JP2017009917A - 光導波路デバイス - Google Patents

光導波路デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2017009917A
JP2017009917A JP2015127900A JP2015127900A JP2017009917A JP 2017009917 A JP2017009917 A JP 2017009917A JP 2015127900 A JP2015127900 A JP 2015127900A JP 2015127900 A JP2015127900 A JP 2015127900A JP 2017009917 A JP2017009917 A JP 2017009917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
groove
optical
grooves
waveguide device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015127900A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6219887B2 (ja
Inventor
茂雄 長島
Shigeo Nagashima
茂雄 長島
啓光 陣内
Hiromitsu Jinnai
啓光 陣内
俊 中山
Takashi Nakayama
俊 中山
宏樹 川尻
Hiroki Kawajiri
宏樹 川尻
育生 小川
Ikuo Ogawa
育生 小川
悠介 那須
Yusuke Nasu
悠介 那須
俊一 相馬
Shunichi Soma
俊一 相馬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Electronics Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
NTT Electronics Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NTT Electronics Corp, Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical NTT Electronics Corp
Priority to JP2015127900A priority Critical patent/JP6219887B2/ja
Priority to PCT/JP2016/002661 priority patent/WO2016208126A1/ja
Priority to US15/737,386 priority patent/US10310159B2/en
Priority to CN201680038166.XA priority patent/CN107850729B/zh
Publication of JP2017009917A publication Critical patent/JP2017009917A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6219887B2 publication Critical patent/JP6219887B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0026Wavelength selective element, sheet or layer, e.g. filter or grating
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/136Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/28Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29346Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means operating by wave or beam interference
    • G02B6/29361Interference filters, e.g. multilayer coatings, thin film filters, dichroic splitters or mirrors based on multilayers, WDM filters
    • G02B6/29368Light guide comprising the filter, e.g. filter deposited on a fibre end
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083Constructional arrangements
    • G02B2006/12116Polariser; Birefringent
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12004Combinations of two or more optical elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/125Bends, branchings or intersections
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/126Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind using polarisation effects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

【課題】光波長板などの薄膜素子を挿入する溝を有する光干渉回路の小型化ができる光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】光導波路型デバイス200において、1つの溝25は、薄膜素子の挿入に対応する1本の光導波路23のみを横切り、対応する1本の光導波路23に隣接する他の光導波路24を横切らないよう構成される。この溝25は概ね矩形状で、溝25内に薄膜素子を安定して保持・固定できるように、挿入される薄膜素子のサイズに適合した最小のものとする。隣り合う溝26は、光導波路24に概ね垂直な方向の一部が、相対して配置されるように形成される。
【選択図】図3

Description

本発明は、光導波路型デバイスの基板に挿入された薄膜素子を持つ光回路およびそれを用いて実現する光デバイスに関する。
スマートフォン・携帯型タブレット端末などの爆発的普及や、映像配信サービスの開始を背景として、光ネットワークの伝送容量増大への要求が日増しに高まっている。光通信技術はこの要求に対応してさらに発展することが求められており、光通信システムで使用される部品の小型化、低コスト化を実現する技術が益々重要となっている。光通信システム用の部品を実現するのに重要な役割を果たしてきた技術として、導波路型デバイスが挙げられる。導波路型デバイスでは、光の干渉原理を応用することによって、光信号の分岐結合器、波長合分波器、インターリーブフィルタ、光スイッチ、可変光減衰器(VOA:Variable Optical Attenuator)などさまざまな基本的機能が実現されている。これらデバイスは導波路型の構造を持つことから、回路設計に柔軟性があり、大規模化かつ高集積化が容易であるという特徴を持つ。さらに、導波路型デバイスはLSIなどの半導体部品製造プロセスを流用して製造されるため、量産性に優れたデバイスとしても大きく期待されている。導波路部分の材料としては、半導体や高分子材料などさまざまなものが実用化されている。特に、シリコン基板上に作製された石英系光導波路は、低損失であって安定性および光ファイバとの整合性に優れるといった特徴を持っており、実用化が最も進んだ導波路型デバイスの一つである。
上述の光ネットワークの伝送容量増大の要求に応えるため、デジタルコヒーレント光伝送技術が普及してきている。導波路型デバイスを用いて構成される光通信用部品の中で、デジタルコヒーレント光伝送に用いられる光送受信器がとりわけ着目される。この光送受信器は、波長多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)された光信号において、1波長当たりの伝送レートが100Gb/sの高速動作を実現するに至っている。
デジタルコヒーレント光伝送技術において主に用いられる光信号変調方式は、位相変調である。具体的には、位相シフトキーイング(PSK:Phase Shift Keying)、または、強度変調と組み合わせられた位相変調方式である直角位相振幅変調(QAM:Quadrature Amplitude Modulation)方式が用いられている。さらにデジタルコヒーレント光伝送技術では、位相変調に加え、位相変調された複数の光信号を直交する2つの光偏波によって多重化する偏波多重方式を組み合わせることにより、上述の高速伝送レートを実現している。
デジタルコヒーレント光伝送システムにおける光受信器は、そのフロントエンドに光信号のままで信号処理を行う光干渉回路を備えている。光干渉回路から得られた干渉光を受光素子(PD:Photo Detector)によって検出して電気信号に変換し、受信信号が得られる。光干渉回路からの受信信号は、さらに後続のデジタル信号処理を経て、偏波多重された位相変調信号の復調が実現される。
上述の光干渉回路には光導波路型デバイスが広く用いられており、信号光の光強度を調整するVOA、信号光の偏波を分離する偏波ビームスプリッタ(PBS:Polarization Beam Splitter)、信号光または局所光の偏波を回転する偏波ローテータ(偏波回転器)、信号光および局所光の間の干渉によって位相差を検波する90度ハイブリッドなどの基本要素から構成される。取り分け、石英系光導波路を用いた光導波路型デバイスは一般に平面光波回路(PLC:Planar Lightwave Circuit)とも呼ばれる。今後のさらなるデジタルコヒーレント光伝送システムの普及および大容量化を実現するにあたって、PLCを含む光受信器は鍵になる部品となっている。
図1は、PLCによって構成された従来技術の光受信器における光干渉回路の構成を示した図であって、光干渉回路が構成されたシリコン基板の基板面を見た上面図である。ここではその詳細な動作説明は省略するが、光干渉回路の異なる機能を実現する光導波路型デバイスの各基本要素の実際の形状に概ねしたがって描かれている。光干渉回路100は、主な基本要素として、VOA15、PBS12、偏波ローテータ13、90度ハイブリッド16a、16bなどを備えている。さらに、信号光の入力導波路11、局部光の入力導波路14、干渉光の出力導波路18a、18b、信号光モニタ導波路17なども備えている。図1に示したようなPLCで構成され、異なる機能を実現する各基本要素の組み合わせを含む光干渉回路では、小型化が非常に重要な技術課題となっている。
PLCにおいてPBSまたは偏波ローテータを実現するために、光導波路を横切るように、光波長板を光干渉回路内に挿入する構成を用いることができる。光波長板は、これを通過する光信号の偏波に応じて、光信号に位相差を生じさせる素子であり、例えばポリイミドフィルムを用いて作製されたものが広く知られている。
図1を再び参照すれば、PBS12および偏波ローテータ13では、光導波路を横切るようにして光波長板を挿入するための溝3が形成されている。それぞれの光導波路を伝搬する光が光波長板を通過するように、この溝3の内部に光波長板が挿入される。このような基板面上に溝を備えた構成によって、光波長板を透過した光偏波に回転を生じさせることが可能となる。例えば、PBS12を構成するためには、2本の光導波路によって構成されるマッハ・ツェンダー光干渉回路で、各光導波路にそれぞれλ/4波長板を互いの複屈折光学軸が直交するように挿入すれば良い。また、偏波ローテータ13を実現するためには、対象となる光導波路中に複屈折光学軸が45度となるような向きでλ/2波長板をすれば良い(非特許文献1)。
特許第2614365号公報 明細書
S. Tsunashima, et. al., "Silica-based, compact and variable-optical-attenuator integrated coherent receiver with stable optoelectronic coupling system", November 19, 2012/Vol. 20, No. 24/OPTICS EXPRESS 27174
しかしながら、上述の光波長板を溝内に挿入する構成の光導波路型デバイスにおいては、デバイスの小型化および製造工程の効率化において、以下に述べるような問題があった。PLCにおいて光波長板を挿入するための溝は、例えば特許文献1にも記載されているように、ダイシング装置を用いた機械加工によって形成されていた。図1の下方には、光干渉回路100の基板面および溝3の長手方向に対して垂直な断面を見たときの溝3近傍の構造を示している。溝3は、光干渉回路の最上面から、光導波路が形成されるコア層およびクラッド層を含む導波路層2を越えて、シリコン基板1にまで達するように、所定の値まで切断深さを調整しながら加工されていた。しかしながらこのような機械加工による方法では、ダイシングブレードの大きさによって決まる溝加工を行うための作業エリア内(ワークサイズ)には、他の回路を構成することができない。ダイシング装置自体の加工精度、加工作業に必要なワークサイズを考慮すると、溝の周辺では、1mm×5mm程度の面積にわたって回路配置の禁止領域が必要となってしまう。
ダイシングブレードは光導波路に対して非常に大きく、作業エリアと各基本要素とのレイアウトの干渉のため、異なる大きさの多数の溝を基板上に形成することはできなかった。基板上に形成した溝のために、本来溝が不要な光導波路が切断されてしまえば、無駄な光損失を生じてしまう。結局、溝加工を行うための作業エリア内には、波長板挿入が必要な光導波路を除いた他の回路を近接して柔軟に配置することができなかった。このような状況下ではまず溝の配置が優先され、図1に示したように単一の共通の溝を形成して、これに合わせて単一の溝内の異なる部分を利用して異なる機能の光回路を構成していた。
図1の溝3の他の形成方法として、レーザ加工を利用することもできる。しかしながら、レーザ加工ではガラス(SiO2)を熱で溶かして溝を形成するため、加工された部分の熱収縮によって応力が発生したり、溝内面が荒れたりするなどの問題が生じ得る。波長板挿入部における光損失を最小限に留める形状に加工することが難しく、加工によって生じる光導波路部分の歪による光学特性劣化も懸念される。ダイシングおよびレーザのいずれの機械加工手段によっても、その加工精度や作業エリアの点から光回路の小型化の制約となっていた。
光干渉回路の基板上に溝を形成する技術としては、ドライエッチングまたはウェットエッチングによるウェハプロセスを用いることもできる。これらのエッチング方法は、加工精度および形状制御のいずれの点でも、光波長レベルでの制御が可能なため、溝形成の方法として有望である。しかしながら、光波長板などの薄膜を挿入する深い溝を形成するのに適した加工方法である必要がある。具体的には、加工形状については溝の深さ方向への垂直性が求められ、光導波路と溝の境界面の粗さを抑えおよび溝開口の加工トレランスが精緻な技術が必要である。引用文献1記載された光干渉回路の構成例では、水平方向と深さ方向との間でエッチングされる比率(選択比)の差のため、十分な精度で深い溝を加工する時には溝の長さおよび幅のサイズを一定値以上の大きさにする必要があった。光導波路を作製する一般的なエッチング技術では、基板面に垂直な深さ方向のエッチング速度は、基板面に平行な水平方向のエッチング速度に比べて遅い。このため、光波長板を挿入するのに十分な深い垂直な溝を形成するには、溝の幅または長さを、光波長板を挿入するために本来必要なサイズよりも大きくする必要があった。結局、光波長板を溝内に挿入する小さな溝を形成することは、光導波路を作製する一般的なドライエッチングまたはウェットエッチングでは難しかった。
したがって例えば隣接する光導波路との距離を500μm以下に近づけて配置する場合には、特許文献1に記載されているように、複数の光導波路に渡って1つの連続した溝を配置するなどの工夫が必要となる。特に光回路の小型化が必要な場合では、損失を止むを得ないものとして許容して本来溝を必要としない光導波路にまで渡って溝を形成するか、溝を避けるようなレイアウト上の工夫をしながら光回路を配置する必要があり、回路設計の柔軟性および光学的な性能上での大きな制約があった。
図2は、従来技術によって形成される溝のレイアウト上の問題点を説明する図である。図2に示した光回路150は、近接して配置された複数の光導波路152a〜152fのそれぞれに、波長板153a〜153fを挿入する溝を、従来技術の共通の1つの溝151で実現した場合の回路配置を示している。光回路において溝を形成する場合、光導波路を伝搬する信号光が溝を通過するときの反射を抑えるため、光導波路における信号光の伝搬方向に対して溝の境界面を90度よりも大きな角度、例えば98度にしている。図2では傾きをやや強調して示しているが、このように溝151を傾斜させる場合、2本以上の光導波路152a〜152fに渡って溝151を形成するために、光導波路伝搬方向(図2の水平方向)に一定の配置エリア154を必要とする。このため、特に波長板を挿入して実現される所定の機能を持つ光回路を複数個並べてアレイ化する場合では、光回路の面積が増大してしまうことが大きな問題であった。アレイの数を増やせば増やすほど、配置エリア154の水平方向長さが増え、光回路全体のサイズも大きくなる。
また、従来技術の光波長板を溝内に挿入する構成の光導波路型デバイスにおいては、光波長板を挿入し固定する製造工程の上でも、次に述べるような問題があった。特許文献1に記載されているように、複数の光導波路に渡った共通の大きな溝を形成した場合は、溝の内部に余分な接着剤を収容する空間が確保されていた。このため、実装時に光波長板の固定のための適量を超えた充填剤が導入されても、余分な充填剤が溝から流れ出し、基板内の他の光素子に影響を与える可能性はなかった。
溝の形成方法として適切な手段が実現されて、隣接する光導波路同士の距離を近づけて配置して個々の光導波路ごとに小さな溝を形成が可能となった場合でも、大きさの異なる小さな溝を形成する場合には組み立て工程上の別の問題が生じる。具体的には、大きさの異なる複数の小さな溝に対しては、それぞれの波長板の接着・固定のために、適量の接着剤または充填剤の量を設定する必要があり、製造工程が煩雑化する問題がある。溝のサイズを大きめに設定して、接着剤などを収容する溝の容積を確保できれば、接着剤の量を共通にして製造工程を簡単化できるが、これでは溝および光干渉回路の小型化の要請にそもそも反する。
近年、ディープエッチングと呼ばれる深さ方向のエッチング速度を向上させたシリコン深堀り技術が実現されている。このようなエッチング技術の向上によって光導波路ごとに別個の溝を作ることが可能になったとしても、光波長板を固定する際の接着剤などを個々の溝で適切に収容するためには、個々に製造工程の最適化および調整が必要である。光波長板を挿入し固定する製造工程においても、依然として小型の溝を形成して光干渉回路を小型化する上の障害になっていた。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、光波長板などの薄膜素子を挿入する溝を有する光干渉回路の小型化を実現することにある。また、製造組み立て時における煩雑な調整工程が不要な溝の構成も提案する。本発明によって、集積度のより高い光干渉回路、光導波路型デバイスを提供するができる。
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、基板上に構成された複数の光導波路を持ち、1つ以上の薄膜素子が光導波路を横切って概ね基板面に対して垂直に挿入された光導波路デバイスにおいて、前記複数の光導波路の内の少なくとも2本以上の光導波路においてそれぞれを横切る溝を備え、前記溝の各々は、前記薄膜素子が挿入される矩形部分を含み、対応する1本の光導波路のみを横切り、前記対応する1本の光導波路に隣接する他の光導波路は横切らないように構成され、前記溝の内の隣接する少なくとも2つの溝は、それぞれの前記対応する1本の光導波路に概ね垂直な方向の一部が、相対して配置されていることを特徴とする光導波路デバイスである。ここで、概ね垂直な方向とは、溝の長手方向を意味する。
請求項2に記載の発明は、請求項1の光導波路デバイスであって、前記隣接する少なくとも2つの溝は、前記隣接する少なくとも2つの溝のそれぞれの相対する端部の間に形成された1mm以下の連結部によって、前記隣接する少なくとも2つの溝の相対する辺が結合されていることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2の光導波路デバイスであって、前記溝の少なくともいくつかは、前記矩形部分の端部から連続して形成された少なくとも1つの拡張部をさらに有することを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3の光導波路デバイスであって、前記薄膜素子を固定するために寄与しない余分な接着剤を収容することを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項3または4の光導波路デバイスであって、前記拡張部は、前記矩形部分の一端から前記矩形部分の長手方向に向かって連続して形成された第1の拡張部、または、前記矩形部分の他端から前記対応する1本の光導波路が構成された方向に向かって連続して形成された第2の拡張部を有することを特徴とする。
請求項6に記載の発明は、請求項5の光導波路デバイスであって、前記第1の拡張部は、少なくとも一部に、前記一端から離れるにしたがって幅が広がる形状を持つことを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項5または6の光導波路デバイスであって、前記第1の拡張部は、前記一端から離れた側に幅の広い底辺を持つ概ね台形の形状を有し、前記第2の拡張部は、前記矩形部分の長辺上の前記他端近傍の一部を一辺とする三角形の形状を有することを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、請求項3乃至7いずれかの光導波路デバイスであって、前記拡張部の形状の頂点に相当する部分が、半径50μm以下の円弧状に形成されていることを特徴とする。
請求項9に記載の発明は、請求項1乃至8いずれかの光導波路デバイスであって、前記複数の溝は、前記複数の光導波路を構成する材料に関して、前記基板面に垂直な深さ方向に選択比が大きいディープエッチングプロセスによって形成されることを特徴とする。
請求項10に記載の発明は、請求項1乃至9いずれかの光導波路デバイスであって、前記溝に挿入される薄膜素子によって、偏波ビームスプリッタ(PBS)、偏波ビームコンバイナまたは偏波ローテータのいずれかの機能が実現されることを特徴とする。
以上説明したように、本発明は光波長板などの薄膜素子を挿入する溝を有する光干渉回路の小型化を実現する。さらに、薄膜素子を固定する製造組み立て工程における煩雑な調整工程を不要とすることもできる。
図1は、PLCによって構成された従来技術の光受信器における光干渉回路の構成を示した図である。 図2は、従来技術によって形成される溝のレイアウト上の問題を説明する図である。 図3は、本発明の実施例1の光導波路デバイスの構成を示す図である。 図4は、本発明の実施例2の光導波路デバイスの構成を示す図である。 図5は、本発明の光導波路デバイスにおける溝のより詳細な形状を説明する図である。 図6は、本発明の光導波路デバイスにおける溝の他の形状を説明する図である。 図7は、隣接する2つの溝を結合する構成例を示した図である。
本発明の光導波路型デバイスは、溝の形成のために近年のウェハプロセス技術の進展に伴って可能となったディープエッチング技術を用いる。これまで光導波路型デバイスで使用されてきたウェットエッチングまたはドライエッチング技術は、基板面に水平方向のエッチング速度に比べて垂直方向のエッチング速度(深さ方向の選択比)が非常に小さいものであった。近年では、基板面の垂直方向、すなわち深さ方向に選択比の高いエッチングプロセスが開発されており、ボッシュプロセスとしてシリコン基板に広く適用されている。本発明の光導波路型デバイスでは導波路の構成材料であるSiO2に対して深さ方向の選択比が大きいディープエッチング技術を使用して、薄膜素子を挿入するための溝を形成する。ディープエッチング技術によって、薄膜素子を適切に挿入できる必要最小限の開口部のサイズと、十分な垂直深さを確保した溝を形成することができる。
本発明の光導波路型デバイスでは、少なくとも1つの溝は、薄膜素子を挿入する対応する1本の光導波路のみを横切り、この対応する1本の光導波路に隣接する他の光導波路を横切らないよう構成される。この溝は、概ね矩形状をしており、溝内に薄膜素子を安定して保持・固定できるように、挿入される薄膜素子のサイズに適合した最小のものとすることができる。
本発明の光導波路型デバイスで形成される溝は、挿入する薄膜素子ごとに別個に形成された複数の溝を備え、隣り合う溝の少なくとも2つは光導波路に概ね垂直な方向の一部が、相対して配置される。隣接する溝同志が1つに連結されていても良い。複数の溝が1つに連結された場合でも、それぞれの溝に対しては対応する薄膜素子が挿入される。
本発明の光導波路型デバイスでは、矩形状の溝の少なくともいずれかの端部に、溝から連続して形成された拡張部を備えることもできる。溝および拡張部に対して、適切な形状の選択および光導波路に対する配置を行うことによって、光回路内の複数の光導波路毎に溝を形成することが可能となる。本発明により作製される光導波路デバイスのより一層の小型化を実現できる。拡張部は溝内の余った充填剤、接着剤などを収容するように働き、薄膜素子を挿入して固定する製造工程において、煩雑な調整プロセスを簡略化できる。
以下、図面を参照しながら本発明の光導波路型デバイスの実施例を詳細に説明する。以下の実施例では、シリコン基板上に形成した石英系材料の単一モード光導波路を使用した光導波路デバイスを例として説明する。これは、この構成がPLCに現在広く利用されており集積化が容易であって、さらに石英系光ファイバとの整合性に優れ、低損失な光デバイスを提供できるためである。しかしながら、以下に述べる溝の構成は、シリコン基板および石英系材料の単一モード光導波路だけに限定されず、基板面上に溝を形成して、薄膜素子を基板上に挿入する構成を持つ光デバイスに適用できる。
[実施例1]
図3は、本発明の実施例1の光導波路デバイスの構成を示す図である。図3の光導波路型デバイスは、PLCによって構成されたデジタルコヒーレント光伝送用受信器の光干渉回路200である。光干渉回路200は、信号光入力導波路30、局発光入力導波路32、干渉光の出力導波路33a、33b、信号光モニタ導波路34を備える。また、光干渉回路200は、信号光の伝搬する順に、VOA31、PBS21、偏波ローテータ22、および2つの90度ハイブリッド29a、29bを備える。PBS21および偏波ローテータ22は、薄膜素子である波長板を各々の光導波路を横切るように各溝に挿入して実現される。
PBS21は、マッハ・ツェンダー干渉計の2つのアーム導波路23、24上にそれぞれ形成された溝25、26の中に、2つのλ/4波長板を互いの複屈折軸が直交するような向きに挿入して構成される。PBS21は、入力された信号光を2つの偏波に分離するよう動作する。また偏波ローテータ22は、2つの光導波路28a、28bの内の一方の光導波路28aに形成された溝27の中に、λ/2波長板を挿入して構成される。偏波ローテータ22は、PBS21で信号光を2つの偏波に分離した後、一方の光の偏波を90度回転させる。偏波ローテータ22において隣接して配置される光導波路28a、28bは、お互いの間隔が500μmとなるように近接して配置した。偏波ローテータ22において、波長板を挿入しない側の光導波路28bにも、溝27と同様の溝36を形成している。これによって、PBS21にて偏波分離されたそれぞれの光信号にほぼ同一の過剰損失を生じるようにした。このような場合でも、必要な個所に最小限の領域で溝を配置することができる。
薄膜素子が挿入される溝25、26、27および薄膜素子が挿入されない溝36は、いずれも、SiO2の深堀りエッチングのために最適化されたディープエッチング技術を使用して形成された。各々の機能に応じて挿入される波長板のサイズに応じて、溝のサイズを設計した。PBS21の溝25については、その長さを1mmとして、長さ0.75mmのλ/4波長板を挿入した。溝26については、その長さを2mmとして、長さ1.8mmのλ/4波長板を挿入した。2つのλ/4波長板の長さが異なるのは、長方形状のλ/4波長板の長さ方向に相当する光学軸に対して、一方のλ/4波長板は垂直に、他方のλ/4波長板は平行に挿入して、直交する偏波にそれぞれ光学軸に応じた位相差を生じさせるためである。また、偏波ローテータ22の溝27についてはその長さを1.5mmとして、長さ1.0mmのλ/2波長板を挿入した。いずれの波長板も、組み立て時の作業の容易性を考慮して、最小でも概ね1mm程度の長さとしている。偏波ローテータ22の波長板が挿入されない溝36についても、その長さを1.5mmとした。
図3では、光導波路のレイアウトは概ね実際のデバイスのイメージに近いが、光導波路に対する溝の幅や長さなどは実際の構成とは異なる点に留意されたい。実際の寸法関係で記載すると、溝および波長板などは視認できなくなるので、溝の幅、波長板の厚さを相対的に拡大して誇張して描いてある。
波長板として用いた薄膜素子はポリイミドフィルムで構成されており、厚さ10μm程度のものを使用した。挿入する薄膜素子の厚さに応じて、溝の幅は15〜30μm程度とした。溝内に挿入された薄膜素子を、石英ガラスに近い屈折率を持つ樹脂を溝内の薄膜素子との隙間に充填して、接着固定することにより、溝が横切る光導波路の過剰損失を最小限に抑えた。溝の深さは100μm以上300μm以下とし、光導波路部分のエッチング断面は基板面に対して垂直方向に垂直性を保ち、かつその表面は平滑である。薄膜素子は、組み立て時の扱いやすさを考慮して、基板表面よりも上方に500μm程度はみ出る高さを持つ。
本発明の光導波路デバイスにおける溝は、薄膜素子を挿入することが必要な光導波路に対して、それぞれ別個の溝として形成される。ここで、別個の溝の意味することころは、1つの溝と、薄膜素子の挿入が必要な対応する光導波路とが1対1に対応しているという意味であって、構造的に分離していることではないことに留意されたい。また、溝25、26はそれぞれの対応する光導波路のみを横切る形で配置されており、近接して配置されている他の光導波路を横切らない。さらに本発明の光導波路デバイスでは、隣り合う溝25、26が、光導波路23、24の方向(図3の水平方向)に垂直な方向の一部が、相対して配置されている。溝27、36についても同様である。
したがって、本発明の光導波路デバイスは、基板上に構成された複数の光導波路を持ち、1つ以上の薄膜素子が光導波路を横切って概ね基板面に対して垂直に挿入された光導波路デバイスにおいて、前記複数の光導波路の内の少なくとも2本以上の光導波路(23、24、28a、28b)においてそれぞれを横切る溝(25、26、27、36)を備え、前記溝の各々は、薄膜素子が挿入される矩形部分(52)を含み、対応する1本の光導波路のみを横切り、前記対応する1本の光導波路に隣接する他の光導波路は横切らないように構成され、前記複数の溝の内の隣接する少なくとも2つの溝(25、26)は、それぞれの前記対応する1本の光導波路に概ね垂直な方向の一部が、相対して配置されるものとして実施できる。
上述の本発明の光導波路デバイスでは、複数の溝は光導波路方向に沿って前後して、光導波路に概ね垂直な方向の一部が、相対するように配置される。言い換えると、例えば、2つの溝25、26を光導波路23、24の方向に沿って見たとき、光導波路に概ね垂直な軸上(または溝の長手方向に沿った軸上)の2つの溝の投影の一部分が重なるように配置されており、これによって隣り合う光導波路23、24の間隔を狭くすることができる。図2に示した従来技術の構成のように複数の波長板を1つの共通の溝に沿って一列に配置する必要がなく、波長板を配置する領域に無駄なスペースがない。このため、光導波路における信号光の伝搬の方向およびその垂直方向の両方向において、従来技術と比べて光回路のサイズをより小さくすることができる。以下の説明では、2つの溝の距離を、図3の右下の拡大図のように定義する。すなわち2つの溝の距離は、隣接する2つの溝のうち、一方の溝25の一辺から他方の溝26の相対する一辺までの最短距離35である。また、光導波路方向に概ね垂直な方向とは、溝の長手方向に対応する。上述のように、各溝は、反射損失を減らすために、光導波路に対して90度(垂直方向)よりもやや傾斜させて例えば98度の角度を持つように設定される。したがって、本発明における複数の溝の内の少なくとも隣接する2つの溝は、溝長手方向の軸上における各々の溝の投影の一部分が重なるように配置されていると言うこともできる。
連結部分を介して2つの溝を結合して、1mm以下の距離で2つの溝を結合させても良い。2つ溝を接近して形成する場合、2つの溝の対向する面で挟まれる部分の強度が弱くなり、クラックが発生しやすくなる。連結部分を介して隣接した2つの溝を結合させることにより、強度の弱い部分が除去されるため、溝構造の強度の劣化を防止できる。
図7は、隣接する2つの溝を結合する構成例を示した図である。図7の(a)は、2つの隣接する溝73、74の相対する辺が接するように配置された構成例を示す。矩形状の一方の溝73の一辺と、矩形状の他方の溝74の相対する一辺が同一線上にあり、2つの矩形が接して、2つの溝が結合されている。この場合、2つの溝の距離は0となる。図7の(b)は、2つの隣接する溝73、74が、それぞれの端部の間に形成された連結部77によって結合されている構成例を示す。連結部77の長さ、すなわち2つの溝の距離78は、概ね1mm以下とすることができる。図7の(c)は、2つの隣接する溝73、74の相対する端部の一部が重複するように配置された構成例を示す。2つの波長板75、76が接触するように、一方の溝73の矩形状領域の一端と、他方の溝74の矩形状領域の相対する一端が、重複して結合している。この場合、2つの溝の距離は、マイナスの値となる。いずれの場合も2つの溝が結合されるため、後述するように、波長板の固定接着のために溝内に導入される充填剤または接着剤などが2つの溝内に行き渡ることになる。上述の連結した2つ以上の溝に図5とともに後述する拡張部を組み合わせれば、溝自体の数を減らすことによって、溝内に導入する接着剤等の導入工程自体を簡略化できる点でも、図7に示した連結した溝の構成はメリットを持つ。
本発明の光導波路デバイスの溝を作製するディープエッチングプロセスは、光導波路部分のSiO2に対して深堀りエッチングを行うのに最適化されたプロセスである。したがって、光導波路部分以外のエッチング断面、特にSiO2の光導波路部分を越えてシリコン基板部に達した溝のエッチング断面においては、基板面に対する厳密な垂直性は必ずしも必要ない。信号光に対して位相変化を生じさせるSiO2の光導波路部分のエッチング断面で垂直性が確保されていれば、SiO2の溝で十分に薄膜素子を保持できる。したがって、溝の奥深くにあるシリコン基板のエッチング断面については垂直状態からやや外れていても許容できる。波長板を挿入するために必要十分な開口部の大きさ(溝の幅)、並びに、光導波路部分のエッチング断面での垂直性および平滑性を得られる溝を実現するディープエッチングプロセスを利用することで、薄膜素子を保持し固定するのに十分な作製トレランスを有する構造を実現できる。
図5は、本発明の光導波路デバイスにおける溝のより詳細な形状を説明する図である。図5の(a)は、光導波路デバイスの基板面上を見た溝の形状を示しており、溝の中央部を省略して溝の両端部を示している。図2の全体構成図では詳細を示していなかったが、本発明の光導波路デバイスにおいて、薄膜素子が挿入される溝は、薄膜素子54が挿入され収まる矩形部分52と、矩形部分52の少なくとも一方の端部から連続して形成された1つ以上の拡張部とを備える。具体的には、矩形部分52の一方の端部には、矩形部分52の長手方向に沿って伸びた概ね台形状の第1の拡張部51が形成されている。さらに、溝のもう一方の端部には、この溝が横切る光導波路と概ね同じ方向に向かって伸びた三角形状の第2の拡張部53を形成することができる。
したがって、本発明の光導波路デバイスにおける溝は、薄膜素子が挿入される矩形部分52と、前記矩形部分の端部から連続して形成された少なくとも1つの拡張部を有する。さらにこの拡張部は、前記矩形部分の一端から前記矩形部分の長手方向に向かって連続して形成された第1の拡張部(51)、または、前記矩形部分の他端から前記対応する1本の光導波路が構成された方向に向かって連続して形成された第2の拡張部(53)を有する。また、第1の拡張部は、前記一端から離れた側に幅の広い底辺を持つ概ね台形の形状を有することができ、第2の拡張部は、前記矩形部分の長辺上の前記他端近傍の一部を一辺とする三角形の形状を有することができる。
矩形部分52の端部から延長され、連続して形成された第1の拡張部51、第2の拡張部53は、それぞれ、溝に挿入される波長板54などを固定する際に充填される接着剤(充填剤)を収容するためのものである。従来技術の光導波路デバイスにおける溝は、非常に大きなサイズであって複数の薄膜素子が挿入される共通の溝であったため、溝の内部には、余った接着剤を収容するのに十分な空間(容積)があった。本発明の光導波路デバイスにおける溝は、溝が必要な光導波路の各々に対して、薄膜素子を挿入・固定できる範囲で、できる限りコンパクトなサイズとなるように形成される。したがって、各々の溝は薄膜素子を固定するために寄与しない余分な接着剤を収容する材料収容機能を備えていることが望ましい。
第1の拡張部51および第2の拡張部53の形状を、使用する薄膜素子の形状や矩形部分の容積に基づいて決定することで、各拡張部を含めた溝全体の接着剤または充填剤の収容容積を設定できる。各拡張部の容積は、回路に形成する個々の溝の矩形部分52の大きさにより決められる。溝の矩形部分52の大きさは、溝に挿入される薄膜素子の長さおよび厚さと、溝を形成するエッチング工程に生じる容積バラツキ(深さ、幅W1など)を考慮して決められる。各拡張部のサイズは、上記で決定された矩形部分52の容積に基づいて、さらに充填する接着剤の特性(粘性、シクソ性など)、量なども考慮しながら、各拡張部を含む溝内の全容積が、光回路内の各溝でほぼ同じくらいになるように設定する。接着剤の特性を適切に選択すれば、薄膜素子が保持される矩形部分に接着固定に必要十分な接着剤が行き渡った上で、余った接着剤が拡張部に収まり、接着剤の量のバッファすなわち材料の収容機能を果たすことができる。
このように第1の拡張部51および第2の拡張部53の形状を決定することで、個々の溝に対する薄膜素子のサイズが異なり、また、溝のエッチング形成時に容積のばらつきがあっても、溝ごとに個別に接着剤の量を調整する必要が無い。予め決めた充填接着剤の量を溝ごとに変更する必要がないので、接着剤を充填する工程が簡略化され、接着剤の過不足に起因する不良が減って、光導波路デバイスの歩留まり向上を実現することができる。したがって、本発明の光導波路デバイスにおける溝に少なくとも1つの拡張部を設けて、接着剤のバッファすなわち材料の収容機能を備えることで、溝自体の小型化を実現しながら、製造工程の煩雑化を防ぐことができる。
したがって、本発明の光導波路回路における溝において、複数の溝の少なくともいくつかは、前記矩形部分の端部から連続して形成された少なくとも1つの拡張部(51、53)であって、その形状が、少なくとも前記挿入される薄膜素子の形状および前記矩形部分の容積に基づいて決定される拡張部をさらに有することができる。本発明の光導波路デバイスでは、最も簡単な構成として、図2に示したように2つの溝を隣接させて構成することができる。さらに3つ以上の溝を隣接させて構成することが可能で、隣り合う2つの溝について、光導波路に垂直な方向の一部を、相対して配置されるようにして、1つのグループとして配置することもできる。このような場合には、図7に示したような溝の結合を行うとともに、3つ以上の溝の内で、端にある溝の矩形部分から拡張部を適宜設けて、接着剤のバッファすなわち材料の収容機能を実現できる。この場合も、拡張部の形状を、挿入される薄膜素子の形状および結合された複数の矩形部分の容積に基づいて決定できる。
それぞれの拡張部51、53は、矩形部分52をエッチングで形成するのと同時に形成し、挿入する薄膜素子54に入射する信号光に対して影響を与えないよう形状を選択し、配置される。溝は、その溝に挿入される薄膜素子が光導波路を横切るような向きに形成される。溝が形成される光導波路と、これに最も隣接する他の光導波路とは、これら2つの光導波路の間隔ができる限り小さくなるよう配置される。したがって、隣接する他の光導波路は、光導波路が構成された方向に向かって伸びる第2の拡張部53が形成される端部側に配置することができる。矩形部分52の長手方向に向かって伸びる第1の拡張部51は、隣接する光導波路に向かって伸びているので、光導波路間の間隔を詰めたい場合には適さない。溝を結合しない場合には、隣接する導波路が、光導波路が構成された方向に向かって伸びる第2の拡張部側に配置されるように、光干渉回路の全体レイアウトを決定すれば良い。
図7で示した2つ以上の溝を連結する溝の配置例の場合では、連結した溝の両端部にある溝において、拡張部を構成することができる。また、波長板の安定した接着・固定や光導波路の光学特性に支障が無ければ、連結した複数の溝の内の途中にある溝に、光導波路が構成された方向に向かって伸びる拡張部を設けることもできる。
図5の(b)は、連結なしで2つの溝を近接させて配置した場合に形成した拡張部の構成を示す図である。2つの溝55、56を近接させる場合、光導波路の方向に垂直な方向の一部が相対するようにして、それぞれの第2の拡張部57、58が背中合わせとなるような向きに配置すれば良い。一方の第2の拡張部57は相対する溝56の反対側に、他方の第2の拡張部58は、相対する溝55の反対側にそれぞれ形成される。このため、第2の拡張部57、58は2つの溝55、56を近接させて配置する際の障害とはならない。
図5の(a)において、第1の拡張部51および第2の拡張部53は、余分な接着剤を収容する材料収容機能を実現できる限り、1つの溝に両方の拡張部を備えても良いし、いずれか一方だけを備えていても良い。また、図7に示したように2つ以上の溝を連結する構成の場合には、連結した溝の内の両端にある溝に拡張部を設ければ良い。充填剤(接着剤)の適切な収容容積を確保できる限り、どのような組み合わせも可能である。図5の(a)に示したように、2つの溝が分離している場合、接着剤などの量の設定を簡単化するためには、各々の溝に対して矩形部、拡張部の容積、波長板の形状を考慮した形状およびサイズの拡張部を備えることになる。図7に示したように複数の溝を連結すれば、接着剤を充填すべき溝の数自体を減らすこともできる。したがって、図3に示したように2つ以上の溝の導波路に垂直な方向の一部が相対するように配置を行うとともに、複数の溝の配置や結合の状態に応じてさらに拡張部を形成することで、光導波路および溝のコンパクトで柔軟なレイアウト並びに波長板を接着・固定する工程における接着剤量の調整プロセスの簡単化を実現できる。複数の溝を連結すれば、接着剤の充填と量の調整が必要な溝の数を減らし、同時に、1つの溝あたり必要最低限の接着剤の量で済む点でも効率的であり、図2に示した従来技術の大きな1つの溝151を形成した場合と対照的である。
矩形部分の長手方向に伸びる第1の拡張部51は、台形形状のものとして説明したが、後述するようなクラックの問題が生じず光回路の小型化に反しない範囲であれば、その形状には何ら制限がない。したがって、余分な接着剤の収容ができる限り、矩形部を除いた第1の拡張部51の形状は、図5のような台形状だけに限られず、三角形、正方形、四角形、五角形などの3辺以上を持つ多角形、さらには少なくとも一部に曲面を含む形状であっても良い。同様に、光導波路の構成される方向に伸びる第2の拡張部53も、薄膜素子54の溝内の固定に影響を及ぼさない限り、三角形状に限られずどのような形状も可能である。すなわち矩形部を除いた第2の拡張部53の形状は、図5のような三角形状だけに限られず、正方形、四角形、五角形などの3辺以上を持つ多角形、さらには少なくとも一部に曲面を含む形状であっても良い。また、第1の拡張部は、矩形部分52の長手方向に沿って伸びたものとして説明したが、矩形部分52と台形部分51との間に、方向を曲げる中間部を備えて、台形部分51の伸びる方向を曲げて、隣接する光導波路との距離を取ることもできる。
第1の拡張部は、接着剤を収容するための容量を確保するために、前記第1の拡張部は、少なくとも一部に、前記一端から離れるにしたがって幅が広がる形状を持つのが好ましい。
図6は、本発明の光導波路デバイスにおける溝の別の形状を説明する図である。図6の構成例では、溝の矩形部分62に対して、一端から溝の長手方向に沿って拡張部61が形成される。拡張部61は概略台形の形状をしているが、角の頂点部分が滑らかに丸まっている。例えば溝の最も端にある頂点部65a、65bは、半径10〜50μmの円弧に近い形状を持つ。溝の輪郭に急激な形状変動があると、この部分からクラックが生じる場合がある。図6のように頂点部を丸めた形状とすることによって、デバイスの信頼性を向上させる。円弧状の丸めた形状は、図5の(a)に示した第2の拡張部53の頂点部にも適用できることは言うまでもない。
光波長板の機能を持つ薄膜素子は、概ね矩形または正方形に近い形状を持つ。薄膜素子は、取り扱いの容易さから、溝に沿った方向に概ね1〜2mmの長さ、10μm程度の厚さを持つ。溝の矩形部分52、62の幅W1は15〜30μm程度、溝の深さは100〜300μm程度である。図5、図6に例示的に示した形状の各拡張部は、以下のような大きさで実現できる。第1の拡張部51、61の長さL2は、50〜400μm程度、台形の長い辺の幅W2は30〜300μm程度、また第2の拡張部53の長さL3、幅W3とも50〜200μm程度となる。上記の各数値は、薄膜素子の大きさ、ディープエッチングの条件、溝の深さ、接着剤の性状などによって変動し得るものであって、上記の数値範囲のものだけに限定する趣旨ではない。
ここで、再び図3を参照すれば、本発明の光導波路デバイスでは、PBS21、偏波ローテータ22、および90度ハイブリッド29a、29bを、それぞれを接続する光導波路を折り返しながら配置する。折り返し曲線光導波路の半径を放射損失が発生しない最小値とすることで、3つの基本要素を大きく縦方向に並べて、互いに近接して配置した。特徴的な溝25、26とともに、PBS21におけるマッハ・ツェンダー干渉計のアーム部分に相当する2本の光導波路23、24の間隔を300μm以下になるように近接させて配置することで、回路全体のサイズを大幅に縮小することが可能である。尚、例えば波長板のサイズのために長い溝を形成する必要がある場合などには、必要に応じてアーム部分に相当する2本の光導波路23、24の間隔を1mm程度により広くすることも可能であって、導波路間隔についても上記の数値のものだけに限定されない。
上述のように、図2で説明した溝の境界面を光導波路に対して傾けた場合に配置スペースが増大する問題や、溝の通過を避けるための光回路のレイアウト制限、溝の通過を許容することによる望まない損失の発生の問題を解消することができる。同時に、溝の矩形部分にさらに拡張部を適宜設けることで、波長板を挿入・固定する工程における接着剤量の設定・調整プロセスの煩雑化を避けることができる。連結した複数の溝に対して、拡張部を設ければ、接着剤の充填と量の調整が必要な溝の数を減らし、接着剤の導入工程の数を減らすこともできる。
具体的には、図1に示したデジタルコヒーレント光伝送システムにおける光受信器で、光干渉回路内に共通の1つの大きな溝を形成した場合、チップサイズは17×9mmであった。一方、図3に示した本発明の光導波路デバイスで、必要な光導波路に対して個々に別個の溝を形成した場合、図1に示したものと同一の機能を実現するためのチップサイズは12×7mmとなった。本発明の光導波路デバイスの特徴的な構成の溝を利用することで、面積比較で従来技術の構成よりも45%削減できる。
本発明の光導波路デバイスで光回路サイズが小さくなったことに伴って、光導波路と薄膜を挿入する溝との境界面で発生する光反射が光受信器としての性能に影響を及ぼす可能性がある。光反射減衰量を十分抑制するため、図3に示したように、各溝25、26、27、36の光導波路と溝の境界面の角度が98度となるように溝を構成した。溝の向きを直角よりも所定の角度を付けて設定することで、隣り合う溝25、26を光導波路に垂直な方向の一部が相対するよう配置し、各溝はそれぞれに対応する1つの光導波路のみを横切るようにレイアウトされている。すなわち、本発明の光導波路デバイスにおける溝は、対応する光導波路のみを横切り、近接して配置されている他の光導波路を横切らない。
本発明の光導波路デバイスは、従来技術の光導波路設計技術を用いたままで、ディープエッチング技術を使用しながら溝の形状を変更するだけで、光回路のサイズ縮小を可能とする。一方で、挿入損失、PBSにおける偏波消光比、90度ハイブリッドにおける位相誤差、同相信号除去比などの光干渉回路の光学特性については、従来技術による光回路の場合と全く同等の性能を得ることが可能である。
上述のように、本発明の光導波路デバイスでは、特徴的な構成の溝を備えることによって、溝のレイアウトに関する回路設計および光学的な性能上での大きな制約を解消し、光回路のサイズの大幅な小型化を実現する。また、溝の数が増えても製造組み立て工程を煩雑化する問題を生じない。次の実施例でも、本発明の光導波路デバイスにおける特徴的な溝を有効に利用できる光干渉回路の構成例を示す。
[実施例2]
図4は、本発明の実施例2の光導波路デバイスの構成を示す図である。図4は、アレイ化された複数のPBS41a〜41d、並びに、各PBSの両脇に用途を特定しないスルー接続の複数の光導波路42a〜42eを備えたえPBSアレイ回路400を示す。各PBSの入力導波路には信号光47が入力され、PBSによってそれぞれ基板水平方向と基板垂直方向の2つの偏波に分離して、2本の出力光導波路から出力光48a、48bを出力する。1つのPBSにおいて、マッハ・ツェンダー干渉計のアーム導波路に相当する2本の光導波路45、46の間隔を300μmとした。
本実施例の光導波路デバイスでは、各PBSの2つの光導波路45、46にそれぞれλ/4波長板を挿入する。波長板を挿入する溝43、44における反射に起因する光反射減衰量を抑制するため、光導波路と矩形状の溝の境界面の角度が98度となるように配置した。溝43、44はいずれも、それぞれ通過をするアーム導波路の一方の光導波路のみを横切るように構成されており、近接して配置されているアーム導波路の他方の光導波路、さらにはスルー接続の複数の光導波路光42a〜42eを横切ることはない。
溝43、44は、導波路部分のSiO2に対して深堀りエッチングを行うのに最適化されたプロセスであるディープエッチング技術を使用して形成される。一方の溝43についてはその長さを1mmとし、長さ0.75mmのλ/4波長板を挿入した。他方の溝44についてはその長さを2mmとし、長さ1.8mmのλ/4波長板を挿入した。波長板として使用した薄膜素子はポリイミドフィルムを使用しており、厚さ10μm程度のものを使用した。薄膜を挿入する溝の幅は15〜30μm程度とし、石英ガラスに近い屈折率を持つ樹脂を用いて薄膜素子を溝内に接着固定することにより、溝を通過する光導波路の過剰損失を最小限に抑えた。溝の深さは100μm以上300μm以下とし、光導波路部分のSiO2のエッチング断面は基板面に対して垂直性を保ちかつその表面は平滑である。
図4でも、光導波路に対する溝の幅や長さなどは実際のパターン構成イメージとは異なる点に留意されたい。実際の寸法関係で描くと、溝および波長板などは視認できなくなるので、溝の幅、波長板の厚さを相対的に拡大して誇張して描いてある。
本実施例の光回路のように、PBSアレイ41a〜41dを構成する場合において、PBSとPBSの間に、PBSへ接続されない別の光導波路42a〜42eを接近して配置する場合でも、溝43、44は、それぞれ必要な光導波路のみを横切るように配置される。したがって、溝を必要とする光導波路と、対応する溝とが1対1に対応している。溝を必要としない光導波路42a〜42eには、当然、溝は形成されない。
アーム導波路である光導波路45および光導波路46については、それぞれの溝の影響が同等に及ぶため導波路間隔についての制限はない。それぞれの溝の影響を同じとするために、アーム導波路である対となる2つの光導波路では、各溝から隣接する各光導波路42a〜42eまでの距離を同じとするのが好ましい。
上述のように、対となるアーム導波路45、46については2つの光導波路の間隔を近接させることができるので、複数の溝は光導波路方向に沿って前後して、光導波路に概ね垂直な方向の一部が相対するように配置する本発明に、さらに図7に示したように連結した溝の構成を利用することで、よりコンパクトで効率的な光回路の配置が可能となる。
図4のPBSアレイおよびスルー接続の複数の光導波路42a〜42eが交互に配置された構成を、従来技術によって実現するためには、図2に示したように個々のPBSの溝が形成された位置に、貫通する1本の共通の溝を形成するしかなかった。このような場合、アーム導波路45、46に対して異なるλ/4波長板を挿入するためには、アーム導波路45、46の間隔を十分に広く取る必要があった。その上、本来溝を形成する必要がなかった別の光導波路42a〜42eに対しても、溝が横切ることになる。これらの光導波路では損失を減らすために接着剤または屈折率整合剤を充填するか、無用な過剰損失を許容するしかなく、光回路の性能上でも著しく不利となっていた。
これと対照的に、図4の光導波路デバイスでは、最小限の長さの溝を、溝を必要とする光導波路に対してそれぞれ別個に備える本発明の特徴的な構成の溝によって、アーム導波路の間隔も狭く設定できる。さらに、PBSアレイ41a〜41dと接続されない他の光導波路42a〜42eに対して過剰損失の発生を考慮する必要もない。回路基板上のレイアウトで図2に示したような無駄な配置エリア154を生じることもない。回路基板上に効率的に基本要素を配置して光干渉回路を実現できる。従来技術の共通の溝を利用する場合と比べて、光干渉回路をよりコンパクトに構成することができる。
本発明の光導波路デバイスでは、波長板を挿入する光導波路ごとに形成し、溝の向きを光導波路に対して90度よりもさらに傾斜させる。さらに、隣り合う溝を、光導波路に垂直な方向の一部が相対して配置されるようにすることで、光伝搬方向の回路サイズを抑え、光回路全体も小型化できる。本発明の光導波路デバイスは、図4に示したような複数の薄膜素子を挿入する回路を多数アレイ化した構成の場合に、非常に有効となる。また、対となる2つの光導波路において、薄膜素子を挿入する必要が無く、損失量を揃えるために形成される溝(例えば図3の溝36)に対しても適用できる。
本実施例では、図4の左側の入力導波路より信号光47を入力して出力光48a、48bを偏波分離するPBSとしての機能を説明したが、図4の右側の出力光48a、48bが出力された光導波路から、基板に対して水平方向、垂直方向の直線偏波をそれぞれ入力することによって、偏波ビームコンバイナとして動作させることも可能である。この場合、本実施例において信号光47が入力された入力導波路から直交偏波多重された光が出力される。
本実施例における溝は、薄膜素子が挿入される矩形部分52(図5)に加えて、図5で説明したような台形状または三角形状の拡張部を備えるのが好ましい。薄膜素子を溝内に固定するための樹脂(または接着剤)を導入するため、やや大きめの台形状の拡張部51(図5)を矩形部分の一端に備え、さらに、導入した樹脂(接着剤)を溝全体に十分行き渡らせるための樹脂溜まりとして、三角形状の溝53(図5)を矩形部分の他端に配置できる。これらの拡張部は、溝の形成と同時にディープエッチング技術を利用して形成が可能であって、図4の本実施例の構成でも、光回路のサイズを十分に小型化できる範囲で適用することが可能である。拡張部の形状を様々に変形可能なことは言うまでもない。例えば、台形状の拡張部は、溝の矩形部分の長手方向に連続して形成されるものとして説明したが、矩形部分の端部から緩やかに90度曲げる中間部を経て、光導波路と同じ方向に台形状の拡張部を構成しても良い。どのような構成でも、溝内に薄膜素子を接着固定するための材料を導入可能であって、矩形部分を含めた溝の容量を予め適切な量に設定して、余った材料を収容する材料収容機能を実現できれば良い。
また、四角形または多角形状に形成した拡張部を持つ溝の場合、溝の頂点部分に基板の応力が集中してクラック等が発生する可能性もある。図6に示したように、頂点部分を半径10〜50μm程度の円弧状として角が丸い形状とすることが可能である。
上述の実施例1、実施例2では、シリコン基板上に構成された石英系ガラス導波路型デバイスを例として説明したが、本発明は、光導波路を構成する他の材料、例えば高分子、半導体、シリコン、イオン拡散型のニオブ酸リチウムなどを用いた光導波路デバイスすべてに対しても適用可能である。SiO2以外の各々の光導波路材料においても、基板の水平方向に対して垂直な深さ方向に選択比の高いディープエッチング技術を利用することが可能である。ディープエッチング技術を利用して、溝を必要とする光導波路に対して、対応する溝を1対1に構成することで、溝の構成に関する回路設計の柔軟性および光学的な性能に対する制約を解消し、光回路のさらなる小型化を実現できる。さらに本発明に特有の拡張部を持つ溝構成を採用することで、溝の数が増えた場合でも製造組み立て工程における調整の煩雑化の問題を生じない。本発明の光導波路デバイスは、光干渉回路を含むデジタルコヒーレント光伝送に用いられる光送受信器に非常に有効である。
以上、詳細に説明をしてきたように、本発明の光導波路デバイスにより、光波長板などの薄膜素子を挿入する溝を有する光干渉回路の小型化を実現する。さらに製造組み立て時における煩雑な調整工程が不要な光干渉回路を提供することができる。
本発明は、一般的に通信システムに利用することができる。特に、光通信システムの光導波路型デバイスに利用できる。
1 基板
2 導波路部
3、25、26、27、36、43、44、73、74、151 溝
11、14、30、32 入力導波路
12、21、41a〜41d PBS
13、22 偏波ローテータ
15、31 VOA
16a、16b、29a、29b 90度ハイブリッド
17、34 信号光モニタ導波路
18a、18b、33a、33b 出力導波路
23、24、45、46 アーム導波路
28a、28b、42a〜42e、71、72、152a〜152f 光導波路
35、78 溝間の距離
47 入力信号光
48a、48b 出力光
51、53、57、58、61 拡張部
52、55、56、62 矩形部分
54、64、75、76、153a〜153f 波長板
65a、65b 頂点部
77 連結部
100、150、200、400 光干渉回路
154 配置エリア

Claims (10)

  1. 基板上に構成された複数の光導波路を持ち、1つ以上の薄膜素子が光導波路を横切って概ね基板面に対して垂直に挿入された光導波路デバイスにおいて、
    前記複数の光導波路の内の少なくとも2本以上の光導波路においてそれぞれを横切る溝を備え、
    前記溝の各々は、前記薄膜素子が挿入される矩形部分を含み、対応する1本の光導波路のみを横切り、前記対応する1本の光導波路に隣接する他の光導波路は横切らないように構成され、
    前記溝の内の隣接する少なくとも2つの溝は、それぞれの前記対応する1本の光導波路に概ね垂直な方向の一部が相対して配置されていることを特徴とする光導波路デバイス。
  2. 前記隣接する少なくとも2つの溝は、
    前記隣接する少なくとも2つの溝のそれぞれの相対する端部の間に形成された1mm以下の連結部によって、
    前記隣接する少なくとも2つの溝の相対する辺が結合されていることを特徴とする請求項1に記載の光導波路デバイス。
  3. 前記溝の少なくともいくつかは、
    前記矩形部分の端部から連続して形成された少なくとも1つの拡張部をさらに有することを特徴とする請求項1または2に記載の光導波路デバイス光導波路デバイス。
  4. 前記拡張部は、前記薄膜素子を固定するために寄与しない余分な接着剤を収容することを特徴とする請求項3に記載の光導波路デバイス。
  5. 前記拡張部は、
    前記矩形部分の一端から前記矩形部分の長手方向に向かって連続して形成された第1の拡張部、または、
    前記矩形部分の他端から前記対応する1本の光導波路が構成された方向に向かって連続して形成された第2の拡張部
    を有することを特徴とする請求項3または4に記載の光導波路デバイス。
  6. 前記第1の拡張部は、少なくとも一部に、前記一端から離れるにしたがって幅が広がる形状を持つことを特徴とする請求項5に記載の光導波路デバイス。
  7. 前記第1の拡張部は、前記一端から離れた側に幅の広い底辺を持つ概ね台形の形状を有し、前記第2の拡張部は、前記矩形部分の長辺上の前記他端近傍の一部を一辺とする三角形の形状を有することを特徴とする請求項5または6に記載の光導波路デバイス。
  8. 前記拡張部の形状の頂点に相当する部分が、半径50μm以下の円弧状に形成されていることを特徴とする請求項3乃至7いずれかに記載の光導波路デバイス。
  9. 前記複数の溝は、前記複数の光導波路を構成する材料に関して、前記基板面に垂直な深さ方向に選択比が大きいディープエッチングプロセスによって形成されることを特徴とする請求項1乃至8いずれかに記載の光導波路デバイス。
  10. 前記溝に挿入される薄膜素子によって、偏波ビームスプリッタ(PBS)、偏波ビームコンバイナまたは偏波ローテータのいずれかの機能が実現されることを特徴とする請求項1乃至9いずれかに記載の光導波路デバイス。
JP2015127900A 2015-06-25 2015-06-25 光導波路デバイス Active JP6219887B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015127900A JP6219887B2 (ja) 2015-06-25 2015-06-25 光導波路デバイス
PCT/JP2016/002661 WO2016208126A1 (ja) 2015-06-25 2016-06-01 光導波路デバイス
US15/737,386 US10310159B2 (en) 2015-06-25 2016-06-01 Optical waveguide device
CN201680038166.XA CN107850729B (zh) 2015-06-25 2016-06-01 光波导装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015127900A JP6219887B2 (ja) 2015-06-25 2015-06-25 光導波路デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017009917A true JP2017009917A (ja) 2017-01-12
JP6219887B2 JP6219887B2 (ja) 2017-10-25

Family

ID=57585279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015127900A Active JP6219887B2 (ja) 2015-06-25 2015-06-25 光導波路デバイス

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10310159B2 (ja)
JP (1) JP6219887B2 (ja)
CN (1) CN107850729B (ja)
WO (1) WO2016208126A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018132621A (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 古河電気工業株式会社 光導波路素子および光導波路素子の製造方法
JP2019020689A (ja) * 2017-07-21 2019-02-07 日本電信電話株式会社 光電子集積素子

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5959505B2 (ja) * 2011-03-28 2016-08-02 古河電気工業株式会社 光導波路回路
WO2019117313A1 (ja) 2017-12-15 2019-06-20 古河電気工業株式会社 光偏波素子およびその製造方法
KR20210018726A (ko) * 2019-08-09 2021-02-18 한국전자통신연구원 코히어런트 광수신기 및 그의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003294964A (ja) * 2002-04-03 2003-10-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
WO2007058312A1 (ja) * 2005-11-18 2007-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. 光デバイス
JP2014134593A (ja) * 2013-01-08 2014-07-24 Nec Corp 光導波路デバイスおよびその製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4621895A (en) * 1984-06-04 1986-11-11 Motsko Gerard J Reflective/refractive/reflective precision connector, (MR3PC)
US4900118A (en) * 1987-05-22 1990-02-13 Furukawa Electric Co., Ltd. Multiple-fiber optical component and method for manufacturing of the same
JP2614365B2 (ja) 1991-01-14 1997-05-28 日本電信電話株式会社 偏波無依存導波型光デバイス
JPH0713019A (ja) * 1993-06-28 1995-01-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光フィルタ及びその製造方法
US6061487A (en) * 1997-04-30 2000-05-09 Nok Corporation Optical waveguide circuit, optical branched waveguide circuit, and optical modulator
JPH10332956A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Hitachi Cable Ltd フィルタ挿入型光分岐装置
JP3708306B2 (ja) * 1997-10-06 2005-10-19 富士通株式会社 波長分割多重光デバイス及びその製造方法
CA2352252A1 (en) 1999-10-21 2001-04-26 Nhk Spring Co., Ltd. Optical component having positioning markers and method for making the same
US6356679B1 (en) * 2000-03-30 2002-03-12 K2 Optronics, Inc. Optical routing element for use in fiber optic systems
US20030002778A1 (en) * 2001-02-14 2003-01-02 David Bach Photo-polymer based fiber-optic switch using total internal reflection and micro-fluidic actuation
WO2002068821A2 (en) * 2001-02-28 2002-09-06 Lightwave Microsystems Corporation Microfluidic control using dieletric pumping
JP2004309530A (ja) * 2003-04-02 2004-11-04 Yutaka Katsuyama 光信号コントローラ
US20040223682A1 (en) * 2003-05-06 2004-11-11 Yi Ding Hybrid optical circuits with thin film filters
CN100353194C (zh) * 2003-09-12 2007-12-05 日本电信电话株式会社 波长合波分波器
KR100532302B1 (ko) * 2003-11-11 2005-11-29 삼성전자주식회사 양방향 광 트리플렉서
JP2006098702A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Ngk Insulators Ltd 光デバイス
JP2006171173A (ja) * 2004-12-14 2006-06-29 Omron Corp 光モジュール及びその製造方法
US7468995B2 (en) * 2006-04-27 2008-12-23 Japan Aviation Electronics Industry Limited Optical switch
JP4385168B2 (ja) * 2006-08-04 2009-12-16 学校法人慶應義塾 回折格子及び分散補償回路
JP5520393B2 (ja) * 2011-01-26 2014-06-11 日本電信電話株式会社 導波路型偏波ビームスプリッタ
JP2013012548A (ja) * 2011-06-28 2013-01-17 Hitachi Ltd 光モジュールおよび光電気混載ボード
CN103984062B (zh) * 2013-02-08 2015-10-14 源杰科技股份有限公司 光电模块及光电模块的封装工艺
US10371898B2 (en) * 2013-09-05 2019-08-06 Southern Methodist University Enhanced coupling strength grating having a cover layer
US9331454B2 (en) * 2013-11-27 2016-05-03 Ngk Insulators, Ltd. External resonator type light emitting system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003294964A (ja) * 2002-04-03 2003-10-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 光通信モジュール
WO2007058312A1 (ja) * 2005-11-18 2007-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. 光デバイス
JP2014134593A (ja) * 2013-01-08 2014-07-24 Nec Corp 光導波路デバイスおよびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018132621A (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 古河電気工業株式会社 光導波路素子および光導波路素子の製造方法
US11536898B2 (en) 2017-02-15 2022-12-27 Furukawa Electric Co., Ltd. Optical waveguide device and manufacturing method of optical waveguide device
JP2019020689A (ja) * 2017-07-21 2019-02-07 日本電信電話株式会社 光電子集積素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN107850729B (zh) 2020-04-17
US10310159B2 (en) 2019-06-04
WO2016208126A1 (ja) 2016-12-29
CN107850729A (zh) 2018-03-27
JP6219887B2 (ja) 2017-10-25
US20180136392A1 (en) 2018-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10656333B2 (en) Two-stage adiabatically coupled photonic systems
JP6219887B2 (ja) 光導波路デバイス
EP3171207B1 (en) Photonic chip grating couplers
JP6211538B2 (ja) 光変調素子
US6870991B2 (en) Fiber-type optical coupler with slanting Bragg diffraction gratings and optical parts and apparatuses using the same
JP5959505B2 (ja) 光導波路回路
US10877209B2 (en) Photonic apparatus for controlling polarization
JP6186395B2 (ja) 光導波路デバイス
KR20090025953A (ko) 광섬유어레이를 이용한 평판형 광도파로 소자와 능동소자의하이브리드 집적구조
US6597833B1 (en) Wavelength-division multiplexers and demultiplexers based on mach-zehnder interferometers and evanescent coupling
JP2004170924A (ja) 導波路埋め込み型光回路及びこれに用いる光学素子
JP5569060B2 (ja) 光導波路デバイスおよび光導波路デバイス製造方法
JP6714381B2 (ja) 光導波路型デバイス
JP5908369B2 (ja) 受光デバイス
Takahashi et al. Compact 100-Gb/s DP-QPSK intradyne coherent receiver module employing Si waveguide
KR101501140B1 (ko) 광 파워 모니터 구조를 개량시킨 평판형 광도파로 소자 모듈
JP2000047043A (ja) フィルタ挿入型導波路デバイスとその製造方法
JP2018132621A (ja) 光導波路素子および光導波路素子の製造方法
JP4792422B2 (ja) 平面光波回路
JP2014038173A (ja) 光変調器

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161025

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161214

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170404

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170703

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20170710

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170928

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6219887

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250