の形成により硬さが低下し、耐摩耗性が低下することから、硬質被覆層表面側に形成される柱状組織における結晶粒の平均幅は0.05〜1.0μmと定めた。
具体的には、まず、工具基体表面に垂直な縦断面のSEMを用いた断面観察により得られた縦断面画像について、EBSDを用いて層を形成する各粒子の形状を決定し、一つ一つの結晶粒子について最大結晶粒長さLを決定する。そして、最大結晶粒長さLを対角線とし、工具基体表面に垂直な縦断面における断面積が等価となるように結晶粒子の形状を長方形近似し、得られた長方形の短辺をそれぞれの結晶粒の幅とした。
柱状組織の層厚方向の平均厚さが0.3μm未満である場合には、平均幅が0.5〜2.0μmであり、かつ、硬質被覆層表面に占める面積割合が30〜80面積%となる結晶方位の近い粒子が集まった領域を形成することができず、一方、柱状組織の層厚方向の平均厚さが1.5μmを超えると、粗大柱状晶の形成による耐摩耗性の低下が生じるからである。
硬質被覆層表面には、前述したように、複数の結晶粒の集合体からなり、領域内の各結晶粒の結晶方位の差が2度以上10度以下である領域であって、しかも、工具基体表面の法線方向に対する該領域内の各結晶粒の結晶方位の傾斜角度差が最も小さい結晶方位<100>のベクトルを平均した方位と基体表面の法線方向のなす角度が10度以下である結晶方位の近い粒子が集まった領域を形成する。
前記結晶方位の近い粒子が集まった領域は、その平均幅が0.5μm未満であると耐擦れ摩耗性を向上させる効果が十分でなく、一方、その平均幅が2.0μmを超えると結晶方位が広範囲で揃うため、結晶粒界を起点にしたクラックが進展しやすくなり、耐チッピング性が低下する。
このため、前記結晶方位の近い粒子が集まった領域の平均幅は、0.5〜2.0μmとする。
また、硬質被覆層表面に占める前記結晶方位の近い粒子が集まった領域の面積割合が30面積%未満であると耐摩耗性を向上させる効果が十分でなく、一方、80面積%を超えると結晶方位が広範囲で揃うため、結晶粒界を起点にしたクラックが進展しやすくなり、耐チッピング性が低下する。
このため、前記結晶方位の近い粒子が集まった領域が硬質被覆層表面に占める面積割合は、30〜80面積%とする。
また、前記結晶方位の近い粒子が集まった領域について、工具基体表面に垂直な断面方向の該領域内の結晶粒の結晶方位を平均したとき、隣り合う領域同士の平均した結晶方位の差が15度以下あるいは75度以上であると、隣り合う領域同士の結晶粒界の向きが近くなるため、隣り合う領域間において結晶粒界を起点としたクラックが進展しやすくなり、突発的なチッピングが生じやすくなる。このため、隣り合う領域同士の結晶方位の差は15度を超え、75度未満であることがより好ましい。
前記結晶方位の近い粒子が集まった領域の特定、また、結晶方位の近い粒子が集まった領域の幅、面積割合は、例えば、以下の方法で測定し、測定値の平均を算出することによって、結晶方位の近い粒子が集まった領域の平均幅、面積割合を求めることができる。
具体的には、まず、工具基体表面の法線方向からEBSDを用いて分析を行い、硬質被覆層を形成する各粒子を決定し、一つ一つの結晶粒子の工具基体表面に垂直な方向の結晶方位を決定する。次に隣り合う結晶粒同士の結晶方位の差が2度以上10度以下である領域を決定する。そして、ここで決定した各領域内の各々の結晶粒に対して、工具基体表面の法線方向に対する結晶方位の傾斜角度差が最も小さい結晶方位<100>のベクトルを求め、各領域のうち、これらのベクトルを平均した方位と基体表面の法線方向のなす角度が10度以下である領域を定める。こうして決定した領域が本発明における、結晶方位の近い粒子が集まった領域、である。該領域に対して、面積が等価になるような円形状近似を行い、こうして決定した円の直径および面積を該領域の幅および面積とする。測定視野内の結晶方位の近い粒子が集まった領域それぞれに対する幅を平均した値を平均幅、それぞれの面積を合計したものを測定視野の面積で除した値を面積割合とし、複数視野で測定した値を平均し、本発明品における、結晶方位の近い粒子が集まった領域の平均幅、面積割合を求める。
本発明では、硬質被覆層表面近傍の柱状組織の形成および硬質被覆層表面の結晶方位の近い粒子が集まった領域の形成を促進するため、硬質被覆層の結晶配向性を制御することが望ましい。
即ち、成膜パラメータの調整により成膜速度を低減することで表面エネルギーの小さい(100)面が優先的に成長するように操作し、EBSDによる結晶方位解析を行ったとき、基体表面の法線方向から0〜10度の範囲内に結晶方位<100>を有する結晶粒の面積割合を40面積%以上とすることで、柱状組織が形成されやすくなり、その結果、硬質被覆層表面における結晶方位の近い粒子が集まった領域の形成が促進される。しかし、基体表面の法線方向から0〜10度の範囲内に結晶方位<100>を有する結晶粒の面積割合が90面積%を超えると結晶方位が広範囲で揃うため、結晶粒界を起点にしたクラックが進展しやすくなり、高負荷切削における耐欠損性が低下する。
したがって、基体表面の法線方向から0〜10度の範囲内に結晶方位<100>を有する結晶粒の面積割合は40面積%以上90面積%以下とすることが望ましい。
硬質被覆層表面の結晶方位の近い粒子が集まった領域の形成を促進する上で、基体表面の法線方向から0〜10度の範囲内に結晶方位<100>を有する結晶粒の面積割合が重要であることは前記のとおりであるが、cBN焼結体からなる工具基体におけるcBN粒子の平均粒径、含有割合も、工具基体表面近傍の微粒組織、硬質被覆層表面近傍の柱状組織および硬質被覆層表面の結晶方位の近い粒子が集まった領域の形成に影響を及ぼす。
即ち、cBN粒子を起点として(Ti,Al)N結晶粒が成長する場合は、cBNと(Ti,Al)Nは化学結合の種類が異なるため、(Ti,Al)N結晶粒が成長する際の結晶方位はcBN粒子から受ける影響が少なく、成膜条件に応じた方位に優先的に成長し、しかも、ランダムに形成された微細な結晶核が結晶成長の初期から競合しながら成長するため、結晶方位の近い結晶粒がまとまって成長しやすくなる。
一方、cBN焼結体の結合相として用いられるTiNなどは(Ti,Al)N結晶粒と同じ化学結合であるため、cBN粒子上ではなくcBN焼結体の結合相上の成長核から成長した場合には、(Ti,Al)N結晶粒の成長は、起点となる結合相の結晶サイズおよび結晶方位に強く影響される。このため、成膜条件に応じた方位と結合相の影響を受けた方位でそれぞれ結晶粒が成長し、その後成長した結晶粒同士が競合しながら成長するため、本発明品のような層厚の範囲内では、結晶方位の近い結晶粒が成長しにくくなる。 したがって、工具基体表面近傍の微粒組織、硬質被覆層表面近傍の柱状組織および硬質被覆層表面の結晶方位の近い粒子が集まった領域を適正に形成するためには、工具基体として、平均粒径が2.0〜4.0μmのcBN粒子が50〜80体積%存在し、かつcBN粒子とTiの窒化物、炭化物、炭窒化物、硼化物およびAlの窒化物、酸化物からなる群から選ばれた少なくとも1種以上の粒子と不可避不純物とを含む結合相とからなるcBN焼結体を用いることが望ましく、cBN粒子の平均粒径、体積割合、ひいては成膜時の基体表面におけるcBN粒子と結合相の露出状態を操作することで、結晶方位の近い粒子が集まった領域の形成を制御することができる。
なお、cBN焼結体中のcBN粒子の粒径およびcBN粒子の含有割合(体積%)は、以下の方法で測定することができ、得られた測定値を平均化することにより、cBN粒子の平均粒径およびcBN粒子の含有割合(体積%)求めることができる。 具体的には、作製したcBN焼結体の断面組織を走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscopy:SEM)にて観察して得られた二次電子画像内のcBN粒子の部分を画像処理にて抜き出し、画像解析によって各cBN粒子の最大長を求め、それを各cBN粒子の直径とし、1画像におけるcBN粒子の直径の平均値を求め、少なくとも3画像について求めた平均値の平均をcBNの平均粒径[μm]とした。また同様に、画像解析によって観察領域におけるcBN焼結体の全体の面積に対するcBN粒子が占める面積を算出し、少なくとも3画像を処理し求めた値の平均値をcBN粒子の含有割合(体積%)とした。画像処理に用いる観察領域は予備観察を行うことによって定めたが、cBN粒子の平均粒径が2.0〜4.0μmであることをかんがみ、15μm×15μm程度の視野領域とすることが望ましい。
原料粉末として、2.0〜4.0μmの平均粒径を有するcBN粒子を硬質相形成用原料粉末として用意するとともに、いずれも2.0μm以下の平均粒径を有するTiN粉末、TiC粉末、TiCN粉末、Al粉末、AlN粉末、Al2O3粉末を結合相形成用原料粉末として用意した。
次いで、所定の表1に示す配合組成となるように配合したこの原料粉末を、ボールミルで72時間湿式混合し、乾燥した後、成形圧100MPaで直径:50mm×厚さ:1.5mmの寸法にプレス成形し、ついでこの成形体を、圧力:1Pa以下の真空雰囲気中、900〜1300℃の範囲内の所定温度に保持して仮焼結し、その後、超高圧焼結装置に装入して、圧力:5GPa、温度:1200〜1400℃の範囲内の所定の温度で焼結することにより、cBN焼結体1〜9を作製した。
前述の工程によって作製した工具基体1〜9に対して、図2に示すアークイオンプレーティング装置を用いて、硬質被覆層を形成した。
(a)まず、工具基体1〜9を、アセトン中で超音波洗浄し、乾燥した状態で、アークイオンプレーティング装置内の回転テーブル上の中心軸から半径方向に所定距離離れた位置に外周部にそって装着する。また、カソード電極(蒸発源)として、所定組成のTi−Al合金ターゲットを配置した。
(b)次に、装置内を排気して10−2Pa以下の真空に保持しながら、ヒーターで装置内を500℃に加熱した後、0.5〜4.0PaのArガス雰囲気に設定し、前記回転テーブル上で自転しながら回転する工具基体に−400〜−1000Vの直流バイアス電圧を印加し、もって工具基体表面をアルゴンイオンによって5〜30分間ボンバード処理した。
(c)次に、工具基体表面に、まず、粒状組織の(Ti,Al)N層の成膜を、次のとおり行った。
装置内に反応ガスとして窒素ガスを導入して表2に示す0.5〜6Paの所定の反応雰囲気とすると共に、前記回転テーブル上で自転しながら回転する工具基体に表2に示す−10〜−100Vの所定の直流バイアス電圧を印加し、かつ、前記Tiターゲットからなるカソード電極(蒸発源)および前記所定組成のTi−Al合金ターゲットからなるカソード電極(蒸発源)とアノード電極との間に表2に示す90〜200Aの所定の電流を同時に所定時間流してアーク放電を発生させ、前記工具基体の表面に、表4に示される目標平均層厚の粒状組織からなる(Ti,Al)N層を蒸着形成した。
(d)次いで、上記粒状組織の(Ti,Al)N層の上に、成膜条件を変更して柱状組織の(Ti,Al)N層の成膜を、次のとおり行った。
装置内に反応ガスとして窒素ガスを導入して表2に示す4〜10Paの範囲内の所定の反応雰囲気とすると共に、前記回転テーブル上で自転しながら回転する工具基体に表2に示す−10〜−75Vの範囲内の所定の直流バイアス電圧を印加し、かつ、前記Ti−Al合金ターゲットからなるカソード電極(蒸発源)とアノード電極との間に表2に示す90〜140Aの範囲内の所定の電流を流してアーク放電を発生させ、前記粒状組織の(Ti,Al)N層の上に、表4に示される目標平均層厚の柱状組織からなる(Ti,Al)Nを蒸着形成した。
上記(a)〜(d)の工程により、本発明被覆工具(以下、「本発明工具」という)1〜9を作製した。
なお、本発明の皮膜組織の形成に関して、cBN粒子の平均粒径、体積割合が重要な役割を果たすことは前述の通りであるが、成膜時の基体表面におけるcBN粒子と結合相の露出状態を制御するために、工具刃先を形成するcBN焼結体部分の研削後の表面粗度に関して、算術平均粗さRaを0.01〜1.0μmの範囲となるようにすることがより好ましい。工具基体を作製する際、表面を研削することで硬さの小さい結合相が優先的に除去され、表面にcBN粒子が露出する。さらに、前記(b)のように成膜前にボンバード処理を施すことで、表面のcBN粒子の露出状態を制御することができ、その結果、より本発明の皮膜組織を形成しやすくすることができる。本発明工具においては、レーザー顕微鏡によって研削後のcBN焼結体部分の表面粗度を確認した。
また、得られたcBN焼結体中のcBN粒子の含有割合(体積%)およびcBN粒子の平均粒径は、以下の測定法で測定することにより求めた。
本発明切削工具1〜9、比較切削工具1〜9の逃げ面を集束イオンビーム(Focused Ion Beam:FIB)を用いて断面加工し、刃先稜線に垂直な断面を形成し、断面組織を走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscopy:SEM)により観察し、二次電子画像を取得する。
観察領域は、15μm×15μm程度であって、cBN焼結体中のcBN粒子および硬質被覆層の全体が観察できる倍率とする。
この二次電子画像から前述したような方法を用いて、cBN粒子の平均粒径およびcBN粒子の含有割合(体積%)を測定した。
本発明切削工具1〜9、比較切削工具1〜9の逃げ面をFIBを用いて断面加工し、刃先稜線に垂直な断面を形成し、断面組織をSEMにより観察し、二次電子画像を取得するとともにEBSDを用いて結晶方位の解析を行った。
観察領域は、15μm×15μm程度であって、cBN焼結体中のcBN粒子および硬質被覆層の全体が観察できる倍率とする。EBSDによる測定・解析は、観察領域に対してステップ間隔0.02μmの条件で実施し、測定点のうち、隣り合う点で結晶方位が2°以上異なる境目を結晶粒界として判断し、各結晶の形状を決定した。また、0.02μm以下の結晶粒については観察領域をFIB加工によって薄片化し、透過型電子顕微鏡(TEM)によって結晶粒の形状を直接観察し、画像のコントラストから結晶粒界を定めた。なお、EBSD測定を実施した視野と同じ画像視野において、0.02μm以上の結晶粒形状についても透過型電子顕微鏡(TEM)を用いた測定によって結晶形状を確認し、いずれの手法でも同等の結果が得られることを確認している。また、工具基体表面については、硬質被覆層の工具基体表面に垂直な縦断面においてAESを用いた元素マッピングを実施することによって硬質被覆層と工具基体の界面を定め、こうして得られた硬質被覆層と工具基体との界面の粗さ曲線について、平均線を算術的に求め、これを工具基体表面とした。
この二次電子画像およびEBSD解析の結果から、前述したような方法を用いて、硬質被覆層の微粒組織あるいは柱状組織の結晶粒の平均幅、柱状組織の層厚方向の厚さ及び硬質被覆層の平均層厚を測定した。
本発明切削工具1〜9、比較切削工具1〜9の逃げ面に対して、硬質被覆層表面をFIBを用いて加工し、工具基体表面に平行な面を作製し、加工面に対してEBSD解析を行い、前述した方法を用いて、結晶方位の近い粒子が集まった領域の平均幅、面積割合を求めた。測定領域は、結晶方位の近い粒子が集まった領域の平均幅が0.5〜2.0μmであることを鑑み、15μm×15μm程度とし、それぞれの工具について3視野ずつ測定した平均値を該工具の測定値とした。
表4、表5に、上記で求めた各種の値を示す。
切削条件A:
被削材:JIS・SCM415の浸炭焼入れ材(HRC60)の丸棒、
切削速度:275 m/min.、
切り込み:0.15 mm、
送り:0.1 mm、
の乾式連続切削条件で切削試験を行い、切削長2750mまで切削し、逃げ面摩耗幅を測定した。
切削条件B:
被削材:JIS・SCr420の浸炭焼入れ材(HRC60)の丸棒、
切削速度:190 m/min.、
切り込み:0.20 mm、
送り:0.20 mm、
の乾式連続切削条件で切削試験を行い、切削長2850mまで切削し、逃げ面摩耗幅を測定した。
表6に、その結果を示す。
この結果から、切れ刃に高負荷が作用する高速切削加工において、本発明工具は、比較例工具に比して、耐摩耗性にすぐれていることが分かる。
Claims (3)
- 立方晶窒化硼素焼結体からなる工具基体の表面に、1.0〜4.0μmの平均層厚の硬質被覆層が蒸着形成された表面被覆切削工具において、
(a)前記硬質被覆層は、
組成式:(Ti1−xAlx)Nで表した場合、0.4≦x≦0.7(但し、xは原子比)を満足するTiとAlの複合窒化物層であり、
(b)前記硬質被覆層の結晶組織は、工具基体との界面側では結晶粒の平均幅が0.01〜0.05μmの微粒組織、また、硬質被覆層表面側では結晶粒の平均幅が0.05〜1.0μmの柱状組織であって、該柱状組織の層厚方向の平均厚さは、硬質被覆層の層厚より薄く、かつ、0.3〜1.5μmの平均厚さで形成されており、
(c)前記硬質被覆層の表面には、複数の結晶粒の集合体からなり、該集合体の平均幅が0.5〜2.0μmである結晶方位の近い粒子が集まった領域が形成され、該結晶方位の近い粒子が集まった領域が硬質被覆層の表面に占める面積割合は30〜80面積%であり、
(d)前記結晶方位の近い粒子が集まった領域は、該領域内の各結晶粒の結晶方位の差が2度以上10度以下である領域であって、しかも、工具基体表面の法線方向に対する該領域内の各結晶粒の結晶方位の傾斜角度差が最も小さい結晶方位<100>のベクトルを平均した方位と基体表面の法線方向のなす角度が10度以下であることを特徴とする表面被覆切削工具。 - 前記硬質被覆層の結晶粒について、電子線後方散乱回折法による結晶方位解析を行った場合、基体表面の法線方向から0〜10度の範囲内に結晶方位<100>を有する結晶粒の面積割合が40〜90面積%を満足するような結晶配向性を有することを特徴とする請求項1に記載の表面被覆切削工具。
- 請求項1または2に記載の工具基体は、少なくとも切削に使用する刃先が立方晶窒化硼素焼結体からなり、前記立方晶窒化硼素焼結体は立方晶窒化硼素粒子とTiの窒化物、炭化物、炭窒化物、硼化物およびAlの窒化物、酸化物からなる群から選ばれた少なくとも1種以上の粒子と不可避不純物とを含む結合相とからなり、前記立方晶窒化硼素粒子は平均粒径2.0〜4.0μmかつ立方晶窒化硼素焼結体全体に占める含有割合が50〜80体積%であることを特徴とする請求項1または2に記載の表面被覆切削工具。
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