JP2016516666A5 - - Google Patents

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測定可能な特徴は、ロッド又はロッド部分の熱伝導性、ロッド又はロッド部分の電気抵抗、ロッド又はロッド部分の電磁透過性、電磁波用ロッド又はロッド部分の屈折率、音、超低周波音及び超音波用ロッド又はロッド部分の屈折率、ロッド又はロッド部分の色、ロッド又はロッド部分の吸収スペクトル、励起(例えば熱的、電気的、光学的)後又は励起状態におけるロッド又はロッド部分の発光スペクトル、ロッド又はロッド部分のX線回折特性、ロッド又はロッド部分のX線吸収特性、ロッド又はロッド部分の中性子回折特性、ロッド又はロッド部分の中性子吸収特性、ロッド又はロッド部分の核スピン共鳴特性、ロッド又はロッド部分の電気的キャパシタンス、ロッド又はロッド部分の電磁誘導性、ロッド又はロッド部分の磁化、ロッド又はロッド部分の磁気モーメント、ロッド又はロッド部分の磁性感受性、ロッド又はロッド部分の放射能、ロッド又はロッド部分の同位元素組成物、ロッド又はロッド部分の中性子活性化、ロッド又はロッド部分の光沢、様々な波長の電磁放射線用ロッド又はロッド部分の表面反射率、様々な波長の電磁放射線用ロッド又はロッド部分の破壊表面の反射率、ロッド又はロッド部分の表面又は破壊表面の熱移動係数、様々な周波数の電磁又は音波用ロッド又はロッド部分のインピーダンス、ロッド又はロッド部分の電気的分極率及びロッド又はロッド部分の電気的透過率、及び上記特徴の組合せからなる群から選択された電磁/核手段により測定可能な特徴でよい。
さらなる好ましい分類特徴は、ロッド取り出しの際及び分類までの時間における、空気温度及び組成(汚染物質を含む)、堆積後の堆積反応器の状態(元のままの状態、様々な物質の堆積物)、ロッド又はロッド部分と外部物質の接触である。
好適な分類特徴は、ロッド又はロッド部分の結晶構造、ロッド又はロッド部分の内部及び表面領域における結晶子のサイズ、タイプ、形状及び配置、フィラメントロッドと堆積したシリコンとの界面(存在する中間層の色、形状、厚さ及び組成物、結合強度、等)及びロッド又はロッド部分内部の(例えばガス充填した)空隙の存在又は不在、及び上記特徴の組合せである。

Claims (2)

  1. 多結晶質シリコンの製造方法であって、少なくとも一基の反応器中に存在する支持体上に多結晶質シリコンを堆積させ、多結晶質シリコンロッドを得る工程と、前記少なくとも一基の反応器から前記多結晶質シリコンロッドを取り出す工程と、前記取り出した多結晶質シリコンロッドをチャンクに粉砕する工程とを含んでなり、前記少なくとも一基の反応器から前記多結晶質シリコンロッドを取り出すことに続いて、及び前記取り出した前記多結晶質シリコンロッドをチャンクに粉砕することの前に、前記多結晶質シリコンロッド全体又は1個の多結晶質シリコンロッドから分離された部分を、前記ロッドの直径および少なくとも一つの更なる特徴に基づいて、少なくとも2つの品質区分に分類し、前記少なくとも2つの品質区分が、別々の異なった粉砕する工程に送られ、前記少なくとも一つの更なる特徴は、
    前記ロッド中にある前記シリコンの位置
    前記反応器中にある前記ロッドの位置
    ならびに、
    −前記ロッド全体又は部分の、機械的、熱的若しくは電気的方法による自然の又は分裂による破壊特性、
    −音、超低周波音及び超音波用前記ロッド全体又は部分の屈折率、
    −前記ロッド全体又は部分の、熱的励起、電気的励起若しくは光学的励起後又は非励起状態における発光スペクトル、
    −前記ロッド全体又は部分の吸収スペクトル、
    −前記ロッド全体又は部分の中性子活性化、
    −前記ロッド全体又は部分の厚さ、
    −前記ロッド全体又は部分の形状、
    −前記ロッド全体の長さ、
    −前記ロッド全体又は部分の重量、
    −前記ロッド全体又は部分の多孔度、
    −前記ロッド全体又は部分の密度、
    −ロッド直径、
    −前記ロッド全体又は部分の表面汚染又は全体汚染であって、
    ・金属、非金属又は組成物による表面汚染、
    ・金属、非金属又は組成物による全体汚染、
    ・シリコン粉塵を含む粉塵による表面汚染、
    から選択される、表面汚染又は全体汚染、
    −前記ロッドの取り出しの際及び分類までの時間における、空気の温度及び汚染物質を含む空気の組成、
    −元のままの状態、様々な物質の堆積物を有する状態を含む、堆積後の堆積反応器の状態、
    −存在する中間層の色、形状、厚さ及び組成物、結合強度を含む、フィラメントロッドとシリコンの界面の特徴、
    −前記ロッド全体又は部分と外部物質の接触、
    −前記ロッド全体又は部分の臭気、
    −前記ロッド全体又は部分の機械的励起後の音、
    −前記ロッド全体又は部分の固有振動周波数、
    −前記ロッド全体又は部分の電気抵抗、
    −電磁波用前記ロッド又は部分の屈折率、
    −前記ロッド全体又は部分のX線回折特性、
    −前記ロッド全体又は部分のX線吸収特性、
    −前記ロッド全体又は部分の同位体組成、
    −様々な波長の電磁放射線用の前記ロッド全体又は部分の表面反射率、
    −様々な波長の電磁放射線用の前記ロッド全体又は部分の破壊表面の反射率、
    −様々な周波数の電磁又は音波用の前記ロッド全体又は部分のインピーダンス、
    −前記ロッド全体又は部分の結晶構造、
    −前記ロッド全体又は部分の内部及び表面領域における、結晶子のサイズ、タイプ、形状及び配置、
    −前記ロッド全体又は部分と様々な化学物質の反応特性、
    −前記ロッド全体又は部分の硬度、
    −前記ロッド全体又は部分の曲げ強度、
    −前記ロッド全体又は部分の引張強度、
    −前記ロッド全体又は部分の圧縮強度、
    −前記ロッド全体又は部分のせん断強度、
    −前記ロッド全体又は部分の応力、
    −前記ロッド全体又は部分の慣性モーメント、
    −前記ロッド全体又は部分の熱電導性、
    −前記ロッド全体又は部品の電磁透過性、
    −前記ロッド全体又は部品の中性子回折特性、
    −前記ロッド全体又は部品の中性子吸収特性、
    −前記ロッド全体又は部品の核スピン共鳴特性、
    −前記ロッド全体又は部品の電気的キャパシタンス、
    −前記ロッド全体又は部品の電磁誘導性、
    −前記ロッド全体又は部品の磁化、
    −前記ロッド全体又は部品の磁気モーメント、
    −前記ロッド全体又は部品の磁性感受性、
    −前記ロッド全体又は部品の放射能、
    −前記ロッド全体又は部品の表面又は破壊表面の熱移動係数、
    −前記ロッド全体又は部品の電気的分極率、
    −前記ロッド全体又は部品の電気的透過率、
    −前記ロッド全体又は部品の粒子放出、
    −前記ロッド全体又は部品の色、
    −前記ロッド全体又は部品の光沢、
    −前記ロッド全体又は部品の表面上にあるステイン、
    −前記ロッド全体又は部品の表面変形、
    −前記ロッド全体又は部品の表面構造、
    −前記ロッド全体又は部品の個人的な目視による品質印象を含む、外観
    −前記ロッド全体又は部品内部の空隙の存在又は不在、
    またはそれらの任意の組合である、方法。
  2. 前記多結晶質シリコンロッドのチャンクへの前記粉砕に続いて、多孔度、亀裂、孔、及びステインからなる群から選択される少なくとも一つの特徴に基づいて前記チャンクの分類を行い、分類が、少なくとも2つの品質区分になる様に行われる、請求項1に記載の方法。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114026044A (zh) 2019-05-21 2022-02-08 瓦克化学股份公司 用于生产多晶硅的方法
WO2020234401A1 (de) 2019-05-21 2020-11-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung von polykristallinem silicium
KR20220017500A (ko) 2019-06-11 2022-02-11 와커 헤미 아게 다결정 실리콘의 제조 방법
US20220314228A1 (en) * 2019-08-29 2022-10-06 Wacker Chemie Ag Method for producing silicon fragments
CN110967466B (zh) * 2019-11-13 2022-05-17 鞍钢集团矿业有限公司 采场空区稳定性的评价方法
WO2021121558A1 (de) 2019-12-17 2021-06-24 Wacker Chemie Ag Verfahren zur herstellung und klassifizierung von polykristallinem silicium
CN111545327B (zh) * 2020-05-19 2021-09-17 铜仁职业技术学院 一种矿石加工装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1015422A (ja) * 1996-07-03 1998-01-20 Sumitomo Sitix Corp 多結晶シリコンの破砕方法
DE19741465A1 (de) 1997-09-19 1999-03-25 Wacker Chemie Gmbh Polykristallines Silicium
DE10019601B4 (de) 2000-04-20 2006-09-14 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliciumstabes
JP2006206387A (ja) 2005-01-28 2006-08-10 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコン還元炉及び多結晶シリコンロッド
DE102005019873B4 (de) 2005-04-28 2017-05-18 Wacker Chemie Ag Vorrichtung und Verfahren zum maschinellen Zerkleinern von Halbleitermaterialien
DE102006016323A1 (de) 2006-04-06 2007-10-11 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern und Sortieren von Polysilicium
DE102006016324A1 (de) * 2006-04-06 2007-10-25 Wacker Chemie Ag Vorrichtung und Verfahren zum flexiblen Klassieren von polykristallinen Silicium-Bruchstücken
KR100768148B1 (ko) * 2006-05-22 2007-10-17 한국화학연구원 금속 코어수단을 이용한 다결정 실리콘 봉의 제조방법
DE102006040486A1 (de) * 2006-08-30 2008-03-13 Wacker Chemie Ag Verfahren zur zerstörungsfreien Materialprüfung von hochreinem polykristallinen Silicium
DE102007023041A1 (de) 2007-05-16 2008-11-20 Wacker Chemie Ag Polykristalliner Siliciumstab für das Zonenziehen und ein Verfahren zu dessen Herstellung
EP2036856B1 (en) 2007-09-04 2018-09-12 Mitsubishi Materials Corporation Clean bench and method of producing raw material for single crystal silicon
KR101811872B1 (ko) * 2007-09-20 2017-12-22 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 다결정 실리콘 반응로 및 다결정 실리콘의 제조 방법
DE102007047210A1 (de) 2007-10-02 2009-04-09 Wacker Chemie Ag Polykristallines Silicium und Verfahren zu seiner Herstellung
CN101928001A (zh) * 2009-06-25 2010-12-29 中国科学院过程工程研究所 一种制备粒状多晶硅的新型流化床反应装置
JP5751748B2 (ja) * 2009-09-16 2015-07-22 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン塊群および多結晶シリコン塊群の製造方法
JP5238762B2 (ja) 2010-07-06 2013-07-17 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン棒の製造方法
DE102010039752A1 (de) 2010-08-25 2012-03-01 Wacker Chemie Ag Polykristallines Silicium und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010040093A1 (de) * 2010-09-01 2012-03-01 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium
DE102010043702A1 (de) * 2010-11-10 2012-05-10 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Bestimmung von Verunreinigungen in Silicium
CN102515166A (zh) * 2011-12-20 2012-06-27 国电宁夏太阳能有限公司 一种多晶硅棒的制备方法
DE102012200994A1 (de) * 2012-01-24 2013-07-25 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Bestimmung einer Oberflächen-Verunreinigung von polykristallinem Silicium

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