JP2017010967A5 - - Google Patents

Description

すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］ 金属を含む原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に半導体膜を成膜する方法であって、前記原料溶液が重水素を含むことを特徴とする成膜方法。
［２］ 原料溶液の溶媒が重水である前記［１］記載の成膜方法。
［３］ 原料溶液に、水素原子が重水素で置換された酸を添加して霧化または液滴化する前記［１］または［２］に記載の成膜方法。
［４］ 原料溶液にドーパントが含まれている前記［１］〜［３］のいずれかに記載の成膜方法。
［５］ 金属が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムの少なくともいずれか一つを含む前記［１］〜［３］のいずれかに記載の成膜方法。
［６］ 熱反応を、３５０℃〜７００℃の温度で行う前記［１］〜［５］のいずれかに記載の成膜方法。
［７］ 基体が、コランダム構造を有する前記［１］〜［６］のいずれかに記載の成膜方法。
［８］ 基体が、アルミニウムを含む前記［１］〜［７］のいずれかに記載の成膜方法。
［９］ 基体が、酸化物を含む前記［１］〜［８］のいずれかに記載の成膜方法。

Claims (9)

1. 金属を含む原料溶液を霧化または液滴化し、得られたミストまたは液滴をキャリアガスで成膜室内に設置されている基体まで搬送し、ついで前記ミストまたは液滴を熱反応させて前記基体上に半導体膜を成膜する方法であって、前記原料溶液が重水素を含むことを特徴とする成膜方法。
2. 原料溶液の溶媒が重水である請求項１記載の成膜方法。
3. 原料溶液に、水素原子が重水素で置換された酸を添加して霧化または液滴化する請求項１または２に記載の成膜方法。
4. 原料溶液にドーパントが含まれている請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方法。
5. 金属が、アルミニウム、インジウムおよびガリウムの少なくともいずれか一つを含む請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方法。
6. 熱反応を、３５０℃〜７００℃の温度で行う請求項１〜５のいずれかに記載の成膜方法。
7. 基体が、コランダム構造を有する請求項１〜６のいずれかに記載の成膜方法。
8. 基体が、アルミニウムを含む請求項１〜７のいずれかに記載の成膜方法。
9. 基体が、酸化物を含む請求項１〜８のいずれかに記載の成膜方法。